CN106464224B - 谐振电路用复合电子部件以及谐振电路装置 - Google Patents

谐振电路用复合电子部件以及谐振电路装置 Download PDF

Info

Publication number
CN106464224B
CN106464224B CN201580031052.8A CN201580031052A CN106464224B CN 106464224 B CN106464224 B CN 106464224B CN 201580031052 A CN201580031052 A CN 201580031052A CN 106464224 B CN106464224 B CN 106464224B
Authority
CN
China
Prior art keywords
mentioned
conductor
circuit
electronic device
complex electronic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201580031052.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN106464224A (zh
Inventor
岩本敬
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Publication of CN106464224A publication Critical patent/CN106464224A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN106464224B publication Critical patent/CN106464224B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/54—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/542—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material including passive elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H1/00—Constructional details of impedance networks whose electrical mode of operation is not specified or applicable to more than one type of network
    • H03H1/0007—Constructional details of impedance networks whose electrical mode of operation is not specified or applicable to more than one type of network of radio frequency interference filters
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/01—Frequency selective two-port networks
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders; Supports
    • H03H9/0538—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements
    • H03H9/0542—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements consisting of a lateral arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders; Supports
    • H03H9/0538—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements
    • H03H9/0547—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements consisting of a vertical arrangement
    • H03H9/0552—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements consisting of a vertical arrangement the device and the other elements being mounted on opposite sides of a common substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders; Supports
    • H03H9/058—Holders; Supports for surface acoustic wave devices
    • H03H9/059—Holders; Supports for surface acoustic wave devices consisting of mounting pads or bumps
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/205—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having multiple resonators
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/25—Constructional features of resonators using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/54—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/56—Monolithic crystal filters
