KR101127022B1 - 고주파 회로 및 고주파 부품 - Google Patents

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히타치 긴조쿠 가부시키가이샤
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Abstract

주파수가 상이한 복수의 통신 방식의 고주파 신호를 분파하는 고주파 회로서, 제1 포트와 제2 포트 사이에 배치된 저역 통과 필터 회로(low-pass filter circuit) 및/ 또는 제1 포트와 제4 포트 사이에 배치된 고역 통과 필터(high-pass filter circuit)와, 제1 포트와 제3 포트 사이에 배치된 정합 회로(matching circuit) 및 대역 통과 필터 회로(band-pass filter circuit)를 구비하고, 저역 통과 필터 회로, 고역 통과 필터 회로 및 정합 회로는 커패시턴스(capacitance) 소자 및 인덕턴스(inductance) 소자를 구비하고, 대역 통과 필터 회로는 SAW 필터이며, 저역 통과 필터 회로의 통과 대역 f1, 대역 통과 필터 회로의 통과 대역 f2, 및 고역 통과 필터 회로의 통과 대역 f3가 f1 < f2 < f3의 관계에 있는 고주파 회로.
고주파 회로, 고주파 부품, 고주파 신호, 정합 회로, 신호 처리, 저역 통과 필터, 대역 통과 필터, 고역 통과 필터, 커패시턴스, 인덕턴스, 통신 방식

Description

고주파 회로 및 고주파 부품{HIGH-FREQUENCY CIRCUIT AND HIGH-FREQUENCY COMPONENT}
본 발명은, 휴대 전화기 등의 이동체 통신 기기나, W-LAN, 블루투스(Bluetooth？) 등의 근거리 무선 통신 기기에 사용되고, 복수의 통신 방식의 고주파 신호를 분파하는 고주파 회로, 및 이러한 고주파 회로를 가지는 고주파 부품에 관한 것이다.
현재의 무선 통신에는 다양한 규격 및 방식이 있으며, 휴대 전화기 등의 이동체 통신 기기는, 이용자 수의 증가나 이용자의 편리성을 고려하여, 복수의 방식(멀티 모드)에 의하여 복수의 주파수대(다 대역, multi-band)에 대한 대응이 요구되고 있다. 현재, 세계의 휴대 전화기에는 각종 액세스 방식이 있으며, 또한 각 지역에서 복수의 액세스 방식이 혼재하고 있다. 다중화 방식으로서 FDMA(Frequency Division Multiple Access)가 채용된 제1 세대로 불리우는 아날로그 휴대 전화기 방식 이후, 현재 주류를 이루는 다중화 방식으로서 TDMA(Time Division Multiple Access, 시분할 다중 접속)이 채용된 제2 세대로 불리우는 디지털 휴대 전화기 방식의 PDC(Personal Digital Cellular), 유럽을 중심으로 채용되고 있는 GSM(Global System for Mobile Communications), DCS(Digital Cellular System), 미국을 중심으로 하여 DAMPS(Digital Advanced Mobile Phone Service)나 PCS(Personal Communications Service) 방식이 있다. GSM, DAMPS, DCS 및 PCS는 각각 GSM850, GSM900, GSM1800 및 GSM1900으로 불리우기도 한다. 또한 GSM 방식에서는, 휴대 전화망을 사용하여, GPRS(General Packet Radio SeNice)나 EDGE(Enhanced Data GSM Environment)의 데이터 전송 기술도 이용되고 있다.
최근 미국, 유럽, 중국, 한국 및 일본에서 보급되기 시작하고 있는 액세스 방식으로 CDMA(Code Division Multiple Access, 부호 분할 다중 접속) 방식이 있다. 상기 CDMA 방식은 가입자 용량의 면에서 TDMA 방식보다 우수하기 때문에, 현재 가장 주목되고 있는 기술이다. 또한, 고도의 송신 전력 제어를 달성하는 기술이 확립되어 있어서, 본래 무선 전송로의 길이나 전반손실이 대폭 변화될 수 있는 이동 통신 시스템에 대해서도 계속 적용 가능하게 되고 있다.
CDMA 방식은, ITU(국제 전기 통신 연합)에 의해 정해진 IMT2000 표준에 준거하여, 고속 데이터 통신이나 멀티미디어를 이용한 각종 서비스 등을 제공하는 이른바 제3 세대의 이동체 통신 시스템에 이용되고 있다.
CDMA 방식으로는, 미국 표준인 IS-95(Interim Standard-95)로 규격화된 cdmaOne의 상위 규격의 cdma2000이나, 유럽 표준의 UMTS(Universal Mobile Telecommunications System)로서 W-CDMA로도 불리우는 DS-CDMA(Direct Spread Code Division Multiple Access)나, TD-CDMA(Time Division Code Division Multiple Access)나, 중국 독자 규격인 TD-SCDMA(Time Division Synchronous Code Division Multiple Access)가 있다. TD-CDMA나 TD-SCDMA는, 상향과 하향을 시분할에 의하여 잘게 전환(switching)하여 통신하는 시분할복신(TDD) 기술을 채용하는 점에서, 다른 CDMA 방식과 상이하다.
미국에서는, 휴대 전화기에 의한 긴급 통보 시에 통신 사업자에게 발신 위치의 특정을 의무화하는 법률이 시행되어, 최근 휴대 전화기 등의 이동체 통신 기기에 GPS(Global Positioning System) 내비게이션 기능이 부가되었다. 일본 등에도 이용자의 편리성의 향상의 관점에서, GPS 내비게이션 기능을 채용하는 휴대 전화기가 증가하고 있다.
데이터 전송 기술에서는, FHSS(Frequency Hopping Spread Spectrum: 주파수 도약 확산 스펙트럼)방식으로 2.4GHz의 ISM(Industrial, Scientific and Medical, 산업, 과학 및 의료) 대역을 이용하는 블루투스나, OFDM(Orthogonal Frequency Division Multiples: 직교 주파수 분할 다중) 변조 방식으로 5GHz대의 주파수 대역을 이용하는 IEEE802.11a나, 블루투스와 마찬가지로 DSSS(Direct Sequence Spread Spectrum: 직접 시켄스 확산 스펙트럼) 방식으로 2.4GHz의 ISM(Industrial, Scientific and Medical, 산업, 과학 및 의료) 대역을 이용하는IEEE802.11b나, OFDM(Orthogonal Frequency Division Multiples: 직교 주파수 분할 다중) 변조 방식으로 2.4GHz 대역을 이용하는IEEE802.11g 등의 복수의 규격을 가지는 WLAN이 있다. 이들 데이터 전송 기술을 채용하는 휴대 전화기도 증가하고 있다.
이와 같은 이동체 통신 기기의 프론트 엔드부(고주파 회로부)에 사용되는 고주파 부품은, 복수의 방식과 복수의 주파수대에 대응하도록 요구됨과 동시에 항상 소형화가 요구되고 있다.
일본국 특개 2000-56651호에는, 송수신 타이밍이 상이한 TDMA 방식과 송수신을 동시에 행하는 DS-CDMA 방식의 양쪽에서 사용할 수 있는 통신 단말기를 기재하고 있다. 도 15는 그 고주파 회로부를 나타내는 블록도이다. 상기 통신 단말기는, 하나의 공용 안테나에 접속된 SP3T(single-pole, triple-throw)의 고주파 스위치(100)와, CDMA 방식의 입출력 신호를 취급하는 듀플렉서(200, duplexer)와, TDMA의 송신부 및 수신부와, CDMA의 송신부 및 수신부를 구비하고, 고주파 스위치(100)에 의해 CDMA 방식의 입출력 신호를 취급하는 듀플렉서(200)로 향하는 신호 경로와, TDMA 송신부, TDMA 수신부로 향하는 신호 경로를 전환한다.
일본국 특개 2000-156651호의 고주파 회로는 CDMA의 송수신 신호를 듀플렉서(200)가 분파시킨다. 예를 들면 W-CDMA의 경우, 그 송신 신호의 주파수와 수신 신호의 주파수가 접근하고 있으므로, 듀플렉서(200)는 급격한 감쇠 특성을 가질 필요가 있다. 그러나, 이와 같은 듀플렉서는 그 사이즈가 크기 때문에, 듀얼 밴드 휴대 전화기(다대역 통신 장치)가 대형화되는 문제가 있다. 또 고주파 스위치(100)를 사용하여, TDMA 무선부와 CDMA 무선부를 전환하므로, CDMA 방식의 신호를 수신하면서 TDMA 방식으로 통신하도록 CDMA/TDMA 방식의 입출력 신호를 동시에 취급할 수 없다. 당연히, GPS 신호를 수신하면서 TDMA 방식 또는 CDMA 방식으로 통신할 수도 없다.
