JP5799990B2 - チューナブルフィルタ - Google Patents
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Description
{(2−t/0.9)×(1+y)−(2+t/0.9)}/{(2+t/0.9)×y}×100(%) ・・・(1)
図1(a)は、本発明の第1の実施形態に係るチューナブルフィルタの回路図であり、(b)は、該チューナブルフィルタに用いられる弾性表面波共振子の模式的平面図であり、(c)は、(b)中のI−I線に沿う部分の正面断面図である。(d)は、(c)中のSiO2膜が存在しない構造の正面断面図である。
図2の実線は、15°YカットX伝搬のLiNbO3基板、すなわちオイラー角で(0°,105°,0°)のLiNbO3基板を用い、電極材料としてAlを用い、弾性表面波共振子の波長をλとしたときに、IDT電極12の膜厚を0.17λとし、SiO2膜の膜厚を0.22λとしたときの弾性表面波共振子のインピーダンス特性及び位相特性を示す図である。比較のために、SiO2膜が形成されていないことを除いては、同様に形成された図1(d)に示す弾性表面波共振子のインピーダンス−周波数特性及び位相特性を図2に破線で示す。
オイラー角が(0°,126°,0°)のLiTaO3基板を圧電基板として用い、電極材料としてAuを用い、圧電基板を覆うようにSiO2膜を成膜し、種々の構造の弾性表面波共振子を作製した。弾性表面波共振子のIDT電極の電極指ピッチで定まる波長をλとしたときに、SiO2膜の厚みhを波長λで規格化してなる規格化厚みh/λは0.3とした。用意した弾性表面波共振子としては、以下の第1〜第5の弾性表面波共振子A〜Eを用意した。
後述の図8の実線で示した弾性表面波共振子を用いた上記チューナブルフィルタ1の周波数特性を図6に示す。ここでは、可変コンデンサC2と可変コンデンサC3との容量を等しくし、可変コンデンサCP1と可変コンデンサCP2との容量を等しくした構造において、静電容量を図6に示すように変化させた場合の周波数特性を図6に示す。なお、帯域幅拡大用インダクタンスLxのインダクタンス値は4.5nHとした。
本実施形態のチューナブルフィルタ1では、弾性表面波共振子をパッケージと電気的に接続するボンディングワイヤにより帯域幅拡大用インダクタンスLxが構成されている。この場合には、帯域幅拡大用インダクタンスLxを構成するための余分な部品を必要としないので、小型化を図ることができる。このようなボンディングワイヤにより帯域幅拡大用インダクタンスLxを構成した具体的な構造の例を、図10及び図11を参照して説明する。
上記第1の実施形態では、ボンディングワイヤからなる帯域幅拡大用インダクタンスを用いたが、図12(a)に示すようにパッケージ205に形成されたミアンダ状の導体パターンからなる帯域幅拡大用インダクタンス221を用いてもよい。
以下、図13〜16を参照しつつ、第1の実施形態のチューナブルフィルタにおける変形例を説明する。
図28は、本発明の第2の実施形態のチューナブルフィルタを示す回路図である。第2の実施形態は、本願の第2の発明の実施形態である。第2の実施形態のチューナブルフィルタ601では、入力端子602と出力端子603とを結ぶ直列腕において、直列腕共振子S1及びS2が互いに直列に接続されている。直列腕共振子S1の入力側には、可変コンデンサCssが接続されており、直列腕共振子S2の出力側には、他の可変コンデンサCssが接続されている。また、直列腕共振子S1に並列に可変コンデンサCspが接続されており、直列腕共振子S2にも並列に可変コンデンサCspが接続されている。
第2の組み合わせ:Css=1.5pF、Csp=0.5pF、Cps=7pF、Cpp=2.3pF
第3の組み合わせ:Css=0.5pF、Csp=0pF、Cps=2.3pF、Cpp=0pF
{(2−t/0.9)×(1+y)−(2+t/0.9)}/{(2+t/0.9)×y}×100(%) ・・・(1)
t≒2×(FaP−FrS)/(FaP+FrS)×0.9×100(%)
である。従って、適した可変幅は、得られるフィルタ特性を考慮すると、0.7×t〜0.9×tの間である。よって、最小の3dB帯域幅は、(FrS−FrP)×0.9あるいは(FaS−FaP)×0.9のいずれか小さいほうで、最大周波数可変幅は140×(FaP−FrS)/(FaP+FrS)(%)から180×(FaP−FrS)/(FaP+FrS)(%)、が得られる。
図35〜図39を参照して、第2の実施形態の変形例に係るラダー型チューナブルフィルタを説明する。図37に回路図で示すように、本実施形態のラダー型チューナブルフィルタ61は、入力端子62と出力端子63と、グラウンド電位に接続されるグラウンド端子64とを有する。入力端子62と出力端子63とを結ぶ直列腕に、第1,第2のバルク波共振子65,66が互いに直列に挿入されている。また、入力端子62と第1のバルク波共振子65との間に、第1の可変コンデンサCSs1が接続されている。第1のバルク波共振子65に並列に可変コンデンサCSp1が接続されている。
第2の組み合わせ:S−Cs=0.6pF、S−Cp=0.6pF、P−Cs=4.0pF、P−Cp=3.0pF。
第3の組み合わせ:S−Cs=0.2pF、S−Cp=0pF,P−Cs=0.8pF、P−Cp=0pF。
第2の組み合わせ:S−Cs=0.2pF、S−Cp=0.26pF、P−Cs=0.8pF、P−Cp=1.0pF。
第3の組み合わせ:S−Cs=0.08pF、S−Cp=0.2pF、P−Cs=0.3pF、P−Cp=0pF。
11…圧電基板
11a…上面
11b…溝
12…IDT電極
12a,12b…くし歯電極
13,14…反射器
15…SiO2膜
22…入力端子
23…出力端子
41…チューナブルフィルタ
51…チューナブルフィルタ
61…チューナブルフィルタ
62…入力端子
63…出力端子
64…グラウンド端子
65〜67…第1〜第3のバルク波共振子
68…基板
68a…貫通孔
68b…凹部
69…圧電薄膜
70…共通励振電極
70A…第2の励振電極
71A…第1の励振電極
71,72…分割励振電極
81,82…バルク波共振子
200…圧電基板
201〜203…端子
201A…端子
202A…端子
205…パッケージ
206〜209…電極
211〜214…ボンディングワイヤ
221…帯域幅拡大用インダクタンス
221A…帯域幅拡大用インダクタンス
301…第2のチューナブルフィルタ
302…インダクタンス
303…可変コンデンサ
304…チューナブルフィルタ
601…チューナブルフィルタ
602…入力端子
603…出力端子
701…ラダー型フィルタ
702…入力端子
704…ラダー型フィルタ
705…入力端子
C1〜C4…コンデンサ
CP1,CP2…コンデンサ
L1…インダクタンス
P1…並列腕共振子
S1,S2…直列腕共振子
S11,S12…直列腕共振子回路部
Claims (8)
- 直列腕に設けられた直列腕共振子と、並列腕に設けられた並列腕共振子と、直列腕共振子及び並列腕共振子の少なくとも一方に接続された可変コンデンサとを備えるラダー型回路構成のチューナブルフィルタにおいて、