    • H03H9/566—Electric coupling means therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/04105—Bonding areas formed on an encapsulation of the semiconductor or solid-state body, e.g. bonding areas on chip-scale packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/12105—Bump connectors formed on an encapsulation of the semiconductor or solid-state body, e.g. bumps on chip-scale packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/19—Manufacturing methods of high density interconnect preforms
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32135—Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/32145—Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H1/00—Constructional details of impedance networks whose electrical mode of operation is not specified or applicable to more than one type of network
    • H03H2001/0021—Constructional details
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H2210/00—Indexing scheme relating to details of tunable filters
    • H03H2210/02—Variable filter component
    • H03H2210/025—Capacitor

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
  • Coils Or Transformers For Communication (AREA)
  • Filters And Equalizers (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Abstract

谐振电路用复合电子部件(10)具备：层叠构件，层叠有压电谐振元件(PR1)以及可变电容器(120)，并形成有迂回导体。在层叠构件的安装面设置有外部连接用端子(1842)。外部连接用端子(1842)和可变电容器(120)的端子导体(121)通过曲折形状的导体图案来连接。曲折形状的导体图案由过孔导体(1743)、迂回导体(153)、过孔导体(1742)、迂回导体(1841)、过孔导体(1741)构成。过孔导体(1743)、迂回导体(153)、过孔导体(1742)形成于层叠构件中的压电谐振元件(PR1)和可变电容器(120)不抵接的区域。

Description

谐振电路用复合电子部件以及谐振电路装置
技术领域
本发明涉及用于构成谐振电路的谐振电路用复合电子部件以及谐振电路装置。
背景技术
以往，考虑各种在电介质基板配置各种电子部件来构成谐振电路的谐振电路装置。例如，作为谐振电路装置的一种，在专利文献1中记载有采用了声表面波元件、电感器、可变电容器(可变电容元件)、以及电介质基板的声表面波装置。
专利文献1所记载的声表面波装置，在电介质基板的表面配置有由形成了梳形电极以及反射器的压电体层构成的声表面波元件、和通过微机械加工形成的电感器以及可变电容器。在俯视电介质基板的表面时，声表面波元件、电感器、以及可变电容器分离地配置。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：JP特开2002-232259号公报
发明内容
发明要解决的课题
但是，在采用了专利文献1所示的结构的情况下，如果要提高电感器的Q值，则电感器的面积会变大。由此，声表面波装置、即谐振电路装置会大型化。
因此，本发明的目的在于，提供一种能将谐振电路装置形成得小型并抑制特性劣化的谐振电路用复合电子部件、以及具备该谐振电路用复合电子部件的谐振电路装置。
用于解决课题的手段
本发明的谐振电路用复合电子部件设置有构成谐振电路的第1电路元件以及第2电路元件、和与外部连接的外部连接用端子。谐振电路用复合电子部件具备：多个迂回导体，将第1电路元件的外部端子以及第2电路元件的外部端子分别连接至外部连接用端子。多个迂回导体中的至少一个具备在不与安装面平行的方向上延伸的电感器用导体部。
在该结构中，能够通过电路元件的迂回导体来形成构成谐振电路的电感器的至少一部分。因此，通过采用本发明的谐振电路用复合电子部件，从而能够使构成谐振电路的电感器的Q值提高。
此外，本发明的谐振电路用复合电子部件优选为以下的结构。谐振电路用复合电子部件具备：层叠构件，以层叠的状态内置第1电路元件和第2电路元件，使得第1电路元件的安装面和第2电路元件的安装面大致平行，在沿着层叠方向的第2电路元件侧的面的外面侧设置有外部连接用端子。多个迂回导体中的至少一个具备至少比第2电路元件的厚度长的电感器用导体部。
在该结构中，能够使Q值进一步提高。
此外，在本发明的谐振电路用复合电子部件中，优选电感器用导体部由多次通过第2电路元件的厚度方向的形状构成。
在该结构中，能够容易地将电感器用导体部形成得较长，且能进一步提高Q值。
此外，在本发明的谐振电路用复合电子部件中，优选电感器用导体部由沿着层叠方向延伸的形状构成。
在该结构中，容易形成电感器用导体部。
此外，在本发明的谐振电路用复合电子部件中优选为以下的结构。第1电路元件的平面面积比第2电路元件的平面面积大。在从形成有外部连接端子的面观察层叠构件时，第1电路元件和第2电路元件彼此重叠，电感器用导体部被设置在第1电路元件和第2电路元件彼此不重叠的区域。
在该结构中，能够将谐振电路用复合电子部件形成得更小型。
此外，本发明的谐振电路装置具备上述任一项记载的谐振电路用复合电子部件、安装型电感器元件、以及安装有谐振电路用复合电子部件和安装型电感器元件的基板，安装型电感器元件和电感器用导体部相连接。
在该结构中，通过安装型电感器元件和电感器用导体部来形成谐振电路的电感器。因此，能够在不使安装型电感器元件大型化的情况下提高谐振电路的电感器的Q值。
此外，在本发明的谐振电路装置中，电感器用导体部具有使上述任一项记载的谐振电路用复合电子部件的谐振频率偏移的功能。
此外，在本发明的谐振电路装置中，优选谐振电路为可变滤波器。
