WO2017110993A1 - 高周波モジュール - Google Patents

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electrode pattern
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行晃 菅谷
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Definitions

  • the present invention relates to a high-frequency module having a surface acoustic wave filter.
  • a surface acoustic wave filter has been widely used as a band-pass filter disposed in a front end portion of a mobile communication device. Further, a multiplexer having a plurality of surface acoustic wave filters has been put into practical use in order to cope with the combination of multimode / multiband. This surface acoustic wave filter is required to have a function of passing a high-frequency signal in the pass band with low loss and blocking a high-frequency signal outside the pass band with high attenuation.
  • Patent Document 1 discloses a configuration of a high-frequency module including a multilayer substrate in which an internal wiring pattern having an inductance function is incorporated, and a WLP type (Wafer Level Package) surface acoustic wave filter disposed on the multilayer substrate. It is disclosed.
  • FIG. 6 is a cross-sectional structure diagram of the high-frequency module described in Patent Document 1.
  • the high-frequency module 800 shown in the figure includes a laminated substrate 820 and a surface acoustic wave filter 801.
  • the surface acoustic wave filter 801 includes a filter substrate 810, a cover layer 813, and a connection electrode 812.
  • An IDT (InterDigital Transducer) electrode constituting the filter unit 811 is formed on the surface of the filter substrate 810, and the surface is disposed so as to face the mounting surface of the multilayer substrate 820.
  • An inductor 814 is formed in a pattern in the cover layer 813 of the surface acoustic wave filter 801, and an inductor 822 is formed in the multilayer substrate 820 with an internal wiring pattern. In the above configuration, the inductor 814 and the inductor 822 are inductively coupled. As a result, the attenuation characteristics outside the pass band of the surface acoustic wave filter 801 can be improved.
  • the present invention has been made to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a small high-frequency module with improved attenuation characteristics outside the passband of the surface acoustic wave filter.
  • a high-frequency module includes a module substrate, a piezoelectric substrate disposed on a main surface of the module substrate, and an electrode pattern formed on the piezoelectric substrate.
  • the electrode pattern including the IDT electrode of the surface acoustic wave filter and the wiring electrode pattern connecting the IDT electrode and the wiring pattern formed on the resin member in contact with the surface acoustic wave filter can be coupled with a narrow gap. It becomes possible. Therefore, compared with the coupling
  • bonding are securable.
  • the attenuation outside the passband can be increased by the signal propagation path outside the passband formed by this strong coupling. Therefore, it is possible to reduce the size while improving the attenuation characteristics outside the pass band of the surface acoustic wave filter.
  • the wiring pattern may be formed on the resin member so as to overlap a part of the electrode pattern.
  • the electrode pattern of the surface acoustic wave filter and the wiring pattern formed on the resin member are coupled with a narrower gap than when the in-substrate wiring and the electrode pattern of the surface acoustic wave filter are coupled. Is possible. Therefore, it is possible to promote downsizing while further improving the attenuation characteristics outside the pass band of the surface acoustic wave filter.
  • the distance between the wiring pattern and the electrode pattern may be smaller than the distance between the main surface and the electrode pattern.
  • the coupling between the electrode pattern and the wiring pattern can be made stronger than the coupling between the electrode pattern and the wiring pattern formed on the module substrate. Therefore, compared with the structure which couple
  • bonding can be ensured in space saving.
  • the wiring pattern is a shunt-type inductor connected to an input / output terminal and a ground terminal of the surface acoustic wave filter, and the wiring pattern and the electrode pattern are inductive coupling, capacitive coupling, or There may be inductive coupling and capacitive coupling.
  • the signal propagation path that flows through the shunt-type inductor formed by the inductive coupling, the capacitive coupling, or the inductive coupling and the capacitive coupling is effective for increasing the attenuation outside the passband. is there. Therefore, it is possible to improve the attenuation characteristics outside the pass band of the surface acoustic wave filter.
  • the electrode pattern and the wiring pattern are connected via a first internal wiring pattern and a first columnar conductor penetrating the resin member in the module substrate, and the wiring pattern and the ground terminal are the resin It may be connected via a second columnar conductor penetrating the member and a second internal wiring pattern in the module substrate.
  • the first internal wiring pattern, the second internal wiring pattern, the first columnar conductor, and the second columnar conductor it is possible to arrange the wiring pattern at an arbitrary location on the resin member. That is, the arrangement relationship between the electrode pattern and the wiring pattern can be optimized. Therefore, it is possible to reduce the size while improving the attenuation characteristics outside the pass band of the surface acoustic wave filter.
  • the surface acoustic wave filter includes a support member formed on the surface of the piezoelectric substrate so as to surround the electrode pattern, and is formed on the support member.
  • the surface acoustic wave filter forms a hollow space together with the support member and the piezoelectric substrate.
  • a cover member that covers the electrode pattern so as to be configured, and the module substrate, the cover member, the piezoelectric substrate, and the wiring pattern may be arranged in this order in a direction perpendicular to the main surface.
  • the electrode pattern and the wiring pattern can be opposed to each other with the piezoelectric substrate interposed therebetween. That is, the gap for coupling the electrode pattern and the wiring pattern can be set to the minimum thickness of the piezoelectric substrate. Therefore, it is effective to improve the attenuation characteristics outside the pass band of the WLP type surface acoustic wave filter whose size reduction is promoted.
  • a grounded shield electrode may be formed on a surface of the cover member facing the module substrate or a surface facing the piezoelectric substrate.
  • the shield electrode is disposed between the electrode pattern of the WLP type surface acoustic wave filter and the internal wiring pattern formed on the module substrate, unnecessary mutual interference between the surface acoustic wave filter and the internal wiring pattern. Can be suppressed.
  • the area of the module substrate can be reduced. Therefore, the high frequency module can be reduced in size.
  • the shield electrode may be formed so as to overlap at least a part of the electrode pattern.
  • the shield electrode may be formed so as to overlap an overlapping region of the third internal wiring pattern and the electrode pattern on the module substrate when the module substrate is viewed in plan.
  • the shield electrode is interposed in the overlapping region between the electrode pattern and the third internal wiring pattern in plan view, unnecessary mutual interference between the electrode pattern and the third internal wiring pattern can be suppressed with high accuracy.
  • the third internal wiring pattern is an inductor connected to the electrode pattern and connected to a parallel resonator and a ground terminal of the surface acoustic wave filter, and the shield electrode is used to connect the third internal wiring pattern to the third internal wiring pattern. Inductive coupling with the electrode pattern, capacitive coupling, or inductive coupling and capacitive coupling may be suppressed.
  • the third internal wiring pattern connected to the parallel resonator has a function of generating an attenuation pole outside the passband by forming a resonance circuit together with the resonator. If the third internal wiring pattern is further combined with the electrode pattern in a state having this function, the function of generating the attenuation pole may be hindered. On the other hand, by disposing the shield electrode between the electrode pattern and the third internal wiring pattern, it is possible to suppress the deterioration of the attenuation characteristic outside the pass band.
  • the high frequency module of the present invention it is possible to reduce the size while improving the attenuation characteristics outside the pass band of the surface acoustic wave filter.
  • FIG. 1 is a circuit configuration diagram of the high-frequency module according to the first embodiment.
  • FIG. 2 is a cross-sectional structure diagram of the high-frequency module according to Embodiment 1.
  • FIG. 3 is a plan perspective view of the high-frequency module according to the first embodiment.
  • FIG. 4 is a circuit configuration diagram of the high-frequency module according to the second embodiment.
  • FIG. 5 is a cross-sectional structure diagram of the high-frequency module according to the second embodiment.
  • FIG. 6 is a cross-sectional structure diagram of the high-frequency module described in Patent Document 1.
  • FIG. 1 is a circuit configuration diagram of a high-frequency module 100 according to the first embodiment.
  • the high-frequency module 100 shown in the figure includes a surface acoustic wave (hereinafter referred to as SAW) filter 100A, inductors 131L, 132L, 141L and 142L connected to the SAW filter 100A, an input terminal 101, And an output terminal 102.
  • SAW surface acoustic wave
  • the SAW filter 100A constitutes a ladder-type bandpass filter and includes series resonators 111s, 112s, and 113s, and parallel resonators 121p and 122p.
  • the series resonators 111s to 113s are connected in series with each other between the filter input terminal 101A and the filter output terminal 102A.
  • the parallel resonators 121p and 122p are connected in parallel to each other between the connection points of the series resonators 111s to 113s and the filter reference terminals 103A and 104A.
  • the inductor 131L is connected between the filter reference terminal 103A and the ground terminal, and the inductor 132L is connected between the filter reference terminal 104A and the ground terminal.
  • Each of the inductors 131L and 132L has a function of generating an attenuation pole outside the pass band of the SAW filter 100A by forming an LC resonance circuit with the capacitive component of the SAW filter 100A.
