WO2021131125A1

WO2021131125A1 - 高周波モジュール及び通信装置

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Publication number: WO2021131125A1
Application number: PCT/JP2020/028524
Authority: WO
Inventors: 上野　晃一; 永徳村瀬
Original assignee: 株式会社村田製作所
Priority date: 2019-12-27
Filing date: 2020-07-22
Publication date: 2021-07-01
Also published as: CN114830541B; CN114830541A; US20220294487A1

Abstract

より良好なインピーダンス特性を得ることができる高周波モジュール及び通信装置を提供する。高周波モジュール（１）は、第１弾性波フィルタ（第１受信フィルタ３）と、第２弾性波フィルタ（第２受信フィルタ４）と、スイッチ（アンテナスイッチ５）と、第１インダクタ（Ｌ２１）と、第２インダクタ（Ｌ２２）と、を備える。第１弾性波フィルタは、第１通信バンドの信号を通過させる。第２弾性波フィルタは、第２通信バンドの信号を通過させる。第１インダクタ（Ｌ２１）は、スイッチと第２弾性波フィルタとを結ぶ信号経路（第２受信経路Ｒ２）上のノードとグランドとの間に設けられている。第２インダクタ（Ｌ２２）は、上記信号経路においてスイッチと第１インダクタ（Ｌ２１）との間で直列接続されている。

Description

高周波モジュール及び通信装置

　本発明は、一般に高周波モジュール及び通信装置に関し、より詳細には、互いに異なる複数の通信の同時使用に対応可能な高周波モジュール及び通信装置に関する。

　従来、互いに周波数帯域の異なる複数の高周波信号を伝送する高周波回路（高周波モジュール）が知られている（特許文献１参照）。

　特許文献１に記載された高周波回路は、第１スイッチ部と、第１整合回路部と、フィルタ部を構成する複数のフィルタと、を備える。第１スイッチ部では、入力端子（アンテナ端子）が、アンテナ素子に接続される。第１スイッチ部の出力端子とフィルタ部の入力端子とは、第１整合回路部を介して接続されている。第１整合回路部は、複数のインダクタを有する。複数のインダクタは、第１スイッチ部と複数のフィルタとを接続する複数の経路のうち対応する１つの経路に一端が接続され、他端がグランドに接続されている。

国際公開第２０１９／０６５５６９号

　特許文献１で記載された高周波回路（高周波モジュール）において、複数のフィルタ（弾性波フィルタ）がアンテナ端子に同時に接続された場合であっても、より良好なインピーダンス特性が要求されている。

　本発明は上記課題に鑑みてなされ、より良好なインピーダンス特性を得ることができる高周波モジュール及び通信装置を提供することを目的とする。

　本発明の一態様に係る高周波モジュールは、第１弾性波フィルタと、第２弾性波フィルタと、スイッチと、第１インダクタと、第２インダクタと、を備える。前記第１弾性波フィルタは、第１通信バンドの信号を通過させる。前記第２弾性波フィルタは、第２通信バンドの信号を通過させる。前記スイッチは、前記第１弾性波フィルタと前記第２弾性波フィルタとをアンテナ端子に同時に接続可能である。前記第１インダクタは、前記スイッチと前記第２弾性波フィルタとを結ぶ信号経路上のノードとグランドとの間に設けられている。前記第２インダクタは、前記信号経路において前記スイッチと前記第１インダクタとの間で直列接続されている。

　本発明の一態様に係る高周波モジュールは、第１弾性波フィルタと、第２弾性波フィルタと、スイッチと、位相調整回路と、備える。前記第１弾性波フィルタは、第１通信バンドの信号を通過させる。前記第２弾性波フィルタは、前記第１通信バンドの周波数帯よりも低周波数帯である第２通信バンドの信号を通過させる。前記スイッチは、前記第１弾性波フィルタと前記第２弾性波フィルタとをアンテナ端子に同時に接続可能である。前記位相調整回路は、前記スイッチと前記第２弾性波フィルタとを結ぶ信号経路上に設けられ、前記第２通信バンドの前記信号の位相を調整する。前記位相調整回路は、インダクタと、第１キャパシタと、第２キャパシタと、を有している。前記インダクタは、前記信号経路において前記スイッチと前記第２弾性波フィルタとの間で直列接続されている。前記第１キャパシタは、前記信号経路において、前記インダクタの両端のうち前記スイッチ側の第１端とグランドとの間に設けられている。前記第２キャパシタは、前記信号経路において、前記インダクタの両端のうち前記第２弾性波フィルタ側の第２端とグランドとの間に設けられている。前記信号経路のうち前記インダクタと前記第２キャパシタとの接続点と、前記第２弾性波フィルタとの間の第１経路の長さは、前記信号経路のうち前記インダクタと前記第１キャパシタとの接続点と、前記スイッチとの間の第２経路の長さよりも長い。

　本発明の一態様に係る通信装置は、前記高周波モジュールと、信号処理回路と、を備える。前記信号処理回路は、前記第１通信バンドの前記信号及び前記第２通信バンドの前記信号を信号処理する。

　本発明によると、より良好なインピーダンス特性を得ることができる。

図１は、実施形態１に係る高周波モジュール、及び同上の高周波モジュールを備える通信装置の概略構成図である。図２Ａは、同上の高周波モジュールの平面図である。図２Ｂは、同上の高周波モジュールのＸ１－Ｘ１断面図である。図３Ａは、同上の高周波モジュールにおいて第２通信バンドに対する第２受信フィルタのインピーダンスを示すスミスチャートである。図３Ｂは、同上の高周波モジュールにおいて第１通信バンドに対する第２受信フィルタのインピーダンスを示すスミスチャートである。図４Ａは、同上の高周波モジュールにおいて第２インダクタを挿入した場合における第２通信バンドに対する第２受信フィルタのインピーダンスを示すスミスチャートである。図４Ｂは、同上の高周波モジュールにおいて第２インダクタを挿入した場合における第１通信バンドに対する第２受信フィルタのインピーダンスを示すスミスチャートである。図４Ｃは、同上の高周波モジュールにおいて第１インダクタを用いた場合における第２通信バンドに対する第２受信フィルタのインピーダンスを示すスミスチャートである。図４Ｄは、同上の高周波モジュールにおいて第１インダクタを用いた場合における第１通信バンドに対する第２受信フィルタのインピーダンスを示すスミスチャートである。図４Ｅは、同上の高周波モジュールにおいて第１インダクタ及び第２インダクタを用いた場合における第２通信バンドに対する第２受信フィルタのインピーダンスを示すスミスチャートである。図４Ｆは、同上の高周波モジュールにおいて第１インダクタ及び第２インダクタを用いた場合における第１通信バンドに対する第２受信フィルタのインピーダンスを示すスミスチャートである。図５Ａは、同上の高周波モジュールにおいて第１インダクタと第２インダクタとの間で寄生容量が発生した場合における第２通信バンドに対する第２受信フィルタのインピーダンスを示すスミスチャートである。図５Ｂは、同上の高周波モジュールにおいて第１インダクタと第２インダクタとの間で寄生容量が発生した場合における第１通信バンドに対する第２受信フィルタのインピーダンスを示すスミスチャートである。図５Ｃは、同上の高周波モジュールにおいてアンテナスイッチと第２インダクタとの間で寄生容量が発生した場合における第２通信バンドに対する第２受信フィルタのインピーダンスを示すスミスチャートである。図５Ｄは、同上の高周波モジュールにおいてアンテナスイッチと第２インダクタとの間で寄生容量が発生した場合における第１通信バンドに対する第２受信フィルタのインピーダンスを示すスミスチャートである。図６Ａは、同上の高周波モジュールにおいて第１インダクタと第２受信フィルタとの間で寄生インダクタが発生した場合における第２通信バンドに対する第２受信フィルタのインピーダンスを示すスミスチャートである。図６Ｂは、同上の高周波モジュールにおいて第１インダクタと第２受信フィルタとの間で寄生インダクタが発生した場合における第１通信バンドに対する第２受信フィルタのインピーダンスを示すスミスチャートである。図６Ｃは、同上の高周波モジュールにおいてアンテナスイッチと第２インダクタとの間で寄生インダクタが発生した場合における第２通信バンドに対する第２受信フィルタのインピーダンスを示すスミスチャートである。図６Ｄは、同上の高周波モジュールにおいてアンテナスイッチと第２インダクタとの間で寄生インダクタが発生した場合における第１通信バンドに対する第２受信フィルタのインピーダンスを示すスミスチャートである。図７Ａは、実施形態１の変形例１に係る高周波モジュールの平面図である。図７Ｂは、同上の高周波モジュールのＸ２－Ｘ２断面図である。図８は、実施形態１の変形例２に係る高周波モジュールの断面図である。図９は、実施形態２に係る高周波モジュール、及び同上の高周波モジュールを備える通信装置の概略構成図である。図１０Ａは、同上の高周波モジュールの平面図である。図１０Ｂは、同上の高周波モジュールのＹ１－Ｙ１断面図である。図１１は、同上の高周波モジュールにおいてアンテナスイッチから第２受信フィルタを見た場合での第１通信バンドの周波数帯域での第２受信フィルタのインピーダンスを示すスミスチャートである。図１２は、第１通信バンドと第２通信バンドとの同時使用による通信でのリターンロスを示すグラフである。図１３は、選択端子から第２受信フィルタ側を見たときの、第１通信バンドの周波数帯域の信号のロスを示すグラフである。図１４Ａは、実施形態２の変形例１に係る高周波モジュールの平面図である。図１４Ｂは、同上の高周波モジュールのＹ２－Ｙ２断面図である。図１５は、実施形態２の変形例１の更なる変形例に係る高周波モジュールの断面図である。図１６は、実施形態２の変形例２に係る高周波モジュール、及び同上の高周波モジュールを備える通信装置の概略構成図である。図１７は、同上の高周波モジュールの平面図である。

　以下、実施形態に係る高周波モジュール及び通信装置について、図面を参照して説明する。下記の実施形態等において参照する図面は、模式的な図であり、図中の各構成要素の大きさや厚さそれぞれの比が、必ずしも実際の寸法比を反映しているとは限らない。

　（実施形態１）
　以下、実施形態１に係る高周波モジュール１及び通信装置８について、図１～図６Ｄを用いて説明する。

　（１）高周波モジュール
　実施形態１に係る高周波モジュール１の全体構成について、図１を参照して説明する。

　実施形態１に係る高周波モジュール１は、図１に示すように、アンテナ端子２と、第１受信フィルタ３と、第２受信フィルタ４と、アンテナスイッチ５（スイッチ）と、第１位相調整回路６と、第２位相調整回路７と、を備える。また、高周波モジュール１は、信号を増幅させる増幅器１１として、第１ローノイズアンプ１２と、第２ローノイズアンプ１３とを備える。高周波モジュール１は、さらに、図２Ａ及び図２Ｂに示すように、実装基板１００を備える。

　高周波モジュール１は、例えば、スマートフォンのような携帯電話に用いられる。なお、高周波モジュール１は、携帯電話に限定されず、例えば、スマートウォッチのようなウェアラブル端末であってもよい。要するに、高周波モジュール１は、図１に示すように、外部装置（図示せず）と通信を行う通信装置８に用いられる。高周波モジュール１は、例えば、４Ｇ（第４世代移動通信）規格、５Ｇ（第５世代移動通信）規格等に対応可能なモジュールである。４Ｇ規格は、例えば、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格（ＬＴＥ：Long Term Evolution）である。５Ｇ規格は、例えば、５Ｇ　ＮＲ（New Radio）である。高周波モジュール１は、キャリアアグリゲーション及びデュアルコネクティビティに対応可能なモジュールである。

　（２）高周波モジュールの各構成要素
　以下、実施形態１に係る高周波モジュール１の各構成要素について、図面を参照して説明する。

　（２．１）アンテナ端子
　アンテナ端子２は、図１に示すように、アンテナ９に電気的に接続される。

　（２．２）第１受信フィルタ
　第１受信フィルタ３は、弾性波フィルタである。弾性波フィルタは、例えば、弾性表面波を利用するＳＡＷ（Surface Acoustic Wave）フィルタである。

　第１受信フィルタ３は、図１に示すように、第１受信信号をアンテナ９から受信するための第１受信経路Ｒ１に設けられている。言い換えると、第１受信経路Ｒ１は、アンテナスイッチ５と第１受信フィルタ３とを結ぶ信号経路であって、第１受信信号をアンテナ端子２を介して受信するための経路である。

　第１受信フィルタ３は、第１通信バンドを通過帯域とする弾性波フィルタである。言い換えると、第１受信フィルタ３は、第１通信バンドの信号を通過させる弾性波フィルタである。すなわち、第１受信フィルタ３は、第１通信バンドに含まれる第１周波数帯域の第１受信信号を通過させる。ここで、第１通信バンドは、例えば、ＬＴＥ（Long Term Evolution）規格（ＬＴＥ－Ａｄｖａｎｃｅｄ規格を含む）のＢａｎｄ３（受信帯域：１８０５ＭＨｚ－１８８０ＭＨｚ）である。

　（２．３）第２受信フィルタ
　第２受信フィルタ４は、弾性波フィルタである。弾性波フィルタは、例えば、弾性表面波を利用するＳＡＷフィルタである。

　第２受信フィルタ４は、図１に示すように、第２受信信号をアンテナ９から受信するための第２受信経路Ｒ２に設けられている。言い換えると、第２受信経路Ｒ２は、アンテナスイッチ５と第２受信フィルタ４とを結ぶ信号経路であって、第２受信信号をアンテナ端子２を介して受信するための経路である。

　第２受信フィルタ４は、第２通信バンドを通過帯域とする弾性波フィルタである。言い換えると、第２受信フィルタ４は、第２通信バンドの信号を通過させる弾性波フィルタである。すなわち、第２受信フィルタ４は、第２通信バンドに含まれる第２周波数帯域の第２受信信号を通過させる。ここで、第２周波数帯域は、第１周波数帯域よりも高い周波数帯域である。ここで、第２通信バンドは、例えば、ＬＴＥ規格（ＬＴＥ－Ａｄｖａｎｃｅｄ規格を含む）のＢａｎｄ４１（受信帯域：２４９６ＭＨｚ－２６９０ＭＨｚ）である。

　（２．４）アンテナスイッチ
　アンテナスイッチ５は、図１に示すように、共通端子５１と、複数（図示例では２つ）の選択端子５２１～５２２とを有する。アンテナスイッチ５は、複数の選択端子５２１～５２２の少なくとも１つを共通端子５１の接続先として選択する。つまり、アンテナスイッチ５は、第１受信フィルタ３、及び第２受信フィルタ４とアンテナ９とを選択的に接続する。アンテナスイッチ５は、第１受信フィルタ３と第２受信フィルタ４とを共通端子５１に同時に接続可能に構成されている。

　共通端子５１は、アンテナ端子２に接続されている。つまり、共通端子５１は、アンテナ端子２を介してアンテナ９に電気的に接続されている。なお、共通端子５１は、アンテナ９に直接接続されていることに限定されない。共通端子５１とアンテナ９との間には、フィルタ又はカプラ等が設けられていてもよい。

　選択端子５２１は、第１受信フィルタ３に電気的に接続されている。選択端子５２２は、第２受信フィルタ４に電気的に接続されている。

　第１受信信号と第２受信信号とを同時に通信するキャリアアグリゲーションの場合、アンテナスイッチ５は、第１受信フィルタ３及び第２受信フィルタ４をアンテナ９に常時接続させる。具体的には、アンテナスイッチ５は、キャリアアグリゲーションの場合、選択端子５２１及び選択端子５２２を共通端子５１に常時接続させる。ここで、キャリアアグリゲーションとは、複数の周波数帯域の電波を同時に使用する通信をいう。

　キャリアアグリゲーションを行わない場合には、アンテナスイッチ５は、通信に用いる通信バンドに応じて、第１受信フィルタ３及び第２受信フィルタ４のうち一方の受信フィルタをアンテナ９に常時接続させる。例えば、第１通信バンドを用いた通信を行う場合には、アンテナスイッチ５は、選択端子５２１を共通端子５１に接続させる。第２通信バンドを用いた通信を行う場合には、アンテナスイッチ５は、選択端子５２２を共通端子５１に接続させる。

