WO2014064987A1 - フィルタ装置 - Google Patents

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filter device
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浩司 野阪
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株式会社村田製作所
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    • H03H7/01Frequency selective two-port networks
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    • H03H7/1741Comprising typical LC combinations, irrespective of presence and location of additional resistors
    • H03H7/1775Parallel LC in shunt or branch path

Definitions

  • the present invention relates to a band-pass filter device, and more particularly to a filter device using an LC parallel resonant circuit and an acoustic wave resonator.
  • Patent Document 1 discloses a bandpass filter device capable of widening the passband.
  • a high-pass filter circuit and a low-pass filter circuit are connected in series.
  • the high-pass filter circuit includes a high-pass surface acoustic wave resonator and a high-pass inductance element connected in parallel to the high-pass surface acoustic wave resonator.
  • the low-pass filter circuit has a first surface acoustic wave resonator that is disposed on the series arm and has one end connected to the end of the high-pass filter circuit.
  • a second surface acoustic wave resonator is connected between the one end of the first surface acoustic wave resonator and the ground potential, and a low-pass inductance element is connected in parallel to the second surface acoustic wave resonator. Yes. Further, a second surface acoustic wave resonator is connected between the other end of the first surface acoustic wave resonator and the ground potential. A low-pass inductance element is also connected in parallel to the second surface acoustic wave resonator.
  • Patent Document 2 discloses a SAW filter having a wide pass band in the digital terrestrial TV radio wave band.
  • two series arm resonators are provided on a series arm connecting an input end and an output end. Between the two series arm resonators, a resonance frequency / anti-resonance frequency moving inductance is connected in series with the two series arm resonators.
  • a parallel arm resonator is arranged on the parallel arm connecting the input terminal and the ground potential.
  • An inductance element is connected in parallel to the parallel arm resonator.
  • a parallel arm resonator is also provided in the parallel arm connecting the output terminal and the ground potential.
  • An inductance element is also connected in parallel to this parallel arm resonator.
  • the inductance element connected to the parallel arm resonator is provided to move the resonance frequency and antiresonance frequency of the parallel arm resonator.
  • a line connecting an input terminal and an output terminal in other words, a surface acoustic wave resonator arranged in a series arm, or a parallel arm connecting a line and a ground potential.
  • the resonance frequency or anti-resonance frequency of the surface acoustic wave resonator disposed in the can be adjusted. As a result, the bandwidth is broadened and the attenuation characteristics are improved.
  • the low-frequency and high-frequency attenuation poles are configured by the resonance frequency of the parallel arm resonator and the anti-resonance frequency of the series arm resonator. Therefore, in order to increase the bandwidth, it is only necessary to keep both of them apart.
  • the frequency difference between the low-frequency attenuation pole and the high-frequency attenuation pole is increased, there is a problem that the attenuation amount at the center of the passband increases. Therefore, there was a limit to widening the bandwidth.
  • the ladder type filter device has a problem that the attenuation in the attenuation band far from the attenuation pole is not sufficiently large.
  • An object of the present invention is to provide a filter device that can further increase the bandwidth and can sufficiently increase the attenuation in an attenuation region away from the passband.
  • the filter device has an input terminal and an output terminal, and is connected between a line connecting the input terminal and the output terminal, and between the line and a ground potential, and a first inductance is provided.
  • a first LC parallel resonant circuit including the second LC parallel resonant circuit connected between the line and a ground potential and including a second inductance; and the line of the first LC parallel resonant circuit.
  • at least one elastic wave resonator connected between the end portion on the side and the end portion on the line side of the second LC parallel resonant circuit, and the at least one elastic wave resonator.
  • the first and second LC parallel resonant circuits are electrically coupled with each other by the capacitance of the first and second LC parallel resonant circuits and the at least one acoustic wave resonator.
  • L And attenuation-frequency characteristic of the filter are combined with attenuation-frequency characteristic composed of anti-resonance point of the acoustic wave resonator.
  • an input terminal and an output terminal a line connected to the input terminal and the output terminal, and connected between the line and a ground potential
  • a first LC parallel resonant circuit including a first inductance and having a first parallel resonant frequency; connected between the line and a ground potential; and including a second inductance and a second parallel resonant
  • a second LC parallel resonant circuit having a frequency, the line-side end of the first LC parallel resonant circuit, and the line-side end of the second LC parallel resonant circuit.
  • a filter circuit including at least one elastic wave resonator.
  • the first resonance characteristic of the first LC parallel resonance circuit, the second resonance characteristic of the second LC parallel resonance circuit, and the capacitance of the at least one acoustic wave resonator are electrically coupled to form a passband characteristic as an LC filter.
  • the pass band of the LC filter is disposed in a frequency region that is lower than or higher than the anti-resonance frequency of the at least one elastic wave resonator, and the first parallel resonance frequency is within the pass band of the LC filter.
  • the second parallel resonance frequency is arranged, and an attenuation pole of a filter circuit including the at least one elastic wave resonator is arranged in an attenuation region outside the pass band of the LC filter.
  • the first inductance in the first LC parallel resonant circuit and the second inductance in the second LC parallel resonant circuit are magnetically coupled. .
  • a plurality of at least one acoustic wave resonator connected between the first LC parallel resonant circuit and the second LC parallel resonant circuit are provided.
  • the plurality of acoustic wave resonators constitute a ladder type filter circuit.
  • the first and second LC parallel resonant circuits are in parallel with the first and second inductances and the first and second inductances, respectively.
  • the second and third elastic wave resonators are connected to each other, and the capacitance of the first and second LC parallel resonant circuits is configured by the capacitance of the second and third elastic wave resonators. Yes.
  • a circuit in which a first inductance of the first LC parallel resonant circuit and a second inductance of the second LC parallel resonant circuit are magnetically coupled is constituted by a ⁇ -type circuit having the first inductance and the second inductance, and a third inductance connecting each end of the first inductance and the second inductance.
  • the first inductance of the first LC parallel resonant circuit and the second inductance of the second LC parallel resonant circuit are magnetically coupled.
  • a circuit portion is connected to a common inductance that serves as both the first inductance and the second inductance, and a connection point between an end of the common inductance opposite to the ground potential and the input terminal.
  • the three-element Y-type circuit has an inductance and a fifth inductance connected between the connection point and the output terminal.
  • the first inductance and the second inductance in the first and second LC parallel resonant circuits are divided in series into a plurality of inductances.
  • the first and second capacitors are connected in series, respectively. It consists of a plurality of elastic wave resonators.
  • a sixth inductance is connected between the ground potential side end of at least one LC parallel resonant circuit of the first and second LC parallel resonant circuits, and the ground potential.
  • a surface acoustic wave resonator can be suitably used as the elastic wave resonator.
  • the acoustic wave resonator may be a resonator using a bulk acoustic wave.
  • a boundary acoustic wave resonator using a boundary acoustic wave may be used.
  • a wide pass band can be obtained, and the attenuation in the attenuation band far from the pass band can be sufficiently increased. Furthermore, the attenuation in the vicinity of the pass band can be made sufficiently large.
  • FIG. 1A and FIG. 1B are a schematic plan view showing a circuit diagram of a filter device and an electrode structure of a surface acoustic wave resonator according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2A is a schematic block diagram of the filter device according to the first embodiment
  • FIG. 2B is a schematic block diagram when the filter device of the embodiment operates as an LC filter
  • FIG. ) Is a schematic block diagram in the case of operating as an acoustic wave resonator disposed on a line connecting the input and output terminals of the filter device of the embodiment.
  • FIG. 1A and FIG. 1B are a schematic plan view showing a circuit diagram of a filter device and an electrode structure of a surface acoustic wave resonator according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2A is a schematic block diagram of the filter device according to the first embodiment
  • FIG. 2B is a schematic block diagram when the filter device of the embodiment operates as an LC filter
  • FIG. 2A (a) is a diagram showing the attenuation frequency characteristics of a conventional LC filter when the acoustic wave resonator 21 is a capacitor, and the attenuation frequency characteristics of the acoustic wave resonator.
  • FIG. 2A (b) It is a figure which shows the attenuation amount frequency characteristic of the filter apparatus of 1st Embodiment.
  • FIG. 2A (c) is a diagram illustrating attenuation frequency characteristics when the filter device of the first embodiment is negatively magnetically coupled.
  • FIG. 3 is a circuit diagram of a filter device according to the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a circuit diagram of a filter device according to the third embodiment of the present invention.
  • FIG. 5A is a diagram for explaining the attenuation frequency characteristics of the ladder type circuit portion and the LC filter portion
  • FIG. 5B is a diagram showing the attenuation frequency characteristics of the filter device of the third embodiment
  • FIG. 5 (c) is a diagram showing the attenuation frequency characteristic of the filter device when positive magnetic coupling is performed in the third embodiment
  • FIG. 5 (d) is a negative graph in the third embodiment. It is a figure which shows the attenuation amount frequency characteristic of the filter apparatus at the time of carrying out magnetic coupling.
  • FIG. 6 is a circuit diagram of a filter device according to the fourth embodiment of the present invention.
  • FIG. 7 is a circuit diagram of a filter device according to a modification of the third embodiment of the present invention.
  • FIG. 8 is a diagram showing attenuation frequency characteristics of the modification shown in FIG.
  • FIG. 9 is a circuit diagram of a filter device according to the fifth embodiment of the present invention.
  • FIG. 10 is a circuit diagram of a filter device according to the sixth embodiment of the present invention.
  • FIG. 11 is a circuit diagram of a filter device according to the seventh embodiment of the present invention.
  • FIG. 12 is a circuit diagram of a filter device according to the eighth embodiment of the present invention.
  • FIG. 13 is a circuit diagram of a filter device according to the ninth embodiment of the present invention.
  • FIG. 14 is a circuit diagram of a filter device according to the tenth embodiment of the present invention.
  • FIG. 1A is a circuit diagram of a filter device according to the first embodiment of the present invention.
  • the filter device 1 has an input terminal 2 and an output terminal 3.
  • a first LC parallel resonant circuit 7 is connected between a connection point 5 between the input terminal 2 and the acoustic wave resonator 21 and a ground potential.
  • the first LC parallel resonant circuit 7 has an inductance L1 and a capacitor C1 connected in parallel to the inductance L1.
  • a second LC parallel resonant circuit 9 is connected between the connection point 6 between the output terminal 3 and the acoustic wave resonator 21 and the ground potential.
  • the second LC parallel resonant circuit 9 has an inductance L2 and a capacitor C2 connected in parallel to the inductance L2.
  • An acoustic wave resonator 21 is connected between the end of the first LC parallel resonant circuit 7 on the input terminal 2 side and the end of the second LC parallel resonant circuit 9 on the output terminal 3 side, and the filter circuit is Is formed.
  • one elastic wave resonator 21 is connected.
  • the resonance points of the first and second LC parallel resonator circuits are arranged near the center frequency of the pass band of the filter device 1.
  • connection mode of the plurality of acoustic wave resonators is not particularly limited.
  • the elastic wave resonator 21 is a surface acoustic wave resonator.
  • FIG. 1B schematically shows the electrode structure of the acoustic wave resonator 21 made of a surface acoustic wave resonator.
  • the acoustic wave resonator 21 includes an IDT electrode 22 and reflectors 23 and 24 disposed on both sides of the IDT electrode 22 in the surface acoustic wave propagation direction.
  • the electrode structure of the acoustic wave resonator 21 is not particularly limited, but such a normal 1-port surface acoustic wave resonator can be suitably used.
  • the reflectors 23 and 24 can be omitted according to the characteristic requirements for the 1-port surface acoustic wave resonator.
  • the inductance L1 and the inductance L2 are magnetically coupled as shown by a broken line M in FIG.
  • the magnetic coupling is equivalent to a circuit in which an inductance due to magnetic coupling is connected to a line connected to the input terminal 2 and the output terminal 3. That is, this equivalent circuit inductance is equivalent to a circuit connected in parallel with the acoustic wave resonator 21. Therefore, in a frequency region where the acoustic wave resonator 21 operates mainly as a capacitive element due to magnetic coupling, the circuit becomes equivalent to a circuit constituting an LC parallel resonant circuit.
  • the frequency region operating as capacitive is a frequency region other than the resonance frequency and antiresonance frequency of the acoustic wave resonator, and the frequency region between the resonance frequency and antiresonance frequency of the acoustic wave resonator.
  • the LC parallel resonance circuit is configured in a frequency region where the acoustic wave resonator 21 operates mainly as a capacitive element, a broken line A1 in FIG. 5C and a broken line A2 in FIG.
  • an attenuation pole due to the resonance frequency by the LC parallel resonance circuit can be formed in the attenuation region away from the passband. Therefore, it is possible to further increase the attenuation in the attenuation region away from the passband.
  • the filter device 1 of the present invention it is possible to increase the bandwidth, expand the attenuation near the pass band, and expand the attenuation in the attenuation band away from the pass band. .
  • FIG. 2A is a schematic block diagram of the filter device according to the first embodiment shown in FIG.
  • a first LC parallel resonant circuit 7 is connected between a line connecting the input terminal 2 and the output terminal 3 and the ground potential.
  • a second LC parallel resonance circuit 9 is connected between the line connecting the input terminal 2 and the output terminal 3 and the ground potential. It will be.
  • the elastic wave resonator 21 is connected between connection points where the first LC parallel resonant circuit 7 and the second LC parallel resonant circuit 9 are connected to the line.
  • the frequency characteristic of the acoustic wave resonator 21 is mainly inductive in the frequency region between the resonance frequency and the anti-resonance frequency, and mainly in the frequency region lower than the resonance frequency and higher than the anti-resonance frequency. Shows capacity. Therefore, the block diagram of the filter device 1 corresponds to FIG. 2B in the frequency region in which the acoustic wave resonator 21 exhibits capacitance. That is, in the frequency region where the acoustic wave resonator 21 is mainly capacitive, an LC filter is configured in which the first and second LC parallel resonant circuits 7 and 9 and the capacitor C are connected as shown in the figure. The The solid line in FIG.
  • 2A (a) shows the attenuation frequency characteristics of the LC filter.
  • a wider pass band can be obtained as compared with a ladder type filter using a plurality of surface acoustic wave resonators. That is, even when the values of inductance and capacitance are adjusted to widen the pass band, the attenuation is unlikely to increase at the center of the pass band.
  • the LC filter has a gentle slope of the attenuation characteristic from the passband to the outside of the passband.
  • the elastic wave resonator 21 is provided.
  • the resonance frequency of the elastic wave resonator 21 is in the pass band of the filter device 1 as described above.
  • the anti-resonance frequency is located in a portion where the amount of attenuation is desired to be expanded, more specifically, in an attenuation region higher than the pass band and in the vicinity of the pass band.
  • the elastic wave resonator 21 is mainly inductive between the resonance frequency and the anti-resonance frequency.
  • the attenuation frequency characteristic indicated by the broken line in FIG. 2A is a characteristic in a frequency region including the resonance frequency and the anti-resonance frequency of the elastic wave resonator 21.
  • the elastic wave resonator 21 connected between the input terminal 2 and the output terminal 3 has an anti-resonance frequency indicated by a broken line in FIG. 2A (a), and has a predetermined frequency shown in FIG. 2A (b).
  • the attenuation frequency characteristic of the acoustic wave resonator 21 is used as the filter circuit shown in FIG. 2C configured so that the attenuation frequency changes in accordance with the frequency of.
  • the characteristic can be made steeper than the attenuation characteristic of the LC filter shown by the solid line in FIG. 2A (a). Therefore, in the filter device 1, as shown in FIG. 2A (b), the attenuation characteristic on the high side of the pass band can be sharpened. Furthermore, it is possible to increase the amount of attenuation in the attenuation region near the passband. This is due to the impedance characteristic of the elastic wave resonator 21 at the antiresonance frequency.
  • the acoustic wave resonator 21 is attenuated when the frequency is further away from the anti-resonance frequency forming the attenuation pole. The amount decreases. For this reason, a ladder filter having an acoustic wave resonator has a problem that the attenuation in the attenuation region away from the pass band is not sufficiently reduced.
  • the filter characteristics of the LC filter since the filter characteristics of the LC filter are used, it is possible to increase the amount of attenuation in the attenuation region away from the pass band. In the filter characteristics of the LC filter, the attenuation is large in the attenuation region away from the passband. Therefore, in the present embodiment, it is possible to increase the attenuation in the attenuation band far from the pass band.
  • the relationship between the minimum signal intensity A in the predetermined frequency band of the filter device and the signal intensity B continuous from A is calculated as 10 Log 10 B / A and becomes a value smaller than ⁇ 3 [dB].
  • the frequency region may be a pass band, and the frequency region having a value of ⁇ 3 [dB] or less may be an attenuation band.
  • the signal strength can be calculated from the voltage value of the filter device.
  • the filter device 1 can expand the wide passband and the attenuation band away from the passband by the LC filter, and can reduce the attenuation near the passband using the acoustic wave resonator 21. It has a configuration that can be expanded. That is, the filter device 1 of the present embodiment has a configuration in which the advantages of both the characteristics of the LC filter and the acoustic wave resonator can be used without being disturbed.
  • the anti-resonance frequency fa of the acoustic wave resonator 21 is located on the higher frequency side than the high-frequency side end of the pass band formed by the LC filter.
  • the antiresonance frequency fa is set to a position where the attenuation pole is desired to be formed in order to provide the attenuation pole in the vicinity of the end on the high side of the passband do it.
  • fa> fh> f0 where fh means the frequency at the end of the passband high band side and f0 means the center frequency of the passband formed by the LC filter
  • the anti-resonance frequency fa of the elastic wave resonator 21 is positioned in the attenuation region near the end on the low pass band side. It only has to be. Thereby, the steepness of the attenuation characteristic can be achieved in the attenuation region near the low pass band side. In this case, it is sufficient that the antiresonance frequency fa is lower than fl (frequency at the end of the low pass band side).
  • the attenuation pole is outside the passband as shown in FIG. 2A (c). Occurs on the high-frequency side, and the amount of attenuation increases.
  • the filter characteristic by magnetic coupling performed in the filter device 1 can be replaced with the filter characteristic of a circuit in which an equivalent inductor is connected in parallel to the filter circuit.
  • the attenuation pole generated by the LC parallel resonance of the equivalent inductor and the capacitive property of the acoustic wave resonator is considered to increase the reduction amount on the high frequency side outside the pass band shown in FIG. 2A (c).
  • FIG. 3 is a circuit diagram of a filter device according to the second embodiment of the present invention.
  • the filter device 51 includes the first LC parallel resonance circuit 7, the second LC parallel resonance circuit 9, and the acoustic wave resonator 21, similarly to the filter device 1 of the first embodiment.
  • the difference is that the second and third acoustic wave resonators P1 and P2 are used instead of the capacitors C1 and C2 of the first embodiment.
  • the resonance frequencies of the acoustic wave resonators P1 and P2 are on the low pass band side, and the anti-resonance frequency is in the pass band.
  • the acoustic wave resonators P1 and P2 and the acoustic wave resonator 21 mainly function as capacitive in the frequency band lower than the resonance frequency and higher than the antiresonance frequency.
  • the filter characteristics of the LC filter by the first and second LC parallel resonance circuits 7 and 9 are obtained in a frequency band other than between the resonance frequency and the antiresonance frequency of the elastic wave resonators P1 and P2. It is done.
  • filter characteristics by the acoustic wave resonators P1, P2, and 21 can be obtained at the same time. Therefore, similarly to the first embodiment, 1) widening the band, 2) expansion of the attenuation in the vicinity of the pass band, and 3) expansion of the attenuation in the attenuation band away from the pass band can be achieved.
  • the inductance L1 and the inductance L2 are magnetically coupled as indicated by an arrow M.
  • FIG. 4 is a circuit diagram of a filter device according to the third embodiment of the present invention.
  • the first and second LC parallel resonant circuits 7 and 9 are configured in the same manner as in the second embodiment. Therefore, the same parts are denoted by the same reference, and the description thereof is omitted.
  • the third embodiment differs from the second embodiment in that a ladder type filter circuit 62 is connected in place of the acoustic wave resonator 21.
  • the ladder filter circuit 62 includes a plurality of series arm resonators S11 to S1n (where n is a positive integer) arranged on a series arm connecting the input terminal 2 and the output terminal 3, and parallel arm resonators P11 to P1m. Where m is a positive integer.
  • a plurality of elastic wave resonators may be connected between the first LC parallel resonant circuit 7 and the second LC parallel resonant circuit 9, and a plurality of elastic waves as in the present embodiment. It is desirable to configure the ladder filter circuit 62 with a wave resonator.
  • the filter characteristics of the LC filter by the first and second LC parallel resonant circuits 7 and 9 are used.
  • the solid line in FIG. 2A (a) shows the attenuation frequency characteristics of a conventional LC filter in which the acoustic wave resonator 21 shown in the schematic block diagram of FIG. 2 (a) is a capacitor, and the broken line in FIG.
  • the filter characteristics of the ladder type filter circuit 62 are shown.
  • FIG. 5B shows the attenuation frequency characteristics of the filter device of the present embodiment including the ladder type filter circuit 62 with a plurality of elastic wave resonators.
  • the ladder-type filter circuit 62 since the ladder-type filter circuit 62 is provided, the amount of attenuation in the vicinity of the pass band can be increased. More specifically, the resonance frequency of the parallel arm resonators P11 to P1m of the ladder type filter circuit 62 is matched with the attenuation pole located on the low frequency side outside the pass band of the filter device 61, and the anti-resonance frequency is set to the filter device 61. It is located within the passband. The resonance frequency of the series arm resonators S11 to S1n is positioned on the high band side in the pass band of the filter device 61, and the anti-resonance frequency is the attenuation pole positioned on the high band side outside the pass band.
  • the attenuation type frequency characteristic of the ladder filter circuit 62 indicated by the solid line in FIG. 5A has attenuation poles in the frequency band near the low band side end and the high band side end of the pass band of the filter device 61.
  • a ladder filter circuit 62 can be obtained.
  • the filter device 61 having a small attenuation at the center and a wide pass band can be obtained by using the filter characteristics as an LC filter obtained by the configuration of the LC parallel resonance circuits 7 and 9.
  • the filter characteristics of the first and second LC parallel resonant circuits 7 and 9 are combined with the filter characteristics of the ladder type filter circuit 62 having an attenuation pole in a predetermined frequency band.
  • the center frequency of the passband shown in FIG. 5B is about 2.6 GHz
  • the passband bandwidth is about 200 MHz
  • the attenuation is about 2.4 GHz near the lower side of the passband.
  • An attenuation frequency characteristic of 30 dB which is about 2.8 GHz near the high band side of the pass band and an attenuation of about 50 dB, is obtained. That is, as shown in FIG. 5B, in this embodiment, 1) widening the band, 2) increasing the attenuation near the pass band, and 3) expanding the attenuation in the attenuation band away from the pass band. Can do.
  • Attenuation poles due to magnetic coupling can be arranged on the low-frequency side.
  • an attenuation pole due to magnetic coupling is disposed on the high frequency side of the pass band of the filter device as shown by a broken line A2 in FIG. Can do.
  • the attenuation outside the pass band can be further expanded by the magnetic coupling attenuation poles arranged on the low band side or the high band side outside the pass band.
  • V1 j ⁇ L1I1 + j ⁇ MI2 (Formula 1)
  • V2 j ⁇ MI1 + j ⁇ L2I2 (Formula 2)
  • FIG. 6 is a circuit diagram of a filter device according to the fourth embodiment of the present invention.
  • the filter device 71 includes a first LC parallel resonant circuit 7 connected to the input terminal 2 and a second LC parallel resonant circuit 9 connected to the output terminal 3.
  • a ladder filter circuit 72 is connected between the first LC parallel resonance circuit 7 and the second LC parallel resonance circuit 9.
  • the ladder filter circuit 72 has a plurality of series arm resonators S21 to S2n (where n is a positive integer) and a plurality of parallel arm resonators P21 to P2m (where m is a positive integer).
  • the first LC parallel resonance circuit 7 and the second LC parallel resonance circuit 9 are configured in the same manner as in the third embodiment.
  • the ladder type filter circuit 72 is configured in the same manner as the ladder type filter circuit 62.
  • the third LC parallel resonant circuit 73 is connected between the connection point n1 between the series arm resonator S22 and the series arm resonator S23 and the ground potential.
  • the third LC parallel resonant circuit 73 includes an inductance Lx and an acoustic wave resonator P3 connected in parallel with the inductance Lx.
  • the first and second LC parallel resonance circuits 7 and 9 are used to obtain filter characteristics as an LC filter.
  • the first and second LC parallel resonant circuits 7 and 9 are connected to the ground potential between the first and second LC parallel resonant circuits 7 and 9.
  • Three LC parallel resonant circuits 73 may be connected.
  • a low-frequency attenuation pole is configured by the resonance frequency of the parallel arm resonators P21 to P2m of the ladder filter circuit 72. Further, a high-frequency attenuation pole is formed by the antiresonance frequencies of the series arm resonators S21 to S2n.
  • the high frequency side attenuation pole is constituted by the resonance frequency of the parallel arm resonators P21 to P2m of the ladder filter circuit 72, and the low frequency side is constituted by the antiresonance frequency of the series arm resonators S21 to S2n.
  • the attenuation pole may be configured.
  • the inductance L1 and the inductance Lx are magnetically coupled, and further, it is desirable that the inductance Lx and the inductance L2 are magnetically coupled.
  • attenuation poles as indicated by the broken line A1 in FIG. 5C and the broken line A2 in FIG. 5D can be formed at a position away from the pass band, and the attenuation at the position away from the pass band. Can be further expanded than when the magnetic coupling is not performed.
  • FIG. 7 is a circuit diagram of a modification of the third embodiment.
  • a ladder type filter circuit 62A includes series arm resonators S11 to S13 and parallel arm resonators P11 and P12.
  • An elastic wave resonator 63 is connected between the input terminal 2 and the first LC parallel resonance circuit 7.
  • An elastic wave resonator 64 is also connected between the output terminal 3 and the second LC parallel resonance circuit 9.
  • the acoustic wave resonators 63 and 64 have an anti-resonance frequency on the higher frequency side than the passband. As a result, it is possible to increase the amount of attenuation on the high side of the passband. It also has a function of adjusting the impedance of the filter device 61A.
  • an inductance L3 is connected between the first LC parallel resonant circuit 7 and the second LC parallel resonant circuit 9.
  • the inductance L1 and the inductance L2 are magnetically coupled.
  • FIG. 8 is a diagram showing the attenuation frequency characteristics of the filter device 61A of the present modification.
  • a filter characteristic used as a filter satisfying the UMTS BAND41 standard is realized.
  • the pass band is 2496 to 2690 MHz
  • the bands for which a large attenuation is to be secured are 2400 to 2473 MHz in the IMS 2.4 GHz band and 800 to 2170 MHz in the UMTS band.
  • the elastic wave resonators 63 and 64 are provided, an attenuation pole appears at a position indicated by an arrow W in FIG. 8, thereby increasing an attenuation amount at a position away from the pass band.
  • the impedance of the filter circuit can be adjusted.
  • the resonance frequency Fx generated by the resonance between the inductance L1 and the inductance L2 by magnetic coupling, the inductance L3, and the capacitive component of the ladder circuit is at the position indicated by the arrow X. Appears. Accordingly, the amount of attenuation is increased at the position indicated by the arrow X.
  • FIG. 9 is a circuit diagram of a filter device according to the fifth embodiment of the present invention.
  • the filter device 81 of the fifth embodiment corresponds to a modification of the filter device 61 of the third embodiment.
  • the difference from the third embodiment 61 is that the first inductance L1 and the second inductance L2 are connected to the third inductance L3 connected between the first and second LC parallel resonance circuits 7 and 9.
  • one end of the third inductance L3 is connected to one end of the inductance L1, and the other end of the inductance L3 is connected to one end of the inductance L2.
  • a ⁇ (delta) type circuit is configured.
  • the third inductance L3 may be connected. That is, a ⁇ -type circuit equivalent to a circuit in which the first and second inductances L1 and L2 are magnetically coupled may be used.
  • FIG. 10 is a circuit diagram showing a filter device according to the sixth embodiment of the present invention.
  • the filter device 91 of the present embodiment also corresponds to a modification of the filter device 61 of the third embodiment.
  • the first inductance L1 and the second inductance L2 are shared, and the common inductance L0 is used. That is, the first LC parallel resonant circuit 7 is configured by the acoustic wave resonator P1 and the inductance L0, and the second LC parallel resonant circuit 9 is configured by the inductance L0 and the acoustic wave resonator P2. .
  • a fourth inductance L4 is connected between the inductance L0 and the input terminal.
  • a fifth inductance L5 is connected between one end of the inductance L0 and the output terminal.
  • the inductances L0, L4, and L5 constitute a three-element Y-type circuit.
  • Such a Y-type circuit is equivalent to a circuit in which the inductances L1 and L2 are magnetically coupled. That is, a Y-type circuit having inductances L0, L4, and L5 may be used instead of the ⁇ -type circuit shown in FIG.
  • the filter devices 81 and 91 shown in FIGS. 9 and 10 as in the filter device 61 of the third embodiment, 1) widening, 2) expansion of attenuation near the pass band, and 3) from the pass band.
  • the amount of attenuation in a remote attenuation band can be increased.
  • the attenuation in the vicinity of the pass band can be further increased as compared with the case where no ⁇ -type circuit or three-element Y-type circuit is formed.
  • FIG. 11 to FIG. 14 are circuit diagrams of filter devices according to the seventh to tenth embodiments of the present invention. These filter devices also correspond to modifications of the filter device 61 of the third embodiment shown in FIG. Therefore, only different parts will be described.
  • the inductance L1 and the inductance L2 are respectively divided in series. Specifically, the inductance L1 is divided in series, and the inductance L1a and the inductance L1b are connected in series. Similarly, in the second LC parallel resonant circuit 9, inductances L2a and L2b are connected in series.
  • the input terminal 2 is connected to a connection point n2 between the inductance L1a and the inductance L1b.
  • the output terminal 3 is connected to a connection point n3 between the inductance L2a and the inductance L2b.
  • the first and second inductances L1 and L2 may be divided in series.
  • the elastic wave resonators in the first and second LC parallel resonant circuits 7 and 9 may be divided in series as in the filter device 111 shown in FIG.
  • the acoustic wave resonator P1a and the acoustic wave resonator P1b are connected in series with each other.
  • a connection point n4 between the acoustic wave resonators P1a and P1b and the input terminal 2 are connected.
  • the elastic wave resonator is divided in series. That is, the elastic wave resonator P2a and the elastic wave resonator P2b are connected in series.
  • a connection point n5 between the acoustic wave resonators P2a and P2b and the output terminal 3 are electrically connected.
  • an inductance L21 is provided as a sixth inductance L6 between the acoustic wave resonator P1 and the ground potential side end of the inductance L1 and the ground potential. It is connected.
  • an inductance L22 is connected as an inductance L6 between the ground potential side ends of the acoustic wave resonator P2 and the inductance L2 and the ground potential.
  • the inductances L21 and L22 may be further connected between the ground potential side end of the parallel circuit portion and the ground potential.
  • the ground potential side ends of the first LC parallel resonant circuit 7 and the second LC parallel resonant circuit 9 are connected in common.
  • An inductance L23 is connected as a sixth inductance L6 between the common connection point n6 and the ground potential. The amount of attenuation in the vicinity of the pass band can be further expanded by connecting the inductance L23.
  • the inductance of the first LC parallel resonant circuit 7 and the inductance of the second LC parallel resonant circuit 9 are magnetically coupled, but are not necessarily magnetically coupled. Also good.
  • the elastic wave resonators used in the first and second LC parallel resonance circuits 7 and 9 are not limited to the surface acoustic wave resonators, but include boundary acoustic wave resonators or resonators using bulk acoustic waves. May be.
  • the capacitor C may be used for Even in such a case, it is possible to increase the attenuation in the vicinity of the pass band by the filter characteristics of the LC filter and at least one elastic wave resonator connected between the first and second LC parallel resonant circuits.

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Abstract

 広帯域化及び通過帯域から離れた減衰帯域における減衰量の拡大を図り得るフィルタ装置を提供する。 入力端子2と出力端子3とを結ぶ線路とグラウンド電位との間に、第1のインダクタンスを含む第1のLC並列共振回路7が接続されており、線路とグラウンド電位との間に、第2のインダクタンスを含む第2のLC並列共振回路9が接続されており、第1のLC並列共振回路7の端部と、第2のLC並列共振回路9の端部との間に接続されている少なくとも1つの弾性波共振子21がさらに備えられており、第1のLC並列共振回路7、第2のLC並列共振回路9及び少なくとも1つの弾性波共振子21の容量性を利用したLCフィルタとしての減衰量周波数特性と弾性波共振子の減衰量周波数特性とが利用されている、フィルタ装置1。

Description

フィルタ装置
 本発明は、帯域通過型のフィルタ装置に関し、より詳細には、LC並列共振回路と弾性波共振子とを用いたフィルタ装置に関する。
 従来、移動体通信機などのバンドパスフィルタとして、様々なフィルタ装置が提案されている。この種のフィルタ装置の通過帯域は、広帯域であることが求められることが多い。
 下記の特許文献1では、通過帯域の広帯域化を図り得るバンドパスフィルタ装置が開示されている。特許文献1に記載のバンドパスフィルタ装置では、ハイパスフィルタ回路と、ローパスフィルタ回路とが直列に接続されている。ハイパスフィルタ回路は、ハイパス用弾性表面波共振子と、ハイパス用弾性表面波共振子に並列に接続されたハイパス用インダクタンス素子とを有する。他方、ローパスフィルタ回路は、直列腕に配置されており、一端がハイパスフィルタ回路の端部に接続されている第1の弾性表面波共振子を有する。
 第1の弾性表面波共振子の前記一端とグラウンド電位との間に第2の弾性表面波共振子が接続されておりかつ第2の弾性波共振子に並列にローパス用インダクタンス素子が接続されている。さらに、上記第1の弾性表面波共振子の他端とグラウンド電位との間にも、第2の弾性表面波共振子が接続されている。この第2の弾性表面波共振子にも、並列にローパス用インダクタンス素子が接続されている。
 また、下記の特許文献2には、デジタル地上波TV電波帯域において広い通過帯域を有するSAWフィルタが開示されている。特許文献2には、入力端と出力端とを結ぶ直列腕に2個の直列腕共振子が設けられている。この2個の直列腕共振子間に、該2個の直列腕共振子と直列に共振周波数/反共振周波数移動用インダクタンスが接続されている。
 また、入力端とグラウンド電位とを結ぶ並列腕に並列腕共振子が配置されている。この並列腕共振子に並列にインダクタンス素子が接続されている。同様に、出力端とグラウンド電位とを結ぶ並列腕にも並列腕共振子が設けられている。この並列腕共振子にも並列にインダクタンス素子が接続されている。
 上記並列腕共振子に接続されているインダクタンス素子は、並列腕共振子による共振周波数及び反共振周波数を移動させるために設けられている。
特開2011-234191号公報 特開2007-202136号公報
 特許文献1や特許文献2では、上記のように、入力端子と出力端子とを結ぶ線路、言い換えれば直列腕に配置されている弾性表面波共振子、あるいは、線路とグラウンド電位とを結ぶ並列腕に配置されている弾性表面波共振子の共振周波数または反共振周波数が調整され得る。それによって、広帯域化や減衰特性の改善が図られている。
 しかしながら、このような弾性表面波共振子を用いたバンドパスフィルタでは、より一層の通過帯域の広帯域化を図ることが困難であった。例えば、ラダー型回路では、並列腕共振子の共振周波数と、直列腕共振子の反共振周波数とにより、低域側及び高域側の減衰極が構成される。従って、広帯域化を図るには、両者を遠ざければよい。しかしながら、低域側の減衰極と高域側の減衰極との間の周波数差を大きくすると、通過帯域中央における減衰量が大きくなるという問題があった。従って、広帯域化に限界があった。
 さらに、上記ラダー型のフィルタ装置では、減衰極よりも離れた減衰帯域における減衰量が充分大きくないという問題もあった。
 本発明の目的は、より一層の広帯域化を図ることができ、しかも通過帯域から離れた減衰域における減衰量を充分大きくすることが可能なフィルタ装置を提供する。
 本発明に係るフィルタ装置は、入力端子と出力端子とを有し、前記入力端子と前記出力端子とを結ぶ線路と、前記線路とグラウンド電位との間に接続されており、第1のインダクタンスを含む第1のLC並列共振回路と、前記線路とグラウンド電位との間に接続されており、第2のインダクタンスを含む第2のLC並列共振回路と、前記第1のLC並列共振回路の前記線路側にある端部と、前記第2のLC並列共振回路の前記線路側にある端部との間に接続されている少なくとも1つの弾性波共振子とを備え、前記少なくとも1つの弾性波共振子の容量性によって前記第1,第2のLC並列共振回路を電気的に結合した構成であり、前記第1及び第2のLC並列共振回路と前記少なくとも1つの弾性波共振子の容量性によって構成されるLCフィルタとしての減衰量周波数特性と、前記弾性波共振子の反共振点によって構成される減衰量周波数特性とが組み合わされている。
 本発明の別の広い局面によれば、入力端子と出力端子とを有し、前記入力端子と前記出力端子とに接続される線路と、前記線路とグラウンド電位との間に接続されており、第1のインダクタンスを含み、第1の並列共振周波数を有する第1のLC並列共振回路と、前記線路とグラウンド電位との間に接続されており、第2のインダクタンスを含み、第2の並列共振周波数を有する第2のLC並列共振回路と、前記第1のLC並列共振回路の前記線路側の端部と、前記第2のLC並列共振回路の前記線路側の端部とに接続されている、少なくとも1つの弾性波共振子を含むフィルタ回路とを備える。ここでは、前記第1のLC並列共振回路の第1の共振特性と、前記第2のLC並列共振回路の第2の共振特性と、前記少なくとも1つの弾性波共振子の容量性とによって、前記第1及び第2の共振特性を電気的に結合させ、LCフィルタとしての通過帯域特性が構成されている。前記LCフィルタの通過帯域は、前記少なくとも1つの弾性波共振子の反共振周波数より低いまたは共振周波数より高い周波数領域に配置され、かつ前記LCフィルタの通過帯域内に前記第1の並列共振周波数と前記第2の並列共振周波数が配置されており、前記少なくとも1つの弾性波共振子を含むフィルタ回路の減衰極が、前記LCフィルタの通過帯域外の減衰域に配置されている。
 本発明に係るフィルタ装置のある特定の局面では、前記第1のLC並列共振回路中の第1のインダクタンスと、前記第2のLC並列共振回路中の第2のインダクタンスとが磁気結合している。
 本発明に係るフィルタ装置の他の特定の局面では、前記第1のLC並列共振回路と、前記第2のLC並列共振回路との間に接続されている少なくとも1つの弾性波共振子が、複数の弾性波共振子であり、該複数の弾性波共振子がラダー型フィルタ回路を構成している。
 本発明に係るフィルタ装置のさらに他の特定の局面では、前記第1及び第2のLC並列共振回路が、それぞれ、前記第1及び第2のインダクタンスと、前記第1及び第2のインダクタンスに並列に接続された第2及び第3の弾性波共振子とからなり、該第2及び第3の弾性波共振子の容量性により前記第1及び第2のLC並列共振回路の容量が構成されている。
 本発明に係るフィルタ装置の別の特定の局面では、前記第1のLC並列共振回路の第1のインダクタンスと、前記第2のLC並列共振回路の第2のインダクタンスとが磁気結合している回路部分が、前記第1のインダクタンス及び前記第2のインダクタンスと、前記第1のインダクタンス及び前記第2のインダクタンスの各一端を接続している第3のインダクタンスとを有するΔ型回路により構成されている。
 本発明に係るフィルタ装置のさらに他の特定の局面では、前記第1のLC並列共振回路の第1のインダクタンスと、前記第2のLC並列共振回路の第2のインダクタンスとが磁気結合している回路部分が、前記第1のインダクタンス及び第2のインダクタンスを兼ねている共通インダクタンスと、共通インダクタンスのグラウンド電位とは反対側の端部と入力端子との間の接続点に接続された第4のインダクタンスと、該接続点と出力端子との間に接続された第5のインダクタンスとを有する三素子Y型回路により構成されている。
 本発明に係るフィルタ装置のさらに他の特定の局面では、前記第1及び第2のLC並列共振回路における第1のインダクタンス及び第2のインダクタンスが、複数のインダクタンスに直列分割されている。
 本発明に係るフィルタ装置のさらに他の特定の局面では、前記第1のLC並列共振回路及び第2のLC並列共振回路において、前記第1及び第2の容量が、それぞれ、直列に接続された複数の弾性波共振子からなる。
 本発明に係るフィルタ装置のさらに他の特定の局面では、前記第1及び第2のLC並列共振回路のうち少なくとも一方のLC並列共振回路のグラウンド電位側端部と、グラウンド電位との間に、第6のインダクタンスが接続されている。
 本発明のフィルタ装置において、上記弾性波共振子としては、弾性表面波共振子を好適に用いることができる。もっとも、弾性波共振子は、バルク弾性波を利用した共振子であってもよい。さらに、弾性境界波を利用した弾性境界波共振子を用いてもよい。
 本発明に係るフィルタ装置によれば、広い通過帯域を得ることができ、しかも通過帯域から離れた減衰帯域における減衰量を充分大きくすることができる。さらに、通過帯域近傍における減衰量を充分な大きさとすることができる。
図1(a)及び図1(b)は、本発明の第1の実施形態に係るフィルタ装置の回路図及び弾性表面波共振子の電極構造を示す模式的平面図である。 図2(a)は、第1の実施形態に係るフィルタ装置の概略ブロック図、図2(b)は、該実施形態のフィルタ装置がLCフィルタとして動作する場合の概略ブロック図、図2(c)は、該実施形態のフィルタ装置の入出力端子を結ぶ線路に配置された弾性波共振子として動作する場合の概略ブロック図である。 図2A(a)は、弾性波共振子21を容量とした場合の従来のLCフィルタの減衰量周波数特性と、弾性波共振子の減衰量周波数特性を示す図であり、図2A(b)は、第1の実施形態のフィルタ装置の減衰量周波数特性を示す図である。図2A(c)は、第1の実施形態のフィルタ装置で負の磁気結合させた場合の減衰量周波数特性を示す図である。 図3は、本発明の第2の実施形態に係るフィルタ装置の回路図である。 図4は、本発明の第3の実施形態に係るフィルタ装置の回路図である。 図5(a)はラダー型回路部分及びLCフィルタ部分の減衰量周波数特性を説明するための図であり、図5(b)は第3の実施形態のフィルタ装置の減衰量周波数特性を示す図であり、図5(c)は第3の実施形態で正の磁気結合させた場合のフィルタ装置の減衰量周波数特性を示す図であり、図5(d)は第3の実施形態で負の磁気結合させた場合のフィルタ装置の減衰量周波数特性を示す図である。 図6は、本発明の第4の実施形態に係るフィルタ装置の回路図である。 図7は、本発明の第3の実施形態の変形例に係るフィルタ装置の回路図である。 図8は、図7に示した変形例の減衰量周波数特性を示す図である。 図9は、本発明の第5の実施形態に係るフィルタ装置の回路図である。 図10は、本発明の第6の実施形態に係るフィルタ装置の回路図である。 図11は、本発明の第7の実施形態に係るフィルタ装置の回路図である。 図12は、本発明の第8の実施形態に係るフィルタ装置の回路図である。 図13は、本発明の第9の実施形態に係るフィルタ装置の回路図である。 図14は、本発明の第10の実施形態に係るフィルタ装置の回路図である。
 以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
 図1(a)は、本発明の第1の実施形態に係るフィルタ装置の回路図である。
 フィルタ装置1は、入力端子2と出力端子3とを有する。入力端子2と弾性波共振子21との間の接続点5と、グラウンド電位との間に、第1のLC並列共振回路7が接続されている。第1のLC並列共振回路7は、インダクタンスL1と、インダクタンスL1に並列に接続されている容量C1とを有する。
