JP2003264443A

JP2003264443A - ノイズフィルタ

Info

Publication number: JP2003264443A
Application number: JP2002061480A
Authority: JP
Inventors: Akihiro Hamano; 明弘浜野; Taku Kawamura; 卓河村; Shigenao Tomabechi; 重尚苫米地; Hideki Matsunaga; 秀樹松永
Original assignee: Sumitomo Metal SMI Electronics Device Inc
Current assignee: Sumitomo Metal SMI Electronics Device Inc
Priority date: 2002-03-07
Filing date: 2002-03-07
Publication date: 2003-09-19

Abstract

(57)【要約】【課題】ノイズフィルタのコスト高を防止して安価で
あり、また、表面実装の制約を受けないノイズフィルタ
を提供する。【解決手段】ノイズフィルタ１０は、導体回路１４、
１４ａからなるインダクタンスＬ１と、樹脂とセラミッ
ク誘電体の混合物からなり、セラミック誘電体の体積含
有率が５０ｖｏｌ％以下であって、誘電率２５以上の誘
電体層１３と導体膜１７、１７ａからなるキャパシタン
スＣ１を有し、インダクタンスＬ１とキャパシタンスＣ
１を構成する主材料がプリント多層基板を構成する材料
からなり、しかも、プリント多層基板の製造方法を用い
て形成されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明が属する技術分野】本発明は、電子通信機器の信
号通過回路、電源回路等において、高周波のノイズフィ
ルタとして用いられる、インダクタンスとキャパシタン
スを有するノイズフィルタに関する。

【０００２】

【従来の技術】近年の電子通信機器（携帯電話、カーナ
ビゲーション、ブルートウース等）の飛躍的な普及と共
に、機器の高周波化、高速化、デジタル化が急速に進ん
でいる。これらに伴い、電子通信機器に使用される回路
基板は、高周波回路に発生するさまざまな電磁ノイズが
電子通信機器の正常な作動を妨げるために、ノイズ対策
が重要な課題となっている。この対応のために、回路基
板には、ノイズを吸収することを目的とした多くのノイ
ズフィルタが使用されている。

【０００３】通常、ノイズフィルタは、インダクタンス
（Ｌ成分）とキャパシタンス（Ｃ成分）を組み合わせて
形成するＬＣノイズフィルタと呼ばれている。このＬＣ
ノイズフィルタには、絶縁層に低融点金属と同時焼成が
可能な低温焼成セラミック、インダクタンスに低融点金
属からなる導体回路、キャパシタンスにセラミック誘電
体及び低融点金属導体が用いられて形成されるセラミッ
クからなるノイズフィルタが特開平４−２４６８０６号
公報、特開平９−１５３７５１号公報等に開示されてい
る。このようなセラミックノイズフィルタは、インダク
タンスの形成に低融点金属の一例であるＡｇ等の導体ペ
ーストを用いて、複数枚の低温焼成セラミックグリーン
シートにパターンをスクリーン印刷し、重ね合わせて巻
回体に成形し、焼成して形成する筒状ＬＣノイズフィル
タであったりする。また、セラミックノイズフィルタ
は、インダクタンスの形成にＡｇ等の導体ペーストを用
いて、低温焼成セラミックグリーンシートにコイル状の
導体パターンをスクリーン印刷して形成したものを平板
状に複数枚重ね合わせて積層体に成形し、焼成して形成
する積層ＬＣノイズフィルタであったりする。

【０００４】しかしながら、セラミックからなる筒状Ｌ
Ｃノイズフィルタは、インダクタンスの形成にＡｇ等の
低融点金属導体ペーストをセラミックグリーンシートに
印刷して形成するが、単純なコイルパターンでのインダ
クタンス形成となり、電子通信機器の高周波化が進む中
で、十分な機能が発揮できなくなっている。また、セラ
ミックからなる積層ＬＣノイズフィルタは、電子通信機
器の高周波化が進む中で、次第にコイルパターンが複雑
化してきており、微細なコイルパターンの形成にセラミ
ックグリーンシートの積層枚数を増加させて対応する必
要がある。従って、ノイズフィルタを製造するための材
料及び製造工程の増加となり、ノイズフィルタがコスト
高となっている。更に、セラミックからなるノイズフィ
ルタは、これを表面実装するための回路基板の大きさに
制約されるために、各種の大きさのノイズフィルタを準
備する必要があり、また、回路基板にも設計上の制約が
課せられることになる。

【０００５】そこで、特開平２００１−３４５２１２号
公報に開示されているように、各種セラミック誘電体と
樹脂の混合物からなる誘電体層と、導体膜で構成される
キャパシタンスを内蔵させたプラスチックからなる積層
タイプのノイズフィルタが開発されている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
たような従来のノイズフィルタは、次のような問題があ
る。（１）誘電体層を形成するために、セラミック誘電体の
体積含有率を最高５０ｖｏｌ％まで添加した場合におい
ても、誘電率は２５未満と小さいので、キャパシタンス
を形成するのに誘電体層を多層にして形成する必要があ
る。従って、積層数が増加するために製造コストの増加
となっている。（２）高誘電率の誘電体層を形成するために、セラミッ
ク誘電体の体積含有率を５０ｖｏｌ％以上に増加する
と、誘電体層と、プリント多層基板を構成する他の樹脂
材料部材や、導体回路や導体膜等との密着性が低下し、
積層体の形成が困難となる。本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであって、
ノイズフィルタのコスト高を防止して安価であり、ま
た、表面実装の制約を受けないノイズフィルタを提供す
ることを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】前記目的に沿う本発明に
係るノイズフィルタは、導体回路からなるインダクタン
スと、樹脂とセラミック誘電体の混合物からなり、セラ
ミック誘電体の体積含有率が５０ｖｏｌ％以下であっ
て、誘電率２５以上の誘電体層と導体膜からなるキャパ
シタンスを有し、インダクタンスとキャパシタンスを構
成する主材料がプリント多層基板を構成する材料からな
り、しかも、プリント多層基板の製造方法を用いて形成
されている。材料及び製造方法がプラスチック多層基板
に用いられるもので構成されるＬＣノイズフィルタであ
るので、安価な材料であり、また、キャパシタンスを構
成するための誘電体層の誘電率が高いので、誘電体層を
少なくでき、製造工程を少なくでき、安価なノイズフィ
ルタを提供できる。また、セラミック誘電体の体積含有
率を５０ｖｏｌ％以下としているので、プリント多層基
板を構成する他の樹脂材料部材や、導体回路や導体膜等
との密着性を確保できる。

【０００８】ここで、キャパシタンスが１層の構造から
なるのがよい。これにより、容量の大きなキャパシタン
スを安価に形成することができる。

【０００９】また、プリント多層基板の形成に合わせて
該プリント多層基板の中に一体に形成されているのがよ
い。これにより、回路基板となるプリント多層基板に予
めノイズフィルタを内蔵できるので、表面実装面積の設
計上の制約を受けることなく、任意の位置に、任意の大
きさで、任意の数のノイズフィルタを実装した形態の回
路基板を形成することができる。

【００１０】

【発明の実施の形態】続いて、添付した図面を参照しつ
つ、本発明を具体化した実施の形態について説明し、本
発明の理解に供する。ここに、図１（Ａ）、（Ｂ）はそ
れぞれ本発明の一実施の形態に係るノイズフィルタの平
面図、模式的縦断面図、図２（Ａ）〜（Ｄ）はそれぞれ
同ノイズフィルタを構成する層のパターンの説明図、図
３は同ノイズフィルタの等価回路図、図４（Ａ）〜
（Ｄ）はそれぞれ同ノイズフィルタの製造方法の説明
図、図５は同ノイズフィルタの周波数減衰特性の説明図
である。

【００１１】図１（Ａ）、（Ｂ）、図２（Ａ）〜（Ｄ）
を参照しながら、本発明の一実施の形態に係るノイズフ
ィルタ１０を説明する。図１（Ａ）、（Ｂ）に示すよう
に、ノイズフィルタ１０は、例えば、プリント多層基板
を形成するのに用いられる材料の樹脂の一例であるＢＴ
樹脂（ビスマレイミドトリアジンを主成分にした樹脂）
やエポキシ樹脂等を用いて形成されたコア基材１１の両
面に、プリント多層基板を形成するのに用いられる材料
の樹脂の一例であるプリプレグ等からなる絶縁体層１２
と、誘電体層１３を有している。

【００１２】絶縁体層１２とコア基材１１との間には、
プリント多層基板を形成するのに用いられる材料、例え
ば、Ｃｕ箔及びＣｕめっきで形成されるコイル形状した
導体回路１４を有している（図２（Ｂ）参照）。また、
絶縁体層１２のコア基材１１と接する側との反対面に
は、外部電極に接続するための外部電極パッド１５と、
これに接続して形成されていて、導体回路１４と逆回転
するコイル形状のパターンを有する導体回路１４ａを、
導体回路１４ａが実質的に絶縁体層１２を介して導体回
路１４と対向する位置に有している（図２（Ａ）参
照）。また、絶縁体層１２のコア基材１１と接する側と
の反対面には、外部電極端子パッド１５ａ、１５ｂを有
し、外部電極端子パッド１５ｂは、導体回路１４の一方
の端部のパターンとスルーホール導体１６を介して接続
されている。導体回路１４、１４ａの一方の端部のパタ
ーンどうしは、スルーホール導体１６ａを介して接続さ
れている。この絶縁体層１２と導体回路１４、１４ａに
よってインダクタンスＬ１（図３参照）を形成してい
る。

【００１３】一方、樹脂とセラミック誘電体の混合物か
らなり誘電率が２５以上である誘電体層１３とコア基材
１１との間には、例えば、Ｃｕ箔及びＣｕめっきで形成
されるべたパターンの導体膜１７を有しており（図２
（Ｃ）参照）、この導体膜１７は、外部電極端子パッド
１５とスルーホール導体１６ｂによって接続されてい
る。また、誘電体層１３のコア基材１１と接する側との
反対面には、べたパターンからなる導体膜１７ａを、実
質的に誘電体層１３を介して導体膜１７と対向する位置
に有しており（図２（Ｄ）参照）、この導体膜１７ａ
は、外部電極端子パッド１５ａとスルーホール導体１６
ｃを介して接続されている。誘電体層１３と導体膜１
７、１７ａによって、キャパシタンスＣ１（図３参照）
を形成している。

【００１４】なお、誘電体層１３を形成するための材料
としては、樹脂とセラミック誘電体の混合物を用いてい
る。誘電体層１３には、プリプレグ等の樹脂を使用する
ことが可能であるが誘電率が低いので、容量のより大き
なキャパシタンスを形成するために、樹脂の一例であ
る、例えば、エポキシ樹脂等と、セラミック誘電体の一
例である、例えば、チタン酸バリウム等からなる微粒子
粉末４０〜５０ｖｏｌ％を混合して作製し、誘電率を２
５〜５０としたシートを用いている。キャパシタンス
は、ノイズフィルタ１０の重要特性であるカットオフ周
波数（−３ｄＢを超える周波数）を決定する。市場の要
求の高いカットオフ周波数２０〜２００ＭＨｚとするノ
イズフィルタ１０を得るためには、誘電率が２５〜２０
０程度の材料を必要とするが、樹脂とセラミック誘電体
の混合物によって達成することができる。

【００１５】導体回路１４ａと、外部電極端子パッド１
５、１５ａ、１５ｂを設ける絶縁体層１２の上には、外
部電極端子パッド１５、１５ａ、１５ｂの部分を開口部
として露出する絶縁膜１８を有している。また、導体膜
１７ａを設ける誘電体層１３の上にも、同様に絶縁膜１
８ａを有している。なお、上記のノイズフィルタ１０
は、サブトラクティブ法や、アディティブ法等の通常の
プリント多層基板を形成する方法を用いて形成されてい
る。

【００１６】図３を参照して、本発明の一実施の形態に
係るノイズフィルタの等価回路を説明する。２つの外部
電極端子パッド１５、１５ｂである信号電極Ｓ１、Ｓ２
との間には、絶縁体層１２を介して対向する２つの導体
回路１４、１４ａによって、インダクタンスＬ１が形成
されている。このインダクタンスＬ１と並列に、誘電体
層１３を介して対向する２つの導体膜１７、１７ａによ
ってキャパシタンスＣ１が形成されており、導体膜１７
ａは、外部電極端子パッド１５ａであるグランド電極Ｇ
に接続されている。インダクタンスＬ２、及びインダク
タンスＬ３は、回路に浮遊するインダクタンス成分であ
り、キャパシタンスＣ２は、回路に浮遊するキャパシタ
ンス成分を表している。

【００１７】ここで、上記キャパシタンスＣ１を形成す
るには、１層の構造で形成するのがよい。誘電体層１３
の誘電率が２５未満であっても多層の構造にすれば所望
のノイズフィルタを得ることができるが、積層数の増加
によって製造コストの増加となる。誘電体層１３の誘電
率が２５以上であれば、１層の構造で所望のノイズフィ
ルタ１０が得ることができる。

【００１８】また、ノイズフィルタ１０は、回路基板と
なるプリント多層基板の作成に合わせて、プリント多層
基板の中に一体に形成されるのがよい。プリント多層基
板を作製する中の一部に、ノイズフィルタ１０を合わせ
て作製するので、後からノイズフィルタ１０を実装する
必要もなく、また、回路基板の設計に合わせた複数種類
のノイズフィルタを予め準備する必要もない。

【００１９】次いで、図４（Ａ）〜（Ｄ）を参照しなが
ら、本発明の一実施の形態に係るノイズフィルタ１０の
製造方法を説明する。図４（Ａ）に示すように、先ず、
両面にＣｕ箔が形成されていて、ＢＴ樹脂や、エポキシ
樹脂等からなるシート状内に多数個のノイズフィルタ１
０を形成するための大型のコア基材１１の両面に、ドラ
イフィルムを貼着する。次に、上面側のドライフィルム
に、通常のフォトリソグラフィ法で、コイルパターンか
らなる導体回路１４のパターン以外が開口部から露出す
るように露光、現像してドライフィルムのエッチングレ
ジストマスク形成する。同様にして、下面側のドライフ
ィルムにも、べたパターンからなる導体膜１７のパター
ン以外が開口部から露出するように露光、現像してドラ
イフィルムのエッチングレジストマスク形成する。次
に、両面にエッチングを施すことで、ドライフィルムの
開口部のＣｕ箔を除去して、コア基材１１の上面側及び
下面側にそれぞれＣｕ箔からなる導体回路１４と、導体
膜１７を形成する。

【００２０】次いで、図４（Ｂ）に示すように、導体回
路１４と、導体膜１７のＣｕ表面と、樹脂材料との密着
性を高めるために、ＣＺ処理等でＣｕ表面を粗化した
後、導体回路１４を設けた上面側には、ＢＴ樹脂からな
るプリプレグを、また、導体膜１７を設けた下面側に
は、樹脂と、５０ｖｏｌ％以下の量のセラミック誘電体
の混合物からなり、誘電率が２５以上となる誘電体シー
トを配置する。次に、プリプレグ及び誘電体シートの上
にそれぞれ導体を形成するためのＣｕ箔１９を載置さ
せ、真空プレス機を用いて真空熱プレスを行って、それ
ぞれ表面にＣｕ箔１９を接合させた絶縁体層１２と、誘
電体層１３を形成する。

【００２１】次いで、図４（Ｃ）に示すように、導体回
路１４、導体膜１７、及びＣｕ箔１９のそれぞれの間を
電気的に接続するためのスルーホールをドリル加工や、
レーザー加工等の手法を用いて穿孔して形成する。形成
されたスルーホールには、スルーホール内に加工屑や、
かえりが発生するのでデスミア処理を行った後、触媒を
付与して無電解Ｃｕめっき（化学Ｃｕめっき）処理を行
い、スルーホール内を電気的導通状態にして、スルーホ
ール導体１６、１６ａ、１６ｂ、１６ｃを形成する。更
に、電解Ｃｕめっき処理を行い、Ｃｕ層の厚みを厚くす
る。次に、Ｃｕめっきの施された両面のＣｕ箔１９上に
ドライフィルムを貼着し、フォトリソグラフィ法でドラ
イフィルムレジストパターンを形成し、エッチングを行
った後、ドライフィルムを除去して、上面側に導体回路
１４ａ、下面側に導体膜１７ａを形成する。

【００２２】次いで、図４（Ｄ）に示すように、先ず、
導体回路１４ａ及び導体膜１７ａの表面には、導体回路
１４ａ及び導体膜１７ａの表面を保護するソルダーレジ
ストである絶縁膜１８、１８ａとの密着性をよくするた
めのＣＺ処理を施す。次に、上面側及び下面側に感光性
のソルダーレジスト用のシートを貼着したり、あるいは
感光性のソルダーレジスト用のペーストをスクリーン印
刷し、通常のフォトリソグラフィ法で、上面側の導体回
路１４ａの表面が一部露出するようにして開口部を形成
し、上面側及び下面側のソルダーレジストを硬化させ
て、上面側及び下面側の表面にそれぞれ絶縁膜１８、１
８ａを形成する。絶縁膜１８の開口部は、外部電極と接
続するための外部電極端子パッド１５、１５ａ、１５ｂ
を構成する。次に、絶縁膜１８の開口部から露出した外
部電極端子パッド１５、１５ａ、１５ｂの表面にＮｉめ
っき及びＡｕめっきを施し、大型シート内に多数個から
なるノイズフィルタ１０を形成する。最後に断線や短絡
等の電気的検査を行った後、ダイサー等を用いて切断し
て個片にし、ノイズフィルタ１０を作製する。

【００２３】なお、プラスチック多層基板の中にノイズ
フィルタを形成する場合には、上記と同様な製造方法を
用いて、プラスチック多層基板が作製される中の一部分
としてノイズフィルタが組み込まれる。また、ノイズフ
ィルタ及びプラスチック多層基板の製造方法は、上記の
製造方法以外に、一般的に知られている製造方法を適用
することができる。

【００２４】

【実施例】本発明者は、カットオフ周波数を決定する誘
電体層の誘電率を変化させた２種類の実施例と、３種類
の比較例のプラスチックノイズフィルタについて、−３
ｄＢにおける減衰周波数（ＭＨｚ）であるカットオフ周
波数を測定した。実施例のプラスチックノイズフィルタ
の製造方法は、先ず、大きさ２５０×３３５ｍｍ、厚み
０．２ｍｍ、両面に厚み１２μｍのＣｕ箔を接着したＢ
Ｔ樹脂からなるシート状のコア基材を用い、厚み２５μ
ｍのドライフィルムを使用して、一方の表面に導体回路
と、他方の表面に導体膜を形成した。次いで、導体回路
側の上には、絶縁体層として７０μｍのＢＴプリプレグ
を配置した。また、導体膜側の上には、誘電体層として
エポキシ樹脂にチタン酸バリウムの微粉末の粒子径調整
と樹脂内の分散性を高めて得た２５と５０の高誘電率を
有する２種類のシート状に形成した樹脂とセラミック誘
電体の混合物からなる５０μｍの誘電体シートを配置し
た。更に、それぞれの上には、厚み１２μｍのＣｕ箔を
載置して、２００℃、３０ｋｇ／ｃｍ^２で約９０分間
加熱真空プレスを行って接合した。次いで、ドリル加工
によって、φ０．３ｍｍのスルーホールを所定の位置に
形成し、スルーホール内をＫＭｎＯ_４のデスミア処理を
行った後、厚み約１μｍの無電解Ｃｕめっき、及び厚み
約１５μｍの電解Ｃｕめっきを施し、スルーホール内に
約１６μｍからなるスルーホール導体を形成した。次い
で、フォトリソグラフィ法、及びエッチング法を用いて
他方の導体回路と導体膜を形成した。次いで、Ｃｕの表
面にＣＺ処理を行った後、ソルダーレジストの絶縁膜を
形成し、絶縁膜の開口部から露出する外部電極端子パッ
ド上に厚み約５μｍのＮｉめっきと、Ｎｉめっきの上
に、厚み約０．５μｍのＡｕめっきを施した。次いで、
ダイサーを用いて切断し、４×２ｍｍ角のプラスチック
ノイズフィルタを作製した。

【００２５】一方、比較例としては、誘電率４．５、１
０、１５からなる誘電体層を有する誘電体シートを用い
て、上記実施例と同様の方法で３種類のプラスチックノ
イズフィルタを作製した。

【００２６】図５に示すように、本実施例で作製したプ
ラスチックノイズフィルタの周波数減衰特性を表す代表
的な周波数減衰曲線は、従来のセラミックノイズフィル
タの周波数減衰曲線と同等の曲線を描き、広い減衰帯域
と急峻な減衰深さを有してセラミックノイズフィルタと
特性的に遜色がないことを示している。また、本実施例
の２種類と、比較例の３種類のプラスチックノイズフィ
ルタについて、得られた減衰特性を表１に詳細に示す。

【００２７】

【表１】

【００２８】また、本実施例で作製した２種類のプラス
チックノイズフィルタについての信頼性評価試験の結果
を表２に示す。

【００２９】

【表２】

【００３０】表１に示すように、本実施例のプラスチッ
クノイズフィルタは、市場の要求が強いカットオフ周波
数２０〜２００ＭＨｚに対して、４０〜１１８ＭＨｚを
得ることができた。一方、比較例のプラスチックノイズ
フィルタは、いずれもカットオフ周波数が２００ＭＨｚ
を超え、市場の要求に応えることができなかった。ま
た、表２に示すように、プラスチックノイズフィルタ
は、全ての項目についてセラミックノイズフィルタと同
等以上の特性を示した。特に、プラスチックノイズフィ
ルタはセラミックノイズフィルタに比較して絶縁耐圧性
に優れるので、電源用、信号用のいずれのノイズフィル
タとして適用可能であることが確認できた。

