KR101853217B1 - 공진 회로 및 고주파 필터 - Google Patents

공진 회로 및 고주파 필터 Download PDF

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가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
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Abstract

공진 회로(1)는 공진자(11)를 구비한다. 공진자(11)에는, 인덕터(Lp1)가 병렬 접속되어 있다. 공진기(11) 및 인덕터(Lp1)의 병렬 회로에는, 인덕터(Ls1)가 직렬 접속되어 있다. 또한, 공진기(11) 및 인덕터(Lp1)의 병렬 회로와, 인덕터(Ls1)의 직렬 회로에는, 가변 캐패시터(Cp1)가 병렬 접속되고, 이들 회로에, 가변 캐패시터(Cs1)가 직렬 접속되어 있다. 이에 의해, 보다 많은 통신 신호에 대응할 수 있는 공진 회로 및 고주파 필터를 제공한다.

Description

공진 회로 및 고주파 필터 {RESONANT CIRCUIT AND HIGH FREQUENCY FILTER}
본 발명은 공진점과 반공진점을 갖는 공진자를 포함하는 공진 회로 및 그것을 구비한 고주파 필터에 관한 것이다.
최근의 통신 장치는, 다양한 주파수 대역에서의 통신을 행한다. 이로 인해, 통신 장치는, 복수의 주파수 대역에 대응한 복수의 필터를 구비하고, 다른 통신 신호마다 사용하는 필터를 전환하고 있다. 이 필터는, 보다 광대역에 걸쳐 통과 특성을 가변으로 할 수 있고, 하나의 필터로 복수의 통신 신호를 처리할 수 있는 튜너블 필터(가변 필터)가 요망되고 있다.
특허문헌 1에는, 2개의 공진기를 갖는 T형 가변 필터의 구성이 개시되어 있다. 특허문헌 1에 기재된 가변 필터는, T형 회로의 입출력간에 직렬로 접속된 2개의 공진기와, 각각의 공진기에 병렬로 접속된 인덕터와, 입출력 단자와 공진기 사이에 직렬로 접속된 2개의 가변 캐패시터를 구비하고 있다. 그리고, 공진기의 공진 주파수가 원하는 주파수로 되도록, 2개의 공진기에 병렬로 접속되는 인덕터의 값을 미리 설정하고 나서, 가변 캐패시터를 조정함으로써 가변 필터에 요구되는 통과 특성에 맞추어, 각각의 공진기의 공진 주파수를 가변으로 하고 있다.
미국 특허 제5291159호 명세서
그러나, 특허문헌 1에서는, 주로 공진기의 공진 주파수를 이동시킴으로써(move) 가변 필터의 통과 특성을 조정하고 있다. 이로 인해, 특허문헌 1의 가변 필터는, 전송 특성에 있어서의 통과 대역의 중심 주파수를 조정할 수 있는 주파수 범위는 한정되어 있다. 한편, 현재 무선 통신에 사용되고 있는 통신 신호는, 다양한 주파수 대역을 갖고 있고, 특허문헌 1에 기재된 기술에서는, 보다 많은 통신 신호에 대응할 수 있는 가변 필터를 구성할 수 없다.
따라서, 본 발명의 목적은, 보다 많은 통신 신호에 대응할 수 있는 공진 회로 및 고주파 필터를 제공하는 데 있다.
본 발명에 따른 공진 회로는, 직렬 접속된 공진자, 제1 인덕터 및 제1 가변 캐패시터와, 상기 공진자에 병렬 접속된 제2 인덕터와, 직렬 접속된 상기 공진자 및 상기 제1 인덕터에 병렬 접속된 제2 가변 캐패시터를 구비하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 공진 회로는, 직렬 접속된 공진자, 제1 인덕터 및 제1 가변 캐패시터와, 직렬 접속된 상기 공진자 및 상기 제1 인덕터에 병렬 접속된 제2 인덕터와, 직렬 접속된 상기 공진자, 상기 제1 인덕터 및 상기 제1 가변 캐패시터에 병렬 접속된 제2 가변 캐패시터를 구비하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 공진 회로는, 직렬 접속된 공진자, 제1 인덕터 및 제1 가변 캐패시터와, 상기 공진자에 병렬 접속된 제2 인덕터와, 직렬 접속된 상기 공진자, 상기 제1 인덕터 및 상기 제1 가변 캐패시터에 병렬 접속된 제2 가변 캐패시터를 구비하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 공진 회로는, 직렬 접속된 공진자, 제1 인덕터 및 제1 가변 캐패시터와, 직렬 접속된 상기 공진자 및 상기 제1 인덕터에 병렬 접속된 제2 인덕터와, 직렬 접속된 상기 공진자 및 상기 제1 인덕터에 병렬 접속된 제2 가변 캐패시터를 구비하는 것을 특징으로 한다.
이 구성에서는, 공진자에 제1 인덕터 및 제2 인덕터를 접속하여, 공진자의 공진 주파수 및 반공진 주파수의 간격을 넓히고, 또한 제1 가변 캐패시터 및 제2 가변 캐패시터를 접속하여, 공진자의 공진 주파수 및 반공진 주파수의 간격을 좁히고 있다. 즉, 공진 회로는, 공진자의 공진 주파수 및 반공진 주파수의 양쪽을 조정할 수 있다. 이에 의해, 공진 회로를 사용하면, 예를 들어 필터로서, 원하는 통과 특성 및 감쇠 특성을, 용이하고 또한 정확하게 실현할 수 있다.
상기 공진자는 표면 탄성파 공진자여도 된다.
상기 공진자는 벌크 탄성파 공진자여도 된다.
본 발명에 따르면, 공진 주파수 및 반공진 주파수의 양쪽을 가변할 수 있다. 그리고, 원하는 통과 특성 및 감쇠 특성을 가진 필터를, 용이하고 또한 정확하게 실현할 수 있다.
도 1은 실시 형태 1에 따른 공진 회로의 회로도
도 2는 공진 회로에 각 소자를 순서대로 접속해 갔을 때의 임피던스 특성을 나타내는 도면
도 3은 실시 형태 2에 따른 공진 회로의 회로도
도 4는 공진자에 각 소자를 순서대로 접속해 갔을 때의 임피던스 특성을 나타내는 도면
도 5는 실시 형태 3에 따른 공진 회로의 회로도
도 6은 공진자에 각 소자를 순서대로 접속해 갔을 때의 임피던스 특성을 나타내는 도면
도 7은 실시 형태 4에 따른 공진 회로의 회로도
도 8은 공진자에 각 소자를 순서대로 접속해 갔을 때의 임피던스 특성을 나타내는 도면
도 9는 실시 형태 5에 따른 고주파 필터의 회로도
도 10은 도 9에 나타내는 고주파 필터의 통과 대역 특성을 나타내는 도면
도 11은 실시 형태 6에 따른 고주파 필터의 회로도
도 12는 도 11에 나타내는 고주파 필터의 통과 대역 특성을 나타내는 도면
(실시 형태 1)
도 1은 실시 형태 1에 따른 공진 회로(1)의 회로도이다.
