JP6304378B2 - 共振回路用複合電子部品、および、共振回路装置 - Google Patents

共振回路用複合電子部品、および、共振回路装置 Download PDF

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Description

本発明は、共振回路を構成するための共振回路用複合電子部品および共振回路装置に関する。
従来、誘電体基板に各種の電子部品を配置して共振回路を構成する共振回路装置が各種考案されている。例えば、共振回路装置の一種として、特許文献１には、弾性表面波素子、インダクタ、可変コンデンサ（可変容量素子）、および、誘電体基板を用いた弾性表面波装置が記載されている。
特許文献１に記載の弾性表面波装置は、誘電体基板の表面に、すだれ状電極および反射器が形成された圧電体層からなる弾性表面波素子と、マイクロマシンプロセスによって形成されたインダクタおよび可変キャパシタが配置されている。弾性表面波素子、インダクタ、および可変キャパシタは、誘電体基板の表面を平面視して、離間して配置されている。
特開２００２−２３２２５９号公報
しかしながら、特許文献１に示す構成を用いた場合、インダクタのＱ値を高くしようとすると、インダクタの面積が大きくなってしまう。これにより、弾性表面波装置、すなわち、共振回路装置が大型化してしまう。
したがって、本発明の目的は、共振回路装置を小型に形成しながら特性劣化を抑制できる共振回路用複合電子部品、および当該共振回路用複合電子部品を備えた共振回路装置を提供することにある。
この発明の共振回路用複合電子部品は、共振回路を構成する第１回路素子および第２回路素子と、外部に接続される外部接続用端子が設けられている。共振回路用複合電子部品は、第１回路素子の外部端子および第２回路素子の外部端子を外部接続用端子にそれぞれに接続する複数の引き回し導体を備える。複数の引き回し導体の少なくとも１つは、実装面に対して平行にならない方向に延びるインダクタ用導体部を備える。
この構成では、回路素子の引き回し導体によって、共振回路を構成するインダクタの少なくとも一部を形成することができる。したがって、本発明の共振回路用複合電子部品を用いることで、共振回路を構成するインダクタのＱ値を向上させることができる。
また、この発明の共振回路用複合電子部品は、次の構成であることが好ましい。共振回路用複合電子部品は、第１回路素子の実装面と第２回路素子の実装面とが略平行になるように、第１回路素子と第２回路素子とが積層された状態で内蔵され、積層方向に沿った第２回路素子側の面の外面側に外部接続用端子が設けられた積層部材を備える。複数の引き回し導体の少なくとも１つは、少なくとも第２回路素子の厚みよりも長いインダクタ用導体部を備える。
この構成では、Ｑ値をさらに向上させることができる。
また、この発明の共振回路用複合電子部品では、インダクタ用導体部は、第２回路素子の厚み方向を複数回経由する形状からなることが好ましい。
この構成では、インダクタ用導体部を長く形成し易く、Ｑ値をさらに向上することができる。
また、この発明の共振回路用複合電子部品では、インダクタ用導体部は、積層方向に沿って延びる形状からなることが好ましい。
この構成では、インダクタ用導体部を形成し易い。
また、この発明の共振回路用複合電子部品では、次の構成であることが好ましい。第１回路素子の平面面積は、第２回路素子の平面面積よりも広い。積層部材を外部接続端子が形成された面から視て、第１回路素子と第２回路素子は重なり合っており、インダクタ用導体部は、第１回路素子と第２回路素子とが重なり合わない領域に設けられている。
この構成では、共振回路用複合電子部品を、より小型に形成することができる。
また、この発明の共振回路装置は、上述のいずれかに記載の共振回路用複合電子部品と、実装型インダクタ素子と、共振回路用複合電子部品と実装型インダクタ素子とが実装される基板と、を備え、実装型インダクタ素子とインダクタ用導体部とは接続されている。
この構成では、実装型インダクタ素子とインダクタ用導体部とにより、共振回路のインダクタが形成される。したがって、実装型インダクタ素子を大型化することなく、共振回路のインダクタのＱ値を向上させることができる。
また、この発明の共振回路装置では、インダクタ用導体部は、上述のいずれかに記載の共振回路用複合電子部品の共振周波数をシフトさせる機能を有するものである。
また、この発明の共振回路装置では、共振回路が可変フィルタであることが好ましい。
また、この発明の共振回路装置では、第１回路素子および第２回路素子のうち少なくとも１つは、共振子であることが好ましい。
また、この発明の共振回路装置では、第１回路素子および第２回路素子のうち少なくとも１つは、可変容量素子であることが好ましい。
この発明によれば、優れた特性を有する小型の共振回路装置を実現することができる。
本発明の第１の実施形態に係る共振回路用複合電子部品および共振回路装置の構成を示す側面図である。 本発明の第１の実施形態に係る共振回路用複合電子部品の構成を示す側面図である。 本発明の第１の実施形態に係る共振回路用複合電子部品の製造工程別の構成を示す図である。 本発明の第１の実施形態に係る共振回路用複合電子部品の製造工程別の構成を示す図である。 本発明の第１の実施形態に係る共振回路装置を利用したフィルタ回路の等価回路図である。 本発明の第２の実施形態に係る共振回路用複合電子部品の一部を拡大した斜視図である。 本発明の第３の実施形態に係る共振回路用複合電子部品の構成を示す側面図である。 本発明の第４の実施形態に係る共振回路用複合電子部品の構成を示す側面図である。 本発明の第４の実施形態に係る共振回路装置の構成を示す側面図である。 本発明の第５の実施形態に係る共振回路用複合電子部品の構成を示す側面図である。 本発明の第６の実施形態に係る共振回路用複合電子部品の構成を示す側面図である。 本発明に係る共振回路用複合電子部品の構成を示す側面図および平面図である。
