JP5041285B2

JP5041285B2 - 高周波部品

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Publication number: JP5041285B2
Application number: JP2007114657A
Authority: JP
Inventors: 雅人榎木
Original assignee: Hitachi Metals Ltd
Current assignee: Hitachi Metals Ltd
Priority date: 2007-04-24
Filing date: 2007-04-24
Publication date: 2012-10-03
Anticipated expiration: 2027-04-24
Also published as: JP2008271421A

Description

本発明は、移動体通信機器等で用いられる弾性波フィルタ及びスイッチと弾性波フィルタを複合した高周波デバイスである複合部品に関する。

従来から、移動体通信機器等の電子機器には多くの電子部品が用いられている。携帯電話機などの高周波無線機器の小型化に、その高周波回路部で用いられる弾性波フィルタ等の電子部品が大いに貢献している。
ところで弾性波フィルタは不平衡入出力型フィルタがほとんどであったが、欧州地域をはじめとして広く適用されているＥＧＳＭ９００やＤＣＳ１８００等の携帯電話機では、雑音指数を下げ、受信感度を上げるように、増幅器・ミキサ等の回路部品で平衡型のものが用いられている。これに伴い、前記回路部品と接続する弾性波フィルタも入力及び／又は出力が平衡型であるものが用いられるようになってきている。

弾性波フィルタとしては、バルク弾性波を利用するＢＡＷフィルタ（Ｂｕｌｋａｃｃｏｕｓｉｃｗａｖｅｆｉｌｔｅｒ）、表面弾性波を利用するＳＡＷフィルタ（ＳｕｒｆａｃｅａｃｏｕｓｔｉｃＷａｖｅｆｉｌｔｅｒ）、境界弾性波（Ｂｏｕｎｄａｒｙｅｌａｓｔｉｃｗａｖｅ）を利用する境界弾性波フィルタがある。このうち、縦モード型の弾性表面波フィルタは電極指（インターディジタルトランスデューサ電極）の構成上、平衡−不平衡変換が容易に実現できるため、弾性波フィルタの中でも特に広くも用いられるようになった。また、平衡−不平衡変換が可能なＢＡＷフィルタや境界弾性波フィルタも既に開発されており商品化も始まっている。

このような弾性波フィルタの一例として、図１１にＳＡＷフィルタの断面図を示す。多層基板の内部には、電極パターン（ラインパターンやビアホール）で形成された接続線路７２、８０、９１、９２が形成され、多層基板１０の上部には弾性表面波素子３が搭載されている。この多層基板１０の上面側に設けられて弾性表面波素子３を気密封止するエポキシ樹脂などの樹脂部材１５を備えたＳＡＷフィルタである。
弾性表面波素子３の不平衡入力ポートや平衡出力ポートは、前記接続線路を介して前記多層基板の底面に設けられた高周波端子（不平衡信号入力端子２０ａ、平衡信号出力端子２０ｃ）と接続し、グランドポートは同様に接続線路を介して多層基板の底面に設けられたグランド端子（図示せず）と接続する。

このような弾性波フィルタでは、多層基板において一対の平衡信号出力端子と接続する接続線路の長さの異なりにより、平衡信号間の位相差が生じ、フィルタ特性の劣化を招く場合があった。そこで特許文献１の弾性波フィルタでは接続線路の一部を屈曲して形成することで接続線路の電気長を等しくして伝送される平衡信号の位相差をなくすことでフィルタ特性を改善することが記載されている。
特開２００３−２５８５９７

