JP2002057508A - 誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサおよび通信装置 - Google Patents
誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサおよび通信装置Info
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- JP2002057508A JP2002057508A JP2000243301A JP2000243301A JP2002057508A JP 2002057508 A JP2002057508 A JP 2002057508A JP 2000243301 A JP2000243301 A JP 2000243301A JP 2000243301 A JP2000243301 A JP 2000243301A JP 2002057508 A JP2002057508 A JP 2002057508A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
- H01P1/201—Filters for transverse electromagnetic waves
- H01P1/205—Comb or interdigital filters; Cascaded coaxial cavities
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- H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
- H01P1/213—Frequency-selective devices, e.g. filters combining or separating two or more different frequencies
- H01P1/2136—Frequency-selective devices, e.g. filters combining or separating two or more different frequencies using comb or interdigital filters; using cascaded coaxial cavities
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- H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
- H01P1/201—Filters for transverse electromagnetic waves
- H01P1/205—Comb or interdigital filters; Cascaded coaxial cavities
- H01P1/2056—Comb filters or interdigital filters with metallised resonator holes in a dielectric block
Abstract
(57)【要約】
【課題】 通過帯域内の反射特性を劣化させることな
く、また挿入損失を増大させることなく、減衰極位置を
通過帯域に近接させるようにした誘電体フィルタ、誘電
体デュプレクサおよびそれらを備えた通信装置を構成す
る。 【解決手段】 誘電体ブロック１の内部に、それぞれ内
面に内導体を形成した内導体形成孔２ａ〜２ｄを配列
し、外面に外導体および入出力電極５ａ，５ｂを形成す
るが、入出力電極５ａを、誘電体ブロック１の側面から
実装基板への実装面にかけて形成し、内導体形成孔２
ａ，２ｂのそれぞれの内導体との間に静電容量を生じさ
せるとともに、内導体形成孔の開放端側の断面形状を誘
電体ブロック１の側面に平行な方向に伸びた長円形状と
する。
く、また挿入損失を増大させることなく、減衰極位置を
通過帯域に近接させるようにした誘電体フィルタ、誘電
体デュプレクサおよびそれらを備えた通信装置を構成す
る。 【解決手段】 誘電体ブロック１の内部に、それぞれ内
面に内導体を形成した内導体形成孔２ａ〜２ｄを配列
し、外面に外導体および入出力電極５ａ，５ｂを形成す
るが、入出力電極５ａを、誘電体ブロック１の側面から
実装基板への実装面にかけて形成し、内導体形成孔２
ａ，２ｂのそれぞれの内導体との間に静電容量を生じさ
せるとともに、内導体形成孔の開放端側の断面形状を誘
電体ブロック１の側面に平行な方向に伸びた長円形状と
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、誘電体ブロック
の内外に導体膜を形成して成る誘電体フィルタ、誘電体
デュプレクサおよびそれらを用いた通信装置に関するも
のである。
の内外に導体膜を形成して成る誘電体フィルタ、誘電体
デュプレクサおよびそれらを用いた通信装置に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】誘電体ブロックの内外に導体膜を形成し
て複数の共振線路を設けて成る誘電体フィルタが、例え
ば携帯電話などの通信装置に用いられている。従来、誘
電体ブロックを用いた誘電体フィルタにおいて、減衰極
を通過帯域の近傍に生じさせるものとして特開平５−１
４５３０２号が示されている。
て複数の共振線路を設けて成る誘電体フィルタが、例え
ば携帯電話などの通信装置に用いられている。従来、誘
電体ブロックを用いた誘電体フィルタにおいて、減衰極
を通過帯域の近傍に生じさせるものとして特開平５−１
４５３０２号が示されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記出願の誘電体フィ
ルタは、誘電体ブロック内に複数の内導体形成孔を配列
し、それぞれ共振線路を構成する２つの内導体に静電容
量で結合する入出力電極を、誘電体ブロックの外面に形
成して、マルチパス構造としたものである。
ルタは、誘電体ブロック内に複数の内導体形成孔を配列
し、それぞれ共振線路を構成する２つの内導体に静電容
量で結合する入出力電極を、誘電体ブロックの外面に形
成して、マルチパス構造としたものである。
【０００４】上記マルチパス構造によって、通過帯域の
低域側または高域側に減衰極が生じるが、この減衰極を
通過帯域に近付けるために、誘電体ブロック内に配列し
た複数の内導体形成孔の最端から二つ目の共振線路との
トビ結合を大きくすればよい。ところが、最端から二つ
目の共振線路と入出力電極との静電容量を大きくする
と、一つ目の（最端の）共振線路と入出力電極との静電
容量（外部結合量）が相対的に小さくなり、通過帯域内
の特性（特に反射特性）が悪化する。
低域側または高域側に減衰極が生じるが、この減衰極を
通過帯域に近付けるために、誘電体ブロック内に配列し
た複数の内導体形成孔の最端から二つ目の共振線路との
トビ結合を大きくすればよい。ところが、最端から二つ
目の共振線路と入出力電極との静電容量を大きくする
と、一つ目の（最端の）共振線路と入出力電極との静電
容量（外部結合量）が相対的に小さくなり、通過帯域内
の特性（特に反射特性）が悪化する。
【０００５】また、一つ目の共振線路と入出力電極との
外部結合量を大きくするために、その共振線路を入出力
電極に近付けると、電界の集中が大きくなって、挿入損
失が劣化するという問題が生じる。
外部結合量を大きくするために、その共振線路を入出力
電極に近付けると、電界の集中が大きくなって、挿入損
失が劣化するという問題が生じる。
【０００６】この発明の目的は、通過帯域内の特性を劣
化させることなく、また挿入損失を増大させることな
く、減衰極位置を通過帯域に近接させるようにした誘電
体フィルタ、誘電体デュプレクサおよびそれらを備えた
通信装置を提供することにある。
化させることなく、また挿入損失を増大させることな
く、減衰極位置を通過帯域に近接させるようにした誘電
体フィルタ、誘電体デュプレクサおよびそれらを備えた
通信装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明の誘電体フィル
タは、略直方体形状の誘電体ブロックの内部に、それぞ
れ内面に内導体を形成した複数の内導体形成孔を略平行
に配列し、外面に外導体および入出力電極を形成するこ
とによって構成するが、入出力電極を、誘電体ブロック
の内導体形成孔の配列方向の端面である側面から、実装
基板へ対向する実装面である底面にかけて入出力電極を
形成し、側面に最も近い内導体形成孔の内導体と、それ
に隣接する他の内導体形成孔の内導体との間にそれぞれ
静電容量を生じさせるとともに、少なくとも前記側面に
最も近い内導体形成孔の断面を側面に沿って伸びた非円
形状とする。
タは、略直方体形状の誘電体ブロックの内部に、それぞ
れ内面に内導体を形成した複数の内導体形成孔を略平行
に配列し、外面に外導体および入出力電極を形成するこ
とによって構成するが、入出力電極を、誘電体ブロック
の内導体形成孔の配列方向の端面である側面から、実装
基板へ対向する実装面である底面にかけて入出力電極を
形成し、側面に最も近い内導体形成孔の内導体と、それ
に隣接する他の内導体形成孔の内導体との間にそれぞれ
静電容量を生じさせるとともに、少なくとも前記側面に
最も近い内導体形成孔の断面を側面に沿って伸びた非円
形状とする。
【０００８】この構造により、側面に最も近い（最端
の）内導体形成孔による共振線路と入出力電極との外部
結合部分における電界集中を緩和しつつ、最端の共振線
路と入出力電極との外部結合量を十分に確保する。ま
た、最端の共振線路と、それに隣接する内導体による共
振線路との間の相互容量も容易に大きくできるようにし
て、減衰極を通過帯域により近づける。
の）内導体形成孔による共振線路と入出力電極との外部
結合部分における電界集中を緩和しつつ、最端の共振線
路と入出力電極との外部結合量を十分に確保する。ま
た、最端の共振線路と、それに隣接する内導体による共
振線路との間の相互容量も容易に大きくできるようにし
て、減衰極を通過帯域により近づける。
【０００９】また、この発明の誘電体デュプレクサは、
上記誘電体フィルタにおける入出力電極を送信信号入力
用電極、受信信号出力用電極、またはアンテナ接続用電
極の何れかとして設ける。これにより、送信帯域と受信
帯域間の減衰量を十分に確保する。
上記誘電体フィルタにおける入出力電極を送信信号入力
用電極、受信信号出力用電極、またはアンテナ接続用電
極の何れかとして設ける。これにより、送信帯域と受信
帯域間の減衰量を十分に確保する。
【００１０】更にこの発明の通信装置は、上記誘電体フ
ィルタまたは誘電体デュプレクサを、例えば送信信号ま
たは受信信号の高周波信号処理部に設けて構成する。
ィルタまたは誘電体デュプレクサを、例えば送信信号ま
たは受信信号の高周波信号処理部に設けて構成する。
【００１１】
【発明の実施の形態】第１の実施形態に係る誘電体フィ
ルタの構成を図１〜図５を参照して説明する。図１は誘
電体フィルタの斜視図、図２は内導体形成孔の軸に垂直
な面での断面図、図３は投影図である。なお、図１にお
いては、実装基板への実装面を図における上面として表
している。これらの図に示すように、略直方体形状の誘
電体ブロック１の内部に、互いに平行な四つの内導体形
成孔２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄを配列している。これらの
内導体形成孔は断面が長円（楕円）形状を成し、それら
の内面には共振線路としての内導体をそれぞれ形成して
いる。誘電体ブロック１の外面（六面）には外導体４を
形成している。内導体形成孔２ａ〜２ｄの一方の開口部
付近には内導体非形成部ｇを設けて、そこを共振線路の
開放端としている。また、内導体形成孔２ａ〜２ｄの配
列方向の端面である側面から、実装基板へ対向する実装
面である底面（図１における上面）にかけて、内導体の
開放端付近の位置に入出力電極５ａ，５ｂを形成してい
る。
ルタの構成を図１〜図５を参照して説明する。図１は誘
電体フィルタの斜視図、図２は内導体形成孔の軸に垂直
な面での断面図、図３は投影図である。なお、図１にお
いては、実装基板への実装面を図における上面として表
している。これらの図に示すように、略直方体形状の誘
電体ブロック１の内部に、互いに平行な四つの内導体形
成孔２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄを配列している。これらの
内導体形成孔は断面が長円（楕円）形状を成し、それら
の内面には共振線路としての内導体をそれぞれ形成して
いる。誘電体ブロック１の外面（六面）には外導体４を
形成している。内導体形成孔２ａ〜２ｄの一方の開口部
付近には内導体非形成部ｇを設けて、そこを共振線路の
開放端としている。また、内導体形成孔２ａ〜２ｄの配
列方向の端面である側面から、実装基板へ対向する実装
面である底面（図１における上面）にかけて、内導体の
開放端付近の位置に入出力電極５ａ，５ｂを形成してい
る。
【００１２】図２は、内導体と入出力電極との間に生じ
る静電容量を示している。誘電体ブロック１の側面に最
も近い内導体形成孔の内導体３ａおよび、それに隣接す
る内導体形成孔の内導体３ｂと入出力電極５ａとの間に
は、それぞれ静電容量ｃ３、ｃ１が生じる。また、内導
体３ａと３ｂとの間に静電容量ｃ２が生じる。このよう
に、内導体形成孔の断面形状を、誘電体ブロックの側面
に沿って伸びる長円（楕円）形状としたことにより、ｃ
３を大きくしつつ、ｃ３部分の電界集中を緩和できる。
る静電容量を示している。誘電体ブロック１の側面に最
も近い内導体形成孔の内導体３ａおよび、それに隣接す
る内導体形成孔の内導体３ｂと入出力電極５ａとの間に
は、それぞれ静電容量ｃ３、ｃ１が生じる。また、内導
体３ａと３ｂとの間に静電容量ｃ２が生じる。このよう
に、内導体形成孔の断面形状を、誘電体ブロックの側面
に沿って伸びる長円（楕円）形状としたことにより、ｃ
３を大きくしつつ、ｃ３部分の電界集中を緩和できる。
【００１３】これにより、とび結合の容量を大きくする
とともに外部結合量も確保して、通過帯域内の特性を改
善することができる。また、電界集中による挿入損失を
低減させることができる。また、各内導体形成孔を側面
に平行な方向（内導体形成孔の配列方向に垂直な方向）
に全体に偏平化したことにより、隣接する内導体形成孔
の対向部分が平面を成すので、（または曲率が小さくな
るので、）内導体形成孔の配列ピッチを狭くしても、電
界集中が抑えられ、その分、全体に内導体形成孔の配列
方向の誘電体ブロックの寸法を短縮化でき、全体に小型
の誘電体フィルタが得られる。
とともに外部結合量も確保して、通過帯域内の特性を改
善することができる。また、電界集中による挿入損失を
低減させることができる。また、各内導体形成孔を側面
に平行な方向（内導体形成孔の配列方向に垂直な方向）
に全体に偏平化したことにより、隣接する内導体形成孔
の対向部分が平面を成すので、（または曲率が小さくな
るので、）内導体形成孔の配列ピッチを狭くしても、電
界集中が抑えられ、その分、全体に内導体形成孔の配列
方向の誘電体ブロックの寸法を短縮化でき、全体に小型
の誘電体フィルタが得られる。
【００１４】また、内導体３ａ，３ｂ間の対向面積の増
大にともない、図２に示した相互容量ｃ２も容易に大き
くでき、ｃ２の増大にともなって、減衰極が通過帯域に
さらに近づき、通過帯域に近接する不要な信号の減衰量
を十分に確保することができる。
大にともない、図２に示した相互容量ｃ２も容易に大き
くでき、ｃ２の増大にともなって、減衰極が通過帯域に
さらに近づき、通過帯域に近接する不要な信号の減衰量
を十分に確保することができる。
【００１５】図３において（Ａ）は、誘電体フィルタを
立てて、実装面を正面としたときの誘電体フィルタの上
面図、（Ｂ）は正面図、（Ｃ）は左側面図、（Ｄ）は底
面図である。このように内導体形成孔２ａ〜２ｄの開放
端側の内径を太く、短絡端側の内径を細くして、ステッ
プ構造にしている。また、内導体形成孔２ａ、２ｂの短
絡端側の孔の中心は、互いに離れる方向に偏心させてい
て、この二つの内導体形成孔による共振器同士を容量性
結合させている。同様に内導体形成孔２ｃ、２ｄによる
二つの共振器間も容量性結合させている。内導体形成孔
２ｂ，２ｃによる共振器間は、開放端側の偏心により短
絡端側の孔の中心を相対的に近接させて誘導性結合させ
ている。
立てて、実装面を正面としたときの誘電体フィルタの上
面図、（Ｂ）は正面図、（Ｃ）は左側面図、（Ｄ）は底
面図である。このように内導体形成孔２ａ〜２ｄの開放
端側の内径を太く、短絡端側の内径を細くして、ステッ
プ構造にしている。また、内導体形成孔２ａ、２ｂの短
絡端側の孔の中心は、互いに離れる方向に偏心させてい
て、この二つの内導体形成孔による共振器同士を容量性
結合させている。同様に内導体形成孔２ｃ、２ｄによる
二つの共振器間も容量性結合させている。内導体形成孔
２ｂ，２ｃによる共振器間は、開放端側の偏心により短
絡端側の孔の中心を相対的に近接させて誘導性結合させ
ている。
【００１６】図４は上記誘電体フィルタの等価回路図で
ある。ここでＲａ〜Ｒｄは図３に示した内導体形成孔２
ａ〜２ｄによる共振器である。Ｃａ，Ｃｂは入出力電極
５ａと内導体形成孔２ａ，２ｂの開放端付近の内導体と
の間に生じる静電容量、Ｃｄは内導体形成孔２ｄの開放
端付近の内導体と入出力電極５ｂとの間に生じる静電容
量である。
ある。ここでＲａ〜Ｒｄは図３に示した内導体形成孔２
ａ〜２ｄによる共振器である。Ｃａ，Ｃｂは入出力電極
５ａと内導体形成孔２ａ，２ｂの開放端付近の内導体と
の間に生じる静電容量、Ｃｄは内導体形成孔２ｄの開放
端付近の内導体と入出力電極５ｂとの間に生じる静電容
量である。
【００１７】図５は上記誘電体フィルタの通過特性を示
す図である。この図において実線は図３に示したこの実
施形態に係る誘電体フィルタの特性、破線は内導体形成
孔の開放端側を短絡端側と同様に断面円形とした場合の
特性である。このように、内導体形成孔の開放端側の断
面形状を誘電体ブロックの側面に沿って伸びた長円形状
としたことにより、電界集中を増すことなくＣａを増大
させ得るので、減衰極を通過帯域に近付けることができ
る。また、上述したように共振器Ｒａ−Ｒｂ間の結合度
を増すことによっても、減衰極を通過帯域側により接近
させることになる。
す図である。この図において実線は図３に示したこの実
施形態に係る誘電体フィルタの特性、破線は内導体形成
孔の開放端側を短絡端側と同様に断面円形とした場合の
特性である。このように、内導体形成孔の開放端側の断
面形状を誘電体ブロックの側面に沿って伸びた長円形状
としたことにより、電界集中を増すことなくＣａを増大
させ得るので、減衰極を通過帯域に近付けることができ
る。また、上述したように共振器Ｒａ−Ｒｂ間の結合度
を増すことによっても、減衰極を通過帯域側により接近
させることになる。
【００１８】次に、第２の実施形態に係る誘電体フィル
タの構成を図６および図７を参照して説明する。図６は
誘電体フィルタの投影図であり、（Ａ）は、誘電体フィ
ルタを立てて、実装面を正面としたときの誘電体フィル
タの上面図、（Ｂ）は正面図、（Ｃ）は左側面図、
（Ｄ）は底面図である。図３と対比すれば明らかなよう
に、この誘電体フィルタは、内導体形成孔２ａ，２ｂの
開放端側の偏心により短絡端側の孔の中心を相対的に近
接させて、この二つの内導体形成孔による共振器間を誘
導性結合させている。また同様に、内導体形成孔２ｃ、
２ｄによる二つの共振器間も誘導性結合させている。内
導体形成孔２ｂ，２ｃによる共振器間は、開放端側の偏
心により開放端側の孔の中心を相対的に近接させて容量
性結合させている。
タの構成を図６および図７を参照して説明する。図６は
誘電体フィルタの投影図であり、（Ａ）は、誘電体フィ
ルタを立てて、実装面を正面としたときの誘電体フィル
タの上面図、（Ｂ）は正面図、（Ｃ）は左側面図、
（Ｄ）は底面図である。図３と対比すれば明らかなよう
に、この誘電体フィルタは、内導体形成孔２ａ，２ｂの
開放端側の偏心により短絡端側の孔の中心を相対的に近
接させて、この二つの内導体形成孔による共振器間を誘
導性結合させている。また同様に、内導体形成孔２ｃ、
２ｄによる二つの共振器間も誘導性結合させている。内
導体形成孔２ｂ，２ｃによる共振器間は、開放端側の偏
心により開放端側の孔の中心を相対的に近接させて容量
性結合させている。
【００１９】この誘電体フィルタの等価回路図は図４に
示したものと同様となるが、誘導性結合している二つの
共振器間にとび容量Ｃｂを設けたことになる。
示したものと同様となるが、誘導性結合している二つの
共振器間にとび容量Ｃｂを設けたことになる。
【００２０】図７はこの誘電体フィルタの通過特性を示
す図である。このように、誘導性結合している二つの共
振器間にとび容量を設けたことにより、通過帯域の高域
側に減衰極が生じる。図７において実線は図６に示した
この実施形態に係る誘電体フィルタの特性、破線は内導
体形成孔の開放端側を短絡端側と同様に断面円形とした
場合の特性である。第１の実施形態の場合と同様に、内
導体形成孔の開放端側の断面形状を誘電体ブロックの側
面に沿って伸びた長円形状としたことにより、減衰極を
通過帯域に近付けることができる。
す図である。このように、誘導性結合している二つの共
振器間にとび容量を設けたことにより、通過帯域の高域
側に減衰極が生じる。図７において実線は図６に示した
この実施形態に係る誘電体フィルタの特性、破線は内導
体形成孔の開放端側を短絡端側と同様に断面円形とした
場合の特性である。第１の実施形態の場合と同様に、内
導体形成孔の開放端側の断面形状を誘電体ブロックの側
面に沿って伸びた長円形状としたことにより、減衰極を
通過帯域に近付けることができる。
【００２１】図８は第３の実施形態に係る誘電体フィル
タの斜視図である。第１・第２の実施形態では、誘電体
ブロックの外面（六面）に外導体を形成し、内導体形成
孔の内部に開放端を設けたが、この図８に示すように内
導体形成孔の一方の開口面を開放面としてもよい。
タの斜視図である。第１・第２の実施形態では、誘電体
ブロックの外面（六面）に外導体を形成し、内導体形成
孔の内部に開放端を設けたが、この図８に示すように内
導体形成孔の一方の開口面を開放面としてもよい。
【００２２】次に、第４の実施形態に係る誘電体デュプ
レクサの構成を図９〜図１１を参照して説明する。図９
は誘電体デュプレクサの斜視図である。ここでは実装基
板に対する実装面を上面にして表している。図１０は内
導体形成孔の軸に垂直な面での主要部の断面図であり、
（Ｂ）は内導体形成孔の断面を円形にした場合の比較例
としての断面図である。更に、図１１はこの誘電体デュ
プレクサのアンテナ端子と受信信号出力端子間の通過特
性を示す図である。
レクサの構成を図９〜図１１を参照して説明する。図９
は誘電体デュプレクサの斜視図である。ここでは実装基
板に対する実装面を上面にして表している。図１０は内
導体形成孔の軸に垂直な面での主要部の断面図であり、
（Ｂ）は内導体形成孔の断面を円形にした場合の比較例
としての断面図である。更に、図１１はこの誘電体デュ
プレクサのアンテナ端子と受信信号出力端子間の通過特
性を示す図である。
【００２３】図９に示すように、直方体形状の誘電体ブ
ロック１の内部に、互いに平行な内導体形成孔２ａ〜２
ｈを設けている。これらの内導体形成孔の内面にはそれ
ぞれ内導体を形成している。内導体形成孔２ａ，２ｃ，
２ｄ，２ｆ，２ｇ，２ｈの図における右後方の端面付近
には、図１に示したものと同様に内導体非形成部を設け
ていて、その部分を内導体の開放端としている。また、
２ｂ，２ｅの内面には全面に内導体を形成している。誘
電体ブロック１の外面（六面）には、内導体形成孔２
ｇ，２ｈの開放端付近との間でそれぞれ容量結合する入
出力電極５ｒｘ、内導体形成孔２ｂ，２ｅの一方の端部
に導通する入出力電極５ｔｘ，５ａｎｔ、および外導体
４をそれぞれ形成している。
ロック１の内部に、互いに平行な内導体形成孔２ａ〜２
ｈを設けている。これらの内導体形成孔の内面にはそれ
ぞれ内導体を形成している。内導体形成孔２ａ，２ｃ，
２ｄ，２ｆ，２ｇ，２ｈの図における右後方の端面付近
には、図１に示したものと同様に内導体非形成部を設け
ていて、その部分を内導体の開放端としている。また、
２ｂ，２ｅの内面には全面に内導体を形成している。誘
電体ブロック１の外面（六面）には、内導体形成孔２
ｇ，２ｈの開放端付近との間でそれぞれ容量結合する入
出力電極５ｒｘ、内導体形成孔２ｂ，２ｅの一方の端部
に導通する入出力電極５ｔｘ，５ａｎｔ、および外導体
４をそれぞれ形成している。
【００２４】内導体形成孔２ａによる共振器は、内導体
形成孔２ｂによる共振器とインターディジタル結合して
トラップフィルタとして作用する。また、内導体形成孔
２ｃ，２ｄによる二つの共振器はコムライン結合し、内
導体形成孔２ｃによる共振器と、励振線路としての内導
体形成孔２ｂの内導体とがインターディジタル結合し、
同様に内導体形成孔２ｄによる共振器と内導体形成孔２
ｅの内導体とがインターディジタル結合する。また内導
体形成孔２ｆ，２ｇ，２ｈによる共振器はそれぞれコム
ライン結合し、２ｆによる共振器と２ｅの内導体とはイ
ンターディジタル結合する。
形成孔２ｂによる共振器とインターディジタル結合して
トラップフィルタとして作用する。また、内導体形成孔
２ｃ，２ｄによる二つの共振器はコムライン結合し、内
導体形成孔２ｃによる共振器と、励振線路としての内導
体形成孔２ｂの内導体とがインターディジタル結合し、
同様に内導体形成孔２ｄによる共振器と内導体形成孔２
ｅの内導体とがインターディジタル結合する。また内導
体形成孔２ｆ，２ｇ，２ｈによる共振器はそれぞれコム
ライン結合し、２ｆによる共振器と２ｅの内導体とはイ
ンターディジタル結合する。
【００２５】上記内導体形成孔２ａ，２ｃ，２ｄによる
共振器は送信フィルタとして作用し、２ｆ，２ｇ，２ｈ
による共振器は受信フィルタとして作用し、入出力電極
５ｔｘは送信信号入力端子、５ａｎｔはアンテナ端子、
５ｒｘは受信信号出力端子として作用する。
共振器は送信フィルタとして作用し、２ｆ，２ｇ，２ｈ
による共振器は受信フィルタとして作用し、入出力電極
５ｔｘは送信信号入力端子、５ａｎｔはアンテナ端子、
５ｒｘは受信信号出力端子として作用する。
【００２６】このように受信信号出力端子である入出力
電極５ｒｘが、容量性結合している二つの内導体形成孔
２ｇ，２ｈの内導体の開放端付近とそれぞれ容量結合し
たことにより、図１１に示すように、通過帯域の低域側
に減衰極が生じる。
電極５ｒｘが、容量性結合している二つの内導体形成孔
２ｇ，２ｈの内導体の開放端付近とそれぞれ容量結合し
たことにより、図１１に示すように、通過帯域の低域側
に減衰極が生じる。
【００２７】ここで、図１０の（Ｂ）に示すように、各
内導体形成孔の開放端側の断面形状も真円とし、内導体
形成孔の内径を１．０ｍｍとすれば、誘電体ブロックの
全体の幅は１２．８ｍｍとなる。これに対し、この実施
形態によれば、内導体形成孔の開放端側の内周面積を同
一として、その断面形状を、内導体形成孔の配列方向に
垂直な向きに伸びる長円形とし、その短軸方向の幅を
０．８ｍｍとすれば、誘電体ブロックの全体の幅は１
１．６ｍｍにまで小型化できる。
内導体形成孔の開放端側の断面形状も真円とし、内導体
形成孔の内径を１．０ｍｍとすれば、誘電体ブロックの
全体の幅は１２．８ｍｍとなる。これに対し、この実施
形態によれば、内導体形成孔の開放端側の内周面積を同
一として、その断面形状を、内導体形成孔の配列方向に
垂直な向きに伸びる長円形とし、その短軸方向の幅を
０．８ｍｍとすれば、誘電体ブロックの全体の幅は１
１．６ｍｍにまで小型化できる。
【００２８】図１２は第５の実施形態に係る誘電体デュ
プレクサの構成を示す斜視図である。図９に示した例で
は、受信信号出力端子５ｒｘによって受信帯域の低域側
に減衰極を生じさせたが、この図１２に示す例では、送
信信号入力端子５ｔｘと二つの内導体形成孔２ａ，２ｂ
の内導体の開放端付近との間にそれぞれ静電容量を生じ
させて、送信帯域の高域側にも減衰極を生じさせてい
る。すなわち、内導体形成孔２ｇ，２ｈによる共振器間
を容量性結合させて、第１の実施形態の場合と同様にし
て、通過帯域の低域側に減衰極を生じさせ、内導体形成
孔２ａ，２ｂによる共振器間を誘導性結合させて、第２
の実施形態の場合と同様にして、通過帯域の高域側に減
衰極を生じさせる。
プレクサの構成を示す斜視図である。図９に示した例で
は、受信信号出力端子５ｒｘによって受信帯域の低域側
に減衰極を生じさせたが、この図１２に示す例では、送
信信号入力端子５ｔｘと二つの内導体形成孔２ａ，２ｂ
の内導体の開放端付近との間にそれぞれ静電容量を生じ
させて、送信帯域の高域側にも減衰極を生じさせてい
る。すなわち、内導体形成孔２ｇ，２ｈによる共振器間
を容量性結合させて、第１の実施形態の場合と同様にし
て、通過帯域の低域側に減衰極を生じさせ、内導体形成
孔２ａ，２ｂによる共振器間を誘導性結合させて、第２
の実施形態の場合と同様にして、通過帯域の高域側に減
衰極を生じさせる。
【００２９】この送信フィルタと受信フィルタの二つの
減衰極によって送信信号の受信回路側への回り込みをよ
り抑えることができる。
減衰極によって送信信号の受信回路側への回り込みをよ
り抑えることができる。
【００３０】
【発明の効果】この発明によれば、誘電体ブロックの側
面に最も近い内導体形成孔による共振線路と入出力電極
との外部結合部分における電界集中が緩和され、また、
側面に最も近い内導体形成孔と、それに隣接する内導体
形成孔による二つの共振線路間の相互容量も大きくなっ
て、減衰極を通過帯域により近づけることができる。
面に最も近い内導体形成孔による共振線路と入出力電極
との外部結合部分における電界集中が緩和され、また、
側面に最も近い内導体形成孔と、それに隣接する内導体
形成孔による二つの共振線路間の相互容量も大きくなっ
て、減衰極を通過帯域により近づけることができる。
【００３１】また、この発明によれば、送信帯域と受信
帯域間の減衰量を十分に確保した誘電体デュプレクサを
構成することができる。
帯域間の減衰量を十分に確保した誘電体デュプレクサを
構成することができる。
【００３２】更にこの発明によれば、帯域内特性が優
れ、通過域の隣接周波数の減衰量を十分確保した小型の
帯域通過フィルタを用いたことにより、小型で通信性能
に優れた通信装置が構成できる。
れ、通過域の隣接周波数の減衰量を十分確保した小型の
帯域通過フィルタを用いたことにより、小型で通信性能
に優れた通信装置が構成できる。
【図１】第１の実施形態に係る誘電体フィルタの斜視図
【図２】同誘電体フィルタの断面図
【図３】同誘電体フィルタの投影図
【図４】同誘電体フィルタの等価回路図
【図５】同誘電体フィルタの通過特性図
【図６】第２の実施形態に係る誘電体フィルタの投影図
【図７】同誘電体フィルタの通過特性図
【図８】第３の実施形態に係る誘電体フィルタの斜視図
【図９】第４の実施形態に係る誘電体デュプレクサの斜
視図
視図
【図１０】同誘電体デュプレクサの断面図およびその比
較例の断面図
較例の断面図
【図１１】同電体デュプレクサの受信フィルタ部の通過
特性図
特性図
【図１２】第５の実施形態に係る誘電体デュプレクサの
斜視図
斜視図
１−誘電体ブロック ２−内導体形成孔 ３−内導体 ４−外導体 ５−入出力電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 加藤 英幸 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 Ｆターム(参考） 5J006 HA04 HA12 HA15 HA17 HA25 HA27 HA33 JA01 JA12 JA13 KA06 KA12 LA03 MA03 NA04 NB07 NC03 NE14 NE17 NF03
Claims (3)
- 【請求項１】 略直方体形状の誘電体ブロックの内部
に、それぞれ内面に内導体を形成した複数の内導体形成
孔を略平行に配列し、外面に外導体および入出力電極を
形成して成る誘電体フィルタにおいて、 前記入出力電極を、前記誘電体ブロックの前記内導体形
成孔の配列方向の端面である側面から、実装基板へ対向
する実装面である底面にかけて形成し、前記側面に最も
近い内導体形成孔の内導体と、該内導体形成孔に隣接す
る他の内導体形成孔の内導体との間にそれぞれ静電容量
を生じさせるとともに、少なくとも前記側面に最も近い
内導体形成孔の断面を前記側面に沿って伸びた非円形状
とした誘電体フィルタ。 - 【請求項２】 請求項１に記載の誘電体フィルタにおけ
る入出力電極を、送信信号入力用電極、受信信号出力用
電極、またはアンテナ接続用電極のいずれかとして設け
て成る誘電体デュプレクサ。 - 【請求項３】 請求項１に記載の誘電体フィルタまたは
請求項２に記載の誘電体デュプレクサを備えて成る通信
装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000243301A JP2002057508A (ja) | 2000-08-10 | 2000-08-10 | 誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサおよび通信装置 |
| US09/915,431 US6535082B2 (en) | 2000-08-10 | 2001-07-26 | Dielectric filter, dielectric duplexer, and communication device using the same |
| EP01119043A EP1184929A3 (en) | 2000-08-10 | 2001-08-07 | Dielectric filter, dielectric coupler, and communication device using the same |
| CNB011249757A CN1203568C (zh) | 2000-08-10 | 2001-08-10 | 介质滤波器、介质耦合器及使用它们的通信装置 |
| KR10-2001-0048250A KR100401961B1 (ko) | 2000-08-10 | 2001-08-10 | 유전체 필터, 유전체 듀플렉서 및 이를 이용한 통신장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000243301A JP2002057508A (ja) | 2000-08-10 | 2000-08-10 | 誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサおよび通信装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002057508A true JP2002057508A (ja) | 2002-02-22 |
Family
ID=18734175
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000243301A Pending JP2002057508A (ja) | 2000-08-10 | 2000-08-10 | 誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサおよび通信装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6535082B2 (ja) |
| EP (1) | EP1184929A3 (ja) |
| JP (1) | JP2002057508A (ja) |
| KR (1) | KR100401961B1 (ja) |
| CN (1) | CN1203568C (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100460617B1 (ko) * | 2001-06-20 | 2004-12-09 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 유전체 필터, 유전체 듀플렉서 및 통신 장치 |
| KR100524545B1 (ko) * | 2001-09-14 | 2005-10-31 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 유전체 필터, 유전체 듀플렉서 및 통신장치 |
| WO2018076950A1 (en) * | 2016-10-31 | 2018-05-03 | Commscope Italy S.R.L. | Low-loss microstrip printed circuit board filtering devices |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002246805A (ja) * | 2001-02-14 | 2002-08-30 | Murata Mfg Co Ltd | 誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサ、および通信装置 |
| JP3788384B2 (ja) * | 2001-05-30 | 2006-06-21 | 株式会社村田製作所 | 誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサ、および通信装置 |
| CN100550510C (zh) * | 2005-06-23 | 2009-10-14 | 宇部兴产株式会社 | 用于基站通信装备的电介质滤波器 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4742562A (en) * | 1984-09-27 | 1988-05-03 | Motorola, Inc. | Single-block dual-passband ceramic filter useable with a transceiver |
| US5344695A (en) * | 1991-03-29 | 1994-09-06 | Ngk Insulators, Ltd. | Dielectric filter having coupling electrodes for connecting resonator electrodes, and method of adjusting frequency characteristic of the filter |
| JP3071528B2 (ja) | 1991-11-19 | 2000-07-31 | 株式会社村田製作所 | 誘電体フィルタ |
| US5278527A (en) * | 1992-07-17 | 1994-01-11 | Motorola, Inc. | Dielectric filter and shield therefor |
| US5499004A (en) * | 1993-03-12 | 1996-03-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dielectric filter having interstage coupling using adjacent electrodes |
| JP3067575B2 (ja) * | 1995-03-08 | 2000-07-17 | 株式会社村田製作所 | 誘電体フィルタ |
| KR100198944B1 (ko) * | 1996-11-05 | 1999-06-15 | 이계철 | 이중 결합 선로 특성을 갖는 듀플렉서 |
| US6052040A (en) * | 1997-03-03 | 2000-04-18 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Dielectric duplexer with different capacitive coupling between antenna pad and transmitting and receiving sections |
| US6154951A (en) * | 1997-12-11 | 2000-12-05 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Dielectric filter and process for producing same |
| JP3348658B2 (ja) * | 1998-09-11 | 2002-11-20 | 株式会社村田製作所 | 誘電体フィルタ、複合誘電体フィルタ、アンテナ共用器および通信装置 |
| JP3395675B2 (ja) * | 1998-12-03 | 2003-04-14 | 株式会社村田製作所 | 帯域通過フィルタ、アンテナ共用器および通信装置 |
| JP3412546B2 (ja) * | 1999-02-22 | 2003-06-03 | 株式会社村田製作所 | 誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサ及び通信機装置 |
-
2000
- 2000-08-10 JP JP2000243301A patent/JP2002057508A/ja active Pending
-
2001
- 2001-07-26 US US09/915,431 patent/US6535082B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-08-07 EP EP01119043A patent/EP1184929A3/en not_active Withdrawn
- 2001-08-10 CN CNB011249757A patent/CN1203568C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2001-08-10 KR KR10-2001-0048250A patent/KR100401961B1/ko active IP Right Grant
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100460617B1 (ko) * | 2001-06-20 | 2004-12-09 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 유전체 필터, 유전체 듀플렉서 및 통신 장치 |
| KR100524545B1 (ko) * | 2001-09-14 | 2005-10-31 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 유전체 필터, 유전체 듀플렉서 및 통신장치 |
| WO2018076950A1 (en) * | 2016-10-31 | 2018-05-03 | Commscope Italy S.R.L. | Low-loss microstrip printed circuit board filtering devices |
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| CN1203568C (zh) | 2005-05-25 |
| KR20020013775A (ko) | 2002-02-21 |
| US20020021189A1 (en) | 2002-02-21 |
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