JP2005142689A

JP2005142689A - 高周波部品

Info

Publication number: JP2005142689A
Application number: JP2003375067A
Authority: JP
Inventors: Shigeru Kenmochi; 茂釼持; Mitsuhiro Watanabe; 光弘渡辺
Original assignee: Hitachi Metals Ltd
Current assignee: Proterial Ltd
Priority date: 2003-11-05
Filing date: 2003-11-05
Publication date: 2005-06-02

Abstract

【課題】限られたスペース内で干渉を極力防ぎ、電気的特性の劣化を低減するローパスフィルタを備えた高周波部品を提供することを目的とする。
【解決手段】第１のインダクタンス素子と第１のキャパシタンス素子からなる並列共振回路と、前記並列共振回路の一端とアースとの間に、第２のインダクタンス素子と第２のキャパシタンス素子からなる直列共振回路を接続したローパスフィルタを備え、前記第１及び第２のインダクタンス素子を電極パターンと誘電体層との積層体にライン電極として形成し、第１のインダクタンス素子を形成するライン電極と、第２のインダクタンス素子を形成するライン電極とが、積層方向に重なり合わない構成とした。
【選択図】図１

Description

本発明は携帯電話などの高周波回路において、不要な高周波信号を減衰させるフィルタや分波器、前記フィルタや分波器を備えた高周波スイッチなどの高周波部品に関する。

世界の携帯電話には種々のアクセス方式があり、またそれぞれの地域において複数のアクセス方式が混在している。たとえば、現在主流となっているアクセス方式の一つとしてＴＤＭＡ（ＴｉｍｅＤｉｖｉｓｉｏｎＭｕｌｔｉｐｌｅＡｃｃｅｓｓ、時分割多元接続）方式がある。このＴＤＭＡ方式を採用している主な通信方式として、日本のＰＤＣ（ＰｅｒｓｏｎａｌＤｉｇｉｔａｌＣｅｌｌｕｌａｒ）、欧州を中心としたＧＳＭ（ＧｌｏｂａｌＳｙｓｔｅｍｆｏｒＭｏｂｉｌｅＣｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ）やＤＣＳ１８００（ＤｉｇｉｔａｌＣｅｌｌｕｌａｒＳｙｓｔｅｍ１８００）、米国を中心としたＰＣＳ（ＰｅｒｓｏｎａｌＣｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓＳｅｒｖｉｃｅ）などがある。

他のアクセス方式として、近年米国、韓国や日本で普及しているアクセス方式にＣＤＭＡ（ＣｏｄｅＤｉｖｉｓｉｏｎＭｕｌｔｉｐｌｅＡｃｃｅｓｓ、符号分割多元接続）方式がある。代表的な規格として米国を中心としたＩＳ−９５（ＩｎｔｅｒｉｍＳｔａｎｄａｒｄ−９５）があり、ＰＣＳ（ＰｅｒｓｏｎａｌＣｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓＳｅｒｖｉｃｅ）の周波数帯域でもサービスされている。また、高速度のデータ伝送を実現し得る第３世代通信方式のＷ−ＣＤＭＡ（Ｗｉｄｅ−ｂａｎｄＣＤＭＡ）も実用化され、このように世界各国で様々な通信方式が利用されている。なお、ＤＣＳ１８００はＧＳＭ１８００、ＰＣＳはＧＳＭ１９００と呼ばれる場合もある。

従来の携帯電話では、一つの通信方式、例えばＧＳＭ用の携帯電話として設計され、使用されていた。しかし、近年の利用者数の増大、及び使用者の利便性から、複数の通信方式やアクセス方式が利用可能なデュアルバンドやトリプルバンド携帯電話が提案され、さらにクアトロバンド携帯電話の要求もある。このようなマルチバンド携帯電話の高周波回路部においては、単純には通信方式毎に高周波部品が必要となるが、異なる通信方式での高周波部品の共通化が進められ、マルチバンド携帯電話の小型化を実現している。その一例として異なる通信方式で高周波部品の共通化した高周波スイッチ回路がある。特許文献１には、分波回路、フィルタ回路とスイッチ回路を用いて構成される高周波スイッチモジュールが開示されている。