공진 회로(1)는 입출력 단자(IO1, IO2)를 구비하고 있다. 입출력 단자(IO1, IO2)의 사이에는, 입출력 단자(IO1)측으로부터 순서대로, 공진자(11), 인덕터(Ls1) 및 가변 캐패시터(Cs1)가 직렬 접속되어 있다. 인덕터(Ls1)는, 본 발명에 따른 제1 인덕터에 상당하고, 가변 캐패시터(Cs1)는, 본 발명에 따른 제1 가변 캐패시터에 상당한다.
공진자(11)는, 임피던스 특성에 공진점(공진 주파수) 및 반공진점(반공진 주파수)을 갖는 소자이다. 구체적으로는, 공진자(11)는 압전 공진자이며, 예를 들어 SAW(Surface Acoustic Wave) 디바이스로 구성되어 있다. 그리고, 본 실시 형태에 따른 공진자(11)는, 중심 주파수가 800㎒, 특성 임피던스가 50Ω이다. 또한, 공진자(11)는, BAW(Bulk Acoustic Wave) 디바이스(벌크 탄성파 공진자)여도 된다.
공진자(11)에는, 인덕터(Lp1)가 병렬로 접속되어 있다. 보다 상세하게는, 인덕터(Lp1)의 일단부는 입력 단자(IO1)에 접속되고, 타단부는 공진기(11)와 인덕터(Ls1)의 접속점에 접속되어 있다. 인덕터(Lp1)는, 본 발명에 따른 제2 인덕터에 상당한다.
직렬 접속된 공진자(11) 및 인덕터(Ls1)에는, 가변 캐패시터(Cp1)가 병렬로 접속되어 있다. 가변 캐패시터(Cp1)는, 본 발명에 따른 제2 가변 캐패시터에 상당한다.
또한, 가변 캐패시터(Cs1, Cp1)로서 사용할 수 있는 가변 용량 소자로서는, 예를 들어 가변 용량 다이오드, MEMS(Micro Electro Mechanical System)형 가변 용량 소자, BST((Ba, Sr)TiO3)의 강유전체층을 사용한 가변 용량 콘덴서 등을 들 수 있다.
본 실시 형태에서는, 공진자(11)에 인덕터(Lp1)를 병렬로 접속하고 있다(이하, 본 실시 형태에서는 제1 병렬 회로라고 함). 이 구성에 의해, 공진자(11)의 반공진 주파수를 우선적으로 고주파측으로 조정할 수 있다. 또한, 본 실시 형태에서는, 제1 병렬 회로에 인덕터(Ls1)를 직렬 접속하고 있다(본 실시 형태에서는 제1 직렬 회로라고 함). 이 구성에 의해, 제1 병렬 회로의 공진 주파수를 우선적으로 저주파측으로 조정할 수 있다.
또한, 본 실시 형태에서는, 제1 직렬 회로에 대해, 가변 캐패시터(Cp1)를 병렬로 접속하고 있다(이하, 본 실시 형태에서는 제2 병렬 회로라고 함). 이 구성에 의해, 제1 직렬 회로의 반공진 주파수를 우선적으로 저주파측으로 조정할 수 있다. 또한, 본 실시 형태에서는, 제2 병렬 회로에 대해 가변 캐패시터(Cs1)를 직렬 접속하고 있다. 이 구성에 의해, 제2 병렬 회로의 공진 주파수를 우선적으로 고주파측으로 조정할 수 있다. 또한, 공진 회로(1)의 공진 주파수 및 반공진 주파수 각각의 임피던스값은, 가변 캐패시터(Cp1, Cs1) 각각의 캐패시턴스를 변화시킴으로써 조정할 수 있다.
이하에, 실시 형태 1에 따른 공진 회로(1)의 공진 주파수 및 반공진 주파수의 조정 방법에 대해 설명한다. 도 1에 나타내는 공진 회로(1)에서는, 공진자(11)에 대해, 인덕터(Lp1), 인덕터(Ls1), 가변 캐패시터(Cp1), 가변 캐패시터(Cs1)의 순으로 접속되고, 공진자(11)의 공진 주파수 및 반공진 주파수가 조정된다.
도 2는 공진자(11)에 각 소자를 순서대로 접속해 갔을 때의 임피던스 특성을 나타내는 도면이다. 도 2의 횡축은 주파수[㎒], 종축은 임피던스[Ω]를 나타내고 있다.
도 2에 나타내는 파형 (1)은, 입출력 단자(IO1, IO2) 사이에 공진자(11)만을 접속하였을 때의 임피던스 특성을 나타낸다. 이 공진자(11)의 공진 주파수는 약 775㎒이며, 반공진 주파수는 약 825㎒이다.
파형 (2)는, 공진자(11)에, 10nH의 인덕터(Lp1)를 병렬 접속한 제1 병렬 회로의 임피던스 특성을 나타낸다. 공진자(11)에 인덕터를 병렬 접속함으로써, 공진자(11)의 반공진 주파수는 높아진다. 이 제1 병렬 회로에서는, 공진 주파수는 약 775㎒이며, 반공진 주파수는 약 955㎒이다. 즉, 파형 (2)는, 파형 (1)에 비해, 공진 주파수가 바뀌지 않고, 반공진 주파수가 높다. 또한, 본 실시 형태에서는, 임피던스값의 변동이 작은 상태에서, 반공진 주파수를 고주파측으로 조정할 수 있다.
파형 (3)은, 제1 병렬 회로에, 10nH의 인덕터(Ls1)를 직렬 접속한 제1 직렬 회로의 임피던스 특성을 나타낸다. 제1 병렬 회로에 인덕터(Ls1)를 직렬 접속함으로써, 제1 병렬 회로의 공진 주파수는 낮아진다. 이 제1 직렬 회로에서는, 공진 주파수는 약 730㎒이며, 반공진 주파수는 약 955㎒이다. 즉, 파형 (3)은, 파형 (2)에 비해, 반공진 주파수가 바뀌지 않고, 공진 주파수가 낮다.
