JP2008053912A - 受動部品 - Google Patents

Abstract

【課題】小型化、広帯域化、低コスト化を図ることができると共に、急峻な減衰特性をも実現させることができる受動部品を提供する。
【解決手段】入力端子２０と出力端子２２との間に第１共振器２８ａ〜第３共振器２８ｃがそれぞれ並列に接続され、且つ、第１共振器２８ａの第１接点５２ａと第２共振器２８ｂの第２接点５２ｂとの間、並びに第２共振器２８ｂの第２接点５２ｂと第３共振器２８ｃの第３接点５２ｃとの間にそれぞれ結合容量Ｃ１、Ｃ２が接続されたフィルタ２６が接続された構成を有する。さらに、この第１受動部品１０Ａは、入力端子２０とＧＮＤ（グランド）との間に第１減衰極形成素子４６ａが接続され、フィルタ２６の入力（第１接点５２ａ）との間に第２減衰極形成素子４６ｂが接続された構成を有する。
【選択図】図４

Description

本発明は、受動部品に関し、例えば誘電体基板の内部に複数の共振回路が直列接続されたバンドパスフィルタ等に用いて好適な受動部品に関する。

従来の高周波用のフィルタは、積層型誘電体フィルタ、誘電体フィルタ、ＳＡＷフィルタ、ＢＡＷフィルタ等があり、それぞれ長所、短所を有する。

積層型誘電体フィルタは、誘電体内部に１／４λのストリップライン共振器を複数配置して形成したフィルタで、安価であり、小型化、広帯域化が容易であるが、共振器のＱ値が低く、急峻な減衰特性を実現できないという短所がある。

誘電体フィルタにおいては、共振器のＱ値が高く、積層型誘電体フィルタよりも急峻な減衰を得ることができるが、形状が大きく、価格が高いという問題がある。

その一方で、ＳＡＷフィルタやＢＡＷフィルタについては、共振器のＱ値が非常に高く、誘電体フィルタよりも急峻な減衰を得ることができるものの、フィルタの広帯域化には限界があり、また、価格が高いという問題を抱えている。

近年、無線通信システムが普及し、１つの無線端末に数種類の無線システムが設置されるようになり、部品の小型化の要求はもちろん、システム間の干渉を低減するため、急峻な減衰特性が求められるようになった。また、システムの広帯域化に伴い、広帯域フィルタの要求も強い。従って、上述したフィルタを単体で使用しても急峻な減衰特性と広帯域化という要求を満足させることができない。

そこで、誘電体フィルタとＳＡＷフィルタとを組み合わせた複合フィルタ（例えば特許文献１〜３参照）や、ラダー型フィルタと平衡−不平衡変換機能を有する２重モード型フィルタとを組み合わせた複合フィルタ（例えば特許文献４）が提案されている。

特許文献１記載の複合フィルタは、誘電体ノッチフィルタと、弾性表面波フィルタとが縦接された構成を有し、誘電体ノッチフィルタの減衰帯域と弾性表面波フィルタの減衰帯域とが実質的に一致した構成を有する。これにより、小型化、通過帯域内では低損失、通過帯域外では高減衰である複合フィルタを得ることができる。

特許文献２記載の複合フィルタは、複数の誘電体層が積層されてなる基体と、この基体の上面に形成された弾性表面波フィルタ素子を収容するキャビティと、基体の内部に形成されたローパスフィルタとを有し、ローパスフィルタが、弾性表面波フィルタ素子の送信出力側に電気的に接続された構成を有する。

特許文献３記載の複合フィルタは、複数の誘電体層が積層されてなる基体と、この基体の上面に形成された弾性表面波フィルタ素子を収容するキャビティと、基体の内部に形成されたローパスフィルタとを有し、ローパスフィルタが、弾性表面波フィルタ素子の送信入力側に電気的に接続された構成を有する。

これら特許文献２及び３記載の発明によれば、外部との接続端子の数を減少させると共に、ローパスフィルタにより弾性表面波フィルタの通過帯域より高周波帯域の減衰量を大きくとれることにより、無線装置の送信側に要求されるパワーアンプにより発生する通過帯域の２倍あるいは３倍の高調波を広帯域にわたって減衰させることができると共に、基体の内部に損失の少ないローパスフィルタを実現することができる。

特許文献４記載の複合フィルタは、ラダー型フィルタと、ラダー型フィルタに接続された２重モード型フィルタ（平衡−不平衡変換部）とが支持基板上に設けられた構成を有する。なお、ラダー型フィルタは、第１圧電薄膜共振子と第２圧電薄膜共振子とがラダー接続されたものである。これにより、挿入損失の劣化を抑制しながら、平衡−不平衡変換が可能な圧電フィルタ及びそれを有する電子部品を提供することができる。

特開２００３−１７９４６３号公報 特開２００４−２８９７６０号公報 特開２００４−２５４２５７号公報 特開２００３−３４７８８９号公報

本発明は、上述した複合フィルタをさらに発展させて、小型化、広帯域化、低コスト化を図ることができると共に、急峻な減衰特性をも実現させることができる受動部品を提供することを目的とする。

本発明に係る受動部品は、複数の誘電体層が積層されて構成された誘電体基板と、前記誘電体基板内に形成され、１以上の共振電極を有するフィルタと、前記フィルタの減衰特性に減衰極を形成するための１以上の減衰極形成素子とを有することを特徴とする。

