JP6020780B1 - 高周波モジュール - Google Patents

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Abstract

高周波モジュールを大型化することなく、送信端子に入力される送信信号の周波数帯域外のＲＦ信号の減衰特性を向上し、送信フィルタと受信フィルタとの間のアイソレーション特性の向上を図ることができる技術を提供する。簡素な構成で送信フィルタ１４の通過帯域外の減衰特性を劣化させることなくフィルタ特性をさらに改善するための伝搬経路ＷＰを形成することができるので、高周波モジュール１を大型化することなく、送信信号の周波数帯域外のＲＦ信号の減衰特性を向上することができる。また、送信信号の周波数帯域外のＲＦ信号であって受信信号とほぼ同一の周波数帯域のＲＦ信号が、送信フィルタ１４の出力端子１４ｂ側の信号経路から受信フィルタ１５側に回り込んで受信端子Ｒｘａから出力されることが抑制されるので、送信フィルタ１４と受信フィルタ１５との間のアイソレーション特性の向上を図ることができる。

Description

本発明は、送信信号と受信信号とを分波する機能を備える高周波モジュールに関する。
従来、フィルタ回路を備える高周波モジュールが提供され、例えば、図１２に示すフィルタ回路５００が高周波モジュールに搭載されている（例えば特許文献１参照）。フィルタ回路５００は、入力端子５０１と出力端子５０２との間に接続されたフィルタ部５０３と、フィルタ部５０３に並列に接続された経路５０４とを備えている。そのため、入力端子５０１に入力されたＲＦ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ、高周波）信号が通過する信号経路がフィルタ部５０３の経路と経路５０４とに分岐しているので、入力端子５０１にＲＦ信号が入力されると、第１信号５０５がフィルタ部５０３を通過し、第２信号５０６が経路５０４を通過する。そして、フィルタ部５０３を通過した第１信号５０５と経路５０４を通過した第２信号５０６とが合成されたＲＦ信号が出力端子５０２から出力される。
フィルタ部５０３は、所定の通過帯域が設定されたバンドパスフィルタにより構成され、通過帯域のＲＦ信号を通過させ、通過帯域外のＲＦ信号を減衰させる。しかし、フィルタ部５０３だけでは通過帯域外のＲＦ信号が所望の値まで減衰できないことがある。そのため、経路５０４には、インダクタやキャパシタにより構成された補正回路が設けられている。そして、経路５０４を通過する第２信号５０６の位相と、フィルタ部５０３を通過し、さらに減衰させたい第１信号５０５の位相とが、フィルタ部５０３の通過帯域外の周波数帯域において逆位相となり、かつ、この周波数帯域において、第１信号５０５の振幅と第２信号５０６の信号の振幅とが同一となるように、経路５０４のインピーダンスが設定されている。
そのため、フィルタ部５０３の出力側の信号経路と経路５０４の出力側の信号経路との接続点において、フィルタ部５０３を通過した第１信号５０５と経路５０４を通過した第２信号５０６とが、フィルタ部５０３の通過帯域外の周波数帯域において相殺するので、出力端子５０２から出力される当該周波数帯域のＲＦ信号が減衰される。したがって、フィルタ回路５００における通過帯域外のＲＦ信号の減衰特性が向上する。また、フィルタ回路５００の通過帯域と異なる通過帯域が設定されたバンドパスフィルタにより構成された他のフィルタ回路がフィルタ回路５００に隣接配置されている場合に、フィルタ回路５００の通過帯域外のＲＦ信号が出力端子５０２から出力されることによる他のフィルタ回路への回り込みが抑制される。したがって、隣接配置されたフィルタ回路５００と他のフィルタ回路との間のアイソレーション特性を向上させることができる。
特開２０１２−１０９８１８号公報（段落００１９〜００２３、図１、要約書など）
上記した従来のフィルタ回路５００では、所定の通過帯域外のＲＦ信号の減衰特性を改善するために、フィルタ部５０３を通過する通過帯域外のＲＦ信号と逆位相のＲＦ信号を生成するための補正回路が設けられた経路５０４をフィルタ部５０３とは別に設けなければならない。したがって、フィルタ回路５００が大型化し、フィルタ回路５００を備える高周波モジュールが大型化するという問題があった。
この発明は、上記した課題に鑑みてなされたものであり、高周波モジュールを大型化することなく、送信端子に入力される送信信号の周波数帯域外のＲＦ信号の減衰特性を向上し、送信フィルタと受信フィルタとの間のアイソレーション特性の向上を図ることができる技術を提供することを目的とする。
上記した目的を達成するために、本発明の高周波モジュールは、送信信号が入力される送信端子と、前記送信端子に接続され、前記送信信号が通過するグランド端子を備えた送信フィルタと、前記送信フィルタを通過した前記送信信号を出力し、受信信号が入力される共通端子と、前記共通端子に接続され、受信信号が通過する受信フィルタと、前記受信フィルタを通過した前記受信信号を出力する受信端子と、前記共通端子、前記送信フィルタおよび前記受信フィルタが接続される分岐部と、前記送信端子と前記分岐部とを接続する送信経路と、前記受信端子と前記分岐部とを接続する受信経路と、前記共通端子と前記分岐部とを接続する共通経路と、前記共通経路に接続された整合回路と、一端が前記グランド端子に接続され他端がグランドに接続された、前記送信フィルタの特性調整用のインダクタ回路とを備え、前記インダクタ回路は、前記送信経路、前記共通経路、前記整合回路、および前記受信経路のうちの少なくとも１つと電磁界結合して伝搬経路を形成するよう配置された第１のインダクタと、前記送信経路、前記共通経路、前記整合回路、および前記受信経路と電磁界結合しないように配置された第２のインダクタとを有することを特徴としている。
このように構成された発明では、送信フィルタの特性調整用のインダクタ回路の第１のインダクタと、送信経路、共通経路、整合回路、および受信経路のうちの少なくとも１つとが、電磁界結合（以下、電磁界結合することを「電磁界的に結合する」や「高周波的に接続する」と称する場合もある）することにより伝搬経路が形成される。そして、伝搬経路を通過する送信信号の周波数帯域外における位相特性が、送信端子に入力された送信信号の周波数帯域外における位相特性と異なるので、送信経路を通過する送信信号の周波数帯域外のＲＦ信号と、伝搬経路を通過する信号の周波数帯域外のＲＦ信号とは、高周波モジュール内において合成される際に互いに打ち消し合って減衰する。
