JPH1070402A - バンドパスフィルタ - Google Patents
バンドパスフィルタInfo
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- JPH1070402A JPH1070402A JP22701196A JP22701196A JPH1070402A JP H1070402 A JPH1070402 A JP H1070402A JP 22701196 A JP22701196 A JP 22701196A JP 22701196 A JP22701196 A JP 22701196A JP H1070402 A JPH1070402 A JP H1070402A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】高周波回路用バンドパスフィルタの通過帯域近
傍の減衰量と、高周波回路用バンドパスフィルタの共振
周波数の２倍、３倍の周波数領域の減衰量を同一のフィ
ルタ電極構造を用いて改善できるバンドパスフィルタを
提供する。 【解決手段】周波数特性における通過帯域の近傍に減衰
極を発生させるバンドパスフィルタであって、通過帯域
よりも高い周波数域で１／２波長型共振回路と位相反転
回路を形成したもので、例えば、通過帯域よりも高い周
波数域で、入出力電極１３Ａ、１３Ｂ、延長電極３３、
３４、内部アース電極２１、２２、外部アース電極３
１、３２およびストリップライン１２Ａ、１２Ｂにより
１／２波長型共振回路を形成するとともに、延長電極３
３、３４およびゼロ点形成用コンデンサ電極１４により
位相反転回路を形成した。
傍の減衰量と、高周波回路用バンドパスフィルタの共振
周波数の２倍、３倍の周波数領域の減衰量を同一のフィ
ルタ電極構造を用いて改善できるバンドパスフィルタを
提供する。 【解決手段】周波数特性における通過帯域の近傍に減衰
極を発生させるバンドパスフィルタであって、通過帯域
よりも高い周波数域で１／２波長型共振回路と位相反転
回路を形成したもので、例えば、通過帯域よりも高い周
波数域で、入出力電極１３Ａ、１３Ｂ、延長電極３３、
３４、内部アース電極２１、２２、外部アース電極３
１、３２およびストリップライン１２Ａ、１２Ｂにより
１／２波長型共振回路を形成するとともに、延長電極３
３、３４およびゼロ点形成用コンデンサ電極１４により
位相反転回路を形成した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、バンドパスフィル
タに関し、特に携帯通信用電話機等の高周波回路無線機
に利用する高周波回路フィルタやデュプレクサ等に使用
されるバンドパスフィルタに関する。
タに関し、特に携帯通信用電話機等の高周波回路無線機
に利用する高周波回路フィルタやデュプレクサ等に使用
されるバンドパスフィルタに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の高周波回路用バンドパスフィルタ
としては、例えば、特開平６−１８８６０９号公報に開
示されようなものが知られている。
としては、例えば、特開平６−１８８６０９号公報に開
示されようなものが知られている。
【０００３】この公報に開示される高周波回路用バンド
パスフィルタは、５層の誘電体層を積層してなるフィル
タ本体の外面に延長電極と、外部アース電極を配置する
とともに、下から１層目および３層目の誘電体層上に外
部アース電極に接続される内部アース電極をそれぞれ配
置し、下から２層目にストリップラインを配置し、下か
ら４層目の誘電体層上に一対のコンデンサ電極を配置
し、これらの一対のコンデンサ電極の間に容量増加用電
極を配置し、下から５層目の誘電体層上に入出力用電極
と内部アース電極を配置してなり、入出力用電極と内部
アース電極が表面に露出して形成されていた。
パスフィルタは、５層の誘電体層を積層してなるフィル
タ本体の外面に延長電極と、外部アース電極を配置する
とともに、下から１層目および３層目の誘電体層上に外
