JPH06350374A

JPH06350374A - 帯域通過フィルタ

Info

Publication number: JPH06350374A
Application number: JP13846693A
Authority: JP
Inventors: Yoshihiro Konishi; 良弘小西
Original assignee: Uniden Corp
Current assignee: Uniden Corp
Priority date: 1993-06-10
Filing date: 1993-06-10
Publication date: 1994-12-22

Abstract

(57)【要約】（修正有）【目的】回路構成素子の使用個数を削減するとともに、
回路構成自体もセラミック化が容易なように設定する。【構成】複同調回路の通過周波数帯域の上下に接する遮
断周波数帯域にそれぞれトラップを設ける。複同調回路
における誘導素子の中間点から入出力端子を導出し、そ
の入出力端子間に容量素子を接続して所望のフィルタ回
路を構成する。入出力間結合容量Ｃ_ｍを小さくするほ
ど、また、複同調間誘導結合Ｍを大きくするほど、トラ
ップ周波数ｆ_Ｎ１，ｆ_Ｎ２が通過帯域中心周波数ｆ_０か
ら離れる。簡単な導体パターンの積層によりセラミック
化して良好な帯域通過特性が得られるようにする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、通過周波数帯域の上下
両側の減衰帯域にそれぞれトラップを備えて尖鋭な帯域
通過特性を有する帯域通過フィルタに関し、特に、所要
回路構成素子の個数を最小限に削減してセラミック化を
容易にしたものである。

【０００２】

【従来の技術】上述した種類の帯域通過フィルタは、無
線通信機などにおいて、所望周波数帯域の信号のみを選
択的に通過させるとともに、上下に近接した信号帯域に
おける不所望信号の混入を防止して、良質の通信を行な
い得るようにするために、多用されている。

【０００３】一方、携帯電話機など携帯用、移動用の無
線通信機においては、装置を小型軽量にするために、使
用する構成要素をセラミック化することが近来急速に進
められている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかして、回路構成要
素のセラミック化にあたっては、回路構成素子の使用個
数を削減するとともに、回路構成自体をセラミック化が
容易なように設定する必要がある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明の目的は、上述し
た従来の課題を解決し、使用する回路素子の個数を、従
来より少ない必要最小限にするとともに、回路構成自体
をセラミック化が容易なように設定した帯域通過フィル
タを提供することにある。

【０００６】すなわち、本発明帯域通過フィルタは、互
いに結合した２個の第１の誘導素子と２個の第２の誘導
素子とをそれぞれ互いに直列に接続してなる２個の直列
接続誘導素子に２個の容量素子をそれぞれ並列に接続し
て複同調回路を構成し、前記２個の直列接続誘導素子に
おける前記第１の誘導素子と前記第２の誘導素子との接
続点の相互間に結合用の容量素子を接続することによ
り、前記複同調回路の通過周波数帯域の上下に接する遮
断周波数帯域にそれぞれトラップを設けたことを特徴と
するものである。

【０００７】

【作用】したがって、本発明帯域通過フィルタにおいて
は、使用する回路素子が従来に比して少なく、容易にセ
ラミック化して通信機など装置の小型軽量化に資する。

【０００８】

【実施例】以下に図面を参照して実施例につき本発明を
詳細に説明する。

【０００９】まず、通過帯域の上下両側の減衰帯域にそ
れぞれトラップを備えた帯域通過フィルタの回路構成自
体をセラミック化が容易なように設定するために、かか
る帯域通過特性を呈し得る帯域通過フィルタの回路構成
全般について検討する。

【００１０】しかして、通過帯域外の特定周波数ｆ_Nに
減衰の大きいトラップを設ける帯域通過フィルタの回路
構成は、大別して、以下に順次に述べるとおりである。

【００１１】〔１〕通過帯域ｆ_Bを設定する並列同調回
路もしくは直列同調回路にそれぞれ直列もしくは並列
に、つぎの（１）式を条件として、それぞれリアクタン
ス素子ｊ_Xもしくはサセプタンス素子ｊ_Bを接続する。