したがって、インダクタやキャパシタなどの回路素子を追加して補正回路が構成された従来の構成と比較すると、簡素な構成でフィルタ特性を改善するための伝搬経路を形成することができるので、高周波モジュールを大型化することなく、送信信号の周波数帯域外のＲＦ信号の減衰特性を向上することができる。また、送信信号の周波数帯域外のＲＦ信号であり受信信号と周波数帯域がほぼ同一のＲＦ信号が、送信フィルタの出力端子側の信号経路から受信フィルタ側に回り込んで受信端子から出力されるのが抑制されるので、送信フィルタと受信フィルタとの間のアイソレーション特性の向上を図ることができる。
ところで、送信経路、共通経路、整合回路、および受信経路のうちの少なくとも１つとインダクタ回路とが電磁界結合するため、送信フィルタの減衰特性を調整するための第１のインダクタのインダクタンスが変動するおそれがある。しかしながら、本願発明のインダクタ回路においては送信経路、共通経路、整合回路、および受信経路と電磁界結合しないように配置された第２のインダクタを備えており、この第２のインダクタを第１のインダクタとは別に独立して設計することにより送信フィルタの減衰特性を改善することができる。したがって、送信フィルタの減衰特性を劣化させることなく、送信フィルタと受信フィルタとの間のアイソレーション特性の向上を図ることができる。
また、前記送信端子、前記受信端子、前記共通端子および前記グランド端子が接続される実装用電極と、前記整合回路と、前記インダクタ回路と、グランドに電気的に接続されるグランド電極とが設けられ、前記送信フィルタおよび前記受信フィルタが実装されたモジュール基板を備え、前記グランド電極は前記第１のインダクタと前記第２のインダクタとの間に配置されているとよい。
また、前記モジュール基板が絶縁体層を複数積層して形成した多層基板を備え、前記多層基板内において前記第１のインダクタと前記第２のインダクタが前記グランド電極を挟み込むように配置されていてもよい。
このようにすると、第１、第２のインダクタで発生する磁界による結合をグランド電極で防ぐことができるので、第１、第２のインダクタ間の磁界結合を効果的に抑制することができる。
前記第１のインダクタおよび前記第２のインダクタのいずれか一方がチップ型の表面実装部品により形成されて前記モジュール基板に実装され、他方が前記モジュール基板に設けられた配線電極により形成されていてもよい。
このようにすれば、第１のインダクタと第２のインダクタとの距離を遠くして、第１、第２のインダクタが互いに磁界結合するのを抑制することができるので、送信フィルタの特性をさらに良好に改善することができる。
また、前記第１のインダクタと前記第２のインダクタとが平面視において重ならないように配置されていてもよい。
このようにすれば、第１、第２のインダクタが互いに磁界結合するのを抑制することができるので、送信フィルタの特性をさらに良好に改善することができる。
また、前記送信フィルタと前記受信フィルタとが一体に形成されて分波器を構成し、前記第２のインダクタが前記分波器内に配置されていてもよい。
このようにすると、第１、第２のインダクタを互いに離して配置することができるので、第１、第２のインダクタが磁界結合するのを効果的に抑制することができる。
本発明によれば、簡素な構成で送信フィルタの通過帯域外の減衰特性を劣化させることなくフィルタ特性をさらに改善するための伝搬経路を形成することができるので、高周波モジュールを大型化することなく、送信信号の周波数帯域外のＲＦ信号の減衰特性を向上することができる。また、送信信号の周波数帯域外のＲＦ信号であり受信信号とほぼ同一の周波数帯域を有するＲＦ信号が、送信フィルタの出力端子側の信号経路から受信フィルタ側に回り込んで受信端子から出力されることが抑制されるので、送信フィルタと受信フィルタとの間のアイソレーション特性の向上を図ることができる。
本発明の第１実施形態にかかる高周波モジュールを示す断面図である。 図１の高周波モジュールの電気的構成を示す回路ブロック図である。 送信フィルタと受信フィルタとの間のアイソレーション特性を示す図である。 送信フィルタの通過特性を示す図である。 本発明の第２実施形態にかかる高周波モジュールを示す断面図である。 図５の高周波モジュールの電気的構成を示す回路ブロック図である。 本発明の第３実施形態にかかる高周波モジュールの分波器の周囲に配置されたインダクタと整合回路との配置関係を示す平面図である。 本発明の第４実施形態にかかる高周波モジュールの電気的構成を示す回路ブロック図である。 本発明の第５実施形態にかかる高周波モジュールの電気的構成を示す回路ブロック図である。 本発明の第６実施形態にかかる高周波モジュールの電気的構成を示す回路ブロック図である。 本発明の高周波モジュールの第７実施形態を示す断面図である。 従来の高周波モジュールが備えるフィルタ回路を示す図である。
＜第１実施形態＞
本発明にかかる高周波モジュールの第１実施形態について、図１〜図４を参照して説明する。なお、図１および図２では、本発明にかかる主要な構成のみが図示されており、説明を簡易なものとするために、その他の構成は図示省略されている。また、後の説明で参照する各図面についても、図１および図２と同様に主要な構成のみが図示されているが、以下の説明においてはその説明は省略する。
（高周波モジュール）
図１および図２に示す高周波モジュール１は、携帯電話や携帯情報端末などの通信携帯端末が備えるマザー基板に搭載されるものであり、この実施形態では、送信フィルタ１４および受信フィルタ１５が設けられた分波器１０（デュプレクサ）と、モジュール基板２と、整合回路３と、インダクタ回路２０と、スイッチＩＣやフィルタ、抵抗、コンデンサ、コイルなどの各種の電子部品（図示省略）とを備え、高周波アンテナスイッチモジュールとして形成されている。
また、分波器１０、整合回路３を形成するためのチップ型の表面実装部品３ａ、その他の各種の電子部品は、モジュール基板２の表面である実装面２ａ上に設けられた部品実装用電極２ｂに実装される。そして、分波器１０、整合回路３などの各電子部品はモジュール基板２に設けられた配線電極４を介してモジュール基板２の裏面に形成された複数の実装用電極５や他の電子部品に電気的に接続される。また、高周波モジュール１において、送信信号が入力される送信端子Ｔｘａと、その送信信号を出力するとともに、受信信号が入力される共通端子ＡＮＴａと、共通端子ＡＮＴａに入力された受信信号を出力する受信端子Ｒｘａと、基板側グランド経路６ｄに接続されるモジュール基板のグランド端子ＧＮＤａとが実装用電極５に接続されている。モジュール基板のグランド端子ＧＮＤａは、接地されている。