일본국 특개 2003-8385호에는, 3개의 상이한 주파수의 신호를 분파하는 복합형 LC 필터 회로(분파기)를 기재하고 있다. 도 16은 그 회로를 나타내는 블록도이다. 상기 복합형 LC 필터 회로는, 저역 통과 필터(low-pass filter) LPF1과, 대역 통과 필터(band-pass filter) BPF와, 고역 통과 필터(high-pass filter) HPF1로 구성되어 있다. 저역 통과 필터 LPF1은, 제1 포트 P1와 제2 포트 P2 사이에 접속되고, 그 통과 대역은 f1으로 설정되어 있다. 고역 통과 필터 HPF1은, 제1 포트 P1과 제2 포트 P4 사이에 접속되고, 그 통과 대역은 f3( > f1)로 설정되어 있다. 대역 통과 필터 BPF는, 제1 포트 P1과 제3 포트 P3 사이에 종속적으로 접속되고, 그 통과 대역은 f2(f1 < f2 < f3)로 설정되어 있다. 취급 방식으로서, AMPS, PCS, GSM, DCS, W-CDMA 및 GPS가 예시되어 있다. 상기 통신 방식에서의 이용 주파수 대역을 이하의 표 1에 나타낸다.
[표l]
통신 방식 송신 주파수 대역 TX
(MHz)		 수신 주파수 대역 RX
(MHz)
GSM 880 ~ 9l5 925 ~ 960
DAMPS 824 ~ 849 869 ~ 894
PDC 940 ~ 956 810 ~ 826
DCS 1710 ~ 1785 1805 ~ 1880
PCS 1850 ~ 1910 1930 ~ 1990
WCDMA 1920 ~ 1980 2110 ~ 2170
GPS - 1574.42 ~ 1576.42
WLAN 2.4GHz대, 5GHz대
일본국 특개 2003-8385호에 개시된 복합형 LC 필터 회로에서는, 각 필터를 LC 필터로서 다층 기판 내에 구성함으로써 소형화를 도모하고 있다. 그러나, 대역 통과 필터 BPF를 LC 필터로 구성하면, 인덕턴스(inductance) 소자와 커패시턴스(capacitance) 소자의 병렬 공진 회로와, 인덕턴스 소자와 커패시턴스 소자의 다른 병렬 공진 회로와, 복수개의 결합 커패시턴스 소자가 필요하고, 고역 통과 필터나 저역 통과 필터와 비교하여, 필연적으로 구성 소자의 개수가 많아진다. 또 대역외 감쇠량을 충분히 얻을 수 없는 경우에는, 공진 회로를 더 형성하는 등, 구성 소자를 증가시켜야만 할 경우도 있다.
또한, 리액턴스 소자를 다층 기판에 전극 패턴으로 형성하는 경우, 각 필터를 구성하는 전극 패턴끼리 간섭하여 부유 용량 등이 생기고, 전송 손실이나 아이솔레이션 등 전기적 특성이 열화되지 않도록 구성할 필요가 있다. 그러나 패턴간의 간섭을 고려하면서, 많은 구성 소자를 다층 기판에 배치하기 위해서는, 다층 기판의 외형의 치수를 크게 하지 않을 수 없으므로, 고주파 회로를 한층 더 소형화하기 곤란하다.
따라서, 본 발명의 목적은, 주파수가 상이한 복수의 통신 방식의 고주파 신호를 분파하는 고주파 회로를, 인덕턴스 소자나 커패시턴스 소자로 구성되는 LC 필터 회로와, SAW 필터를 사용한 필터 회로로 구성함으로써, 무선 통신 기기에서 복수의 방식(멀티 모드)으로, 복수의 주파수대(다 대역)에 대응할 수 있는 고주파 회로를 제공하는 것이다.
발명의 다른 목적은, 전술한 바와 같은 고주파 회로를 가지며, 소형이면서 전기적 특성이 우수한 고주파 부품을 제공하는 것이다.
주파수가 상이한 복수의 통신 방식의 고주파 신호를 분파하는, 본 발명의 고주파 회로는, 제1 포트와 제2 포트 사이에 배치된 저역 통과 필터 회로 및/ 또는 상기 제1 포트와 제4 포트 사이에 배치된 고역 통과 필터 회로와, 상기 제1 포트와 제3 포트 사이에 배치된 정합 회로(matching circuit) 및 대역 통과 필터 회로를 구비하고, 상기 저역 통과 필터 회로, 상기 고역 통과 필터 회로 및 상기 정합 회로는 캐퍼시턴스 소자 및 인덕턴스 소자를 구비하며, 상기 대역 통과 필터 회로는 SAW 필터이며, 상기 저역 통과 필터 회로의 통과 대역 f1, 상기 대역 통과 필터 회로의 통과 대역 f2, 및 상기 고역 통과 필터 회로의 통과 대역 f3가 f1 < f2 < f3의 관계에 있는 것을 특징으로 하는 고주파 회로이다.
상기 정합 회로는, 상기 제1 포트와 접지(ground) 사이에 접속된 인덕턴스 소자를 가지고, 상기 인덕턴스 소자는 250MHz에서의 Q값(Quality factor)이 20이상이며, 정전 서지(surge)를 흡수하는 것이 바람직하다.
상기 제2 포트 내지 제4 포트 중 어느 하나에, 커패시턴스 소자 및 인덕턴스 소자를 구비한 분파 회로가 접속되어 있는 것이 바람직하다. 또 상기 제2 포트 내지 제4 포트 중 어느 하나에 스위칭 소자를 구비하는 스위치 회로가 접속되어 있는 것이 바람직하다.
상기 SAW 필터는 평형(平衡) 포트와 불평형(不平衡) 포트를 구비한 평형-불평형 형의 SAW 필터인 것이 바람직하다. 이 경우, 상기 불평형 포트는 상기 제1 포트 측에, 상기 평형 포트는 상기 제3 포트 측에 각각 접속되어 있는 것이 바람직하다. 상기 SAW 필터의 평형 포트에 인덕턴스 소자 및/ 또는 커패시턴스 소자를 구비한 정합 회로가 접속되어 있는 것이 바람직하다. 평형 포트의 입력 커패시턴스와 불평형 포트의 입력 임피던스를 상이하게 하면, 임피던스 변환 회로로서도 기능시킬 수 있다.
상기 제1 포트는 다 대역 안테나에 접속되어 있는 것이 바람직하다.
본 발명의 고주파 부품은 상기 고주파 회로를 가지고, 상기 고역 통과 필터 회로 및/ 또는 상기 저역 통과 필터 회로, 및 상기 정합 회로를 구성하는 회로 소자(인덕턴스 소자, 커패시턴스 소자) 중 적어도 일부는 전극 패턴에 따라 형성되어 다층 기판에 내장되어 있고, 다른 회로 소자 및 SAW 필터는 상기 다층 기판상에 실장되어 있는 것을 특징으로 한다.
상기 고역 통과 필터 회로의 인덕턴스 소자 및 커패시턴스 소자를 구성하는 전극 패턴과, 상기 저역 통과 필터 회로의 인덕턴스 소자 및 커패시턴스 소자를 구성하는 전극 패턴과, 상기 정합 회로의 인덕턴스 소자 및 커패시턴스 소자를 구성하는 전극 패턴은, 상기 다층 기판의 적층 방향으로 서로 중첩되지 않게 배치되어 있는 것이 바람직하다.
본 발명의 고주파 부품에서는, 상기 정합 회로를 구성하는 커패시턴스 소자와 인덕턴스 소자를 실장 부품으로서 상기 다층 기판에 실장하는 것이 바람직하다.
상기 정합 회로용의 인덕턴스 소자는, 각 단에 각부(脚部)가 설치된 자심(磁心)과, 상기 자심에 권취된 코일과, 상기 다리부의 하면 측에 설치되고, 상기 코일의 종단부가 접속된 단자 전극을 구비하고, 상기 자심은 알루미나(aluminum oxide)를 주성분으로 하는 비자성의 세라믹 재료로 이루어지는 것이 바람직하다.
본 발명의 고주파 부품에 있어서, 상기 다층 기판의 실장면에 근접하는 층에 대한 실장 기판의 간섭을 방지하기 위해 전체면에 접지 전극이 형성되고, 상기 다층 기판의 실장면에 LGA(Land Ghd Arra)의 단자 전극이 형성되고, 상기 단자 전극은 비아홀(via hole)을 통하여 각 필터와 접속되어 있는 것이 바람직하다.
본 발명의 고주파 부품에 있어서, 상기 저역 통과 필터 회로의 통과 대역 f1, 상기 대역 통과 필터 회로의 통과 대역 f2, 및 상기 고역 통과 필터 회로의 통과 대역 f3가 f1 < f2 < f3의 관계에 있는 것이 바람직하다.
