JP2002372974A

JP2002372974A - 薄膜音響共振器及びその製造方法

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Publication number: JP2002372974A
Application number: JP2001182197A
Authority: JP
Inventors: Tetsuo Yamada; 哲夫山田; Tomonori Hashimoto; 智仙橋本; Keigo Nagao; 圭吾長尾
Original assignee: Ube Electronics Ltd
Current assignee: Ube Electronics Ltd
Priority date: 2001-06-15
Filing date: 2001-06-15
Publication date: 2002-12-26
Anticipated expiration: 2021-06-15
Also published as: JP4441843B2

Abstract

(57)【要約】【課題】電気機械結合係数及び音響品質係数などに優
れた高性能の薄膜音響共振器を提供する。【解決手段】シリコンウェーハ５１の表面に酸化シリ
コン薄層５３の形成された基板に、窪み５２が形成され
ている。窪み５２をまたぐように、圧電体層６２とその
両面に接合された下方電極６１及び上方電極６３とから
なる挟み込み構造体６０が配置されている。下方電極６
１の上面及びこれと接合されている圧電体層６２の下面
は、高さのＲＭＳ変動が２．０ｎｍ以下である。下方電
極６１の厚さは１５０ｎｍ以下である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、圧電体薄膜の電気
音響効果を利用した薄膜音響共振器に関するものであ
る。薄膜音響共振器は、通信機用フィルタの構成要素と
して利用することができる。

【０００２】

【従来の技術】電子機器のコストおよび寸法を減らす必
要性から、その回路構成要素としてのフィルタの寸法を
小さくする努力が絶えず続いている。セル式電話および
ミニチュア・ラジオのような民生用電子機器には、それ
に内蔵されている構成要素の大きさおよびコストの双方
に厳しい制限が加えられている。このような多数の電子
機器は、精密な周波数に同調させなければならないフィ
ルタを利用している。したがって、廉価でコンパクトな
フィルタを提供する努力が続けられている。

【０００３】これらの低価格及び小型化の要求を満たす
可能性のあるフィルタとして、音響共振器を用いて構成
されているものが挙げられる。音響共振器は、薄膜圧電
体（ＰＺ）材料内のバルク弾性音響波を利用している。
音響共振器の一つの簡単な構成では、薄膜ＰＺ材料の層
が二つの金属電極の間に挟み込まれた挟み込み構造を形
成している。この挟み込み構造は、周囲を支持すること
により中央部が空中に吊された橋架け構造により支持さ
れる。二つの電極の間に印加される電圧により電界が発
生すると、ＰＺ材料は、電気エネルギーの幾らかを音波
の形の機械エネルギーに変換する。音波は、電界と同じ
方向に伝播し、電極／空気境界面で反射する。

【０００４】機械的に共振している時、音響共振器は電
気共振器として機能し、したがって、これを用いてフィ
ルタを構成することができる。音響共振器の機械的共振
は、音波が伝播する材料の厚さが音波の半波長と等しく
なる周波数で発生する。音波の周波数は、電極に印加さ
れる電気信号の周波数に等しい。音波の速度は光の速度
より５〜６桁小さいから、得られる共振器を極めてコン
パクトにすることができる。ＧＨｚ帯の用途のための共
振器を、直径２００ミクロン未満で厚さ数ミクロン未満
の寸法で構成することができる。

【０００５】以上のような薄膜バルク音響共振器（Ｔｈ
ｉｎＦｉｌｍＢｕｌｋＡｃｏｕｓｔｉｃＲｅｓ
ｏｎａｔｏｒｓ：以下ＦＢＡＲという）、及び上記挟み
込み構造を積層した形態の積層薄膜バルク音響共振器お
よびフィルタ（ＳｔａｃｋｅｄＴｈｉｎＦｉｌｍ
ＢｕｌｋＡｃｏｕｓｔｉｃＲｅｓｏｎａｔｏｒｓａ
ｎｄＦｉｌｔｅｒｓ：以下ＳＢＡＲという）におい
て、挟み込み構造の中心部はスパッタ法により作製され
た厚さ約１〜２ミクロン程度の圧電体薄膜である。上方
および下方の電極は、電気リードとして働き圧電体薄膜
を挟み込んで圧電体薄膜を貫く電界を与える。圧電体薄
膜は、電界エネルギーの一部を力学エネルギーに変換す
る。時間変化する印加電界エネルギーに応答して、時間
変化する「応力／歪み」エネルギーが形成される。

【０００６】ＦＢＡＲまたはＳＢＡＲを音響共振器とし
て動作させるには、圧電体薄膜を含む挟み込み構造を橋
架け構造により支持して、音波を挟み込み構造内に閉じ
込めるための空気／結晶境界面を形成しなければならな
い。挟み込み構造は、通常、基板表面上に下方電極、Ｐ
Ｚ層、および次に上方電極を堆積させることにより作ら
れる。したがって、挟み込み構造の上側には、空気／結
晶境界面が既に存在している。挟み込み構造の下側にも
空気／結晶境界面を設けなければならない。この挟み込
み構造の下側の空気／結晶境界面を得るのに、従来、以
下に示すような幾つかの方法が用いられている。

【０００７】第１の方法は、例えば特開昭５８−１５３
４１２号公報に記載のように、基板を形成しているウェ
ーハのエッチング除去を利用している。基板がシリコン
からなるものであれば、加熱ＫＯＨ水溶液を使用してシ
リコン基板の一部を裏側からエッチングして取り去って
孔を形成する。これにより、挟み込み構造の縁をシリコ
ン基板の孔の周囲の部分で支持した形態を有する共振器
が得られる。しかし、このようなウェーハを貫いて開け
られた孔は、ウェーハを非常に繊細にし、且つ、非常に
破壊しやすくする。更に、基板表面に対して５４．７度
のエッチング傾斜でＫＯＨを用いた湿式エッチングを行
うと、最終製品の取得量、即ちウェーハ上のＦＢＡＲ／
ＳＢＡＲの歩留まりの向上が困難である。たとえば、２
５０μｍ厚さのシリコンウェーハ上に形成される約１５
０μｍ×１５０μｍの横寸法を有する挟み込み構造は、
約４５０μｍ×４５０μｍの寸法の裏側エッチング開口
を必要とする。したがって、ウェーハの約１／９を生産
に利用できるだけである。