誘電体基板内に形成されたフィルタは、安価であり、小型化、広帯域化が容易である。しかも、フィルタの減衰特性に減衰極を形成するための１以上の減衰極形成素子を有するようにしたので、急峻な減衰特性を得ることができる。

このように、本発明においては、小型化、広帯域化、低コスト化を図ることができると共に、急峻な減衰特性をも実現させることができる。

そして、本発明において、前記誘電体基板に入力端子が形成され、前記入力端子と前記フィルタの入力電極との間に、前記１以上の減衰極形成素子が接続されていてもよい。

また、本発明において、前記誘電体基板に出力端子が形成され、前記出力端子と前記フィルタの出力電極との間に、前記１以上の減衰極形成素子が接続されていてもよい。

また、本発明において、前記誘電体基板に入力端子及び出力端子が形成され、前記入力端子と前記フィルタの入力電極との間と、前記出力端子と前記フィルタの出力電極との間に、それぞれ前記１以上の減衰極形成素子が接続されていてもよい。

前記１以上の減衰極形成素子は、前記入力端子及び／又は出力端子と前記フィルタ間において並列接続あるいは直列接続された第１減衰極形成素子と、直列接続あるいは並列接続された第２減衰極形成素子とを有するようにしてもよい。

あるいは、前記１以上の減衰極形成素子は、前記入力端子及び／又は出力端子と前記フィルタ間において並列接続あるいは直列接続された第１減衰極形成素子と、直列接続あるいは並列接続された第２減衰極形成素子と、並列接続あるいは直列接続された第３減衰極形成素子とを有するようにしてもよい。

また、本発明において、前記共振電極を挟むように形成された２以上の内層アース電極を有し、前記入力端子及び／又は出力端子と前記フィルタ間において並列接続された減衰極形成素子は、前記内層アース電極に接続されていてもよい。

また、本発明において、前記減衰極形成素子は、ＳＡＷ（表面弾性波）素子であってもよいし、ＢＡＷ（バルク弾性波）素子であってもよい。

また、本発明において、前記減衰極形成素子は、前記誘電体基板の上部に実装されていてもよいし、前記誘電体基板の下部に実装されていてもよいし、前記誘電体基板の側部に実装されていてもよい。

また、本発明において、前記減衰極形成素子は、前記誘電体基板に形成された凹部に収容されていてもよい。この場合、凹部は、周りが側壁で囲まれた穴であってもよいし、側壁の一部が欠落した切欠き状の凹みであってもよい。

以上説明したように、本発明に係る受動部品によれば、小型化、広帯域化、低コスト化を図ることができると共に、急峻な減衰特性をも実現させることができる。

以下、本発明に係る受動部品を例えばバンドパスフィルタに適用した実施の形態例を図１〜図１７を参照しながら説明する。なお、図１〜図３、図８〜１４において、ボンディングワイヤ保護用の樹脂コートの図示を省略する。

先ず、第１の実施の形態に係る受動部品（以下、第１受動部品１０Ａと記す）は、図１に示すように、複数の誘電体層（誘電体層Ｓ１〜Ｓ１３：図２参照）が積層、焼成一体化された誘電体基板１２を有する。誘電体基板１２は、上面１４ａ、下面１４ｂ（図３参照）、第１側面１６ａ〜第４側面１６ｄを有する例えば直方体の形状を有する。また、この誘電体基板１２は、上面１４ａの一部が開口とされた凹部１８が形成され、さらに、図２に示すように、下面１４ｂに１つの入力端子２０、１つの出力端子２２、６つのアース端子（第１アース端子２４ａ〜第６アース端子２４ｆ）が形成されている。この第１受動部品１０Ａにおいて、凹部１８は、周りに側壁を有する穴１９の構造を有する。

誘電体基板１２は、図２に示すように、上から順に、第１誘電体層Ｓ１〜第１３誘電体層Ｓ１３が積み重ねられて構成されている。これらの第１誘電体層Ｓ１〜第１３誘電体層Ｓ１３は、１枚あるいは複数枚の層にて構成される。

誘電体基板１２内には、図２に示すように、フィルタ２６を有する。このフィルタ２６は、３つの１／４λの共振器（第１共振器２８ａ、第２共振器２８ｂ、第３共振器２８ｃ）を有する。特に、第９誘電体層Ｓ９の一主面には、第１共振器２８ａを構成する第１共振電極３０ａと、第２共振器２８ｂを構成する第２共振電極３０ｂと、第３共振器２８ｃを構成する第３共振電極３０ｃとが形成されている。また、このフィルタ２６は、第１共振電極３０ａ〜第３共振電極３０ｃを挟むように形成された少なくとも２つの内層アース電極（第１内層アース電極３２ａ及び第２内層アース電極３２ｂ）を有する。第１内層アース電極３２ａは第６誘電体層Ｓ６の一主面に形成され、第２内層アース電極３２ｂは第１２誘電体層Ｓ１２の一主面に形成されている。

第１共振電極３０ａの一方の端部（誘電体基板１２の第１側面１６ａに近接した位置にある端部）と、第２共振電極３０ｂの一方の端部と、第３共振電極３０ｃの一方の端部は、それぞれ第１ビアホール３４ａ、第２ビアホール３４ｂ、第３ビアホール３４ｃを介して第１内層アース電極３２ａ及び第２内層アース電極３２ｂに電気的に接続されると共に、第１アース端子２４ａ〜第３アース端子２４ｃにも電気的に接続されている。すなわち、第１共振電極３０ａ〜第３共振電極３０ｃの各一方の端部は、それぞれ短絡端を構成し、各他方の端部がそれぞれ開放端を形成する。