상기한 바와 같이, 본 발명의 고주파 회로는, 인덕턴스 소자나 커패시턴스 소자로 구성된 필터 회로와, SAW 필터를 사용한 필터 회로로 구성되어 있으므로, 복수의 방식(멀티 모드)에서 복수의 주파수대(다 대역)에 대응할 수 있다. 또한 상기 고주파 회로를 다층 기판에 형성함으로써, 소형이면서 전기적 특성이 우수한 고주파 부품을 얻을 수 있다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 고주파 회로를 나타낸 블록도이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 고주파 회로를 나타낸 블록도이다.
도 3은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 고주파 회로를 나타낸 블록도이다.
도 4는 도 3에 나타낸 고주파 회로의 등가 회로를 나타낸 도면이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 고주파 회로를 나타낸 블록도이다.
도 6은 유 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 고주파 회로를 나타낸 블록도이다.
도 7은 불평형-평형형 SAW 필터의 평형 포트에 접속되는 정합 회로의 등가 회로를 나타낸 도면이다.
도 8은 본 발명의 일실시예에 따른 고주파 부품을 나타낸 사시도이다.
도 9는 유 본 발명의 일실시예에 따른 고주파 부품을 구성하는 다층 기판을 나타낸 분해 사시도이다.
도 10은 본 발명의 일실시예에 따른 고주파 부품의 삽입 손실 특성을 나타낸 그래프이다.
도 11은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 고주파 회로를 나타낸 블록도이다.
도 12는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 고주파 회로를 나타낸 블록도이다.
도 13은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 고주파 회로를 나타낸 블록도이다.
도 14는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 고주파 회로를 나타낸 블록도이다.
도 15는 종래의 통신 단말기의 고주파 회로부를 나타낸 블록도이다.
도 16은 종래의 분파기의 회로를 나타낸 블록도이다.
도 1 내지 도 3은 본 발명의 각 실시예에 따른 고주파 회로를 나타낸다. 고주파 회로(1)는, 주파수가 상이한 2개 이상의 통신 방식의 고주파 신호를 분파한다. 고주파 회로(1)(분파 회로)에는, 제1 포트 P1에 제2 포트 P2 및 제3 포트 P3가 접속된 경우(도 1)와, 제3 포트 P3 및 제4 포트 P4가 접속된 경우(도 2)와, 제2 포트 P2 내지 제4 포트 P4가 접속된 경우(도 3)의 3가지 태양이 있지만, 이하 이들 태양을 함께 설명한다. 고주파 회로(1)는, 제1 포트 P1과 제2 포트 P2 사이에 접 속된 저역 통과 필터 회로 LPF와, 제1 포트 P1과 제3 포트 P3 사이에 접속된 정합 회로와, 상기 정합 회로에 접속된 대역 통과 필터 회로 BPF와, 제1 포트 P1과 제4 포트 P4 사이에 접속된 고역 통과 필터 회로 HPF를 구비하고, 대역 통과 필터 BPF는 SAW 필터로 구성되어 있다.
도 4는 도 3의 고주파 회로의 등가 회로의 일례를 나타낸다. 저역 통과 필터 회로 LPF는, 인덕턴스 소자 L8, L9 및 커패시턴스 소자 C15, C25에 의해 구성되고, 그 통과 대역은 제1 통신 방식의 주파수 대역을 포함하도록 설정되어 있다. 인덕턴스 소자 L8와 커패시턴스 소자 C25로 이루어진 병렬 공진 회로의 공진 주파수, 제2 통신 방식의 주파수 대역에 위치하고, 제2 통신 방식의 주파수 대역으로 고 임피던스가 되도록 설정되어 있다.
고역 통과 필터 회로 HPF는, 인덕턴스 소자 L6, 및 커패시턴스 소자 C14, C20, C23에 의해 구성되며, 통과 대역이 제3 통신 방식의 주파수 대역을 포함하도록 설정되어 있다. 인덕턴스 소자 L6와 커패시턴스 소자 C23의 직렬 공진 회로의 공진 주파수는, 제2 통신 방식의 주파수 대역에 위치하고, 제2 통신 방식의 주파수 대역으로 고 임피던스가 되도록 설정되어 있다.
대역 통과 필터 회로 BPF는 SAW 필터로 이루어지고, SAW 필터와 제1 포트 P1 사이에 정합 회로가 접속되어 있다. 상기 정합 회로는, 커패시턴스 소자 C32 및 인덕턴스 소자 L7에 의하여 구성되어 있고, 안테나 측으로부터 본 SAW 필터의 커패시턴스를 소정의 임피던스(예를 들면 대략 50Ω)로 정합시키는 기능과 함께, 위상기로서의 기능도 발휘한다. 상기 위상기는, 제1 포트 P1로부터 SAW 필터 측을 보 았을 때의 임피던스가 고 임피던스가 되도록 위상을 조정하는 기능을 가진다. 그러므로, 통과 주파수 대역에서는, 소정의 임피던스를 얻으면서, 제1 통신 방식 및 제2 통신 방식의 주파수 대역에서의 임피던스를 고 임피던스로 설정할 수 있다.
SAW 필터는 많아봐야 50V정도의 내전압을 가지고, 정전 서지에 약한 부품이다. 또한, 내전압에 뒤떨어지는 GaAs(갈륨비소), CaN(질화 갈륨) 등의 FET(전계 효과 트랜지스터) 스위치를 사용하는 경우가 있다. 그래서 상기 정합 회로에 접지에 접속한 집중 정수 소자의 인덕턴스 소자 L7을 사용하여 정전 서지를 흡수시킴으로써, 인체로부터의 정전 서지가 안테나에 입력된 경우라도, SAW 필터나 FET 스위치가 파괴되지 않도록 하고 있다.
고주파 회로부에서는, 크로스토크 등에 대한 잡음 특성을 개선하기 위해, 회로의 일부를 평형화하는 것이 바람직하다. 예를 들면, 수신 회로에서는, 잡음 지수를 내려 수신 감도를 향상시키기 위해, 평형 입력형의 저잡음 증폭기 LNA를 사용하는 경우가 있다. 이와 같은 경우, 도 5에 나타낸 바와 같이, SAW 필터를 평형 포트와 불평형 포트를 구비하는 SAW 필터(이후 「평형형 SAW 필터」로 칭함)로 하면, 새롭게 평형-불평형 회로를 형성하지 않아도, 평형형의 고주파 회로와 접속할 수 있다. 저잡음 증폭기 LNA의 입력 임피던스는 50Ω-300Ω정도로서 다양하므로, 불평형 포트의 입력 임피던스와 평형 포트의 입력 임피던스가 상이한 평형형 SAW 필터를 사용하면, 입력 임피던스가 상이한 고주파 회로와 접속이 용이하게 된다.
소형 또는 염가의 평형형 SAW 필터를 사용고자 하는 경우, 평형 포트간의 신호 진폭 차인 진폭 밸런스(amplitude balance), 신호 위상차인 위상 밸런스(phase
balance)가, 원하는 특성보다 큰 것을 사용하여야만 하는 경우가 있다. 진폭 밸런스나 위상 밸런스의 열화는, 기생 용량 등의 기생 성분에 의해, 불평형 포트에 입력되는 신호가 평형 포트로부터의 출력 신호에 중첩하고, 그 결과 평형 포트로부터 동 일 위상 신호가 출력됨에 따라서 일어나는 것으로 추측되고 있다. 그래서, 도 6에 나타낸 회로 블록과 같이, 평형 포트에 정합 회로를 접속하여 동일 위상 신호 성분을 저감시키는 것이 바람직하다. 상기 정합 회로는, 예를 들면 도 7a 내지 7d에 나타내는 바와 같이, 인덕턴스 소자 및/ 또는 커패시턴스 소자를 구비하고, 위상 회로로서 기능한다.
이상과 같이 구성한 고주파 회로에 의하면, 저역 통과 필터 회로 LPF의 통과 주파수 대역에서는, 제1 포트 P1로부터 제3 포트 P3 측을 보았을 때의 임피던스와, 제1 포트 P1로부터 제4 포트 P4를 보았을 때의 임피던스가 고 임피던스가 된다. 또한, 대역 통과 필터 회로(SAW 필터)의 통과 주파수 대역에서는, 제1 포트 P1로부터 제2 포트 P2측을 보았을 때의 임피던스와, 제1 포트 P1로부터 제4 포트 P4를 보았을 때의 임피던스가 고 임피던스가 된다. 또한, 고역 통과 필터 회로 HPF의 통과 주파수 대역에서는, 제1 포트 P1로부터 제2 포트 P2 측을 보았을 때의 임피던스, 제1 포트 P1로부터 제3 포트 P3를 보았을 때의 임피던스가 고 임피던스가 된다. 그 결과, 각 통신 방식의 고주파 신호가, 다른 통신 방식의 신호 경로로 새는 것을 방지하여, 각 신호 경로에서의 전송 손실을 작게 할 수 있다. 또 대역 통과 필터 회로를 SAW 필터로 구성함으로써, 회로 소자 수를 크게 줄일 수 있어서 종래의 LC 필터만으로 구성한 분파 회로의 경우보다 소형화할 수 있다.
