JP2009005143A - 圧電薄膜デバイス - Google Patents
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Abstract
【課題】圧電薄膜共振子において、振動エネルギーの漏れを減らす。
【解決手段】圧電薄膜共振子1は、支持基板11に支持された圧電体薄膜15の両主面に下面電極14及び上面電極16を形成し、圧電体薄膜15を挟んで下面電極14及び上面電極16を対向させた構造を有する。キャビティ形成膜13は、自由振動領域192の外側の固定領域193に形成され、自由振動領域192において下面電極14と圧電体薄膜15と上面電極16とを積層した振動体10を支持基板11から隔てるキャビティ(空洞)135を形成している。圧電体薄膜15の膜厚は、自由振動領域192の周縁部から中心部へ向かって連続的に薄くなってゆく。
【選択図】図3
【解決手段】圧電薄膜共振子1は、支持基板11に支持された圧電体薄膜15の両主面に下面電極14及び上面電極16を形成し、圧電体薄膜15を挟んで下面電極14及び上面電極16を対向させた構造を有する。キャビティ形成膜13は、自由振動領域192の外側の固定領域193に形成され、自由振動領域192において下面電極14と圧電体薄膜15と上面電極16とを積層した振動体10を支持基板11から隔てるキャビティ(空洞)135を形成している。圧電体薄膜15の膜厚は、自由振動領域192の周縁部から中心部へ向かって連続的に薄くなってゆく。
【選択図】図3
Description
本発明は、単数又は複数の圧電薄膜共振子を含む圧電薄膜デバイスに関する。
圧電薄膜共振子(FBAR;Film Bulk Acoustic Resonator)は、圧電体薄膜の両主面に電極膜を形成し、圧電体薄膜を挟んで電極膜を対向させた構造を有する。圧電薄膜共振子は、厚み縦振動や厚みすべり振動に由来する電気的な応答を利用した共振子となっている。このような圧電薄膜共振子では、振動エネルギーの漏れが振動のQ値の低下の原因となるため、振動エネルギーを閉じ込めるべく、エネルギー閉じ込め構造が採用されることが多い。
ここで、圧電体薄膜を構成する圧電体材料としてニオブ酸リチウムを用いた場合のように、電極膜の質量によるカットオフ周波数の低下を利用して振動エネルギーを閉じ込める周波数低下型のエネルギー閉じ込め構造を採用することができないときは、圧電体薄膜や電極膜の膜厚を部分的に薄くすることによるカットオフ周波数の上昇を利用して振動エネルギーを閉じ込める周波数上昇型のエネルギー閉じ込め構造を採用する必要がある。
なお、特許文献1は、本願発明と関連する先行技術文献であり、電極膜の膜厚を部分的に変化させる技術を開示している。
しかし、圧電薄膜共振子において周波数上昇型のエネルギー閉じ込め構造を採用する場合、圧電体薄膜や電極膜の膜厚の分布をどのようなものにすれば振動エネルギーの漏れを減らすことができるのかは明確にはなっていない。
本発明は、この問題を解決するためになされたもので、圧電薄膜共振子において周波数上昇型のエネルギー閉じ込め構造を採用する場合に、振動エネルギーの漏れを減らし、振動のQ値を向上することを目的とする。
上記課題を解決するため、請求項1の発明は、単数又は複数の圧電薄膜共振子を含む圧電薄膜デバイスであって、圧電体薄膜と、前記圧電体薄膜の両主面に形成され、対向領域において前記圧電体薄膜を挟んで対向する電極膜と、前記圧電体薄膜と前記電極膜とを積層した振動体を支持する支持基板とを備え、前記振動体が空洞によって前記支持基板から隔てられている自由振動領域の周縁部から中心部に向かって前記圧電体薄膜又は前記電極膜の膜厚が連続的に薄くなってゆく圧電薄膜デバイスである。
請求項2の発明は、前記自由振動領域の周縁部における膜厚t2と前記自由振動領域の中心部における膜厚t1との膜厚差t2−t1が正である請求項1に記載の圧電薄膜デバイスである。
請求項3の発明は、膜厚差t2−t1の膜厚t1に対する比が0.1%以上5%以下である請求項2に記載の圧電薄膜デバイスである。
本発明によれば、自由振動領域からの振動エネルギーの漏れを減らし、振動のQ値を向上することができる。
