WO2022138827A1 - フィルタ装置 - Google Patents

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康政 谷口
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株式会社村田製作所
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Definitions

  • the present invention relates to a filter device including a ladder type circuit.
  • Patent Document 1 describes an example of a ladder type filter in which an elastic wave device is used for a series arm resonator and a parallel arm resonator.
  • this ladder type filter five series arm resonators are connected in series with each other between the two terminals.
  • An inductor is connected between the series arm resonators at both ends and both terminals.
  • the resonance frequencies of the series arm resonators at both ends are different from the resonance frequencies of the three series arm resonators other than the series arm resonators at both ends.
  • the pass band of the ladder type filter is expanded and the amount of attenuation outside the pass band is increased.
  • an inductor may be connected to the elastic wave resonator in order to increase the value of the specific band of the elastic wave resonator.
  • the value of the specific band can be increased.
  • the inductor becomes large and the filter device as a whole tends to be large.
  • An object of the present invention is to provide a filter device capable of widening the pass band and promoting miniaturization.
  • the filter device includes a plurality of resonators including at least one series arm resonator and at least one parallel arm resonator, and the plurality of resonators have the most specific band among the plurality of resonators. Further comprising an inductor comprising a first resonator having a large value and at least one second resonator other than the first resonator and connected in series to the first resonator.
  • the pass band can be widened and the size can be reduced.
  • FIG. 1 is a circuit diagram of a filter device according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a diagram showing a change in the specific band due to the inductor being connected to the second resonator.
  • FIG. 3 is a diagram showing a change in the specific band due to the inductor being connected to the first resonator.
  • FIG. 4 is a diagram showing the relationship between the inductance of the inductor and the change width of the resonance frequency when the inductor is connected to the resonator.
  • FIG. 5 is a plan view of the first resonator according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view taken along the line I-I in FIG. FIG.
  • FIG. 7 is a diagram showing the attenuation frequency characteristics of the first embodiment of the present invention and the comparative example.
  • FIG. 8 is a schematic front sectional view of the filter device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 9 is a schematic front sectional view of the filter device according to the first modification of the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 10 is a circuit diagram of a filter device according to a second modification of the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 11 is a front sectional view of the first resonator in the third modification of the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 12 is a front sectional view of the first resonator in the fourth modification of the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 13 is a plan view of the first resonator according to the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 14 is a plan view of the second resonator according to the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 15 is a plan view of the first IDT electrode in the modified example of the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 16 is a plan view of the second IDT electrode according to the third embodiment of the present invention.
  • FIG. 17 is a plan view of the second IDT electrode according to the fifth embodiment of the present invention.
  • FIG. 18 is a plan view of the second IDT electrode in the modified example of the fifth embodiment of the present invention.
  • FIG. 19 is a front sectional view of the first resonator and the second resonator according to the sixth embodiment of the present invention.
  • FIG. 1 is a circuit diagram of a filter device according to the first embodiment of the present invention.
  • the filter device 1 has a first signal terminal 9A and a second signal terminal 9B, and a plurality of resonators.
  • the plurality of resonators includes a plurality of series arm resonators and a plurality of parallel arm resonators.
  • the plurality of series arm resonators are the series arm resonator S1, the series arm resonator S2, the series arm resonator S3, the series arm resonator S4, and the series arm resonator S5.
  • the plurality of parallel arm resonators are the parallel arm resonator P1, the parallel arm resonator P2, the parallel arm resonator P3, and the parallel arm resonator P4.
  • the plurality of resonators are all elastic wave resonators. Specifically, the plurality of resonators are surface acoustic wave resonators. However, the plurality of resonators may also be bulk wave resonators.
  • the first signal terminal 9A is an antenna terminal. That is, the first signal terminal 9A is connected to the antenna.
  • the first signal terminal 9A and the second signal terminal 9B may be provided as an electrode pad or may be provided as wiring.
  • the series arm resonator S1, the series arm resonator S2, the series arm resonator S3, the series arm resonator S4, and the series arm resonator S5 are in series with each other between the first signal terminal 9A and the second signal terminal 9B. It is connected to the.
  • the parallel arm resonator P1 is connected between the connection point between the series arm resonator S1 and the series arm resonator S2 and the ground potential.
  • the parallel arm resonator P2 is connected between the connection point between the series arm resonator S2 and the series arm resonator S3 and the ground potential.
  • a parallel arm resonator P3 is connected between the connection point between the series arm resonator S3 and the series arm resonator S4 and the ground potential.
  • a parallel arm resonator P4 is connected between the connection point between the series arm resonator S4 and the series arm resonator S5 and the ground potential.
  • the plurality of resonators of the filter device 1 may include at least one series arm resonator and at least one parallel arm resonator.
  • the filter device 1 may include a ladder type circuit.
  • the filter device 1 may include, for example, a longitudinally coupled resonator type elastic wave filter.
  • the plurality of resonators include a first resonator and a plurality of second resonators.
  • the value of the specific band of the first resonator is the largest among the values of the specific band of the plurality of resonators.
  • the second resonator is all resonators other than the first resonator.
  • the first resonator is the parallel arm resonator P4.
  • the second resonator includes the series arm resonator S1, the series arm resonator S2, the series arm resonator S3, the series arm resonator S4 and the series arm resonator S5, and the parallel arm resonator P1, the parallel arm resonator P2 and the parallel.
  • the specific band of the first resonator is 5%.
  • the specific band of each second resonator is 3%.
  • the specific band of the first resonator and the second resonator is not limited to the above.
  • the filter device 1 has a first inductor and a second inductor.
  • the first inductor is an inductor connected in series with the first resonator.
  • the second inductor is an inductor connected to the second resonator.
  • the first inductor is the inductor L.
  • the second inductor is the inductor M.
  • the inductor L is connected between the parallel arm resonator P4, which is the first resonator, and the ground potential.
  • the inductor L is connected to the parallel arm resonator P4 without using another resonator.
  • the inductor M is connected between the parallel arm resonator P2 and the ground potential.
  • the inductor L is an inductor for increasing the value of the specific band of the parallel arm resonator P4. As a result, the pass band of the filter device 1 can be widened.
  • the inductor M is an inductor for impedance matching.
  • the feature of this embodiment is that the inductor L as the first inductor is connected in series to the parallel arm resonator P4 as the first resonator.
  • the value of the specific band of the first resonator is the largest among the values of the specific band of the plurality of resonators. Therefore, the inductance of the first inductor, which is required to increase the value of the specific band of the first resonator, can be reduced. Thereby, the first inductor can be made smaller. Therefore, the pass band of the filter device 1 can be widened, and the miniaturization can be effectively promoted. The details will be described below.
  • the resonance frequency becomes lower, but the antiresonance frequency does not change. As a result, the value of the specific band becomes large.
  • the inductance of the inductor required to lower the resonance frequency by 50 MHz is compared.
  • the specific band of the first resonator is set to 5%
  • the specific band of the second resonator is set to 3%.
  • the width for lowering the resonance frequency was changed in increments of 10 MHz in the range of 10 MHz or more and 100 MHz or less, and the same comparison as above was performed.
  • FIG. 2 is a diagram showing a change in the specific band due to the inductor being connected to the second resonator.
  • FIG. 3 is a diagram showing a change in the specific band due to the inductor being connected to the first resonator.
  • FIG. 4 is a diagram showing the relationship between the inductance of the inductor and the change width of the resonance frequency when the inductor is connected to the resonator.
  • the resonance frequency is 50 MHz lower in each of the first resonator and the second resonator.
  • the inductance of the inductor connected to the second resonator is 1.67 nH.
  • the inductance of the inductor connected to the first resonator is 1.18 nH.
  • the inductance of the inductor connected to the first resonator is smaller than the inductance of the inductor connected to the second resonator. .. In this way, in the first resonator, the value of the specific band can be efficiently increased. Table 1 shows the results shown in FIG.
  • the inductance of the inductor required to increase the value of the specific band is smaller than the inductance of the inductor required to increase the value of the specific band in the second resonator. You can see that. Therefore, when the pass band of the filter device is widened, the inductor connected to the first resonator can be made smaller.
  • the inductance of the inductor M as the second inductor is smaller than the inductance of the inductor L as the first inductor. Therefore, the miniaturization of the filter device 1 can be promoted more reliably.
  • the inductor L is connected between the parallel arm resonator P4 and the ground potential. Thereby, impedance matching can be facilitated.
  • the inductor L may be connected between the connection point between the series arm resonator S4 and the series arm resonator S5 and the parallel arm resonator P4. That is, the first inductor may be connected between the connection point between the second resonators connected to the first resonator and the first resonator.
  • the filter device has a plurality of first resonators, it is preferable that the first inductor is connected in series with any one of the first resonators.
  • FIG. 5 is a plan view of the first resonator in the first embodiment.
  • the parallel arm resonator P4 as the first resonator has a piezoelectric substrate 2.
  • An IDT electrode 3 is provided on the piezoelectric substrate 2.
  • Surface acoustic waves are excited by applying an AC voltage to the IDT electrode 3.
  • a pair of reflectors 8A and 8B are provided on both sides of the IDT electrode 3 in the elastic wave propagation direction on the piezoelectric substrate 2.
  • the IDT electrode 3 has a first bus bar 16 and a second bus bar 17, and a plurality of first electrode fingers 18 and a plurality of second electrode fingers 19.
  • the first bus bar 16 and the second bus bar 17 face each other.
  • One end of each of the plurality of first electrode fingers 18 is connected to the first bus bar 16.
  • One end of each of the plurality of second electrode fingers 19 is connected to the second bus bar 17.
  • the plurality of first electrode fingers 18 and the plurality of second electrode fingers 19 are interleaved with each other.
  • the IDT electrode 3, the reflector 8A and the reflector 8B may be made of a single-layer metal film or may be made of a laminated metal film.
  • the first electrode finger 18 and the second electrode finger 19 may be collectively referred to as an electrode finger.
  • a dielectric film may be provided on the piezoelectric substrate 2 so as to cover the IDT electrode 3. As a result, the IDT electrode 3 is less likely to be damaged.
  • the material of the dielectric film for example, silicon oxide, silicon nitride, silicon oxynitride, or the like can be used.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view taken along the line I-I in FIG.
  • the piezoelectric substrate 2 of the present embodiment has a high sound velocity support substrate 5 as a high sound velocity material layer, a low sound velocity film 6, and a piezoelectric layer 7. More specifically, the low sound velocity film 6 is provided on the high sound velocity support substrate 5.
  • the piezoelectric layer 7 is provided on the bass velocity film 6.
  • the piezoelectric layer 7 has a main surface 7a.
  • An IDT electrode 3, a reflector 8A, and a reflector 8B are provided on the main surface 7a of the piezoelectric layer 7.
  • the material of the piezoelectric layer 7 for example, lithium tantalate, lithium niobate, zinc oxide, aluminum nitride, quartz, PZT (lead zirconate titanate) or the like can be used.
  • the high sound velocity material layer is a relatively high sound velocity layer. More specifically, the sound velocity of the bulk wave propagating in the high sound velocity material layer is higher than the sound velocity of the elastic wave propagating in the piezoelectric layer 7.
  • the high sound velocity material layer is the high sound velocity support substrate 5.
  • the material of the high-pitched material layer include silicon, aluminum oxide, silicon carbide, silicon nitride, silicon oxynitride, sapphire, lithium tantalate, lithium niobate, crystal, alumina, zirconia, cordierite, mulite, steatite, and the like.
  • the low sound velocity film 6 is a relatively low sound velocity film. More specifically, the sound velocity of the bulk wave propagating in the bass velocity film 6 is lower than the sound velocity of the bulk wave propagating in the piezoelectric layer 7.
  • the material of the bass velocity film 6 for example, a material containing glass, silicon oxide, silicon nitride, lithium oxide, tantalum pentoxide, or a compound obtained by adding fluorine, carbon or boron to silicon oxide is used as a main component. Can be done.