파형 (4)는, 제1 직렬 회로에 가변 캐패시터(Cp1)를 병렬 접속한 제2 병렬 회로의 임피던스 특성을 나타낸다. 파형 (3)은, 가변 캐패시터(Cp1)를 5pF로 한 경우의 파형이다. 제1 직렬 회로에 가변 캐패시터(Cp1)를 병렬 접속함으로써, 제1 직렬 회로의 반공진 주파수가 낮아진다. 제2 병렬 회로에서는, 공진 주파수는 약 730㎒이며, 반공진 주파수는 약 777㎒이다. 즉, 파형 (4)는, 파형 (3)에 비해, 공진 주파수가 바뀌지 않고, 반공진 주파수가 약 178㎒ 낮다. 그리고, 가변 캐패시터(Cp1)의 용량값을 바꿈으로써, 반공진 주파수를 얼마나 낮게 할지를 조정할 수 있다.
파형 (5)는, 제2 병렬 회로에 가변 캐패시터(Cs1)를 직렬 접속한 회로, 즉, 실시 형태 1에 따른 공진 회로(1)의 임피던스 특성을 나타낸다. 파형 (5)는, 가변 캐패시터(Cs1)를 5pF로 한 경우의 파형이다. 제2 병렬 회로에 캐패시터를 직렬 접속함으로써, 제2 병렬 회로의 공진 주파수는 높아진다. 공진 회로(1)에서는, 공진 주파수는 약 751㎒이며, 반공진 주파수는 약 777㎒이다. 즉, 파형 (5)는, 파형 (4)에 비해, 반공진 주파수가 바뀌지 않고, 공진 주파수가 약 19㎒ 높다. 그리고, 가변 캐패시터(Cs1)의 용량값을 바꿈으로써, 반공진 주파수를 얼마나 낮게 할지를 조정할 수 있다.
이 파형 (5)를 파형 (1)과 비교하면, 공진 주파수 및 반공진 주파수의 양쪽이 낮게 되어 있다. 즉, 공진 회로(1)는, 공진자(11)의 공진 주파수 및 반공진 주파수의 양쪽을 가변할 수 있다. 이 결과, 공진 회로(1)는, 통과 특성 및 감쇠 특성을 조정할 수 있다.
또한, 본 실시 형태에서는, 공진자(11)에 대해, 인덕터(Lp1, Ls1)를 접속하여, 공진 주파수 및 반공진 주파수의 간격을 넓히고 나서, 도 2의 화살표로 나타내는 바와 같이, 가변 캐패시터(Cp1, Cs1)를 접속하고, 그 용량값을 조정함으로써, 상기 넓혀진 공진 주파수 및 반공진 주파수의 간격 내에서 공진 회로(1)가 원하는 공진 주파수 및 반공진 주파수로 되도록 설정하고 있다.
가령 공진자(11)의 공진 주파수가 고정된 상태, 즉, 인덕터(Ls1)가 공진자(11)에 접속되어 있지 않은 상태에서, 반공진 주파수만을 이동시킨 경우, 반공진 주파수는, 공진자(11)의 공진 주파수 775㎒보다 낮아지는 일은 없다. 본 실시 형태에서는, 인덕터(Ls1)를 접속하여 공진자(11)의 공진 주파수를 낮게 함으로써, 반공진 주파수는, 공진자(11)의 공진 주파수 775㎒보다도 낮은 770㎒로 조정할 수 있다.
또한, 인덕터(Lp1)를 공진자(11)에 접속함으로써, 반공진 주파수의 가변 폭을 크게 할 수 있다. 구체적으로는, 인덕터(Lp1)를 접속하지 않는 공진자(11)에서는, 약 825㎒ 내지 약 777㎒의 범위에서밖에 조정할 수 없는 것에 반해, 인덕터(Lp1)를 접속한 공진 회로(1)에서는, 반공진 주파수는, 약 955㎒ 내지 약 777㎒의 범위에서 조정할 수 있다.
이와 같이, 공진자(11)만으로는 실현할 수 없는 공진 주파수 및 반공진 주파수를 실현할 수 있고, 공진 회로(1)로서 공진 주파수 및 반공진 주파수를 보다 넓은 주파수 대역에서 실현할 수 있다.
또한, 공진자(11)의 공진 주파수 및 반공진 주파수의 간격을 한번 넓힘으로써, 가변 캐패시터(Cp1, Cs1)에 의한 공진 주파수 및 반공진 주파수의 가변 폭을 넓힐 수 있다.
이와 같이, 본 실시 형태에서는, 공진자 단체, 또는 종래 구성보다도 확실하게 보다 많은 통신 신호에 적합한 공진 회로(1)를 구성할 수 있다. 또한, 본 실시 형태에 따른 공진 회로(1)는, 반공진 주파수를 크게 변화시킬 수 있으므로, 통과 대역의 중심 주파수 또는 대역 폭을 변화시키거나, 혹은, 감쇠 특성을 크게 변화시키는 가변 필터에 유효하다.
(실시 형태 2)
도 3은 실시 형태 2에 따른 공진 회로(2)의 회로도이다.
공진 회로(2)의 입출력 단자(IO1, IO2)의 사이에는, 입출력 단자(IO1)측으로부터 순서대로, 공진자(12), 인덕터(Ls2) 및 가변 캐패시터(Cs2)가 직렬 접속되어 있다. 인덕터(Ls2)는, 본 발명에 따른 제1 인덕터에 상당하고, 가변 캐패시터(Cs2)는, 본 발명에 따른 제1 가변 캐패시터에 상당한다.
공진자(12) 및 인덕터(Ls2)의 직렬 회로(이하, 본 실시 형태에서는 제1 직렬 회로라고 함)에는, 인덕터(Lp2)가 병렬로 접속되어 있다. 보다 상세하게는, 인덕터(Lp2)의 일단부는 입력 단자(IO1)에 접속되고, 타단부는 인덕터(Ls2)와 가변 캐패시터(Cs2)의 접속점에 접속되어 있다. 인덕터(Lp2)는, 본 발명에 따른 제2 인덕터에 상당한다.
직렬 접속된 제1 직렬 회로 및 가변 캐패시터(Cs2)에는, 가변 캐패시터(Cp2)가 병렬로 접속되어 있다. 가변 캐패시터(Cp2)는, 본 발명에 따른 제2 가변 캐패시터에 상당한다.
또한, 공진자(12), 인덕터(Ls2, Lp2) 및 가변 캐패시터(Cs2, Cp2)는 각각, 실시 형태 1에 따른 공진자(11), 인덕터(Ls1, Lp1) 및 가변 캐패시터(Cs1, Cp1)와 동일한 소자이다.