本発明の第１の実施形態に係る共振回路用複合電子部品および共振回路装置について、図を参照して説明する。図１は、本発明の第１の実施形態に係る共振回路用複合電子部品および共振回路装置の構成を示す側面図である。図２は、本発明の第１の実施形態に係る共振回路用複合電子部品の構成を示す側面図である。図１、図２では、共振回路用複合電子部品は側面断面を示している。
図１に示すように、共振回路装置１は、共振回路用複合電子部品１０、実装型インダクタ素子２０、および、基板３０を備える。基板３０は、実装基板であり、実装用ランド３１，３２が形成されている。実装用ランド３１は、共振回路用複合電子部品１０を実装するためのランド導体である。共振回路用複合電子部品１０の外部接続端子であるはんだボール１９１は、実装用ランド３１に接合されている。実装用ランド３２は、実装型インダクタ素子２０を実装するためのランド導体である。実装型インダクタ素子２０の外部接続端子は、はんだ等によって実装用ランド３２に接合されている。共振回路用複合電子部品１０と実装型インダクタ素子２０とは、基板３０に設けられた実装用ランド３１と実装用ランド３２を繋ぐ導体パターンによって接続されている。
図２に示すように、共振回路用複合電子部品１０は、圧電共振素子ＰＲと可変コンデンサ１２０とが積層された積層部材からなる。圧電共振素子ＰＲと可変コンデンサ１２０は、平板状であり、それぞれ一方の平板面に実装用の端子が設けられている。圧電共振素子ＰＲの実装面（実装用の端子が設けられている面）側に可変コンデンサ１２０が当接するように積層されている。可変コンデンサ１２０は、可変コンデンサ１２０の実装面（実装用の端子が設けられている面）が圧電共振素子ＰＲと反対側を向くように、圧電共振素子ＰＲに積層されている。
可変コンデンサ１２０の平面（実装面）の面積は、圧電共振素子ＰＲの平面（実装面）の面積よりも小さい。したがって、図２に示すように、圧電共振素子ＰＲの実装面には、可変コンデンサ１２０が積層された領域を囲むように、可変コンデンサ１２０が当接されていない領域が存在する。
圧電共振素子ＰＲは、平板状の圧電共振器１１０を備える。圧電共振器１１０は、圧電基板（例えば、ＬＴ（タンタル酸リチウム）基板）の表面にＩＤＴ電極（図示せず）が形成された、弾性表面波共振子である。圧電基板の表面には、ＩＤＴ電極に接続する共振器の端子導体（電極）１１１，１１２が形成されている。圧電共振器１１０の表面には、絶縁性材料からなるカバー層１３０が形成されている。
カバー層１３０は、ＩＤＴ電極の形成されている領域では、圧電共振器１１０の表面に当接していない。すなわち、圧電共振器１１０におけるＩＤＴ電極の形成領域には、カバー層１３０と圧電基板との間に空隙１３１が設けられている。カバー層１３０における、共振器の端子導体１１１，１１２に当接する領域には、それぞれビア導体１４１，１４２が形成されている。ビア導体１４１，１４２は、カバー層１３０を貫通するように形成されている。
カバー層１３０の表面には、圧電素子の端子導体１５１，１５２および引き回し導体１５３が形成されている。したがって、このカバー層１３０の表面が、圧電共振素子ＰＲの実装面となる。圧電素子の端子導体１５１は、圧電共振器１１０を平面視して、共振器の端子導体１１１およびビア導体１４１に重なるように形成されている。圧電素子の端子導体１５２は、圧電共振器１１０を平面視して、共振器の端子導体１１２およびビア導体１４２に重なるように形成されている。なお、圧電素子の端子導体１５２は、引き回し導体を兼用する。圧電素子の端子導体１５１，１５２および引き回し導体１５３は、圧電共振素子ＰＲが可変コンデンサ１２０と当接しない領域に形成されている。引き回し導体１５３は、可変コンデンサ１２０の一側面とこれに平行な共振回路用複合電子部品１０の側面とを結ぶ方向に沿って延びる形状からなる。
ビア導体１７１は、圧電素子の端子導体１５１の表面に形成されている。ビア導体１７２およびビア導体１７５２は、圧電素子の端子導体１５２の表面に形成されている。ビア導体１７２は、端子導体１５２における共振回路用複合電子部品１０を平面視して（実装面に直交する方向に視て）、ビア導体１４２と重なる位置に形成されている。ビア導体１７５２は、端子導体１５２における引き回し導体の機能を有する部分で、且つ、ビア導体１７２から所定距離離間した可変コンデンサ１２０に近接する位置に形成されている。
ビア導体１７４２，１７４３は、引き回し導体１５３の表面に形成されている。ビア導体１７４２は、引き回し導体１５３の延びる方向の一方端に形成されており、ビア導体１７４３は、引き回し導体１５３の延びる方向の他方端に形成されている。言い換えれば、ビア導体１７４２，１７４３は、可変コンデンサ１２０の一側面とこれに平行な共振回路用複合電子部品１０の側面とを結ぶ方向に沿って間隔を空けて形成されている。
