JP2003198207A

JP2003198207A - 共用器

Info

Publication number: JP2003198207A
Application number: JP2001396529A
Authority: JP
Inventors: Yasuhiko Mizutani; 靖彦水谷; Hironobu Saka; 太伸阪; Takami Hirai; 隆己平井
Original assignee: NGK Insulators Ltd; Soshin Electric Co Ltd
Current assignee: NGK Insulators Ltd; Soshin Electric Co Ltd
Priority date: 2001-12-27
Filing date: 2001-12-27
Publication date: 2003-07-11

Abstract

(57)【要約】【課題】フィルタの減衰特性に先鋭度をもたせるように
して、設計通りの減衰特性を得られるようにし、所望の
特性を得るための後調整を簡単にする。【解決手段】中心周波数の異なる２種類のフィルタ（受
信側フィルタ１４及び送信側フィルタ１６）と、それぞ
れのフィルタ１４及び１６が共用する入出力端子（この
場合、アンテナ１０４に接続される入出力端子）から見
た他方のフィルタの中心周波数におけるインピーダンス
が無限大になるようにした分波回路２０とを有し、更
に、各フィルタ１４及び１６と分波回路２０の間に、減
衰特性を先鋭化させる回路１０８及び１１０を挿入接続
して構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、共用器に関し、特
に、１つのアンテナを送信側と受信側とで共用し、送信
信号と受信信号とを分離する機能を有する共用器に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】一般に、共用器は、１つのアンテナを送
信と受信とで共用し、送信信号と受信信号を分離する機
能を有する。この特性を満足させるためには、送信側フ
ィルタと受信側フィルタが共用する入出力端子であるア
ンテナから見た他方のフィルタの中心周波数におけるイ
ンピーダンスが無限大となるようにして、互いのフィル
タの通過特性を妨げないようにする必要がある。

【０００３】そこで、従来から分波回路を２つのフィル
タの接続部分に挿入することが行われている。この分波
回路の構成としては、所定の電気長をもった伝送線路を
挿入する方法があるが、容量やコイル等の集中定数素子
を使用するのが一般的である。

【０００４】現在では、集中定数素子とフィルタを誘電
体基板内に一体的に形成することによって小型化を図る
ようにしている（例えば、特開平６−１１２７３５号公
報、特開平７−３１２５０３号公報参照）。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
セラミックシートを積層して形成される従来の共用器に
おいては、小型化は可能であるが、減衰特性を急峻にす
るために、例えばストリップライン共振器を用いた場
合、該ストリップライン共振器の無負荷Ｑが低いため、
共用器の特性（挿入損失）が劣化するおそれがある。

【０００６】本発明はこのような課題を考慮してなされ
たものであり、フィルタの減衰特性に先鋭度をもたせ
て、通過帯域近傍に減衰極を設けることができ、低損失
な共用器を提供することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は、中心周波数の
異なる２種類のフィルタと、それぞれのフィルタが共用
する入出力端子から見た他方のフィルタの中心周波数に
おけるインピーダンスが無限大になるようにした分波回
路とを有する共用器において、前記各フィルタと前記分
波回路の間に、減衰特性を先鋭化させる回路が挿入接続
されていることを特徴とする。

【０００８】これにより、フィルタの減衰特性に先鋭度
をもたせることが可能となり、低損失な共用器とするこ
とができる。

【０００９】そして、前記各フィルタがそれぞれストリ
ップライン共振器を有する場合に、前記減衰特性を先鋭
化させる回路は、前記ストリップライン共振器よりも無
負荷Ｑが高い回路で構成されていることが好ましい。

【００１０】減衰特性を先鋭化させると、フィルタの挿
入損失がより悪化するおそれがあるが、この発明では、
ストリップライン共振器よりも無負荷Ｑが高い回路を挿
入接続するようにしているため、フィルタの挿入損失の
悪化を抑制することができ、減衰特性の向上と、挿入損
失の悪化抑制を両立させることができる。

【００１１】また、少なくとも前記分波回路が誘電体基
板中に形成される場合に、前記誘電体基板の少なくとも
１つの面に穴を設け、該穴内に前記減衰特性を先鋭化さ
せる回路を設置するようにしてもよい。

【００１２】あるいは、少なくとも前記各フィルタがそ
れぞれ個別の誘電体基板あるいは１つの誘電体基板中に
形成される場合に、前記誘電体基板の少なくとも１つの
面に穴を設け、該穴内に前記減衰特性を先鋭化させる回
路を設置するようにしてもよい。

【００１３】また、前記各フィルタと前記分波回路とが
１つの誘電体基板中に一体的に形成される場合に、前記
誘電体基板の少なくとも１つの面に穴を設け、該穴内に
前記減衰特性を先鋭化させる回路を設置するようにして
もよい。

【００１４】前記減衰特性を先鋭化させる回路として
は、例えば弾性表面波素子による共振器を用いることが
できる。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る共用器の実施
の形態例を図１〜図８を参照しながら説明する。

【００１６】この共用器１０は、図１に示すように、中
心周波数の異なる２種類のフィルタ（受信側フィルタ１
４及び送信側フィルタ１６）と、それぞれのフィルタ１
４及び１６が共用する入出力端子（この場合、アンテナ
１０４に接続される入出力端子）から見た他方のフィル
タの中心周波数におけるインピーダンスが無限大になる
ようにした分波回路２０とを有し、更に、各フィルタ１
４及び１６と分波回路２０の間に、減衰特性を先鋭化さ
せる回路１０８及び１１０が挿入接続されて構成されて
いる。

【００１７】前記減衰特性を先鋭化させる回路１０８及
び１１０は、各フィルタ１４及び１６がそれぞれストリ
ップライン共振器を有する場合に、該ストリップライン
共振器よりも無負荷Ｑが高い回路、例えばＳＡＷ素子
（弾性表面波素子）による共振器で構成することができ
る。

【００１８】ここで、１つの実験例を示す。この実験例
は、比較例と実施例についての減衰特性をみたものであ
る。

【００１９】比較例は、図２に示すように、容量とイン
ダクタンスとの組合せで構成される分波回路２０と、該
分波回路２０と受信側出力端子２２間に接続されたバン
ドパスフィルタ１１４と、前記分波回路２０と送信側入
力端子２４間に接続されたローパスフィルタ１１８とを
有し、各フィルタ１１４及び１１８には、ストリップラ
インによる共振器が内層されている。

【００２０】実施例は、図１に示すように、容量とイン
ダクタンスとの組合せで構成される上述した分波回路２
０と、該分波回路２０と受信側出力端子２２間に接続さ
れたバンドパスフィルタ１１４と、前記分波回路２０と
送信側入力端子２４間に接続されたローパスフィルタ１
１８と、前記分波回路２０とバンドパスフィルタ１１４
間に接続されたＳＡＷ素子による第１の共振器１２０
と、前記分波回路２０とローパスフィルタ１１８間に接
続されたＳＡＷ素子による第２の共振器１２２とを有す
る。

【００２１】実験結果を図３に示す。この図３におい
て、比較例の減衰特性を破線Ａ及びＢで示し、実施例の
減衰特性を実線Ｃ及びＤで示す。

【００２２】この実験結果から、実施例及び比較例の減
衰特性は共に、通過帯域近傍に減衰極（図３上、Ｅ部、
Ｆ部、Ｇ部、Ｈ部を参照）が形成されている。この現象
は、比較例においては、各フィルタ１１４及び１１８に
内層されたストリップラインの共振器によるもので、実
施例においては、前記ＳＡＷ素子の第１及び第２の共振
器１２０及び１２２によるものである。

【００２３】ところで、減衰極を設ける方法としては、
比較例のように、例えばフィルタ内に減衰極形成用のス
トリップラインや共振器を内層（内蔵）することで実現
することができるが、一般にフィルタの挿入損失がより
悪化するおそれがある。

【００２４】これは、図３にも示すように、比較例にお
ける通過帯域のレベル（破線Ａ及びＢ参照）は、実施例
のレベル（実線Ｃ及びＤ参照）よりも低くなっており、
挿入損失による影響を受けていることがわかる。

【００２５】換言すれば、本実施の形態に係る共用器１
０においては、減衰極形成用の第１及び第２の共振器１
２０及び１２２として無負荷Ｑの高いＳＡＷ素子を使用
するようにしているため、上述のように新たな減衰極の
形成に伴うフィルタの挿入損失の悪化を抑制することが
でき、減衰特性の向上と、挿入損失の悪化抑制を両立さ
せることができる。つまり、低損失の共用器１０とする
ことができる。

【００２６】次に、本実施の形態に係る共用器１０の具
体例について図４〜図８を参照しながら説明する。

【００２７】第１の具体例に係る共用器１０Ａは、図４
に示すように、複数枚の板状の誘電体層が積層、焼成さ
れて構成された誘電体基板１２内に、中心周波数の異な
る受信側フィルタ１４（この場合、バンドパスフィル
タ）及び送信側フィルタ１６（この場合、バンドパスフ
ィルタ）と、分波回路２０とを有して構成され、特に、
この第１の具体例に係る共用器１０Ａは、前記誘電体基
板１２の上部に分波回路２０が配置され、誘電体基板１
２の下部に受信側フィルタ１４と送信側フィルタ１６が
配置されている。また、誘電体基板１２の上面には、穴
１３０が設けられ、該穴１３０内にそれぞれＳＡＷ素子
による第１及び第２の共振器１２０及び１２２が収容さ
れている。

【００２８】前記受信側フィルタ１４と送信側フィルタ
１６は、前記誘電体基板１２の下部において、横方向に
並べられ、この第１の具体例では、受信側フィルタ１４
が左側に配置され、送信側フィルタ１６が右側に配置さ
れた例を示している。

【００２９】更に、この第１の具体例に係る共用器１０
Ａの構成について図４及び図５を参照しながら詳細に説
明する。

【００３０】誘電体基板１２は、図５に示すように、上
から順に、第１〜第１２の誘電体層Ｓ１〜Ｓ１２が積み
重ねられて構成されている。これら第１〜第１２の誘電
体層Ｓ１〜Ｓ１２は１枚あるいは複数枚の層にて構成さ
れる。

【００３１】また、図４に示すように、誘電体基板１２
の外周面のうち、例えばその左側面に受信側出力端子２
２が形成され、右側面に送信側入力端子２４が形成さ
れ、正面に共用の入出力端子１８が形成され、これら各
種端子を除く全面にアース電極２６が形成されている。
もちろん、これら各種端子とアース電極２６との間に
は、絶縁をとるための領域が確保されている。

【００３２】そして、この第１の具体例に係る共用器１
０Ａにおいては、図５に示すように、第１０の誘電体層
Ｓ１０の一主面に受信側の３本の共振素子（第１〜第３
の共振素子３０ａ〜３０ｃ）と、送信側の３本の共振素
子（第１〜第３の共振素子３２ａ〜３２ｃ）がそれぞれ
平行に形成されている。これら共振素子３０ａ〜３０ｃ
並びに３２ａ〜３２ｃは、各一方の端部が開放とされ、
各他方の端部がアース電極２６に短絡されている。

【００３３】前記第１０の誘電体層Ｓ１０の下層に位置
する第１１の誘電体層Ｓ１１の一主面には、受信側の出
力用電極３４と送信側の入力用電極３６とが形成されて
いる。受信側の出力用電極３４は、一端が受信側出力端
子２２（図４参照）に接続され、かつ、前記受信側の第
１の共振素子３０ａと容量結合されるように形成されて
いる。送信側の入力用電極３６は、一端が送信側入力端
子２４（図４参照）に接続され、かつ、前記送信側の第
３の共振素子３２ｃと容量結合されるように形成されて
いる。

【００３４】また、前記第１１の誘電体層Ｓ１１の一主
面には、アース電極２６、受信側出力端子２２、送信側
入力端子２４等に対して電位的にフローティング状態と
された２つの結合調整電極（受信側の第１の結合調整電
極３８と、送信側の第１の結合調整電極４０）が形成さ
れている。

【００３５】受信側の第１の結合調整電極３８は、受信
側の第２の共振素子３０ｂに対向する第１の電極本体３
８ａと受信側の第３の共振素子３０ｃに対向する第２の
電極本体３８ｂとが、その間に形成されたリード電極３
８ｃによって電気的に接続された形状を有する。

【００３６】送信側の第１の結合調整電極４０は、送信
側の第１の共振素子３２ａに対向する第１の電極本体４
０ａと送信側の第２の共振素子３２ｂに対向する第２の
電極本体４０ｂとが、その間に形成されたリード電極４
０ｃによって電気的に接続された形状を有する。

【００３７】また、前記第１１の誘電体層Ｓ１１の一主
面には、受信側の３本の共振素子３０ａ〜３０ｃの各開
放端に対向してそれぞれ３つの内層アース電極４２ａ〜
４２ｃが形成され、送信側の３本の共振素子３２ａ〜３
２ｃの各開放端に対向してそれぞれ３つの内層アース電
極４４ａ〜４４ｃが形成されている。

【００３８】前記第１０の誘電体層Ｓ１０の上層に位置
する第９の誘電体層Ｓ９の一主面には、受信側の入力用
電極４６と送信側の出力用電極４８とが形成されてい
る。受信側の入力用電極４６は、一端がスルーホール５
０を通じて上層（第６の誘電体層Ｓ６）に形成された分
波回路２０における受信側のリード電極５２に接続さ
れ、かつ、前記受信側の第３の共振素子３０ｃと容量結
合されるように形成されている。送信側の出力用電極４
８は、一端がスルーホール５４を通じて上層（第６の誘
電体層Ｓ６）に形成された分波回路２０における送信側
のリード電極５６に接続され、かつ、前記送信側の第１
の共振素子３２ａと容量結合されるように形成されてい
る。

【００３９】また、前記第９の誘電体層Ｓ９の一主面に
は、アース電極２６、受信側出力端子２２、送信側入力
端子２４等に対して電位的にフローティング状態とされ
た２つの結合調整電極（受信側の第２の結合調整電極５
８と、送信側の第２の結合調整電極６０）が形成されて
いる。

【００４０】受信側の第２の結合調整電極５８は、受信
側の第１の共振素子３０ａに対向する第１の電極本体５
８ａと受信側の第２の共振素子３０ｂに対向する第２の
電極本体５８ｂとが、その間に形成されたリード電極５
８ｃによって電気的に接続された形状を有する。

【００４１】送信側の第２の結合調整電極６０は、送信
側の第２の共振素子３２ｂに対向する第１の電極本体６
０ａと送信側の第３の共振素子３２ｃに対向する第２の
電極本体６０ｂとが、その間に形成されたリード電極６
０ｃによって電気的に接続された形状を有する。

【００４２】また、前記第９の誘電体層Ｓ９の一主面に
は、受信側の３本の共振素子３０ａ〜３０ｃの各開放端
に対向してそれぞれ３つの内層アース電極６２ａ〜６２
ｃが形成され、送信側の３本の共振素子３２ａ〜３２ｃ
の各開放端に対向してそれぞれ３つの内層アース電極６
４ａ〜６４ｃが形成されている。

【００４３】次に、分波回路２０についてみると、ま
ず、第８の誘電体層Ｓ８の一主面には、受信側出力端子
２２、送信側入力端子２４、共用の入出力端子１８並び
にスルーホール５０及び５４を除く全面にアース電極６
６が形成されている。もちろん、受信側出力端子２２、
送信側入力端子２４、共用の入出力端子１８並びにスル
ーホール５０及び５４とアース電極６６との間には、絶
縁をとるための領域が確保されている。このアース電極
６６は、各フィルタ１４及び１６を構成している電極と
分波回路２０を構成している電極間の不要な結合を抑制
する効果がある。第６の誘電体層Ｓ６の一主面には、一
端に共用の入出力端子１８が接続され、第８の誘電体層
Ｓ８の一主面に形成されたアース電極６６と容量を形成
するための第１の電極７０が形成されている。

【００４４】この第１の電極７０の左側には、ストリッ
プラインの蛇行引回しによる第１のコイル７２が形成、
接続され、この第１のコイル７２の他端とスルーホール
５０に延びるリード電極５２との間には、第８の誘電体
層Ｓ８の一主面に形成されたアース電極６６と容量を形
成するための第２の電極７４が形成、接続されている。

【００４５】また、前記第１の電極７０の右側には、ス
トリップラインの蛇行引回しによる第２のコイル７６が
形成、接続され、この第２のコイル７６の他端とスルー
ホール５４に延びるリード電極５６との間には、第８の
誘電体層Ｓ８の一主面に形成されたアース電極６６と容
量を形成するための第３の電極７８が形成、接続されて
いる。

【００４６】更に、前記第１の電極７０における前記共
用の入出力端子１８とは反対側の端部には両側に展開す
る第４及び第５の電極８０及び８２が形成されている。

【００４７】そして、第７の誘電体層Ｓ７の一主面に
は、一端が受信側のスルーホール５０に接続され、か
つ、上層の第４の電極８０と対向する第６の電極８４
と、一端が送信側のスルーホール５４に接続され、か
つ、上層の第５の電極８２と対向する第７の電極８６と
が形成されている。

【００４８】また、第１〜第４の誘電体層Ｓ１〜Ｓ４に
は、各中央部分にそれぞれ例えば矩形状の貫通孔Ｈ１〜
Ｈ４が形成され、第５の誘電体層Ｓ５でこれら貫通孔Ｈ
１〜Ｈ４を閉塞する形になっている。即ち、第１〜第４
の誘電体層Ｓ１〜Ｓ４に形成された貫通孔Ｈ１〜Ｈ４と
第５の誘電体層Ｓ５で、第１及び第２の共振器１２０及
び１２２を収容するための穴１３０（図４参照）が形成
されることになる。

【００４９】そして、第１の共振器１２０は、スルーホ
ール５０を介して分波回路２０の受信側のリード電極５
２に電気的に接続され、第２の共振器１２２は、スルー
ホール５４を介して分波回路２０の送信側のリード電極
５６に電気的に接続される。

【００５０】第１の具体例に係る共用器１０Ａは、基本
的には以上のように構成されるものであるが、ここで、
各電極の電気的な結合について図６の等価回路図を参照
しながら説明する。

【００５１】まず、受信側フィルタ１４においては、受
信側出力端子２２と接地間に第１〜第３の共振素子３０
ａ〜３０ｃによる３つの共振器１００ａ〜１００ｃがそ
れぞれ並列に接続され、更に、隣接する共振器１００ａ
〜１００ｃ同士は互いに誘導結合され、これにより、等
価回路上では、隣接する共振器１００ａ〜１００ｃ間に
それぞれインダクタンスＬ１及びＬ２が挿入されたかた
ちとなる。

【００５２】一方、送信側フィルタ１６においては、送
信側入力端子２４と接地間に第１〜第３の共振素子３２
ａ〜３２ｃによる３つの共振器１０２ａ〜１０２ｃがそ
れぞれ並列に接続され、更に、隣接する共振器１０２ａ
〜１０２ｃ同士は互いに誘導結合され、これにより、等
価回路上では、隣接する共振器１０２ａ〜１０２ｃ間に
それぞれインダクタンスＬ３及びＬ４が挿入されたかた
ちとなる。

【００５３】そして、受信側の第１の共振素子３０ａと
第２の共振素子３０ｂ間には、受信側の第２の結合調整
電極５８による合成容量Ｃ１が形成され、受信側の第２
の共振素子３０ｂと第３の共振素子３０ｃ間には、受信
側の第１の結合調整電極３８による合成容量Ｃ２が形成
される。即ち、各共振器１００ａ〜１００ｃ間には、イ
ンダクタンスＬ１と合成容量Ｃ１によるＬＣ並列共振回
路と、インダクタンスＬ２と合成容量Ｃ２によるＬＣ並
列共振回路が接続されたかたちとなる。

【００５４】送信側の第１の共振素子３２ａと第２の共
振素子３２ｂ間には、送信側の第１の結合調整電極４０
による合成容量Ｃ３が形成され、送信側の第２の共振素
子３２ｂと第３の共振素子３２ｃ間には、送信側の第２
の結合調整電極６０による合成容量Ｃ４が形成される。
即ち、各共振器１０２ａ〜１０２ｃ間には、インダクタ
ンスＬ３と合成容量Ｃ３によるＬＣ並列共振回路と、イ
ンダクタンスＬ４と合成容量Ｃ４によるＬＣ並列共振回
路が接続されたかたちとなる。

【００５５】また、受信側の第１〜第３の共振素子３０
ａ〜３０ｃの各開放端と対応する内層アース電極（４２
ａ、６２ａ）、（４２ｂ、６２ｂ）及び（４２ｃ、６２
ｃ）との間にはそれぞれ容量（合成容量）Ｃ５〜Ｃ７が
形成され、送信側の第１〜第３の共振素子３２ａ〜３２
ｃの各開放端と対応する内層アース電極（４４ａ、６４
ａ）、（４４ｂ、６４ｂ）及び（４４ｃ、６４ｃ）との
間にはそれぞれ容量（合成容量）Ｃ８〜Ｃ１０が形成さ
れる。

【００５６】また、受信側の第１の共振素子３０ａと受
信側出力端子２２との間には静電容量Ｃ１１が形成さ
れ、受信側の第３の共振素子３０ｃと分波回路２０の受
信側のリード電極５２との間には静電容量Ｃ１２が形成
され、送信側の第１の共振素子３２ａと分波回路２０の
送信側のリード電極５６との間には静電容量Ｃ１３が形
成され、送信側の第３の共振素子３２ｃと送信側入力端
子２４との間には静電容量Ｃ１４が形成される。

【００５７】分波回路２０においては、第１〜第３の電
極７０、７４及び７８とこれら第１〜第３の電極７０、
７４及び７８に対向するアース電極２６及び６６間にそ
れぞれ静電容量Ｃ１５〜Ｃ１７が形成され、第１の電極
７０と第２の電極７４間に第１のコイル７２によるイン
ダクタンスＬ５が形成され、第１の電極７０と第３の電
極７８間に第２のコイル７６によるインダクタンスＬ６
が形成される。

【００５８】更に、第４の電極８０と第６の電極８４間
には、前記インダクタンスＬ５と並列接続される静電容
量Ｃ１８が形成され、第５の電極８２と第７の電極８６
間には、前記インダクタンスＬ６と並列接続される静電
容量Ｃ１９が形成される。前記共用の入出力端子１８に
は、例えばアンテナ１０４が接続される。

【００５９】そして、この第１の具体例に係る共用器１
０Ａにおいては、分波回路２０と受信側フィルタ１４間
にＳＡＷ素子による第１の共振器１２０が挿入接続さ
れ、分波回路２０と送信側フィルタ１６間にＳＡＷ素子
による第２の共振器１２２が挿入接続されている。

【００６０】次に、第２の具体例に係る共用器１０Ｂに
ついて図７を参照しながら説明する。この第２の具体例
に係る共用器１０Ｂは、図７に示すように、分波回路２
０、受信側フィルタ１４及び送信側フィルタ１６がそれ
ぞれ個別に作製されている点で異なる。即ち、図５に示
す分波回路２０が、１つの誘電体基板１２Ａ内に形成さ
れて構成され、図５に示す受信側フィルタ１４が別の誘
電体基板１２Ｂ内に形成されて構成され、図５に示す送
信側フィルタ１６が更に別の誘電体基板１２Ｃ内に形成
されて構成されている。

【００６１】また、この第２の具体例に係る共用器１０
Ｂにおいては、受信側フィルタ１４の入力端子１４０が
配線基板１４２上に形成された導体パターン１４４を介
して分波回路２０の出力端子１４６に接続され、送信側
フィルタ１６の出力端子１４８が配線基板１４２上に形
成された導体パターン１５０を介して分波回路２０の入
力端子１５２に接続されている。

【００６２】そして、この第２の具体例に係る共用器１
０Ｂにおいては、分波回路２０が形成された誘電体基板
１２Ａの上面に穴１３０が形成され、該穴１３０内にそ
れぞれＳＡＷ素子による第１及び第２の共振器１２０及
び１２２が収容されて構成されている。

【００６３】その他、図８に示す第３の具体例に係る共
用器１０Ｃのように、受信側フィルタ１４が形成された
誘電体基板１２Ｂの上面に穴１３０Ａを設け、該穴１３
０Ａ内にＳＡＷ素子による第１の共振器１２０を収容
し、送信側フィルタ１６が形成された誘電体基板１２Ｃ
の上面に穴１３０Ｂを設け、該穴１３０Ｂ内にＳＡＷ素
子による第２の共振器１２２を収容するようにしてもよ
い。

【００６４】また、図示しないが、受信側フィルタ１４
と送信側フィルタ１６を１つの誘電体基板内に形成し、
該誘電体基板の上面に穴を設けて、該穴内に第１及び第
２の共振器１２０及び１２２を収容してもよい。

【００６５】上述の誘電体基板１２への穴の形成は、貫
通孔Ｈ１〜Ｈ４が形成された複数の誘電体層Ｓ１〜Ｓ４
を積層することによって行うようにしたが、その他、ド
リルやレーザ光等を用いて穿設するようにしてもよい。

【００６６】なお、この発明に係る共用器は、上述の実
施の形態に限らず、この発明の要旨を逸脱することな
く、種々の構成を採り得ることはもちろんである。

【００６７】

【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る共用
器によれば、通過帯域近傍に減衰極を設けて、フィルタ
の減衰特性に先鋭度をもたせることができると共に、新
たな減衰極の形成に伴うフィルタの挿入損失の悪化を抑
制することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本実施の形態に係る共用器を示す等価回路図で
ある。

【図２】比較例に係る共用器を示す等価回路図である。

【図３】比較例と実施例の減衰特性を示す図である。

【図４】第１の具体例に係る共用器を示す斜視図であ
る。

【図５】第１の具体例に係る共用器を示す分解斜視図で
ある。

【図６】第１の具体例に係る共用器を示す等価回路図で
ある。

【図７】第２の具体例に係る共用器を示す斜視図であ
る。

【図８】第３の具体例に係る共用器を示す斜視図であ
る。

【符号の説明】

１０、１０Ａ〜１０Ｃ…共用器１２、１２Ａ〜１
２Ｃ…誘電体基板１４…受信側フィルタ１６…送信側フィ
ルタ２０…分波回路２２…受信側出力
端子２４…送信側入力端子５０、５４…スル
ーホール１０４…アンテナ１０８、１１０…減衰特性を先鋭化させる回路１１４…バンドパスフィルタ１１８…ローパス
フィルタ１２０…第１の共振器１２２…第２の共
振器１３０、１３０Ａ、１３０Ｂ…穴Ｈ１〜Ｈ４…貫通
孔

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０４Ｂ 1/50 Ｈ０４Ｂ 1/50 (72)発明者阪太伸愛知県名古屋市瑞穂区須田町２番56号日本碍子株式会社内 (72)発明者平井隆己愛知県名古屋市瑞穂区須田町２番56号日本碍子株式会社内Ｆターム(参考） 5J006 HB01 HB05 HB22 JA01 KA02 KA11 LA02 LA03 NA04 NC03 NF01 PB03 5J024 AA01 AA10 CA03 CA09 CA10 DA05 DA29 EA03 5K011 BA03 DA02 DA27 JA01

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】中心周波数の異なる２種類のフィルタと、
それぞれのフィルタが共用する入出力端子から見た他方
のフィルタの中心周波数におけるインピーダンスが無限
大になるようにした分波回路とを有する共用器におい
て、前記各フィルタと前記分波回路の間に、減衰特性を先鋭
化させる回路が挿入接続されていることを特徴とする共
用器。
【請求項２】請求項１記載の共用器において、前記各フィルタがそれぞれストリップライン共振器を有
する場合に、前記減衰特性を先鋭化させる回路は、前記ストリップラ
イン共振器よりも無負荷Ｑが高い回路で構成されている
ことを特徴とする共用器。
【請求項３】請求項１又は２記載の共用器において、少なくとも前記分波回路が誘電体基板中に形成され、前記誘電体基板の少なくとも１つの面に穴が設けられ、前記減衰特性を先鋭化させる回路は、前記穴内に設置さ
れていることを特徴とする共用器。
【請求項４】請求項１又は２記載の共用器において、少なくとも前記各フィルタがそれぞれ個別の誘電体基板
あるいは１つの誘電体基板中に形成され、前記誘電体基板の少なくとも１つの面に穴が設けられ、前記減衰特性を先鋭化させる回路は、前記穴内に設置さ
れていることを特徴とする共用器。
【請求項５】請求項１又は２記載の共用器において、前記各フィルタと前記分波回路とが１つの誘電体基板中
に一体的に形成され、前記誘電体基板の少なくとも１つの面に穴が設けられ、前記減衰特性を先鋭化させる回路は、前記穴内に設置さ
れていることを特徴とする共用器。
【請求項６】請求項１〜５のいずれか１項に記載の共用
器において、前記減衰特性を先鋭化させる回路は、弾性表面波素子に
よる共振器であることを特徴とする共用器。