본 실시 형태에서는, 공진자(12)에 인덕터(Ls2)를 직렬로 접속하고 있다. 이 구성에 의해, 공진자(12)의 공진 주파수를 우선적으로 저주파측으로 조정할 수 있다. 또한, 본 실시 형태에서는, 제1 직렬 회로에 인덕터(Lp2)를 병렬 접속하고 있다(본 실시 형태에서는 제1 병렬 회로라고 함). 이 구성에 의해, 제1 직렬 회로의 반공진 주파수를 우선적으로 고주파측으로 조정할 수 있다.
또한, 본 실시 형태에서는, 제1 병렬 회로에 대해, 가변 캐패시터(Cs2)를 직렬로 접속하고 있다(이하, 본 실시 형태에서는 제2 직렬 회로라고 함). 이 구성에 의해, 제1 병렬 회로의 공진 주파수를 우선적으로 고주파측으로 조정할 수 있다. 또한, 본 실시 형태에서는, 제2 직렬 회로에 대해 가변 캐패시터(Cp2)를 병렬 접속하고 있다. 이 구성에 의해, 제2 직렬 회로의 반공진 주파수를 우선적으로 저주파측으로 조정할 수 있다.
이하에, 실시 형태 2에 따른 공진 회로(2)의 공진 주파수 및 반공진 주파수의 조정 방법에 대해 설명한다. 도 3에 나타내는 공진 회로(2)는, 공진자(12)에 대해, 인덕터(Ls2), 인덕터(Lp2), 가변 캐패시터(Cs2), 가변 캐패시터(Cp2)의 순으로 접속해 가고, 공진 주파수 및 반공진 주파수가 조정(가변)된다.
도 4는 공진자(12)에 각 소자를 순서대로 접속해 갔을 때의 임피던스 특성을 나타내는 도면이다. 도 4의 횡축은 주파수[㎒], 종축은 임피던스[Ω]를 나타내고 있다.
도 4에 나타내는 파형 (1)은, 입출력 단자(IO1, IO2) 사이에 공진자(12)만을 접속한 회로의 임피던스 특성을 나타낸다. 이 공진자(12)는, 실시 형태 1에 따른 공진자(11)와 마찬가지로, 공진 주파수는 약 775㎒이며, 반공진 주파수는 약 825㎒이다.
파형 (2)는, 공진자(12)에, 10nH의 인덕터(Ls2)를 직렬 접속한 제1 직렬 회로의 임피던스 특성을 나타낸다. 이 제1 직렬 회로에서는, 공진 주파수는 약 660㎒이며, 반공진 주파수는 약 825㎒이다. 즉, 파형 (2)는, 파형 (1)에 비해, 공진 주파수가 낮고, 반공진 주파수가 바뀌지 않는다. 이 실시 형태에서는, 실시 형태 1에 비해, 임피던스값의 변동이 작은 상태에서, 공진 주파수를 크게 저주파측으로 가변할 수 있다.
파형 (3)은, 제1 직렬 회로에, 10nH의 인덕터(Lp2)를 병렬 접속한 제1 병렬 회로의 임피던스 특성을 나타낸다. 이 제1 병렬 회로에서는, 공진 주파수는 약 660㎒이며, 반공진 주파수는 약 860㎒이다. 즉, 파형 (3)은, 파형 (2)에 비해, 공진 주파수가 바뀌지 않고, 반공진 주파수가 높다.
파형 (4)는, 제1 병렬 회로에 가변 캐패시터(Cs2)를 직렬 접속한 제2 직렬 회로의 임피던스 특성을 나타낸다. 파형 (4)는, 가변 캐패시터(Cs2)를 5pF로 한 경우의 파형이다. 제2 직렬 회로에서는, 공진 주파수는 약 826㎒이며, 반공진 주파수는 약 860㎒이다. 즉, 파형 (4)는, 파형 (3)에 비해, 공진 주파수가 약 166㎒ 높고, 반공진 주파수가 바뀌지 않는다. 또한, 본 실시 형태에서는, 공진 주파수는, 실시 형태 1에 비해, 임피던스값의 변동이 작은 상태에서, 조정할 수 있다.
파형 (5)는, 제2 직렬 회로에 가변 캐패시터(Cp2)를 병렬 접속한 회로, 즉, 실시 형태 2에 따른 공진 회로(2)의 임피던스 특성을 나타낸다. 파형 (5)는, 가변 캐패시터(Cs2)를 5pF로 한 경우의 파형이다. 공진 회로(2)에서는, 공진 주파수는 약 826㎒이며, 반공진 주파수는 약 840㎒이다. 즉, 파형 (5)는, 파형 (4)에 비해, 공진 주파수가 바뀌지 않고, 반공진 주파수가 약 20㎒ 낮다.
이 파형 (5)를 파형 (1)과 비교하면, 공진 주파수 및 반공진 주파수의 양쪽이 낮게 되어 있다. 즉, 공진 회로(2)는, 공진자(12)의 공진 주파수 및 반공진 주파수의 양쪽을 가변할 수 있다. 이 결과, 공진 회로(2)는, 통과 특성 및 감쇠 특성의 양쪽을 조정할 수 있다.
또한, 본 실시 형태에서는, 공진자(12)에 대해, 인덕터(Lp2, Ls2)를 접속하여, 공진 주파수 및 반공진 주파수의 간격을 넓히고 나서, 도 4의 화살표로 나타내는 바와 같이, 가변 캐패시터(Cp2, Cs2)를 접속하여 공진 주파수 및 반공진 주파수의 간격을 좁히고 있다. 이로 인해, 실시 형태 1과 마찬가지로, 공진자(12)만으로는 실현할 수 없는 공진 주파수 및 반공진 주파수를 실현할 수 있고, 공진 회로로서 실현할 수 있는 공진 주파수 및 반공진 주파수를 다양화할 수 있다.
또한, 공진자(12)의 공진 주파수 및 반공진 주파수의 간격을 한번 넓힘으로써, 가변 캐패시터(Cp2, Cs2)에 의한 공진 주파수 및 반공진 주파수의 가변 폭을 넓힐 수 있다.
이와 같이, 본 실시 형태에서는, 공진자 단체, 또는 종래 구성보다도 확실하게 보다 많은 통신 신호에 적합한 공진 회로(2)를 구성할 수 있다. 또한, 본 실시 형태에 따른 공진 회로(2)는, 실시 형태 1에 비해, 공진 주파수를 크게 변화시킬 수 있다. 통과 대역의 중심 주파수 또는 대역 폭을 변화시키거나, 혹은, 감쇠 특성을 크게 변화시키는 가변 필터에 유효하다.
(실시 형태 3)
도 5는 실시 형태 3에 따른 공진 회로(3)의 회로도이다.
공진 회로(3)의 입출력 단자(IO1, IO2)의 사이에는, 입출력 단자(IO1)측으로부터 순서대로, 공진자(13), 인덕터(Ls3) 및 가변 캐패시터(Cs3)가 직렬 접속되어 있다. 인덕터(Ls3)는, 본 발명에 따른 제1 인덕터에 상당하고, 가변 캐패시터(Cs3)는, 본 발명에 따른 제1 가변 캐패시터에 상당한다.
공진자(13)에는, 인덕터(Lp2)가 병렬로 접속되어 있다(이하, 본 실시 형태에서는 제1 병렬 회로라고 함). 보다 상세하게는, 인덕터(Lp3)의 일단부는 입력 단자(IO1)에 접속되고, 타단부는 공진자(13)와 인덕터(Ls3)의 접속점에 접속되어 있다. 인덕터(Lp3)는, 본 발명에 따른 제2 인덕터에 상당한다.
직렬 접속된, 제1 병렬 회로, 인덕터(Ls3) 및 가변 캐패시터(Cs3)에는, 가변 캐패시터(Cp3)가 병렬로 접속되어 있다. 가변 캐패시터(Cp3)는, 본 발명에 따른 제2 가변 캐패시터에 상당한다.
본 실시 형태에서는, 공진자(13)에 인덕터(Lp3)를 병렬로 접속하고 있다. 이 구성에 의해, 공진자(13)의 반공진 주파수를 우선적으로 고주파측으로 조정할 수 있다. 또한, 본 실시 형태에서는, 제1 병렬 회로에 인덕터(Ls3)를 직렬 접속하고 있다(이하, 본 실시 형태에서는 제1 직렬 회로라고 함). 이 구성에 의해, 제1 병렬 회로의 공진 주파수를 우선적으로 저주파측으로 조정할 수 있다.
또한, 본 실시 형태에서는, 제1 직렬 회로에 대해, 가변 캐패시터(Cs3)를 직렬로 접속하고 있다(이하, 본 실시 형태에서는 제2 직렬 회로라고 함). 이 구성에 의해, 제1 직렬 회로의 공진 주파수를 우선적으로 고주파측으로 조정할 수 있다. 또한, 본 실시 형태에서는, 제2 직렬 회로에 대해 가변 캐패시터(Cp3)를 병렬 접속하고 있다. 이 구성에 의해, 제2 직렬 회로의 반공진 주파수를 우선적으로 저주파측으로 조정할 수 있다.
이하에, 실시 형태 3에 따른 공진 회로(3)의 공진 주파수 및 반공진 주파수의 조정 방법에 대해 설명한다. 도 5에 나타내는 공진 회로(3)는, 공진자(13)에 대해, 인덕터(Lp3), 인덕터(Ls3), 가변 캐패시터(Cs3), 가변 캐패시터(Cp3)의 순으로 접속해 가고, 공진 주파수 및 반공진 주파수가 조정(가변)된다.
도 6은 공진자(13)에 각 소자를 순서대로 접속해 갔을 때의 임피던스 특성을 나타내는 도면이다. 도 6의 횡축은 주파수[㎒], 종축은 임피던스[Ω]를 나타내고 있다.
도 6에 나타내는 파형 (1)은, 입출력 단자(IO1, IO2) 사이에 공진자(13)만을 접속한 회로의 임피던스 특성을 나타낸다. 이 공진자(13)는, 실시 형태 1에 따른 공진자(11)와 마찬가지로, 공진 주파수는 약 775㎒이며, 반공진 주파수는 약 825㎒이다.
파형 (2)는, 공진자(3)에, 10nH의 인덕터(Lp3)를 병렬 접속한 제1 병렬 회로의 임피던스 특성을 나타낸다. 이 제1 병렬 회로에서는, 공진 주파수는 약 775㎒이며, 반공진 주파수는 약 955㎒이다. 즉, 파형 (2)는, 파형 (1)에 비해, 공진 주파수가 바뀌지 않고, 반공진 주파수가 높다.
파형 (3)은, 제1 병렬 회로에, 10nH의 인덕터(Ls3)를 직렬 접속한 제1 직렬 회로의 임피던스 특성을 나타낸다. 이 제1 직렬 회로에서는, 공진 주파수는 약 730㎒이며, 반공진 주파수는 약 955㎒이다. 즉, 파형 (3)은, 파형 (2)에 비해, 공진 주파수가 낮고, 반공진 주파수가 동일하다.
파형 (4)는, 제1 직렬 회로에 가변 캐패시터(Cs3)를 직렬 접속한 제2 직렬 회로의 임피던스 특성을 나타낸다. 파형 (4)는, 가변 캐패시터(Cs3)를 5pF로 한 경우의 파형이다. 제2 직렬 회로에서는, 공진 주파수는 약 772㎒이며, 반공진 주파수는 약 955㎒이다. 즉, 파형 (4)는, 파형 (3)에 비해, 공진 주파수가 약 42㎒ 높고, 반공진 주파수가 바뀌지 않는다.
파형 (5)는, 제2 직렬 회로에 가변 캐패시터(Cp3)를 병렬 접속한 회로, 즉, 실시 형태 3에 따른 공진 회로(3)의 임피던스 특성을 나타낸다. 파형 (5)는, 가변 캐패시터(Cp3)를 5pF로 한 경우의 파형이다. 공진 회로(3)에서는, 공진 주파수는 약 772㎒이며, 반공진 주파수는 약 805㎒이다. 즉, 파형 (5)는, 파형 (4)에 비해, 공진 주파수가 바뀌지 않고, 반공진 주파수가 약 150㎒ 낮다.
본 실시 형태는 실시 형태 1에 따른 공진 회로(1)와 비교하여, 제1 가변 캐패시터 및 제2 가변 캐패시터 사이의 접속 관계가 다르다. 이 결과, 본 실시 형태에 따른 공진 회로(3)에서는, 반공진 주파수가 약 777㎒로 되는 실시 형태 1의 공진 회로(1)에 비해, 반공진 주파수는 높다. 또한, 본 실시 형태에 따른 공진 회로(3)에서는, 공진 주파수가 약 751㎒로 되는 실시 형태 1의 공진 회로(1)에 비해, 공진 주파수가 높다.
이 파형 (5)를 파형 (1)과 비교하면, 공진 주파수 및 반공진 주파수의 양쪽이 낮게 되어 있다. 즉, 공진 회로(3)는, 공진자(13)의 공진 주파수 및 반공진 주파수의 양쪽을 가변할 수 있다. 이 결과, 공진 회로(3)는, 통과 특성 및 감쇠 특성의 양쪽을 조정할 수 있다.
또한, 본 실시 형태에서는, 공진자(13)에 대해, 인덕터(Lp3, Ls3)를 접속하여, 공진 주파수 및 반공진 주파수의 간격을 넓히고 나서, 도 6의 화살표로 나타내는 바와 같이, 가변 캐패시터(Cp3, Cs3)를 접속하여 공진 주파수 및 반공진 주파수의 간격을 좁히고 있다. 이로 인해, 실시 형태 1과 마찬가지로, 공진자(12)만으로는 실현할 수 없는 공진 주파수 및 반공진 주파수를 실현할 수 있고, 공진 회로로서 실현할 수 있는 공진 주파수 및 반공진 주파수를 다양화할 수 있다.
또한, 공진자(13)의 공진 주파수 및 반공진 주파수의 간격을 한번 넓힘으로써, 가변 캐패시터(Cp3, Cs3)에 의한 공진 주파수 및 반공진 주파수의 가변 폭을 넓힐 수 있다.
이와 같이, 본 실시 형태에서는, 공진자 단체, 또는 종래 구성보다도 확실하게 보다 많은 통신 신호에 적합한 공진 회로(3)를 구성할 수 있다.
(실시 형태 4)
도 7은 실시 형태 4에 따른 공진 회로(4)의 회로도이다.
공진 회로(4)의 입출력 단자(IO1, IO2)의 사이에는, 입출력 단자(IO1)측으로부터 순서대로, 공진자(14), 인덕터(Ls4) 및 가변 캐패시터(Cs4)가 직렬 접속되어 있다. 인덕터(Ls4)는, 본 발명에 따른 제1 인덕터에 상당하고, 가변 캐패시터(Cs4)는, 본 발명에 따른 제1 가변 캐패시터에 상당한다.
공진자(14) 및 인덕터(Ls4)의 직렬 회로(이하, 본 실시 형태에서는 제1 직렬 회로라고 함)에는, 인덕터(Lp4)가 병렬로 접속되어 있다. 보다 상세하게는, 인덕터(Lp4)의 일단부는 입력 단자(IO1)에 접속되고, 타단부는 인덕터(Ls4)와 가변 캐패시터(Cs4)의 접속점에 접속되어 있다. 인덕터(Lp4)는, 본 발명에 따른 제2 인덕터에 상당한다.
또한, 제1 직렬 회로 및 인덕터(Lp4) 각각에는, 가변 캐패시터(Cp4)가 병렬로 접속되어 있다. 가변 캐패시터(Cp4)는, 본 발명에 따른 제2 가변 캐패시터에 상당한다.
본 실시 형태에서는, 공진자(14)에 인덕터(Ls4)를 직렬로 접속하고 있다. 이 구성에 의해, 공진자(14)의 공진 주파수를 우선적으로 저주파측으로 조정할 수 있다. 또한, 본 실시 형태에서는, 제1 직렬 회로에 인덕터(Lp4)를 병렬 접속하고 있다(이하, 본 실시 형태에서는, 제1 병렬 회로라고 함). 이 구성에 의해, 제1 직렬 회로의 반공진 주파수를 우선적으로 고주파측으로 조정할 수 있다.
또한, 본 실시 형태에서는, 제1 병렬 회로 및 인덕터(Lp4) 각각에 대해, 가변 캐패시터(Cp4)를 병렬로 접속하고 있다(이하, 본 실시 형태에서는 제2 병렬 회로라고 함). 이 구성에 의해, 제1 병렬 회로의 반공진 주파수를 우선적으로 저주파측으로 조정할 수 있다. 또한, 본 실시 형태에서는, 제2 병렬 회로에 대해 가변 캐패시터(Cs4)를 직렬로 접속하고 있다. 이 구성에 의해, 제2 병렬 회로의 공진 주파수를 우선적으로 고주파측으로 조정할 수 있다.
이하에, 실시 형태 4에 따른 공진 회로(4)의 공진 주파수 및 반공진 주파수의 조정 방법에 대해 설명한다. 도 7에 나타내는 공진 회로(4)는, 공진자(14)에 대해, 인덕터(Ls4), 인덕터(Lp4), 가변 캐패시터(Cp4), 가변 캐패시터(Cs4)의 순으로 접속해 가고, 공진 주파수 및 반공진 주파수가 조정(가변)된다.
도 8은 공진자(14)에 각 소자를 순서대로 접속해 갔을 때의 임피던스 특성을 나타내는 도면이다. 도 8의 횡축은 주파수[㎒], 종축은 임피던스[Ω]를 나타내고 있다.
도 8에 나타내는 파형 (1)은, 입출력 단자(IO1, IO2) 사이에 공진자(14)만을 접속한 회로의 임피던스 특성을 나타낸다. 이 공진자(14)는, 실시 형태 1에 따른 공진자(11)와 마찬가지로, 공진 주파수는 약 775㎒이며, 반공진 주파수는 약 825㎒이다.
파형 (2)는, 공진자(14)에, 10nH의 인덕터(Ls4)를 직렬 접속한 제1 직렬 회로의 임피던스 특성을 나타낸다. 이 제1 직렬 회로에서는, 공진 주파수는 약 655㎒이며, 반공진 주파수는 약 825㎒이다. 즉, 파형 (2)는, 파형 (1)에 비해, 공진 주파수가 낮고, 반공진 주파수가 바뀌지 않는다. 이 실시 형태에서는, 실시 형태 1에 비해, 임피던스값의 변동이 작은 상태에서, 공진 주파수를 크게 저주파측으로 가변할 수 있다.
파형 (3)은, 제1 직렬 회로에, 10nH의 인덕터(Lp4)를 병렬 접속한 제1 병렬 회로의 임피던스 특성을 나타낸다. 이 제1 병렬 회로에서는, 공진 주파수는 약 655㎒이며, 반공진 주파수는 약 860㎒이다. 즉, 파형 (3)은, 파형 (2)에 비해, 공진 주파수가 바뀌지 않고, 반공진 주파수가 높다.
파형 (4)는, 제1 병렬 회로, 및 인덕터(Lp4)에 가변 캐패시터(Cp4)를 병렬 접속한 제2 병렬 회로의 임피던스 특성을 나타낸다. 파형 (4)는, 가변 캐패시터(Cp4)를 5pF로 한 경우의 파형이다. 제2 병렬 회로에서는, 공진 주파수는 약 655㎒이며, 반공진 주파수는 약 817㎒이다. 즉, 파형 (4)는, 파형 (3)에 비해, 공진 주파수가 바뀌지 않고, 반공진 주파수가 약 43㎒ 낮다.
