JP5943158B1 - 高周波モジュール - Google Patents

Abstract

フィルタ部品を低背化すると共に、フィルタの減衰特性が変動するのを防止し、フィルタの減衰特性を容易に調整して改善できる技術を提供する。フィルタ部品１０の第１のフィルタ１４の減衰特性を調整するための第１、第２のインダクタＬ１，Ｌ２が、互いに磁界結合し易い状態で分離して配置されることにより、フィルタ部品１０内における第１の配線電極１７の配線量を低減することができ、例えばパッケージ基板１２の層数を減らしてフィルタ部品１０を低背化することができる。また、フィルタ部品１０内における第１の配線電極１７の配線密度を低減することができるので、第１の配線電極１７が他の配線電極と電磁界的に結合して第１のフィルタ１４の減衰特性が変動するのを防止できる。また、第２のインダクタＬ２のインダクタンス値を調整することにより、第１のフィルタ１４の減衰特性を容易に調整して改善することができる。

Description

本発明は、フィルタ部品が実装されたモジュール基板を備える高周波モジュールに関する。

従来、フィルタ部品が実装されたモジュール基板を備える高周波モジュールが提供されている。モジュール基板に搭載されるフィルタ部品は、フィルタを形成する複数の共振子がその一方の主面に形成されたフィルタ基板と該フィルタ基板が実装されたパッケージ基板とを備えたＣＳＰ（チップサイズパッケージ）構造のものや、同様にしてフィルタが形成されたフィルタ基板が直接モジュール基板に実装されるＷＬ−ＣＳＰ（ウェハレベル−チップサイズパッケージ）構造のものが提供されている。

また、フィルタ部品には、一般的に、弾性波を利用した共振子により形成されたフィルタの特性を調整するためのインダクタが搭載されている。例えば、ＣＳＰ構造のフィルタ部品では、図７に示すように、パッケージ基板５００にインダクタＬａ，Ｌｂが設けられている。パッケージ基板５００は、複数の絶縁層５０１〜５０４が積層されて成り、絶縁層５０４の一方の主面の点線で囲まれた領域５０５にフィルタ基板（図示省略）が実装される。また、絶縁層５０１の他方の主面には、フィルタ部品が実装されるモジュール基板との間でＲＦ信号が入出力される第１、第２端子５０６，５０７と、モジュール基板のグランド電極に接続される第３端子５０８とが形成されている。

また、図７に示す例では、フィルタ基板には、フィルタの入出力端子間を接続する直列腕に配置される複数の直列腕共振子と、それぞれの一端が直列腕に接続された２個の並列腕共振子とが形成されている。そして、フィルタの入出力端子それぞれは、ＲＦ信号の引出用の配線電極５０９，５１０に接続され、層間接続導体５１１を介して、第１、第２端子５０６，５０７に接続される。

また、一方の並列腕共振子の他端は、絶縁層５０４の一方の主面に形成されたグランド配線用の配線電極５１２に接続され、層間接続導体５１３を介して、絶縁層５０３の一方の主面に形成されてインダクタＬａを形成する配線電極５１４と、絶縁層５０２の一方の主面に形成されたグランド配線用の配線電極５１５と、第３端子５０８とに接続される。また、他方の並列腕共振子の他端は、絶縁層５０４の一方の主面に形成されたグランド配線用の配線電極５１６に接続され、層間接続導体５１７を介して、絶縁層５０３の一方の主面に形成されてインダクタＬｂを形成する配線電極５１８、配線電極５１５および第３端子５０８に接続される。

そして、各配線電極５１４，５１８それぞれのパターン形状や線路長、太さを変更することにより、各インダクタＬａ，Ｌｂそれぞれのインダクタ特性を調整することができる。

特開２００４−７２５０号公報（段落００５６〜００６２、図４〜図６など）

図７に示す例では、フィルタ部品のパッケージ基板５００内にフィルタの特性調整用のインダクタＬａ，Ｌｂが配置されている。そのため、各インダクタＬａ，Ｌｂを形成する配線電極５１４，５１８を配置するための絶縁層５０３が必要となり、モジュール基板に実装されるフィルタ部品（パッケージ基板５００）の厚みが厚くなるという問題がある。

また、フィルタ部品が大型化しないように、パッケージ基板５００を大型化せずにインダクタＬａ，Ｌｂを形成するための配線電極５１４，５１８の線路長をさらに延伸したり、特性調整用の他のインダクタを形成するために他の配線電極をさらに形成したりする場合に、次のような問題が生じるおそれがある。すなわち、特性調整用のインダクタＬａ，Ｌｂを形成するための配線電極５１４，５１８のパッケージ基板５００内における配線密度が大きくなり配線電極５１４，５１８が近接配置される。

したがって、これらの配線電極５１４，５１８どうしが電磁界的に結合して不要な容量成分等が発生することにより、フィルタの減衰特性が変動するおそれがある。また、パッケージ基板５００内において、各インダクタＬａ，Ｌｂを形成する配線電極５１４，５１８の配置スペースが限られているので、各インダクタＬａ，Ｌｂのパターン形状や線路長、太さを変更することによりインダクタンス値を調整してフィルタの減衰特性を調整するのが難しいという問題もあった。

この発明は、上記した課題に鑑みてなされたものであり、フィルタ部品を低背化すると共に、フィルタの減衰特性が変動するのを防止し、フィルタの減衰特性を容易に調整して改善できる技術を提供することを目的とする。

上記した目的を達成するために、本発明の高周波モジュールは、ＲＦ信号が入力される第１端子、前記第１端子に入力されたＲＦ信号が通過する第１のフィルタ、前記第１のフィルタを通過したＲＦ信号を出力する第２端子、第３端子、および一端が前記第１のフィルタに接続され他端が前記第３端子に接続された第１のインダクタを有するフィルタ部品と、前記フィルタ部品が実装されたモジュール基板と、平面視で前記モジュール基板内の前記フィルタ部品の直下に設けられ、一端が前記第３端子に接続され、他端がグランドに接続された第２のインダクタとを備え、前記第１のフィルタは、前記第１のフィルタの入力端子および出力端子を接続する直列腕に配置される複数の直列腕共振子と、前記直列腕に接続された複数の並列腕共振子とを有し、前記第１のインダクタの前記第１のフィルタに接続された一端は前記複数の並列腕共振子のうちの少なくとも１つに接続され、前記第１のインダクタと前記第２のインダクタとが直列に接続され、前記第１のインダクタを構成する第１の配線電極と、前記第２のインダクタを構成する第２の配線電極とが、平面視において少なくとも一部が重なるように配置されていることを特徴としている。