図１３は、ＤＣＳ１８００、ＰＣＳの送受信回路と、分波回路との接続を扱うスイッチ回路部分の回路ブロックである。このスイッチ回路の送信信号の経路にはローパスフィルタが配置されている。前記高周波スイッチの送信側にはパワーアンプが接続される。そして、このパワーアンプから送信周波数の信号（基本波）だけではなく、２倍波、３倍波などの高調波が高周波スイッチへ漏れてくる。このため、これら高調波を減衰させるように前記ローパスフィルタが配置される。

特許文献２には送信信号のｎ倍波を選択的に減衰させるローパスフィルタを有する高周波スイッチが開示されている。図１４は、その等価回路である。このローパスフィルタは、インダクタンス素子とキャパシタンス素子とのＬＣ回路で構成されており、電極パターンと誘電体層から構成される積層体内の電極パターンによって形成されている。
前記ローパスフィルタは2つのシャントコンデンサ（キャパシタンス素子）を有し、このシャントコンデンサのいずれか一方に電気的に直列に伝送線路（インダクタンス素子）を接続し、シャントコンデンサと伝送線路との直列共振回路の直列共振周波数を送信信号のｎ倍波と略等しい周波数とするものである。

特開２００２−６４３０１号特開２００１−２９２０７５号

このような高周波部品を前記マルチバンド携帯電話等の高周波回路部に用いようとするとき、幾つかの問題点がある。
携帯電話の小型化、軽量化、あるいは多機能化にともない、高周波部品を構成する積層体が小型化するとともに、積層体内におけるインダクタンス素子、キャパシタンス素子等の集積度も上がっている。このため、ローパスフィルタのインダクタンス素子、キャパシタンス素子を構成する個々の電極パターンを形成するに十分なスペースを確保するのが困難な場合があり、電極パターン間で干渉を生じ、電気的特性を劣化させる場合があった。
そこで本発明は、誘電体層上にローパスフィルタを構成する電極パターンの配置形態に着目し、限られたスペース内で干渉を極力防ぎ、電気的特性の劣化を低減するローパスフィルタを備えた高周波部品を提供することを目的とする。

本発明は、第１のインダクタンス素子と第１のキャパシタンス素子からなる並列共振回路と、前記並列共振回路の一端とアースとの間に、第２のインダクタンス素子と第２のキャパシタンス素子からなる直列共振回路を接続したローパスフィルタを備えた高周波部品であって、
前記第１及び第２のインダクタンス素子は電極パターンと誘電体層との積層体にライン電極として形成され、第１のインダクタンス素子を形成するライン電極と、第２のインダクタンス素子を形成するライン電極とが、積層方向に重なり合わない高周波部品である。

本発明は、第２のインダクタンス素子と第２のキャパシタンス素子からなる直列共振回路と、前記第２のインダクタンス素子と前記第２のキャパシタンス素子の間に一端が接続された第１のキャパシタンス素子と、前記第２のインダクタンス素子の前記第２のキャパシタンス素子と接続されていない一端側に接続された第１のインダクタンス素子と，前記第１のキャパシタンス素子と前記第１のインダクタンス素子の前記第２のインダクタンス素子と接続されていない一端同士が接続された並列共振回路からなるローパスフィルタを備えた高周波部品であって、前記第１及び第２のインダクタンス素子は電極パターンと誘電体層との積層体にライン電極として形成され、第１のインダクタンス素子を形成するライン電極と、第２のインダクタンス素子を形成するライン電極とが、積層方向に重なり合わない高周波部品である。

本発明においては、前記第１及び第２のキャパシタンス素子を電極パターンと誘電体層との積層体に形成し、前記第１のキャパシタンス素子を構成する電極パターンと前記第２のインダクタンス素子を形成するライン電極とを、積層方向に重なり合わないようにするいのが好ましい。
また、前記第２のキャパシタンス素子を構成する電極パターンと前記第１のインダクタンス素子を形成するライン電極とを、積層方向に重なり合わないように構成するのも好ましい。

前記積層体にスイッチング素子を実装し、前記スイッチング素子と前記積層体に形成されたビアホールを介して前記第１のインダクタンス素子、あるいは前記第１のインダクタンス素子と前記第２のインダクタンス素子を構成するライン電極と接続しても良い。

本発明によれば、限られたスペース内に配置されるローパスフィルタを構成する電極パターン間の干渉を極力防ぎ、電気的特性の劣化を低減するローパスフィルタを備えた高周波部品を提供することができる。