　すなわち、アンテナスイッチ５は、アンテナ端子２、第１受信フィルタ３及び第２受信フィルタ４に接続される。アンテナスイッチ５は、通信形態に応じてアンテナ端子２との接続先が第１受信フィルタ３又は第２受信フィルタ４である状態と、アンテナ端子２との接続先が第１受信フィルタ３及び第２受信フィルタ４の両方である状態とを切替可能である。

　（２．５）第１ローノイズアンプ
　第１ローノイズアンプ１２は、アンテナ９が受信した第１受信信号を増幅する。第１ローノイズアンプ１２の入力端子は、アンテナスイッチ５に電気的に接続されている。第１ローノイズアンプ１２の出力端子は、後述する信号処理回路８０に接続されている。

　（２．６）第２ローノイズアンプ
　第２ローノイズアンプ１３は、アンテナ９が受信した第２受信信号を増幅する。第２ローノイズアンプ１３の入力端子は、アンテナスイッチ５に電気的に接続されている。第２ローノイズアンプ１３の出力端子は、信号処理回路８０に接続されている。

　（２．７）第１位相調整回路
　第１位相調整回路６は、第１受信経路Ｒ１に設けられている。第１位相調整回路６は、第１リアクタンス素子６１及び第２リアクタンス素子６２と共に、第３リアクタンス素子６３を含む。第１リアクタンス素子６１は、第１受信経路Ｒ１に直列に挿入されている。第２リアクタンス素子６２は、第１リアクタンス素子６１の第１端とグランドとの間に設けられている。第３リアクタンス素子６３は、第１リアクタンス素子６１の第２端とグランドとの間に設けられている。つまり、第１位相調整回路６は、π型回路である。第１位相調整回路６は、第１リアクタンス素子６１としてインダクタＬ１１を含み、第２リアクタンス素子６２としてキャパシタＣ１１を含み、第３リアクタンス素子６３としてキャパシタＣ１２を含む。

　（２．８）第２位相調整回路
　第２位相調整回路７は、第２受信経路Ｒ２に設けられている。第２位相調整回路７は、第１インダクタＬ２１と、第２インダクタＬ２２と、を含む。第１インダクタＬ２１は、例えばチップインダクタである。第２インダクタＬ２２は、例えばチップインダクタである。第１インダクタＬ２１の一端は第２受信経路Ｒ２に接続され、他端はグランドに接続されている。言い換えると、第１インダクタＬ２１は、第２受信経路Ｒ２（信号経路）上のノードとグランドとの間に設けられている。つまり、第１インダクタＬ２１は、第２受信経路Ｒ２において、シャント接続されている。第２インダクタＬ２２は、第２受信経路Ｒ２においてアンテナスイッチ５と第１インダクタＬ２１との間に直列に挿入されている。すなわち、第２インダクタＬ２２は、第２受信経路Ｒ２においてアンテナスイッチ５と第１インダクタＬ２１との間で直列接続（シリーズ接続）されている。さらに、第２インダクタＬ２２では、第１周波数帯より第２周波数帯の位相の変化が大きい。

　（２．９）実装基板
　実装基板１００は、実装基板１００の厚さ方向である第１方向Ｄ１において互いに対向する第１主面１０１及び第２主面１０２を有する。実装基板１００は、例えば、プリント配線板、ＬＴＣＣ（Low Temperature Co-fired Ceramics）、ＨＴＣＣ（High Temperature Co-fired Ceramics）、樹脂基板である。ここにおいて、実装基板１００は、例えば、複数の誘電体層及び複数の導電層を含む多層基板である。複数の誘電体層及び複数の導電層は、実装基板１００の第１方向Ｄ１において積層されている。複数の導電層は、層ごとに定められた所定パターンに形成されている。複数の導電層の各々は、実装基板１００の第１方向Ｄ１に直交する一平面内において１つ又は複数の導体部を含む。各導電層の材料は、例えば、銅である。複数の導電層は、グランド層を含む。高周波モジュール１では、複数のグランド端子とグランド層とが、実装基板１００の有するビア導体等を介して電気的に接続されている。

　実装基板１００は、プリント配線板、ＬＴＣＣ基板に限らず、配線構造体であってもよい。配線構造体は、例えば、多層構造体である。多層構造体は、少なくとも１つの絶縁層と、少なくとも１つの導電層とを含む。絶縁層は、所定パターンに形成されている。絶縁層が複数の場合は、複数の絶縁層は、層ごとに定められた所定パターンに形成されている。導電層は、絶縁層の所定パターンとは異なる所定パターンに形成されている。導電層が複数の場合は、複数の導電層は、層ごとに定められた所定パターンに形成されている。導電層は、１つ又は複数の再配線部を含んでもよい。配線構造体では、多層構造体の厚さ方向において互いに対向する２つの面のうち第１面が実装基板１００の第１主面１０１であり、第２面が実装基板１００の第２主面１０２である。配線構造体は、例えば、インタポーザであってもよい。インタポーザは、シリコン基板を用いたインタポーザであってもよいし、多層で構成された基板であってもよい。

　第１主面１０１には、第１受信フィルタ３、第２受信フィルタ４、第１位相調整回路６及び第２位相調整回路７が実装されている。第２位相調整回路７の第２インダクタＬ２２と第１インダクタＬ２１とは、導体パターン等の表層配線により接続されている。具体的には、第２インダクタＬ２２と第１インダクタＬ２１とは、導体パターン等の表層配線により形成された経路Ｒ２２により接続されている（図２Ｂ参照）。第１インダクタＬ２１と第２受信フィルタ４とは、表層配線により接続されている。具体的には、第１インダクタＬ２１と第２受信フィルタ４とは、表層配線により形成された経路Ｒ２３により接続されている（図２Ｂ参照）。ここで、表層配線とは、実装基板１００の第１主面１０１に設けられた配線導体である。

　なお、第１受信フィルタ３の一部が実装基板１００の第１主面１０１に実装されており、第１受信フィルタ３の残りが実装基板１００に内装されていてもよい。要するに、第１受信フィルタ３は、実装基板１００において第２主面１０２よりも第１主面１０１側に配置されており、かつ、第１主面１０１に実装されている部分を少なくとも有する。

　第２受信フィルタ４の一部が実装基板１００の第１主面１０１に実装されており、第２受信フィルタ４の残りが実装基板１００に内装されていてもよい。要するに、第２受信フィルタ４は、実装基板１００において第２主面１０２よりも第１主面１０１側に配置されており、かつ、第１主面１０１に実装されている部分を少なくとも有する。

　第１位相調整回路６の一部が実装基板１００の第１主面１０１に実装されており、第１位相調整回路６の残りが実装基板１００に内装されていてもよい。要するに、第１位相調整回路６は、実装基板１００において第２主面１０２よりも第１主面１０１側に配置されており、かつ、第１主面１０１に実装されている部分を少なくとも有する。

　さらに、第２位相調整回路７の一部が実装基板１００の第１主面１０１に実装されており、第２位相調整回路７の残りが実装基板１００に内装されていてもよい。要するに、第２位相調整回路７は、実装基板１００において第２主面１０２よりも第１主面１０１側に配置されており、かつ、第１主面１０１に実装されている部分を少なくとも有する。例えば、第１インダクタＬ２１が第１主面１０１に実装され、第２インダクタＬ２２が実装基板１００に内装されてもよい。この場合、第２インダクタＬ２２と第１インダクタＬ２１とは、実装基板１００の内部に設けられた配線部（配線導体）とビア導体とによる内装配線導体により形成された経路により接続される。

　また、第１インダクタＬ２１が実装基板１００に内装されている場合には、第１インダクタＬ２１と第２受信フィルタ４とは、実装基板１００の内部に設けられた配線導体とビア導体とによる内装配線導体により形成された経路により接続される。

　第２主面１０２には、アンテナスイッチ５及び複数の増幅器１１（第１ローノイズアンプ１２、第２ローノイズアンプ１３）が１チップ化されたスイッチＩＣ（Integrated Circuit）１１０が実装されている。アンテナスイッチ５と、第２インダクタＬ２２とは、実装基板１００に設けられたビア導体９５によって形成された経路Ｒ２１を介して接続されている。第２受信フィルタ４と、第２ローノイズアンプ１３とは、実装基板１００に設けられたビア導体９６によって形成された経路Ｒ２５を介して接続されている。

　なお、スイッチＩＣ１１０の一部が実装基板１００の第２主面１０２に実装されており、スイッチＩＣ１１０の残りが実装基板１００に内装されていてもよい。要するに、スイッチＩＣ１１０は、実装基板１００において第１主面１０１よりも第２主面１０２側に配置されており、かつ、第２主面１０２に実装されている部分を少なくとも有する。

　第１主面１０１及び第２主面１０２に設けられる各部品は、例えば、はんだバンプにより実装基板１００と電気的に接続されている。はんだバンプは、実装基板１００の厚さ方向（第１方向Ｄ１）において、配置されている部品と実装基板１００との間に配置されている。ここで、上述した第２受信経路Ｒ２は、上記経路Ｒ２１，Ｒ２２，Ｒ２３を含む。

　（２．１０）その他の構成
　次に、高周波モジュール１における他の構成要素について説明する。

　図２Ａは高周波モジュール１を第１方向Ｄ１から見た平面図を、図２Ｂは高周波モジュール１の断面図を、それぞれ示す。

　高周波モジュール１は、複数の外部接続電極９０を備えている（図２Ｂ参照）。複数の外部接続電極９０は、高周波モジュール１を、信号処理回路８０等が実装されているマザー基板に接続する。複数の外部接続電極９０は、実装基板１００の第２主面１０２上に配置された（設けられた）柱状（例えば、円柱状）の電極である。複数の外部接続電極９０の材料は、例えば、金属（例えば、銅、銅合金等）である。複数の外部接続電極９０は、アンテナ端子２、及び接地に用いられるグランド端子を含む。

　高周波モジュール１は、複数の外部接続電極９０のうち１つの外部接続電極９０であるアンテナ端子２を介してアンテナ９が受信した信号を受け取り、別の外部接続電極９０を介して信号処理回路８０に出力する。

　高周波モジュール１は、実装基板１００の第１主面１０１において、第１主面１０１に実装されている第１受信フィルタ３、第２受信フィルタ４、第１位相調整回路６及び第２位相調整回路７等の電子部品を覆う第１樹脂層１２０を、更に備える。高周波モジュール１は、実装基板１００の第２主面１０２において、第２主面１０２に実装されているスイッチＩＣ１１０等の電子部品を覆う第２樹脂層１３０を、更に備える。第２樹脂層１３０の材料は、第１樹脂層１２０の材料と同じ材料であってもよいし、異なる材料であってもよい。なお、図２Ａでは、第１樹脂層１２０を省略している。

　アンテナスイッチ５、第１ローノイズアンプ１２及び第２ローノイズアンプ１３は、上述したように、実装基板１００の第２主面１０２に配置されている（図２Ｂ参照）。

　第１位相調整回路６、第２位相調整回路７、第１受信フィルタ３及び第２受信フィルタ４は、実装基板１００の第１主面１０１に配置されている（図２Ａ参照）。

　第１位相調整回路６及び第１受信フィルタ３は、この順に、第２方向Ｄ２に沿って配置されている。

　第２位相調整回路７の第２インダクタＬ２２、第１インダクタＬ２１及び第２受信フィルタ４は、この順に、第１方向Ｄ１と直交する方向である第２方向Ｄ２に沿って配置されている。第２インダクタＬ２２は、第２受信経路Ｒ２に含まれる経路Ｒ２１を介してアンテナスイッチ５に接続されている（図２Ｂ参照）。第２受信フィルタ４は、経路Ｒ２５を介して第２ローノイズアンプ１３に接続されている。（図２Ｂ参照）。

　実施形態１において、実装基板１００を平面視した場合、つまり第１方向Ｄ１から実装基板１００を見た場合に、第２インダクタＬ２２は、アンテナスイッチ５と重なっている（図２Ａ，図２Ｂ参照）。なお、実装基板１００を平面視した場合、第２インダクタＬ２２の一部が、アンテナスイッチ５と重なっていてもよい。つまり、実装基板１００を平面視した場合、第２インダクタＬ２２の少なくとも一部が、アンテナスイッチ５と重なっていればよい。

　実施形態１において、実装基板１００を平面視した場合、第１インダクタＬ２１は、アンテナスイッチ５と重なっている（図２Ａ，図２Ｂ参照）。なお、実装基板１００を平面視した場合、第１インダクタＬ２１の一部が、アンテナスイッチ５と重なっていてもよい。つまり、実装基板１００を平面視した場合、第１インダクタＬ２１の少なくとも一部が、アンテナスイッチ５と重なっていればよい。

　また、実装基板１００を平面視した場合、第１受信フィルタ３の少なくとも一部は、第１ローノイズアンプ１２と重なっている（図２Ａ参照）。なお、実装基板１００を平面視した場合、第１受信フィルタ３の一部が、第１ローノイズアンプ１２と重なっていてもよい。つまり、実装基板１００を平面視した場合、第１受信フィルタ３の少なくとも一部が、第１ローノイズアンプ１２と重なっていればよい。

　また、実装基板１００を平面視した場合、第２受信フィルタ４の少なくとも一部は、第２ローノイズアンプ１３と重なっている（図２Ａ、図２Ｂ参照）。なお、実装基板１００を平面視した場合、第２受信フィルタ４の一部が、第２ローノイズアンプ１３と重なっていてもよい。つまり、実装基板１００を平面視した場合、第２受信フィルタ４の少なくとも一部が、第２ローノイズアンプ１３と重なっていればよい。

　ここで、第２受信経路Ｒ２のうちアンテナスイッチ５と第２インダクタＬ２２との間の経路長を“Ａ１”とする。具体的には、第２受信経路Ｒ２において、アンテナスイッチ５の選択端子５２２から第２インダクタＬ２２の一端までの長さ、例えば経路Ｒ２１（図２Ｂ参照）の長さを、“Ａ１”とする（図１参照）。

　また、第２受信経路Ｒ２のうち第１インダクタＬ２１と第２インダクタＬ２２との間の経路長を“Ａ２”とする。具体的には、第２受信経路Ｒ２において、第２インダクタＬ２２の他端から第１インダクタＬ２１との接続点までの長さ、例えば経路Ｒ２２（図２Ｂ参照）の長さを、“Ａ２”とする（図１参照）。

　さらに、第２受信経路Ｒ２のうち第１インダクタＬ２１と第２受信フィルタ４との間の経路長を“Ａ３”とする。具体的には、第２受信経路Ｒ２において、第１インダクタＬ２１との接続点から第２受信フィルタ４の入力端子までの長さ、例えば経路Ｒ２３（図２Ｂ参照）の長さを、“Ａ３”とする（図１参照）。

　このとき、第１不等式“Ａ１＞Ａ２”及び第２不等式“Ａ１＞Ａ３”の双方が成立するように、第１インダクタＬ２１及び第２インダクタＬ２２は配置される。なお、第１不等式及び第２不等式のうち一方の不等式が成立するように、第１インダクタＬ２１及び第２インダクタＬ２２は配置されてもよい。つまり、第１不等式及び第２不等式のうち少なくとも一方の不等式が成立するように、第１インダクタＬ２１及び第２インダクタＬ２２は配置されていればよい。

　要するに、実施形態１では、経路長“Ａ１”は、経路長“Ａ２”よりも長い。さらに、経路長“Ａ１”は、経路長“Ａ３”よりも長い。

　（３）高周波モジュールの動作
　以下、実施形態１に係る高周波モジュール１の動作について、図１を参照して説明する。

　まず、第１通信バンドの信号の通信のみの場合について説明する。この場合、アンテナスイッチ５は、共通端子５１の接続先として、選択端子５２１を選択する。つまり、アンテナ９には、第１受信フィルタ３が電気的に接続される。アンテナ９で受信された第１受信信号は、アンテナスイッチ５及び第１位相調整回路６を介して、第１受信フィルタ３に入力される。

　続いて、第２通信バンドの信号の通信のみの場合について説明する。この場合、アンテナスイッチ５は、共通端子５１の接続先として、選択端子５２２を選択する。つまり、アンテナ９には、第２受信フィルタ４が電気的に接続される。アンテナ９で受信された第２受信信号は、アンテナスイッチ５及び第２位相調整回路７を介して、第２受信フィルタ４に入力される。

