JP2005116811A - 多層配線回路基板およびその作製方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 高密度実装の要求と高周波化の要求を同時に満たす多層配線回路基板を低コストで製造する。
【解決手段】 第１の断面積の信号配線（１３）を有し、両面に電源層（１１）を設けた第１配線板（１０）と、第１の断面積よりも小さい第２の断面積の高密度信号配線（２３）を有し、実装面と反対側の面に電源（２１）を設けた一対の第２配線板（２０）とを個別に準備する。前記一対の第２配線板で第１配線板を挟むように、前記第１配線板の電源・グランド層と、第２配線板の電源・グランド層とを、所定の位置に導電性の貫通ビア（３１）を有する接着性の絶縁シート（３０）で張り合わせる。
【選択図】 図１

Description

本発明は、電子機器に使用する多層配線回路基板に関し、特に、１ＧＨｚを超える高周波への適応と、実装部品の高密度化に伴う微細化を両立させることのできる、製造コストを抑えた多層配線回路基板に関する。

従来、電子機器用のマザーボード、あるいはバックパネルと呼ばれる多層配線板では、動作周波数が１ＧＨｚ以下のものがほとんどであった。そのため、ＬＳＩの微細化に伴う部品実装の高密度化に重点的に対応した技術開発がなされ、たとえばビルドアップ基板などの配線効率を向上させる努力がなされてきた。同時に、配線層数の低減によって、製品のコスト低減を実現し、また、動作周波数の増加に対しては、配線の特性インピーダンス整合精度を高精度化する努力がなされてきた。

しかし、基板の動作周波数が１ＧＨｚを超える高周波になるに到って、従来、配線の特性インピーダンスを整合させておけば成り立っていた配線板が、周波数に依存した損失を低減しなければ回路として成り立たないという問題に直面するようになった。

特に、３ＧＨｚ以上の周波数では、周波数の増加にともなって、インピーダンスのわずかな不整合による損失が顕著になる。インピーダンス不整合は、たとえば、信号接続上は不要であるにもかかわらず基板内に残っているスタブと呼ばれる銅めっき余長部分などの存在によって生じる。

伝送損失の低減防止には、配線幅を大きくして配線の導体抵抗を低くすることが効果的である。しかし、配線幅を広くすることは、実装部品の高密度化の要請と相反する。微細化のためには、複数の配線層間を接続するためのビアホール（複数層間の貫通ビア）を多数形成する必要があるが、配線はこのビアホールを避けて形成しなければならない。したがって、最大配線幅は必然的にビアホールの間隔に依存し、伝送損失の低減には限界がある。

また、配線の特性インピーダンスを整合させる必要があるので、同じ配線層内で配線幅を変えるのは困難である。特性インピーダンスを整合させるために、絶縁材料の膜厚を配線幅に応じて変更しなければならないからである。このため、たとえ配線幅を広くして導体抵抗を低減する余地があったとしても、同一配線層内に高周波用の幅広の配線と、高密度用の微細な引き出し配線とを配置することが困難である。また、配線幅を変えるためには、各々の配線幅に応じた新たなビアホールを形成する必要があるため、さらに配線を通す余地を減少させてしまう。

一方、携帯電話やＷ−ＣＤＭＡ基地局などの無線通信の分野では、小型、高速、高周波を実現するビルドアップ基板の普及が著しい。ビルドアップ基板は、層間絶縁樹脂などを複数層重ねて積層成形し、ビア加工、めっき、パターン形成といったプロセスをとる。ビルドアップ基板は一般に小型パッケージ用に用いられ、また、歩留まりがよくないので、これをたとえばサーバや基地局ルータに用いられる６０ｃｍ×６０ｃｍの大基板にそのまま適用することはできない。

簡単で歩留まりのよい高密度、多層配線回路基板を実現する方法として、配線パターンを形成した個別の支持体を、プリプレグ（未硬化のガラス強化プラスチック板）で張り合わせる方法が提案されている（たとえば特許文献１参照）。このプリプレグは、両面に接着層を有する絶縁体基板に、あらかじめビアホールを形成し、ビアホール内に導電性ペーストを充填したものである。しかし、この方法は高周波に対応しておらず、均一な配線幅を有する高密度配線基板を意図している。
特開２００１−３２６４５８号公報

そこで、本発明は、１ＧＨｚを超える高周波への適応と、実装部品の微細化に伴う高密度化を両立し、かつ安価な多層配線回路基板を提供することを目的とする。

また、このような高周波への対応と高密度化を両立させる安価な多層配線回路基板を容易に製造することのできる多層配線回路基板の製造方法を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明の第１の側面では、多層配線回路基板は、
（ａ）第１絶縁材料層と、当該第１絶縁材料層に形成され第１の断面積を有する信号配線とを含む第１配線部と、
（ｂ）第２絶縁材料層と、当該第２絶縁材料層に形成され前記第１の断面積よりも小さい第２の断面積の高密度信号配線とを含み、前記第１配線部を挟んで厚さ方向に対称に位置する一対の第２配線部と、
（ｃ）前記第１配線部と各々の第２配線部との間に挿入され、所定の位置に形成された導電性の貫通ビアを有する接着性の絶縁層と、
（ｄ）前記第１配線部と接着性絶縁層、および接着性絶縁層と第２配線部との間に位置する電源層と
を備える。

第１配線部において信号線路が形成される第１絶縁材料層の誘電率は、第２配線部において高密度信号配線が形成される第２絶縁材料層の誘電率よりも低い。

接着性絶縁層は、たとえば、熱硬化性樹脂をガラスクロスに含侵したコンポジット材料、熱硬化性樹脂をアラミド不織布に含侵したコンポジット材料、熱硬化性樹脂に被覆された樹脂材料などで形成される。

本発明の第２の側面では、多層配線回路基板の製造方法を提供する。この多層配線回路基板の製造方法は、
（ａ）第１の断面積の信号配線を有し、両面に電源層を設けた第１配線板と、第１の断面積よりも小さい第２の断面積の高密度信号配線を有し、実装面と反対側の面に電源層を設けた一対の第２配線板とを個別に準備する工程と、
（ｂ）前記一対の第２配線板で第１配線板を挟むように、第１配線板の電源層と第２配線板の電源層とを、所定の位置に導電性の貫通ビアを有する接着性の絶縁シートで張り合わせる工程と、
を含む。

第１および第２の配線板を準備する工程は、第１の断面積の信号配線を第１の絶縁材料層に形成する工程と、第２の断面積の高密度信号配線を、第１の絶縁材料層よりも誘電率の大きい第２の絶縁材料層に形成する工程を含む。

上記の多層配線回路基板によれば、実装部品の高密度化と、動作周波数の高周波化との双方に対応することができる。

多層配線回路基板全体を貫通するスルービアを大幅に低減し、高周波に対応できる信号線の線幅を確保することができる。

また、高周波に対応可能な第１配線部を高密度配線部で両側から挟みこんだ対称構造とすることで、大基板であっても反りを排除することができる。

上記の多層配線回路基板の製造方法によれば、既存のプリント配線基板製造プロセスをそのまま用いて、高密度化と高周波化の双方に適応した多層配線回路基板を低コストで簡易に製造することができる。

また、高周波配線板と高密度配線板とを、それぞれの電源層（グランド層を含む）で張り合わせることによって、張り合わせ時に生じる特性インピーダンスのばらつきの影響を排除することができる。

また、ビアホールのスタブを最低限に抑えることができるので、特性インピーダンスの整合性が向上する。

以下、図面を参照して、本発明の良好な実施形態を説明する。

図１は、本発明の一実施形態に係る多層配線回路基板１の分解模式図である。多層配線板１は、高速配線板１０と、この高速配線板を挟んで厚さ方向に対称に位置する一対の高密度配線板２０と、高速配線板１０と高密度配線板２０の間に挿入されるビア入りプレプレグ３０で構成される。高密度配線板２０は、高速配線板に対して対称な位置に配置されるだけであり、内部配線構造は必ずしも対称である必要はない。

高速配線板１０は、絶縁層１４に形成された高速、高周波伝送に必要な高周波信号線１３と、貫通ビア１２と、両面に形成された電源層１１とを有する。一方、高密度配線板２０は、ＬＳＩや、ＬＳＩを直接搭載したパッケージ基板を高密度で実装する配線板であり、絶縁層２４に形成された高密度信号配線２３と、貫通ビア２２と、高速配線板と対向する面に形成された電源層２１とを有する。ここで、電源層１１、２１は、多層配線回路基板上の素子を駆動する際の基準電圧となるＧＮＤ電圧（たとえば０Ｖ）用のグランド層も含み、便宜上、電源・グランド層と称することとする。ビア入りプレプレグ３０は接着性の絶縁シートから成り、所定の位置にあらかじめ形成された導電性の貫通ビア３１を有する。