本発明に係る高周波部品の一実施例として、図１にローパスフィルタの等価回路を示す。
このローパスフィルタ１２０は、インダクタンス素子として伝送線路ｌｄ２、ｌｄ３、キャパシタンス素子としてコンデンサｃｄ２、ｃｄ３、ｃｄ４を主要素子とし、伝送線路ｌｄ３とコンデンサｃｄ４からなる並列共振回路と、その一端側とアースとの間に、伝送線路ｌｄ２とコンデンサｃｄ２からなる直列共振回路が接続され、前記並列共振回路の他端にシャントコンデンサｃｄ３が接続されている。
図２に別のローパスフィルタの等価回路を示す。
このローパスフィルタ１２０は、インダクタンス素子として伝送線路ｌｄ２、ｌｄ３、キャパシタンス素子としてコンデンサｃｄ２、ｃｄ３、ｃｄ４を主要素子とし、伝送線路ｌｄ２とコンデンサｃｄ２からなる直列共振回路と、その間に一端が接続されたコンデンサｃｄ４と伝送線路ｌｄ２のコンデンサｃｄ２と接続されていない一端で接続された伝送線路ｌｄ３とコンデンサｃｄ４と伝送線路ｌｄ３の伝送線路ｌｄ２と接続されていない一端同士が接続された並列共振回路と、伝送線路ｌｄ３とコンデンサｃｄ４の接続点に接続されたシャントコンデンサｃｄ３から構成されている。
本発明の最も特徴的なところは、並列共振回路、直列共振回路を構成する伝送線路を電極パターンと誘電体層との積層体にライン電極として形成し、さらに第１のインダクタンス素子を形成するライン電極と、第２のインダクタンス素子を形成するライン電極とを、積層方向に重なり合わない様に、積層体に配置する点である。図１１（ａ）は後述する実施例におけるローパスフィルタの積層体中の構成を示し、電極パターンの積層方向透視図である。並列共振回路を構成する伝送線路Ｌｄ３、直列共振回路を構成する伝送線路Ｌｄ２は巻回されたライン電極で形成され、それぞれ異なる誘電体層に設けられ、一端がビアホールを介して電気的に接続されている。伝送線路Ｌｄ３、伝送線路Ｌｄ２を構成するライン電極は積層体を透過視すると、接続部を除き重なりを有さない配置となっている。また、並列共振回路のコンデンサｃｄ４を構成する電極パターンは、直列共振回路の伝送線路ｌｄ２と重ならないように配置されている。このように構成することで、電極パターン間の干渉を防いでいる。なお本発明の高周波部品では、ローパスフィルタの回路構成は、並列共振回路と直列共振回路を同時に有する回路の積層構造に適応可能である。

高周波部品の他の例として、高周波スイッチと前記ローパスフィルタを複合した高周波部品を示す。図３はスイッチング素子、インダクタンス素子及びキャパシタンス素子を有する第１のスイッチ部１００とローパスフィルタ１２０を有する高周波部品である。
なお、以降の説明においては、第１の送受信方式としてＤＣＳ１８００、第２の送受信方式としてＰＣＳ、第３の送受信方式としてＧＳＭを適用して説明するが、本発明は、これに限定されるものではない。
第１のスイッチ部１００は、アンテナ側回路ＡＮＴに接続する第１のポート１００ａと、前記ローパスフィルタ１２０に接続する第２のポート１００ｂと、第１の送受信方式（ＤＣＳ１８００）の受信回路ＲＸと接続する第３のポート１００ｃを備えている。ローパスフィルタ１２０は前記第１のスイッチ部１００と接続する第１のポート１２０ａと、ＤＣＳ１８００の送信回路ＴＸ１接続する第２のポート１２０ｂを備えている。前記第１のスイッチ部１００のスイッチング素子により、第１のポート１００ａ、第２のポート１００ｂ、第３のポート１００ｃとの間の接続を切り替える。そして、ローパスフィルタ１２０と第１のスイッチ部１００とをひとつの積層体に構成するものである。
この高周波部品においても前記ローパスフィルタの並列共振回路、直列共振回路を構成する伝送線路を電極パターンと誘電体層との積層体にライン電極として形成し、さらに第１のインダクタンス素子を形成するライン電極と、第２のインダクタンス素子を形成するライン電極とを、積層方向に重なり合わない様に、積層体に配置し、電極パターン間の干渉を防いでいる。