特許文献１に開示された弾性波フィルタであれば、単体での特性を見ると位相差をなくすことが出来るが、回路基板に実装した場合に、回路基板側の電極パターンと多層基板内の接続線路との干渉によって所望の位相特性が得られない場合があった。また小型の弾性波フィルタには多層基板の小型化が不可欠であるが、多層基板に形成された電極パターン（接続線路、グランド電極、グランド端子、高周波端子等）の干渉によっても弾性波フィルタと平衡信号出力端子との間の電気長に差が生じて所望の位相特性が得られず、その結果フィルタ特性の劣化を招く場合があった。特に弾性波フィルタとスイッチ回路との複合部品では多くの回路素子を多層基板に構成する必要があり、多層基板内の配線は複雑となり、回路相互間の干渉が生じやすく、前記問題の発生が顕著になっていた。
そこで本発明は、弾性波フィルタに用いる多層基板の構造に起因する位相特性の劣化を改善し、優れた電気的特性を有する弾性波フィルタや複合部品を提供することを目的とする。

本発明は、多層基板に平衡出力の弾性波素子とスイッチング素子を実装し、前記多層基板の底面にグランド端子と高周波端子を備え、前記スイッチング素子で構成された高周波スイッチ回路に分波回路が接続され、前記分波回路には前記弾性波素子でなる複数の弾性波フィルタが接続されており、前記スイッチング素子及び前記弾性波素子の下部であって、前記多層基板の内層には、異なる層に形成され、ビアホールを介して接続された複数のグランド電極を有し、前記グランド電極間には、前記分波回路を構成するリアクタンス素子用の電極パターンを含み、前記高周波端子は少なくとも平衡信号端子と不平衡信号端子を有し、前記平衡信号端子は各弾性波素子の平衡ポートと前記多層基板に設けられた接続線路を介して接続し、前記多層基板の底面の一側面側にのみに並設され、前記多層基板の内層において、前記平衡信号端子と積層方向に重なる部位には、前記接続線路のみが設けられ、前記グランド電極は、前記平衡信号端子と、前記多層基板の表面に形成された弾性波素子の平衡ポートと接続する実装電極とに積層方向に重なり合わないことを特徴とする高周波部品である。

本発明においては、前記平衡信号端子が位置する底面の一側面側と対向する側面側に、アンテナ端子を含む前記不平衡信号端子が位置し、前記グランド電極の内、底面側のグランド電極とビアホールを介して接続されたグランド端子が、前記平衡信号端子と前記不平衡信号端子との間に挟まれた中央の領域と不平衡信号端子が配置された側面側を除く側面側に分かれて配置されるのが好ましい。
このような構成により、不平衡信号端子と平衡信号端子との間の干渉を防ぐことができる。また、平衡信号端子間には位相特性の劣化を防ぐため、グランド端子を設けないのが好ましい。
本発明においては、弾性波素子は少なくとも一対の平衡ポートを有するものであり、前記各平衡ポートから各平衡信号端子までの経路の電気長を実質的に等しくすることにより、位相特性の劣化を防ぐことができる。

本発明においては、更に増幅器などを複合してもよく、適宜多層基板にインダクタンス素子やキャパシタンス素子による整合回路を形成することもできる。

前記グランド電極間は、面内に縦列形成された積層方向に連続するビアホール群で接続され、前記ビアホール群は平衡信号端子側に位置するのが好ましい。
また、前記平衡信号端子と前記平衡ポートとは、積層方向に連続するビアホール群を介して接続するのが好ましく、前記平衡信号端子と前記平衡ポートとの間の経路が、グランド電極と重なり合わないことで、平面的に配置された他の電極パターンとの干渉を抑えることが出来る。

本発明においては、前記スイッチング素子と前記弾性波素子との間の経路に整合回路を備え、前記多層基板には前記整合回路を構成するリアクタンス素子を含み、前記リアクタンス素子を構成する電極パターンと、前記平衡信号端子と前記平衡ポートとの間の経路が重なり合わないようにするのが好ましい。

本発明においては、更にスイッチ素子と接続するフィルタ回路を備えるようにし、前記フィルタ回路を前記多層基板に電極パターンで形成されるインダクタ及びコンデンサで構成しても良い。