  • the high sound velocity support substrate 5, the low sound velocity film 6 and the piezoelectric layer 7 as the high sound velocity material layer are laminated in this order. Thereby, the energy of the elastic wave can be effectively confined on the piezoelectric layer 7 side.
  • the configuration of the piezoelectric substrate 2 is not limited to the above.
  • resonators also have an IDT electrode and a pair of reflectors, similar to the parallel arm resonator P4. In the filter device 1, all the resonators share the piezoelectric substrate 2. However, at least one resonator may have a piezoelectric substrate different from that of the other resonators.
  • the pass band of the filter device 1 can be widened.
  • the comparative example is different from the first embodiment in that it does not have the inductor L.
  • the configurations of the piezoelectric substrate 2 and the IDT electrode 3 in the filter device 1, and the inductances of the inductor L and the inductor M are as follows. Each parameter in the comparative example is the same as the following parameters except for the inductor L.
  • High sound velocity support substrate 5 Material: Si, Thickness: 125 ⁇ m Low sound velocity film 6; Material: SiO 2 , Thickness: 670 nm Piezoelectric layer 7; Material: LiTaO 3 , Thickness: 600 nm IDT electrode 3; Laminated structure: Ti layer / AlCu layer from the piezoelectric layer 7 side, thickness: 12 nm / 162 nm from the piezoelectric layer 7 side Inductor L; Inductance ... 3nH Inductor M; Inductance ... 0.3nH
  • FIG. 7 is a diagram showing the attenuation frequency characteristics of the first embodiment and the comparative example.
  • the pass band of the first embodiment is wider than the pass band of the comparative example.
  • the band W shown in FIG. 7 indicates the pass band of Band 41.
  • the pass band of Band 41 is 2494 MHz to 2690 MHz.
  • the insertion loss is large in the vicinity of 2494 MHz.
  • the inductor L is connected to the parallel arm resonator P4.
  • the filter device 1 can be applied to a wide band such as Band 41.
  • the inductor L for widening the pass band can be miniaturized, and the filter device 1 can be miniaturized.
  • FIG. 8 is a schematic front sectional view of the filter device according to the first embodiment.
  • the electrodes constituting the resonator are shown by a schematic diagram in which two diagonal lines are added to a rectangle.
  • the filter device 1 has a mounting board 10. A plurality of resonators of the filter device 1 are arranged on the mounting substrate 10.
  • the inductor L is provided between the electrode constituting the parallel arm resonator P4 which is the first resonator and the mounting substrate 10.
  • a plurality of IDT electrodes of a plurality of resonators are provided on the main surface 7a of the piezoelectric layer 7. Further, the main surface 7a is provided with a plurality of terminals.
  • the plurality of terminals include a plurality of ground terminals 9C, the first signal terminal 9A, and the second signal terminal 9B.
  • a support member 11 is provided on the main surface 7a.
  • the support member 11 is provided so as to cover at least a part of the plurality of terminals.
  • the support member 11 has an opening 11a.
  • the opening 11a surrounds a plurality of IDT electrodes of the plurality of resonators.
  • a cover member 12 is provided so as to sandwich the support member 11 together with the piezoelectric layer 7.
  • the cover member 12 covers the opening 11a of the support member 11.
  • a hollow space surrounded by the piezoelectric substrate 2, the support member 11, and the cover member 12 is provided.
  • the plurality of IDT electrodes are arranged in the hollow space.
  • the inductor L is composed of wiring. More specifically, the inductor L has a wiring electrode La, a wiring electrode Lb, and a via electrode Lc. The wiring electrode La and the wiring electrode Lb are connected to the via electrode Lc. As a result, the inductor L is configured.
  • the second inductor is also configured in the same manner as the inductor L.
  • the shape of the wiring of each inductor is not particularly limited.
  • the number of wiring electrodes and via electrodes of each inductor is also not particularly limited.
  • a plurality of first through electrodes are provided so as to penetrate the support member 11.
  • the plurality of first through electrodes include a first through electrode 13A and a first through electrode 13B.
  • One end of the first through electrode 13A is connected to the ground terminal 9C.
  • the other end of the first through electrode 13A is connected to the wiring electrode La.
  • the cover member 12 is provided with a plurality of first connection terminals 14A.
  • the wiring electrode Lb is connected to the first connection terminal 14A. In this way, the first through electrode 13A is connected to the first connection terminal 14A via the inductor L.
  • the first through electrode 13B penetrates the cover member 12. One end of the first through electrode 13B is connected to the ground terminal 9C. The other end of the first through electrode 13B is connected to the first connection terminal 14A.
  • a plurality of second connection terminals 14B are provided on one main surface of the mounting board 10.
  • a plurality of third connection terminals 14C are provided on the other main surface of the mounting board 10.
  • a plurality of second through electrodes 13C are provided so as to penetrate the mounting substrate 10. One end of the second through electrode 13C is connected to the second connection terminal 14B. The other end of the second through electrode 13C is connected to the third connection terminal 14C.
  • a bump 15 is provided so as to connect the second connection terminal 14B of the mounting board 10 and the first connection terminal 14A on the plurality of resonators.
  • the parallel arm resonator P4 includes a ground terminal 9C, a first through electrode 13A, an inductor L, a first connection terminal 14A, a bump 15, a second connection terminal 14B, a second through electrode 13C, and a third connection terminal. It is connected to the ground potential via 14C.
  • the parallel arm resonator P3 has a ground terminal 9C, a first through electrode 13B, a first connection terminal 14A, a bump 15, a second connection terminal 14B, and a second penetration.
  • the plurality of resonators of the filter device 1 have a WLP (Wafer Level Package) structure.
  • WLP Wafer Level Package
  • the plurality of resonators are not limited to the WLP structure.
  • the present invention is suitable when the inductor L is composed of wiring.
  • the inductor L may be provided in a portion other than the cover member 12.
  • the inductor L is provided in the mounting substrate 10.
  • the inductor L is connected to the second connection terminal 14B by the via electrode 23A.
  • the inductor L is connected to the third connection terminal 14C by the via electrode 23B.
  • the inductor L is not limited to the inside of the cover member 12 or the mounting board 10, but may be provided on the surface of the cover member 12 or the mounting board 10. Alternatively, the inductor L may be provided on the piezoelectric substrate 2.
  • the first resonator is a parallel arm resonator.
  • the first resonator may be a series arm resonator.
  • the value of the specific band of the series arm resonator S23 is the largest among the plurality of resonators. That is, the series arm resonator S23 is the first resonator, and the other resonators including the parallel arm resonator P24 are a plurality of second resonators.
  • An inductor L as a first inductor is connected between the connection point of the series arm resonator S2 and the parallel arm resonator P2 and the series arm resonator S23.
  • the inductor L is connected in series with the series arm resonator S2.
  • the inductor L may be connected between the connection point of the series arm resonator S4 and the parallel arm resonator P3 and the series arm resonator S23.
  • the size of the filter device can be reduced as in the first embodiment.
  • the first resonator is a parallel arm resonator and the first inductor is connected in series with the parallel arm resonator. As a result, deterioration of the insertion loss of the filter device is unlikely to occur.
  • the piezoelectric layer 7 is indirectly provided on the high sound velocity support substrate 5 as the high sound velocity material layer via the low sound velocity film 6.
  • the configuration of the piezoelectric substrate 2 is not limited to the above.
  • a third modification and a fourth modification of the first embodiment in which only the configuration of the piezoelectric substrate is different from the first embodiment, will be shown.
  • the size of the filter device can be reduced as in the first embodiment.
  • the energy of the elastic wave can be effectively confined to the piezoelectric layer side.
  • the piezoelectric substrate 22A has a high sound velocity support substrate 5 and a piezoelectric layer 7.
  • the piezoelectric layer 7 is directly provided on the high sound velocity support substrate 5 as the high sound velocity material layer.
  • the piezoelectric substrate 22B has a support substrate 24, a high sound velocity film 25 as a high sound velocity material layer, a low sound velocity film 6, and a piezoelectric layer 7. More specifically, the high sound velocity film 25 is provided on the support substrate 24. The low sound velocity film 6 is provided on the high sound velocity film 25. The piezoelectric layer 7 is provided on the bass velocity film 6.
  • Examples of the material of the support substrate 24 include piezoelectric materials such as aluminum oxide, lithium tantalate, lithium niobate, and crystals, alumina, sapphire, magnesia, silicon nitride, aluminum nitride, silicon carbide, zirconia, cordierite, mulite, and steer.
  • Various ceramics such as tight and forsterite, dielectrics such as diamond and glass, semiconductors or resins such as silicon and gallium nitride can be used.
  • the piezoelectric substrate may be a laminate of a support substrate 24, a high sound velocity film 25, and a piezoelectric layer 7.
  • the piezoelectric substrate may be a piezoelectric substrate composed of only a piezoelectric layer.
  • the piezoelectric layer 7 is supported by another layer including the portion where the IDT electrode 3 is provided.
  • the piezoelectric layer 7 does not have to be supported by another layer in a portion overlapping with at least a part of the IDT electrode 3 in a plan view.
  • a cavity portion may be provided in a portion of the layer other than the piezoelectric layer 7 that overlaps with at least a part of the IDT electrode 3 in a plan view.
  • the cavity may be open on the piezoelectric layer 7 side.
  • the cavity may be provided in only one layer or may be provided over a plurality of layers.
  • the cavity may be a recess or a through hole. When such a cavity is provided, it is preferable to use a plate wave as the resonator.
  • the IDT electrode of the first resonator is used as the first IDT electrode
  • the IDT electrode of the second resonator is used as the second IDT electrode.
  • the second to fifth embodiments are shown in which only the configuration of the first IDT electrode or the second IDT electrode is different from the first embodiment.
  • the inductor L is connected to the first resonator as in the first embodiment. Therefore, the pass band of the filter device can be widened, and the size of the filter device can be reduced.
  • FIG. 13 is a plan view of the first resonator in the second embodiment.
  • FIG. 14 is a plan view of the second resonator in the second embodiment.
  • the configuration of the first IDT electrode 33A of the first resonator is different from that of the first embodiment.
  • the first resonator is a surface acoustic wave resonator that utilizes a piston mode.
  • the configuration of the second IDT electrode 33B of the second resonator is also different from that of the first embodiment.
  • the second IDT electrode 33B is a tilted IDT electrode.
  • the region where the first electrode finger 18 and the second electrode finger 19 adjacent to each other overlap each other when viewed from the elastic wave propagation direction is the crossover region A.
  • the crossover region A has a central region C and a first edge region E1 and a second edge region E2.
  • the direction in which the plurality of first electrode fingers 18 and the plurality of second electrode fingers 19 extend is defined as the electrode finger extension direction.
  • the electrode finger extension direction and the elastic wave propagation direction are orthogonal to each other.
  • the central region C is a region located on the central side in the electrode finger extension direction in the crossover region A.
  • the first edge region E1 and the second edge region E2 are arranged so as to sandwich the central region C in the electrode finger extension direction.
  • the first edge region E1 is located on the first bus bar 16 side.
  • the second edge region E2 is located on the second bus bar 17 side.
  • the first IDT electrode 33A has a first gap region G1 and a second gap region G2.
  • the first gap region G1 is located between the first edge region E1 and the first bus bar 16.
  • the second gap region G2 is located between the second edge region E2 and the second bus bar 17.
  • the speed of sound in the first edge region E1 and the second edge region E2 is lower than the speed of sound in the central region C.
  • the speed of sound in the first gap region G1 and the second gap region G2 is higher than the speed of sound in the central region C.
  • the mass addition film is placed on the plurality of first electrode fingers 18 and on the plurality of second electrode fingers 19. 35A is provided.