以下では、単独の圧電薄膜共振子(FBAR;Film Bulk Acoustic Resonator)を例として、本発明の圧電薄膜デバイスの望ましい実施形態について説明する。しかし、以下で説明する実施形態は、本発明の圧電薄膜デバイスが単独の圧電薄膜共振子に限定されることを意味するものではない。すなわち、本発明における圧電薄膜デバイスとは、一般的にいえば、単数又は複数の圧電薄膜共振子を含む圧電薄膜デバイス全般を意味しており、単一の圧電薄膜共振子を含む発振子及びトラップ等並びに複数の圧電薄膜共振子を含むフィルタ、デュプレクサ、トリプレクサ及びトラップ等を包含している。
<1 第1実施形態>
<1.1 全体構造>
図1〜図3は、本発明の第1実施形態の圧電薄膜共振子1の模式図である。図1は、圧電薄膜共振子1の斜視図、図2は、圧電薄膜共振子1の平面図、図3は、図2のA-Aで示される切断線における圧電薄膜共振子1の断面図となっている。
<1.1 全体構造>
図1〜図3は、本発明の第1実施形態の圧電薄膜共振子1の模式図である。図1は、圧電薄膜共振子1の斜視図、図2は、圧電薄膜共振子1の平面図、図3は、図2のA-Aで示される切断線における圧電薄膜共振子1の断面図となっている。
図1〜図3に示すように、圧電薄膜共振子1は、支持基板11の上に、接着層12、キャビティ形成膜13、下面電極14、圧電体薄膜15及び上面電極16,17をこの順序で積層した構造を有している。圧電薄膜共振子1の製造にあたっては、単独で自重に耐え得る圧電体基板195(後述)を除去加工することにより圧電体薄膜15を得ているが、除去加工によって得られる圧電体薄膜15は単独で自重に耐え得ない。このため、圧電薄膜共振子1の製造にあたっては、除去加工に先立って、キャビティ形成膜13及び下面電極14を形成した圧電体基板195を支持体となる支持基板11にあらかじめ接着している。
<1.2 支持基板>
支持基板11は、圧電薄膜共振子1の製造途上で圧電体基板195を除去加工するときに、キャビティ形成膜13及び下面電極14が下面に形成された圧電体基板195を接着層12を介して支持する支持体としての役割を有している。加えて、支持基板11は、圧電薄膜共振子1の製造後に、キャビティ形成膜13及び下面電極14が下面に形成され、上面電極16,17が上面に形成された圧電体薄膜15を接着層12を介して支持する支持体としての役割も有している。したがって、支持基板11には、圧電体基板195を除去加工するときに加わる力に耐え得ることと、圧電薄膜共振子1の製造後にも強度が低下しないこととが要請される。
支持基板11は、圧電薄膜共振子1の製造途上で圧電体基板195を除去加工するときに、キャビティ形成膜13及び下面電極14が下面に形成された圧電体基板195を接着層12を介して支持する支持体としての役割を有している。加えて、支持基板11は、圧電薄膜共振子1の製造後に、キャビティ形成膜13及び下面電極14が下面に形成され、上面電極16,17が上面に形成された圧電体薄膜15を接着層12を介して支持する支持体としての役割も有している。したがって、支持基板11には、圧電体基板195を除去加工するときに加わる力に耐え得ることと、圧電薄膜共振子1の製造後にも強度が低下しないこととが要請される。
支持基板11を構成する材料及び支持基板11の板厚は、このような要請を満足するように、適宜選択することができる。ただし、支持基板11の材料を、圧電体薄膜15を構成する圧電材料と近い熱膨張率、より望ましくは、圧電体薄膜15を構成する圧電材料と同じ熱膨張率を有する材料、例えば、圧電体薄膜15を構成する圧電材料と同じ材料とすれば、圧電薄膜共振子1の製造途上において、熱膨張率の差に起因する反りや破損を抑制することができ、圧電薄膜共振子1の製造後において、熱膨張率の差に起因する特性変動や破損を抑制することができる。なお、熱膨張率に異方性がある材料を用いる場合、支持基板11と圧電体薄膜15とで各方向の熱膨張率がともに同じとなるように配慮することが望ましく、支持基板11と圧電体薄膜15とに同じ圧電材料を用いる場合、支持基板11と圧電体薄膜15とで結晶方位を一致させることが望ましい。
<1.3 接着層>