  • the inductor 141L is connected between the wiring connecting the input terminal 101 and the filter input terminal 101A and the ground, and the inductor 142L is connected between the wiring connecting the output terminal 102 and the filter output terminal 102A and the ground. Yes.
  • the inductor 141L has a function of matching impedance between a peripheral circuit (for example, an antenna circuit) connected to the input terminal 101 and the SAW filter 100A, and the inductor 142L is a circuit (for example, an amplifier circuit) connected to the output terminal 102.
  • the SAW filter 100A have a function of impedance matching.
  • the structure of the SAW filter 100A may not be a ladder type, and may be any other structure having a resonator such as a longitudinally coupled type. Further, the connection mode of the inductor and the capacitor connected to the SAW filter 100A is not limited to the above mode.
  • FIG. 2 is a cross-sectional structure diagram of the high-frequency module 100 according to the first embodiment.
  • the high-frequency module 100 includes a module substrate 20, a SAW filter 100 ⁇ / b> A, a resin member 29, and a wiring pattern 282.
  • the SAW filter 100A includes a piezoelectric substrate 21 and an electrode pattern 23 formed on the piezoelectric substrate 21.
  • the electrode pattern 23 includes an IDT (InterDigital Transducer) electrode 22 having a comb shape and a connection wiring 151 for connecting the IDT electrode 22.
  • IDT InterDigital Transducer
  • Each resonator shown in FIG. 1 includes an IDT electrode 22 and a piezoelectric substrate 21.
  • the SAW filter 100A has a WLP (Wafer Level Package) structure, and is formed on the surface of the piezoelectric substrate 21, the electrode pattern 23, and the piezoelectric substrate 21 so as to surround the electrode pattern 23.
  • the support member 24 and the cover member 25 that is formed on the support member 24 and covers the electrode pattern 23 so as to form a hollow space together with the support member 24 and the piezoelectric substrate 21.
  • the module substrate 20 is a multilayer substrate in which a plurality of layers are laminated, and examples thereof include a ceramic multilayer substrate and a PCB substrate.
  • An input terminal 101 and an output terminal 102 are formed on the back surface of the module substrate 20.
  • the input terminal 101 is connected to the surface electrode 271 via the via conductor 201, and the output terminal 102 is connected to the surface electrode 272 via the via conductor 202 and the internal wiring pattern 205.
  • the resin member 29 covers the SAW filter 100 ⁇ / b> A disposed on the module substrate 20.
  • Examples of the material of the resin member 29 include a resin such as a thermosetting epoxy resin.
  • the epoxy resin may contain an inorganic filler such as SiO 2 .
  • the wiring pattern 282 is connected to the electrode pattern 23 and formed on the surface of the resin member 29. More specifically, the wiring pattern 282 is connected to the electrode pattern 23 via the columnar conductor 281, the internal wiring pattern 205 (first internal wiring pattern), the surface electrode 272, and the bump 262.
  • the columnar conductor 281 is a first columnar conductor that penetrates the resin member 29 in the vertical direction (z-axis direction) of the module substrate 20 and is made of, for example, a Cu pillar.
  • the wiring pattern 282 is connected to the ground electrode 204 via the columnar conductor 283 and the via conductor 203 (second internal wiring pattern) of the module substrate 20.
  • the columnar conductor 283 is a second columnar conductor that penetrates the resin member 29 in the vertical direction (z-axis direction) of the module substrate 20 and is made of, for example, a Cu pillar.
  • the wiring pattern 282 has an inductance component and constitutes, for example, the inductor 142L of FIG. That is, the wiring pattern 282 is a shunt-type inductor 142L connected to the output terminal 102 and the ground terminal of the SAW filter 100A.
  • the wiring pattern 282 may not be formed on the surface of the resin member 29, and may be formed inside the resin member 29. That is, the wiring pattern 282 only needs to be connected to the electrode pattern 23 and formed on the resin member 29.
  • the distance D1 between the wiring pattern 282 and the electrode pattern 23 is smaller than the distance D2 between the module substrate 20 and the electrode pattern 23.
  • FIG. 3 is a plan perspective view of the high-frequency module 100 according to the first embodiment.
  • This figure is a perspective view of the high-frequency module 100 viewed from the top surface of the resin member 29 (from the positive z-axis direction). Specifically, the figure shows a wiring pattern 282 and an electrode pattern 23 seen through the resin member 29 and the piezoelectric substrate 21.
  • an electrode pattern 23 as shown in FIG. 3 is laid out on the surface of the piezoelectric substrate 21 (the main surface on the z-axis negative direction side).
  • the electrode pattern 23 includes series resonators 111s, 112s, and 113s, an IDT electrode 22 corresponding to the parallel resonators 121p and 122p, a connection wiring 151 that connects the series resonators 111s and 112s, and series resonators 112s and 113s.
  • Each component of the electrode pattern 23 may have an inductance component or a capacitance component when a high-frequency current flows.
  • the IDT electrode 22 mainly has a capacitance component
  • the connection wirings 151 and 152 mainly have an inductance component.
  • the wiring pattern 282 is disposed so as to overlap with the SAW filter 100A when the module substrate 20 is viewed in plan. More specifically, the wiring pattern 282 is formed on the resin member 29 so as to overlap a part of the electrode pattern 23.
  • the wiring pattern 282 has a meander shape portion (folded shape portion). This meander-shaped portion functions as an inductor when a high-frequency current flows through the wiring pattern 282. In the present embodiment, the meander-shaped portion corresponds to the inductor 142L in FIG.
  • the meandering portion of the wiring pattern 282 and the connection wiring 151 of the electrode pattern 23 overlap when viewed from the top surface of the resin member 29 (from the z-axis positive direction).
  • the meander-shaped portion of the wiring pattern 282 and the connection wiring 151 are inductively coupled (C2 in FIG. 1) (capacitive coupling or inductive by a narrow gap through only the resin member 29. Coupling and capacitive coupling).
  • C2 in FIG. 1 Capacitive coupling or inductive by a narrow gap through only the resin member 29. Coupling and capacitive coupling.
  • connection wirings 151 and 152 As a signal path through which the high-frequency signal propagates, from the input terminal 101 in addition to the main signal path that propagates from the input terminal 101 to the output terminal 102 via each series resonator, connection wirings 151 and 152, The connection wiring 151 and the sub-signal path that propagates to the connection wiring 151 and the inductor 142L inductively coupled, capacitively coupled, or inductively coupled and capacitively coupled are newly formed.
  • the main signal path is passed by adjusting the degree of coupling of the inductive coupling C2 (or capacitive coupling, or inductive coupling and capacitive coupling) between the meander-shaped portion of the wiring pattern 282 and the connection wiring 151. It is possible to adjust the relationship between the amplitude and phase of the signal component outside the pass band that passes through and the signal component outside the pass band that passes through the sub-signal path. This makes it possible to cancel out signal components outside the passband.
  • the electrode pattern 23 and the internal wiring pattern of the module substrate 20 are combined, space-saving and strong coupling can be ensured.
  • the attenuation outside the pass band of the SAW filter 100A can be improved by the signal propagation path outside the pass band formed by this strong coupling. Therefore, it is possible to reduce the size while improving the attenuation characteristics outside the pass band of the surface acoustic wave filter.
  • the set of components that generate at least one of inductive coupling and capacitive coupling includes the meander-shaped portion of the wiring pattern 282 and the connection wiring 152 in addition to the meander-shaped portion of the wiring pattern 282 and the connection wiring 151. It may be a set (C1 in FIG. 1).
  • the direction of the current flowing through the wiring pattern 282 and the direction of the current flowing through the portion of the electrode pattern 23 overlapping the wiring pattern 282 are preferably the same.
  • the coupling between the magnetic field generated by the wiring pattern 282 and the magnetic field generated by the electrode pattern 23 can be strengthened. Therefore, the attenuation characteristic outside the pass band of the SAW filter 100A can be further improved.
  • the coupling between the wiring pattern 282 and the electrode pattern 23 is not limited to inductive coupling, and may be capacitive coupling. Accordingly, the combination that generates the coupling may be, for example, a combination of the wiring pattern 282 and the IDT electrode 22. Furthermore, the portion of the electrode pattern 23 that is coupled to the wiring pattern 282 may be a portion in which the IDT electrode 22 and the connection wiring are combined.
  • the wiring pattern 282 is not limited to having the meander-shaped portion as described above.
  • the shape having an inductance component may be a spiral shape or a linear shape.
  • the shape which has a capacitance component suitably may be sufficient.
  • the configuration for improving the attenuation outside the passband of the SAW filter 100A by coupling the components between the input and output terminals connected to one SAW filter 100A is exemplified. It is not limited to this.