このように構成された発明では、第１のフィルタを所望の減衰特性に調整するためのインダクタの一部が、第２のインダクタとしてモジュール基板に設けられている。そのため、第１のフィルタの減衰特性を調整するためにフィルタ部品内に設けられた第１のインダクタを構成する第１の配線電極の線路長を短くして、第１の配線電極のフィルタ部品内における占有面積を低減することができる。したがって、例えば第１の配線電極が絶縁層に形成されている場合に、絶縁層の数を減らすことができるので、フィルタ部品を低背化することができる。また、第２のインダクタを形成する第２の配線電極を平面視においてフィルタ部品と重なる領域に配置するので、第２の配線電極が形成されるモジュール基板を小面積化することにより高周波モジュールを小型化することができる。

また、第１の配線電極の線路長を短くしてフィルタ部品内における第１の配線電極の占有面積を低減することができるので、フィルタ部品内に配置された他のインダクタ等を形成する他の配線電極と第１の配線電極とが電磁界的に結合するのを抑制することができる。したがって、第１のインダクタ等の特性が変化することによる第１のフィルタの減衰特性の変動を防止することができる。

また、フィルタ部品と比較すると配線電極の配置自由度が高いモジュール基板内において、第２の配線電極のパターン形状や線路長、太さを容易に変更して第２のインダクタのインダクタンス値を自由に調整することができる。したがって、第１のインダクタおよび第２のインダクタが一体となって構成される特性調整用のインダクタの設計の自由度を高めることができるので、第１のフィルタを容易に所望の減衰特性に調整することができる。

また、第１の配線電極と第２の配線電極とが平面視において少なくとも一部が重なるように配置されることにより、第１のインダクタと第２のインダクタとを容易に磁界結合させることができる。そのため、高周波モジュールが小型化されて、第１のインダクタおよび第２のインダクタを配置することができるスペースが制限されている場合であっても、第１のインダクタおよび第２のインダクタが一体となって構成される特性調整用のインダクタのインダクタ特性を向上させることができる。したがって、第１のフィルタの減衰特性をさらに容易に調整して改善することができる。

また、前記第１の配線電極と前記第２の配線電極とが重なった部分において電流が同一方向に流れるように前記第１の配線電極および前記第２の配線電極が構成されているとよい。

このようにすれば、第１の配線電極と第２の配線電極とをさらに容易に磁界結合させることができるので、第１のインダクタおよび第２のインダクタが一体となって構成される特性調整用のインダクタのインダクタ特性をさらに向上させることができる。

また、前記第１のインダクタおよび前記第２のインダクタは、スパイラル型およびヘリカル型のいずれか一方の同一のインダクタ構造を有し、前記第１の配線電極および前記第２の配線電極が同一方向に巻回されているとよい。

このように構成すると、第１のインダクタで発生する磁界の向きと第２のインダクタで発生する磁界の向きとが同じになるので、第１のフィルタの特性を調整するためのインダクタで発生する磁界の広がりを抑えることができる。したがって、例えば、第１、第２のインダクタと他の回路素子とが磁界結合するのを防止することができる。

また、前記フィルタ部品は、前記複数の直列腕共振子および前記複数の並列腕共振子がその一方の主面の所定領域に形成されたフィルタ基板と、前記フィルタ基板が実装されたパッケージ基板とを備え、前記第１の配線電極が、前記パッケージ基板内に設けられているとよい。

このように構成すると、第１の配線電極が設けられたパッケージ基板が薄く形成されることにより低背化されたＣＳＰ構造のフィルタ部品がモジュール基板に実装された、実用的な構成の高周波モジュールを提供することができる。

また、前記フィルタ部品は、前記複数の直列腕共振子および前記複数の並列腕共振子がその一方の主面の所定領域に形成されたフィルタ基板と、前記所定領域を囲繞するように配置された絶縁層と、前記絶縁層上に配置され、前記複数の直列腕共振子および前記複数の並列腕共振子を覆うように設けられたカバー層と、記フィルタ基板、前記絶縁層、及び前記カバー層によって囲繞された空間とを備え、前記第１端子、前記第２端子および前記第３端子それぞれは、前記空間が位置する面とは反対の主面に露出するように設けられ、前記モジュール基板の実装面に設けられた実装用の電極に接続され、前記第１の配線電極が、前記カバー層内に設けられていてもよい。

このように構成すると、第１の配線電極が設けられたカバー層が薄く形成されることでさらに低背化されたＷＬ−ＣＳＰ構造のフィルタ部品がモジュール基板に実装されることにより、さらに低背化および小型化された高周波モジュールを提供することができる。

また、前記モジュール基板内に設けられた第３の配線電極により構成され、一端が前記複数の並列腕共振子のうち少なくともひとつに接続され他端がグランドに接続された、前記第１のフィルタの特性調整用の第３のインダクタをさらに備え、前記第２のインダクタおよび前記第３のインダクタのそれぞれを流れる電流の向きが互いに逆方向になるように、前記第２の配線電極および前記第３の配線電極が構成されているとよい。

このようにすれば、第２のインダクタと第３のインダクタとがモジュール基板内において磁界結合するのが抑制される。したがって、第２のインダクタおよび第３のインダクタのインダクタ特性が変動するのが抑制されるので、第１のフィルタの減衰特性が劣化するのを防止して、フィルタの減衰特性の向上を図ることができる。また、前記第３の配線電極と前記第２の配線電極との距離は、前記第１の配線電極と前記第２の配線電極との距離よりも長くてもよい。このようにすれば、第１のフィルタの減衰特性が劣化するのを防止して、第１のフィルタの減衰特性の向上を図ることができる。

また、前記フィルタ部品は、複数の共振子によって構成され、前記第２端子に入力されたＲＦ信号が通過する第２のフィルタと、前記第２のフィルタを通過したＲＦ信号を出力する第４端子とをさらに備え、前記第１のフィルタの通過帯域は送信信号の周波数帯域であり、前記第２のフィルタの通過帯域は受信信号の周波数帯域であるとよい。

このようにすると、分離配置された第１、第２のインダクタにより第１のフィルタの減衰特性が改善されるので、アイソレーション特性が改善された第１のフィルタと第２のフィルタとを備える高周波モジュールを提供することができる。

本発明によれば、フィルタ部品の第１のフィルタの減衰特性を調整するための第１、第２のインダクタが、互いに磁界結合し易い状態で分離して配置されることにより、フィルタ部品内における第１の配線電極の配線量を低減することができる。したがって、例えば第１の配線電極が絶縁層に形成されている場合に、絶縁層の数を減らしてフィルタ部品を低背化することができる。また、フィルタ部品内における第１の配線電極の配線密度を低減することができるので、第１の配線電極が他の配線電極と電磁界的に結合して第１のインダクタのインダクタ特性が変化して第１のフィルタの減衰特性が変動するのを防止することができる。また、第２の配線電極の構成を変更して第２のインダクタのインダクタンス値を調整することにより、第１のインダクタおよび第２のインダクタが一体となって構成される特性調整用のインダクタのインダクタ特性を調整することができるので、第１のフィルタの減衰特性を容易に調整して改善することができる。