高速配線板１０の高周波信号線１３の断面積（信号線の線幅と厚さで規定される面積）は、高密度配線板２０の高密度信号配線２３の断面積よりも大きく設定されている。これにより、高周波信号線１３の導体抵抗を低減する。また、高速配線板１０の絶縁層１４と高密度配線板２０の絶縁層２４は、絶縁層１４の誘電率が絶縁層２４の誘電率よりも小さくなるように材料が選択されている。たとえば、高密度配線板２０の絶縁層２４の誘電率は４．５〜４．７であるのに対し、高速配線板１０の絶縁層１４の誘電率は３．５〜３．７あるいはそれ以下である。

低誘電率の絶縁層１４と、これに形成された断面積の大きい高周波信号線１３とで、第１配線部を構成する。一方、絶縁層１４よりも誘電率の高い絶縁層２４と、これに形成された信号線断面積の小さい高密度信号線２３とで、第２配線部を構成する。

ビア入りプレプレグ３０として、熱硬化性樹脂をガラスクロスに含侵したコンポジット材料、熱硬化性樹脂をアラミド不織布に含侵したコンポジット材料、両面に熱硬化性樹を塗布した樹脂フィルムなどを用いる。樹脂フィルムは、たとえばポリイミドフィルムである。このようなプリプレグ３０にレーザ加工などによって形成された層間接続用の貫通ビアホールに、導電性ペーストが充填されている。

高速配線板１０の貫通ビア１２と、高密度配線板２０の貫通ビア２２も、層間接続用のビアホール内に導電性樹脂を充填したものである。これにより、ビアホールのスタブを最低限に抑えることができる。また、高速配線板１０には最低限必要な貫通ビア１１が形成され、高周波信号線１３の線幅や信号線配置の自由度を確保している。

図２は、図１の多層配線回路基板１の各部分を、真空積層プレスで一体にした状態を示す断面模式図である。図１において、高速配線板１０の電源・グランド層１１と、高密度配線板２０の電源・グランド層２１とを張り合わせ面として、接着性のプリプレグ３０で張り合わせている。

あらかじめ層間接続用の貫通ビアを形成した接着性の絶縁シート（プリプレグ）３０を用いて、層間距離精度を必要としない電源・グランド間で張り合わせる構造を採用することによって、張り合わせ時に生じる特性インピーダンスのばらつきの影響を排除することができる。

張り合わせの結果、多層配線回路基板１は、ひとつの回路基板内に、電気特性の異なる２つの配線部、すなわち、高速配線板１０からなる高速配線部（第１配線部）と、これを挟んで膜厚方向に対称に位置する高密度配線板２０からなる高密度配線部（第２配線部）とを備えることになる。外側に配置される高密度配線部（第２配線部）の貫通ビア２２の一端部はプリプレグ（絶縁体）でふさがれ、露出を防止できるので、インピーダンスのずれを抑制し、高周波伝送の信頼性を確保することができる。同様に、内側に配置される高速配線部（第１配線部）の貫通ビア１２も、その両端部で表面の露出が防止される。

図３〜６は、図１および２に示した多層配線回路基板１の製造工程を示す図である。このうち、図３と４は、図１の高周波配線板１０と、高密度配線板２０とを個別に準備する工程を示すものであり、配線幅、配線配置、材料、条件などは異なるものの、高周波配線板１０と高密度配線板２０の作製の双方に適用される。

まず、図３（ａ）において、たとえばガラスエポキシ材などの絶縁層４１の両面に、厚さ３５μｍの銅箔４３を張り付けたコア材４０を準備する。

次に、図３（ｂ）において、塩化銀など銅を腐食、溶解する溶液によって、コア材４０の銅箔４３を化学エッチングし、配線パターン４３Ｓを形成する。このとき、パターンとして銅を残したい部分を覆うようにエッチングレジスト（不図示）をパターニングし、エッチングによる配線パターン４３Ｓの形成後に、レジストを除去する。高速配線板１０を準備する場合は、たとえば、配線幅２００μｍ、厚さ３５μｍの高周波信号線のパターンを形成し、高密度配線板２０を準備する場合は、配線幅９０μｍ、厚さ３５μｍの高密度信号配線のパターンを形成する。

次に、図３（ｃ）において、パターン４３Ｓを形成したコア材４０と、プリプレグ４５を交互に積層し、最表面に銅箔４７を重ねる。高速配線板１０を準備する場合は、厚さ２００μｍ、誘電率３．５〜３．７あるいはそれ以下のプリプレグを用いる。高密度配線板２０を準備する場合は、厚さ１００μｍ、誘電率４．５〜４．７のプリプレグを用いる。高速配線板２０の絶縁層１４となるプリプレグとしては、日立化成ＭＣＬ−ＬＸ−６７（誘電率３．５）や、松下電工ＭＥＧＴＲＯＮ−５（誘電率３．７）がある。高密度配線板２０の絶縁層２４となるプリプレグとしては、たとえば日立化成ＭＣＬ−Ｅ−６７９Ｆ、松下電工Ｒ−１７５５（それぞれ誘電率４．５〜４．７）を用いることができる。

次に、図３（ｄ）において、真空中で加熱プレスして一体化して、配線板５０を形成する。高速配線板１０を準備する場合は、２００℃で１時間、高密度配線板２０を準備する場合は、１７０℃で１時間加熱プレスする。

次に、図４（ｅ）において、機械加工（ドリル）あるいはレーザ加工により、層間接続用のスルーホール５１を形成する。

次に、図４（ｆ）において、スルーホール内壁に銅めっきを施してめっき層５３を形成し、層間接続を行う。

次に、図４（ｇ）において、最表層の銅めっき層５３と銅箔４７を、塩化銅など銅を腐食、溶解する溶液によって化学エッチングし、パターン５４を形成する。このときも、パターンとして銅を残したいところを覆うようにエッチングレジスト（不図示）をパターニングし、パターン５４形成後にレジストを除去する。なお、図４（ｇ）では図示しないが、さらにプリプレグと銅箔を積み上げて、多層配線板を形成してもよい。高速配線板１０を準備する場合は、最表面の両面のパターンが、電源・グランド層を構成する。高密度配線板２０を準備する場合は、最表層の実装面に形成されるパターンが、部品搭載用の導体パターンとなり、反対側の面に形成されるパターンが電源・グランド層となる。

次に、図４（ｈ）において、スルーホール内に導電性樹脂５５を充填する。

以上の工程により、それぞれ所定の配線幅の信号配線パターンを有する高速配線板１０と、高密度配線板２０を個別に準備する。

次に、図５（ｉ）において、ビルドアップで個別に形成した高速配線板５０Ａと、高密度配線板５０Ｂの間に、厚さ６０μｍのプリプレグ６０を挿入する。プリプレグ６０の所定の位置には、あらかじめ貫通孔が形成され、銅ペーストが充填された貫通ビア６１が設けられている。高密度配線板５０Ｂは、高速配線板５０Ａの両面側に、厚さ方向に対称となる位置関係で配置される。

高速配線板５０Ａの高周波信号線５３ａの断面積は、高密度配線板５０Ｂの高密度信号配線５３ｂよりも大きい。高速配線板５０Ａの絶縁層４５ａの誘電率は、高密度配線板５０Ｂの絶縁層４５ｂの誘電率よりも小さく設定されているので、誘電損失が小さい。

高速配線板５０Ａの両面の最表層には、電源・グランド層５７ａが形成されている。高密度配線板５０Ｂの高速配線板５０Ａと対向する面には、電源・グランド層５７ｂが形成され、反対側の実装面には、部品搭載用の導体パターン５４が形成されている。このように、導電性の貫通ビア６１を有するプリプレグ６０を介して、高速配線層５０Ａの電源・グランド層５７ａと、高密度配線板５０Ｂの電源・グランド層５７ｂを張り合わせ面とする。

次に、図６（ｊ）において、１７０℃で１時間、真空中で加熱プレスを行い、一体化して、多層配線回路基板が完成する。真空加熱プレスに先立ち、高速配線板５０Ａの両面側でプリプレグ６０との位置合わせを行い、さらにその外側で、電源・グランド層５７ｂが高速配線板５０Ａに対抗するように高密度配線板２０を位置合わせする。真空加熱プレスによる一体化の後に、両面に部品実装パターンをエッチングにより形成する。

このように、複数の多層配線板を張り合わせてひとつの回路基板として使用する張り合わせ基板の技術を用いる。すなわち、ＬＳＩやＬＳＩを直接搭載したパッケージ基板を高密度で実装するための高密度用の配線板５０Ｂと、高速伝送に必要な信号配線を有する高周波用の配線板５０Ａを、あらかじめ別個に容易する。電気特性が異なる複数種類の配線板を、導電性の貫通ビアを有する接着性の絶縁層（プリプレグ）で張り合わせるので、従来のプリント配線基板製造プロセスをそのまま利用して、高周波化と高密度化の双方に適合する多層配線回路基板を製造することができる。

また、層間距離精度を必要としない電源−グランド層間で張り合わせるので、張り合わせ時に生じる特性インピーダンスのばらつきを低減することができる。

図７（ａ）は、本発明の高周波／高密度対応の多層配線回路基板の断面模式図を示し、図７（ｂ）は、これと同等の配線構造を有する従来のスルーホール基板の断面模式図である。図７（ａ）と図７（ｂ）の双方において、線幅１００μｍ、線路長１０ｃｍの配線パターンと、線幅２００μｍ、線路長１０ｃｍの高周波伝送線路パターンを配置した構成を有する。図７（ａ）では、入出力ビア７１の底面が絶縁膜でふさがれているのに対し、図７（ｂ）の従来のスルーホール基板では、入出力ビア７２の片側が露出する。このようにビアの一方の面が露出すると、交流インピーダンスが下がり、特性インピーダンスの整合性が悪化する。

図８は、図７（ａ）に示した本発明の多層配線回路基板と、図７（ｂ）に示した従来の多層配線回路基板の伝送損失の周波数依存性を示すグラフである。太線で示す伝送損失特性が、本願発明の多層配線回路基板によるものである。グラフから明らかなように、従来のスルーホール多層配線回路基板と比較して、本発明では５ＧＨｚ以上の周波数において、伝送損失が低減されている。このように、実測グラフからも、高周波領域における本発明の多層配線回路基板の有効性が確認される。

最後に、上記説明に関して、以下の付記を開示する。
（付記１） 第１絶縁材料層と、当該第１絶縁材料層に形成され第１の断面積を有する信号配線とを含む第１配線部と、
第２絶縁材料層と、当該第２絶縁材料層に形成され前記第１の断面積よりも小さい第２の断面積の高密度信号配線とを含み、前記第１配線部を挟んで厚さ方向に対称に位置する一対の第２配線部と、
前記第１配線部と各々の第２配線部との間に挿入され、所定の位置に形成された導電性の貫通ビアを有する接着性の絶縁層と、
前記第１配線部と接着性絶縁層、および接着性絶縁層と第２配線部との間に位置する電源層と
を備える多層配線回路基板。
（付記２） 前記第１配線部において前記信号線路が形成される第１絶縁材料層の誘電率は、第２配線部において前記高密度信号配線が形成される第２絶縁材料層の誘電率よりも低いことを特徴とする付記１に記載の多層配線回路基板。
（付記３） 前記接着性絶縁層は、熱硬化性樹脂をガラスクロスに含侵したコンポジット材料、熱硬化性樹脂をアラミド不織布に含侵したコンポジット材料、熱硬化性樹膜で被覆された樹脂材料のいずれかで形成されることを特徴とする付記１に記載の多層配線回路基板。
（付記４） 前記接着性絶縁層の樹脂材料は、ポリイミドであることを特徴とする付記３に記載の多層配線回路基板。
（付記５） 前記接着性絶縁層の膜厚は、前記第１絶縁材料層および前記第２絶縁材料層の膜厚よりも薄いことを特徴とする付記２に記載の多層配線回路基板。
（付記６） 第1の断面積の信号配線を有し、両面に電源層を設けた第１配線板と、第１の断面積よりも小さい第２の断面積の高密度信号配線を有し、実装面と反対側の面に電源層を設けた一対の第２配線板とを個別に準備する工程と、
前記一対の第２配線板で第１配線板を挟むように、前記第１配線板の電源層と、第２配線板の電源層とを、所定の位置に導電性の貫通ビアを有する接着性の絶縁シートで張り合わせる工程と、
を含むことを特徴とする多層配線回路基板の製造方法。
（付記７） 前記第１および第２の配線板を準備する工程は、
前記第１の断面積の信号配線を、第１の絶縁材料層に形成する工程と、前記第２の断面積の高密度信号配線を、前記第１の絶縁材料層よりも誘電率の大きい第２の絶縁材料層に形成する工程を含むことを特徴とする付記６に記載の多層配線回路基板の製造方法。
（付記８） 前記接着性の絶縁シートとして、熱硬化性樹脂をガラスクロスに含侵したコンポジット材料、熱硬化性樹脂をアラミド不織布に含侵したコンポジット材料、両面に熱硬化性樹を塗布した樹脂フィルムのいずれかを用いることを特徴とする付記６に記載の多層配線回路基板の製造方法。
（付記９） 前記第１および第２の配線板を準備する工程は、第１配線板と第２配線板を、ビルドアップ基板として作製する工程を含むことを特徴とする付記６に記載の多層配線回路基板の製造方法。
（付記１０） 前記接着性の絶縁シートの膜厚を、前記第１配線板の第１絶縁材料層と、第２配線板の第２絶縁材料層の膜厚よりも薄く設定することを特徴とする付記７に記載の多層配線回路基板の製造方法。

本発明の一実施形態に係る多層配線回路基板の分解模式図である。 本発明の一実施形態に係る多層配線回路基板の断面模式図である。 本発明の一実施形態に係る多層配線回路基板の製造工程（その１）である。 本発明の一実施形態に係る多層配線回路基板の製造工程（その２）であり、図３（ｄ）に引き続く工程を示す。 本発明の一実施形態に係る多層配線回路基板の製造工程（その３）であり、図３および４で個別に作製した配線板を張り合わせ工程を示す。 本発明の一実施形態に係る多層配線回路基板の製造工程（その４）であり、張り合わせにより一体化された多層配線回路基板を示す。 従来の多層配線構造と本発明の多層配線構造とを比較する模式図である。 周波数と伝送損失の関係を示すグラフであり、本発明の多層配線回路基板による伝送損失低減の効果を示すグラフである。

符号の説明

１ 多層配線回路基板
１０、５０Ａ 高速配線板（第１配線板）
１１、２１、５７ａ、５７ｂ 電源層（電源・グランド層）
１２、２２、５５ａ、５５ｂ 配線板貫通ビア
１３ 高周波信号線路
１４ 高速配線板の絶縁層（第１絶縁材料層）
２３ 高密度信号配線
２４ 高密度配線板の絶縁層（第２絶縁材料層）
２０、５０Ｂ 高密度配線板（第２配線板）
３０、６０ プリプレグ（接着性絶縁層）
３１、６１ プリプレグ貫通ビア
４０ コア材
４１ コア材絶縁層
４３、４７ 銅箔
４５ プリプレグ（絶縁層）
５１ ビアホール
７１、７２ 入出力ビア

Claims (5)

1. 第１絶縁材料層と、当該第１絶縁材料層に形成され第１の断面積を有する信号配線とを含む第１配線部と、
   第２絶縁材料層と、当該第２絶縁材料層に形成され前記第１の断面積よりも小さい第２の断面積の高密度信号配線とを含み、前記第１配線部を挟んで厚さ方向に対称に位置する一対の第２配線部と、
   前記第１配線部と各々の第２配線部との間に挿入され、所定の位置に形成された導電性の貫通ビアを有する接着性の絶縁層と、
   前記第１配線部と接着性絶縁層、および接着性絶縁層と第２配線部との間に位置する電源層と
   を備える多層配線回路基板。
2. 前記第１配線部において前記信号線路が形成される第１絶縁材料層の誘電率は、第２配線部において前記高密度信号配線が形成される第２絶縁材料層の誘電率よりも低いことを特徴とする請求項１に記載の多層配線回路基板。
3. 前記接着性絶縁層は、熱硬化性樹脂をガラスクロスに含侵したコンポジット材料、熱硬化性樹脂をアラミド不織布に含侵したコンポジット材料、熱硬化性樹膜で被覆された樹脂材料のいずれかで形成されることを特徴とする請求項１に記載の多層配線回路基板。
4. 第１の断面積の信号配線を有し、両面に電源層を設けた第１配線板と、第１の断面積よりも小さい第２の断面積の高密度信号配線を有し、実装面と反対側の面に電源層を設けた一対の第２配線板とを個別に準備する工程と、
   前記一対の第２配線板で第１配線板を挟むように、前記第１配線板の電源層と、第２配線板の電源層とを、所定の位置に導電性の貫通ビアを有する接着性の絶縁シートで張り合わせる工程と、
   を含むことを特徴とする多層配線回路基板の製造方法。
5. 前記第１および第２の配線板を準備する工程は、
   前記第１の断面積の信号配線を、第１の絶縁材料層に形成する工程と、前記第２の断面積の高密度信号配線を、前記第１の絶縁材料層よりも誘電率の大きい第２の絶縁材料層に形成する工程を含むことを特徴とする請求項４に記載の多層配線回路基板の製造方法。
   

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