前記直列腕共振子の共振周波数及び反共振周波数をFrS、FaSとし、
前記並列腕共振子の共振周波数及び反共振周波数をFrP、FaPとしたときに、FrS≦{(n−1)FrP+FaP}/nかつFaP≦{(n−1)FaS+FrS}/nであり、nが2以上、30以下の整数であり、
チューナブルフィルタの中心周波数が変動可能な幅(FaP−FrS)を(FaP+FrS)/2で規格化してなる値をtとし、
直列腕共振子及び並列腕共振子の共振周波数と反共振周波数の差の絶対値をそれぞれの共振周波数で規格化した値をyとしたときに、
前記直列腕共振子及び並列腕共振子は同一の比帯域幅yを有し、
Δfr=FrS−FrPのFrPに対する比であるΔfr/FrPを前記比帯域幅yで規格化した値が、以下の式(1)で示す値以下とされている、チューナブルフィルタ。 {(2−t/0.9)×(1+y)−(2+t/0.9)}/{(2+t/0.9)×y}×100(%) ・・・(1) - 直列腕共振子の比帯域幅及び並列腕共振子の比帯域幅がいずれも13%以上、60%以下である、請求項1〜3のいずれか1項に記載のチューナブルフィルタ。
- 前記直列腕共振子及び並列腕共振子が、バルク波共振子からなり、該バルク波共振子が、上面に開いたキャビティを有する基板と、前記基板のキャビティを覆うように基板上に設けられた圧電薄膜あるいは圧電薄板と、前記圧電薄膜あるいは圧電薄板の下面であって前記キャビティに臨む部分に設けられた第1の励振電極と、
前記圧電薄膜あるいは圧電薄板の上面に設けられており、かつ前記第1の励振電極と圧電薄膜あるいは圧電薄板を介して対向するように配置されている第2の励振電極とを有する、請求項1〜4のいずれか1項に記載のチューナブルフィルタ。 - 前記バルク波共振子が厚みすべり振動共振子である、請求項6に記載のチューナブルフィルタ。
- 前記バルク波共振子が厚み縦振動共振子である、請求項6に記載のチューナブルフィルタ。
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US9780756B2 (en) | 2013-08-01 | 2017-10-03 | Qorvo Us, Inc. | Calibration for a tunable RF filter structure |
US9628045B2 (en) | 2013-08-01 | 2017-04-18 | Qorvo Us, Inc. | Cooperative tunable RF filters |
US9294045B2 (en) | 2013-03-15 | 2016-03-22 | Rf Micro Devices, Inc. | Gain and phase calibration for closed loop feedback linearized amplifiers |
US9859863B2 (en) | 2013-03-15 | 2018-01-02 | Qorvo Us, Inc. | RF filter structure for antenna diversity and beam forming |
US9825656B2 (en) | 2013-08-01 | 2017-11-21 | Qorvo Us, Inc. | Weakly coupled tunable RF transmitter architecture |
US9705478B2 (en) | 2013-08-01 | 2017-07-11 | Qorvo Us, Inc. | Weakly coupled tunable RF receiver architecture |
US9755671B2 (en) | 2013-08-01 | 2017-09-05 | Qorvo Us, Inc. | VSWR detector for a tunable filter structure |
US9871499B2 (en) | 2013-03-15 | 2018-01-16 | Qorvo Us, Inc. | Multi-band impedance tuners using weakly-coupled LC resonators |
US9455680B2 (en) | 2013-06-06 | 2016-09-27 | Qorvo Us, Inc. | Tunable RF filter structure formed by a matrix of weakly coupled resonators |
US9774311B2 (en) | 2013-03-15 | 2017-09-26 | Qorvo Us, Inc. | Filtering characteristic adjustments of weakly coupled tunable RF filters |
US9685928B2 (en) | 2013-08-01 | 2017-06-20 | Qorvo Us, Inc. | Interference rejection RF filters |
JP5751278B2 (ja) * | 2013-05-15 | 2015-07-22 | 株式会社村田製作所 | 圧電バルク波共振子 |
WO2014192754A1 (ja) | 2013-05-28 | 2014-12-04 | 株式会社村田製作所 | チューナブルフィルタ |
US9705542B2 (en) * | 2013-06-06 | 2017-07-11 | Qorvo Us, Inc. | Reconfigurable RF filter |
US9966981B2 (en) | 2013-06-06 | 2018-05-08 | Qorvo Us, Inc. | Passive acoustic resonator based RF receiver |
US9780817B2 (en) | 2013-06-06 | 2017-10-03 | Qorvo Us, Inc. | RX shunt switching element-based RF front-end circuit |
US9800282B2 (en) | 2013-06-06 | 2017-10-24 | Qorvo Us, Inc. | Passive voltage-gain network |
US9178487B2 (en) * | 2013-06-28 | 2015-11-03 | Nokia Technologies Oy | Methods and apparatus for signal filtering |
CN105453429B (zh) * | 2013-08-06 | 2018-02-09 | 株式会社村田制作所 | 高频模块 |
JP6142924B2 (ja) * | 2013-08-21 | 2017-06-07 | 株式会社村田製作所 | チューナブルフィルタ |
