JPH01157108A - 圧電薄膜共振子 - Google Patents
圧電薄膜共振子Info
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- JPH01157108A JPH01157108A JP31579787A JP31579787A JPH01157108A JP H01157108 A JPH01157108 A JP H01157108A JP 31579787 A JP31579787 A JP 31579787A JP 31579787 A JP31579787 A JP 31579787A JP H01157108 A JPH01157108 A JP H01157108A
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Landscapes
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、圧電薄膜共振子に関するものである。
(従来の技術)
近年、材料技術や加工技術の進歩に電子部品の集積化が
進み、その電子部品の集積度も大規模なものとなってい
る。その反面、共振子やフィルタ等の受動部品において
は、上記の如き電子部品に比べて、集積化の開発が立ち
遅れている。そのため、特に通信機器又はOA機器等の
応用分野では、VHFあるいはUHF帯域で使用可能な
小型の共振子の開発が望まれている。
進み、その電子部品の集積度も大規模なものとなってい
る。その反面、共振子やフィルタ等の受動部品において
は、上記の如き電子部品に比べて、集積化の開発が立ち
遅れている。そのため、特に通信機器又はOA機器等の
応用分野では、VHFあるいはUHF帯域で使用可能な
小型の共振子の開発が望まれている。
従来、このような受動部品として、水晶等の圧電基板の
厚み振動を利用した共振子やフィルタが実用化されてい
る。しかしながら、上記圧電基板は、それ自体の機械的
強度およびそれ自体を加工する上での制約により、数十
μm程度にしか薄くすることができない。このような数
十μm程度の厚さの圧電基板を用いて構成した共振子や
フィルタの上限共振周波数は、数十MHzである。した
がって、それよりも高い周波数を必要とする場合には、
高次厚み振動を利用することになる。しかしながら、高
次厚み振動を利用した場合においては、電気機械結合係
数が小さくなる。そのため、周波数帯域幅が狭くなり、
実用的ではないという問題がある。
厚み振動を利用した共振子やフィルタが実用化されてい
る。しかしながら、上記圧電基板は、それ自体の機械的
強度およびそれ自体を加工する上での制約により、数十
μm程度にしか薄くすることができない。このような数
十μm程度の厚さの圧電基板を用いて構成した共振子や
フィルタの上限共振周波数は、数十MHzである。した
がって、それよりも高い周波数を必要とする場合には、
高次厚み振動を利用することになる。しかしながら、高
次厚み振動を利用した場合においては、電気機械結合係
数が小さくなる。そのため、周波数帯域幅が狭くなり、
実用的ではないという問題がある。
この問題を解決する方法として、複合圧電膜をSi基板
上またはGaAs基板上に形成し、その複合圧電膜の厚
み共振モードを利用する方法がある。その方法が国内外
で研究されている。たとえば、第3図に示された圧電薄
膜共振子がある。それは、京都大学の周端らにより“V
HF/UHFCoInposite Re5onato
r on a 5ilicon 5ubstrate”
Jpn、J、Appl 、Phys、、vol 、22
.5uppl 、22−3.pp、 139−141
(1983)として発表されたものである。その第3図
において、1はシリコン基板であり、その表面にS i
O2膜3を形成している。この基板の裏面を、エチレン
ジアミン・ピロカテコールを主成分とするエツチング液
(以下、EDP液という。)によって異方性エツチング
することにより、空隙2を形成する。その異方性エツチ
ングは、S ’l O2膜3の表面に達した時点で深さ
方向の進行を停止させる。SiO2膜3を挾んでこの空
隙2と対向するように、そのSiO2膜3の表面に、第
1電極4を形成する。その後、第1電極4上からS 1
02膜3上にかけてZnO圧電膜5を形成する。さらに
、ZnO圧電膜5上からS iO2膜3上にかけて第2
電極6を形成する。その第2電極6と第1電極4とはZ
nO圧電膜5を挟んで対向している。
上またはGaAs基板上に形成し、その複合圧電膜の厚
み共振モードを利用する方法がある。その方法が国内外