【数１】

【００１２】すなわち、図１（ａ），（ｂ），（ｃ）に
示すように、並列同調回路からなる帯域通過フィルタに
トラップを備えるには、トラップ周波数ｆ_Nで零インピ
ーダンスにならなければならず、また、図１（ｄ），
（ｅ），（ｆ）に示すように、直列同調回路からなる帯
域通過フィルタにトラップを備えるには、トラップ周波
数で無限大インピーダンスにならなければならない。

【００１３】例えば、１個の並列同調回路ｆ_Bからなる
帯域通過フィルタにトラップｆ_Nを設けると図２（ａ）
および（ｄ）のようになり、それぞれ、図２（ｂ）およ
び（ｅ）のように変換することができ、それぞれの減衰
周波数特性は図２（ｃ）および（ｆ）のようになる。

【００１４】また、通過帯域ｆ_Bの上下に２個のトラッ
プｆ_N1およびｆ_N2を設け、

【数２】ｆ_N1＜ｆ_B＜ｆ_N2 （２）とするには、同じ同調周波数ｆ_Bを有する並列同調回路
と直列同調回路とを図３（ａ）に示すように縦続接続に
すれば、図３（ｂ）に示すように変換することができ、
図３（ｃ）に示すような減衰周波数特性が得られる。

【００１５】〔２〕帯域通過フィルタの入出力間もしく
はその途中の区間を純リアクタンス素子もしくは分布線
路などによる移相回路によって結合し、マルチパルスフ
ィルタを構成する。

【００１６】かかる回路構成の物理的意味は、図４
（ａ）に示すように、位相が１８０度異なる２個の信号
経路を入力出力間に並列に接続すると、出力には信号が
現れない、ということを利用したものである。したがっ
て、帯域通過フィルタの減衰域において等振幅で逆位相
となる２個の信号経路を入出力間に並列に接続すれば、
この条件を満たす周波数にトラップを設けることができ
る。

【００１７】集中定数回路による最も簡単な構成例は、
図４に示すように入出力間に直列に接続した並列同調回
路であり、入力端子１，１´間に信号電圧Ｖを加えたと
きに出力端子２，２´間に接続した負荷に出力電圧が現
れない条件を求めると、出力端子２，２´間が短絡さ
れ、したがって、図４（ｂ）に示した並列同調回路のＬ
およびＣに流れる電流Ｉ_LおよびＩ_Cは

【数３】となるから、

【数４】とすると、Ｉ_L＝−Ｉ_Cとなり、全く逆位相の電流がＬ
とＣとに流れることになる。すなわち、ＬとＣとにそれ
ぞれ流れる電流Ｉ_LとＩ_Cとが合流して流れるので、出
力端子２，２間に接続した負荷には電流が流れないこと
になる。

【００１８】いま、２個の並列同調回路の相互間に直列
に同調回路を接続した回路構成を示す図５（ａ）におい
て点線で示す部分を除去した形態の容量結合帯域通過フ
ィルタを考え、何らかの理由で点線で示すように誘導素
子Ｌ_mが接続されたとすると、図４（ｂ）に示したよう
に、並列同調回路が入出力間の結合部に直列に介挿され
ることになり、トラップ周波数

【数５】のトラップが設けられたことになる。

【００１９】一方、図５（ａ）に示した回路構成におい
て誘導素子Ｌ，Ｌ_m，Ｌがなすπ形回路は、図５（ｂ）
に示すように、Ｍ結合の回路に変換され、図５（ａ）に
示した回路構成は図５（ｃ）に示す回路構成になる。か
かるＭ結合回路における誘導結合係数Ｍ／Ｌ₁＝ｋ_lが
小さい場合には、