파형 (5)는, 제2 병렬 회로에 가변 캐패시터(Cs4)를 직렬 접속한 회로, 즉, 실시 형태 4에 따른 공진 회로(4)의 임피던스 특성을 나타낸다. 파형 (5)는, 가변 캐패시터(Cs4)를 5pF로 한 경우의 파형이다. 공진 회로(4)에서는, 공진 주파수는 약 770㎒이며, 반공진 주파수는 약 825㎒이다. 즉, 파형 (5)는, 파형 (4)에 비해, 공진 주파수가 약 115㎒ 높고, 반공진 주파수가 바뀌지 않는다.
본 실시 형태는 실시 형태 2에 따른 공진 회로(2)와 비교하여, 제1 가변 캐패시터 및 제2 가변 캐패시터 사이의 접속 관계가 다르다. 이 결과, 본 실시 형태에 따른 공진 회로(4)에서는, 반공진 주파수가 약 840㎒로 되는 실시 형태 1의 공진 회로(1)에 비해, 반공진 주파수는 낮다. 또한, 본 실시 형태에 따른 공진 회로(3)에서는, 공진 주파수가 약 826㎒로 되는 실시 형태 2의 공진 회로(2)에 비해, 공진 주파수가 낮다.
이 파형 (5)를 파형 (1)과 비교하면, 공진 주파수 및 반공진 주파수의 양쪽이 낮게 되어 있다. 즉, 공진 회로(4)는, 공진자(14)의 공진 주파수 및 반공진 주파수의 양쪽을 가변할 수 있다. 이 결과, 공진 회로(4)는, 통과 특성 및 감쇠 특성의 양쪽을 조정할 수 있다.
또한, 본 실시 형태에서는, 공진자(14)에 대해, 인덕터(Lp4, Ls4)를 접속하여, 공진 주파수 및 반공진 주파수의 간격을 넓히고 나서, 도 8의 화살표로 나타내는 바와 같이, 가변 캐패시터(Cp4, Cs4)를 접속하여 공진 주파수 및 반공진 주파수의 간격을 좁히고 있다. 이로 인해, 실시 형태 1과 마찬가지로, 공진자(14)만으로는 실현할 수 없는 공진 주파수 및 반공진 주파수를 실현할 수 있고, 공진 회로로서 실현할 수 있는 공진 주파수 및 반공진 주파수를 다양화할 수 있다.
또한, 공진자(14)의 공진 주파수 및 반공진 주파수의 간격을 한번 넓힘으로써, 가변 캐패시터(Cp4, Cs4)에 의한 공진 주파수 및 반공진 주파수의 가변 폭을 넓힐 수 있다.
이와 같이, 본 실시 형태에서는, 공진자 단체, 또는 종래 구성보다도 확실하게 보다 많은 통신 신호에 적합한 공진 회로(4)를 구성할 수 있다.
이상, 실시 형태 1∼4의 회로에 대해 각각 설명하였지만, 동일한 소자값의 소자를 사용해도, 소자의 접속 구성을 다르게 함으로써, 다른 공진 주파수, 반공진 주파수 및 가변 폭을 얻을 수 있다. 이에 의해, 동일한 소자를 사용하면서, 접속 구성을 바꿈으로써, 보다 많은 통신 신호에 적합한 공진 회로를 실현할 수 있다.
(실시 형태 5)
이하에, 본 발명에 따른 공진 회로를 구비한 고주파 필터에 대해 설명한다.
도 9는 실시 형태 5에 따른 고주파 필터의 회로도이다. 본 실시 형태에 따른 고주파 필터(5)는, 실시 형태 1에 따른 공진 회로(1)와 실시 형태 2에 따른 공진 회로(2)를 구비하고 있다. 공진 회로(2)는, 입출력 단자(IO1, IO2)와의 사이의 신호 라인에 접속되어 있다. 공진 회로(1)는, 일단부가 출력 단자(IO2)에 접속되고, 타단부가 그라운드에 접속되어 있다.
도 10은 도 9에 나타내는 고주파 필터(5)의 통과 대역 특성을 나타내는 도면이다. 이 예에서는, 공진 회로(1)의 공진자(11)는, 중심 주파수가 720㎒, 특성 임피던스가 50Ω이다. 또한, 공진 회로(2)의 공진자(12)는, 중심 주파수가 800㎒, 특성 임피던스가 120Ω이다. 또한, Ls1＝5nH, Lp1＝4nH, Ls2＝9nH, Lp2＝9nH이다.
도면 중의 실선은, Cs1＝5pF, Cp1＝5pF, Cs2＝12pF, Cp2＝12pF로 한 경우의 삽입 손실을 나타내는 파형이다. 도면 중의 파선은, Cs1＝1.7pF, Cp1＝3pF, Cs2＝6pF, Cp2＝6pF로 한 경우의 삽입 손실을 나타내는 파형이다. 도면 중의 일점 쇄선은, Cs1＝1.2pF, Cp1＝2pF, Cs2＝3.5pF, Cp2＝2pF로 한 경우의 삽입 손실을 나타내는 파형이다.
도 10으로부터 파악되는 바와 같이, 실선에서는 통과 대역(Bf1)이 약 700∼780㎒이며, 파선에서는 통과 대역(Bf2)이 약 800∼860㎒이며, 일점 쇄선에서는 통과 대역(Bf3)이 약 890∼940㎒이다. 그리고, 이들 특성은 삽입 손실이 거의 동일(2㏈ 정도)하다. 이와 같이, 고주파 필터(5)는, 공진 회로(1, 2)를 조합하여, 가변 캐패시터(Cp1, Cs1, Cp2, Cs2)의 캐패시턴스를 조정시킴으로써, 손실을 거의 변화시키지 않고, 통과 대역을 시프트시킬 수 있다. 즉, 삽입 손실이 낮은, 대역 가변의 밴드 패스 필터를 실현할 수 있다.
(실시 형태 6)
이하에, 본 발명에 따른 공진 회로를 구비한 고주파 필터에 대해 설명한다.
도 11은 실시 형태 6에 따른 고주파 필터의 회로도이다. 본 실시 형태에 따른 고주파 필터(6)는, 실시 형태 3에 따른 공진 회로(3)와 실시 형태 4에 따른 공진 회로(4)를 구비하고 있다. 공진 회로(4)는, 입출력 단자(IO1, IO2)의 사이의 신호 라인에 접속되어 있다. 공진 회로(3)는, 일단부가 신호 라인에 접속되고, 타단부가 그라운드에 접속되어 있다.