接着層12は、圧電薄膜共振子1の製造途上で圧電体基板195を除去加工するときに、キャビティ形成膜13及び下面電極14が下面に形成された圧電体基板195を支持基板11に接着固定する役割を有している。加えて、接着層12は、圧電薄膜共振子1の製造後に、キャビティ形成膜13及び下面電極14が下面に形成され、上面電極16,17が上面に形成された圧電体薄膜15を支持基板11に接着固定する役割も有している。したがって、接着層12には、圧電体基板195を除去加工するときに加わる力に耐え得ることと、圧電薄膜共振子1の製造後にも接着力が低下しないこととが要請される。
接着層12は、圧電薄膜共振子1の製造途上で圧電体基板195を除去加工するときに、キャビティ形成膜13及び下面電極14が下面に形成された圧電体基板195を支持基板11に接着固定する役割を有している。加えて、接着層12は、圧電薄膜共振子1の製造後に、キャビティ形成膜13及び下面電極14が下面に形成され、上面電極16,17が上面に形成された圧電体薄膜15を支持基板11に接着固定する役割も有している。したがって、接着層12には、圧電体基板195を除去加工するときに加わる力に耐え得ることと、圧電薄膜共振子1の製造後にも接着力が低下しないこととが要請される。
このような要請を満足する接着層12の望ましい例としては、有機接着剤、望ましくは、充填効果を有し、接着対象が完全に平坦ではなくても十分な接着力を発揮するエポキシ接着剤(熱硬化性を利用するエポキシ樹脂の接着剤)やアクリル接着剤(光硬化性及び熱硬化性を併用するアクリル樹脂の接着剤)により形成された接着層12を挙げることができる。このような樹脂を採用することにより、支持基板11と圧電体基板195との間に期待しない空隙が生じることを防止し、当該空隙により圧電体基板195の除去加工時にクラック等が発生することを防止可能である。ただし、このことは、これ以外の接着層12によって支持基板11と圧電体薄膜15とが接着固定されることを妨げるものではない。
<1.4 キャビティ形成膜>
キャビティ形成膜13は、絶縁材料を成膜することにより得られた絶縁体膜である。キャビティ形成膜13は、自由振動領域192の外側の固定領域193に形成され、自由振動領域192において下面電極14と圧電体薄膜15と上面電極16とを積層した振動体10を支持基板11から隔てるキャビティ(空洞)135を形成している。このようなスペーサとしての役割を有するキャビティ形成膜13により、振動体10を支持基板11で支持しつつ、自由振動領域192において振動体10が支持基板11と干渉することを防止することができるようになる。キャビティ形成膜13を構成する絶縁材料は、特に制限されないが、二酸化ケイ素(SiO2)等の絶縁材料から選択することが望ましい。
キャビティ形成膜13は、絶縁材料を成膜することにより得られた絶縁体膜である。キャビティ形成膜13は、自由振動領域192の外側の固定領域193に形成され、自由振動領域192において下面電極14と圧電体薄膜15と上面電極16とを積層した振動体10を支持基板11から隔てるキャビティ(空洞)135を形成している。このようなスペーサとしての役割を有するキャビティ形成膜13により、振動体10を支持基板11で支持しつつ、自由振動領域192において振動体10が支持基板11と干渉することを防止することができるようになる。キャビティ形成膜13を構成する絶縁材料は、特に制限されないが、二酸化ケイ素(SiO2)等の絶縁材料から選択することが望ましい。
<1.5 圧電体薄膜>
圧電体薄膜15は、圧電体基板195を除去加工することにより得られる。より具体的には、圧電体薄膜15は、単独で自重に耐え得る厚み(例えば、50μm以上)を有する圧電体基板195を、単独で自重に耐え得ない膜厚(例えば、10μm以下)まで除去加工で薄肉化することにより得られる。
圧電体薄膜15は、圧電体基板195を除去加工することにより得られる。より具体的には、圧電体薄膜15は、単独で自重に耐え得る厚み(例えば、50μm以上)を有する圧電体基板195を、単独で自重に耐え得ない膜厚(例えば、10μm以下)まで除去加工で薄肉化することにより得られる。