  • the mass addition film 35B is provided on the plurality of first electrode fingers 18 and on the second electrode fingers 19.
  • the mass addition film 35A and the mass addition film 35B are made of an appropriate dielectric material.
  • the mass-adding film 35A and the mass-adding film 35B have a band-like shape.
  • the mass addition film 35A is provided on the plurality of first electrode fingers 18 and the plurality of second electrode fingers 19 as well as over the portions located between the electrode fingers on the piezoelectric substrate 2.
  • the speed of sound in the first edge region E1 and the second edge region E2 is low.
  • the piezoelectric substrate 2 and the plurality of electrode fingers and the mass addition film 35A are laminated in this order.
  • the mass addition film 35A may be provided between the piezoelectric substrate 2 and the plurality of first electrode fingers 18 and the plurality of second electrode fingers 19. That is, in the portion where the plurality of electrode fingers and the mass addition film 35A are laminated, the piezoelectric substrate 2, the mass addition film 35A, and the plurality of electrode fingers may be laminated in this order. The same applies to the mass addition film 35B.
  • the mass addition film 35A and the mass addition film 35B do not have to be provided over a plurality of electrode fingers.
  • the plurality of mass-adding films 35A and the plurality of mass-adding films 35B may be laminated with each of the first electrode fingers 18 and each of the second electrode fingers 19.
  • the plurality of mass addition films 35A and the plurality of mass addition films 35B may be made of a metal or a dielectric material.
  • the mass addition film 35A or the mass addition film 35B has at least one of the plurality of first electrode fingers 18 and the plurality of second electrode fingers 19 in at least one of the first edge region E1 and the second edge region E2. It suffices if it is laminated with one electrode finger. However, it is preferable that the mass addition film 35A and the mass addition film 35B are laminated with a plurality of electrode fingers in both the first edge region E1 and the second edge region E2.
  • first gap region G1 only a plurality of first electrode fingers 18 out of a plurality of first electrode fingers 18 and a plurality of second electrode fingers 19 are provided. Therefore, the speed of sound in the first gap region G1 is high.
  • second gap region G2 only the plurality of second electrode fingers 19 out of the plurality of first electrode fingers 18 and the plurality of second electrode fingers 19 are provided. Therefore, the speed of sound in the second gap region G2 is high.
  • the ratio of the specific band to the capacitance can be increased in the first resonator. Therefore, the value of the specific band can be further increased without increasing the size of the first resonator. Then, the inductance of the first inductor for further increasing the value of the specific band of the first resonator can be further reduced. Therefore, the pass band of the filter device can be widened, and the size of the filter device can be further reduced.
  • the second IDT electrode 33B is a tilted IDT electrode. More specifically, when the virtual line formed by connecting the tips of the plurality of first electrode fingers 18 is the first envelope B1, the first envelope B1 is relative to the elastic wave propagation direction. Is tilted. Similarly, when the virtual line formed by connecting the tips of the plurality of second electrode fingers 19 is the second envelope B2, the second envelope B2 is inclined with respect to the elastic wave propagation direction. is doing. This makes it possible to suppress spurious caused by the transverse mode.
  • the first bus bar 36 and the second bus bar 37 are inclined and extended with respect to the elastic wave propagation direction. However, it is not limited to this.
  • FIG. 15 is a plan view of the first IDT electrode in the modified example of the second embodiment.
  • the first resonator uses the piston mode as in the second embodiment. More specifically, the plurality of first electrode fingers 48 of the first IDT electrode 43A have a wide portion 48a located in the first edge region E1. Further, the plurality of first electrode fingers 48 have a wide portion 48b located in the second edge region E2. The width of the wide portion 48a and the wide portion 48b of the first electrode finger 48 is wider than the width of the first electrode finger 48 in the central region C. The width of the electrode finger is a dimension along the elastic wave propagation direction of the electrode finger. Similarly, the plurality of second electrode fingers 49 have a wide portion 49a in the first edge region E1. The plurality of second electrode fingers 49 have a wide portion 49b in the second edge region E2.
  • the speed of sound in the first edge region E1 and the second edge region E2 can be lowered.
  • at least one of the plurality of first electrode fingers 48 and the plurality of second electrode fingers 49 is located in at least one of the first edge region E1 and the second edge region E2. It suffices to have a wide portion.
  • the ratio of the specific band to the capacitance can be increased in the first resonator using the first IDT electrode 43A.
  • the ratio of the resonator using the first IDT electrode 33A shown in FIG. 13 is larger than the ratio of the resonator using the first IDT electrode 43A of this modification. Therefore, it is preferable to use the first IDT electrode 33A as the first resonator.
  • FIG. 16 is a plan view of the second IDT electrode in the third embodiment.
  • This embodiment is different from the second embodiment in that the crossover region A of the second IDT electrode 53B is weighted. Except for the above points, the filter device of the present embodiment has the same configuration as the filter device of the second embodiment.
  • the first resonator of this embodiment has a first IDT electrode 33A shown in FIG.
  • the second IDT electrode 53B has a plurality of first dummy electrode fingers 58 and a plurality of second dummy electrode fingers 59.
  • One end of each of the plurality of first dummy electrode fingers 58 is connected to the first bus bar 56.
  • the other ends of the plurality of first dummy electrode fingers 58 each face the plurality of second electrode fingers 19.
  • One end of each of the plurality of second dummy electrode fingers 59 is connected to the second bus bar 57.
  • the other ends of the plurality of second dummy electrode fingers 59 each face the plurality of first electrode fingers 18.
  • the dimension along the electrode finger extension direction of the crossover region A is defined as the crossover width D.
  • the crossover width D changes in the elastic wave propagation direction. More specifically, the crossover width D becomes narrower from the center to the outside in the elastic wave propagation direction of the second IDT electrode 53B.
  • the crossover region A has a substantially rhombic shape in a plan view.
  • the shape of the crossover region A in a plan view is not limited to the above.
  • the edge portion of the crossover region A in the electrode finger extension direction may include a curved shape.
  • the crossover width D may change periodically in the elastic wave propagation direction. More specifically, it may have a plurality of portions in which the crossover width D becomes wider and a plurality of portions in which the crossover width D becomes narrower from one side to the other in the elastic wave propagation direction. ..
  • the crossover region A of the second IDT electrode 53B may have a portion where the crossover width D changes in the elastic wave propagation direction.
  • the second IDT electrode 53B may have a portion where the crossover width is constant in the elastic wave propagation direction.
  • the first bus bar 56 and the second bus bar 57 have a portion that extends at an angle with respect to the elastic wave propagation direction.
  • the first bus bar 56 has a bent portion 56a.
  • the second bus bar 57 has a bent portion 57a.
  • the shapes of the first bus bar 56 and the second bus bar 57 are not limited to the above.
  • the first bus bar 56 and the second bus bar 57 may have a linear shape extending in parallel with the elastic wave propagation direction.
  • the lengths of the plurality of first electrode fingers 18, the plurality of second electrode fingers 19, the plurality of first dummy electrode fingers 58, and the plurality of second dummy electrode fingers 59 are elastic wave propagation. It is sufficient that the crossover width D changes in the direction due to the change in the direction.
  • the length of the electrode finger is a dimension along the electrode finger extension direction of the electrode finger.
  • the first resonator has the same first IDT electrode 33A as in the second embodiment.
  • the ratio of the specific band to the capacitance in the resonator using the first IDT electrode 33A is larger than the ratio of the specific band to the capacitance in the resonator using the second IDT electrode 53B. Therefore, similarly to the second embodiment, the first inductor for widening the pass band of the filter device can be miniaturized, and the miniaturization of the filter device can be promoted.
  • the fourth embodiment is different from the second embodiment in that the second IDT electrode has the same configuration as the first IDT electrode 43A shown in FIG. Except for the above points, the filter device of the present embodiment has the same configuration as the filter device of the second embodiment.
  • the first resonator of this embodiment has a first IDT electrode 33A shown in FIG. In this embodiment, both the first resonator and the second resonator utilize the piston mode.
  • the ratio of the specific band to the capacitance in the resonator using the first IDT electrode 33A is larger than the ratio of the specific band to the capacitance in the resonator using the first IDT electrode 43A. Therefore, similarly to the second embodiment, the first inductor for widening the pass band of the filter device can be miniaturized, and the miniaturization of the filter device can be promoted.
  • FIG. 17 is a plan view of the second IDT electrode in the fifth embodiment.
  • the configuration of the second IDT electrode 63B is different from that of the first embodiment. Except for the above points, the filter device of the present embodiment has the same configuration as the filter device 1 of the first embodiment.
  • the crossover region has a first portion A1 and a second portion A2.
  • the first electrode finger 18 and the second electrode finger 19 are alternately arranged. That is, in the first portion A1, one end of each of the adjacent electrode fingers is connected to different bus bars.
  • the electrode finger pitch is constant in the first portion A1.
  • the electrode finger pitch is the distance between the centers of adjacent electrode fingers.
  • the first IDT electrode and the second IDT electrode in each of the above embodiments are composed of only the first portion A1.
  • the distance between the centers of the electrode fingers at both ends of the three continuous electrode fingers is 1 ⁇ .
  • the distance between the centers of the first electrode fingers 18 in the portions arranged in the order of the first electrode finger 18, the second electrode finger 19, and the first electrode finger 18 is 1 ⁇ .
  • the three consecutive electrode fingers are arranged in the order of the first electrode finger 18, the second electrode finger 19, and the second electrode finger 19.
  • all three consecutive electrode fingers are the second electrode fingers 19.
  • three or more first electrode fingers 18 and three or more second electrode fingers 19 are not alternately arranged within the range of the distance 1 ⁇ along the elastic wave propagation direction. That is, within the above range, the number of adjacent electrode fingers having one ends connected to different bus bars is continuously arranged to be two or less.
  • the second portion A2 in the second portion A2, three second electrode fingers 19 are arranged consecutively in the elastic wave propagation direction. However, in the second portion A2, it is sufficient that one ends of two or more electrode fingers continuous in the elastic wave propagation direction are connected to the same bus bar.
  • the second portion A2 may be periodically arranged.
  • the first resonator has an IDT electrode 3 as the first IDT electrode shown in FIG.
  • IDT electrode 3 As the first IDT electrode shown in FIG.
  • one end of each of the adjacent electrode fingers is connected to a different bus bar.
  • the ratio of the specific band to the capacitance in the resonator using the first IDT electrode 3A is larger than the ratio of the specific band to the capacitance in the resonator using the second IDT electrode 63B. Therefore, similarly to the first embodiment, the first inductor for widening the pass band of the filter device can be miniaturized, and the miniaturization of the filter device can be promoted. As described above, when both the IDT electrode having the configuration shown in FIG. 5 and the IDT electrode having the configuration shown in FIG. 17 are provided, it is preferable to adopt the configuration shown in FIG. 5 for the first IDT electrode.
  • the electrode fingers connected to the same bus bar do not have to be continuously arranged.
  • the width of the second electrode finger 69 in the second portion A2 is wider than the width of the second electrode finger 19 in the first portion A1.
  • the second electrode finger 69 is the two second electrode fingers 19 when the two second electrode fingers 19 are continuously arranged in the fifth embodiment.
  • the portion where the one second electrode finger 69 and the one first electrode finger 18 are arranged corresponds to the portion where the three electrode fingers are arranged in the first portion A1.
  • the second portion A2 only one first electrode finger 18 and one second electrode finger 69 are arranged within the range of the distance 1 ⁇ along the elastic wave propagation direction. It becomes. Therefore, within the above range, the number of adjacent electrode fingers having one ends connected to different bus bars is continuously arranged to be two or less.
