CN105247784A - 高频模块元器件 - Google Patents

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Abstract

本发明的高频模块元器件(10)包括分配合成器(20)以及屏蔽壳(12)。分配合成器(20)包括层叠体(30)、公共输入输出电极(21)、低频带用输入输出电极(22)、高频带用输入输出电极(23)、以及外部接地电极(24a～24c)。层叠体(30)由多个绝缘层和电极图案层叠而成，具有侧面(31)～(34)。侧面(31)与侧面(32)相对。公共输入输出电极(21)设置于层叠体(30)的侧面(31)以及底面。低频带用输入输出电极(22)以及高频带用输入输出电极(23)设置于层叠体(30)的侧面(32)以及底面。层叠体(30)的侧面(33)最靠近屏蔽壳(12)的侧面并与其相对。

Description

高频模块元器件
技术领域
本发明涉及包括分配合成器的高频模块元器件。
背景技术
在无线通信装置等中会使用具备分配合成器的高频模块元器件。作为这种高频模块元器件，例如有专利文献1所记载的高频模块元器件。专利文献1所记载的高频模块元器件包括基板、分配合成器以及屏蔽壳。分配合成器安装在基板上。屏蔽壳配置在基板上，以将安装在基板上的元器件覆盖。屏蔽壳为了将来自外部的噪声切断、或防止从高频模块元器件内输出的噪声泄漏到外部而设置。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利特开2003-249868号公报
发明内容
发明所要解决的技术问题
在将屏蔽壳和分配合成器配置在相互接近的位置的情况下，屏蔽壳与分配合成器的外部电极之间可能会产生寄生电容。该情况下，分配合成器的滤波特性可能会劣化。为此，在专利文献1所记载的高频模块元器件中，将分配合成器配置在距离屏蔽壳规定距离的位置。
然而，该情况下，由于连接分配合成器与高频模块元器件的外部输出电极的布线图案会变长，因此布线图案中的传输损耗变大。此外，由于在屏蔽壳与分配合成器之间需要空间，因此高频模块元器件的尺寸会变大。
本发明的目的在于提供一种即使将分配合成器配置在靠近屏蔽壳的位置，分配合成器的滤波特性也不会变差的高频模块元器件。
解决技术问题所采用的技术手段
(1)本发明的高频模块元器件包括分配合成器以及屏蔽壳。分配合成器由多个绝缘层和电极图案层叠而成且具备第一到第四侧面的层叠体形成，在底面形成有公共输入输出电极、独立输入输出电极以及外部接地电极。分配合成器配置在屏蔽壳的内部。第一侧面与第二侧面相对。公共输入输出电极配置在底面上的第一侧面侧的边缘。独立输入输出电极配置在底面上的第二侧面侧的边缘。第三侧面或第四侧面最靠近屏蔽壳的侧面并与其相对。
该结构下，不会在屏蔽壳与公共输入输出电极以及独立输入输出电极之间产生寄生电容。因此，即使将分配合成器靠近屏蔽壳，分配合成器的滤波特性也几乎不会劣化。并且，由于能使分配合成器靠近屏蔽壳，因此分配合成器与屏蔽壳之间不需要空间。因此，能实现高频模块元器件的小型化。
(2)本发明的高频模块元器件优选具有以下特征。独立输入输出电极具有低频带用输入输出电极以及高频带用输入输出电极。低频带用输入输出电极配置在第三侧面侧。高频带用输入输出电极配置在第四侧面侧。分配合成器具有形成在层叠体内部的低频带用滤波器电路和高频带用滤波器电路。低频带用滤波器电路配置在第三侧面侧，连接在公共输入输出电极和低频带用输入输出电极之间。高频带用滤波器电路配置在第四侧面侧，连接在公共输入输出电极和高频带用输入输出电极之间。第三侧面最靠近屏蔽壳的侧面并与其相对。
该结构下，在构成低频带用滤波器电路的电极图案与屏蔽壳之间产生寄生电容。另一方面，构成低频带用滤波器电路的电容器和电感器的元件值比构成高频带用滤波器电路的电容器和电感值的元件值大。因此，低频带用滤波器电路因寄生电容受到的影响比高频带用滤波器电路的情况要小。因此，该结构下，与第四侧面最靠近屏蔽壳的侧面并与其相对的情况相比，分配合成器的滤波特性不会变差。
(3)本发明的高频模块元器件优选具有以下特征。高频模块元器件包括安装有分配合成器的矩形平板状的基板。屏蔽壳的侧面沿着基板的边缘配置。分配合成器配置在基板的四个角部中的任一个角部。第一侧面与第二侧面相比更靠近屏蔽壳的侧面并与其相对。
该结构下，由于公共输入输出电极与形成于基板边缘的外部输出电极之间的布线图案变短，因此能减少该布线图案中的传输损耗。此外，能利用在公共输入输出电极与屏蔽壳之间产生的寄生电容来设计匹配电路。
(4)优选公共输入输出电极从所述底面延伸到第一侧面，外部接地电极从所述底面延伸到第一至第四侧面中的任一个。
该结构下，在将分配合成器靠近屏蔽壳时，分配合成器的滤波特性也几乎不会劣化。
(5)优选第一侧面与屏蔽壳的侧面隔开200μm以上而相对。
该结构下，能进一步抑制使分配合成器靠近屏蔽壳时分配合成器的滤波特性的劣化。
(6)优选包括填充在分配合成器与屏蔽壳之间的树脂，屏蔽壳由金属构成。
在相对电极之间充满树脂的情况下，与在相对电极之间充满空气的情况相比，在相对电极之间产生的静电电容变大。因此，该结构下，本发明的效果较为显著。
发明效果
根据本发明，即使将分配合成器配置在靠近屏蔽壳的位置，分配合成器的滤波特性也不会变差。
附图说明
图1是表示高频模块元器件10的主要部分的侧面剖视图。
图2是分配合成器20的等效电路图。
图3(A)是分配合成器20的外观立体图。图3(B)是分配合成器20的仰视图。
图4是分配合成器20的分解立体图。
图5(A)是表示高频模块元器件10的主要部分的平面剖视图。图5(B)是表示高频模块元器件40的主要部分的平面剖视图。
图6(A)是表示高频模块元器件50的主要部分的平面剖视图。图6(B)是表示高频模块元器件51的主要部分的平面剖视图。
图7是表示高频模块元器件50的分配合成器20的反射特性的图。
图8是表示高频模块元器件51的分配合成器20的反射特性的图。
图9是表示高频模块元器件10的分配合成器20的反射特性的图。
图10是表示高频模块元器件40的分配合成器20的反射特性的图。
图11是表示高频带用输入输出端子P3的反射特性的绝对值的图。
图12(A)是用于对分配合成器20与屏蔽壳12之间产生的寄生电容进行说明的示意图。图12(B)是用于对分配合成器20与屏蔽壳12之间产生的寄生电容进行说明的等效电路图。
图13是用于对分配合成器20与屏蔽壳12之间产生的寄生电容进行说明的示意图。
图14是表示通过低通滤波器LPF1得到的二次谐波的衰减量的绝对值的图。
图15是表示高频带用输入输出端子P3的反射特性的绝对值的图。
图16(A)是表示高频模块元器件60的主要部分的平面剖视图。图16(B)是表示高频模块元器件70的主要部分的平面剖视图。
图17是表示高频模块元器件80的主要部分的侧面剖视图。
具体实施方式
《实施方式1》
对本发明的实施方式1所涉及的高频模块元器件10进行说明。高频模块元器件10例如用在无线通信装置等中。图1是表示高频模块元器件10的主要部分的侧面剖视图。高频模块元器件10包括基板11、屏蔽壳12、RFIC(RadioFrequencyIntegratedCircuit：射频集成电路)13、高频元器件14、外部输出电极15a、15b、以及分配合成器20。高频元器件14例如是开关IC、功率放大器、低噪声放大器、滤波器等。