圧電体薄膜15を構成する圧電材料としては、所望の圧電特性を有する圧電材料を選択することができるが、水晶(SiO2)、ニオブ酸リチウム(LiNbO3)、タンタル酸リチウム(LiTaO3)、四ホウ酸リチウム(Li2B4O7)、酸化亜鉛(ZnO)、ニオブ酸カリウム(KNbO3)及びランガサイト(La3Ga3SiO14)等の粒界を含まない単結晶材料を選択することが望ましい。圧電体薄膜15を構成する圧電材料として単結晶材料を用いることにより、圧電体薄膜15の電気機械結合係数及び機械的品質係数を向上することができるからである。
また、圧電体薄膜15における結晶方位も、所望の圧電特性を有する結晶方位を選択することができる。ここで、圧電体薄膜15における結晶方位は、圧電薄膜共振子1の共振周波数や反共振周波数の温度特性が良好となる結晶方位とすることが望ましく、周波数温度係数が「0」となる結晶方位とすることがさらに望ましい。
圧電体基板195の除去加工は、切削、研削及び研磨等の機械加工並びにエッチング等の化学加工等により行う。ここで、複数の除去加工方法を組み合わせ、加工速度が速い除去加工方法から、加工対象に生じる加工変質が小さい除去加工方法へと除去加工方法を段階的に切り替えながら圧電体基板を除去加工すれば、高い生産性を維持しつつ、圧電体薄膜15の品質を向上し、圧電薄膜共振子1の特性を向上することができる。例えば、圧電体基板195を固定砥粒に接触させて削る研削及び圧電体基板195を遊離砥粒に接触させて削る研磨を順次行った後に、当該研磨によって圧電体基板195に生じた加工変質層を仕上げ研磨により除去するようにすれば、圧電体基板195を削る速度が早くなり、圧電薄膜共振子1の生産性を向上することができるとともに、圧電体薄膜15の品質を向上することにより、圧電薄膜共振子1の特性を向上することができる。
このような圧電薄膜共振子1では、圧電体薄膜15をスパッタリング等により成膜した場合と異なり、圧電体薄膜15を構成する圧電材料や圧電体薄膜15における結晶方位が下地の制約を受けないので、圧電体薄膜15を構成する圧電材料や圧電体薄膜15における結晶方位の選択の自由度が高くなっている。したがって、圧電薄膜共振子1では、所望の特性を実現することが容易になっている。
圧電体薄膜15には、圧電体薄膜15の下面と上面との間を貫通し、圧電体薄膜15を挟んで対向する下面電極14と上面電極17とを導通させるバイアホール155が形成されている。バイアホール155は、その内側面に成膜された導電体薄膜により下面電極14と上面電極17とを電気的に接続する。
圧電薄膜共振子1では、図3に示すように、圧電体薄膜15の上面は平坦となっているが、圧電体薄膜15の下面は自由振動領域192において上方に湾曲している。このため、圧電体薄膜15の膜厚は、自由振動領域192の周縁部から中心部へ向かって連続的に薄くなってゆく。
このような圧電体薄膜15の膜厚の分布によれば、自由振動領域192からの振動エネルギーの漏れを減らすことができ、振動のQ値を向上することができる。
圧電体薄膜15の膜厚の分布幅、すなわち、自由振動領域192の周縁部における圧電体薄膜15の膜厚(最大値)t2と、自由振動領域192の中心部における圧電体薄膜15の膜厚(最小値)t1との膜厚差t2−t1は、正であって、膜厚t1に対する比Δtが0.1%以上5%以下[0.1%≦Δt=(t2−t1)/t1≦5%]であることが望ましい。この範囲内であれば、振動エネルギーの漏れを特に効果的に減らし、振動のQ値を向上することができるからである。
なお、図4に示すように、自由振動領域192の平面形状が直交する対称軸197,198について対称となっている場合は、圧電体薄膜15の膜厚の分布も対称軸197,198について対称とすることが望ましい。圧電体薄膜15の膜厚の分布に対称性を付与すれば、非対称モードの励振を抑制し、副共振を抑制することができるからである。
<1.6 下面電極及び上面電極>
下面電極14及び上面電極16,17は、それぞれ、圧電体薄膜15の下面及び上面に導電材料を成膜することにより形成された導電体薄膜である。圧電薄膜共振子1では、下面電極14及び上面電極16,17の膜厚は略均一となっている。
下面電極14及び上面電極16,17は、それぞれ、圧電体薄膜15の下面及び上面に導電材料を成膜することにより形成された導電体薄膜である。圧電薄膜共振子1では、下面電極14及び上面電極16,17の膜厚は略均一となっている。
下面電極14及び上面電極16,17を構成する導電材料は、特に制限されないが、アルミニウム(Al)、銀(Ag)、銅(Cu)、白金(Pt)、金(Au)、クロム(Cr)、ニッケル(Ni)、モリブデン(Mo)、タングステン(W)及びタンタル(Ta)等の金属から選択することが望ましい。もちろん、下面電極14及び上面電極16,17を構成する導電材料として合金を用いてもよい。また、複数種類の導電材料を重ねて成膜することにより、下面電極14及び上面電極16,17を形成してもよい。
下面電極14の一部を占める細長矩形の駆動部141と、上面電極16の一部を占める細長矩形の駆動部161とは、対向領域191において、圧電体薄膜15を挟んで対向している。下面電極14の駆動部141を除く残余を占める給電部142は、バイアホール155によって、上面電極17に接続されている。
駆動部141及び駆動部161の平面形状を細長形状にしたのは、副共振をより強力に抑制するためである。ここで、「細長形状」とは、駆動部141及び駆動部161の長手方向の長さ(矩形の長辺や楕円形の長軸等の長さ)が短手方向の長さ(矩形の短辺や楕円形の短軸等の長さ)の2倍以上、望ましくは4倍以上、さらに望ましくは10倍以上である平面形状をいう。ただし、このことは、平面形状が細長形状でない駆動部141及び駆動部161を採用することを妨げない。
このような下面電極14及び上面電極16により、圧電薄膜共振子1では、外部に露出している、上面電極16の駆動部161を除く残余を占める給電部162と上面電極17とに励振信号が印加されると、下面電極14の駆動部141と上面電極16の駆動部161とに励振信号が印加され、自由振動領域192に振動が励振される。これにより、圧電薄膜共振子1は、厚み縦振動又は厚みすべり振動を利用したエネルギー閉じ込め型の共振子として機能する。
なお、圧電薄膜共振子1では、対向領域191が自由振動領域192を内包するようにしている。このように、対向領域191の周縁部が接着層12及びキャビティ形成膜13を介して支持基板11に固定されるようにすると、圧電薄膜共振子1の副共振をより強力に抑制することができる。ただし、このことは、自由振動領域192が対向領域191を内包するようにすることを妨げない。
<1.7 製造方法>
続いて、支持基板11及び圧電体薄膜15を構成する圧電材料としてニオブ酸リチウムの単結晶、接着層12を構成する材料としてエポキシ接着剤、キャビティ形成膜13を構成する絶縁材料として二酸化ケイ素、下面電極14を構成する導電材料としてモリブデン、上面電極16を構成する導電材料として金を用いた場合を例として、圧電薄膜共振子1の製造方法を説明する。ただし、以下で説明する製造方法は例示に過ぎず、所望の特性に応じて材料を変更することを妨げるものではない。また、圧電体薄膜15を圧電体基板195の除去加工により得ることも必須ではなく、従来から行われているように、支持基板の上に下面電極、圧電体薄膜及び上面電極をスパッタリング等の付加加工で順次成膜することにより圧電薄膜共振子1を製造してもよい。
続いて、支持基板11及び圧電体薄膜15を構成する圧電材料としてニオブ酸リチウムの単結晶、接着層12を構成する材料としてエポキシ接着剤、キャビティ形成膜13を構成する絶縁材料として二酸化ケイ素、下面電極14を構成する導電材料としてモリブデン、上面電極16を構成する導電材料として金を用いた場合を例として、圧電薄膜共振子1の製造方法を説明する。ただし、以下で説明する製造方法は例示に過ぎず、所望の特性に応じて材料を変更することを妨げるものではない。また、圧電体薄膜15を圧電体基板195の除去加工により得ることも必須ではなく、従来から行われているように、支持基板の上に下面電極、圧電体薄膜及び上面電極をスパッタリング等の付加加工で順次成膜することにより圧電薄膜共振子1を製造してもよい。
なお、以下で説明する製造方法においては、圧電薄膜共振子1は、製造原価の低減のために、多数(典型的には、数100個〜数1000個)の圧電薄膜共振子1を一体化したマザー基板を作製した後に、当該マザー基板をダイシングソーで切断して個々の圧電薄膜共振子1へ分離することによって得られている。
以下では、便宜上、当該マザー基板に含まれる1個の圧電薄膜共振子1に着目して説明を進めるが、マザー基板に含まれる他の圧電薄膜共振子1も着目した圧電薄膜共振子1と同時平行して製造されている。
圧電薄膜共振子1の製造にあたっては、最初に、圧電体基板195の下面の全面にモリブデン膜をスパッタリングにより成膜し、一般的なフォトリソグラフィプロセスを用いてパターニングを行い、下面電極14を得る(図5)。
続いて、圧電体基板195の下面の全面に二酸化ケイ素膜をスパッタリングにより成膜し、一般的なフォトリソグラフィプロセスを用いてパターニングを行い、キャビティ形成膜13を形成する(図6)。
さらに続いて、支持基板11の上面に接着層12となるエポキシ接着剤を塗布し、支持基板11の上面と、下面電極14及びキャビティ形成膜13が形成された圧電体基板195の下面とを張り合わせる。そして、支持基板11及び圧電体基板195に圧力を印加してプレス圧着を行う。しかる後に、エポキシ接着剤を硬化させ、支持基板11と圧電体基板195を接着する(図7)。
支持基板11と圧電体基板195との接着が完了した後、圧電体基板195を支持基板11に接着した状態を維持したまま、支持基板11の下面を研磨治具に接着固定し、圧電体基板195の上面を固定砥粒の研削機で研削加工し、圧電体基板195を薄肉化する。さらに、圧電体基板195の上面をダイヤモンド砥粒で研磨加工し、圧電体基板195をさらに薄肉化する。最後に、ダイヤモンド砥粒による研磨加工で圧電体基板195に生じた加工変質層を除去するために、遊離砥粒及び不繊布系研磨パッドを使用して圧電体基板195の仕上げ研磨を行い、所望の膜厚の圧電体薄膜15を得る(図8)。
ここで、接着層12、キャビティ形成膜13、下面電極14における応力の状態によっては、圧電体基板195が自由振動領域195において出張った状態又は凹んだ状態で圧電体基板195を除去加工することになる。そして、圧電体基板195が自由振動領域195において出張った状態で圧電体195を除去加工すると、自由振動領域192の周縁部よりも中心部の方が加工量が多くなるので、図8に示すように、自由振動領域192の周縁部から中心部へ向かって膜厚が連続的に薄くなってゆく圧電体薄膜15を得ることができる。一方、圧電体基板195が自由振動領域195において凹んだ状態で圧電体195を除去加工すると、自由振動領域192の周縁部よりも中心部の方が加工量が少なくなるので、図8に示すのとは逆に、自由振動領域192の周縁部から中心部へ向かって膜厚が連続的に厚くなってゆく圧電体薄膜15を得ることができる。換言すれば、自由振動領域192の周縁部から中心部へ向かって膜厚が連続的に薄くなってゆく圧電体薄膜15を得るためには、接着層12、キャビティ形成膜13及び下面電極14における応力の状態を適切に調節すればよい。このような応力の状態の調整は、例えば、下面電極14の膜厚や自由振動領域192の平面形状の選択によって行うことができる。
次に、圧電体薄膜15の上面(研磨面)を有機溶剤で洗浄し、クロム膜と金膜とを圧電体薄膜15の上面に順次成膜し、得られた積層膜を一般的なフォトリソグラフィプロセスを用いてパターニングすることにより、圧電体薄膜15の、バイアホール155を形成すべき部分のみを露出させたエッチングマスク196を得る(図9)。
エッチングマスク196の形成後、加熱したバッファードフッ酸で圧電体薄膜15のエッチングを行い、圧電体薄膜15の上面と下面との間を貫通するバイアホール155を形成して下面電極14を露出させるとともに、エッチングマスク196をエッチングにより除去する(図10)。
そして、圧電体薄膜15の上面の全面に金膜をスパッタリングにより成膜し、一般的なフォトリソグラフィプロセスを用いてパターニングを行い、上面電極16,17を得る(図3)。このとき、バイアホール155の内側面にも導電体薄膜が形成されるので、下面電極14と上面電極17との導通が確保される。これにより、圧電薄膜共振子1が製造されたことになる。
<1.8 振動エネルギーの閉じ込め効果>
図11〜図15は、圧電体薄膜15の膜厚が自由振動領域192の周縁部から中心部へ向かって連続的に薄くなってゆく圧電薄膜共振子1において、それぞれ、Δt=0.08%,0.1%,2%,5%,15%とした場合の周波数−インピーダンス特性の一例を示す図である。
図11〜図15は、圧電体薄膜15の膜厚が自由振動領域192の周縁部から中心部へ向かって連続的に薄くなってゆく圧電薄膜共振子1において、それぞれ、Δt=0.08%,0.1%,2%,5%,15%とした場合の周波数−インピーダンス特性の一例を示す図である。
一方、図16は、圧電体薄膜の膜厚が自由振動領域の周縁部から中心部へ向かって連続的に厚くなってゆく圧電薄膜共振子において、Δt=−10%とした場合の周波数−インピーダンス特性の一例を示す図である。
また、図17〜図21は、圧電体薄膜15の膜厚が自由振動領域192の周縁部から中心部へ向かって連続的に薄くなってゆく圧電薄膜共振子1において、それぞれ、Δt=0.08%,0.1%,2%,5%,15%とした場合のSパラメータS11の軌跡を示す図である。
一方、図22は、圧電体薄膜の膜厚が自由振動領域の周縁部から中心部へ向かって連続的に厚くなってゆく圧電薄膜共振子において、Δt=−10%とした場合のSパラメータS11の軌跡を示す図である。
図17〜図22に示すSパラメータS11の軌跡は、周波数を変化させた場合のスミスチャート上の軌跡を描いたものとなっている。
さらに、図23は、圧電体薄膜15の膜厚が自由振動領域192の周縁部から中心部へ向かって連続的に薄くなってゆく圧電薄膜共振子1において、Δt=0.08%,0.1%,2%,5%,15%とした場合、及び、圧電体薄膜の膜厚が自由振動領域の周縁部から中心部へ向かって連続的に厚くなってゆく圧電薄膜共振子において、Δt=−10%とした場合の、振動のQ値及び共振周波数や反共振周波数の近傍の副共振ピーク数を一覧表で示す図である。
図23に示すように、圧電体薄膜15の膜厚が自由振動領域192の周縁部から中心部へ向かって連続的に薄くなってゆくようにした場合(Δt=0.08%,0.1%,2%,5%,15%)は、連続的に厚くなってゆくようにした場合(Δt=−10%)よりも、振動のQ値を向上することができている(100→300〜800)。このような損失の減少は、連続的に薄くなってゆくようにした場合は、共振抵抗が低下し反共振抵抗が上昇する傾向にあるとともに(図11〜図16)、SパラメータS11の軌跡がスミスチャート上の円周に近づくことにも表れている(図17〜図22)。
なお、図23に示すように、圧電体薄膜15の膜厚が自由振動領域192の周縁部から中心部へ向かって連続的に薄くなってゆくようにした上で、0.1%≦Δt≦5%とすれば、Q値を500以上に向上することができるとともに、副共振のピークの数も減らすことができており、0.1%≦Δt≦5%とすることが特に望ましいことがわかる。
<2 第2実施形態>
図15は、本発明の第2実施形態の圧電薄膜共振子2の主要部の模式図である。図15は、圧電薄膜共振子2の断面図となっている。
図15は、本発明の第2実施形態の圧電薄膜共振子2の主要部の模式図である。図15は、圧電薄膜共振子2の断面図となっている。
図15に示すように、圧電薄膜共振子2は、支持基板21の上に、接着層22、キャビティ形成膜23、下面電極24、圧電体薄膜25及び上面電極26をこの順序で積層した構造を有している。圧電薄膜共振子2は、圧電体薄膜25及び上面電極26を除いては、圧電薄膜共振子1と同様の構造を有し、支持基板21、接着層22、キャビティ形成膜23、下面電極24、圧電体薄膜25及び上面電極26は、それぞれ、圧電薄膜共振子1の支持基板11、接着層12、キャビティ形成膜13、下面電極14、圧電体薄膜15及び上面電極16に相当するものとなっている。
圧電薄膜共振子1と圧電薄膜共振子2との相違は、圧電薄膜共振子1では、下面電極14及び上面電極16の膜厚を均一にし、圧電体薄膜15の膜厚を自由振動領域192の周縁部から中心部へ向かって連続的に薄くなってゆくようにしているのに対して、圧電薄膜共振子2では、下面電極24及び圧電体薄膜25の膜厚を均一にし、上面電極26の膜厚を自由振動領域292の周縁部から中心部へ向かって連続的に薄くなってゆくようにしている点にある。
このような圧電薄膜共振子2でも、自由振動領域292からの振動エネルギーの漏れを減らすことができ、振動のQ値を向上することができる。
このような圧電体薄膜25は、圧電薄膜共振子1と同様に手順で圧電薄膜共振子2を製造する途上において、圧電体基板を除去加工する際の接着層22、キャビティ形成膜23及び下面電極24における応力の状態を適切に調整すれば得ることができる。また、このような上面電極26は、圧電薄膜共振子1と同様に手順により圧電薄膜共振子2を製造する途上において、略均一な膜厚の導電体薄膜を形成し、当該導電体薄膜をレーザやイオンビームにより除去加工すれば得ることができる。
なお、圧電薄膜共振子1の場合と同様に、上面電極26の膜厚の分布幅、すなわち、自由振動領域292の周縁部における上面電極15の膜厚(最大値)t2と、自由振動領域292の中心部における上面電極26の膜厚(最小値)t1との膜厚差t2−t1は、正であって、膜厚t1に対する比が0.1%以上5%以下[0.1%≦Δt=(t2−t1)/t1≦5%]であることが望ましい。この範囲内であれば、振動エネルギーの漏れを特に効果的に減らすことができるからである。また、0.1%≦Δt≦5%とすることがより望ましい点も圧電薄膜共振子1の場合と同様である。
<3 その他>
圧電薄膜共振子1では、上面電極16の膜厚を均一とし、圧電体薄膜15の膜厚を自由振動領域192の周縁部から中心部へ向かって連続的に薄くなってゆくようにし、圧電薄膜共振子2では、圧電体薄膜25の膜厚を均一にし、上面電極26の膜厚を自由振動領域292の周縁部から中心部へ向かって連続的に薄くなってゆくようにしたが、圧電体薄膜及び上面電極の両方の膜厚を自由振動領域の周縁部から中心部へ向かって連続的に薄くなってゆくようにしてもよい。
圧電薄膜共振子1では、上面電極16の膜厚を均一とし、圧電体薄膜15の膜厚を自由振動領域192の周縁部から中心部へ向かって連続的に薄くなってゆくようにし、圧電薄膜共振子2では、圧電体薄膜25の膜厚を均一にし、上面電極26の膜厚を自由振動領域292の周縁部から中心部へ向かって連続的に薄くなってゆくようにしたが、圧電体薄膜及び上面電極の両方の膜厚を自由振動領域の周縁部から中心部へ向かって連続的に薄くなってゆくようにしてもよい。
1,2 圧電薄膜共振子
11,21 支持基板
12,22 接着層
13,23 キャビティ形成膜
14,24 下面電極
15,25 圧電体薄膜
16,26 上面電極
11,21 支持基板
12,22 接着層
13,23 キャビティ形成膜
14,24 下面電極
15,25 圧電体薄膜
16,26 上面電極
Claims (3)
- 単数又は複数の圧電薄膜共振子を含む圧電薄膜デバイスであって、
圧電体薄膜と、
前記圧電体薄膜の両主面に形成され、対向領域において前記圧電体薄膜を挟んで対向する電極膜と、
前記圧電体薄膜と前記電極膜とを積層した振動体を支持する支持基板と、
を備え、
前記振動体が空洞によって前記支持基板から隔てられている自由振動領域の周縁部から中心部に向かって前記圧電体薄膜又は前記電極膜の膜厚が連続的に薄くなってゆく圧電薄膜デバイス。 - 前記自由振動領域の周縁部における膜厚t2と前記自由振動領域の中心部における膜厚t1との膜厚差t2−t1が正である請求項1に記載の圧電薄膜デバイス。
- 膜厚差t2−t1の膜厚t1に対する比が0.1%以上5%以下である請求項2に記載の圧電薄膜デバイス。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2007164914A JP2009005143A (ja) | 2007-06-22 | 2007-06-22 | 圧電薄膜デバイス |
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ID=40321038
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JP2016081986A (ja) * | 2014-10-14 | 2016-05-16 | Tdk株式会社 | 圧電アクチュエータ |
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-
2007
- 2007-06-22 JP JP2007164914A patent/JP2009005143A/ja active Pending
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