WO2014045726A1 - フィルタ装置 - Google Patents

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哲朗 奥田
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    • H03H9/542Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material including passive elements

Definitions

  • the present invention relates to a band-pass filter device, and more particularly to a filter device having a ladder circuit configuration.
  • a surface acoustic wave filter device having a ladder circuit configuration has been widely used for a band filter of a mobile communication device.
  • Patent Document 1 discloses an example of such a filter device.
  • a surface acoustic wave filter element is mounted on a chip substrate.
  • the surface acoustic wave filter element has a piezoelectric substrate and an electrode structure formed on one surface of the piezoelectric substrate.
  • This electrode structure includes a series arm resonator, a parallel arm resonator, and a wiring conductor that electrically connects the series arm resonator and the parallel arm resonator.
  • the surface acoustic wave filter element and the electrode land provided on the chip substrate are electrically connected by a bonding wire. Further, terminal electrodes for surface mounting are formed on the outer surface of the package material having the chip substrate.
  • the inductance is formed on a piezoelectric substrate constituting the surface acoustic wave filter element or a package material on which the surface acoustic wave filter element is mounted, for example, a chip substrate.
  • An object of the present invention is to provide a filter device that can increase the out-of-band attenuation and can be downsized.
  • the filter device includes a mounting substrate and a filter component mounted on the mounting substrate.
  • the filter component includes a chip substrate and an acoustic wave filter chip mounted on the chip substrate.
  • This elastic wave filter chip has a ladder type circuit configuration. That is, the ladder-type circuit configuration includes a plurality of series arm resonators composed of acoustic wave resonators arranged on a series arm connecting the input end and the output end, and a plurality of series arm resonators connected between the series arm and the ground potential.
  • a parallel arm resonator, and a parallel arm resonator composed of an acoustic wave resonator is disposed on each parallel arm.
  • the present invention further includes a plurality of inductances connected between the ground potential side end of the parallel arm resonator disposed on the parallel arm and the ground potential. Of the plurality of inductances, at least one inductance is configured on the chip substrate, and the remaining at least one inductance is configured on the mounting substrate.
  • the plurality of inductances connected between the ground potential side ends of the plurality of parallel arm resonators and the ground potential are the first inductance and the second inductance. And have.
  • the first inductance is connected between the ground potential side end of one parallel arm resonator and the ground potential.
  • the second inductance is connected between a common connection point formed by commonly connecting the ground potential side ends of the plurality of parallel arm resonators and the ground potential.
  • the chip substrate has a first wiring conductor
  • the mounting substrate has a second wiring conductor, and compared with the wiring resistance of the first wiring conductor.
  • the wiring resistance of the second wiring conductor is low, and the second inductance is formed on the mounting board by the second wiring conductor.
  • At least a part of the first inductance is configured on the chip substrate, and the remaining first inductance is configured on the mounting substrate. Has been.
  • the first inductance is formed on the chip substrate.
  • the chip substrate is made of high-temperature fired ceramics
  • the mounting board is made of low-temperature fired ceramics having a firing temperature lower than that of the high-temperature fired ceramics.
  • the out-of-band attenuation can be increased, and at least one inductance of the plurality of inductances is provided on the chip substrate. Since one inductance is formed on the mounting substrate, the size can be reduced.
  • FIG. 1 is a circuit diagram of a filter device according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a circuit diagram of a duplexer to which the filter device of one embodiment of the present invention is applied.
  • FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of a filter device according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a diagram illustrating impedance characteristics of the first inductance and the second inductance.
  • FIG. 5 is a diagram illustrating attenuation frequency characteristics of the filter device according to the embodiment of the present invention, the filter device of the first comparative example, and the filter device of the second comparative example.
  • FIG. 6 is a diagram illustrating the relationship between the inductance value and impedance characteristics when an inductance is connected in series to the resonator.
  • FIG. 7 is a diagram illustrating resonance characteristics when there is a wiring resistance and when there is no wiring resistance in a configuration in which an inductance is connected in series with the resonator.
  • FIG. 1 is a circuit diagram of a filter device according to an embodiment of the present invention.