前記フィルタ回路の、インダクタやコンデンサ用の電極パターンは、前記平衡信号端子と積層方向に重なり合わない配置とするのが好ましい。
複数のグランド電極と、それらを電気的に接続するビアホール群で囲まれた領域に、整合回路やフィルタ回路を設け、その外領域に平衡信号端子と平衡ポートとを接続する経路を設けるのが好ましい。

複数のグランド電極を電気的に接続するビアホール群や、平衡信号端子と平衡ポートとを接続するビアホール群は、電極パターンと同様な導電材料で形成される場合が多く、密に充填される場合や、一部に空隙を有する場合もあり、スルーホールと呼ばれることもある。

本発明によれば、弾性波フィルタに用いる多層基板の構造に起因する位相特性の劣化を改善することが出来、電気的特性に優れた弾性波フィルタ及び複合部品を得ることが出来る。

本発明者等は、まず回路基板の電極パターンによる干渉を低減する多層基板の構造として、多層基板の最も底面側にビアホールとグランド電極のみを形成し、その上層に接続線路を設けることを試みた。
しかしながら試作を繰り返して行く内に、多層基板の構成によって位相特性にばらつきが生じることが判明した。図９は最底面側にグランド電極を形成した多層基板の部分拡大断面図である。また図１０はその多層基板を用いて構成された弾性波フィルタの回路ブロック図である。鋭意研究の結果、グランド電極５０と高周波端子のうちの平衡信号出力端子２０ｂ、２０ｃ等とが、積層方向で重なり合いって生じた寄生容量Ｃ１，Ｃ２により、接続線路の電気長にばらつきが生じたことが分かった。グランド電極５０と平衡信号出力端子２０ｂ、２０ｃは例えば数十μｍ〜５０μｍの間隔をもって配置され、その間は比誘電率が５〜３０程度の誘電体が占める。このため高周波においては無視できない程度のキャパシタンス（寄生容量）が接続線路８０とグランドとの間に接続され、また形成される寄生容量Ｃ１，Ｃ２も一様では無い。
そこで上記問題を鑑みて、多層基板の最も底面側に実質的にグランド電極のみを形成し、ビアホールを除く接続線路を形成しない構成とするとともに、更に前記グランド電極と平衡信号出力端子２０ｂ、２０ｃとを積層方向に重ね合わせない構成とすることを着想した。

図１は本発明の一実施例に係る弾性波フィルタ（ＳＡＷフィルタ）の斜視図であり、（ａ）上面斜視図、（ｂ）下面斜視図である。また図２はその回路ブロック図である。図３は弾性波フィルタを構成する多層基板の部分断面拡大図である。
多層基板１０の内部には、電極パターン（ラインパターンやビアホール）で形成された接続線路７０，８０，８５，９０が形成され、多層基板１０の上面部には弾性表面波素子（図示せず）が搭載され、この多層基板１０の上面側に、弾性表面波素子を気密封止するエポキシ樹脂などの樹脂部材１５を備えている。
弾性表面波素子の不平衡入力ポートや平衡出力ポートは、前記接続線路を介して矩形に形成された多層基板の底面に設けられた高周波端子（不平衡信号入力端子２０ａ、平衡信号出力端子２０ｃ）と接続し、グランドポートは同様に接続線路とグランド電極５０を介して多層基板の底面に設けられたグランド端子（２０ｄ）と接続する。前記グランド端子（２０ｄ）は、多層基板の対向する側面に、それぞれ形成された不平衡信号入力端子２０ａと平衡信号出力端子２０ｃの間に配置されている。本実施例においては、グランド端子を帯状の電極パターンで形成しているが、他の高周波端子と同形状の電極パターンとし、複数の電極パターンを、平衡信号出力端子間を除く他の側面側等の異なる位置に設けて形成しても良い。