예를 들면, 제1 통신 방식을 DAMPS, 제2 통신 방식을 GPS, 제3 통신 방식을 PCS 로 하면, GPS의 수신 신호를 제1 포트 P1과 제3 포트 P3의 경로로 수신하면서, 제1 포트 P1와 제2 포트 P2의 경로로 DAMPS, 제1 포트 P1와 제4 포트 P4의 경로로 PCS의 통신 방식을 이용할 수 있다.
이상에서는 제1-제2 포트 사이, 제1-제3 포트 사이, 및 제1-제4 포트 사이에서 각각 상이한 통신 방식을 취급하는 경우에 대하여 기술하였으나, 본 발명의 고주파 회로를, 임의의 통신 방식의 송신 신호 및 수신 신호의 분파에 이용하는 것도 당연히 가능하다. 예를 들면, 제1 통신 방식을 DCS, 제2 통신 방식을 WCDMA로 하면, 제1-제2 포트 사이에 저역 통과 필터 회로, 제1-제3 포트 사이에 대역 통과 필터 회로(SAW 필터)를 구비함으로써, 제1-제2 포트 사이에서 DCS의 송수신 신호 및 WCDMA의 송신 신호를 통과시키고, 제1-제3 포트 사이에서 WCDMA의 수신 신호를 통과시키면, WCDMA의 송수신 신호를 상이한 경로로 분파할 수 있다. 이 경우, 별도로 듀플렉서를 필요로 하지 않는다. 그리고 DCS의 송수신 신호 및 WCDMA의 송신 신호를 통과시키는 동시에, WCDMA의 수신 신호 주파수로 급격한 감쇠 특성을 발휘하는 저역 통과 필터 회로로 하기 위해서는, 복수개의 저역 통과 필터를 다단으로 접속하는 것이 바람직하다.
표 1에 나타낸 바와 같이, WCDMA/DCS 외에도, 주파수 대역이 중복되거나, 주파수 대역은 상이하지만 근접한 주파수 대역을 이용하는 통신 방식이 존재한다. 예를 들면 GSM(송신 주파수 880 ～ 915MHz, 수신 주파수 925 ～ 960MHz)와 DAMPS(송신 주파수 824 ～ 849MHz, 수신 주파수 869 ～ 894MHz), DCS(송신 주파수 TX 1710 ～ 1785MHz, 수신 주파수 RX 1805 ～ 1880MHz)와 PCS(송신 주파수 TX 1850 ～ 1910MHz, 수신 주파수 RX 1930 ～ 1990MHz)와 WCDMA(송신 주파수 TX 1920 ～ 1980MHz, 수신 주파수 RX 21l0 ～ 2170MHz) 등이 있다. 근접 또는 중복되는 주파수 대역을 이용하는 통신 방식이라면, 본 발명의 고주파 회로에 있어서 동일한 경로를 통과시킬 수 있다.
본 발명의 실시예를 도면을 참조하여 보다 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.
[제1 실시예]
도 8은 도 2에 나타낸 고주파 회로를 다층 기판에 형성한 고주파 부품을 나타내고, 도 9는 그 다층 기판의 구성을 나타낸다. 도 9에 부여한 부호는 도 2에 부여한 부호와 대응한다. 도 9에 나타나 있지 않은 회로 소자는, 도 8에 나타낸 바와 같이, 다층 기판상에 실장되어 있다.
도 2에 나타낸 고주파 회로와 같은 등가 회로를 구비한 고주파 부품은, 저역 통과 필터 회로, 고역 통과 필터 회로 및 정합 회로를 구성하는 인덕턴스 소자 및 커패시턴스 소자의 일부를 다층 기판 중의 각 시트 상에 전극 패턴으로 형성하고, 인덕턴스 소자 및 커패시턴스 소자의 일부 및 SAW 필터를 칩 부품으로서 다층 기판상에 탑재하고, 원칩(one chip)화한 분파기이며, 제1 통신 방식으로서 DAMPS, 제2 통신 방식으로서 GPS, 및 제3 통신 방식으로서 PCS에 대응한다.
인덕턴스 소자 및 커패시턴스 소자를 내장하는 다층 기판은, 저온에서 소성 가능한 세라믹 유전체 재료로 이루어진 두께 10 ～ 200μm의 각 그린 시트 상에 Ag 또는 Cu를 주체로 하는 도전 페이스트를 원하는 전극 패턴형으로 인쇄하고, 얻어진 전극 패턴을 가지는 복수개의 그린 시트를 적층 일체화하고, 소성함으로써 제조할 수 있다. 다층 기판을 구성하는 각 시트는, 세라믹 유전체 재료 외에, 절연성 수지 및 수지/세라믹의 절연성 복합재에 의해도 형성하는 것이 가능하다.
저역 통과 필터 LPF를 구성하는 인덕턴스 소자 L8 및 커패시턴스 소자 C15, C25는, 제6 층으로부터 제10 층에 걸쳐서 형성된 코일형의 라인 패턴이나 컨덴서 패턴으로 다층 기판 내에 형성되어 있고, 인덕턴스 소자 L9는 칩 부품으로서 다층 기판 상에 실장되어 있고, 비아홀(도면 중 검은 원으로 나타냄) 등의 적당한 접속 수단에 의해 접속되어 있다.
고역 통과 필터 HPF를 구성하는 커패시턴스 소자 C14, C20, C23은, 제3층으로부터 제5층, 및 제10층에 형성된 컨덴서 패턴으로 다층 기판 내에 형성되어 있고, 인덕턴스 소자(6)는 칩 부품으로서 다층 기판상에 실장되어 있고, 비아홀(도면 중 검은 원으로 나타냄) 등의 적당한 접속 수단에 의해 접속되어 있다.
SAW 필터와 정합 회로를 구성하는 인덕턴스 소자 L7 및 커패시턴스 소자 C32는 다층 기판상에 실장되어 있다. 본 실시예에서는, SAW 필터는 불평형 입력-불평형 출력 형이지만, 불평형 입력-평형 출력 형의 SAW 필터일 수도 있다.
제11 층에는, 거의 전체면에 접지 전극 GND가 형성되어, 실장 기판과의 간섭을 방지하고 있다. 다층 기판의 배면에는 LGA(Land Grid Array)의 단자 전극이 형성되어, 비아홀을 통하여 각 필터와 접속되어 있다. 외부 단자 ANT는 등가 회로의 제1 포트 P1과 대응하고, 외부 단자 AMPS는 등가 회로의 제2 포트 P2와 대응하며, 외부 단자 GPS는 등가 회로의 제3 포트 P3와 대응하고, 외부 단자 PCS는 등가 회로의 제4 포트 P4와 대응한다.
저역 통과 필터 회로 LPF를 구성하도록 다층 기판 내에 형성된 인덕턴스 소자 및 커패시턴스 소자의 전극 패턴은, 도 9에 나타낸 각 시트의 우측에 배치되고, 고역 통과 필터 회로 HPF를 구성하는 커패시턴스 소자의 전극 패턴은 각 시트의 좌측에 배치되어 있으므로, 양측은 시트의 적층 방향으로 서로 중첩되지 않는다. 이와 같이 전극 패턴이 적층 방향으로 중첩되지 않게 배치되어 있으므로, 통과 대역이 상이한 필터 및 정합 회로를 구성하는 전극 패턴간의 전자기적인 결합이나 기생 임피던스의 증가가 방지되어 전기적 특성이 열화되지 않는다.
각 필터 및 정합 회로에 사용한 표면 실장형 인덕터 L6, L7, L9는, 예를 들면, 1005 사이즈로, 자심에 권취된 코일과, 자심의 양단에 설치된 각부와, 각부의 하면에 설치되어 코일의 종단부가 접속하는 단자 전극을 구비한다. 코일에 의해 발생하는 자계는 실장면과 대략 평행하므로, 다층 기판에 형성된 전극 패턴과의 간섭을 억제할 수 있다. 또 인덕터 L6, L7, L9는 자기 공진 주파수가 높고, 손실이 적게 된다. 그러므로, 고주파 부품은 우수한 전기적 특성을 발휘한다.