  • the high-frequency module according to the present invention may have a configuration having a plurality of SAW filters such as a duplexer and a dual filter. In this case, for example, by combining an electrode pattern of one SAW filter and a wiring pattern connected to the other SAW filter, it is possible to improve isolation between the plurality of filters.
  • the high frequency module according to the first embodiment has a configuration in which the electrode pattern and the wiring pattern of the SAW filter are positively coupled, whereas the high frequency module according to the second embodiment has the configuration of the first embodiment and It has a configuration that eliminates the coupling between the electrode pattern of the SAW filter and the wiring pattern.
  • the high frequency module according to the present embodiment will not be described for the same points as those of the high frequency module according to the first embodiment, and will be described mainly with respect to different points.
  • FIG. 4 is a circuit configuration diagram of the high-frequency module 500 according to the second embodiment.
  • the high-frequency module 500 shown in the figure includes a SAW filter 500A, inductors 131L, 132L, 141L, and 142L connected to the SAW filter 500A, an input terminal 101, and an output terminal 102.
  • FIG. 5 is a cross-sectional structure diagram of the high-frequency module 500 according to the second embodiment.
  • the high-frequency module 500 includes a module substrate 50, a SAW filter 500 ⁇ / b> A, a resin member 59, and a wiring pattern 582.
  • SAW filter 500 ⁇ / b> A includes a piezoelectric substrate 51 and an electrode pattern 53 formed on the piezoelectric substrate 51.
  • the electrode pattern 53 includes an IDT electrode 52 having a comb shape and a connection wiring 151 for connecting the IDT electrode 52.
  • Each resonator shown in FIG. 4 includes an IDT electrode 52 and a piezoelectric substrate 51.
  • the SAW filter 500A has a WLP structure and includes a piezoelectric substrate 51, an electrode pattern 53, a support member 54, and a cover member 551.
  • a grounded shield electrode 552 is formed on the surface (back surface) of the cover member 551 facing the piezoelectric substrate 51.
  • the cover member 551 and the shield electrode 552 constitute a cover 55.
  • the cover member 551 is made of, for example, a polyimide film having a thickness of 45 ⁇ m or a material containing at least one of epoxy, urethane, phenol, polyester, BCB, and PBO.
  • the shield electrode 552 is made of a conductive metal material such as copper, aluminum, silver, or gold, and is formed on the front or back surface of the cover member 551 by, for example, vapor deposition or printing.
  • the module substrate 50, the cover member 551, the piezoelectric substrate 51, and the wiring pattern 582 are arranged in this order in the vertical direction (z-axis direction) of the module substrate 50.
  • the shield electrode 552 is disposed between the electrode pattern 53 of the WLP-type SAW filter 500A and the internal wiring pattern formed on the module substrate 50, the SAW filter 500A and the internal wiring pattern Unnecessary mutual interference can be suppressed. Further, since it is not necessary to form the shield electrode 552 for suppressing mutual interference on the module substrate 50, the module substrate 50 can be reduced in area. Therefore, the high frequency module 500 can be reduced in size.
  • the module substrate 50 is a multilayer substrate in which a plurality of layers are laminated, and examples thereof include a ceramic multilayer substrate and a PCB substrate.
  • a surface electrode 573 connected to a bump 563 that functions as another filter reference terminal (not shown) of the SAW filter 500A is formed.
  • the surface electrode 571 is connected to the ground electrode 503 through a via conductor 501 and an internal wiring pattern 502 formed in the module substrate 50.
  • the via conductor 501 and the internal wiring pattern 502 are a third internal wiring pattern that functions as a laminated coil, and correspond to the inductor 132L in FIG. That is, the third internal wiring pattern is the inductor 132L connected to the electrode pattern 53 and connected to the parallel resonator 122p of the SAW filter 500A and the ground terminal.
  • An input terminal 101 (not shown) and an output terminal 102 are formed on the back surface of the module substrate 50.
  • the output terminal 102 is connected to the surface electrode 572 via the via conductor 507 and the internal wiring pattern 506.
  • Resin member 59 covers SAW filter 500 ⁇ / b> A disposed on module substrate 50.
  • the wiring pattern 582 is connected to the electrode pattern 53 and formed on the surface of the resin member 59. More specifically, the wiring pattern 582 is connected to the electrode pattern 53 via the columnar conductor 581, the internal wiring pattern 506 (first internal wiring pattern), the surface electrode 572, and the bump 562. Furthermore, the wiring pattern 582 is connected to the ground electrode 505 via the columnar conductor 583 and the via conductor 504 (second internal wiring pattern) of the module substrate 50.
  • the columnar conductors 581 and 583 are made of, for example, Cu pillars.
  • the wiring pattern 582 has an inductance component, and constitutes, for example, the inductor 142L of FIG. That is, the wiring pattern 582 is a shunt-type inductor 142L connected to the output terminal 102 and the ground terminal of the SAW filter 500A.
  • the wiring pattern 582 may not be formed on the surface of the resin member 59 but may be formed inside the resin member 59.
  • the distance D 1 between the wiring pattern 582 and the electrode pattern 53 is smaller than the distance D 2 between the module substrate 50 and the electrode pattern 53.
  • the wiring pattern 582 is disposed so as to overlap with the SAW filter 500A when the module substrate 50 is viewed in plan view. More specifically, the wiring pattern 582 is formed on the resin member 59 so as to overlap a part of the electrode pattern 53.
  • the wiring pattern 582 may have a meander shape portion (folded shape portion). This meander-shaped portion functions as an inductor when a high-frequency current flows through the wiring pattern 582. This meander-shaped portion corresponds to the inductor 142L in FIG.
  • the meandering portion of the wiring pattern 582 and the connection wiring 151 of the electrode pattern 53 overlap when viewed from the top surface of the resin member 59 (from the z-axis positive direction).
  • the meander-shaped portion of the wiring pattern 582 and the connection wiring 151 are inductively coupled with a narrow gap through only the resin member 59 (C2 in FIG. 4) (capacitive coupling or inductive coupling). And capacitive coupling).
  • the electrode pattern 53 and the internal wiring pattern of the module substrate 50 are combined, space-saving and strong coupling can be secured.
  • the attenuation outside the pass band of the SAW filter 500A can be improved by the signal propagation path outside the pass band formed by this strong coupling. Therefore, it is possible to reduce the size while improving the attenuation characteristics outside the pass band of the surface acoustic wave filter.
  • the shield electrode 552 is formed so as to overlap the connection wiring 151 which is a part of the electrode pattern 53.
  • the third internal wiring pattern forms an attenuation pole outside the pass band of the SAW filter 500A by configuring an LC resonance circuit with the capacitive component of the SAW filter 500A.
  • the inductor 132L is inductively coupled, capacitively coupled, or inductively coupled and capacitively coupled to the connection wiring 151, the attenuation amount of the attenuation pole generated in a predetermined frequency region outside the passband is increased. It may be adversely affected, such as becoming smaller or shifting the attenuation pole.
  • the shield electrode 552 and the connection wiring 151 are formed so as to overlap when the module substrate 50 is viewed in plan view. 3 It becomes possible to suppress at least one of inductive coupling (C3 in FIG. 4) and capacitive coupling with the internal wiring pattern (inductor 132L). Therefore, unnecessary mutual interference between the electrode pattern 53 and the internal wiring pattern of the module substrate 50 can be more effectively suppressed, and the characteristic deterioration of the SAW filter 500A can be suppressed.
  • the shield electrode 552 is formed so as to overlap.
  • the shield electrode 552 is interposed in the overlapping region of the electrode pattern 53 and the third internal wiring pattern in the plan view, unnecessary mutual interference between the electrode pattern 53 and the third internal wiring pattern is reduced. The accuracy can be suppressed.
  • the meander shape portion of the wiring pattern 582 and the connection wire 151 may be used.
  • the set of components that suppress at least one of inductive coupling and capacitive coupling may be a set of inductor 131L and connection wiring 152 in addition to the set of inductor 132L and connection wiring 151.
  • the direction of the current flowing through the wiring pattern 582 and the direction of the current flowing through the portion of the electrode pattern 53 overlapping the wiring pattern 582 are the same. Therefore, the coupling
  • the coupling between the wiring pattern 582 and the electrode pattern 53 is not limited to inductive coupling, and may be capacitive coupling. Accordingly, the combination that generates the coupling may be, for example, a combination of the wiring pattern 582 and the IDT electrode 52.
  • the coupling that is suppressed between the third internal wiring pattern and the electrode pattern 53 is not limited to inductive coupling, and may be capacitive coupling.
  • the group in which the coupling is suppressed may be, for example, a group of the third internal wiring pattern and the IDT electrode 52.
  • the shield electrode 552 may be formed on the entire surface (back surface) of the cover member 551 facing the piezoelectric substrate 51, or may be formed on a part of the back surface. Further, the shield electrode 552 may be formed on the entire surface (surface) of the cover member 551 facing the module substrate 50, or may be formed on a part of the surface.