可変コンデンサ１２０の実装面には、可変コンデンサの端子導体１２１，１２２，１２３が形成されている。これら端子導体１２１，１２２，１２３が本発明の「外部端子」に相当する。可変コンデンサの端子導体１２１の表面には、ビア導体１７４１が形成されている。可変コンデンサの端子導体１２２の表面には、ビア導体１７５１が形成されている。可変コンデンサの複数の端子導体１２３の表面には、それぞれビア導体１７３が形成されている。
このように、可変コンデンサ１２０と、ビア導体１７１，１７２，１７３，１７４１，１７４２，１７４３，１７５１，１７５２とが形成された圧電共振素子ＰＲの実装面には、絶縁性樹脂１６０が形成されている。この絶縁性樹脂１６０は、可変コンデンサ１２０を覆うように形成されている。絶縁性樹脂１６０における圧電共振素子ＰＲと当接する面と反対側の面である絶縁性樹脂１６０の表面には、ビア導体１７１，１７２，１７３，１７４１，１７４２，１７４３，１７５１，１７５２の先端が露出している。
絶縁性樹脂１６０の表面には、外部接続用端子導体１８１，１８２，１８３，１８４２、および、引き回し導体１８４１，１８５が形成されている。外部接続用端子導体１８１は、圧電共振器１１０を平面視して、ビア導体１７１に重なるように形成されている。外部接続用端子導体１８２は、圧電共振器１１０を平面視して、ビア導体１７２に重なるように形成されている。複数の外部接続用端子導体１８３は、圧電共振器１１０を平面視して、複数のビア導体１７３のそれぞれに重なるように形成されている。外部接続用端子導体１８４２は、圧電共振器１１０を平面視して、ビア導体１７４３に重なるように形成されている。引き回し導体１８４１は、ビア導体１７４１とビア導体１７４２とに重なり、これらビア導体１７４１，１７４２を繋ぐ形状で形成されている。引き回し導体１８５は、ビア導体１７５１とビア導体１７５２とに重なり、これらビア導体１７５１，１７５２を繋ぐ形状で形成されている。
絶縁性樹脂１６０の表面における外部接続用端子導体１８１，１８２，１８３，１８４２には、はんだボール１９１が形成されている。また、絶縁性樹脂１６０の表面におけるはんだボール１９１の形成位置を除く領域には保護層１９０が形成されている。
このような構成では、可変コンデンサ１２０の端子導体１２１と外部接続用端子導体１８４２とを繋ぐ導体経路は、ビア導体１７４１、引き回し導体１８４１、ビア導体１７４２、引き回し導体１５３、および、ビア導体１７４３からなる。すなわち、可変コンデンサ１２０の端子導体１２１と外部接続用端子導体１８４２とは、ミアンダ形状の導体パターンによって接続される。したがって、この引き回し用の導体経路であるミアンダ形状の導体パターンをインダクタとして利用することができる。このため、図１に示す構成を採用して、外部接続用端子導体１８４２に、基板３０の導体パターンを介してインダクタ素子２０を接続すれば、インダクタ素子２０とミアンダ形状の導体パターンとによって、１つのインダクタを構成することができる。
上述の通り、本実施形態によれば、ミアンダ形状の導体パターンは、平面上に形成されるのではなく、立体的に形成されている。これにより、インダクタのＱ値を向上させることができる。また、インダクタ素子２０の形状を大きくすることなく、共振回路装置１のインダクタンスを稼ぐことができる。したがって、Ｑ値が良好なインダクタを備えた共振回路装置１を小型に形成することができる。
また、本実施形態の構成では、ミアンダ形状の導体パターンが、共振回路用複合電子部品１０の圧電共振素子ＰＲと可変コンデンサ１２０との積層体における圧電共振素子ＰＲと可変コンデンサ１２０とが重ならない領域に設けられている。これにより、ミアンダ形状の導体パターンのような導体長の長い導体パターンを、共振回路用複合電子部品１０内に新たにスペースを確保して形成しなくてもよい。したがって、共振回路用複合電子部品１０を小型に形成することができ、ひいては、共振回路装置１を小型に形成することができる。
また、本実施形態では、図２に示すように、ビア導体１７５１、引き回し導体１８５、ビア導体１７５２、端子導体１５２、ビア導体１７２によってもミアンダ形状の導体パターンを形成できる。そして、この構成では、端子導体１５２およびビア導体１７２は、圧電共振素子ＰＲの外部接続用の導体パターンとしても機能する。したがって、外部接続用端子導体１８２に、基板３０の導体パターンを介してインダクタ素子を接続する態様とすれば、インダクタ素子と圧電共振素子ＰＲとを接続する導体パターンと、インダクタ素子にインダクタを負荷するミアンダ形状の導体パターンの一部を兼用できる。これにより、共振回路装置１をさらに小型に形成することができる。
上述の共振回路用複合電子部品１０は、例えば、次に示す製造方法によって製造される。図３、図４は、本発明の第１の実施形態に係る共振回路用複合電子部品の製造工程別の構成を示す図である。
まず、図３（Ａ）に示すように、ＩＤＴ電極および共振器の端子導体（電極）１１１，１１２がパターニング等によって形成された圧電共振器１１０の表面に、空隙１３１を有するカバー層１３０を形成する。平面視して、カバー層１３０における端子導体１１１，１１２に当接する領域にビアを設け、ビアに導体を充填することで、ビア導体１４１，１４２を形成する。
次に、図３（Ｂ）に示すように、カバー層１３０の表面に端子導体１５１，１５２および引き回し導体１５３を、レジストパターニングや蒸着成膜等を用いて形成する。
次に、図３（Ｃ）に示すように、カバー層１３０の表面に厚膜のレジスト１６０ＤＭを塗布する。そして、露光、現像によってレジスト１６０ＤＭのパターニングを行うことによって、ビア１７１Ｓ，１７２Ｓ，１７４２Ｓ，１７４３Ｓ，１７５２Ｓを形成する。