　次に、第１通信バンドの信号及び第２通信バンドの信号を同時に通信するキャリアアグリゲーションの場合について説明する。この場合、アンテナスイッチ５は、共通端子５１の接続先として、選択端子５２１と、選択端子５２２とを選択する。アンテナ９には、第１受信フィルタ３及び第２受信フィルタ４が電気的に接続される。アンテナ９で受信された第１受信信号及び第２受信信号はアンテナスイッチ５及び第１位相調整回路６を介して、第１受信フィルタ３に入力される。アンテナ９で受信された第１受信信号及び第２受信信号はアンテナスイッチ５及び第２位相調整回路７を介して、第１受信フィルタ３に入力される。

　（４）通信装置
　通信装置８は、図２に示すように、高周波モジュール１と、信号処理回路８０と、を備える。信号処理回路８０は、第１通信バンドの信号及び第２通信バンドの信号を信号処理する。信号処理回路８０は、ベースバンド信号処理回路８１と、ＲＦ信号処理回路８２とを備える。

　（４．１）ベースバンド信号処理回路
　ベースバンド信号処理回路８１は、図１示すように、例えばＢＢＩＣ（Baseband Integrated Circuit）であり、ＲＦ信号処理回路８２に電気的に接続されている。ベースバンド信号処理回路８１は、ベースバンド信号からＩ相信号及びＱ相信号を生成する。ベースバンド信号処理回路８１は、Ｉ相信号とＱ相信号とを合成することでＩＱ変調処理を行って、送信信号を出力する。この際、送信信号は、所定周波数の搬送波信号を、当該搬送波信号の周期よりも長い周期で振幅変調した変調信号として生成される。

　（４．２）ＲＦ信号処理回路
　ＲＦ信号処理回路８２は、図１に示すように、例えばＲＦＩＣ（Radio Frequency Integrated Circuit）であり、高周波モジュール１とベースバンド信号処理回路８１との間に設けられている。ＲＦ信号処理回路８２は、ベースバンド信号処理回路８１からの送信信号に対して信号処理を行う機能と、アンテナ９で受信された受信信号に対して信号処理を行う機能とを有する。ＲＦ信号処理回路８２は、マルチバンド対応の処理回路であり、複数の通信バンドの送信信号を生成して増幅することが可能である。

　（５）効果
　以下、実施形態１の高周波モジュール１による効果について説明する。

　（５．１）第１の効果
　比較例での高周波モジュールでは、シャント接続されたインダクタとアンテナスイッチとの間において、シリーズ結合されたインダクタは備えていない。比較例での高周波モジュールでは、シャント接続されたインダクタが設けられることで、複数のフィルタのうち一のフィルタ（弾性波フィルタ）と、他のフィルタ（弾性波フィルタ）とを同時使用する通信を行う場合に、当該一のフィルタにおいて当該他のフィルタの周波数帯域をオープン端となるようにすることができる。しかしながら、当該一のフィルタを通過する周波数帯域が当該他のフィルタを通過する周波数帯域よりも高い場合、複数のフィルタのうち一のフィルタを用いる通信時と、当該一のフィルタと他のフィルタとを同時使用する通信時とで、当該一のフィルタを通過する周波数帯域でのインピーダンスのずれが生じる可能性がある。

　そこで、実施形態１の高周波モジュール１は、第１通信バンド（例えば、Ｂａｎｄ１）の信号と、第１通信バンドの第１周波数帯よりも高い第２周波数帯の第２通信バンド（例えば、Ｂａｎｄ４１）の信号と、を同時に通信することが可能である。高周波モジュール１は、第１弾性波フィルタ（例えば、第１受信フィルタ３）と、第２弾性波フィルタ（例えば、第２受信フィルタ４）と、スイッチ（アンテナスイッチ５）と、第１インダクタＬ２１と、第２インダクタＬ２２と、を備える。第１弾性波フィルタは、第１通信バンドの信号を通過させる。第２弾性波フィルタは、第２通信バンドの信号を通過させる。スイッチは、アンテナ端子２、第１弾性波フィルタ及び第２弾性波フィルタに接続される。スイッチは、通信形態に応じてアンテナ端子２との接続先が第１受信フィルタ３又は第２受信フィルタ４である状態と、アンテナ端子２との接続先が第１受信フィルタ３及び第２受信フィルタ４の両方である状態とを切替可能である。第１インダクタＬ２１は、スイッチと第２弾性波フィルタとの信号経路（例えば、第２受信経路Ｒ２）においてシャント接続されている。第２インダクタＬ２２は、信号経路においてスイッチと第１インダクタＬ２１との間でシリーズ接続される。第２インダクタＬ２２では、第１周波数帯より第２周波数帯に対する位相変化が大きい。

　以下、実施形態１による第１の効果について説明する。

　図３Ａ、図４Ａ、図４Ｃ及び図４Ｅは、第２通信バンドに対する第２受信フィルタ４のインピーダンスを示すスミスチャートである。図３Ｂ、図４Ｂ、図４Ｄ及び図４Ｆは、第１通信バンドに対する第２受信フィルタ４のインピーダンスを示すスミスチャートである。図３Ａ、図３Ｂ及び図４Ａ～図４Ｆの各々において、左右にチャートの中心を通る直線が、インピーダンスの抵抗成分を表す軸（抵抗軸）である。抵抗軸上の目盛りに関しては、正規化されており、左端が０Ω、チャートの中心が１．０（５０Ω）、右端が無限大（オープン）である。また、図３Ａ～図３Ｆの各々において、抵抗軸よりも下側が容量性であり、抵抗軸よりも上側が誘導性である。

　図３Ａは、第２通信バンド（Ｂａｎｄ４１）のみでの通信において、第２通信バンドに対する第２受信フィルタ４のインピーダンスの整合がとれた状態を表すスミスチャートである。図３Ｂは、上記通信時での第２通信バンドに対する第２受信フィルタ４のインピーダンスの整合がとれた場合において、第１通信バンド（Ｂａｎｄ３）に対する第２受信フィルタ４のインピーダンスを示すスミスチャートである。

　図４Ａは、第２インダクタＬ２２を挿入し、第１通信バンド（Ｂａｎｄ３）と第２通信バンド（Ｂａｎｄ４１）との同時使用による通信（キャリアアグリゲーション）を行う場合において、第２通信バンドに対する第２受信フィルタ４のインピーダンスを示すスミスチャートである。図４Ｂは、第１通信バンドと第２通信バンドとの同時使用による通信を行う場合において、第１通信バンドに対する第２受信フィルタ４のインピーダンスを示すスミスチャートである。

　図４Ｃは、第１通信バンド（Ｂａｎｄ３）と第２通信バンド（Ｂａｎｄ４１）との同時使用による通信を行う場合において、第１インダクタＬ２１を用いてインピーダンス整合を行うときの第２通信バンドに対する第２受信フィルタ４のインピーダンスを示すスミスチャートである。図４Ｄは、第１通信バンドと第２通信バンドとの同時使用による通信を行う場合において、第１インダクタＬ２１を用いてインピーダンス整合を行うときの第１通信バンドに対する第２受信フィルタ４のインピーダンスを示すスミスチャートである。

　図４Ｅは、第１通信バンド（Ｂａｎｄ３）と第２通信バンド（Ｂａｎｄ４１）との同時使用による通信を行う場合において、第１インダクタＬ２１及び第２インダクタＬ２２を用いてインピーダンス整合を行うときの第２通信バンドに対する第２受信フィルタ４のインピーダンスを示すスミスチャートである。図４Ｆは、第１通信バンド（Ｂａｎｄ３）と第２通信バンド（Ｂａｎｄ４１）との同時使用による通信を行う場合において、第１インダクタＬ２１及び第２インダクタＬ２２を用いてインピーダンス整合を行うときの第１通信バンドに対する第２受信フィルタ４のインピーダンスを示すスミスチャートである。

　図３Ａにおいて、ＺＡ１は、第２通信バンドのみの通信において、図１におけるアンテナスイッチ５の選択端子５２２から第２受信フィルタ４側を見たときの、第２通信バンドの周波数帯域での第２受信フィルタ４のインピーダンスを示す。図３Ｂにおいて、ＺＡ２は、第２通信バンドのみの通信において、選択端子５２２から第１受信フィルタ３側を見たときの、第１通信バンドの周波数帯域での第２受信フィルタ４のインピーダンスを示す。

　図３Ａから分かるように、第２受信フィルタ４の第２通信バンドでのインピーダンスは、整合がとれた状態（整合）となっている。

　図４Ａにおいて、ＺＡ１１は、第１通信バンドと第２通信バンドとの同時使用による通信において、選択端子５２２から第２受信フィルタ４側を見たときの、第２通信バンドの周波数帯域での第２受信フィルタ４のインピーダンスを示す。図４Ｂにおいて、ＺＡ１２は、第１通信バンドと第２通信バンドとの同時使用による通信において、選択端子５２２から第２受信フィルタ４側を見たときの、第１通信バンドの周波数帯域での第１受信フィルタ３のインピーダンスを示す。

　第２インダクタＬ２２は、第２受信経路Ｒ２においてシリーズ接続されている。さらに、第２インダクタＬ２２では、第１周波数帯より第２周波数帯の位相の変化が大きい。そのため、図４Ａから分かるように、第２受信フィルタ４の第２通信バンドでのインピーダンスは、整合状態から誘導性にシフトする。また、図４Ｂから分かるように、第２受信フィルタ４の第１通信バンドのインピーダンスは誘導性となっている。

　図４Ｃにおいて、ＺＡ１３は、第１通信バンドと第２通信バンドとの同時使用による通信において、選択端子５２２から第２受信フィルタ４側を見たときの、第２通信バンドの周波数帯域での第２受信フィルタ４のインピーダンスを示す。図４Ｄにおいて、ＺＡ１４は、第１通信バンドと第２通信バンドとの同時使用による通信において、選択端子５２２から第１受信フィルタ３側を見たときの、第１通信バンドの周波数帯域での第２受信フィルタ４のインピーダンスを示す。

　第１インダクタＬ２１は、第２受信経路Ｒ２においてシャント接続されているので、低周波数帯に対してインピーダンス整合を行うのに適している。図４Ｃから分かるように、第２受信フィルタ４の第２通信バンドでのインピーダンスは、整合状態から容量性にシフトする。また、図４Ｄから分かるように、第２受信フィルタ４の第１通信バンドでのインピーダンスは、オープン端の近傍にシフトする。

　図４Ｅにおいて、ＺＡ１５は、第１通信バンドと第２通信バンドとの同時使用による通信において、選択端子５２２から第２受信フィルタ４側を見たときの、第２通信バンドの周波数帯域での第２受信フィルタ４のインピーダンスを示す。図４Ｆにおいて、ＺＡ１６は、第１通信バンドと第２通信バンドとの同時使用による通信において、選択端子５２２から第２受信フィルタ４側を見たときの、第１通信バンドの周波数帯域での第２受信フィルタ４のインピーダンスを示す。

　図４Ｅから分かるように、第２受信フィルタ４の第２通信バンドでのインピーダンスは、整合状態を維持する。また、図４Ｆから分かるように、第２受信フィルタ４の第１通信バンドでのインピーダンスは、オープン端の近傍にシフトする。

　図４ＥのＺＡ１５は、第１通信バンドと第２通信バンドとの同時使用による通信を行う場合において、第１インダクタＬ２１及び第２インダクタＬ２２を用いてインピーダンス整合を行うときの第２通信バンドに対する第２受信フィルタ４のインピーダンスを示す。

　第１通信バンドと第２通信バンドとの同時使用による通信を行う場合には、第２通信バンドの周波数帯域での第２受信フィルタ４のインピーダンスのずれが生じないようにし、かつ第１通信バンドの周波数帯での第２受信フィルタのインピーダンスをオープンにする必要がある。

　上記結果により、第１インダクタＬ２１及び第２インダクタＬ２２を用いてインピーダンス整合を行うことで、第２通信バンドに対する第２受信フィルタ４のインピーダンスを整合状態に維持し、かつ第１通信バンドに対する第２受信フィルタ４のインピーダンスをオープンにすることができる。その結果、第１通信バンドと第２通信バンドとの同時使用による通信において、より良好なインピーダンス特性を得ることができる。

　（５．２）第２の効果
　実施形態１では、信号経路（第２受信経路Ｒ２）のうちアンテナスイッチ５と第２インダクタＬ２２との間の経路Ｒ２１の経路長“Ａ１”は、第２受信経路Ｒ２のうち第１インダクタＬ２１と第２インダクタＬ２２との間の経路Ｒ２２の経路長“Ａ２”よりも長い。

　以下、実施形態１による第２の効果について説明する。

　経路Ｒ２１及び経路Ｒ２２のそれぞれにおいて、寄生容量が発生する場合がある。

　図５Ａは、経路Ｒ２２に寄生容量が発生した場合における第２通信バンド（Ｂａｎｄ４１）に対する第２受信フィルタ４のインピーダンスを示すスミスチャートである。図５Ｂは、経路Ｒ２２に寄生容量が発生した場合における第１通信バンド（Ｂａｎｄ３）に対する第２受信フィルタ４のインピーダンスを示すスミスチャートである。図５Ｃは、経路Ｒ２１に寄生容量が発生した場合における第２通信バンドに対する第２受信フィルタ４のインピーダンスを示すスミスチャートである。図５Ｄは、経路Ｒ２１に寄生容量が発生した場合における第１通信バンドに対する第２受信フィルタ４のインピーダンスを示すスミスチャートである。図５Ａ～図５Ｄの各々において、左右にチャートの中心を通る直線が、インピーダンスの抵抗成分を表す軸（抵抗軸）である。抵抗軸上の目盛りに関しては、正規化されており、左端が０Ω、チャートの中心が１．０（５０Ω）、右端が無限大（オープン）である。また、図５Ａ～図５Ｄの各々において、抵抗軸よりも下側が容量性であり、抵抗軸よりも上側が誘導性である。

　図５Ａにおいて、ＺＡ２１は、第１通信バンドと第２通信バンドとの同時使用による通信において、選択端子５２２から第２受信フィルタ４側を見たときの、第２通信バンドの周波数帯域での第２受信フィルタ４のインピーダンスを示す。図５Ｂにおいて、ＺＡ２２は、第１通信バンドと第２通信バンドとの同時使用による通信において、選択端子５２２から第２受信フィルタ４側を見たときの、第１通信バンドの周波数帯域での第１受信フィルタ３のインピーダンスを示す。

　図５Ａから分かるように、経路Ｒ２２に寄生容量が発生した場合では、第２受信フィルタ４の第２通信バンドでのインピーダンスは、整合状態とほぼ一致する。また、図５Ｂから分かるように、経路Ｒ２２に寄生容量が発生した場合では、第２受信フィルタ４の第１通信バンドのインピーダンスはオープン端の近傍から大きく移動する。

　図５Ｃにおいて、ＺＡ２３は、第１通信バンドと第２通信バンドとの同時使用による通信において、選択端子５２２から第２受信フィルタ４側を見たときの、第２通信バンドの周波数帯域での第２受信フィルタ４のインピーダンスを示す。図５Ｄにおいて、ＺＡ２４は、第１通信バンドと第２通信バンドとの同時使用による通信において、選択端子５２２から第２受信フィルタ４側を見たときの、第１通信バンドの周波数帯域での第１受信フィルタ３のインピーダンスを示す。

　図５Ｃから分かるように、経路Ｒ２１に寄生容量が発生した場合では、第２受信フィルタ４の第２通信バンドでのインピーダンスは、整合状態で維持される。また、図５Ｄから分かるように、経路Ｒ２１に寄生容量が発生した場合では、第２受信フィルタ４の第１通信バンドのインピーダンスは、図５Ｂと比較してオープン端の近傍からの移動量は小さい。

　部品間に発生する寄生容量は、部品間の経路長に比例するため、経路Ｒ２１の経路長“Ａ１”と経路Ｒ２２の経路長“Ａ２”との関係を“Ａ１＞Ａ２”とすることで、寄生容量の発生による第２受信フィルタ４における第１通信バンドのインピーダンスのオープン端からの移動量を小さくすることができる。その結果、第１通信バンドと第２通信バンドとの同時使用による通信において、より良好なインピーダンス特性を得ることができる。

　（５．３）第３の効果
　実施形態１では、信号経路（第２受信経路Ｒ２）のうちアンテナスイッチ５と第２インダクタＬ２２との間の経路長“Ａ１”は、第２受信経路Ｒ２のうち第１インダクタＬ２１と第２受信フィルタ４との間の経路長“Ａ３”よりも長い。

　以下、実施形態１による第３の効果について説明する。

　経路Ｒ２１及び経路Ｒ２３のそれぞれにおいて、寄生インダクタが発生する場合がある。

　図６Ａは、経路Ｒ２３に寄生インダクタが発生した場合における第２通信バンド（Ｂａｎｄ４１）に対する第２受信フィルタ４のインピーダンスを示すスミスチャートである。図６Ｂは、経路Ｒ２３に寄生インダクタが発生した場合における第１通信バンド（Ｂａｎｄ３）に対する第２受信フィルタ４のインピーダンスを示すスミスチャートである。図６Ｃは、経路Ｒ２１に寄生インダクタが発生した場合における第２通信バンドに対する第２受信フィルタ４のインピーダンスを示すスミスチャートである。図６Ｄは、経路Ｒ２１に寄生インダクタが発生した場合における第１通信バンドに対する第２受信フィルタ４のインピーダンスを示すスミスチャートである。図６Ａ～図６Ｄの各々において、左右にチャートの中心を通る直線が、インピーダンスの抵抗成分を表す軸（抵抗軸）である。抵抗軸上の目盛りに関しては、正規化されており、左端が０Ω、チャートの中心が１．０（５０Ω）、右端が無限大（オープン）である。また、図６Ａ～図６Ｄの各々において、抵抗軸よりも下側が容量性であり、抵抗軸よりも上側が誘導性である。

　図６Ａにおいて、ＺＡ３１は、第１通信バンドと第２通信バンドとの同時使用による通信において、選択端子５２２から第２受信フィルタ４側を見たときの、第２通信バンドの周波数帯域での第２受信フィルタ４のインピーダンスを示す。図６Ｂにおいて、ＺＡ３２は、第１通信バンドと第２通信バンドとの同時使用による通信において、選択端子５２２から第２受信フィルタ４側を見たときの、第１通信バンドの周波数帯域での第１受信フィルタ３のインピーダンスを示す。

　図６Ａから分かるように、経路Ｒ２３に寄生インダクタが発生した場合では、第２受信フィルタ４の第２通信バンドでのインピーダンスは、整合状態とほぼ一致する。また、図６Ｂから分かるように、経路Ｒ２３に寄生インダクタが発生した場合では、第２受信フィルタ４の第１通信バンドのインピーダンスはオープン端の近傍から大きく移動する。

　図６Ｃにおいて、ＺＡ３３は、第１通信バンドと第２通信バンドとの同時使用による通信において、選択端子５２２から第２受信フィルタ４側を見たときの、第２通信バンドの周波数帯域での第２受信フィルタ４のインピーダンスを示す。図６Ｄにおいて、ＺＡ３４は、第１通信バンドと第２通信バンドとの同時使用による通信において、選択端子５２２から第２受信フィルタ４側を見たときの、第１通信バンドの周波数帯域での第１受信フィルタ３のインピーダンスを示す。

　図６Ｃから分かるように、経路Ｒ２１に寄生インダクタが発生した場合では、第２受信フィルタ４の第２通信バンドでのインピーダンスは、整合状態で維持される。また、図６Ｄから分かるように、経路Ｒ２１に寄生インダクタが発生した場合では、第２受信フィルタ４の第１通信バンドのインピーダンスは、図６Ｂと比較してオープン端の近傍からの移動量は小さい。

　部品間に発生する寄生インダクタは、部品間の経路長に比例するため、経路Ｒ２１の経路長“Ａ１”と経路Ｒ２３の経路長“Ａ３”との関係を“Ａ１＞Ａ３”とすることで、寄生インダクタの発生による第２受信フィルタ４における第１通信バンドのインピーダンスのオープン端からの移動量を小さくすることができる。その結果、第１通信バンドと第２通信バンドとの同時使用による通信において、より良好なインピーダンス特性を得ることができる。

　（６）変形例
　以下、実施形態１の変形例について説明する。

　（６．１）変形例１
　上記実施形態１では、高周波モジュール１は、第１方向Ｄ１において互いに対向する第１主面１０１及び第２主面１０２の双方に部品が配置される実装基板１００を備える構成としているが、この構成に限定されない。

　第１主面１０１及び第２主面１０２のうち一方の主面、例えば第１主面に部品が実装される片面実装可能な実装基板であってもよい。

　本変形例の実装基板１００Ａは、実装基板１００と同様に、例えばプリント配線板、ＬＴＣＣ、ＨＴＣＣ、樹脂基板である。ここにおいて、実装基板１００Ａは、実装基板１００と同様に、例えば、複数の誘電体層及び複数の導電層を含む多層基板である。なお、実装基板１００Ａは、プリント配線板、ＬＴＣＣ基板に限らず、配線構造体であってもよい。なお、図７Ａでは、図２Ａと同様に、第１樹脂層１２０を省略している。

　第１主面１０１Ａには、第１受信フィルタ３、第２受信フィルタ４、第１位相調整回路６、第２位相調整回路７、スイッチＩＣ１１０が実装されている。

　実装基板１００Ａの厚さ方向である第１方向Ｄ１において第１主面１０１Ａと対向する第２主面１０２Ａには、複数の外部接続電極９０Ａを備えている（図７Ｂ参照）。複数の外部接続電極９０Ａは、高周波モジュール１Ａを、信号処理回路８０等が実装されているマザー基板に接続する。複数の外部接続電極９０Ａは、球状に形成されているボールバンプである。ボールバンプの材料は、例えば、金、銅、はんだ等である。複数の外部接続電極９０Ａは、アンテナ端子２、及び接地に用いられるグランド端子を含む。

　スイッチＩＣ１１０のアンテナスイッチ５と、第２位相調整回路７の第２インダクタＬ２２とは、導体パターン等の表層配線により接続されている。具体的には、アンテナスイッチ５と第２インダクタＬ２２とは、導体パターン等の表層配線により形成された経路Ｒ３１により接続されている（図７Ａ、図７Ｂ参照）。第２位相調整回路７の第２インダクタＬ２２と第１インダクタＬ２１とは、導体パターン等の表層配線により接続されている。具体的には、第２インダクタＬ２２と第１インダクタＬ２１とは、導体パターン等の表層配線により形成された経路Ｒ３２により接続されている（図７Ａ、図７Ｂ参照）。第１インダクタＬ２１と第２受信フィルタ４とは、表層配線により接続されている。具体的には、第１インダクタＬ２１と第２受信フィルタ４とは、表層配線により形成された経路Ｒ３３により接続されている（図７Ａ、図７Ｂ参照）。

　第１主面１０１Ａに設けられる各部品は、例えば、はんだバンプにより実装基板１００Ａと電気的に接続されている。はんだバンプは、実装基板１００Ａの厚さ方向（第１方向Ｄ１）において、配置されている部品と実装基板１００Ａとの間に配置されている。ここで、第２受信経路Ｒ２は、上記経路Ｒ３１，Ｒ３２，Ｒ３３を含む。

　ここで、アンテナスイッチ５と第２インダクタＬ２２との間の経路Ｒ３１の経路長を“Ａ１１”とする。具体的には、アンテナスイッチ５の選択端子５２２から第２インダクタＬ２２の一端までの長さ、例えば経路Ｒ３１の長さを、“Ａ１１”とする。

　また、第１インダクタＬ２１と第２インダクタＬ２２との間の経路Ｒ３２の経路長を“Ａ１２”とする。具体的には、第２インダクタＬ２２の他端から第１インダクタＬ２１との接続点までの長さ、例えば経路Ｒ３２の長さを、“Ａ１２”とする。

　さらに、第１インダクタＬ２１と第２受信フィルタ４との間の経路Ｒ３３の経路長を“Ａ１３”とする。具体的には、第１インダクタＬ２１との接続点から第２受信フィルタ４の入力端子までの長さ、例えば経路Ｒ３３の長さを、“Ａ１３”とする。

　このとき、不等式“Ａ１１＞Ａ１２”及び不等式“Ａ１１＞Ａ１３”の双方が成立するように、第１インダクタＬ２１及び第２インダクタＬ２２は配置される。なお、不等式“Ａ１１＞Ａ１２”及び不等式“Ａ１１＞Ａ１３”のうち一方の不等式が成立するように、第１インダクタＬ２１及び第２インダクタＬ２２は配置されてもよい。つまり、不等式“Ａ１１＞Ａ１２”及び不等式“Ａ１１＞Ａ１３”のうち少なくとも一方の不等式が成立するように、第１インダクタＬ２１及び第２インダクタＬ２２は配置されていればよい。

　（６．２）変形例２
　実施形態１に係る高周波モジュール１では、図２Ｂに示すように、実装基板１００の第２主面１０２側において、第２主面１０２上に実装されているスイッチＩＣ１１０を覆うように第２樹脂層１３０が設けられている。また、高周波モジュール１は、円柱状に形成されている複数の外部接続電極９０を備えており、これら複数の外部接続電極９０によりマザー基板に接続されている。

　これに対して、図８に示すように、実装基板１００の第２主面１０２側において第２樹脂層が省略されており、かつ、球状に形成されている複数の外部接続電極９０Ｂによりマザー基板に接続されていてもよい。

　複数の外部接続電極９０Ｂの各々は、例えば、球状に形成されているボールバンプである。ボールバンプの材料は、例えば、金、銅、はんだ等である。

　また、高周波モジュール１は、複数の外部接続電極９０及び複数の外部接続電極９０Ｂを備えてもよい。

　（６．３）変形例３
　上記実施形態１では、第１インダクタＬ２１及び第２インダクタＬ２２は、経路長“Ａ１”、経路長“Ａ２”及び経路長“Ａ３”に対して、第１不等式“Ａ１＞Ａ２”及び第２不等式“Ａ１＞Ａ３”の双方が成立するように配置される構成としている。しかしながら、第１インダクタＬ２１及び第２インダクタＬ２２は、この構成に限定されない。

　経路Ｒ２１、経路Ｒ２２及び経路Ｒ２３のそれぞれの経路幅を異ならせてもよい。経路Ｒ２１の経路幅を“Ｂ１”、経路Ｒ２２の経路幅を“Ｂ２”、及び経路Ｒ２３の経路幅を“Ｂ３”とし、第３不等式“Ｂ１＜Ｂ２”及び第４不等式“Ｂ１＜Ｂ３”の双方が成立するように経路Ｒ２１，Ｒ２２，Ｒ２３を形成してもよい。ここで、経路幅は、経路における幅の平均値であってもよいし、最大値であってもよいし、最大値と最小値との中間値であってもよい。

　この場合においても、経路長“Ａ１”、経路長“Ａ２”及び経路長“Ａ３”を異ならせる場合と同様の効果を得る。

　なお、第３不等式及び第４不等式のうち一方が成立するように、経路Ｒ２１，Ｒ２２，Ｒ２３を形成してもよい。つまり、第３不等式及び第４不等式のうち少なくとも一方の不等式が成立するように、経路Ｒ２１，Ｒ２２，Ｒ２３を形成してもよい。

　また、経路Ｒ２１、経路Ｒ２２及び経路Ｒ２３において、実施形態１で示した経路長の関係と、本変形例の経路幅の関係と、を組み合わせてもよい。

　（６．４）変形例４
　上記実施形態１において、第１受信フィルタ３は、ＳＡＷフィルタである構成としているが、この構成に限定されない。第１受信フィルタ３は、他の弾性波フィルタ、例えば、弾性境界波、板波等を利用する弾性波フィルタであってもよい。第１受信フィルタ３は、例えばＢＡＷ（Bulk Acoustic Wave）フィルタであってもよい。

　また、第２受信フィルタ４は、第１受信フィルタ３と同様に、他の弾性波フィルタ、例えば、弾性境界波、板波等を利用する弾性波フィルタであってもよい。第２受信フィルタ４は、例えばＢＡＷフィルタであってもよい。

　（６．５）変形例５
　上記実施形態１において、実装基板１００は、プリント配線板、ＬＴＣＣ基板又はＨＴＣＣ基板、又は樹脂基板とする構成としているが、この構成に限定されない。実装基板１００は部品内蔵基板であってもよい。

　（６．６）変形例６
　上記実施形態１では、アンテナスイッチ５と複数の増幅器１１（第１ローノイズアンプ１２、第２ローノイズアンプ１３）とは、スイッチＩＣ１１０に含まれる構成、つまりアンテナスイッチ５と複数の増幅器１１とが１チップ化される構成としているが、この構成に限定されない。

　アンテナスイッチ５と複数の増幅器１１とが１チップ化されることは、必須ではない。アンテナスイッチ５及び複数の増幅器１１は、個別に第２主面１０２に配置されてもよい。

　（６．７）変形例７
　上記実施形態１では、第１インダクタＬ２１及び第２インダクタＬ２２は、一例としてそれぞれチップインダクタとする構成としているが、これに限定されない。

　第１インダクタＬ２１は、チップインダクタに限らず、導体パターン等で形成されてもよい。第１インダクタＬ２１が導体パターン等で形成される場合には、実装基板１００に内装されてもよい。

　同様に、第２インダクタＬ２２は、チップインダクタに限らず、導体パターン等で形成されてもよい。第２インダクタＬ２２が導体パターン等で形成される場合には、実装基板１００に内装されてもよい。

　（６．８）変形例８
　上記実施形態１において、高周波モジュール１は、第１受信フィルタ３の代わりに、信号の送信に用いられる弾性波フィルタである送信フィルタを設けてもよい。この場合、第１ローノイズアンプ１２の代わりにパワーアンプが用いられる。

　また、高周波モジュール１は、第１受信フィルタ３の代わりに、信号の送受信に用いられるデュプレクサ（弾性波フィルタ）を設けてもよい。この場合、デュプレクサには、第１ローノイズアンプ１２と、パワーアンプとが接続される。

　また、高周波モジュール１は、第２受信フィルタ４の代わりに、信号の送受信に用いられるデュプレクサ（弾性波フィルタ）を設けてもよい。この場合、デュプレクサには、第２ローノイズアンプ１３と、パワーアンプとが接続される。

　（実施形態２）
　本実施形態では、高周波モジュール１Ｂが、第２位相調整回路７の代わりに位相調整回路７ｂを有し、第１位相調整回路６を有していない点が、実施形態１とは異なる。

　ここでは、実施形態１と異なる点を中心に説明する。実施形態１と同一の構成要素については、同一の符号を付し、その説明を適宜省略する。

　（１）構成
　本実施形態の通信装置８は、図９に示すように、高周波モジュール１Ｂと、信号処理回路８０と、を備える。

　本実施形態に係る高周波モジュール１Ｂは、図９に示すように、アンテナ端子２と、第１受信フィルタ３ｂと、第２受信フィルタ４ｂと、アンテナスイッチ５（スイッチ）と、位相調整回路７ｂと、を備える。また、高周波モジュール１Ｂは、信号を増幅させる増幅器１１として、第１ローノイズアンプ１２と、第２ローノイズアンプ１３とを備える。高周波モジュール１Ｂは、さらに、図１０Ａ及び図１０Ｂに示すように、実装基板１００Ｂを備える。

　第１受信フィルタ３ｂは、弾性波フィルタである。弾性波フィルタは、例えば、弾性表面波を利用するＳＡＷフィルタである。

　第１受信フィルタ３ｂは、図９に示すように、第１受信信号をアンテナ９から受信するための第１受信経路Ｒ１１（第１通信バンド用経路）に設けられている。言い換えると、第１受信経路Ｒ１１は、アンテナスイッチ５と第１受信フィルタ３ｂとを結ぶ信号経路であって、第１受信信号をアンテナ端子２を介して受信するための経路である。

　第１受信フィルタ３ｂは、第１通信バンドを通過帯域とする弾性波フィルタである。言い換えると、第１受信フィルタ３ｂは、第１通信バンドの信号を通過させる弾性波フィルタである。すなわち、第１受信フィルタ３ｂは、第１通信バンドに含まれる第１周波数帯域の第１受信信号を通過させる。ここで、第１通信バンドは、例えば、ＬＴＥ規格のＢａｎｄ４１（受信帯域：２４９６ＭＨｚ－２６９０ＭＨｚ）である。

　第２受信フィルタ４ｂは、弾性波フィルタである。弾性波フィルタは、例えば、弾性表面波を利用するＳＡＷフィルタである。

　第２受信フィルタ４ｂは、図９に示すように、第２受信信号をアンテナ９から受信するための第２受信経路Ｒ１２（信号経路）に設けられている。言い換えると、第２受信経路Ｒ１２は、アンテナスイッチ５と第２受信フィルタ４ｂとを結ぶ信号経路であって、第２受信信号をアンテナ端子２を介して受信するための経路である。

　第２受信フィルタ４ｂは、第２通信バンドを通過帯域とする弾性波フィルタである。言い換えると、第２受信フィルタ４ｂは、第２通信バンドの信号を通過させる弾性波フィルタである。すなわち、第２受信フィルタ４ｂは、第２通信バンドに含まれる第２周波数帯域の第２受信信号を通過させる。ここで、第２周波数帯域は、第１周波数帯域よりも低い周波数帯域である。ここで、第２通信バンドは、例えば、ＬＴＥ規格（ＬＴＥ－Ａｄｖａｎｃｅｄ規格を含む）のＢａｎｄ３（受信帯域：１８０５ＭＨｚ－１８８０ＭＨｚ）である。つまり、第２受信フィルタ４ｂは、第１通信バンドの周波数帯よりも低周波数帯である第２通信バンドの信号を通過させるフィルタである。ここで、第２受信フィルタ４ｂの通過帯域と、第１受信フィルタ３ｂの通過帯域とは、重複していない。

　位相調整回路７ｂは、第２受信経路Ｒ１２に設けられている。位相調整回路７ｂは、インダクタ７１ｂと、第１キャパシタ７２ｂと、第２キャパシタ７３ｂと、を含む。インダクタ７１ｂは、第２受信経路Ｒ１２に直列に挿入されている。第１キャパシタ７２ｂは、インダクタ７１ｂの第１端Ｔ２とグランドとの間に設けられている。第２キャパシタ７３ｂは、インダクタ７１ｂの第２端Ｔ１とグランドとの間に設けられている。つまり、位相調整回路７ｂは、π型回路である。ここで、インダクタ７１ｂの第１端Ｔ２は、インダクタ７１ｂの両端のうちアンテナスイッチ５側の端部である。インダクタ７１ｂの第２端Ｔ１は、インダクタ７１ｂの両端のうち第２受信フィルタ４ｂ側の端部である。

　実装基板１００Ｂは、図１０Ｂに示すように、実装基板１００Ｂの厚さ方向である第１方向Ｄ１において互いに対向する第１主面１０１Ｂ及び第２主面１０２Ｂを有する。実装基板１００Ｂは、例えば、プリント配線板、ＬＴＣＣ、ＨＴＣＣ、樹脂基板である。ここにおいて、実装基板１００Ｂは、例えば、複数の誘電体層及び複数の導電層を含む多層基板である。複数の誘電体層及び複数の導電層は、実装基板１００Ｂの第１方向Ｄ１において積層されている。複数の導電層は、層ごとに定められた所定パターンに形成されている。複数の導電層の各々は、実装基板１００Ｂの第１方向Ｄ１に直交する一平面内において１つ又は複数の導体部を含む。各導電層の材料は、例えば、銅である。複数の導電層は、グランド層を含む。高周波モジュール１Ｂでは、複数のグランド端子とグランド層とが、実装基板１００Ｂの有するビア導体等を介して電気的に接続されている。

　実装基板１００Ｂは、プリント配線板、ＬＴＣＣ基板に限らず、配線構造体であってもよい。配線構造体は、例えば、多層構造体である。多層構造体は、少なくとも１つの絶縁層と、少なくとも１つの導電層とを含む。絶縁層は、所定パターンに形成されている。絶縁層が複数の場合は、複数の絶縁層は、層ごとに定められた所定パターンに形成されている。導電層は、絶縁層の所定パターンとは異なる所定パターンに形成されている。導電層が複数の場合は、複数の導電層は、層ごとに定められた所定パターンに形成されている。導電層は、１つ又は複数の再配線部を含んでもよい。配線構造体では、多層構造体の厚さ方向において互いに対向する２つの面のうち第１面が実装基板１００Ｂの第１主面１０１Ｂであり、第２面が実装基板１００Ｂの第２主面１０２Ｂである。配線構造体は、例えば、インタポーザであってもよい。インタポーザは、シリコン基板を用いたインタポーザであってもよいし、多層で構成された基板であってもよい。

　第１主面１０１Ｂには、第１受信フィルタ３ｂ、第２受信フィルタ４ｂ及び位相調整回路７ｂが実装されている（図１０Ａ及び図１０Ｂ参照）。第１主面１０１Ｂには、アンテナスイッチ５を含むスイッチＩＣ１１０が、更に実装されている（図１０Ｂ参照）。スイッチＩＣ１１０は、実施形態１と同様に、複数の増幅器１１（第１ローノイズアンプ１２、第２ローノイズアンプ１３）を含む。

　位相調整回路７ｂとアンテナスイッチ５とは、導体パターン等の表層配線により接続されている。具体的には、位相調整回路７ｂとアンテナスイッチ５とは、表層配線により形成された経路Ｒ３１１により接続されている（図１０Ｂ参照）。ここで、表層配線とは、実装基板１００Ｂの第１主面１０１Ｂに設けられた配線導体である。

　位相調整回路７ｂと第２受信フィルタ４ｂとは、導体パターン等の表層配線により接続されている。具体的には、位相調整回路７ｂと第２受信フィルタ４ｂとは、表層配線により形成された経路Ｒ３１２により接続されている（図１０Ｂ参照）。ここで、経路Ｒ３１２のインピーダンスは、５０オーム以下の低インピーダンスであることが好ましい。

　なお、第１受信フィルタ３ｂの一部が実装基板１００Ｂの第１主面１０１Ｂに実装されており、第１受信フィルタ３ｂの残りが実装基板１００Ｂに内装されていてもよい。要するに、第１受信フィルタ３ｂは、実装基板１００Ｂにおいて第２主面１０２Ｂよりも第１主面１０１Ｂ側に配置されており、かつ、第１主面１０１Ｂに実装されている部分を少なくとも有する。

　第２受信フィルタ４ｂの一部が実装基板１００Ｂの第１主面１０１Ｂに実装されており、第２受信フィルタ４ｂの残りが実装基板１００Ｂに内装されていてもよい。要するに、第２受信フィルタ４ｂは、実装基板１００Ｂにおいて第２主面１０２Ｂよりも第１主面１０１Ｂ側に配置されており、かつ、第１主面１０１Ｂに実装されている部分を少なくとも有する。

　位相調整回路７ｂの一部が実装基板１００Ｂの第１主面１０１Ｂに実装されており、位相調整回路７ｂの残りが実装基板１００Ｂに内装されていてもよい。要するに、位相調整回路７ｂは、実装基板１００Ｂにおいて第２主面１０２Ｂよりも第１主面１０１Ｂ側に配置されており、かつ、第１主面１０１Ｂに実装されている部分を少なくとも有する。例えば、インダクタ７１ｂが第１主面１０１Ｂに実装され、第１キャパシタ７２ｂ及び第２キャパシタ７３ｂが実装基板１００Ｂに内装されてもよい。この場合、インダクタ７１ｂと第１キャパシタ７２ｂ及び第２キャパシタ７３ｂとは、実装基板１００Ｂの内部に設けられた配線導体とビア導体とによる内装配線導体により形成された経路により接続される。

　スイッチＩＣ１１０の一部が実装基板１００Ｂの第１主面１０１Ｂに実装されており、スイッチＩＣ１１０の残りが実装基板１００Ｂに内装されていてもよい。要するに、スイッチＩＣ１１０は、実装基板１００Ｂにおいて第２主面１０２Ｂよりも第１主面１０１Ｂ側に配置されており、かつ、第１主面１０１Ｂに実装されている部分を少なくとも有する。

　第１主面１０１Ｂに設けられる各部品は、例えば、はんだバンプにより実装基板１００Ｂと電気的に接続されている。はんだバンプは、実装基板１００Ｂの厚さ方向（第１方向Ｄ１）において、配置されている部品と実装基板１００Ｂとの間に配置されている。ここで、上述した第２受信経路Ｒ１２は、上記経路Ｒ３１１，Ｒ３１２を含む。

　次に、高周波モジュール１Ｂにおける他の構成要素について説明する。

　図１０Ａは高周波モジュール１Ｂを第１方向Ｄ１から見た平面図を、図１０Ｂは高周波モジュール１Ｂの断面図を、それぞれ示す。

　高周波モジュール１Ｂは、複数の外部接続電極９０ｂを備えている（図１０Ｂ参照）。複数の外部接続電極９０ｂは、高周波モジュール１Ｂを、信号処理回路８０等が実装されているマザー基板に接続する。複数の外部接続電極９０ｂは、球状に形成されているボールバンプである。ボールバンプの材料は、例えば、金、銅、はんだ等である。複数の外部接続電極９０ｂは、アンテナ端子２、及び接地に用いられるグランド端子を含む。

　高周波モジュール１Ｂは、複数の外部接続電極９０ｂのうち１つの外部接続電極９０ｂであるアンテナ端子２を介してアンテナ９が受信した信号を受け取り、別の外部接続電極９０ｂを介して信号処理回路８０に出力する。

　高周波モジュール１Ｂは、実装基板１００Ｂの第１主面１０１Ｂにおいて、第１主面１０１Ｂに実装されている第１受信フィルタ３ｂ、第２受信フィルタ４ｂ、位相調整回路７ｂ及びスイッチＩＣ１１０等の電子部品を覆う樹脂層１２０を、更に備える。なお、図１０Ａでは、樹脂層１２０を省略している。

　位相調整回路７ｂの第１キャパシタ７２ｂ、インダクタ７１ｂ及び第２キャパシタ７３ｂ、第２受信フィルタ４ｂは、この順に、第１方向Ｄ１と直交する方向である第２方向Ｄ２に沿って配置されている（図９参照）。位相調整回路７ｂは、第２受信経路Ｒ１２に含まれる経路Ｒ３１１を介してアンテナスイッチ５に接続されている（図１０Ｂ参照）。

　ここで、第２受信経路Ｒ１２のうちアンテナスイッチ５と位相調整回路７ｂとの間の経路長を“ＡＡ２”とする。具体的には、第２受信経路Ｒ１２において、アンテナスイッチ５の選択端子５２２から第１キャパシタ７２ｂとインダクタ７１ｂとの接続点までの長さ、例えば経路Ｒ３１１（図１０Ａ及び図１０２Ｂ参照）の長さを、“ＡＡ２”とする（図９参照）。ここで、第１キャパシタ７２ｂとインダクタ７１ｂとの接続点は、インダクタ７１ｂの第１端Ｔ２に相当する。以下の説明において、第１キャパシタ７２ｂとインダクタ７１ｂとの接続点を、接続点Ｔ２という場合がある。

　また、第２受信フィルタ４ｂと第２キャパシタ７３ｂとの間の経路長を“ＡＡ１”とする。具体的には、第２受信経路Ｒ１２において、インダクタ７１ｂと第２キャパシタ７３ｂとの接続点から第２受信フィルタ４ｂの入力端子までの長さ、例えば経路Ｒ３１２（図１０Ａ及び図１０Ｂ参照）の長さを、“ＡＡ１”とする（図９参照）。ここで、第２キャパシタ７３ｂとインダクタ７１ｂとの接続点は、インダクタ７１ｂの第２端Ｔ１に相当する。以下の説明において、第２キャパシタ７３ｂとインダクタ７１ｂとの接続点を、接続点Ｔ１という場合がある。

　以下、第２受信フィルタ４ｂと第２キャパシタ７３ｂとの間の経路長を第１経路長ともいう。また、アンテナスイッチ５と位相調整回路７ｂとの間の経路長を第２経路長ともいう。

　ここで、第１不等式“ＡＡ１＞ＡＡ２”が成立するように、スイッチＩＣ１１０、位相調整回路７ｂ及び第２受信フィルタ４ｂは配置されている。要するに、本実施形態２では、第１経路長“ＡＡ１”は、第２経路長“ＡＡ２”よりも長い。

　以下、本実施形態２に係る高周波モジュール１Ｂの動作は、実施形態１に係る高周波モジュール１と同様であるので、ここでの説明は省略する。

　（２）効果
　以上説明したように、本実施形態２の高周波モジュール１Ｂは、第１弾性波フィルタ（例えば、第１受信フィルタ３ｂ）と、第２弾性波フィルタ（例えば、第２受信フィルタ４ｂ）と、スイッチ（例えば、アンテナスイッチ５）と、位相調整回路７ｂと、を備える。第１弾性波フィルタは、第１通信バンドの信号を通過させる。第２弾性波フィルタは、前記第１通信バンドの周波数帯よりも低周波数帯である第２通信バンドの信号を通過させる。スイッチは、第１弾性波フィルタと第２弾性波フィルタとをアンテナ端子２に同時に接続可能である。位相調整回路７ｂは、スイッチと第２弾性波フィルタとを結ぶ信号経路（例えば、第２受信経路Ｒ１２）上に設けられ、第２通信バンドの信号の位相を調整する。位相調整回路７ｂは、インダクタ７１ｂと、第１キャパシタ７２ｂと、第２キャパシタ７３ｂと、を有している。インダクタ７１ｂは、上記信号経路においてスイッチと第２弾性波フィルタとの間で直列接続されている。第１キャパシタ７２ｂは、上記信号経路において、インダクタ７１ｂの両端のうちスイッチ側の第１端Ｔ２とグランドとの間に設けられている。第２キャパシタ（７３ｂ）は、上記信号経路において、インダクタ７１ｂの両端のうち第２弾性波フィルタ側の第２端Ｔ１とグランドとの間に設けられている。上記信号経路のうちインダクタ７１ｂと第２キャパシタ７３ｂとの接続点（インダクタ７１ｂの第２端Ｔ１）と、第２弾性波フィルタとの間の第１経路（例えば、経路Ｒ３１２）の長さ（第１経路長“ＡＡ１”）は、上記信号経路のうちインダクタ７１ｂと第１キャパシタ７２ｂとの接続点（インダクタ７１ｂの第１端Ｔ２）と、スイッチとの間の第２経路（例えば、経路Ｒ３１１）の長さ（第２経路長“ＡＡ２”）よりも長い。

　第１通信バンドと第２通信バンドとの同時使用による通信を行う場合には、アンテナスイッチ５から第２受信フィルタ４ｂ側を見たときの第１受信フィルタ３ｂの周波数帯域がオープンとなるように高周波モジュールを設計する必要がある。また、第１通信バンドと第２通信バンドとの同時使用による通信を行う場合には、一のフィルタ（例えば、第２受信フィルタ４ｂ）において他のフィルタ（例えば、第１受信フィルタ３ｂ）の周波数帯域を開放端とし、かつ他のフィルタ（例えば、第１受信フィルタ３ｂ）の周波数帯域でのリターンロスを大きくする必要がある。

　アンテナスイッチ５の選択端子５２２から第２受信フィルタ４側を見たときの、第１通信バンド（ここでは、Ｂａｎｄ４１）の周波数帯域での第１受信フィルタ３ｂのインピーダンスを示す。

　図１１において、ＺＡ４１は、第１通信バンドと第２通信バンドとの同時使用による通信において、選択端子５２２から第２受信フィルタ４ｂ側を見たときの、第１通信バンドの周波数帯域での第２受信フィルタ４ｂのインピーダンスを示す。このとき、第２受信フィルタ４の第１通信バンドのインピーダンスは容量性となっている。この場合、アンテナスイッチ５と第２受信フィルタ４ｂとの間の第２受信経路Ｒ１２において、実装基板１００Ｂのグランド層との間で容量が発生するがリターンロスは小さくならない。そのため、第２受信経路Ｒ１２を長くすることができる。

　図１２に、第１通信バンドと第２通信バンドとの同時使用による通信でのリターンロスを示す。図１２のグラフの横軸は周波数を表し、縦軸は、ＲＬを表す。また、図１３に、第１通信バンドと第２通信バンドとの同時使用による通信において、選択端子５２２から第２受信フィルタ４ｂ側を見たときの、第１通信バンドの周波数帯域の信号のロスを示す。図１３のグラフの横軸は周波数を表し、縦軸は、ＩＬを表す。図１２に示す特性Ｇ１及び図１３に示す特性Ｇ１１は、経路Ｒ３１２の経路長“ＡＡ１”を、経路Ｒ３１１の経路長“ＡＡ２”よりも長くした場合でのリターンロス及びロスを示す。図１２に示す特性Ｇ２及び図１３に示す特性Ｇ１２は、経路Ｒ３１１の経路長“ＡＡ２”を、経路Ｒ３１２の経路長“ＡＡ１”よりも長くした場合でのリターンロス及びロスを示す。図１２及び図１３によると、経路Ｒ３１２を経路Ｒ３１１よりも長くした場合、選択端子５２２から第２受信フィルタ４側を見たときの、第１通信バンド（ここでは、Ｂａｎｄ４１）の周波数帯域での信号のリターンロスは大きくなる。

　したがって、より良好なインピーダンス特性を得ることができる。

　（３）変形例
　以下実施形態２に係る変形例について、説明する。

　（３．１）変形例１
　変形例１の実装基板１００Ｃでは、スイッチＩＣ１１０が第２主面１０２Ｂに実装されている点が、実施形態２とは異なる。以下、実施形態２とは異なる点を中心に説明する。なお、実施形態２と同様の構成要素については、同一の符号を付し、その説明を適宜省略する。

　変形例１に係る高周波モジュール１Ｃは、実施形態２と同様に、アンテナ端子２と、第１受信フィルタ３ｂと、第２受信フィルタ４ｂと、アンテナスイッチ５と、位相調整回路７ｂと、を備える。また、高周波モジュール１Ｃは、第１ローノイズアンプ１２と、第２ローノイズアンプ１３とを備える。高周波モジュール１Ｃは、さらに、図１４Ａ及び図１４Ｂに示すように、実装基板１００Ｃを備える。

　図１４Ａは、変形例１に係る高周波モジュール１Ｃを第１方向Ｄ１から見た平面図を、図１４Ｂは高周波モジュール１Ｃの断面図を、それぞれ示す。

　高周波モジュール１Ｃは、複数の外部接続電極９０ｃを備えている（図１４Ｂ参照）。複数の外部接続電極９０ｃは、高周波モジュール１Ｃを、信号処理回路８０等が実装されているマザー基板に接続する。複数の外部接続電極９０ｃは、実装基板１００Ｃの第２主面１０２Ｂ上に配置された（設けられた）柱状（例えば、円柱状）の電極である。複数の外部接続電極９０ｃの材料は、例えば、金属（例えば、銅、銅合金等）である。複数の外部接続電極９０ｃは、アンテナ端子２、及び接地に用いられるグランド端子を含む。

　高周波モジュール１Ｃは、複数の外部接続電極９０ｃのうち１つの外部接続電極９０ｃであるアンテナ端子２を介してアンテナ９が受信した信号を受け取り、別の外部接続電極９０ｃを介して信号処理回路８０に出力する。

　実装基板１００Ｃの第１主面１０１Ｃには、第１受信フィルタ３ｂ、第２受信フィルタ４ｂ及び位相調整回路７ｂが実装されている。実装基板１００Ｃの第２主面１０２Ｃには、スイッチＩＣ１１０が実装されている。

　高周波モジュール１Ｃは、実装基板１００Ｃの第１主面１０１Ｃにおいて、第１主面１０１Ｃに実装されている第１受信フィルタ３ｂ、第２受信フィルタ４ｂ及び位相調整回路７ｂ等の電子部品を覆う樹脂層１２０（以下、第１樹脂層１２０ともいう）を、更に備える。高周波モジュール１Ｃは、実装基板１００Ｃの第２主面１０２Ｃにおいて、第２主面１０２Ｃに実装されているスイッチＩＣ１１０等の電子部品を覆う第２樹脂層１３０を、更に備える。第２樹脂層１３０の材料は、第１樹脂層１２０の材料と同じ材料であってもよいし、異なる材料であってもよい。なお、図１４Ａでは、第１樹脂層１２０を省略している。

　アンテナスイッチ５、第１ローノイズアンプ１２及び第２ローノイズアンプ１３は、上述したように、実装基板１００Ｃの第２主面１０２Ｃに配置されている（図１４Ａ及び図１４Ｂ参照）。

　位相調整回路７ｂ、第１受信フィルタ３ｂ及び第２受信フィルタ４ｂは、実装基板１００Ｃの第１主面１０１Ｃに配置されている（図１４Ａ及び図１４Ｂ参照）。

　位相調整回路７ｂの第１キャパシタ７２ｂ、インダクタ７１ｂ、第２キャパシタ７３ｂと、第２受信フィルタ４ｂとは、この順に、第２方向Ｄ２に沿って配置されている。第１キャパシタ７２ｂとインダクタ７１ｂとは、第２受信経路Ｒ１２に含まれる経路Ｒ３１１を介してアンテナスイッチ５に接続されている（図１４Ｂ参照）。第２受信フィルタ４ｂは、経路Ｒ２５を介して第２ローノイズアンプ１３に接続されている。（図１４Ｂ参照）。

　変形例１において、実装基板１００Ｃを平面視した場合、つまり第１方向Ｄ１から実装基板１００Ｃを見た場合に、位相調整回路７ｂは、アンテナスイッチ５と重なっている（図１４Ａ，図１４Ｂ参照）。なお、実装基板１００Ｃを平面視した場合、位相調整回路７ｂの一部が、アンテナスイッチ５と重なっていてもよい。つまり、実装基板１００Ｃを平面視した場合、位相調整回路７ｂの少なくとも一部が、アンテナスイッチ５と重なっていればよい。

　変形例１において、実装基板１００Ｃを平面視した場合、第１キャパシタ７２ｂは、アンテナスイッチ５と重なっている（図１４Ａ，図１４Ｂ参照）。なお、実装基板１００Ｃを平面視した場合、第１キャパシタ７２ｂの一部が、アンテナスイッチ５と重なっていてもよい。つまり、実装基板１００Ｃを平面視した場合、第１キャパシタ７２ｂの少なくとも一部が、アンテナスイッチ５と重なっていればよい。

　変形例１において、実装基板１００Ｃを平面視した場合、インダクタ７１ｂは、アンテナスイッチ５と重なっている（図１４Ａ，図１４Ｂ参照）。なお、実装基板１００Ｃを平面視した場合、インダクタ７１ｂの一部が、アンテナスイッチ５と重なっていてもよい。つまり、実装基板１００Ｃを平面視した場合、インダクタ７１ｂの少なくとも一部が、アンテナスイッチ５と重なっていればよい。

　変形例１において、実装基板１００Ｃを平面視した場合、第２キャパシタ７３ｂは、アンテナスイッチ５と重なっている（図１４Ａ，図１４Ｂ参照）。なお、実装基板１００Ｃを平面視した場合、第２キャパシタ７３ｂの一部が、アンテナスイッチ５と重なっていてもよい。つまり、実装基板１００Ｃを平面視した場合、第２キャパシタ７３ｂの少なくとも一部が、アンテナスイッチ５と重なっていればよい。

　また、実装基板１００Ｃを平面視した場合、第１受信フィルタ３ｂの少なくとも一部は、第１ローノイズアンプ１２と重なっている（図１４Ａ参照）。

　また、実装基板１００Ｃを平面視した場合、第２受信フィルタ４ｂの少なくとも一部は、第２ローノイズアンプ１３と重なっている（図１４Ａ、図１４Ｂ参照）。

　アンテナスイッチ５と、位相調整回路７ｂとは、実装基板１００Ｃに設けられたビア導体９５及び内層配線導体を介して接続されている。ここで、アンテナスイッチ５と位相調整回路７ｂとの間の経路に含まれるビア導体９５が経路Ｒ３１１を形成する。位相調整回路７ｂと第２受信フィルタ４ｂとは、配線導体９８及びビア導体９７を介して接続されている。ここで、位相調整回路７ｂと第２受信フィルタ４ｂとの間の経路に含まれる配線導体９８とビア導体９７とが経路Ｒ３１２を形成する。

　変形例１では、アンテナスイッチ５から第２受信フィルタ４ｂまでの第２受信経路Ｒ１２は、経路Ｒ３１１及び経路Ｒ３１２を含む。変形例１では、第２受信経路Ｒ１２のうち経路Ｒ３１１の経路長が第２経路長“ＡＡ２”に相当し、第２受信経路Ｒ１２のうち経路Ｒ３１２の経路長が第１経路長“ＡＡ１”に相当する。すなわち、変形例１では、経路Ｒ３１２の経路長は、経路Ｒ３１１の経路長よりも長い。

　変形例１においても、実施形態２と同様に、より良好なインピーダンス特性を得ることができる。

　ここで、変形例１の更なる変形例について、説明する。

　実施形態２の変形例１に係る高周波モジュール１Ｃでは、図１４Ｂに示すように、実装基板１００Ｃの第２主面１０２Ｃ側において、第２主面１０２Ｃ上に実装されているスイッチＩＣ１１０を覆うように第２樹脂層１３０が設けられている。また、高周波モジュール１Ｃは、円柱状に形成されている複数の外部接続電極９０ｃを備えており、これら複数の外部接続電極９０ｃによりマザー基板に接続されている。

　これに対して、図１５に示すように、実装基板１００Ｃの第２主面１０２Ｃ側において第２樹脂層が省略されており、かつ、球状に形成されている複数の外部接続電極９１ｃによりマザー基板に接続されていてもよい。

　複数の外部接続電極９１ｃの各々は、例えば、球状に形成されているボールバンプである。ボールバンプの材料は、例えば、金、銅、はんだ等である。

　また、高周波モジュール１Ｃは、複数の外部接続電極９０ｃ及び複数の外部接続電極９１ｃを備えてもよい。

　（３．２）変形例２
　本変形例２では、第１受信経路Ｒ１１にも位相調整回路が設けられている点で、実施形態２とは異なる。以下、実施形態２とは異なる点を中心に説明する。なお、実施形態２と同様の構成要素については、同一の符号を付し、その説明を適宜省略する。

　本変形例２に係る高周波モジュール１Ｄは、図１６に示すように、アンテナ端子２と、第１受信フィルタ３ｂと、第２受信フィルタ４ｂと、アンテナスイッチ５と、第１位相調整回路６ｄと、位相調整回路７ｂ（以下、第２位相調整回路７ｂという）と、を備える。また、高周波モジュール１Ｃは、第１ローノイズアンプ１２と、第２ローノイズアンプ１３とを備える。高周波モジュール１Ｄは、さらに、図１７に示すように、実装基板１００Ｄを備える。

　第１位相調整回路６ｄは、ＨＰＦ（High Pass Filter）位相回路であり、図１６に示すように、第１リアクタンス素子６１ｄ及び第２リアクタンス素子６２ｄと共に、第３リアクタンス素子６３ｄを有している。第１位相調整回路６ｄは、第１リアクタンス素子６１ｄとしてキャパシタＣ６１を含み、第２リアクタンス素子６２ｄとしてキャパシタＣ６２を含み、第３リアクタンス素子６３ｄとしてインダクタＬ６３を含む。

　第１リアクタンス素子６１ｄ及び第２リアクタンス素子６２ｄは、アンテナスイッチ５と第１受信フィルタ３ｂｂとの間の第１受信経路Ｒ１１において直列に挿入されている。本変形例２では、第１リアクタンス素子６１ｄは、第１受信経路Ｒ１１においてアンテナスイッチ５と第２リアクタンス素子６２ｄとの間に配置されている。

　第３リアクタンス素子６３ｄは、第１リアクタンス素子６１ｄと第２リアクタンス素子６２ｄとの間の一点とグランドとの間に設けられている。言い換えると、第３リアクタンス素子６３ｄの一端が第１リアクタンス素子６１ｄと第２リアクタンス素子６２ｄとの間に接続され、他端がグランドに接続されている。

　実装基板１００Ｄは、実装基板１００Ｄの厚さ方向（第１方向Ｄ１に相当）において互いに対向する第１主面１０１Ｄ及び第２主面を有する。実装基板１００Ｄは、例えば、プリント配線板、ＬＴＣＣ、ＨＴＣＣ、樹脂基板である。ここにおいて、実装基板１００Ｄは、例えば、複数の誘電体層及び複数の導電層を含む多層基板である。複数の誘電体層及び複数の導電層は、実装基板１００Ｄの厚さ方向において積層されている。複数の導電層は、層ごとに定められた所定パターンに形成されている。複数の導電層の各々は、実装基板１００Ｄの厚さ方向に直交する一平面内において１つ又は複数の導体部を含む。各導電層の材料は、例えば、銅である。複数の導電層は、グランド層を含む。高周波モジュール１Ｄでは、複数のグランド端子とグランド層とが、実装基板１００Ｄの有するビア導体等を介して電気的に接続されている。

　実装基板１００Ｄは、プリント配線板、ＬＴＣＣ基板に限らず、配線構造体であってもよい。配線構造体は、例えば、多層構造体である。多層構造体は、少なくとも１つの絶縁層と、少なくとも１つの導電層とを含む。絶縁層は、所定パターンに形成されている。絶縁層が複数の場合は、複数の絶縁層は、層ごとに定められた所定パターンに形成されている。導電層は、絶縁層の所定パターンとは異なる所定パターンに形成されている。導電層が複数の場合は、複数の導電層は、層ごとに定められた所定パターンに形成されている。導電層は、１つ又は複数の再配線部を含んでもよい。配線構造体では、多層構造体の厚さ方向において互いに対向する２つの面のうち第１面が実装基板１００Ｄの第１主面１０１Ｄであり、第２面が実装基板１００Ｄの第２主面である。配線構造体は、例えば、インタポーザであってもよい。インタポーザは、シリコン基板を用いたインタポーザであってもよいし、多層で構成された基板であってもよい。

　第１主面１０１Ｄには、第１受信フィルタ３ｂ、第２受信フィルタ４ｂ、第１位相調整回路６ｄ、及び第２位相調整回路７ｂが実装されている（図１７参照）。第１主面１０１Ｄには、アンテナスイッチ５を含むスイッチＩＣ１１０が、更に実装されている（図１７参照）。スイッチＩＣ１１０は、実施形態１，２と同様に、複数の増幅器１１（第１ローノイズアンプ１２、第２ローノイズアンプ１３）を含む。

　第１位相調整回路６ｄとアンテナスイッチ５とは、導体パターン等の表層配線により接続されている。具体的には、第１位相調整回路６ｄとアンテナスイッチ５とは、表層配線により形成された経路Ｒ４１１により接続されている（図１７参照）。

　第１位相調整回路６ｄと第１受信フィルタ３ｂとは、導体パターン等の表層配線により接続されている。具体的には、第１位相調整回路６ｄと第１受信フィルタ３ｂとは、表層配線により形成された経路Ｒ４１２により接続されている（図１７参照）。

　第１位相調整回路６ｄの一部が実装基板１００Ｄの第１主面１０１Ｄに実装されており、第１位相調整回路６ｄの残りが実装基板１００Ｄに内装されていてもよい。要するに、第１位相調整回路６ｄは、実装基板１００Ｄにおいて第２主面よりも第１主面１０１Ｄ側に配置されており、かつ、第１主面１０１Ｄに実装されている部分を少なくとも有する。例えば、第３リアクタンス素子（インダクタＬ６３）が第１主面１０１Ｄに実装され、第１リアクタンス素子６１ｄ（キャパシタＣ６１）及び第２リアクタンス素子（キャパシタＣ６２）が実装基板１００Ｄに内装されてもよい。この場合、第３リアクタンス素子６３ｄと第１リアクタンス素子６１ｄ及び第２リアクタンス素子６２ｄとは、実装基板１００Ｄの内部に設けられた配線導体とビア導体とによる内装配線導体により形成された経路により接続される。

　スイッチＩＣ１１０の一部が実装基板１００Ｄの第１主面１０１Ｄに実装されており、スイッチＩＣ１１０の残りが実装基板１００Ｄに内装されていてもよい。要するに、スイッチＩＣ１１０は、実装基板１００Ｄにおいて第２主面よりも第１主面１０１Ｄ側に配置されており、かつ、第１主面１０１Ｄに実装されている部分を少なくとも有する。