  • the filter device 1 of this embodiment has an input terminal 2 and an output terminal 3.
  • a plurality of series arm resonators S 1 to S 4 are arranged on the series arm connecting the input terminal 2 and the output terminal 3.
  • a plurality of parallel arms 4 to 7 are provided so as to connect the serial arm and the ground potential.
  • Parallel arm resonators P1 to P4 are arranged on the parallel arms 4 to 7, respectively.
  • the series arm resonators S1 to S4 and the parallel arm resonators P1 to P4 are composed of surface acoustic wave resonators.
  • the low-frequency and high-frequency attenuation poles are configured by the resonance frequency of the parallel arm resonators P1 to P4 and the anti-resonance frequency of the series arm resonators S1 to S4. That is, the pass band of the ladder filter is configured by using the resonance characteristics of the series arm resonators S1 to S4 and the parallel arm resonators P1 to P4.
  • the filter device 1 is preferably used as a transmission filter of a duplexer shown in FIG.
  • the transmission filter is configured by the filter device 1. That is, the filter device 1 is connected to the antenna terminal 12 as a transmission filter.
  • the reception filter 13 includes first and second longitudinally coupled resonator type elastic wave filter units. The reception filter 13 has a balanced-unbalanced conversion function. Therefore, the reception filter 13 is connected between the antenna terminal 12 and the first and second reception terminals 14 and 15.
  • the filter device 1 of the present embodiment has a filter component 23 in which an elastic wave filter chip 22 is mounted on a chip substrate 21 as shown in FIG.
  • the acoustic wave filter chip 22 has a piezoelectric substrate and an electrode structure formed on one surface of the piezoelectric substrate.
  • the chip substrate 21 is made of high-temperature fired insulating ceramics (HTCC) generally used as a chip substrate in the present embodiment.
  • HTCC high-temperature fired insulating ceramics
  • the chip substrate 21 may be formed of another insulating material.
  • the chip component 23 is mounted on the mounting substrate 24.
  • the mounting substrate 24 is a substrate on which the transmission filter 1 and the reception filter 13 are mounted in the duplexer 11 described above, for example.
  • the mounting substrate 24 may be a printed circuit board on the electronic circuit side. That is, the mounting substrate 24 is not particularly limited as long as it is a substrate on which the chip component 23 is mounted.
  • the mounting substrate 24 is made of low-temperature fired insulating ceramics (LTCC).
  • LTCC low-temperature fired insulating ceramics
  • the mounting substrate 24 may be formed of other insulating materials.
  • an exterior resin layer 25 is formed so as to cover the outside of the chip component 23 and the chip substrate 21.
  • the exterior resin layer 25 can be formed of an appropriate synthetic resin.
  • the exterior resin layer 25 is not necessarily formed.
  • a plurality of first inductances L1 are formed on the chip substrate 21.
  • the plurality of second inductances L ⁇ b> 2 are formed on the mounting substrate 24. Therefore, since the first inductance L1 and the second inductance L2 are not formed in the acoustic wave filter chip 22, the acoustic wave filter chip 22 can be reduced in size. In addition, since the first inductance L1 and the second inductance L2 are separately formed on the chip substrate 21 and the mounting substrate 24, the filter device 1 as a whole can be downsized.
  • the resonance characteristic can be changed by the configuration in which the inductance is connected in series with the resonator like the first inductance L1 and the second inductance L2.
  • an alternate long and short dash line indicates the resonance characteristics of the surface acoustic wave resonator itself
  • a solid line indicates the resonance characteristics when an inductance of 1.0 nH is connected in series to the surface acoustic wave resonator.
  • a broken line indicates a resonance characteristic when a 2.0 nH inductance is connected in series to the surface acoustic wave resonator.
  • the resonance frequency shifts to the lower frequency side as the inductance value connected in series increases. That is, the resonance frequency can be changed by connecting the inductances in series. It can also be seen that the specific bandwidth can be expanded.
  • the pass band is constituted by the resonance characteristics of the parallel arm resonators P1 to P4 and the resonance characteristics of the series arm resonators S1 to S4.