  • the high-frequency module according to the embodiment of the present invention has been described with reference to the first and second embodiments, but the high-frequency module of the present invention is not limited to the above-described embodiment.
  • the present invention can be widely used in communication equipment such as a mobile phone as a high-frequency module disposed in a multiband / multimode-compatible front end unit.

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Abstract

高周波モジュール（１００）は、圧電基板（２１）と圧電基板（２１）上に形成された電極パターン（２３）とを含むＳＡＷフィルタ（１００Ａ）と、モジュール基板（２０）と、ＳＡＷフィルタ（１００Ａ）を覆う樹脂部材（２９）と、電極パターン（２３）に接続し、樹脂部材（２９）に形成された配線パターン（２８２）とを備え、電極パターン（２３）と配線パターン（２８２）とは、誘導性結合、容量性結合、または、誘導性結合および容量性結合している。

Description

高周波モジュール
　本発明は、弾性表面波フィルタを有する高周波モジュールに関する。
　従来、移動体通信機のフロントエンド部に配置される帯域通過フィルタなどに、弾性表面波フィルタが広く用いられている。また、マルチモード／マルチバンドなどの複合化に対応すべく、複数の弾性表面波フィルタを備えたマルチプレクサが実用化されている。この弾性表面波フィルタには、通過帯域内の高周波信号を低損失で通過させ、通過帯域外の高周波信号を高減衰で遮断する機能が要求される。
　特許文献１には、インダクタンス機能を有する内部配線パターンが内蔵された積層基板と、当該積層基板上に配置されたＷＬＰ型（Ｗａｆｅｒ　Ｌｅｖｅｌ　Ｐａｃｋａｇｅ）の弾性表面波フィルタとを備えた高周波モジュールの構成が開示されている。図６は、特許文献１に記載された高周波モジュールの断面構造図である。同図に記載された高周波モジュール８００は、積層基板８２０と、弾性表面波フィルタ８０１とを備える。弾性表面波フィルタ８０１は、フィルタ基板８１０、カバー層８１３、および接続電極８１２を備える。フィルタ基板８１０の表面には、フィルタ部８１１を構成するＩＤＴ（ＩｎｔｅｒＤｉｇｉｔａｌ　Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）電極が形成され、当該表面が積層基板８２０の実装面に向くように配置されている。弾性表面波フィルタ８０１のカバー層８１３内にはインダクタ８１４がパターン形成されており、積層基板８２０にはインダクタ８２２が内部配線パターンにより形成されている。上記構成において、インダクタ８１４とインダクタ８２２とは誘導性結合している。これにより、弾性表面波フィルタ８０１の通過帯域外の減衰特性を向上させることが可能となる。
特開２０１５－３３０８０号公報
　しかしながら、特許文献１に記載された高周波モジュールにおいて、弾性表面波フィルタ内の電極配線およびＩＤＴ電極を含む電極パターンと、積層基板の内部配線パターンとの誘導性結合を図る場合、弾性表面波フィルタの電極パターンと積層基板との距離が大きいため十分な誘導性結合が得られないという問題がある。
　そこで、本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、弾性表面波フィルタの通過帯域外の減衰特性を向上させた小型の高周波モジュールを提供することを目的とする。
　上記目的を達成するために、本発明の一態様に係る高周波モジュールは、モジュール基板と、前記モジュール基板の主面上に配置され、圧電基板と当該圧電基板上に形成された電極パターンとを含む弾性表面波フィルタと、前記弾性表面波フィルタを覆う樹脂部材と、前記電極パターンに接続され、前記樹脂部材に形成された配線パターンとを備え、前記電極パターンと前記配線パターンとは、誘導性結合、容量性結合、または、誘導性結合および容量性結合している。
　これにより、弾性表面波フィルタのＩＤＴ電極および当該ＩＤＴ電極を接続する配線電極パターンを含む電極パターンと、弾性表面波フィルタに接する樹脂部材に形成された配線パターンとを、狭ギャップで結合させることが可能となる。よって、上記電極パターンとモジュール基板の内部配線パターンとの結合に比べて、省スペースで強い結合を確保できる。この強い結合により形成された通過帯域外の信号伝搬経路により、通過帯域外の減衰量を大きくすることができる。よって、弾性表面波フィルタの通過帯域外の減衰特性を向上させつつ小型化が可能となる。
　また、前記主面を平面視した場合に、前記配線パターンは、前記電極パターンの一部と重なるように前記樹脂部材に形成されていてもよい。
　これにより、弾性表面波フィルタの電極パターンと樹脂部材に形成された配線パターンとを、基板内配線と弾性表面波フィルタの電極パターンとが結合された場合と比べて、より狭ギャップで結合させることが可能となる。よって、弾性表面波フィルタの通過帯域外の減衰特性を、より向上させつつ小型化を促進できる。
　また、前記モジュール基板を断面視した場合に、前記配線パターンと前記電極パターンとの距離は、前記主面と前記電極パターンとの距離よりも小さくてもよい。
　これにより、上記電極パターンと上記配線パターンとの結合を、当該電極パターンとモジュール基板に形成された配線パターンとの結合よりも強くすることができる。よって、モジュール基板の配線パターンと上記電極パターンとを結合させる構成に比べて、省スペースで強い結合を確保できる。
　また、前記配線パターンは、前記弾性表面波フィルタの入出力端子および接地端子に接続されたシャント型のインダクタであり、前記配線パターンと前記電極パターンとは、誘導性結合、容量性結合、または、誘導性結合および容量性結合していてもよい。
　特に、上記誘導性結合、容量性結合、または、誘導性結合および容量性結合により形成された、シャント型のインダクタを流れる信号伝搬経路は、通過帯域外の減衰量を大きくすることに効果的である。よって、弾性表面波フィルタの通過帯域外の減衰特性を向上させることが可能となる。
　また、前記電極パターンと前記配線パターンとは、前記モジュール基板における第１内部配線パターンおよび前記樹脂部材を貫通する第１柱状導体を介して接続され、前記配線パターンと前記接地端子とは、前記樹脂部材を貫通する第２柱状導体および前記モジュール基板における第２内部配線パターンを介して接続されていてもよい。
　第１内部配線パターン、第２内部配線パターン、第１柱状導体、および第２柱状導体を用いることにより、配線パターンを樹脂部材の任意の場所に配置することが可能となる。つまり、電極パターンと配線パターンとの配置関係を最適化することが可能となる。よって、弾性表面波フィルタの通過帯域外の減衰特性を向上させつつ小型化が可能となる。
　また、前記弾性表面波フィルタは、前記圧電基板の表面上に前記電極パターンを囲むように形成された支持部材と、前記支持部材上に形成されており前記支持部材および前記圧電基板と共に中空空間を構成するように前記電極パターンを覆うカバー部材とをさらに含み、前記主面の垂直方向に、前記モジュール基板、前記カバー部材、前記圧電基板、前記配線パターンの順に配置されていてもよい。
　上記構成によれば、ＷＬＰ構造を有する弾性表面波フィルタの場合、圧電基板を挟んで、電極パターンと配線パターンとを対向させることが可能となる。つまり、電極パターンと配線パターンとの結合のためのギャップを、最小で圧電基板の厚みとすることが可能となる。よって、小型化が促進されるＷＬＰ型の弾性表面波フィルタの通過帯域外の減衰特性を向上させることに有効である。
　また、前記カバー部材の前記モジュール基板に対向する面または前記圧電基板に対向する面には、接地されたシールド電極が形成されていてもよい。
　これにより、ＷＬＰ型の弾性表面波フィルタの電極パターンとモジュール基板に形成された内部配線パターンとの間に、シールド電極が配置されるので、弾性表面波フィルタと内部配線パターンとの不要な相互干渉を抑制できる。また、相互干渉抑制のためのシールド電極をモジュール基板に形成する必要がないので、モジュール基板を省面積化できる。よって、高周波モジュールを小型化することが可能となる。
　また、前記モジュール基板を平面視した場合に、前記シールド電極は、前記電極パターンの少なくとも一部と重なるように形成されていてもよい。
　これにより、電極パターンの一部と、モジュール基板に形成された内部配線パターンとの不要な相互干渉を、より効果的に抑制できる。