此外，在本发明的谐振电路装置中，优选第1电路元件以及第2电路元件中的至少一个为谐振器。
此外，在本发明的谐振电路装置中，优选第1电路元件以及第2电路元件中的至少一个为可变电容元件。
发明效果
根据本发明，能够实现具有优异特性的小型的谐振电路装置。
附图说明
图1为表示本发明的第1实施方式所涉及的谐振电路用复合电子部件以及谐振电路装置的结构的侧视图。
图2为表示本发明的第1实施方式所涉及的谐振电路用复合电子部件的结构的侧视图。
图3为表示本发明的第1实施方式所涉及的谐振电路用复合电子部件的各制造工序的结构的图。
图4为表示本发明的第1实施方式所涉及的谐振电路用复合电子部件的各制造工序的结构的图。
图5为利用了本发明的第1实施方式所涉及的谐振电路装置的滤波器电路的等效电路图。
图6为放大了本发明的第2实施方式所涉及的谐振电路用复合电子部件的一部分的立体图。
图7为表示本发明的第3实施方式所涉及的谐振电路用复合电子部件的结构的侧视图。
图8为表示本发明的第4实施方式所涉及的谐振电路用复合电子部件的结构的侧视图。
图9为表示本发明的第4实施方式所涉及的谐振电路装置的结构的侧视图。
图10为表示本发明的第5实施方式所涉及的谐振电路用复合电子部件的结构的侧视图。
图11为表示本发明的第6实施方式所涉及的谐振电路用复合电子部件的结构的侧视图。
图12为表示本发明所涉及的谐振电路用复合电子部件的结构的侧视图以及俯视图。
具体实施方式
参照附图对本发明的第1实施方式所涉及的谐振电路用复合电子部件以及谐振电路装置进行说明。图1为表示本发明的第1实施方式所涉及的谐振电路用复合电子部件以及谐振电路装置的结构的侧视图。图2为表示本发明的第1实施方式所涉及的谐振电路用复合电子部件的结构的侧视图。在图1、图2中，谐振电路用复合电子部件表示侧面截面。
如图1所示，谐振电路装置1具备谐振电路用复合电子部件10、安装型电感器元件20、以及基板30。基板30为安装基板，形成有安装用连接盘31、32。安装用连接盘31为用于对谐振电路用复合电子部件10进行安装的连接盘导体。作为谐振电路用复合电子部件10的外部连接端子的焊料球191与安装用连接盘31相接合。安装用连接盘32为用于对安装型电感器元件20进行安装的连接盘导体。安装型电感器元件20的外部连接端子通过焊料等而与安装用连接盘32相接合。谐振电路用复合电子部件10和安装型电感器元件20通过连结设置于基板30的安装用连接盘31和安装用连接盘32的导体图案而被连接。
如图2所示，谐振电路用复合电子部件10由层叠有压电谐振元件PR和可变电容器120的层叠构件构成。压电谐振元件PR和可变电容器120为平板状，安装用端子分别设置于一个平板面。进行层叠，以使得可变电容器120与压电谐振元件PR的安装面(设置有安装用端子的面)侧抵接。可变电容器120层叠于压电谐振元件PR，以使得可变电容器120的安装面(设置有安装用端子的面)朝向与压电谐振元件PR相反的一侧。
可变电容器120的平面(安装面)的面积比压电谐振元件PR的平面(安装面)的面积小。因此，如图2所示，在压电谐振元件PR的安装面存在不抵接可变电容器120的区域，以使得包围层叠有可变电容器120的区域。
压电谐振元件PR具备平板状的压电谐振器110。压电谐振器110为在压电基板(例如LT(钽酸锂)基板)的表面形成有IDT电极(未图示)的声表面波谐振器。在压电基板的表面，形成有与IDT电极连接的谐振器的端子导体(电极)111、112。在压电谐振器110的表面，形成有由绝缘性材料构成的覆盖层130。
覆盖层130在形成有IDT电极的区域内不与压电谐振器110的表面相抵接。即，在压电谐振器110中的IDT电极的形成区域内，在覆盖层130与压电基板之间设置有空隙131。在覆盖层130中的与谐振器的端子导体111、112相抵接的区域内，分别形成有过孔导体141、142。过孔导体141、142形成为贯通覆盖层130。
在覆盖层130的表面，形成有压电元件的端子导体151、152以及迂回导体153。因此，该覆盖层130的表面成为压电谐振元件PR的安装面。压电元件的端子导体151形成为在俯视压电谐振器110时与谐振器的端子导体111以及过孔导体141相重叠。压电元件的端子导体152形成为在俯视压电谐振器110时与谐振器的端子导体112以及过孔导体142相重叠。另外，压电元件的端子导体152兼用迂回导体。压电元件的端子导体151、152以及迂回导体153形成于压电谐振元件PR不与可变电容器120抵接的区域。迂回导体153由沿着连结可变电容器120的一侧面和与该侧面平行的谐振电路用复合电子部件10的侧面的方向而延伸的形状构成。
过孔导体171形成于压电元件的端子导体151的表面。过孔导体172以及过孔导体1752形成于压电元件的端子导体152的表面。过孔导体172形成于端子导体152中的俯视谐振电路用复合电子部件10时(在与安装面正交的方向上观察时)与过孔导体142相重叠的位置。过孔导体1752形成于端子导体152中的具有迂回导体的功能的部分且与过孔导体172分离规定距离的可变电容器120相接近的位置。
过孔导体1742、1743形成于迂回导体153的表面。过孔导体1742形成于迂回导体153延伸的方向上的一端，过孔导体1743形成于迂回导体153延伸的方向上的另一端。换言之，过孔导体1742、1743沿着连结可变电容器120的一侧面和与该侧面平行的谐振电路用复合电子部件10的侧面的方向而空开间隔地形成。
在可变电容器120的安装面，形成有可变电容器的端子导体121、122、123。这些端子导体121、122、123相当于本发明的“外部端子”。在可变电容器的端子导体121的表面，形成有过孔导体1741。在可变电容器的端子导体122的表面，形成有过孔导体1751。在可变电容器的多个端子导体123的表面，分别形成有过孔导体173。
在如此形成有可变电容器120、过孔导体171、172、173、1741、1742、1743、1751、1752的压电谐振元件PR的安装面，形成有绝缘性树脂160。该绝缘性树脂160形成为覆盖可变电容器120。在绝缘性树脂160中的作为与压电谐振元件PR相抵接的面相反的一侧的面的绝缘性树脂160的表面，露出了过孔导体171、172、173、1741、1742、1743、1751、1752的顶端。
在绝缘性树脂160的表面，形成有外部连接用端子导体181、182、183、1842、以及迂回导体1841、185。外部连接用端子导体181形成为在俯视压电谐振器110时与过孔导体171重叠。外部连接用端子导体182形成为在俯视压电谐振器110时与过孔导体172重叠。多个外部连接用端子导体183形成为在俯视压电谐振器110时与多个过孔导体173分别重叠。外部连接用端子导体1842形成为在俯视压电谐振器110时与过孔导体1743重叠。迂回导体1841与过孔导体1741及过孔导体1742相重叠，并以连结这些过孔导体1741、1742的形状形成。迂回导体185与过孔导体1751及过孔导体1752重叠，并以连结这些过孔导体1751、1752的形状形成。