図４は高周波スイッチ、分波器とローパスフィルタを複合して高周波部品とした一例を示すブロック図である。
分波器３００は、アンテナ側回路ＡＮＴに接続する第１のポート３００ａと、第１のスイッチ部１００に接続する第３のポート３００ｃと、第３のスイッチ部１１０と接続する第２のポート３００ｂを備えている。分波回路３００は、ローパスフィルタ、バンドパスフィルタ、ノッチフィルタを適宜組み合わせて、少なくとも二つのフィルタの一端同士を接続してなり、接続された側のポートに入力する複数の通信方式の高周波信号を、フィルタの通過帯域の差により、異なるポートに出力させる機能を有する。図４に示した回路ブロックにおける分波回路３００は、ローパスフィルタとハイパスフィルタとで構成される。第１のポート３００ａに入力する第１乃至第３の送受信方式の高周波信号は、ローパスフィルタによって第３の送受信方式（ＧＳＭ）の高周波信号が第２のポート３００ｂに、ハイパスフィルタによって、第１、第２の送受信方式（ＤＣＳ１８００、ＰＣＳ）の高周波信号が第３のポート３００ｃに現れるように分波される。また、第２、第３のポート３００ｂ、３００ｃに入力される第１〜第３の送受信方式の高周波信号は、前記ローパスフィルタやハイパスフィルタを介して、第１のポート３００ａに現れる。

本高周波部品では、スイッチング素子を主構成とする第１〜第３のスイッチ部１００，１０５，１１０を備えている。第１のスイッチ部１００は、分波器の第３のポート３００ｃに接続する第１のポート１００ａと、ＤＣＳ１８００及びＰＣＳで共通の前記ローパスフィルタ１２０に接続する第２のポート１００ｂと、前記第２のスイッチ部１０５と接続する第３のポート１００ｃを備えている。ローパスフィルタ１２０は前記第１のスイッチ部１００と接続する第１のポート１２０ａと、ＤＣＳ１８００及びＰＣＳの共通の送信回路ＴＸ１，２と接続する第２のポート１２０ｂを備えている。また、第２のスイッチ部１０５は、第１のスイッチ部１００と接続する第１のポート１０５ａと、ＤＣＳ１８００の受信回路ＲＸ１と接続する第２のポート１０５ｂと、ＰＣＳの受信回路ＲＸ２に接続する第３のポート１０５ｃとを備えている。第３の第１のスイッチ部１１０は、分波器の第２のポート３００ｂに接続する第１のポート１１０ａと、ローパスフィルタ１２５に接続する第２のポート１１０ｂと、ＧＳＭの受信回路ＲＸ３に接続する第３のポート１１０ｃを備えている。ローパスフィルタ１２５は前記第３のスイッチ部１１０と接続する第１のポート１２５ａと、ＧＳＭの送信回路ＴＸ３と接続する第２のポート１２５ｂを備えている。
この高周波部品においても前記ローパスフィルタの並列共振回路、直列共振回路を構成する伝送線路を電極パターンと誘電体層との積層体にライン電極として形成し、さらに第１のインダクタンス素子を形成するライン電極と、第２のインダクタンス素子を形成するライン電極とを、積層方向に重なり合わない様に、積層体に配置し、電極パターン間の干渉を防いでいる。

第１乃至第３のスイッチ部に用いる高周波スイッチの一例を図５〜図７に示す。図５（ａ）（ｂ）及び図６は、スイッチング素子としてダイオードを用いたものであり、他にインダクタンス素子、キャパシタンス素子を用いて構成されたＳＰＤＴ、あるいはＳＰ３Ｔの高周波スイッチである。図７はスイッチング素子として電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）を用いた高周波スイッチである。なお本発明の高周波部品では、高周波スイッチの構成は特に限定されるものではない。

前記積層体は、例えば１０００℃以下で低温焼結が可能なセラミック誘電体材料からなり、厚さが１０μｍ〜２００μｍのグリーンシートに、低抵抗率のＡｇやＣｕ等の導伝ペーストを印刷してインダクタンス素子やキャパシタンス素子を構成する所定の電極パターンを形成し、複数のグリーンシートを適宜一体的に積層し、焼結することにより製造することが出来る。
前記誘電体材料としては、例えばＡｌ、Ｓｉ、Ｓｒを主成分として、Ｔｉ、Ｂｉ、Ｃｕ，Ｍｎ，Ｎａ、Ｋを副成分とする材料や、Ａｌ、Ｓｉ，Ｓｒを主成分として、Ｃａ，Ｐｂ，Ｎａ，Ｋを複成分とする材料や、Ａｌ，Ｍｇ，Ｓｉ，Ｇｄを含む材料や、Ａｌ，Ｓｉ、Ｚｒ，Ｍｇ含む材料が用いられ、誘電率は５〜１５程度の材料を用いる。なお、セラミック誘電体材料の他に、樹脂積層基板や、樹脂とセラミック誘電体粉末を混合してなる複合材料を用いてなる積層基板を用いることも可能である。また、前記積層体をＨＴＣＣ（高温同時焼成セラミック）技術を用いて、誘電体材料をＡｌ_２Ｏ_３を主体とするものとし、伝送線路等をタングステンやモリブデン等の高温で焼結可能な金属導体として構成しても良い。また、樹脂とセラミック粉末を混合あるいは複合した絶縁体を多層化した物でも構成できる。

図４に示す回路ブロックの高周波部品の一構成例を説明する。図８は本実施例に係る高周波部品の等価回路であり、図９はその外観斜視図であり、図１０は積層体の各層の構成を示す展開図である。
図８の等価回路に示すように、本実施例の高周波部品では第１〜第３のスイッチ部１００、１０５、１１０のスイッチング素子として、インダクタンス素子とピンダイオードを用いたダイオードスイッチを採用している。また、分波器３００、ローパスフィルタ１２０、１２５はインダクタンス素子とキャパシタンス素子とで構成されている。図８に示すようにスイッチング素子は積層体に実装され、インダクタンス素子やキャパシタンス素子は前記積層体に電極パターンで構成され、一部の素子がチップ部品としてダイオードとともに積層体に実装される。

この積層体の内部構造について図１０をもとに積層順に説明する。
まず下層のグリーンシート１４には、広がりを有する導体層で形成されたグランド電極Ｇが形成されている。またその裏面側には、回路基板に実装するための端子電極が形成されている。誘電体層１４の上には誘電体層１１〜１３が積層される。この誘電体層１１〜１３には、第１〜第３のスイッチ部１００，１０５，１１０を構成する伝送線路がライン電極として形成され、ビアホール電極（図中黒丸で表示）により接続されている。
誘電体層１１の上には広がりを有する導体層で形成されたグランド電極Ｇが形成された誘電体層１０が積層され、第１〜第３のスイッチ部１００，１０５，１１０を構成するライン電極をグランド電極Ｇで挟むようにし、分波器３００やローパスフィルタ１２０，１２５を構成する電極パターンとの干渉を防いでいる。
誘電体層６〜９には、分波器３００やローパスフィルタ１２０，１２５のキャパシタンス素子を構成する電極パターンとグランド電極Ｇが形成され、誘電体層３〜５には分波器３００やローパスフィルタ１２０，１２５の伝送線路（インダクタンス素子）を構成する電極パターン（ライン電極）が形成されている。誘電体層２には、誘電体層１に形成されたチップ部品実装のためのランド電極と、前記伝送線路等との接続線路パターンが形成されている。前記インダクタンス素子を形成するライン電極は、スパイラル状、コイル状、ミアンダ状の線路で構成される。

図１１（ａ）は実施例におけるローパスフィルタ１２０の積層体中の構成を示し、並列共振回路を構成する伝送線路Ｌｄ３、直列共振回路を構成する伝送線路Ｌｄ２は巻回されたライン電極で形成され、それぞれ異なる誘電体層に設けられ、一端がビアホールを介して電気的に接続されている。伝送線路Ｌｄ３、伝送線路Ｌｄ２を構成するライン電極は積層体を透過視すると、接続部を除き、重なりを有さない配置となっている。
図１２は、本実施例におけるＤＣＳ１８００／ＰＣＳ送信回路ＴＸ１，ＴＸ２とアンテナ側回路ＡＮＴとの間における減衰量の周波数特性を示す図である。また、図１２には、図１１（ｂ）に示したローパスフィルタ、すなわち伝送線路Ｌｄ３、伝送線路Ｌｄ２を構成するライン電極は積層体を透過視すると、重なりを有する配置を有するように構成されたローパスフィルタ１２０を有し、他の部分は前記実施例とほぼ同一に形成された比較例の高周波部品の特性を併記した。なお、ローパスフィルタの並列共振回路では、およそ３４００ＭＨｚの周波数に、直列共振回路では、およそ３８００ＭＨｚの周波数に減衰極を形成するようにインダクタンス素子、キャパシタンス素子の定数を設定している。
本実施例によれば、ＤＣＳ１８００／ＰＣＳの２倍波の周波数帯域で優れた減衰特性を示していることがわかる。