  • the second electrode finger 69 corresponds to the electrode finger in which the two second electrode fingers 19 are integrated. Therefore, the width of the second electrode finger 69 in the second portion A2 corresponds to twice the width of the second electrode finger 19 in the first portion A1 plus the width of the portion between the electrode fingers. do. Therefore, the width of the second electrode finger 69 in the second portion A2 is wider than twice the width of the second electrode finger 19 in the first portion A1.
  • the second electrode finger 69 may correspond to an electrode finger in which three or more consecutive second electrode fingers 19 are integrated. In this modification as well, the size of the filter device can be reduced as in the fifth embodiment.
  • FIG. 19 is a front sectional view of the first resonator and the second resonator in the sixth embodiment.
  • FIG. 19 shows a parallel arm resonator P74 as a first resonator and a parallel arm resonator P73 as a second resonator. Except for the above points, the filter device of the present embodiment has the same configuration as the filter device 1 of the first embodiment.
  • the IDT electrode of the first resonator is the first IDT electrode 3A
  • the IDT electrode of the second resonator is the second IDT electrode 3B.
  • the dielectric film 78A is provided between the piezoelectric substrate 2 and the first IDT electrode 3A.
  • the dielectric film 78B is provided between the piezoelectric substrate 2 and the second IDT electrode 3B.
  • the thickness of the dielectric film 78A is thinner than the thickness of the dielectric film 78B. In this case, the value of the specific band of the first resonator can be increased. Therefore, similarly to each of the above-described embodiments, the pass band of the filter device can be more reliably widened, and the miniaturization of the filter device can be promoted more reliably.
  • the dielectric film 78A and the dielectric film 78B are provided integrally, and the thicknesses are different from each other.
  • the dielectric film 78A and the dielectric film 78B may be provided as separate bodies.

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Abstract

通過帯域を広くすることができ、しかも小型化を進めることができる、フィルタ装置を提供する。　本発明のフィルタ装置１は、少なくとも１つの直列腕共振子及び少なくとも１つの並列腕共振子を含む複数の共振子を備える。複数の共振子が、複数の共振子のうち最も比帯域の値が大きい第１の共振子としての並列腕共振子Ｐ４と、第１の共振子以外の少なくとも１つの第２の共振子とを含む。フィルタ装置１は、並列腕共振子Ｐ４（第１の共振子）に直列に接続されているインダクタＬをさらに備える。

Description

フィルタ装置
　本発明は、ラダー型回路を含むフィルタ装置に関する。
　従来、弾性波装置が携帯電話機のフィルタなどに広く用いられている。下記の特許文献１には、直列腕共振子及び並列腕共振子に弾性波装置が用いられたラダー型フィルタの一例が記載されている。このラダー型フィルタにおいては、２つの端子の間に、５つの直列腕共振子が互いに直列に接続されている。両端の直列腕共振子と、双方の端子との間に、それぞれインダクタが接続されている。両端の直列腕共振子の各共振周波数と、上記両端の直列腕共振子以外の３つの直列腕共振子の共振周波数とが異ならされている。これにより、ラダー型フィルタの通過帯域の拡大、及び通過帯域外における減衰量を大きくすることが図られている。
特開２０１９－０６８２９５号公報
　ラダー型フィルタでは、比帯域の値が小さい弾性波共振子は、通過帯域の端部における急峻性を高めるために用いられることがあった。他方、比帯域の値が大きい弾性波共振子は、通過帯域の拡大のために用いられることがあった。高い急峻性及び広い通過帯域を実現するためには、比帯域の値が小さい弾性波共振子、及び比帯域の値が大きい弾性波共振子の双方を要する。
　ここで、弾性波共振子の比帯域の値を大きくするために、弾性波共振子にインダクタが接続されることがある。インダクタのインダクタンスを高くすることにより、比帯域の値を大きくし得る。しかしながら、インダクタのインダクタンスを高くすると、インダクタが大型になり、フィルタ装置全体としても大型になりがちであった。
　本発明の目的は、通過帯域を広くすることができ、しかも小型化を進めることができる、フィルタ装置を提供することにある。
　本発明に係るフィルタ装置は、少なくとも１つの直列腕共振子及び少なくとも１つの並列腕共振子を含む複数の共振子を備え、前記複数の共振子が、前記複数の共振子のうち最も比帯域の値が大きい第１の共振子と、前記第１の共振子以外の少なくとも１つの第２の共振子とを含み、前記第１の共振子に直列に接続されているインダクタをさらに備える。
　本発明に係るフィルタ装置によれば、通過帯域を広くすることができ、しかも小型化を進めることができる。
図１は、本発明の第１の実施形態に係るフィルタ装置の回路図である。 図２は、第２の共振子にインダクタが接続されたことによる比帯域の変化を示す図である。 図３は、第１の共振子にインダクタが接続されたことによる比帯域の変化を示す図である。 図４は、共振子にインダクタが接続された場合における、インダクタのインダクタンスと、共振周波数の変化幅との関係を示す図である。 図５は、本発明の第１の実施形態における第１の共振子の平面図である。 図６は、図５中のＩ－Ｉ線に沿う断面図である。 図７は、本発明の第１の実施形態及び比較例の減衰量周波数特性を示す図である。 図８は、本発明の第１の実施形態に係るフィルタ装置の略図的正面断面図である。 図９は、本発明の第１の実施形態の第１の変形例に係るフィルタ装置の略図的正面断面図である。 図１０は、本発明の第１の実施形態の第２の変形例に係るフィルタ装置の回路図である。 図１１は、本発明の第１の実施形態の第３の変形例における第１の共振子の正面断面図である。 図１２は、本発明の第１の実施形態の第４の変形例における第１の共振子の正面断面図である。 図１３は、本発明の第２の実施形態における第１の共振子の平面図である。 図１４は、本発明の第２の実施形態における第２の共振子の平面図である。 図１５は、本発明の第２の実施形態の変形例における第１のＩＤＴ電極の平面図である。 図１６は、本発明の第３の実施形態における第２のＩＤＴ電極の平面図である。 図１７は、本発明の第５の実施形態における第２のＩＤＴ電極の平面図である。 図１８は、本発明の第５の実施形態の変形例における第２のＩＤＴ電極の平面図である。 図１９は、本発明の第６の実施形態における第１の共振子及び第２の共振子の正面断面図である。
　以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
　なお、本明細書に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることを指摘しておく。
　図１は、本発明の第１の実施形態に係るフィルタ装置の回路図である。
　フィルタ装置１は、第１の信号端子９Ａ及び第２の信号端子９Ｂと、複数の共振子とを有する。具体的には、複数の共振子は、複数の直列腕共振子と、複数の並列腕共振子とを含む。複数の直列腕共振子は、直列腕共振子Ｓ１、直列腕共振子Ｓ２、直列腕共振子Ｓ３、直列腕共振子Ｓ４及び直列腕共振子Ｓ５である。複数の並列腕共振子は、並列腕共振子Ｐ１、並列腕共振子Ｐ２、並列腕共振子Ｐ３及び並列腕共振子Ｐ４である。本実施形態においては、複数の共振子はいずれも弾性波共振子である。具体的には、複数の共振子は弾性表面波共振子である。もっとも、複数の共振子はバルク波共振子もあってもよい。
　本実施形態においては、第１の信号端子９Ａはアンテナ端子である。すなわち、第１の信号端子９Ａはアンテナに接続される。第１の信号端子９Ａ及び第２の信号端子９Ｂは、電極パッドとして設けられていてもよく、あるいは配線として設けられていてもよい。
　直列腕共振子Ｓ１、直列腕共振子Ｓ２、直列腕共振子Ｓ３、直列腕共振子Ｓ４及び直列腕共振子Ｓ５は、第１の信号端子９Ａと第２の信号端子９Ｂとの間に互いに直列に接続されている。直列腕共振子Ｓ１及び直列腕共振子Ｓ２の間の接続点とグラウンド電位との間に、並列腕共振子Ｐ１が接続されている。直列腕共振子Ｓ２及び直列腕共振子Ｓ３の間の接続点とグラウンド電位との間に、並列腕共振子Ｐ２が接続されている。直列腕共振子Ｓ３及び直列腕共振子Ｓ４の間の接続点とグラウンド電位との間に、並列腕共振子Ｐ３が接続されている。直列腕共振子Ｓ４及び直列腕共振子Ｓ５の間の接続点とグラウンド電位との間に、並列腕共振子Ｐ４が接続されている。なお、フィルタ装置１の複数の共振子は、少なくとも１つの直列腕共振子と、少なくとも１つの並列腕共振子とを含んでいればよい。フィルタ装置１はラダー型回路を含んでいればよい。フィルタ装置１は、例えば、縦結合共振子型弾性波フィルタを含んでいてもよい。
　ここで、複数の共振子は、第１の共振子と、複数の第２の共振子とを含む。第１の共振子の比帯域の値は、複数の共振子の比帯域の値のうち最も大きい。第２の共振子は、第１の共振子以外の全ての共振子である。本実施形態では、第１の共振子は並列腕共振子Ｐ４である。第２の共振子は、直列腕共振子Ｓ１、直列腕共振子Ｓ２、直列腕共振子Ｓ３、直列腕共振子Ｓ４及び直列腕共振子Ｓ５、並びに並列腕共振Ｐ１、並列腕共振子Ｐ２及び並列腕共振子Ｐ３である。なお、本明細書において比帯域は、個々の共振子の比帯域をいう。すなわち、比帯域をΔｆ、共振周波数をｆｒ、反共振周波数をｆａとしたときに、Δｆ＝（｜ｆａ－ｆｒ｜／ｆｒ）×１００［％］である。第１の共振子の比帯域は５％である。他方、各第２の共振子の比帯域はそれぞれ３％である。もっとも、第１の共振子及び第２の共振子の比帯域は上記に限定されない。
　フィルタ装置１は、第１のインダクタ及び第２のインダクタを有する。第１のインダクタは、第１の共振子に直列に接続されているインダクタである。第２のインダクタは、第２の共振子に接続されているインダクタである。具体的には、第１のインダクタはインダクタＬである。第２のインダクタはインダクタＭである。インダクタＬは、第１の共振子である並列腕共振子Ｐ４と、グラウンド電位との間に接続されている。なお、インダクタＬは、並列腕共振子Ｐ４に、他の共振子を介さず接続されている。インダクタＭは、並列腕共振子Ｐ２とグラウンド電位との間に接続されている。
　インダクタＬは、並列腕共振子Ｐ４の比帯域の値を大きくするためのインダクタである。これにより、フィルタ装置１の通過帯域を広くすることができる。他方、インダクタＭは、インピーダンスマッチング用のインダクタである。
　本実施形態の特徴は、第１の共振子としての並列腕共振子Ｐ４に、第１のインダクタとしてのインダクタＬが直列に接続されていることにある。上記のように、第１の共振子の比帯域の値は、複数の共振子の比帯域の値のうち最も大きい。そのため、第１の共振子の比帯域の値を大きくするために要する、第１のインダクタのインダクタンスを小さくすることができる。それによって、第１のインダクタを小型にすることができる。従って、フィルタ装置１の通過帯域を広くすることができ、しかも小型化を効果的に進めることができる。この詳細を以下において説明する。
　弾性波共振子にインダクタを接続すると、共振周波数が低くなる一方で、反共振周波数は変化しない。それによって、比帯域の値が大きくなる。ここで、第１の共振子及び第２の共振子のそれぞれにインダクタを接続した場合において、共振周波数を５０ＭＨｚ低くするために必要なインダクタのインダクタンスを比較した。該比較においては、第１の実施形態と同様に、第１の共振子の比帯域を５％とし、第２の共振子の比帯域を３％とした。さらに、共振周波数を低くする幅を１０ＭＨｚ以上、１００ＭＨｚ以下の範囲において、１０ＭＨｚ刻みで変化させて、上記と同様の比較を行った。
　図２は、第２の共振子にインダクタが接続されたことによる比帯域の変化を示す図である。図３は、第１の共振子にインダクタが接続されたことによる比帯域の変化を示す図である。図４は、共振子にインダクタが接続された場合における、インダクタのインダクタンスと、共振周波数の変化幅との関係を示す図である。
　図２及び図３に示すように、第１の共振子及び第２の共振子のそれぞれにおいて、共振周波数が５０ＭＨｚ低くなっている。このとき、図２に示すように、第２の共振子に接続されたインダクタのインダクタンスは１．６７ｎＨである。他方、図３に示すように、第１の共振子に接続されたインダクタのインダクタンスは１．１８ｎＨである。さらに、図４に示すように、共振周波数の変化幅が５０ＭＨｚ以外の場合も、第１の共振子に接続されたインダクタのインダクタンスは、第２の共振子に接続されたインダクタのインダクタンスよりも小さい。このように、第１の共振子においては、比帯域の値を効率的に大きくすることができる。なお、表１に図４の結果を示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　以上のように、第１の共振子において、比帯域の値を大きくするために要するインダクタのインダクタンスは、第２の共振子において、比帯域の値を大きくするために要するインダクタのインダクタンスよりも小さいことがわかる。よって、フィルタ装置の通過帯域を広くする場合において、第１の共振子に接続されるインダクタを小型にすることができる。
　なお、本実施形態においては、第２のインダクタとしてのインダクタＭのインダクタンスは、第１のインダクタとしてのインダクタＬのインダクタンスよりも小さい。よって、フィルタ装置１の小型化をより確実に進めることができる。
　図１に示すように、インダクタＬは、並列腕共振子Ｐ４とグラウンド電位との間に接続されていることが好ましい。それによって、インピーダンスマッチングを行い易くすることができる。もっとも、インダクタＬは、直列腕共振子Ｓ４及び直列腕共振子Ｓ５の間の接続点と、並列腕共振子Ｐ４との間に接続されていてもよい。すなわち、第１のインダクタは、第１の共振子に接続されている第２の共振子同士の接続点と、第１の共振子との間に接続されていてもよい。
　なお、フィルタ装置が複数の第１の共振子を有する場合には、いずれか１つの第１の共振子に直列に第１のインダクタが接続されていることが好ましい。
　以下において、本実施形態のフィルタ装置１の構成の詳細を示す。
　図５は、第１の実施形態における第１の共振子の平面図である。
　第１の共振子としての並列腕共振子Ｐ４は、圧電性基板２を有する。圧電性基板２上には、ＩＤＴ電極３が設けられている。ＩＤＴ電極３に交流電圧を印加することにより、弾性表面波が励振される。圧電性基板２上における、ＩＤＴ電極３の弾性波伝搬方向両側には、１対の反射器８Ａ及び反射器８Ｂが設けられている。
　ＩＤＴ電極３は、第１のバスバー１６及び第２のバスバー１７と、複数の第１の電極指１８及び複数の第２の電極指１９とを有する。第１のバスバー１６及び第２のバスバー１７は互いに対向している。複数の第１の電極指１８の一端は、それぞれ第１のバスバー１６に接続されている。複数の第２の電極指１９の一端は、それぞれ第２のバスバー１７に接続されている。複数の第１の電極指１８及び複数の第２の電極指１９は互いに間挿し合っている。ＩＤＴ電極３、反射器８Ａ及び反射器８Ｂは、単層の金属膜からなっていてもよく、積層金属膜からなっていてもよい。なお、以下においては、第１の電極指１８及び第２の電極指１９をまとめて電極指と記載することがある。
　圧電性基板２上に、ＩＤＴ電極３を覆うように誘電体膜が設けられていてもよい。これにより、ＩＤＴ電極３が破損し難い。誘電体膜の材料としては、例えば、酸化ケイ素、窒化ケイ素または酸窒化ケイ素などを用いることができる。
　図６は、図５中のＩ－Ｉ線に沿う断面図である。
　本実施形態の圧電性基板２は、高音速材料層としての高音速支持基板５と、低音速膜６と、圧電体層７とを有する。より具体的には、高音速支持基板５上に低音速膜６が設けられている。低音速膜６上に圧電体層７が設けられている。圧電体層７は主面７ａを有する。圧電体層７の主面７ａには、ＩＤＴ電極３、反射器８Ａ及び反射器８Ｂが設けられている。
　圧電体層７の材料としては、例えば、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、酸化亜鉛、窒化アルミニウム、水晶、またはＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）などを用いることができる。
　高音速材料層は相対的に高音速な層である。より具体的には、高音速材料層を伝搬するバルク波の音速は圧電体層７を伝搬する弾性波の音速よりも高い。本実施形態では、高音速材料層は高音速支持基板５である。高音速材料層の材料としては、例えば、シリコン、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、サファイア、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶、アルミナ、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト、マグネシア、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）膜またはダイヤモンドなど、上記材料を主成分とする媒質を用いることができる。
　低音速膜６は相対的に低音速な膜である。より具体的には、低音速膜６を伝搬するバルク波の音速は、圧電体層７を伝搬するバルク波の音速よりも低い。低音速膜６の材料としては、例えば、ガラス、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素、酸化リチウム、五酸化タンタル、または、酸化ケイ素にフッ素、炭素やホウ素を加えた化合物を主成分とする材料を用いることができる。
　本実施形態においては、高音速材料層としての高音速支持基板５、低音速膜６及び圧電体層７がこの順序において積層されている。それによって、弾性波のエネルギーを圧電体層７側に効果的に閉じ込めることができる。もっとも、圧電性基板２の構成は上記に限定されない。
　他の共振子も、並列腕共振子Ｐ４と同様に、ＩＤＴ電極及び１対の反射器を有する。フィルタ装置１においては、全ての共振子は圧電性基板２を共有している。もっとも、少なくとも１つの共振子が、他の共振子とは異なる圧電性基板を有していてもよい。
　上述したように、並列腕共振子Ｐ４にインダクタＬを接続することにより、フィルタ装置１の通過帯域を広くすることができる。これを、本実施形態及び比較例を比較することにより示す。比較例は、インダクタＬを有しない点において第１の実施形態と異なる。フィルタ装置１における圧電性基板２及びＩＤＴ電極３の構成、並びにインダクタＬ及びインダクタＭのインダクタンスは以下の通りとした。比較例における各パラメータも、インダクタＬ以外においては、以下の各パラメータと同様である。
　高音速支持基板５；材料…Ｓｉ、厚み…１２５μｍ
　低音速膜６；材料…ＳｉＯ２、厚み…６７０ｎｍ
　圧電体層７；材料…ＬｉＴａＯ３、厚み…６００ｎｍ
　ＩＤＴ電極３；積層構造…圧電体層７側からＴｉ層／ＡｌＣｕ層、厚み…圧電体層７側から１２ｎｍ／１６２ｎｍ
　インダクタＬ；インダクタンス…３ｎＨ
　インダクタＭ；インダクタンス…０．３ｎＨ
　図７は、第１の実施形態及び比較例の減衰量周波数特性を示す図である。
　図７に示すように、比較例の通過帯域よりも第１の実施形態の通過帯域が広いことがわかる。図７中に示す帯域Ｗは、Ｂａｎｄ４１の通過帯域を示す。具体的には、Ｂａｎｄ４１の通過帯域は２４９６ＭＨｚ～２６９０ＭＨｚである。比較例のフィルタ装置においては、２４９６ＭＨｚ付近において挿入損失が大きい。これに対して、第１の実施形態においては、並列腕共振子Ｐ４にインダクタＬが接続されている。これにより、フィルタ装置１の通過帯域が広くなっており、２４９６ＭＨｚ～２６９０ＭＨｚにおいて挿入損失が小さい。よって、フィルタ装置１をＢａｎｄ４１のような広い帯域にも適用することができる。しかも、上述したように、通過帯域を広くするためのインダクタＬを小型にすることができ、フィルタ装置１の小型化を進めることができる。
　図８は、第１の実施形態に係るフィルタ装置の略図的正面断面図である。図８においては、共振子を構成する電極を、矩形に２本の対角線を加えた略図により示す。
　フィルタ装置１は実装基板１０を有する。フィルタ装置１の複数の共振子は実装基板１０に配置されている。本実施形態では、第１の共振子である並列腕共振子Ｐ４を構成する電極と、実装基板１０との間にインダクタＬが設けられている。
　圧電体層７の主面７ａには、複数の共振子の複数のＩＤＴ電極が設けられている。さらに、主面７ａには、複数の端子が設けられている。複数の端子は、複数のグラウンド端子９Ｃ並びに上記第１の信号端子９Ａ及び上記第２の信号端子９Ｂを含む。