部アース電極に接続される内部アース電極をそれぞれ配
置し、下から２層目にストリップラインを配置し、下か
ら４層目の誘電体層上に一対のコンデンサ電極を配置
し、これらの一対のコンデンサ電極の間に容量増加用電
極を配置し、下から５層目の誘電体層上に入出力用電極
と内部アース電極を配置してなり、入出力用電極と内部
アース電極が表面に露出して形成されていた。
【０００４】このような積層型誘電体フィルタでは、例
えば、周波数特性における共振周波数１．９ＧＨｚの通
過帯域近傍において減衰極を有するため、高周波回路用
バンドパスフィルタとして用いることができる。
えば、周波数特性における共振周波数１．９ＧＨｚの通
過帯域近傍において減衰極を有するため、高周波回路用
バンドパスフィルタとして用いることができる。
【０００５】一方、従来、高周波回路用バンドパスフィ
ルタの共振周波数の２倍、３倍の周波数領域の減衰量を
改善させるために、バンドパスフィルタの共振周波数の
２倍から３倍の共振周波数を持つストリップライン共振
回路を、バンドパスフィルタの共振周波数を持つ共振回
路とは別にチップ内に構成していた。
ルタの共振周波数の２倍、３倍の周波数領域の減衰量を
改善させるために、バンドパスフィルタの共振周波数の
２倍から３倍の共振周波数を持つストリップライン共振
回路を、バンドパスフィルタの共振周波数を持つ共振回
路とは別にチップ内に構成していた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】近年においては、携帯
通信用電話機等の小型化という観点から、積層型フィル
タも小型化が要求されている。しかしながら、従来にお
いては、バンドパスフィルタの共振周波数を持つ共振回
路とは別に、バンドパスフィルタの共振周波数の２倍か
ら３倍の共振周波数を持つストリップライン共振回路
を、チップ内に設けていたため大型化し、フィルタの小
型化が課題となっていた。上記特開平６−１８８６０９
号公報に開示される積層型フィルタも、高周波回路用バ
ンドパスフィルタとして用いるだけであり、バンドパス
フィルタの共振周波数の２倍、３倍の周波数領域の減衰
量を改善させるためには、専用のストリップライン共振
回路を設ける必要があった。
通信用電話機等の小型化という観点から、積層型フィル
タも小型化が要求されている。しかしながら、従来にお
いては、バンドパスフィルタの共振周波数を持つ共振回
路とは別に、バンドパスフィルタの共振周波数の２倍か
ら３倍の共振周波数を持つストリップライン共振回路
を、チップ内に設けていたため大型化し、フィルタの小
型化が課題となっていた。上記特開平６−１８８６０９
号公報に開示される積層型フィルタも、高周波回路用バ
ンドパスフィルタとして用いるだけであり、バンドパス
フィルタの共振周波数の２倍、３倍の周波数領域の減衰
量を改善させるためには、専用のストリップライン共振
回路を設ける必要があった。
【０００７】本発明は、高周波回路用バンドパスフィル
タの通過帯域近傍の減衰量を改善するとともに、例えば
高周波回路用バンドパスフィルタの共振周波数の２倍、
３倍の周波数領域の減衰量を改善でき、且つフィルタの
小型化、低損失化を達成することができるバンドパスフ
ィルタを提供する。
タの通過帯域近傍の減衰量を改善するとともに、例えば
高周波回路用バンドパスフィルタの共振周波数の２倍、
３倍の周波数領域の減衰量を改善でき、且つフィルタの
小型化、低損失化を達成することができるバンドパスフ
ィルタを提供する。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記課題
について鋭意検討した結果、積層型フィルタ内に、１／
２波長型共振回路と位相反転回路を形成することによ
り、高周波回路用バンドパスフィルタの通過帯域近傍の
減衰量と、例えば高周波回路用バンドパスフィルタの共
振周波数の２倍、３倍の周波数領域の減衰量を同一のフ
ィルタ電極構造を用いて改善できることを見出し、本発
明に至った。