本発明よれば、積層体という限られたスペース内でローパスフィルタを構成する電極パターン間の干渉を極力防ぎ、電気的特性の劣化を低減するローパスフィルタを備えた高周波部品を得ることが出来る。

本発明の一実施例に係る高周波部品の等価回路図である。本発明の一実施例に係る他の高周波部品の等価回路図である。本発明の一実施例に係る高周波部品の回路ブロック図である。本発明の一実施例に係る高周波部品の他の回路ブロック図である。本発明の高周波部品に用いる高周波スイッチの等価回路図である。本発明の高周波部品に用いる高周波スイッチの他の等価回路図である。本発明の高周波部品に用いる高周波スイッチの他の等価回路図である。本発明の一実施例に係る高周波部品の他の等価回路図である。本発明の一実施例に係る高周波部品の外観斜視図である。本発明の一実施例に係る高周波部品に用いる積層体の分解斜視図である。（ａ）本発明の一実施例に係る高周波部品におけるローパスフィルタの積層体中の構成を示す積層方向透視図であり、（ｂ）比較例でのローパスフィルタの積層体中の構成を示す積層方向透視図である。本発明の一実施例に係る高周波部品の減衰量の周波数特性図である。従来のＤＣＳ１８００、ＰＣＳの送受信回路と、分波回路との接続を扱うスイッチ回路部分の回路ブロック図である。従来のローパスフィルタを備えた高周波スイッチの等価回路である。

Claims

第１のインダクタンス素子と第１のキャパシタンス素子からなる並列共振回路と、前記並列共振回路の一端とアースとの間に、第２のインダクタンス素子と第２のキャパシタンス素子からなる直列共振回路を接続したローパスフィルタを備えた高周波部品であって、
前記第１及び第２のインダクタンス素子は電極パターンと誘電体層との積層体にライン電極として形成され、第１のインダクタンス素子を形成するライン電極と、第２のインダクタンス素子を形成するライン電極とは、積層方向に重なり合わないことを特徴とする高周波部品。
第２のインダクタンス素子と第２のキャパシタンス素子からなる直列共振回路と、前記第２のインダクタンス素子と前記第２のキャパシタンス素子の間に一端が接続された第１のキャパシタンス素子と、前記第２のインダクタンス素子の前記第２のキャパシタンス素子と接続されていない一端側に接続された第１のインダクタンス素子と、前記第１のキャパシタンス素子と前記第１のインダクタンス素子の前記第２のインダクタンス素子と接続されていない一端同士が接続された並列共振回路からなるローパスフィルタを備えた高周波部品であって、
前記第１及び第２のインダクタンス素子は電極パターンと誘電体層との積層体にライン電極として形成され、第１のインダクタンス素子を形成するライン電極と、第２のインダクタンス素子を形成するライン電極とは、積層方向に重なり合わないことを特徴とする高周波部品。
前記第１及び第２のキャパシタンス素子は電極パターンと誘電体層との積層体に形成され、前記第１のキャパシタンス素子を構成する電極パターンと前記第２のインダクタンス素子を形成するライン電極とは、積層方向に重なり合わないことを特徴とする請求項１または２に記載の高周波部品。
前記第２のキャパシタンス素子を構成する電極パターンと前記第１のインダクタンス素子を形成するライン電極とは、積層方向に重なり合わないことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の高周波部品。
前記積層体にスイッチング素子を実装し、前記スイッチング素子と前記積層体に形成されたビアホールを介して前記第１のインダクタンス素子、あるいは前記第１のインダクタンス素子と前記第２のインダクタンス素子を構成するライン電極と接続することを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の高周波部品。