次に、銅（Ｃｕ）等の導電性の高い導電材料を電解メッキ等によって、ビア１７１Ｓ，１７２Ｓ，１７４２Ｓ，１７４３Ｓ，１７５２Ｓに充填する。そして、レジスト１６０ＤＭを除去することによって、図３（Ｄ）に示すように、共振回路用複合電子部品１０の厚み方向に立設したビア導体１７１，１７２，１７４２，１７４３，１７５２を形成する。なお、導電材料は、銅（Ｃｕ）に限らず、ニッケル（Ｎｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）等であってもよく、形成方法も電解メッキに限るものではなく、導電材料および厚みに応じて適宜決定すればよい。
次に、図３（Ｅ）に示すように、カバー層１３０の表面に、可変コンデンサ１２０を載置する。この際、可変コンデンサ１２０は、可変コンデンサの端子導体１２１，１２２，１２３を備える実装面が、カバー層１３０と反対側になるように載置される。また、可変コンデンサ１２０は、平面視したカバー層１３０の略中央で、端子導体１５１，１５２および引き回し導体１５３が形成されていない領域に載置される。
次に、図４（Ａ）に示すように、圧電共振素子ＰＲの実装面の全面に、可変コンデンサ１２０を覆う高さで、絶縁性樹脂１６０を形成する。絶縁性樹脂１６０は、誘電率が低い材料であることが好ましく、特に誘電率が３以下であることが好ましい。これにより、上述のミアンダ形状の導体パターンによって構成されるインダクタのＱ値がさらに向上する。そして、図４（Ａ）に示すように、ビア導体１７３，１７４１，１７５１を形成する。
次に、図４（Ｂ）に示すように、絶縁性樹脂１６０の表面に、接続用端子導体１８１，１８２，１８３，１８４２、および引き回し導体１８４１，１８５を、パターニング処理や蒸着処理等を用いて形成する。
次に、図４（Ｃ）に示すように、絶縁性樹脂１６０の表面に保護層１９０を形成し、はんだボール１９１用のビア１９１Ｓを形成する。保護層１９０は、感光性エポキシ系材料を用いるとよく、当該材料を塗布、露光、現像することによって、ビア１９１Ｓが形成された保護層１９０を形成することができる。そして、ビア１９１Ｓにはんだボール１９１を形成することで、図２に示す共振回路用複合電子部品１０が形成される。
なお、このような製造工程は、複数の共振回路用複合電子部品１０が形成可能な大きさのベース部材の単位で行われ、最終的に当該ベース部材をダイシングすることにより、複数の共振回路用複合電子部品１０を同時に複数個形成することができる。
このような構成からなる共振回路装置１は、次に示すフィルタ回路等に用いられる。図５は、本発明の第１の実施形態に係る共振回路装置を利用したフィルタ回路の等価回路図である。
フィルタ回路９０は、可変共振回路９１，９２を備える。可変共振回路９１は、第１入出力端子Ｐ１と第２入出力端子Ｐ２との間に接続されている。可変共振回路９２は、可変共振回路９１の第２入出力端子Ｐ２側の端部とグランドとの間に接続されている。
可変共振回路９１は、圧電共振素子ＰＲ１、インダクタＬ１１，Ｌ１２、および可変コンデンサＶＣ１１，ＶＣ１２を備える。圧電共振素子ＰＲ１、インダクタＬ１１、および可変コンデンサＶＣ１１は、直列接続されている。この直列回路の圧電共振素子ＰＲ１側の端部は、第１入出力端子Ｐ１に接続されており、可変コンデンサＶＣ１１側の端部は、第２入出力端子Ｐ２に接続されている。インダクタＬ１２は、圧電共振素子ＰＲ１とインダクタＬ１１との直列回路に対して並列接続されている。可変コンデンサＶＣ１２は、圧電共振素子ＰＲ１、インダクタＬ１１、および可変コンデンサＶＣ１１の直列回路に対して並列接続されている。この構成では、インダクタＬ１１，Ｌ１２によって、圧電共振素子ＰＲ１の共振点および反共振点の周波数軸上での間隔が広げられる。また、可変コンデンサＶＣ１１，ＶＣ１２のキャパシタンスの調整によって、共振点および反共振点の周波数軸の位置が調整される。これにより、通過域と減衰域の周波数が調整される。
可変共振回路９２は、圧電共振素子ＰＲ２、インダクタＬ２１，Ｌ２２、および可変コンデンサＶＣ２１，ＶＣ２２を備える。圧電共振素子ＰＲ２、インダクタＬ２２、および可変コンデンサＶＣ２２は、直列接続されている。この直列回路の可変コンデンサＶＣ２２側の端部は、第２入出力端子Ｐ２と可変共振回路９１を接続する接続ラインに接続されおり、圧電共振素子ＰＲ２側の端部は、グランドに接続されている。圧電共振素子ＰＲ２、インダクタＬ２１、および可変コンデンサＶＣ２１は、並列接続されている。この構成では、インダクタＬ２１，Ｌ２２によって、圧電共振素子ＰＲ２の共振点および反共振点の周波数軸上での間隔が広げられる。また、可変コンデンサＶＣ２１，ＶＣ２２のキャパシタンスの調整によって、共振点および反共振点の周波数軸の位置が調整される。これにより、通過域と減衰域の周波数が調整される。
このような回路構成のフィルタ回路９０に対して、圧電共振素子ＰＲ１と可変コンデンサＶＣ１２との部分や、圧電共振素子ＰＲ２と可変コンデンサＶＣ２１との部分に、上述の共振回路用複合電子部品１０の構成を適用することができる。また、インダクタＬ１１、インダクタＬ２１、インダクタＬ２２に、上述のインダクタ素子２０と共振回路用複合電子部品１０のミアンダ形状の導体パターンとの組み合わせを適用することができる。
これにより、優れた可変フィルタ特性、すなわち、挿入損失が低い特性や、通過域から減衰域への減衰量の急峻性のよい特性を有するフィルタ回路９０を、小型で実現することができる。