について鋭意検討した結果、積層型フィルタ内に、１／
２波長型共振回路と位相反転回路を形成することによ
り、高周波回路用バンドパスフィルタの通過帯域近傍の
減衰量と、例えば高周波回路用バンドパスフィルタの共
振周波数の２倍、３倍の周波数領域の減衰量を同一のフ
ィルタ電極構造を用いて改善できることを見出し、本発
明に至った。
【０００９】即ち、本発明のバンドパスフィルタは、フ
ィルタ本体の外面に形成された延長電極および外部アー
ス電極と、前記延長電極に接続され前記フィルタ本体内
部に形成される入出力電極と、前記外部アース電極に接
続され前記フィルタ本体内部に形成される内部アース電
極と、該内部アース電極を介して異なる誘電体層上にそ
れぞれ形成された１／４波長型共振器を構成する一対の
ストリップラインと、前記入出力電極と誘電体層を介し
て形成されたゼロ点形成用コンデンサ電極とを具備し、
周波数特性における通過帯域の近傍に減衰極を発生させ
るバンドパスフィルタにおいて、前記通過帯域よりも高
い周波数域で、前記入出力電極、前記延長電極、前記内
部アース電極、前記外部アース電極および前記ストリッ
プラインにより１／２波長型共振回路を形成するととも
に、前記延長電極および前記ゼロ点形成用コンデンサ電
極により位相反転回路を形成したものである。
ィルタ本体の外面に形成された延長電極および外部アー
ス電極と、前記延長電極に接続され前記フィルタ本体内
部に形成される入出力電極と、前記外部アース電極に接
続され前記フィルタ本体内部に形成される内部アース電
極と、該内部アース電極を介して異なる誘電体層上にそ
れぞれ形成された１／４波長型共振器を構成する一対の
ストリップラインと、前記入出力電極と誘電体層を介し
て形成されたゼロ点形成用コンデンサ電極とを具備し、
周波数特性における通過帯域の近傍に減衰極を発生させ
るバンドパスフィルタにおいて、前記通過帯域よりも高
い周波数域で、前記入出力電極、前記延長電極、前記内
部アース電極、前記外部アース電極および前記ストリッ
プラインにより１／２波長型共振回路を形成するととも
に、前記延長電極および前記ゼロ点形成用コンデンサ電
極により位相反転回路を形成したものである。
【００１０】また、本発明のバンドパスフィルタは、少
なくとも７層の誘電体層を積層してなるフィルタ本体の
外面に延長電極と、外部アース電極を配置するととも
に、下から１層目および３層目の前記誘電体層上に前記
外部アース電極に接続される内部アース電極をそれぞれ
配置し、下から２層目および４層目の前記誘電体層上に
１／４波長型共振器を構成する一対のストリップライン
をそれぞれ配置し、下から５層目の前記誘電体層上に前
記延長電極に接続される入出力電極を配置し、下から６
層目の前記誘電体層上にゼロ点形成用コンデンサ電極を
配置してなり、周波数特性における通過帯域の近傍に減
衰極を発生させるバンドパスフィルタにおいて、前記通
過帯域よりも高い周波数域で、前記入出力電極、前記延
長電極、前記内部アース電極、前記外部アース電極およ
び前記ストリップラインにより１／２波長型共振回路を
形成するとともに、前記入出力電極および前記ゼロ点形
成用コンデンサ電極により位相反転回路を形成したもの
である。
なくとも７層の誘電体層を積層してなるフィルタ本体の
外面に延長電極と、外部アース電極を配置するととも
に、下から１層目および３層目の前記誘電体層上に前記
外部アース電極に接続される内部アース電極をそれぞれ
配置し、下から２層目および４層目の前記誘電体層上に
１／４波長型共振器を構成する一対のストリップライン
をそれぞれ配置し、下から５層目の前記誘電体層上に前
記延長電極に接続される入出力電極を配置し、下から６
層目の前記誘電体層上にゼロ点形成用コンデンサ電極を
配置してなり、周波数特性における通過帯域の近傍に減
衰極を発生させるバンドパスフィルタにおいて、前記通
過帯域よりも高い周波数域で、前記入出力電極、前記延
長電極、前記内部アース電極、前記外部アース電極およ
び前記ストリップラインにより１／２波長型共振回路を
形成するとともに、前記入出力電極および前記ゼロ点形
成用コンデンサ電極により位相反転回路を形成したもの
である。
【００１１】即ち、本発明のバンドパスフィルタは、周
波数特性における通過帯域の近傍に減衰極を発生させる
バンドパスフィルタであって、前記通過帯域よりも高い
周波数域で１／２波長型共振回路と位相反転回路を形成
し、通過帯域よりも高い周波数域で減衰極を発生させる
ものである。
波数特性における通過帯域の近傍に減衰極を発生させる
バンドパスフィルタであって、前記通過帯域よりも高い
周波数域で１／２波長型共振回路と位相反転回路を形成
し、通過帯域よりも高い周波数域で減衰極を発生させる
ものである。
【００１２】
【作用】本発明のバンドパスフィルタでは、周波数特性
における通過帯域よりも高い周波数域で減衰極を発生さ
せる１／２波長型共振回路と位相反転回路を形成したの
で、従来のように、バンドパスフィルタの共振周波数を
持つストリップライン共振回路とは別個にストリップラ
インを設けることなく、バンドパスフィルタの通過帯域
近傍に減衰極を発生させるとともに、通過帯域よりも高
い周波数域で第３、第４の減衰極が発生し、バンドパス
フィルタの共振周波数の２倍、３倍の周波数域の減衰量
が大きくとれ、且つ低損失なフィルタが得られる。
における通過帯域よりも高い周波数域で減衰極を発生さ
せる１／２波長型共振回路と位相反転回路を形成したの
で、従来のように、バンドパスフィルタの共振周波数を
持つストリップライン共振回路とは別個にストリップラ
インを設けることなく、バンドパスフィルタの通過帯域
近傍に減衰極を発生させるとともに、通過帯域よりも高
い周波数域で第３、第４の減衰極が発生し、バンドパス
フィルタの共振周波数の２倍、３倍の周波数域の減衰量
が大きくとれ、且つ低損失なフィルタが得られる。
【００１３】
【実施例】本発明のバンドパスフィルタの一実施例の模
式展開図を図１に、このバンドパスフィルタの斜視図を
図２に、断面図を図３に示す。
式展開図を図１に、このバンドパスフィルタの斜視図を
図２に、断面図を図３に示す。
【００１４】本発明のバンドパスフィルタは、図１に示
すように、７層の誘電体層１〜７からなり、下から１層
目および３層目の誘電体層１、３の上面には内部アース
電極２１、２２が形成されている。また、下から２層目
の誘電体層２には１／４波長型ストリップライン共振器
の一部を構成するストリップライン１１Ａ、１１Ｂが形
成され、下から４層目の誘電体層４の上面には１／４波
長型ストリップライン共振器の一部を構成するストリッ
プライン１２Ａ、１２Ｂが形成されている。さらに下か
ら５層目の誘電体層５の上面には入出力電極１３Ａ、１
３Ｂが形成され、下から６層目の誘電体層６の上面には
ゼロ点形成用コンデンサ電極１４が形成されている。
すように、７層の誘電体層１〜７からなり、下から１層
目および３層目の誘電体層１、３の上面には内部アース
電極２１、２２が形成されている。また、下から２層目
の誘電体層２には１／４波長型ストリップライン共振器
の一部を構成するストリップライン１１Ａ、１１Ｂが形
成され、下から４層目の誘電体層４の上面には１／４波
長型ストリップライン共振器の一部を構成するストリッ
プライン１２Ａ、１２Ｂが形成されている。さらに下か
ら５層目の誘電体層５の上面には入出力電極１３Ａ、１
３Ｂが形成され、下から６層目の誘電体層６の上面には
ゼロ点形成用コンデンサ電極１４が形成されている。
【００１５】そして、上記内部アース電極等が形成され
た７層の誘電体層１〜７からなるフィルタ本体１５の側
面には、図２に示すように、一対の外部アース電極３
１、３２が形成されており、この外部アース電極３１、
３２は内部アース電極２１、２２と接続されている。ま
た、外部アース電極３１、３２が形成されていないフィ
ルタ本体１５の側面には一対の延長電極３３、３４が形
成されており、これらの延長電極３３、３４はそれぞれ
入出力電極１３Ａ、１３Ｂに接続されている。さらに、
図３に示すように、内部アース電極２２に接続すること
なく、ストリップライン１１Ａ、１２Ａがビア４１によ
り接続され、ストリップライン１１Ｂ、１２Ｂがビア４
２により接続されている。
た７層の誘電体層１〜７からなるフィルタ本体１５の側
面には、図２に示すように、一対の外部アース電極３
１、３２が形成されており、この外部アース電極３１、
３２は内部アース電極２１、２２と接続されている。ま
た、外部アース電極３１、３２が形成されていないフィ
ルタ本体１５の側面には一対の延長電極３３、３４が形
成されており、これらの延長電極３３、３４はそれぞれ
入出力電極１３Ａ、１３Ｂに接続されている。さらに、
図３に示すように、内部アース電極２２に接続すること
なく、ストリップライン１１Ａ、１２Ａがビア４１によ
り接続され、ストリップライン１１Ｂ、１２Ｂがビア４
２により接続されている。
【００１６】上記したストリップライン１１Ａ、１１
Ｂ、及びビア４１、４２は、共振周波数域（通過帯域）
においては、図４に示す等価回路の共振器の共振回路用
インダクタンス５１、５２を、ストリップライン１２
Ａ、１２Ｂは共振回路用コンデンサ５３、５４を形成す
る。また、ストリップライン１１Ａ、１２Ａとからなる
共振器と、ストリップライン１１Ｂ、１２Ｂは磁気結合
により結合させる。なお共振器のＱを大きく取るため
に、ストリップライン１１Ａ、１１Ｂと内部アース電極
２１、２２との間隔を５００μｍ以上、即ち、誘電体層
２、３の厚みを５００μｍ以上とすることが望ましい。
Ｂ、及びビア４１、４２は、共振周波数域（通過帯域）
においては、図４に示す等価回路の共振器の共振回路用
インダクタンス５１、５２を、ストリップライン１２
Ａ、１２Ｂは共振回路用コンデンサ５３、５４を形成す
る。また、ストリップライン１１Ａ、１２Ａとからなる
共振器と、ストリップライン１１Ｂ、１２Ｂは磁気結合
により結合させる。なお共振器のＱを大きく取るため
に、ストリップライン１１Ａ、１１Ｂと内部アース電極
２１、２２との間隔を５００μｍ以上、即ち、誘電体層
２、３の厚みを５００μｍ以上とすることが望ましい。
【００１７】入出力電極１３Ａ、１３Ｂと誘電体層４の
主面に形成された１／４波長型共振器のストリップライ
ン１２Ａ、１２Ｂ間で、図４に示す入出力結合コンデン
サ５５、５６が形成され、入出力電極１３Ａ、１３Ｂと
ゼロ点形成用コンデンサ電極１４によりゼロ点形成用コ
ンデンサ５７が形成される。
主面に形成された１／４波長型共振器のストリップライ
ン１２Ａ、１２Ｂ間で、図４に示す入出力結合コンデン
サ５５、５６が形成され、入出力電極１３Ａ、１３Ｂと
ゼロ点形成用コンデンサ電極１４によりゼロ点形成用コ
ンデンサ５７が形成される。
【００１８】そして、周波数特性における通過帯域より
も高い周波数域においては、１／２波長型共振回路と位
相反転回路が形成されるように、入出力電極１３Ａ、１
３Ｂ、延長電極３３、３４、内部アース電極２１、２
２、外部アース電極３１、３２およびストリップライン
１２Ａ、１２Ｂ、ゼロ点形成用コンデンサ電極１４が調
整されている。
も高い周波数域においては、１／２波長型共振回路と位
相反転回路が形成されるように、入出力電極１３Ａ、１
３Ｂ、延長電極３３、３４、内部アース電極２１、２
２、外部アース電極３１、３２およびストリップライン
１２Ａ、１２Ｂ、ゼロ点形成用コンデンサ電極１４が調
整されている。
【００１９】即ち、１／２波長型共振回路と位相反転回
路による減衰極が中心周波数（共振周波数）の２倍、３
倍付近にくるように、入出力電極１３Ａ、１３Ｂの幅、
長さ、入出力電極１３Ａ、１３Ｂとストリップライン１
２Ａ、１２Ｂとの距離（誘電体層５の厚み）、ストリッ
プライン１２Ａ、１２Ｂの幅、長さ、ストリップライン
１２Ａ、１２Ｂと内部アース電極２２との距離（誘電体
層４の厚み）を調整し、さらに、位相回路を形成する容
量を調整するためにゼロ点形成用コンデンサ電極１４の
幅、長さ、ゼロ点形成用コンデンサ電極１４と入出力電
極１３Ａ、１３Ｂとの距離（誘電体層６の厚み）を調整
する。上記パラメータについて、通過帯域よりも高い周
波数域において１／２波長型共振回路と位相反転回路が
形成されるように、電磁場解析等を用いて決定する。
路による減衰極が中心周波数（共振周波数）の２倍、３
倍付近にくるように、入出力電極１３Ａ、１３Ｂの幅、
長さ、入出力電極１３Ａ、１３Ｂとストリップライン１
２Ａ、１２Ｂとの距離（誘電体層５の厚み）、ストリッ
プライン１２Ａ、１２Ｂの幅、長さ、ストリップライン
１２Ａ、１２Ｂと内部アース電極２２との距離（誘電体
層４の厚み）を調整し、さらに、位相回路を形成する容
量を調整するためにゼロ点形成用コンデンサ電極１４の
幅、長さ、ゼロ点形成用コンデンサ電極１４と入出力電
極１３Ａ、１３Ｂとの距離（誘電体層６の厚み）を調整
する。上記パラメータについて、通過帯域よりも高い周
波数域において１／２波長型共振回路と位相反転回路が
形成されるように、電磁場解析等を用いて決定する。
【００２０】このようなバンドパスフィルタでは、共振
周波数よりも高い周波数域においては、電磁場が入出力
電極１３Ａ、１３Ｂに集中するため、入出力電極１３
Ａ、１３Ｂと延長電極３３、３４により図５に示す等価
回路の共振器の直列共振回路用インダクタンス５８、５
９が、入出力電極１３Ａ、１３Ｂと誘電体層４の主面に
形成されたストリップライン１２Ａ、１２Ｂ、内部アー
ス電極２２間で図５に示す直列共振回路用コンデンサ６
０、６１が、入出力電極１３Ａ、１３Ｂとゼロ点形成用
コンデンサ電極１４によりゼロ点形成用コンデンサ６２
が形成される。また、入出力電極１３Ａ、１３Ｂは磁気
結合Ｍにより結合される。
周波数よりも高い周波数域においては、電磁場が入出力
電極１３Ａ、１３Ｂに集中するため、入出力電極１３
Ａ、１３Ｂと延長電極３３、３４により図５に示す等価
回路の共振器の直列共振回路用インダクタンス５８、５
９が、入出力電極１３Ａ、１３Ｂと誘電体層４の主面に
形成されたストリップライン１２Ａ、１２Ｂ、内部アー
ス電極２２間で図５に示す直列共振回路用コンデンサ６
０、６１が、入出力電極１３Ａ、１３Ｂとゼロ点形成用
コンデンサ電極１４によりゼロ点形成用コンデンサ６２
が形成される。また、入出力電極１３Ａ、１３Ｂは磁気
結合Ｍにより結合される。
【００２１】図５に示す等価回路のコンデンサ６０、イ
ンダクタ５８及びコンデンサ６１、インダクタ５９によ
り１／２波長型共振回路を、磁気結合Ｍを大きくとるこ
とにより、またコンデンサ６２の容量を小さくとること
により位相反転回路を形成することが可能となり、通過
帯域よりも高い周波数側に２つ以上の極を形成すること
ができる。なお、磁器結合Ｍ、コンデンサ６２の容量の
値を変えることにより、２つの減衰極を交差させ、なだ
らかな減衰領域を形成してもよい。
ンダクタ５８及びコンデンサ６１、インダクタ５９によ
り１／２波長型共振回路を、磁気結合Ｍを大きくとるこ
とにより、またコンデンサ６２の容量を小さくとること
により位相反転回路を形成することが可能となり、通過
帯域よりも高い周波数側に２つ以上の極を形成すること
ができる。なお、磁器結合Ｍ、コンデンサ６２の容量の
値を変えることにより、２つの減衰極を交差させ、なだ
らかな減衰領域を形成してもよい。
【００２２】図６は、本実施例の電磁場シミュレーショ
ンによる周波数特性を示したもので、この図６に示す周
波数特性より、第３、第４の減衰極がバンドパスフィル
タの通過帯域よりも高い周波数域に形成されることが判
る。即ち、本発明のバンドパスフィルタでは、通過帯域
よりも高い周波数域で減衰極を発生させる１／２波長型
共振回路と位相反転回路を形成したので、バンドパスフ
ィルタの通過帯域近傍に減衰極を発生させることができ
るとともに、従来のように、バンドパスフィルタの共振
周波数を持つストリップライン共振回路とは別個にスト
リップラインを設けることなく、通過帯域よりも高い周
波数域で第３、第４の減衰極が発生し、バンドパスフィ
ルタの共振周波数の２倍、３倍の周波数域の減衰量が大
きくとれ、且つ低損失なフィルタを得ることができる。
ンによる周波数特性を示したもので、この図６に示す周
波数特性より、第３、第４の減衰極がバンドパスフィル
タの通過帯域よりも高い周波数域に形成されることが判
る。即ち、本発明のバンドパスフィルタでは、通過帯域
よりも高い周波数域で減衰極を発生させる１／２波長型
共振回路と位相反転回路を形成したので、バンドパスフ
ィルタの通過帯域近傍に減衰極を発生させることができ
るとともに、従来のように、バンドパスフィルタの共振
周波数を持つストリップライン共振回路とは別個にスト
リップラインを設けることなく、通過帯域よりも高い周
波数域で第３、第４の減衰極が発生し、バンドパスフィ
ルタの共振周波数の２倍、３倍の周波数域の減衰量が大
きくとれ、且つ低損失なフィルタを得ることができる。
【００２３】
【発明の効果】本発明のバンドパスフィルタは、複数の
共振周波数それぞれに対応するストリップライン共振回
路を設けることなく、バンドパスフィルタの一つの共振
周波数に対する回路のみで通過帯域近傍に減衰極を発生
できるとともに、通過帯域よりも高い周波数側に第３、
第４の減衰極を発生させることができ、バンドパスフィ
ルタの共振周波数の２倍、３倍の周波数域の減衰量を大
きくとることができ、且つ低損失なフィルタを形成する
ことができる。
共振周波数それぞれに対応するストリップライン共振回
路を設けることなく、バンドパスフィルタの一つの共振
周波数に対する回路のみで通過帯域近傍に減衰極を発生
できるとともに、通過帯域よりも高い周波数側に第３、
第４の減衰極を発生させることができ、バンドパスフィ
ルタの共振周波数の２倍、３倍の周波数域の減衰量を大
きくとることができ、且つ低損失なフィルタを形成する
ことができる。
【図１】本発明のバンドパスフィルタの一実施例を示す
模式展開図である。
模式展開図である。
【図２】本発明のバンドパスフィルタを示す斜視図であ
る。
る。
【図３】本発明のバンドパスフィルタの断面図である。
【図４】図１に示すバンドパスフィルタの通過帯域にお
ける等価回路図である。
ける等価回路図である。
【図５】図１に示すバンドパスフィルタの通過帯域より
も高い周波数帯域における等価回路図である。
も高い周波数帯域における等価回路図である。
【図６】図１のバンドパスフィルタの電磁場シミュレー
ションによる周波数特性のグラフである。
ションによる周波数特性のグラフである。
１〜７・・・誘電体層 １１Ａ、１１Ｂ、１２Ａ、１２Ｂ・・・ストリップライ
ン ４１、４２・・・ビア １３Ａ、１３Ｂ・・・入出力電極 １４・・・ゼロ点形成用コンデンサ電極 ２１、２２・・・内部アース電極 ３１、３２・・・外部アース電極 ３３、３４・・・延長電極 ５１、５２・・・共振回路用インダクタ ５３、５４・・・共振回路用コンデンサ ５５、５６・・・入出力結合コンデンサ ５７、６２・・・ゼロ点形成用コンデンサ ５８、５９・・・直列共振回路用インダクタ ６０、６１・・・直列共振回路用コンデンサ
ン ４１、４２・・・ビア １３Ａ、１３Ｂ・・・入出力電極 １４・・・ゼロ点形成用コンデンサ電極 ２１、２２・・・内部アース電極 ３１、３２・・・外部アース電極 ３３、３４・・・延長電極 ５１、５２・・・共振回路用インダクタ ５３、５４・・・共振回路用コンデンサ ５５、５６・・・入出力結合コンデンサ ５７、６２・・・ゼロ点形成用コンデンサ ５８、５９・・・直列共振回路用インダクタ ６０、６１・・・直列共振回路用コンデンサ
Claims (2)
- 【請求項１】フィルタ本体の外面に形成された延長電極
および外部アース電極と、前記延長電極に接続され前記
フィルタ本体内部に形成される入出力電極と、前記外部
アース電極に接続され前記フィルタ本体内部に形成され
る内部アース電極と、該内部アース電極を介して異なる
誘電体層上にそれぞれ形成された１／４波長型共振器を
構成する一対のストリップラインと、前記入出力電極と
誘電体層を介して形成されたゼロ点形成用コンデンサ電
極とを具備し、周波数特性における通過帯域の近傍に減
衰極を発生させるバンドパスフィルタにおいて、前記通
過帯域よりも高い周波数域で、前記入出力電極、前記延
長電極、前記内部アース電極、前記外部アース電極およ
び前記ストリップラインにより１／２波長型共振回路を
形成するとともに、前記延長電極および前記ゼロ点形成
用コンデンサ電極により位相反転回路を形成したことを
特徴とするバンドパスフィルタ。 - 【請求項２】少なくとも７層の誘電体層を積層してなる
フィルタ本体の外面に延長電極と、外部アース電極を配
置するとともに、下から１層目および３層目の前記誘電
体層上に前記外部アース電極に接続される内部アース電
極をそれぞれ配置し、下から２層目および４層目の前記
誘電体層上に１／４波長型共振器を構成する一対のスト
リップラインをそれぞれ配置し、下から５層目の前記誘
電体層上に前記延長電極に接続される入出力電極を配置
し、下から６層目の前記誘電体層上にゼロ点形成用コン
デンサ電極を配置してなり、周波数特性における通過帯
域の近傍に減衰極を発生させるバンドパスフィルタにお
いて、前記通過帯域よりも高い周波数域で、前記入出力
電極、前記延長電極、前記内部アース電極、前記外部ア
ース電極および前記ストリップラインにより１／２波長
型共振回路を形成するとともに、前記入出力電極および
前記ゼロ点形成用コンデンサ電極により位相反転回路を
形成したことを特徴とするバンドパスフィルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22701196A JPH1070402A (ja) | 1996-08-28 | 1996-08-28 | バンドパスフィルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22701196A JPH1070402A (ja) | 1996-08-28 | 1996-08-28 | バンドパスフィルタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1070402A true JPH1070402A (ja) | 1998-03-10 |
Family
ID=16854124
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22701196A Pending JPH1070402A (ja) | 1996-08-28 | 1996-08-28 | バンドパスフィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1070402A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7099645B2 (en) | 2001-12-25 | 2006-08-29 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Multilayer LC filter |
| WO2008023769A1 (fr) * | 2006-08-23 | 2008-02-28 | Ngk Insulators, Ltd. | Composant passif |
-
1996
- 1996-08-28 JP JP22701196A patent/JPH1070402A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7099645B2 (en) | 2001-12-25 | 2006-08-29 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Multilayer LC filter |
| WO2008023769A1 (fr) * | 2006-08-23 | 2008-02-28 | Ngk Insulators, Ltd. | Composant passif |
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