  • the resonance frequency can be lowered by further increasing the value of the first inductance L1. Therefore, the pass band can be adjusted by the first inductance L1 so as to widen the pass band. Therefore, since the first inductance L1 has a function of expanding the pass band, it is abbreviated as an extension coil as necessary.
  • the second inductance L2 is also connected in series to the parallel arm resonators P1 and P2, the second inductance L2 similarly acts to lower the resonance frequency.
  • the amount of attenuation at the resonance frequency of the parallel arm resonator can be further increased. That is, the attenuation amount at the attenuation pole can be further increased. This will be described with reference to FIG.
  • the solid line in FIG. 4 shows the resonance characteristics when a second inductance of 1.0 nH is connected between the common connection point of the two surface acoustic wave resonators and the ground potential, and the broken line is one elastic surface.
  • the resonance characteristic of the structure which connected the 2.0 nH 1st inductance between the ground electric potential side edge part of a wave resonator, and ground potential is shown.
  • the impedance value at the resonance frequency can be reduced. Therefore, the attenuation amount at the attenuation pole on the low frequency side of the ladder filter can be further increased.
  • the second inductance L2 gives a larger variation in the pass band of the filter than the first inductance L1.
  • the chip substrate 21 is made of high-temperature fired ceramics
  • the mounting substrate 24 is made of low-temperature fired ceramics.
  • a metal material that can withstand high temperatures must be used as a wiring material in high-temperature fired ceramics. Therefore, in the inductance formed in the chip substrate 21, a refractory metal such as W must be used as a conductor. However, W has higher conductivity than Cu, which is a low melting point metal. Therefore, the resistance of the inductance in the chip substrate 21 increases, and the Q value of the inductance decreases in inverse proportion to the increase in the resistance value. In addition, it is not desirable from the economical point of view to use many relatively expensive materials such as W, Pt, and Pd, which are high melting point metals, as the wiring material of the filter device 1.
  • the mounting substrate 24 is formed by firing at a low temperature. Therefore, the inductance can be made of a metal such as Cu having a low wiring resistance and a low melting point metal. Moreover, since Cu is a relatively inexpensive material, it is desirable from an economical point of view.
  • the Q value of the second inductance L2 has a greater influence on the filter characteristics than the Q value of the first inductance L1. Therefore, it is desirable to provide the second inductance L2 on the mounting substrate 24 side using a material such as LTCC as in this embodiment. As a result, the Q value of the second inductance L2 can be increased by forming the second inductance L2 having a large influence on the filter characteristics with Cu or the like having a low wiring resistance.
  • FIG. 7 is a diagram showing a change in resonance characteristics depending on the wiring resistance in a configuration in which a 2.0 nH inductance is connected in series to a surface acoustic wave resonator.
  • the result when the wiring resistance is approximately 0 ⁇ is indicated by a broken line, and the result when the wiring resistance is 1 ⁇ is indicated by a solid line.
  • the second inductance L2 that greatly affects the filter characteristics is desirably formed of Cu or the like having a low wiring resistance as described above. Therefore, it is desirable to configure the second inductance L2 on the mounting substrate 24 as in the above embodiment.
  • the filter device 1 having a plurality of inductances, if the at least one inductance is formed on the chip substrate 21 and the remaining at least one inductance is divided on the mounting substrate 24, the mounting volume of the inductance is set to the chip substrate 21 and the mounting substrate. 24, and the filter device 1 can be easily downsized. Therefore, in the present invention, among the plurality of inductances connected between the parallel arm resonator and the ground potential, at least one inductance is configured on the chip substrate 21 and the remaining at least one inductance is configured on the mounting substrate 24. It only has to be.
  • the second inductance L2 is configured on the mounting substrate 24 having a low wiring resistance.
  • at least one first inductance L1 may be formed on the mounting substrate 24 among the plurality of first inductances L1. That is, of the plurality of first inductances L1, at least one inductance L1 may be formed on the mounting substrate 24, and the remaining first inductance L1 may be formed on the chip substrate 21.
  • the mounting substrate 24 is formed by LTCC and the chip substrate 21 is formed by HTCC.
  • the materials of the chip substrate 21 and the mounting substrate 24 are not limited to these. Both may be formed of the same insulating material.