자심을 구성하는 재료로서는 알루미나를 주성분으로 하는 비자성 세라믹이 바람직하며, 예를 들면, A1를 주성분으로 하고, 부성분으로서 Mn, Cr, Ti, Si 및 Sr으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 성분(Mn는 필수)을 가지는 비자성 세라믹이나, N를 주성분으로 하고, 부성분으로서 Si, Ca, Ba, Ti, Ir 및 P으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 성분(Si는 필수)을 가지는 비자성 세라믹을 들 수 있다. 특히 표면 실장형 인덕터의 자기 공진 주파수가 각 통신 방식의 주파수 대역보다 충분히 높고, 250MHz에서의 Q값이 20이상으로 높은 비자성 세라믹이 바람직하다.
예를 들면, 3.2mm × 2.5mm × 0.6mm의 다층 기판에, 각 필터 회로의 인덕턴스 소자 및 커패시턴스 소자를 형성하는 동시에, 2015 사이즈의 SAW 필터, 및 1005 사이즈의 인덕턴스 소자 및 커패시턴스 소자를 실장하였다. 그리고 본 실시예에서는 상기 인덕턴스 소자로서, 자기 공진 주파수가 10GHz이며, 250MHz에서의 Q값이 25인 고주파용 코일 타입 인덕터를 사용한다. 도 10은 제1-제2 포트 사이(P1-P2), 제1-제3 포트 사이(P1-P3), 및 제1-제4 포트 사이(P1-P4)의 삽입 손실 특성을 나타낸다. 제1-제2 포트 사이에 배치된 저역 통과 필터 회로는 DAMPS의 송수신 신호를 통과시키지만, 다른 방식의 송수신 신호를 감쇠시킨다. 제1-제3 포트 사이에 배치된 SAW 필터는 GPS의 수신 신호를 통과시키지만, 다른 방식의 송수신 신호를 감쇠시킨다. 제1-제4 포트 사이에 배치된 저역 통과 필터 회로는 PCS의 송수신 신호를 통과시키지만, 다른 방식의 송수신 신호를 감쇠시킨다. 각각의 필터 회로는, 통과해야 할 신호의 주파수 대역에서는 삽입 손실이 작고, 감쇠해야 할 신호의 주파수 대역에서는 삽입 손실이 충분히 크다. 이와 같이 하여, DAMPS, GPS 및 PCS의 3개의 통신 방식의 고주파 신호를 분파하는 소형의 고주파 부품을 구성할 수 있다.
ESD(electrostatic discharge)시험을 lEC61000-4-2에 따라 실시하였다. ±5kV를 인가하여도 부품 성능을 해치지 않는 것이 요구되지만, 본 발명의 고주파 부품에서는, 제1 포트 P1에 ±7kV를 인가하여도 고주파 부품은 파괴되지 않고, 전기 적 특성의 열화도 발생하지 않았다.
[제2 실시예]
도 11은 본 발명의 다른 실시예에 따른 고주파 회로를 나타낸다. 상기 고주파 회로는 제1 실시예와 마찬가지로 고주파 부품을 사용한 다대역 휴대 전화기에 매우 적합가게 사용할 수 있다. 고주파 부품(1)의 제1 포트 P1은, 다 대역 안테나 ANT에 접속되고, 제2 포트 P2에는 DAMPS의 송수신 신호의 경로를 전환하는 스위치 회로 SW가 접속되며, 제4 포트 P4에는 PCS의 송수신 신호의 경로를 전환하는 스위치 회로 SW가 접속되어 있다. DAMPS 및 PCS의 송신 경로에는 저역 통과 필터 회로 LPF가 설치되고, 수신 경로에는 대역 통과 필터 회로 BPF가 형성되어 있다.
고주파 부품(1)의 제3 포트 P3, 양측 저역 통과 필터 회로 LPF 및 양측 대역 통과 필터 회로 BPF는 앰프 회로부 RFIC와 접속하고 있고, 앰프 회로부 RFIC는, 신호의 변조 및 복조를 행하는 신호 처리부(도시하지 않음)에 다 대역 안테나 ANT로부터의 수신 신호를 증폭하여 송신하는 로 노이즈 앰프나, 상기 신호 처리부로부터 출력된 송신 신호를 증폭하여, 다 대역 안테나 ANT에 송신하는 파워앰프 등을 구비하고 있다.
스위치 회로 SW는, 스위칭 소자로서 PIN 다이오드나 FET를 사용한 고주파 스위치이면 된다. 저역 통과 필터 회로 LPF는 인덕턴스 소자 및 커패시턴스 소자로 구성되는 LC 필터이다. 또 대역 통과 필터 회로 BPF는 저역 통과 필터 회로 LPF 와 마찬가지로 LC 필터이어도 되지만, 고주파 회로 부의 소형화를 위해서, 압전 공진자를 사용한 SAW 필터인 것이 바람직하다.
스위치 회로 SW, 저역 통과 필터 회로 LPF 및 대역 통과 필터 회로 BPF의 리액턴스 소자는, 고주파 부품(1)을 구성하는 다층 기판 내부의 전극 패턴으로 구성하거나, 칩 부품으로서 스위칭 소자나 SAW 필터와 함께 다층 기판상에 실장되어서, 일체화할 수 있다. 앰프 회로부 RFIC 등도 마찬가지로 일체화 가능한 것은 물론이다. 이와 같이 구성하면, 고주파 회로부 전체를 용 이하게 소형의 모듈로 형성할 수 있다.
본 실시예에 의하여, GPS의 수신 신호를 제1 포트 P1과 제3 포트 P3의 경로로 수신하면서, 제1 포트 P1과 제2 포트 P2의 경로로 DAMPS, 제1 포트 P1과 제4 포트 P4의 경로로 PCS의 통신 방식을 이용할 수 있고, 소형이면서 내ESD가 뛰어난 다대역 휴대 전화기를 얻을 수 있다.
[제3 실시예]
도 12는 본 발명의 또 다른 실시예에 의한 고주파 회로를 나타낸다. 상기 고주파 회로는, 제1 실시예와 마찬가지로 고주파 부품을 사용한 다대역 휴대 전화기에 매우 적합하다. 제3 실시예의 고주파 회로에는, 제2 포트 P2에 GSM과 DAMPS의 송수신 신호의 경로를 전환하는 SP3T(single-pole, triple-throw) 스위치 회로 SW가 접속하고, 제4 포트 P4에 WLAN의 송수신 신호의 경로를 전환하는 SPDT(single-pole, double throw) 스위치 회로 SW가 접속하고, DAMPS/GSM 및 WLAN의 송신 경로에 저역 통과 필터 회로 LPF 또는 대역 통과 필터 회로 BPF가 접속하고, DAMPS/GSM 및 WLAN의 수신 경로에 대역 통과 필터 회로 BPF가 접속하고, WLAN의 신호 경로에 배치된 대역 통과 필터 회로 BPF와 RFIC 사이에 평형-불평형 변환 회로 Balun이 접속되어 있는 점에서, 제2 실시예의 고주파 회로와 상이하다. 평형-불평형 변환 회로는, 인덕턴스 소자나 커패시턴스 소자로 구성되지만, 대역 통과 필터 회로 BPF를, 평형 포트를 구비하는 것으로 형성하면, 평형-불평형 변환 회로 Balun은 불필요하다. SP3T 스위치 회로 SW는, 제2 포트 P2와 DAMPS/GSM에서 공통의 송신 경로와, DAMPS의 수신 경로와, GSM의 수신 경로를 전환하는 것이다.
본 실시예의 고주파 회로는 DAMPS/GSM/GPS/WLAN의 통신 방식을 이용할 수 있다. 즉, GPS의 수신 신호를 제1 포트 P1과 제3 포트 P3의 신호 경로로 수신하면서, 제1 포트 P1과 제2 포트 P2의 신호 경로로 DAMPS/CSM의 통신 방식을 이용하고, 동시에 제1 포트 P1과 제4 포트 P4의 신호 경로로 WLAN에 의한 데이터의 송수신을 행할 수 있다. 본 실시예의 고주파 회로도 제2 실시예와 마찬가지로 용이하게 소형 모듈화할 수 있다.
[제4 실시예]
도 13은 본 발명의 또 다른 실시예에 의한 고주파 회로를 나타낸다. 상기 고주파 회로는, 제1 실시예와 마찬가지로 고주파 부품을 사용한 다대역 휴대 전화기에 사용하기에 적합하다. 본 실시예의 고주파 회로에서는, 제2 포트 P2에, 저역 통과 필터 회로 LPF와 고역 통과 필터 회로 HPF로 구성되며, GSM/DCS/WCDMA의 송수신 신호를 분파하는 분파 회로(20)가 접속하고, 분파 회로(20)의 고역 통과 필터 회로 HPF에는, WCDMA의 송신 신호와 DCS의 송수신 신호의 경로를 전환하는 SP3T(single-pole, triple-throw) 스위치 회로 SW가 접속되어 있다. WCDMA의 송신 신호와 수신 신호는, 고주파 부품(1)에 의해 분파된다. 본 발명의 고주파 회로는 GSM/DCS/WCDMA의 통신 방식을 이용할 수 있고, WCDMA의 수신 신호를 제1 포트 P1과 제3 포트 P3의 경로로 수신하면서, 제1 포트 P1과 제2 포트 P2의 경로로 GSM/DCS의 통신 방식을 이용할 수 있다.