次に、第２の実施形態に係る共振回路用複合電子部品について、図を参照して説明する。図６は、本発明の第２の実施形態に係る共振回路用複合電子部品の一部を拡大した斜視図である。
本実施形態に係る共振回路用複合電子部品１０Ａは、基本的な構成においては、第１の実施形態に係る共振回路用複合電子部品１０と同じであり、ミアンダ形状の導体パターンの構成が異なる。したがって、異なる箇所のみを具体的に説明する。
圧電共振素子ＰＲ’の実装面における可変コンデンサ１２０が当接していない圧電共振素子ＰＲ’の実装面の外周枠に沿った領域には、引き回し導体１５３１Ａ，１５３２Ａが形成されている。引き回し導体１５３１Ａ，１５３２Ａは平面視して長方形であり、長手方向に沿って間隔を空けて配置されている。引き回し導体１５３１Ａ，１５３２Ａは、可変コンデンサ１２０における引き回し導体１５３１Ａ，１５３２Ａに近接する側面に対して長手方向が平行になるように配置されている。
可変コンデンサ１２０の端子導体１２１の表面には、表面から直交する方向に延びるビア導体１７４１Ａが形成されている。引き回し導体１５３１Ａの表面には、表面から直交する方向に延びるビア導体１７４２Ａ，１７４３Ａが形成されている。ビア導体１７４２Ａは、引き回し導体１５３１Ａの長手方向の一方端付近に形成されており、ビア導体１７４３Ａは、引き回し導体１５３１Ａの長手方向の他方端付近に形成されている。
引き回し導体１５３２Ａの表面には、表面から直交する方向に延びるビア導体１７４４Ａ，１７４５Ａが形成されている。ビア導体１７４４Ａは、引き回し導体１５３２Ａの長手方向の一方端付近に形成されており、ビア導体１７４５Ａは、引き回し導体１５３２Ａの長手方向の他方端付近に形成されている。
ビア導体１７４１Ａとビア導体１７４２Ａは、絶縁性樹脂（第１の実施形態に係る絶縁性樹脂１６０に相当する。）の表面において、引き回し導体１８４１Ａによって接続されている。ビア導体１７４３Ａとビア導体１７４４Ａは、絶縁性樹脂（第１の実施形態に係る絶縁性樹脂１６０に相当する。）の表面において、引き回し導体１８４２Ａによって接続されている。ビア導体１７４５Ａの先端には外部接続用端子導体１８４３Ａが形成されており、外部接続用端子導体１８４３Ａの表面にははんだボール１９１が形成されている。
このような構成では、ビア導体１７４１Ａ、引き回し導体１８４１Ａ、ビア導体１７４２Ａ、引き回し導体１５３１Ａ、ビア導体１７４３Ａ、引き回し導体１８４２Ａ、ビア導体１７４４Ａ、引き回し導体１５３２Ａ、および、ビア導体１７４５Ａの順につながるミアンダ形状の導体パターンが形成される。このミアンダ形状の導体パターンをインダクタの一部として利用することにより、第１の実施形態と同様の作用効果を得ることができる。
さらに、本実施形態の構成では、ミアンダ形状の導体パターンが全体として延びる方向が、近接する可変コンデンサ１２０の側面に平行である。したがって、圧電共振素子ＰＲ’における可変コンデンサ１２０の当接していない領域における可変コンデンサ１２０の側面と圧電共振素子ＰＲ’の側面との距離が短くても、ミアンダ形状の導体パターンの長さを長く確保することができる。これにより、さらにＱ値の向上したインダクタを実現することができる。
次に、本発明の第３の実施形態に係る共振回路用複合電子部品について、図を参照して説明する。図７は、本発明の第３の実施形態に係る共振回路用複合電子部品の構成を示す側面図である。
本実施形態に係る共振回路用複合電子部品１０Ｂは、積層部材の内部に２つの可変コンデンサ１２０Ｂ１，１２０Ｂ２を積層した構成を備え、圧電共振素子ＰＲが積層部材に備えられていない点で、第１の実施形態に係る共振回路用複合電子部品１０と異なる。他の基本的な構成は、第１の実施形態に係る共振回路用複合電子部品１０と同じである。
可変コンデンサ１２０Ｂ１と可変コンデンサ１２０Ｂ２は、それぞれの実装面と反対側の面で当接している。なお、本実施形態では、可変コンデンサ１２０Ｂ１と可変コンデンサ１２０Ｂ２とは接着層１２００で接着されている。この接着層１２００は省略することも可能である。可変コンデンサ１２０Ｂ１は、可変コンデンサ１２０Ｂ２よりも、共振回路用複合電子部品１０Ｂにおける実装面側に配置されている。
共振回路用複合電子部品１０Ｂを構成する積層部材は、例えば、絶縁性樹脂１６０１，１６０２，１６０３の三層構成からなる。絶縁性樹脂１６０１は、可変コンデンサ１２０Ｂ１，１２０Ｂ２の当接面よりも可変コンデンサ１２０Ｂ１側の領域を形成する。絶縁性樹脂１６０２は、可変コンデンサ１２０Ｂ１，１２０Ｂ２の当接面よりも可変コンデンサ１２０Ｂ２側の領域を形成する。絶縁性樹脂１６０３は、絶縁性樹脂１６０２における絶縁性樹脂１６０１に当接する面と反対側の面に配置されている。
可変コンデンサ１２０Ｂ１の端子導体１２１は、絶縁性樹脂１６０１に形成されたビア導体１７４１、絶縁性樹脂１６０１の表面に形成された引き回し導体１８４１、絶縁性樹脂１６０１に形成されたビア導体１７４２、絶縁性樹脂１６０１，１６０２の境界に設けられた接続用導体１５３１、絶縁性樹脂１６０２に形成されたビア導体１７４４、絶縁性樹脂１６０２，１６０３の境界に設けられた引き回し導体１５３２、絶縁性樹脂１６０２に形成されたビア導体１７４５、絶縁性樹脂１６０１，１６０２の境界に設けられた接続用導体１５３３、絶縁性樹脂１６０１に形成されたビア導体１７４３を介して、外部接続用端子導体１８４２に接続されている。すなわち、可変コンデンサ１２０Ｂ１の端子導体１２１は、ミアンダ形状の導体パターンによって、外部接続用端子導体１８４２に接続されている。
可変コンデンサ１２０Ｂ２の端子導体１２４は、絶縁性樹脂１６０２，１６０３の境界に設けられた引き回し導体１５２２に、はんだ１９２等の導体によって接続されている。引き回し導体１５２２は、絶縁性樹脂１６０２に形成されたビア導体１７２２、絶縁性樹脂１６０１，１６０２の境界に設けられた接続用導体１５２１、絶縁性樹脂１６０１に形成されたビア導体１７２１を介して、外部接続用端子導体１８２に接続されている。
このように、積層部材に内蔵される電子部品が圧電共振素子でなくても、上述の実施形態と同様の作用効果を得ることができる。
なお、本実施形態では、絶縁性樹脂１６０１，１６０２を個別に設ける例を示したが、一体化してもよい。この場合、接続用導体１５２１，１５３１，１５３３は設ける必要が無く、ビア導体１７２１，１７２２を一体で形成し、ビア導体１７４２，１７４４を一体で形成し、ビア導体１７４３，１７４５を一体で形成すればよい。
次に、本発明の第４の実施形態に係る共振回路用複合電子部品について、図を参照して説明する。図８は、本発明の第４の実施形態に係る共振回路用複合電子部品の構成を示す側面図である。
本実施形態に係る共振回路用複合電子部品１０Ｃは、可変コンデンサ１２０Ｃ１，１２０Ｃ２を、圧電共振素子ＰＲに積層した構成であり、他の基本的な構成は、第１の実施形態及び第３の実施形態に係る共振回路用複合電子部品１０，１０Ｂと同じである。
可変コンデンサ１２０Ｃ１，１２０Ｃ２は、互いに実装面と反対側の面が当接するように、積層されている。この可変コンデンサ１２０Ｃ１，１２０Ｃ２が積層された部材は、圧電共振素子ＰＲの実装面側に配置されている。
可変コンデンサ１２０Ｃ２の端子導体１２４は、圧電共振素子ＰＲの実装面（圧電共振素子ＰＲと絶縁性樹脂１６０Ｃが当接する面）に設けられた引き回し導体１５３Ｃに、はんだ１９２等の導体によって接続されている。この引き出し導体１５３Ｃは、可変コンデンサ１２０Ｃ１の端子導体１２１を外部接続用端子導体１８４２に接続するミアンダ形状の導体パターンの一部を兼ねている。
このような構成であっても、上述の各実施形態と同様の作用効果を得ることができる。また、本実施形態の構成では、２つの可変コンデンサ１２０Ｃ１，１２０Ｃ２と圧電共振素子ＰＲが平面視して重なっているので、より多機能な共振回路用複合電子部品１０Ｃを小型に形成することができる。
このような共振回路用複合電子部品１０Ｃの構成を用いて、次に示す共振回路装置を実現できる。図９は、本発明の第４の実施形態に係る共振回路装置の構成を示す側面図である。
図９に示すように、共振回路装置１Ｃは、共振回路用複合電子部品１０Ｃ１，１０Ｃ２、実装型インダクタ素子２０Ｃ１，２０Ｃ２、および、基板３０Ｃを備える。基板３０Ｃは、誘電体基板であり、実装用ランド３１１，３１２，３２１，３２２が形成されている。実装用ランド３１１，３１２は、それぞれ共振回路用複合電子部品１０Ｃ１，１０Ｃ２を実装するためのランド導体である。実装用ランド３２１，３２２は、それぞれ実装型インダクタ素子２０Ｃ１，２０Ｃ２を実装するためのランド導体である。
共振回路用複合電子部品１０Ｃ１のミアンダ形状の導体パターンと実装型インダクタ素子２０Ｃ１とは、基板３０に設けられた実装用ランド３１１と実装用ランド３２１を繋ぐ導体パターンによって接続されている。共振回路用複合電子部品１０Ｃ２のミアンダ形状の導体パターンと実装型インダクタ素子２０Ｃ２とは、基板３０に設けられた実装用ランド３１２と実装用ランド３２２を繋ぐ導体パターンによって接続されている。
このような構成とすることで、図５に示したフィルタ回路９０のように、複数の圧電共振素子ＰＲ１，ＰＲ２を備えるフィルタ回路を、小型に形成することができる。また、共振回路用複合電子部品１０Ｃ１，１０Ｃ２に内蔵されるミアンダ形状の導体パターンをインダクタに利用することにより、インダクタのＱ値を向上し、フィルタ特性を向上することができる。
なお、上述の各実施形態では、引き回し用のビア導体の延びる方向が実装面に直交する方向となる例を示した。しかしながら、ビア導体の延びる方向と実装面との角度は０°でなければよい。ただし、引き回し用のビア導体の延びる方向が実装面に直交する構成を用いることにより、引き回し用のビア導体を容易に形成することができる。
次に、本発明の第５の実施形態に係る共振回路用複合電子部品について、図を参照して説明する。図１０は、本発明の第５の実施形態に係る共振回路用複合電子部品の構成を示す側面図である。
本実施形態に係る共振回路用複合電子部品１０Ｄは、複数の圧電共振素子ＰＲＤ１，ＰＲＤ２，ＰＲＤ３が積層部材である絶縁性樹脂１６０Ｄに内蔵されている。この際、複数の圧電共振素子ＰＲＤ１，ＰＲＤ２，ＰＲＤ３は、圧電共振素子ＰＲＤ１，ＰＲＤ２，ＰＲＤ３の実装面が共振回路用複合電子部品１０Ｄの実装面に対して０°でない所定の角度を成すように固定されている。
絶縁性樹脂１６０Ｄの表面（共振回路用複合電子部品１０Ｄの実装面側の面）には、外部接続用端子導体１８１Ｄ，１８２１Ｄ，１８２２Ｄ，１８３Ｄが形成されている。