なお、通信携帯端末が備えるマザー基板上に実装用電極５を介して高周波モジュール１が搭載され、マザー基板と高周波モジュール１との間で送受信信号の入出力が行われる。
モジュール基板２は、この実施形態では、セラミックグリーンシートにより形成された複数の絶縁体層が積層されて一体的に焼成されることでセラミック積層体として形成された多層基板により形成されている。すなわち、各絶縁体層を形成するセラミックグリーンシートは、アルミナおよびガラスなどの混合粉末が有機バインダおよび溶剤などと一緒に混合されたスラリーが成型器によりシート化されたものであり、約１０００℃前後の低い温度で、所謂、低温焼成できるように形成されている。そして、所定形状に分割されたセラミックグリーンシートに、レーザー加工などによりビアホールが形成され、形成されたビアホールにＡｇやＣｕなどを含む導電性ペーストが充填されたり、ビアフィルめっきが施されることにより層間接続用のビア導体が形成される。また、導電性ペーストをセラミックグリーンシートの主面上に印刷することにより種々の面内導体パターンが形成される。
また、各絶縁体層にビア導体および面内導体パターンが適宜形成されることで、モジュール基板２に分波器１０や表面実装部品３ａなどの各種の電子部品を接続する配線電極４や部品実装用電極２ｂ、実装用電極５などが形成される。これらの面内導体パターンおよびビア導体によりフィルタ回路や整合回路３を構成するキャパシタやインダクタなどの回路素子が形成される。
なお、モジュール基板２は、樹脂やセラミック、ポリマー材料などを用いたプリント基板、アルミナ系基板、ガラス基板、複合材料基板などを用いた単層基板、多層基板で形成することができ、高周波モジュール１の使用目的に応じて、適宜最適な材質を選択してモジュール基板２を形成すればよい。
整合回路３は、この実施形態では、モジュール基板２の実装面２ａに実装されたチップ型の表面実装部品３ａにより構成されたインダクタである。具体的には、分波器１０の分岐部ＤＩＶと、モジュール基板２の共通端子ＡＮＴａとを接続する基板側共通経路６ｃに、整合回路３の一端が接続され、整合回路３の他端がモジュール基板２に設けられた基板側グランド経路６ｄを介してモジュール基板のグランド端子ＧＮＤａに接続されている。
なお、基板側送信経路６ａ、基板側受信経路６ｂおよび基板側共通経路６ｃの一部は、モジュール基板２に設けられた配線電極４により形成される。また、整合回路３は図２に示す構成に限定されるものではなく、インダクタをキャパシタに置き換えてもよいし、基板側共通経路６ｃに、インダクタやキャパシタが直列接続されていてもよい。また、インダクタおよびキャパシタが組み合わされて整合回路３が形成されていてもよい。すなわち、整合回路３の回路構成は、基板側共通端子ＡＮＴａに接続されるアンテナなどの回路素子と、分波器１０とのインピーダンスを整合させるために一般的に使用されるどのような回路構成であってもよい。
また、モジュール基板２には、送信フィルタ１４の通過帯域外の減衰特性を調整するために、それぞれの一端が送信フィルタ１４に接続され、それぞれの他端がモジュール基板のグランド端子ＧＮＤａに接続された、インダクタ回路２０、インダクタＬ２，Ｌ３が設けられている。なお、インダクタ回路２０およびインダクタＬ２，Ｌ３と、送信フィルタ１４との接続状態については後で詳細に説明する。
（分波器）
分波器１０は、ウェハレベルパッケージ（ＷＬＰ）構造を有し、平面視矩形状の素子基板１１と、支持層１２と、カバー層１３とを備えている。そして、支持層１２とカバー層１３で囲まれた領域にＲＦ信号の通過帯域が異なる送信フィルタ１４および受信フィルタ１５とが配置されることにより、送信フィルタ１４と受信フィルタ１５とが一体に形成された分波器１０が構成されている。
素子基板１１は、この実施形態では、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム、水晶などの圧電体により形成されている。また、素子基板１１の一方の主面１１ａの所定領域に、ＡｌやＣｕなどにより形成されたくし歯電極（ＩＤＴ電極）や反射器が設けられてＳＡＷ（表面弾性波）フィルタが構成されており、本実施形態においては送信フィルタ１４および受信フィルタ１５がともに主面１１ａ上に形成されている。
また、素子基板１１の一方の主面１１ａには、くし歯電極や反射器に接続される端子電極１６が設けられている。そして、各端子電極１６それぞれに支持層１２およびカバー層１３を貫通して形成された電極１７が接続され、その電極１７には分波器１０の分波器内送信端子Ｔｘｂ、分波器内受信端子Ｒｘｂ、分波器内共通端子ＡＮＴｂ、複数の分波器内グランド端子ＧＮＤｂが接続されている。なお、送信フィルタ１４の入力端子１４ａと分波器内送信端子Ｔｘｂとが、素子基板１１の一方の主面１１ａに形成した配線電極や支持層１２およびカバー層１３を貫通する電極などで形成される分波器内送信経路１６ａにより接続されている。また、受信フィルタ１５の出力端子１５ｂと分波器内受信端子Ｒｘｂとが、分波器内送信経路１６ａと同様な構造を備えた分波器内受信経路１６ｂにより接続されている。また、送信フィルタ１４の出力端子１４ｂと分岐部ＤＩＶとが分波器内送信経路１６ａにより接続され、受信フィルタ１５の入力端子１５ａと分岐部ＤＩＶとが分波器内受信経路１６ｂにより接続されている。また、各送信フィルタ１４および受信フィルタ１５（ＳＡＷフィルタ素子）それぞれを形成するくし歯電極（ＩＤＴ電極）や反射器により構成される共振子と、分波器内グランド端子ＧＮＤｂとが分波器内グランド経路１６ｄにより接続されている。
なお、分波器内送信経路１６ａ、分波器内受信経路１６ｂ、分波器内共通経路１６ｃ、分波器内グランド経路１６ｄは、素子基板１１の一方の主面１１ａに形成された配線電極（図示省略）、端子電極１６により形成されている。
支持層１２は、素子基板１１の一方の主面１１ａのくし歯電極および反射器が設けられた所定領域を囲繞して配置される。具体的には、支持層１２は、くし歯電極、反射器および端子電極１６が設けられた素子基板１１の一方の主面１１ａに、感光性のエポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂により樹脂層を形成した後に、フォトリソグラフィの工程を経て、くし歯電極および反射器が設けられた所定領域および端子電極１６の領域の樹脂層を取り除くことにより形成される。