　第１主面１０１Ｄに設けられる各部品は、例えば、はんだバンプにより実装基板１００Ｄと電気的に接続されている。はんだバンプは、実装基板１００Ｄの厚さ方向（第１方向Ｄ１）において、配置されている部品と実装基板１００Ｄとの間に配置されている。ここで、上述した第１受信経路Ｒ１１は、上記経路Ｒ４１１，Ｒ４１２を含む。

　高周波モジュール１Ｄは、実施形態２と同様に、実装基板１００Ｄの第１主面１０１Ｄにおいて、第１主面１０１Ｄに実装されている第１受信フィルタ３ｂ、第２受信フィルタ４ｂ、第１位相調整回路６ｄ、第２位相調整回路７ｂ及びスイッチＩＣ１１０等の電子部品を覆う樹脂層を、更に備える。なお、図１７では、樹脂層を省略している。

　第１位相調整回路６ｄの第１リアクタンス素子６１ｄ、第３リアクタンス素子６３ｄ、第２リアクタンス素子６２ｄ、及び第１受信フィルタ３ｂは、この順に、厚さ方向と直交する方向（第２方向Ｄ２の相当）に沿って配置されている。第１位相調整回路６ｄは、第１受信経路Ｒ１１に含まれる経路Ｒ４１１を介してアンテナスイッチ５に接続されている（図１７参照）。

　ここで、第１受信経路Ｒ１１のうちアンテナスイッチ５と第１位相調整回路６ｄとの間の経路長を“ＡＡ３”とする。具体的には、第１受信経路Ｒ１１において、アンテナスイッチ５の選択端子５２２から第１リアクタンス素子６１ｄと第３リアクタンス素子６３ｄのとの接続点Ｔ１１までの長さ、例えば経路Ｒ４１１（図１７参照）の長さを、“ＡＡ３”とする（図１６参照）。

　また、第１位相調整回路６ｄと第１受信フィルタ３ｂとの間の経路長を“ＡＡ４”とする。具体的には、第１受信経路Ｒ１１において、第３リアクタンス素子６３ｄと第２リアクタンス素子６２ｄとの接続点Ｔ１２から第１受信フィルタ３ｂの入力端子までの長さ、例えば経路Ｒ４１２（図１７参照）の長さを、“ＡＡ４”とする（図１６参照）。

　ここで、経路Ｒ３１１の第２経路長“ＡＡ２”と経路Ｒ３１２の第１経路長“ＡＡ１”との合計長は、第１受信経路Ｒ１１のうちアンテナスイッチ５と第１リアクタンス素子６１ｄとの間の距離と、第２リアクタンス素子６２ｄと第１受信フィルタ３ｂとの間の距離との合計長より長い。より詳細には、経路Ｒ３１１の第２経路長“ＡＡ２”と経路Ｒ３１２の第１経路長“ＡＡ１”との合計長は、第１受信経路Ｒ１１のうちアンテナスイッチ５と接続点Ｔ１１との間の距離（経路長“ＡＡ３”）と、接続点Ｔ１２と第１受信フィルタ３ｂとの間の距離（経路長“ＡＡ４”）との合計長より長い。

　（３．３）変形例３
　上記実施形態２では、位相調整回路７ｂは、第１経路長“ＡＡ１”及び第２経路長“ＡＡ２”に対して、不等式“ＡＡ１＞ＡＡ２”が成立するように配置される構成としている。しかしながら、位相調整回路７ｂは、この構成に限定されない。

　上記条件（不等式“ＡＡ１＞ＡＡ２”）に、経路Ｒ３１１及び経路Ｒ３１２のそれぞれの経路幅の条件を加えてもよい。経路Ｒ３１１の経路幅を“ＢＢ１”、及び経路Ｒ３１２の経路幅を“ＢＢ２”とし、不等式“ＢＢ１＞ＢＢ２”が成立するように経路Ｒ３１１，Ｒ３１２を形成してもよい。ここで、経路幅は、経路における幅の平均値であってもよいし、最大値であってもよいし、最大値と最小値との中間値であってもよい。

　この場合においても、より良好なインピーダンス特性を得ることができる。

　（３．４）変形例４
　上記実施形態２において、第１受信フィルタ３ｂは、ＳＡＷフィルタである構成としているが、この構成に限定されない。第１受信フィルタ３ｂは、他の弾性波フィルタ、例えば、弾性境界波、板波等を利用する弾性波フィルタであってもよい。第１受信フィルタ３ｂは、例えばＢＡＷフィルタであってもよい。

　また、第２受信フィルタ４ｂは、第１受信フィルタ３ｂと同様に、他の弾性波フィルタ、例えば、弾性境界波、板波等を利用する弾性波フィルタであってもよい。第２受信フィルタ４ｂは、例えばＢＡＷフィルタであってもよい。

　（３．５）変形例５
　上記実施形態２において、実装基板１００Ｂは、プリント配線板、ＬＴＣＣ基板又はＨＴＣＣ基板、又は樹脂基板とする構成としているが、この構成に限定されない。実装基板１００Ｂは部品内蔵基板であってもよい。

　（３．６）変形例６
　上記実施形態２では、アンテナスイッチ５と複数の増幅器１１（第１ローノイズアンプ１２、第２ローノイズアンプ１３）とは、スイッチＩＣ１１０に含まれる構成、つまりアンテナスイッチ５と複数の増幅器１１とが１チップ化される構成としているが、この構成に限定されない。

　アンテナスイッチ５と複数の増幅器１１とが１チップ化されることは、必須ではない。アンテナスイッチ５及び複数の増幅器１１は、個別に第２主面１０２Ｂに配置されてもよい。

　（３．７）変形例７
　上記実施形態２において、高周波モジュール１Ｂは、第１受信フィルタ３ｂの代わりに、信号の送信に用いられる弾性波フィルタである送信フィルタを設けてもよい。この場合、第１ローノイズアンプ１２の代わりにパワーアンプが用いられる。

　また、高周波モジュール１Ｂは、第１受信フィルタ３ｂの代わりに、信号の送受信に用いられるデュプレクサ（弾性波フィルタ）を設けてもよい。この場合、デュプレクサには、第１ローノイズアンプ１２と、パワーアンプとが接続される。

　また、高周波モジュール１Ｂは、第２受信フィルタ４ｂの代わりに、信号の送受信に用いられるデュプレクサ（弾性波フィルタ）を設けてもよい。この場合、デュプレクサには、第２ローノイズアンプ１３と、パワーアンプとが接続される。

　なお、本変形例７は、実施形態２に係る変形例１～６に適用してもよい。

　（まとめ）
　以上説明したように、第１の態様の高周波モジュール（１；１Ａ）は、第１弾性波フィルタ（例えば、第１受信フィルタ３）と、第２弾性波フィルタ（例えば、第２受信フィルタ４）と、アンテナ（アンテナスイッチ５）と、第１インダクタ（Ｌ２１）と、第２インダクタ（Ｌ２２）と、を備える。第１弾性波フィルタは、第１通信バンドの信号を通過させる。第２弾性波フィルタは、第２通信バンドの信号を通過させる。スイッチは、第１弾性波フィルタと第２弾性波フィルタとをアンテナ端子に同時に接続可能である。第１インダクタ（Ｌ２１）は、スイッチと第２弾性波フィルタとの信号経路（例えば、第２受信経路Ｒ２）上のノードとグランドとの間に設けられている。第２インダクタ（Ｌ２２）は、上記信号経路においてスイッチと第１インダクタ（Ｌ２１）との間で直列接続されている。

　この構成によると、第１インダクタ（Ｌ２１）及び第２インダクタ（Ｌ２２）を用いてインピーダンス整合を行うことで、第２通信バンドに対する第２弾性波フィルタのインピーダンスを整合状態に維持し、かつ第１通信バンドに対する第２弾性波信フィルタのインピーダンスをオープンにすることができる。その結果、例えば、第１通信バンドと第２通信バンドとの同時使用による通信において、より良好なインピーダンス特性を得ることができる。

　第２の態様の高周波モジュール（１；１Ａ）では、第１の態様において、上記信号経路のうちスイッチと第２インダクタとの間の経路長（経路長“Ａ１”；“Ａ１１”）は、上記信号経路のうち第１インダクタ（Ｌ２１）と第２インダクタ（Ｌ２２）との間の経路長（経路長“Ａ２”；“Ａ１２”）よりも長い。

　この構成によると、寄生容量が発生した場合であっても第２弾性波フィルタにおける第１通信バンドのインピーダンスのオープン端からの移動量を小さくすることができる。その結果、第１通信バンドと第２通信バンドとの同時使用による通信において、より良好なインピーダンス特性を得ることができる。

　第３の態様の高周波モジュール（１；１Ａ）では、第１又は第２の態様において、上記信号経路のうちスイッチと第２インダクタ（Ｌ２２）との間の経路長（経路長“Ａ１”；“Ａ１１”）は、上記信号経路のうち第１インダクタ（Ｌ２１）と第２弾性波フィルタとの間の経路長（経路長“Ａ３”；“Ａ１３”）よりも長い。

　この構成によると、寄生インダクタが発生した場合であっても第２弾性波フィルタにおける第１通信バンドのインピーダンスのオープン端からの移動量を小さくすることができる。その結果、第１通信バンドと第２通信バンドとの同時使用による通信において、より良好なインピーダンス特性を得ることができる。

　第４の態様の高周波モジュール（１；１Ａ）では、第１～第３のいずれかの態様において、上記信号経路のうちスイッチと第２インダクタ（Ｌ２２）との間の経路幅は、上記信号経路のうち第１インダクタ（Ｌ２１）と第２インダクタ（Ｌ２２）との間の経路幅よりも長い。

　第５の態様の高周波モジュール（１；１Ａ）では、第１～第４のいずれかの態様において、上記信号経路のうちスイッチと第２インダクタ（Ｌ２２）との間の経路幅は、上記信号経路のうち第１インダクタ（Ｌ２１）と第２弾性波フィルタとの間の経路幅よりも長い。

　第６の態様の高周波モジュール（１；１Ａ）では、第１～第５のいずれかの態様において、上記信号経路のうち第１インダクタ（Ｌ２１）と第２インダクタ（Ｌ２２）との間の経路（Ｒ２２；Ｒ３２）は、表層配線により形成されている。

　この構成によると、第１インダクタ（Ｌ２１）と第２インダクタ（Ｌ２２）との間の経路（Ｒ２２；Ｒ３２）を実装基板（１００；１００Ａ）の内部に設ける場合と比較して、発生する寄生容量を小さくすることができる。

　第７の態様の高周波モジュール（１；１Ａ）では、第１～第６のいずれかの態様において、上記信号経路のうち第１インダクタ（Ｌ２１）と第２弾性波フィルタとの間の経路（Ｒ２３；Ｒ３３）は、表層配線により形成されている。

　この構成によると、第１インダクタ（Ｌ２１）と第２弾性波フィルタとの間の経路（Ｒ２３；Ｒ３３）を実装基板（１００；１００Ａ）の内部に設ける場合と比較して、発生する寄生インダクタを小さくすることができる。

　第８の態様の高周波モジュール（１）は、第１～第７のいずれかの態様において、実装基板（１００）を、更に備える。実装基板（１００）は、厚さ方向（例えば、第１方向Ｄ１）において互いに対向する第１主面（１０１）及び第２主面（１０２）を有する。第１弾性波フィルタ、第２弾性波フィルタ、第１インダクタ（Ｌ２１）及び第２インダクタ（Ｌ２２）は、第１主面（１０１）側に配置されている。スイッチは、第２主面（１０２）側に配置されている。

　この構成によると、実装基板（１００）の両面にスイッチ等の部品を実装しつつ、第１通信バンドと第２通信バンドとの同時使用による通信において、より良好なインピーダンス特性を得ることができる。

　第９の態様の高周波モジュール（１）では、第８の態様において、第２主面（１０２）に配置されている複数の外部接続電極（９０；９０Ｂ）を、更に備える。

　この構成によると、外部接続電極（９０）が接続されたマザー基板等と実装基板（１００）との隙間にスイッチを配置しつつ、第１通信バンドと第２通信バンドとの同時使用による通信において、より良好なインピーダンス特性を得ることができる。

　第１０の態様の高周波モジュール（１）では、第８又は第９の態様において、実装基板（１００）を平面視した場合に、第２インダクタ（Ｌ２２）の少なくとも一部は、スイッチと重なっている。

　この構成によると、スイッチと第２インダクタ（Ｌ２２）との経路長を短くすることができる。

　第１１の態様の高周波モジュール（１）では、第８～第１０のいずれかの態様において、実装基板（１００）を平面視した場合に、第１インダクタ（Ｌ２１）の少なくとも一部は、スイッチと重なっている。

　この構成によると、スイッチから第２インダクタ（Ｌ２２）及び第１インダクタ（Ｌ２１）までの経路長を短くすることができる。

　第１２の態様の高周波モジュール（１）は、第８～第１１のいずれかの態様において、第１ローノイズアンプ（１２）と、第２ローノイズアンプ（１３）と、を更に備える。第１ローノイズアンプ（１２）は、第１弾性波フィルタと接続されている。第２ローノイズアンプ（１３）は、第２弾性波フィルタと接続されている。第１ローノイズアンプ（１２）及び第２ローノイズアンプ（１３）は、第２主面（１０２）に設けられている。実装基板（１００）を平面視した場合に、第１弾性波フィルタの少なくとも一部は、第１ローノイズアンプ（１２）と重なっている。第２弾性波フィルタの少なくとも一部は、第２ローノイズアンプ（１３）と重なっている。

　この構成によると、第１弾性波フィルタと第１ローノイズアンプ（１２）との間の経路長、及び第２弾性波フィルタと第２ローノイズアンプ（１３）との間の経路長を、それぞれ短くすることができる。

　第１３の態様の高周波モジュール（１）は、第８～第１２のいずれかの態様において、第１リアクタンス素子（６１）と、第２リアクタンス素子（６２）と、第３リアクタンス素子（６３）と、を更に備える。第１リアクタンス素子（６１）は、スイッチと第１弾性波フィルタとの間の第１通信バンド用信号経路（例えば、第１受信経路Ｒ１）において直列に挿入されている。第２リアクタンス素子（６２）は、第１通信バンド用信号経路において、第１リアクタンス素子（６１）の第１端とグランドとの間に設けられている。第３リアクタンス素子（６３）は、第１通信バンド用信号経路において、第１リアクタンス素子（６１）の第２端とグランドとの間に設けられている。

　この構成によると、スイッチから第１弾性波フィルタ側を見たときの、第１弾性波フィルタの第２通信バンドでのインピーダンスを、オープン端の近傍にシフトさせることができる。

　第１４の態様の高周波モジュール（１Ｂ；１Ｃ；１Ｄ）は、第１弾性波フィルタ（例えば、第１受信フィルタ３ｂ）と、第２弾性波フィルタ（例えば、第２受信フィルタ４ｂ）と、スイッチ（例えば、アンテナスイッチ５）と、位相調整回路（７ｂ）と、を備える。第１弾性波フィルタは、第１通信バンドの信号を通過させる。第２弾性波フィルタは、第１通信バンドの周波数帯よりも低周波数帯である第２通信バンドの信号を通過させる。スイッチは、第１弾性波フィルタと第２弾性波フィルタとをアンテナ端子（２）に同時に接続可能である。位相調整回路（７ｂ）は、スイッチと第２弾性波フィルタとを結ぶ信号経路（例えば、第２受信経路Ｒ１２）上に設けられ、第２通信バンドの信号の位相を調整する。位相調整回路（７ｂ）は、インダクタ（７１ｂ）と、第１キャパシタ（７２ｂ）と、第２キャパシタ（７３ｂ）と、を有している。インダクタ（７１ｂ）は、上記信号経路においてスイッチと第２弾性波フィルタとの間で直列接続されている。第１キャパシタ（７２ｂ）は、上記信号経路において、インダクタ（７１ｂ）の両端のうちスイッチ側の第１端（Ｔ２）とグランドとの間に設けられている。第２キャパシタ（７３ｂ）は、上記信号経路において、インダクタ（７１ｂ）の両端のうち第２弾性波フィルタ側の第２端（Ｔ１）とグランドとの間に設けられている。上記信号経路のうちインダクタ（７１ｂ）と第２キャパシタ（７３ｂ）との接続点（インダクタ７１ｂの第２端Ｔ１）と、第２弾性波フィルタとの間の第１経路（例えば、経路Ｒ３１２）の長さ（第１経路長“ＡＡ１”）は、上記信号経路のうちインダクタ（７１ｂ）と第１キャパシタ（７２ｂ）との接続点（インダクタ７１ｂの第１端Ｔ２）と、スイッチとの間の第２経路（例えば、経路Ｒ３１１）の長さ（第２経路長“ＡＡ２”）よりも長い。