【０００８】挟み込み構造の下に空気／結晶境界面を設
ける従来の第２の方法は、例えば特開平２−１３１０９
号公報に記載のように、空気ブリッジ式ＦＢＡＲ素子を
作ることである。通常、最初に犠牲層（Ｓａｃｒｉｆｉ
ｃｉａｌｌａｙｅｒ）を設置し、次に犠牲層の上に挟
み込み構造を作製する。プロセスの終わりまたは終わり
近くに、犠牲層を除去する。処理はすべてウェーハの前
面側で行われるから、この方法は、ウェーハ両面側の位
置合わせも大きい面積の裏側開口も必要としない。

【０００９】特開２０００−６９５９４号公報には、犠
牲層として燐酸石英ガラス（ＰＳＧ）を使用した空気ブ
リッジ式ＦＢＡＲ／ＳＢＡＲ素子の構成と製造方法が記
載されている。同公報においては、ＰＳＧ層がシリコン
ウェーハ上に堆積されている。ＰＳＧは、シランおよび
ホスフィン（ＰＨ₃ ）を使用して約４５０℃までの温度
で堆積され、燐含有量約８％である軟ガラス様物質を形
成する。ＰＳＧは、比較的低温で堆積させることがで
き、且つ、希釈Ｈ₂ Ｏ：ＨＦ溶液で非常に高いエッチン
グ速度でエッチングされる。

【００１０】しかしながら、同公報においては、ＰＳＧ
犠牲層の高さのＲＭＳ（２乗平均平方根）変動が０．５
μｍ未満と記載されているものの、具体的には０．１μ
ｍより小さいオーダーのＲＭＳ変動の具体的記載はな
い。この０．１μｍオーダーのＲＭＳ変動は、原子的に
みると非常に粗い凹凸である。ＦＢＡＲ／ＳＢＡＲ形式
の音響共振器は、結晶が電極平面に垂直な柱状晶をなし
て成長する圧電体材料を必要とする。特開２０００−６
９５９４号公報では、ＰＳＧ層の表面に平行な導電シー
トの高さのＲＭＳ変動は２μｍ未満と記載されているも
のの、具体的には０．１μｍより小さいオーダーのＲＭ
Ｓ変動の具体的記載はない。この０．１μｍオーダーの
ＲＭＳ変動は、音響共振器用の圧電体薄膜を形成する表
面としては不十分な表面粗さである。圧電体膜を成長さ
せる試みが行われたが、粗面上の多数の凹凸の影響で多
様な方向に結晶が成長するので、得られた圧電体薄膜の
結晶品質は必ずしも十分なものでなく、圧電効果を殆ど
または全く示さない不十分なものであった。

【００１１】以上のような空気／結晶境界面を設ける代
わりに、適切な音響ミラーを設ける方法もある。この方
法は、例えば特開平６−２９５１８１号公報に記載のよ
うに、挟み込み構造の下に音響的ブラッグ反射鏡からな
る大きな音響インピーダンスが作り出される。ブラッグ
反射鏡は、高低の音響インピーダンス材料の層を交互に
積層することにより作られる。各層の厚さは共振周波数
の波長の１／４に固定される。十分な層数により、圧電
体／電極境界面における有効インピーダンスを、素子の
音響インピーダンスよりはるかに高くすることができ、
したがって、圧電体内の音波を有効に閉じ込めることが
できる。この方法により得られる音響共振器は、挟み込
み構造の下に空隙が存在しないので、固体音響ミラー取
付け共振器（ＳＭＲ）と呼ばれる。

【００１２】この方法は、周辺部が固定され中心部が自
由に振動できる膜を作るという前述の第１の方法及び第
２の方法の問題を回避しているが、この方法にも多くの
問題点がある。即ち、金属層はフィルタの電気性能を劣
化させる寄生コンデンサを形成するのでブラッグ反射鏡
の層に使用できないから、ブラッグ反射鏡に使用する材
料の選択には、制限がある。利用可能な材料から作られ
る層の音響インピーダンスの差は大きくない。したがっ
て、音波を閉じ込めるには、非常に多くの数の層が必要
である。この方法は、各層にかかる応力を精密に制御し
なければならないので、製作プロセスが複雑である。ま
た、１０ないし１４といった多数の層をを貫くバイアを
作るのは困難であるから、この方法により得られる音響
共振器は他の能動素子との集積化には不都合である。更
に、これまでに報告された例では、この方法により得ら
れる音響共振器は、空気ブリッジを有する音響共振器よ
り有効結合係数がかなり低い。その結果、ＳＭＲを用い
たフィルタは、空気ブリッジ式の音響共振器を用いたも
のに比較して有効帯域幅が狭い。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、改良
された性能を有するＦＢＡＲ／ＳＢＡＲ素子を提供する
ことである。

【００１４】本発明の他の目的は、薄膜圧電体（ＰＺ）
の結晶品質を向上させることにより、電気機械結合係
数、音響品質係数（Ｑ値）、温度特性などに優れた高性
能のＦＢＡＲ／ＳＢＡＲ素子を提供することである。

【００１５】本発明の更に別の目的は、上方電極の形状
を工夫することにより、電気機械結合係数、音響品質係
数（Ｑ値）、温度特性などに優れた高性能のＦＢＡＲ／
ＳＢＡＲ素子を提供することである。

【００１６】

【課題を解決するための手段】本発明によれば、以上の
如き目的を達成するものとして、圧電体層と、該圧電体
層の第１の表面に接合された第１の電極と、前記圧電体
層の前記第１の表面と反対側の第２の表面に接合された
第２の電極とを有しており、前記圧電体層の第１の表面
は高さのＲＭＳ変動が２．０ｎｍ以下であることを特徴
とする薄膜音響共振器、が提供される。

【００１７】本発明において、高さのＲＭＳ変動は、日
本工業規格ＪＩＳＢ０６０１：２００１「製品の幾何
特性仕様（ＧＰＳ）−表面性状：輪郭曲線方式−用語、
定義及び表面性状パラメータ」に記載の二乗平均平方根
粗さ：Ｒｑである（以下に記載の発明についても同
様）。

【００１８】また、本発明によれば、以上の如き目的を
達成するものとして、圧電体層と、該圧電体層の第１の
表面に接合された第１の電極と、前記圧電体層の前記第
１の表面と反対側の第２の表面に接合された第２の電極
とを有しており、前記第１の電極の前記圧電体層の側の
表面は高さのＲＭＳ変動が２．０ｎｍ以下であることを
特徴とする薄膜音響共振器、が提供される。

【００１９】本発明の一態様においては、前記圧電体層
の前記第２の表面は高さのＲＭＳ変動が前記圧電体層の
厚さの０．５０％以下である。

【００２０】本発明の一態様においては、前記第２の電
極は中央部と該中央部より厚い外周部とを有する。本発
明の一態様においては、前記第２の電極の中央部の表面
のうねり高さは前記圧電体層の厚さの５．０％以下であ
る。尚、本発明において、うねり高さは、測定長１００
μｍにおけるうねり高さに換算した値である。

【００２１】本発明の一態様においては、前記第２の電
極の外周部は前記第２の電極の中央部の周囲に枠状に位
置する。本発明の一態様においては、前記第２の電極は
前記中央部の厚さ変動が該中央部の厚さの２％以下であ
る。本発明の一態様においては、前記第２の電極の外周
部の厚さは前記第２の電極の中央部の高さの１．１倍以
上である。本発明の一態様においては、前記第２の電極
の外周部は前記第２の電極の外縁から４０μｍまでの距
離の範囲内に位置する。

【００２２】本発明の一態様においては、前記圧電体層
と前記第１の電極と前記第２の電極とからなる挟み込み
構造体は、基板の表面に形成された窪みをまたぐように
前記基板により縁部が支持されている。本発明の一態様
においては、前記基板の表面上には、前記窪みをまたぐ
ように形成された絶縁体層が配置されており、該絶縁体
層上に前記挟み込み構造体が形成されている。

【００２３】更に、本発明によれば、以上の如き目的を
達成するものとして、圧電体層と、該圧電体層の第１の
表面に接合された第１の電極と、前記圧電体層の前記第
１の表面と反対側の第２の表面に接合された第２の電極
とを有する薄膜音響共振器を製造する方法であって、基
板の表面に窪みを形成し、該窪み内に犠牲層を充填し、
該犠牲層の表面を高さのＲＭＳ変動が１．０ｎｍ以下と
なるように研磨し、前記犠牲層の表面の一部の領域と前
記基板の表面の一部の領域とにわたってそれらの上に前
記第１の電極を形成し、該第１の電極上に前記圧電体層
を形成し、該圧電体層上に前記第２の電極を形成し、前
記窪み内から前記犠牲層をエッチング除去することを特
徴とする、薄膜音響共振器の製造方法、が提供される。

【００２４】本発明の一態様においては、前記第１の電
極を厚さ１５０ｎｍ以下に形成し、該第１の電極の上面
を高さのＲＭＳ変動が２．０ｎｍ以下となるようにす
る。本発明の一態様においては、前記犠牲層の上に前記
第１の電極を形成するに先立って絶縁体層を形成する。

【００２５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、図
面を参照しながら説明する。

【００２６】図１および図２は、それぞれ、本発明によ
る薄膜音響共振器であるＦＢＡＲおよびＳＢＡＲの基本
構成を説明するための模式的断面図である。

【００２７】図１において、ＦＢＡＲ２０は、上方電極
２１および下方電極２３を備え、これらは圧電体（Ｐ
Ｚ）材料の層２２の一部を挟み込んで挟み込み構造を形
成している。好適なＰＺ材料は窒化アルミニウム（Ａｌ
Ｎ）または酸化亜鉛（ＺｎＯ）である。ＦＢＡＲ２０に
使用される電極２１，２３は、好適にはモリブデンから
作られるが、他の材料を使用することも可能である。下
方電極２３が第１の電極であり、上方電極２１が第２の
電極である。

【００２８】この素子は、薄膜ＰＺ材料内のバルク弾性
音響波の作用を利用している。印加電圧により二つの電
極２１，２３の間に電界が生ずると、ＰＺ材料は電気エ
ネルギーの一部を音波の形の機械的エネルギーに変換す
る。音波は電界と同じ方向に伝播し、電極／空気境界面
で反射される。

【００２９】機械的に共振している時、素子は電気共振
器として機能し、したがって、素子は、ノッチフィルタ
として動作することができる。素子の機械的共振は、音
波が伝播する材料の厚さが当該音波の半波長と等しくな
る周波数で発生する。音波の周波数は電極２１，２３間
に印加される電気信号の周波数である。音波の速度は光
の速度より５〜６桁小さいから、得られる共振器を極め
てコンパクトにすることができる。ＧＨｚ帯の用途に対
する共振器を、平面寸法が約１００μｍおよび厚さが数
μｍのオーダーで構成することができる。

【００３０】次に、図２を参照してＳＢＡＲについて説
明する。ＳＢＡＲ４０は、帯域フィルタと類似の電気的
機能を与える。ＳＢＡＲ４０は、基本的には機械的に結
合されている二つのＦＢＡＲフィルタである。圧電体層
４１の共振周波数で電極４３および４４を横断する信号
は、音響エネルギーを圧電体層４２に伝える。圧電体層
４２内の機械的振動は、電極４４および４５を横断する
電気信号に変換される。

【００３１】図３〜図８は、本発明による音響共振器で
あるＦＢＡＲの製造方法及びそれにより得られたＦＢＡ
Ｒの実施形態を説明するための模式的断面図（図３〜図
６，図８）及び模式的平面図（図７）である。

【００３２】先ず、図３に示されているように、集積回
路製作に利用されている通常のシリコンウェーハ５１
に、エッチングにより窪みを形成する。窪みの深さは好
適には３〜３０μｍである。ＦＢＡＲの挟み込み構造の
下の空洞の深さは圧電体層により生ずる変位を許容すれ
ばよい。したがって、空洞の深さは数μｍあれば十分で
ある。

【００３３】ウェーハ５１の表面に熱酸化により酸化シ
リコンの薄層５３を形成し、これにより、その上に以後
の工程で形成される犠牲層のＰＳＧからウェーハ５１内
に燐が拡散しないようにする。このようにウェーハ内へ
の燐の拡散を抑制することにより、シリコンウェーハが
導体に変換されることが阻止され、作製された素子の電
気的動作に対する悪影響をなくすことができる。以上の
ようにしてウェーハ５１の表面に酸化シリコン薄層５３
を形成したものを、基板として用いる。即ち、図３は、
基板の表面に深さが好適には３〜３０μｍの窪み５２を
形成した状態を示す。