[제5 실시예]
도 14는 본 발명의 또 다른 실시예에 의한 고주파 회로를 나타낸다. 상기 고주파 회로는, 제1 실시예와 마찬가지로 고주파 부품을 사용한 다대역 휴대 전화기에 사용하기에 적합하다. 본 실시예의 고주파 회로에서는, 제2 포트 P2에, WCDMA의 송신 신호와 GSM/DCS/PCS의 송수신 신호의 경로를 전환하는 SP4T(sinde-pole, quad-throw) 스위치 회로 SW가 접속하고, SP4T 스위치 회로 SW에는, 상이한 통신 방식의 송신 신호와 수신 신호를 분파하는 분파 회로(20)가 접속되어 있다. 이와 같은 구성에 의해, 상기 효과에 더하여, 예를 들면 RFIC에 있어서 GSM의 고조파 성분이 PCS의 신호 경로에 누설된 경우라도, 다 대역 안테나 ANT로부터의 방사를 방지할 수 있다.
본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고, 기술적 사상의 범위 내에서 적절하게 변경 가능하다.
상기한 바와 같이, 본 발명의 고주파 회로는 SAW 필터와 LC필터 회로를 복합하였으므로, 구성 소자의 수가 저감되고, 보다 소형이면서 삽입 손실이 작고, 다 대역 휴대 전화기의 프론트 엔드부의 소형화를 도모할 수 있다. 따라서, 본 발명의 고주파 회로는 다 대역 휴대 전화기의 소형화 및 저소비 전력화에 기여한다.

Claims (13)

  1. 주파수가 상이한 복수의 통신 방식의 고주파 신호를 분파하는 고주파 회로로서,
    제1 포트와 제2 포트 사이에 배치된 저역 통과 필터 회로(low-pass filter circuit) 및/ 또는 상기 제1 포트와 제4 포트 사이에 배치된 고역 통과 필터 회로(high-pass filter circuit)와,
    상기 제1 포트와 제3 포트 사이에 배치된 정합 회로(matching circuit) 및 대역 통과 필터 회로(band-pass filter circuit)
    를 구비하고,
    상기 저역 통과 필터 회로, 상기 고역 통과 필터 회로 및 상기 정합 회로는, 커패시턴스(capacitance) 소자 및 인덕턴스(inductance) 소자를 구비하고,
    상기 대역 통과 필터 회로는 SAW(surface acoustic wave, 표면 탄성파) 필터이며,
    상기 저역 통과 필터 회로의 통과 대역 f1, 상기 대역 통과 필터 회로의 통과 대역 f2, 및 상기 고역 통과 필터 회로의 통과 대역 f3가 f1 < f2 < f3의 관계에 있고,
    상기 정합 회로는, 상기 제1 포트와 접지(ground) 사이에 접속된 인덕턴스 소자를 가지고, 상기 인덕턴스 소자는 250MHz에서의 Q값(Quality factor)이 20 이상이며, 정전 서지(surge)를 흡수하는 것을 특징으로 하는 고주파 회로.
  2. 주파수가 상이한 복수의 통신 방식의 고주파 신호를 분파하는 고주파 회로로서,
    제1 포트와 제2 포트 사이에 배치된 저역 통과 필터 회로(low-pass filter circuit) 및/ 또는 상기 제1 포트와 제4 포트 사이에 배치된 고역 통과 필터 회로(high-pass filter circuit)와,
    상기 제1 포트와 제3 포트 사이에 배치된 정합 회로(matching circuit) 및 대역 통과 필터 회로(band-pass filter circuit)
    를 구비하고,
    상기 저역 통과 필터 회로, 상기 고역 통과 필터 회로 및 상기 정합 회로는, 커패시턴스(capacitance) 소자 및 인덕턴스(inductance) 소자를 구비하고,
    상기 대역 통과 필터 회로는 SAW(surface acoustic wave, 표면 탄성파) 필터이며,
    상기 저역 통과 필터 회로의 통과 대역 f1, 상기 대역 통과 필터 회로의 통과 대역 f2, 및 상기 고역 통과 필터 회로의 통과 대역 f3가 f1 < f2 < f3의 관계에 있고,
    상기 제2 포트 내지 제4 포트 중 어느 하나의 포트에, 커패시턴스 소자 및 인덕턴스 소자를 구비한 분파 회로가 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 고주파 회로.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제2 포트 내지 제4 포트 중 어느 하나의 포트에 스위칭 소자를 구비하는 스위치 회로가 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 고주파 회로.
  4. 주파수가 상이한 복수의 통신 방식의 고주파 신호를 분파하는 고주파 회로로서,
    제1 포트와 제2 포트 사이에 배치된 저역 통과 필터 회로(low-pass filter circuit) 및/ 또는 상기 제1 포트와 제4 포트 사이에 배치된 고역 통과 필터 회로(high-pass filter circuit)와,
    상기 제1 포트와 제3 포트 사이에 배치된 정합 회로(matching circuit) 및 대역 통과 필터 회로(band-pass filter circuit)
    를 구비하고,
    상기 저역 통과 필터 회로, 상기 고역 통과 필터 회로 및 상기 정합 회로는, 커패시턴스(capacitance) 소자 및 인덕턴스(inductance) 소자를 구비하고,
    상기 대역 통과 필터 회로는 SAW(surface acoustic wave, 표면 탄성파) 필터이며,
    상기 저역 통과 필터 회로의 통과 대역 f1, 상기 대역 통과 필터 회로의 통과 대역 f2, 및 상기 고역 통과 필터 회로의 통과 대역 f3가 f1 < f2 < f3의 관계에 있고,
    상기 SAW 필터는 평형(平衡) 포트와 불평형(不平衡) 포트를 구비하고, 상기 불평형 포트는 상기 제1 포트 측에, 상기 평형 포트는 상기 제3 포트 측에 각각 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 고주파 회로.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 SAW 필터의 평형 포트에 인덕턴스 소자 및/ 또는 커패시턴스 소자를 구비한 정합 회로가 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 고주파 회로.
  6. 제1항, 제2항, 또는 제4항 중 하나의 항에 있어서,
    상기 제1 포트가 다 대역(multi-band) 안테나에 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 고주파 회로.
  7. 제1항, 제2항, 또는 제4항 중 하나의 항에 기재된 고주파 회로를 적층 기판에 구성한 고주파 부품.
  8. 제1 포트와 제2 포트 사이에 배치된 저역 통과 필터 회로 및/ 또는 상기 제1 포트와 제4 포트 사이에 배치된 고역 통과 필터 회로와,
    상기 제1 포트와 제3 포트 사이에 배치된 정합 회로 및 대역 통과 필터 회로
    를 구비하고,
    상기 저역 통과 필터 회로 및/ 또는 상기 고역 통과 필터 회로, 및 상기 정합 회로는, 커패시턴스 소자 및 인덕턴스 소자를 구비하고,
    상기 고역 통과 필터 회로, 상기 저역 통과 필터 회로, 및 상기 정합 회로를 구성하는 회로 소자(인덕턴스 소자, 커패시턴스 소자) 중 적어도 일부는 전극 패턴에 의하여 형성되어 다층 기판에 내장되어 있고, 다른 회로 소자 및 SAW 필터는 상기 다층 기판 상에 실장되어 있고,
    상기 정합 회로를 구성하는 커패시턴스 소자 및 인덕턴스 소자가 상기 다층 기판 상에 실장되어 있으며,
    상기 정합 회로용의 인덕턴스 소자는, 각 단에 각부(脚部)가 설치된 자심과, 상기 자심에 권취된 코일과, 상기 각부의 하면 측에 설치되고 상기 코일의 종단부가 접속된 단자 전극을 구비하고, 상기 자심은 알루미나(aluminum oxide)를 주성분으로 하는 비자성의 세라믹 재료로 이루어진 것을 특징으로 하는 고주파 부품.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 고역 통과 필터 회로의 인덕턴스 소자 및 커패시턴스 소자를 구성하는 전극 패턴과, 상기 저역 통과 필터 회로의 인덕턴스 소자 및 커패시턴스 소자를 구성하는 전극 패턴과, 상기 정합 회로의 인덕턴스 소자 및 커패시턴스 소자를 구성 하는 전극 패턴은, 상기 다층 기판의 적층 방향으로 서로 중첩되지 않게 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 고주파 부품.
  10. 제1 포트와 제2 포트 사이에 배치된 저역 통과 필터 회로 및/ 또는 상기 제1 포트와 제4 포트 사이에 배치된 고역 통과 필터 회로와,
    상기 제1 포트와 제3 포트 사이에 배치된 정합 회로 및 대역 통과 필터 회로
    를 구비하고,
    상기 저역 통과 필터 회로 및/ 또는 상기 고역 통과 필터 회로, 및 상기 정합 회로는, 커패시턴스 소자 및 인덕턴스 소자를 구비하고,
    상기 고역 통과 필터 회로, 상기 저역 통과 필터 회로, 및 상기 정합 회로를 구성하는 회로 소자(인덕턴스 소자, 커패시턴스 소자) 중 적어도 일부는 전극 패턴에 의하여 형성되어 다층 기판에 내장되어 있고, 다른 회로 소자 및 SAW 필터는 상기 다층 기판 상에 실장되어 있고,
    상기 다층 기판의 실장면에 근접하는 층에 실장 기판과의 간섭을 방지하기 위하여 거의 전체면에 접지 전극이 형성되고, 상기 다층 기판의 실장면에 LGA(Land Grid Array)의 단자 전극이 형성되고, 상기 단자 전극은 비아홀(via hole)을 통하여 각 필터와 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 고주파 부품.
  11. 제8항 내지 제10항 중 하나의 항에 있어서,
    상기 저역 통과 필터 회로의 통과 대역 f1, 상기 대역 통과 필터 회로의 통과 대역 f2, 및 상기 고역 통과 필터 회로의 통과 대역 f3가 f1 < f2 < f3의 관계에 있는 것을 특징으로 하는 고주파 부품.
  12. 삭제
  13. 삭제
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014052417A1 (en) * 2012-09-25 2014-04-03 Dsp Group, Inc. Cmos based tx/rx switch
KR101625444B1 (ko) * 2015-03-05 2016-06-13 (주)와이솔 필터 모듈

Families Citing this family (81)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7885613B2 (en) * 2005-04-15 2011-02-08 Hitachi Metals, Ltd. Multiband high-frequency circuit, multiband high-frequency circuit device and multiband communications apparatus comprising same
KR101114163B1 (ko) * 2005-08-29 2012-02-22 엘지이노텍 주식회사 트리플렉서
TW200713681A (en) * 2005-09-26 2007-04-01 Murata Manufacturing Co High-frequency front end module, and duplexer
JP2007158660A (ja) * 2005-12-05 2007-06-21 Alps Electric Co Ltd 高周波回路
JP4637026B2 (ja) * 2006-02-08 2011-02-23 株式会社日立メディアエレクトロニクス 高周波回路装置及びこれを搭載した通信装置。
JP4637774B2 (ja) * 2006-03-17 2011-02-23 富士通株式会社 移動通信端末
JP2007259296A (ja) * 2006-03-24 2007-10-04 Toshiba Corp アンテナ共用器および携帯電話
JP2007288361A (ja) * 2006-04-13 2007-11-01 Toshiba Corp 不平衡給電アンテナ装置
TWI407761B (zh) * 2006-12-07 2013-09-01 Wistron Neweb Corp 可同時於複數個行動通訊系統下待機之通訊裝置
WO2008075691A1 (ja) * 2006-12-19 2008-06-26 Hitachi Metals, Ltd. 高周波回路、高周波部品、及び通信装置
WO2008084723A1 (ja) * 2006-12-28 2008-07-17 Hitachi Metals, Ltd. 高周波部品及び通信装置
JP5041285B2 (ja) * 2007-04-24 2012-10-03 日立金属株式会社 高周波部品
DE102007021581B4 (de) 2007-05-08 2018-09-27 Snaptrack Inc. Elektrisches Bauelement mit einer Frontend-Schaltung
KR100879261B1 (ko) * 2007-07-20 2009-01-16 (주)클라셋 듀얼 밴드 안테나를 위한 매칭회로
CN101409572B (zh) * 2007-10-09 2012-12-19 海华科技股份有限公司 单或多系统信号匹配模块
JP5027680B2 (ja) * 2008-01-18 2012-09-19 パナソニック株式会社 半導体リレーモジュール
KR100905873B1 (ko) * 2008-01-23 2009-07-03 삼성전기주식회사 무선통신 모듈
US20090184779A1 (en) * 2008-01-23 2009-07-23 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Wireless communication module
WO2009155966A1 (en) 2008-06-23 2009-12-30 Nokia Corporation Tunable antenna arrangement
KR100956231B1 (ko) * 2008-07-02 2010-05-04 삼성전기주식회사 Ｒｆ 프론트엔드 직접 포지션닝을 위한 ｓａｗ 대역 제한필터와 ｓａｗ 직접 상관용 정합 필터를 융합한 구조를갖는 수신 장치
JP5262413B2 (ja) * 2008-08-12 2013-08-14 株式会社村田製作所 マルチバンドデュプレクサモジュール
KR100909842B1 (ko) * 2008-09-22 2009-07-28 주식회사 아이.티.에프 표면탄성파 공진기 및 표면탄성파 공진기를 포함한 ｒｆ 필터
US8204537B2 (en) * 2009-04-09 2012-06-19 Broadcom Corporation Multiple frequency band information signal frequency band conversion
US8604893B2 (en) * 2009-12-22 2013-12-10 Cornell University Electrical prism: a high quality factor filter for millimeter-wave and terahertz frequencies
JP2011223441A (ja) * 2010-04-13 2011-11-04 Kyocera Corp 携帯通信端末
US8452254B2 (en) 2010-08-20 2013-05-28 Raytheon Company Selecting and routing sub-signals from a common signal path
DE102010052046A1 (de) * 2010-11-23 2012-05-24 Hirschmann Automation And Control Gmbh WLAN-Funkmodul für industrielle Anwendungen
CN102104392B (zh) * 2010-12-15 2013-10-09 华为技术有限公司 多频段多路收发设备及方法、基站系统
WO2012090559A1 (ja) * 2010-12-29 2012-07-05 株式会社村田製作所 弾性波フィルタ装置及びそれを備えた通信機器
DE112012000737B4 (de) * 2011-02-09 2018-02-15 Murata Manufacturing Co., Ltd. Hochfrequenzmodul
CN103141031B (zh) * 2011-02-23 2015-05-20 株式会社村田制作所 阻抗变换电路以及通信终端装置
JP5754201B2 (ja) * 2011-03-28 2015-07-29 Tdk株式会社 積層構造型バラン
CN102244505A (zh) * 2011-03-31 2011-11-16 苏州磐启微电子有限公司 一种用于射频芯片阻抗变换的集总参数元件电路
DE112012004229B4 (de) 2011-06-23 2019-05-09 Murata Manufacturing Co., Ltd. Splitter
US9118302B2 (en) * 2011-08-08 2015-08-25 Skyworks Panasonic Filter Solutions Japan Co., Ltd Filter module
TWI474633B (zh) * 2011-12-16 2015-02-21 Richwave Technology Corp 具靜電保護機制之整合被動元件
CN106486779A (zh) * 2012-05-09 2017-03-08 株式会社村田制作所 线圈天线元件以及天线模块
WO2013180003A1 (ja) 2012-06-01 2013-12-05 株式会社村田製作所 高周波モジュール
US9083310B2 (en) 2012-07-03 2015-07-14 Tdk Corporation Laminated structural type balun
JP5668029B2 (ja) * 2012-07-17 2015-02-12 株式会社Ｎｔｔドコモ 無線回路、周波数ペア決定方法
US8964898B2 (en) * 2012-09-14 2015-02-24 Northrop Grumman Systems Corporation Multi-function receiver with switched channelizer having high dynamic range active microwave filters using carbon nanotube electronics
US9312820B2 (en) 2012-09-23 2016-04-12 Dsp Group Ltd. CMOS based TX/RX switch
US9431473B2 (en) 2012-11-21 2016-08-30 Qualcomm Incorporated Hybrid transformer structure on semiconductor devices
US10002700B2 (en) 2013-02-27 2018-06-19 Qualcomm Incorporated Vertical-coupling transformer with an air-gap structure
US9634645B2 (en) 2013-03-14 2017-04-25 Qualcomm Incorporated Integration of a replica circuit and a transformer above a dielectric substrate
US9722639B2 (en) 2013-05-01 2017-08-01 Qorvo Us, Inc. Carrier aggregation arrangements for mobile devices
US9225382B2 (en) * 2013-05-20 2015-12-29 Rf Micro Devices, Inc. Tunable filter front end architecture for non-contiguous carrier aggregation
DE102013105999A1 (de) * 2013-06-10 2014-12-24 Epcos Ag Mobilfunkgerät mit gemeinsam genutztem Filter, Verfahren zum Betrieb des Mobilfunkgeräts und Verwendung eines Filters
US9270302B2 (en) 2013-06-20 2016-02-23 Rf Micro Devices, Inc. Carrier aggregation arrangement using triple antenna arrangement
US9449753B2 (en) 2013-08-30 2016-09-20 Qualcomm Incorporated Varying thickness inductor