本発明の高周波モジュールの第１実施形態を示す図である。 図１の高周波モジュールの電気的構成を示す回路ブロック図である。 第１の配線電極および第２の配線電極の平面視での配置関係を示す図である。 第１のフィルタと第２のフィルタとの間のアイソレーション特性を示す図である。 インダクタを形成する配線電極の変形例を示す図であって、（ａ）〜（ｆ）それぞれは異なる構造を備える配線電極を示す図である。 本発明の高周波モジュールの第２実施形態を示す図である。 従来の高周波モジュールが備えるフィルタ部品のパッケージ基板を示す図である。

＜第１実施形態＞
本発明の高周波モジュールの第１実施形態について、図１〜図５を参照して説明する。図１は本発明の高周波モジュールの第１実施形態を示す図、図２は図１の高周波モジュールの電気的構成を示す回路ブロック図、図３は第１の配線電極および第２の配線電極の平面視での配置関係を示す図である。図４は第１のフィルタと第２のフィルタとの間のアイソレーション特性を示す図である。図５はインダクタを形成する配線電極の変形例を示す図であって、（ａ）〜（ｆ）それぞれは異なる構造を備える配線電極を示す図である。

なお、図１〜図３では、本発明にかかる主要な構成のみが図示されており、説明を簡易なものとするために、その他の構成は図示省略されている。また、後の説明で参照する図６についても、図１〜図３と同様に主要な構成のみが図示されているが、以下の説明においてはその説明を省略する。

（高周波モジュール）
図１および図２に示す高周波モジュール１は、携帯電話や携帯情報端末などの通信携帯端末が備えるマザー基板に搭載されるものであり、この実施形態では、第１のフィルタ１４および第２のフィルタ１５が設けられたフィルタ部品１０（デュプレクサ）と、モジュール基板２と、整合回路３と、スイッチＩＣやフィルタ、抵抗、コンデンサ、コイルなどの各種の電子部品（図示省略）とを備え、高周波アンテナスイッチモジュールとして形成されている。

また、フィルタ部品１０、整合回路３を形成するためのチップ型のインダクタ３ａ、その他の各種の電子部品の少なくとも一部は、モジュール基板２の実装面２ａ上に設けられた実装用の電極２ｂに実装される。そして、各種の部品１０，３ａや電子部品等と、モジュール基板２の裏面に形成された複数の実装用電極５とは、モジュール基板２に設けられた配線電極４を介して相互に電気的に接続される。また、外部か送信信号が入力される送信電極Ｔｘａと、送信電極Ｔｘａに入力された送信信号を外部に出力し外部から受信信号が入力される共通電極ＡＮＴａと、共通電極ＡＮＴａに入力された受信信号を外部に出力する受信電極Ｒｘａと、グランド経路ＧＮＤに接続されるグランド電極ＧＮＤａとが実装用電極５により形成されている。

また、通信携帯端末が備えるマザー基板には、共通経路やグランド経路、送信経路、受信経路などの各種信号経路に対応する配線電極が設けられている。そして、高周波モジュール１がマザー基板に実装されることにより、これらの各種経路を形成する配線電極と、共通電極ＡＮＴａ、グランド電極ＧＮＤａ、送信電極Ｔｘａおよび受信電極Ｒｘａとが接続されて、マザー基板と高周波モジュール１との間で送受信信号の入出力が行われる。

モジュール基板２は、この実施形態では、セラミックグリーンシートにより形成された複数の誘電体層が積層されて焼成されることで一体的にセラミック積層体として形成される。

また、各誘電体層に、ビア導体および面内導体パターンが適宜形成されることで、モジュール基板２に、配線電極４や実装用電極５、第２のインダクタＬ２を形成する第２の配線電極６、第３のインダクタＬ３を形成する第３の配線電極７などが形成される。なお、第２、第３のインダクタＬ２，Ｌ３は、第１のフィルタ１４の特性を調整するためのものである。また、誘電体層に形成される面内導体パターンおよびビア導体により、他のインダクタやキャパシタなどの回路素子がさらに形成されていてもよい。また、これらの回路素子が組み合わされてフィルタ回路や整合回路３などの各種回路が形成されていてもよい。各インダクタＬ２，Ｌ３と第１のフィルタ１４との接続状態については後で詳細に説明する。

なお、モジュール基板２は、樹脂やセラミック、ポリマー材料などを用いた、プリント基板、ＬＴＣＣ、アルミナ系基板、複合材料基板などの多層基板により形成することができ、高周波モジュール１の使用目的に応じて、適宜最適な材質を選択してモジュール基板２を形成すればよい。

整合回路３は、この実施形態では、モジュール基板２の実装面２ａに実装されたチップ型のインダクタ３ａにより形成されている。具体的には、フィルタ部品１０の共通端子ＡＮＴｂ（本発明の「第２端子」に相当）と、モジュール基板２の共通電極ＡＮＴａとを接続する経路にインダクタ３ａの一端が接続されている。そして、インダクタ３ａの他端がモジュール基板２に設けられたグランド接続用配線電極を介してグランド電極ＧＮＤａ（グランド）に接続されることにより、整合回路３が形成されている。

なお、整合回路３は図２に示す構成に限定されるものではなく、図２に示すインダクタ３ａをキャパシタに置き換えることにより整合回路３が形成されてもよいし、共通電極ＡＮＴａと共通端子ＡＮＴｂとを接続する経路に、インダクタやキャパシタが直列接続されることにより整合回路３が形成されてもよい。また、インダクタおよびキャパシタが組み合わされて整合回路３が形成されてもよい。すなわち、整合回路３は、高周波モジュール１において、共通電極ＡＮＴａに接続されるアンテナなどの回路素子と共通端子ＡＮＴｂに接続されるフィルタ部品１０とのインピーダンスを整合させるために一般的に使用されるどのような回路構成を備えていてもよい。また、整合回路３が、送信端子Ｔｘｂおよび受信端子Ｔｘｂ側にさらに設けられてもよい。

（フィルタ部品）
フィルタ部品１０は、チップサイズパッケージ（ＣＳＰ）構造を有し、一方の主面の所定領域に第１のフィルタ１４および第２のフィルタ１５が形成されたフィルタ基板１１と、フィルタ基板１１が実装されたパッケージ基板１２と、フィルタ基板１１を被覆してパッケージ基板１２に設けられた樹脂層１３と、送信端子Ｔｘｂ（本発明の「第１端子」に相当）と、共通端子ＡＮＴｂと、受信端子Ｒｘｂ（本発明の「第４端子」に相当）と、複数のグランド端子ＧＮＤｂ（本発明の「第３端子」に相当）とを備えている。