本実施例で最も特徴的な部分は、平衡信号出力端子を多層基板の最も底面側に形成されたグランド電極と積層方向に重なり合わないように構成した点にある。なお最も底面側に形成されたグランド電極とは、多層基板の底面に最も近い電極パターン（ビアホールを除く）がグランド電極であることを意味する。
グランド電極は平衡信号出力端子と積層方向に重なり合わないが、絶縁層面に広がって形成されているため、その上層に設けられた伝送線路が実装基板の電極パターンと干渉するのを防ぐ。また平衡信号出力端子との重なりを除く構成によって、寄生容量の形成を抑え、位相特性が劣化することが無く、優れた電気的特性を得ることが出来る。

図４は無線通信器の高周波回路のブロック図であって、本発明の一実施例に係る複合部品を用いて構成されたものである。また図５は複合部品の等価回路図である。以下説明において幾つかの通信方式を例示するが、各通信方式の周波数帯域は表１に示す通りであって、送信・受信は無線通信器端末を基準にしている。本発明が利用される通信方式は、例示した通信システムにのみに限定されるものではなく、ＧＰＳや、他のＣＤＭＡ方式等にも利用可能であり、本発明は利用する通信方式には何等限定されない。

この複合部品は、４つの通信方式に用いられるものであって、周波数帯域ｆ１の第１通信方式（例えばＧＳＭ８５０）、周波数帯域ｆ２の第２通信方式（例えばＤＣＳ１８００）、周波数帯域ｆ３の第３通信方式（例えばＤＣＳ１９００）、周波数帯域ｆ４の第４通信方式（例えばＵＭＴＳ）とに対応した高周波回路に用いられ、前記通信方式の送受信信号の伝送経路を切り替える電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）を用いた高周波スイッチ回路と、前記高周波スイッチに接続される分波回路とローパスフィルタと弾性波フィルタを少なくとも有する。

前記高周波スイッチは、６つのポートを備えるＳＰ５Ｔの高周波スイッチＳＷであり、その第１のポート（共通ポート）ａには、ＥＳＤ（ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｓｔａｔｉｃｄｉｓｃｈａｒｇｅ；静電気放電）対策回路２２０を介してフィルタ回路１１０が接続される。第２のポートｂにはフィルタ回路１３０と、整合回路１８６と、ＤＣカットコンデンサＣ３（図１では図示せず）が接続される。第３のポートｃにはＤＣカットコンデンサＣ２（図１では図示せず）と、フィルタ回路１４０と、整合回路１８７が接続される。第４のポートｄには、分波回路１２０と、その分波回路１２０を構成するフィルタ回路１２０ａの後段に、整合回路１８８と、弾性波フィルタ１５０とが接続される。分波回路１２０を構成するフィルタ回路１２０ｂには整合回路１８０と、弾性波フィルタ１５５とが接続される。第５のポートｅには整合回路１８５と、弾性波フィルタ１６０が接続され、第６のポートｆには整合回路１９０が接続される。

フィルタ回路１１０は、第１通信システムの送信信号の第３次高調波成分を減衰させるローパスフィルタである。フィルタ回路１３０は、第１通信方式の送信信号を通過させるローパスフィルタである。バンドパスフィルタであってもよい。フィルタ回路１４０は、第２通信方式及び第３通信方式の送信信号を通過させるローパスフィルタである。この場合もバンドパスフィルタを用いても良い。弾性波フィルタ１５０が前記第１通信方式の受信信号を通過させるバンドパスフィルタであり、弾性波フィルタ１５０が前記第３通信方式の受信信号を通過させるバンドパスフィルタであり、前記弾性波フィルタ１６０が前記第２通信方式の受信信号を通過させるバンドパスフィルタである。本実施例においては、弾性波フィルタ１５０、１５５、１６０として不平衡入力−平衡出力型のＳＡＷフィルタを用いている。
分波回路１２０は、前記第１通信方式の受信信号を通過させるローパスフィルタ１２０ａと、前記第３通信方式の受信信号を通過させるハイパスフィルタ１２０ｂを並列に接続したものである。整合回路１８０、１８５、１８６、１８７、１８８、１９０は主としてインピーダンスマッチングのために用いられるが、高周波信号の位相調整のために用いられる場合もある。

図６は複合部品の外観斜視図であり、図７は複合部品に用いる多層基板１０の分解斜視図であって、各層の構成を示している。
フィルタ回路１１０，１３０，１４０、分波回路１２０、及び整合回路１８０、１８５、１８６、１８７、１８８、１９０はインダクタとコンデンサで構成されており、これらは、誘電体層と、ＡｇやＣｕ等の金属や前記金属をベースとする合金を用いてなるペーストを所定の形状に形成した電極パターンとで形成される多層基板に、前記電極パターンやチップ部品として構成される。

以下多層基板の構成について説明する。多層基板は、複数の誘電体層を積層して構成してなり、分波回路及びローパスフィルタのコイル用パターンが主に形成された複数の第１誘電体層と、コンデンサ用パターンが主に形成された複数の第２誘電体層と、アース用パターンが主に形成された複数の第３誘電体層とを備えている。コイル用パターンとコンデンサ用パターンとを異なる誘電体層に形成しているが、同じ誘電体層に形成しても良い。なお本実施例では。コイル用パターンは抵抗を低減するため断面積を大きくするように、コンデンサ用パターンと比べて厚く形成している。

第１〜第３誘電体層は、例えば誘電体セラミクスを、ドクターブレード法などの周知のシート化方法によってグリーンシート化したものであり、積層後焼結して一体化されるものである。多層基板を構成する誘電体セラミクスとしては、例えばＡｌ，Ｓｉ及びＳｒを主成分として、Ｔｉ，Ｂｉ，Ｃｕ，Ｍｎ，Ｎａ，Ｋなどを副成分とするセラミックス、Ａｌ，Ｓｉ及びＳｒを主成分として、Ｃａ，Ｐｂ，Ｎａ，Ｋなどを複成分とするセラミクス、Ａｌ，Ｍｇ，Ｓｉ及びＧｄを含むセラミクス、Ａｌ，Ｓｉ，Ｚｒ及びＭｇ含むセラミクスが挙げられる。誘電体の誘電率は５〜１５程度が好ましい。また誘電体セラミクスの他に、樹脂や、樹脂／セラミック複合材を用いて多層基板を構成することも可能である。さらにＨＴＣＣ（高温同時焼成セラミック）技術により、Ａｌ_２Ｏ_３を主体とする多層基板内に、タングステンやモリブデン等の高温焼結可能な金属導体により電極パターンを形成しても良い。
最下層のグリーンシート１４の表面には、ほぼ全面を覆うアース用パターンＧＮＤ（第１グランド電極）が形成されており、裏面には回路基板に実装するための端子電極が形成されている。前記端子電極は、各通信システム共通のアンテナポートＡＮＴ（１００ａ）と、第１の通信システムの送信信号が入力する第１送信ポートＴＸ１（１００ｂ）と、第２、第３の通信システムの送信信号が入力する第２送信ポートＴＸ２（１００ｃ）と、第１の通信システムが出力する受信ポートＲＸ１（１００ｄ、１００ｄ２）と，第３の通信システムが出力する受信ポートＲＸ２（１００ｅ１、１００ｅ２）と，第２の通信システムが出力する受信ポートＲＸ３（１００ｆ１，１００ｆ２）と，第４の通信システムが入出力する送受信ポートＴＲＸ（１００ｇ）と、グランドポートＧＮＤと、スイッチ回路制御用のコントロールポート（制御端子）Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖｄｄを有し、それぞれがグリーンシートに形成されたビアホール（図中、黒丸、黒四角で表示）を介して上層のグリーンシート上の電極パターンと接続される。