　この構成によると、第１通信バンドと第２通信バンドとの同時使用による通信において、より良好なインピーダンス特性を得ることができる。

　第１５の態様の高周波モジュール（１Ｂ；１Ｃ；１Ｄ）では、第１４の態様において、第１経路の経路幅は、第２経路の経路幅よりも長い。

　この構成によると、より良好なインピーダンス特性を得ることができる。

　第１６の態様の高周波モジュール（１Ｂ；１Ｃ；１Ｄ）では、第１４又は第１５の態様において、第１経路及び第２経路は、表層配線により形成されている。

　この構成によると、第１経路及び第２経路を実装基板（１００Ｂ；１００Ｃ；１００Ｄ）の内部に設ける場合と比較して、発生する寄生容量を小さくすることができる。

　第１７の態様の高周波モジュール（１Ｃ）は、第１４～第１６のいずれかの態様において、互いに対向する第１主面（１０１Ｃ）及び第２主面（１０２Ｃ）を有する実装基板（１００Ｃ）を、更に備える。第１弾性波フィルタ、第２弾性波フィルタ、インダクタ（７１ｂ）、第１キャパシタ（７２ｂ）及び第２キャパシタ（７３ｂ）は、第１主面（１０１Ｃ）側に配置されている。スイッチは、第２主面（１０２Ｃ）側に配置されている。

　この構成によると、実装基板（１００Ｃ）の両面にスイッチ等の部品を実装しつつ、第１通信バンドと第２通信バンドとの同時使用による通信において、より良好なインピーダンス特性を得ることができる。

　第１８の態様の高周波モジュール（１Ｃ）は、第１７の態様において、第２主面（１０２Ｃ）に配置されている複数の外部接続電極（９０ｃ）を、更に備える。

　この構成によると、外部接続電極（９０ｃ）が接続されたマザー基板等と実装基板（１００Ｃ）との隙間にスイッチを配置しつつ、第１通信バンドと第２通信バンドとの同時使用による通信において、より良好なインピーダンス特性を得ることができる。

　第１９の態様の高周波モジュール（１Ｃ）は、第１７又は第１８の態様において、実装基板（１００Ｃ）を平面視した場合に、第１キャパシタ（７２ｂ）の少なくとも一部は、スイッチと重なっている。

　この構成によると、信号経路（例えば、第２受信経路Ｒ１２）の第２経路の長さ（第２経路長“ＡＡ２”）を短くすることができる。

　第２０の態様の高周波モジュール（１Ｃ）は、第１７～第１９のいずれかの態様において、実装基板（１００Ｃ）を平面視した場合に、第２キャパシタ（７３ｂ）の少なくとも一部は、スイッチと重なっている。

　この構成によると、受信経路の第２経路の長さ（第２経路長“ＡＡ２”）を短くすることができる。

　第２１の態様の高周波モジュール（１Ｃ）は、第１７～第２０のいずれかの態様において、第１ローノイズアンプ（１２）と、第２ローノイズアンプ（１３）とを、更に備える。第１ローノイズアンプ（１２）は、第１弾性波フィルタと接続されている。第２ローノイズアンプ（１３）は、第２弾性波フィルタと接続されている。第１ローノイズアンプ（１２）及び第２ローノイズアンプ（１３）は、第２主面（１０２Ｃ）に設けられている。実装基板（１００Ｃ）を平面視した場合に、第１弾性波フィルタの少なくとも一部は、第１ローノイズアンプ（１２）と重なっており、第２弾性波フィルタの少なくとも一部は、第２ローノイズアンプ（１３）と重なっている。

　第２２の態様の高周波モジュール（１Ｄ）では、第１４～第２１のいずれかの態様において、位相調整回路（７ｂ）である第１位相調整回路とは異なる第２位相調整回路（第１位相調整回路６ｄ）を、更に備える。第２位相調整回路は、スイッチと第２弾性波フィルタとを結ぶ第１通信バンド用信号経路（第１受信経路Ｒ１１）上に設けられている。第２位相調整回路は、第１リアクタンス素子（６１ｄ）及び第２リアクタンス素子（６２ｄ）と、第３リアクタンス素子（６３ｄ）と、を有している。第１リアクタンス素子（６１ｄ）及び第２リアクタンス素子（６２ｄ）は、スイッチと第１弾性波フィルタとの間の第１通信バンド用信号経路において直列に挿入されている。第３リアクタンス素子（６３ｄ）は、一端が第１リアクタンス素子（６１ｄ）と第２リアクタンス素子（６２ｄ）との間に接続され、他端がグランドに接続されている。第１リアクタンス素子（６１ｄ）は、第１通信バンド用信号経路においてスイッチと第２リアクタンス素子（６２ｄ）との間に配置されている。第１経路（経路Ｒ３１２）の長さと第２経路（経路Ｒ３１１）の長さとの合計長は、第１通信バンド用信号経路のうちスイッチと第１リアクタンス素子（６１ｄ）との間の距離（経路長“ＡＡ３”）と、第２リアクタンス素子（６２ｄ）と第１弾性波フィルタとの間の距離（経路長“ＡＡ４”）との合計長より長い。

　第２３の態様の通信装置（８）は、第１～第２２のいずれかの態様の高周波モジュール（１；１Ａ；１Ｂ；１Ｃ；１Ｄ）と、信号処理回路（８０）と、を備える。信号処理回路（８０）は、第１通信バンドの信号及び第２通信バンドの信号を信号処理する。

　　１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ　高周波モジュール
　　２　アンテナ端子
　　３，３ｂ　第１受信フィルタ（第１弾性波フィルタ）
　　４，４ｂ　第２受信フィルタ（第２弾性波フィルタ）
　　５　アンテナスイッチ（スイッチ）
　　６，６ｄ　第１位相調整回路
　　７　第２位相調整回路
　　７ｂ　位相調整回路（第２位相調整回路）
　　８　通信装置
　　９　アンテナ
　　１１　増幅器
　　１２　第１ローノイズアンプ
　　１３　第２ローノイズアンプ
　　５１　共通端子
　　６１，６１ｄ　第１リアクタンス素子
　　６２，６２ｄ　第２リアクタンス素子
　　６３，６３ｄ　第３リアクタンス素子
　　７１ｂ　インダクタ
　　７２ｂ　第１キャパシタ
　　７３ｂ　第２キャパシタ
　　８０　信号処理回路
　　８１　ベースバンド信号処理回路
　　８２　ＲＦ信号処理回路
　　９０，９０Ａ，９０Ｂ，９０ｂ，９０ｃ，９１ｃ　外部接続電極
　　９５，９６，９７　ビア導体
　　９８　配線導体
　　１００，１００Ａ，１００Ｂ，１００Ｃ，１００Ｄ　実装基板
　　１０１，１０１Ａ，１０１Ｂ，１０１Ｃ，１０１Ｄ　第１主面
　　１０２，１０２Ａ，１０２Ｂ，１０２Ｃ，１０２Ｄ　第２主面
　　１１０　スイッチＩＣ
　　１２０　第１樹脂層（樹脂層）
　　１３０　第２樹脂層
　　５２１，５２２　選択端子
　　Ｃ１１，Ｃ１２、Ｃ６１，Ｃ６２　キャパシタ
　　Ｄ１　第１方向
　　Ｄ２　第２方向
　　Ｌ１１、Ｌ６３　インダクタ
　　Ｌ２１　第１インダクタ
　　Ｌ２２　第２インダクタ
　　Ｒ１，Ｒ１１　第１受信経路
　　Ｒ２，Ｒ１２　第２受信経路
　　Ｒ２１，Ｒ２２，Ｒ２３，Ｒ２５，Ｒ３１，Ｒ３２，Ｒ３３，Ｒ３１１、Ｒ３１２，Ｒ４１１，Ｒ４１２　経路
　　Ｔ１　第２端（接続点）
　　Ｔ２　第１端（接続点）
　　Ｔ１１，Ｔ１２　接続点

Claims

　第１通信バンドの信号を通過させる第１弾性波フィルタと、
　第２通信バンドの信号を通過させる第２弾性波フィルタと、
　前記第１弾性波フィルタと前記第２弾性波フィルタとをアンテナ端子に同時に接続可能なスイッチと、
　前記スイッチと前記第２弾性波フィルタとを結ぶ信号経路上のノードとグランドとの間に設けられた第１インダクタと、
　前記信号経路において前記スイッチと前記第１インダクタとの間で直列接続された第２インダクタと、を備える、
　高周波モジュール。
　前記信号経路のうち前記スイッチと前記第２インダクタとの間の経路長は、前記信号経路のうち前記第１インダクタと前記第２インダクタとの間の経路長よりも長い、
　請求項１に記載の高周波モジュール。
　前記信号経路のうち前記スイッチと前記第２インダクタとの間の経路長は、前記信号経路のうち前記第１インダクタと前記第２弾性波フィルタとの間の経路長よりも長い、
　請求項１又は２に記載の高周波モジュール。
　前記信号経路のうち前記スイッチと前記第２インダクタとの間の経路幅は、前記信号経路のうち前記第１インダクタと前記第２インダクタとの間の経路幅よりも長い、
　請求項１～３のいずれか一項に記載の高周波モジュール。
　前記信号経路のうち前記スイッチと前記第２インダクタとの間の経路幅は、前記信号経路のうち前記第１インダクタと前記第２弾性波フィルタとの間の経路幅よりも長い、
　請求項１～４のいずれか一項に記載の高周波モジュール。
　前記信号経路のうち前記第１インダクタと前記第２インダクタとの間の経路は、表層配線により形成されている、
　請求項１～５のいずれか一項に記載の高周波モジュール。
　前記信号経路のうち前記第１インダクタと前記第２弾性波フィルタとの間の経路は、表層配線により形成されている、
　請求項１～６のいずれか一項に記載の高周波モジュール。
　互いに対向する第１主面及び第２主面を有する実装基板を、更に備え、
　前記第１弾性波フィルタ、前記第２弾性波フィルタ、前記第１インダクタ及び前記第２インダクタは、前記第１主面側に配置されており、
　前記スイッチは、前記第２主面側に配置されている、
　請求項１～７のいずれか一項に記載の高周波モジュール。
　前記第２主面に配置されている複数の外部接続電極を、更に備える、
　請求項８に記載の高周波モジュール。
　前記実装基板を平面視した場合に、前記第２インダクタの少なくとも一部は、前記スイッチと重なっている、
　請求項８又は９に記載の高周波モジュール。
　前記実装基板を平面視した場合に、前記第１インダクタの少なくとも一部は、前記スイッチと重なっている、
　請求項８～１０のいずれか一項に記載の高周波モジュール。
　前記第１弾性波フィルタと接続された第１ローノイズアンプと、
　前記第２弾性波フィルタと接続された第２ローノイズアンプを、更に備え、
　前記第１ローノイズアンプ及び前記第２ローノイズアンプは、前記第２主面に設けられており、
　前記実装基板を平面視した場合に、前記第１弾性波フィルタの少なくとも一部は、前記第１ローノイズアンプと重なっており、前記第２弾性波フィルタの少なくとも一部は、前記第２ローノイズアンプと重なっている、
　請求項８～１１のいずれか一項に記載の高周波モジュール。
　前記スイッチと前記第１弾性波フィルタとの間の第１通信バンド用信号経路において直列に挿入された第１リアクタンス素子と、
　前記第１通信バンド用信号経路において、前記第１リアクタンス素子の第１端とグランドとの間に設けられた第２リアクタンス素子と、
　前記第１通信バンド用信号経路において、前記第１リアクタンス素子の第２端とグランドとの間に設けられた第３リアクタンス素子と、を更に備える、
　請求項８～１２のいずれか一項に記載の高周波モジュール。
　第１通信バンドの信号を通過させる第１弾性波フィルタと、
　前記第１通信バンドの周波数帯よりも低周波数帯である第２通信バンドの信号を通過させる第２弾性波フィルタと、
　前記第１弾性波フィルタと前記第２弾性波フィルタとをアンテナ端子に同時に接続可能なスイッチと、
　前記スイッチと前記第２弾性波フィルタとを結ぶ信号経路上に設けられ、前記第２通信バンドの前記信号の位相を調整する位相調整回路と、を備え、
　前記位相調整回路は、
　　前記信号経路において前記スイッチと前記第２弾性波フィルタとの間で直列接続されたインダクタと、
　　前記信号経路において、前記インダクタの両端のうち前記スイッチ側の第１端とグランドとの間に設けられた第１キャパシタと、
　　前記信号経路において、前記インダクタの両端のうち前記第２弾性波フィルタ側の第２端とグランドとの間に設けられた第２キャパシタと、を有しており、
　前記信号経路のうち前記インダクタと前記第２キャパシタとの接続点と、前記第２弾性波フィルタとの間の第１経路の長さは、前記信号経路のうち前記インダクタと前記第１キャパシタとの接続点と、前記スイッチとの間の第２経路の長さよりも長い、
　高周波モジュール。
前記第１経路の経路幅は、前記第２経路の経路幅よりも長い、
　請求項１４に記載の高周波モジュール。
　前記第１経路及び前記第２経路は、表層配線により形成されている、
　請求項１４又は１５に記載の高周波モジュール。
　互いに対向する第１主面及び第２主面を有する実装基板を、更に備え、
　前記第１弾性波フィルタ、前記第２弾性波フィルタ、前記インダクタ、前記第１キャパシタ及び前記第２キャパシタは、前記第１主面側に配置されており、
　前記スイッチは、前記第２主面側に配置されている、
　請求項１４～１６のいずれか一項に記載の高周波モジュール。
　前記第２主面に配置されている複数の外部接続電極を、更に備える、
　請求項１７に記載の高周波モジュール。
　前記実装基板を平面視した場合に、前記第１キャパシタの少なくとも一部は、前記スイッチと重なっている、
　請求項１７又は１８に記載の高周波モジュール。
　前記実装基板を平面視した場合に、前記第２キャパシタの少なくとも一部は、前記スイッチと重なっている、
　請求項１７～１９のいずれか一項に記載の高周波モジュール。
　前記第１弾性波フィルタと接続された第１ローノイズアンプと、
　前記第２弾性波フィルタと接続された第２ローノイズアンプと、を更に備え、
　前記第１ローノイズアンプ及び前記第２ローノイズアンプは、前記第２主面に設けられており、
　前記実装基板を平面視した場合に、前記第１弾性波フィルタの少なくとも一部は、前記第１ローノイズアンプと重なっており、前記第２弾性波フィルタの少なくとも一部は、前記第２ローノイズアンプと重なっている、
　請求項１７～２０のいずれか一項に記載の高周波モジュール。
　前記位相調整回路である第１位相調整回路とは異なる第２位相調整回路を、更に備え、
　前記第２位相調整回路は、前記スイッチと前記第２弾性波フィルタとを結ぶ第１通信バンド用信号経路上に設けられており、
　前記第２位相調整回路は、
　　前記スイッチと前記第１弾性波フィルタとの間の第１通信バンド用信号経路において直列に挿入された第１リアクタンス素子及び第２リアクタンス素子と、
　　一端が前記第１リアクタンス素子と前記第２リアクタンス素子との間に接続され、他端がグランドに接続されている第３リアクタンス素子と、を有しており、
　前記第１リアクタンス素子は、前記第１通信バンド用信号経路において前記スイッチと前記第２リアクタンス素子との間に配置されており、
　前記第１経路の長さと前記第２経路の長さとの合計長は、前記第１通信バンド用信号経路のうち前記スイッチと前記第１リアクタンス素子との間の距離と、前記第２リアクタンス素子と前記第１弾性波フィルタとの間の距離との合計長より長い、
　請求項１４～２１のいずれか一項に記載の高周波モジュール。
　請求項１～２２のいずれか一項に記載の高周波モジュールと、
　前記第１通信バンドの前記信号及び前記第２通信バンドの前記信号を信号処理する信号処理回路と、を備える、
　通信装置。