도 12는 도 11에 나타내는 고주파 필터(6)의 통과 대역 특성을 나타내는 도면이다. 이 예에서는, 공진 회로(3)의 공진자(13)는, 중심 주파수가 670㎒, 특성 임피던스가 50이다. 또한, 공진 회로(4)의 공진자(14)는, 중심 주파수가 800㎒, 특성 임피던스가 80Ω이다. 또한, Ls3＝5nH, Lp3＝5nH, Ls4＝5nH, Lp4＝6nH이다.
도면 중의 실선은, Cs3＝10pF, Cp3＝8pF, Cs4＝12pF, Cp4＝10pF로 한 경우의 삽입 손실을 나타내는 파형이다. 도면 중의 파선은, Cs3＝4.2pF, Cp3＝7.0pF, Cs4＝2.5pF, Cp4＝4.0pF로 한 경우의 삽입 손실을 나타내는 파형이다. 도면 중의 일점 쇄선은, Cs3＝2.7pF, Cp3＝6.0pF, Cs4＝1.5pF, Cp4＝2.0pF로 한 경우의 삽입 손실을 나타내는 파형이다.
도 12로부터 파악되는 바와 같이, 실선에서는 통과 대역(Bf1)이 약 700∼760㎒이며, 파선에서는 통과 대역(Bf2)이 약 810∼860㎒이며, 일점 쇄선에서는 통과 대역(Bf3)이 약 890∼940㎒이다. 그리고, 이들 특성은 삽입 손실이 거의 동일(2㏈ 정도)하다. 이와 같이, 고주파 필터(6)는, 공진 회로(3, 4)를 조합하여, 가변 캐패시터(Cp1, Cs1, Cp2, Cs2)의 캐패시턴스를 조정시킴으로써, 손실을 거의 변화시키지 않고, 통과 대역을 시프트시킬 수 있다. 즉, 삽입 손실이 낮은, 대역 가변의 밴드 패스 필터를 실현할 수 있다.
또한, 실시 형태 5, 6에서 설명한 바와 같이, 2개의 공진 회로를 조합하여 고주파 필터를 구성하는 경우에는, 조합하는 공진 회로를 적절히 선택함으로써, 원하는 필터 특성을 실현하기 쉬워진다. 예를 들어, 공진 주파수의 가변 폭이 넓은 공진 회로를 직렬로 접속하고, 반공진 주파수의 가변 폭이 넓은 공진 회로를 병렬로 접속하면, 통과 대역의 가변 폭이 넓은 밴드 패스 필터를 실현할 수 있다.
1, 2, 3, 4 : 공진 회로
5, 6 : 고주파 필터
11∼14 : 공진자
Cp1∼Cp4 : 가변 캐패시터
Cs1∼Cs4 : 가변 캐패시터
Lp1∼Lp4 : 인덕터
Ls1∼Ls4 : 인덕터
IO1 : 입출력 단자
IO2 : 입출력 단자

Claims (7)

  1. 삭제
  2. 직렬 접속된 공진자, 제1 인덕터 및 제1 가변 캐패시터와,
    직렬 접속된 상기 공진자 및 상기 제1 인덕터에 병렬 접속된 제2 인덕터와,
    직렬 접속된 상기 공진자, 상기 제1 인덕터 및 상기 제1 가변 캐패시터에 병렬 접속된 제2 가변 캐패시터
    를 구비한 공진 회로.
  3. 직렬 접속된 공진자, 제1 인덕터 및 제1 가변 캐패시터와,
    상기 공진자에 병렬 접속된 제2 인덕터와,
    직렬 접속된 상기 공진자, 상기 제1 인덕터 및 상기 제1 가변 캐패시터에 병렬 접속된 제2 가변 캐패시터
    를 구비한 공진 회로.
  4. 삭제
  5. 제2항 또는 제3항에 있어서,
    상기 공진자는 표면 탄성파 공진자인 공진 회로.
  6. 제2항 또는 제3항에 있어서,
    상기 공진자는 벌크 탄성파 공진자인 공진 회로.
  7. 제2항 또는 제3항에 기재된 어느 2개의 공진 회로를 구비하고,
    상기 2개의 공진 회로는 각각, 다른 통과 대역 및 감쇠 대역을 갖고 있는 고주파 필터.
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015119179A1 (ja) * 2014-02-10 2015-08-13 株式会社村田製作所 可変フィルタ回路および無線通信装置
CN107852148B (zh) * 2015-08-31 2021-05-25 京瓷株式会社 声表面波元件
DE102016107658A1 (de) * 2016-04-25 2017-10-26 Infineon Technologies Ag Abstimmbares resonatorelement, filterschaltkreis und verfahren
JP6669252B2 (ja) * 2016-05-27 2020-03-18 株式会社村田製作所 高周波フィルタ回路、高周波フロントエンド回路及び通信装置
WO2018215973A1 (en) * 2017-05-24 2018-11-29 Jorgen Nielsen Apparatus and method for controlling a resonator
US10965274B2 (en) 2017-12-07 2021-03-30 Infineon Technologies Ag System and method for a radio frequency filter
US10742192B2 (en) * 2018-02-21 2020-08-11 Qorvo Us, Inc. Tunable notch filter
JP6885376B2 (ja) 2018-08-10 2021-06-16 株式会社村田製作所 フィルタおよびマルチプレクサ

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007060412A (ja) * 2005-08-25 2007-03-08 Fujitsu Media Device Kk フィルタおよびアンテナ分波器

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5291159A (en) * 1992-07-20 1994-03-01 Westinghouse Electric Corp. Acoustic resonator filter with electrically variable center frequency and bandwidth
JP2002299997A (ja) * 2001-03-30 2002-10-11 Kyocera Corp 弾性表面波フィルタ
DE10342991A1 (de) * 2002-09-18 2004-04-22 Nrs Technologies Inc. SAW-Filter
JP4053504B2 (ja) * 2004-01-30 2008-02-27 株式会社東芝 チューナブルフィルタ
JP4791181B2 (ja) * 2005-12-28 2011-10-12 京セラ株式会社 薄膜バルク音響波共振子、それを備えるフィルタおよび通信装置ならびに薄膜バルク音響波共振子の製造方法
US8339220B2 (en) * 2009-09-16 2012-12-25 Lojack Operating Company, Lp Surface acoustic wave resonator filter
CN102725959B (zh) 2010-01-28 2016-05-25 株式会社村田制作所 可调谐滤波器
US8923794B2 (en) * 2011-11-02 2014-12-30 Triquint Semiconductor, Inc. Temperature compensation of acoustic resonators in the electrical domain

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007060412A (ja) * 2005-08-25 2007-03-08 Fujitsu Media Device Kk フィルタおよびアンテナ分波器

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