カバー層１３は、支持層１２上に配置されて素子基板１１との間に支持層１２とともに囲繞された空間を形成し、当該形成された空間内に、送信フィルタ１４および受信フィルタ１５が配置される。具体的には、カバー層１３は、例えば、支持層１２に感光性のエポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂によりフォトリソグラフィの工程を経て積層された樹脂層の接続孔に、ＣｕやＡｌのペーストを充填したりビアフィルめっきを施したりして端子電極１６に接続される電極１７を形成することで形成される。そして、端子電極１６に接続されて、各送信フィルタ１４および受信フィルタ１５（ＳＡＷフィルタ素子）それぞれが配置される空間と反対側のカバー層１３の主面から露出する電極１７に実装用のはんだボール１８が形成されて分波器１０が形成される。
また、カバー層１３がモジュール基板２の実装面２ａに対向するように分波器１０が実装面２ａに実装されることにより、基板側の送信端子Ｔｘａと送信フィルタ１４の入力端子１４ａとが分波器内送信端子Ｔｘｂを介して接続される。また、基板側の受信端子Ｒｘａと受信フィルタ１５の出力端子１５ｂとが分波器内受信端子Ｒｘｂを介して接続される。また、モジュール基板２の基板側の共通端子ＡＮＴａと分波器１０の分波器内共通端子ＡＮＴｂとが基板側共通経路６ｃにより接続されて、分波器内共通端子ＡＮＴｂと分岐部ＤＩＶとが分波器内共通経路１６ｃを介して接続される。また、モジュール基板２の基板側のグランド端子ＧＮＤａと分波器１０の各分波器内グランド端子ＧＮＤｂとが基板側グランド経路６ｄにより接続されて、各フィルタ１４，１５のグランド端子ＧＮＤｂはモジュール基板のグランド端子ＧＮＤａを介して接地される。
なお、基板側送信経路６ａ、基板側受信経路６ｂ、基板側共通経路６ｃ、基板側グランド経路６ｄそれぞれは、モジュール基板２に設けられた配線電極４により形成されている。また、基板側送信経路６ａおよび分波器内送信経路１６ａにより、送信端子Ｔｘａと送信フィルタ１４の入力端子１４ａとを接続する経路と、分岐部ＤＩＶと送信フィルタ１４の出力端子１４ｂとを接続する経路とが形成され、本発明の「送信経路」が構成されている。また、基板側受信経路６ｂおよび分波器内受信経路１６ｂにより、受信端子Ｒｘａと受信フィルタ１５の出力端子１５ｂとを接続する経路と、分岐部ＤＩＶと受信フィルタ１５の入力端子１５ａとを接続する経路とが形成され、本発明の「受信経路」が構成されている。また、基板側共通経路６ｃおよび分波器内共通経路１６ｃにより、共通端子ＡＮＴａと、分岐部ＤＩＶとを接続する本発明の「共通経路」が構成されている。
次に、送信フィルタ１４および受信フィルタ１５の構成について説明する。なお、送信フィルタ１４には、送信信号の周波数帯域が通過帯域として設定され、受信フィルタ１５には、送信信号の周波数帯域と異なる受信信号の周波数帯域が通過帯域として設定されている。
送信フィルタ１４は、分波器内送信端子Ｔｘｂから入力された第１の周波数帯域の送信信号を分波器内共通端子ＡＮＴｂに出力するものである。そして、素子基板１１の一組の対辺に直交し、分波器内共通端子ＡＮＴｂを通る仮想線により区分される一方の主面１１ａの一方領域に、くし歯電極および反射器を有する共振子がラダー型に接続されることにより送信フィルタ１４が形成されている。具体的には、送信フィルタ１４は、送信フィルタ１４の入力端子１４ａおよび出力端子１４ｂを接続する送信経路（分波器内送信経路）１６ａに直列に配置される複数（本実施形態では４個）の共振子Ｐ１〜Ｐ４と、共振子Ｐ１〜Ｐ４の各接続部と分波器内グランド端子ＧＮＤｂとの間に接続された複数（本実施形態では３個）の共振子Ｐ５〜Ｐ７とを備えている。なお、共振子Ｐ１〜Ｐ４を直列腕共振子、共振子Ｐ５〜Ｐ７を並列腕共振子とする。
また、並列腕共振子Ｐ５は、一端が直列腕共振子Ｐ１と入力端子１４ａとの間の送信経路に接続され、他端が分波器内グランド経路１６ｄを介して分波器内グランド端子ＧＮＤｂに接続されている。そして、並列腕共振子Ｐ５の他端が接続されている分波器内グランド端子ＧＮＤｂは、第１のインダクタＬ１ａと第２のインダクタＬ１ｂとの直列回路で構成されたインダクタ回路２０、基板側グランド経路６ｄを介してモジュール基板のグランド端子ＧＮＤａに接続されている。
また、並列腕共振子Ｐ６は、一端が直列腕共振子Ｐ１，Ｐ２間の送信経路に接続され、他端が分波器内グランド経路１６ｄを介して分波器内グランド端子ＧＮＤｂに接続されている。並列腕共振子Ｐ６の他端が接続されている分波器内グランド端子ＧＮＤｂは、インダクタＬ２及びモジュール基板のグランド端子ＧＮＤａを介してグランドに接続されている。また、並列腕共振子Ｐ７は、一端が直列腕共振子Ｐ３，Ｐ４間の送信経路に接続され、他端が分波器内グランド経路１６ｄを介して分波器内グランド端子ＧＮＤｂに接続されている。並列腕共振子Ｐ７が接続されている分波器内グランド端子ＧＮＤｂは、インダクタＬ３及びモジュール基板のグランド端子ＧＮＤａを介してグランドに接続されている。
また、各インダクタＬ１ａ，Ｌ１ｂ，Ｌ２，Ｌ３のインダクタンスが適宜調整されることにより、送信フィルタ１４の減衰特性を調整することができる。具体的には、各インダクタＬ１ａ，Ｌ１ｂ，Ｌ２，Ｌ３のインダクタンスを調整することにより、送信フィルタ１４の通過帯域の低域側もしくは高域側の任意の周波数の位置に減衰極を形成することができる。また、各共振子Ｐ１〜Ｐ７は、くし歯電極の表面弾性波の進行方向における両側に反射器が配置されて形成されている。また、図示省略されているが、各共振子Ｐ１〜Ｐ７は、分波器内グランド経路１６ｄを介して分波器内グランド端子ＧＮＤｂに接続され、基板側グランド経路６ｄを介してモジュール基板のグランド端子ＧＮＤａに接続されている。
受信フィルタ１５は、分波器内共通端子ＡＮＴｂに入力された第２の周波数帯域の受信信号を分波器内受信端子Ｒｘｂに出力するものである。また、受信フィルタ１５は、素子基板１１の一組の対辺に直交し分波器内共通端子ＡＮＴｂを通る仮想線により区分される一方の主面１１ａの他方領域にくし歯電極および反射器を有する複数の共振子が接続されることにより形成されている。また、受信フィルタ１５は、例えば、移相器を形成する共振子とバンドパスフィルタを形成する縦結合型の共振子が直列接続されることにより形成されるが、その詳細な説明は省略する。また、上記した送信フィルタ１４と同様に図示省略されているが、受信フィルタ１５を形成する各共振子は、分波器内グランド経路１６ｄを介して分波器内グランド端子ＧＮＤｂに接続され、さらに基板側グランド経路６ｄを介してモジュール基板のグランド端子ＧＮＤａに接続されている。
なお、受信フィルタ１５は、２個の分波器内受信端子Ｒｘｂが設けられて受信信号を平衡な状態で出力するバランス型に形成されていてもよい。
（分波器１０、インダクタ回路２０の配置関係について）
この実施形態では、分波器１０の送信フィルタ１４の特性調整用の各インダクタＬ１ａ，Ｌ１ｂ，Ｌ２，Ｌ３は、それぞれ、モジュール基板２に形成された配線電極４により形成されている。そして、インダクタ回路２０は、直列接続された第１、第２のインダクタＬ１ａ，Ｌ１ｂにより形成されている。また、図１に示すように、第１のインダクタＬ１ａを形成する配線電極４が表面実装部品（インダクタ３ｂ）の直下に配置されて、インダクタＬ１ａを形成する配線電極４と分波器１０との間には、例えばモジュール基板のグランド端子ＧＮＤａに接続された配線電極４により形成されたシールド用のグランド電極が配置されていない。また、第２のインダクタＬ１ｂを形成する配線電極４は、第１のインダクタＬ１ａと平面視において重ならないように配置されている。
したがって、この実施形態では、高周波モジュール１の信号経路をＲＦ信号が流れると、図２および図２中の一点鎖線で囲まれた領域に示すように、第１のインダクタＬ１ａと、整合回路３であるインダクタとが、電磁界結合により高周波的に接続されて、分波器内共通端子ＡＮＴｂと送信フィルタ１４の出力端側の信号経路とを接続される伝搬経路ＷＰが形成される。なお、伝搬経路ＷＰを通過する送信信号の周波数帯域外のＲＦ信号の位相が、送信フィルタ１４を通過する送信信号の周波数帯域外のＲＦ信号と逆位相になり、かつ、当該ＲＦ信号の振幅がほぼ同一となるように、伝搬経路ＷＰを形成する電磁界的な結合の度合いが調整されている。また、第２のインダクタＬ１ｂは、基板側送信経路６ａ，分波器内送信経路１６ａ、基板側受信経路６ｂ，分波器内受信経路１６ｂ、基板側共通経路６ｃ，分波器内共通経路１６ｃ、整合回路３、受信フィルタ１５と電磁界結合しないように配置されている。
このように形成された高周波モジュール１では、携帯電話などのマザー基板から、実装用電極５および配線電極４を介して分波器１０の分波器内送信端子Ｔｘｂに出力された送信信号は、送信フィルタ１４に入力されて所定のフィルタ処理が施されて、分波器内共通端子ＡＮＴｂからモジュール基板２側に出力され、配線電極４（整合回路３）および実装用電極５を介して携帯電話のマザー基板に出力される。また、携帯電話のアンテナ等から、実装用電極５および配線電極４（整合回路３）を介して分波器１０の分波器内共通端子ＡＮＴｂに入力された受信信号は、受信フィルタ１５に入力されて所定のフィルタ処理が施されて、分波器内受信端子Ｒｘｂからモジュール基板２側に出力され、配線電極４および実装用電極５を介してマザー基板側に出力される。
（アイソレーション特性、通過特性）
次に、図３を参照して高周波モジュール１のアイソレーション特性について説明し、図４を参照して高周波モジュール１の通過特性について説明する。
図３に示すアイソレーション特性は、受信信号の周波数帯域を含む任意の周波数のＲＦ信号が送信端子Ｔｘａに入力されたときに受信端子Ｒｘａにおいて観測されるＲＦ信号の大きさを示したものである。なお、図３の横軸は、送信端子Ｔｘａに入力されたＲＦ信号の周波数（ＧＨｚ）を示し、縦軸は、受信端子Ｒｘｂで観測されたＲＦ信号の信号レベル（ｄＢ）を示す。
また、図３中の実線Ａは、上記したように電磁界的な結合により形成される伝搬経路ＷＰを備え、かつ他の素子と電磁界結合しないように配置したインダクタＬ１ｂを備える高周波モジュール１に所定のＲＦ信号が入力されたときのアイソレーション特性を示している。また、同図中の破線Ｂは、比較例として伝搬経路ＷＰは形成されているが第２のインダクタＬ１ｂが設けられていないときのアイソレーション特性を示している。また、同図中の点線Ｃは、比較例として伝搬経路ＷＰを備えていない高周波モジュールに所定のＲＦ信号が入力されたときのアイソレーション特性を示す。
図３の点線で囲まれた領域に示すように、伝搬経路ＷＰが形成されている場合（実線Ａ、破線Ｂ）は、伝搬経路ＷＰが形成されていない場合（点線Ｃ）と比較すると、受信信号の周波数帯域（本実施例においては１．８ＧＨｚ〜１．９ＧＨｚ）におけるアイソレーション特性が約１０ｄＢ程度改善されている。
図４に示す通過特性は、送信信号の高調波成分を含む任意の周波数のＲＦ信号が送信端子Ｔｘａに入力されたときに共通端子ＡＮＴａにおいて観測されるＲＦ信号の大きさを示したものである。なお、図４の横軸は、送信端子Ｔｘａに入力されたＲＦ信号の周波数（ＧＨｚ）を示し、縦軸は、共通端子ＡＮＴｂで観測されたＲＦ信号の信号レベル（ｄＢ）を示す。
また、図４中の実線Ａは、上記したように電磁界的な結合により形成される伝搬経路ＷＰを備え、かつ他の素子と電磁界結合しないように配置したインダクタＬ１ｂを備える高周波モジュール１に所定のＲＦ信号が入力されたときの通過特性を示している。また、同図中の破線Ｂは、比較例として伝搬経路ＷＰは形成されているが第２のインダクタＬ１ｂが設けられていないときの通過特性を示している。また、同図中の点線Ｃは、比較例として伝搬経路ＷＰを備えていない高周波モジュールに所定のＲＦ信号が入力されたときの通過特性を示す。
図４の点線で囲まれた領域に示すように、伝搬経路ＷＰが形成されているが形成されているが第２のインダクタＬ１ｂが設けられていない場合（破線Ｂ）は、第２高調波の周波数帯域において減衰特性が劣化している。一方、第２のインダクタＬ１ｂが設けられている場合（実線Ａ）は、第２高調波の周波数帯域において、伝搬経路ＷＰが設けられていない場合（点線Ｃ）とほぼ同様の減衰特性である。
以上のように、この実施形態では、共通端子ＡＮＴａと分波器１０の分波器内共通端子ＡＮＴｂとを接続する基板側共通経路６ｃに整合回路３が接続され、送信フィルタ１４の特性調整用のインダクタ回路２０およびインダクタＬ２，Ｌ３それぞれの一端が送信フィルタ１４に接続され他端がモジュール基板のグランド端子ＧＮＤａに接続されている。また、送信フィルタ１４に接続されたインダクタ回路２０の第１のインダクタＬ１ａと、整合回路３とが電磁界結合により接続されることで、送信フィルタ１４の出力端子側の信号経路に接続される伝搬経路ＷＰを形成するように第１のインダクタＬ１ａが配置されている。そのため、送信端子Ｔｘａに入力された送信信号を含むＲＦ信号は、送信フィルタ１４および伝搬経路ＷＰのそれぞれを通過した後、伝搬経路ＷＰが接続される送信フィルタ１４の出力端子側の信号経路において合成される。