CN105580274B (zh) * | 2013-09-26 | 2018-08-21 | 株式会社村田制作所 | 谐振器及高频滤波器 |
KR101853217B1 (ko) | 2013-09-26 | 2018-04-27 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 공진 회로 및 고주파 필터 |
JP6380400B2 (ja) | 2013-09-26 | 2018-08-29 | 株式会社村田製作所 | 周波数可変フィルタ |
JP5874718B2 (ja) * | 2013-12-06 | 2016-03-02 | 株式会社村田製作所 | 周波数可変共振回路および周波数可変フィルタ |
DE112014005637B4 (de) * | 2013-12-13 | 2020-10-08 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Frequenzvariables Filter |
JP6164306B2 (ja) * | 2013-12-27 | 2017-07-19 | 株式会社村田製作所 | 分波装置 |
WO2015099105A1 (ja) | 2013-12-27 | 2015-07-02 | 株式会社村田製作所 | 高周波フィルタ |
JP5950363B2 (ja) * | 2013-12-28 | 2016-07-13 | 株式会社弾性波デバイスラボ | 弾性表面波変換器 |
JP2015228638A (ja) * | 2013-12-28 | 2015-12-17 | 株式会社弾性波デバイスラボ | 可変周波数弾性波変換器とこれを用いた電子装置 |
CN106031035B (zh) * | 2014-02-10 | 2018-11-30 | 株式会社村田制作所 | 可变滤波电路及无线通信装置 |
DE102014102707A1 (de) | 2014-02-28 | 2015-09-03 | Epcos Ag | Abstimmbares elektroakustisches HF-Filter mit verbesserten elektrischen Eigenschaften und Verfahren zum Betrieb eines solchen Filters |
WO2016000873A1 (en) | 2014-06-30 | 2016-01-07 | Epcos Ag | Rf filter circuit, rf filter with improved attenuation and duplexer with improved isolation |
DE102014111912B4 (de) | 2014-08-20 | 2024-06-13 | Snaptrack, Inc. | HF-Filter |
DE102014111901B4 (de) * | 2014-08-20 | 2019-05-23 | Snaptrack, Inc. | Duplexer |
DE102014111909B3 (de) | 2014-08-20 | 2016-02-04 | Epcos Ag | Abstimmbares HF-Filter mit Serienresonatoren |
DE102014111904A1 (de) | 2014-08-20 | 2016-02-25 | Epcos Ag | Abstimmbares HF-Filter mit Parallelresonatoren |
JP6344161B2 (ja) * | 2014-09-03 | 2018-06-20 | 株式会社村田製作所 | ラダー型フィルタ及びデュプレクサ |
CN105471404A (zh) * | 2014-09-11 | 2016-04-06 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 阻抗匹配网络及等离子体处理设备 |
CN104333346A (zh) * | 2014-11-27 | 2015-02-04 | 王少夫 | 一种新型超宽带压电滤波器 |
WO2017006867A1 (ja) * | 2015-07-06 | 2017-01-12 | 株式会社村田製作所 | 高周波モジュール |
FR3039708B1 (fr) * | 2015-07-31 | 2019-08-09 | Senseor | Resonateur a ondes elastiques de surface simple port sur substrat a forte permittivite |
US10796835B2 (en) | 2015-08-24 | 2020-10-06 | Qorvo Us, Inc. | Stacked laminate inductors for high module volume utilization and performance-cost-size-processing-time tradeoff |
WO2017043154A1 (ja) | 2015-09-09 | 2017-03-16 | 株式会社村田製作所 | 周波数可変フィルタ、高周波フロントエンド回路 |
WO2017043155A1 (ja) * | 2015-09-09 | 2017-03-16 | 株式会社村田製作所 | 周波数可変lcフィルタ、高周波フロントエンド回路 |
CN108352823B (zh) * | 2015-10-19 | 2021-09-10 | 株式会社村田制作所 | 频率可变滤波器、rf前端电路、通信装置 |
JP6601503B2 (ja) * | 2015-10-23 | 2019-11-06 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置 |
US9608595B1 (en) * | 2015-11-13 | 2017-03-28 | Resonant Inc. | Acoustic wave filter with enhanced rejection |
US10305447B2 (en) | 2015-11-13 | 2019-05-28 | Resonant Inc. | Acoustic wave filter with enhanced rejection |
CN108463949B (zh) * | 2016-01-15 | 2022-07-05 | 瑞典爱立信有限公司 | 微型可调谐滤波器 |
JP6879291B2 (ja) * | 2016-02-18 | 2021-06-02 | 日本電気株式会社 | 周波数選択板、アンテナ、無線通信装置、およびレーダ装置 |
KR102588800B1 (ko) * | 2016-02-22 | 2023-10-13 | 삼성전기주식회사 | 음향파 필터 장치 및 이의 제조방법 |
CN108781065B (zh) * | 2016-03-08 | 2022-05-17 | 株式会社村田制作所 | 弹性波装置 |
EP3229359A1 (en) * | 2016-04-06 | 2017-10-11 | Neumüller Elektronik GmbH | Resonant converter and power device with such a converter |
DE112017001943T5 (de) * | 2016-04-08 | 2019-04-25 | Resonant Inc. | Funkfrequenzfilter, Triplexer hoher Selektivität und Kommunikationsvorrichtung |
WO2017204348A1 (ja) * | 2016-05-27 | 2017-11-30 | 株式会社村田製作所 | 高周波フィルタ回路、高周波フロントエンド回路及び通信装置 |
DE102016114662B4 (de) * | 2016-08-08 | 2022-03-03 | Snaptrack, Inc. | Rekonfigurierbares mikroakustisches Filter und Duplexer mit rekonfigurierbarem mikroakustischem Filter |
JP6773128B2 (ja) * | 2016-11-25 | 2020-10-21 | 株式会社村田製作所 | 弾性波フィルタ装置 |
US11139238B2 (en) | 2016-12-07 | 2021-10-05 | Qorvo Us, Inc. | High Q factor inductor structure |
EP3568913A4 (en) * | 2017-01-10 | 2020-09-02 | Wispry, Inc. | ADJUSTABLE FILTER SYSTEMS, DEVICES AND PROCEDURES |
WO2018151218A1 (ja) * | 2017-02-20 | 2018-08-23 | 株式会社村田製作所 | フィルタ装置、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路、および通信装置 |
CN110431744B (zh) * | 2017-03-15 | 2023-07-21 | 株式会社村田制作所 | 多工器、高频前端电路以及通信装置 |
CN107192601A (zh) * | 2017-05-23 | 2017-09-22 | 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 | 一种岩石细观裂纹及声力学同步检测系统 |
CN117318668A (zh) * | 2017-05-24 | 2023-12-29 | 安乐泰克有限公司 | 用于控制谐振器的装置和方法 |
JP6708177B2 (ja) * | 2017-07-21 | 2020-06-10 | 株式会社村田製作所 | 高周波フィルタ、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路および通信装置 |
CN111133678B (zh) * | 2017-09-28 | 2023-08-22 | 株式会社村田制作所 | 滤波器装置、多工器、高频前端电路以及通信装置 |
WO2019106705A1 (ja) * | 2017-11-28 | 2019-06-06 | 株式会社野田スクリーン | Lc共振素子および共振素子アレイ |
EP3506499B1 (en) | 2017-12-07 | 2023-08-02 | Infineon Technologies AG | Integrated rf filter using tunable baw resonator elements |
CN111602337B (zh) * | 2018-01-12 | 2023-09-12 | 株式会社村田制作所 | 弹性波装置、多工器、高频前端电路及通信装置 |
US11323090B2 (en) | 2018-06-15 | 2022-05-03 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator using Y-X-cut lithium niobate for high power applications |
US11206009B2 (en) | 2019-08-28 | 2021-12-21 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with interdigital transducer with varied mark and pitch |
US11323096B2 (en) | 2018-06-15 | 2022-05-03 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with periodic etched holes |
US10790802B2 (en) | 2018-06-15 | 2020-09-29 | Resonant Inc. | Transversely excited film bulk acoustic resonator using rotated Y-X cut lithium niobate |
US11509279B2 (en) | 2020-07-18 | 2022-11-22 | Resonant Inc. | Acoustic resonators and filters with reduced temperature coefficient of frequency |
US11936358B2 (en) | 2020-11-11 | 2024-03-19 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with low thermal impedance |
US10756697B2 (en) | 2018-06-15 | 2020-08-25 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator |
US11323089B2 (en) | 2018-06-15 | 2022-05-03 | Resonant Inc. | Filter using piezoelectric film bonded to high resistivity silicon substrate with trap-rich layer |
US20220116015A1 (en) | 2018-06-15 | 2022-04-14 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with optimized electrode thickness, mark, and pitch |
US11929731B2 (en) | 2018-02-18 | 2024-03-12 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with optimized electrode mark, and pitch |
US11146232B2 (en) | 2018-06-15 | 2021-10-12 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with reduced spurious modes |
KR101993141B1 (ko) * | 2018-05-17 | 2019-06-26 | (주)에드모텍 | 반사손실 특성 및 주파수억제 특성을 개선한 가변필터 |
US11228296B2 (en) | 2018-06-15 | 2022-01-18 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with a cavity having a curved perimeter |
US11888463B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-01-30 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Multi-port filter using transversely-excited film bulk acoustic resonators |
US11901878B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-02-13 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonators with two-layer electrodes with a wider top layer |
US12009798B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-06-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonators with electrodes having irregular hexagon cross-sectional shapes |
US11201601B2 (en) | 2018-06-15 | 2021-12-14 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with multiple diaphragm thicknesses and fabrication method |
US11876498B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-01-16 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with multiple diaphragm thicknesses and fabrication method |
US11323091B2 (en) | 2018-06-15 | 2022-05-03 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with diaphragm support pedestals |
US11967945B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-04-23 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversly-excited film bulk acoustic resonators and filters |
US11146238B2 (en) | 2018-06-15 | 2021-10-12 | Resonant Inc. | Film bulk acoustic resonator fabrication method |
US11996822B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-05-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Wide bandwidth time division duplex transceiver |
US11323095B2 (en) | 2018-06-15 | 2022-05-03 | Resonant Inc. | Rotation in XY plane to suppress spurious modes in XBAR devices |
US11329628B2 (en) | 2020-06-17 | 2022-05-10 | Resonant Inc. | Filter using lithium niobate and lithium tantalate transversely-excited film bulk acoustic resonators |
US11728785B2 (en) | 2018-06-15 | 2023-08-15 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator using pre-formed cavities |
US11171629B2 (en) | 2018-06-15 | 2021-11-09 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator using pre-formed cavities |
US10826462B2 (en) * | 2018-06-15 | 2020-11-03 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonators with molybdenum conductors |
US11949402B2 (en) | 2020-08-31 | 2024-04-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Resonators with different membrane thicknesses on the same die |
US11349452B2 (en) | 2018-06-15 | 2022-05-31 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic filters with symmetric layout |
US11264966B2 (en) | 2018-06-15 | 2022-03-01 | Resonant Inc. | Solidly-mounted transversely-excited film bulk acoustic resonator with diamond layers in Bragg reflector stack |
US11909381B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-02-20 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonators with two-layer electrodes having a narrower top layer |
US11916539B2 (en) | 2020-02-28 | 2024-02-27 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Split-ladder band N77 filter using transversely-excited film bulk acoustic resonators |
US11374549B2 (en) | 2018-06-15 | 2022-06-28 | Resonant Inc. | Filter using transversely-excited film bulk acoustic resonators with divided frequency-setting dielectric layers |
US11349450B2 (en) | 2018-06-15 | 2022-05-31 | Resonant Inc. | Symmetric transversely-excited film bulk acoustic resonators with reduced spurious modes |
KR102066959B1 (ko) * | 2018-07-17 | 2020-01-16 | 삼성전기주식회사 | 필터 |
JP2020014104A (ja) * | 2018-07-18 | 2020-01-23 | 株式会社村田製作所 | フィルタおよびマルチプレクサ |
CN109672013B (zh) * | 2018-11-27 | 2020-09-29 | 京信通信技术(广州)有限公司 | 双工器及其滤波器 |
US11901873B2 (en) | 2019-03-14 | 2024-02-13 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with partial BRAGG reflectors |
JP2022524136A (ja) | 2019-03-14 | 2022-04-27 | レゾナント インコーポレイテッド | ハーフラムダ誘電体層を有する横方向に励起されたフィルムバルク音響共振器 |
WO2020203092A1 (ja) * | 2019-03-29 | 2020-10-08 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
CN110011311A (zh) * | 2019-05-16 | 2019-07-12 | 中国测试技术研究院电子研究所 | 一种谐波控制装置 |
CN114375544A (zh) * | 2019-08-08 | 2022-04-19 | 国立大学法人东北大学 | 弹性波器件 |
JP7378723B2 (ja) * | 2019-09-30 | 2023-11-14 | 国立大学法人東北大学 | 弾性波デバイス |
JP7215413B2 (ja) * | 2019-12-27 | 2023-01-31 | 株式会社村田製作所 | 弾性波フィルタ |
CN111200419B (zh) * | 2020-01-16 | 2021-08-10 | 诺思(天津)微系统有限责任公司 | 一种滤波器、双工器、高频前端电路及通信装置 |
US20210273629A1 (en) | 2020-02-28 | 2021-09-02 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with multi-pitch interdigital transducer |
CN113541634A (zh) | 2020-04-20 | 2021-10-22 | 谐振公司 | 具有增强q因子的小横向激励的薄膜体声波谐振器 |
WO2021221162A1 (ja) * | 2020-04-30 | 2021-11-04 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
US11811391B2 (en) | 2020-05-04 | 2023-11-07 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with etched conductor patterns |
US11469733B2 (en) | 2020-05-06 | 2022-10-11 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonators with interdigital transducer configured to reduce diaphragm stress |
WO2021246446A1 (ja) * | 2020-06-03 | 2021-12-09 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
WO2021246447A1 (ja) * | 2020-06-04 | 2021-12-09 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
US11817845B2 (en) | 2020-07-09 | 2023-11-14 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method for making transversely-excited film bulk acoustic resonators with piezoelectric diaphragm supported by piezoelectric substrate |
US11264969B1 (en) | 2020-08-06 | 2022-03-01 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator comprising small cells |
US11671070B2 (en) | 2020-08-19 | 2023-06-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonators using multiple dielectric layer thicknesses to suppress spurious modes |
US11271539B1 (en) | 2020-08-19 | 2022-03-08 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with tether-supported diaphragm |
US20220060174A1 (en) * | 2020-08-21 | 2022-02-24 | RF360 Europe GmbH | Baw resonator with improved performance |
CN112087218B (zh) * | 2020-08-27 | 2023-11-17 | 中国科学技术大学 | 一种基于声表面波谐振器的连续可调双带带阻滤波器 |
US11894835B2 (en) | 2020-09-21 | 2024-02-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Sandwiched XBAR for third harmonic operation |
US11658639B2 (en) | 2020-10-05 | 2023-05-23 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator matrix filters with noncontiguous passband |
US11728784B2 (en) | 2020-10-05 | 2023-08-15 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator matrix filters with split die sub-filters |
US11929733B2 (en) | 2020-10-05 | 2024-03-12 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator matrix filters with input and output impedances matched to radio frequency front end elements |
US11476834B2 (en) | 2020-10-05 | 2022-10-18 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator matrix filters with switches in parallel with sub-filter shunt capacitors |
US11405017B2 (en) | 2020-10-05 | 2022-08-02 | Resonant Inc. | Acoustic matrix filters and radios using acoustic matrix filters |
US12003226B2 (en) | 2020-11-11 | 2024-06-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with low thermal impedance |
US11496113B2 (en) | 2020-11-13 | 2022-11-08 | Resonant Inc. | XBAR devices with excess piezoelectric material removed |
US11405020B2 (en) | 2020-11-26 | 2022-08-02 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonators with structures to reduce acoustic energy leakage |
CN112865744A (zh) * | 2021-01-11 | 2021-05-28 | 武汉大学 | 一种基于超高带宽声波谐振器的带宽调节方法 |
US11239816B1 (en) | 2021-01-15 | 2022-02-01 | Resonant Inc. | Decoupled transversely-excited film bulk acoustic resonators |
CN113541635B (zh) * | 2021-06-30 | 2024-02-06 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 基于相位扰动层的高线性相位薄膜体声波滤波器 |
Family Cites Families (42)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2037171A (en) * | 1933-06-23 | 1936-04-14 | Bell Telephone Labor Inc | Wave filter |
US2222417A (en) * | 1938-09-24 | 1940-11-19 | Bell Telephone Labor Inc | Wave filter |
DE730124C (de) * | 1941-01-04 | 1943-01-07 | Telefunken Gmbh | Kristallbrueckenfilter mit veraenderbarer Bandbreite |
JPH01157108A (ja) * | 1987-12-14 | 1989-06-20 | Victor Co Of Japan Ltd | 圧電薄膜共振子 |
JP2800905B2 (ja) * | 1991-10-28 | 1998-09-21 | 富士通株式会社 | 弾性表面波フィルタ |
US5291159A (en) * | 1992-07-20 | 1994-03-01 | Westinghouse Electric Corp. | Acoustic resonator filter with electrically variable center frequency and bandwidth |
JP3445811B2 (ja) * | 1992-09-14 | 2003-09-08 | 株式会社日立製作所 | 高周波回路装置および無線機 |
US5422615A (en) | 1992-09-14 | 1995-06-06 | Hitachi, Ltd. | High frequency circuit device |
JP3191473B2 (ja) * | 1993-03-09 | 2001-07-23 | 三菱電機株式会社 | 弾性表面波フィルタ |
US5471178A (en) * | 1994-02-03 | 1995-11-28 | Motorola, Inc. | Ladder filter and method for producing conjugately matched impedance |
JPH08148968A (ja) * | 1994-11-24 | 1996-06-07 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜圧電素子 |
JPH09162684A (ja) * | 1995-12-11 | 1997-06-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 圧電共振子 |
JPH1013187A (ja) * | 1996-06-19 | 1998-01-16 | Oki Electric Ind Co Ltd | はしご型フィルタ |
US5933062A (en) * | 1997-11-04 | 1999-08-03 | Motorola Inc. | Acoustic wave ladder filter with effectively increased coupling coefficient and method of providing same |
WO1999056391A1 (fr) * | 1998-04-28 | 1999-11-04 | Tdk Corporation | Vibreur volumique piezoelectrique |
JP2000151356A (ja) * | 1998-11-11 | 2000-05-30 | Oki Electric Ind Co Ltd | 共振器型弾性表面波フィルタ |
JP2002299997A (ja) * | 2001-03-30 | 2002-10-11 | Kyocera Corp | 弾性表面波フィルタ |
US7030718B1 (en) * | 2002-08-09 | 2006-04-18 | National Semiconductor Corporation | Apparatus and method for extending tuning range of electro-acoustic film resonators |
JP2005033246A (ja) * | 2003-07-07 | 2005-02-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Sawフィルタとそれを用いた電子デバイス |
JP2005045475A (ja) | 2003-07-28 | 2005-02-17 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波装置、通信機 |
FR2864727B1 (fr) * | 2003-12-29 | 2007-05-11 | St Microelectronics Sa | Circuit electronique comportant un resonateur destine a etre integre dans un produit semi-conducteur |
JP4053504B2 (ja) * | 2004-01-30 | 2008-02-27 | 株式会社東芝 | チューナブルフィルタ |
JP2006135921A (ja) * | 2004-10-06 | 2006-05-25 | Epson Toyocom Corp | ラダー型フィルタとこれを用いた装置 |
JP4697229B2 (ja) * | 2005-11-01 | 2011-06-08 | 株式会社村田製作所 | 弾性波フィルタ装置 |
JP4963193B2 (ja) * | 2006-03-07 | 2012-06-27 | 日本碍子株式会社 | 圧電薄膜デバイス |
JP4739068B2 (ja) * | 2006-03-08 | 2011-08-03 | 日本碍子株式会社 | 圧電薄膜デバイス |
JP4877966B2 (ja) * | 2006-03-08 | 2012-02-15 | 日本碍子株式会社 | 圧電薄膜デバイス |
JP5213708B2 (ja) * | 2006-06-16 | 2013-06-19 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置の製造方法 |
JP4760908B2 (ja) * | 2006-07-05 | 2011-08-31 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置 |
FR2904492A1 (fr) * | 2006-07-28 | 2008-02-01 | St Microelectronics Sa | Circuit de filtrage dote de resonateurs acoustiques |
JP4963229B2 (ja) * | 2006-12-26 | 2012-06-27 | 日本碍子株式会社 | 圧電薄膜デバイス |
US7646265B2 (en) * | 2007-04-11 | 2010-01-12 | Maxim Integrated Products, Inc. | BAW resonator filter bandwidth and out-of-band frequency rejection |
JP2009005143A (ja) * | 2007-06-22 | 2009-01-08 | Ngk Insulators Ltd | 圧電薄膜デバイス |
WO2009025057A1 (ja) * | 2007-08-23 | 2009-02-26 | Fujitsu Limited | 分波器、および分波器を含むモジュール、通信機器 |
JP2009130831A (ja) * | 2007-11-27 | 2009-06-11 | Samsung Electronics Co Ltd | チューナブルフィルタ |
CN101689841A (zh) * | 2007-12-25 | 2010-03-31 | 株式会社村田制作所 | 复合压电基板的制造方法 |
CN101911483A (zh) | 2008-01-17 | 2010-12-08 | 株式会社村田制作所 | 声表面波装置 |
JPWO2009119007A1 (ja) * | 2008-03-27 | 2011-07-21 | 株式会社村田製作所 | 弾性波フィルタ装置 |
CN102077465B (zh) * | 2008-06-30 | 2013-06-12 | 株式会社村田制作所 | 带阻滤波器 |
CN102204091B (zh) * | 2008-11-18 | 2014-04-02 | 株式会社村田制作所 | 可调滤波器 |
JP5420564B2 (ja) * | 2008-11-18 | 2014-02-19 | 株式会社村田製作所 | チューナブルフィルタ |
US8339220B2 (en) * | 2009-09-16 | 2012-12-25 | Lojack Operating Company, Lp | Surface acoustic wave resonator filter |
-
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