 出力端子3と弾性波共振子21との間の接続点6と、グラウンド電位との間に、第2のLC並列共振回路9が接続されている。第2のLC並列共振回路9は、インダクタンスL2と、インダクタンスL2に並列に接続されている容量C2とを有する。
 第1のLC並列共振回路7の入力端子2側の端部と、第2のLC並列共振回路9の出力端子3側の端部との間に弾性波共振子21が接続され、フィルタ回路が形成されている。本実施形態では、1つの弾性波共振子21が接続されている。第1及び第2のLC並列共振子回路の共振点がフィルタ装置1の通過帯域の中心周波数付近に配置されている。
 なお、弾性波共振子が1つではなく複数の弾性波共振子が接続されていてもよい。その場合、複数の弾性波共振子の接続態様は特に限定されない。
 本実施形態では、弾性波共振子21は弾性表面波共振子からなる。図1(b)に弾性表面波共振子からなる弾性波共振子21の電極構造を模式的に示す。弾性波共振子21は、IDT電極22と、IDT電極22の弾性表面波伝搬方向両側に配置された反射器23,24とを有する。なお、弾性波共振子21の電極構造は特に限定されるものではないが、このような通常の1ポート型弾性表面波共振子を好適に用いることができる。なお、反射器23,24は、1ポート型弾性表面波共振子への特性要求に応じて省略することが可能である。
 好ましくは、上記インダクタンスL1とインダクタンスL2とが、図1(a)において破線Mで示すように磁気結合していることが望ましい。磁気結合していると、入力端子2と出力端子3とに接続される線路に磁気結合によるインダクタンスが接続された回路と等価になる。すなわち、この回路上等価なインダクタンスが、弾性波共振子21と並列に接続された回路と等価になる。従って、磁気結合によって、弾性波共振子21が、主に容量性として動作する周波数領域では、LC並列共振回路が構成される回路と等価になる。上記容量性として動作する周波数領域とは、弾性波共振子の共振周波数と反共振周波数、及び弾性波共振子の共振周波数と反共振周波数の間の周波数領域以外の周波数領域である。弾性波共振子21が主に容量性として動作する周波数領域において、上記LC並列共振回路が構成されることになるため、後述の図5(c)の破線A1、図5(d)の破線A2で示すように通過帯域から離れた減衰域部分に該LC並列共振回路による共振周波数による減衰極を形成することができる。従って、通過帯域から離れた減衰域における減衰量のより一層の拡大を図ることができる。
 図2及び図2Aをも参照して、本発明のフィルタ装置1において、広帯域化、通過帯域近傍における減衰量の拡大、通過帯域から離れた減衰域における減衰量の拡大を図り得ることを説明する。
 図2の(a)は、図1に示した第1の実施形態に係るフィルタ装置の概略ブロック図である。概略ブロック図で示すと、入力端子2と出力端子3とを結ぶ線路とグラウンド電位との間に、第1のLC並列共振回路7が接続されている。また、第1のLC並列共振回路7よりも出力端子3側において、上記入力端子2と出力端子3とを結ぶ線路とグラウンド電位との間に第2のLC並列共振回路9が接続されていることになる。そして、第1のLC並列共振回路7と第2のLC並列共振回路9とが上記線路に接続されているそれぞれの接続点の間において、弾性波共振子21が接続されている。
 ところで、弾性波共振子21の周波数特性は、共振周波数と反共振周波数との間の周波数領域においては主に誘導性を示し、共振周波数より低い周波数領域及び反共振周波数より高い周波数領域では主に容量性を示す。従って、弾性波共振子21が容量性を示す周波数領域では、フィルタ装置1のブロック図は図2(b)に相当する。すなわち、弾性波共振子21が主に容量性である周波数領域においては、第1及び第2のLC並列共振回路7,9と容量Cとが図示のように接続されているLCフィルタが構成される。図2A(a)の実線は、上記LCフィルタの減衰量周波数特性を示す。LCフィルタでは、弾性表面波共振子を複数用いたラダー型フィルタに比べ、広い通過帯域を得ることができる。すなわち、インダクタンス及び容量の値を調整し、通過帯域を広げた場合であっても、通過帯域中央において減衰量が増大し難い。
 もっとも、図2A(a)の実線で示すように、LCフィルタでは、通過帯域から通過帯域外にかけての減衰特性の傾きがゆるやかである。
 本実施形態では、上記弾性波共振子21が設けられている。この弾性波共振子21の共振周波数は、前述した通り、フィルタ装置1の通過帯域内にある。そして、反共振周波数が、減衰量を拡大したい部分、より具体的には通過帯域よりも高域側の減衰域内であって、通過帯域の近傍に位置している。
 他方、上記弾性波共振子21は、共振周波数と反共振周波数との間では主に誘導性を示す。図2Aの(a)における破線で示す減衰量周波数特性は、この弾性波共振子21の共振周波数と反共振周波数とを含む周波数領域での特性である。上記のような周波数特性を利用してLCフィルタと弾性共振子21とが組み合わせた本実施形態のフィルタ装置1では、図2A(a)の実線で示す減衰量周波数特性と破線で示す減衰量周波数特性とを併せ持つ減衰量周波数特性を有することになる。従って、図2A(b)で示す本実施形態のフィルタ装置1の減衰量周波数特性が得られる。すなわち、入力端子2と出力端子3との間に接続された上記弾性波共振子21は、図2A(a)の破線で示した反共振周波数を有し、図2A(b)に示した所定の周波数に応じて減衰量周波数が変化するように構成された図2(c)に示すフィルタ回路として弾性波共振子21の減衰量周波数特性が利用される。
 本実施形態では、弾性波による共振現象を利用した弾性波共振子21の所定の周波数に応じて反共振点を有して変化するフィルタ特性によって、LC並列共振回路が構成されるLCフィルタの減衰特性を、図2A(a)で実線に示したLCフィルタの減衰特性より急峻にすることができる。従って、フィルタ装置1では、図2A(b)に示したように通過帯域高域側における減衰特性を急峻化させることができる。さらに、通過帯域近傍における減衰域の減衰量の拡大を図ることができる。これは、弾性波共振子21の反共振周波数におけるインピーダンス特性による。
 加えて、弾性波共振子21は、図2A(a)の破線で示す部分から明らかなように、減衰極を形成する反共振周波数より高域側に周波数が遠ざかると弾性波共振子21の減衰量が減少する。そのため、弾性波共振子を有するラダー型フィルタなどでは、通過帯域から離れた減衰域における減衰量が充分小さくならないという問題があった。これに対して、本実施形態では、上記LCフィルタのフィルタ特性を利用しているため、通過帯域から離れた減衰域における減衰量の拡大を図ることができる。LCフィルタのフィルタ特性では、通過帯域から離れた減衰域において減衰量が大きい。従って、本実施形態では、通過帯域から離れた減衰帯域における減衰量の拡大も図り得る。
 なお、フィルタ装置の所定の周波数帯域の最小の信号強度Aと、Aから連続する信号強度Bとの関係が、10Log10B/Aで算出して-3[dB]より小さな値になるまでの周波数領域を通過帯域とし、-3[dB]以下の値の周波数領域を減衰帯域とすればよい。信号強度はフィルタ装置の電圧値から演算できる。
 上記のように本実施形態のフィルタ装置1は、LCフィルタにより広い通過帯域及び通過帯域から離れた減衰帯域の拡大を図ることができ、弾性波共振子21を用いて通過帯域近傍の減衰量の拡大を図ることができる構成を有する。すなわち、本実施形態のフィルタ装置1は、LCフィルタと弾性波共振子の特性の双方の長所が互いに阻害されずに利用できる構成を備えている。
 上記実施形態では、弾性波共振子21の反共振周波数faが、上記LCフィルタで構成される通過帯域の高域側端部よりも高周波側に位置している。それによって、通過帯域高域側の減衰特性の急峻性が高められている。このように、通過帯域高域側の減衰特性の急峻性を高めるには、通過帯域高域側端部近傍に減衰極を設けるために、反共振周波数faを、減衰極を形成したい位置に設定すればよい。言い換えれば、fa>fh>f0(ただし、fhは通過帯域高域側端部の周波数、f0はLCフィルタで構成される通過帯域の中心周波数を意味する)であれば、通過帯域高域側の急峻性を高めることができる。
 なお、第1のLC並列共振回路7の第1のLC共振周波数及び第2のLC並列共振回路9の第2のLC共振周波数のそれぞれに対応するLC共振回路の通過帯域の中心周波数をそれぞれf1,f2としたとき、f0とf1とf2とが近接することが好ましく、f0=f1=f2であることが好ましい。もっとも、必ずしも中心周波数f1と中心周波数f2とは等しい必要はない。
 また、上記とは異なり、通過帯域低域側における減衰特性の急峻性を高めるには、弾性波共振子21の反共振周波数faが通過帯域低域側の端部近傍の減衰域に位置しておればよい。それによって、通過帯域低域側の近傍の減衰域において減衰特性の急峻性を図ることができる。この場合、反共振周波数faがfl(通過帯域低域側の端部の周波数)よりも低ければよい。
 図1(a)に示すLC並列共振回路において、第1のインダクタL1及び第2のインダクタL2により所定の磁気結合が実施されると、図2A(c)に示すように減衰極が通過帯域外の高域側に発生して、減衰量が拡大する。このフィルタ装置1で実施した磁気結合によるフィルタ特性は、フィルタ回路に並列に等価インダクタを接続した回路のフィルタ特性と置き換えることができる。この等価インダクタと弾性波共振子の容量性とのLC並列共振で発生した減衰極によって、図2A(c)に示す通過帯域外の高域側の減数量を拡大できると考えられる。
 図3は、本発明の第2の実施形態に係るフィルタ装置の回路図である。フィルタ装置51は、第1の実施形態のフィルタ装置1と同様に、第1のLC並列共振回路7及び第2のLC並列共振回路9及び弾性波共振子21を有する。
 異なるところは、第1の実施形態の容量C1,C2に代えて、第2,第3の弾性波共振子P1,P2が用いられていることにある。弾性波共振子P1,P2の共振周波数は、通過帯域低域側にあり、反共振周波数は通過帯域内にある。弾性波共振子P1,P2及び弾性波共振子21は、共振周波数より低域側と反共振周波数より高域側の周波数帯では主に容量性として作用する。従って、本実施形態においても、弾性波共振子P1,P2の共振周波数と反共振周波数の間以外の周波数帯では第1及び第2のLC並列共振回路7,9によるLCフィルタのフィルタ特性が得られる。また、それに加えて、弾性波共振子P1,P2,21によるフィルタ特性も同時に得られる。よって、第1の実施形態と同様に、1)広帯域化、2)通過帯域近傍における減衰量の拡大及び3)通過帯域から離れた減衰帯域における減衰量の拡大を図ることができる。第2の実施形態においても、好ましくは、インダクタンスL1とインダクタンスL2とが矢印Mで示すように磁気結合していることが望ましい。
 図4は、本発明の第3の実施形態に係るフィルタ装置の回路図である。フィルタ装置61では、第1及び第2のLC並列共振回路7,9は第2の実施形態と同様に構成されている。従って同一部分は同一参照を付することにより、その説明を省略する。
 第2の実施形態に比べ第3の実施形態が異なるところは、弾性波共振子21に代えて、ラダー型フィルタ回路62が接続されていることにある。ラダー型フィルタ回路62は、入力端子2と出力端子3とを結ぶ直列腕に配置された複数の直列腕共振子S11~S1n(ただし、nは正の整数)と、並列腕共振子P11~P1m(ただしmは正の整数)とを有する。
 このように、第1のLC並列共振回路7と、第2のLC並列共振回路9との間には、複数の弾性波共振子を接続してもよく、本実施形態のように複数の弾性波共振子によりラダー型フィルタ回路62を構成することが望ましい。
 本実施形態では、第1及び第2のLC並列共振回路7,9によるLCフィルタのフィルタ特性を利用している。図2A(a)の実線は、図2(a)の概略ブロック図に示した弾性波共振子21が容量である従来のLCフィルタの減衰量周波数特性を示し、図5(a)の破線は、ラダー型フィルタ回路62のフィルタ特性を示す。図5(b)は、複数の弾性波共振子によりラダー型フィルタ回路62を備える本実施形態のフィルタ装置の減衰量周波数特性を示す。図5(b)と図5(a)とで減衰量周波数特性を比較すると、本実施形態では、1)広帯域化を図ることができ、及び3)通過帯域から離れた減衰帯域における減衰量の拡大を図ることができることが分かる。
 加えて、ラダー型フィルタ回路62を有するため、通過帯域近傍における減衰量の拡大を図ることができる。より具体的には、ラダー型フィルタ回路62の並列腕共振子P11~P1mの共振周波数をフィルタ装置61の通過帯域外の低域側に位置する減衰極に一致させ、反共振周波数をフィルタ装置61の通過帯域内に位置させる。直列腕共振子S11~S1nの共振周波数をフィルタ装置61の通過帯域内の高域側に位置させ、反共振周波数を通過帯域外の高域側に位置する減衰極とする。それによって、図5(a)の実線で示すラダー型フィルタ回路62の減衰量周波数特性としてフィルタ装置61の通過帯域の低域側端部及び高域側端部近傍の周波数帯域に減衰極を有するラダー型フィルタ回路62を得ることができる。また、並列腕共振子の反共振周波数より低く、かつ直列腕共振子の共振周波数より高い周波数帯域では、ラダー型フィルタ回路62の並列腕及び直列腕共振子の容量性と、第1及び第2のLC並列共振回路7,9との構成によって得られるLCフィルタとしてのフィルタ特性を利用して、中央部の減衰量が小さく通過帯域が広いフィルタ装置61を得ることができる。
 従って、フィルタ装置61の構成によれば、第1及び第2のLC並列共振回路7,9のフィルタ特性と、所定の周波数帯域に減衰極を有するラダー型フィルタ回路62のフィルタ特性とを組み合わせることによって、図5(b)に示す通過帯域の中心周波数が約2.6GHzであり、通過帯域の帯域幅が約200MHzであり、通過帯域の低域側近傍の約2.4GHZで減衰量が約30dBであり、通過帯域の高域側近傍の約2.8GHZで減衰量が約50dBである減衰量周波数特性が得られる。すなわち、図5(b)に示すように、本実施形態では、1)広帯域化、2)通過帯域近傍における減衰量の拡大及び3)通過帯域から離れた減衰帯域における減衰量の拡大を図ることができる。
 さらに、本発明の第3の実施形態の変形例において、インダクタンスL1とインダクタンスL2とが正の磁気結合された場合、図5(c)の破線A1に示されるように、フィルタ装置の通過帯域外の低域側に磁気結合による減衰極を配置させることができる。また、インダクタンスL1とインダクタンスL2とが負の磁気結合された場合、図5(d)の破線A2に示されるように、フィルタ装置の通過帯域の高域側に磁気結合による減衰極を配置させることができる。この通過帯域外の低域側または高域側に配置された磁気結合による減衰極によって通過帯域外の減衰量が磁気結合されてない場合より一層拡大できる。なお、インダクタンスL1に角周波数ωの電流I1が流れると、相互インダクタンスによってインダクタンスL1の近傍に配置されたインダクタンスL2に角周波数ωの電流I2が発生する。インダクタンスL1とインダクタンスL2との間に、発生する磁束が互いに強め合う相互関係が成り立つとき、すなわち、インダクタンスL1の電圧V1としてインダクタンスL2の電圧V2とすれば、下式1、下式2においてMの値が正となるときを正の磁気結合とする。これに対して、インダクタンスL1とインダクタンスL2との間に、発生する磁束を互いに弱め合う相互関係が成り立つとき、すなわち、下記式1、下記式2においてMの値が負になるときを負の磁気結合とする。
 V1=jωL1I1+jωMI2(式1)
 V2=jωMI1+jωL2I2(式2)
 図6は、本発明の第4の実施形態に係るフィルタ装置の回路図である。フィルタ装置71は、入力端子2に接続された第1のLC並列共振回路7と、出力端子3に接続された第2のLC並列共振回路9とを有する。加えて、第1のLC並列共振回路7と、第2のLC並列共振回路9との間に、ラダー型フィルタ回路72が接続されている。ラダー型フィルタ回路72は、複数の直列腕共振子S21~S2n(ただし、nは正の整数)と、複数の並列腕共振子P21~P2m(ただし、mは正の整数)とを有する。本実施形態においても、第1のLC並列共振回路7及び第2のLC並列共振回路9は第3の実施形態と同様に構成されている。またラダー型フィルタ回路72もラダー型フィルタ回路62と同様に構成されている。
 加えて、本実施形態では、直列腕共振子S22と直列腕共振子S23との間との接続点n1とグラウンド電位との間に第3のLC並列共振回路73が接続されている。第3のLC並列共振回路73は、インダクタンスLxと、インダクタンスLxと並列に接続された弾性波共振子P3とを有する。
 本実施形態では、第1及び第2のLC並列共振回路7,9だけでなく、第3のLC並列共振回路73をも用いて、LCフィルタとしてのフィルタ特性が得られている。このように、第1及び第2のLC並列共振回路7,9に加え、さらに、第1及び第2のLC並列共振回路7,9間にグラウンド電位との間に接続された1以上の第3のLC並列共振回路73を接続してもよい。
 本実施形態においては、ラダー型フィルタ回路72の並列腕共振子P21~P2mの共振周波数により低域側の減衰極が構成される。また、直列腕共振子S21~S2nの反共振周波数により高域側の減衰極が構成される。
 従って、本実施形態においても、1)広帯域化、2)通過帯域近傍における減衰量の拡大及び3)通過帯域から離れた減衰帯域における減衰量の拡大を図り得る。
 なお、上記とは逆に、ラダー型フィルタ回路72の並列腕共振子P21~P2mの共振周波数により高域側の減衰極を構成し、直列腕共振子S21~S2nの反共振周波数により低域側の減衰極を構成してもよい。
 なお、本実施形態においても、好ましくは、矢印Mで示すように、インダクタンスL1とインダクタンスLxとが磁気結合していることが望ましく、さらにインダクタンスLxとインダクタンスL2とが磁気結合していることが望ましい。それによって、図5(c)の破線A1、図5(d)の破線A2で示したような減衰極を通過帯域から離れた位置に形成することができ、通過帯域から離れた位置における減衰量を磁気結合されていない場合より一層拡大することができる。
 図7は、上記第3の実施形態の変形例の回路図である。本変形例のフィルタ装置61Aにおいて、図4と同一部分については同一の参照番号を付することによりその説明を省略する。本変形例のフィルタ装置61Aは、ラダー型フィルタ回路62Aが直列腕共振子S11~S13と、並列腕共振子P11,P12と有する。また、入力端子2と第1のLC並列共振回路7との間に、弾性波共振子63が接続されている。出力端子3と第2のLC並列共振回路9との間にも弾性波共振子64が接続されている。弾性波共振子63,64は、通過帯域よりも高域側に反共振周波数を有する。それによって、通過帯域高域側における減衰量の拡大を図ることが可能とされている。また、フィルタ装置61Aのインピーダンスを調整する機能をも有する。
 また、第1のLC並列共振回路7と、第2のLC並列共振回路9との間にインダクタンスL3が接続されている。加えて、インダクタンスL1とインダクタンスL2が磁気結合している。
 図8は、本変形例のフィルタ装置61Aの減衰量周波数特性を示す図である。本変形例では、UMTSのBAND41規格を満足するフィルタとして用いられるフィルタ特性が実現されている。この場合、通過帯域は2496~2690MHzであり、大きな減衰量を確保したい帯域は、IMS2.4GHz帯の2400~2473MHzと、UMTS帯である800~2170MHzとなる。図8から明らかなように、広帯域化、通過帯域近傍における減衰量の拡大を図ることが可能とされている。
 さらに、上記弾性波共振子63,64が設けられているため、図8の矢印Wで示す位置に減衰極が現れており、それによって通過帯域から離れた位置の減衰量の拡大が図られているとともに、フィルタ回路のインピーダンス調整を図ることができる。
 また、通過帯域より低域側では、インダクタンスL1とインダクタンスL2との磁気結合による等価インダクタンスと、インダクタンスL3と、ラダー型回路の容量成分との共振によって発生する共振周波数Fxが矢印Xで示す位置に現れている。従って、矢印Xで現される位置において減衰量の拡大が図られている。
 図9は、本発明の第5の実施形態に係るフィルタ装置の回路図である。第5の実施形態のフィルタ装置81は、第3の実施形態のフィルタ装置61の変形例に相当する。第3の実施形態61と異なるところは、第1のインダクタンスL1及び第2のインダクタンスL2が、第1及び第2のLC並列共振回路7,9間に接続されている第3のインダクタンスL3に接続されていることにある。すなわち、第3のインダクタンスL3の一端がインダクタンスL1の一端に、インダクタンスL3の他端がインダクタンスL2の一端に接続されている。それによって、Δ(delta)型回路が構成されている。
 このように、インダクタンスL1とインダクタンスL2を磁気結合させる代わりに、第3のインダクタンスL3を接続してもよい。すなわち、第1及び第2のインダクタンスL1,L2を磁気結合している回路と等価なΔ型回路を用いてもよい。
 図10は、本発明の第6の実施形態に係るフィルタ装置を示す回路図である。本実施形態のフィルタ装置91も、第3の実施形態のフィルタ装置61の変形例に相当する。フィルタ装置91では、第1のインダクタンスL1と第2のインダクタンスL2が共通化され、共通インダクタンスL0が用いられている。すなわち、弾性波共振子P1とインダクタンスL0とにより第1のLC並列共振回路7が構成され、インダクタンスL0と弾性波共振子P2とにより第2のLC並列共振回路9が構成されていることになる。そして、インダクタンスL0と入力端子との間に第4のインダクタンスL4が接続されている。インダクタンスL0の一端と出力端子との間に第5のインダクタンスL5が接続されている。ここでは、インダクタンスL0,L4,L5が三素子Y型回路を構成している。このようなY型回路は、インダクタンスL1,L2が磁気結合している回路と等価である。すなわち、インダクタンスL0,L4,L5によるY型回路を、図9に示したΔ型回路の代わりに用いてもよい。
 図9及び図10に示したフィルタ装置81,91においても、第3の実施形態のフィルタ装置61と同様に、1)広帯域化、2)通過帯域近傍における減衰量の拡大及び3)通過帯域から離れた減衰帯域における減衰量の拡大を図ることができる。しかも、磁気結合効果と同様の効果が果されるため、通過帯域近傍における減衰量をΔ型回路または三素子Y型回路が形成されない場合より一層拡大することができる。
 図11~図14は本発明の第7~第10の実施形態に係る各フィルタ装置の回路図である。これらのフィルタ装置も、図4に示した第3の実施形態のフィルタ装置61の変形例に相当する。従って、異なる部分のみを説明することとする。
 図11に示すフィルタ装置101では、第1のLC並列共振回路7及び第2のLC並列共振回路9において、インダクタンスL1及びインダクタンスL2が、それぞれ直列分割されている。具体的には、インダクタンスL1が直列分割され、インダクタンスL1aとインダクタンスL1bとが直列に接続されている構成とされている。同様に、第2のLC並列共振回路9においても、インダクタンスL2aとL2bとが直列接続されている。
 そして、入力端子2が、インダクタンスL1aとインダクタンスL1bとの間の接続点n2に接続されている。同様に、出力端子3がインダクタンスL2aとインダクタンスL2bとの間の接続点n3に接続されている。このように、本発明においては、第1及び第2のインダクタンスL1,L2は直列分割されていてもよい。
 同様に、図12に示すフィルタ装置111のように、第1及び第2のLC並列共振回路7,9における弾性波共振子が直列分割されていてもよい。図12では、第1のLC並列共振回路7において、弾性波共振子P1aと弾性波共振子P1bとが互いに直列に接続されている。弾性波共振子P1a,P1b間の接続点n4と入力端子2とが接続されている。同様に、第2のLC並列共振回路9においても、弾性波共振子が直列分割されている。すなわち、弾性波共振子P2aと弾性波共振子P2bとが直列に接続されている。弾性波共振子P2a,P2b間の接続点n5と出力端子3とが電気的に接続されている。
 図13に示すフィルタ装置121では、第1のLC並列共振回路7において、弾性波共振子P1及びインダクタンスL1のグラウンド電位側端部とグラウンド電位との間に、第6のインダクタンスL6としてインダクタンスL21が接続されている。同様に、第2のLC並列共振回路9においても、弾性波共振子P2及びインダクタンスL2のグラウンド電位側端部とグラウンド電位との間に、インダクタンスL6としてインダクタンスL22が接続されている。このように、第1及び第2のLC並列共振回路7,9において、並列回路部分のグラウンド電位側端部とグラウンド電位との間にさらにインダクタンスL21,L22を接続してもよい。それによって、通過帯域近傍における減衰量をより一層拡大することができる。
 図14に示すフィルタ装置131では、第1のLC並列共振回路7及び第2のLC並列共振回路9のグラウンド電位側端部が共通接続されている。この共通接続点n6とグラウンド電位との間に第6のインダクタンスL6としてインダクタンスL23が接続されている。インダクタンスL23の接続により通過帯域近傍における減衰量をより一層拡大することができる。
 なお、第1~第10の実施形態では、第1のLC並列共振回路7のインダクタンスと、第2のLC並列共振回路9のインダクタンスとは磁気結合されていたが、必ずしも磁気結合されておらずともよい。
 また、第1及び第2のLC並列共振回路7,9に用いる弾性波共振子についても、弾性表面波共振子に限らず、弾性境界波共振子やバルク弾性波を利用した共振子などを用いてもよい。
 さらに、第2~第10の実施形態において、第1の実施形態と同様に、第1及び第2のLC並列共振回路7,9における弾性波共振子に代えて、第1の実施形態のように容量Cを用いてもよい。その場合にも、LCフィルタのフィルタ特性と、第1及び第2のLC並列共振回路間に接続されている少なくとも1つの弾性波共振子による通過帯域近傍における減衰量の拡大を図ることができる。
1…フィルタ装置
2…入力端子
3…出力端子
5,6…接続点
7…第1のLC並列共振回路
9…第2のLC並列共振回路
21…弾性波共振子
22…IDT電極
23,24…反射器
51,61,61A,71,81,91,101,111,121,131…フィルタ装置
62,62A,72…ラダー型フィルタ回路
63,64…弾性波共振子
73…第3のLC並列共振回路
C1,C2…容量
L1,L1a,L1b…第1のインダクタンス
L2,L2a,L2b…第2のインダクタンス
L3~L6…第3~第6のインダクタンス
L21~L23…インダクタンス
P1,P1a,P1b,P2,P2a,P2b,P3…弾性波共振子
P11~P1m,P21~P2m…並列腕共振子
S11~S1n,S21~S2n…直列腕共振子

Claims (12)

  1.  入力端子と、
     出力端子と、
     前記入力端子と前記出力端子とを結ぶ線路と、
     前記線路とグラウンド電位との間に接続されており、第1のインダクタンスを含む第1のLC並列共振回路と、
     前記線路とグラウンド電位との間に接続されており、第2のインダクタンスを含む第2のLC並列共振回路と、
     前記第1のLC並列共振回路の前記線路側の端部と、前記第2のLC並列共振回路の前記線路側の端部との間に接続されている少なくとも1つの弾性波共振子とを備え、
     前記少なくとも1つの弾性波共振子の容量性によって前記第1,第2のLC並列共振回路を電気的に結合した構成であり、
     前記第1及び第2のLC並列共振回路と前記少なくとも1つの弾性波共振子の容量性によって構成されるLCフィルタとしての減衰量周波数特性と、
     前記弾性波共振子の反共振点によって構成される減衰量周波数特性とが組み合わされている、フィルタ装置。
  2.  入力端子と、
     出力端子と、
     前記入力端子と前記出力端子とに接続される線路と、
     前記線路とグラウンド電位との間に接続されており、第1のインダクタンスを含み、第1の並列共振周波数を有する第1のLC並列共振回路と、
     前記線路とグラウンド電位との間に接続されており、第2のインダクタンスを含み、第2の並列共振周波数を有する第2のLC並列共振回路と、
     前記第1のLC並列共振回路の前記線路側の端部と、前記第2のLC並列共振回路の前記線路側の端部とに接続されている、少なくとも1つの弾性波共振子を含むフィルタ回路とを備え、
     前記第1のLC並列共振回路の第1の共振特性と、
     前記第2のLC並列共振回路の第2の共振特性と、
     前記少なくとも1つの弾性波共振子の容量性とによって、前記第1及び第2の共振特性を電気的に結合させ、LCフィルタとしての通過帯域特性が構成されており、
     前記LCフィルタの通過帯域は、前記少なくとも1つの弾性波共振子の反共振周波数より低いまたは共振周波数より高い周波数領域に配置され、かつ前記LCフィルタの通過帯域内に前記第1の並列共振周波数と前記第2の並列共振周波数が配置されており、
     前記少なくとも1つの弾性波共振子を含むフィルタ回路の減衰極が、前記LCフィルタの通過帯域外の減衰域に配置されている、フィルタ装置。
  3.  前記第1のLC並列共振回路に含まれる第1のインダクタンスと、前記第2のLC並列共振回路に含まれる第2のインダクタンスとが磁気結合している、請求項1または2に記載のフィルタ装置。
  4.  前記第1のLC並列共振回路と、前記第2のLC並列共振回路との間に接続されている前記少なくとも1つの弾性波共振子が、複数の弾性波共振子であり、該複数の弾性波共振子がラダー型フィルタ回路を構成している、請求項1~3のいずれか1項に記載のフィルタ装置。
  5.  前記第1及び第2のLC並列共振回路が、それぞれ、前記第1及び第2のインダクタンスと、前記第1及び第2のインダクタンスに並列に接続された第2及び第3の弾性波共振子とからなり、該第2及び第3の弾性波共振子の容量性により前記第1及び第2のLC並列共振回路の容量が構成されている、請求項1~4のいずれか1項に記載のフィルタ装置。
  6.  前記第1のLC並列共振回路の第1のインダクタンスと、前記第2のLC並列共振回路の第2のインダクタンスとが磁気結合している回路部分が、前記第1のインダクタンスと、前記第2のインダクタンスと、前記第1のインダクタンス及び前記第2のインダクタンスの各一端を接続している第3のインダクタンスとを有するΔ型回路により構成されている、請求項3に記載のフィルタ装置。
  7.  前記第1のLC並列共振回路の第1のインダクタンスと、前記第2のLC並列共振回路の第2のインダクタンスとが磁気結合している回路部分が、前記第1のインダクタンス及び前記第2のインダクタンスを兼ねている共通インダクタンスと、該共通インダクタンスのグラウンド電位とは反対側の端部と前記入力端子との間の接続点に接続された第4のインダクタンスと、該接続点と前記出力端子との間に接続された第5のインダクタンスとを有する三素子Y型回路により構成されている、請求項3に記載のフィルタ装置。
  8.  前記第1及び第2のLC並列共振回路における第1のインダクタンス及び第2のインダクタンスが、複数のインダクタンスに直列分割されている、請求項1~7のいずれか1項に記載のフィルタ装置。
  9.  前記第1のLC並列共振回路及び第2のLC並列共振回路において、前記第1及び第2の容量が、それぞれ、直列に接続された複数の弾性波共振子からなる、請求項1~8のいずれか1項に記載のフィルタ装置。
  10.  前記第1及び第2のLC並列共振回路のうち少なくとも一方のLC並列共振回路のグラウンド電位側端部と、グラウンド電位との間に、第6のインダクタンスが接続されている、請求項1~9のいずれか1項に記載のフィルタ装置。
  11.  前記弾性波共振子が、弾性表面波共振子である、請求項1~10のいずれか1項に記載のフィルタ装置。
  12.  前記弾性波共振子が、バルク弾性波を利用した共振子である、請求項1~10のいずれか1項に記載のフィルタ装置。
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