WO2022230708A1 - 高周波回路及び通信装置 - Google Patents

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WO2022230708A1
WO2022230708A1 PCT/JP2022/018038 JP2022018038W WO2022230708A1 WO 2022230708 A1 WO2022230708 A1 WO 2022230708A1 JP 2022018038 W JP2022018038 W JP 2022018038W WO 2022230708 A1 WO2022230708 A1 WO 2022230708A1
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WO
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filter
terminal
frequency
circuit
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PCT/JP2022/018038
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English (en)
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Inventor
邦俊 花岡
Original Assignee
株式会社村田製作所
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    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/46—Networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/38—Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
    • H04B1/40—Circuits

Definitions

  • the present invention generally relates to high frequency circuits and communication devices, and more particularly to high frequency circuits with multiple filters and communication devices with high frequency circuits.
  • Patent Document 1 describes a multiplexer that includes a switch and a plurality of filters.
  • the switch has a common terminal, a first select terminal, and a second select terminal. A portion of the plurality of filters are connected to the first select terminal of the switch. The remainder of the plurality of filters are connected to the second select terminal of the switch.
  • each signal passing through a plurality of filters passes through a switch, so the characteristics may deteriorate.
  • An object of the present invention is to provide a high-frequency circuit and a communication device capable of suppressing deterioration of characteristics.
  • a high-frequency circuit includes an antenna terminal, a first filter, a second filter, a third filter, and a switch.
  • the first filter includes a first frequency band in its passband.
  • the second filter includes a second frequency band in its passband.
  • the third filter includes a third frequency band and a fourth frequency band in its passband.
  • the switch has a common terminal, a first select terminal and a second select terminal.
  • the first selection terminal is connected to the first filter.
  • the second selection terminal is connected to the second filter.
  • a signal path between the common terminal and the antenna terminal is common to a first signal path including the first filter, a second signal path including the second filter, and a third signal path including the third filter. including common routes.
  • the third frequency band and the fourth frequency band at least partially overlap.
  • the third frequency band is different from the first frequency band and the second frequency band.
  • the fourth frequency band is different from the first frequency band and the second frequency band.
  • the third filter is communicably connected to an end point on the common
  • a high-frequency circuit includes an antenna terminal, a first filter, a second filter, a third filter, a first switch, and a second switch.
  • the first filter includes a first frequency band in its passband.
  • the second filter includes a second frequency band in its passband.
  • the third filter includes a third frequency band and a fourth frequency band in its passband.
  • the first switch has a first common terminal, a first selection terminal and a second selection terminal.
  • the second switch has a second common terminal, a third selection terminal and a fourth selection terminal.
  • the first common terminal is connected to the antenna terminal.
  • the first select terminal is connected to the second common terminal.
  • the second selection terminal is connected to the third filter.
  • the third selection terminal is connected to the first filter.
  • the fourth selection terminal is connected to the second filter.
  • the third frequency band and the fourth frequency band at least partially overlap.
  • the third frequency band is different from the first frequency band and the second frequency band.
  • the fourth frequency band is different from the first frequency band and the second frequency band.
  • At least one of the first filter and the second filter is communicatively connected to the antenna terminal, and the third filter is communicatively connected to the antenna terminal.
  • a communication device includes the high-frequency circuit and a signal processing circuit.
  • the signal processing circuit is connected to the high frequency circuit.
  • FIG. 1 is a schematic diagram of a high-frequency circuit according to Embodiment 1.
  • FIG. FIG. 2 is a schematic diagram of a communication device according to the first embodiment.
  • FIG. 3 is a schematic diagram of a high frequency circuit according to the second embodiment.
  • FIG. 4 is a schematic diagram of a high frequency circuit according to the third embodiment.
  • FIG. 5 is a schematic diagram of a high frequency circuit according to the fourth embodiment.
  • Embodiment 1 (1) High Frequency Circuit The configuration of the high frequency circuit 1 according to Embodiment 1 will be described with reference to the drawings.
  • the high-frequency circuit 1 is used, for example, in a communication device 10, as shown in FIG.
  • the communication device 10 is, for example, a mobile phone such as a smart phone.
  • the communication device 10 is not limited to a mobile phone, and may be, for example, a wearable terminal such as a smartwatch.
  • the high-frequency circuit 1 is, for example, a circuit capable of complying with the 4G (fourth generation mobile communication) standard, the 5G (fifth generation mobile communication) standard, and the like.
  • the 4G standard is, for example, the 3GPP (registered trademark, Third Generation Partnership Project) LTE (registered trademark, Long Term Evolution) standard.
  • the 5G standard is, for example, 5G NR (New Radio).
  • the high-frequency circuit 1 is a module capable of coping with simultaneous communications such as carrier aggregation and dual connectivity, for example.
  • simultaneous communication refers to communication that simultaneously uses radio waves of a plurality of frequency bands.
  • the high-frequency circuit 1 performs communication in multiple communication bands. More specifically, the high-frequency circuit 1 receives reception signals for each of a plurality of communication bands and transmits transmission signals for each of a plurality of communication bands. Specifically, the high-frequency circuit 1 performs communication in a first communication band, communication in a second communication band, communication in a third communication band, communication in a fourth communication band, communication in a fifth communication band, and communication in a sixth communication band. Communicate and do. More specifically, the high-frequency circuit 1 transmits transmission signals in the first communication band and receives reception signals in the first communication band. Also, the high-frequency circuit 1 transmits transmission signals in the second communication band and receives reception signals in the second communication band.
  • the high-frequency circuit 1 transmits transmission signals in the third communication band and receives reception signals in the third communication band. Also, the high-frequency circuit 1 transmits transmission signals in the fourth communication band and receives reception signals in the fourth communication band. Furthermore, the high-frequency circuit 1 receives the reception signal of the fifth communication band and receives the reception signal of the sixth communication band.
  • the transmission signal and reception signal of each communication band are, for example, FDD (Frequency Division Duplex) signals.
  • the transmission signal and reception signal of each communication band are not limited to FDD signals, and may be TDD (Time Division Duplex) signals.
  • FDD is a wireless communication technology that allocates different frequency bands for transmission and reception in wireless communication and performs transmission and reception.
  • TDD is a wireless communication technology that allocates the same frequency band to transmission and reception in wireless communication and switches between transmission and reception every time.
  • the high-frequency circuit 1 includes a first filter 11, a plurality of (two in the illustrated example) second filters 12, and a plurality of (two in the illustrated example) third filters. 13 and a fourth filter 14 .
  • the high-frequency circuit 1 further includes a first switch 15 and a second switch 16 .
  • the high-frequency circuit 1 further includes a plurality of (three in the illustrated example) matching circuits 17 , 18 , and 19 .
  • the high frequency circuit 1 further includes a capacitive section 23 and a high band circuit 24 .
  • the high frequency circuit 1 includes first to third power amplifiers (not shown), first to fourth low noise amplifiers (not shown), first to third output matching circuits (not shown), and first to fourth input matching circuits (not shown). Moreover, the high-frequency circuit 1 further includes a plurality of external connection terminals 4 .
  • the first to third power amplifiers is an amplifier that amplifies a transmission signal.
  • the first power amplifier includes an antenna terminal 41, which will be described later, and a first signal input terminal (for example, the signal processing circuit 2) for inputting a transmission signal from an external circuit (for example, the signal processing circuit 2) to the high frequency circuit 1.
  • a first signal input terminal for example, the signal processing circuit 2 for inputting a transmission signal from an external circuit (for example, the signal processing circuit 2) to the high frequency circuit 1.
  • the second power amplifier includes an antenna terminal 41, which will be described later, and a second signal input terminal (for example, the signal processing circuit 2) for inputting a transmission signal from an external circuit (for example, the signal processing circuit 2) to the high frequency circuit 1.
  • the third power amplifier includes an antenna terminal 41, which will be described later, and a third signal input terminal (for example, the signal processing circuit 2) for inputting a transmission signal from an external circuit (for example, the signal processing circuit 2) to the high frequency circuit 1. (not shown) is provided between the third signal input terminal and the third transmission filter 131 of the third filter 13 in the third transmission path T13 connecting the terminal (not shown).
  • Each of the first to third power amplifiers has an input terminal (not shown) and an output terminal (not shown).
  • An input terminal of the first power amplifier is connected to an external circuit (for example, signal processing circuit 2) via a first signal input terminal.
  • An output terminal of the first power amplifier is connected to the first transmission filter 111 of the first filter 11 .
  • An input terminal of the second power amplifier is connected to an external circuit (for example, the signal processing circuit 2) via a second signal input terminal.
  • An output terminal of the second power amplifier is connected to the second transmission filter 121 of the second filter 12 .
  • An input terminal of the third power amplifier is connected to an external circuit (for example, signal processing circuit 2) via a third signal input terminal.
  • An output terminal of the third power amplifier is connected to the third transmission filter 131 of the third filter 13 .
  • Each of the first to third power amplifiers is controlled by, for example, a controller (not shown).
  • First filter 11 shown in FIG. 1 is, for example, a duplexer.
  • First filter 11 includes first transmission filter 111 and first reception filter 112 .
  • the first filter 11 is a filter that includes the first frequency band in its passband.
  • the first frequency band includes, for example, the transmission band of the first communication band and the reception band of the third communication band.
  • the first communication band is, for example, Band 1 of the 3GPP LTE standard.
  • the third communication band is, for example, Band 3 of the 3GPP LTE standard.
  • the pass band of the first transmission filter 111 is the transmission band (1920 MHz-1980 MHz) of Band 1 of the 3GPP LTE standard.
  • the pass band of the first reception filter 112 is the reception band (1805 MHz-1880 MHz) of Band 3 of the 3GPP LTE standard.
  • the first transmission filter 111 is provided between the first power amplifier and the second switch 16 on the first transmission path T11.
  • the first transmission filter 111 passes the transmission signal in the transmission band of the first communication band among the high frequency signals amplified by the first power amplifier.
  • the first reception filter 112 connects an antenna terminal 41, which will be described later, and a first signal output terminal (not shown) for outputting a reception signal from the high frequency circuit 1 to an external circuit (for example, the signal processing circuit 2). It is provided between the first low-noise amplifier and the second switch 16 in the first receiving path R11.
  • the first reception filter 112 passes the reception signal in the reception band of the third communication band among the high frequency signals input from the antenna terminal 41 .
  • the first signal path is composed of the first transmission path T11 and the first reception path R11.
  • the plurality of second filters 12 shown in FIG. 1 include second transmission filters 121 and second reception filters 122 .
  • Each of the plurality of second filters 12 is a filter that includes the second frequency band in its passband.
  • the second frequency band includes, for example, a transmission band of the second communication band and a reception band of the second communication band.
  • the second communication band is, for example, Band 25 of the 3GPP LTE standard.
  • the pass band of the second transmission filter 121 is the transmission band (1850 MHz-1915 MHz) of Band 25 of the 3GPP LTE standard.
  • the pass band of the second reception filter 122 is the reception band (1930 MHz-1995 MHz) of Band 25 of the 3GPP LTE standard.
  • the second transmission filter 121 is provided between the second power amplifier and the second switch 16 on the second transmission path T12.
  • the second transmission filter 121 passes the transmission signal in the transmission band of the second communication band among the high frequency signals amplified by the second power amplifier.
  • the second reception filter 122 connects an antenna terminal 41, which will be described later, and a second signal output terminal (not shown) for outputting the reception signal from the high frequency circuit 1 to an external circuit (for example, the signal processing circuit 2). It is provided between the second low-noise amplifier and the second switch 16 in the second receiving path R12.
  • the second reception filter 122 passes the reception signal in the reception band of the second communication band among the high-frequency signals input from the antenna terminal 41 .
  • the second signal path is composed of the second transmission path T12 and the second reception path R12.
  • the multiple third filters 13 shown in FIG. 1 include a third transmission filter 131 and a third reception filter 132 .
  • Each of the plurality of third filters 13 is a filter whose passband includes the third frequency band and the fourth frequency band.
  • the third frequency band includes, for example, the transmission band of the third communication band and the reception band of the first communication band.
  • the first communication band is Band 1 of the 3GPP LTE standard, as described above.
  • the third communication band is Band 3 of the 3GPP LTE standard, as described above.
  • the pass band of the third transmission filter 131 includes the Band 3 transmission band (1710 MHz-1785 MHz) of the 3GPP LTE standard.
  • the pass band of the third receive filter 132 includes the receive band (2110 MHz-2170 MHz) of Band 1 of the 3GPP LTE standard.
  • the third frequency band is a frequency band different from the first frequency band and the second frequency band, as described above.
  • the fourth frequency band includes, for example, the transmission band of the fourth communication band and the reception band of the fourth communication band.
  • the fourth communication band is, for example, Band 66 of the 3GPP LTE standard.
  • the pass band of the third transmission filter 131 includes the transmission band (1710 MHz-1780 MHz) of Band 66 of the 3GPP LTE standard.
  • the pass band of the third reception filter 132 includes the reception band (2110 MHz-2200 MHz) of Band 66 of the 3GPP LTE standard. That is, in the high frequency circuit 1 according to Embodiment 1, the fourth frequency band includes the third frequency band.
  • the lower limit frequency in the fourth frequency band is lower than the lower limit frequency in the third frequency band, and the upper limit frequency in the fourth frequency band is higher than the upper limit frequency in the third frequency band.
  • the fourth frequency band is a frequency band different from the first frequency band and the second frequency band, as described above. Therefore, in the high frequency circuit 1 according to Embodiment 1, the first filter 11 and the third filter 13 can be used for simultaneous communication. Moreover, in the high-frequency circuit 1 according to the first embodiment, the second filter 12 and the third filter 13 can be used for simultaneous communication.
  • the third transmission filter 131 is provided between the third power amplifier and the first switch 15 on the third transmission path T13.
  • the third transmission filter 131 passes the transmission signal in the transmission band of the third communication band and the transmission signal in the transmission band of the fourth communication band among the high-frequency signals amplified by the third power amplifier.
  • the third reception filter 132 connects an antenna terminal 41, which will be described later, and a third signal output terminal (not shown) for outputting the reception signal from the high frequency circuit 1 to an external circuit (for example, the signal processing circuit 2). It is provided between the third low-noise amplifier and the first switch 15 in the third receiving path R13.
  • the third reception filter 132 passes the reception signal in the reception band of the first communication band and the reception signal in the reception band of the fourth communication band among the high-frequency signals input from the antenna terminal 41 .
  • the third signal path is composed of the third transmission path T13 and the third reception path R13.
  • the fourth filter 14 shown in FIG. 1 is, for example, a reception filter.
  • the fourth filter 14 is a filter that includes the fifth frequency band in its passband.
  • the fifth frequency band includes, for example, the reception band of the fifth communication band and the reception band of the sixth communication band.
  • the fifth communication band is, for example, Band 32 of the 3GPP LTE standard.
  • the sixth communication band is, for example, n75 of 5G NR.
  • the pass band of the fourth filter 14 includes the reception band (1452 MHz-1496 MHz) of Band 32 of the 3GPP LTE standard.
  • the passband of the fourth filter 14 includes the 5G NR n75 reception band (1432 MHz-1517 MHz).
  • the fourth filter 14 connects an antenna terminal 41, which will be described later, and a fourth signal output terminal (not shown) for outputting the received signal from the high frequency circuit 1 to an external circuit (for example, the signal processing circuit 2). It is provided between the fourth low-noise amplifier and the second switch 16 in the four receiving paths R14.
  • the fourth filter 14 passes the received signal in the reception band of the fifth communication band and the received signal in the reception band of the sixth communication band among the high-frequency signals input from the antenna terminal 41 .
  • Each of the first to fourth low-noise amplifiers is an amplifier that amplifies a received signal with low noise.
  • the first low-noise amplifier is provided between the first reception filter 112 and the first signal output terminal in the first reception path R11.
  • the second low-noise amplifier is provided between the second reception filter 122 and the second signal output terminal in the second reception path R12.
  • the third low-noise amplifier is provided between the third reception filter 132 and the third signal output terminal in the third reception path R13.
  • the fourth low-noise amplifier is provided between the fourth filter 14 and the fourth signal output terminal in the fourth receiving path R14.
  • Each of the first to fourth low noise amplifiers has an input terminal (not shown) and an output terminal (not shown).
  • An input terminal of the first low noise amplifier is connected to a first input matching circuit (not shown).
  • An output terminal of the first low-noise amplifier is connected to an external circuit (for example, signal processing circuit 2) via a first signal output terminal.