ところで、送信フィルタ１４から分岐する伝搬経路ＷＰを形成する電磁界結合の度合いは、伝搬経路ＷＰを通過する信号の周波数帯域外のＲＦ信号である２次高調波や３次高調波などの位相特性が、送信フィルタ１４を通過する送信信号の２次高調波や３次高調波などと異なるように調整されている。そのため、送信フィルタ１４を通過する送信信号の高調波を含むＲＦ信号と、伝搬経路ＷＰを通過する信号の高調波を含むＲＦ信号との位相差が１８０°になるように整合回路３とインダクタＬ１ａとの電磁界結合が調整されていると、２つのＲＦ信号が合成される際に互いに打ち消し合って減衰する。
したがって、インダクタやキャパシタなどの回路素子を追加して補正回路が構成された従来の構成と比較すると、フィルタ回路が備える既存の構成要素を用いた簡素な構成でフィルタ特性を改善するための伝搬経路ＷＰを形成することができるので、高周波モジュール１を大型化することなく、送信信号の周波数帯域外のＲＦ信号の減衰特性を向上することができる。また、送信信号の周波数帯域外のＲＦ信号であって受信信号とほぼ同一の周波数帯域のＲＦ信号が、送信フィルタ１４の出力端子側の信号経路から受信フィルタ１５側に回り込んで受信端子Ｒｘａから出力されることが抑制されるため、送信フィルタ１４と受信フィルタ１５との間のアイソレーション特性の向上を図ることができる。
また、送信フィルタ１４を受信信号の周波数帯域のＲＦ信号が流れると、上記したように、送信信号の周波数帯域外の信号である当該受信信号の周波数帯域のＲＦ信号が打ち消されるので、送信フィルタ１４における受信信号の周波数帯域のＲＦ信号の減衰特性が向上する。したがって、受信信号の周波数帯域のＲＦ信号が送信フィルタ１４を通過して受信フィルタ１５側の信号経路に回り込むのを抑制することができ、送信フィルタ１４と受信フィルタ１５との間のアイソレーション特性が向上する。
なお、伝搬経路ＷＰを形成する電磁界結合の度合いは、第１のインダクタＬ１ａと電磁界的に結合させたい信号経路と、第１のインダクタＬ１ａとの距離を変化させるように第１のインダクタＬ１ａの配置位置を移動させることにより調整することができる。また、送信端子Ｔｘａに入力されるＲＦ信号に含まれる高調波成分や受信信号と同一の周波数帯域のＲＦ信号など、主として減衰させたい周波数帯域に応じて、伝搬経路ＷＰを形成する電界結合（容量性結合）および磁界結合（誘導性結合）それぞれの度合いを設定するとよい。
また、整合回路３と電磁界的に結合することにより、第１のインダクタＬ１ａのインダクタ特性が変動するおそれがある。しかしながら、高周波モジュール１内の他の素子や信号経路と電磁界結合しないように配置された第２のインダクタＬ１ｂを所望の減衰特性が得られるように設計することにより送信フィルタ１４の減衰特性を改善することができため、送信フィルタ１４の特に通過帯域外の周波数帯域における減衰特性を劣化させることなく、送信フィルタ１４と受信フィルタ１５との間のアイソレーション特性の向上を図ることができる。
また、整合回路３を形成する表面実装部品３ａの直下に配置された第１のインダクタＬ１ａを形成する配線電極４と分波器１０との間にはモジュール基板のグランド端子ＧＮＤａに接続されたシールド用の電極が配置されていないので、整合回路３であるインダクタと、モジュール基板２に設けられた第１のインダクタＬ１ａとをより確実に電磁界的に結合させることができる。
また、弾性波を利用したラダー型の送信フィルタ１４の減衰特性を、各共振子Ｐ１〜Ｐ４の接続部とモジュール基板のグランド端子ＧＮＤａとの間に接続された各並列腕共振子Ｐ５〜Ｐ７に接続されたインダクタ回路２０およびインダクタＬ２，Ｌ３により効果的に調整することができる。
また、送信フィルタ１４を形成する各直列腕共振子Ｐ１〜Ｐ４および各並列腕共振子Ｐ５〜Ｐ７と、受信フィルタ１５を形成する各共振子とが形成された素子基板１１の一方の主面１１ａの所定領域を囲繞するように支持層１２が配置され、素子基板１１との間に支持層１２により囲繞された空間が形成されるようにカバー層１３が支持層１２に積層配置されることにより、ウェハレベルパッケージ（ＷＬＰ）構造に構成された分波器１０がモジュール基板２に実装された実用的な構成の高周波モジュール１を提供することができる。
この実施形態では、第１のインダクタＬ１ａと第２のインダクタＬ１ｂとが平面視において重ならないように配置されているため、第１、第２のインダクタＬ１ａ，Ｌ１ｂが互いに電磁界的に結合するのを抑制することができ、送信フィルタ１４の特性をさらに良好に改善することができる。
＜第２実施形態＞
本発明にかかる高周波モジュールの第１実施形態について図５および図６を参照して説明する。
この実施形態が上記した第１実施形態と異なるのは、図５および図６に示すように、第１のインダクタＬ１ａを形成する配線電極４が分波器１０の直下に配置され、第１のインダクタＬ１ａと分波器内送信経路１６ａあるいは分波器内受信経路１６ｂとが、電磁界結合により高周波的に接続されることにより伝搬経路ＷＰが形成されている点である。また、第１のインダクタＬ１ａと第２のインダクタＬ１ｂとの間には、モジュール基板のグランド端子ＧＮＤａに接続された配線電極４により形成されたシールド用のグランド電極３０が、第１のインダクタＬ１ａと第２のインダクタＬ１ｂとの電磁界結合を抑制するように、第１のインダクタＬ１ａと第２のインダクタＬ１ｂとの間に配置されている。その他の構成は上記した第１実施形態と同様の構成であるため、同一符号を引用することによりその構成の説明は省略する。
この実施形態では、第１、第２のインダクタＬ１ａ，Ｌ１ｂが互いに電磁界的に結合するのをシールド用のグランド電極３０により抑制することができる。このような構成にすることにより、第１のインダクタＬ１ａで送信信号の一部を通過させる別の伝搬経路ＷＰを形成してアイソレーション特性を向上できる。また、第２のインダクタＬ１ｂが別の伝搬経路ＷＰを形成する第１のインダクタＬ１ａと電磁界的に結合することをシールド用のグランド電極３０で抑制することができるので、第２のインダクタＬ１ｂにより送信フィルタ１４の減衰特性を独立して設計することができるので、送信フィルタ１４の特性をさらに良好に改善することができる。なお、第１のインダクタＬ１ａと分波器内共通経路１６ｃとが、電磁界結合により高周波的に接続されることにより伝搬経路ＷＰが形成されていても、同様の効果を奏することができる。
＜第３実施形態＞
本発明にかかる高周波モジュールの第３実施形態について図７を参照して説明する。図７は、高周波モジュール１のモジュール基板２の一部（要部）を実装面２ａ側から平面視したときの図である。
この実施形態が上記した第１実施形態と異なるのは、図７に示すように、第１のインダクタＬ１ａを形成するチップ型の表面実装部品７と、整合回路３を形成するチップ型の表面実装部品３ａ（インダクタと）が、モジュール基板２の実装面２ａに実装され、表面実装部品７と表面実装部品３ａとが隣接配置されている点である。また、同図中に示すように、表面実装部品７と、第２のインダクタＬ１ｂを形成する配線電極４を配置した領域とは、平面視において重ならないように配置されている。その他の構成は上記した第１実施形態と同様の構成であるため、同一符号を引用することによりその構成の説明は省略する。
この実施形態では、第１のインダクタＬ１ａを形成する表面実装部品７と、整合回路３を形成する表面実装部品３ａとが隣接配置されているので、整合回路３と第１のインダクタＬ１ａとを電磁界的に結合させることができる。また、第１のインダクタＬ１ａと第２のインダクタＬ１ｂとが互いに離れた位置に配置されているので、第１、第２のインダクタＬ１ａ，Ｌ１ｂが互いに電磁界的に結合するのを抑制することができる。
また、第１のインダクタＬ１ａがチップ型の表面実装部品７により形成されているので、モジュール基板２に設けられた配線電極４により第１のインダクタＬ１ａが形成された場合と比較すると、所望のインダクタンス値を持つチップ型のインダクタ（表面実装部品７）を選択することで第１のインダクタＬ１ａのインダクタンスを容易に調整することができる。また、整合回路３がチップ型の表面実装部品３ａにより形成されているので、モジュール基板２に設けられた配線電極４により整合回路３が形成された場合と比較すると、２つのチップ型インダクタ（表面実装部品３ａ，７）の間隔や配置位置を選択することにより、２つのインダクタ（表面実装部品３ａ，７）の電磁界結合量の調整を容易に行うことができる。
なお、第２のインダクタＬ１ｂが他の回路を電磁界的に結合しないように表面実装部品により形成されていてもよいし、第１、第２のインダクタＬ１ｂの両方が複数の表面実装部品７により形成されていてもよい。
＜第４実施形態＞
本発明にかかる高周波モジュールの第４実施形態について図８を参照して説明する。
この実施形態が上記した第１実施形態と異なるのは、図８に示すように、受信フィルタ１５に受信フィルタ１５の特性を調整するためのインダクタＬ４，Ｌ５がシャント接続されている点およびそのうちのインダクタＬ５と第１のインダクタＬ１ａとが電磁界結合することにより接続されて、伝搬経路ＷＰが形成されている点である。このようにしても、高周波モジュール１のアイソレーション特性と減衰特性とを効果的に改善することができる。その他の構成は上記した第１実施形態と同様の構成であるため、同一符号を引用することによりその構成の説明は省略する。
＜第５実施形態＞
本発明にかかる高周波モジュールの第５実施形態について図９を参照して説明する。
この実施形態が上記した第１実施形態と異なるのは、図９に示すように、基板側送信経路６ａに挿入された整合回路３１と第１のインダクタＬ１ａとが電磁界結合することにより、基板側送信経路６ａと第１のインダクタＬ１ａとの間に伝搬経路ＷＰが形成されている点である。このようにしても、高周波モジュール１のアイソレーション特性と減衰特性とを効果的に改善することができる。その他の構成は上記した第１実施形態と同様の構成であるため、同一符号を引用することによりその構成の説明は省略する。
＜第６実施形態＞
本発明にかかる高周波モジュールの第６実施形態について図１０を参照して説明する。
この実施形態が上記した第１実施形態と異なるのは、図１０に示すように、基板側受信経路６ｂに挿入された整合回路３２と第１のインダクタＬ１ａとが電磁界結合することにより、基板側受信経路６ｂと第１のインダクタＬ１ａとの間に伝搬経路が形成されている点である。このようにしても、高周波モジュール１のアイソレーション特性と減衰特性とを効果的に改善することができる。その他の構成は上記した第１実施形態と同様の構成であるため、同一符号を引用することによりその構成の説明は省略する。
＜第７実施形態＞
本発明にかかる高周波モジュールの第１実施形態について図１１を参照して説明する。
この実施形態が上記した第１実施形態と異なるのは、図１１に示すように、第２のインダクタＬ１ｂが、分波器１０のカバー層１３に設けられた配線電極４により形成されている点である。このようにすると、第１、第２のインダクタＬ１ａ，Ｌ１ｂを互いに距離を離して配置することができるので、第１、第２のインダクタＬ１ａ，Ｌ１ｂが磁界結合するのを効果的に抑制して、高周波モジュール１のアイソレーション特性と減衰特性とを効果的に改善することができる。また、分波器１０内に第２のインダクタＬ１ｂを配置することにより、モジュール基板２の第２のインダクタＬ１ｂを配置するためのスペースを削減することができるので、高周波モジュール１の小型化を図ることができる。
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて、上記したもの以外に種々の変更を行なうことが可能であり、上記した実施形態が備える構成をどのように組み合わせてもよい。例えば、伝搬経路ＷＰを通過する送信信号の周波数帯域外のＲＦ信号の少なくとも位相特性が、送信フィルタ１４を通過する送信信号の周波数帯域外のＲＦ信号と異なるように、伝搬経路ＷＰを形成する電磁界的な結合の度合いが調整されていればよい。
また、送信フィルタ１４が備えるラダー型のフィルタの構成は上記した例に限定されるものではなく、フィルタ特性を調整するためにシャント接続された共振子を備える構成であれば、どのように送信フィルタ１４を形成してもよい。また、受信フィルタ１５の構成は、弾性波を利用した共振子を備える構成としてもよいし、一般的なＬＣフィルタにより受信フィルタ１５が形成されていてもよい。また、弾性波を利用したフィルタとしては、ＳＡＷフィルタに限らず、バルク弾性波を利用したＢＡＷフィルタにより形成されていてもよい。
また、分波器１０の構成は上記したＷＬＰ構造に限らず、所謂、パッケージ基板を有するＣＳＰ構造にしてもよいし、上記したカバー層１３を設けずに、ベアチップ構造の分波器１０が直接モジュール基板２の実装面２ａに実装される構成でもよい。また、パッケージ基板を有するＣＳＰ構造に分波器１０が形成されている場合には、パッケージ基板の配線電極により第２のインダクタＬ１ｂが形成されていてもよい。
また、上記した実施形態では、モジュール基板２に１個の分波器１０が搭載された高周波モジュール１を例に挙げて説明したが、モジュール基板２に２個以上の分波器１０を搭載して高周波モジュールを形成してもよい。