本実施例では端子電極をＬＧＡ（ＬａｎｄＧｒｉｄＡｒｒａｙ）としているが，ＢＧＡ（ＢａｌｌＧｒｉｄＡｒｒａｙ）なども採用することができる。また本実施例では、制御端子Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖｄｄ、受信系端子ＲＸ１、ＲＸ２、ＲＸ３、送信系端子ＴＸ１，ＴＸ２、アンテナ端子ＡＮＴ及び送受信系端子ＴＲＸを、それぞれ異なると側面側に集めて配置している。このような配置によれば高周波スイッチモジュールが回路基板に実装されたときの他の高周波回路との接続を短く出来る。受信系端子ＲＸ１、ＲＸ２、ＲＸ３を一側面側に配置し、他の高周波端子や制御端子を配置しないことで、受信信号への影響を低減している。また受信信号の出力端に接地コンデンサが形成され無いように、端子電極とアース用パターンＧＮＤとが重ならないようにした。このため、平衡出力される受信信号のフェイズバランスやアンプリチュードバランスを損なう事が無い。好ましくは、多層基板においてアース用パターンＧＮＤ以外の電極パターンとも重ならないように構成する。
前記スイッチ回路制御用のコントロールポートＶ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖｄｄは、多層基板の一側面に側に集められており、積層方向に連続するビアホールと、グリーンシート１３上に並行して走るラインパターン（制御信号用線路）を介して前記第１の主面に形成された複数のデコーダ用実装電極と接続される。また同じ層にはフィルタ回路や整合回路を構成するコンデンサ用電極パターンが形成されている。

グリーンシート１２には、ほぼ全面を覆うアース用パターンＧＮＤ（第２グランド電極）が形成されており、その一部は、電極が形成されてない抜き部となっている。前記抜き部には、制御信号用線路とＦＥＴスイッチの制御信号入力ポートとを接続するビアホールや、コンデンサ用電極パターンを他の層の電極パターンと接続するビアホールが形成されている。

グリーンシート１１〜８には、フィルタ回路や整合回路を構成するインダクタ用電極パターンが形成されている。グリーンシート７には、コンデンサ用電極パターンとともに、ほぼ全面を覆うアース用パターンＧＮＤ（第３グランド電極）が形成されている。コンデンサ用電極パターンは、信号の経路に直列に接続するコンデンサ用の電極パターンである。グリーンシート６〜４には、コンデンサ用電極パターンが形成され、そしてその上層のグリーンシート３には、コンデンサ用電極パターンＧＮＤとともに、ほぼ全面を覆うアース用パターンＧＮＤ（第４グランド電極）が形成されている。グリーンシート２には、グリーンシート１に形成された実装電極と、前記インダクタ用電極パターンや前記コンデンサ用電極パターンとの接続のための線路（電極パターン）が形成されている。
各電極パターンは適宜ビアホールを介して適宜接続され、得られた積層体を８５０℃〜１０００℃程度（用いる導体や誘電体セラミクスによる）で焼結して多層基板とし、これにＦＥＴスイッチやＳＡＷフィルタを実装して本発明に係るスイッチモジュールとした。
本実施例においては、更にＤＣカットコンデンサＣ１〜Ｃ３、ＥＳＤ対策回路のインダクタＬ１、コンデンサＣ１（コンデンサＣ１はＤＣカットと共用）を積層基板上に実装している。なお、これらのインダクタやコンデンサを積層基板内に電極パターンで形成することも可能であるが、他の回路素子と比べて、比較的大きな容量値、インダクタンス値が必要となるので、専らチップ部品として積層基板上に実装する場合が多い。