  • the input terminal of the second low noise amplifier is connected to a second input matching circuit (not shown).
  • An output terminal of the second low-noise amplifier is connected to an external circuit (for example, the signal processing circuit 2) via a second signal output terminal.
  • An input terminal of the third low noise amplifier is connected to a third input matching circuit (not shown).
  • An output terminal of the third low-noise amplifier is connected to an external circuit (for example, signal processing circuit 2) via a third signal output terminal.
  • An input terminal of the fourth low noise amplifier is connected to a fourth input matching circuit (not shown).
  • An output terminal of the fourth low-noise amplifier is connected to an external circuit (for example, signal processing circuit 2) via a fourth signal output terminal.
  • the first output matching circuit is provided between the first power amplifier and the first transmission filter 111 of the first filter 11 in the first transmission path T11. It is The first output matching circuit is a circuit for impedance matching between the first power amplifier and the first transmission filter 111 .
  • the second output matching circuit is provided between the second power amplifier and the second transmission filter 121 of the second filter 12 in the second transmission path T12.
  • the second output matching circuit is a circuit for impedance matching between the second power amplifier and the second transmission filter 121 .
  • the third output matching circuit is provided between the third power amplifier and the third transmission filter 131 of the third filter 13 in the third transmission path T13.
  • the third output matching circuit is a circuit for impedance matching between the third power amplifier and the third transmission filter 131 .
  • the first output matching circuit has a configuration including an inductor.
  • the inductor of the first output matching circuit is provided on the output side of the first power amplifier in the first transmission path T11.
  • the second output matching circuit is configured to include an inductor.
  • the inductor of the second output matching circuit is provided on the output side of the second power amplifier in the second transmission path T12.
  • the third output matching circuit has a configuration including an inductor.
  • the inductor of the third output matching circuit is provided on the output side of the third power amplifier in the third transmission path T13.
  • each of the first to third output matching circuits is not limited to the configuration including one inductor, and may include, for example, a plurality of inductors, a plurality of inductors and a plurality of capacitors It may be a configuration including In short, each of the first to third output matching circuits includes at least one inductor.
  • the first input matching circuit is provided between the first low-noise amplifier and the first receiving filter 112 of the first filter 11 in the first receiving path R11, although not shown. It is The first input matching circuit is a circuit for impedance matching between the first low-noise amplifier and the first reception filter 112 .
  • the second input matching circuit is provided between the second low-noise amplifier and the second reception filter 122 of the second filter 12 in the second reception path R12.
  • the second input matching circuit is a circuit for impedance matching between the second low-noise amplifier and the second reception filter 122 .
  • the third input matching circuit is provided between the third low-noise amplifier and the third reception filter 132 of the third filter 13 in the third reception path R13.
  • the third input matching circuit is a circuit for impedance matching between the third low-noise amplifier and the third reception filter 132 .
  • the fourth input matching circuit is provided between the fourth low-noise amplifier and the fourth filter 14 in the fourth receiving path R14.
  • the fourth input matching circuit is a circuit for impedance matching between the fourth low-noise amplifier and the fourth filter 14 .
  • the first input matching circuit has a configuration including an inductor.
  • the inductor of the first input matching circuit is provided on the input side of the first low-noise amplifier in the first receiving path R11.
  • a 2nd input matching circuit is a structure containing an inductor.
  • the inductor of the second input matching circuit is provided on the input side of the second low noise amplifier in the second receiving path R12.
  • a 3rd input matching circuit is a structure containing an inductor.
  • the inductor of the third input matching circuit is provided on the input side of the third low noise amplifier in the third receiving path R13.
  • a 4th input matching circuit is a structure containing an inductor.
  • the inductor of the fourth input matching circuit is provided on the input side of the fourth low noise amplifier in the fourth receiving path R14.
  • each of the first to fourth input matching circuits is not limited to a configuration including one inductor.
  • it may include a plurality of inductors, a plurality of inductors and a plurality of capacitors. It may be a configuration including In short, each of the first to fourth input matching circuits includes at least one inductor.
  • the matching circuit 17 shown in FIG. 1 is provided between the second receive filter 122 and the second switch 16 .
  • the matching circuit 17 is a circuit for impedance matching between the second switch 16 and the second reception filter 122 .
  • Matching circuit 17 includes an inductor 171 and a capacitor 172 .
  • the inductor 171 is connected in series with the input terminal of the second receive filter 122 and the second selection terminal 162 of the second switch 16 . More specifically, the first end of inductor 171 is connected to the input terminal of second receive filter 122 and the second end of inductor 171 is connected to second selection terminal 162 of second switch 16 .
  • the capacitor 172 is connected between the signal path connecting the input terminal of the second receive filter 122 and the second selection terminal 162 of the second switch 16 and the ground. That is, the capacitor 172 is shunt-connected to the signal path.
  • the matching circuit 17 may be composed only of the inductor 171 or may be composed of only the capacitor 172 .
  • the matching circuit 17 may be composed of a plurality of inductors, may be composed of a plurality of capacitors, or may be composed of a plurality of inductors and a plurality of capacitors.
  • the matching circuit 18 shown in FIG. 1 is provided between the third reception filter 132 and the first switch 15 .
  • the matching circuit 18 is a circuit for impedance matching between the first switch 15 and the third reception filter 132 .
  • Matching circuit 18 includes inductor 181 and capacitor 182 .
  • the inductor 181 is connected in series with the input terminal of the third receive filter 132 and the selection terminal 152 of the first switch 15 . More specifically, the first end of the inductor 181 is connected to the input terminal of the third reception filter 132, and the second end of the inductor 181 is connected to the selection terminal 152 of the first switch 15 via the capacitance section 23. ing.
  • the capacitor 182 is connected between the signal path connecting the input terminal of the third reception filter 132 and the selection terminal 152 of the first switch 15 and the ground. That is, the capacitor 182 is shunt-connected to the signal path.
  • the matching circuit 18 may be composed only of the inductor 181 or may be composed of only the capacitor 182 .
  • the matching circuit 18 may be composed of a plurality of inductors, may be composed of a plurality of capacitors, or may be composed of a plurality of inductors and a plurality of capacitors.
  • a matching circuit 19 shown in FIG. 1 is provided between the fourth filter 14 and the second switch 16 .
  • the matching circuit 19 is a circuit for impedance matching between the second switch 16 and the fourth filter 14 .
  • Matching circuit 19 includes inductor 191 and capacitor 192 .
  • the inductor 191 is connected between the signal path connecting the fourth filter 14 and the second switch 16 and the ground. That is, the inductor 191 is shunt-connected to the signal path.
  • a capacitor 192 is connected in series with the input terminal of the fourth filter 14 and the first selection terminal 161 of the second switch 16 . More specifically, the first end of capacitor 192 is connected to the input terminal of fourth filter 14 and the second end of capacitor 192 is connected to first selection terminal 161 of second switch 16 .
  • the matching circuit 19 may be composed only of the inductor 191 or may be composed of only the capacitor 192 . Also, the matching circuit 19 may be composed of a plurality of inductors, may be composed of a plurality of capacitors, or may be composed of a plurality of inductors and a plurality of capacitors.
  • the first switch 15 shown in FIG. 1 includes a plurality of (two in the illustrated example) common terminals 15A and 15B, a plurality of (nine in the illustrated example) selection terminals 151 to 159, have Common terminal 15A is connected to antenna terminal 41 .
  • Common terminal 15B is connected to antenna terminal 42 .
  • a selection terminal 152 among the plurality of selection terminals 151 to 159 is connected to the first filter 11, the second filter 12, the third filter 13 and the fourth filter .
  • Selection terminals 157 to 159 of the plurality of selection terminals 151 to 159 are connected to a plurality of filters forming the high band circuit 24 .
  • the first switch 15 switches the connection state between the common terminal 15A and the six selection terminals 151-156. Also, the first switch 15 switches the connection state between the common terminal 15B and the three selection terminals 157-159.
  • the first switch 15 is controlled by, for example, the signal processing circuit 2 (see FIG. 2).
  • the first switch 15 electrically connects the common terminal 15A and at least one of the six selection terminals 151-156 according to the control signal from the RF signal processing circuit 21 of the signal processing circuit 2.
  • FIG. Also, the first switch 15 electrically connects the common terminal 15B and at least one of the three selection terminals 157 to 159 in accordance with the control signal from the RF signal processing circuit 21 of the signal processing circuit 2 .
  • the second switch 16 shown in FIG. 1 has a common terminal 160 , a first selection terminal 161 and a second selection terminal 162 .
  • the common terminal 160 is connected to an end point (connection point, node, bundling point) P1.
  • the end point P1 is a point on the common terminal 160 side of the common route R15.
  • the common path R15 includes a first signal path (first transmission path T11, first reception path R11), a second signal path (second transmission path T12, second reception path R12), and a third signal path (third transmission path T13, a signal path common to the third receive path R13). That is, each of the first signal path, the second signal path and the third signal path includes the common path R15.
  • the common route R15 is included in the signal route R1 between the common terminal 160 of the second switch 16 and the antenna terminal 41. As shown in FIG.
  • the end point P1 is the point where the third filter 13 is connected. More specifically, the third transmission filter 131 is connected to the terminal point P11, and is connected to the common path R15 of the signal path R1 via the terminal point P11. That is, in the third transmission filter 131, the signal path between the end point P11 and the antenna terminal 41 is the common path R15. Also, the third reception filter 132 is connected to the terminal point P12, and is connected to the common path R15 of the signal path R1 via the terminal point P12. That is, in the third reception filter 132, the signal path between the end point P12 and the antenna terminal 41 is the common path R15. In the high-frequency circuit 1 according to the first embodiment, the third filter 13 is communicably connected to the end point P1 on the common terminal 160 side of the common path R15.
  • a first selection terminal 161 of the second switch 16 is connected to the first filter 11 . Also, the first selection terminal 161 is connected to the fourth filter 14 via the matching circuit 19 . A second selection terminal 162 of the second switch 16 is connected to the second filter 12 .
  • the second switch 16 switches the connection state between the common terminal 160 and the first selection terminal 161 and the second selection terminal 162 .
  • the second switch 16 is controlled by, for example, the signal processing circuit 2 (see FIG. 2).
  • the second switch 16 electrically connects the common terminal 160 and at least one of the first selection terminal 161 and the second selection terminal 162 according to the control signal from the RF signal processing circuit 21 of the signal processing circuit 2 .
  • the capacitance unit 23 shown in FIG. 1 is connected in series with the selection terminal 152 of the first switch 15 and the terminal point P11.
  • the capacitance section 23 is connected in series with the terminal point P11 and the antenna terminal 41 via the first switch 15 .
  • the first end of the capacitance section 23 is connected to the terminal point P11, and the second end of the capacitance section 23 is connected to the antenna terminal 41 via the first switch 15.
  • the capacitive section 23 includes a digitally tunable capacitor (DTC) 230 .
  • DTC digitally tunable capacitor
  • the capacitance of the digital tunable capacitor 230 is adjusted according to a control signal (not shown) from the RF signal processing circuit 21 (see FIG. 2) of the signal processing circuit 2.
  • the plurality of external connection terminals 4 are terminals for electrically connecting to an external circuit (for example, the signal processing circuit 2).
  • the plurality of external connection terminals 4 includes a plurality of (two in the illustrated example) antenna terminals 41 and 42, first to third signal input terminals (not illustrated), and first to fourth signal output terminals (not illustrated). including
  • the plurality of antenna terminals 41 and 42 correspond to the plurality of antennas 31 and 32 on a one-to-one basis. More specifically, the antenna terminal 41 is connected to the antenna 31 and the antenna terminal 42 is connected to the antenna 32 . A plurality of antenna terminals 41 and 42 are connected to the first switch 15 in the high frequency circuit 1 . Also, the antenna terminal 41 is connected to the first filter 11 , the second filter 12 , the third filter 13 and the fourth filter 14 via the first switch 15 . Also, the antenna terminal 42 is connected to a plurality of filters of the high band circuit 24 via the first switch 15 .
  • the first to third signal input terminals are terminals for inputting a transmission signal from an external circuit (for example, the signal processing circuit 2) to the high frequency circuit 1.
  • the first signal input terminal is connected to the first power amplifier
  • the second signal input terminal is connected to the second power amplifier
  • the third signal input terminal is connected to the third power amplifier.
  • the first to fourth signal output terminals are terminals for outputting the received signal from the high frequency circuit 1 to an external circuit (for example, the signal processing circuit 2).
  • the first signal output terminal is connected to the first low noise amplifier
  • the second signal output terminal is connected to the second low noise amplifier
  • the third signal output terminal is connected to the third low noise amplifier
  • the fourth signal output terminal is connected to the third low noise amplifier.
  • the signal output terminal is connected to the fourth low noise amplifier.
  • the high band circuit 24 includes multiple filters (not shown), multiple power amplifiers (not shown), and multiple low noise amplifiers (not shown).
  • the multiple filters include a transmit filter and a receive filter.
  • the multiple filters are high-band filters.
  • the above-described first filter 11, second filter 12, third filter 13, and fourth filter 14 are mid-band filters.
  • the high-band circuit 24 by connecting the common terminal 15B of the first switch 15 and at least one of the three selection terminals 157-159, at least one filter is selected from the plurality of filters.
  • each of the plurality of filters is a filter including the sixth frequency band in its passband.
  • the sixth frequency band includes the transmission band of the seventh communication band and the reception band of the seventh communication band.
  • the seventh communication band is, for example, Band 41 of the 3GPP LTE standard.
  • the pass band of the transmission filter is the transmission band (2496 MHz-2690 MHz) of Band 41 of the 3GPP LTE standard.
  • the pass band of the reception filter is the reception band (2496 MHz-2690 MHz) of Band 41 of the 3GPP LTE standard.
  • the seventh communication band is not limited to Band 41 of the 3GPP LTE standard, and may be Band 40 of the 3GPP LTE standard, for example.
  • the high-frequency circuit 1 includes a mounting board (not shown) and a plurality of electronic components (not shown).
  • the high-frequency circuit 1 includes, as a plurality of electronic components, first to third power amplifiers, first to fourth filters 11 to 14, a first switch 15, a second switch 16, and first to fourth low noise amplifiers. , first to third output matching circuits, first to fourth input matching circuits, matching circuits 17 to 19, and a capacitor section .
  • the high-frequency circuit 1 further includes, as a plurality of electronic components, a plurality of filters, a plurality of power amplifiers, and a plurality of low-noise amplifiers that constitute the high-band circuit 24 .
  • the high frequency circuit 1 can be electrically connected to an external substrate (not shown).
  • the external board corresponds to, for example, the mother board of the communication device 10 such as a mobile phone and communication equipment.
  • the high-frequency circuit 1 can be electrically connected to the external substrate not only when the high-frequency circuit 1 is directly mounted on the external substrate, but also when the high-frequency circuit 1 is indirectly mounted on the external substrate. including cases where Further, the case where the high-frequency circuit 1 is indirectly mounted on the external board means the case where the high-frequency circuit 1 is mounted on another high-frequency circuit (another high-frequency module) mounted on the external board. be.
  • the mounting substrate has a first principal surface and a second principal surface.
  • the first main surface and the second main surface face each other in the thickness direction of the mounting substrate.
  • the second main surface faces the mounting substrate side main surface of the external substrate when the high-frequency circuit 1 is provided on the external substrate.
  • the mounting board is, for example, a single-sided mounting board having a plurality of electronic components mounted on the first main surface. Note that the mounting board is not limited to a single-sided mounting board, and may be a double-sided mounting board in which a plurality of electronic components are mounted on the first main surface and the second main surface.
  • the mounting board is a multi-layer board in which multiple dielectric layers are laminated.
  • the mounting board has a plurality of conductive layers and a plurality of via conductors (including through electrodes).
  • the plurality of conductive layers includes a ground layer at ground potential.
  • a plurality of via conductors are used for electrical connection between the elements (including the electronic components described above) mounted on the first main surface of the mounting board and the conductive layers of the mounting board.
  • a plurality of via conductors are used for electrical connection between the conductive layer of the mounting substrate and the external connection terminals 4 .
  • a plurality of electronic components are arranged on the first main surface of the mounting board.
  • a plurality of external connection terminals 4 are arranged on the second main surface of the mounting substrate.
  • a plurality of electronic components are arranged on the first main surface of the mounting board. More specifically, each electronic component is mounted on the first main surface of the mounting substrate via a plurality of connecting portions (not shown).
  • the plurality of connections are, for example, bumps.
  • a part of the electronic component may be mounted on the first main surface of the mounting substrate, and the remainder of the electronic component may be embedded in the mounting substrate.
  • each electronic component has at least a portion that is arranged closer to the first main surface than the second main surface on the mounting substrate and that is mounted on the first main surface.
  • the plurality of external connection terminals 4 are terminals for electrically connecting the mounting substrate and the external substrate.
  • a plurality of external connection terminals 4 are arranged on the second main surface of the mounting board.
  • the plurality of external connection terminals 4 are columnar (for example, prismatic) electrodes provided on the second main surface of the mounting substrate.
  • the material of the plurality of external connection terminals 4 is, for example, metal (eg, copper, copper alloy, etc.).
  • Each of the plurality of external connection terminals 4 has a base end joined to the second main surface of the mounting substrate and a tip opposite to the base end in the thickness direction of the mounting substrate.
  • the tip of each of the plurality of external connection terminals 4 may include, for example, a gold plating layer.
  • the communication device 10 includes a high frequency circuit 1, a signal processing circuit 2, and a plurality of (two in the illustrated example) antennas 31 and 32.
  • FIG. The communication device 10 further includes an external substrate (not shown) on which the high frequency circuit 1 is mounted.
  • the external board is, for example, a printed wiring board.
  • the external substrate has a ground electrode to which a ground potential is applied.
  • the antenna 31 is connected to the antenna terminal 41 of the high frequency circuit 1, as shown in FIGS.
  • the antenna 32 is connected to the antenna terminal 42 of the high frequency circuit 1, as shown in FIGS.
  • Each of the antennas 31 and 32 has a transmission function of radiating a transmission signal output from the high frequency circuit 1 as a radio wave and a reception function of receiving a reception signal as a radio wave from the outside and outputting it to the high frequency circuit 1 .
  • the signal processing circuit 2 includes an RF signal processing circuit 21 and a baseband signal processing circuit 22, as shown in FIG.
  • the signal processing circuit 2 processes signals passing through the high frequency circuit 1 . More specifically, the signal processing circuit 2 processes transmission signals from the high frequency circuit 1 and reception signals to the high frequency circuit 1 .
  • the RF signal processing circuit 21 is, for example, an RFIC (Radio Frequency Integrated Circuit).
  • the RF signal processing circuit 21 performs signal processing on high frequency signals.
  • the RF signal processing circuit 21 performs signal processing such as up-conversion on the transmission signal output from the baseband signal processing circuit 22 and outputs the signal-processed transmission signal to the high frequency circuit 1 .
  • the RF signal processing circuit 21 performs signal processing such as down-conversion on the received signal output from the high frequency circuit 1 and outputs the processed received signal to the baseband signal processing circuit 22 .
  • the baseband signal processing circuit 22 is, for example, a BBIC (Baseband Integrated Circuit).
  • the baseband signal processing circuit 22 performs predetermined signal processing on a transmission signal from outside the signal processing circuit 2 .
  • the received signal processed by the baseband signal processing circuit 22 is used, for example, as an image signal for image display or as an audio signal for calling.
  • the RF signal processing circuit 21 functions as a control unit that controls the connection of each of the first switch 15 and the second switch 16 included in the high frequency circuit 1 based on transmission and reception of high frequency signals (transmission signal, reception signal). also have Specifically, the RF signal processing circuit 21 switches connection of each of the first switch 15 and the second switch 16 of the high frequency circuit 1 by a control signal (not shown). Note that the control unit may be provided outside the RF signal processing circuit 21 , for example, in the high frequency circuit 1 or the baseband signal processing circuit 22 .
  • the first filter 11 is a duplexer including the first transmission filter 111 and the first reception filter 112, as described above.
  • the output terminal of the first transmission filter 111 and the input terminal of the first reception filter 112 are connected to the first selection terminal 161 of the second switch 16 . Therefore, the first filter 11 is connected to the signal path R1 by connecting the common terminal 160 to the first selection terminal 161 of the second switch 16 .
  • the multiple second filters 12 include the second transmission filter 121 and the second reception filter 122 as described above.
  • the output terminal of the second transmission filter 121 and the input terminal of the second reception filter 122 are connected to the second selection terminal 162 of the second switch 16 . Therefore, the plurality of second filters 12 are connected to the signal path R1 by connecting the common terminal 160 to the second select terminal 162 of the second switch 16 .
  • the multiple third filters 13 include the third transmission filter 131 and the third reception filter 132 as described above.
  • the output terminal of the third transmission filter 131 is connected to the signal path R1 at the terminal point P11.
  • the input terminal of the third reception filter 132 is connected to the signal path R1 at the terminal point P12.
  • the end point P11 is the point where the third transmission filter 131 is connected on the signal path R1 between the common terminal 160 of the second switch 16 and the antenna terminal 41 .
  • a terminal point P12 is a point where the third reception filter 132 is connected on the signal path R1 between the common terminal 160 of the second switch 16 and the antenna terminal 41 . Therefore, high-frequency signals (transmission signals or reception signals) passing through each of the third transmission filter 131 and the third reception filter 132 do not pass through the second switch 16 .
  • the first frequency band includes the transmission band of Band 1 and the reception band of Band 3, as described above.
  • the second frequency band includes the transmission band of Band 25 and the reception band of Band 25, as described above.
  • the third frequency band includes the transmission band of Band 3 and the reception band of Band 1, as described above.
  • the fourth frequency band includes the transmission band of Band 66 and the reception band of Band 66, as described above.
  • the third filter 13 is an end point on the common terminal 160 side of the common route R15 of the signal route R1 between the common terminal 160 of the second switch 16 and the antenna terminal 41. It is connected to P1 (P11, P12). Therefore, high-frequency signals (transmission signals, reception signals) passing through the third filter 13 do not pass through the second switch 16 . This makes it possible to suppress the insertion loss due to the second switch 16 compared to the case where the high frequency signal passing through the third filter 13 passes through the second switch 16 . That is, according to the high-frequency circuit 1 according to the first embodiment, deterioration of characteristics can be suppressed.
  • the first filter 11 and the third filter 13 can be used for simultaneous communication, and the second filter 12 and the third filter 13 can be used for simultaneous communication. It is possible. Thereby, simultaneous communication using the first filter 11 and the third filter 13 and simultaneous communication using the second filter 12 and the third filter 13 are possible.
  • the fourth frequency band includes the third frequency band. This makes it possible to reduce the number of filters to be used compared to the case where the fourth frequency band does not include the third frequency band. As a result, the area occupied by the high-frequency circuit 1 in the communication device 10 can be reduced, and as a result, the size of the communication device 10 can be reduced.
  • the high-frequency circuit 1a includes a first filter 11, a plurality of (two in the illustrated example) second filters 12, and a plurality of (two in the illustrated example) A third filter 13 and a fourth filter 14 are provided. Moreover, the high-frequency circuit 1 a further includes a first switch 15 and a second switch 16 . The high-frequency circuit 1 a further includes a plurality of (three in the illustrated example) matching circuits 17 , 18 , and 19 . Further, the high frequency circuit 1 a further includes a capacitive section 23 , a high band circuit 24 and a capacitor 25 .
  • the high frequency circuit 1a includes first to third power amplifiers (not shown), first to fourth low noise amplifiers (not shown), first to third output matching circuits (not shown), and first to fourth input matching circuits (not shown). Moreover, the high-frequency circuit 1 a further includes a plurality of external connection terminals 4 . Regarding the high-frequency circuit 1a according to the second embodiment, the same components as those of the high-frequency circuit 1 according to the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.
  • the capacitor 25 is connected in series with the common terminal 160 of the second switch 16 and the end point P1 (P12). More specifically, the first end of capacitor 25 is connected to common terminal 160 of second switch 16, and the second end of capacitor 25 is connected to end point P1 (P12).
  • the third filter 13 has a signal path between the common terminal 160 of the second switch 16 and the antenna terminal 41. It is connected to the end point P1 (P11, P12) on the common terminal 160 side of the common path R15 of R1. This makes it possible to suppress the deterioration of the characteristics of the high frequency circuit 1a.
  • the high-frequency circuit 1a according to the second embodiment also includes a capacitor 25 connected in series with the common terminal 160 of the second switch 16 and the terminal point P1. This makes it possible to suppress the insertion loss due to the second switch 16 . In short, it is possible to suppress the insertion loss of high-frequency signals passing through the first filter 11, the second filter 12 and the fourth filter 14 as well.
  • the high frequency circuit 1b according to the third embodiment is different from the high frequency circuit 1 according to the first embodiment (see FIG. 1) in that the capacitive section 23 has two capacitors 231 and 232. do.
  • a high-frequency circuit 1b includes a first filter 11, a plurality of (two in the illustrated example) second filters 12, and a plurality of (two in the illustrated example) A third filter 13 and a fourth filter 14 are provided. Moreover, the high-frequency circuit 1 b further includes a first switch 15 and a second switch 16 . The high-frequency circuit 1b further includes a plurality of (three in the illustrated example) matching circuits 17, 18, and 19. FIG. Moreover, the high-frequency circuit 1b further includes a capacitive section 23 and a high-band circuit 24 .
  • the high frequency circuit 1b includes first to third power amplifiers (not shown), first to fourth low noise amplifiers (not shown), first to third output matching circuits (not shown), and first to fourth input matching circuits (not shown). Moreover, the high-frequency circuit 1 b further includes a plurality of external connection terminals 4 . Regarding the high-frequency circuit 1b according to the third embodiment, the same components as those of the high-frequency circuit 1 according to the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.
  • the capacitive section 23 has two capacitors 231 and 232.
  • the two capacitors 231, 232 are connected in parallel with each other. More specifically, the capacitor 231 is connected in series with the selection terminal 152 of the first switch 15 and the end point P1 (P11). Specifically, the first end of the capacitor 231 is connected to the terminal point P1 (P11), and the second end of the capacitor 231 is connected to the select terminal 152 of the first switch 15 . Also, the capacitor 232 is connected in series with the selection terminal 153 of the first switch 15 and the terminal point P1 (P11). Specifically, the first end of the capacitor 232 is connected to the terminal point P1 (P11), and the second end of the capacitor 232 is connected to the selection terminal 153 of the first switch 15 .
  • the third filter 13 has a signal path between the common terminal 160 of the second switch 16 and the antenna terminal 41. It is connected to the end point P1 (P11, P12) on the common terminal 160 side of the common path R15 of R1. This makes it possible to suppress deterioration of the characteristics of the high-frequency circuit 1b.
  • the capacitive section 23 has two capacitors 231 and 232 connected in parallel.
  • the circuit scale of the high frequency circuit 1b is larger than that of the high frequency circuit 1 according to the first embodiment, the insertion loss can be suppressed.
  • the high-frequency circuit 1b according to the third embodiment includes a capacitor 25 (see FIG. 3) connected in series with the common terminal 160 of the second switch 16 and the end point P1, similarly to the high-frequency circuit 1a according to the second embodiment.
  • a capacitor 25 (see FIG. 3) connected in series with the common terminal 160 of the second switch 16 and the end point P1, similarly to the high-frequency circuit 1a according to the second embodiment.
  • a high-frequency circuit 1c includes a first filter 11, a plurality of (two in the illustrated example) second filters 12, and a plurality of (two in the illustrated example) A third filter 13 and a fourth filter 14 are provided. Moreover, the high frequency circuit 1 c further includes a first switch 15 and a second switch 26 . The high-frequency circuit 1c further includes a plurality (three in the illustrated example) of matching circuits 17, 18, and 19. FIG. Further, the high frequency circuit 1 c further includes a capacitive section 23 and a high band circuit 24 .
  • the high frequency circuit 1c includes first to third power amplifiers (not shown), first to fourth low noise amplifiers (not shown), first to third output matching circuits (not shown), and first to fourth input matching circuits (not shown). Moreover, the high frequency circuit 1 c further includes a plurality of external connection terminals 4 . Regarding the high-frequency circuit 1c according to the fourth embodiment, the same components as those of the high-frequency circuit 1 according to the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.
  • the first switch 15 shown in FIG. 5 has multiple (two in the illustrated example) common terminals 15A and 15B and multiple (nine in the illustrated example) selection terminals 151 to 159 .
  • Common terminal 15A is connected to antenna terminal 41 .
  • the common terminal 15B is connected to the antenna terminal 42 .
  • a signal path R21 including the first filter 11, the second filter 12 and the fourth filter 14 is connected to the selection terminal 154 among the plurality of selection terminals 151-159.
  • a signal path R22 including the third filter 13 is connected to the selection terminal 152 among the plurality of selection terminals 151-159.
  • the common terminal 15A and at least one of the six selection terminals 151 to 156 are switched. Toggle the connection state. Also, in the first switch 15, the connection state between the common terminal 15B and at least one of the three selection terminals 157 to 159 is switched according to the control signal from the RF signal processing circuit 21.
  • the second switch 26 shown in FIG. 5 has a common terminal 260 and a plurality of (two in the illustrated example) selection terminals 261 and 262 .
  • the common terminal 260 is connected to the selection terminal (first selection terminal) 154 of the first switch 15 .
  • the common terminal 260 is connected to the antenna terminal 41 via the first switch 15 .
  • the selection terminal 261 is connected to the first filter 11 .
  • the selection terminal 261 is connected to the fourth filter 14 via the matching circuit 19 .
  • the selection terminal 262 is connected to the second filter 12 .
  • the common terminal 260 is the second common terminal
  • the selection terminal 261 is the third selection terminal
  • the selection terminal 262 is the fourth selection terminal.
  • Simultaneous communication using the first filter 11 and the third filter 13 is possible in the high-frequency circuit 1c according to the fourth embodiment. Simultaneous communication using the second filter 12 and the third filter 13 is possible in the high frequency circuit 1c.
  • at least one of the first filter 11 and the second filter 12 is communicably connected to the antenna terminal 41
  • the third filter 13 is communicably connected to the antenna terminal 41 .
  • the high-frequency signal (transmitting signal, receiving signal) passing through the third filter 13 does not pass through the second switch 26 . Therefore, the insertion loss due to the second switch 26 can be suppressed as compared with the case where the high frequency signal passing through the third filter 13 passes through the second switch 26 . That is, according to the high-frequency circuit 1c according to the fourth embodiment, deterioration of characteristics can be suppressed.
  • the high-frequency circuit 1c according to the fourth embodiment may include a capacitor (not shown) connected in series with the common terminal 260 of the second switch 26 and the selection terminal 154 of the first switch 15. As a result, as in the high-frequency circuit 1a according to the second embodiment, it is possible to suppress the insertion loss of high-frequency signals passing through the first filter 11, the second filter 12, and the fourth filter 14 as well.
  • Embodiments 1 to 4, etc. are merely one of various embodiments of the present invention.
  • the above-described Embodiments 1 to 4 and the like can be modified in various ways according to design, etc., as long as the object of the present invention can be achieved, and different constituent elements of different embodiments may be appropriately combined.
  • the first frequency band includes both the transmission band of Band 1 and the reception band of Band 3, but the first frequency band includes the transmission band of Band 1 and the reception band of Band 3. and a band.
  • the first frequency band should include at least one of the transmission band of Band1 and the reception band of Band3.
  • the second frequency band may include at least one of the transmission band of Band25 and the reception band of Band25.
  • the third frequency band may include at least one of the Band 3 transmission band and the Band 1 reception band.
  • the fourth frequency band may include at least one of the transmission band of Band66 and the reception band of Band66.
  • the first frequency band includes the transmission band of Band 1 and the reception band of Band 3
  • the second frequency band includes the transmission band of Band 25 and the reception band of Band 25
  • the third frequency band is The transmission band of Band3 and the reception band of Band1
  • the fourth frequency band includes the transmission band of Band66 and the reception band of Band66.
  • the combinations of the first frequency band, the second frequency band, the third frequency band and the fourth frequency band may be the following combinations.
  • the first frequency band includes the transmission band of Band 40 and the reception band of Band 40
  • the second frequency band includes the transmission band of Band 41 and the reception band of Band 41
  • the third frequency band is the transmission band of Band 25 or the reception band of Band 25
  • bands, and the fourth frequency band may include the transmit band of Band66 or the receive band of Band66.
  • the fourth frequency band includes the third frequency band, but for example, part of the third frequency band and part of the fourth frequency band may overlap. In short, the third frequency band and the fourth frequency band should at least partially overlap.
  • the first filter 11 is a duplexer including the first transmission filter 111 and the first reception filter 112, but the first transmission filter 111 and the first reception filter 112 are provided separately.
  • the second filter 12 may be a duplexer including a second transmission filter 121 and a second reception filter 122 .
  • the third filter 13 may also be a duplexer including the third transmission filter 131 and the third reception filter 132 .
  • the communication device 10 according to the first embodiment may include any one of the high frequency circuits 1a to 1c instead of the high frequency circuit 1.
  • the element is arranged on the first major surface of the substrate means not only when the element is mounted directly on the first major surface of the substrate, but also when the element is mounted on the first major surface separated by the substrate. This includes the case where the element is arranged in the space on the first main surface side, out of the space on the main surface side and the space on the second main surface side.
  • the element is arranged on the first main surface of the substrate includes the case where the element is mounted on the first main surface of the substrate via other circuit elements, electrodes, or the like.
  • the elements are, for example, electronic components such as the first filter 11, but are not limited to electronic components.
  • the board is, for example, a mounting board.
  • the element is, for example, the external connection terminal 4 , but is not limited to the external connection terminal 4 .
  • the board is, for example, a mounting board.
  • the first element is electrically connected to the second element
  • the first element is the third filter 13, for example.
  • the second element is, for example, the end point P1 on the common terminal 160 side of the common route R15.
  • a high-frequency circuit (1; 1a; 1b) includes an antenna terminal (41), a first filter (11), a second filter (12), a third filter (13), a switch ( 16) and A first filter (11) includes a first frequency band in its passband.
  • a second filter (12) includes a second frequency band in its passband.
  • a third filter (13) includes a third frequency band and a fourth frequency band in its passband.
  • the switch (16) has a common terminal (160), a first select terminal (161) and a second select terminal (162).
  • the first selection terminal (161) is connected to the first filter (11).
  • the second selection terminal (162) is connected to the second filter (12).
  • a signal path (R1) between the common terminal (160) and the antenna terminal (41) comprises a first signal path (R11, T11) including a first filter (11), a second signal path including a second filter (12). It includes a common path (R15) common to a signal path (R12, T12) and a third signal path (R13, T13) including a third filter (13).
  • the third frequency band and the fourth frequency band at least partially overlap.
  • the third frequency band is different from the first frequency band and the second frequency band.
  • the fourth frequency band is different from the first frequency band and the second frequency band.
  • the third filter (13) is communicably connected to an end point (P1) on the common terminal (160) side of the common path (R15).
  • the first filter (11) and the third filter (13) can be used for simultaneous communication.
  • the second filter (12) and the third filter (13) can be used for simultaneous communication.
  • simultaneous communication using the first filter (11) and the third filter (13) and simultaneous communication using the second filter (12) and the third filter (13) can be performed. It becomes possible.
  • the fourth frequency band includes the third frequency band.
  • the first frequency band is a transmission band of Band 1 and a reception band of Band 3. At least one.
  • the second frequency band includes at least one of the transmission band of Band25 and the reception band of Band25.
  • the third frequency band includes at least one of the transmission band of Band3 and the reception band of Band1.
  • simultaneous communication using the first filter (11) and the third filter (13) and simultaneous communication using the second filter (12) and the third filter (13) can be performed. It becomes possible.
  • the fourth frequency band includes at least one of the transmission band of Band66 and the reception band of Band66.
  • a high-frequency circuit (1; 1a; 1b) includes a plurality of first filters (11) and a plurality of second filters (12) in any one of the first to third aspects. , and a plurality of third filters (13).
  • the plurality of first filters (11) includes a filter (111) whose passband includes the transmission band of Band1, and a filter (112) whose passband includes the reception band of Band3.
  • the plurality of second filters (12) include a filter (121) whose passband includes the transmission band of Band 25, and a filter (122) whose passband includes the reception band of Band 25.
  • the plurality of third filters (13) includes a filter (131) whose passband includes the transmission band of Band3, and a filter (132) whose passband includes the reception band of Band1.
  • simultaneous communication using the first filter (11) and the third filter (13) and simultaneous communication using the second filter (12) and the third filter (13) can be performed. It becomes possible.
  • a high-frequency circuit (1a) according to a seventh aspect, in any one of the first to sixth aspects, further includes a capacitor (25).
  • a capacitor (25) is connected in series with the endpoint (P1) and the common terminal (160).
  • the high-frequency circuit (1; 1a; 1b) according to the eighth aspect further comprises a capacitive section (23) in any one of the first to seventh aspects.
  • the capacitance section (23) is connected in series with the end point (P1) and the antenna terminal (41).
  • the capacitive section (23) includes a digital tunable capacitor (230).
  • the capacitive section (23) includes a plurality of capacitors (231, 232) connected in parallel.
  • a high-frequency circuit (1c) includes an antenna terminal (41), a first filter (11), a second filter (12), a third filter (13), and a first switch (15). and a second switch (26).
  • a first filter (11) includes a first frequency band in its passband.
  • a second filter (12) includes a second frequency band in its passband.
  • a third filter (13) includes a third frequency band and a fourth frequency band in its passband.
  • the first switch (15) has a first common terminal (15A), a first select terminal (154) and a second select terminal (152).
  • the second switch (26) has a second common terminal (260), a third select terminal (261) and a fourth select terminal (262).
  • the first common terminal (15A) is connected to the antenna terminal (41).
  • the first select terminal (154) is connected to the second common terminal (260).
  • the second selection terminal (152) is connected to the third filter (13).
  • the third selection terminal (261) is connected to the first filter (11).
  • the fourth selection terminal (262) is connected to the second filter (12).
  • the third frequency band and the fourth frequency band at least partially overlap.
  • the third frequency band is different from the first frequency band and the second frequency band.
  • the fourth frequency band is different from the first frequency band and the second frequency band.
  • At least one of the first filter (11) and the second filter (12) is communicably connected to the antenna terminal (41), and the third filter (13) is communicatively connected to the antenna terminal (41) ing.
  • a communication device (10) according to a twelfth aspect comprises a high-frequency circuit (1; 1a; 1b; 1c) according to any one of the first to eleventh aspects, and a signal processing circuit (2).
  • a signal processing circuit (2) is connected to a high frequency circuit (1; 1a; 1b; 1c).

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Abstract

特性の劣化を抑制する。第２スイッチ（１６）の第１選択端子（１６１）は、第１周波数帯域を通過帯域に含む第１フィルタ（１１）に接続され、第２スイッチ（１６）の第２選択端子（１６２）は、第２周波数帯域を通過帯域に含む第２フィルタ（１２）に接続されている。第２スイッチ（１６）の共通端子（１６０）とアンテナ端子（４１）との間の信号経路（Ｒ１）は、第１フィルタ（１１）を含む第１信号経路、第２フィルタ（１２）を含む第２信号経路及び第３フィルタ（１３）を含む第３信号経路に共通な共通経路（Ｒ１５）を含む。第３フィルタ（１３）の通過帯域に含まれる第３周波数帯域と第４周波数帯域とは、少なくとも一部で重なる。第３周波数帯域及び第４周波数帯域の各々は、第１周波数帯域及び第２周波数帯域とは異なる。第３フィルタ（１３）は、共通経路（Ｒ１５）における共通端子（１６０）側の端点（Ｐ１）と通信可能に接続されている。

Description

高周波回路及び通信装置
　本発明は、一般に高周波回路及び通信装置に関し、より詳細には、複数のフィルタを備える高周波回路、及び高周波回路を備える通信装置に関する。
　特許文献１には、スイッチと、複数のフィルタと、を備えるマルチプレクサが記載されている。スイッチは、共通端子と、第１選択端子と、第２選択端子と、を有する。複数のフィルタの一部は、スイッチの第１選択端子に接続される。複数のフィルタの残りは、スイッチの第２選択端子に接続される。
国際公開第２０１９／０２０８１４号
　特許文献１に記載のマルチプレクサでは、複数のフィルタを通過する信号のそれぞれがスイッチを経由するため、特性が劣化する場合がある。
　本発明の目的は、特性の劣化を抑制することが可能な高周波回路及び通信装置を提供することにある。
　本発明の一態様に係る高周波回路は、アンテナ端子と、第１フィルタと、第２フィルタと、第３フィルタと、スイッチと、を備える。前記第１フィルタは、第１周波数帯域を通過帯域に含む。前記第２フィルタは、第２周波数帯域を通過帯域に含む。前記第３フィルタは、第３周波数帯域及び第４周波数帯域を通過帯域に含む。前記スイッチは、共通端子、第１選択端子及び第２選択端子を有する。前記第１選択端子は、前記第１フィルタに接続されている。前記第２選択端子は、前記第２フィルタに接続されている。前記共通端子と前記アンテナ端子との間の信号経路は、前記第１フィルタを含む第１信号経路、前記第２フィルタを含む第２信号経路、及び前記第３フィルタを含む第３信号経路に共通な共通経路を含む。前記第３周波数帯域と前記第４周波数帯域とは、少なくとも一部で重なる。前記第３周波数帯域は、前記第１周波数帯域及び前記第２周波数帯域とは異なる。前記第４周波数帯域は、前記第１周波数帯域及び前記第２周波数帯域とは異なる。前記第３フィルタは、前記共通経路における前記共通端子側の端点と通信可能に接続されている。
　本発明の別の一態様に係る高周波回路は、アンテナ端子と、第１フィルタと、第２フィルタと、第３フィルタと、第１スイッチと、第２スイッチと、を備える。前記第１フィルタは、第１周波数帯域を通過帯域に含む。前記第２フィルタは、第２周波数帯域を通過帯域に含む。前記第３フィルタは、第３周波数帯域及び第４周波数帯域を通過帯域に含む。前記第１スイッチは、第１共通端子、第１選択端子及び第２選択端子を有する。前記第２スイッチは、第２共通端子、第３選択端子及び第４選択端子を有する。前記第１共通端子は、前記アンテナ端子に接続されている。前記第１選択端子は、前記第２共通端子に接続されている。前記第２選択端子は、前記第３フィルタに接続されている。前記第３選択端子は、前記第１フィルタに接続されている。前記第４選択端子は、前記第２フィルタに接続されている。前記第３周波数帯域と前記第４周波数帯域とは、少なくとも一部で重なる。前記第３周波数帯域は、前記第１周波数帯域及び前記第２周波数帯域とは異なる。前記第４周波数帯域は、前記第１周波数帯域及び前記第２周波数帯域とは異なる。前記第１フィルタと前記第２フィルタとの少なくとも一方は前記アンテナ端子と通信可能に接続され、かつ、前記第３フィルタは前記アンテナ端子と通信可能に接続されている。
　本発明の一態様に係る通信装置は、前記高周波回路と、信号処理回路と、を備える。前記信号処理回路は、前記高周波回路に接続されている。
　本発明の一態様に係る高周波回路及び通信装置によれば、特性の劣化を抑制することが可能となる。
図１は、実施形態１に係る高周波回路の概略図である。 図２は、実施形態１に係る通信装置の概略図である。 図３は、実施形態２に係る高周波回路の概略図である。 図４は、実施形態３に係る高周波回路の概略図である。 図５は、実施形態４に係る高周波回路の概略図である。
　以下、実施形態１～４に係る高周波回路及び通信装置について、図面を参照して説明する。
　（実施形態１）
　（１）高周波回路
　実施形態１に係る高周波回路１の構成について、図面を参照して説明する。
　高周波回路１は、図２に示すように、例えば、通信装置１０に用いられる。通信装置１０は、例えば、スマートフォンのような携帯電話である。なお、通信装置１０は、携帯電話であることに限定されず、例えば、スマートウォッチのようなウェアラブル端末等であってもよい。高周波回路１は、例えば、４Ｇ（第４世代移動通信）規格、５Ｇ（第５世代移動通信）規格等に対応可能な回路である。４Ｇ規格は、例えば、３ＧＰＰ（登録商標、Third Generation Partnership Project）　ＬＴＥ（登録商標、Long Term Evolution）規格である。５Ｇ規格は、例えば、５Ｇ　ＮＲ（New Radio）である。高周波回路１は、例えば、キャリアアグリゲーション及びデュアルコネクティビティのような同時通信に対応可能なモジュールである。ここで、「同時通信」とは、複数の周波数帯域の電波を同時に使用する通信をいう。
　高周波回路１は、複数の通信バンドの通信を行う。より詳細には、高周波回路１は、複数の通信バンドの各々の受信信号を受信し、かつ複数の通信バンドの各々の送信信号を送信する。具体的には、高周波回路１は、第１通信バンドの通信と第２通信バンドの通信と第３通信バンドの通信と第４通信バンドの通信と第５通信バンドの通信と第６通信バンドの通信とを行う。より詳細には、高周波回路１は、第１通信バンドの送信信号を送信し、かつ第１通信バンドの受信信号を受信する。また、高周波回路１は、第２通信バンドの送信信号を送信し、かつ第２通信バンドの受信信号を受信する。さらに、高周波回路１は、第３通信バンドの送信信号を送信し、かつ第３通信バンドの受信信号を受信する。また、高周波回路１は、第４通信バンドの送信信号を送信し、かつ第４通信バンドの受信信号を受信する。さらに、高周波回路１は、第５通信バンドの受信信号を受信し、かつ第６通信バンドの受信信号を受信する。
　各通信バンドの送信信号及び受信信号は、例えば、ＦＤＤ（Frequency Division Duplex）の信号である。なお、各通信バンドの送信信号及び受信信号は、ＦＤＤの信号に限定されず、ＴＤＤ（Time Division Duplex）の信号であってもよい。ＦＤＤは、無線通信における送信と受信とに異なる周波数帯域を割り当てて、送信及び受信を行う無線通信技術である。ＴＤＤは、無線通信における送信と受信とに同一の周波数帯域を割り当てて、送信と受信とを時間ごとに切り替えて行う無線通信技術である。
　（２）高周波回路の回路構成
　以下、実施形態１に係る高周波回路１の回路構成について、図１を参照して説明する。
　実施形態１に係る高周波回路１は、図１に示すように、第１フィルタ１１と、複数（図示例では２つ）の第２フィルタ１２と、複数（図示例では２つ）の第３フィルタ１３と、第４フィルタ１４と、を備える。また、高周波回路１は、第１スイッチ１５と、第２スイッチ１６と、を更に備える。また、高周波回路１は、複数（図示例では３つ）の整合回路１７，１８，１９を更に備える。また、高周波回路１は、容量部２３と、ハイバンド回路２４と、を更に備える。また、高周波回路１は、第１～第３パワーアンプ（図示せず）と、第１～第４ローノイズアンプ（図示せず）と、第１～第３出力整合回路（図示せず）と、第１～第４入力整合回路（図示せず）と、を更に備える。また、高周波回路１は、複数の外部接続端子４を更に備える。
　（２．１）パワーアンプ
　第１～第３パワーアンプの各々は、送信信号を増幅する増幅器である。第１パワーアンプは、図示を省略しているが、後述のアンテナ端子４１と、外部回路（例えば、信号処理回路２）からの送信信号を高周波回路１に入力するための第１信号入力端子（図示せず）とを結ぶ第１送信経路Ｔ１１のうち第１信号入力端子と第１フィルタ１１の第１送信フィルタ１１１との間に設けられている。第２パワーアンプは、図示を省略しているが、後述のアンテナ端子４１と、外部回路（例えば、信号処理回路２）からの送信信号を高周波回路１に入力するための第２信号入力端子（図示せず）とを結ぶ第２送信経路Ｔ１２のうち第２信号入力端子と第２フィルタ１２の第２送信フィルタ１２１との間に設けられている。第３パワーアンプは、図示を省略しているが、後述のアンテナ端子４１と、外部回路（例えば、信号処理回路２）からの送信信号を高周波回路１に入力するための第３信号入力端子（図示せず）とを結ぶ第３送信経路Ｔ１３のうち第３信号入力端子と第３フィルタ１３の第３送信フィルタ１３１との間に設けられている。
　第１～第３パワーアンプの各々は、入力端子（図示せず）及び出力端子（図示せず）を有する。第１パワーアンプの入力端子は、第１信号入力端子を介して外部回路（例えば、信号処理回路２）に接続される。第１パワーアンプの出力端子は、第１フィルタ１１の第１送信フィルタ１１１に接続されている。第２パワーアンプの入力端子は、第２信号入力端子を介して外部回路（例えば、信号処理回路２）に接続される。第２パワーアンプの出力端子は、第２フィルタ１２の第２送信フィルタ１２１に接続されている。第３パワーアンプの入力端子は、第３信号入力端子を介して外部回路（例えば、信号処理回路２）に接続される。第３パワーアンプの出力端子は、第３フィルタ１３の第３送信フィルタ１３１に接続されている。第１～第３パワーアンプの各々は、例えば、コントローラ（図示せず）によって制御される。
　（２．２）第１フィルタ
　図１に示す第１フィルタ１１は、例えば、デュプレクサである。第１フィルタ１１は、第１送信フィルタ１１１と、第１受信フィルタ１１２と、を含む。第１フィルタ１１は、第１周波数帯域を通過帯域に含むフィルタである。第１周波数帯域は、例えば、第１通信バンドの送信帯域と、第３通信バンドの受信帯域と、を含む。第１通信バンドは、例えば、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ１である。第３通信バンドは、例えば、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ３である。具体的には、第１送信フィルタ１１１の通過帯域は、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ１の送信帯域（１９２０ＭＨｚ－１９８０ＭＨｚ）である。また、第１受信フィルタ１１２の通過帯域は、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ３の受信帯域（１８０５ＭＨｚ－１８８０ＭＨｚ）である。
　第１送信フィルタ１１１は、第１送信経路Ｔ１１のうち第１パワーアンプと第２スイッチ１６との間に設けられている。第１送信フィルタ１１１は、第１パワーアンプで増幅された高周波信号のうち、第１通信バンドの送信帯域の送信信号を通過させる。第１受信フィルタ１１２は、後述のアンテナ端子４１と、高周波回路１からの受信信号を外部回路（例えば、信号処理回路２）へ出力するための第１信号出力端子（図示せず）とを結ぶ第１受信経路Ｒ１１のうち第１ローノイズアンプと第２スイッチ１６との間に設けられている。第１受信フィルタ１１２は、アンテナ端子４１から入力された高周波信号のうち、第３通信バンドの受信帯域の受信信号を通過させる。実施形態１に係る高周波回路１では、第１送信経路Ｔ１１と第１受信経路Ｒ１１とで第１信号経路が構成されている。
　（２．３）第２フィルタ
　図１に示す複数の第２フィルタ１２は、第２送信フィルタ１２１と、第２受信フィルタ１２２と、を含む。複数の第２フィルタ１２の各々は、第２周波数帯域を通過帯域に含むフィルタである。第２周波数帯域は、例えば、第２通信バンドの送信帯域と、第２通信バンドの受信帯域と、を含む。第２通信バンドは、例えば、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ２５である。具体的には、第２送信フィルタ１２１の通過帯域は、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ２５の送信帯域（１８５０ＭＨｚ－１９１５ＭＨｚ）である。また、第２受信フィルタ１２２の通過帯域は、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ２５の受信帯域（１９３０ＭＨｚ－１９９５ＭＨｚ）である。
　第２送信フィルタ１２１は、第２送信経路Ｔ１２のうち第２パワーアンプと第２スイッチ１６との間に設けられている。第２送信フィルタ１２１は、第２パワーアンプで増幅された高周波信号のうち、第２通信バンドの送信帯域の送信信号を通過させる。第２受信フィルタ１２２は、後述のアンテナ端子４１と、高周波回路１からの受信信号を外部回路（例えば、信号処理回路２）へ出力するための第２信号出力端子（図示せず）とを結ぶ第２受信経路Ｒ１２のうち第２ローノイズアンプと第２スイッチ１６との間に設けられている。第２受信フィルタ１２２は、アンテナ端子４１から入力された高周波信号のうち、第２通信バンドの受信帯域の受信信号を通過させる。実施形態１に係る高周波回路１では、第２送信経路Ｔ１２と第２受信経路Ｒ１２とで第２信号経路が構成されている。
　（２．４）第３フィルタ
　図１に示す複数の第３フィルタ１３は、第３送信フィルタ１３１と、第３受信フィルタ１３２と、を含む。複数の第３フィルタ１３の各々は、第３周波数帯域及び第４周波数帯域を通過帯域に含むフィルタである。第３周波数帯域は、例えば、第３通信バンドの送信帯域と、第１通信バンドの受信帯域と、を含む。第１通信バンドは、上述したように、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ１である。第３通信バンドは、上述したように、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ３である。具体的には、第３送信フィルタ１３１の通過帯域は、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ３の送信帯域（１７１０ＭＨｚ－１７８５ＭＨｚ）を含む。また、第３受信フィルタ１３２の通過帯域は、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ１の受信帯域（２１１０ＭＨｚ－２１７０ＭＨｚ）を含む。第３周波数帯域は、上述したように、第１周波数帯域及び第２周波数帯域とは異なる周波数帯域である。
　第４周波数帯域は、例えば、第４通信バンドの送信帯域と、第４通信バンドの受信帯域と、を含む。第４通信バンドは、例えば、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ６６である。具体的には、第３送信フィルタ１３１の通過帯域は、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ６６の送信帯域（１７１０ＭＨｚ－１７８０ＭＨｚ）を含む。また、第３受信フィルタ１３２の通過帯域は、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ６６の受信帯域（２１１０ＭＨｚ－２２００ＭＨｚ）を含む。すなわち、実施形態１に係る高周波回路１では、第４周波数帯域は、第３周波数帯域を含む。より詳細には、第４周波数帯域における下限周波数は、第３周波数帯域における下限周波数より低く、かつ第４周波数帯域における上限周波数は、第３周波数帯域における上限周波数より高い。第４周波数帯域は、上述したように、第１周波数帯域及び第２周波数帯域とは異なる周波数帯域である。したがって、実施形態１に係る高周波回路１では、第１フィルタ１１と第３フィルタ１３とは、同時通信に用いられることが可能である。また、実施形態１に係る高周波回路１では、第２フィルタ１２と第３フィルタ１３とは、同時通信に用いられることが可能である。
　第３送信フィルタ１３１は、第３送信経路Ｔ１３のうち第３パワーアンプと第１スイッチ１５との間に設けられている。第３送信フィルタ１３１は、第３パワーアンプで増幅された高周波信号のうち、第３通信バンドの送信帯域の送信信号、及び第４通信バンドの送信帯域の送信信号を通過させる。第３受信フィルタ１３２は、後述のアンテナ端子４１と、高周波回路１からの受信信号を外部回路（例えば、信号処理回路２）へ出力するための第３信号出力端子（図示せず）とを結ぶ第３受信経路Ｒ１３のうち第３ローノイズアンプと第１スイッチ１５との間に設けられている。第３受信フィルタ１３２は、アンテナ端子４１から入力された高周波信号のうち、第１通信バンドの受信帯域の受信信号、及び第４通信バンドの受信帯域の受信信号を通過させる。実施形態１に係る高周波回路１では、第３送信経路Ｔ１３と第３受信経路Ｒ１３とで第３信号経路が構成されている。
　（２．５）第４フィルタ
　図１に示す第４フィルタ１４は、例えば、受信フィルタである。第４フィルタ１４は、第５周波数帯域を通過帯域に含むフィルタである。第５周波数帯域は、例えば、第５通信バンドの受信帯域と、第６通信バンドの受信帯域と、を含む。第５通信バンドは、例えば、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ３２である。第６通信バンドは、例えば、５Ｇ　ＮＲのｎ７５である。具体的には、第４フィルタ１４の通過帯域は、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ３２の受信帯域（１４５２ＭＨｚ－１４９６ＭＨｚ）を含む。また、第４フィルタ１４の通過帯域は、５Ｇ　ＮＲのｎ７５の受信帯域（１４３２ＭＨｚ－１５１７ＭＨｚ）を含む。
　第４フィルタ１４は、後述のアンテナ端子４１と、高周波回路１からの受信信号を外部回路（例えば、信号処理回路２）へ出力するための第４信号出力端子（図示せず）とを結ぶ第４受信経路Ｒ１４のうち第４ローノイズアンプと第２スイッチ１６との間に設けられている。第４フィルタ１４は、アンテナ端子４１から入力された高周波信号のうち、第５通信バンドの受信帯域の受信信号、及び第６通信バンドの受信帯域の受信信号を通過させる。
　（２．６）ローノイズアンプ
　第１～第４ローノイズアンプの各々は、受信信号を低雑音で増幅する増幅器である。第１ローノイズアンプは、図示を省略しているが、第１受信経路Ｒ１１のうち第１受信フィルタ１１２と第１信号出力端子との間に設けられている。第２ローノイズアンプは、図示を省略しているが、第２受信経路Ｒ１２のうち第２受信フィルタ１２２と第２信号出力端子との間に設けられている。第３ローノイズアンプは、図示を省略しているが、第３受信経路Ｒ１３のうち第３受信フィルタ１３２と第３信号出力端子との間に設けられている。第４ローノイズアンプは、図示を省略しているが、第４受信経路Ｒ１４のうち第４フィルタ１４と第４信号出力端子との間に設けられている。
　第１～第４ローノイズアンプの各々は、入力端子（図示せず）及び出力端子（図示せず）を有する。第１ローノイズアンプの入力端子は、第１入力整合回路（図示せず）に接続されている。第１ローノイズアンプの出力端子は、第１信号出力端子を介して外部回路（例えば、信号処理回路２）に接続される。第２ローノイズアンプの入力端子は、第２入力整合回路（図示せず）に接続されている。第２ローノイズアンプの出力端子は、第２信号出力端子を介して外部回路（例えば、信号処理回路２）に接続される。第３ローノイズアンプの入力端子は、第３入力整合回路（図示せず）に接続されている。第３ローノイズアンプの出力端子は、第３信号出力端子を介して外部回路（例えば、信号処理回路２）に接続される。第４ローノイズアンプの入力端子は、第４入力整合回路（図示せず）に接続されている。第４ローノイズアンプの出力端子は、第４信号出力端子を介して外部回路（例えば、信号処理回路２）に接続される。
　（２．７）出力整合回路
　第１出力整合回路は、図示を省略しているが、第１送信経路Ｔ１１のうち第１パワーアンプと第１フィルタ１１の第１送信フィルタ１１１との間に設けられている。第１出力整合回路は、第１パワーアンプと第１送信フィルタ１１１とのインピーダンス整合をとるための回路である。第２出力整合回路は、図示を省略しているが、第２送信経路Ｔ１２のうち第２パワーアンプと第２フィルタ１２の第２送信フィルタ１２１との間に設けられている。第２出力整合回路は、第２パワーアンプと第２送信フィルタ１２１とのインピーダンス整合をとるための回路である。第３出力整合回路は、図示を省略しているが、第３送信経路Ｔ１３のうち第３パワーアンプと第３フィルタ１３の第３送信フィルタ１３１との間に設けられている。第３出力整合回路は、第３パワーアンプと第３送信フィルタ１３１とのインピーダンス整合をとるための回路である。
　第１出力整合回路は、インダクタを含む構成である。第１出力整合回路のインダクタは、第１送信経路Ｔ１１において、第１パワーアンプの出力側に設けられている。第２出力整合回路は、インダクタを含む構成である。第２出力整合回路のインダクタは、第２送信経路Ｔ１２において、第２パワーアンプの出力側に設けられている。第３出力整合回路は、インダクタを含む構成である。第３出力整合回路のインダクタは、第３送信経路Ｔ１３において、第３パワーアンプの出力側に設けられている。なお、第１～第３出力整合回路の各々は、１つのインダクタを含む構成であることに限定されず、例えば、複数のインダクタを含む構成であってもよいし、複数のインダクタ及び複数のキャパシタを含む構成であってもよい。要するに、第１～第３出力整合回路の各々は、少なくとも１つのインダクタを含む。
　（２．８）入力整合回路
　第１入力整合回路は、図示を省略しているが、第１受信経路Ｒ１１のうち第１ローノイズアンプと第１フィルタ１１の第１受信フィルタ１１２との間に設けられている。第１入力整合回路は、第１ローノイズアンプと第１受信フィルタ１１２とのインピーダンス整合をとるための回路である。第２入力整合回路は、図示を省略しているが、第２受信経路Ｒ１２のうち第２ローノイズアンプと第２フィルタ１２の第２受信フィルタ１２２との間に設けられている。第２入力整合回路は、第２ローノイズアンプと第２受信フィルタ１２２とのインピーダンス整合をとるための回路である。第３入力整合回路は、図示を省略しているが、第３受信経路Ｒ１３のうち第３ローノイズアンプと第３フィルタ１３の第３受信フィルタ１３２との間に設けられている。第３入力整合回路は、第３ローノイズアンプと第３受信フィルタ１３２とのインピーダンス整合をとるための回路である。第４入力整合回路は、図示を省略しているが、第４受信経路Ｒ１４のうち第４ローノイズアンプと第４フィルタ１４との間に設けられている。第４入力整合回路は、第４ローノイズアンプと第４フィルタ１４とのインピーダンス整合をとるための回路である。
　第１入力整合回路は、インダクタを含む構成である。第１入力整合回路のインダクタは、第１受信経路Ｒ１１において、第１ローノイズアンプの入力側に設けられている。第２入力整合回路は、インダクタを含む構成である。第２入力整合回路のインダクタは、第２受信経路Ｒ１２において、第２ローノイズアンプの入力側に設けられている。第３入力整合回路は、インダクタを含む構成である。第３入力整合回路のインダクタは、第３受信経路Ｒ１３において、第３ローノイズアンプの入力側に設けられている。第４入力整合回路は、インダクタを含む構成である。第４入力整合回路のインダクタは、第４受信経路Ｒ１４において、第４ローノイズアンプの入力側に設けられている。なお、第１～第４入力整合回路の各々は、１つのインダクタを含む構成であることに限定されず、例えば、複数のインダクタを含む構成であってもよいし、複数のインダクタ及び複数のキャパシタを含む構成であってもよい。要するに、第１～第４入力整合回路の各々は、少なくとも１つのインダクタを含む。
　（２．９）整合回路
　図１に示す整合回路１７は、第２受信フィルタ１２２と第２スイッチ１６との間に設けられている。整合回路１７は、第２スイッチ１６と第２受信フィルタ１２２とのインピーダンス整合をとるための回路である。整合回路１７は、インダクタ１７１と、キャパシタ１７２と、を含む。インダクタ１７１は、第２受信フィルタ１２２の入力端子及び第２スイッチ１６の第２選択端子１６２と直列に接続されている。より詳細には、インダクタ１７１の第１端は、第２受信フィルタ１２２の入力端子に接続され、インダクタ１７１の第２端は、第２スイッチ１６の第２選択端子１６２に接続されている。キャパシタ１７２は、第２受信フィルタ１２２の入力端子と第２スイッチ１６の第２選択端子１６２とを結ぶ信号経路とグランドとの間に接続されている。つまり、キャパシタ１７２は、上記信号経路に対してシャント接続されている。なお、整合回路１７は、インダクタ１７１のみで構成されていてもよいし、キャパシタ１７２のみで構成されていてもよい。また、整合回路１７は、複数のインダクタで構成されていてもよいし、複数のキャパシタで構成されていてもよいし、複数のインダクタ及び複数のキャパシタで構成されていてもよい。
　図１に示す整合回路１８は、第３受信フィルタ１３２と第１スイッチ１５との間に設けられている。整合回路１８は、第１スイッチ１５と第３受信フィルタ１３２とのインピーダンス整合をとるための回路である。整合回路１８は、インダクタ１８１と、キャパシタ１８２と、を含む。インダクタ１８１は、第３受信フィルタ１３２の入力端子及び第１スイッチ１５の選択端子１５２と直列に接続されている。より詳細には、インダクタ１８１の第１端は、第３受信フィルタ１３２の入力端子に接続され、インダクタ１８１の第２端は、容量部２３を介して第１スイッチ１５の選択端子１５２に接続されている。キャパシタ１８２は、第３受信フィルタ１３２の入力端子と第１スイッチ１５の選択端子１５２とを結ぶ信号経路とグランドとの間に接続されている。つまり、キャパシタ１８２は、上記信号経路に対してシャント接続されている。なお、整合回路１８は、インダクタ１８１のみで構成されていてもよいし、キャパシタ１８２のみで構成されていてもよい。また、整合回路１８は、複数のインダクタで構成されていてもよいし、複数のキャパシタで構成されていてもよいし、複数のインダクタ及び複数のキャパシタで構成されていてもよい。
　図１に示す整合回路１９は、第４フィルタ１４と第２スイッチ１６との間に設けられている。整合回路１９は、第２スイッチ１６と第４フィルタ１４とのインピーダンス整合をとるための回路である。整合回路１９は、インダクタ１９１と、キャパシタ１９２と、を含む。インダクタ１９１は、第４フィルタ１４と第２スイッチ１６とを結ぶ信号経路とグランドとの間に接続されている。つまり、インダクタ１９１は、上記信号経路に対してシャント接続されている。キャパシタ１９２は、第４フィルタ１４の入力端子及び第２スイッチ１６の第１選択端子１６１と直列に接続されている。より詳細には、キャパシタ１９２の第１端は、第４フィルタ１４の入力端子に接続され、キャパシタ１９２の第２端は、第２スイッチ１６の第１選択端子１６１に接続されている。なお、整合回路１９は、インダクタ１９１のみで構成されていてもよいし、キャパシタ１９２のみで構成されていてもよい。また、整合回路１９は、複数のインダクタで構成されていてもよいし、複数のキャパシタで構成されていてもよいし、複数のインダクタ及び複数のキャパシタで構成されていてもよい。
　（２．１０）第１スイッチ
　図１に示す第１スイッチ１５は、複数（図示例では２つ）の共通端子１５Ａ，１５Ｂと、複数（図示例では９つ）の選択端子１５１～１５９と、を有する。共通端子１５Ａは、アンテナ端子４１に接続されている。共通端子１５Ｂは、アンテナ端子４２に接続されている。複数の選択端子１５１～１５９のうち選択端子１５２は、第１フィルタ１１、第２フィルタ１２、第３フィルタ１３及び第４フィルタ１４に接続されている。複数の選択端子１５１～１５９のうち選択端子１５７～１５９は、ハイバンド回路２４を構成する複数のフィルタに接続されている。
　第１スイッチ１５は、共通端子１５Ａと６つの選択端子１５１～１５６との接続状態を切り替える。また、第１スイッチ１５は、共通端子１５Ｂと３つの選択端子１５７～１５９との接続状態を切り替える。第１スイッチ１５は、例えば、信号処理回路２（図２参照）によって制御される。第１スイッチ１５は、信号処理回路２のＲＦ信号処理回路２１からの制御信号に従って、共通端子１５Ａと６つの選択端子１５１～１５６の少なくとも１つとを電気的に接続させる。また、第１スイッチ１５は、信号処理回路２のＲＦ信号処理回路２１からの制御信号に従って、共通端子１５Ｂと３つの選択端子１５７～１５９の少なくとも１つとを電気的に接続させる。
　（２．１１）第２スイッチ
　図１に示す第２スイッチ１６は、共通端子１６０と、第１選択端子１６１と、第２選択端子１６２と、を有する。共通端子１６０は、端点（接続点、ノード、束ね点）Ｐ１に接続されている。端点Ｐ１は、共通経路Ｒ１５における共通端子１６０側の点である。共通経路Ｒ１５は、第１信号経路（第１送信経路Ｔ１１、第１受信経路Ｒ１１）、第２信号経路（第２送信経路Ｔ１２、第２受信経路Ｒ１２）及び第３信号経路（第３送信経路Ｔ１３、第３受信経路Ｒ１３）に共通な信号経路である。すなわち、第１信号経路、第２信号経路及び第３信号経路の各々は、共通経路Ｒ１５を含む。また、共通経路Ｒ１５は、第２スイッチ１６の共通端子１６０とアンテナ端子４１との間の信号経路Ｒ１に含まれている。
　さらに、端点Ｐ１は、第３フィルタ１３が接続される点である。より詳細には、第３送信フィルタ１３１は、端点Ｐ１１に接続されており、端点Ｐ１１を介して信号経路Ｒ１の共通経路Ｒ１５に接続されている。すなわち、第３送信フィルタ１３１においては、端点Ｐ１１とアンテナ端子４１との間の信号経路が共通経路Ｒ１５である。また、第３受信フィルタ１３２は、端点Ｐ１２に接続されており、端点Ｐ１２を介して信号経路Ｒ１の共通経路Ｒ１５に接続されている。すなわち、第３受信フィルタ１３２においては、端点Ｐ１２とアンテナ端子４１との間の信号経路が共通経路Ｒ１５である。そして、実施形態１に係る高周波回路１では、第３フィルタ１３は、共通経路Ｒ１５における共通端子１６０側の端点Ｐ１と通信可能に接続されている。
　第２スイッチ１６の第１選択端子１６１は、第１フィルタ１１に接続されている。また、第１選択端子１６１は、整合回路１９を介して第４フィルタ１４に接続されている。また、第２スイッチ１６の第２選択端子１６２は、第２フィルタ１２に接続されている。
　第２スイッチ１６は、共通端子１６０と第１選択端子１６１及び第２選択端子１６２との接続状態を切り替える。第２スイッチ１６は、例えば、信号処理回路２（図２参照）によって制御される。第２スイッチ１６は、信号処理回路２のＲＦ信号処理回路２１からの制御信号に従って、共通端子１６０と第１選択端子１６１及び第２選択端子１６２の少なくとも１つとを電気的に接続させる。
　（２．１２）容量部
　図１に示す容量部２３は、第１スイッチ１５の選択端子１５２及び端点Ｐ１１と直列に接続されている。言い換えると、容量部２３は、第１スイッチ１５を介して、端点Ｐ１１及びアンテナ端子４１と直列に接続されている。具体的には、容量部２３の第１端は、端点Ｐ１１に接続され、容量部２３の第２端は、第１スイッチ１５を介してアンテナ端子４１に接続されている。図示例では、容量部２３は、デジタルチューナブルキャパシタ（ＤＴＣ：Digitally Tunable Capacitor）２３０を含む。容量部２３では、例えば、信号処理回路２のＲＦ信号処理回路２１（図２参照）からの制御信号（図示せず）に従って、デジタルチューナブルキャパシタ２３０の静電容量が調整される。
　（２．１３）外部接続端子
　複数の外部接続端子４は、外部回路（例えば、信号処理回路２）と電気的に接続するための端子である。複数の外部接続端子４は、複数（図示例では２つ）のアンテナ端子４１，４２と、第１～第３信号入力端子（図示せず）と、第１～第４信号出力端子（図示せず）と、を含む。
　複数のアンテナ端子４１，４２は、複数のアンテナ３１，３２と一対一に対応している。より詳細には、アンテナ端子４１には、アンテナ３１が接続され、アンテナ端子４２には、アンテナ３２が接続される。高周波回路１内において、複数のアンテナ端子４１，４２は、第１スイッチ１５に接続されている。また、アンテナ端子４１は、第１スイッチ１５を介して、第１フィルタ１１、第２フィルタ１２、第３フィルタ１３及び第４フィルタ１４に接続されている。また、アンテナ端子４２は、第１スイッチ１５を介して、ハイバンド回路２４の複数のフィルタに接続されている。
　第１～第３信号入力端子は、外部回路（例えば、信号処理回路２）からの送信信号を高周波回路１に入力するための端子である。高周波回路１内において、第１信号入力端子は第１パワーアンプに接続され、第２信号入力端子は第２パワーアンプに接続され、第３信号入力端子は第３パワーアンプに接続されている。
　第１～第４信号出力端子は、高周波回路１からの受信信号を外部回路（例えば、信号処理回路２）へ出力するための端子である。高周波回路１内において、第１信号出力端子は第１ローノイズアンプに接続され、第２信号出力端子は第２ローノイズアンプに接続され、第３信号出力端子は第３ローノイズアンプに接続され、第４信号出力端子は第４ローノイズアンプに接続されている。
　（２．１４）ハイバンド回路
　ハイバンド回路２４は、複数のフィルタ（図示せず）と、複数のパワーアンプ（図示せず）と、複数のローノイズアンプ（図示せず）と、を含む。複数のフィルタは、送信フィルタと、受信フィルタと、を含む。複数のフィルタは、ハイバンド用のフィルタである。一方、上述の第１フィルタ１１、第２フィルタ１２、第３フィルタ１３及び第４フィルタ１４は、ミッドバンド用のフィルタである。ハイバンド回路２４では、第１スイッチ１５の共通端子１５Ｂと３つの選択端子１５７～１５９の少なくとも１つとを接続することにより、複数のフィルタのうち少なくとも１つのフィルタが選択される。
　ここで、複数のフィルタの各々は、第６周波数帯域を通過帯域に含むフィルタである。第６周波数帯域は、第７通信バンドの送信帯域と、第７通信バンドの受信帯域と、を含む。第７通信バンドは、例えば、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ４１である。具体的には、送信フィルタの通過帯域は、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ４１の送信帯域（２４９６ＭＨｚ－２６９０ＭＨｚ）である。また、受信フィルタの通過帯域は、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ４１の受信帯域（２４９６ＭＨｚ－２６９０ＭＨｚ）である。なお、第７通信バンドは、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ４１に限らず、例えば、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ４０であってもよい。
　（３）高周波回路の構造
　以下、実施形態１に係る高周波回路１の構造について、図面を参照して説明する。
　高周波回路１は、実装基板（図示せず）と、複数の電子部品（図示せず）と、備える。高周波回路１は、複数の電子部品として、第１～第３パワーアンプと、第１～第４フィルタ１１～１４と、第１スイッチ１５と、第２スイッチ１６と、第１～第４ローノイズアンプと、第１～第３出力整合回路と、第１～第４入力整合回路と、整合回路１７～１９と、容量部２３と、を備える。また、高周波回路１は、複数の電子部品として、ハイバンド回路２４を構成する複数のフィルタ、複数のパワーアンプ及び複数のローノイズアンプを更に備える。
　高周波回路１は、外部基板（図示せず）に電気的に接続可能である。外部基板は、例えば、携帯電話及び通信機器等の通信装置１０のマザー基板に相当する。なお、高周波回路１が外部基板に電気的に接続可能であるとは、高周波回路１が外部基板上に直接的に実装される場合だけでなく、高周波回路１が外部基板上に間接的に実装される場合も含む。また、高周波回路１が外部基板上に間接的に実装される場合とは、高周波回路１が、外部基板上に実装された他の高周波回路（他の高周波モジュール）上に実装される場合等である。
　（３．１）実装基板
　実装基板は、第１主面及び第２主面を有する。第１主面及び第２主面は、実装基板の厚さ方向において互いに対向する。第２主面は、高周波回路１が外部基板に設けられたときに、外部基板における実装基板側の主面と対向する。実装基板は、例えば、第１主面に複数の電子部品が実装された片面実装基板である。なお、実装基板は片面実装基板に限らず、第１主面及び第２主面に複数の電子部品が実装された両面実装基板であってもよい。
　実装基板は、複数の誘電体層が積層された多層基板である。実装基板は、複数の導電層と、複数のビア導体（貫通電極を含む）と、を有する。複数の導電層は、グランド電位のグランド層を含む。複数のビア導体は、実装基板の第１主面に実装されている素子（上述の電子部品を含む）と実装基板の導電層との電気的接続に用いられる。また、複数のビア導体は、実装基板の導電層と外部接続端子４との電気的接続に用いられる。
　実装基板の第１主面には、複数の電子部品が配置されている。実装基板の第２主面には、複数の外部接続端子４が配置されている。
　（３．２）電子部品
　複数の電子部品は、実装基板の第１主面に配置されている。より詳細には、各電子部品は、複数の接続部（図示せず）を介して実装基板の第１主面に実装されている。複数の接続部は、例えば、バンプである。ここで、各電子部品において、電子部品の一部が実装基板の第１主面に実装されており、電子部品の残りが実装基板に内装されていてもよい。要するに、各電子部品は、実装基板において第２主面よりも第１主面側に配置されており、かつ、第１主面に実装されている部分を少なくとも有する。
　（３．３）外部接続端子
　複数の外部接続端子４は、実装基板と外部基板とを電気的に接続するための端子である。
　複数の外部接続端子４は、実装基板の第２主面に配置されている。複数の外部接続端子４は、実装基板の第２主面上に設けられた柱状（例えば、角柱状）の電極である。複数の外部接続端子４の材料は、例えば、金属（例えば、銅、銅合金等）である。複数の外部接続端子４の各々は、実装基板の厚さ方向において、実装基板の第２主面に接合されている基端部と、基端部とは反対側の先端部と、を有する。複数の外部接続端子４の各々の先端部は、例えば、金めっき層を含んでいてもよい。
　（４）通信装置
　通信装置１０は、図２に示すように、高周波回路１と、信号処理回路２と、複数（図示例では２つ）のアンテナ３１，３２と、を備える。また、通信装置１０は、高周波回路１が実装された外部基板（図示せず）を更に備える。外部基板は、例えば、プリント配線板である。外部基板は、グランド電位が与えられるグランド電極を有する。
　（４．１）アンテナ
　アンテナ３１は、図１及び図２に示すように、高周波回路１のアンテナ端子４１に接続されている。アンテナ３２は、図１及び図２に示すように、高周波回路１のアンテナ端子４２に接続されている。アンテナ３１，３２の各々は、高周波回路１から出力された送信信号を電波にて放射する送信機能と、受信信号を電波として外部から受信して高周波回路１へ出力する受信機能と、を有する。
　（４．２）信号処理回路
　信号処理回路２は、図２に示すように、ＲＦ信号処理回路２１と、ベースバンド信号処理回路２２と、を含む。信号処理回路２は、高周波回路１を通る信号を処理する。より詳細には、信号処理回路２は、高周波回路１からの送信信号、及び高周波回路１への受信信号を処理する。
　ＲＦ信号処理回路２１は、例えば、ＲＦＩＣ（Radio Frequency Integrated Circuit）である。ＲＦ信号処理回路２１は、高周波信号に対する信号処理を行う。
　ＲＦ信号処理回路２１は、ベースバンド信号処理回路２２から出力された送信信号に対してアップコンバート等の信号処理を行い、信号処理が行われた送信信号を高周波回路１に出力する。ＲＦ信号処理回路２１は、高周波回路１から出力された受信信号に対してダウンコンバート等の信号処理を行い、信号処理が行われた受信信号をベースバンド信号処理回路２２に出力する。
　ベースバンド信号処理回路２２は、例えば、ＢＢＩＣ（Baseband Integrated Circuit）である。ベースバンド信号処理回路２２は、信号処理回路２の外部からの送信信号に対する所定の信号処理を行う。ベースバンド信号処理回路２２で処理された受信信号は、例えば、画像表示のための画像信号として使用され、又は、通話のための音声信号として使用される。
　また、ＲＦ信号処理回路２１は、高周波信号（送信信号、受信信号）の送受に基づいて、高周波回路１が有する第１スイッチ１５及び第２スイッチ１６の各々の接続を制御する制御部としての機能も有する。具体的には、ＲＦ信号処理回路２１は、制御信号（図示せず）によって、高周波回路１の第１スイッチ１５及び第２スイッチ１６の各々の接続を切り替える。なお、制御部は、ＲＦ信号処理回路２１の外部に設けられていてもよく、例えば、高周波回路１又はベースバンド信号処理回路２２に設けられていてもよい。
　（５）フィルタの接続関係
　次に、第１フィルタ１１、第２フィルタ１２及び第３フィルタ１３の接続関係について、図１を参照して説明する。
　第１フィルタ１１は、上述したように、第１送信フィルタ１１１と第１受信フィルタ１１２とを含むデュプレクサである。第１送信フィルタ１１１の出力端子及び第１受信フィルタ１１２の入力端子は、第２スイッチ１６の第１選択端子１６１に接続されている。したがって、第１フィルタ１１は、第２スイッチ１６において共通端子１６０が第１選択端子１６１に接続されることによって、信号経路Ｒ１に接続される。
　複数の第２フィルタ１２は、上述したように、第２送信フィルタ１２１と、第２受信フィルタ１２２と、を含む。第２送信フィルタ１２１の出力端子及び第２受信フィルタ１２２の入力端子は、第２スイッチ１６の第２選択端子１６２に接続されている。したがって、複数の第２フィルタ１２は、第２スイッチ１６において共通端子１６０が第２選択端子１６２に接続されることによって、信号経路Ｒ１に接続される。
　複数の第３フィルタ１３は、上述したように、第３送信フィルタ１３１と、第３受信フィルタ１３２と、を含む。第３送信フィルタ１３１の出力端子は、端点Ｐ１１において信号経路Ｒ１に接続されている。また、第３受信フィルタ１３２の入力端子は、端点Ｐ１２において信号経路Ｒ１に接続されている。上述したように、端点Ｐ１１は、第２スイッチ１６の共通端子１６０とアンテナ端子４１との間の信号経路Ｒ１において第３送信フィルタ１３１が接続される点である。また、端点Ｐ１２は、第２スイッチ１６の共通端子１６０とアンテナ端子４１との間の信号経路Ｒ１において第３受信フィルタ１３２が接続される点である。したがって、第３送信フィルタ１３１及び第３受信フィルタ１３２の各々を通る高周波信号（送信信号又は受信信号）は、第２スイッチ１６を経由しない。
　ここで、第１周波数帯域は、上述したように、Ｂａｎｄ１の送信帯域と、Ｂａｎｄ３の受信帯域と、を含む。また、第２周波数帯域は、上述したように、Ｂａｎｄ２５の送信帯域と、Ｂａｎｄ２５の受信帯域と、を含む。また、第３周波数帯域は、上述したように、Ｂａｎｄ３の送信帯域と、Ｂａｎｄ１の受信帯域と、を含む。また、第４周波数帯域は、上述したように、Ｂａｎｄ６６の送信帯域と、Ｂａｎｄ６６の受信帯域と、を含む。
　したがって、実施形態１に係る高周波回路１では、第２スイッチ１６において共通端子１６０を第１選択端子１６１に接続することによって、第１フィルタ１１と第３フィルタ１３とを用いた同時通信が可能である。また、高周波回路１では、第２スイッチ１６において共通端子１６０を第２選択端子１６２に接続することによって、第２フィルタ１２と第３フィルタ１３とを用いた同時通信が可能である。
　（６）効果
　実施形態１に係る高周波回路１では、第３フィルタ１３は、第２スイッチ１６の共通端子１６０とアンテナ端子４１との間の信号経路Ｒ１の共通経路Ｒ１５における共通端子１６０側の端点Ｐ１（Ｐ１１，Ｐ１２）に接続されている。そのため、第３フィルタ１３を通過する高周波信号（送信信号、受信信号）は、第２スイッチ１６を経由しない。これにより、第３フィルタ１３を通過する高周波信号が第２スイッチ１６を経由する場合に比べて、第２スイッチ１６による挿入損失を抑制することが可能となる。すなわち、実施形態１に係る高周波回路１によれば、特性の劣化を抑制することが可能となる。
　実施形態１に係る高周波回路１では、第１フィルタ１１と第３フィルタ１３とが同時通信に用いられることが可能であり、第２フィルタ１２と第３フィルタ１３とが同時通信に用いられることが可能である。これにより、第１フィルタ１１と第３フィルタ１３とを用いた同時通信、及び第２フィルタ１２と第３フィルタ１３とを用いた同時通信が可能である。
　実施形態１に係る高周波回路１では、第４周波数帯域は、第３周波数帯域を含む。これにより、第４周波数帯域が第３周波数帯域を含まない場合に比べて、使用するフィルタの数を少なくすることが可能となる。その結果、通信装置１０において高周波回路１が占める面積を小さくすることが可能となり、その結果、通信装置１０の小型化が可能となる。
　（実施形態２）
　実施形態２に係る高周波回路１ａは、図３に示すように、第２スイッチ１６の共通端子１６０及び端点Ｐ１と直列に接続されているキャパシタ２５を備えている点で、実施形態１に係る高周波回路１（図１参照）と相違する。
　（１）構成
　実施形態２に係る高周波回路１ａは、図３に示すように、第１フィルタ１１と、複数（図示例では２つ）の第２フィルタ１２と、複数（図示例では２つ）の第３フィルタ１３と、第４フィルタ１４と、を備える。また、高周波回路１ａは、第１スイッチ１５と、第２スイッチ１６と、を更に備える。また、高周波回路１ａは、複数（図示例では３つ）の整合回路１７，１８，１９を更に備える。また、高周波回路１ａは、容量部２３と、ハイバンド回路２４と、キャパシタ２５と、を更に備える。また、高周波回路１ａは、第１～第３パワーアンプ（図示せず）と、第１～第４ローノイズアンプ（図示せず）と、第１～第３出力整合回路（図示せず）と、第１～第４入力整合回路（図示せず）と、を更に備える。また、高周波回路１ａは、複数の外部接続端子４を更に備える。なお、実施形態２に係る高周波回路１ａに関し、実施形態１に係る高周波回路１と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
　実施形態２に係る高周波回路１ａでは、キャパシタ２５は、第２スイッチ１６の共通端子１６０及び端点Ｐ１（Ｐ１２）と直列に接続されている。より詳細には、キャパシタ２５の第１端は、第２スイッチ１６の共通端子１６０に接続され、キャパシタ２５の第２端は、端点Ｐ１（Ｐ１２）に接続されている。
　（２）効果
　実施形態２に係る高周波回路１ａにおいても、実施形態１に係る高周波回路１と同様、第３フィルタ１３は、第２スイッチ１６の共通端子１６０とアンテナ端子４１との間の信号経路Ｒ１の共通経路Ｒ１５における共通端子１６０側の端点Ｐ１（Ｐ１１，Ｐ１２）に接続されている。これにより、高周波回路１ａの特性の劣化を抑制することが可能となる。
　また、実施形態２に係る高周波回路１ａは、第２スイッチ１６の共通端子１６０及び端点Ｐ１と直列に接続されているキャパシタ２５を備えている。これにより、第２スイッチ１６による挿入損失を抑制することが可能となる。要するに、第１フィルタ１１、第２フィルタ１２及び第４フィルタ１４を通過する高周波信号についても、挿入損失を抑制することが可能となる。
　（実施形態３）
　実施形態３に係る高周波回路１ｂは、図４に示すように、容量部２３が２つのキャパシタ２３１，２３２を有している点で、実施形態１に係る高周波回路１（図１参照）と相違する。
　（１）構成
　実施形態３に係る高周波回路１ｂは、図４に示すように、第１フィルタ１１と、複数（図示例では２つ）の第２フィルタ１２と、複数（図示例では２つ）の第３フィルタ１３と、第４フィルタ１４と、を備える。また、高周波回路１ｂは、第１スイッチ１５と、第２スイッチ１６と、を更に備える。また、高周波回路１ｂは、複数（図示例では３つ）の整合回路１７，１８，１９を更に備える。また、高周波回路１ｂは、容量部２３と、ハイバンド回路２４と、を更に備える。また、高周波回路１ｂは、第１～第３パワーアンプ（図示せず）と、第１～第４ローノイズアンプ（図示せず）と、第１～第３出力整合回路（図示せず）と、第１～第４入力整合回路（図示せず）と、を更に備える。また、高周波回路１ｂは、複数の外部接続端子４を更に備える。なお、実施形態３に係る高周波回路１ｂに関し、実施形態１に係る高周波回路１と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
　実施形態３に係る高周波回路１ｂでは、容量部２３は、２つのキャパシタ２３１，２３２を有する。２つのキャパシタ２３１，２３２は、互いに並列に接続されている。より詳細には、キャパシタ２３１は、第１スイッチ１５の選択端子１５２及び端点Ｐ１（Ｐ１１）と直列に接続されている。具体的には、キャパシタ２３１の第１端は、端点Ｐ１（Ｐ１１）に接続され、キャパシタ２３１の第２端は、第１スイッチ１５の選択端子１５２に接続されている。また、キャパシタ２３２は、第１スイッチ１５の選択端子１５３及び端点Ｐ１（Ｐ１１）と直列に接続されている。具体的には、キャパシタ２３２の第１端は、端点Ｐ１（Ｐ１１）に接続され、キャパシタ２３２の第２端は、第１スイッチ１５の選択端子１５３に接続されている。
　（２）効果
　実施形態３に係る高周波回路１ｂにおいても、実施形態１に係る高周波回路１と同様、第３フィルタ１３は、第２スイッチ１６の共通端子１６０とアンテナ端子４１との間の信号経路Ｒ１の共通経路Ｒ１５における共通端子１６０側の端点Ｐ１（Ｐ１１，Ｐ１２）に接続されている。これにより、高周波回路１ｂの特性の劣化を抑制することが可能となる。
　また、実施形態３に係る高周波回路１ｂでは、容量部２３が、互いに並列に接続された２つのキャパシタ２３１，２３２を有する。これにより、実施形態１に係る高周波回路１に比べて、高周波回路１ｂの回路規模は大きくなるが、挿入損失を抑制することが可能となる。
　なお、実施形態３に係る高周波回路１ｂは、実施形態２に係る高周波回路１ａと同様、第２スイッチ１６の共通端子１６０及び端点Ｐ１と直列に接続されているキャパシタ２５（図３参照）を備えていてもよい。これにより、実施形態２に係る高周波回路１ａと同様、第１フィルタ１１、第２フィルタ１２及び第４フィルタ１４を通過する高周波信号についても、挿入損失を抑制することが可能となる。
　（実施形態４）
　実施形態４に係る高周波回路１ｃは、図５に示すように、第１フィルタ１１、第２フィルタ１２及び第４フィルタ１４を含む信号経路Ｒ２１と、第３フィルタ１３を含む信号経路Ｒ２２とが別々に設けられている点で、実施形態１に係る高周波回路１（図１参照）と相違する。
　（１）構成
　実施形態４に係る高周波回路１ｃは、図５に示すように、第１フィルタ１１と、複数（図示例では２つ）の第２フィルタ１２と、複数（図示例では２つ）の第３フィルタ１３と、第４フィルタ１４と、を備える。また、高周波回路１ｃは、第１スイッチ１５と、第２スイッチ２６と、を更に備える。また、高周波回路１ｃは、複数（図示例では３つ）の整合回路１７，１８，１９を更に備える。また、高周波回路１ｃは、容量部２３と、ハイバンド回路２４と、を更に備える。また、高周波回路１ｃは、第１～第３パワーアンプ（図示せず）と、第１～第４ローノイズアンプ（図示せず）と、第１～第３出力整合回路（図示せず）と、第１～第４入力整合回路（図示せず）と、を更に備える。また、高周波回路１ｃは、複数の外部接続端子４を更に備える。なお、実施形態４に係る高周波回路１ｃに関し、実施形態１に係る高周波回路１と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
　図５に示す第１スイッチ１５は、複数（図示例では２つ）の共通端子１５Ａ，１５Ｂと、複数（図示例では９つ）の選択端子１５１～１５９と、を有する。共通端子１５Ａは、アンテナ端子４１に接続されている。また、共通端子１５Ｂは、アンテナ端子４２に接続されている。複数の選択端子１５１～１５９のうち選択端子１５４には、第１フィルタ１１、第２フィルタ１２及び第４フィルタ１４を含む信号経路Ｒ２１が接続されている。また、複数の選択端子１５１～１５９のうち選択端子１５２には、第３フィルタ１３を含む信号経路Ｒ２２が接続されている。第１スイッチ１５では、例えば、信号処理回路２のＲＦ信号処理回路２１（図２参照）からの制御信号（図示せず）に従って、共通端子１５Ａと６つの選択端子１５１～１５６の少なくとも１つとの接続状態が切り替えられる。また、第１スイッチ１５では、ＲＦ信号処理回路２１からの制御信号に従って、共通端子１５Ｂと３つの選択端子１５７～１５９の少なくとも１つとの接続状態が切り替えられる。実施形態４に係る高周波回路１ｃでは、共通端子１５Ａが第１共通端子であり、選択端子１５４が第１選択端子であり、選択端子１５２が第２選択端子である。
　図５に示す第２スイッチ２６は、共通端子２６０と、複数（図示例では２つ）の選択端子２６１，２６２と、を有する。共通端子２６０は、第１スイッチ１５の選択端子（第１選択端子）１５４に接続されている。また、共通端子２６０は、第１スイッチ１５を介して、アンテナ端子４１に接続されている。選択端子２６１は、第１フィルタ１１に接続されている。また、選択端子２６１は、整合回路１９を介して第４フィルタ１４に接続されている。さらに、選択端子２６２は、第２フィルタ１２に接続されている。実施形態４に係る高周波回路１ｃでは、共通端子２６０が第２共通端子であり、選択端子２６１が第３選択端子であり、選択端子２６２が第４選択端子である。
　実施形態４に係る高周波回路１ｃでは、第１フィルタ１１と第３フィルタ１３とを用いた同時通信が可能である。また、高周波回路１ｃでは、第２フィルタ１２と第３フィルタ１３とを用いた同時通信が可能である。要するに、第１フィルタ１１と第２フィルタ１２との少なくとも一方はアンテナ端子４１と通信可能に接続され、かつ、第３フィルタ１３はアンテナ端子４１と通信可能に接続されている。
　（２）効果
　実施形態４に係る高周波回路１ｃでは、第３フィルタ１３を通過する高周波信号（送信信号、受信信号）は、第２スイッチ２６を通過しない。したがって、第３フィルタ１３を通過する高周波信号が第２スイッチ２６を通過する場合に比べて、第２スイッチ２６による挿入損失を抑制することが可能となる。すなわち、実施形態４に係る高周波回路１ｃによれば、特性の劣化を抑制することが可能となる。