　また、前記モジュール基板を平面視した場合に、前記モジュール基板における第３内部配線パターンおよび前記電極パターンの重複領域と重なるように、前記シールド電極が形成されていてもよい。
　これにより、平面視における電極パターンと第３内部配線パターンとの重複領域には、シールド電極が介在するので、電極パターンと第３内部配線パターンとの不要な相互干渉を高精度に抑制できる。
　また、前記第３内部配線パターンは、前記電極パターンに接続し、前記弾性表面波フィルタの並列共振子および接地端子に接続されたインダクタであり、前記シールド電極により、前記第３内部配線パターンと前記電極パターンとの誘導性結合、容量性結合、または、誘導性結合および容量性結合が抑制されていてもよい。
　並列共振子に接続された第３内部配線パターンは、共振子とともに共振回路を形成することで、通過帯域外に減衰極を生成する機能を有する。この機能を有する状態で、第３内部配線パターンが、さらに電極パターンと結合すると、上記減衰極の生成機能が阻害される場合がある。これに対して、電極パターンと第３内部配線パターンとの間にシールド電極が配置されることにより、通過帯域外の減衰特性の劣化を抑制することが可能となる。
　本発明に係る高周波モジュールによれば、弾性表面波フィルタの通過帯域外の減衰特性を向上させつつ小型化が可能となる。
図１は、実施の形態１に係る高周波モジュールの回路構成図である。 図２は、実施の形態１に係る高周波モジュールの断面構造図である。 図３は、実施の形態１に係る高周波モジュールの平面透視図である。 図４は、実施の形態２に係る高周波モジュールの回路構成図である。 図５は、実施の形態２に係る高周波モジュールの断面構造図である。 図６は、特許文献１に記載された高周波モジュールの断面構造図である。
　以下、本発明の実施の形態について、実施の形態およびその図面を用いて詳細に説明する。なお、以下で説明する実施の形態は、いずれも包括的または具体的な例を示すものである。以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置および接続形態などは、一例であり、本発明を限定する主旨ではない。以下の実施の形態における構成要素のうち、独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。また、図面に示される構成要素の大きさまたは大きさの比は、必ずしも厳密ではない。
　（実施の形態１）
　［１．１　高周波モジュールの回路構成］
　図１は、実施の形態１に係る高周波モジュール１００の回路構成図である。同図に示された高周波モジュール１００は、弾性表面波（Ｓｕｒｆａｃｅ　Ａｃｏｕｓｔｉｃ　Ｗａｖｅ、以下ＳＡＷと記す）フィルタ１００Ａと、ＳＡＷフィルタ１００Ａに接続されたインダクタ１３１Ｌ、１３２Ｌ、１４１Ｌおよび１４２Ｌと、入力端子１０１と、出力端子１０２とで構成されている。
　ＳＡＷフィルタ１００Ａは、ラダー型のバンドパスフィルタを構成しており、直列共振子１１１ｓ、１１２ｓおよび１１３ｓと、並列共振子１２１ｐおよび１２２ｐとを備える。直列共振子１１１ｓ～１１３ｓは、フィルタ入力端子１０１Ａとフィルタ出力端子１０２Ａとの間に互いに直列に接続されている。また、並列共振子１２１ｐおよび１２２ｐは、直列共振子１１１ｓ～１１３ｓの各接続点とフィルタ基準端子１０３Ａおよび１０４Ａとの間に互いに並列に接続されている。
　インダクタ１３１Ｌは、フィルタ基準端子１０３Ａと接地端子との間に接続され、インダクタ１３２Ｌは、フィルタ基準端子１０４Ａと接地端子との間に接続されている。インダクタ１３１Ｌおよび１３２Ｌは、それぞれ、ＳＡＷフィルタ１００Ａの容量成分とＬＣ共振回路を構成することにより、ＳＡＷフィルタ１００Ａの通過帯域外に減衰極を生成する機能を有している。
　インダクタ１４１Ｌは、入力端子１０１およびフィルタ入力端子１０１Ａを接続する配線と接地との間に接続され、インダクタ１４２Ｌは、出力端子１０２およびフィルタ出力端子１０２Ａを接続する配線と接地との間に接続されている。インダクタ１４１Ｌは、入力端子１０１に接続される周辺回路（例えばアンテナ回路）とＳＡＷフィルタ１００Ａとのインピーダンス整合をとる機能を有し、インダクタ１４２Ｌは、出力端子１０２に接続される回路（例えば増幅回路）とＳＡＷフィルタ１００Ａとのインピーダンス整合をとる機能を有する。
　なお、ＳＡＷフィルタ１００Ａの構造は、ラダー型でなくてもよく、その他縦結合型など共振子を有する構造であればよい。また、ＳＡＷフィルタ１００Ａに接続されるインダクタおよびキャパシタの接続態様も上記態様に限定されない。
　［１．２　高周波モジュールの構造］
　図２は、実施の形態１に係る高周波モジュール１００の断面構造図である。図２に示すように、高周波モジュール１００は、モジュール基板２０と、ＳＡＷフィルタ１００Ａと、樹脂部材２９と、配線パターン２８２とを備える。
　ＳＡＷフィルタ１００Ａは、圧電基板２１と、圧電基板２１上に形成された電極パターン２３とを含む。電極パターン２３は、櫛形形状を有するＩＤＴ（ＩｎｔｅｒＤｉｇｉｔａｌ　Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）電極２２と、ＩＤＴ電極２２を接続する接続配線１５１とを含む。図１に示された各共振子は、ＩＤＴ電極２２および圧電基板２１で構成されている。
　本実施の形態に係るＳＡＷフィルタ１００Ａは、ＷＬＰ（Ｗａｆｅｒ　Ｌｅｖｅｌ　Ｐａｃｋａｇｅ）構造を有しており、圧電基板２１と、電極パターン２３と、圧電基板２１の表面上に電極パターン２３を囲むように形成された支持部材２４と、支持部材２４上に形成されており支持部材２４および圧電基板２１と共に中空空間を構成するように電極パターン２３を覆うカバー部材２５とで構成されている。この構成により、高周波モジュール１００では、モジュール基板２０の垂直方向（ｚ軸方向）に、モジュール基板２０、カバー部材２５、圧電基板２１、配線パターン２８２が、この順で配置されている。
　モジュール基板２０は、複数の層が積層された多層基板であり、例えば、セラミックス多層基板およびＰＣＢ基板などが挙げられる。モジュール基板２０の表面には、ＳＡＷフィルタ１００Ａのフィルタ入力端子１０１Ａとして機能するバンプ２６１と接続された表面電極２７１、ＳＡＷフィルタ１００Ａのフィルタ出力端子１０２Ａとして機能するバンプ２６２と接続された表面電極２７２、および、ＳＡＷフィルタ１００Ａのフィルタ基準端子（図示せず）として機能するバンプ２６３に接続された表面電極２７３が形成されている。また、モジュール基板２０の裏面には、入力端子１０１および出力端子１０２が形成されている。入力端子１０１はビア導体２０１を介して表面電極２７１と接続され、出力端子１０２はビア導体２０２および内部配線パターン２０５を介して表面電極２７２と接続されている。
　樹脂部材２９は、モジュール基板２０上に配置されたＳＡＷフィルタ１００Ａを覆っている。樹脂部材２９の材料として、例えば、熱硬化性のエポキシ樹脂などの樹脂が挙げられる。なお、エポキシ樹脂は、ＳｉＯ２などの無機フィラーを含有してもよい。
　配線パターン２８２は、電極パターン２３に接続され、樹脂部材２９の表面に形成されている。より具体的には、配線パターン２８２は、柱状導体２８１、内部配線パターン２０５（第１内部配線パターン）、表面電極２７２、およびバンプ２６２を経由して、電極パターン２３と接続されている。柱状導体２８１は、樹脂部材２９をモジュール基板２０の垂直方向（ｚ軸方向）に貫通した第１柱状導体であり、例えば、Ｃｕピラーで構成されている。さらに、配線パターン２８２は、柱状導体２８３、およびモジュール基板２０のビア導体２０３（第２内部配線パターン）を介して接地電極２０４と接続されている。柱状導体２８３は、樹脂部材２９をモジュール基板２０の垂直方向（ｚ軸方向）に貫通した第２柱状導体であり、例えば、Ｃｕピラーで構成されている。
　ここで、配線パターン２８２は、インダクタンス成分を有し、例えば、図１のインダクタ１４２Ｌを構成している。つまり、配線パターン２８２は、ＳＡＷフィルタ１００Ａの出力端子１０２および接地端子に接続されたシャント型のインダクタ１４２Ｌである。
　なお、配線パターン２８２は、樹脂部材２９の表面に形成されていなくてもよく、樹脂部材２９の内部に形成されていてもよい。つまり、配線パターン２８２は、電極パターン２３に接続され、樹脂部材２９に形成されていればよい。
　また、図２に示すように、配線パターン２８２と電極パターン２３との距離Ｄ１は、モジュール基板２０と電極パターン２３との距離Ｄ２よりも小さい。
　図３は、実施の形態１に係る高周波モジュール１００の平面透視図である。同図は、高周波モジュール１００を樹脂部材２９の天面から（ｚ軸正方向から）見た透視図である。具体的には、同図には、配線パターン２８２と、樹脂部材２９および圧電基板２１を透視した電極パターン２３とが表されている。
　ＳＡＷフィルタ１００Ａにおいて、圧電基板２１の表面（ｚ軸負方向側の主面）には、図３に示されるような電極パターン２３がレイアウトされている。電極パターン２３は、直列共振子１１１ｓ、１１２ｓおよび１１３ｓ、ならびに、並列共振子１２１ｐおよび１２２ｐに相当するＩＤＴ電極２２と、直列共振子１１１ｓおよび１１２ｓを接続する接続配線１５１と、直列共振子１１２ｓおよび１１３ｓを接続する接続配線１５２とを含む。電極パターン２３の各構成要素は、高周波電流が流れることにより、インダクタンス成分またはキャパシタンス成分を有する場合がある。例えば、ＩＤＴ電極２２は、主としてキャパシタンス成分を有し、接続配線１５１および１５２は、主としてインダクタンス成分を有する。
　配線パターン２８２は、モジュール基板２０を平面視した場合、ＳＡＷフィルタ１００Ａと重なるように配置されている。より具体的には、配線パターン２８２は、電極パターン２３の一部と重なるように樹脂部材２９に形成されている。ここで、配線パターン２８２は、ミアンダ形状部（折り返し形状部）を有している。このミアンダ形状部は、配線パターン２８２に高周波電流が流れることにより、インダクタとして機能する。本実施の形態では、上記ミアンダ形状部は、図１におけるインダクタ１４２Ｌに相当する。
　本実施の形態では、配線パターン２８２のミアンダ形状部と、電極パターン２３の接続配線１５１とが、樹脂部材２９の天面から（ｚ軸正方向から）見た場合に重なっている。
　上記構成によれば、配線パターン２８２のミアンダ形状部と接続配線１５１とを、樹脂部材２９のみを介した狭ギャップにより、誘導性結合（図１のＣ２）（、容量性結合、または、誘導性結合および容量性結合）をさせることが可能となる。この場合、高周波信号が伝搬する信号経路としては、入力端子１０１から、各直列共振子、接続配線１５１および１５２を経由して出力端子１０２へ伝搬する主信号経路のほかに、入力端子１０１から、接続配線１５１、接続配線１５１と誘導性結合、容量性結合、または、誘導性結合および容量性結合したインダクタ１４２Ｌへと伝搬する副信号経路が新たに形成される。ここで、配線パターン２８２のミアンダ形状部と接続配線１５１との誘導性結合Ｃ２（、容量性結合、または、誘導性結合および容量性結合）の結合度を調整することで、主信号経路を通過する通過帯域外の信号成分と、副信号経路を通過する通過帯域外の信号成分との振幅および位相の関係を調整できる。これにより、通過帯域外の信号成分を相殺することが可能となる。
　なお、上記誘導性結合および上記容量性結合の結合度を調整する方法としては、（１）配線パターン２８２と接続配線１５１との間の樹脂部材２９の厚みを変更する、および、（２）対向する配線パターン２８２および接続配線１５１の面積および長さを変える、ことが挙げられる。この場合、配線パターン２８２と接続配線１５１との間の樹脂部材２９の厚みが厚いほど結合度は低くなる。また、対向する配線パターン２８２および接続配線１５１が長いほど、および、面積が大きいほど結合度は高くなる。
　これにより、電極パターン２３とモジュール基板２０の内部配線パターンとを結合させる場合に比べて、省スペースで強い結合を確保できる。この強い結合により形成された通過帯域外の信号伝搬経路により、ＳＡＷフィルタ１００Ａの通過帯域外の減衰量を向上させることができる。よって、弾性表面波フィルタの通過帯域外の減衰特性を向上させつつ小型化が可能となる。
　なお、誘導性結合および容量性結合の少なくとも一方を発生させる構成要素の組としては、配線パターン２８２のミアンダ形状部および接続配線１５１の組以外に、配線パターン２８２のミアンダ形状部および接続配線１５２の組（図１のＣ１）であってもよい。
　また、配線パターン２８２を流れる電流の向きと、配線パターン２８２と重なる電極パターン２３の部分を流れる電流の向きとは、同じであることが好ましい。
　これにより、配線パターン２８２により生成される磁界と電極パターン２３の部分により生成される磁界との結合を強くできる。よって、ＳＡＷフィルタ１００Ａの通過帯域外の減衰特性を、より向上させることが可能となる。
　また、配線パターン２８２と電極パターン２３との結合は、誘導性結合に限られず、容量性結合であってもよい。これより、上記結合を発生する組は、例えば、配線パターン２８２およびＩＤＴ電極２２の組であってもよい。さらには、配線パターン２８２と結合する電極パターン２３の部分は、ＩＤＴ電極２２と接続配線とを複合した部分であってもよい。
　なお、配線パターン２８２は、上記のようにミアンダ形状部を有することに限定されない。インダクタンス成分を有する形状としては、スパイラル形状および直線形状などであってもよい。また、適宜、キャパシタンス成分を有する形状であってもよい。
　なお、本実施の形態では、１つのＳＡＷフィルタ１００Ａに接続された入出力端子間における構成要素同士の結合により、ＳＡＷフィルタ１００Ａの通過帯域外の減衰量を向上させるための構成を例示したが、これに限られない。本発明に係る高周波モジュールは、デュプレクサおよびデュアルフィルタに代表されるような、複数のＳＡＷフィルタを有する構成であってもよい。この場合には、例えば、一方のＳＡＷフィルタの電極パターンと、他方のＳＡＷフィルタに接続された配線パターンとを結合させることにより、複数のフィルタ間のアイソレーションを向上させることが可能となる。
　（実施の形態２）
　実施の形態１に係る高周波モジュールは、ＳＡＷフィルタの電極パターンと配線パターンとを積極的に結合させる構成を有するのに対して、実施の形態２に係る高周波モジュールは、実施の形態１の構成およびＳＡＷフィルタの電極パターンと配線パターンとの結合を排除する構成を有する。以下、本実施の形態に係る高周波モジュールについて、実施の形態１に係る高周波モジュールと同じ点は説明を省略し、異なる点を中心に説明する。
　［２．１　高周波モジュールの回路構成］
　図４は、実施の形態２に係る高周波モジュール５００の回路構成図である。同図に示された高周波モジュール５００は、ＳＡＷフィルタ５００Ａと、ＳＡＷフィルタ５００Ａに接続されたインダクタ１３１Ｌ、１３２Ｌ、１４１Ｌおよび１４２Ｌと、入力端子１０１と、出力端子１０２とで構成されている。
　［２．２　高周波モジュールの構造］
　図５は、実施の形態２に係る高周波モジュール５００の断面構造図である。図５に示すように、高周波モジュール５００は、モジュール基板５０と、ＳＡＷフィルタ５００Ａと、樹脂部材５９と、配線パターン５８２とを備える。
　ＳＡＷフィルタ５００Ａは、圧電基板５１と、圧電基板５１上に形成された電極パターン５３とを含む。電極パターン５３は、櫛形形状を有するＩＤＴ電極５２と、ＩＤＴ電極５２を接続する接続配線１５１とを含む。図４に示された各共振子は、ＩＤＴ電極５２および圧電基板５１で構成されている。
　本実施の形態に係るＳＡＷフィルタ５００Ａは、ＷＬＰ構造を有しており、圧電基板５１と、電極パターン５３と、支持部材５４と、カバー部材５５１とで構成されている。カバー部材５５１の圧電基板５１に対向する面（裏面）には、接地されたシールド電極５５２が形成されている。カバー部材５５１とシールド電極５５２とは、カバー５５を構成している。カバー部材５５１は、例えば、厚さが４５μｍのポリイミドフィルム、または、エポキシ、ウレタン、フェノール、ポリエステル、ＢＣＢ及びＰＢＯの少なくとも一つを含む材料から構成される。シールド電極５５２は、銅、アルミニウム、銀、または金などの導電性金属材料で構成され、カバー部材５５１の表面または裏面に、例えば、蒸着または印刷により形成される。
　上記構成により、高周波モジュール５００では、モジュール基板５０の垂直方向（ｚ軸方向）に、モジュール基板５０、カバー部材５５１、圧電基板５１、配線パターン５８２が、この順で配置されている。
　上記構成によれば、ＷＬＰ型のＳＡＷフィルタ５００Ａの電極パターン５３とモジュール基板５０に形成された内部配線パターンとの間に、シールド電極５５２が配置されるので、ＳＡＷフィルタ５００Ａと当該内部配線パターンとの不要な相互干渉を抑制できる。また、相互干渉抑制のためのシールド電極５５２をモジュール基板５０に形成する必要がないので、モジュール基板５０を省面積化できる。よって、高周波モジュール５００を小型化することが可能となる。
　モジュール基板５０は、複数の層が積層された多層基板であり、例えば、セラミックス多層基板およびＰＣＢ基板などが挙げられる。モジュール基板５０の表面には、ＳＡＷフィルタ５００Ａのフィルタ基準端子１０４Ａとして機能するバンプ５６１に接続された表面電極５７１、ＳＡＷフィルタ５００Ａのフィルタ出力端子１０２Ａとして機能するバンプ５６２に接続された表面電極５７２、および、ＳＡＷフィルタ５００Ａの他のフィルタ基準端子（図示せず）として機能するバンプ５６３に接続された表面電極５７３が形成されている。
　表面電極５７１は、モジュール基板５０内に形成されたビア導体５０１および内部配線パターン５０２を介して接地電極５０３と接続されている。ビア導体５０１および内部配線パターン５０２は、積層型のコイルとして機能する第３内部配線パターンであり、図４におけるインダクタ１３２Ｌに相当する。つまり、第３内部配線パターンは、電極パターン５３に接続され、ＳＡＷフィルタ５００Ａの並列共振子１２２ｐおよび接地端子に接続されたインダクタ１３２Ｌである。
　モジュール基板５０の裏面には、入力端子１０１（図示せず）および出力端子１０２が形成されている。出力端子１０２はビア導体５０７および内部配線パターン５０６を介して表面電極５７２と接続されている。
　樹脂部材５９は、モジュール基板５０上に配置されたＳＡＷフィルタ５００Ａを覆っている。
　配線パターン５８２は、電極パターン５３に接続され、樹脂部材５９の表面に形成されている。より具体的には、配線パターン５８２は、柱状導体５８１、内部配線パターン５０６（第１内部配線パターン）、表面電極５７２、および、バンプ５６２を経由して、電極パターン５３と接続されている。さらに、配線パターン５８２は、柱状導体５８３、およびモジュール基板５０のビア導体５０４（第２内部配線パターン）を介して接地電極５０５に接続されている。柱状導体５８１および５８３は、例えば、Ｃｕピラーで構成されている。
　ここで、配線パターン５８２は、インダクタンス成分を有し、例えば、図４のインダクタ１４２Ｌを構成している。つまり、配線パターン５８２は、ＳＡＷフィルタ５００Ａの出力端子１０２および接地端子に接続されたシャント型のインダクタ１４２Ｌである。
　なお、配線パターン５８２は、樹脂部材５９の表面に形成されていなくてもよく、樹脂部材５９の内部に形成されていてもよい。
　また、図５に示すように、配線パターン５８２と電極パターン５３との距離Ｄ１は、モジュール基板５０と電極パターン５３との距離Ｄ２よりも小さい。
　また、配線パターン５８２は、モジュール基板５０を平面視した場合、ＳＡＷフィルタ５００Ａと重なるように配置されている。より具体的には、配線パターン５８２は、電極パターン５３の一部と重なるように樹脂部材５９に形成されている。ここで、配線パターン５８２は、ミアンダ形状部（折り返し形状部）を有していてもよい。このミアンダ形状部は、配線パターン５８２に高周波電流が流れることにより、インダクタとして機能する。このミアンダ形状部は、図４におけるインダクタ１４２Ｌに相当する。
　本実施の形態では、配線パターン５８２のミアンダ形状部と、電極パターン５３の接続配線１５１とが、樹脂部材５９の天面から（ｚ軸正方向から）見た場合に重なっている。
　上記構成によれば、配線パターン５８２のミアンダ形状部と接続配線１５１とを、樹脂部材５９のみを介した狭ギャップで誘導性結合（図４のＣ２）（、容量性結合、または、誘導性結合および容量性結合）させることが可能となる。
　これにより、電極パターン５３とモジュール基板５０の内部配線パターンとを結合させる場合に比べて、省スペースで強い結合を確保できる。この強い結合により形成された通過帯域外の信号伝搬経路により、ＳＡＷフィルタ５００Ａの通過帯域外の減衰量を向上させることができる。よって、弾性表面波フィルタの通過帯域外の減衰特性を向上させつつ小型化が可能となる。
　さらに、モジュール基板５０を平面視した場合に、シールド電極５５２は、電極パターン５３の一部である接続配線１５１と重なるように形成されている。
　第３内部配線パターン（インダクタ１３２Ｌ）は、ＳＡＷフィルタ５００Ａの容量成分とＬＣ共振回路を構成することにより、ＳＡＷフィルタ５００Ａの通過帯域外に減衰極を生成する。これに加えて、インダクタ１３２Ｌが、接続配線１５１と誘導性結合、容量性結合、または、誘導性結合および容量性結合すると、通過帯域外の所定の周波数領域に生成された減衰極の減衰量が小さくなる、または、減衰極がシフトするなどの悪影響を及ぼす場合がある。
　これに対して、本実施の形態に係る高周波モジュール５００では、モジュール基板５０を平面視した場合に、シールド電極５５２と接続配線１５１とが重なるように形成されているので、接続配線１５１と、第３内部配線パターン（インダクタ１３２Ｌ）との誘導性結合（図４のＣ３）および容量性結合の少なくとも一方を抑制することが可能となる。よって、電極パターン５３とモジュール基板５０の内部配線パターンとの不要な相互干渉を、より効果的に抑制でき、ＳＡＷフィルタ５００Ａの特性劣化を抑制できる。
　また、本実施の形態では、モジュール基板５０を平面視した場合に、第３内部配線パターン（インダクタ１３２Ｌ）および電極パターン５３の重複領域（インダクタ１３２Ｌと接続配線１５１との重複領域）と、シールド電極５５２とが重なるように形成されている。
　これにより、上記平面視における電極パターン５３と第３内部配線パターンとの重複領域には、シールド電極５５２が介在するので、電極パターン５３と、第３内部配線パターンとの不要な相互干渉を、高精度に抑制できる。
　なお、誘導性結合および容量性結合の少なくとも一方を発生させる構成要素の組としては、配線パターン５８２のミアンダ形状部および接続配線１５１の組以外に、配線パターン５８２のミアンダ形状部および接続配線１５２の組であってもよい。
　また、誘導性結合および容量性結合の少なくとも一方を抑制する構成要素の組としては、インダクタ１３２Ｌおよび接続配線１５１の組以外に、インダクタ１３１Ｌおよび接続配線１５２の組であってもよい。
　また、配線パターン５８２を流れる電流の向きと、配線パターン５８２と重なる電極パターン５３の部分を流れる電流の向きとは、同じであることが好ましい。これにより、配線パターン５８２により生成される磁界と電極パターン５３の部分により生成される磁界との結合を強くできる。よって、ＳＡＷフィルタ５００Ａの通過帯域外の減衰特性を、より向上させることが可能となる。
　また、配線パターン５８２と電極パターン５３との結合は、誘導性結合に限られず、容量性結合であってもよい。これより、上記結合を発生する組は、例えば、配線パターン５８２およびＩＤＴ電極５２の組であってもよい。
　また、第３内部配線パターンと電極パターン５３との間で抑制される結合は、誘導性結合に限られず、容量性結合であってもよい。これより、上記結合が抑制される組は、例えば、第３内部配線パターンおよびＩＤＴ電極５２の組であってもよい。
　なお、シールド電極５５２は、カバー部材５５１の圧電基板５１に対向する面（裏面）全体に形成されてもよいし、または、当該裏面の一部に形成されてもよい。また、シールド電極５５２は、カバー部材５５１のモジュール基板５０に対向する面（表面）全体に形成されてもよいし、または、当該表面の一部に形成されてもよい。
　（その他の実施の形態など）
　以上、本発明の実施の形態に係る高周波モジュールについて、実施の形態１および２を挙げて説明したが、本発明の高周波モジュールは、上記実施の形態に限定されるものではない。上記実施の形態における任意の構成要素を組み合わせて実現される別の実施の形態や、上記実施の形態に対して本発明の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例や、本開示の高周波モジュールを内蔵した各種機器も本発明に含まれる。
　また、上記実施の形態に係る高周波モジュールにおいて、図面に開示された各回路素子および信号経路を接続する経路の間に別の高周波回路素子および配線などが挿入されていてもよい。
　本発明は、マルチバンド／マルチモード対応のフロントエンド部に配置される高周波モジュールとして、携帯電話などの通信機器に広く利用できる。
　２０、５０　　モジュール基板
　２１、５１　　圧電基板
　２２、５２　　ＩＤＴ電極
　２３、５３　　電極パターン
　２４、５４　　支持部材
　２５、５５１　　カバー部材
　２９、５９　　樹脂部材
　５５　　カバー
　１００、５００、８００　　高周波モジュール
　１００Ａ、５００Ａ、８０１　　弾性表面波（ＳＡＷ）フィルタ
　１０１　　入力端子
　１０１Ａ　　フィルタ入力端子
　１０２　　出力端子
　１０２Ａ　　フィルタ出力端子
　１０３Ａ、１０４Ａ　　フィルタ基準端子
　１１１ｓ、１１２ｓ、１１３ｓ　　直列共振子
　１２１ｐ、１２２ｐ　　並列共振子
　１３１Ｌ、１３２Ｌ、１４１Ｌ、１４２Ｌ、８１４、８２２　　インダクタ
　１５１、１５２　　接続配線
　２０１、２０２、２０３、５０１、５０４、５０７　　ビア導体
　２０４、５０３、５０５　　接地電極
　２０５、５０２、５０６　　内部配線パターン
　２６１、２６２、２６３、５６１、５６２、５６３　　バンプ
　２７１、２７２、２７３、５７１、５７２、５７３　　表面電極
　２８１、２８３、５８１、５８３　　柱状導体
　２８２、５８２　　配線パターン
　５５２　　シールド電極
　８１０　　フィルタ基板
　８１１　　フィルタ部
　８１２　　接続電極
　８１３　　カバー層
　８２０　　積層基板

Claims (10)

  1. 　モジュール基板と、
    　前記モジュール基板の主面上に配置され、圧電基板と当該圧電基板上に形成された電極パターンとを含む弾性表面波フィルタと、
    　前記弾性表面波フィルタを覆う樹脂部材と、
    　前記電極パターンに接続され、前記樹脂部材に形成された配線パターンとを備え、
    　前記電極パターンと前記配線パターンとは、誘導性結合、容量性結合、または、誘導性結合および容量性結合している
    　高周波モジュール。
  2. 　前記主面を平面視した場合に、前記配線パターンは、前記電極パターンの一部と重なるように前記樹脂部材に形成されている
    　請求項１に記載の高周波モジュール。
  3. 　前記モジュール基板を断面視した場合に、前記配線パターンと前記電極パターンとの距離は、前記主面と前記電極パターンとの距離よりも小さい
    　請求項１または２に記載の高周波モジュール。