多層基板の上面にＦＥＴスイッチやＳＡＷフィルタ、及びチップインダクタやチップコンデンサを実装するための実装電極の内、ＦＥＴスイッチやＳＡＷフィルタのグランド端子は、グリーンシート３に形成されたアース用パターンＧＮＤとビアホールで接続される。またグリーンシート３に形成されたアース用パターンＧＮＤは、グリーンシート７、１２、１４の各アース用パターンＧＮＤと複数のビアホールで接続されている。
図８に多層基板１０の部分断面拡大図を示す。前記ＳＡＷフィルタの平衡出力ポートと接続する実装電極は、多層基板の裏面に形成された高周波端子のうちの平衡出力端子ＲＸ３と、積層方向に連続する第１ビアホール群を介して接続されている。図示していないが他の平衡出力端子も同様に、それぞれが他の第１ビアホール群を介してＳＡＷフィルタの平衡出力ポートと接続する。またグランド電極は平衡出力端子と積層方向に重なり合わない構成によりフェイズバランスやアンプリチュードバランス等の位相特性を損ねることが無い。更に前記第１ビアホール群と前記制御信号用線路との間には、面内に縦列し、積層方向に連続した第２ビアホール群が形成され、第１グランド電極〜第４グランド電極の間を接続している。このような構成により、ノイズの影響を受け易い受信信号の経路を、制御信号の経路、送信信号の経路から分離して配置することで、更に優れた挿入損失特性を得ることが出来た。

以上説明したように、本発明によれば、弾性波フィルタに用いる多層基板の構造に起因する位相特性の劣化を改善することが出来、電気的特性に優れた弾性波フィルタ及び複合部品を得ることが出来る。

（ａ）本発明の一実施例に係る弾性波フィルタの上面斜視図である。（ｂ）本発明の一実施例に係る弾性波フィルタの底面斜視図である。本発明の一実施例に係る弾性波フィルタの回路ブロックである。本発明の一実施例に係る弾性波フィルタに用いる多層基板の部分断面拡大図である。本発明の一実施例に係る複合部品を用いて構成された高周波回路のブロック図である。本発明の一実施例に係る複合部品の等価回路図である。本発明の一実施例に係る複合部品の斜視図である。本発明の一実施例に係る複合部品に用いる多層基板の分解斜視図である。本発明の一実施例に係る複合部品に用いる多層基板の部分拡大断面図である。従来の弾性波フィルタに用いる多層基板の部分断面拡大図である。従来の弾性波フィルタの回路ブロックである。従来の弾性波フィルタの断面図である。

符号の説明

１０多層基板
１１０，１３０，１４０フィルタ回路
１１５ＦＥＴスイッチ
１２０ＥＳＤ対策回路
１５０，１５５，１６０ＳＡＷフィルタ
１８０、１８５、１８６、１８７、１９０整合回路
１２０分波回路

Claims

多層基板に平衡出力の弾性波素子とスイッチング素子を実装し、前記多層基板の底面にグランド端子と高周波端子を備え、前記スイッチング素子で構成された高周波スイッチ回路に分波回路が接続され、前記分波回路には前記弾性波素子でなる複数の弾性波フィルタが接続されており、
前記スイッチング素子及び前記弾性波素子の下部であって、前記多層基板の内層には、異なる層に形成され、ビアホールを介して接続された複数のグランド電極を有し、前記グランド電極間には、前記分波回路を構成するリアクタンス素子用の電極パターンを含み、
前記高周波端子は少なくとも平衡信号端子と不平衡信号端子を有し、前記平衡信号端子は各弾性波素子の平衡ポートと前記多層基板に設けられた接続線路を介して接続し、前記多層基板の底面の一側面側にのみに並設され、
前記多層基板の内層において、前記平衡信号端子と積層方向に重なる部位には、前記接続線路のみが設けられ、前記グランド電極は、前記平衡信号端子と、前記多層基板の表面に形成された弾性波素子の平衡ポートと接続する実装電極とに積層方向に重なり合わないことを特徴とする高周波部品。
前記平衡信号端子が位置する底面の一側面側と対向する側面側に、アンテナ端子を含む前記不平衡信号端子が位置し、前記グランド電極の内、底面側のグランド電極とビアホールを介して接続されたグランド端子が、前記平衡信号端子と前記不平衡信号端子との間に挟まれた中央の領域と不平衡信号端子が配置された側面側を除く側面側に分かれて配置されたことを特徴とする請求項１に記載の高周波部品。