で研究されている。たとえば、第3図に示された圧電薄
膜共振子がある。それは、京都大学の周端らにより“V
HF/UHFCoInposite Re5onato
r on a 5ilicon 5ubstrate”
Jpn、J、Appl 、Phys、、vol 、22
.5uppl 、22−3.pp、 139−141
(1983)として発表されたものである。その第3図
において、1はシリコン基板であり、その表面にS i
O2膜3を形成している。この基板の裏面を、エチレン
ジアミン・ピロカテコールを主成分とするエツチング液
(以下、EDP液という。)によって異方性エツチング
することにより、空隙2を形成する。その異方性エツチ
ングは、S ’l O2膜3の表面に達した時点で深さ
方向の進行を停止させる。SiO2膜3を挾んでこの空
隙2と対向するように、そのSiO2膜3の表面に、第
1電極4を形成する。その後、第1電極4上からS 1
02膜3上にかけてZnO圧電膜5を形成する。さらに
、ZnO圧電膜5上からS iO2膜3上にかけて第2
電極6を形成する。その第2電極6と第1電極4とはZ
nO圧電膜5を挟んで対向している。
上記構成の圧電薄膜共振子において、1対の電極4,6
にそれぞれ電気信号を印加すると、ZnO圧電膜5の圧
電効果により、空隙2上に位置するS 102膜3とZ
nO圧電膜5とからなる複合圧電膜(複合体膜)が振動
する。この振動部としての複合体膜は、蒸着等の手段を
用いて極めて薄く形成することができる。そのため、1
00MHz〜数GHzの高周波数帯域においても、基本
モードであるいは低次モードで動作させることができる
。
にそれぞれ電気信号を印加すると、ZnO圧電膜5の圧
電効果により、空隙2上に位置するS 102膜3とZ
nO圧電膜5とからなる複合圧電膜(複合体膜)が振動
する。この振動部としての複合体膜は、蒸着等の手段を
用いて極めて薄く形成することができる。そのため、1
00MHz〜数GHzの高周波数帯域においても、基本
モードであるいは低次モードで動作させることができる
。
なお、上記S l 02膜3及びZnO圧電膜5として
、共振周波数温度係数の符号が互いに逆符号であるもの
を組み合わせて用いれば、零温度係数を得ることができ
る。
、共振周波数温度係数の符号が互いに逆符号であるもの
を組み合わせて用いれば、零温度係数を得ることができ
る。
上記圧電薄膜共振子は、このように将来性の高い素子で
ある。しかしながら、半導体基板自体に空孔を設けなけ
ればならない。そのため、実際に共振領域として動作す
る部分の寸法に比して、共振子全体としての寸法が著し
く大きくなるという難点、及び半導体基板の裏面から空
孔を設ける加工を行なうためには両面露光が必要である
という難点等を有している。これらの難点は、圧電薄膜
共振子を、IC化された状態にある外部回路と一体的に
オンチップ化しようとする場合に、大きな障害となって
いる。
ある。しかしながら、半導体基板自体に空孔を設けなけ
ればならない。そのため、実際に共振領域として動作す
る部分の寸法に比して、共振子全体としての寸法が著し
く大きくなるという難点、及び半導体基板の裏面から空
孔を設ける加工を行なうためには両面露光が必要である
という難点等を有している。これらの難点は、圧電薄膜
共振子を、IC化された状態にある外部回路と一体的に
オンチップ化しようとする場合に、大きな障害となって
いる。
この障害を解消することを目的とした圧電薄膜共振子と
して、半導体基板に裏面がら空孔を形成するための加工
を施すことなく、その空隙を形成したのと同様の効果を
得るため、振動部だけを基板から浮かせた構造のものが
ある。第4図はその一例を示すものである。同図の圧電
薄膜共振子が第3図のそれと異なる点は、半導体基板1
の裏面に空隙を有しないこと、及びSiO2膜3と半導
体基板1との間に空隙9を有することにあり、さらに小
さな相違点として、最上面のほとんどをS t O2膜
7で覆ったことにある。
して、半導体基板に裏面がら空孔を形成するための加工
を施すことなく、その空隙を形成したのと同様の効果を
得るため、振動部だけを基板から浮かせた構造のものが
ある。第4図はその一例を示すものである。同図の圧電
薄膜共振子が第3図のそれと異なる点は、半導体基板1
の裏面に空隙を有しないこと、及びSiO2膜3と半導
体基板1との間に空隙9を有することにあり、さらに小
さな相違点として、最上面のほとんどをS t O2膜
7で覆ったことにある。
上記圧電薄膜共振子は、次のようにして構成される。即
ち、先ず、半導体基板1上の空隙形成予定部分(9)に
ZnO膜を形成する。このZnO膜(9)を有する半導
体基板1上にSiO2膜3を形成する。このS iO2
膜3上に、第1電極4、圧電膜5、第2電極6及びSi
O2膜7を順次形成する。この後、エツチングにより上
記ZnO膜(9)を除去する。これにより、空隙9が形
成される。この空隙9上には、各種の膜(3〜7)によ
って構成された振動部8が位置している。
ち、先ず、半導体基板1上の空隙形成予定部分(9)に
ZnO膜を形成する。このZnO膜(9)を有する半導
体基板1上にSiO2膜3を形成する。このS iO2
膜3上に、第1電極4、圧電膜5、第2電極6及びSi
O2膜7を順次形成する。この後、エツチングにより上
記ZnO膜(9)を除去する。これにより、空隙9が形
成される。この空隙9上には、各種の膜(3〜7)によ
って構成された振動部8が位置している。
上記構成の圧電薄膜共振子には以下のような難点がある
。即ち、振動部8を半導体基板1から浮かすために空隙
9を設けている。この空隙9に起因して、振動部8を構
成する各膜(3〜7)に大きな段差が生じる。その大き
な段差によって、振動部8を形成する各膜のステップカ
バレージが悪化して、製品としての信頼性が低下する。
。即ち、振動部8を半導体基板1から浮かすために空隙
9を設けている。この空隙9に起因して、振動部8を構
成する各膜(3〜7)に大きな段差が生じる。その大き
な段差によって、振動部8を形成する各膜のステップカ
バレージが悪化して、製品としての信頼性が低下する。
また、その大きな段差によって、上記各膜に残留応力が
生じ、その応力よって振動部8が変形する。さらに、上
記空隙9は、上述したように、最後の工程でZnO膜を
エツチングにより除去することによって形成される。そ
のため、上記ZnO膜を極めて薄いものとして形成した
場合には、第1にそのZnO膜にピンホールが存するこ
とにより、第2にエツチングが十分に行なわれないこと
により、空隙9を薄く、均一なものとして形成するのが
困難である。
生じ、その応力よって振動部8が変形する。さらに、上
記空隙9は、上述したように、最後の工程でZnO膜を
エツチングにより除去することによって形成される。そ
のため、上記ZnO膜を極めて薄いものとして形成した
場合には、第1にそのZnO膜にピンホールが存するこ
とにより、第2にエツチングが十分に行なわれないこと
により、空隙9を薄く、均一なものとして形成するのが
困難である。
(発明が解決しようとする問題点)
このように、従来の圧電薄膜共振子には種々の難点があ
った。即ち、第3図の圧電薄膜共振子には、大型化する
という難点及び両面露光しなければならないという難点
があった。また、第4図の圧電薄膜共振子には、空隙に
よって振動部が大きな段差構造を有することによる難点
及びその空隙を薄く、均一なものとして構成するのが困
難であるという難点があった。
った。即ち、第3図の圧電薄膜共振子には、大型化する
という難点及び両面露光しなければならないという難点
があった。また、第4図の圧電薄膜共振子には、空隙に
よって振動部が大きな段差構造を有することによる難点
及びその空隙を薄く、均一なものとして構成するのが困
難であるという難点があった。
本発明は、上記難点に鑑みてなされたもので、その目的
は、圧電薄膜共振子を、製造のための加工が容易で、製
品としての機械的強度及び信頼性が高く、且つ超小形化
可能なものとして提供することにある。
は、圧電薄膜共振子を、製造のための加工が容易で、製
品としての機械的強度及び信頼性が高く、且つ超小形化
可能なものとして提供することにある。
(問題点を解決するための手段)
本発明の圧電薄膜共振子は、基板と、その基板上に形成
された絶縁膜と、その絶縁膜上に圧電膜と電極とによっ
て構成された振動部と、前記絶縁膜を挟んで前記振動部
と反対側に設けられた空隙と、を備えた圧電薄膜共振子
において、前記絶縁膜は平坦状に形成されたものであり
、且つ前記空隙は前記絶縁膜と前記基板との間に形成さ
れたものであるという構成を有する。
された絶縁膜と、その絶縁膜上に圧電膜と電極とによっ
て構成された振動部と、前記絶縁膜を挟んで前記振動部
と反対側に設けられた空隙と、を備えた圧電薄膜共振子
において、前記絶縁膜は平坦状に形成されたものであり
、且つ前記空隙は前記絶縁膜と前記基板との間に形成さ
れたものであるという構成を有する。
(作 用)
絶縁膜は平坦状に構成されている。よって、この絶縁膜
上に構成される振動部はその絶縁膜に起因する段差を有
することはない。このため、振動部を構成する各膜のス
テップカバレージの向上、それによる製品の信頼性の向
上、及び残留応力の低下による振動部の変形回避等が期
待される。また、空隙は絶縁膜と基板との間、即ち基板
の表面側に形成される。よって、基板を裏面から加工す
る必要はない。これにより、加工が容易であると共に製
品の超小形化が容易である。
上に構成される振動部はその絶縁膜に起因する段差を有
することはない。このため、振動部を構成する各膜のス
テップカバレージの向上、それによる製品の信頼性の向
上、及び残留応力の低下による振動部の変形回避等が期
待される。また、空隙は絶縁膜と基板との間、即ち基板
の表面側に形成される。よって、基板を裏面から加工す
る必要はない。これにより、加工が容易であると共に製
品の超小形化が容易である。
(実施例)
以下、図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第1図は、本発明の一実施例の圧電薄膜共振子を示す。
この圧電薄膜共振子の製造工程を第1図を参照して説明
する。この第1図において、11は面方位(100)の
シリコン(Si)基板(半導体基板)である。この基板
11の一方の面(表面)にEPD液を用いてエツチング
を行ない、空隙12を形成する。そのあと、この空隙1
2内の全体に、無配向性のZnOをスパッタリングによ
り埋め込む。そのZnOの上面及び基板11の全面に、
S 102膜13、第1電極14、圧電膜(C軸配向性
ZnO膜)15、第2電極16を順次堆積させて振動部
17を形成する。そして、最後に、空隙12内に形成し
た無配向性のZnOを薄い塩酸で除去し、このZnOが
詰っていた部分を再び空隙12とする。
する。この第1図において、11は面方位(100)の
シリコン(Si)基板(半導体基板)である。この基板
11の一方の面(表面)にEPD液を用いてエツチング
を行ない、空隙12を形成する。そのあと、この空隙1
2内の全体に、無配向性のZnOをスパッタリングによ
り埋め込む。そのZnOの上面及び基板11の全面に、
S 102膜13、第1電極14、圧電膜(C軸配向性
ZnO膜)15、第2電極16を順次堆積させて振動部
17を形成する。そして、最後に、空隙12内に形成し
た無配向性のZnOを薄い塩酸で除去し、このZnOが
詰っていた部分を再び空隙12とする。
上記第1電極14及び第2電極16は、例えば、AΩあ
るいはTi/Au等を材料として、真空蒸着やスパッタ
リング等によって形成される。また、上記圧電膜15は
、所望する共振周波数帯、温度係数及び電気機械結合係
数等を考慮して材質が決定され、例えば酸化亜鉛(Zn
O)あるいは窒化アルミニウム(1! N)等の圧電材
料が使用される。
るいはTi/Au等を材料として、真空蒸着やスパッタ
リング等によって形成される。また、上記圧電膜15は
、所望する共振周波数帯、温度係数及び電気機械結合係
数等を考慮して材質が決定され、例えば酸化亜鉛(Zn
O)あるいは窒化アルミニウム(1! N)等の圧電材
料が使用される。
このように、上記第1図のSiO2膜13は、複合体膜
の一部として振動部17を構成している。
の一部として振動部17を構成している。
それにより、SiO2膜13膜厚3は、圧電膜15の材
質を考慮し、且つ所望の共振周波数や温度係数の補正範
囲等によって決定され、例えば数μm〜数十μmの範囲
のものとして形成される。
質を考慮し、且つ所望の共振周波数や温度係数の補正範
囲等によって決定され、例えば数μm〜数十μmの範囲
のものとして形成される。
なお、第2電極16の上面に、さらにS 102膜18
を、例えば数μm〜数十μmの厚さに形成してもよい。
を、例えば数μm〜数十μmの厚さに形成してもよい。
この場合、そのSiO2膜18は、振動部17を構成す
るとともに、保護膜としても機能する。
るとともに、保護膜としても機能する。
上記第1図の実施例によれば以下のような効果が得られ
る。即ち、半導体基板に設けた空隙をまたいで振動部を
形成するようにしたので、半導体基板にその裏面から加
工して空隙を設ける必要がない。そのため、製品として
の寸法を著しく小さくすることができる。また、裏面加
工を行なうとすれば、その加工中に表面を保護する必要
がある。
る。即ち、半導体基板に設けた空隙をまたいで振動部を
形成するようにしたので、半導体基板にその裏面から加
工して空隙を設ける必要がない。そのため、製品として
の寸法を著しく小さくすることができる。また、裏面加
工を行なうとすれば、その加工中に表面を保護する必要
がある。
しかしながら、裏面加工を行なう必要がないため、表面
保護の必要性もなく、これにより製造コストを低減する
ことができる。
保護の必要性もなく、これにより製造コストを低減する
ことができる。
第2図は、本発明の異なる実施例の圧電薄膜共振子を示
す。この圧電薄膜共振子が第1図のそれと異なる点は、
半導体基板11自体に空隙12を設けることなく、半導
体基板11とS iO2膜13との間にSiO2膜21
膜設1、そのS iO2膜21に空隙22を形成した点
にある。
す。この圧電薄膜共振子が第1図のそれと異なる点は、
半導体基板11自体に空隙12を設けることなく、半導
体基板11とS iO2膜13との間にSiO2膜21
膜設1、そのS iO2膜21に空隙22を形成した点
にある。
上記圧電薄膜共振子の製造工程を第2図を参照して説明
する。
する。
第2図に示すように、先ず、シリコン(St)の半導体
基板11上の全面にSiO2膜21膜設1ッタにより形
成する。この5102膜21の一部を緩衝弗酸液(HF
+NH4F)でエツチングして空隙22を形成する。こ
の後、5iO9膜21の上面及び空隙22の内部に無配
向性のZnOをスパッタにより形成する。そのZnOを
リン酸でエツチングする。このエツチングによりS i
O2膜21上のZnOは除去され、ZnOは空隙22の
内部に詰った状態に残存する。即ち、5102膜21の
厚さと空隙22内のZnO膜の厚さは同じになっている
。次に、基板11の全面に、上記第1図の場合と同様に
、S iO2膜13、第1電極14、圧電膜(C軸配向
性の圧電性ZnO膜)15、第2電極16及び保護用の
SiO2膜18を順次堆積させ、振動部17を形成する
。そして、最後に、空隙22内に形成した無配向性のZ
nO膜を薄い塩酸で除去し、このZnOが詰っていた部
分を再び空隙22とする。
基板11上の全面にSiO2膜21膜設1ッタにより形
成する。この5102膜21の一部を緩衝弗酸液(HF
+NH4F)でエツチングして空隙22を形成する。こ
の後、5iO9膜21の上面及び空隙22の内部に無配
向性のZnOをスパッタにより形成する。そのZnOを
リン酸でエツチングする。このエツチングによりS i
O2膜21上のZnOは除去され、ZnOは空隙22の
内部に詰った状態に残存する。即ち、5102膜21の
厚さと空隙22内のZnO膜の厚さは同じになっている
。次に、基板11の全面に、上記第1図の場合と同様に
、S iO2膜13、第1電極14、圧電膜(C軸配向
性の圧電性ZnO膜)15、第2電極16及び保護用の
SiO2膜18を順次堆積させ、振動部17を形成する
。そして、最後に、空隙22内に形成した無配向性のZ
nO膜を薄い塩酸で除去し、このZnOが詰っていた部
分を再び空隙22とする。
なお、第2電極16の上に形成したS iO2膜18は
、主に保護膜として機能している。そのため、S iO
2膜18は省略することができ、そのS iO2膜18
を形成しない場合でも形成した場合と同様の効果を達成
できる。
、主に保護膜として機能している。そのため、S iO
2膜18は省略することができ、そのS iO2膜18
を形成しない場合でも形成した場合と同様の効果を達成
できる。
以上説明した第2図の実施例では、空隙22を形成する
ため、薄膜としてのSiO2膜21膜設1コンの基板1
1上に形成している。しかしながら、上記SiO2膜2
1に代えてAu/Ti膜を使用することができる。この
場合において、Au/Ti膜に空隙22をエツチングに
よって形成するには、王水およびリン酸をエツチング液
として使用する必要がある。この空隙を形成した後の製
造工程及びそれによって得られる圧電薄膜共振子の構成
は第2図のものと同様である。当然効果においても同様
である。
ため、薄膜としてのSiO2膜21膜設1コンの基板1
1上に形成している。しかしながら、上記SiO2膜2
1に代えてAu/Ti膜を使用することができる。この
場合において、Au/Ti膜に空隙22をエツチングに
よって形成するには、王水およびリン酸をエツチング液
として使用する必要がある。この空隙を形成した後の製
造工程及びそれによって得られる圧電薄膜共振子の構成
は第2図のものと同様である。当然効果においても同様
である。
なお、上記第2図の実施例において、シリコンの半導体
基板に代えて、他の材料で作った基板、例えば、各種ガ
ラス基板あるいはセラミック基板を用いることができる
。
基板に代えて、他の材料で作った基板、例えば、各種ガ
ラス基板あるいはセラミック基板を用いることができる
。
第2図の実施例によれば、以下のような効果が得られる
。即ち、基板にその裏面から加工して空隙を設ける必要
がない。これにより、製品の小形化を図ることができる
。さらに、基板自体に加工が不要なため、例えばシリコ
ンの基板を使用する場合、異方性エツチングを行なう必
要がなく、面方位を任意に選択でき、コストを低減でき
る。また、基板上の菌膜の凹凸を小さくできるため、良
好なステップカバレージが得られ、信頼性の高い圧電薄
膜共振子を提供することができる。
。即ち、基板にその裏面から加工して空隙を設ける必要
がない。これにより、製品の小形化を図ることができる
。さらに、基板自体に加工が不要なため、例えばシリコ
ンの基板を使用する場合、異方性エツチングを行なう必
要がなく、面方位を任意に選択でき、コストを低減でき
る。また、基板上の菌膜の凹凸を小さくできるため、良
好なステップカバレージが得られ、信頼性の高い圧電薄
膜共振子を提供することができる。
本発明の圧電薄膜共振子によれば、上面に振動部を形成
するための絶縁膜を平坦なものとして構成し、且つ空隙
を絶縁膜と基板との間に形成するようにしたので、圧電
薄膜共振子を、製造のための加工が容易で、製品として
の機械的強度及び信顆性が高く、且つ超小形化が容易な
ものとして提供することができる。
するための絶縁膜を平坦なものとして構成し、且つ空隙
を絶縁膜と基板との間に形成するようにしたので、圧電
薄膜共振子を、製造のための加工が容易で、製品として
の機械的強度及び信顆性が高く、且つ超小形化が容易な
ものとして提供することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例の断面図、第2図はその異な
る実施例の断面図、第3図及び第4図はそれぞれ異なる
従来の圧電薄膜共振子の断面図である。 11・・・基板、12.22・・・空隙、13.18.
21・・・S iO2膜、14・・・第1電極、15・
・・圧電膜、16・・・第2電極、17・・・振動部。 出願人代理人 佐 藤 −雄 活2図
る実施例の断面図、第3図及び第4図はそれぞれ異なる
従来の圧電薄膜共振子の断面図である。 11・・・基板、12.22・・・空隙、13.18.
21・・・S iO2膜、14・・・第1電極、15・
・・圧電膜、16・・・第2電極、17・・・振動部。 出願人代理人 佐 藤 −雄 活2図
Claims (3)
- 1. 基板と、その基板上に形成された絶縁膜と、その
絶縁膜上に圧電膜と電極とによって構成された振動部と
、前記絶縁膜を挟んで前記振動部と反対側に設けられた
空隙と、を備えた圧電薄膜共振子において、前記絶縁膜
は平坦状に形成されたものであり、且つ前記空隙は前記
絶縁膜と前記基板との間に形成されたものであることを
特徴とする圧電薄膜共振子。 - 2. 前記空隙は、前記基板表面への加工によって形成
されたものであることを特徴とする特許請求の範囲第1
項に記載の圧電薄膜共振子。 - 3. 前記空隙は、前記基板と前記絶縁膜との間に設け
た膜によって形成されたものであることを特徴とする特
許請求の範囲第1項に記載の圧電薄膜共振子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31579787A JPH01157108A (ja) | 1987-12-14 | 1987-12-14 | 圧電薄膜共振子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31579787A JPH01157108A (ja) | 1987-12-14 | 1987-12-14 | 圧電薄膜共振子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01157108A true JPH01157108A (ja) | 1989-06-20 |
Family
ID=18069668
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP31579787A Pending JPH01157108A (ja) | 1987-12-14 | 1987-12-14 | 圧電薄膜共振子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01157108A (ja) |
Cited By (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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-
1987
- 1987-12-14 JP JP31579787A patent/JPH01157108A/ja active Pending
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