　なお、実施形態４に係る高周波回路１ｃは、第２スイッチ２６の共通端子２６０及び第１スイッチ１５の選択端子１５４と直列に接続されているキャパシタ（図示せず）を備えていてもよい。これにより、実施形態２に係る高周波回路１ａと同様、第１フィルタ１１、第２フィルタ１２及び第４フィルタ１４を通過する高周波信号についても、挿入損失を抑制することが可能となる。
　（変形例）
　上述の実施形態１～４等は、本発明の様々な実施形態の一つに過ぎない。上述の実施形態１～４等は、本発明の目的を達成できれば、設計等に応じて種々の変更が可能であり、互いに異なる実施形態の互いに異なる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
　上述の実施形態１～４では、第１周波数帯域が、Ｂａｎｄ１の送信帯域と、Ｂａｎｄ３の受信帯域と、の両方を含んでいるが、第１周波数帯域は、Ｂａｎｄ１の送信帯域と、Ｂａｎｄ３の受信帯域と、の一方を含んでいてもよい。要するに、第１周波数帯域は、Ｂａｎｄ１の送信帯域と、Ｂａｎｄ３の受信帯域と、の少なくとも一方を含んでいればよい。同様に、第２周波数帯域は、Ｂａｎｄ２５の送信帯域と、Ｂａｎｄ２５の受信帯域と、の少なくとも一方を含んでいればよい。同様に、第３周波数帯域は、Ｂａｎｄ３の送信帯域と、Ｂａｎｄ１の受信帯域と、の少なくとも一方を含んでいればよい。同様に、第４周波数帯域は、Ｂａｎｄ６６の送信帯域と、Ｂａｎｄ６６の受信帯域と、の少なくとも一方を含んでいればよい。
　上述の実施形態１～４では、第１周波数帯域がＢａｎｄ１の送信帯域とＢａｎｄ３の受信帯域とを含み、第２周波数帯域がＢａｎｄ２５の送信帯域とＢａｎｄ２５の受信帯域とを含み、第３周波数帯域がＢａｎｄ３の送信帯域とＢａｎｄ１の受信帯域とを含み、第４周波数帯域がＢａｎｄ６６の送信帯域とＢａｎｄ６６の受信帯域を含む。これに対して、第１周波数帯域、第２周波数帯域、第３周波数帯域及び第４周波数帯域の組み合わせは、以下の組み合わせでもよい。
　例えば、第１周波数帯域がＢａｎｄ４０の送信帯域とＢａｎｄ４０の受信帯域を含み、第２周波数帯域がＢａｎｄ４１の送信帯域とＢａｎｄ４１の受信帯域とを含み、第３周波数帯域がＢａｎｄ２５の送信帯域又はＢａｎｄ２５の受信帯域を含み、第４周波数帯域がＢａｎｄ６６の送信帯域又はＢａｎｄ６６の受信帯域を含んでもよい。
　上述の実施形態１～４では、第４周波数帯域が第３周波数帯域を含んでいるが、例えば、第３周波数帯域の一部と第４周波数帯域の一部とが重なっていてもよい。要するに、第３周波数帯域と第４周波数帯域とは、少なくとも一部で重なっていればよい。
　上述の実施形態１～４では、第１フィルタ１１は、第１送信フィルタ１１１と第１受信フィルタ１１２とを含むデュプレクサであるが、第１送信フィルタ１１１と第１受信フィルタ１１２とが別々に設けられていてもよい。また、第２フィルタ１２は、第２送信フィルタ１２１と第２受信フィルタ１２２とを含むデュプレクサであってもよい。さらに、第３フィルタ１３についても、第３送信フィルタ１３１と第３受信フィルタ１３２とを含むデュプレクサであってもよい。
　実施形態１に係る通信装置１０は、高周波回路１の代わりに、高周波回路１ａ～１ｃのいずれかを備えてもよい。
　本明細書において、「要素は、基板の第１主面に配置されている」は、要素が基板の第１主面上に直接実装されている場合だけでなく、基板で隔された第１主面側の空間及び第２主面側の空間のうち、第１主面側の空間に要素が配置されている場合を含む。つまり、「要素は、基板の第１主面に配置されている」は、要素が基板の第１主面上に、他の回路素子又は電極等を介して実装されている場合を含む。要素は、例えば、第１フィルタ１１等の電子部品であるが、電子部品に限定されない。基板は、例えば、実装基板である。
　本明細書において、「要素は、基板の第２主面に配置されている」は、要素が基板の第２主面上に直接実装されている場合だけでなく、基板で隔された第１主面側の空間及び第２主面側の空間のうち、第２主面側の空間に要素が配置されている場合を含む。つまり、「要素は、基板の第２主面に配置されている」は、要素が基板の第２主面上に、他の回路素子又は電極等を介して実装されている場合を含む。要素は、例えば、外部接続端子４であるが、外部接続端子４に限定されない。基板は、例えば、実装基板である。
　本明細書において、「第１要素は、第２要素と導通している」は、第１要素が常時、第２要素と電気的に接続されていることを意味する。第１要素は、例えば、第３フィルタ１３である。第２要素は、例えば、共通経路Ｒ１５における共通端子１６０側の端点Ｐ１である。
　（態様）
　本明細書には、以下の態様が開示されている。
　第１の態様に係る高周波回路（１；１ａ；１ｂ）は、アンテナ端子（４１）と、第１フィルタ（１１）と、第２フィルタ（１２）と、第３フィルタ（１３）と、スイッチ（１６）と、を備える。第１フィルタ（１１）は、第１周波数帯域を通過帯域に含む。第２フィルタ（１２）は、第２周波数帯域を通過帯域に含む。第３フィルタ（１３）は、第３周波数帯域及び第４周波数帯域を通過帯域に含む。スイッチ（１６）は、共通端子（１６０）、第１選択端子（１６１）及び第２選択端子（１６２）を有する。第１選択端子（１６１）は、第１フィルタ（１１）に接続されている。第２選択端子（１６２）は、第２フィルタ（１２）に接続されている。共通端子（１６０）とアンテナ端子（４１）との間の信号経路（Ｒ１）は、第１フィルタ（１１）を含む第１信号経路（Ｒ１１，Ｔ１１）、第２フィルタ（１２）を含む第２信号経路（Ｒ１２，Ｔ１２）及び第３フィルタ（１３）を含む第３信号経路（Ｒ１３，Ｔ１３）に共通な共通経路（Ｒ１５）を含む。第３周波数帯域と第４周波数帯域とは、少なくとも一部で重なる。第３周波数帯域は、第１周波数帯域及び第２周波数帯域とは異なる。第４周波数帯域は、第１周波数帯域及び第２周波数帯域とは異なる。第３フィルタ（１３）は、共通経路（Ｒ１５）における共通端子（１６０）側の端点（Ｐ１）と通信可能に接続されている。
　この態様によれば、高周波回路（１；１ａ；１ｂ）の特性の劣化を抑制することが可能となる。
　第２の態様に係る高周波回路（１；１ａ；１ｂ）では、第１の態様において、第１フィルタ（１１）と第３フィルタ（１３）とは、同時通信に用いられることが可能である。第２フィルタ（１２）と第３フィルタ（１３）とは、同時通信に用いられることが可能である。
　この態様によれば、第１フィルタ（１１）と第３フィルタ（１３）とを用いた同時通信、及び第２フィルタ（１２）と第３フィルタ（１３）とを用いた同時通信を行うことが可能となる。
　第３の態様に係る高周波回路（１；１ａ；１ｂ）では、第１又は第２の態様において、第４周波数帯域は、第３周波数帯域を含む。
　この態様によれば、高周波回路（１；１ａ；１ｂ）で使用するフィルタの数を少なくすることが可能となる。
　第４の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ；１ｂ）では、第１～第３の態様のいずれか１つにおいて、第１周波数帯域は、Ｂａｎｄ１の送信帯域と、Ｂａｎｄ３の受信帯域と、の少なくとも一方を含む。第２周波数帯域は、Ｂａｎｄ２５の送信帯域と、Ｂａｎｄ２５の受信帯域と、の少なくとも一方を含む。第３周波数帯域は、Ｂａｎｄ３の送信帯域と、Ｂａｎｄ１の受信帯域と、の少なくとも一方を含む。
　この態様によれば、第１フィルタ（１１）と第３フィルタ（１３）とを用いた同時通信、及び第２フィルタ（１２）と第３フィルタ（１３）とを用いた同時通信を行うことが可能となる。
　第５の態様に係る高周波回路（１；１ａ；１ｂ）では、第４の態様において、第４周波数帯域は、Ｂａｎｄ６６の送信帯域と、Ｂａｎｄ６６の受信帯域と、の少なくとも一方を含む。
　この態様によれば、高周波回路（１；１ａ；１ｂ）で使用するフィルタの数を少なくすることが可能となる。
　第６の態様に係る高周波回路（１；１ａ；１ｂ）は、第１～第３の態様のいずれか１つにおいて、第１フィルタ（１１）を複数備え、第２フィルタ（１２）を複数備え、第３フィルタ（１３）を複数備える。複数の第１フィルタ（１１）は、Ｂａｎｄ１の送信帯域を通過帯域に含むフィルタ（１１１）と、Ｂａｎｄ３の受信帯域を通過帯域に含むフィルタ（１１２）と、を含む。複数の第２フィルタ（１２）は、Ｂａｎｄ２５の送信帯域を通過帯域に含むフィルタ（１２１）と、Ｂａｎｄ２５の受信帯域を通過帯域に含むフィルタ（１２２）と、を含む。複数の第３フィルタ（１３）は、Ｂａｎｄ３の送信帯域を通過帯域に含むフィルタ（１３１）と、Ｂａｎｄ１の受信帯域を通過帯域に含むフィルタ（１３２）と、を含む。
　この態様によれば、第１フィルタ（１１）と第３フィルタ（１３）とを用いた同時通信、及び第２フィルタ（１２）と第３フィルタ（１３）とを用いた同時通信を行うことが可能となる。
　第７の態様に係る高周波回路（１ａ）は、第１～第６の態様のいずれか１つにおいて、キャパシタ（２５）を更に備える。キャパシタ（２５）は、端点（Ｐ１）及び共通端子（１６０）と直列に接続されている。
　この態様によれば、スイッチ（１６）による挿入損失を抑制することが可能となる。
　第８の態様に係る高周波回路（１；１ａ；１ｂ）は、第１～第７の態様のいずれか１つにおいて、容量部（２３）を更に備える。容量部（２３）は、端点（Ｐ１）及びアンテナ端子（４１）と直列に接続されている。
　この態様によれば、挿入損失を抑制することが可能となる。
　第９の態様に係る高周波回路（１；１ａ）では、第８の態様において、容量部（２３）は、デジタルチューナブルキャパシタ（２３０）を含む。
　この態様によれば、高周波回路（１；１ａ）の小型化を図ることが可能となる。
　第１０の態様に係る高周波回路（１ｂ）では、第８の態様において、容量部（２３）は、互いに並列に接続されている複数のキャパシタ（２３１，２３２）を含む。
　この態様によれば、挿入損失を更に抑制することが可能となる。
　第１１の態様に係る高周波回路（１ｃ）は、アンテナ端子（４１）と、第１フィルタ（１１）と、第２フィルタ（１２）と、第３フィルタ（１３）と、第１スイッチ（１５）と、第２スイッチ（２６）と、を備える。第１フィルタ（１１）は、第１周波数帯域を通過帯域に含む。第２フィルタ（１２）は、第２周波数帯域を通過帯域に含む。第３フィルタ（１３）は、第３周波数帯域及び第４周波数帯域を通過帯域に含む。第１スイッチ（１５）は、第１共通端子（１５Ａ）、第１選択端子（１５４）及び第２選択端子（１５２）を有する。第２スイッチ（２６）は、第２共通端子（２６０）、第３選択端子（２６１）及び第４選択端子（２６２）を有する。第１共通端子（１５Ａ）は、アンテナ端子（４１）に接続されている。第１選択端子（１５４）は、第２共通端子（２６０）に接続されている。第２選択端子（１５２）は、第３フィルタ（１３）に接続されている。第３選択端子（２６１）は、第１フィルタ（１１）に接続されている。第４選択端子（２６２）は、第２フィルタ（１２）に接続されている。第３周波数帯域と第４周波数帯域とは、少なくとも一部で重なる。第３周波数帯域は、第１周波数帯域及び第２周波数帯域とは異なる。第４周波数帯域は、第１周波数帯域及び第２周波数帯域とは異なる。第１フィルタ（１１）と第２フィルタ（１２）との少なくとも一方はアンテナ端子（４１）と通信可能に接続され、かつ、第３フィルタ（１３）はアンテナ端子（４１）と通信可能に接続されている。
　この態様によれば、高周波回路（１ｃ）の特性の劣化を抑制することが可能となる。
　第１２の態様に係る通信装置（１０）は、第１～第１１の態様のいずれか１つに係る高周波回路（１；１ａ；１ｂ；１ｃ）と、信号処理回路（２）と、を備える。信号処理回路（２）は、高周波回路（１；１ａ；１ｂ；１ｃ）に接続されている。
　この態様によれば、高周波回路（１；１ａ；１ｂ；１ｃ）の特性の劣化を抑制することが可能となる。
１，１ａ，１ｂ，１ｃ　高周波回路
１１　第１フィルタ
１１１　第１送信フィルタ
１１２　第１受信フィルタ
１２　第２フィルタ
１２１　第２送信フィルタ
１２２　第２受信フィルタ
１３　第３フィルタ
１３１　第３送信フィルタ
１３２　第３受信フィルタ
１４　第４フィルタ
１５　第１スイッチ
１５Ａ　共通端子
１５Ｂ　共通端子
１５１～１５９　選択端子
１６　第２スイッチ
１６０　共通端子
１６１　第１選択端子
１６２　第２選択端子
１７　整合回路
１７１　インダクタ
１７２　キャパシタ
１８　整合回路
１８１　インダクタ
１８２　キャパシタ
１９　整合回路
１９１　インダクタ
１９２　キャパシタ
２　信号処理回路
２１　ＲＦ信号処理回路
２２　ベースバンド信号処理回路
２３　容量部
２３０　デジタルチューナブルキャパシタ
２３１，２３２　キャパシタ
２４　ハイバンド回路
２５　キャパシタ
２６　第２スイッチ
２６０　共通端子
２６１　選択端子
２６２　選択端子
３１，３２　アンテナ
４　外部接続端子
４１，４２　アンテナ端子
Ｐ１，Ｐ１１，Ｐ１２　端点
Ｒ１　信号経路
Ｒ１１　第１受信経路（第１信号経路）
Ｒ１２　第２受信経路（第２信号経路）
Ｒ１３　第３受信経路（第３信号経路）
Ｒ１４　第４受信経路
Ｒ１５　共通経路
Ｒ２１，Ｒ２２　信号経路
Ｔ１１　第１送信経路（第１信号経路）
Ｔ１２　第２送信経路（第２信号経路）
Ｔ１３　第３送信経路（第２信号経路）

Claims (12)

  1. 　アンテナ端子と、
    　第１周波数帯域を通過帯域に含む第１フィルタと、
    　第２周波数帯域を通過帯域に含む第２フィルタと、
    　第３周波数帯域及び第４周波数帯域を通過帯域に含む第３フィルタと、
    　共通端子、第１選択端子及び第２選択端子を有するスイッチと、を備え、
    　前記第１選択端子は、前記第１フィルタに接続されており、
    　前記第２選択端子は、前記第２フィルタに接続されており、
    　前記共通端子と前記アンテナ端子との間の信号経路は、前記第１フィルタを含む第１信号経路、前記第２フィルタを含む第２信号経路、及び前記第３フィルタを含む第３信号経路に共通な共通経路を含み、
    　前記第３周波数帯域と前記第４周波数帯域とは、少なくとも一部で重なり、
    　前記第３周波数帯域は、前記第１周波数帯域及び前記第２周波数帯域とは異なり、
    　前記第４周波数帯域は、前記第１周波数帯域及び前記第２周波数帯域とは異なり、
    　前記第３フィルタは、前記共通経路における前記共通端子側の端点と通信可能に接続されている、
    　高周波回路。
  2. 　前記第１フィルタと前記第３フィルタとは、同時通信に用いられることが可能であり、
    　前記第２フィルタと前記第３フィルタとは、同時通信に用いられることが可能である、
    　請求項１に記載の高周波回路。
  3. 　前記第４周波数帯域は、前記第３周波数帯域を含む、
    　請求項１又は２に記載の高周波回路。
  4. 　前記第１周波数帯域は、
    　　Ｂａｎｄ１の送信帯域と、
    　　Ｂａｎｄ３の受信帯域と、の少なくとも一方を含み、
    　前記第２周波数帯域は、
    　　Ｂａｎｄ２５の送信帯域と、
    　　Ｂａｎｄ２５の受信帯域と、の少なくとも一方を含み、
    　前記第３周波数帯域は、
    　　Ｂａｎｄ３の送信帯域と、
    　　Ｂａｎｄ１の受信帯域と、の少なくとも一方を含む、
    　請求項１～３のいずれか１項に記載の高周波回路。
  5. 　前記第４周波数帯域は、
    　　Ｂａｎｄ６６の送信帯域と、
    　　Ｂａｎｄ６６の受信帯域と、の少なくとも一方を含む、
    　請求項４に記載の高周波回路。
  6. 　前記第１フィルタを複数備え、
    　前記第２フィルタを複数備え、
    　前記第３フィルタを複数備え、
    　前記複数の第１フィルタは、
    　　Ｂａｎｄ１の送信帯域を通過帯域に含むフィルタと、
    　　Ｂａｎｄ３の受信帯域を通過帯域に含むフィルタと、を含み、
    　前記複数の第２フィルタは、
    　　Ｂａｎｄ２５の送信帯域を通過帯域に含むフィルタと、
    　　Ｂａｎｄ２５の受信帯域を通過帯域に含むフィルタと、を含み、
    　前記複数の第３フィルタは、
    　　Ｂａｎｄ３の送信帯域を通過帯域に含むフィルタと、
    　　Ｂａｎｄ１の受信帯域を通過帯域に含むフィルタと、を含む、
    　請求項１～３のいずれか１項に記載の高周波回路。
  7. 　前記端点及び前記共通端子と直列に接続されているキャパシタを更に備える、
    　請求項１～６のいずれか１項に記載の高周波回路。
  8. 　前記端点及び前記アンテナ端子と直列に接続されている容量部を更に備える、
    　請求項１～７のいずれか１項に記載の高周波回路。
  9. 　前記容量部は、デジタルチューナブルキャパシタを含む、
    　請求項８に記載の高周波回路。
  10. 　前記容量部は、互いに並列に接続されている複数のキャパシタを含む、
    　請求項８に記載の高周波回路。
  11. 　アンテナ端子と、
    　第１周波数帯域を通過帯域に含む第１フィルタと、
    　第２周波数帯域を通過帯域に含む第２フィルタと、
    　第３周波数帯域及び第４周波数帯域を通過帯域に含む第３フィルタと、
    　第１共通端子、第１選択端子及び第２選択端子を有する第１スイッチと、
    　第２共通端子、第３選択端子及び第４選択端子を有する第２スイッチと、を備え、
    　前記第１共通端子は、前記アンテナ端子に接続されており、
    　前記第１選択端子は、前記第２共通端子に接続されており、
    　前記第２選択端子は、前記第３フィルタに接続されており、
    　前記第３選択端子は、前記第１フィルタに接続されており、
    　前記第４選択端子は、前記第２フィルタに接続されており、
    　前記第３周波数帯域と前記第４周波数帯域とは、少なくとも一部で重なり、
    　前記第３周波数帯域は、前記第１周波数帯域及び前記第２周波数帯域とは異なり、
    　前記第４周波数帯域は、前記第１周波数帯域及び前記第２周波数帯域とは異なり、
    　前記第１フィルタと前記第２フィルタとの少なくとも一方は前記アンテナ端子と通信可能に接続され、かつ、前記第３フィルタは前記アンテナ端子と通信可能に接続されている、
    　高周波回路。
  12. 　請求項１～１１のいずれか１項に記載の高周波回路と、
    　前記高周波回路に接続されている信号処理回路と、を備える、
    　通信装置。
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