　さらに、主面７ａには支持部材１１が設けられている。支持部材１１は、複数の端子の少なくとも一部を覆うように設けられている。支持部材１１は開口部１１ａを有する。開口部１１ａは、複数の共振子の複数のＩＤＴ電極を囲んでいる。圧電体層７と共に支持部材１１を挟むように、カバー部材１２が設けられている。カバー部材１２は、支持部材１１の開口部１１ａを覆っている。これにより、圧電性基板２、支持部材１１及びカバー部材１２により囲まれた中空空間が設けられている。複数のＩＤＴ電極は、該中空空間内に配置されている。
　カバー部材１２内には、第１のインダクタとしてのインダクタＬが設けられている。インダクタＬは配線により構成されている。より具体的には、インダクタＬは、配線電極Ｌａ及び配線電極Ｌｂと、ビア電極Ｌｃとを有する。配線電極Ｌａと配線電極Ｌｂとが、ビア電極Ｌｃに接続されている。これにより、インダクタＬが構成されている。上記第２のインダクタも、インダクタＬと同様に構成されている。なお、各インダクタにおける配線の引き回しの形状は特に限定されない。各インダクタの配線電極及びビア電極の個数も特に限定されない。
　支持部材１１を貫通するように、複数の第１の貫通電極が設けられている。複数の第１の貫通電極は、第１の貫通電極１３Ａ及び第１の貫通電極１３Ｂを含む。第１の貫通電極１３Ａの一端はグラウンド端子９Ｃに接続されている。第１の貫通電極１３Ａの他端は配線電極Ｌａに接続されている。カバー部材１２には、複数の第１の接続端子１４Ａが設けられている。配線電極Ｌｂが、第１の接続端子１４Ａに接続されている。このように、第１の貫通電極１３ＡはインダクタＬを介して第１の接続端子１４Ａに接続されている。
　他方、第１の貫通電極１３Ｂは、カバー部材１２を貫通している。第１の貫通電極１３Ｂの一端はグラウンド端子９Ｃに接続されている。第１の貫通電極１３Ｂの他端は第１の接続端子１４Ａに接続されている。
　実装基板１０の一方主面には、複数の第２の接続端子１４Ｂが設けられている。実装基板１０の他方主面には複数の第３の接続端子１４Ｃが設けられている。さらに、実装基板１０を貫通するように、複数の第２の貫通電極１３Ｃが設けられている。第２の貫通電極１３Ｃの一端は第２の接続端子１４Ｂに接続されている。第２の貫通電極１３Ｃの他端は第３の接続端子１４Ｃに接続されている。
　実装基板１０の第２の接続端子１４Ｂと、複数の共振子側の第１の接続端子１４Ａとを接続するように、バンプ１５が設けられている。並列腕共振子Ｐ４は、グラウンド端子９Ｃ、第１の貫通電極１３Ａ、インダクタＬ、第１の接続端子１４Ａ、バンプ１５、第２の接続端子１４Ｂ、第２の貫通電極１３Ｃ及び第３の接続端子１４Ｃを介してグラウンド電位に接続される。複数の第２の共振子のうち、例えば並列腕共振子Ｐ３は、グラウンド端子９Ｃ、第１の貫通電極１３Ｂ、第１の接続端子１４Ａ、バンプ１５、第２の接続端子１４Ｂ、第２の貫通電極１３Ｃ及び第３の接続端子１４Ｃを介してグラウンド電位に接続される。以上のように、フィルタ装置１の複数の共振子はＷＬＰ（Ｗａｆｅｒ　Ｌｅｖｅｌ　Ｐａｃｋａｇｅ）構造である。もっとも、複数の共振子はＷＬＰ構造には限定されない。
　ところで、インダクタが配線により構成されている場合には、配線電極またはビア電極の長さが長いほど、インダクタンスが大きい。よって、要するインダクタンスが大きいほど、インダクタが大型になる。これに対して、本実施形態においては、インダクタＬのインダクタンスが小さくとも、並列腕共振子Ｐ４の比帯域の値を大きくすることができる。よって、インダクタＬが配線により構成されている場合には、本発明が好適である。
　インダクタＬは、カバー部材１２以外の部分に設けられていてもよい。例えば、図９に示す第１の変形例においては、インダクタＬは実装基板１０内に設けられている。インダクタＬは、ビア電極２３Ａにより第２の接続端子１４Ｂに接続されている。さらに、インダクタＬは、ビア電極２３Ｂにより第３の接続端子１４Ｃに接続されている。なお、インダクタＬは、カバー部材１２内や実装基板１０内に限られず、カバー部材１２や実装基板１０の表面に設けられていてもよい。あるいは、インダクタＬは、圧電性基板２上に設けられていてもよい。
　第１の実施形態においては、第１の共振子は並列腕共振子である。もっとも、第１の共振子は直列腕共振子であってもよい。例えば、図１０に示す第２の変形例おいては、複数の共振子のうち直列腕共振子Ｓ２３の比帯域の値が最も大きい。すなわち、直列腕共振子Ｓ２３が第１の共振子であり、並列腕共振子Ｐ２４を含む他の共振子は、複数の第２の共振子である。直列腕共振子Ｓ２及び並列腕共振子Ｐ２の接続点と、直列腕共振子Ｓ２３との間に第１のインダクタとしてのインダクタＬが接続されている。インダクタＬは、直列腕共振子Ｓ２に直列に接続されている。なお、インダクタＬは、直列腕共振子Ｓ４及び並列腕共振子Ｐ３の接続点と、直列腕共振子Ｓ２３との間に接続されていてもよい。本変形例においても、第１の実施形態と同様に、フィルタ装置の小型化を進めることができる。
　もっとも、第１の共振子が並列腕共振子であり、第１のインダクタが該並列腕共振子に直列に接続されていることが好ましい。それによって、フィルタ装置の挿入損失の劣化が生じ難い。
　図６に示すように、本実施形態の圧電性基板２においては、圧電体層７が、高音速材料層としての高音速支持基板５上に、低音速膜６を介して間接的に設けられている。もっとも、圧電性基板２の構成は上記に限定されない。以下において、圧電性基板の構成のみが第１の実施形態と異なる、第１の実施形態の第３の変形例及び第４の変形例を示す。第３の変形例及び第４の変形例においても、第１の実施形態と同様に、フィルタ装置の小型化を進めることができる。加えて、第１の実施形態と同様に、高音速材料層及び圧電体層を含む積層構造が設けられているため、弾性波のエネルギーを圧電体層側に効果的に閉じ込めることができる。
　図１１に示す第３の変形例においては、圧電性基板２２Ａは、高音速支持基板５と、圧電体層７とを有する。圧電体層７は、高音速材料層としての高音速支持基板５上に直接的に設けられている。
　図１２に示す第４の変形例においては、圧電性基板２２Ｂは、支持基板２４と、高音速材料層としての高音速膜２５と、低音速膜６と、圧電体層７とを有する。より具体的には、支持基板２４上に高音速膜２５が設けられている。高音速膜２５上に低音速膜６が設けられている。低音速膜６上に圧電体層７が設けられている。
　支持基板２４の材料としては、例えば、酸化アルミニウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶などの圧電体、アルミナ、サファイア、マグネシア、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライトなどの各種セラミック、ダイヤモンド、ガラスなどの誘電体、シリコン、窒化ガリウムなどの半導体または樹脂などを用いることができる。
　なお、圧電性基板は、支持基板２４、高音速膜２５及び圧電体層７の積層体であってもよい。あるいは、圧電性基板は、圧電体層のみからなる圧電基板であってもよい。
　第１の実施形態及びその変形例においては、圧電体層７は、ＩＤＴ電極３が設けられている部分を含めて、他の層により支持されている。もっとも、圧電体層７は、平面視においてＩＤＴ電極３の少なくとも一部と重なる部分においては、他の層により支持されていなくともよい。より具体的には、圧電体層７以外の層の、平面視においてＩＤＴ電極３の少なくとも一部と重なる部分に、空洞部が設けられていてもよい。この場合、空洞部は圧電体層７側において開口していればよい。空洞部は、１層にのみ設けられていてもよく、複数の層にわたり設けられていてもよい。空洞部は凹部であってもよく、貫通孔であってもよい。このような空洞部が設けられている場合、共振子は板波を利用することが好ましい。
　ここで、第１の共振子のＩＤＴ電極を第１のＩＤＴ電極とし、第２の共振子のＩＤＴ電極を第２のＩＤＴ電極とする。以下においては、第１のＩＤＴ電極または第２のＩＤＴ電極の構成のみが第１の実施形態と異なる、第２～第５の実施形態を示す。第２～第５の実施形態においても、第１の実施形態と同様に、第１の共振子にインダクタＬが接続されている。よって、フィルタ装置の通過帯域を広くすることができ、かつフィルタ装置の小型化を進めることができる。
　図１３は、第２の実施形態における第１の共振子の平面図である。図１４は、第２の実施形態における第２の共振子の平面図である。
　図１３に示すように、本実施形態においては、第１の共振子の第１のＩＤＴ電極３３Ａの構成が第１の実施形態と異なる。第１の共振子は、ピストンモードを利用する弾性表面波共振子である。図１４に示すように、本実施形態においては、第２の共振子の第２のＩＤＴ電極３３Ｂの構成も第１の実施形態と異なる。第２のＩＤＴ電極３３Ｂは傾斜型のＩＤＴ電極である。以下において、第１のＩＤＴ電極３３Ａ及び第２のＩＤＴ電極３３Ｂの構成の詳細を説明する。
　図１３に示すように、弾性波伝搬方向から見て、隣り合う第１の電極指１８及び第２の電極指１９が重なり合う領域は交叉領域Ａである。交叉領域Ａは、中央領域Ｃと、第１のエッジ領域Ｅ１及び第２のエッジ領域Ｅ２とを有する。ここで、複数の第１の電極指１８及び複数の第２の電極指１９が延びる方向を電極指延伸方向とする。なお、本実施形態においては、電極指延伸方向と弾性波伝搬方向とは直交する。中央領域Ｃは、交叉領域Ａにおいて、電極指延伸方向における中央側に位置する領域である。一方で、第１のエッジ領域Ｅ１及び第２のエッジ領域Ｅ２は、中央領域Ｃを電極指延伸方向において挟むように配置されている。第１のエッジ領域Ｅ１は第１のバスバー１６側に位置する。第２のエッジ領域Ｅ２は第２のバスバー１７側に位置する。さらに、第１のＩＤＴ電極３３Ａは、第１のギャップ領域Ｇ１及び第２のギャップ領域Ｇ２を有する。第１のギャップ領域Ｇ１は、第１のエッジ領域Ｅ１と第１のバスバー１６との間に位置する。第２のギャップ領域Ｇ２は、第２のエッジ領域Ｅ２と第２のバスバー１７との間に位置する。
　第１のエッジ領域Ｅ１及び第２のエッジ領域Ｅ２における音速は、中央領域Ｃにおける音速よりも低い。他方、第１のギャップ領域Ｇ１及び第２のギャップ領域Ｇ２における音速は、中央領域Ｃにおける音速よりも高い。これにより、ピストンモードが成立し、横モードが抑制される。
　より具体的には、本実施形態の第１のＩＤＴ電極３３Ａにおいては、第１のエッジ領域Ｅ１において、複数の第１の電極指１８上及び複数の第２の電極指１９上に質量付加膜３５Ａが設けられている。同様に、第２のエッジ領域Ｅ２においては、複数の第１の電極指１８上及び第２の電極指１９上に、質量付加膜３５Ｂが設けられている。質量付加膜３５Ａ及び質量付加膜３５Ｂは適宜の誘電体からなる。
　質量付加膜３５Ａ及び質量付加膜３５Ｂは帯状の形状を有する。これにより、質量付加膜３５Ａは、複数の第１の電極指１８上及び複数の第２の電極指１９上、並びに圧電性基板２上における電極指間に位置する部分にわたり設けられている。質量付加膜３５Ｂも同様である。これにより、第１のエッジ領域Ｅ１及び第２のエッジ領域Ｅ２における音速が低くなっている。
　本実施形態においては、複数の電極指及び質量付加膜３５Ａが積層されている部分においては、圧電性基板２、複数の電極指及び質量付加膜３５Ａの順序において積層されている。なお、質量付加膜３５Ａは、圧電性基板２と、複数の第１の電極指１８及び複数の第２の電極指１９との間に設けられていてもよい。すなわち、複数の電極指及び質量付加膜３５Ａが積層されている部分において、圧電性基板２、質量付加膜３５Ａ及び複数の電極指の順序において積層されていてもよい。質量付加膜３５Ｂも同様である。