また、上記した実施形態では、送信フィルタ１４および受信フィルタ１５は同一の空間に配置されているが、素子基板１１とカバー層１３との間に支持層１２により囲まれる空間を２個形成し、各空間に送信フィルタ１４および受信フィルタ１５をそれぞれ配置してもよい。このように構成すると、送信フィルタ１４および受信フィルタ１５が構造上分離して配置されることにより、例えば送信フィルタ１４に電力が印加されることにより発生した熱が、受信フィルタ１５の特性に影響を与えるのを抑制することができると共に、送信フィルタ１４および受信フィルタ１５間のアイソレーション特性の向上をさらに図ることができる。
また、インダクタ回路２０がさらにインダクタを備えていてもよいし、第１、第２のインダクタＬ１ａ，Ｌ１ｂがどのような順序で送信フィルタ１４に接続されていてもよい。また、インダクタ回路２０の接続先は、並列腕共振子Ｐ５〜Ｐ７のうちのいずれであってもよく、例えば、並列腕共振子Ｐ６にインダクタ回路２０を接続する場合には並列腕共振子Ｐ５にインダクタＬ２を接続し、例えば、並列腕共振子Ｐ７にインダクタ回路２０を接続する場合には並列腕共振子Ｐ５にインダクタＬ３を接続すればよい。また、複数の並列腕共振子にインダクタ回路２０が個別に接続されていてもよい。なお、各インダクタＬ１ａ，Ｌ１ｂ，Ｌ２，Ｌ３のインダクタンスは、接続先の共振子の共振・反共振周波数や容量などの特性に応じて最適な値に設定すればよい。
また、各インダクタＬ１ａ，Ｌ１ｂ，Ｌ２，Ｌ３を形成する配線電極４の形状に関しては特に限定されるものではなく、渦巻き型やミアンダ型、モジュール基板２の層方向に螺旋状に形成されたヘリカル型、ライン型など、適宜、最適な形状を配線電極４により形成すればよい。また、上記した各型における磁束の方向を考慮することにより、配線電極４により形成された第１、第２のインダクタＬ１ａ，Ｌ１ｂを互いに電磁界的に結合しないようにして近接配置してもよい。また、第１、第２のインダクタＬ１ａ，Ｌ１ｂの両方が表面実装部品７で形成されている場合には、互いの磁束の方向を考慮して配置することにより、第１、第２のインダクタＬ１ａ，Ｌ１ｂを互いに電磁界的に結合しないように近接配置してもよい。例えば、互いの磁束が直交するように第１、第２のインダクタＬ１ａ，Ｌ１ｂが配置されていればよく、例えば、ヘリカル型に形成されたインダクタと、ビア導体によりライン型に形成されたインダクタとを、互いに電磁界的に結合しないようにモジュール基板２内において積層方向に重ねて配置することができる。
本発明は、送信信号と受信信号とを分波する機能を備える高周波モジュールに広く適用することができる。
１ 高周波モジュール
２ モジュール基板
３ 整合回路
５ 実装用電極
６ａ 基板側送信経路（送信経路）
６ｂ 基板側受信経路（受信経路）
６ｃ 基板側共通経路（共通経路）
７ 表面実装部品
１０ 分波器
１４ 送信フィルタ
１５ 受信フィルタ
１６ａ 分波器内送信経路（送信経路）
１６ｂ 分波器内受信経路（受信経路）
１６ｃ 分波器内共通経路（共通経路）
２０ インダクタ回路
３０ グランド電極
ＡＮＴａ 基板側共通端子（共通端子）
ＤＩＶ 分岐部
ＧＮＤａ モジュール基板のグランド端子
ＧＮＤｂ グランド端子
Ｌ１ａ 第１のインダクタ
Ｌ１ｂ 第２のインダクタ
Ｐ１〜Ｐ４ 直列腕共振子
Ｐ５〜Ｐ７ 並列腕共振子
Ｒｘａ 受信端子
Ｔｘａ 送信端子
ＷＰ 伝搬経路

Claims (6)

  1. 送信信号が入力される送信端子と、
    前記送信端子に接続され、前記送信信号が通過するグランド端子を備えた送信フィルタと、
    前記送信フィルタを通過した前記送信信号を出力し、受信信号が入力される共通端子と、
    前記共通端子に接続され、受信信号が通過する受信フィルタと、
    前記受信フィルタを通過した前記受信信号を出力する受信端子と、
    前記共通端子、前記送信フィルタおよび前記受信フィルタが接続される分岐部と、
    前記送信端子と前記分岐部とを接続する送信経路と、
    前記受信端子と前記分岐部とを接続する受信経路と、
    前記共通端子と前記分岐部とを接続する共通経路と、
    前記共通経路に接続された整合回路と、
    一端が前記グランド端子に接続され他端がグランドに接続された、前記送信フィルタの特性調整用のインダクタ回路とを備え、
    前記インダクタ回路は、
    前記送信経路、前記共通経路、前記整合回路、および前記受信経路のうちの少なくとも１つと電磁界結合して伝搬経路を形成するよう配置された第１のインダクタと、
    前記送信経路、前記共通経路、前記整合回路、および前記受信経路と電磁界結合しないように配置された第２のインダクタとを有する
    ことを特徴とする高周波モジュール。
  2. 前記送信端子、前記受信端子、前記共通端子および前記グランド端子が接続される実装用電極と、前記整合回路と、前記インダクタ回路と、グランドに電気的に接続されるグランド電極とが設けられ、前記送信フィルタおよび前記受信フィルタが実装されたモジュール基板を備え、
    前記グランド電極は前記第１のインダクタと前記第２のインダクタとの間に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の高周波モジュール。
  3. 前記モジュール基板が絶縁体層を複数積層して形成した多層基板を備え、前記多層基板内において前記第１のインダクタと前記第２のインダクタが前記グランド電極を挟み込むように配置されていることを特徴とする請求項２に記載の高周波モジュール。
  4. 前記第１のインダクタおよび前記第２のインダクタのいずれか一方がチップ型の表面実装部品により形成されて前記モジュール基板に実装され、他方が前記モジュール基板に設けられた配線電極により形成されていることを特徴とする請求項２に記載の高周波モジュール。
  5. 前記第１のインダクタと前記第２のインダクタとが平面視において重ならないように配置されていることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の高周波モジュール。
  6. 前記送信フィルタと前記受信フィルタとが一体に形成されて分波器を構成し、前記第２のインダクタが前記分波器内に配置されていることを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の高周波モジュール。
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