在大致矩形平板的基板11的第一主面安装有RFIC13、高频元器件14、以及分配合成器20。分配合成器20配置在基板11的边缘。屏蔽壳12是盖状的金属，由框状的侧面部121以及大致矩形平板状的底面部122构成。屏蔽壳12将来自外部的噪声切断，并抑制从安装在基板11上的元器件输出的噪声泄漏到外部。通过将屏蔽壳12的侧面部121沿着基板11的边缘配置，使得基板11以及屏蔽壳12构成壳体。RFIC13、高频元器件14、分配合成器20配置在该壳体的内部。分配合成器20与屏蔽壳12配置在靠近的位置。
基板11的第二主面的边缘形成有外部输出电极15a、15b。从与基板11的第一主面垂直的方向观察时，分配合成器20与外部输出电极15a彼此靠近。分配合成器20经由外部输出电极15a与天线相连。
该结构中，由于连接分配合成器20与外部输出电极15a的布线图案变短，因此能减少该布线图案中的传输损耗。此外，由于分配合成器20与屏蔽壳12之间不需要空间，因此能实现高频模块元器件的小型化。
图2是分配合成器20的等效电路图。分配合成器20包括低通滤波器LPF1、带通滤波器BPF1、公共输入输出端子P1、低频带用输入输出端子P2、以及高频带用输入输出端子P3。低通滤波器LPF1相当于本发明的低频带用滤波器电路。带通滤波器BPF1相当于本发明的高频带用滤波器电路。
低通滤波器LPF1连接在公共输入输出端子P1与低频带用输入输出端子P2之间。带通滤波器BPF1连接在公共输入输出端子P1与高频带用输入输出端子P3之间。低频带的高频信号在公共输入输出端子P1和低频带用输入输出端子P2之间传输。高频带的高频信号在公共输入输出端子P1和高频带用输入输出端子P3之间传输。公共输入输出端子P1与天线(未图示)相连，低频带用输入输出端子P2和高频带用输入输出端子P3与RFIC(未图示)或高频元器件(未图示)相连。
图3(A)是分配合成器20的外观立体图。图3(B)是分配合成器20的仰视图。分配合成器20包括公共输入输出电极21、低频带用输入输出电极22、高频带用输入输出电极23、外部接地电极24a～24c、以及层叠体30。低频带用输入输出电极22以及高频带用输入输出电极23构成本发明的独立输入输出电极。
公共输入输出电极21相当于图2所示的公共输入输出端子P1。低频带用输入输出电极22相当于图2所示的低频带用输入输出端子P2。高频带用输入输出电极23相当于图2所示的高频带用输入输出端子P3。
层叠体30由多个绝缘层以及电极图案层叠而成。层叠体30大致呈长方体状，具有与层叠方向垂直的顶面35和底面36、以及与层叠方向平行的侧面31～34。侧面31与侧面32相对，侧面33与侧面34相对。侧面31、32与顶面35的长边方向平行，侧面33、34与顶面35的短边方向平行。侧面31是本发明的第一侧面。侧面32是本发明的第二侧面。侧面33是本发明的第三侧面。侧面34是本发明的第四侧面。
公共输入输出电极21和外部接地电极24a、24b彼此隔开规定间隔来形成在层叠体30的侧面31。公共输入输出电极21配置在外部接地电极24a、24b之间。低频带用输入输出电极22与外部接地电极24a相对，高频带用输入输出电极23与外部接地电极24b相对，外部接地电极24c与公共输入输出电极21相对，且分别形成于层叠体30的侧面32。低频带用输入输出电极22配置在侧面33一侧，高频带用输入输出电极23配置在侧面34一侧。公共输入输出电极21、低频带用输入输出电极22、高频带用输入输出电极23以及外部接地电极24a～24c形成为从层叠体30的顶面35通过侧面31或侧面32，并延伸至底面36。
另外，公共输入输出电极21、低频带用输入输出电极22、高频带用输入输出电极23、以及外部接地电极24a～24c也可以不形成于侧面31～34以及顶面35。例如，在图3(B)所示的配置下，也可以仅形成于底面36。
图4是分配合成器20的分解立体图。利用过孔导体将形成在各绝缘层的线状电极图案相连，从而形成电感器。形成在各绝缘层的平板状电极图案隔着绝缘层相对，从而形成电容器。
在顶面35的长边方向的第一端侧(侧面33一侧)主要形成有构成低通滤波器LPF1的电极图案。在顶面35的长边方向的第二端侧(侧面34一侧)主要形成有构成带通滤波器BPF1的电极图案。由此，从层叠方向观察时，构成低通滤波器LPF1的电极图案不与构成带通滤波器BPF1的电极图案重叠。因此，低通滤波器LPF1与带通滤波器BPF1的电磁耦合得以抑制。其结果，能提高分配合成器20的隔离特性。
此外，在层叠方向的第一端侧(顶面35一侧)主要形成有构成电感器的线状电极图案。在层叠方向的第二端侧(底面36一侧)主要形成有构成电容器的平板状电极图案。由此，能抑制在线状电极图案周围产生的磁场受到平板状电极图案的干扰。因此，能提高分配合成器20的Q值。
此外，在最上层以及最下层附近的绝缘层形成有接地电极25，以从层叠方向夹住各电极图案。接地电极25是大致平板状的电极图案，与外部接地电极24a～24c相连。关于配置接地电极25的效果将在下文阐述。
图5(A)是表示高频模块元器件10的主要部分的平面剖视图。分配合成器20与屏蔽壳12靠近配置。分配合成器20的侧面31～34中，侧面33最靠近屏蔽壳12的侧面并与其相对。分配合成器20的侧面33与屏蔽壳12的侧面隔开距离L。分配合成器20的侧面33与屏蔽壳12的侧面之间未配置其它元器件。使分配合成器20的底面36(参照图3)与基板11相抵接，从而将分配合成器20安装到基板11。
分配合成器20也可以如图5(B)那样配置。图5(B)是表示高频模块元器件40的主要部分的平面剖视图。分配合成器20的侧面31～34中，侧面34最靠近屏蔽壳12的侧面并与其相对。其它结构与高频模块元器件10相同。
接着，对作为比较例的高频模块元器件50、51进行说明。图6(A)是表示高频模块元器件50的主要部分的平面剖视图。图6(B)是表示高频模块元器件51的主要部分的平面剖视图。
高频模块元器件50中，分配合成器20的侧面31～34中，侧面32最靠近屏蔽壳12的侧面并与其相对。其它结构与高频模块元器件10相同。
高频模块元器件51中，分配合成器20的侧面31～34中，侧面31最靠近屏蔽壳12的侧面并与其相对。其它结构与高频模块元器件10相同。
图7是表示高频模块元器件50的分配合成器20的反射特性的图。图7(A)是表示低频带用输入输出端子P2的反射特性的图。图7(B)是表示高频带用输入输出端子P3的反射特性的图。图7(C)是表示公共输入输出端子P1的反射特性的图。另外，高频模块元器件50的评价频率为500MHz～10GHz。
这里，实线表示不需要考虑屏蔽壳12对滤波特性的影响时(没有屏蔽壳的情况，或者分配合成器20距离屏蔽壳12足够远的情况)的特性。单点划线表示距离L(参照图6)为200μm时的特性。虚线表示距离L为100μm时的特性。点线表示距离L为50μm时的特性。另外，图7(A)中，由于单点划线与实线基本一致，因此将其省略。
分配合成器20与屏蔽壳12越接近，各端子的反射特性与没有屏蔽壳12的情况偏离越多。具体而言，在5GHz附近，图7(B)所示的高频带用输入输出端子P3的反射特性显著变差。即，在屏蔽壳12与层叠体30的侧面32相对的情况下，屏蔽壳12会对分配合成器20的滤波特性造成较大影响。
图8是表示高频模块元器件51的分配合成器20的反射特性的图。图8(A)是表示低频带用输入输出端子P2的反射特性的图。图8(B)是表示高频带用输入输出端子P3的反射特性的图。图8(C)是表示公共输入输出端子P1的反射特性的图。另外，图8(A)中，由于单点划线以及虚线与实线基本一致，因此将其省略。图8所涉及的其它方面与图7的情况同样。
如图8(A)所示，低频带用输入输出端子P2的反射特性几乎不受屏蔽壳12的影响。然而，如图8(B)、图8(C)所示，分配合成器20与屏蔽壳12越接近，高频带用输入输出端子P3以及公共输入输出端子P1的反射特性与没有屏蔽壳12的情况偏离越多。具体而言，在5GHz附近，图8(B)所示的高频带用输入输出端子P3的反射特性显著变差。即，在屏蔽壳12与层叠体30的侧面31相对的情况下，屏蔽壳12也会对分配合成器20的滤波特性造成较大影响。
然而，在高频模块元器件51中，与高频模块元器件50的情况相比，使分配合成器20靠近屏蔽壳12时的反射特性的变化较小。即，若与高频模块元器件50的反射特性进行比较，则高频模块元器件51的反射特性受屏蔽壳12的影响较小。
图9是表示图5(A)所示的高频模块元器件10的分配合成器20的反射特性的图。图9(A)是表示低频带用输入输出端子P2的反射特性的图。图9(B)是表示高频带用输入输出端子P3的反射特性的图。图9(C)是表示公共输入输出端子P1的反射特性的图。另外，图9(A)中，由于单点划线以及虚线与实线基本一致，因此将其省略。另外，图9(B)、图9(C)中，由于单点划线、虚线以及点线与实线基本一致，因此将其省略。图9所涉及的其它方面与图7的情况同样。
分配合成器20与屏蔽壳12越接近，各端子的反射特性与没有屏蔽壳12的情况相比，几乎没有变化。即，在屏蔽壳12与层叠体30的侧面33相对的情况下，分配合成器20的滤波特性几乎不受屏蔽壳12的影响。
图10是表示图5(B)所示的高频模块元器件40的分配合成器20的反射特性的图。图10(A)是表示低频带用输入输出端子P2的反射特性的图。图10(B)是表示高频带用输入输出端子P3的反射特性的图。图10(C)是表示公共输入输出端子P1的反射特性的图。另外，图10(A)中，由于单点划线、虚线以及点线与实线基本一致，因此将其省略。图10(B)、图10(C)中，由于虚线与点线基本一致，因此将其省略。图10所涉及的其它方面与图7的情况同样。
如图10(A)、图10(C)所示，低频带用输入输出端子P2以及公共输入输出端子P1的反射特性几乎不受屏蔽壳12的影响。此外，如图10(B)所示，若将分配合成器20与屏蔽壳12靠近，则高频带用输入输出端子P3的反射特性在5GHz附近与没有屏蔽壳12的情况相比稍有变化。然而，由于该变化是2dB～4dB范围内的变化，因此与图8(B)的情况相比较小。即，在屏蔽壳12与层叠体30的侧面34相对的情况下，分配合成器20的滤波特性不太会受屏蔽壳12的影响。
图11是表示向高频带用输入输出端子P3输入5GHz的高频信号时的反射特性的绝对值的图。
在高频模块元器件50、51的情况下，若使分配合成器20靠近屏蔽壳12，则高频带用输入输出端子P3的反射特性会变差。在高频模块元器件10的情况下，即使将分配合成器20靠近屏蔽壳12，高频带用输入输出端子P3的反射特性也几乎不会变差。
在高频模块元器件40的情况下，当距离L为200μm时，高频带用输入输出端子P3的反射特性几乎不会变差。若使分配合成器20进一步靠近屏蔽壳12，则高频带用输入输出端子P3的反射特性与高频模块元器件10的情况相比变差，但并不会像高频模块元器件50、51的情况那样变差。
图12(A)是用于对分配合成器20与屏蔽壳12之间产生的寄生电容进行说明的示意图。图12(B)是用于对分配合成器20与屏蔽壳12之间产生的寄生电容进行说明的等效电路图。
如图12(A)所示，若使公共输入输出电极21靠近屏蔽壳12，则会在公共输入输出电极21与屏蔽壳12之间产生寄生电容C1。由于屏蔽壳12接地，因此如图10(B)所示，在公共输入输出端子P1与接地之间形成了寄生电容C1。因此，如图8、图11所示，若使公共输入输出电极21靠近屏蔽壳12，则分配合成器20的滤波特性会变差。
对于使低频带用输入输出电极22以及高频带用输入输出电极23靠近屏蔽壳12的情况也是同样，在屏蔽壳12与低频带用输入输出电极22以及高频带用输入输出电极23之间产生寄生电容。因此，如图7、图11所示，分配合成器20的滤波特性会变差。
另一方面，在使层叠体30的侧面33、34与屏蔽壳12的侧面靠近并相对的情况下，公共输入输出电极21、低频带用输入输出电极22以及高频带用输入输出电极23不会与屏蔽壳12靠近并相对。因此，公共输入输出电极21、低频带用输入输出电极22以及高频带用输入输出电极23与屏蔽壳12之间不容易产生寄生电容。其结果，如图9～图11所示，在使分配合成器20与屏蔽壳12接近时，分配合成器20的滤波特性几乎没有变差。
图13是用于对分配合成器20与屏蔽壳12之间产生的寄生电容进行说明的示意图。在使层叠体30的侧面33与屏蔽壳12的侧面靠近并相对的情况下，如上所述，不容易在公共输入输出电极21等外部电极与屏蔽壳12之间产生寄生电容。然而，该情况下，也如图13所示，在形成于层叠体30内部的电极图案26(构成低通滤波器LPF1的电极图案)与屏蔽壳12之间产生寄生电容C2。
如图4所示，在层叠体30的侧面33一侧主要形成有构成低通滤波器LPF1的电极图案。因此，在构成低通滤波器LPF1的电极图案与屏蔽壳12之间产生寄生电容C2。其结果，在低通滤波器LPF1内形成了接地的寄生电容。
同样，在层叠体30的侧面34与屏蔽壳12的侧面靠近且相对的情况下，在带通滤波器BPF1内形成了接地的寄生电容。
这里，将低通滤波器LPF1设计成使低频带的高频信号通过。带通滤波器BPF1设计成使高频带的高频信号通过。因此，构成低通滤波器LPF1的电容器和电感器的元件值比构成带通滤波器BPF1的电容器和电感值的元件值大。因此，即使在相同的寄生电容下，带通滤波器BPF1与低通滤波器LPF1相比受到的影响更大。
因此，在使层叠体30的侧面34与屏蔽壳12的侧面靠近并相对的情况下，与层叠体30的侧面33相对的情况相比，分配合成器20的滤波特性变差。即，如图9～图11所示，高频模块元器件40的滤波特性与高频模块元器件10的滤波特性相比有所变差。
图14是表示输入有5GHz的高频信号的情况下，有无接地电极25时的低通滤波器LPF1中的二次谐波(10GHz)的衰减量的绝对值的图。这里，如图5(B)所示，层叠体30的侧面34与屏蔽壳12的侧面靠近并相对。
在未形成图4所示的接地电极25的情况下，分配合成器20与屏蔽壳12越接近，由低通滤波器LPF1去除的二次谐波越少。即，分配合成器20与屏蔽壳12越接近，低通滤波器LPF1的滤波特性越差。
另一方面，在形成有接地电极25的情况下，即使将分配合成器20靠近屏蔽壳12，由低通滤波器LPF1去除的二次谐波也不太会减少。即，即使将分配合成器20靠近屏蔽壳12，低通滤波器LPF1的滤波特性也不太会变差。
图15是表示与图14的情况同样地输入有5GHz的高频信号的情况下，有无接地电极25时的高频带用输入输出端子P3的反射特性的绝对值的图。图15所涉及的其它方面与图14的情况同样。在未形成接地电极25的情况下，分配合成器20与屏蔽壳12越接近，高频带用输入输出端子P3的反射特性越差。另一方面，在形成有接地电极25的情况下，即使将分配合成器20靠近屏蔽壳12，高频带用输入输出端子P3的反射特性也不太会变差。
通过如上述那样在层叠体30的顶面35一侧形成接地电极25，从而能抑制分配合成器20内的电极图案与屏蔽壳12之间形成寄生电容。此外，通过在层叠体30的底面36一侧形成接地电极25，从而能抑制分配合成器20内的电极图案与形成在基板11上的接地电极之间形成寄生电容。因此，与未形成接地电极25的情况相比，能抑制分配合成器20的滤波特性的劣化。
《实施方式2》
对本发明的实施方式2所涉及的高频模块元器件60进行说明。图16(A)是表示高频模块元器件60的主要部分的平面剖视图。分配合成器20配置在基板11的角部(角落)，使得层叠体30的侧面31、33沿着基板11的边缘。屏蔽壳12的侧面沿着基板11的边缘配置，俯视时在基板11的角部弯曲成直角。
层叠体30的侧面33最靠近屏蔽壳12的侧面并与其相对。其次，层叠体30的侧面31与屏蔽壳12的侧面靠近并相对。侧面31、33与屏蔽壳12的侧面之间未配置其它元器件。
其他结构与实施方式1相同。
分配合成器20也可以如高频模块元器件70那样配置。图16(B)是表示高频模块元器件70的主要部分的平面剖视图。分配合成器20配置在基板11的角部，使得层叠体30的侧面31、34沿着基板11的边缘。层叠体30的侧面34最靠近屏蔽壳12的侧面并与其相对。其次，层叠体30的侧面31与屏蔽壳12的侧面靠近并相对。侧面31、34与屏蔽壳12的侧面之间未配置其它元器件。其它结构与高频模块元器件60相同。
实施方式2中，公共输入输出电极21与屏蔽壳12靠近并相对。因此，在公共输入输出电极21与屏蔽壳12之间产生寄生电容。然而，在如图7、图8、图11所示侧面31与屏蔽壳12相对的情况下，与侧面32和屏蔽壳12相对的情况相比，分配合成器20的滤波特性没有变差。此外，从侧面31到屏蔽壳12的距离比从侧面33或34到屏蔽壳12的距离长。因此，在实施方式2中也能抑制屏蔽壳12使分配合成器20的滤波特性变差。
此外，也同样能获得实施方式1的其它效果。
此外，如图11所示，在侧面31与屏蔽壳12的侧面隔开200μm以上并相对的情况下，分配合成器20受到屏蔽壳12的影响变小。因此，在高频模块元器件60、70中，优选侧面31与屏蔽壳12的侧面隔开200μm以上而相对。
在角部形成有天线端(未图示)的情况下，由于公共输入输出电极21配置在基板11的角部，因此容易将公共输入输出电极21与连接至天线的外部输出电极15a(参照图1)之间的距离设计得较短。由此，能缩短连接在公共输入输出电极21与外部输出电极15a之间的布线图案，因此能减少该布线图案中的传输损耗。
此外，能设计一种利用在公共输入输出电极21与屏蔽壳12之间产生的寄生电容来使天线(参照图1)侧与高频模块元器件60、70一侧相匹配的匹配电路。
《实施方式3》
对本发明的实施方式3所涉及的高频模块元器件80进行说明。图17是表示高频模块元器件80的主要部分的侧面剖视图。利用树脂15将由基板11和屏蔽壳12形成的中空部填满。即，树脂15覆盖基板11的表面，屏蔽壳12覆盖树脂15的表面。此外，可以在树脂15的表面涂布导电糊料，形成屏蔽壳12，或者也可以在树脂15的内部形成使用了导电糊料的屏蔽壳12。
静电电容与填充在相对电极之间的电介质的介电常数成正比。此外，树脂的介电常数比空气高。因此，在分配合成器20与屏蔽壳12之间填充有树脂的情况下，在屏蔽壳12与分配合成器20的各电极之间产生的寄生电容变大。若采用实施方式3，则与实施方式1同样，能抑制寄生电容的形成，因此本发明的效果显著。
另外，能获得与实施方式1相同的效果。
标号说明
BPF1带通滤波器(高频带用滤波器电路)
C1、C2寄生电容
LPF1低通滤波器(低频带用滤波器电路)
P1公共输入输出端子
P2低频带用输入输出端子
P3高频带用输入输出端子
10、40、50、51、60、70、80高频模块元器件
11基板
12屏蔽壳
13RFIC
14高频元器件
15树脂
15a、15b外部输出电极
20分配合成器
21公共输入输出电极
22低频带用输入输出电极
23高频带用输入输出电极
24a、24b、24c外部接地电极
25接地电极
26电极图案
30层叠体
31侧面(第一侧面)
32侧面(第二侧面)
33侧面(第三侧面)
34侧面(第四侧面)
35顶面
36底面
121侧面部
122底面部

Claims (6)

1.一种高频模块元器件，其特征在于，包括：
分配合成器，该分配合成器具有由多个绝缘层和电极图案层叠而成且具备第一到第四侧面的层叠体，在底面形成有公共输入输出电极、独立输入输出电极以及外部接地电极；以及
屏蔽壳，该屏蔽壳的内部配置有所述分配合成器，
所述第一侧面与所述第二侧面相对，
所述公共输入输出电极配置在所述底面中所述第一侧面侧的边缘，
所述独立输入输出电极配置在所述底面中所述第二侧面侧的边缘，
所述第三侧面或所述第四侧面最靠近所述屏蔽壳的侧面并与所述屏蔽壳的侧面相对。
2.如权利要求1所述的高频模块元器件，其特征在于，
所述独立输入输出电极具有低频带用输入输出电极以及高频带用输入输出电极，
所述低频带用输入输出电极配置在所述第三侧面侧，
所述高频带用输入输出电极配置在所述第四侧面侧，
所述分配合成器具有形成在所述层叠体内部的低频带用滤波器电路和高频带用滤波器电路，
所述低频带用滤波器电路配置在所述第三侧面侧，连接在所述公共输入输出电极和所述低频带用输入输出电极之间，
所述高频带用滤波器电路配置在所述第四侧面侧，连接在所述公共输入输出电极和所述高频带用输入输出电极之间，
所述第三侧面最靠近所述屏蔽壳的侧面并与所述屏蔽壳的侧面相对。
3.如权利要求1或2所述的高频模块元器件，其特征在于，
包括安装有所述分配合成器的矩形平板状的基板，
所述屏蔽壳的侧面沿着所述基板的边缘配置，
所述分配合成器配置在所述基板的四个角部的任一个角部，
所述第一侧面与所述第二侧面相比更靠近所述屏蔽壳的侧面并与所述屏蔽壳的侧面相对。
4.如权利要求1至3的任一项所述的高频模块元器件，其特征在于，
所述公共输入输出电极从所述底面延伸到所述第一侧面，所述外部接地电极从所述底面延伸到所述第一侧面到第四侧面中的任一个侧面。
5.如权利要求3或4所述的高频模块元器件，其特征在于，
所述第一侧面与所述屏蔽壳的侧面隔开200μm以上并相对。
6.如权利要求1至5的任一项所述的高频模块元器件，其特征在于，
包括填充在所述分配合成器与所述屏蔽壳之间的树脂，
所述屏蔽壳由金属构成。
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