US9935670B2 (en) 2013-09-26 2018-04-03 Qorvo Us, Inc. Carrier aggregation using multiple antennas
CN103888095B (zh) * 2014-02-21 2017-02-01 广东风华高新科技股份有限公司 双工器和多工器
US9729191B2 (en) 2014-03-14 2017-08-08 Qorvo Us, Inc. Triplexer architecture for aggregation
US9893709B2 (en) 2014-03-14 2018-02-13 Qorvo Us, Inc. RF triplexer architecture
WO2015146316A1 (ja) * 2014-03-24 2015-10-01 株式会社村田製作所 送受信装置
US9906318B2 (en) * 2014-04-18 2018-02-27 Qualcomm Incorporated Frequency multiplexer
JP2014220851A (ja) * 2014-08-27 2014-11-20 京セラ株式会社 携帯通信端末
GB2529884B (en) * 2014-09-05 2017-09-13 Smart Antenna Tech Ltd Reconfigurable multi-band antenna with independent control
US10535921B2 (en) 2014-09-05 2020-01-14 Smart Antenna Technologies Ltd. Reconfigurable multi-band antenna with four to ten ports
CN107210733B (zh) * 2015-01-23 2020-09-18 株式会社村田制作所 滤波器装置
US9742451B2 (en) * 2015-03-30 2017-08-22 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Multiplexer device with hybrid LC/acoustic filter
CN106612121B (zh) * 2015-10-22 2019-10-22 苏州博海创业微系统有限公司 多频合路开关电路
CN105306088A (zh) * 2015-11-12 2016-02-03 邓志华 一种具有同时通信的蓝牙、wifi二合一模块
CN108604890B (zh) * 2016-02-08 2022-06-21 株式会社村田制作所 高频前端电路以及通信装置
US10476532B2 (en) 2016-02-24 2019-11-12 Murata Manufacturing Co., Ltd. Multiplexer, transmission apparatus, and reception apparatus
JP6658070B2 (ja) * 2016-02-24 2020-03-04 株式会社村田製作所 マルチプレクサ、送信装置および受信装置
CN107623175A (zh) * 2016-07-15 2018-01-23 深圳市共进电子股份有限公司 Wifi天线
US10148249B2 (en) * 2016-08-05 2018-12-04 Murata Manufacturing Co., Ltd. High frequency circuit and communication apparatus
JP6965581B2 (ja) * 2016-08-05 2021-11-10 株式会社村田製作所 高周波モジュール及び通信装置
CN107689778B (zh) 2016-08-05 2022-03-01 株式会社村田制作所 高频模块以及通信装置
CN107743044A (zh) * 2016-08-10 2018-02-27 株式会社村田制作所 分集开关电路、高频模块以及通信装置
US10348339B2 (en) * 2016-10-28 2019-07-09 Avago Technologies International Sales Pte. Limited Switched multiplexer device selectively connecting multiple filter circuits to common node for carrier aggregation
JP6920605B2 (ja) * 2016-12-27 2021-08-18 アイコム株式会社 通信機
WO2018180420A1 (ja) * 2017-03-31 2018-10-04 株式会社村田製作所 複合フィルタ装置
JP6905721B2 (ja) * 2017-08-09 2021-07-21 京セラ株式会社 フィルタデバイス、フィルタモジュールおよび通信装置
CN211702017U (zh) 2017-09-21 2020-10-16 株式会社村田制作所 滤波电路和高频模块
US10615839B2 (en) * 2018-02-13 2020-04-07 Murata Manufacturing Co., Ltd. High-frequency-signal transceiver circuit
WO2019178830A1 (zh) * 2018-03-23 2019-09-26 深圳市麦捷微电子科技股份有限公司 一种ltcc叠层片式双工器
CN108649914B (zh) * 2018-03-23 2020-04-28 深圳市麦捷微电子科技股份有限公司 一种ltcc叠层片式双工器
JP2020195115A (ja) * 2019-05-30 2020-12-03 株式会社村田製作所 高周波回路および通信装置
CN115398810A (zh) * 2020-04-24 2022-11-25 株式会社村田制作所 高频模块以及通信装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11127052A (ja) 1997-10-24 1999-05-11 Murata Mfg Co Ltd 複合フィルタ及びそれを用いた無線装置
JP2002141764A (ja) * 2000-11-01 2002-05-17 Hitachi Metals Ltd 周波数分波回路、およびアンテナスイッチ積層モジュール複合部品
JP2003087096A (ja) * 2001-09-17 2003-03-20 Toyo Commun Equip Co Ltd ラダー型弾性表面波フィルタ
KR20050033220A (ko) * 2003-10-06 2005-04-12 엘지전자 주식회사 휴대폰의 고주파 프론트 엔드 모듈

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09153842A (ja) * 1995-11-30 1997-06-10 Murata Mfg Co Ltd 高周波部品
JP3309831B2 (ja) * 1999-06-29 2002-07-29 松下電器産業株式会社 インダクタンス素子
US6437676B1 (en) 1999-06-29 2002-08-20 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Inductance element
WO2001045285A1 (fr) * 1999-12-14 2001-06-21 Matsushita Electric Industrial Co. Ltd. Composant composite, haute frequence, de commutation
JP4286533B2 (ja) * 2000-06-26 2009-07-01 パナソニック株式会社 ３周波分波回路
DE10053205B4 (de) * 2000-10-26 2017-04-13 Epcos Ag Kombinierte Frontendschaltung für drahtlose Übertragungssysteme
WO2002052724A1 (fr) * 2000-12-22 2002-07-04 Ube Industries, Ltd. Multiplexeur
US6690251B2 (en) * 2001-04-11 2004-02-10 Kyocera Wireless Corporation Tunable ferro-electric filter
JP4442056B2 (ja) 2001-06-18 2010-03-31 株式会社村田製作所 複合型ｌｃフィルタ部品
US6865376B2 (en) 2001-07-03 2005-03-08 Kyocera Wireless Corp. System and method for a GPS enabled antenna
EP1418680A4 (en) 2001-08-10 2005-04-06 Hitachi Metals Ltd DERIVATION FILTER, MUTIBAND ANTENNA SWITCHING CIRCUIT, LAMINATED MODULE COMPOSITE ELEMENT, AND COMMUNICATION DEVICE USING SAME
JP4224802B2 (ja) * 2002-03-18 2009-02-18 日立金属株式会社 ハイパスフィルタおよびこれを用いたマルチバンドアンテナスイッチ回路、マルチバンドアンテナスイッチ積層モジュール並びに通信装置
JP2003115736A (ja) 2001-10-05 2003-04-18 Murata Mfg Co Ltd ３分波・合波器
US6975841B2 (en) * 2001-11-12 2005-12-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Diplexer, and high-frequency switch and antenna duplexer using the same
JP4221205B2 (ja) * 2001-11-12 2009-02-12 パナソニック株式会社 ダイプレクサ並びにそれを用いた高周波スイッチ
JP2003152590A (ja) * 2001-11-14 2003-05-23 Ngk Spark Plug Co Ltd アンテナスイッチモジュール
EP1569296A1 (en) * 2002-11-29 2005-08-31 TDK Corporation Chip antenna, chip antenna unit and radio communication device using them
EP1427115A1 (en) * 2002-12-06 2004-06-09 TDK Corporation Antenna switching circuit
JP2004194240A (ja) 2002-12-13 2004-07-08 Murata Mfg Co Ltd ３分波・合波器
US7376440B2 (en) * 2003-04-16 2008-05-20 Kyocera Wireless Corp. N-plexer systems and methods for use in a wireless communications device
US6980067B2 (en) * 2003-04-16 2005-12-27 Kyocera Wireless Corp. Triplexer systems and methods for use in wireless communications device

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11127052A (ja) 1997-10-24 1999-05-11 Murata Mfg Co Ltd 複合フィルタ及びそれを用いた無線装置
JP2002141764A (ja) * 2000-11-01 2002-05-17 Hitachi Metals Ltd 周波数分波回路、およびアンテナスイッチ積層モジュール複合部品
JP2003087096A (ja) * 2001-09-17 2003-03-20 Toyo Commun Equip Co Ltd ラダー型弾性表面波フィルタ
KR20050033220A (ko) * 2003-10-06 2005-04-12 엘지전자 주식회사 휴대폰의 고주파 프론트 엔드 모듈

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014052417A1 (en) * 2012-09-25 2014-04-03 Dsp Group, Inc. Cmos based tx/rx switch
KR101625444B1 (ko) * 2015-03-05 2016-06-13 (주)와이솔 필터 모듈

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