  4. 　前記配線パターンは、前記弾性表面波フィルタの入出力端子および接地端子に接続されたシャント型のインダクタであり、
    　前記配線パターンと前記電極パターンとは、誘導性結合、容量性結合、または、誘導性結合および容量性結合している
    　請求項１～３のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
  5. 　前記電極パターンと前記配線パターンとは、前記モジュール基板における第１内部配線パターンおよび前記樹脂部材を貫通する第１柱状導体を介して接続され、
    　前記配線パターンと前記接地端子とは、前記樹脂部材を貫通する第２柱状導体および前記モジュール基板における第２内部配線パターンを介して接続されている
    　請求項４に記載の高周波モジュール。
  6. 　前記弾性表面波フィルタは、前記圧電基板の表面上に前記電極パターンを囲むように形成された支持部材と、前記支持部材上に形成されており前記支持部材および前記圧電基板と共に中空空間を構成するように前記電極パターンを覆うカバー部材とをさらに含み、
    　前記主面の垂直方向に、前記モジュール基板、前記カバー部材、前記圧電基板、前記配線パターンの順に配置されている
    　請求項１～５のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
  7. 　前記カバー部材の前記モジュール基板に対向する面または前記圧電基板に対向する面には、接地されたシールド電極が形成されている
    　請求項６に記載の高周波モジュール。
  8. 　前記モジュール基板を平面視した場合に、前記シールド電極は、前記電極パターンの少なくとも一部と重なるように形成されている
    　請求項７に記載の高周波モジュール。
  9. 　前記モジュール基板を平面視した場合に、前記モジュール基板における第３内部配線パターンおよび前記電極パターンの重複領域と重なるように、前記シールド電極が形成されている
    　請求項７または８に記載の高周波モジュール。
  10. 　前記第３内部配線パターンは、前記電極パターンに接続し、前記弾性表面波フィルタの並列共振子および接地端子に接続されたインダクタであり、
    　前記シールド電極により、前記第３内部配線パターンと前記電極パターンとの誘導性結合、容量性結合、または、誘導性結合および容量性結合が抑制されている
    　請求項９に記載の高周波モジュール。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019065027A1 (ja) * 2017-09-29 2019-04-04 株式会社村田製作所 ハイブリッドフィルタ装置およびマルチプレクサ
WO2019107280A1 (ja) * 2017-12-01 2019-06-06 京セラ株式会社 弾性波フィルタ、分波器および通信装置
WO2023189835A1 (ja) * 2022-03-29 2023-10-05 株式会社村田製作所 複合フィルタ装置

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017110994A1 (ja) * 2015-12-25 2017-06-29 株式会社村田製作所 高周波モジュール
JP6888606B2 (ja) * 2018-12-21 2021-06-16 株式会社村田製作所 高周波モジュール

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003198325A (ja) * 2001-10-19 2003-07-11 Murata Mfg Co Ltd 分波器、通信装置
WO2009057699A1 (ja) * 2007-10-30 2009-05-07 Kyocera Corporation 弾性波装置
WO2013008435A1 (ja) * 2011-07-08 2013-01-17 株式会社村田製作所 回路モジュール
WO2014168161A1 (ja) * 2013-04-11 2014-10-16 株式会社村田製作所 高周波モジュール

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004129223A (ja) 2002-07-31 2004-04-22 Murata Mfg Co Ltd 圧電部品およびその製造方法
JP4587732B2 (ja) * 2004-07-28 2010-11-24 京セラ株式会社 弾性表面波装置
WO2007083432A1 (ja) * 2006-01-18 2007-07-26 Murata Manufacturing Co., Ltd. 弾性表面波装置及び弾性境界波装置
JP2011217420A (ja) * 2006-02-24 2011-10-27 Panasonic Corp 弾性表面波フィルタ、アンテナ共用器、及びそれらを用いた高周波モジュール、通信機器
WO2007145049A1 (ja) * 2006-06-12 2007-12-21 Murata Manufacturing Co., Ltd. 弾性波分波器
JP4460612B2 (ja) * 2008-02-08 2010-05-12 富士通メディアデバイス株式会社 弾性表面波デバイス及びその製造方法
JP4894927B2 (ja) * 2008-06-16 2012-03-14 株式会社村田製作所 弾性境界波装置
JP5240793B2 (ja) * 2009-03-09 2013-07-17 日本電波工業株式会社 デュプレクサ
JP5327378B2 (ja) * 2010-02-17 2013-10-30 株式会社村田製作所 弾性波デバイス
JP4930663B1 (ja) * 2010-09-10 2012-05-16 株式会社村田製作所 弾性波分波器
CN102763330B (zh) * 2011-01-31 2015-02-25 京瓷株式会社 分波器及通信用模块部件
JP5609918B2 (ja) * 2012-05-09 2014-10-22 株式会社村田製作所 スイッチモジュール
CN102931967B (zh) * 2012-11-09 2015-03-11 烟台正海科技有限公司 一种电容触摸屏按键布线
JP5817795B2 (ja) 2013-08-06 2015-11-18 株式会社村田製作所 高周波モジュール
JP5695145B2 (ja) * 2013-08-19 2015-04-01 スカイワークス・パナソニック フィルターソリューションズ ジャパン株式会社 弾性表面波デバイス
KR101558074B1 (ko) * 2014-01-27 2015-10-06 삼성전기주식회사 복합 전자부품 및 그 실장 기판

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003198325A (ja) * 2001-10-19 2003-07-11 Murata Mfg Co Ltd 分波器、通信装置
WO2009057699A1 (ja) * 2007-10-30 2009-05-07 Kyocera Corporation 弾性波装置
WO2013008435A1 (ja) * 2011-07-08 2013-01-17 株式会社村田製作所 回路モジュール
WO2014168161A1 (ja) * 2013-04-11 2014-10-16 株式会社村田製作所 高周波モジュール

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019065027A1 (ja) * 2017-09-29 2019-04-04 株式会社村田製作所 ハイブリッドフィルタ装置およびマルチプレクサ
US11757429B2 (en) 2017-09-29 2023-09-12 Murata Manufacturing Co., Ltd. Hybrid filter device and multiplexer
WO2019107280A1 (ja) * 2017-12-01 2019-06-06 京セラ株式会社 弾性波フィルタ、分波器および通信装置
JPWO2019107280A1 (ja) * 2017-12-01 2020-11-26 京セラ株式会社 弾性波フィルタ、分波器および通信装置
JP7132944B2 (ja) 2017-12-01 2022-09-07 京セラ株式会社 弾性波フィルタ、分波器および通信装置
US11528009B2 (en) 2017-12-01 2022-12-13 Kyocera Corporation Acoustic wave filter, multiplexer, and communication apparatus
WO2023189835A1 (ja) * 2022-03-29 2023-10-05 株式会社村田製作所 複合フィルタ装置

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