【００３１】

【発明の効果】請求項１及びこれに従属する請求項２、
３記載のノイズフィルタは、導体回路からなるインダク
タンスと、樹脂とセラミック誘電体の混合物からなり、
セラミック誘電体の体積含有率が５０ｖｏｌ％以下であ
って、誘電率２５以上の誘電体層と導体膜からなるキャ
パシタンスを有し、インダクタンスとキャパシタンスを
構成する主材料がプリント多層基板を構成する材料から
なり、しかも、プリント多層基板の製造方法を用いて形
成されているので、安価な材料を用い、しかも、製造工
程を少なくできて、高周波回路対応ができる優れた特性
を有しながら安価なノイズフィルタを提供できる。ま
た、セラミック誘電体の体積含有率を５０ｖｏｌ％とし
ているので、プリント多層基板を構成する他の樹脂材料
部材や、導体回路や導体膜等との密着性を確保できる。

【００３２】特に、請求項２記載のノイズフィルタは、
キャパシタンスが１層の構造からなるので、容量の大き
なキャパシタンスを安価に形成することができる。

【００３３】また、請求項３記載のノイズフィルタは、
プリント多層基板の形成に合わせてプリント多層基板の
中に一体に形成されているので、プリント多層基板に予
めノイズフィルタを内蔵でき、表面実装面積の制約を受
けることなく、任意の位置に、任意の大きさで、任意の
数のノイズフィルタを形成することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ本発明の一実施の形
態に係るノイズフィルタの平面図、模式的縦断面図であ
る。

【図２】（Ａ）〜（Ｄ）はそれぞれ同ノイズフィルタを
構成する層のパターンの説明図である。

【図３】同ノイズフィルタの等価回路図である。

【図４】（Ａ）〜（Ｄ）はそれぞれ同ノイズフィルタの
製造方法の説明図である。

【図５】同ノイズフィルタの周波数減衰特性の説明図で
ある。

【符号の説明】

１０：ノイズフィルタ、１１：コア基材、１２：絶縁体
層、１３：誘電体層、１４、１４ａ：導体回路、１５、
１５ａ、１５ｂ：外部電極端子パッド、１６、１６ａ、
１６ｂ、１６ｃ：スルーホール導体、１７、１７ａ：導
体膜、１８、１８ａ：絶縁膜、１９：Ｃｕ箔、Ｌ１、Ｌ
２、Ｌ３：インダクタンス、Ｃ１、Ｃ２：キャパシタン
ス、Ｓ１、Ｓ２：信号電極、Ｇ：グランド電極

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｈ０１Ｆ 15/00 Ｄ (72)発明者松永秀樹山口県美祢市大嶺町東分字岩倉2701番１株式会社住友金属エレクトロデバイス内Ｆターム(参考） 5E070 AA05 BA01 CB03 CB12 5E346 AA13 AA15 BB20 CC08 CC09 CC21 CC32 DD12 DD32 FF07 FF10 FF15 GG15 5J024 AA01 BA09 CA01 CA02 CA03 DA04 DA29 DA33 EA08 KA03

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】導体回路からなるインダクタンスと、樹
脂とセラミック誘電体の混合物からなり、前記セラミッ
ク誘電体の体積含有率が５０ｖｏｌ％以下であって、誘
電率２５以上の誘電体層と導体膜からなるキャパシタン
スを有し、前記インダクタンスと前記キャパシタンスを
構成する主材料がプリント多層基板を構成する材料から
なり、しかも、前記プリント多層基板の製造方法を用い
て形成されていることを特徴とするノイズフィルタ。
【請求項２】請求項１記載のノイズフィルタにおい
て、前記キャパシタンスが１層の構造からなることを特
徴とするノイズフィルタ。
【請求項３】請求項１又は２記載のノイズフィルタに
おいて、前記プリント多層基板の形成に合わせて該プリ
ント多層基板の中に一体に形成されていることを特徴と
するノイズフィルタ。