圧電共振素子ＰＲＤ１の一方の端子導体は、絶縁性樹脂１６０Ｄの厚み方向（共振回路用複合電子部品１０Ｄの実装面に直交する方向）に延びるビア導体１７１１Ｄによって、外部接続用端子導体１８１Ｄに接続されている。圧電共振素子ＰＲＤ１の他方の端子導体および圧電共振素子ＰＲＤ２の一方の端子導体は、それぞれに、絶縁性樹脂１６０Ｄの厚み方向（共振回路用複合電子部品１０Ｄの実装面に直交する方向）に延びるビア導体１７２１Ｄ，１７１２Ｄによって、外部接続用端子導体１８２１Ｄに接続されている。圧電共振素子ＰＲＤ２の他方の端子導体および圧電共振素子ＰＲＤ３の一方の端子導体は、それぞれに、絶縁性樹脂１６０Ｄの厚み方向（共振回路用複合電子部品１０Ｄの実装面に直交する方向）に延びるビア導体１７２２Ｄ，１７１３Ｄによって、外部接続用端子導体１８２２Ｄに接続されている。圧電共振素子ＰＲＤ３の他方の端子導体は、絶縁性樹脂１６０Ｄの厚み方向（共振回路用複合電子部品１０Ｄの実装面に直交する方向）に延びるビア導体１７２３Ｄによって、外部接続用端子導体１８３Ｄに接続されている。
このような構成では、それぞれの圧電共振素子ＰＲＤ１，ＰＲＤ２，ＰＲＤ３の他方の端子導体を外部接続用端子導体に接続するビア導体の長さを長くでき、インダクタとして利用することができる。
また、本実施形態の構成では、圧電共振素子ＰＲＤ１，ＰＲＤ２，ＰＲＤ３の実装面と共振回路用複合電子部品１０Ｄの実装面が平行でないので、圧電共振素子ＰＲＤ１，ＰＲＤ２，ＰＲＤ３の配置する領域の面積を小さくできる。これにより、共振回路用複合電子部品１０Ｄを小型に形成することができる。
次に、本発明の第６の実施形態に係る共振回路用複合電子部品について、図を参照して説明する。図１１は、本発明の第６の実施形態に係る共振回路用複合電子部品の構成を示す側面図である。
本実施形態に係る共振回路用複合電子部品１０Ｅは、第５の実施形態に係る共振回路用複合電子部品１０Ｄと同じ構造体を二段に重ねた構成を備える。各段の積層部材の構成は、第５の実施形態に係る共振回路用複合電子部品１０Ｄと同じである。
共振回路用複合電子部品１０Ｅの実装面側の積層部材には、圧電共振素子ＰＲＤ１１，ＰＲＤ１２，ＰＲＤ１３が内蔵されている。圧電共振素子ＰＲＤ１１，ＰＲＤ１２，ＰＲＤ１３が内蔵される積層部材における実装面側と反対側に配置された積層部材には圧電共振素子ＰＲＤ２１，ＰＲＤ２２，ＰＲＤ２３，ＰＲＤ２４が内蔵されている。
圧電共振素子ＰＲＤ２１の一方の端子導体は、絶縁性樹脂１６０Ｅ２の厚み方向（共振回路用複合電子部品１０Ｅの実装面に直交する方向）に延びるビア導体１７１４Ｅによって、端子導体１８４３Ｅに接続されている。圧電共振素子ＰＲＤ２１の他方の端子導体と圧電共振素子ＰＲＤ２２の一方の端子導体は、それぞれに、絶縁性樹脂１６０Ｅ２の厚み方向に延びるビア導体１７２４Ｅ，１７１５Ｅによって、引き回し導体１８２３Ｅに接続されている。圧電共振素子ＰＲＤ２２の他方の端子導体と圧電共振素子ＰＲＤ２３の一方の端子導体は、それぞれに、絶縁性樹脂１６０Ｅ２の厚み方向に延びるビア導体１７２５Ｅ，１７１６Ｅによって、引き回し導体１８２４Ｅに接続されている。圧電共振素子ＰＲＤ２３の他方の端子導体と圧電共振素子ＰＲＤ２４の一方の端子導体は、それぞれに、絶縁性樹脂１６０Ｅ２の厚み方向に延びるビア導体１７２６Ｅ，１７１７Ｅによって、引き回し導体１８２５Ｅに接続されている。圧電共振素子ＰＲＤ２４の他方の端子導体は、絶縁性樹脂１６０Ｅ２の厚み方向に延びるビア導体１７２７Ｅによって、端子導体１８５３Ｅに接続されている。
端子導体１８４３Ｅは、はんだ１９２等によって、圧電共振素子ＰＲＤ１１，ＰＲＤ１２，ＰＲＤ１３が内蔵される積層部材における実装面側と反対側の面の端子導体１８４２Ｅに接続されている。端子導体１８４２Ｅは、絶縁性樹脂１６０Ｅ１の厚み方向（共振回路用複合電子部品１０Ｅの実装面に直交する方向）に延びるビア導体１７３１Ｅによって、外部接続用端子導体１８４１Ｅに接続されている。
端子導体１８５３Ｅは、はんだ１９２等によって、圧電共振素子ＰＲＤ１１，ＰＲＤ１２，ＰＲＤ１３が内蔵される積層部材における実装面側と反対側の面の端子導体１８５２Ｅに接続されている。端子導体１８５２Ｅは、絶縁性樹脂１６０Ｅ１の厚み方向（共振回路用複合電子部品１０Ｅの実装面に直交する方向）に延びるビア導体１７３２Ｅによって、外部接続用端子導体１８５１Ｅに接続されている。
このような構成とすることで、さらに圧電共振素子を集積化できる。
なお、上述の各実施形態では、圧電共振素子を弾性表面波共振素子とする例を示した。しかしながら、弾性境界波共振素子、弾性バルク波共振素子、板波共振素子を用いることもできる。
また、図１２に示すような構成であっても、上述の各実施形態と同様に、優れた特性を有する小型の共振回路装置を実現することができる。図１２は、本発明に係る共振回路用複合電子部品の構成を示す側面図および平面図である。図１２では、発明の特徴となる部分だけを記載し、他の部分は概略的に記載したり、記載を省略している。また、図１２の各記号が示す構成要素は、上述の実施形態において同じ記号が示す構成要素と同じ機能を有する。したがって、図１２に示す共振回路用複合電子部品１０Ｆにおいて特徴的な部分のみを説明する。
図１２に示すように、共振回路用複合電子部品１０Ｆでは、可変コンデンサ１２０の端子導体１２１Ｆは、インダクタ用導体部１９００Ｆを介して、圧電共振素子ＰＲ上に形成された外部接続用端子導体１８６Ｆに接続されている。インダクタ用導体部１９００Ｆは、実装面に直交する方向に延びる部分を含んでおり、この部分は、スパッタおよびメッキによって、可変コンデンサ１２０の側面に配置されている。この部分を厚く形成することによって、上述のビア導体と同様に抵抗を低くできる。なお、図示していないが、圧電共振器１１０の端子導体は、外部接続用端子導体１８６Ｆに接続されている。
このように、複合電子部品内に形成されるインダクタ用導体部は、上述の各実施形態に示すような絶縁性樹脂に覆われる構成だけではなく、共振回路用複合電子部品１０Ｆに示すように、外部に露出する構成であってもよい。
Ｌ１１，Ｌ１２，Ｌ２１，Ｌ２２：インダクタ
Ｐ１：第１入出力端子
Ｐ２：第２入出力端子
ＰＲ，ＰＲ１，ＰＲ２，ＰＲＤ１，ＰＲＤ２，ＰＲＤ３，ＰＲＤ１１，ＰＲＤ１２，ＰＲＤ１３，ＰＲＤ２１，ＰＲＤ２２，ＰＲＤ２３，ＰＲＤ２４：圧電共振素子
ＶＣ１１，ＶＣ１２，ＶＣ２１，ＶＣ２２：可変コンデンサ
１，１Ｃ：共振回路装置
１０，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，１０Ｃ１，１０Ｃ２，１０Ｄ，１０Ｅ，１０Ｆ：共振回路用複合電子部品
２０，２０Ｃ１，２０Ｃ２：実装型インダクタ素子
３０，３０Ｃ：基板
３１，３２：実装用ランド
９０：フィルタ回路
９１，９２：可変共振回路
１１０：圧電共振器
１１１，１１２：端子導体
１２０，１２０Ｂ１，１２０Ｂ２，１２０Ｃ１，１２０Ｃ２：可変コンデンサ
１２１，１２２，１２３，１２４：端子導体
１３０：カバー層
１３１：空隙
１４１，１４２：ビア導体
１５１，１５２，１５３，１５３Ｃ：端子導体
１６０，１６０Ｃ，１６０Ｄ，１６０Ｅ１，１６０Ｅ２：絶縁性樹脂
１６０ＤＭ：レジスト
１７１，１７２，１７３，１７４１，１７４２，１７４３，１７５１，１７５２：ビア導体
１７１Ｓ，１７２Ｓ，１７４２Ｓ，１７４３Ｓ，１７５２Ｓ：ビア
１８１，１８２，１８３，１８４２，１８５，１８１Ｄ，１８２１Ｄ，１８２２Ｄ，１８３Ｄ，１８６Ｆ：外部接続用端子導体
１８５：引き回し導体
１９０：保護層
１９１：はんだボール
１９１Ｓ：ビア
３１１，３１２，３２１，３２２：実装用ランド
１２００：接着層
１５２１，１５２２，１５３１，１５３２，１５３３，１５３１Ａ，１５３２Ａ：接続用導体
１６０１，１６０２，１６０３：絶縁性樹脂
１７２１，１７２２，１７４１，１７４２，１７４３，１７４４，１７５１，１７５２，１７４１Ａ，１７４２Ａ，１７４３Ａ，１７４４Ａ，１７４５Ａ，１７１１Ｄ，１７１２Ｄ，１７１３Ｄ，１７２１Ｄ，１７２２Ｄ，１７２３Ｄ，１７１４Ｅ，１７１５Ｅ，１７１６Ｅ，１７１７Ｅ，１７２４Ｅ，１７２５Ｅ，１７２６Ｅ，１７２７Ｅ，１７３１Ｅ，１７３２Ｅ：ビア導体
１８２１Ｄ，１８２２Ｄ，１８４１Ｅ，１８４２，１８４３Ａ，１８５１Ｅ：外部接続用端子導体
１８２３Ｅ，１８２４Ｅ，１８２５Ｅ，１８４１，１８４１Ａ，１８４２Ａ，１８５：引き回し導体
１８４２Ｅ，１８４３Ｅ，１８５２Ｅ，１８５３Ｅ：端子導体
１９００Ｆ：インダクタ用導体部

Claims (9)

  1. 共振回路を構成する第１回路素子および第２回路素子と、外部に接続される外部接続用端子が設けられた共振回路用複合電子部品であって、
    前記第１回路素子の外部端子および前記第２回路素子の外部端子を前記外部接続用端子にそれぞれに接続する複数の引き回し導体を備え、
    前記複数の引き回し導体の少なくとも１つは、実装面に対して平行にならない方向に延び、前記共振回路用複合電子部品の厚み方向における形成位置が前記第２回路素子と少なくとも部分的に重なるインダクタ用導体部を備え、
    前記インダクタ用導体部は、前記第２回路素子の厚み方向を複数回経由する形状からなる、
    共振回路用複合電子部品。
  2. 前記第１回路素子の実装面と前記第２回路素子の実装面とが略平行になるように、前記第１回路素子と前記第２回路素子とが積層された状態で内蔵され、積層方向に沿った前記第２回路素子側の面の外面側に外部接続用端子が設けられた積層部材を備え、
    前記複数の引き回し導体の少なくとも１つは、少なくとも前記第２回路素子の厚みよりも長いインダクタ用導体部を備える、
    請求項１に記載の共振回路用複合電子部品。
  3. 前記インダクタ用導体部は、
    前記積層方向に沿って延びる形状からなる、
    請求項２に記載の共振回路用複合電子部品。
  4. 前記第１回路素子の平面面積は、前記第２回路素子の平面面積よりも広く、
    前記積層部材を前記外部接続用端子が形成された面から視て、
    前記第１回路素子と前記第２回路素子は重なり合っており、
    前記インダクタ用導体部は、前記第１回路素子と前記第２回路素子とが重なり合わない領域に設けられている、
    請求項２または請求項３に記載の共振回路用複合電子部品。
  5. 請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の共振回路用複合電子部品と、
    実装型インダクタ素子と、
    前記共振回路用複合電子部品と前記実装型インダクタ素子とが実装される基板と、
    を備え、
    前記実装型インダクタ素子と前記インダクタ用導体部とは接続されている、
    共振回路装置。
  6. 前記インダクタ用導体部は、前記共振回路用複合電子部品の共振周波数をシフトさせる機能を有する、請求項５に記載の共振回路装置。
  7. 前記共振回路が可変フィルタである、請求項５または請求項６に記載の共振回路装置。
  8. 前記第１回路素子および前記第２回路素子のうち少なくとも１つは、共振子である、請求項５乃至請求項７のいずれか１項に記載の共振回路装置。
  9. 前記第１回路素子および前記第２回路素子のうち少なくとも１つは、可変容量素子である、請求項５乃至請求項７のいずれか１項に記載の共振回路装置。
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