また、送信端子Ｔｘｂには送信電極Ｔｘａから送信信号が入力され、その送信信号は、第１のフィルタ１４を通過して共通端子ＡＮＴｂから共通電極ＡＮＴａへ出力される。また、共通端子ＡＮＴｂには、共通電極ＡＮＴａから受信信号が入力され、その受信信号は、第２のフィルタ１５を通過して受信端子Ｒｘｂから受信電極Ｒｘａへ出力される。

フィルタ基板１１は、この実施形態では、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム、水晶などの圧電体により形成されている。また、フィルタ基板１１の一方の主面の所定領域に、ＡｌやＣｕなどにより形成されたくし歯電極（ＩＤＴ電極）や反射器が設けられてＳＡＷ（表面弾性波）フィルタ素子が構成されることにより、第１のフィルタ１４および第２のフィルタ１５がフィルタ基板１１に形成されている。

また、フィルタ基板１１には、第１のフィルタ１４の入力端子１４ａおよび出力端子１４ｂと、第２のフィルタ１５の入力端子１５ａおよび出力端子１５ｂと、グランド配線用の外部接続端子ＧＮＤｃが形成されている。

パッケージ基板１２は、この実施形態では、モジュール基板２と同様にセラミックグリーンシートにより形成された複数の誘電体層が積層されて焼成されることで一体的にセラミック積層体として形成される。また、モジュール基板２と同様に、各誘電体層に、ビア導体および面内導体パターンが適宜形成されることで、パッケージ基板１２に、内部配線電極（図示省略）や実装用電極１６、第１のインダクタＬ１を形成する第１の配線電極１７が形成される。なお、実装用電極１６により、送信端子Ｔｘｂと、共通端子ＡＮＴｂと、受信端子Ｒｘｂと、グランド端子ＧＮＤｂとが形成されている。また、第１のインダクタＬ１は、第１のフィルタ１４の特性を調整するためのものである。

なお、パッケージ基板１２は、樹脂やセラミック、ポリマー材料などを用いた、プリント基板、ＬＴＣＣ、アルミナ系基板、複合材料基板などの多層基板により形成することができ、高周波モジュール１の使用目的に応じて、適宜最適な材質を選択してパッケージ基板１２を形成すればよい。

フィルタ基板１１は、ボンディングワイヤ（図示省略）や超音波振動を利用して、パッケージ基板１２の表面に形成された実装用の電極（図示省略）に接続されてパッケージ基板１２に実装される。これにより、図示省略された内部配線電極を介して、第１のフィルタ１４の入力端子１４ａと送信端子Ｔｘｂとが接続され、第２のフィルタ１５の出力端子１５ｂと受信端子Ｒｘｂとが接続され、第１のフィルタ１４の出力端子１４ｂおよび第２のフィルタ１５の入力端子１５ａと共通端子ＡＮＴｂとが接続される。また、外部接続端子ＧＮＤｃとグランド端子ＧＮＤｂとは、内部配線電極により直接に接続されたり、第１のインダクタＬ１（第１の配線電極１７）を介して接続される。

樹脂層１３は、エポキシ樹脂等の一般的な熱硬化性のモールド用の樹脂により、フィルタ基板１１を被覆するようにパッケージ基板１２上に形成される。そして、フィルタ部品１０は、実装用電極１６に形成されたはんだボール１８を介してモジュール基板２の実装面２ａの実装用の電極２ｂに接続される。

次に、第１のフィルタ１４および第２のフィルタ１５の構成について説明する。なお、第１のフィルタ１４は送信信号の周波数帯域が通過帯域として設定され、第２のフィルタ１５は送信信号の周波数帯域と異なる受信信号の周波数帯域が通過帯域として設定されている。

第１のフィルタ１４は、図２に示すように、フィルタ基板１１の一方の主面の所定領域にくし歯電極および反射器を有する複数のＳＡＷ共振子がラダー型に接続されることにより形成されている。具体的には、第１のフィルタ１４は、入力端子１４ａおよび出力端子１４ｂを接続する直列腕に配置される複数（本実施形態では９個）の共振子Ｓ１〜Ｓ９と、直列腕とグランド配線用の外部接続端子ＧＮＤｃ（グランド端子ＧＮＤｂ）との間に接続された複数（本実施形態では６個）の並列腕共振子Ｐ１〜Ｐ６とを備えている。

また、並列腕共振子Ｐ１は、一端が、直列腕共振子Ｓ６，Ｓ７間に接続され、他端が、並列腕共振子Ｐ２の一端に接続されている。また、並列腕共振子Ｐ２の他端が、グランド配線用の外部接続端子ＧＮＤｃに接続されている。そして、パッケージ基板２内に設けられたインダクタＬ１の一端が外部接続端子ＧＮＤｃを介して並列腕共振子Ｐ２（第１のフィルタ１４）の他端に接続され、インダクタＬ１の他端がグランド端子ＧＮＤｂに接続されている。また、インダクタＬ２の一端がグランド端子ＧＮＤｂに接続されて第１のインダクタＬ１の他端に接続され、インダクタＬ２の他端がグランド電極ＧＮＤａに接続されることにより、並列腕共振子Ｐ１，Ｐ２がグランド電極ＧＮＤａ（グランド）に接続されている。

また、並列腕共振子Ｐ３は、一端が直列腕共振子Ｓ３，Ｓ４間に接続され、他端が並列腕共振子Ｐ４の一端に接続されている。また、並列腕共振子Ｐ５は、一端が直列腕共振子Ｓ１および入力端子１４ａ間に接続され、他端が並列腕共振子Ｐ６の一端に接続されている。また、並列腕共振子Ｐ４，Ｐ６それぞれの他端が、グランド配線用の外部接続端子ＧＮＤｃを介してグランド端子ＧＮＤｂに接続されている。そして、インダクタＬ３の一端がグランド端子ＧＮＤｂを介して並列腕共振子Ｐ４，Ｐ６（第１のフィルタ１４）それぞれの他端に接続され、インダクタＬ３の他端がグランド電極ＧＮＤａ（グランド）に接続されることにより、並列腕共振子Ｐ３〜Ｐ６がグランド電極ＧＮＤａ（グランド）に接続されている。

また、各インダクタＬ１〜Ｌ３のインダクタンス値が適宜調整されることにより、第１のフィルタ１４の減衰特性を調整することができる。具体的には、各インダクタＬ１〜Ｌ３のインダクタンス値を調整することにより、第１のフィルタ１４の通過帯域の低域側もしくは高域側の任意の周波数の位置に減衰極を形成することができる。また、各共振子Ｓ１〜Ｓ９およびＰ１〜Ｐ６は、くし歯電極の表面弾性波の進行方向における両側に反射器が配置されて形成されており、各共振子Ｓ１〜Ｓ９およびＰ１〜Ｐ６は、図示省略されたフィルタ部品１０内の内部配線電極を介してグランド端子ＧＮＤｂに接続されることによりグランド電極ＧＮＤａ（グランド）に接続されている。

第２のフィルタ１５が備える受信用ＳＡＷフィルタ素子は、共通端子ＡＮＴｂに入力された第２の周波数帯域の受信信号を受信端子Ｒｘｂに出力するものである。また、図２に示すように、第２のフィルタ１５はフィルタ基板１１の一方の主面の所定領域にくし歯電極および反射器を有する複数の共振子が接続されることにより形成されている。また、第２のフィルタ１５は、例えば、移相器を形成する共振子とバンドパスフィルタを形成する縦結合型の共振子が直列接続されることにより形成されるが、その詳細な説明は省略する。また、上記した第１のフィルタ１４と同様に、第２のフィルタ１５を形成する各共振子は、図示省略されたフィルタ部品１０内の内部配線電極およびグランド端子ＧＮＤｂを介してグランド電極ＧＮＤａ（グランド）に接続されている。

なお、第２のフィルタ１５は、２個の受信端子Ｒｘｂが設けられて受信信号を平衡出力するバランス型に形成されていてもよい。

（各インダクタＬ１〜Ｌ３の配置関係）
この実施形態では、フィルタ部品１０の第１のフィルタ１４の特性調整用の第１〜第３のインダクタＬ１〜Ｌ３が設けられており、第１のインダクＬ１は、パッケージ基板１２に形成された第１の配線電極１７により形成され、第２、第３のインダクタＬ２，Ｌ３は、モジュール基板２に形成された第２、第３の配線電極６，７により形成されている。また、この実施形態では、図１に示すように、第２のインダクタＬ２を形成する第２の配線電極６が、平面視でモジュール基板２内のフィルタ部品１０の直下に配置されて、フィルタ部品１０と第２のインダクタＬ２との間にはシールド用のグランド電極が配置されていない。

また、第１のインダクタＬ１と第２のインダクタＬ２とは、グランド端子ＧＮＤｂを介して直列接続されている。また、図１および図３に示すように、第１のインダクタＬ１を形成する第１の配線電極１７と、第２のインダクタＬ２を形成する第２の配線電極６とは、平面視で、少なくとも一部が重なるように配置されている。第１の配線電極１７と、第２の配線電極６とは、平面視で重なる部位が多いほど、好ましい。また、この実施形態では、第１の配線電極１７と第２の配線電極６とが重なった部分において、第１の配線電極１７を流れる電流Ｉ１と第２の配線電極６を流れる電流Ｉ２とが同一方向に流れるように、第１の配線電極１７および第２の配線電極６が形成されている。

具体的には、第１のインダクタＬ１および第２のインダクタＬ２は、スパイラル型およびヘリカル型のいずれか一方のインダクタ構造に形成された第１の配線電極１７および第２の配線電極６により形成されている。また、第１の配線電極１７および第２の配線電極６が同一方向に巻回されている。

また、第３のインダクタＬ３を形成する第３の配線電極７がモジュール基板２内に設けられている。また、この実施形態では、第２のインダクタＬ２および第３のインダクタＬ３のそれぞれを流れる電流の向きが互いに逆方向となるように、第２の配線電極６および第３の配線電極７が形成されている。また、第３の配線電極７と第２の配線電極６との距離は、第１の配線電極１７と第２の配線電極６との距離よりも長いことが好ましい。

（製造方法）
次に、図１の高周波モジュール１の製造方法の一例についてその概略を説明する。

まず、所定形状に形成されたセラミックグリーンシートに、レーザーなどでビアホールを形成し、内部に導体ペーストを充填したり、ビアフィルめっきを施すことにより層間接続用のビア導体（配線電極４，６，７）が形成され、面内導体パターン（配線電極４，６，７）、実装面２ａの実装用の電極２ｂおよび実装用電極５などの配線パターンが導体ペーストにより印刷されて、モジュール基板２を構成する各誘電体層を形成するためのセラミックグリーンシートが準備される。なお、それぞれのセラミックグリーンシートには、一度に大量のモジュール基板２を形成できるように、ビア導体や面内導体パターンが複数設けられている。

次に、各誘電体層が積層されて積層体が形成される。そして、焼成後に個々のモジュール基板２に分割するための溝が、各モジュール基板２の領域を囲むように形成される。続いて、積層体が低温焼成されることによりモジュール基板２の集合体が形成される。

続いて、個々のモジュール基板２に分割される前に、モジュール基板２の集合体の実装面２ａに、フィルタ部品１０およびインダクタ３ａなどの種々の電子部品が実装されて、高周波モジュール１の集合体が完成する。なお、この際に、モジュール基板２の集合体の実装面２ａに、フィルタ部品１０およびインダクタ３ａを被覆するように樹脂が充填されて、これが加熱硬化されることにより樹脂層が設けられてもよい。その後、高周波モジュール１の集合体が個々に分割されて、高周波モジュール１が完成する。

このように形成された高周波モジュール１では、マザー基板から、実装用電極５および配線電極４を介してフィルタ部品１０の送信端子Ｔｘｂに出力された送信信号は、第１のフィルタ１４に入力されて所定のフィルタ処理が施されて、共通端子ＡＮＴｂからモジュール基板２側に出力され、配線電極４（整合回路３）および実装用電極５を介して外部に出力される。また、外部から、実装用電極５および配線電極４（整合回路３）を介してフィルタ部品１０の共通端子ＡＮＴｂに入力された受信信号は、第２のフィルタ１５に入力されて所定のフィルタ処理が施されて、受信端子Ｒｘｂからモジュール基板２側に出力され、配線電極４および実装用電極５を介して外部に出力される。

（アイソレーション特性）
次に、高周波モジュール１のアイソレーション特性について説明する。なお、図４に示すアイソレーション特性は、任意の周波数のＲＦ信号が送信電極Ｔｘａ（送信端子Ｔｘｂ）に入力されたときに受信電極Ｒｘａ（受信端子Ｒｘｂ）において観測されるＲＦ信号の大きさを示したものである。なお、図４の横軸は、送信電極Ｔｘａに入力されたＲＦ信号の周波数（ＭＨｚ）を示し、縦軸は、受信電極Ｒｘｂで観測されたＲＦ信号の信号レベル（ｄＢ）を示す。

また、図４中の実線は、上記したように第１のインダクタＬに直列接続された第２のインダクタＬ２がモジュール基板２内に配置された高周波モジュール１に所定のＲＦ信号が入力されたときのアイソレーション特性を示し、同図中の点線は比較例として第２のインダクタＬ２を備えていない高周波モジュールに所定のＲＦ信号が入力されたときのアイソレーション特性を示す。

図４に示すように、本願実施例においては、比較例に比べると、特に高周波側に設定された受信信号の周波数帯域（本実施例においてはＭ４の帯域）におけるアイソレーション特性が約３．４ｄＢ程度改善されている。

（インダクタを形成する配線電極の変形例）
モジュール基板２およびインダクタ部品１０内に設けられる各インダクタＬ１〜Ｌ３を形成する配線電極６，７，１７の変形例について図５を参照して説明する。図５はインダクタを形成する配線電極の変形例を示す図であって、（ａ）〜（ｆ）それぞれは異なる構造を備える配線電極を示す図である。なお、以下に説明する配線電極は、モジュール基板２やパッケージ基板１２を形成する各絶縁体層に形成されたり、必要とされるインダクタの特性に応じて、以下で説明する配線電極がどのように組み合わされてインダクタＬ１〜Ｌ３が構成されてもよい。

図５（ａ）に示す配線電極Ｅ１はミアンダ型に形成され、図５（ｂ）に示す配線電極Ｅ２はスパイラル型に形成されている。また、図５（ｃ）に示す配線電極Ｅ３は、スパイラル型に形成されて、一方の引出電極（同図中の点線部分）が配線電極Ｅ３の主要部分と異なる絶縁体層に形成されビア導体により配線電極Ｅ３の主要部分と接続されている。また、図５（ｄ）に示す配線電極Ｅ４は直線状に形成されている。

また、図５（ｅ）に示す配線電極Ｅ５は、複数の絶縁体層それぞれに形成された複数の略Ｌ字状の面内導体パターンＥ５ａを備えている。また、上から１層目、３層目の略Ｌ字状の面内導体パターンＥ５ａは、同じ向きに配置され、上から２層目、４層目の略Ｌ字状の面内導体パターンＥ５ａは、１層目、３層目の面内導体パターンＥ５ａを約１８０°回転させた向きに配置されている。そして、１層目の面内導体パターンＥ５ａの短辺側の一端と、２層目の面内導体パターンＥ５ａの長辺側の他端とがビア導体Ｅ５ｂにより接続され、２層目の面内導体パターンＥ５ａの短辺側の一端と３層目の面内導体パターンＥ５ａの長辺側の他端とがビア導体Ｅ５ｂにより接続され、３層目の短辺側の一端と、４層目の面内導体パターンＥ５ａの長辺側の他端とがビア導体Ｅ５ｂにより接続されることにより、螺旋状の配線電極Ｅ５が形成されている。

また、図５（ｆ）に示す配線電極Ｅ６は、環状のトロイダル型のコイルコアＥ６ａの周囲を螺旋状に巻回するように形成されている。

以上のように、この実施形態では、フィルタ部品１０の第１のフィルタ１４を所望の減衰特性に調整するためのインダクタの一部が、第２のインダクタＬ２としてモジュール基板２に設けられている。そのため、第１のフィルタ１４の減衰特性を調整するためにフィルタ部品１０内に設けられた第１のインダクタＬ１を形成する第１の配線電極１７の線路長を短くして、第１の配線電極１７のフィルタ部品内における占有面積を低減することができる。したがって、第１の配線電極１７がパッケージ基板１２の絶縁層に形成されている場合に、絶縁層の数を減らすことができるので、フィルタ部品１０を低背化することができる。また、第２のインダクタＬ２がフィルタ部品１０の直下に配置されることにより、第２のインダクタＬ２を形成する第２の配線電極６を平面視においてフィルタ部品１０と重なる領域に配置することができるので、第２の配線電極６が形成されるモジュール基板２を小面積化することにより高周波モジュール１を小型化することができる。

また、第１の配線電極１７の線路長を短くしてフィルタ部品１０内における第１の配線電極１７の占有面積を低減することができるので、フィルタ部品１０内に配置された他のインダクタ等を形成する他の配線電極と第１の配線電極１７とが電磁界的に結合するのを抑制することができる。したがって、第１のインダクタＬ１等の素子特性が変化して第１のフィルタ１４の減衰特性が変動するのを防止することができる。

また、フィルタ部品１０と比較すると配線電極の配置スペースを確保し易いモジュール基板２内において、第２の配線電極６のパターン形状や線路長、太さを容易に変更して第２のインダクタＬ２のインダクタンス値を自由に調整することができる。したがって、第１のインダクタＬ１および第２のインダクタＬ２が一体となって構成される特性調整用のインダクタの設計の自由度を高めることができるので、第１のフィルタ１４を容易に所望の減衰特性に調整することができる。

また、第１の配線電極１７と第２の配線電極６とが平面視において少なくとも一部が重なるように配置されることにより、第１のインダクタＬ１と第２のインダクタＬ２とを容易に磁界結合させることができる。そのため、高周波モジュール１が小型化されて、第１のインダクタＬ１および第２のインダクタＬ２を配置することができるスペースが制限されている場合であっても、第１のインダクタＬ１および第２のインダクタＬ２が一体となって構成される特性調整用のインダクタのインダクタ特性を向上させることができる。したがって、第１のフィルタ１４の減衰特性をさらに容易に調整して改善することができる。

また、第１の配線電極１７と第２の配線電極６とが重なった部分において電流が同一方向に流れるように第１の配線電極１７および第２の配線電極６が形成されているので、第１の配線電極１７と第２の配線電極６とをさらに容易に磁界結合させることができる。したがって、第１のインダクタＬ１および第２のインダクタＬ２が一体となって構成される特性調整用のインダクタのインダクタ特性をさらに向上させることができる。また、この実施形態では、フィルタ部品１０と第２のインダクタＬ２との間にはシールド用のグランド電極が配置されていないので、各インダクタＬ１，Ｌ２それぞれで生じる磁束が遮られることがないので、第１のインダクタＬ１および第２のインダクタＬ２が一体となって構成される特性調整用のインダクタのインダクタ特性をより一層向上させることができる。

また、第１のインダクタＬ１および第２のインダクタＬ２が、スパイラル型およびヘリカル型のいずれか一方の同一のインダクタ構造に形成された第１の配線電極１７および第２の配線電極６により形成され、第１の配線電極１７および第２の配線電極６が同一方向に巻回することにより、次のような効果を奏することができる。すなわち、第１のインダクタＬ１で発生する磁界の向きと第２のインダクタＬ２で発生する磁界の向きとが同じになるので、第１のフィルタ１４の特性を調整するためのインダクタで発生する磁界の広がりを抑えることができる。したがって、例えば、第１、第２のインダクタＬ１，Ｌ２と他の回路素子とが磁界結合するのを防止することができる。

また、第１の配線電極１７が設けられたパッケージ基板１２を薄く形成することができるので、低背化されたＣＳＰ構造のフィルタ部品１０がモジュール基板２に実装された、実用的な構成の高周波モジュール１を提供することができる。

また、第２のインダクタＬ２および第３のインダクタＬ３のそれぞれを流れる電流の向きが互いに逆方向になるように、第２の配線電極６および第３の配線電極７が形成されているので、第２のインダクタＬ２と第３のインダクタＬ３とがモジュール基板２内において磁界結合するのが抑制される。したがって、第２のインダクタＬ２および第３のインダクタＬ３のインダクタ特性が変動するのが抑制されるので、第１のフィルタ１４の減衰特性が劣化するのを防止して、第１のフィルタ１４の減衰特性の向上を図ることができる。

また、分離配置された第１、第２のインダクタＬ１，Ｌ２により第１のフィルタ１４の減衰特性が改善されるので、アイソレーション特性が改善された第１のフィルタ１４と第２のフィルタ１５とを備える高周波モジュール１を提供することができる。

＜第２実施形態＞
次に、図６を参照して本発明の第２実施形態について説明する。図６は本発明の高周波モジュールの第２実施形態を示す図である。

この実施形態が上記した第１実施形態と異なるのは、図６に示すように、フィルタ部品２０がウェハレベル−チップサイズパッケージ（ＷＬ−ＣＳＰ）構造を有し、第１のインダクタＬ１を形成する第１の配線電極１７がカバー層２３に形成されている点である。その他の構成は上記した第１実施形態と同様の構成であるため、同一符号を引用することによりその構成の説明は省略する。

フィルタ部品２０は、フィルタ基板１１と、絶縁層２２と、カバー層２３と、第１のフィルタ１４および第２のフィルタ１５とを備えている。

この実施形態では、上記した第１実施形態と同様に、フィルタ基板１１の一方主面１１ａの所定領域に、ＡｌやＣｕなどにより形成されたくし歯電極（ＩＤＴ電極）や反射器が設けられてＳＡＷ（表面弾性波）共振子が構成されることにより、第１のフィルタ１４および第２のフィルタ１５が形成されている。また、フィルタ基板１１の一方の主面１１ａに、第１のフィルタ１４の入力端子１４ａおよび出力端子１４ｂと、第２のフィルタ１５の入力端子１５ａおよび出力端子１５ｂと、グランド配線用の外部接続端子ＧＮＤｃを形成する端子電極２４が設けられている。

そして、各端子電極２４それぞれに絶縁層２２を貫通して形成された電極２５が接続され、カバー層２３の主面から露出する電極２５により、送信端子Ｔｘｂ、受信端子Ｒｘｂ、共通端子ＡＮＴｂ、複数のグランド端子ＧＮＤｂが構成されている。なお、第１のフィルタ１４の入力端子１４ａと送信端子Ｔｘｂとが接続され、第２のフィルタ１５の出力端子１５ｂと受信端子Ｒｘｂとが接続され、第１のフィルタ１４の出力端子１４ｂおよび第２のフィルタ１５の入力端子１５ａと共通端子ＡＮＴｂとが接続されている。また、各ＳＡＷ共振子が、グランド配線用のグランド端子ＧＮＤｃを介してグランド端子ＧＮＤｂに接続されている。

絶縁層２２は、フィルタ基板１１の一方の主面１１ａのくし歯電極および反射器が設けられた所定領域を囲繞して配置される。具体的には、絶縁層２２は、くし歯電極、反射器および端子電極２４が設けられたフィルタ基板１１の一方の主面１１ａに、感光性のエポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂により樹脂層を形成した後に、フォトリソグラフィの工程を経て、くし歯電極および反射器が設けられた所定領域および端子電極２４の領域の樹脂層を取り除くことにより形成される。

カバー層２３は、絶縁層２２上に配置されてフィルタ基板１１との間に絶縁層２２とともに囲繞された空間Ｋを形成し、当該形成された空間Ｋ内に、送信用ＳＡＷフィルタ素子および受信用ＳＡＷフィルタ素子が配置される。具体的には、カバー層２３は、例えば、絶縁層２２に感光性のエポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂によりフォトリソグラフィの工程を経て積層された樹脂層の接続孔に、ＣｕやＡｌのペーストを充填したりビアフィルめっきを施したりして端子電極２４に接続される電極２５を形成することで形成される。また、この実施形態では、カバー層２３に、第１のインダクタＬ１を形成する第１の配線電極１７が形成されている。そして、端子電極２４に接続されて、各フィルタ素子が配置される空間と反対側のカバー層２３の主面から露出する電極２５に実装用のはんだボール２６が形成されてフィルタ部品２０が形成される。

また、カバー層２３がモジュール基板２の実装面２ａに対向するようにフィルタ部品２０が実装面２ａの実装用の電極２ｂに接続されることにより、モジュール基板２の送信電極Ｔｘａとフィルタ部品２０の送信端子Ｔｘｂとが接続されて、送信電極Ｔｘａと第１のフィルタ１４の入力端子１４ａとが送信端子Ｔｘｂを介して接続される。また、モジュール基板２の受信電極Ｒｘａとフィルタ部品２０の受信端子Ｒｘｂとが接続されて、受信電極Ｒｘａと第２のフィルタ１５の出力端子１５ｂとが受信端子Ｒｘｂを介して接続される。また、モジュール基板２の共通電極ＡＮＴａとフィルタ部品２０の共通端子ＡＮＴｂとが接続されて、共通電極ＡＮＴａと第１のフィルタ１４の出力端子１４ｂおよび第２のフィルタ１５の入力端子１５ａとが共通端子ＡＮＴｂを介して接続される。また、モジュール基板２のグランド電極ＧＮＤａとフィルタ部品２０の各グランド端子ＧＮＤｂとが接続されて、グランド電極ＧＮＤａと各フィルタ１４，１５の接地箇所とが各グランド端子ＧＮＤｂを介して接続される。

以上のように、この実施形態では、図２に示す回路と同様の回路が構成されて、次のような効果を奏することができる。すなわち、第１の配線電極１７が設けられたカバー層２３が薄く形成されることでさらに低背化されたＷＬ−ＣＳＰ構造のフィルタ部品２０がモジュール基板２に実装されることにより、さらに低背化および小型化された高周波モジュール１を提供することができる。

なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて、上記したもの以外に種々の変更を行なうことが可能であり、上記した実施形態が備える構成をどのように組み合わせてもよい。例えば、他の並列腕共振子にも第１のインダクタＬ１の一端が接続されていてもよい。また、複数の第１のインダクタＬ１が設けられ、各第１のインダクタＬ１それぞれが異なる並列腕共振子に接続されていてもよい。

また、第１のフィルタ１４が備えるラダー型のフィルタの構成は上記した例に限定されるものではなく、フィルタ特性を調整するためにシャント接続された共振子を備える構成であれば、どのように第１のフィルタ１４を形成してもよい。また、第２のフィルタ１５の構成は、弾性波を利用した共振子を備える構成としてもよいし、一般的なＬＣフィルタにより第２のフィルタ１５が形成されていてもよい。また、弾性波を利用したフィルタとしては、ＳＡＷフィルタに限らず、ＦＢＡＲ型やＳＭＲ型のバルク弾性波を利用したＢＡＷフィルタにより第１のフィルタ１４および第２のフィルタ１５が形成されていてもよい。

また、上記した各実施形態では、モジュール基板２に１個のフィルタ部品１０，２０が搭載された高周波モジュール１を例に挙げて説明したが、モジュール基板２に２個以上のフィルタ部品１０，２０を搭載して高周波モジュールを形成してもよく、この場合、モジュール基板２にスイッチＩＣを搭載して、モジュール基板２に搭載された複数のフィルタ部品１０，２０から、使用するフィルタ部品１０，２０をスイッチＩＣにより選択して切換えるようにするとよい。

また、モジュール基板２の実装面２ａに、グランド電極層がさらに設けられていてもよい。この場合に、第１の配線電極１７および第２の配線電極６が平面視で重なる部分において、グランド電極層に切欠きが設けられているとよい。

フィルタ部品が実装されたモジュール基板を備える高周波モジュールに本発明を広く適用することができる。

１ 高周波モジュール
２ モジュール基板
６ 第２の配線電極
７ 第３の配線電極
１０，２０ フィルタ部品
１１ フィルタ基板
１２ パッケージ基板
１４ 第１のフィルタ
１４ａ 入力端子
１４ｂ 出力端子
１５ 第２のフィルタ
１７ 第１の配線電極
２２ 絶縁層
２３ カバー層
ＡＮＴｂ 共通端子（第２端子）
ＧＮＤａ グランド電極（グランド）
ＧＮＤｂ グランド端子（第３端子）
Ｒｘｂ 受信端子（第４端子）
Ｔｘｂ 送信端子（第１端子）
Ｉ１ 第１のインダクタを流れる電流
Ｉ２ 第２のインダクタを流れる電流
Ｌ１ 第１のインダクタ
Ｌ２ 第２のインダクタ
Ｌ３ 第３のインダクタ
Ｋ 空間

Claims (8)

1. ＲＦ信号が入力される第１端子、
   前記第１端子に入力されたＲＦ信号が通過する第１のフィルタ、
   前記第１のフィルタを通過したＲＦ信号を出力する第２端子、
   第３端子、および
   一端が前記第１のフィルタに接続され他端が前記第３端子に接続された第１のインダクタを有するフィルタ部品と、
   前記フィルタ部品が実装されたモジュール基板と、
   平面視で前記モジュール基板内の前記フィルタ部品の直下に設けられ、一端が前記第３端子に接続され、他端がグランドに接続された第２のインダクタとを備え、
   前記第１のフィルタは、
   前記第１のフィルタの入力端子および出力端子を接続する直列腕に配置される複数の直列腕共振子と、
   前記直列腕に接続された複数の並列腕共振子とを有し、
   前記第１のインダクタの前記第１のフィルタに接続された一端は前記複数の並列腕共振子のうちの少なくとも１つに接続され、
   前記第１のインダクタと前記第２のインダクタとが直列に接続され、
   前記第１のインダクタを構成する第１の配線電極と、前記第２のインダクタを構成する第２の配線電極とが、平面視において少なくとも一部が重なるように配置されている
   ことを特徴とする高周波モジュール。
2. 前記第１の配線電極と前記第２の配線電極とが重なった部分において電流が同一方向に流れるように前記第１の配線電極および前記第２の配線電極が構成されていることを特徴とする請求項１に記載の高周波モジュール。
3. 前記第１のインダクタおよび前記第２のインダクタは、スパイラル型およびヘリカル型のいずれか一方の同一のインダクタ構造を有し、
   前記第１の配線電極および前記第２の配線電極が同一方向に巻回されていることを特徴とする請求項１または２のいずれかに記載の高周波モジュール。
4. 前記フィルタ部品は、前記複数の直列腕共振子および前記複数の並列腕共振子がその一方の主面の所定領域に形成されたフィルタ基板と、前記フィルタ基板が実装されたパッケージ基板とを備え、
   前記第１の配線電極が、前記パッケージ基板内に設けられていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の高周波モジュール。
5. 前記フィルタ部品は、
   前記複数の直列腕共振子および前記複数の並列腕共振子がその一方の主面の所定領域に形成されたフィルタ基板と、
   前記所定領域を囲繞するように配置された絶縁層と、
   前記絶縁層上に配置され、前記複数の直列腕共振子および前記複数の並列腕共振子を覆うように設けられたカバー層と、
   前記フィルタ基板、前記絶縁層、及び前記カバー層によって囲繞された空間とを備え、
   前記第１端子、前記第２端子および前記第３端子それぞれは、前記空間が位置する面とは反対の主面に露出するように設けられ、前記モジュール基板の実装面に設けられた実装用の電極に接続され、
   前記第１の配線電極が、前記カバー層内に設けられていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の高周波モジュール。
6. 前記モジュール基板内に設けられた第３の配線電極により構成され、一端が前記複数の並列腕共振子のうち少なくともひとつに接続され他端がグランドに接続された、前記第１のフィルタの特性調整用の第３のインダクタをさらに備え、
   前記第２のインダクタおよび前記第３のインダクタのそれぞれを流れる電流の向きが互いに逆方向になるように、前記第２の配線電極および前記第３の配線電極が構成されている
   ことを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の高周波モジュール。
7. 前記第３の配線電極と前記第２の配線電極との距離は、前記第１の配線電極と前記第２の配線電極との距離よりも長いことを特徴とする請求項６に記載の高周波モジュール。
8. 前記フィルタ部品は、
   複数の共振子によって構成され、前記第２端子に入力されたＲＦ信号が通過する第２のフィルタと、
   前記第２のフィルタを通過したＲＦ信号を出力する第４端子とをさらに備え、
   前記第１のフィルタの通過帯域は送信信号の周波数帯域であり、
   前記第２のフィルタの通過帯域は受信信号の周波数帯域である
   ことを特徴とする請求項１ないし７のいずれかに記載の高周波モジュール。

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