【００３４】次に、図４に示されているように、基板の
酸化シリコンの薄層５３上に燐酸石英ガラス（ＰＳＧ）
層５５を堆積させる。ＰＳＧは、シランおよびホスフィ
ン（ＰＨ₃ ）を使用して約４５０℃までの温度で堆積さ
れ、燐含有量約８％の軟ガラス様物質を形成する。この
低温プロセスは、当業者に周知である。ＰＳＧは、比較
的低温で堆積させることができ、且つ、希釈Ｈ₂ Ｏ：Ｈ
Ｆ溶液で非常に高いエッチング速度でエッチングされる
非常にクリーンな不活性材料であるから、犠牲層の材料
として好適である。以後の工程で実行されるエッチング
において１０：１の希釈割合で毎分約３μｍのエッチン
グ速度が得られる。

【００３５】堆積したままのＰＳＧ犠牲層５５の表面
は、原子レベルでみると非常に粗い。したがって、堆積
したままのＰＳＧ犠牲層５５は、音響共振器を形成する
基体としては不十分である。ＦＢＡＲ／ＳＢＡＲ形式の
音響共振器は、結晶が電極面に垂直な柱状晶をなして成
長する圧電材料を必要とする。微細な研磨粒子を含む研
磨スラリーを用いてＰＳＧ犠牲層５５の表面を磨いて滑
らかにすることにより、優れた結晶の圧電材料の薄膜を
形成する。

【００３６】即ち、図５に示されているように、ＰＳＧ
層５５の表面を粗仕上げスラリーで磨くことにより全体
的に平面化して、窪み５２の外側のＰＳＧ層の部分を除
去する。次に、残っているＰＳＧ層５５を更に微細な研
磨粒子を含むスラリーで磨く。代替方法として、磨き時
間が長くかかってもよければ一つの更に微細なスラリー
を用いて上記二つの磨きステップを実行してもよい。目
標は、鏡面仕上げである。

【００３７】以上のようにして窪み５２に対応する位置
にＰＳＧ層５５を残留させた基板のクリーニングも重要
である。スラリーは基板上に少量のシリカ粗粉を残す。
この粗粉を除去せねばならない。本発明の好適な実施形
態では、この粗粉除去をポリテックス（Ｐｏｌｙｔｅｘ
（商標）：ロデール・ニッタ社）のような堅いパッドの
付いた第２の研磨具を使用して行う。その際の潤滑剤と
して、脱イオン水を使用し、磨いてから最終クリーニン
グステップの準備が完了するまでウェーハを脱イオン水
中に入れておく。基板を、最後の磨きステップと最後の
クリーニングステップとの間で乾燥させないように注意
する。最後のクリーニングステップは、基板を色々な化
学薬品の入っている一連のタンクに漬けることから成
る。各タンクに超音波撹拌を加える。このようなクリー
ニング手段は当業者に周知である。

【００３８】研磨剤は、シリカ微粒子から構成されてい
る。本発明の好適な実施形態では、シリカ微粒子のアン
モニア主体スラリー（ＲｏｄｅｌＫｌｅｂｏｓｏｌ＃
３０Ｎ：ローデル・ニッタ社）を利用する。

【００３９】以上の説明では特定の研磨およびクリーニ
ングの様式を示したが、必要な滑らかさの表面を与える
どんな研磨およびクリーニングの様式をも利用すること
ができる。本発明の好適な実施形態では、最終表面は、
原子間力顕微鏡プローブで測った高さのＲＭＳ変動が
１．０ｎｍ以下である。

【００４０】以上のようにして表面をきれいにしてか
ら、図６に示されているように、挟み込み構造体６０の
下方電極６１を堆積させる。下方電極６１の好適な材料
は、モリブデン（Ｍｏ）である。しかし、下方電極６１
を他の材料たとえばＡｌ、Ｗ、Ａｕ、ＰｔまたはＴｉか
ら構成することもできる。その低い熱弾性損失のためモ
リブデン（Ｍｏ）が好適である。たとえば、Ｍｏの熱弾
性損失は、Ａｌの約１／５６である。

【００４１】下方電極６１の厚さも重要である。厚い層
は、薄い層より表面が粗くなる。圧電体層６２の堆積の
ための滑らかな表面を維持することは、得られる共振器
の性能にとって非常に重要である。したがって、下方電
極６１の厚さは、好適には１５０ｎｍ以下である。Ｍｏ
は好適にはスパッタリングにより堆積される。これによ
り、表面の高さのＲＭＳ変動が２．０ｎｍ以下のＭｏ層
が得られる。

【００４２】下方電極６１を堆積し終わってから、圧電
体層６２を堆積する。圧電体層６２の好適な材料は、Ａ
ｌＮまたはＺｎＯであり、これもスパッタリングにより
堆積される。本発明の好適な実施形態では、圧電体層６
２の厚さは、０．１μｍから１０μｍの間（好ましくは
０．５μｍ〜２μｍ）にある。圧電体層６２の上面は、
高さのＲＭＳ変動が圧電体層厚さ（平均値）の０．５０
％以下であるのが好ましく、また、うねり高さが圧電体
層６２の厚さの５．０％以下であるのが好ましい。

【００４３】最後に、上方電極６３を堆積させる。上方
電極６３は、下方電極６１と同様な材料から構成され、
好適にはＭｏから構成される。

【００４４】以上のようにして、下方電極６１、圧電体
層６２及び上方電極６３からなり、所要の形状にパター
ニングされた挟み込み構造体６０を形成してから、図７
に示されているように、挟み込み構造体６０の端部また
は挟み込み構造体６０により覆われずに露出している犠
牲層５５の部分から、希釈Ｈ₂ Ｏ：ＨＦ溶液でエッチン
グすることにより、挟み込み構造体６０の下方のＰＳＧ
をも除去する。これにより、図８に示されているよう
に、窪み５２の上に橋架けされた挟み込み構造体６０が
残る。即ち、挟み込み構造体６０は、基板の表面に形成
された窪み５２をまたぐように基板により縁部が支持さ
れている。

【００４５】以上のようにして得られたＦＢＡＲにおい
ては、犠牲層５５の表面（高さのＲＭＳ変動が１．０ｎ
ｍ以下）に従って、その上に形成された下方電極６１の
下面の高さのＲＭＳ変動が２．０ｎｍ以下であり、更に
該下方電極６１は厚さが薄いので上面も高さのＲＭＳ変
動が２．０ｎｍ以下である。そして、この下方電極６１
の上面に従って、その上に形成された圧電体層６２の下
面の高さのＲＭＳ変動が２．０ｎｍ以下である。下方電
極６１の滑らかな上面は、圧電体層６２の成長核となる
結晶構造を備えていないにもかかわらず、形成される圧
電体層６２に非常に規則正しい構造のｃ軸配向を形成し
優れた圧電特性を与える。

【００４６】図９〜図１０は、本発明による音響共振器
であるＦＢＡＲの製造方法及びそれにより得られたＦＢ
ＡＲの更に別の実施形態を説明するための模式的断面図
である。この実施形態では、上記図３〜５に関し説明し
たような工程の後に、図９に示されているように、絶縁
体層５４を形成する。絶縁体層５４は、たとえばＳｉＯ
₂ 膜であり、ＣＶＤ法により堆積することができる。こ
の絶縁体層５４の厚さは、例えば５０〜１０００ｎｍで
あり、その上面は高さのＲＭＳ変動が２．０ｎｍ以下で
ある。その上に、上記図６に関し説明したような工程を
行って挟み込み構造体６０を形成する。次いで、図１０
に示されているように、上記図７及び図８に関し説明し
たような工程を行って、ＦＢＡＲを得る。その際に、犠
牲層５５をエッチング除去するために、挟み込み構造体
６０の端部または挟み込み構造体６０により覆われてい
ない絶縁体層５４の部分であって犠牲層５５の上方の部
分に適宜の大きさの開口を形成し、該開口からエッチン
グ液を供給する。

【００４７】本実施形態のＦＢＡＲは、挟み込み構造体
６０と空洞５２との間に絶縁体層５４が配置されてお
り、挟み込み構造体６０に加えて絶縁体層５４をも含ん
で振動部が構成されるので、該振動部の強度が向上す
る。

【００４８】以上の実施形態は、ＦＢＡＲに関するもの
である。しかし、当業者には、以上の説明から、同様な
プロセスを用いてＳＢＡＲを作製することが可能である
ことが明らかであろう。ＳＢＡＲの場合には、もう一つ
の圧電体層（第２の圧電体層）およびその上の電極（第
２の上方電極）を堆積しなければならない。第２の圧電
体層は上記実施形態で示されているような「ＦＢＡＲ」
の上方電極の上に形成されているから、この上方電極の
厚さをも１５０ｎｍ以下に維持して第２の圧電体層を堆
積するための適切な表面（第１の圧電体層の下方電極の
表面と同様）を与えるのが好ましい。

【００４９】図１１は、本発明による音響共振器である
ＦＢＡＲの製造方法及びそれにより得られたＦＢＡＲの
更に別の実施形態を説明するための模式的断面図であ
り、図１２はその上方電極の平面図である。この実施形
態では、上方電極６３の形状のみ、上記図３〜８に関し
説明した実施形態と異なる。

【００５０】本実施形態では、上方電極６３が中央部６
３１と該中央部の周囲に枠状に位置し且つ中央部６３１
より肉厚の外周部６３２とを有する。中央部６３１と外
周部６３２との境界は段差により形成されている。

【００５１】外周部６３２の厚さは、中央部６３１の厚
さの１．１倍以上であるのが好ましい。また、中央部６
３１の厚さ変動は、該中央部の厚さ（平均値）の２％以
下であるのが好ましい。上方電極６３の寸法ａは、例え
ば１００μｍである。外周部６３２は上方電極６３の外
縁から距離ｂまでの範囲内に位置しており、距離ｂは例
えば４０μｍまでの値である。

【００５２】このような上方電極構造とすることで、上
方電極外周部での横方向の振動発生を抑制し、音響共振
器の振動に余分なスプリアス振動が重なることを防止す
ることができる。その結果、音響共振器およびフィルタ
の共振特性や品質係数が改善される。

【００５３】本実施形態では、一層高い音響的品質係数
（Ｑ値）を得るために、上方電極６３の中央部６３１の
表面のうねり高さは、圧電体層６２の厚さの５．０％以
下となるようにするのが好ましい。

【００５４】本発明の上述の実施形態では、ＰＳＧから
構成された犠牲層を利用しているが、犠牲層には他の材
料をも使用することができる。たとえば、ＢＰＳＧ（Ｂ
ｏｒｏｎ−Ｐｈｏｓｐｈｏｒ−Ｓｉｌｉｃａｔｅ−Ｇｌ
ａｓｓ：ボロン−燐−シリコン−ガラス）または、スピ
ン・ガラスのような他の形態のガラスを利用することも
できる。これ以外にも、スピニングにより材料上に堆積
できるポリビニール、ポリプロピレン、およびポリスチ
レンのようなプラスチックがある。堆積したこれら材料
の表面は原子的には滑らかでないので、これら材料から
犠牲層を構成する場合にも、ＰＳＧ犠牲層の場合のよう
に、研磨による表面平滑化が重要である。これらの犠牲
層は、有機除去材あるいはＯ₂ プラズマエッチングによ
って取り去ることもできる。

【００５５】

【実施例】以下、実施例により本発明を更に詳細に説明
する。

【００５６】［実施例１］図３〜図８に記載されている
ようにして、薄膜音響共振器を形成した。

【００５７】先ず、Ｓｉウェーハ５１の表面をＰｔ／Ｔ
ｉ保護膜により被覆し、エッチングにより該保護膜を窪
み形成のための所定のパターン状に形成して、Ｓｉウェ
ーハ５１のエッチングのためのマスクを形成した。その
後、Ｐｔ／Ｔｉパターンマスクを用いて湿式エッチング
を行い、図３に示されているように、深さ２０μｍで幅
１５０μｍの窪みを形成した。このエッチングは、５重
量％のＫＯＨ水溶液を用い、液温７０℃で実施した。

【００５８】その後、Ｐｔ／Ｔｉパターンマスクを除去
し、図３に示されているように、熱酸化によりＳｉウェ
ーハ５１の表面に厚さ１μｍのＳｉＯ₂ 層５３を形成
し、Ｓｉウェーハ５１及びＳｉＯ₂ 層５３からなる基板
上に窪み５２の形成されている構造を得た。

【００５９】次いで、図４に示されているように、窪み
５２の形成されているＳｉＯ₂ 層５３上に、厚さ３０μ
ｍのＰＳＧ犠牲層５５を堆積させた。この堆積は、４５
０℃で、シラン及びホスフィン（ＰＨ₃ ）を原料として
用いた熱ＣＶＤ法により行った。

【００６０】次いで、図５に示されているようにして、
ＰＳＧ犠牲層５５の表面を研磨し、窪み５２以外の領域
のＰＳＧ犠牲層５５を除去した。続いて、窪み５２内に
残留するＰＳＧ犠牲層５５の表面を微細な研磨粒子を含
むスラリーを用いて入念に研磨し、その表面粗さを高さ
のＲＭＳ変動が１．０ｎｍとなるようにした。

【００６１】次いで、図６に示されているように、ＰＳ
Ｇ犠牲層５５上に厚さ１００ｎｍで寸法２００×２００
μｍのＭｏ膜からなる下部電極６１を形成した。Ｍｏ膜
の形成は、ＤＣマグネトロンスパッタ法により行った。
そして、リフトオフ法によりＭｏ膜のパターニングを行
った。形成されたＭｏ膜の表面粗さを測定したところ、
高さのＲＭＳ変動は１．５ｎｍであった。

【００６２】次いで、下部電極６１上にＺｎＯ膜からな
る１．０μｍ厚の圧電体層６２を形成した。ＺｎＯ膜の
形成は、スパッタリングターゲットとしてＺｎＯを用
い、スパッタガスとしてＡｒとＯ₂ との混合ガスを用
い、スパッタガス圧を５ｍＴｏｒｒとし、基板温度４０
０℃でＲＦマグネトロンスパッタ法により行った。形成
されたＺｎＯ膜の表面粗さを測定したところ、高さのＲ
ＭＳ変動は膜厚の０．５％以下の４．０ｎｍであった。
湿式エッチングによりＺｎＯ膜を所定形状にパターニン
グして圧電体層６２を得た。

【００６３】次いで、圧電体層６２上に、厚さ１００ｎ
ｍのＭｏ膜からなる上部電極６３を形成した。Ｍｏ膜の
形成及びパターニングは、下部電極６１の形成の際と同
様にした。上部電極６３の表面について、測定長さ１５
０μｍでうねり高さを測定し、測定長さ１００μｍでの
うねり高さの最大値を調べたところ、圧電体層６２の膜
厚の５．０％以下の３０ｎｍであった。

【００６４】次いで、希釈Ｈ₂ Ｏ：ＨＦ溶液でエッチン
グすることによりＰＳＧ犠牲層５５を除去した。これに
より、図８に示されているように、窪み５２の上にＭｏ
／ＺｎＯ／Ｍｏの挟み込み構造体６０が橋架けされた形
態を形成した。

【００６５】得られた圧電体層６２の薄膜ＸＲＤ分析を
行ったところ、膜のｃ軸は膜面に対して８８．８度の方
向であり、ロッキングカーブにより配向度を調べた結
果、ピークの半値幅は２．４度であり、良好な配向性を
示していた。

【００６６】以上のようにして得られた音響共振器につ
いて、マイクロ波プローバを使用して上部電極６３と下
部電極６１との間のインピーダンス特性を測定するとと
もに、共振周波数ｆｒ及び反共振周波数ｆａを測定し、
これらの測定値に基づき電気機械結合係数ｋｔ² を算出
した。電気機械結合係数ｋｔ² は５．５％で、音響的品
質係数は７００であった。

【００６７】［比較例１］ＰＳＧ犠牲層５５の表面粗さ
を高さのＲＭＳ変動が３０ｎｍとなるように研磨を行っ
たこと以外は、実施例１と同様にして音響共振器を作製
した。

【００６８】下部電極６１のＭｏ膜の表面粗さを測定し
たところ、高さのＲＭＳ変動は３４ｎｍであった。ま
た、ＺｎＯ膜の表面粗さを測定したところ、高さのＲＭ
Ｓ変動は膜厚の０．５％を越える３７ｎｍであった。上
部電極６３の表面について、測定長さ１５０μｍでうね
り高さを測定し、測定長さ１００μｍでのうねり高さの
最大値を調べたところ、圧電体層６２の膜厚の５．０％
を越える１１０ｎｍであった。

【００６９】得られた圧電体層６２の薄膜ＸＲＤ分析を
行ったところ、膜のｃ軸は膜面に対して８７．０度の角
度に成長しており、ロッキングカーブにより配向度を調
べた結果、ピークの半値幅は６．８度であった。

【００７０】以上のようにして得られた音響共振器の電
気機械結合係数ｋｔ² は３．４％で、音響的品質係数は
４３０であった。

【００７１】［実施例２］圧電体層６２としてＺｎＯ膜
に代えてＡｌＮ膜からなるものを用いたこと以外は、実
施例１と同様にして音響共振器を作製した。即ち、下部
電極６１上にＡｌＮ膜からなる１．２μｍ厚の圧電体層
６２を形成した。ＡｌＮ膜の形成は、スパッタリングタ
ーゲットとしてＡｌを用い、スパッタガスとしてＡｒと
Ｎ₂ との混合ガスを用い、基板温度４００℃でＲＦマグ
ネトロンスパッタ法により行った。形成されたＡｌＮ膜
の表面粗さを測定したところ、高さのＲＭＳ変動は膜厚
の０．５％以下の２．４ｎｍであった。上部電極６３の
表面について、測定長さ１５０μｍでうねり高さを測定
し、測定長さ１００μｍでのうねり高さの最大値を調べ
たところ、圧電体層６２の膜厚の５．０％以下の３３ｎ
ｍであった。

【００７２】得られた圧電体層６２の薄膜ＸＲＤ分析を
行ったところ、膜のｃ軸は膜面に対して８８．６度の方
向であり、ロッキングカーブにより配向度を調べた結
果、ピークの半値幅は２．８度であり、良好な配向性を
示していた。

【００７３】以上のようにして得られた音響共振器の電
気機械結合係数ｋｔ² は６．６％で、音響的品質係数は
９１０であった。

【００７４】［比較例２］ＰＳＧ犠牲層５５の表面粗さ
を高さのＲＭＳ変動が３３ｎｍとなるように研磨を行っ
たこと以外は、実施例２と同様にして音響共振器を作製
した。

【００７５】下部電極６１のＭｏ膜の表面粗さを測定し
たところ、高さのＲＭＳ変動は３６ｎｍであった。ま
た、ＡｌＮ膜の表面粗さを測定したところ、高さのＲＭ
Ｓ変動は膜厚の０．５％を越える４０ｎｍであった。上
部電極６３の表面について、測定長さ１５０μｍでうね
り高さを測定し、測定長さ１００μｍでのうねり高さの
最大値を調べたところ、圧電体層６２の膜厚の５．０％
を越える１５０ｎｍであった。

【００７６】得られた圧電体層６２の薄膜ＸＲＤ分析を
行ったところ、膜のｃ軸は膜面に対して８６．５度の角
度に成長しており、ロッキングカーブにより配向度を調
べた結果、ピークの半値幅は７．０度であった。

【００７７】以上のようにして得られた音響共振器の電
気機械結合係数ｋｔ² は３．８％で、音響的品質係数は
４７０であった。

【００７８】［実施例３］図３〜図５，図９〜図１０に
記載されているようにして、薄膜音響共振器を形成し
た。

【００７９】先ず、実施例１と同様にして、図５に示さ
れる構造体を得た。但し、窪み５２内に残留するＰＳＧ
犠牲層５５の表面を微細な研磨粒子を含むスラリーを用
いて研磨し、その表面粗さを高さのＲＭＳ変動が０．６
ｎｍとなるようにした。

【００８０】次いで、図９に示されているように、ＰＳ
Ｇ犠牲層５５の表面をも覆うように基板上にＣＶＤ法に
より厚さ５００ｎｍのＳｉＯ₂ 膜からなる絶縁体層５４
を形成した。形成された絶縁体層５４の表面粗さを測定
したところ、高さのＲＭＳ変動は１．５ｎｍであった。

【００８１】次いで、絶縁体層５４上に、実施例１と同
様にして、図１０に示されているように、Ｍｏ膜からな
る下部電極６１を形成した。形成されたＭｏ膜の表面粗
さを測定したところ、高さのＲＭＳ変動は１．８ｎｍで
あった。

【００８２】次いで、実施例１と同様にして、下部電極
６１上にＺｎＯ膜からなる圧電体層６２を形成した。形
成されたＺｎＯ膜の表面粗さを測定したところ、高さの
ＲＭＳ変動は膜厚の０．５％以下の４．５ｎｍであっ
た。

【００８３】次いで、実施例１と同様にして、圧電体層
６２上にＭｏ膜からなる上部電極６３を形成した。上部
電極６３の表面について、測定長さ１５０μｍでうねり
高さを測定し、測定長さ１００μｍでのうねり高さの最
大値を調べたところ、圧電体層６２の膜厚の５．０％以
下の２７ｎｍであった。

【００８４】次いで、絶縁体層５４の露出している部分
にＰＳＧ犠牲層５５に達するバイアホールを開口し、該
開口を介して希釈Ｈ₂ Ｏ：ＨＦ溶液でエッチングするこ
とによりＰＳＧ犠牲層５５を除去した。これにより、図
１０に示されているように、窪み５２の上に絶縁体層５
４とＭｏ／ＺｎＯ／Ｍｏの挟み込み構造体６０との積層
体が橋架けされた形態を形成した。

【００８５】得られた圧電体層６２の薄膜ＸＲＤ分析を
行ったところ、膜のｃ軸は膜面に対して８８．８度の方
向であり、ロッキングカーブにより配向度を調べた結
果、ピークの半値幅は２．３度であり、良好な配向性を
示していた。

【００８６】以上のようにして得られた音響共振器につ
いて、マイクロ波プローバを使用して上部電極６３と下
部電極６１との間のインピーダンス特性を測定するとと
もに、共振周波数ｆｒ及び反共振周波数ｆａを測定し、
これらの測定値に基づき電気機械結合係数ｋｔ² を算出
した。電気機械結合係数ｋｔ² は５．４％で、音響的品
質係数は６８０であった。

【００８７】［比較例３］ＰＳＧ犠牲層５５の表面粗さ
を高さのＲＭＳ変動が３２ｎｍとなるように研磨を行っ
たこと以外は、実施例３と同様にして音響共振器を作製
した。

【００８８】絶縁体層５４のＳｉＯ₂ 膜の表面粗さを測
定したところ、高さのＲＭＳ変動は３６ｎｍであった。
また、下部電極６１のＭｏ膜の表面粗さを測定したとこ
ろ、高さのＲＭＳ変動は３８ｎｍであった。また、Ｚｎ
Ｏ膜の表面粗さを測定したところ、高さのＲＭＳ変動は
膜厚の０．５％を越える３９ｎｍであった。上部電極６
３の表面について、測定長さ１５０μｍでうねり高さを
測定し、測定長さ１００μｍでのうねり高さの最大値を
調べたところ、圧電体層６２の膜厚の５．０％を越える
９２ｎｍであった。

【００８９】得られた圧電体層６２の薄膜ＸＲＤ分析を
行ったところ、膜のｃ軸は膜面に対して８６．５度の角
度に成長しており、ロッキングカーブにより配向度を調
べた結果、ピークの半値幅は６．７度であった。

【００９０】以上のようにして得られた音響共振器の電
気機械結合係数ｋｔ² は２．９％で、音響的品質係数は
３９０であった。

【００９１】［実施例４］上部電極６３の形成以外は、
実施例２と同様にして音響共振器を作製した。即ち、実
施例２と同様にして圧電体層６２上に厚さ１００ｎｍの
Ｍｏ膜を形成した後に、その外縁から３０μｍの幅の領
域において、更にリフトオフ法により厚さ２０ｎｍのＭ
ｏ膜を形成して、図１１に示されているような上部電極
６３を形成した。

【００９２】上部電極６３の中央部６３１の表面につい
て、測定長さ１００μｍでうねり高さを調べたところ、
圧電体層６２の膜厚の５．０％以下の３４ｎｍであっ
た。

【００９３】以上のようにして得られた音響共振器の電
気機械結合係数ｋｔ² は７．０％で、音響的品質係数は
９６０であった。

【００９４】

【表１】

【００９５】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
高さのＲＭＳ変動が１．０ｎｍ以下という原子レベルで
見て平滑な犠牲層表面上に直接または絶縁体層を介して
第１の電極を形成し、該第１の電極の表面を高さのＲＭ
Ｓ変動が２．０ｎｍ以下となるようにし、その上に圧電
体層を形成するので、第１の電極の結晶性が向上し、こ
れに従って圧電体層の配向性及び結晶品質が著しく改善
され、これにより、電気機械結合係数及び音響的品質係
数に優れた高性能な薄膜音響共振器が提供される。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による薄膜音響共振器であるＦＢＡＲの
基本構成を説明するための模式的断面図である。

【図２】本発明による薄膜音響共振器であるＳＢＡＲの
基本構成を説明するための模式的断面図である。

【図３】本発明による音響共振器であるＦＢＡＲの製造
方法及びそれにより得られたＦＢＡＲの実施形態を説明
するための模式的断面図である。

【図４】本発明による音響共振器であるＦＢＡＲの製造
方法及びそれにより得られたＦＢＡＲの実施形態を説明
するための模式的断面図である。

【図５】本発明による音響共振器であるＦＢＡＲの製造
方法及びそれにより得られたＦＢＡＲの実施形態を説明
するための模式的断面図である。

【図６】本発明による音響共振器であるＦＢＡＲの製造
方法及びそれにより得られたＦＢＡＲの実施形態を説明
するための模式的断面図である。

【図７】本発明による音響共振器であるＦＢＡＲの製造
方法及びそれにより得られたＦＢＡＲの実施形態を説明
するための模式的平面図である。

【図８】本発明による音響共振器であるＦＢＡＲの製造
方法及びそれにより得られたＦＢＡＲの実施形態を説明
するための模式的断面図である。

【図９】本発明による音響共振器であるＦＢＡＲの製造
方法及びそれにより得られたＦＢＡＲの実施形態を説明
するための模式的断面図である。

【図１０】本発明による音響共振器であるＦＢＡＲの製
造方法及びそれにより得られたＦＢＡＲの実施形態を説
明するための模式的断面図である。

【図１１】本発明による音響共振器であるＦＢＡＲの製
造方法及びそれにより得られたＦＢＡＲの実施形態を説
明するための模式的断面図である。

【図１２】本発明による音響共振器であるＦＢＡＲの製
造方法及びそれにより得られたＦＢＡＲの上方電極の平
面図である。

【符号の説明】

２０ＦＢＡＲ２１上方電極２２圧電体層２３下方電極４０ＳＢＡＲ４１，４２圧電体層４３，４４，４５電極５１シリコンウェーハ５２窪み５３酸化シリコン薄層５４絶縁体層５５ＰＳＧ犠牲層６０挟み込み構造体６１下方電極６２圧電体層６３上方電極６３１上方電極中央部６３２上方電極外周部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０３Ｈ 9/17 Ｈ０１Ｌ 41/18 １０１Ｚ (72)発明者長尾圭吾山口県宇部市大字小串1978番地の５宇部興産株式会社宇部研究所内Ｆターム(参考） 5J108 BB07 BB08 CC11 CC12 KK01

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】圧電体層と、該圧電体層の第１の表面に
接合された第１の電極と、前記圧電体層の前記第１の表
面と反対側の第２の表面に接合された第２の電極とを有
しており、前記圧電体層の第１の表面は高さのＲＭＳ変
動が２．０ｎｍ以下であることを特徴とする薄膜音響共
振器。
【請求項２】圧電体層と、該圧電体層の第１の表面に
接合された第１の電極と、前記圧電体層の前記第１の表
面と反対側の第２の表面に接合された第２の電極とを有
しており、前記第１の電極の前記圧電体層の側の表面は
高さのＲＭＳ変動が２．０ｎｍ以下であることを特徴と
する薄膜音響共振器。
【請求項３】前記圧電体層の前記第２の表面は高さの
ＲＭＳ変動が前記圧電体層の厚さの０．５０％以下であ
ることを特徴とする、請求項１〜２のいずれかに記載の
薄膜音響共振器。
【請求項４】前記第２の電極は中央部と該中央部より
厚い外周部とを有することを特徴とする、請求項１〜３
のいずれかに記載の薄膜音響共振器。
【請求項５】前記第２の電極の中央部の表面のうねり
高さは前記圧電体層の厚さの５．０％以下であることを
特徴とする、請求項４に記載の薄膜音響共振器。
【請求項６】前記外周部は前記中央部の周囲に枠状に
位置することを特徴とする、請求項４〜５のいずれかに
記載の薄膜音響共振器。
【請求項７】前記第２の電極は前記中央部の厚さ変動
が該中央部の厚さの２％以下であることを特徴とする、
請求項４〜６のいずれかに記載の薄膜音響共振器。
【請求項８】前記外周部の厚さは前記中央部の高さの
１．１倍以上であることを特徴とする、請求項４〜７の
いずれかに記載の薄膜音響共振器。
【請求項９】前記外周部は前記第２の電極の外縁から
４０μｍまでの距離の範囲内に位置することを特徴とす
る、請求項４〜８のいずれかに記載の薄膜音響共振器。
【請求項１０】前記圧電体層と前記第１の電極と前記
第２の電極とからなる挟み込み構造体は、基板の表面に
形成された窪みをまたぐように前記基板により縁部が支
持されていることを特徴とする、請求項１〜９のいずれ
かに記載の薄膜音響共振器。
【請求項１１】前記基板の表面上には、前記窪みをま
たぐように形成された絶縁体層が配置されており、該絶
縁体層上に前記挟み込み構造体が形成されていることを
特徴とする、請求項１０に記載の薄膜音響共振器。
【請求項１２】圧電体層と、該圧電体層の第１の表面
に接合された第１の電極と、前記圧電体層の前記第１の
表面と反対側の第２の表面に接合された第２の電極とを
有する薄膜音響共振器を製造する方法であって、基板の表面に窪みを形成し、該窪み内に犠牲層を充填
し、該犠牲層の表面を高さのＲＭＳ変動が１．０ｎｍ以
下となるように研磨し、前記犠牲層の表面の一部の領域
と前記基板の表面の一部の領域とにわたってそれらの上
に前記第１の電極を形成し、該第１の電極上に前記圧電
体層を形成し、該圧電体層上に前記第２の電極を形成
し、前記窪み内から前記犠牲層をエッチング除去するこ
とを特徴とする、薄膜音響共振器の製造方法。
【請求項１３】前記第１の電極を厚さ１５０ｎｍ以下
に形成し、該第１の電極の上面を高さのＲＭＳ変動が
２．０ｎｍ以下となるようにすることを特徴とする、請
求項１２に記載の薄膜音響共振器の製造方法。
【請求項１４】前記犠牲層の上に前記第１の電極を形
成するに先立って絶縁体層を形成することを特徴とす
る、請求項１２〜１３のいずれかに記載の薄膜音響共振
器の製造方法。