【数６】

【数７】したがって、

【数８】となり、２個の並列同調回路相互間の誘導結合係数ｋ_l
と容量結合係数ｋ_cとの間の大小関係により、トラップ
周波数ｆ_Nが通過帯域周波数ｆ_Bより大きくも、小さく
もなる。なお、図５（ｄ）には、ｋ_l＜ｋ_cの場合にお
ける帯域通過フィルタの減衰周波数特性の例を示してあ
る。

【００２０】いま、図５（ｃ）に示した回路構成におけ
る結合容量Ｃ_cについては、図５（ｅ）に示すように、
誘導素子Ｌ₁の適切な位置に中間タップＭ₁およびＭ₂
を設けて相互間を

【数９】Ｃ_m＝ｍ×Ｃ_c の関係にある結合容量Ｃ_mにより結合させても、図５
（ｄ）に示したように、１個のトラップｆ_Nを設けるこ
とができ、そのトラップ周波数ｆ_Nは結合容量Ｃ_mの大
きさに応じて通過帯域周波数ｆ_Bより低くも高くもする
ことができる。中間タップＭ₁，Ｍ₂による誘導素子Ｌ
の分割率ＳをＳ＝０．２５，Ｓ＝０．５，Ｓ＝０．７５とした場合について、結合容量Ｃ_mの容量倍率ｍをパラ
メータとしてトラップ周波数ｆ_Nの結合容量Ｃ_mの大き
さによる変化を図６（ａ）および（ｂ）並びに同７
（ａ）にそれぞれ示す。

【００２１】図５（ａ）〜（ｃ）を相互に比較すれば判
るように、容量倍率ｍを大きくするほど、すなわち、中
間結合容量Ｃ_mを大きくするほど、図５（ｃ）に示した
回路構成におけると同様に、トラップ周波数ｆ_Nが低く
なる。また、容量倍率ｍを固定して誘導素子分割率Ｓを
変化させた場合には、図７（ｂ）に示すように、分割率
Ｓを大きくするほどトラップ周波数ｆ_Nが低くなる。す
なわち、誘導素子分割率Ｓを大きくするほど、中間結合
容量Ｃ_mが誘導素子の電位の高い位置に移ることにな
り、電位の低い位置に比して等価的に中間結合容量Ｃ_m
の容量が大きくなるので、トラップ周波数ｆ_Nが低くな
る。

【００２２】図５に示したマルチパス・フィルタの例に
おいては、通過帯域ｆ_Bの上下いずれかの減衰域に１個
のトラップｆ_Nを設けたが、通過帯域ｆ_Bの上下に１個
ずつのトラップｆ_N1およびｆ_N2を設けたマルチパス・フ
ィルタの例を図８に示す。

【００２３】しかして、図８（ｂ）に示すように、複数
個のアドミツタンス素子を対称に構成配置したマルチパ
ス・フィルタにおいては、２開口１−１，２−２を偶モ
ードおよび奇モードで励振したときのインピーダンスＺ
_eおよびＺ_oが相等しく、Ｚ_e＝Ｚ_oとなる条件を満た
す周波数としてトラップ周波数を求めることができる。

【００２４】しかしながら、図８（ａ）に示すように、
入出力開口間に他の信号経路を接続した場合には、つぎ
のようにしてトラップ周波数を簡単に求めることができ
る。

【００２５】すなわち、図８（ａ）に示すように、Ｙ行
列〔Ｙ〕を有する４端子回路Ｎの入出力端子間にアドミ
ツタンスｙを有する２端子素子を接続することにより入
力端子１，１´間に印加した信号か出力端子２，２´間
に現れないようにするには、Ｙ行列〔Ｙ〕の１行２列の
要素Ｙ₁₂をつぎの（４）式のとおりに設定する必要があ
る。

【数１０】ｙ＝Ｙ₁₂ （４）

【００２６】いま、通過帯域外では充分な減衰量が得ら
れ、図８（ｃ）に示す並列同調回路のアドミツタンスｙ
_rに対して

【数１１】ｙ_r＞＞ｙ_c，ｙ_m であると仮定すると、（４）式はつぎのように表され
る。

【数１２】その結果、（４）式の条件によりつぎの（５）式が得ら
れ、

【数１３】したがって、つぎの（６）式が成立する必要がある。

【数１４】

【００２７】さらに、同調回路と負荷との間の結合アド
ミツタンス素子ｙ_cは容量性であっても誘導性であって
もよいが、重要なことは、並列同調回路相互間の結合が
誘導性であれば、入出力端子間に並列に接続するアドミ
ツタンス素子ｙは容量性でなければならず、また、前者
が容量性結合であれば、後者は誘導性でなければならな
いことである。

【００２８】また、狭帯域近似の条件を用いると、通過
帯域の上下両側のトラップ出力間隔の比帯域幅Ｗ_Nはつ
ぎの（７）式によって得られる。

【数１５】

【００２９】上述のトラップ周波数間隔Ｗ_Nと通過帯域
幅との関係は、３ｄＢ減衰比帯域幅Ｗを有する最大平坦
特性を負荷Ｒに対して備えた帯域通過フィルタにつき、
つぎの手順によって狭帯域近似により概算することがで
きる。（ｉ）比通過帯域幅Ｗが与えられる。

【数１６】としてマルチパスのインピーダンス｜Ｘ｜が求められ
る。なお、インピーダンスＸの符号は入出力間結合イン
ピーダンスＸ_mとは逆の符号となる。

【００３０】例えば、インピーダンスＸ＜０のときのマ
ルチパス・フィルタの構成例を図９（ａ）〜（ｃ）に示
す。また、インピーダンスＸ＞０のときは、図９（ａ）
〜（ｃ）についてＣ_m→Ｌ_m´，Ｌ_m→Ｃ_m´の変換を
施すことになる。

【００３１】上述の（７）式および（８）式は狭帯域近
似によるものであるが、厳密に計算した場合におけるフ
ィルタ特性の例を図１０（ａ）〜（ｃ）に示す。なお、
図１０（ａ）は実測例であり、図１０（ｂ）および
（ｃ）は、同調回路間誘導結合Ｍおよび同調回路・負荷
間結合容量Ｃ_cを変化させたときのフィルタ特性の変化
をそれぞれ示したものであり、ＭおよびＣ_cが大きくな
るほどノッチ間比帯域幅Ｗ_Nが大きくなることを示して
いる。なお、Ｃ_cの変化による中心周波数ｆ₀の変化が
生ずるので、フィルタ回路の設計および調整がやや面倒
になる。

【００３２】つぎに、２個の直列同調回路間をリアクテ
ィブ結合させた帯域通過フィルタの通過帯域ｆ_Bに対し
てｆ_N1＜ｆ_B＜ｆ_N2なる２個のトラップ周波数ｆ_N1，ｆ
_N2を設けた、２段構成のモノリシック水晶フィルタな
ど、図１１（ａ），（ｂ）に示す回路構成について検討
する。

【００３３】図１１（ａ），（ｂ）に示す回路構成にお
いて、入力端子１，１´間に信号電圧Ｖを印加したとき
にマルチパス電流ｉ_Xとｉ_Cとが互いに逆の符号で大き
さが等しいことを考慮した（４）式の条件を、減衰域で
はマルチパスのインピーダンス間にはＸ>>Ｘ_mなる関係
があると仮定して求めると、

【数１７】の関係式が得られる。

【００３４】また、狭帯域近似ではトラップ周波数Ｗ_r
±ΔＷ_NにおけるインピーダンスＸをＸ_Nとすると

【数１８】であるから、

【数１９】の条件のもとに、この関係を上述の関係式に代入する
と、つぎの（９）式が得られる。

【数２０】したがって、入出力端子間に接続する容量Ｃ_mを大きく
すればトラップ間帯域幅Ｗ_Nを通過帯域幅に近づけるこ
とができる。

【００３５】図１１（ａ），（ｂ）に示した回路構成の
物理的意味は、図１２（ａ）〜（ｄ）に示す等価変換を
考えれば明らかになる。すなわち、ｆ_N1＜ｆ_Bのときに
はＸ＜０となるので図１２（ａ）に示す回路構成と等価
となり、同図の等価回路における３点１，２，ｐを結ぶ
Δ回路をＹ回路に変換すると図１２（ｂ）に示す回路構
成になり、入出力点１，２間の伝送路の中間点と接地点
との間に直列同調回路が接続されてｆ_N1の信号成分を阻
止することになる。

【００３６】つぎに、ｆ_N2＞ｆ_BのときにはＸ＞０とな
るので図１２（ｃ）に示す回路構成と等価になり、同図
の等価回路における３点１，２，Ｑを結ぶＹ回路をΔ回
路に変換すると図１２（ｄ）に示す回路構成になり、入
出力点１，２間の伝送路に並列同調回路が構成されてｆ
_N2の信号成分を阻止することになる。

【００３７】以上の説明から判るように、２個の直列同
調回路を図１１（ｂ）に示すようにＣ_Mにより容量結合
する場合には、同図に示すように、入出力端子間をＬ_m
により誘導結合すればよいことになる。かかる回路構成
による伝送周波数特性の例を図１３（ａ）に示し、結合
容量Ｃ_Mの変化による伝送特性の変化の態様を図１３
（ｂ）に示す。

【００３８】また、図１４に示すように、複同調回路に
おける誘導素子の中間点から入出力端子を導出し、その
入出力端子間に容量素子を接続して所望のフィルタ回路
を構成することができる。簡単に考察するために、狭帯
域近似によってトラップ間帯域幅Ｗ_Nを求めると、つぎ
の（１０）式の関係が得られる。

【数２１】したがって、入出力間結合容量Ｃ_mを小さくするほど、
また、複同調間誘導結合Ｍを大きくするほど、トラップ
周波数ｆ_N1，ｆ_N2が通過帯域中心周波数ｆ₀から離れる
ことが判る。その態様を図１４に示した回路構成につい
て計算した結果を図１５（ａ）に示し、結合容量Ｃ_mを
小さくしたときの変化を図１５（ｂ）に示す。図１５
（ｂ）に示した変化の傾向は（１０）式が示すところと
よく一致している。なお、誘導素子の分割率の影響を図
１５（ｃ）に示す。かかる１５図示の傾向から判るよう
に、図１４に示した回路構成においては、定数の変化に
対し、通過帯域中心周波数ｆ₀が図１１に示した回路構
成におけるよりも安定しているうえに、結合容量Ｃ_mの
値を設定し易いので、回路の設計および調整が容易であ
る。

【００３９】最後に、図１６（ａ）に示すように、順次
に誘導結合した３段の複同調回路における１段目と３段
目とを結合係数ｋ₁₃で誘導結合する回路構成について検
討する。

【００４０】図１６（ａ）に示す回路構成において、誘
導結合−Ｍ，Ｍ，−ＭのＴ型回路に１：−１の変成器を
接続した回路構成のインバータをそれぞれのＭ結合回路
に適用すると図１６（ｂ）に示す回路構成が得られ、ｆ
＞ｆ_Bの周波数領域ｆでは図１６（ｃ）に示す回路構成
が得られ、この回路構成にΔ−Ｙ変換を施すと図１６
（ｄ）に示す回路構成が得られ、図１６（ｅ）に示す減
衰周波数特性が得られる。なお、図１６（ａ）に示した
回路構成を図１６（ｂ）に示した回路構成に変換する際
には、順次のＭ結合回路にそれぞれ適用するインバータ
のうち２個のインバータにおける２個の１：−１変成器
は１個の１：１変成器と等価であるから除去し得ること
を考慮している。

【００４１】上述したところからつぎのことが判る。す
なわち、図１６（ａ）における結合係数ｋ₁₃が容量結合
によるものであれば、上述とは逆にｆ＜ｆ_Bの周波数領
域ｆについて図１６（ｆ）に示す回路構成が得られ、さ
らに、図１６（ｇ）に示す回路構成に変換され、図１６
（ｈ）に示すように、通過帯域ｆ_Bより低いｆ_N＜ｆな
る周波数ｆ_Nにトラップが得られる。また、上述したイ
ンバータは、−Ｃ，Ｃ，−ＣのＴ型回路によっても構成
することができ、したがって、図１６（ａ）に示した回
路構成における結合係数ｋ₁₂，ｋ₂₃の結合は容量結合と
することもでき、その際、ｆ_N＞ｆであるか、ｆ_N＜ｆ
であるかは単に結合係数ｋ₁₃が誘導性であるか、容量性
であるかによって決まる。

【００４２】さらに、４段の複同調回路を順次にＭ結合
した帯域通過フィルタにおいても、１段目と４段目との
複同調回路間を結合することにより、通過帯域の上下に
１個ずつのトラップを設けることができ、また、６段の
複同調回路を順次にＭ結合した帯域通過フィルタにおい
ては、１段目と６段目と、および、２段目と４段目との
複同調回路をそれぞれ結合することにより、通過帯域の
上下に２個ずつのトラップを設けることができる。

【００４３】以上に詳述したように、通過帯域の上下両
側の減衰域にそれぞれトラップを備えた帯域通過フィル
タの回路構成全般について検討したが、考え得る範囲で
使用する回路構成素子数が最も少ないのは、図３（ａ）
に示したように、単一の並列同調回路と単一の直列同調
回路とを縦続接続した回路構成であるが、かかる回路構
成は、使用素子数が少な過ぎ、回路構成が簡単過ぎるた
めに、通過帯域特性やトラップ周波数などの設定の自由
度が小さく、却って、実際に通信機器等が使用するのに
最適であるとは考え難い。

【００４４】したがって、実際に通信機器等に使用する
のに最適と考え得るこの種の帯域通過フィルタの回路構
成としては、通過帯域特性設定の自由度が大きいマルチ
パス・フィルタのうちでは使用素子数が少なく、トラッ
プ周波数設定の自由度も大きく、しかも、所望の帯域通
過特性を呈する回路構成の設計、製作および調整がいず
れも容易と考えられる図１４に示した誘導Ｍ型帯域通過
フィルタ、すなわち、誘導素子の一部が相互に結合した
並列複同調回路における誘導素子の中間タップ相互間を
容量結合にして構成した帯域通過フィルタを推奨する。

【００４５】つぎに、かかる回路構成の誘導Ｍ型帯域通
過フィルタのセラミック化について検討するに、この種
の回路装置をセラミック化する場合に、従来は、図１７
（ａ）に示す誘導Ｍ型フィルタ回路を一体に構成して図
１７（ｂ）に示すように外周面を導体膜で遮蔽したセラ
ミック構造体は、図１７（ｃ）に順次に示す６枚の誘電
体基板にそれぞれ被着した導体パターンの積層によって
構成するように考えられていた。したがって、従来のセ
ラミック化技術によれば、折角簡単な回路構成に設定し
た本発明帯域通過フィルタも、複雑な構造のセラミック
構造体とならざるを得なかった。

【００４６】そこで、本発明においては、誘導Ｍ型帯域
通過フィルタの図１４に示した回路構成を図１８（ａ）
に示す極めて簡単な立体構造のセラミック構造体によっ
て実現し、容易にセラミック化し得るようにしている。
すなわち、図１８（ａ）に示すセラミック構造体は、複
同調回路の相互に結合した誘導素子を構成する図１８
（ｆ）に示す２本の帯状導体パターンと、図１８（ｄ）
に示す接地導体パターンと、その接地導体パターンに近
接対向して容量素子を構成する図１８（ｅ）に示す短い
帯状導体パターンとをそれぞれ被着した誘電体基板を、
図１８（ｂ）もしくは図１８（ｃ）の縦断面にそれぞれ
示すように積層して一体に構成し、図示の左側壁面を除
く全側壁面を接地導体膜で覆うとともに、左側壁面に誘
導素子と容量素子とを接続する帯状導体膜ｈを被着し、
さらに、図１８（ｆ）に示すように、誘導素子の中間に
設けた入出力端子導体パターンを側壁面に露出させると
ともに、誘導素子相互間の結合容量素子を構成する導体
膜ｇを対向配置し、誘導素子の右端を側壁面接地導体に
接続したものであり、図１７に示した従来技術による多
数導体パターンの積層に比して格段に簡単な積層構造を
実現したものである。

【００４７】なお、上述のセラミック構造体において誘
導素子と容量素子とを接続する導体膜は、両素子の左端
部において図１９（ａ）および（ｂ）に示すように誘電
体基板を穿って設けた貫通孔、いわゆるスルーホールの
内壁面に被着して配設することができ、さらに、誘導素
子相互間の結合容量も、図２０（ａ）および（ｂ）に示
すように、誘導素子の中間に設けたスルーホール内壁面
の導体膜の対向配置によって構成することができる。

【００４８】なお、図１７（ａ）あるいは図１４に示し
た誘導Ｍ型帯域通過フィルタにおいては結合容量Ｃ_mの
接続位置に入出力端子を設けてあるので、信号波の周波
数が高くなると、その結合容量Ｃ_mを介して入力信号波
が直接に出力端子に漏洩するおそれが生ずるが、かかる
入出力端子間の直接漏洩を防ぐには、例えば、誘導素子
上における結合容量接続位置と入出力端子接続位置とを
わずかにずらすなどにより、入出力端子間において結合
容量Ｃ_mに直列に誘導素子を挿入するのが好適である。

【００４９】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、通信機器等に多用される帯域通過フィルタ
を、充分に尖鋭な遮断特性を備えた帯域通過特性を容易
に得るに必要な最小限の回路構成素子数で実現し、しか
も、簡単な構成でセラミック化して量産に適した一体構
成のセラミック構造体の形態に容易に製作し得る、とい
う格別顕著な効果を挙げることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ），（ｂ），（ｃ）は並列同調回路のπ／
２線路による結合、容量結合、誘導結合をそれぞれ用
い、また、（ｄ），（ｅ），（ｆ）は直列同調回路のπ
／２線路による結合、並列容量結合、並列誘導結合をそ
れぞれ用いた帯域通過フィルタの回路構成をそれぞれ示
す回路図である。

【図２】（ａ）および（ｄ）は１段の並列同調回路から
なって１個のトラップを備えた帯域通過フィルタをそれ
ぞれ示す回路図、（ｂ）および（ｅ）はそれぞれの変換
回路を示す回路図、（ｃ）および（ｆ）はそれぞれの帯
域通過フィルタ特性を示す特性曲線図である。

【図３】（ａ）は並列同調回路と直列同調回路とからな
って２個のトラップを備えた帯域通過フィルタを示す回
路図、（ｂ）はその変換回路を示す回路図、（ｃ）はそ
の帯域通過特性を示す特性曲線図である。

【図４】（ａ）はマルチパスフィルタの原理的回路構
成、（ｂ）は最も簡単な回路例をそれぞれ示す回路図で
ある。

【図５】（ａ）および（ｂ），（ｃ）は容量結合および
誘導結合をともに用いた帯域通過フィルタおよびその順
次の変換回路をそれぞれ示す回路図、（ｄ）はその通過
帯域特性を示す特性曲線図、（ｅ）はその回路例を示す
回路図である。

【図６】（ａ），（ｂ）は図６に示した帯域通過フィル
タの通過帯域特性の計算例をそれぞれ示す特性曲線図で
ある。

【図７】（ａ），（ｂ）は同じくその他の計算例をそれ
ぞれ示す特性曲線図である。

【図８】（ａ），（ｂ），（ｃ）は２個のトラップを備
えた帯域通過フィルタの構成原理、基本的回路構成、変
換回路をそれぞれ示す回路図、（ｄ）はその通常帯域特
性を示す特性曲線図である。

【図９】（ａ）〜（ｄ）は図８に示した帯域通過フィル
タの具体的回路例をそれぞれ示す回路図である。

【図１０】（ａ），（ｂ），（ｃ）は図９に示した帯域
通過フィルタの通過帯域特性の計算例をそれぞれ示す特
性曲線図である。

【図１１】（ａ），（ｂ）は２個の直列同調回路を結合
させた帯域通過フィルタの回路例をそれぞれ示す回路図
である。

【図１２】（ａ）〜（ｄ）は図１１に示した帯域通過フ
ィルタの回路例の等価回路をそれぞれ示す回路図であ
る。

【図１３】（ａ），（ｂ）は図１１に示した帯域通過フ
ィルタの通過帯域特性の計算例をそれぞれ示す特性曲線
図である。

【図１４】図１１に示した帯域通過フィルタの具体的回
路構成の例を示す回路図である。

【図１５】（ａ），（ｂ），（ｃ）は図１４に示した帯
域通過フィルタの通過帯域特性の計算例をそれぞれ示す
特性曲線図である。

【図１６】（ａ）および（ｂ）〜（ｄ）は誘導結合した
３段複同調回路を備えた帯域通過フィルタおよびその順
次の等価回路をそれぞれ示す回路図、（ｅ）はその通過
帯域特性を示す特性曲線図である。

【図１７】（ａ）は誘導Ｍ型帯域通過フィルタの基本構
成を示す回路図、（ｂ）は同じくそのフィルタのセラミ
ック構造体の外観を示す斜視図、（ｃ）は同じくそのセ
ラミック構造体における従来技術による順次の導体パタ
ーンを示す線図である。

【図１８】（ａ）は本発明帯域通過フィルタのセラミッ
ク構造体を示す斜視図、（ｂ），（ｃ）は同じくそのセ
ラミク構造体の縦断面をそれぞれ示す断面図、（ｄ）〜
（ｆ）は同じくそのセラミック構造体の順次の導体パタ
ーンを示す線図である。

【図１９】（ａ）および（ｂ）は同じくそのセラミック
構造体の縦断面および導体パターンの他の例をそれぞれ
示す線図である。

【図２０】（ａ）および（ｂ）は同じくそのセラミック
構造体の縦断面および導体パターンのさらに他の例をそ
れぞれ示す線図である。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】互いに結合した２個の第１の誘導素子と
２個の第２の誘導素子とをそれぞれ互いに直列に接続し
てなる２個の直列接続誘導素子に２個の容量素子をそれ
ぞれ並列に接続して複同調回路を構成し、前記２個の直
列接続誘導素子における前記第１の誘導素子と前記第２
の誘導素子との接続点の相互間に結合用の容量素子を接
続することにより、前記複同調回路の通過周波数帯域の
上下に接する遮断周波数帯域にそれぞれトラップを設け
たことを特徴とする帯域通過フィルタ。
【請求項２】接地導体面の相互間に、当該接地導体面
に近接対向して前記２個の容量素子を構成する容量形成
導体パターンと、相互に近接配置して前記複同調回路に
おける前記第１および前記第２の誘導素子を構成する対
称結合２線路導体パターンとを、誘導体層をそれぞれ介
して順次に積層し、前記結合２線路導体パターンの一端
を接地するとともに他端に前記容量形成導体パターンを
接続し、前記結合２線路導体パターンの中間位置の相互
間にそれぞれ接続して前記結合用の容量素子を構成する
導体パターンを近接対向配置するとともに、当該中間位
置の近傍に入出力端子を接続して構成したことを特徴と
する請求項１記載の帯域通過フィルタ。
【請求項３】前記誘電体層に穿った貫通孔の内壁面に
被着した導体膜の近接対向配置により前記結合用の容量
素子を構成したことを特徴とする請求孔２記載の帯域通
過フィルタ。