  • the mounting substrate 24 and the chip substrate 21 are configured as described above using an insulating material having a relatively low wiring resistance of the formed wiring conductor and a relatively high insulating material. It is desirable.
  • the chip substrate 21 may be configured by LTCC and the mounting substrate 24 may be configured by HTCC. In that case, it is desirable to form the second inductance on the chip substrate 21 and the first inductance on the mounting substrate 24.
  • each wiring conductor can be formed of an appropriate metal or alloy having a relatively low wiring resistance and an appropriate metal or alloy having a relatively high wiring resistance.
  • a conductor having a relatively high wiring resistance such as Pt or Pd having a high melting point can be used.
  • the series arm resonators S1 to S4 and the parallel arm resonators P1 to P4 are configured by surface acoustic wave resonators, but may be configured by boundary acoustic wave resonators or bulk acoustic wave resonators. Good.

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Abstract

 小型化を図ることができ、かつ帯域外減衰量の拡大を図り得るフィルタ装置を提供する。 直列腕共振子と並列腕共振子とを有するラダー型回路構成のフィルタ装置であって、実装基板24上に、フィルタ部品23が搭載されており、フィルタ部品23がチップ基板21と弾性波フィルタチップ22とを有し、複数の直列腕共振子及び並列腕共振子が弾性波フィルタチップ22に構成されており、複数の並列腕共振子のそれぞれのグラウンド電位側端部とグラウンド電位との間にインダクタンスが接続されている回路構成を有し、複数のインダクタンスのうち少なくとも1つのインダクタンスがチップ基板21に、残りの少なくとも1つのインダクタンスが実装基板24に構成されている、フィルタ装置1。

Description

フィルタ装置
 本発明は、帯域通過型のフィルタ装置に関し、より詳細には、ラダー型回路構成を有するフィルタ装置に関する。
 従来、移動体通信機の帯域フィルタなどにラダー型回路構成の弾性表面波フィルタ装置が広く用いられている。
 下記の特許文献1には、このようなフィルタ装置の一例が開示されている。特許文献1に記載のフィルタ装置では、チップ基板上に、弾性表面波フィルタ素子が搭載されている。弾性表面波フィルタ素子は、圧電基板と、圧電基板の一方面に形成された電極構造とを有する。この電極構造は、直列腕共振子と、並列腕共振子と、これらの直列腕共振子及び並列腕共振子を電気的に接続する配線導体とを有する。上記弾性表面波フィルタ素子とチップ基板に設けられている電極ランドはボンディングワイヤーにより電気的に接続されている。また、チップ基板を有するパッケージ材の外表面には、表面実装用の端子電極が形成されている。
 従来、このようなラダー型回路構成のフィルタ装置において、直列腕共振子や並列腕共振子に、帯域調整などのためにインダクタンスを電気的に接続する構成が種々提案されている。
特開2003-332885号公報
 特許文献1に記載のフィルタ装置では、上記インダクタンスは、弾性表面波フィルタ素子を構成する圧電基板や、弾性表面波フィルタ素子が搭載されるパッケージ材、例えばチップ基板に形成されている。
 しかしながら、このようなフィルタ装置では、充分な帯域外減衰量を得ることが困難であった。
 また、ラダー型回路構成を有するフィルタ装置及び該フィルタ装置を実装基板に実装してなる構造の小型化を図ることが困難であった。
 本発明の目的は、帯域外減衰量を大きくすることができ、かつ小型化を図り得るフィルタ装置を提供することにある。
 本発明に係るフィルタ装置は、実装基板と実装基板上に実装されたフィルタ部品とを備える。フィルタ部品は、チップ基板と、チップ基板上に搭載された弾性波フィルタチップとを有する。この弾性波フィルタチップは、ラダー型回路構成を有する。すなわち、ラダー型回路構成は、入力端と出力端とを結ぶ直列腕に配置された弾性波共振子からなる複数の直列腕共振子と、直列腕とグラウンド電位との間に接続される複数の並列腕とを有し、各並列腕に弾性波共振子からなる並列腕共振子が配置されている構成を有する。
 本発明では、前記並列腕に配置された並列腕共振子のグラウンド電位側端部と、グラウンド電位との間に接続される複数のインダクタンスがさらに備えられている。そして、複数のインダクタンスのうち、少なくとも1つのインダクタンスがチップ基板に、残りの少なくとも1つのインダクタンスが実装基板に構成されている。
 本発明に係るフィルタ装置のある特定の局面では、複数の並列腕共振子のグラウンド電位側端部とグラウンド電位との間に接続されている複数のインダクタンスが、第1のインダクタンスと第2のインダクタンスとを有する。第1のインダクタンスは、1つの並列腕共振子のグラウンド電位側端部とグラウンド電位との間に接続される。第2のインダクタンスは、複数の並列腕共振子のグラウンド電位側端部を共通接続してなる共通接続点とグラウンド電位との間に接続される。
 本発明に係るフィルタ装置の他の特定の局面では、前記チップ基板が第1の配線導体を有し、前記実装基板が第2の配線導体を有し、第1の配線導体の配線抵抗に比べ、第2の配線導体の配線抵抗が低くなっており、前記第2のインダクタンスが前記第2の配線導体によって前記実装基板に構成されている。
 本発明に係るフィルタ装置のさらに他の特定の局面では、前記第1のインダクタンスのうち、少なくとも一部のインダクタンスが前記チップ基板に構成されており、残りの第1のインダクタンスが前記実装基板に構成されている。
 本発明に係るフィルタ装置のさらに別の特定の局面では、前記第1のインダクタンスが前記チップ基板に構成されている。
 本発明に係るフィルタ装置のさらに他の特定の局面では、前記チップ基板が高温焼成セラミックスからなり、前記実装基板が前記高温焼成セラミックスよりも焼成温度が低い低温焼成セラミックスからなる。
 本発明に係るフィルタ装置では、上記複数のインダクタンスが備えられているため、帯域外減衰量の拡大を図ることができ、かつ該複数のインダクタンスのうち少なくとも1つのインダクタンスがチップ基板に、残りの少なくとも1つのインダクタンスが実装基板に構成されているので、小型化を図ることができる。
図1は、本発明の一実施形態に係るフィルタ装置の回路図である。 図2は、本発明の一実施例のフィルタ装置が適用されるデュプレクサの回路図である。 図3は、本発明の一実施形態に係るフィルタ装置の略図的断面図である。 図4は、第1のインダクタンス及び第2のインダクタンスのインピーダンス特性を示す図である。 図5は、本発明の一実施形態のフィルタ装置、第1の比較例のフィルタ装置及び第2の比較例のフィルタ装置の減衰量周波数特性を示す図である。 図6は、共振子に直列にインダクタンスを接続した場合のインダクタンスの値と、インピーダンス特性との関係を示す図である。 図7は、共振子に直列にインダクタンスが接続されている構成において、配線抵抗が存在する場合と、配線抵抗が存在しない場合の共振特性を示す図である。
 以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
 図1は、本発明の一実施形態に係るフィルタ装置の回路図である。本実施形態のフィルタ装置1は、入力端子2と出力端子3とを有する。入力端子2と出力端子3とを結ぶ直列腕に、複数の直列腕共振子S1~S4が配置されている。直列腕とグラウンド電位とを結ぶように複数の並列腕4~7が設けられている。各並列腕4~7に、それぞれ、並列腕共振子P1~P4が配置されている。
 直列腕共振子S1~S4及び並列腕共振子P1~P4は、弾性表面波共振子からなる。
 複数の並列腕共振子P1,P2のグラウンド電位側端部は共通接続点8に共通接続されている。共通接続点8とグラウンド電位との間に第2のインダクタンスL2が接続されている。並列腕共振子P3及び並列腕共振子P4の各グラウンド電位側端部とグラウンド電位との間に、それぞれ、第1のインダクタンスL1が接続されている。
 ラダー型回路構成では、並列腕共振子P1~P4の共振周波数と、直列腕共振子S1~S4の反共振周波数により、低域側及び高域側の減衰極がそれぞれ構成される。すなわち、ラダー型フィルタの通過帯域は直列腕共振子S1~S4及び並列腕共振子P1~P4の共振特性を利用して構成されている。
 上記フィルタ装置1は、例えば図2に示すデュプレクサの送信フィルタとして好適に用いられる。図2に示すデュプレクサ11では、送信フィルタがフィルタ装置1により構成されている。すなわち、アンテナ端子12に、送信フィルタとしてフィルタ装置1が接続されている。受信フィルタ13は、第1,第2の縦結合共振子型弾性波フィルタ部を有する。受信フィルタ13は、平衡-不平衡変換機能を有する。従って、アンテナ端子12と、第1,第2の受信端子14,15との間に受信フィルタ13が接続されている。
 ところで、デュプレクサ11などの小型化に伴って、フィルタ装置1も小型化が強く求められている。そこで、本実施形態のフィルタ装置1では、図3に示すように、チップ基板21上に弾性波フィルタチップ22が搭載されたフィルタ部品23を有する。この弾性波フィルタチップ22は、圧電基板と、圧電基板の片面に形成された電極構造とを有する。他方、チップ基板21は、本実施形態では、チップ基板として一般的に用いられている高温焼成型絶縁性セラミックス(HTCC)からなる。もっとも、チップ基板21は他の絶縁性材料により形成されていてもよい。
 他方、上記チップ部品23は、実装基板24に実装されている。実装基板24は、例えば前述したデュプレクサ11において送信フィルタ1と受信フィルタ13とを搭載するための基板である。あるいは、実装基板24は電子回路側のプリント基板であってもよい。すなわち、実装基板24は、上記チップ部品23が搭載される基板であれば特に限定されるものではない。
 本実施形態では、実装基板24は低温焼成型絶縁性セラミックス(LTCC)により構成されている。もっとも、実装基板24は他の絶縁性材料で形成されていてもよい。
 また、上記チップ部品23及びチップ基板21の外側を被覆するように外装樹脂層25が形成されている。外装樹脂層25は、適宜の合成樹脂により形成することができる。外装樹脂層25は必ずしも形成されずともよい。
 本実施形態では、上記ラダー型回路構成の構成要素のうち、複数の第1のインダクタンスL1はチップ基板21に形成されている。他方、複数の第2のインダクタンスL2は実装基板24に形成されている。従って、第1のインダクタンスL1及び第2のインダクタンスL2が、弾性波フィルタチップ22内に形成されていないため、弾性波フィルタチップ22の小型化を図ることができる。加えて、第1のインダクタンスL1と第2のインダクタンスL2とが、チップ基板21と実装基板24とに分けて形成されているため、フィルタ装置1全体の小型化をも図り得る。
 ところで、上記第1のインダクタンスL1や第2のインダクタンスL2のように、共振子に直列にインダクタンスを接続した構成により、共振特性を変化させることができる。図6において、一点鎖線は弾性表面波共振子自体の共振特性を示し、実線が弾性表面波共振子に1.0nHのインダクタンスを直列に接続した場合の共振特性を示す。破線が弾性表面波共振子に2.0nHのインダクタンスを直列に接続した場合の共振特性を示す。
 図6から明らかなように、直列接続されるインダクタンスの値が大きくなるほど共振周波数が低周波数側にシフトしていくことがわかる。すなわち、インダクタンスを直列に接続することにより共振周波数を変化させることができる。また、比帯域を広げ得ることがわかる。
 他方、図1に示したラダー型回路では、通過帯域は、並列腕共振子P1~P4の共振特性と、直列腕共振子S1~S4の共振特性とにより構成される。
 従って、前述したように、例えば並列腕共振子P3,P4に第1のインダクタンスL1を接続することにより、さらに第1のインダクタンスL1の値を大きくすることにより共振周波数を低めることができる。よって、通過帯域を広げるように第1のインダクタンスL1により通過帯域を調整することができる。よって、第1のインダクタンスL1は、通過帯域を広げ得る機能を有するため、伸長コイルと必要に応じて略すこととする。
 第2のインダクタンスL2も、並列腕共振子P1,P2に直列に接続されているため、同様に共振周波数を低めるように作用する。もっとも、第2のインダクタンスL2の場合には、並列腕共振子の共振周波数における減衰量をより一層大きくすることができる。すなわち、減衰極における減衰量をより一層大きくすることができる。これを、図4を参照して説明する。
 図4の実線は、2個の弾性表面波共振子の共通接続点とグラウンド電位との間に1.0nHの第2のインダクタンスを接続した場合の共振特性を示し、破線は1個の弾性表面波共振子のグラウンド電位側端部とグラウンド電位との間に2.0nHの第1のインダクタンスを接続した構成の共振特性を示す。図4の実線から明らかなように、第2のインダクタンスL2の場合には、共振周波数におけるインピーダンス値を小さくすることができる。従って、ラダー型フィルタの低域側の減衰極における減衰量をより一層拡大することができる。
 よって、第2のインダクタンスL2は、第1のインダクタンスL1と比べて、フィルタの通過帯域により大きな変動を与える。
 図3に示したフィルタ装置1では、チップ基板21が高温焼成型セラミックスからなり、実装基板24が低温焼成型セラミックスからなる。チップ基板21の材料として、高温焼成型セラミックスでは、配線材料として高温に耐え得る金属材料を用いなければならない。従って、チップ基板21内に形成されるインダクタンスでは、導体として、Wなどの高融点金属を用いなければならない。ただし、Wは、低融点金属であるCuより導電率が高い。よって、チップ基板21内のインダクタンスの抵抗が高くなり、抵抗値の増加に反比例してインダクタンスのQ値が低下する。また、フィルタ装置1の配線材料として高融点金属であるW、Pt,Pdなど比較的高価な材料を多く用いることは、経済的な点から望ましくない。
 他方、実装基板24は、低温で焼成されて形成されるものである。従って、配線抵抗が低く、低融点金属であるCuなどの金属でインダクタンスを構成することができる。また、Cuは比較的安価な材料であるため、経済的な点からも望ましい。
 前述したように、第2のインダクタンスL2のQ値は、第1のインダクタンスL1のQ値よりもフィルタ特性に大きな影響を与える。従って、本実施形態のように、第2のインダクタンスL2をLTCCなどの材料が用いられた実装基板24側に設けることが望ましい。それによって、フィルタ特性に与える影響が大きい第2のインダクタンスL2を、配線抵抗の低いCuなどで形成することにより、第2のインダクタンスL2のQ値を大きくすることができる。
 図7は、弾性表面波共振子に直列に2.0nHのインダクタンスを接続した構成における配線抵抗の大きさによる共振特性の変化を示す図である。配線抵抗がほぼ0Ωの場合の結果を破線で示し、配線抵抗が1Ωの場合の結果を実線で示す。図7から明らかなように、配線抵抗が大きければ、Q値が低下して共振周波数におけるピークがなまり、インピーダンス比が小さくなっていることがわかる。従って、フィルタ特性に大きな影響を与える第2のインダクタンスL2は、上記のように、配線抵抗が低いCuなどにより形成することが望ましい。従って、上記実施形態のように、第2のインダクタンスL2を実装基板24に構成することか望ましい。
 もっとも、複数のインダクタンスを有するフィルタ装置1において、少なくとも1つのインダクタンスをチップ基板21に、残りの少なくとも1つのインダクタンスを実装基板24に分けて形成すれば、インダクタンスの実装容積をチップ基板21と実装基板24とに分散することができ、フィルタ装置1の小型化を図ることが容易となる。従って、本発明では、並列腕共振子とグラウンド電位との間に接続される複数のインダクタンスのうち、少なくとも1つのインダクタンスがチップ基板21に、残りの少なくとも1つのインダクタンスが実装基板24に構成されておればよい。
 また、第2のインダクタンスL2は、配線抵抗が低い実装基板24に構成されていることが望ましい。この場合、複数の第1のインダクタンスL1のうち、少なくとも1つの第1のインダクタンスL1が実装基板24に形成されていてもよい。すなわち、複数の第1のインダクタンスL1は、少なくとも1つのインダクタンスL1が実装基板24に、残りの第1のインダクタンスL1がチップ基板21に形成されていてもよい。
 さらに、上記実施形態では、LTCCにより実装基板24が、HTCCによりチップ基板21が形成されていた。しかしながら、本発明においては、チップ基板21及び実装基板24の材料はこれらに限定されるものではない。両者は、同じ絶縁性材料により形成されていてもよい。もっとも、好ましくは、形成される配線導体の配線抵抗が相対的に低い絶縁性材料と、相対的に高い絶縁性材料とを用いて、上記のように実装基板24とチップ基板21とを構成することが望ましい。この場合、チップ基板21がLTCCで、実装基板24がHTCCで構成されていてもよい。その場合には、第2のインダクタンスをチップ基板21に、第1のインダクタンスが実装基板24に形成することが望ましい。
 なお、上記実施形態では、配線抵抗が低い導体としてCu、高融点であるが配線抵抗が高い導体としてWを例示した。しかしながら、本発明に用い得る配線導体の組み合わせは、上記の組み合わせに限定されるものではない。すなわち、相対的に配線抵抗が低い適宜の金属もしくは合金と、相対的に配線抵抗が高い適宜の金属もしくは合金により各配線導体を形成することができる。具体的には、W以外に、高融点であるPt,Pdなどの比較的配線抵抗が高い導体を用い得る。
 また、上記実施形態では、直列腕共振子S1~S4及び並列腕共振子P1~P4は、弾性表面波共振子により構成したが、弾性境界波共振子やバルク弾性波共振子により構成してもよい。
1…フィルタ装置
2…入力端子
3…出力端子
4~7…並列腕
8…共通接続点
11…デュプレクサ
12…アンテナ端子
13…受信フィルタ
14,15…第1,第2の受信端子
21…チップ基板
22…弾性波フィルタチップ
23…フィルタ部品
24…実装基板
25…外装樹脂層
L1,L2…第1,第2のインダクタンス
P1~P4…並列腕共振子
S1~S4…直列腕共振子

Claims (6)

  1.  実装基板と、前記実装基板上に実装されたフィルタ部品とを備え、
     前記フィルタ部品が、チップ基板と、
     前記チップ基板上に搭載された弾性波フィルタチップとを有し、
     前記弾性波フィルタチップが、入力端と出力端とを結ぶ直列腕に配置されており、かつ弾性波共振子からなる複数の直列腕共振子と、前記直列腕とグラウンド電位との間に接続される複数の並列腕とを有し、各並列腕に弾性波共振子からなる並列腕共振子が配置されている、ラダー型回路構成を有し、
     前記並列腕に配置された並列腕共振子のグラウンド電位側端部と、グラウンド電位との間に接続される複数のインダクタンスをさらに備え、該複数のインダクタンスのうち、少なくとも1つのインダクタンスが前記チップ基板に、残りの少なくとも1つのインダクタンスが前記実装基板に構成されている、フィルタ装置。
  2.  前記複数の並列腕共振子のグラウンド電位側端部とグラウンド電位との間に接続されている複数のインダクタンスが、1つの並列腕共振子のグラウンド電位側端部とグラウンド電位との間に接続される第1のインダクタンスと、複数の並列腕共振子のグラウンド電位側端部を共通接続してなる共通接続点とグラウンド電位との間に接続される第2のインダクタンスとを有する、請求項1に記載のフィルタ装置。
  3.  前記チップ基板が第1の配線導体を有し、前記実装基板が第2の配線導体を有し、第1の配線導体の配線抵抗に比べ、第2の配線導体の配線抵抗が低くなっており、前記第2のインダクタンスが前記第2の配線導体によって前記実装基板に構成されている、請求項2に記載のフィルタ装置。
  4.  前記第1のインダクタンスのうち、少なくとも一部のインダクタンスが前記チップ基板に構成されており、残りの第1のインダクタンスが前記実装基板に構成されている、請求項3に記載のフィルタ装置。
  5.  前記第1のインダクタンスが前記チップ基板に構成されている、請求項3に記載のフィルタ装置。
  6.  前記チップ基板が高温焼成セラミックスからなり、前記実装基板が前記高温焼成セラミックスよりも焼成温度が低い低温焼成セラミックスからなる、請求項1~5のいずれか1項に記載のフィルタ装置。
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