第３共振電極３０ｃは、その中央部分から誘電体基板１２の第２側面１６ｂ（第１共振電極３０ａとは反対側の側面）に向けてタップ電極３６が形成されている。タップ電極３６は第４ビアホール３４ｄを介して出力端子２２に電気的に接続されている。

そして、第１誘電体層Ｓ１〜第４誘電体層Ｓ４には、上述した穴１９を構成する第１貫通孔３８ａ〜第４貫通孔３８ｄがそれぞれ形成されている。

第５誘電体層Ｓ５の一主面には、入力端子２０に第５ビアホール３４ｅを介して電気的に接続される入力接続電極４０と、第１共振電極３０ａと第６ビアホール３４ｆ、接続電極４３及び第７ビアホール３４ｇを介して電気的に接続される入力電極４２と、第１内層アース電極３２ａと第８ビアホール３４ｈを介して電気的に接続されるアース電極４４が形成されている。また、この第５誘電体層Ｓ５の一主面には、フィルタ２６の減衰特性に減衰極を形成追加するための２つの減衰極形成素子（第１減衰極形成素子４６ａ及び第２減衰極形成素子４６ｂ）が実装されるようになっている。

第１減衰極形成素子４６ａは、入力接続電極４０と第１ボンディングワイヤ４８ａにて電気的に接続され、アース電極４４と第２ボンディングワイヤ４８ｂにて電気的に接続されている。同様に、第２減衰極形成素子４６ｂは、入力電極４２と第３ボンディングワイヤ４８ｃにて電気的に接続され、入力接続電極４０と第４ボンディングワイヤ４８ｄにて電気的に接続されている。

第５誘電体層Ｓ５上には、第１誘電体層Ｓ１〜第４誘電体層Ｓ４が積層されるため、第１誘電体層Ｓ１〜第４誘電体層Ｓ４に形成された第１貫通孔３８ａ〜第４貫通孔３８ｄにて構成され、且つ、第５誘電体層Ｓ５の一主面を底面とする穴１９内に、第１減衰極形成素子４６ａ及び第２減衰極形成素子４６ｂが収容された形となる。第１減衰極形成素子４６ａ及び第２減衰極形成素子４６ｂが穴１９内に収容されることから、第１減衰極形成素子４６ａ、第２減衰極形成素子４６ｂ及び第１ボンディングワイヤ４８ａ〜第３ボンディングワイヤ４８ｃを保護するための保護用樹脂等のコートが容易になる。

第１減衰極形成素子４６ａ及び第２減衰極形成素子４６ｂとしては、ＳＡＷ（表面弾性波）素子又はＢＡＷ（バルク弾性波）素子を用いることができる。

また、第７誘電体層Ｓ７の一主面には、第１共振電極３０ａ、第２共振電極３０ｂ及び第３共振電極３０ｃの各開放端と対向し、誘電体基板１２の第３側面１６ｃ（第１側面１６ａと反対側の側面）に近接して形成された第３内層アース電極３２ｃ（フィルタ２６に使用する共振器長を短縮することを目的とした電極）と、第１共振電極３０ａと入力電極４２とを電気的に接続するための上述した接続電極４３が形成されている。この接続電極４３は、必ずしも形成する必要はないが、第１共振電極３０ａの長さ方向ほぼ中央部分と入力電極４２とを電気的に接続するための位置調整に利用できるため好ましい。

第８誘電体層Ｓ８の一主面には、第２共振器２８ｂ及び第３共振器２８ｃ間の結合度を調整するための第１結合調整電極５０ａが形成され、第１０誘電体層Ｓ１０の一主面には、第１共振器２８ａ及び第２共振器２８ｂ間の結合度を調整するための第２結合調整電極５０ｂが形成されている。

第１１誘電体層Ｓ１１の一主面には、第１共振電極３０ａ、第２共振電極３０ｂ及び第３共振電極３０ｃの各開放端と対向し、誘電体基板１２の第３側面１６ｃに近接して形成された第４内層アース電極３２ｄ（フィルタ２６に使用する共振器長を短縮することを目的とした電極）が形成されている。

第３内層アース電極３２ｃ及び第４内層アース電極３２ｄは、それぞれ第９ビアホール３４ｉ、第１０ビアホール３４ｊ、第１１ビアホール３４ｋを介して第１内層アース電極３２ａ及び第２内層アース電極３２ｂに電気的に接続されると共に、第４アース端子２４ｄ〜第６アース端子２４ｆにも電気的に接続されている。

従って、第１受動部品１０Ａの回路構成は、図４に示すように、先ず、入力端子２０と出力端子２２との間に３つの共振器（第１共振器２８ａ、第２共振器２８ｂ及び第３共振器２８ｃ）がそれぞれ並列に接続され、且つ、第１共振器２８ａの第１接点５２ａと第２共振器２８ｂの第２接点５２ｂとの間、並びに第２共振器２８ｂの第２接点５２ｂと第３共振器２８ｃの第３接点５２ｃとの間にそれぞれ結合容量Ｃ１、Ｃ２が接続されたフィルタ２６が接続された構成を有する。

さらに、この第１受動部品１０Ａは、入力端子２０とＧＮＤ（グランド）との間に第１減衰極形成素子４６ａが接続され、フィルタ２６の入力（第１接点５２ａ）との間に第２減衰極形成素子４６ｂが接続された構成を有する。

ここで、入力端子２０と出力端子２２との間にフィルタ２６だけを接続した回路構成（比較例）による周波数特性（通過帯域及び反射特性）は、図５に示すように、低域側の周波数ｆ１において−４４ｄＢ程度の減衰極Ｐ１が形成されているが、高域側はゆるやかなカーブを描き、減衰極は存在していない。減衰極Ｐ１は、第１結合容量Ｃ１及び第２結合容量Ｃ２によるものと考えられる。

一方、第１受動部品１０Ａにおいては、図６に示すように、低域側のうち、上述した周波数ｆ１よりも高い周波数ｆ２（通過帯域の低域端近傍）において、−６０ｄＢ程度という深い減衰極Ｐ２が追加形成され、さらに、高域側のうち、通過帯域の高域端近傍（周波数ｆ３）において、−５５ｄＢ程度という深い減衰極Ｐ３が追加形成されている。しかも、上述のように、第２減衰極Ｐ２及び第３減衰極Ｐ３が追加形成されたにも拘わらず、通過帯域の狭幅化は生じておらず、積層型誘電体フィルタの利点である広帯域化がそのまま生かされている。なお、第２減衰極Ｐ２は第１減衰極形成素子４６ａによるもので、第３減衰極Ｐ３は第２減衰極形成素子４６ｂによるものである。

このように、第１受動部品１０Ａにおいては、入力端子２０に第１減衰極形成素子４６ａを並列に接続し、フィルタ２６の入力に第２減衰極形成素子４６ｂを直列に接続するようにしたので、図６に示すように、急峻な減衰特性を得ることができる。

また、誘電体基板１２内に形成されたフィルタ２６は、積層型誘電体フィルタであることから、該積層型誘電体フィルタの利点である安価、小型化、広帯域化を容易に実現させることができる。

すなわち、第１受動部品１０Ａにおいては、小型化、広帯域化、低コスト化を図ることができると共に、急峻な減衰特性をも実現させることができる。

また、図３に示すように、第１減衰極形成素子４６ａ及び第２減衰極形成素子４６ｂが実装される穴１９の直下に第１内層アース電極３２ａが存在することになるため、第１減衰極形成素子４６ａ及び第２減衰極形成素子４６ｂとフィルタ２６との不要な結合をなくすことができる。

通常、高周波部品は、特性インピーダンスを５０オームで部品間の接続を行うが、この第１受動部品１０Ａにおいて、第１減衰極形成素子４６ａ及び第２減衰極形成素子４６ｂとフィルタ２６との間の接続にそのような特性インピーダンス上の制約は不要であり、反対に、高い性能を出すために、第１減衰極形成素子４６ａ及び第２減衰極形成素子４６ｂとフィルタ２６との間の特性インピーダンスを変更することができる。これは、フィルタ２６として、バランとフィルタとが一体化されたものや、分波器とした場合においても同様である。

上述の例では、入力端子２０に第１減衰極形成素子４６ａを並列に接続し、フィルタ２６の入力に第２減衰極形成素子４６ｂを直列に接続するようにしたが、その他、図７に示すように、出力端子２２に第１減衰極形成素子４６ａを並列に接続し、フィルタ２６の出力（第３接点５２ｃ）に第２減衰極形成素子４６ｂを直列に接続するようにしてもよい。

この回路構成を実現するには、図２において括弧書きにて示すように、入力端子２０と出力端子２２を第１受動部品１０Ａの場合とは逆の配置にし、さらに、第１共振電極３０ａと第３共振電極３０ｃの配置も逆にし、第１共振電極３０ａにタップ電極３６を形成すればよい。なお、この第１の変形例では、入力接続電極４０は出力接続電極５２となり、入力電極４２は出力電極５４となる。

この構成においても、小型化、広帯域化、低コスト化を図ることができると共に、急峻な減衰特性をも実現させることができる。

次に、第２の実施の形態に係る受動部品（以下、第２受動部品１０Ｂと記す）について図８を参照しながら説明する。なお、第１受動部品１０Ａと対応するものについては同符号を付してその重複説明を省略する。

この第２受動部品１０Ｂは、上述した第１受動部品１０Ａとほぼ同様の構成を有するが、図８に示すように、凹部１８の構造が以下の点で異なる。

すなわち、凹部１８は、例えば誘電体基板１２の第３側面１６ｃ寄りに形成され、１つの側壁が欠落した切欠き状の凹みを有する。

この場合、第１内層アース電極３２ａの形成位置を誘電体基板１２の上面にまで近づけることができ、凹部１８の直下に第３内層アース電極３２ｃが存在する形となる。

一方、第１受動部品１０Ａでは、図３に示すように、穴１９の直下に第１内層アース電極３２ａを形成するようにしているため、フィルタ２６の実効厚みｈ１が薄くなり、すなわち、誘電体基板１２の全体の厚みｈ０に対するフィルタ２６の実効厚みｈ１の比（ｈ１／ｈ０）が小さくなり、フィルタ２６のロスが増大するおそれがある。

しかし、この第２受動部品１０Ｂでは、上述したように、第１内層アース電極３２ａの形成位置を誘電体基板１２の上面にまで近づけることができ、しかも、凹部１８の直下に第３内層アース電極３２ｃが存在する形となり、該第３内層アース電極３２ｃをシールド用電極として利用することができる。

そのため、フィルタ２６の実効厚みｈ２を薄くすることなく、すなわち、誘電体基板１２の全体の厚みｈ０に対するフィルタ２６の実効厚みｈ２の比（ｈ２／ｈ０）を、第１受動部品１０Ａの場合（ｈ１／ｈ０）よりも大きくすることができることから、フィルタ２６のロスを増大させることなく、第１減衰極形成素子４６ａ及び第２減衰極形成素子４６ｂとフィルタ２６間のシールド効果を確保することができる。

次に、第３の実施の形態に係る受動部品（以下、第３受動部品１０Ｃと記す）について図９を参照しながら説明する。なお、第１受動部品１０Ａと対応するものについては同符号を付してその重複説明を省略する。

この第３受動部品１０Ｃは、図９に示すように、上述した第１受動部品１０Ａとほぼ同様の構成を有するが、誘電体基板１２の下部に凹部１８（この例では、穴１９）を設けた点で異なる。すなわち、誘電体基板１２には、その下面１４ｂの一部を開口とする穴１９が形成されている。

そして、この穴１９内に第１減衰極形成素子４６ａ及び第２減衰極形成素子４６ｂが収容され、そのうち、第１減衰極形成素子４６ａは、穴１９を通じて露出する入力接続電極４０及びアース電極４４（図１０参照）に電気的に接続され、第２減衰極形成素子４６ｂは、穴１９を通じて露出する入力接続電極４０及び入力電極４２（図１０参照）に電気的に接続される。

具体的には、図１０に示すように、複数の誘電体層（誘電体層Ｓ１〜Ｓ１１）が積層、焼成一体化された誘電体基板１２のうち、第２誘電体層Ｓ２の一主面に第１内層アース電極３２ａが形成され、第３誘電体層Ｓ３の一主面に第３内層アース電極３２ｃが形成され、第４誘電体層Ｓ４の一主面に第１結合調整電極５０ａが形成され、第５誘電体層Ｓ５の一主面に第１共振電極３０ａ〜第３共振電極３０ｃが形成されている。

また、第６誘電体層Ｓ６の一主面に第２結合調整電極５０ｂが形成され、第７誘電体層Ｓ７の一主面に第４内層アース電極３２ｄが形成され、第８誘電体層Ｓ８の一主面に第２内層アース電極３２ｂが形成され、第９誘電体層Ｓ９の他主面に、入力接続電極４０と、入力電極４２と、アース電極４４とが形成されている。

また、第１０誘電体層Ｓ１０及び第１１誘電体層Ｓ１１は、上述した穴１９を構成する第１貫通孔３８ａ及び第２貫通孔３８ｂがそれぞれ形成され、特に、第１１誘電体層Ｓ１１の他主面（枠状の面であって、且つ、誘電体基板１２の下面を構成する面）には、１つの入力端子２０、１つの出力端子２２、６つのアース端子（第１アース端子２４ａ〜第６アース端子２４ｆ）が形成されている。

そして、第１共振電極３０ａ、第２共振電極３０ｂ、第３共振電極３０ｃの各短絡端は、それぞれ第１ビアホール３４ａ、第２ビアホール３４ｂ、第３ビアホール３４ｃを介して第１内層アース電極３２ａ及び第２内層アース電極３２ｂに電気的に接続されると共に、第１アース端子２４ａ〜第３アース端子２４ｃにも電気的に接続されている。

同様に、第３内層アース電極３２ｃ及び第４内層アース電極３２ｄは、それぞれ第９ビアホール３４ｉ、第１０ビアホール３４ｊ、第１１ビアホール３４ｋを介して第１内層アース電極３２ａ及び第２内層アース電極３２ｂに電気的に接続されると共に、第４アース端子２４ｄ〜第６アース端子２４ｆにも電気的に接続されている。

なお、第３共振電極３０ｃは、タップ電極３６と第４ビアホール３４ｄを介して出力端子２２に電気的に接続されている。

また、第９誘電体層Ｓ９の他主面に形成された入力接続電極４０は、第５ビアホール３４ｅを介して入力端子２０に電気的に接続され、入力電極４２は、第６ビアホール３４ｆ、接続電極４３及び第７ビアホール３４ｇを介して第１共振電極３０ａに電気的に接続され、アース電極４４は、第８ビアホール３４ｈを介して第２内層アース電極３２ｂに電気的に接続されている。

従って、第３受動部品１０Ｃの回路構成も、図４に示す回路構成と同様に、入力端子２０とＧＮＤ（グランド）との間に第１減衰極形成素子４６ａが接続され、フィルタ２６の入力（第１接点５２ａ）との間に第２減衰極形成素子４６ｂが接続された構成を有する。もちろん、図７に示す場合と同様に、出力端子２２に第１減衰極形成素子４６ａを並列に接続し、フィルタ２６の出力（第３接点５２ｃ）に第２減衰極形成素子４６ｂを直列に接続するようにしてもよい。

この第３受動部品１０Ｃにおいては、誘電体基板の下部に凹部１８（穴１９）を設けるようにしたので、入力端子２０（又は出力端子２２）から第１減衰極形成素子４６ａ及び第２減衰極形成素子４６ｂまでの配線距離を短くすることができ、配線によるロスを効率よく低減することができる。加えて、より急峻な減衰特性を得ることも可能となる。

また、図９に示すように、第１減衰極形成素子４６ａ及び第２減衰極形成素子４６ｂが実装される穴１９の直上に第２内層アース電極３２ｂが存在することになるため、第１減衰極形成素子４６ａ及び第２減衰極形成素子４６ｂとフィルタ２６との不要な結合をなくすことができる。

次に、第４の実施の形態に係る受動部品（以下、第４受動部品１０Ｄと記す）について図１１を参照しながら説明する。なお、第３受動部品１０Ｃと対応するものについては同符号を付してその重複説明を省略する。

この第４受動部品１０Ｄは、上述した第３受動部品１０Ｃとほぼ同様の構成を有するが、図１１に示すように、凹部１８の構造が以下の点で異なる。

すなわち、上述した第２受動部品１０Ｂと同様に、凹部１８は、例えば誘電体基板１２の第３側面１６ｃ寄りに形成され、１つの側壁が欠落した切欠き状の凹みを有する。

この場合、第２内層アース電極３２ｂの形成位置を誘電体基板１２の下面にまで近づけることができ、しかも、凹部１８の直上に第４内層アース電極３２ｄが存在する形となり、該第４内層アース電極３２ｄをシールド用電極として利用することができる。

そのため、フィルタの実効厚みを薄くすることなく、すなわち、誘電体基板１２の全体の厚みｈ０に対するフィルタ２６の実効厚みｈ４の比（ｈ４／ｈ０）を、第３受動部品１０Ｃの場合（ｈ３／ｈ０：図９参照）よりも大きくすることができることから、フィルタ２６のロスを増大させることなく、第１減衰極形成素子４６ａ及び第２減衰極形成素子４６ｂとフィルタ２６間のシールド効果を確保することができる。

次に、第５の実施の形態に係る受動部品（以下、第５受動部品１０Ｅと記す）について図１２を参照しながら説明する。

この第５受動部品１０Ｅは、図１２に示すように、上述した第１受動部品１０Ａとほぼ同様の構成を有するが、誘電体基板１２の側部に凹部１８（この例では、穴１９）を設けた点で異なる。すなわち、誘電体基板１２には、例えば第１側面１６ａの一部を開口とする穴１９が形成されている。

そして、この穴１９内に第１減衰極形成素子４６ａ及び第２減衰極形成素子４６ｂが収容され、そのうち、第１減衰極形成素子４６ａは、穴１９を通じて露出する入力接続電極４０及びアース電極４４と電気的に接続され、第２減衰極形成素子４６ｂは、穴１９を通じて露出する入力接続電極４０及び入力電極４２と電気的に接続される。

なお、誘電体基板１２の上面１４ａには、ほぼ全面に第７アース端子２４ｇが形成され、誘電体基板１２の下面１４ｂには、図２に示す第１受動部品１０Ａと同様に、６つのアース端子（第１アース端子２４ａ〜第６アース端子２４ｆ）と、入力端子２０と、出力端子２２とが形成されている（図１２において、分かり易くするために斜線を付した）。

具体的には、図１３に示すように、誘電体基板１２は、左から順に、第１誘電体層Ｓ１〜第１２誘電体層Ｓ１２が積み重ねられて構成されている。これらの第１誘電体層Ｓ１〜第１２誘電体層Ｓ１２は、１枚あるいは複数枚の層にて構成される。

誘電体基板１２のうち、第１誘電体層Ｓ１及び第２誘電体層Ｓ２には、上述した穴１９を構成する第１貫通孔３８ａ及び第２貫通孔３８ｂがそれぞれ形成されている。

また、第３誘電体層Ｓ３の一主面に入力接続電極４０と入力電極４２とアース電極４４とが形成され、第４誘電体層Ｓ４の一主面に第１内層アース電極３２ａと接続電極４３とが形成され、第５誘電体層Ｓ５の一主面に第１共振電極３０ａが形成され、第６誘電体層Ｓ６の一主面に第２内層アース電極３２ｂと第１結合調整電極５０ａとが形成され、第７誘電体層Ｓ７の一主面に第２共振電極３０ｂが形成され、第８誘電体層Ｓ８の一主面に第３内層アース電極３２ｃと第２結合調整電極５０ｂとが形成され、第９誘電体層Ｓ９の一主面に第３共振電極３０ｃが形成され、第１０誘電体層Ｓ１０の一主面に出力電極５４が形成されている。

このうち、第１内層アース電極３２ａ〜第３内層アース電極３２ｃは、それぞれ直線状に形成され、誘電体基板１２の上面１４ａに形成された第７アース端子２４ｇと誘電体基板１２の下面１４ｂに形成された第４アース端子２４ｄ〜第６アース端子２４ｆにそれぞれ電気的に接続されている。

また、第１共振電極３０ａ〜第３共振電極３０ｃは、それぞれＴ字状に形成され、そのうち、誘電体基板１２の上下に向かって延びる部分が、誘電体基板１２の上面１４ａに形成された第７アース端子２４ｇと誘電体基板１２の下面１４ｂに形成された第１アース端子２４ａ〜第３アース端子２４ｃにそれぞれ電気的に接続されている。

さらに、第３誘電体層Ｓ３の一主面に形成された入力接続電極４０は、誘電体基板１２の下面１４ｂに形成された入力端子２０に電気的に接続され、入力電極４２は第６ビアホール３４ｆ、接続電極４３及び第７ビアホール３４ｇを介して第１共振電極３０ａに電気的に接続され、アース電極４４は、誘電体基板１２の下面１４ｂに形成された第４アース端子２４ｄに電気的に接続されている。なお、第１０誘電体層Ｓ１０の一主面に形成された出力電極５４は、第４ビアホール３４ｄを介して第３共振電極３０ｃに電気的に接続されている。

従って、第５受動部品１０Ｅの回路構成も、図４に示す回路構成と同様に、入力端子２０とＧＮＤ（グランド）との間に第１減衰極形成素子４６ａが接続され、フィルタ２６の入力（第１接点５２ａ）との間に第２減衰極形成素子４６ｂが接続された構成を有する。もちろん、図７に示す場合と同様に、出力端子２２に第１減衰極形成素子４６ａを並列に接続し、フィルタ２６の出力（第３接点５２ｃ）に第２減衰極形成素子４６ｂを直列に接続するようにしてもよい。

この第５受動部品１０Ｅにおいては、誘電体基板１２の側部に凹部１８（穴１９）を設けるようにしたので、入力端子２０（又は出力端子２２）から第１減衰極形成素子４６ａ及び第２減衰極形成素子４６ｂまでの配線距離を短くすることができ、配線によるロスを効率よく低減することができる。加えて、より急峻な減衰特性を得ることも可能となる。

上述の第５受動部品１０Ｅでは、誘電体基板１２の下面１４ｂに形成されるアース端子として、それぞれ分離された６つのアース端子（第１アース端子２４ａ〜第６アース端子２４ｆ）を形成した例を示したが、その他、図１４に示す第６の実施の形態に係る受動部品（以下、第６受動部品１０Ｆと記す）のように、誘電体基板１２の下面１４ｂのうち、入力端子２０及び出力端子２２を除くほぼ全面に１つのアース端子（第８アース端子２４ｈ）を形成するようにしてもよい。この場合、第１内層アース電極３２ａ〜第３内層アース電極３２ｃの一方の端部（誘電体基板１２の下面側の端部）、第１共振電極３０ａ〜第３共振電極３０ｃの端部（誘電体基板１２の下面側の端部）並びにアース電極４４の端部（誘電体基板の下面側の端部）がそれぞれ第８アース端子２４ｈに電気的に接続される。なお、誘電体基板１２内の電極の配置等は、第５受動部品１０Ｅ（図１３参照）と同様である。

この第６受動部品１０Ｆにおいては、誘電体基板１２の上面１４ａに形成された第７アース端子２４ｇと誘電体基板１２の下面１４ｂに形成された第８アース端子で、誘電体基板１２内の第１共振電極３０ａ〜第３共振電極３０ｃを挟む形になるため、シールド性が良好になるという効果がある。

上述した第５受動部品１０Ｅ及び第６受動部品１０Ｆにおいて、さらなるシールド性を向上させるために、図１３に示す第２誘電体層Ｓ３と第４誘電体層Ｓ４との間と、第１２誘電体層Ｓ１２の裏面にそれぞれ内層アース電極を形成するようにしてもよい。

上述の例では、フィルタ２６の入力側又は出力側に第１減衰極形成素子４６ａ及び第２減衰極形成素子４６ｂを接続した例を示したが、その他、図１５に示す第１の変形例に係る受動部品１０ａのように、フィルタ２６の入力側と出力側にそれぞれ第１減衰極形成素子４６ａ及び第２減衰極形成素子４６ｂを接続するようにしてもよい。

また、上述の例では、２つの減衰極形成素子を接続した例を示したが、その他、３つ以上の減衰極形成素子を接続するようにしてもよい。例えば図１６に示す第２の変形例に係る受動部品１０ｂのように、入力端子２０とフィルタ２６の入力との間に、並列接続された第１減衰極形成素子４６ａと、直列接続された第２減衰極形成素子４６ｂと、並列接続された第１減衰極形成素子４６ａとを有するようにしてもよい。この場合、並列接続された第１減衰極形成素子４６ａの各共振周波数を異ならせることで、低域側の減衰帯域を広くすることができる。

同様に、図１７に示す第３の変形例に係る受動部品１０ｃのように、入力端子２０とフィルタ２６の入力との間に、直列接続された第２減衰極形成素子４６ｂと、並列接続された第１減衰極形成素子４６ａと、直列接続された第２減衰極形成素子４６ｂを有するようにしてもよい。この場合、直列接続された第２減衰極形成素子４６ｂの各共振周波数を異ならせることで、高域側の減衰帯域を広くすることができる。

このように、並列接続する第１減衰極形成素子４６ａの数及び直列接続する第２減衰極形成素子４６ｂの数を増やすことで、低域側及び高域側の減衰帯域をそれぞれ広くとることができる。もちろん、これら第１減衰極形成素子４６ａ及び第２減衰極形成素子４６ｂは、フィルタ２６の出力側に接続するようにしてもよいし、フィルタ２６の入力側のほか、出力側にも接続するようにしてもよい。

また、第１減衰極形成素子４６ａの設置を省略して、フィルタ２６の入力側及び／又は出力側に、第２減衰極形成素子４６ｂを接続するようにしてもよい。

上述した第１受動部品１０Ａ〜第６受動部品１０Ｆ並びに各種変形例において、フィルタ２６の構成として、共振器の多段化、共振電極の複数電極化や折り返し構造も可能である。この場合、通過帯域特性の向上、小型化をさらに図ることができる。

また、上述した例では、誘電体基板１２の下面１４ｂに各種端子を形成するようにしたが、誘電体基板１２の側面にも各種端子を形成することで配線ロスの低減につながる。もちろん、誘電体基板１２の側面のみに各種端子を形成するようにしてもよい。

複数の減衰極形成素子を１チップ化してもよい。この場合、小型化、実装工数の削減を図ることができる。また、減衰極形成素子をフリップチップ実装するようにしてもよい。この場合も、小型化、実装工数の削減を図ることができる。

なお、本発明に係る受動部品は、上述の実施の形態に限らず、本発明の要旨を逸脱することなく、種々の構成を採り得ることはもちろんである。

第１受動部品を一部省略して示す斜視図である。 第１受動部品を一部省略して示す分解斜視図である。 第１受動部品を模式的に示す縦断面図である。 第１受動部品を示す等価回路図である。 比較例の減衰特性（Ｓ（１，２））及び反射特性（Ｓ（１，１））を示す図である。 第１受動部品の減衰特性（Ｓ（１，２））及び反射特性（Ｓ（１，１））を示す図である。 第１受動部品の他の回路構成を示す等価回路図である。 第２受動部品を模式的に示す縦断面図である。 第３受動部品を模式的に示す縦断面図である。 第３受動部品を一部省略して示す分解斜視図である。 第４受動部品を模式的に示す縦断面図である。 第５受動部品を一部省略して示す斜視図である。 第５受動部品を一部省略して示す分解斜視図である。 第６受動部品を一部省略して示す斜視図である。 第１の変形例に係る受動部品を示す等価回路図である。 第２の変形例に係る受動部品を示す等価回路図である。 第３の変形例に係る受動部品を示す等価回路図である。

符号の説明

１０Ａ〜１０Ｆ、１０ａ〜１０ｃ…受動部品
１２…誘電体基板 １８…凹部
１９…穴 ２０…入力端子
２２…出力端子 ２６…フィルタ
２８ａ〜２８ｃ…第１共振器〜第３共振器
３０ａ〜３０ｃ…第１共振電極〜第３共振電極
４２…入力電極
４６ａ、４６ｂ…第１減衰極形成素子、第２減衰極形成素子
５４…出力電極

Claims (14)

1. 複数の誘電体層が積層されて構成された誘電体基板と、
   前記誘電体基板内に形成され、１以上の共振電極を有するフィルタと、
   前記フィルタの減衰特性に減衰極を形成するための１以上の減衰極形成素子とを有することを特徴とする受動部品。
2. 請求項１記載の受動部品において、
   前記誘電体基板に入力端子が形成され、
   前記入力端子と前記フィルタの入力電極との間に、前記１以上の減衰極形成素子が接続されていることを特徴とする受動部品。
3. 請求項１記載の受動部品において、
   前記誘電体基板に出力端子が形成され、
   前記出力端子と前記フィルタの出力電極との間に、前記１以上の減衰極形成素子が接続されていることを特徴とする受動部品。
4. 請求項１記載の受動部品において、
   前記誘電体基板に入力端子及び出力端子が形成され、
   前記入力端子と前記フィルタの入力電極との間と、前記出力端子と前記フィルタの出力電極との間に、それぞれ前記１以上の減衰極形成素子が接続されていることを特徴とする受動部品。
5. 請求項２〜４のいずれか１項に記載の受動部品において、
   前記１以上の減衰極形成素子は、前記入力端子及び／又は出力端子と前記フィルタ間において並列接続あるいは直列接続された第１減衰極形成素子と、直列接続あるいは並列接続された第２減衰極形成素子とを有することを特徴とする受動部品。
6. 請求項２〜４のいずれか１項に記載の受動部品において、
   前記１以上の減衰極形成素子は、前記入力端子及び／又は出力端子と前記フィルタ間において並列接続あるいは直列接続された第１減衰極形成素子と、直列接続あるいは並列接続された第２減衰極形成素子と、並列接続あるいは直列接続された第３減衰極形成素子とを有することを特徴とする受動部品。
7. 請求項５又は６記載の受動部品において、
   前記共振電極を挟むように形成された２以上の内層アース電極を有し、
   前記入力端子及び／又は出力端子と前記フィルタ間において並列接続された減衰極形成素子は、前記内層アース電極に接続されていることを特徴とする受動部品。
8. 請求項１〜７のいずれか１項に記載の受動部品において、
   前記減衰極形成素子は、ＳＡＷ（表面弾性波）素子であることを特徴とする受動部品。
9. 請求項１〜７のいずれか１項に記載の受動部品において、
   前記減衰極形成素子は、ＢＡＷ（バルク弾性波）素子であることを特徴とする受動部品。
10. 請求項８又は９記載の受動部品において、
    前記減衰極形成素子は、前記誘電体基板の上部に実装されていることを特徴とする受動部品。
11. 請求項８又は９記載の受動部品において、
    前記減衰極形成素子は、前記誘電体基板の下部に実装されていることを特徴とする受動部品。
12. 請求項８又は９記載の受動部品において、
    前記減衰極形成素子は、前記誘電体基板の側部に実装されていることを特徴とする受動部品。
13. 請求項１０〜１２のいずれか１項に記載の受動部品において、
    前記減衰極形成素子は、前記誘電体基板に形成された凹部（hollow）に収容されていることを特徴とする受動部品。
14. 請求項１３記載の受動部品において、
    前記凹部は側壁の一部が欠落した切欠き状の凹みであることを特徴とする受動部品。
    
    

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