　なお、質量付加膜３５Ａ及び質量付加膜３５Ｂは、複数の電極指上にわたり設けられていなくともよい。複数の質量付加膜３５Ａ及び複数の質量付加膜３５Ｂが、各第１の電極指１８及び各第２の電極指１９と積層されていてもよい。この場合には、複数の質量付加膜３５Ａ及び複数の質量付加膜３５Ｂは、金属からなっていてもよく、誘電体からなっていてもよい。質量付加膜３５Ａまたは質量付加膜３５Ｂは、第１のエッジ領域Ｅ１及び第２のエッジ領域Ｅ２のうち少なくとも一方において、複数の第１の電極指１８及び複数の第２の電極指１９のうち少なくとも１本の電極指と積層されていればよい。もっとも、質量付加膜３５Ａ及び質量付加膜３５Ｂが、第１のエッジ領域Ｅ１及び第２のエッジ領域Ｅ２の双方において、複数の電極指と積層されていることが好ましい。
　第１のギャップ領域Ｇ１においては、複数の第１の電極指１８及び複数の第２の電極指１９のうち複数の第１の電極指１８のみが設けられている。よって、第１のギャップ領域Ｇ１における音速が高い。同様に、第２のギャップ領域Ｇ２においては、複数の第１の電極指１８及び複数の第２の電極指１９のうち複数の第２の電極指１９のみが設けられている。よって、第２のギャップ領域Ｇ２における音速が高い。
　中央領域Ｃにおける音速をＶ１、第１のエッジ領域Ｅ１及び第２のエッジ領域Ｅ２における音速をＶ２、第１のギャップ領域Ｇ１及び第２のギャップ領域Ｇ２における音速をＶ３としたときに、Ｖ２＜Ｖ１＜Ｖ３である。上記のような各音速の関係を図１３に示す。なお、図１３における音速の関係を示す部分においては、矢印Ｖで示すように、各音速の高さを示す線が左側に位置するほど音速が高いことを示す。
　本実施形態では、第１のＩＤＴ電極３３Ａが上記のような構成を有するため、第１の共振子において、容量に対する比帯域の比を大きくすることができる。そのため、第１の共振子を大型にせずして、比帯域の値をより一層大きくすることができる。そして、第１の共振子の比帯域の値をさらに大きくするための第１のインダクタのインダクタンスを、より一層小さくすることができる。従って、フィルタ装置の通過帯域を広くすることができ、かつフィルタ装置の小型化をより一層進めることができる。
　他方、図１４に示すように、第２のＩＤＴ電極３３Ｂは傾斜型ＩＤＴ電極である。より具体的には、複数の第１の電極指１８の先端を結ぶことにより形成される仮想線を第１の包絡線Ｂ１としたときに、第１の包絡線Ｂ１は弾性波伝搬方向に対して傾斜している。同様に、複数の第２の電極指１９の先端を結ぶことにより形成される仮想線を第２の包絡線Ｂ２としたときに、第２の包絡線Ｂ２は、弾性波伝搬方向に対して傾斜している。これにより、横モードに起因するスプリアスを抑制することができる。
　なお、第２のＩＤＴ電極３３Ｂにおいては、第１のバスバー３６及び第２のバスバー３７は弾性波伝搬方向に対して傾斜して延びている。もっとも、これに限定されるものではない。
　図１５は、第２の実施形態の変形例における第１のＩＤＴ電極の平面図である。
　本変形例においても、第２の実施形態と同様に、第１の共振子はピストンモードを利用している。より具体的には、第１のＩＤＴ電極４３Ａの複数の第１の電極指４８は、第１のエッジ領域Ｅ１に位置する幅広部４８ａを有する。さらに、複数の第１の電極指４８は、第２のエッジ領域Ｅ２に位置する幅広部４８ｂを有する。第１の電極指４８の幅広部４８ａ及び幅広部４８ｂにおける幅は、第１の電極指４８の中央領域Ｃにおける幅よりも広い。なお電極指の幅は、電極指の弾性波伝搬方向に沿う寸法である。同様に、複数の第２の電極指４９は、第１のエッジ領域Ｅ１において、幅広部４９ａを有する。複数の第２の電極指４９は、第２のエッジ領域Ｅ２において、幅広部４９ｂを有する。これらにより、第１のエッジ領域Ｅ１及び第２のエッジ領域Ｅ２における音速を低くすることができる。もっとも、複数の第１の電極指４８及び複数の第２の電極指４９のうち少なくとも１本の電極指が、第１のエッジ領域Ｅ１及び第２のエッジ領域Ｅ２のうち少なくとも一方の領域において、幅広部を有していればよい。
　この場合においても、第１のＩＤＴ電極４３Ａを用いた第１の共振子において、容量に対する比帯域の比を大きくすることができる。もっとも、本変形例の第１のＩＤＴ電極４３Ａを用いた共振子の上記比よりも、図１３に示す第１のＩＤＴ電極３３Ａを用いた共振子の上記比が大きい。よって、第１の共振子には、第１のＩＤＴ電極３３Ａを用いることが好ましい。
　図１６は、第３の実施形態における第２のＩＤＴ電極の平面図である。
　本実施形態は、第２のＩＤＴ電極５３Ｂの交叉領域Ａが重み付けされている点において第２の実施形態と異なる。上記の点以外においては、本実施形態のフィルタ装置は第２の実施形態のフィルタ装置と同様の構成を有する。本実施形態の第１の共振子は、図１３に示す第１のＩＤＴ電極３３Ａを有する。
　第２のＩＤＴ電極５３Ｂは、複数の第１のダミー電極指５８及び複数の第２のダミー電極指５９を有する。複数の第１のダミー電極指５８の一端はそれぞれ、第１のバスバー５６に接続されている。複数の第１のダミー電極指５８の他端はそれぞれ、複数の第２の電極指１９と対向している。複数の第２のダミー電極指５９の一端はそれぞれ、第２のバスバー５７に接続されている。複数の第２のダミー電極指５９の他端はそれぞれ、複数の第１の電極指１８と対向している。
　ここで、交叉領域Ａの電極指延伸方向に沿う寸法を交叉幅Ｄとする。第２のＩＤＴ電極５３Ｂでは、弾性波伝搬方向において、交叉幅Ｄが変化している。より具体的には、第２のＩＤＴ電極５３Ｂの弾性波伝搬方向における中央から外側に向かうにつれて、交叉幅Ｄが狭くなっている。本実施形態においては、平面視において、交叉領域Ａは略菱形状の形状を有する。
　もっとも、交叉領域Ａの平面視における形状は上記に限定されない。例えば、交叉領域Ａの電極指延伸方向における端縁部は、曲線状の形状を含んでいてもよい。あるいは、例えば、交叉幅Ｄが弾性波伝搬方向において周期的に変化していてもよい。より具体的には、弾性波伝搬方向における一方から他方に向かうにつれて、交叉幅Ｄが広くなっている複数の部分と、交叉幅Ｄが狭くなっている複数の部分とを有していてもよい。
　なお、第２のＩＤＴ電極５３Ｂの交叉領域Ａは、弾性波伝搬方向において交叉幅Ｄが変化している部分を有していればよい。例えば、第２のＩＤＴ電極５３Ｂは、弾性波伝搬方向において、交叉幅が一定である部分を有していてもよい。
　本実施形態においては、第１のバスバー５６及び第２のバスバー５７は、弾性波伝搬方向に対して傾斜して延びている部分を有する。第１のバスバー５６は屈曲部５６ａを有する。第２のバスバー５７は屈曲部５７ａを有する。もっとも、第１のバスバー５６及び第２のバスバー５７の形状は上記に限定されない。例えば、第１のバスバー５６及び第２のバスバー５７は、弾性波伝搬方向と平行に延びる直線状の形状であってもよい。この場合には、複数の第１の電極指１８及び複数の第２の電極指１９並びに複数の第１のダミー電極指５８及び複数の第２のダミー電極指５９の長さが、弾性波伝搬方向において変化していることにより、該方向において交叉幅Ｄが変化していればよい。なお、電極指の長さは、電極指の電極指延伸方向に沿う寸法である。
　上記のように、第３の実施形態では、第１の共振子は、第２の実施形態と同様の第１のＩＤＴ電極３３Ａを有する。第１のＩＤＴ電極３３Ａを用いた共振子における容量に対する比帯域の比は、第２のＩＤＴ電極５３Ｂを用いた共振子における容量に対する比帯域の比よりも大きい。よって、第２の実施形態と同様に、フィルタ装置の通過帯域を広くするための第１のインダクタを小型にすることができ、フィルタ装置の小型化を進めることができる。
　第４の実施形態は、第２のＩＤＴ電極が、図１５に示す第１のＩＤＴ電極４３Ａと同様の構成を有する点において第２の実施形態と異なる。上記の点以外においては、本実施形態のフィルタ装置は、第２の実施形態のフィルタ装置と同様の構成を有する。本実施形態の第１の共振子は、図１３に示す第１のＩＤＴ電極３３Ａを有する。本実施形態においては、第１の共振子及び第２の共振子の双方がピストンモードを利用する。
　上述したように、第１のＩＤＴ電極３３Ａを用いた共振子における容量に対する比帯域の比は、第１のＩＤＴ電極４３Ａを用いた共振子における容量に対する比帯域の比よりも大きい。よって、第２の実施形態と同様に、フィルタ装置の通過帯域を広くするための第１のインダクタを小型にすることができ、フィルタ装置の小型化を進めることができる。
　図１７は、第５の実施形態における第２のＩＤＴ電極の平面図である。
　本実施形態は、第２のＩＤＴ電極６３Ｂの構成が第１の実施形態と異なる。上記の点以外においては、本実施形態のフィルタ装置は第１の実施形態のフィルタ装置１と同様の構成を有する。
　本実施形態では、交叉領域は、第１の部分Ａ１及び第２の部分Ａ２を有する。第１の部分Ａ１においては、第１の電極指１８及び第２の電極指１９が交互に並んでいる。すなわち、第１の部分Ａ１においては、隣り合う電極指のそれぞれの一端は互いに異なるバスバーに接続されている。本実施形態においては、第１の部分Ａ１において、電極指ピッチは一定である。電極指ピッチとは、隣り合う電極指同士の中心間距離である。なお、上記各実施形態における第１のＩＤＴ電極及び第２のＩＤＴ電極は、第１の部分Ａ１のみにより構成されている。
　ここで、第１の部分Ａ１において、連続する３本の電極指における両端の電極指の中心間距離を１λとする。例えば、第１の電極指１８、第２の電極指１９及び第１の電極指１８の順序において並んでいる部分における、第１の電極指１８同士の中心間距離が１λである。他方、第２の部分Ａ２においては、連続する３本の電極指は、第１の電極指１８、第２の電極指１９及び第２の電極指１９の順序において並んでいる。あるいは、第２の部分Ａ２において、連続する３本の電極指全てが第２の電極指１９である。このように第２の部分Ａ２では、弾性波伝搬方向に沿う距離１λの範囲内においては、第１の電極指１８及び第２の電極指１９が交互に３本以上配置されていない。すなわち、上記範囲内において、一端が互いに異なるバスバーに接続された隣り合う電極指が連続して配置されている本数は２本以下である。
　本実施形態では、第２の部分Ａ２において、弾性波伝搬方向に連続して３本の第２の電極指１９が並んでいる。もっとも、第２の部分Ａ２においては、弾性波伝搬方向に連続する２本以上の電極指の一端が同じバスバーに接続されていればよい。第２の部分Ａ２は、周期的に配置されていてもよい。
　他方、第１の共振子は、図５に示す第１のＩＤＴ電極としてのＩＤＴ電極３を有する。ＩＤＴ電極３の交叉領域Ａにおいては、隣り合う電極指のそれぞれの一端は互いに異なるバスバーに接続されている。
　第１のＩＤＴ電極３Ａを用いた共振子における容量に対する比帯域の比は、第２のＩＤＴ電極６３Ｂを用いた共振子における容量に対する比帯域の比よりも大きい。よって、第１の実施形態と同様に、フィルタ装置の通過帯域を広くするための第１のインダクタを小型にすることができ、フィルタ装置の小型化を進めることができる。このように、図５に示す構成のＩＤＴ電極及び図１７に示す構成のＩＤＴ電極の双方が設けられる場合には、第１のＩＤＴ電極においては、図５に示す構成を採用することが好ましい。
　なお、第２のＩＤＴ電極６３Ｂの第２の部分Ａ２においては、同じバスバーに接続されている電極指が連続して配置されていなくともよい。図１８に示す第５の実施形態の変形例においては、第２の部分Ａ２における第２の電極指６９の幅が、第１の部分Ａ１における第２の電極指１９の幅よりも広い。より具体的には、第２の電極指６９は、第５の実施形態において２本の第２の電極指１９が連続して配置されていた場合に、該２本の第２の電極指１９が一体とされた電極指に相当する。この１本の第２の電極指６９と１本の第１の電極指１８とが並んでいる部分が、第１の部分Ａ１における３本の電極指が並んでいる部分に相当する。そのため、第２の部分Ａ２においては、弾性波伝搬方向に沿う距離１λの範囲内に配置されている電極指は、１本の第１の電極指１８及び１本の第２の電極指６９のみとなる。よって、上記範囲内において、一端が互いに異なるバスバーに接続された隣り合う電極指が連続して配置されている本数は２本以下である。
　上記のように、本変形例においては、第２の電極指６９は、２本の第２の電極指１９が一体とされた電極指に相当する。そのため、第２の部分Ａ２における第２の電極指６９の幅は、第１の部分Ａ１における第２の電極指１９の幅の２倍に、電極指間の部分の幅を加えたものに相当する。よって、第２の部分Ａ２における第２の電極指６９の幅は、第１の部分Ａ１における第２の電極指１９の幅の２倍よりも広い。なお、第２の電極指６９は、３本以上の連続する第２の電極指１９が一体とされた電極指に相当してもよい。本変形例においても、第５の実施形態と同様に、フィルタ装置の小型化を進めることができる。
　図１９は、第６の実施形態における第１の共振子及び第２の共振子の正面断面図である。
　本実施形態は、第１の共振子が誘電体膜７８Ａを有し、第２の共振子が誘電体膜７８Ｂを有する点において、第１の実施形態と異なる。図１９においては、第１の共振子としての並列腕共振子Ｐ７４及び第２の共振子としての並列腕共振子Ｐ７３を示している。上記の点以外においては、本実施形態のフィルタ装置は第１の実施形態のフィルタ装置１と同様の構成を有する。なお、第１の共振子のＩＤＴ電極は第１のＩＤＴ電極３Ａであり、第２の共振子のＩＤＴ電極は第２のＩＤＴ電極３Ｂである。
　誘電体膜７８Ａは、圧電性基板２と、第１のＩＤＴ電極３Ａとの間に設けられている。誘電体膜７８Ｂは、圧電性基板２と第２のＩＤＴ電極３Ｂとの間に設けられている。本実施形態においては、誘電体膜７８Ａの厚みが誘電体膜７８Ｂの厚みよりも薄い。この場合には、第１の共振子の比帯域の値を大きくすることができる。よって、上記各実施形態と同様に、フィルタ装置の通過帯域をより確実に広くすることができ、フィルタ装置の小型化をより確実に進めることができる。
　本実施形態においては、誘電体膜７８Ａ及び誘電体膜７８Ｂは一体として設けられており、かつ互いに厚みが異なる。もっとも、誘電体膜７８Ａ及び誘電体膜７８Ｂは、別体として設けられていてもよい。
１…フィルタ装置
２…圧電性基板
３…ＩＤＴ電極
３Ａ，３Ｂ…第１，第２のＩＤＴ電極
５…高音速支持基板
６…低音速膜
７…圧電体層
７ａ…主面
８Ａ，８Ｂ…反射器
９Ａ，９Ｂ…第１，第２の信号端子
９Ｃ…グラウンド端子
１０…実装基板
１１…支持部材
１１ａ…開口部
１２…カバー部材
１３Ａ，１３Ｂ…第１の貫通電極
１３Ｃ…第２の貫通電極
１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃ…第１，第２，第３の接続端子
１５…バンプ
１６，１７…第１，第２のバスバー
１８，１９…第１，第２の電極指
２２Ａ，２２Ｂ…圧電性基板
２３Ａ，２３Ｂ…ビア電極
２４…支持基板
２５…高音速膜
３３Ａ，３３Ｂ…第１，第２のＩＤＴ電極
３５Ａ，３５Ｂ…質量付加膜
３６，３７…第１，第２のバスバー
４３Ａ…第１のＩＤＴ電極
４８，４９…第１，第２の電極指
４８ａ，４８ｂ，４９ａ，４９ｂ…幅広部
５３Ｂ…第２のＩＤＴ電極
５６，５７…第１，第２のバスバー
５６ａ，５７ａ…屈曲部
５８，５９…第１，第２のダミー電極指
６３Ｂ…第２のＩＤＴ電極
６９…第２の電極指
７８Ａ，７８Ｂ…誘電体膜
Ａ…交叉領域
Ａ１，Ａ２…第１，第２の部分
Ｃ…中央領域
Ｅ１，Ｅ２…第１，第２のエッジ領域
Ｇ１，Ｇ２…第１，第２のギャップ領域
Ｌ…インダクタ
Ｌａ，Ｌｂ…配線電極
Ｌｃ…ビア電極
Ｍ…インダクタ
Ｐ１～Ｐ４，Ｐ２４，Ｐ７３，Ｐ７４…並列腕共振子
Ｓ１～Ｓ５，Ｓ２３…直列腕共振子

Claims (16)

  1. 　少なくとも１つの直列腕共振子及び少なくとも１つの並列腕共振子を含む複数の共振子を備え、
    　前記複数の共振子が、前記複数の共振子のうち最も比帯域の値が大きい第１の共振子と、前記第１の共振子以外の少なくとも１つの第２の共振子と、を含み、
    　前記第１の共振子に直列に接続されているインダクタをさらに備える、フィルタ装置。
  2. 　前記第１の共振子が、前記直列腕共振子及び前記並列腕共振子のうち前記並列腕共振子である、請求項１に記載のフィルタ装置。
  3. 　前記インダクタが第１のインダクタであり、
    　前記複数の共振子のうち前記少なくとも１つの第２の共振子に接続されている少なくとも１つの第２のインダクタをさらに備え、
    　前記第２のインダクタのインダクタンスが、前記第１のインダクタのインダクタンスよりも小さい、請求項１または２に記載のフィルタ装置。
  4. 　前記第１の共振子が第１のＩＤＴ電極を有し、前記第２の共振子が第２のＩＤＴ電極を有し、前記第１のＩＤＴ電極及び前記第２のＩＤＴ電極がそれぞれ、１対のバスバーと、複数の電極指と、を含み、
    　前記第１のＩＤＴ電極において、弾性波伝搬方向から見たときに隣り合う前記電極指が重なり合う領域が交叉領域であり、前記交叉領域が、前記複数の電極指が延びる方向における中央に位置する中央領域と、前記複数の電極指が延びる方向において前記中央領域を挟むように配置されている１対のエッジ領域と、前記１対のバスバーと前記１対のエッジ領域との間に位置している１対のギャップ領域と、を含み、前記１対のエッジ領域における音速が前記中央領域における音速よりも低く、前記１対のギャップ領域における音速が前記中央領域における音速よりも高く、
    　前記第２のＩＤＴ電極において、一方の前記バスバーに一端が接続されている前記複数の電極指の他端を結ぶことにより形成される仮想線、及び他方の前記バスバーに一端が接続されている前記複数の電極指の他端を結ぶことにより形成される仮想線を１対の包絡線としたときに、前記１対の包絡線が、弾性波伝搬方向に対して傾斜している、請求項１～３のいずれか１項に記載のフィルタ装置。
  5. 　前記第１の共振子が第１のＩＤＴ電極を有し、前記第２の共振子が第２のＩＤＴ電極を有し、前記第１のＩＤＴ電極及び前記第２のＩＤＴ電極がそれぞれ、１対のバスバーと、複数の電極指と、を含み、
    　前記第１のＩＤＴ電極及び前記第２のＩＤＴ電極のそれぞれにおいて、弾性波伝搬方向から見たときに隣り合う前記電極指が重なり合う領域が交叉領域であり、
    　前記第１のＩＤＴ電極において、前記交叉領域が、前記複数の電極指が延びる方向における中央に位置する中央領域と、前記複数の電極指が延びる方向において前記中央領域を挟むように配置されている１対のエッジ領域と、前記１対のバスバーと前記１対のエッジ領域との間に位置している１対のギャップ領域と、を含み、前記１対のエッジ領域における音速が前記中央領域における音速よりも低く、前記１対のギャップ領域における音速が前記中央領域における音速よりも高く、
    　前記第２のＩＤＴ電極において、前記交叉領域の前記複数の電極指が延びる方向に沿う寸法を交叉幅としたときに、前記交叉領域が、弾性波伝搬方向において前記交叉幅が変化している部分を有する、請求項１～３のいずれか１項に記載のフィルタ装置。
  6. 　前記第１の共振子が第１のＩＤＴ電極を有し、前記第２の共振子が第２のＩＤＴ電極を有し、前記第１のＩＤＴ電極及び前記第２のＩＤＴ電極がそれぞれ、１対のバスバーと、複数の電極指と、を含み、
    　前記第１のＩＤＴ電極及び前記第２のＩＤＴ電極のそれぞれにおいて、弾性波伝搬方向から見たときに隣り合う前記電極指が重なり合う領域が交叉領域であり、各前記交叉領域が、前記複数の電極指が延びる方向における中央に位置する中央領域と、前記複数の電極指が延びる方向において前記中央領域を挟むように配置されている１対のエッジ領域と、を含み、
    　前記第１のＩＤＴ電極の前記１対のエッジ領域のそれぞれにおいて、平面視したときに前記複数の電極指うち少なくとも１本と重なるように質量付加膜が設けられており、
    　前記第２のＩＤＴ電極の前記複数の電極指のうち少なくとも１本の、前記１対のエッジ領域のうち一方における幅が前記中央領域における幅よりも広く、前記複数の電極指のうち少なくとも１本の、前記１対のエッジ領域のうち他方における幅が前記中央領域における幅よりも広い、請求項１～３のいずれか１項に記載のフィルタ装置。
  7. 　前記第１の共振子が第１のＩＤＴ電極を有し、前記第２の共振子が第２のＩＤＴ電極を有し、前記第１のＩＤＴ電極及び前記第２のＩＤＴ電極がそれぞれ、１対のバスバーと、複数の電極指と、を含み、
    　前記第１のＩＤＴ電極及び前記第２のＩＤＴ電極のそれぞれにおいて、弾性波伝搬方向から見たときに隣り合う前記電極指が重なり合う領域が交叉領域であり、
    　前記第１のＩＤＴ電極の前記交叉領域において、隣り合う前記電極指のそれぞれの一端が互いに異なる前記バスバーに接続されており、
    　前記第２のＩＤＴ電極の前記交叉領域が、隣り合う前記電極指のそれぞれの一端が互いに異なる前記バスバーに接続されている第１の部分を有し、
    　前記第１の部分において、連続する３本の前記電極指における両端の電極指の中心間距離を１λとしたときに、前記第２のＩＤＴ電極の前記交叉領域が、弾性波伝搬方向に沿う距離１λの範囲内に、一端が互いに異なるバスバーに接続された隣り合う前記電極指が連続して配置されている本数が２本以下である、第２の部分をさらに有する、請求項１～３のいずれか１項に記載のフィルタ装置。
  8. 　前記第１の共振子及び前記第２の共振子が、それぞれ、圧電体層と、前記圧電体層上に設けられているＩＤＴ電極と、前記圧電体層及び前記ＩＤＴ電極の間に設けられている誘電体膜と、を含み、
    　前記第１の共振子の前記誘電体膜の厚みが、前記第２の共振子の前記誘電体膜の厚みよりも薄い、請求項１～７のいずれか１項に記載のフィルタ装置。
  9. 　前記複数の共振子が、高音速材料層と、前記高音速材料層上に設けられている圧電体層と、前記圧電体層上に設けられているＩＤＴ電極と、を含み、
    　前記高音速材料層を伝搬するバルク波の音速が、前記圧電体層を伝搬する弾性波の音速よりも高い、請求項１～８のいずれか１項に記載のフィルタ装置。
  10. 　前記高音速材料層が高音速支持基板である、請求項９に記載のフィルタ装置。
  11. 　支持基板をさらに備え、
    　前記高音速材料層が、前記支持基板上に設けられている高音速膜である、請求項９に記載のフィルタ装置。
  12. 　前記高音速材料層及び前記圧電体層の間に設けられている低音速膜をさらに備え、
    　前記低音速膜を伝搬するバルク波の音速が、前記圧電体層を伝搬するバルク波の音速よりも低い、請求項９～１１のいずれか１項に記載のフィルタ装置。
  13. 　前記インダクタが配線により構成されており、少なくとも１つの配線電極を有する、請求項１～１２のいずれか１項に記載のフィルタ装置。
  14. 　前記インダクタが、複数の前記配線電極と、前記配線電極同士を接続しているビア電極と、を有する、請求項１３に記載のフィルタ装置。
  15. 　前記複数の共振子が、圧電体層と、前記圧電体層上に設けられているＩＤＴ電極と、前記圧電体層上に設けられており、かつ各前記ＩＤＴ電極を囲んでいる開口部を有する支持部材と、前記開口部を覆うように、前記支持部材上に設けられているカバー部材と、を含み、
    　前記インダクタが、前記カバー部材に設けられている、請求項１３または１４に記載のフィルタ装置。
  16. 　前記複数の共振子が配置されている実装基板をさらに備え、
    　前記インダクタが、前記実装基板に設けられている、請求項１３または１４に記載のフィルタ装置。
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