在绝缘性树脂160的表面中的外部连接用端子导体181、182、183、1842，形成有焊料球191。此外，在绝缘性树脂160的表面中的除焊料球191的形成位置之外的区域，形成有保护层190。
在这种结构中，连结可变电容器120的端子导体121和外部连接用端子导体1842的导体路径由过孔导体1741、迂回导体1841、过孔导体1742、迂回导体153、以及过孔导体1743构成。即，可变电容器120的端子导体121和外部连接用端子导体1842通过曲折形状的导体图案来连接。因此，能够利用作为该迂回用的导体路径的曲折形状的导体图案，来作为电感器。因此，如果采用图1所示的结构，将电感器元件20经由基板30的导体图案而与外部连接用端子导体1842连接，则能够通过电感器元件20和曲折形状的导体图案构成一个电感器。
如上述那样，根据本实施方式，曲折形状的导体图案并非形成在平面上，而是立体地形成。由此，能够提高电感器的Q值。此外，能够在不增大电感器元件20的形状的情况下使谐振电路装置1的电感工作。因此，能够将具备良好Q值的电感器的谐振电路装置1形成得小型。
此外，在本实施方式的结构中，曲折形状的导体图案设置于谐振电路用复合电子部件10的压电谐振元件PR与可变电容器120的层叠体中的压电谐振元件PR与可变电容器120不重叠的区域。由此，可以不在谐振电路用复合电子部件10内重新确保空间来形成如曲折形状的导体图案那样的导体长度较长的导体图案。因此，能够将谐振电路用复合电子部件10形成得小型，进而能够将谐振电路装置1形成得小型。
此外，在本实施方式中，如图2所示，通过过孔导体1751、迂回导体185、过孔导体1752、端子导体152、过孔导体172也能形成曲折形状的导体图案。而且，在该结构中，端子导体152以及过孔导体172也作为压电谐振元件PR的外部连接用的导体图案发挥功能。因此，如果采用将电感器元件经由基板30的导体图案而与外部连接用端子导体182连接的方式，则能够兼用连接电感器元件和压电谐振元件PR的导体图案、和向电感器元件负荷电感器的曲折形状的导体图案的一部分。由此，能够将谐振电路装置1进一步形成得小型。
上述的谐振电路用复合电子部件10例如通过以下所示的制造方法来制造。图3、图4为表示本发明的第1实施方式所涉及的谐振电路用复合电子部件的各制造工序的结构的图。
首先，如图3(A)所示，在通过图案化等而形成有IDT电极以及谐振器的端子导体(电极)111、112的压电谐振器110的表面，形成具有空隙131的覆盖层130。在俯视时，在覆盖层130中的与端子导体111、112相抵接的区域内设置过孔，并在过孔中填充导体，从而形成过孔导体141、142。
其次，如图3(B)所示，采用抗蚀剂图案化、蒸镀成膜等，在覆盖层130的表面形成端子导体151、152以及迂回导体153。
接下来，如图3(C)所示，在覆盖层130的表面涂敷厚膜的抗蚀剂160DM。然后，通过曝光、显影进行抗蚀剂160DM的图案化，从而形成过孔171S、172S、1742S、1743S、1752S。
其次，通过电解镀覆等将铜(Cu)等导电性高的导电材料填充到过孔171S、172S、1742S、1743S、1752S。然后，通过除去抗蚀剂160DM，从而如图3(D)所示，形成在谐振电路用复合电子部件10的厚度方向上立设的过孔导体171、172、1742、1743、1752。另外，导电材料不限于铜(Cu)，也可为镍(Ni)、铝(Al)、银(Ag)等，形成方法也不限于电解镀覆，只要根据导电材料以及厚度来适当决定即可。
接下来，如图3(E)所示，在覆盖层130的表面载置可变电容器120。此时，可变电容器120被载置为可变电容器的具备端子导体121、122、123的安装面成为与覆盖层130相反的一侧。此外，可变电容器120被载置在俯视时的覆盖层130的大致中央且未形成端子导体151、152以及迂回导体153的区域。
其次，如图4(A)所示，在压电谐振元件PR的安装面的整个面，以覆盖可变电容器120的高度来形成绝缘性树脂160。绝缘性树脂160优选为介电常数低的材料，尤其优选介电常数为3以下。由此，通过上述的曲折形状的导体图案构成的电感器的Q值进一步提高。然后，如图4(A)所示，形成过孔导体173、1741、1751。
接下来，如图4(B)所示，采用图案化处理、蒸镀处理等，在绝缘性树脂160的表面形成连接用端子导体181、182、183、1842、以及迂回导体1841、185。
其次，如图4(C)所示，在绝缘性树脂160的表面形成保护层190，并形成焊料球191用的过孔191S。保护层190也可采用感光性环氧系材料，通过对该材料进行涂敷、曝光、显影，从而能够形成已形成过孔191S的保护层190。然后，通过在过孔191S形成焊料球191，从而形成图2所示的谐振电路用复合电子部件10。
此外，这种制造工序以能形成多个谐振电路用复合电子部件10的大小的基体构件为单位来进行，最终通过对该基体构件进行切割，从而能够同时形成多个谐振电路用复合电子部件10。
由这种结构构成的谐振电路装置1被用于以下所示的滤波器电路等。图5为利用了本发明的第1实施方式所涉及的谐振电路装置的滤波器电路的等效电路图。
滤波器电路90具备可变谐振电路91、92。可变谐振电路91被连接在第1输入输出端子P1和第2输入输出端子P2之间。可变谐振电路92被连接在可变谐振电路91的第2输入输出端子P2侧的端部与接地线之间。
可变谐振电路91具备压电谐振元件PR1、电感器L11、L12、以及可变电容器VC11、VC12。压电谐振元件PR1、电感器L11、以及可变电容器VC11串联连接。该串联电路的压电谐振元件PR1侧的端部与第1输入输出端子P1连接，可变电容器VC11侧的端部与第2输入输出端子P2连接。电感器L12相对于压电谐振元件PR1和电感器L11的串联电路而并联连接。可变电容器VC12相对于压电谐振元件PR1、电感器L11、以及可变电容器VC11的串联电路而并联连接。在该构成中，通过电感器L11、L12，从而压电谐振元件PR1的谐振点以及反谐振点在频率轴上的间隔变大。此外，通过调整可变电容器VC11、VC12的电容，由此来调整谐振点以及反谐振点在频率轴上的位置。由此，通频带与衰减频带的频率被调整。
可变谐振电路92具备压电谐振元件PR2、电感器L21、L22、以及可变电容器VC21、VC22。压电谐振元件PR2、电感器L22、以及可变电容器VC22串联连接。该串联电路的可变电容器VC22侧的端部与对第2输入输出端子P2和可变谐振电路91进行连接的连接线相连接，压电谐振元件PR2侧的端部与接地线相连接。压电谐振元件PR2、电感器L21、以及可变电容器VC21并联连接。在该结构中，通过电感器L21、L22，从而压电谐振元件PR2的谐振点以及反谐振点在频率轴上的间隔增大。此外，通过调整可变电容器VC21、VC22的电容，由此来调整谐振点以及反谐振点在频率轴上的位置。由此，通频带与衰减频带的频率被调整。
针对这种电路结构的滤波器电路90，能够对于压电谐振元件PR1与可变电容器VC12的部分、压电谐振元件PR2与可变电容器VC21的部分而适用上述的谐振电路用复合电子部件10的结构。此外，能够对于电感器L11、电感器L21、电感器L22而适用上述的电感器元件20与谐振电路用复合电子部件10的曲折形状的导体图案的组合。
由此，能将具有优异的可变滤波器特性、即插入损耗低的特性、从通频带向衰减频带的衰减量的急剧性良好的特性的滤波器电路90实现得小型。
接下来，参照附图对第2实施方式所涉及的谐振电路用复合电子部件进行说明。图6为放大了本发明的第2实施方式所涉及的谐振电路用复合电子部件的一部分的立体图。
本实施方式所涉及的谐振电路用复合电子部件10A在基本的结构中，与第1实施方式所涉及的谐振电路用复合电子部件10相同，曲折形状的导体图案的结构不同。因此，仅具体地说明不同之处。
在压电谐振元件PR’的安装面中的沿着未抵接可变电容器120的压电谐振元件PR’的安装面的外周框的区域，形成有迂回导体1531A、1532A。迂回导体1531A、1532A在俯视时为长方形，沿着长边方向空开间隔地配置。迂回导体1531A、1532A被配置为长边方向相对于可变电容器120中的与迂回导体1531A、1532A接近的侧面而平行。
在可变电容器120的端子导体121的表面，形成有沿着与表面正交的方向延伸的过孔导体1741A。在迂回导体1531A的表面，形成有沿着与表面正交的方向延伸的过孔导体1742A、1743A。过孔导体1742A形成在迂回导体1531A的长边方向的一端附近，过孔导体1743A形成在迂回导体1531A的长边方向的另一端附近。
在迂回导体1532A的表面，形成有沿着与表面正交的方向延伸的过孔导体1744A、1745A。过孔导体1744A形成在迂回导体1532A的长边方向的一端附近，过孔导体1745A形成在迂回导体1532A的长边方向的另一端附近。
过孔导体1741A和过孔导体1742A在绝缘性树脂(相当于第1实施方式所涉及的绝缘性树脂160。)的表面，通过迂回导体1841A来连接。过孔导体1743A和过孔导体1744A在绝缘性树脂(相当于第1实施方式所涉及的绝缘性树脂160。)的表面，通过迂回导体1842A来连接。在过孔导体1745A的顶端形成有外部连接用端子导体1843A，在外部连接用端子导体1843A的表面形成有焊料球191。
在这种结构中，形成按照过孔导体1741A、迂回导体1841A、过孔导体1742A、迂回导体1531A、过孔导体1743A、迂回导体1842A、过孔导体1744A、迂回导体1532A、以及过孔导体1745A的顺序相连的曲折形状的导体图案。通过将该曲折形状的导体图案用作电感器的一部分，从而能够得到与第1实施方式相同的作用效果。
进而，在本实施方式的结构中，曲折形状的导体图案整体上延伸的方向与接近的可变电容器120的侧面平行。因此，即使压电谐振元件PR’中的不抵接可变电容器120的区域内的可变电容器120的侧面和压电谐振元件PR’的侧面的距离较短，也能确保曲折形状的导体图案的长度较长。由此，能够实现Q值进一步提高了的电感器。
接下来，参照附图对本发明的第3实施方式所涉及的谐振电路用复合电子部件进行说明。图7为表示本发明的第3实施方式所涉及的谐振电路用复合电子部件的结构的侧视图。
本实施方式所涉及的谐振电路用复合电子部件10B具备在层叠构件的内部层叠了两个可变电容器120B1、120B2的结构，在层叠构件不配备压电谐振元件PR，这一点与第1实施方式所涉及的谐振电路用复合电子部件10不同。其他的基本结构与第1实施方式所涉及的谐振电路用复合电子部件10相同。
可变电容器120B1和可变电容器120B2在与各自的安装面相反的一侧的面相抵接。另外，在本实施方式中，可变电容器120B1和可变电容器120B2通过粘接层1200来粘接。该粘接层1200可省略。可变电容器120B1配置在比可变电容器120B2更靠谐振电路用复合电子部件10B中的安装面侧。
构成谐振电路用复合电子部件10B的层叠构件例如由绝缘性树脂1601、1602、1603的三层结构构成。绝缘性树脂1601形成比可变电容器120B1、120B2的抵接面更靠可变电容器120B1侧的区域。绝缘性树脂1602形成比可变电容器120B1、120B2的抵接面更靠可变电容器120B2侧的区域。绝缘性树脂1603配置在绝缘性树脂1602中的与绝缘性树脂1601相抵接的面相反的一侧的面。
可变电容器120B1的端子导体121经由形成于绝缘性树脂1601的过孔导体1741、形成于绝缘性树脂1601的表面的迂回导体1841、形成于绝缘性树脂1601的过孔导体1742、设置于绝缘性树脂1601、1602的边界的连接用导体1531、形成于绝缘性树脂1602的过孔导体1744、设置于绝缘性树脂1602、1603的边界的迂回导体1532、形成于绝缘性树脂1602的过孔导体1745、设置于绝缘性树脂1601、1602的边界的连接用导体1533、形成于绝缘性树脂1601的过孔导体1743而与外部连接用端子导体1842连接。即，可变电容器120B1的端子导体121通过曲折形状的导体图案而与外部连接用端子导体1842连接。
可变电容器120B2的端子导体124通过焊料192等导体而与设置于绝缘性树脂1602、1603的边界的迂回导体1522连接。迂回导体1522经由形成于绝缘性树脂1602的过孔导体1722、设置于绝缘性树脂1601、1602的边界的连接用导体1521、形成于绝缘性树脂1601的过孔导体1721而与外部连接用端子导体182连接。
如此，即使内置于层叠构件的电子部件不是压电谐振元件，也能得到与上述的实施方式相同的作用效果。
另外，在本实施方式中，虽然示出单独地设置绝缘性树脂1601、1602的例子，但也可进行一体化。此时，不需要设置连接用导体1521、1531、1533，只要一体地形成过孔导体1721、1722，一体地形成过孔导体1742、1744，一体地形成过孔导体1743、1745即可。
接下来，参照附图对本发明的第4实施方式所涉及的谐振电路用复合电子部件进行说明。图8为表示本发明的第4实施方式所涉及的谐振电路用复合电子部件的结构的侧视图。
本实施方式所涉及的谐振电路用复合电子部件10C为将可变电容器120C1、120C2层叠于压电谐振元件PR的结构，其他的基本结构与第1实施方式以及第3实施方式所涉及的谐振电路用复合电子部件10、10B相同。
可变电容器120C1、120C2被层叠为与安装面相反的一侧的面相互抵接。该可变电容器120C1、120C2被层叠的构件被配置在压电谐振元件PR的安装面侧。
可变电容器120C2的端子导体124通过焊料192等导体而与设置于压电谐振元件PR的安装面(压电谐振元件PR和绝缘性树脂160C所抵接的面)的迂回导体153C连接。该迂回导体153C兼用将可变电容器120C1的端子导体121与外部连接用端子导体1842连接的曲折形状的导体图案的一部分。
即使为这种结构，也能得到与上述的各实施方式相同的作用效果。此外，在本实施方式的结构中，由于两个可变电容器120C1、120C2和压电谐振元件PR在俯视时重叠，因此能够将更多功能的谐振电路用复合电子部件10C形成得小型。
采用这种谐振电路用复合电子部件10C的结构，能够实现以下所示的谐振电路装置。图9为表示本发明的第4实施方式所涉及的谐振电路装置的结构的侧视图。
如图9所示，谐振电路装置1C具备谐振电路用复合电子部件10C1、10C2、安装型电感器元件20C1、20C2、以及基板30C。基板30C为电介质基板，形成有安装用连接盘311、312、321、322。安装用连接盘311、312分别为用于对谐振电路用复合电子部件10C1、10C2进行安装的连接盘导体。安装用连接盘321、322分别为用于对安装型电感器元件20C1、20C2进行安装的连接盘导体。
谐振电路用复合电子部件10C1的曲折形状的导体图案和安装型电感器元件20C1通过连结设置于基板30的安装用连接盘311和安装用连接盘321的导体图案而被连接。谐振电路用复合电子部件10C2的曲折形状的导体图案和安装型电感器元件20C2通过连结设置于基板30的安装用连接盘312和安装用连接盘322的导体图案而被连接。
通过采用这种结构，从而如图5所示的滤波器电路90那样，能够将具有多个压电谐振元件PR1、PR2的滤波器电路形成得小型。此外，通过将内置于谐振电路用复合电子部件10C1、10C2的曲折形状的导体图案用于电感器，从而能够提高电感器的Q值，提高滤波器特性。
另外，在上述的各实施方式中，示出迂回用的过孔导体延伸的方向成为与安装面正交的方向的例子。但是，过孔导体延伸的方向与安装面的角度只要不是0°即可。不过，通过采用迂回用的过孔导体延伸的方向与安装面正交的结构，从而能够容易地形成迂回用的过孔导体。
接下来，参照附图对本发明的第5实施方式所涉及的谐振电路用复合电子部件进行说明。图10为表示本发明的第5实施方式所涉及的谐振电路用复合电子部件的结构的侧视图。
在本实施方式所涉及的谐振电路用复合电子部件10D中，多个压电谐振元件PRD1、PRD2、PRD3被内置于作为层叠构件的绝缘性树脂160D。此时，多个压电谐振元件PRD1、PRD2、PRD3被固定为压电谐振元件PRD1、PRD2、PRD3的安装面相对于谐振电路用复合电子部件10D的安装面而形成不是0°的规定的角度。
在绝缘性树脂160D的表面(谐振电路用复合电子部件10D的安装面侧的面)，形成有外部连接用端子导体181D、1821D、1822D、183D。
压电谐振元件PRD1的一个端子导体通过在绝缘性树脂160D的厚度方向(与谐振电路用复合电子部件10D的安装面正交的方向)上延伸的过孔导体1711D而与外部连接用端子导体181D连接。压电谐振元件PRD1的另一个端子导体以及压电谐振元件PRD2的一个端子导体分别通过在绝缘性树脂160D的厚度方向(与谐振电路用复合电子部件10D的安装面正交的方向)上延伸的过孔导体1721D、1712D而与外部连接用端子导体1821D连接。压电谐振元件PRD2的另一个端子导体以及压电谐振元件PRD3的一个端子导体分别通过在绝缘性树脂160D的厚度方向(与谐振电路用复合电子部件10D的安装面正交的方向)上延伸的过孔导体1722D、1713D而与外部连接用端子导体1822D连接。压电谐振元件PRD3的另一个端子导体通过在绝缘性树脂160D的厚度方向(与谐振电路用复合电子部件10D的安装面正交的方向)上延伸的过孔导体1723D而与外部连接用端子导体183D连接。
在这种结构中，能够增长将各个压电谐振元件PRD1、PRD2、PRD3的另一个端子导体与外部连接用端子导体连接的过孔导体的长度，能够用作电感器。
此外，在本实施方式的结构中，由于压电谐振元件PRD1、PRD2、PRD3的安装面和谐振电路用复合电子部件10D的安装面不平行，因此能够减小压电谐振元件PRD1、PRD2、PRD3所配置的区域的面积。由此，能够将谐振电路用复合电子部件10D形成得小型。
接下来，参照附图对本发明的第6实施方式所涉及的谐振电路用复合电子部件进行说明。图11为表示本发明的第6实施方式所涉及的谐振电路用复合电子部件的结构的侧视图。
本实施方式所涉及的谐振电路用复合电子部件10E具备将与第5实施方式所涉及的谐振电路用复合电子部件10D相同的构造体重叠二级的结构。各级的层叠构件的结构与第5实施方式所涉及的谐振电路用复合电子部件10D相同。
在谐振电路用复合电子部件10E的安装面侧的层叠构件，内置有压电谐振元件PRD11、PRD12、PRD13。在配置于内置有压电谐振元件PRD11、PRD12、PRD13的层叠构件中的安装面侧相反的一侧的层叠构件，内置有压电谐振元件PRD21、PRD22、PRD23、PRD24。
压电谐振元件PRD21的一个端子导体通过在绝缘性树脂160E2的厚度方向(与谐振电路用复合电子部件10E的安装面正交的方向)上延伸的过孔导体1714E而与端子导体1843E连接。压电谐振元件PRD21的另一个端子导体和压电谐振元件PRD22的一个端子导体分别通过在绝缘性树脂160E2的厚度方向上延伸的过孔导体1724E、1715E而与迂回导体1823E连接。压电谐振元件PRD22的另一个端子导体和压电谐振元件PRD23的一个端子导体分别通过在绝缘性树脂160E2的厚度方向上延伸的过孔导体1725E、1716E而与迂回导体1824E连接。压电谐振元件PRD23的另一个端子导体和压电谐振元件PRD24的一个端子导体分别通过在绝缘性树脂160E2的厚度方向上延伸的过孔导体1726E、1717E而与迂回导体1825E连接。压电谐振元件PRD24的另一个端子导体通过在绝缘性树脂160E2的厚度方向上延伸的过孔导体1727E而与端子导体1853E连接。
端子导体1843E通过焊料192等而与内置有压电谐振元件PRD11、PRD12、PRD13的层叠构件中的安装面侧相反的一侧的面的端子导体1842E连接。端子导体1842E通过在绝缘性树脂160E1的厚度方向(与谐振电路用复合电子部件10E的安装面正交的方向)上延伸的过孔导体1731E而与外部连接用端子导体1841E连接。
端子导体1853E通过焊料192等而与内置有压电谐振元件PRD11、PRD12、PRD13的层叠构件中的安装面侧相反的一侧的面的端子导体1852E连接。端子导体1852E通过在绝缘性树脂160E1的厚度方向(与谐振电路用复合电子部件10E的安装面正交的方向)上延伸的过孔导体1732E而与外部连接用端子导体1851E连接。
通过采用这种结构，从而能够进一步集成化压电谐振元件。
另外，在上述的各实施方式中，示出将压电谐振元件设为声表面波谐振元件的例子。但是，也能够采用声边界波谐振元件、声体波谐振元件、板波谐振元件。
此外，即使为如图12所示那样的结构，也与上述的各实施方式同样地，能够实现具有优异的特性的小型的谐振电路装置。图12为表示本发明所涉及的谐振电路用复合电子部件的结构的侧视图以及俯视图。在图12中，仅记载成为发明特征的部分，其他部分简要地记载或者省略记载。此外，图12的各标记所示的构成要素具有与在上述的实施方式中相同的标记所示的结构要素相同的功能。因此，仅说明在图12所示的谐振电路用复合电子部件10F中成为特征的部分。
如图12所示，在谐振电路用复合电子部件10F中，可变电容器120的端子导体121F经由电感器用导体部1900F而与形成在压电谐振元件PR上的外部连接用端子导体186F连接。电感器用导体部1900F包括在与安装面正交的方向上延伸的部分，该部分通过溅射以及镀覆而配置在可变电容器120的侧面。通过将该部分形成得较厚，从而能够与上述的过孔导体同样地降低电阻。另外，虽然未图示，但是压电谐振器110的端子导体与外部连接用端子导体186F连接。
如此，形成在复合电子部件内的电感器用导体部，不仅为如上述的各实施方式所示那样的被绝缘性树脂覆盖的结构，也可为如谐振电路用复合电子部件10F所示那样露出到外部的结构。
符号说明
L11、L12、L21、L22：电感器
P1：第1输入输出端子
P2：第2输入输出端子
PR、PR1、PR2、PRD1、PRD2、PRD3、PRD11、PRD12、PRD13、PRD21、PRD22、PRD23、PRD24：压电谐振元件
VC11、VC12、VC21、VC22：可变电容器
1、1C：谐振电路装置
10、10A、10B、10C、10C1、10C2、10D、10E、10F：谐振电路用复合电子部件
20、20C1、20C2：安装型电感器元件
30、30C：基板
31、32：安装用连接盘
90：滤波器电路
91、92：可变谐振电路
110：压电谐振器
111、112：端子导体
120、120B1、120B2、120C1、120C2：可变电容器
121、122、123、124：端子导体
130：覆盖层
131：空隙
141、142：过孔导体
151、152、153、153C：端子导体
160、160C、160D、160E1、160E2：绝缘性树脂
160DM：抗蚀剂
171、172、173、1741、1742、1743、1751、1752：过孔导体
171S、172S、1742S、1743S、1752S：过孔
181、182、183、1842、185、181D、1821D、1822D、183D、186F：外部连接用端子导体
185：迂回导体
190：保护层
191：焊料球
191S：过孔
311、312、321、322：安装用连接盘
1200：粘接层
1521、1522、1531、1532、1533、1531A、1532A：连接用导体
1601、1602、1603：绝缘性树脂
1721、1722、1741、1742、1743、1744、1751、1752、1741A、1742A、1743A、1744A、1745A、1711D、1712D、1713D、1721D、1722D、1723D、1714E、1715E、1716E、1717E、1724E、1725E、1726E、1727E、1731E、1732E：过孔导体
1821D、1822D、1841E、1842、1843A、1851E：外部连接用端子导体
1823E、1824E、1825E、1841、1841A、1842A、185：迂回导体
1842E、1843E、1852E、1853E：端子导体
1900F：电感器用导体部

Claims (9)

1.一种谐振电路用复合电子部件，是设置有构成谐振电路的第1电路元件以及第2电路元件、和与外部连接的外部连接用端子的复合电子部件，其中，
上述谐振电路用复合电子部件具备：多个迂回导体，将上述第1电路元件的外部端子以及上述第2电路元件的外部端子分别连接至上述外部连接用端子，
上述多个迂回导体中的至少一个具备电感器用导体部，该电感器用导体部在不与安装面平行的方向上延伸且该电感器用导体部在上述谐振电路用复合电子部件的厚度方向上的形成位置与上述第2电路元件至少局部重叠，
上述电感器用导体部由多次通过上述第2电路元件的厚度方向的形状构成。
2.根据权利要求1所述的谐振电路用复合电子部件，其中，
上述谐振电路用复合电子部件具备：层叠构件，以层叠的状态内置上述第1电路元件和上述第2电路元件，使得上述第1电路元件的安装面和上述第2电路元件的安装面大致平行，在沿着层叠方向的上述第2电路元件侧的面的外面侧设置有外部连接用端子，
上述多个迂回导体中的至少一个具备至少比上述第2电路元件的厚度长的电感器用导体部。
3.根据权利要求2所述的谐振电路用复合电子部件，其中，
上述电感器用导体部由沿着上述层叠方向延伸的形状构成。
4.根据权利要求2或3所述的谐振电路用复合电子部件，其中，
上述第1电路元件的平面面积比上述第2电路元件的平面面积大，
在从形成有上述外部连接端子的面观察上述层叠构件时，
上述第1电路元件和上述第2电路元件彼此重叠，
上述电感器用导体部被设置在上述第1电路元件和上述第2电路元件彼此不重叠的区域。
5.一种谐振电路装置，其中，具备：
权利要求1～3中任一项所述的谐振电路用复合电子部件；
安装型电感器元件；和
基板，安装有上述谐振电路用复合电子部件和上述安装型电感器元件，
上述安装型电感器元件和上述电感器用导体部相连接。
6.根据权利要求5所述的谐振电路装置，其中，
上述电感器用导体部具有使上述谐振电路用复合电子部件的谐振频率偏移的功能。
7.根据权利要求5所述的谐振电路装置，其中，
上述谐振电路为可变滤波器。
8.根据权利要求5所述的谐振电路装置，其中，
上述第1电路元件以及上述第2电路元件中的至少一个为谐振器。
9.根据权利要求5所述的谐振电路装置，其中，
上述第1电路元件以及上述第2电路元件中的至少一个为可变电容元件。
CN201580031052.8A 2014-06-18 2015-06-17 谐振电路用复合电子部件以及谐振电路装置 Active CN106464224B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014124910 2014-06-18
JP2014-124910 2014-06-18
PCT/JP2015/067409 WO2015194581A1 (ja) 2014-06-18 2015-06-17 共振回路用複合電子部品、および、共振回路装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN106464224A CN106464224A (zh) 2017-02-22
CN106464224B true CN106464224B (zh) 2019-03-29

Family

ID=54935561

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201580031052.8A Active CN106464224B (zh) 2014-06-18 2015-06-17 谐振电路用复合电子部件以及谐振电路装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10075148B2 (zh)
JP (1) JP6304378B2 (zh)
CN (1) CN106464224B (zh)
WO (1) WO2015194581A1 (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE112014003731B4 (de) * 2013-08-14 2022-07-28 Murata Manufacturing Co., Ltd. Bauelement für elastische Oberflächenwellen und elektronische Komponente

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002232259A (ja) * 2001-02-01 2002-08-16 Seiko Epson Corp 弾性表面波装置及びその製造方法
KR20020072055A (ko) * 2001-03-08 2002-09-14 엘지이노텍 주식회사 매칭회로가 내장된 표면탄성파 필터 패키지
JP2006333168A (ja) * 2005-05-27 2006-12-07 Kyocera Corp 高周波モジュール
JP2011211347A (ja) * 2010-03-29 2011-10-20 Ube Industries Ltd 圧電デバイスおよびこれを用いた集積化分波器、集積化フィルタ
WO2013125360A1 (ja) * 2012-02-20 2013-08-29 株式会社村田製作所 チューナブルフィルタ装置
WO2014045726A1 (ja) * 2012-09-19 2014-03-27 株式会社村田製作所 フィルタ装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002232259A (ja) * 2001-02-01 2002-08-16 Seiko Epson Corp 弾性表面波装置及びその製造方法
KR20020072055A (ko) * 2001-03-08 2002-09-14 엘지이노텍 주식회사 매칭회로가 내장된 표면탄성파 필터 패키지
JP2006333168A (ja) * 2005-05-27 2006-12-07 Kyocera Corp 高周波モジュール
JP2011211347A (ja) * 2010-03-29 2011-10-20 Ube Industries Ltd 圧電デバイスおよびこれを用いた集積化分波器、集積化フィルタ
WO2013125360A1 (ja) * 2012-02-20 2013-08-29 株式会社村田製作所 チューナブルフィルタ装置
WO2014045726A1 (ja) * 2012-09-19 2014-03-27 株式会社村田製作所 フィルタ装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP6304378B2 (ja) 2018-04-04
US20170126201A1 (en) 2017-05-04
JPWO2015194581A1 (ja) 2017-04-20
CN106464224A (zh) 2017-02-22
US10075148B2 (en) 2018-09-11
WO2015194581A1 (ja) 2015-12-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7063355B2 (ja) インダクタブリッジおよび電子機器
US7982557B2 (en) Layered low-pass filter capable of producing a plurality of attenuation poles
US7542264B2 (en) Capacitor block and laminated board
US20110309895A1 (en) Multilayer filter
US10637429B2 (en) Electronic component
JP2004289760A (ja) ローパスフィルタ内蔵配線基板
US7999634B2 (en) Layered low-pass filter having a conducting portion that connects a grounding conductor layer to a grounding terminal
KR20080092853A (ko) 고성능 필터용 콤팩트 코일
WO2016121629A1 (ja) 高周波モジュール
KR20160057645A (ko) 복합 전자부품 및 그 실장 기판
JP6677352B2 (ja) Ｌｃフィルタ
JPH0998056A (ja) 弾性表面波装置
CN106464224B (zh) 谐振电路用复合电子部件以及谐振电路装置
JP6620885B2 (ja) 複合部品内蔵回路基板、及び、複合部品
US9692388B2 (en) High frequency module comprising a band-pass LC filter and a piezoelectric resonator
JP4009178B2 (ja) ローパスフィルタ
KR102202471B1 (ko) 복합 전자 부품 및 그 실장 기판
JP2006041632A (ja) Ｌｃ複合フィルタ部品
CN215956359U (zh) 射频双工器电路及射频基板
JP5849660B2 (ja) フィルタ回路
KR20090053584A (ko) 수동 소자가 내장된 다층 인쇄 회로 기판 및 제조 방법
JP2004296927A (ja) 電子部品収納用配線基板
KR102189802B1 (ko) 복합 전자 부품 및 그 실장 기판
JP2010141658A (ja) 非可逆回路素子
JP2008053912A (ja) 受動部品

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant