CN106664076B - 高频模块 - Google Patents

高频模块 Download PDF

Info

Publication number
CN106664076B
CN106664076B CN201580042842.6A CN201580042842A CN106664076B CN 106664076 B CN106664076 B CN 106664076B CN 201580042842 A CN201580042842 A CN 201580042842A CN 106664076 B CN106664076 B CN 106664076B
Authority
CN
China
Prior art keywords
filter
inductor
cloth line
line electrode
terminal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201580042842.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN106664076A (zh
Inventor
山口幸哉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Publication of CN106664076A publication Critical patent/CN106664076A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN106664076B publication Critical patent/CN106664076B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46Filters
    • H03H9/64Filters using surface acoustic waves
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/05Holders; Supports
    • H03H9/0538Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements
    • H03H9/0542Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements consisting of a lateral arrangement
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/38Impedance-matching networks
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/05Holders; Supports
    • H03H9/0538Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements
    • H03H9/0547Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements consisting of a vertical arrangement
    • H03H9/0557Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements consisting of a vertical arrangement the other elements being buried in the substrate
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/05Holders; Supports
    • H03H9/0538Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements
    • H03H9/0566Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements for duplexers
    • H03H9/0576Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements for duplexers including surface acoustic wave [SAW] devices
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/70Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
    • H03H9/72Networks using surface acoustic waves
    • H03H9/725Duplexers
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/01Frequency selective two-port networks
    • H03H7/09Filters comprising mutual inductance
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04WWIRELESS COMMUNICATION NETWORKS
    • H04W88/00Devices specially adapted for wireless communication networks, e.g. terminals, base stations or access point devices
    • H04W88/02Terminal devices

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)

Abstract

本技术提供能降低滤波器元器件的高度并防止滤波器衰减特性的变动,容易调整和改善滤波器的衰减特性的高频模块。将用于调整滤波器元器件(10)的第1滤波器(14)的衰减特性的第1、第2电感器(L1、L2)配置为在彼此容易产生磁场耦合的状态下分离,能降低滤波器元器件(10)内第1布线电极(17)的布线量,例如减少封装基板(12)的层数以降低滤波器元器件(10)的高度。能降低滤波器元器件(10)内第1布线电极(17)的布线密度,因此能防止第1布线电极(17)与其他布线电极的电磁场耦合而导致第1滤波器(14)的衰减特性变动。通过调整第2电感器(L2)的电感值,能容易调整并改善第1滤波器(14)的衰减特性。

Description

高频模块
技术领域
本发明涉及具备安装有滤波器元器件的模块基板的高频模块。
背景技术
以往,提供了一种具备安装有滤波器元器件的模块基板的高频模块。对于模块基板上所搭载的滤波器元器件,提供了如下结构,即,包括在其一个主面形成有形成滤波器的多个谐振器的滤波器基板以及安装有该滤波器基板的封装基板的CSP(芯片尺寸封装)结构;或以相同的方式将形成有滤波器的滤波器基板直接安装于模块基板的WL-CSP(晶圆片级芯片封装)结构。
此外,滤波器元器件中一般搭载有用于调整由利用了弹性波的谐振器所形成的滤波器的特性的电感器。例如,CSP结构的滤波器元器件中,如图7所示,在封装基板500设有电感器La、Lb。封装基板500由多个绝缘层501~504层叠而成,在绝缘层504的一个主面的由虚线所包围的区域505安装有滤波器基板(省略图示)。此外,在绝缘层501的另一个主面形成有:与安装有滤波器元器件的封装基板之间输入输出RF信号的第1、第2端子506、507;以及与封装基板的接地电极相连接的第3端子508。
此外,图7所示的示例中,滤波器基板上形成有:配置为呈串联臂状地连接在滤波器的输入输出端子之间的多个串联臂谐振器;以及各自的一端与串联臂相连接的2个并联臂谐振器。滤波器的输入输出端子分别与RF信号的引出用布线电极509、510相连接,经由层间连接导体511与第1、第2端子506、507相连接。
此外,一个并列臂谐振器的另一端与形成于绝缘层504的一个主面的接地布线用的布线电极512相连接,经由层间连接导体513连接于形成于绝缘层503的一个主面并形成电感器La的布线电极514、形成于绝缘层502的一个主面的接地布线用的布线电极515、以及第3端子508。此外,另一个并列臂谐振器的另一端与形成于绝缘层504的一个主面的接地布线用的布线电极516相连接,经由层间连接导体517连接于形成于绝缘层503的一个主面并形成电感器Lb的布线电极518、布线电极515以及第3端子508。
通过变更各个布线电极514、518各自的图案形状或线路长度、粗细,从而能对各个电感器La、Lb各自的电感特性进行调整。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本专利特开2004-7250号公报(段落0056~0062、图4~图6等)
发明内容
发明所要解决的技术问题
图7所示的示例中,滤波器元器件的封装基板500内配置了滤波器特性调整用的电感器La、Lb。因此,需要用于配置形成各电感器La、Lb的布线电极514、515的绝缘层503,存在安装于模块基板的滤波器元器件(封装基板500)的厚度变厚的问题。
此外,为了避免滤波器元器件大型化,在不增大封装基板500的尺寸而进一步延伸用于形成电感器La、Lb的布线电极514、518的线路长度,或进一步形成用于形成特性调整用的其他电感器的其他布线电极的情况下,则有可能产生以下问题。即,用于形成特性调整用的电感器La、Lb的布线电极514、518在封装基板500内的布线密度变大,布线电极514、518相互接近地配置。
因此,因上述布线电极514、518彼此进行电磁场耦合而产生不需要的电容分量等,滤波器的衰减特性有可能发生变动。此外,在封装基板500内,形成各电感器La、Lb的布线电极514、518的配置空间受到限制,因此存在难以通过对各电感器La、Lb的图案形状或线路长度、粗细进行更变从而调整电感值进而对滤波器的衰减特性进行调整的问题。
本发明鉴于上述问题而完成,其目的在于提供一种能降低滤波器元器件的高度,并能防止滤波器的衰减特性的变动,能容易地对滤波器的衰减特性进行调整、改善的技术。
解决技术问题的技术方案
为了达成上述目的,本发明的高频模块的特征在于,包括滤波器元器件、模块基板以及第2电感器,所述滤波器元器件具有:输入有RF信号的第1端子;通过有从所述第1端子输入的RF信号的第1滤波器;对通过了所述第1滤波器的RF信号进行输出的第2端子;第3端子,以及一端与所述第1滤波器相连接,另一端与所述第3端子相连接的第1电感器,所述模块基板中安装有所述滤波器元器件,所述第2电感器俯视时设置于所述模块基板内的所述滤波器元器件的正下方,一端与所述第3端子相连接,另一端与接地相连接,所述第1滤波器具有:配置为呈串联臂状地连接所述第1滤波器的输入端子以及输出端子的多个串联谐振器;以及与所述串联臂相连接的多个并联臂谐振器,所述多个并联臂谐振器中的至少一个连接至所述第1电感器的与所述第1滤波器相连接的一端,构成所述第1电感器的第1布线电极与构成所述第2电感器的第2布线电极配置为在俯视时至少部分重合。
在采用上述构成的发明中,将用于将第1滤波器调整为所期望的衰减特性的电感器的一部分作为第2电感器设置于模块基板。因此,将形成设置于滤波器元器件内的用于调整第1滤波器的衰减特性的第1电感器的第1布线电极的线路长度缩短,能降低第1布线电极在滤波器元器件内的占用面积。因此,例如在第1布线电极形成于绝缘层的情况下,能减少绝缘层的数量,因此能降低滤波器元器件的高度。此外,形成第2电感器的第2布线电极在俯视时配置于与滤波器元器件重合的区域,因此通过减小形成有第2布线电极的模块基板2的面积从而能使高频模块小型化。
此外,能缩短第1布线电极的线路长度从而降低滤波器元器件内的第1布线电极的占用面积,因此能抑制形成配置于滤波器元器件内的其他电感器等的其他布线电极与第1布线电极的电磁场耦合。因此,能防止因第1电感器等的特性变化而导致第1滤波器的衰减特性发生变动。
此外,在与滤波器元器件相比布线电极的配置自由度较高的模块基板内,能容易地对第2布线电极的图案形状、线路长度、粗细进行改变从而自由地对第2电感器的电感值进行调整。因此,能提高第1电感器以及第2电感器构成为一体的特性调整用电感器的设计自由度,因此能容易地将第1滤波器调整为所期望的衰减特性。
此外,将第1布线电极与第2布线电极配置为在俯视时至少部分重合,从而能容易地使第1电感器与第2电感器进行磁场耦合。因此,即使在高频模块小型化,能对第1电感器以及第2电感器进行配置的空间受到限制的情况下,也能提高第1电感器以及第2电感器构成为一体的特性调整用的电感器的电感特性。因此,能更容易地对第1滤波器的衰减特性进行调整、改善。
此外,可以将所述第1布线电极以及所述第2布线电极构成为使得在所述第1布线电极与所述第2布线电极重合的部分中电流向同一方向流动。
由此,能更容易地使第1布线电极与第2布线电极进行磁场耦合,因此能进一步提高第1电感器以及第2电感器构成为一体的特性调整用的电感器的电感特性。
此外,可以构成为所述第1电感器以及所述第2电感器具有相同的电感器结构,该电感器结构为盘旋型或螺旋型,所述第1布线电极以及所述第2布线电极向同一方向卷绕。
根据上述构成,由第1电感器所产生的磁场的方向与由第2电感器所产生的磁场的方向相同,因此能抑制由用于对第1滤波器的特性进行调整的电感器所产生的磁场的扩散。因此,例如,能防止第1、第2电感器与其他电路元件的磁场耦合。
此外,可以构成为所述滤波器元器件包括:在其一个主面的规定区域形成有所述多个串联臂谐振器以及所述多个并联臂谐振器的滤波器基板;以及安装有所述滤波器基板的封装基板,所述第1布线电极设置于所述封装基板内。
根据上述构成,通过将设置有第1布线电极的封装基板形成得较薄,从而能提供将高度降低后的CSP结构的滤波器元器件安装于模块基板的、具有实用性构成的高频模块。
此外,可以构成为所述滤波器元器件包括:在其一个主面的规定区域形成有所述多个串联臂谐振器以及所述多个并联臂谐振器的滤波器基板;配置为围绕所述规定区域的绝缘层;配置于所述绝缘层上,以使得覆盖所述多个串联臂谐振器以及所述多个并联臂谐振器的方式设置的保护层;以及由所述滤波器基板、所述绝缘层以及所述保护层围绕的空间,所述第1端子、所述第2端子以及所述第3端子分别设置为从与所述空间所在的面相反的主面露出,与设置于所述模块基板的安装面的安装用电极相连接,所述第1布线电极也可设置于所述保护层内。
根据上述构成,通过将设置有第1布线电极的保护层形成得较薄而将高度进一步降低后的WL-CSP结构的滤波器元器件安装于模块基板,从而能提供高度进一步降低以及进一步小型化的高频模块。
此外,可以构成为进一步具备用于调整所述第1滤波器的特性的第3电感器,该第3电感器由设置于所述模块基板内的第3布线电极构成,一端与所述多个并联臂谐振器之中的至少一个相连接,另一端与接地相连接,以使得分别流过所述第2电感器以及所述第3电感器的电流方向为彼此相反方向的方式构成所述第2布线电极以及所述第3布线电极。
由此,能抑制第2电感器与第3电感器在模块基板内的磁场耦合。因此,能抑制第2电感器以及第3电感器的电感特性发生变动,因此能防止第1滤波器的衰减特性的劣化,实现滤波器的衰减特性的提高。
此外,可以构成为所述滤波器元器件进一步包括:由多个谐振器构成,通过有输入至所述第2端子的RF信号的第2滤波器;以及将通过所述第2滤波器的RF信号进行输出的第4端子,所述第1滤波器的通频带是发送信号的频带,所述第2滤波器的通频带是接收信号的频带。
由此,利用分离配置的第1、第2电感器来改善第1滤波器的衰减特性,因此能提供具备隔离特性改善后的第1滤波器与第2滤波器的高频模块。
发明效果
根据本发明,通过将用于对滤波器元器件的第1滤波器的衰减特性进行调整的第1、第2电感器配置为在彼此容易产生磁场耦合的状态下分离,从而能降低滤波器元器件内的第1布线电极的布线量。因此,例如在第1布线电极形成于绝缘层的情况下,能减少绝缘层的数量并降低滤波器元器件的高度。此外,能降低滤波器元器件内的第1布线电极的布线密度,因此能防止因第1布线电极与其他布线电极进行电磁场耦合而导致第1电感器的电感值发生变化进而引起第1滤波器的衰减特性发生变动。此外,通过变更第2布线电极的构成来对第2电感器的电感值进行调整,从而能对第1电感器以及第2电感器构成为一体的特性调整用电感器的电感特性进行调整,因此能容易地对第1滤波器的衰减特性进行调整、改善。
附图说明
图1是示出本发明的高频模块的实施方式1的图。
图2是示出图1的高频模块的电学构成的电路框图。
图3是示出俯视第1布线电极以及第2布线电极时的配置关系的图。
图4是示出第1滤波器与第2滤波器之间的隔离特性的图。
图5是示出形成电感器的布线电极的变形例的图,是示出具备(a)~(f)各自不同的结构的布线电极的图。
图6是示出本发明的高频模块的实施方式2的图。
图7是示出现有的高频模块所具备的滤波器元器件的封装基板的图。
具体实施方式
<实施方式1>
参照图1~图5,对本发明的高频模块的实施方式1进行说明。图1是示出本发明的高频模块的实施方式1的图,图2是示出图1的高频模块的电学构成的电路框图,图3是示出俯视第1布线电极以及第2布线电极时的配置关系的图。图4是示出第1滤波器与第2滤波器之间的隔离特性的图。图5是示出形成电感器的布线电极的变形例的图,是示出具备(a)~(f)各自不同的结构的布线电极的图。
另外,图1~图3中,仅图示出了本发明所涉及的主要构成,为了简化说明,省略其他构成的图示。此外,对于在之后的说明中所参照的图6,也与图1~图3相同地仅图示出了本发明的主要构成,在以下的说明中省略其说明。
(高频模块)
图1以及图2所示的高频模块1搭载于移动电话或移动信息终端等通信移动终端所具备的母基板,本实施方式中,包括设置有第1滤波器14以及第2滤波器15的滤波器元器件10(双工器)、模块基板2、匹配电路3以及开关IC、滤波器、电阻、电容器、线圈等各种电子元器件(省略图示),形成为高频天线开关模块。
此外,滤波器元器件10、用于形成匹配电路3的贴片型电感器3a、其他各种的电子元器件的至少一部分安装于设置于模块基板2的安装面2a上的安装用的电极2b。各种元器件10、3a或电子元器件等与形成于模块基板2的背面的多个安装用电极5通过设置于模块基板2的布线电极4互相进行电连接。此外,由安装用电极5来形成以下电极:即,从外部输入发送信号的发送电极Txa;将输入至发送电极Txa的发送信号向外部输出,并从外部输入接收信号的公共电极ANTa;将输入至公共电极ANTa的接收信号向外部输出的接收电极Rxa;以及与接地路径GND相连接的接地电极GNDa。
此外,通信移动终端所具备的母基板中设置有与公共路径或接地路径、发送路径、接收路径等各种信号路径相对应的布线电极。通过将高频模块1搭载于母基板,从而使形成上述各种路径的布线电极,与公共电极ANTa、接地电极GNDa、发送电极Txa以及接收电极Rxa相连接,在母基板与高频模块1之间进行发送接收信号的输入输出。
本实施方式中,通过对由陶瓷生片所形成的多个电介质层进行层叠并进行烧成,从而将模块基板2一体形成为陶瓷层叠体。
此外,通过在各个电介质层恰当地形成通孔导体以及面内导体图案,从而在模块基板2形成布线电极4或安装用电极5、形成第2电感器L2的第2布线电极6以及形成第3电感器L3的第3布线电极7等。另外,第2、第3电感器L2、L3用于对第1滤波器14的特性进行调整。此外,也可利用形成于电介质层的面内导体图案以及通孔导体,来进一步形成其他的电感器或电容器等电路元件。此外,也可将上述电路元件进行组合而形成滤波电路或匹配电路3等各种电路。关于各个电感器L2、L3与第1滤波器14的连接状态,将在后文中进行详细说明。
另外,模块基板2可使用树脂或陶瓷、聚合材料等,由印刷基板、LTCC、氧化铝类基板、复合材料等多层基板形成,根据高频模块1的使用目的,选择最合适的材质来形成模块基板2即可。
本实施方式中,匹配电路3由安装于模块基板2的安装面2a的贴片型电感器3a形成。具体而言,电感器3a的一端连接至连接滤波器元器件10的公共端子ANTb(相当于本发明的“第2端子”)与模块基板2的公共电极ANTa的路径。电感器3a的另一端经由设置于模块基板2的接地连接用布线电极与接地电极GNDa(接地)相连接,从而形成匹配电路3。
另外,匹配电路3并不限于图2所示的构成,可通过将图2所示的电感器3a替换为电容器从而形成匹配电路3,也可通过将电感器或电容器串联连接至连接公共电极ANTa与公共端子ANTb的路径从而形成匹配电路3。此外,也可将电感器与电容器进行组合而形成匹配电路3。即,匹配电路3也可具备在高频模块1中用于使连接至公共电极ANTa的天线等电路元件、与连接至公共端子ANTb的滤波器元器件10进行阻抗匹配的通常所使用的任意电路构成。此外,匹配电路3也可进一步设置于发送端子Txb以及接收端子Txb一侧。
(滤波器元器件)
滤波器元器件10具有芯片尺寸封装(CSP)结构,包括:在一个主面的规定区域形成有第1滤波器14以及第2滤波器15的滤波器基板11;安装有滤波器基板11的封装基板12;以覆盖滤波器基板11的方式设置于封装基板12的树脂层13;发送端子Txb(相当于本发明的“第1端子”);公共端子ANTb;接收端子Rxb(相当于本发明的“第4端子”)以及多个接地端子GNDb(相当于发明的“第3端子”)。
此外,将来自发送电极Txa的发送信号输入至发送端子Txb,该发送信号通过第1滤波器14从公共端子ANTb输出至公共电极ANTa。此外,将来自公共电极ANTa的接收信号输入至公共端子ANTb,该接收信号通过第2滤波器15从接收端子Rxb输出至接收电极Rxa。
本实施方式中,滤波器基板11由铌酸锂、钽酸锂、水晶等压电体形成。此外,通过在滤波器基板11的一个主面的规定区域设置由Al或Cu等所形成的梳齿电极(IDT电极)或反射器而构成SAW(表面弹性波)滤波器元件,从而在滤波器基板11形成第1滤波器14以及第2滤波器15。
此外,在滤波器基板11形成有第1滤波器14的输入端子14a以及输出端子14b、第2滤波器15的输入端子15a以及输出端子15b、接地布线用的外部连接端子GNDc。
在本实施方式中,封装基板12与模块基板2同样地通过对由陶瓷生片所形成的多个电介质层进行层叠并进行烧成,从而一体形成为陶瓷层叠体。此外,与模块基板2同样地通过在各个电介质层恰当地形成通孔导体以及面内导体图案,从而在封装基板12形成内部布线电极(图示省略)或安装用电极16,以及形成第1电感器L1的第1布线电极17。另外,利用安装用电极16形成发送端子Txb、公共端子ANTb、接收端子Rxb以及接地端子GNDb。此外,第1电感器L1用于对第1滤波器14的特性进行调整。
另外,封装基板12可使用树脂或陶瓷、聚合材料等,由印刷基板、LTCC、氧化铝类基板、复合材料等多层基板形成,根据高频模块1的使用目的,选择最合适的材质来形成封装基板12即可。
滤波器基板11利用键合引线(图示省略)或超声波振动来与形成于封装基板12表面的安装用电极(图示省略)相连接,从而安装于封装基板12。由此,经由省略了图示的内部布线电极,第1滤波器14的输入端子14a与发送端子Txb相连接,第2滤波器15的输出端子15b与接收端子Rxb相连接,第1滤波器14的输出端子14b以及第2滤波器15的输入端子15a与公共端子ANTb相连接。此外,外部连接端子GNDc与接地端子GNDb通过内部布线电极直接相连接或经由第1电感器L1(第1布线电极17)相连接。
树脂层13利用环氧树脂等一般的热固化性模塑用树脂,以覆盖滤波器基板11的方式形成在封装基板12上。滤波器元器件10经由形成于安装用电极16的焊球18与模块基板2的安装面2a的安装用的电极2b相连接。
接着,对第1滤波器14以及第2滤波器15的构成进行说明。另外,第1滤波器14将发送信号的频带设定为通频带,第2滤波器15将不同于发送信号的频带的接收信号的频带设定为通频带。
第1滤波器14如图2所示,通过在滤波器基板11的一个主面的规定区域以梯形形式连接具有梳齿电极以及反射器的多个SAW谐振器而形成。具体而言,第1滤波器14包括:配置为呈串联臂状地连接输入端子14a以及输出端子14b的多个(本实施方式中为9个)谐振器S1~S9;以及连接在串联臂与接地布线用的外部连接端子GNDc(接地端子GNDb)之间的多个(本实施方式中为6个)并联臂谐振器P1~P6。
此外,并联臂谐振器P1的一端连接至串联臂谐振器S6、S7之间,另一端与并联臂谐振器P2的一端相连接。此外,并联臂谐振器P2的另一端与接地布线用的外部连接端子GNDc相连接。设置于封装基板2内的电感器L1的一端经由外部连接端子GNDc与并联臂谐振器P2(第1滤波器14)的另一端相连接,电感器L1的另一端与接地端子GNDb相连接。此外,电感器L2的一端与接地端子GNDb相连接并与第1电感器L1的另一端相连接,电感器L2的另一端与接地电极GNDa相连接,从而并联臂谐振器P1、P2与接地电极GNDa(接地)相连接。
此外,并联臂谐振器P3的一端连接至串联臂谐振器S3、S4之间,另一端与并联臂谐振器P4的一端相连接。此外,并联臂谐振器P5的一端连接至串联臂谐振器S1以及输入端子14a之间,另一端与并联臂谐振器P6的一端相连接。此外,并联臂谐振器P4、P6各自的另一端经由接地布线用的外部连接端子GNDc与接地端子GNDb相连接。电感器L3的一端经由接地端子GNDb与并联臂谐振器P4、P6(第1滤波器14)各自的另一端相连接,电感器L3的另一端与接地电极GNDa(接地)相连接,从而并联臂谐振器P3~P6与接地电极GNDa(接地)相连接。
此外,通过对各电感器L1~L3的电感值恰当地进行调整,能对第1滤波器14的衰减特性进行调整。具体而言,通过对各电感器L1~L3的电感值进行调整,能在第1滤波器14的通频带的低频带侧或高频带侧的任意频率的位置形成衰减极。此外,各谐振器S1~S9以及P1~P6形成为在梳齿电极的表面弹性波的前进方向的两侧配置有反射器,各谐振器S1~S9以及P1~P6经由省略了图示的滤波器元器件10内的内部布线电极与接地端子GNDb相连接,从而与接地电极GNDa(接地)相连接。
第2滤波器15所具备的接收用SAW滤波器元件将输入至公共端子ANTb的第2频带的接收信号输出至接收端子Rxb。此外,如图2所示,第2滤波器15通过在滤波器基板11的一个主面的规定区域与具有梳齿电极以及反射器的多个谐振器相连接而形成。此外,第2滤波器15例如由形成移相器的谐振器与形成带通滤波器的纵向耦合型谐振器串联连接而形成,然而省略其详细说明。此外,与上述第1滤波器14相同,形成第2滤波器15的各谐振器经由省略了图示的滤波器元器件10内的内部布线电极以及接地端子GNDb而与接地电极GNDa(接地)相连接。
另外,第2滤波器15也可形成为设置有2个接收端子Rxb、对接收信号进行平衡输出的平衡型滤波器。
(各电感器L1~L3的配置关系)
本实施方式中,设置有滤波器元件10的第1滤波器14的特性调整用的第1~第3电感器L1~L3,第1电感器L1由形成于封装基板12的第1布线电极17形成,第2、第3电感器L2、L3由形成于模块基板2的第2、第3布线电极6、7形成。此外,本实施方式中,如图1所示,形成第2电感器L2的第2布线电极6配置为俯视时其位于模块基板2内的滤波器元器件10的正下方,滤波器元器件10与第2电感器L2之间未配置有屏蔽用的接地电极。
此外,第1电感器L1与第2电感器L2经由接地端子GNDb串联连接。此外,如图1以及图3所示,配置为使得形成第1电感器L1的第1布线电极17与形成第2电感器L2的第2布线电极6在俯视时至少部分重合。优选第1布线电极17与第2布线电极6在俯视时重合的部分越多越好。此外,本实施方式中,在第1布线电极17与第2布线电极6重合的部分中,以使得流过第1布线电极17的电流I1与流过第2布线电极6的电流I2向同一方向流动的方式,形成第1布线电极17以及第2布线电极6。
具体而言,第1电感器L1以及第2电感器L2由形成为盘旋型或螺旋型的电感器结构的第1布线电极17以及第2布线电极6形成。此外,第1布线电极17以及第2布线电极6向同一方向卷绕。
此外,形成第3电感器L3的第3布线电极7设置于模块基板2内。此外,本实施方式中,以使得分别流过第2电感器L2以及第3电感器L3的电流的方向彼此相反的方式,形成第2布线电极6以及第3布线电极7。此外,优选为第3布线电极7与第2布线电极6之间的距离比第1布线电极17与第2布线电极6之间的距离更长。
(制造方法)
接着,说明图1的高频模块1的制造方法的一个示例的概要。
首先,对于形成为规定形状的陶瓷生片,利用激光等形成通孔并向内部填充导体糊料,或实施电镀填孔,从而形成层间连接用的通孔导体(布线电极4、6、7),利用导体糊料来对面内导体图案(布线电极4、6、7)、安装面2a的安装用电极2b以及安装用电极5等布线图案进行印刷,从而完成用于形成构成模块基板2的各电介质层的陶瓷生片的准备工作。另外,在各个陶瓷生片上设置多个通孔导体、面内导体图案,以使得能一次性形成大量的模块基板2。
接着,将各个电介质层进行层叠而形成层叠体。以包围各模块基板2的区域的方式形成沟槽,该沟槽用于在烧成后将层叠体分割为一个个模块基板2。接着,对层叠体进行低温烧成,从而形成模块基板2的集合体。
接着,在被分割为一个个模块基板2之前,在模块基板2的集合体的安装面2a安装滤波器元器件10以及电感器3a等各种电子元器件,从而完成高频模块1的集合体。另外,此时,也可在模块基板2的集合体的安装面2a以覆盖滤波器元器件10以及电感器3a的方式填充树脂,脂层通过并对其加热固化而设置树脂层。之后,将高频模块1的集合体分割为一个个高频模块,从而完成高频模块1。
在这样形成的高频模块1中,从母基板经由安装用电极5以及布线电极4而输出至滤波器元器件10的发送端子Txb的发送信号被输入至第1滤波器14并被施加规定的滤波处理,从公共端子ANTb输出至模块基板2一侧,经由布线电极4(匹配电路3)以及安装用电极5输出至外部。此外,从外部经由安装用电极5以及布线电极4(匹配电路3)而输入至滤波器元器件10的公共端子ANTb的接收信号被输入至第2滤波器15并被施加规定的滤波处理,从接收端子Rxb输出至模块基板2一侧,经由布线电极4以及安装用电极5输出至外部。
(隔离特性)
接着,对高频模块1的隔离特性进行说明。另外,图4所示的隔离特性示出了将任意频率的RF信号输入至发送电极Txa(发送端子Txb)时,在接收电极Rxa(接收端子Rxb)所观测到的RF信号的大小。另外,图4的横轴示出了输入至发送电极Txa的RF信号的频率(MHz),纵轴示出了在接收电极Rxb所观测到的RF信号的信号电平(dB)。
此外,图4中的实线示出了将规定的RF信号输入至如上述那样在模块基板2内配置有与第1电感器L串联连接的第2电感器L2的高频模块1时的隔离特性,同一图中的虚线作为比较例示出了将规定的RF信号输入至不具备第2电感器L2的高频模块时的隔离特性。
如图4所示,本申请实施例中,与比较例相比,尤其是设定于高频侧的接收信号的频带(本实施例中M4的频带)中的隔离特性改善了约3.4dB左右。
(形成电感器的布线电极的变形例)
参照图5对模块基板2以及电感器元器件10内所设置的形成各电感器L1~L3的布线电极6、7、17的变形例进行说明。图5是示出形成电感器的布线电极的变形例的图,是示出具备(a)~(f)各自不同的结构的布线电极的图。另外,以下说明的布线电极可以形成于形成模块基板2或封装基板12的各绝缘体层,或者可以根据所需电感器的特性对以下所说明的布线电极进行任意组合而构成电感器L1~L3。
图5(a)所示的布线电极E1形成为弯曲型,图5(b)所示的布线电极E2形成为盘旋型。此外,图5(c)所示的布线电极E3形成为盘旋型,一个引出电极(同一图中的虚线部分)形成于与布线电极E3的主要部分不同的绝缘层,通过通孔导体与布线电极E3的主要部分相连接。此外,图5(d)所示的布线电极E4形成为直线形。
此外,图5(e)所示的布线电极E5具备分别形成于多个绝缘体层的多个大致为L字形的面内导体图案E5a。此外,从上开始的第1层、第3层的大致为L字形的面内导体图案E5a配置为朝向同一方向,从上开始的第2层、第4层的大致为L字形的面内导体图案E5a配置为朝向使第1层、第3层的面内导体图案E5a旋转约180°后的方向。第1层的面内导体图案E5a的短边侧的一端与第2层的面内导体图案E5a的长边侧的另一端通过通孔导体E5b相连接,第2层的面内导体图案E5a的短边侧的一端与第3层的面内导体图案E5a的长边侧的另一端通过通孔导体E5b相连接,第3层的短边侧的一端与第4层的面内导体图案E5a的长边侧的另一端通过通孔导体E5b相连接,从而形成为螺旋形的布线电极E5。
此外,图5(f)所示的布线电极E6形成为螺旋形地卷绕于环状的圆环型的线圈铁芯E6a的周围。
如上所述,本实施方式中,用于将滤波器元器件10的第1滤波器14调整为所期望的衰减特性的电感器的一部分作为第2电感器L2设置于模块基板2。因此,将形成设置于滤波器元器件10内的用于调整第1滤波器14的衰减特性的第1电感器L1的第1布线电极17的线路长度缩短,能降低第1布线电极17在滤波器元器件内的占用面积。因此,在第1布线电极17形成于封装基板12的绝缘层的情况下,能减少绝缘层的数量,因此能降低滤波器元器件10的高度。此外,通过将第2电感器L2配置于滤波器元器件10的正下方,从而能将形成第2电感器L2的第2布线电极6配置于在俯视时与滤波器元器件10重合的区域,因此通过减小形成有第2布线电极6的模块基板2的面积从而能使高频模块1小型化。
此外,能缩短第1布线电极17的线路长度从而降低滤波器元器件10内的第1布线电极17的占用面积,因此能抑制形成配置于滤波器元器件10内的其他电感器等的其他布线电极与第1布线电极17的电磁场耦合。因此,能防止第1电感器L1等的元件特性发生变化而导致第1滤波器14的衰减特性发生变动。
此外,在与滤波器元器件10相比而较易确保布线电极的配置空间的模块基板2内,能容易地对第2布线电极6的图案形状、线路长度、粗细进行变更从而自由地对第2电感器L2的电感值进行调整。因此,能提高第1电感器L1以及第2电感器L2构成为一体的特性调整用电感器的设计自由度,因此能容易地将第1滤波器14调整为所期望的衰减特性。
此外,将第1布线电极17与第2布线电极6配置为在俯视时至少部分重合,从而能容易地使第1电感器L1与第2电感器L2进行磁场耦合。因此,即使在高频模块1小型化,能配置第1电感器L1以及第2电感器L2的空间受到限制的情况下,也能提高第1电感器L1以及第2电感器L2构成为一体的特性调整用的电感器的电感特性。因此,能更容易地对第1滤波器14的衰减特性进行调整、改善。
此外,以使得在第1布线电极17与第2布线电极6重合的部分中电流向同一方向流动的方式,形成第1布线电极17以及第2布线电极6,因此能更容易地使第1布线电极17与第2布线电极6进行磁场耦合。因此,能进一步提高第1电感器L1以及第2电感器L2构成为一体的特性调整用的电感器的电感特性。此外,本实施方式中,滤波器元器件10与第2电感器L2之间未配置屏蔽用的接地电极,因此由各电感器L1、L2分别产生的磁通未被遮挡,因此能更进一步提高第1电感器L1以及第2电感器L2构成为一体的特性调整用的电感器的电感特性。
此外,第1电感器L1以及第2电感器L2第1布线电极17以及第2布线电极6形成,上述第1布线电极17以及第2布线电极6采用相同的电感器结构,该电感器结构为盘旋型或螺旋型,第1布线电极17以及第2布线电极6向同一方向卷绕,从而能起到如下效果。即,由第1电感器L1所产生的磁场的方向与由第2电感器L2所产生的磁场的方向相同,因此能抑制由用于对第1滤波器14的特性进行调整的电感器所产生的磁场的扩散。因此,例如能防止第1、第2电感器L1、L2与其他电路元件的磁场耦合。
此外,能将设置有第1布线电极17的封装基板12形成得较薄,因此能提供将高度降低后的CSP结构的滤波器元器件10安装于模块基板2的、具有实用性构成的高频模块1。
此外,第2布线电极6以及第3布线电极7形成为使得分别流过第2电感器L2以及第3电感器L3的电流的方向彼此相反,因此能抑制第2电感器L2与第3电感器L3在模块基板2内的磁场耦合。因此,能抑制第2电感器L2以及第3电感器L3的电感特性的变动,因此能防止第1滤波器14的衰减特性的劣化,实现第1滤波器14的衰减特性的提高。
此外,利用分离配置的第1、第2电感器L1、L2从而改善了第1滤波器14的衰减特性,因此能提供具备隔离特性得到改善的第1滤波器14与第2滤波器15的高频模块1。
<实施方式2>
接着,参照图6对本发明的实施方式2进行说明。图6是示出本发明的高频模块的实施方式2的图。
本实施方式与上述实施方式1不同的点在于,如图6所示,滤波器元器件20具有晶圆片级芯片封装(WL-CSP)的结构,形成第1电感器L1的第1布线电极17形成于保护层23。其它结构与上述实施方式1相同,因此通过引用相同标号来省略其结构说明。
滤波器元器件20包括滤波器基板11、绝缘层22、保护层23、第1滤波器14以及第2滤波器15。
本实施方式中,与上述实施方式1相同,通过在滤波器基板11的一个主面11a的规定区域设置由Al或Cu等所形成的梳齿电极(IDT电极)或反射器而构成SAW(表面弹性波)滤波器元件,从而形成第1滤波器14以及第2滤波器15此外,在滤波器基板11的一个主面11a设置有第1滤波器14的输入端子14a以及输出端子14b、第2滤波器15的输入端子15a以及输出端子15b、形成接地布线用的外部连接端子GNDc的端子电极24。
各端子电极24分别与贯通绝缘层22而形成的电极25相连接,利用从保护层23的主面露出的电极25构成发送端子Txb、接收端子Rxb、公共端子ANTb以及多个接地端子GNDb。另外,第1滤波器14的输入端子14a与发送端子Txb相连接,第2滤波器15的输出端子15b与接收端子Rxb相连接,第1滤波器14的输出端子14b以及第2滤波器15的输入端子15a与公共端子ANTb相连接。此外,各SAW谐振器经由接地布线用的接地端子GNDc与接地端子GNDb相连接。
绝缘层22配置为围绕滤波器基板11的一个主面11a上的设置有梳齿电极以及反射器的规定区域。具体而言,绝缘层22通过如下方式形成,即,在设有梳齿电极、反射器以及端子电极24的滤波器基板11的一个主面11a上,利用感光性环氧类树脂、聚酰亚胺类树脂形成树脂层,之后,经过光刻工序,去除设有梳齿电极以及反射器的规定区域以及端子电极24的区域的树脂层。
在保护层23配置于绝缘层22上,与滤波器基板11之间形成有绝缘层22以及围绕的空间K,在该形成的空间K内,配置有发送用SAW滤波器元件以及接收用SAW滤波器元件。具体而言,保护层23通过如下方式形成,即,例如,对利用感光性环氧类树脂或聚酰亚胺类树脂经过光刻工序而被层叠于绝缘层22的树脂层的连接孔填充Cu或Al糊料,或对其实施电镀填孔,形成与端子电极24相连接的电极25。此外,本实施方式中,在保护层23中形成有形成第1电感器L1的第1布线电极17。在与端子电极24相连接的、从与配置有各滤波器元件的空间相反侧的保护层23的主面露出的电极25形成安装用焊球26,从而形成滤波器元器件20。
此外,以保护层23与模块基板2的安装面2a相对的方式,使滤波器元器件20与安装面2a的安装用电极2b相连接,模块基板2的发送电极Txa与滤波器元器件20的发送端子Txb相连接,发送电极Txa与第1滤波器14的输入端子14a经由发送端子Txb相连接。此外,模块基板2的接收电极Rxa与滤波器元器件20的接收端子Rxb相连接,接收电极Rxa与第2滤波器15的输出端子15b经由接收端子Rxb相连接。此外,模块基板2的公共电极ANTa与滤波器元器件20的公共端子ANTb相连接,公共电极ANTa与第1滤波器14的输出端子14b以及第2滤波器15的输入端子15a经由公共端子ANTb相连接。此外,模块基板2的接地电极GNDa与滤波器元器件20的各接地端子GNDb相连接,接地电极GNDa与各滤波器14、15的接地部位经由各接地端子GNDb相连接。
如上所述,本实施方式中,构成与图2所示的电路相同的电路,能起到如下效果。即,通过将设置有第1布线电极17的保护层23形成得较薄而将高度进一步降低后的WL-CSP结构的滤波器元器件20安装于模块基板2,从而能提供高度进一步降低以及进一步被小型化的高频模块1。
此外,本发明并不限于上述各实施方式,在不脱离其宗旨的范围内,除上述内容以外可以进行各种变更,也可以对上述实施方式所具备的构成进行任意组合。例如,其他的并联臂谐振器也可与第1电感器L1的一端相连接。此外,也可设置多个第1电感器L1,将各第1电感器L1分别与不同的并联臂谐振器相连接。
此外,第1滤波器14所具备的梯形滤波器的构成不限于上述示例,只要具有用于调整滤波器特性的并联连接的谐振器的构成,可以任意形成第1滤波器14。此外,第2滤波器15的构成可以是具有利用了弹性波的谐振器的构成,也可以利用一般的LC滤波器来形成第2滤波器15。此外,作为利用了弹性波的滤波器,其不限于SAW滤波器,也可以由利用了FBAR型或SMR型的体弹性波(bulk elastic waves)的BAW滤波器来形成第1滤波器14以及第2滤波器15。
此外,上述各实施方式中,以在模块基板2搭载有1个滤波器元器件10、20的高频模块1为例进行了说明,然而也可以在模块基板2上搭载2个以上的滤波器元器件10、20来形成高频模块,该情况下,在模块基板2上搭载开关IC,利用开关IC来从搭载于模块基板2的多个滤波器元器件10、20中选择并切换使用的滤波器元器件10、20即可。
此外,也可以在模块基板2的安装面2a进一步设置有接地电极层。该情况下,也可在第1布线电极17以及第2布线电极6俯视时重合的部分中,在接地电极层设置缺口。
工业上的实用性
本发明能够广泛地适用于具备安装有滤波器元器件的模块基板的高频模块。
标号说明
1 高频模块
2 模块基板
6 第2布线电极
7 第3布线电极
10、20 滤波器元器件
11 滤波器基板
12 封装基板
14 第1滤波器
14a 输入端子
14b 输出端子
15 第2滤波器
17 第1布线电极
22 绝缘层
23 保护层
ANTb 公共端子(第2端子)
GNDa 接地电极(接地)
GNDb 接地端子(第3端子)
Rxb 接收端子(第4端子)
Txb 发送端子(第1端子)
I1 流过第1电感器的电流
I2 流过第2电感器的电流
L1 第1电感器
L2 第2电感器
L3 第3电感器
K空间

Claims (7)

1.一种高频模块,其特征在于,包括滤波器元器件(10)、模块基板(2)以及第2电感器(L2),所述滤波器元器件(10)具有:
输入有RF信号的第1端子(Txb);
通过有从所述第1端子(Txb)输入的RF信号的第1滤波器(14);
对通过所述第1滤波器(14)的RF信号进行输出的第2端子(ANTb);
第3端子(GNDb),以及
一端与所述第1滤波器(14)相连接,另一端与所述第3端子(GNDb)相连接的第1电感器(L1),
所述模块基板(2)中安装有所述滤波器元器件(10),
所述第2电感器(L2)俯视时设置于所述模块基板(2)内的所述滤波器元器件(10)的正下方,一端与所述第3端子(GNDb)相连接,另一端与接地(GND)相连接,
所述第1滤波器(14)具有:配置为呈串联臂状地连接所述第1滤波器(14)的输入端子(14a)以及输出端子(14b)的多个串联臂谐振器(S1~S9),以及
与所述串联臂相连接的多个并联臂谐振器(P1~P6),
所述多个并联臂谐振器(P1~P6)中的至少一个连接至所述第1电感器(L1)的与所述第1滤波器(14)相连接的一端(GNDc),
构成所述第1电感器(L1)的第1布线电极(17)与构成所述第2电感器(L2)的第2布线电极(6)配置为在俯视时至少部分重合。
2.如权利要求1所述的高频模块,其特征在于,
以使得在所述第1布线电极与所述第2布线电极重合的部分中电流向同一方向流动的方式,来构成所述第1布线电极以及所述第2布线电极。
3.如权利要求1所述的高频模块,其特征在于,
所述第1电感器以及所述第2电感器具有相同的电感器结构,该电感器结构为盘旋型或螺旋型,
所述第1布线电极以及所述第2布线电极向同一方向卷绕。
4.如权利要求1至3的任一项所述的高频模块,其特征在于,
所述滤波器元器件包括:在其一个主面的规定区域形成有所述多个串联臂谐振器以及所述多个并联臂谐振器的滤波器基板;以及安装有所述滤波器基板的封装基板,
所述第1布线电极设置于所述封装基板内。
5.如权利要求1至3的任一项所述的高频模块,其特征在于,
所述滤波器元器件包括:在其一个主面的规定区域形成有所述多个串联臂谐振器以及所述多个并联臂谐振器的滤波器基板;
配置为围绕所述规定区域的绝缘层;
配置于所述绝缘层上、以覆盖所述多个串联臂谐振器以及所述多个并联臂谐振器的方式设置的保护层,以及
由所述滤波器基板、所述绝缘层以及所述保护层围绕的空间,
所述第1端子、所述第2端子以及所述第3端子分别设置为从与所述空间所在的面相反的主面露出,与设置于所述模块基板的安装面的安装用电极相连接,
所述第1布线电极设置于所述保护层内。
6.如权利要求1至3的任一项所述的高频模块,其特征在于,
还进一步具有用于调整所述第1滤波器的特性的第3电感器,该第3电感器由设置于所述模块基板内的第3布线电极构成,一端与所述多个并联臂谐振器中的至少一个相连接,另一端与接地相连接,
以使得分别流过所述第2电感器以及所述第3电感器的电流方向为彼此相反方向的方式构成所述第2布线电极以及所述第3布线电极。
7.如权利要求1至3的任一项所述的高频模块,其特征在于,
所述滤波器元器件还进一步具备:由多个谐振器构成,通过有输入至所述第2端子的RF信号的第2滤波器,以及
对通过所述第2滤波器的RF信号进行输出的第4端子,
所述第1滤波器的通频带是发送信号的频带,
所述第2滤波器的通频带是接收信号的频带。
CN201580042842.6A 2014-08-12 2015-08-10 高频模块 Active CN106664076B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014-164030 2014-08-12
JP2014164030 2014-08-12
PCT/JP2015/072604 WO2016024559A1 (ja) 2014-08-12 2015-08-10 高周波モジュール

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN106664076A CN106664076A (zh) 2017-05-10
CN106664076B true CN106664076B (zh) 2019-05-10

Family

ID=55304186

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201580042842.6A Active CN106664076B (zh) 2014-08-12 2015-08-10 高频模块

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9948276B2 (zh)
JP (1) JP5943158B1 (zh)
CN (1) CN106664076B (zh)
WO (1) WO2016024559A1 (zh)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6372568B2 (ja) * 2014-07-01 2018-08-15 株式会社村田製作所 高周波モジュール
KR101991219B1 (ko) * 2016-05-19 2019-06-19 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 필터 장치
US10547287B2 (en) * 2017-02-03 2020-01-28 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Filter and front end module including the same
US10511286B2 (en) 2017-02-03 2019-12-17 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Variable frequency filter
US10547286B2 (en) 2017-02-03 2020-01-28 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Filter and front end module including the same
DE102018102891A1 (de) * 2017-02-13 2018-08-16 Murata Manufacturing Co., Ltd. Multiplexierer, Übertragungsvorrichtung und Empfangsvorrichtung
US11437563B2 (en) * 2017-07-17 2022-09-06 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Acoustic wave device and method of manufacturing the same
JP6959819B2 (ja) 2017-10-02 2021-11-05 株式会社村田製作所 マルチプレクサ
JP6900947B2 (ja) * 2018-12-28 2021-07-14 株式会社村田製作所 高周波モジュールおよび通信装置
JP6919664B2 (ja) * 2019-01-31 2021-08-18 株式会社村田製作所 マルチプレクサおよび通信装置
JP2021034959A (ja) * 2019-08-28 2021-03-01 株式会社村田製作所 フィルタモジュール
CN114424459A (zh) * 2019-08-30 2022-04-29 京瓷株式会社 滤波装置及通信装置
JP2022083835A (ja) * 2020-11-25 2022-06-06 株式会社村田製作所 高周波モジュール及び通信装置
US20220200645A1 (en) * 2020-12-18 2022-06-23 Skyworks Solutions, Inc. Stacked resonator based antennaplexer
CN116318043B (zh) * 2023-02-28 2023-12-22 锐石创芯(重庆)科技有限公司 弹性波滤波器装置、射频前端模块及电子设备

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002217680A (ja) * 2001-01-22 2002-08-02 Toyo Commun Equip Co Ltd ラダー型弾性表面波フィルタ
JP2003008393A (ja) * 2001-06-19 2003-01-10 Tdk Corp 高周波モジュール部品
JP4154949B2 (ja) * 2002-08-06 2008-09-24 松下電器産業株式会社 Sawフィルタ
KR100760780B1 (ko) * 2004-09-28 2007-09-21 후지쓰 메디아 데바이스 가부시키가이샤 분파기
WO2006040923A1 (ja) * 2004-10-08 2006-04-20 Murata Manufacturing Co., Ltd. 分波器
JP2007060411A (ja) * 2005-08-25 2007-03-08 Fujitsu Media Device Kk 分波器
US7808935B2 (en) * 2006-03-08 2010-10-05 Kyocera Corporation Duplexer and communication device
DE102006033709B4 (de) * 2006-07-20 2010-01-14 Epcos Ag Elektrisches Modul
JP5708828B2 (ja) 2012-09-19 2015-04-30 株式会社村田製作所 フィルタ装置

Also Published As

Publication number Publication date
US9948276B2 (en) 2018-04-17
JPWO2016024559A1 (ja) 2017-04-27
CN106664076A (zh) 2017-05-10
WO2016024559A1 (ja) 2016-02-18
JP5943158B1 (ja) 2016-06-29
US20170155376A1 (en) 2017-06-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106664076B (zh) 高频模块
CN106537793B (zh) 高频模块
CN106464294B (zh) 高频模块
CN107078715B (zh) 高频模块
US9178491B2 (en) Circuit module including duplexer
CN107534433B (zh) 高频模块
CN111355495B (zh) 高频模块
JP5262413B2 (ja) マルチバンドデュプレクサモジュール
US8405472B2 (en) Elastic wave filter device
JP6183932B2 (ja) 音響波で動作する共鳴器を備えるリアクタンスフィルタ
JP4637669B2 (ja) フィルタ装置とこれを用いたマルチバンドフィルタ、分波器及び通信装置
JPWO2004102798A1 (ja) 弾性表面波分波器
US9461621B2 (en) Duplexer and module including the same
CN105453427B (zh) 高频模块
JP6382331B2 (ja) チューナブルフィルタ用パッケージ
JP2017512424A5 (zh)
KR102424038B1 (ko) 멀티플렉서
US20140197915A1 (en) Electronic component
US11368135B2 (en) High-frequency module
US9692388B2 (en) High frequency module comprising a band-pass LC filter and a piezoelectric resonator
JP2017521007A (ja) RFフィルタ回路、減衰が改善されたrfフィルタおよび分離度が改善されたデュプレクサ
WO2018003378A1 (ja) フィルタ装置およびマルチプレクサ
CN217957069U (zh) 收发模块

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant