CN117882299A - 高频模块 - Google Patents

高频模块 Download PDF

Info

Publication number
CN117882299A
CN117882299A CN202280056812.0A CN202280056812A CN117882299A CN 117882299 A CN117882299 A CN 117882299A CN 202280056812 A CN202280056812 A CN 202280056812A CN 117882299 A CN117882299 A CN 117882299A
Authority
CN
China
Prior art keywords
electronic component
main surface
disposed
circuit
frequency
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202280056812.0A
Other languages
English (en)
Inventor
山口幸哉
堀田笃
庄内大贵
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Publication of CN117882299A publication Critical patent/CN117882299A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/18—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different subgroups of the same main group of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/38—Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Transceivers (AREA)

Abstract

高频模块(1A)具备：模块基板(90)，其具有彼此相向的主面(90a及90b)；配置于主面(90a)上和主面(90b)上的多个电子部件；以及电源端子(134)，其配置于主面(90b)上，其中，多个电子部件包括：集成电路(80)，其配置于主面(90b)上，包括与电源端子(134)连接的控制电路(81)；以及电容器(74)，其配置于主面(90b)上，连接于将电源端子(134)及控制电路(81)连接的路径与地之间。在此，集成电路(80)配置成比在主面(90b)上配置的其它任何电子部件都更靠近电容器(74)，和/或，电容器(74)配置成比在主面(90b)上配置的其它任何电子部件都更靠近集成电路(80)。

Description

高频模块
技术领域
本发明涉及一种高频模块。
背景技术
在便携式电话等移动通信设备中，特别是伴随着多频段化的发展，高频前端模块变得复杂。在专利文献1的封装模块中，使用双面安装基板，半导体集成电路与电容器配置于相反面。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：美国专利第9263186号说明书
发明内容
发明要解决的问题
然而，在上述现有技术中，在电容器被用作用于降低电源路径的噪声的旁路电容器的情况下，有时得不到充分的噪声降低效果。
因此，本发明提供一种在双面安装中能够实现旁路电容器的噪声降低效果的提高的高频模块。
用于解决问题的方案
本发明的一个方式所涉及的高频模块具备：模块基板，其具有彼此相向的第一主面和第二主面；配置于第一主面上和第二主面上的多个电子部件；以及电源用外部连接端子，其配置于第二主面上，其中，多个电子部件包括：第一电子部件，其配置于第二主面上，包括与电源用外部连接端子连接的有源电路；以及第二电子部件，其配置于第二主面上，包括连接于将电源用外部连接端子及有源电路连接的路径与地之间的电容器，第一电子部件配置成比在第二主面上配置的其它任何电子部件都更靠近第二电子部件。
本发明的一个方式所涉及的高频模块具备：模块基板，其具有彼此相向的第一主面和第二主面；配置于第一主面上和第二主面上的多个电子部件；以及电源用外部连接端子，其配置于第二主面上，其中，多个电子部件包括：第一电子部件，其配置于第二主面上，包括与电源用外部连接端子连接的有源电路；以及第二电子部件，其配置于第二主面上，包括连接于将电源用外部连接端子及有源电路连接的路径与地之间的电容器，第二电子部件配置成比在第二主面上配置的其它任何电子部件都更靠近第一电子部件。
本发明的一个方式所涉及的高频模块具备：模块基板，其具有彼此相向的第一主面和第二主面；配置于第一主面上和第二主面上的多个电子部件；以及电源用外部连接端子，其配置于第二主面上，其中，多个电子部件包括：第一电子部件，其配置于第二主面上，包括与电源用外部连接端子连接的有源电路；第二电子部件，其配置于第二主面上，包括连接于将电源用外部连接端子及有源电路连接的路径与地之间的电容器；以及第三电子部件，其配置于第二主面上，在俯视模块基板时第二电子部件配置于第一电子部件与第三电子部件之间。
发明的效果
根据本发明的一个方式所涉及的高频模块，在双面安装中能够实现旁路电容器的噪声降低效果的提高。
附图说明
图1是实施方式所涉及的高频电路和通信装置的电路结构图。
图2是实施例1所涉及的高频模块的俯视图。
图3是实施例1所涉及的高频模块的俯视图。
图4是实施例1所涉及的高频模块的截面图。
图5是实施例2所涉及的高频模块的俯视图。
图6是实施例3所涉及的高频模块的俯视图。
图7是实施例3所涉及的高频模块的俯视图。
具体实施方式
下面，使用附图来详细说明本发明的实施方式。此外，下面说明的实施方式均用于示出总括性的或具体的例子。下面的实施方式中示出的数值、形状、材料、结构要素、结构要素的配置及连接方式等是一例，主旨并非是限定本发明。
此外，各图是为了示出本发明而适当进行了强调、省略或比率的调整的示意图，未必严格地进行了图示，有时与实际的形状、位置关系以及比率不同。在各图中，对实质上相同的结构标注相同的附图标记，有时省略或简化重复的说明。
在下面的各图中，x轴和y轴是在与模块基板的主面平行的平面上相互正交的轴。具体地说，在俯视时模块基板具有矩形形状的情况下，x轴平行于模块基板的第一边，y轴平行于与模块基板的第一边正交的第二边。另外，z轴是垂直于模块基板的主面的轴，z轴的正方向表示上方向，z轴的负方向表示下方向。
在本发明的电路结构中，“连接”不仅包括通过连接端子和/或布线导体直接连接的情况，还包括经由其它电路元件来电连接的情况。“连接于A与B之间”表示在A与B之间与A及B双方连接，除了包括串联连接于将A与B连结的路径以外，还包括并联连接(分路连接)于该路径与地之间。
在本发明的部件配置中，“俯视模块基板”是指将物体从z轴正侧正投影到xy平面来观察。“A配置于B与C之间”是指将B内的任意的点与C内的任意的点连结的多个线段中的至少1个线段穿过A。另外，“平行”和“垂直”等表示要素间的关系性的用语、“矩形”等表示要素的形状的用语、以及数值范围不是仅表示严格的含义，而是指还包括实质上等同的范围、例如百分之几左右的误差。
另外，在本发明的部件配置中，“部件配置于基板”包括部件配置于基板的主面上和部件配置于基板内。“部件配置于基板的主面上”除了包括部件与基板的主面接触地配置以外，还包括部件不与主面接触地配置于该主面的上方(例如，部件层叠于与主面接触地配置的其它部件上)。另外，“部件配置于基板的主面上”也可以包括部件配置在形成于主面的凹部。“部件配置于基板内”除了包括部件被封装于模块基板内以外，还包括虽然部件的全部配置于基板的两主面之间但是部件的一部分未被基板覆盖、以及部件的仅一部分配置于基板内。
另外，在本发明中，“电子部件”是指包括有源元件和/或无源元件的部件。也就是说，电子部件涵盖包括晶体管或二极管等的有源部件和包括电感器、变压器、电容器或电阻等的无源部件，而不涵盖包括端子、连接器或布线等的机电部件。
(实施方式)
[1高频电路1和通信装置6的电路结构]
参照图1来说明本实施方式所涉及的高频电路1和通信装置6的电路结构。图1是本实施方式所涉及的高频电路1和通信装置6的电路结构图。
[1.1通信装置6的电路结构]
首先，说明通信装置6的电路结构。如图1所示，本实施方式所涉及的通信装置6具备高频电路1、天线2、RFIC(Radio Frequency Integrated Circuit：射频集成电路)3、BBIC(Baseband Integrated Circuit：基带集成电路)4以及电源电路5。
高频电路1在天线2与RFIC 3之间传输高频信号。关于高频电路1的内部结构后述。
天线2与高频电路1的天线连接端子100连接，对从高频电路1输出的高频信号进行发送，另外，从外部接收高频信号并输出到高频电路1。
RFIC 3是对高频信号进行处理的信号处理电路的一例。具体地说，RFIC 3对经由高频电路1的接收路径输入的高频接收信号通过下变频等进行信号处理，并将进行该信号处理后生成的接收信号输出到BBIC 4。另外，RFIC 3对从BBIC 4输入的发送信号通过上变频等进行信号处理，并将进行该信号处理后生成的高频发送信号输出到高频电路1的发送路径。另外，RFIC 3具有对高频电路1所具有的开关和放大器等进行控制的控制部。此外，RFIC 3的作为控制部的功能的一部分或全部也可以安装于RFIC 3的外部，例如也可以安装于BBIC 4或高频电路1。
BBIC 4是使用频率比高频电路1传输的高频信号的频率低的中间频带来进行信号处理的基带信号处理电路。作为由BBIC 4进行处理的信号，例如使用用于图像显示的图像信号和/或用于经由扬声器进行通话的声音信号。
电源电路5与电源(未图示)及高频电路1连接，能够向高频电路1提供电力。此外，电源电路5也可以包括在高频电路1中。
此外，在本实施方式所涉及的通信装置6中，天线2、BBIC 4以及电源电路5不是必需的结构要素。
[1.2高频电路1的电路结构]
接着，说明高频电路1的电路结构。如图1所示，高频电路1具备功率放大器(PA)11及12、低噪声放大器(LNA)21～23、匹配电路(MN)40～45、电感器(L)46～48、开关(SW)51～53、双工器61～63、电容器(C)71～73、控制电路81、天线连接端子100、高频输入端子111及112、高频输出端子121～123、电源端子131～134以及控制端子141。在下面，依次说明高频电路1的结构要素。
天线连接端子100在高频电路1的外部与天线2连接。
高频输入端子111及112各自是用于从高频电路1的外部接收高频发送信号的端子。在本实施方式中，高频输入端子111及112在高频电路1的外部与RFIC 3连接。
高频输出端子121～123各自是用于向高频电路1的外部提供高频接收信号的端子。在本实施方式中，高频输出端子121～123在高频电路1的外部与RFIC 3连接。
电源端子131～134各自是电源用外部连接端子的一例，是用于从外部接收电力供给的端子。在本实施方式中，电源端子131～134在高频电路1的外部与电源电路5连接。并且，电源端子131～134在高频电路1的内部与功率放大器11及12、低噪声放大器21～23以及控制电路81连接。
控制端子141是用于传输控制信号的端子。也就是说，控制端子141是用于从高频电路1的外部接收控制信号的端子和/或用于向高频电路1的外部提供控制信号的端子。控制信号是与高频电路1中包括的电子电路的控制有关的信号。具体地说，控制信号例如是用于控制功率放大器11及12、低噪声放大器21～23以及开关51～53之中的至少一者的数字信号。
功率放大器11是有源电路，连接于高频输入端子111与发送滤波器61T之间，能够使用经由电源端子131提供的电源电压来对频段A的发送信号进行放大。具体地说，功率放大器11的输入端与高频输入端子111连接。另一方面，功率放大器11的输出端经由匹配电路44及开关52来与发送滤波器61T连接。
功率放大器12是有源电路，连接于高频输入端子112与发送滤波器62T及63T之间，能够使用经由电源端子132提供的电源电压来对频段B及C的发送信号进行放大。具体地说，功率放大器12的输入端与高频输入端子112连接。另一方面，功率放大器12的输出端经由匹配电路45及开关53来与发送滤波器62T及63T连接。
此外，功率放大器11及12是基于从电源提供的电力来得到与输入信号(发送信号)相比能量大的输出信号的有源部件。功率放大器11及12各自包括放大晶体管，也可以还包括电感器和/或电容器。功率放大器11及12的内部结构没有特别限定。例如，功率放大器11及12各自既可以是多级放大器，也可以是差动放大型的放大器或多尔蒂放大器。
低噪声放大器21是有源电路，连接于接收滤波器61R与高频输出端子121之间，能够使用经由电源端子133提供的电源电压来对频段A的接收信号进行放大。具体地说，低噪声放大器21的输入端经由电感器46来与接收滤波器61R连接。另一方面，低噪声放大器21的输出端与高频输出端子121连接。
低噪声放大器22是有源电路，连接于接收滤波器62R与高频输出端子122之间，能够使用经由电源端子133提供的电源电压来对频段B的接收信号进行放大。具体地说，低噪声放大器22的输入端经由电感器47来与接收滤波器62R连接。另一方面，低噪声放大器22的输出端与高频输出端子122连接。
低噪声放大器23是有源电路，连接于接收滤波器63R与高频输出端子123之间，能够使用经由电源端子133提供的电源电压来对频段C的接收信号进行放大。具体地说，低噪声放大器23的输入端经由电感器48来与接收滤波器63R连接。另一方面，低噪声放大器23的输出端与高频输出端子123连接。
此外，低噪声放大器21～23是基于从电源提供的电力来得到与输入信号(接收信号)相比能量大的输出信号的有源部件。低噪声放大器21～23各自包括放大晶体管，也可以还包括电感器和/或电容器。低噪声放大器21～23的内部结构没有特别限定。
匹配电路40～45各自是无源电路，连接于2个电路元件之间，能够取得该2个电路元件之间的阻抗匹配。也就是说，匹配电路40～45各自是阻抗匹配电路。匹配电路40～45各自既可以包括电感器和/或电容器，也可以包括变压器。
电感器46连接于接收滤波器61R与低噪声放大器21之间，能够取得接收滤波器61R与低噪声放大器21之间的阻抗匹配。电感器47连接于接收滤波器62R与低噪声放大器22之间，能够取得接收滤波器62R与低噪声放大器22之间的阻抗匹配。电感器48连接于接收滤波器63R与低噪声放大器23之间，能够取得接收滤波器63R与低噪声放大器23之间的阻抗匹配。
开关51是有源电路，连接于天线连接端子100与双工器61～63之间。开关51具有端子511～514。端子511经由匹配电路40来与天线连接端子100连接。端子512经由匹配电路41来与双工器61连接。端子513经由匹配电路42来与双工器62连接。端子514经由匹配电路43来与双工器63连接。
在该连接结构中，开关51能够基于例如来自RFIC 3的控制信号，来将端子511与端子512～514中的至少1个端子连接。也就是说，开关51能够对天线连接端子100与双工器61～63各自的连接及非连接进行切换。开关51例如由多连接型的开关电路构成。
开关52是有源电路，连接于功率放大器11与发送滤波器61T之间。开关52具有端子521及522。端子521经由匹配电路44来与功率放大器11的输出端连接。端子522与发送滤波器61T连接。
在该连接结构中，开关52能够基于例如来自RFIC 3的控制信号，来对端子521与522之间的连接及非连接进行切换。也就是说，开关52能够对功率放大器11与发送滤波器61T的连接及非连接进行切换。开关52例如由SPST(Single-Pole Single-Throw：单刀单掷)型的开关电路构成。
开关53是有源电路，连接于功率放大器12与发送滤波器62T及63T之间。开关53具有端子531～533。端子531经由匹配电路45来与功率放大器12的输出端连接。端子532与发送滤波器62T连接。端子533与发送滤波器63T连接。
在该连接结构中，开关53能够基于例如来自RFIC 3的控制信号，来将端子531与端子532及533中的任一端子连接。也就是说，开关53能够在功率放大器12及发送滤波器62T的连接与功率放大器12及发送滤波器63T的连接之间进行切换。开关53例如由SPDT(Single-Pole Double-Throw：单刀双掷)型的开关电路构成。
双工器61是无源电路，能够使频分双工(FDD：Frequency Division Duplex)用的频段A的发送信号和接收信号通过，而使其它频段的信号衰减。双工器61包括发送滤波器61T和接收滤波器61R。
发送滤波器61T具有包含频段A的上行链路工作频段(uplink operating band)的通带，能够使频段A的发送信号通过。发送滤波器61T的一端经由匹配电路41、开关51以及匹配电路40来与天线连接端子100连接。发送滤波器61T的另一端经由开关52来与功率放大器11的输出端连接。
接收滤波器61R具有包含频段A的下行链路工作频段(downlink operating band)的通带，能够使频段A的接收信号通过。接收滤波器61R的一端经由匹配电路41、开关51以及匹配电路40来与天线连接端子100连接。接收滤波器61R的另一端经由电感器46来与低噪声放大器21的输入端连接。
双工器62是无源电路，能够使FDD用的频段B的发送信号和接收信号通过，而使其它频段的信号衰减。双工器62包括发送滤波器62T和接收滤波器62R。
发送滤波器62T具有包含频段B的上行链路工作频段的通带，能够使频段B的发送信号通过。发送滤波器62T的一端经由匹配电路42、开关51以及匹配电路40来与天线连接端子100连接。发送滤波器62T的另一端经由开关53来与功率放大器12的输出端连接。
接收滤波器62R具有包含频段B的下行链路工作频段的通带，能够使频段B的接收信号通过。接收滤波器62R的一端经由匹配电路42、开关51以及匹配电路40来与天线连接端子100连接。接收滤波器62R的另一端经由电感器47来与低噪声放大器22的输入端连接。
双工器63是无源电路，能够使FDD用的频段C的发送信号和接收信号通过，而使其它频段的信号衰减。双工器63包括发送滤波器63T和接收滤波器63R。
发送滤波器63T具有包含频段C的上行链路工作频段的通带，能够使频段C的发送信号通过。发送滤波器63T的一端经由匹配电路43、开关51以及匹配电路40来与天线连接端子100连接。发送滤波器63T的另一端经由开关53来与功率放大器12的输出端连接。
接收滤波器63R具有包含频段C的下行链路工作频段的通带，能够使频段C的接收信号通过。接收滤波器63R的一端经由匹配电路43、开关51以及匹配电路40来与天线连接端子100连接。接收滤波器63R的另一端经由电感器48来与低噪声放大器23的输入端连接。
频段A～C是用于使用无线接入技术(RAT：Radio Access Technology)构建的通信系统的频段。频段A～C由标准化组织等(例如3GPP(注册商标)(3rd GenerationPartnership Project：第三代合作伙伴计划)和IEEE(Institute of Electrical andElectronics Engineers：电气与电子工程师协会)等)预先定义。作为通信系统的例子，能够列举出5GNR(5th Generation New Radio：5G新空口)系统、LTE(Long Term Evolution：长期演进)系统以及WLAN(Wireless Local Area Network：无线局域网)系统等。
频段A与频段B及C既可以包含于互不相同的频段组，也可以包含于相同的频段组。在此，频段组是指包含多个频段的频率范围。作为频段组，例如能够使用超高频段组(3300MHz～5000MHz)、高频段组(2300MHz～2690MHz)、中频段组(1427MHz～2200MHz)以及低频段组(698MHz～960MHz)等，但是不限定于这些。例如，作为频段组，也可以使用包含5千兆赫兹以上的非授权频段的频段组或毫米波带的频段组。
例如，也可以是，频段A包含于高频段组，频段B及C包含于中频段组。另外，例如，也可以是，频段A包含于中频段组或高频段组，频段B及C包含于低频段组。
电容器71～74中的各电容器被称为旁路电容器或者去耦电容器，能够降低电源路径上的噪声对高频电路造成的影响。具体地说，电容器71连接于将电源端子131及功率放大器11连接的路径与地之间，电容器72连接于将电源端子132及功率放大器12连接的路径与地之间。电容器73连接于将电源端子133及低噪声放大器21～23连接的路径与地之间。电容器74连接于将电源端子134及控制电路81连接的路径与地之间。
控制电路81是有源电路，能够对功率放大器11及12等进行控制。控制电路81从RFIC 3经由控制端子141来接收数字控制信号，并向功率放大器11及12等输出控制信号。
此外，图1中示出的高频电路1是例示，不限定于此。例如，高频电路1所支持的频段不限定于频段A～C。例如，高频电路1也可以支持4个以上的频段。在该情况下，高频电路1也可以具备用于频段D、E、F……的滤波器。另外，例如，也可以是，高频电路1仅支持频段B及C，而不支持频段A。在该情况下，高频电路1也可以不具备功率放大器11、低噪声放大器21、匹配电路41及44、电感器46、开关52、双工器61、高频输入端子111以及高频输出端子121。另外，例如，高频电路1也可以是发送专用电路。在该情况下，高频电路1也可以不具备低噪声放大器21～23、电感器46～48、接收滤波器61R～63R、高频输出端子121～123以及电源端子133。另外，例如，高频电路1也可以是接收专用电路。在该情况下，高频电路1也可以不具备功率放大器11及12、匹配电路44及45、开关52及53、发送滤波器61T～63T、高频输入端子111及112、以及电源端子131及132。
[2高频电路1的实施例]
[2.1实施例1]
作为上述实施方式所涉及的高频电路1的实施例1，参照图2～图4来说明安装有高频电路1的高频模块1A。此外，在本实施例中，包括低噪声放大器21～23的集成电路20和包括控制电路81的集成电路80各自与第一电子部件对应，包括电容器73的电子部件和包括电容器74的电子部件各自与第二电子部件对应，包括开关51的电子部件与第三电子部件对应。
[2.1.1高频模块1A的部件配置]
图2是本实施例所涉及的高频模块1A的俯视图。图3是本实施例所涉及的高频模块1A的俯视图，是从z轴正侧透视模块基板90的主面90b侧而得到的图。图4是本实施例所涉及的高频模块1A的截面图。图4中的高频模块1A的截面是图2和图3的iv-iv线处的截面。
此外，在图2和图3中，有时对各部件标注表示该部件的文字以容易地理解各部件的配置关系，但是对实际的各部件未标注该文字。另外，在图2～图4中，省略了将配置于模块基板90的多个部件连接的布线的一部分图示。另外，在图2和图3中，省略了覆盖多个部件的树脂构件91及92、以及覆盖树脂构件91及92的表面的屏蔽电极层93的图示。
高频模块1A除了具备包括图1中示出的高频电路1中包括的有源元件和无源元件的多个电子部件以外，还具备模块基板90、树脂构件91及92、屏蔽电极层93以及多个柱电极150。
模块基板90具有彼此相向的主面90a及90b。主面90a及90b分别是第一主面和第二主面的一例。在模块基板90内形成有地电极层GP。此外，在图2和图3中，模块基板90在俯视时具有矩形形状，但是不限定于该形状。
作为模块基板90，例如，能够使用具有多个电介质层的层叠构造的低温共烧陶瓷(LTCC：Low Temperature Co-fired Ceramics)基板或高温共烧陶瓷(HTCC：HighTemperature Co-fired Ceramics)基板、部件内置基板、具有重新布线层(RDL：Redistribution Layer)的基板、或者印刷电路板等，但是不限定于这些。
在主面90a上配置有功率放大器11及12、匹配电路40～45、电感器46～48、发送滤波器61T～63T、接收滤波器61R～63R、电容器71及72、以及树脂构件91。
分别包括功率放大器11及12的2个电子部件例如也可以由砷化镓(GaAs)、硅锗(SiGe)以及氮化镓(GaN)中的至少一者构成。由此，能够实现高品质的功率放大器11及12。此外，也可以将功率放大器11及12的一部分使用CMOS(Complementary Metal OxideSemiconductor：互补金属氧化物半导体)来构成，具体地说，也可以通过SOI(Silicon onInsulator：绝缘体上硅)工艺来制造。由此，能够廉价地制造功率放大器11及12。
匹配电路40～43各自由片式电感器和/或片式电容器构成。片式电感器是指构成电感器的表面安装器件(SMD：Surface Mount Device)，片式电容器是指构成电容器的SMD。
匹配电路44及45各自由变压器构成。构成变压器的线圈的一部分或全部也可以配置于模块基板90内。
电感器46～48各自由片式电感器构成，在俯视时与包括低噪声放大器21～23的集成电路20重叠。此外，电感器46～48不限定于片式电感器。例如，电感器46～48也可以由集成型无源器件(IPD：Integrated Passive Device)构成。
电容器71及72各自由片式电容器构成。电容器71及72与功率放大器11及12分别邻接配置。由此，能够使得作为旁路电容器发挥功能的电容器71及72与功率放大器11及12之间的布线短，能够抑制因布线的阻抗导致的旁路电容器的特性劣化。
此外，电容器71及72不限定于片式电容器。例如，电容器71也可以包括在与功率放大器11相同的电子部件中，电容器72也可以包括在与功率放大器12相同的电子部件中。另外，例如，电容器71和/或72也可以由IPD构成。
发送滤波器61T～63T以及接收滤波器61R～63R各自例如也可以使用声表面波(SAW：Surface Acoustic Wave)滤波器、体声波(BAW：Bulk Acoustic Wave)滤波器、LC谐振滤波器以及电介质滤波器中的任意滤波器来构成，并且不限定于这些。
树脂构件91覆盖主面90a和主面90a上的多个电子部件的至少一部分。树脂构件91具有确保主面90a上的多个电子部件的机械强度和耐湿性等可靠性的功能。此外，树脂构件91也可以不包括在高频模块1A中。
在主面90b上配置有包括低噪声放大器21～23的集成电路20、包括开关52及53和控制电路81的集成电路80、开关51、电容器73及74、树脂构件92、以及多个柱电极150。
集成电路20及80分别是第一电子部件的一例，包括开关51的电子部件(下面，仅称为开关51)是第三电子部件的一例。集成电路20及80和开关51例如使用CMOS来构成，具体地说，也可以通过SOI工艺来制造。此外，集成电路20及80和开关51不限定于CMOS。
分别包括电容器73及74的2个电子部件(下面，仅称为电容器73及74)分别是第二电子部件的一例，是半导体部件。在本实施例中，电容器73及74是所谓的硅电容器，通过半导体工艺形成于硅基板(硅晶圆)。此外，电容器73及74不限定于硅电容器，也可以不是半导体部件。另外，电容器73及74也可以包括在使用了硅基板的IPD中，也可以使用将陶瓷材料层与电极层交替地层叠而形成的层叠陶瓷电容器。
电容器73经由布线731来与作为电源端子133发挥功能的柱电极150连接，且经由布线732来与集成电路20连接。在俯视模块基板90时电容器73的至少一部分与地电极层GP的至少一部分重叠。由此，能够提高配置于主面90a上的高频部件与电容器73之间的隔离度。
电容器73与集成电路20邻接配置。具体地说，(a)集成电路20配置成比在主面90b上配置的其它任何电子部件(在此为开关51、电容器74以及集成电路80)都更靠近电容器73，并且，(b)电容器73配置成比在主面90b上配置的其它任何电子部件都更靠近集成电路20。换言之，(a)集成电路20与电容器73间的距离为电容器73与其它电子部件中的各个电子部件之间的距离以下，且为(b)集成电路20与其它电子部件中的各个电子部件之间的距离以下。此时，集成电路20与电容器73间的距离如果为模块基板90的厚度(也就是说，主面90a与90b间的距离)以下则更加有效。
在此，2个部件之间的距离是指将一方的部件内的任意的点与另一方的部件内的任意的点连结的线段中的最短的线段的长度。也就是说，2个部件之间的距离是指所谓的最短距离。
电容器74经由布线741来与作为电源端子134发挥功能的柱电极150连接，且经由布线742来与集成电路80连接。在俯视模块基板90时电容器74的至少一部分与地电极层GP的至少一部分重叠。由此，能够提高配置于主面90a上的高频部件与电容器74之间的隔离度。
电容器74与集成电路80邻接配置。具体地说，(c)集成电路80配置成比在主面90b上配置的其它任何电子部件(在此为开关51、电容器73以及集成电路20)都更靠近电容器74，并且，(d)电容器74配置成比在主面90b上配置的其它任何电子部件都更靠近集成电路80。换言之，集成电路80与电容器74间的距离为(c)电容器74与其它电子部件中的各个电子部件之间的距离以下，且为(d)集成电路80与其它电子部件中的各个电子部件之间的距离以下。此时，集成电路80与电容器74间的距离如果为模块基板90的厚度以下则更加有效。
并且，在俯视模块基板90时，电容器74配置于集成电路80与开关51之间。在图3中，在俯视模块基板90时，开关51、电容器74以及集成电路80沿着x轴按开关51、电容器74以及集成电路80的顺序排列配置。
多个柱电极150作为多个外部连接端子发挥功能，上述多个外部连接端子除了包括图1示出的天线连接端子100、高频输入端子111及112、高频输出端子121～123、电源端子131～134以及控制端子141以外，还包括地端子。作为多个柱电极150，能够使用铜电极，但是不限定于此。例如，作为多个柱电极，也可以使用焊料电极。
树脂构件92覆盖主面90b和主面90b上的多个电子部件的至少一部分。树脂构件92具有确保主面90b上的多个电子部件的机械强度和耐湿性等可靠性的功能。此外，树脂构件92也可以不包括在高频模块1A中。
屏蔽电极层93例如是通过溅射法形成的金属薄膜，形成为覆盖树脂构件91的上表面、以及树脂构件91及92以及模块基板90的侧面。屏蔽电极层93与地连接，用于抑制外来噪声侵入到构成高频模块1A的电子部件。此外，屏蔽电极层93也可以不包括在高频模块1A中。
此外，本实施例中的多个电子部件的配置是例示，不限定于本实施例。例如，在本实施例中，关于集成电路20与电容器73的配置，满足了上述(a)和(b)双方，但是不限定于此。例如，也可以仅满足上述(a)和(b)中的一方。同样地，关于集成电路80与电容器74的配置，满足了上述(c)和(d)双方，但是不限定于此。例如，也可以仅满足上述(c)和(d)中的一方。
[2.1.2高频模块1A的效果]
如以上那样，本实施例所涉及的高频模块1A具备：模块基板90，其具有彼此相向的主面90a及90b；配置于主面90a上和主面90b上的多个电子部件；以及电源用外部连接端子(例如电源端子133或134)，其配置于主面90b上，其中，多个电子部件包括：第一电子部件(例如集成电路80或20)，其配置于主面90b上，包括与电源用外部连接端子连接的有源电路(例如控制电路81或低噪声放大器21～23)；以及第二电子部件，其配置于主面90b上，包括连接于将电源用外部连接端子及有源电路连接的路径与地之间的电容器74或73。在此，第一电子部件配置成比在主面90b上配置的其它任何电子部件都更靠近第二电子部件，和/或，第二电子部件配置成比在主面90b上配置的其它任何电子部件都更靠近第一电子部件。
据此，第一电子部件与第二电子部件在相同的主面90b上接近地配置，其中，该第一电子部件包括有源电路，该第二电子部件包括连接于将电源用外部连接端子及有源电路连接的路径与地之间的电容器74或73。因而，能够使得将旁路电容器与有源电路连接的布线742或732短，从而减小布线742或732的阻抗、特别是电感。其结果是，能够抑制因布线742或732的阻抗的增加导致的旁路电容器的特性劣化，从而实现噪声降低效果的提高。
另外，例如，在本实施例所涉及的高频模块1A中，也可以是，第一电子部件中包括的有源电路是对功率放大器11及12进行控制的控制电路81。
据此，能够实现控制电路81中的噪声降低效果的提高。
另外，例如，在本实施例所涉及的高频模块1A中，也可以是，多个电子部件还包括第三电子部件，该第三电子部件配置于主面90b上，该第三电子部件包括连接于天线连接端子100与功率放大器11及12以及低噪声放大器21～23之间的开关51，在俯视模块基板90时，包括电容器74的第二电子部件配置于作为第一电子部件的集成电路80与包括开关51的第三电子部件之间。
据此，在控制电路81与开关51之间配置电容器74，因此能够提高控制电路81与开关51之间的隔离度。控制电路81与天线连接端子100之间的隔离度被改善，能够抑制由于该控制电路81与功率放大器11及12连接因此经由控制电路81的发送信号的一部分经由天线连接端子向接收电路侧泄漏，能够抑制因经由控制电路81的泄漏信号导致的接收灵敏度的下降。
另外，例如，在本实施例所涉及的高频模块1A中，也可以是，第一电子部件中包括的有源电路是低噪声放大器21～23。
据此，能够实现低噪声放大器21～23中的噪声降低效果的提高。
另外，本实施例所涉及的高频模块1A具备：模块基板90，其具有彼此相向的主面90a及90b；配置于主面90a上和主面90b上的多个电子部件；以及电源用外部连接端子(例如电源端子134)，其配置于主面90b上，其中，多个电子部件包括：第一电子部件(例如集成电路80)，其配置于主面90b上，包括与电源用外部连接端子连接的有源电路(例如控制电路81)；第二电子部件，其配置于主面90b上，包括连接于将电源用外部连接端子及有源电路连接的路径与地之间的电容器74；以及第三电子部件(例如开关51)，其配置于主面90b上，在俯视模块基板90时，第二电子部件配置于第一电子部件与第三电子部件之间。
据此，在配置于相同的主面90b上的第一电子部件与第三电子部件之间配置包括旁路电容器的第二电子部件，因此能够提高第一电子部件与第三电子部件间的隔离度。并且，容易将第二电子部件与第一电子部件接近地配置，从而能够使得将旁路电容器与有源电路连接的布线短。因而，能够减小布线的阻抗，能够实现旁路电容器的噪声降低效果的提高。
另外，例如，在本实施例所涉及的高频模块1A中，也可以是，第一电子部件中包括的有源电路是对功率放大器11及12进行控制的控制电路81，第二电子部件包括连接于天线连接端子100与功率放大器11及12以及低噪声放大器21～23之间的开关51。
据此，能够提高控制电路81与开关51之间的隔离度，能够抑制因经由控制电路81的泄漏信号导致的接收灵敏度的下降。
另外，例如，在本实施例所涉及的高频模块1A中，也可以是，第二电子部件是半导体部件。
据此，能够使得配置于主面90b上的第二电子部件的高度低，能够实现高频模块1A的高度降低。特别是，如果由硅电容器构成第二电子部件，则能够对第二电子部件进行切削，能够实现高频模块1A的进一步的高度降低。此外，在主面90b上配置有包括低噪声放大器21～23的集成电路20，该集成电路由与硅电容器相同或类似的半导体材料构成，因此通过对硅电容器和集成电路20同时进行切削，能够进一步使高频模块1A的高度降低。
[2.2实施例2]
接着，作为上述实施方式所涉及的高频电路1的实施例2，说明安装有高频电路1的高频模块1B。在本实施例中，与上述实施例1的主要不同是第一电子部件、第二电子部件以及第三电子部件的配置。在下面，以与上述实施例1的不同点为中心，参照图5来说明本实施例所涉及的高频模块1B。
[2.2.1高频模块1B的部件配置]
图5是本实施例所涉及的高频模块1B的俯视图，是从z轴正侧透视模块基板90的主面90b侧而得到的图。与图3同样地，在图5中，省略了树脂构件92和屏蔽电极层93的图示。
如图5所示，在主面90b上，配置有包括低噪声放大器21～23的集成电路20、包括开关51～53和控制电路81的集成电路80B、电容器73及74、树脂构件92(省略)、以及多个柱电极150。
在本实施例中，集成电路20及80B各自是第一电子部件的一例。另外，集成电路80B还是第三电子部件的一例。电容器73及74各自是第二电子部件的一例。
电容器73与集成电路20邻接配置。具体地说，(e)集成电路20配置成比在主面90b上配置的其它任何电子部件(在此为电容器74和集成电路80B)都更靠近电容器73，并且，(f)电容器73配置成比在主面90b上配置的其它任何电子部件都更靠近集成电路20。换言之，集成电路20与电容器73间的距离为(e)电容器73与其它电子部件中的各个电子部件之间的距离以下，且为(f)集成电路20与其它电子部件中的各个电子部件之间的距离以下。此时，集成电路20与电容器73间的距离可以为模块基板90的厚度以下。
并且，在俯视模块基板90时，电容器73配置于集成电路20与80B之间。在图5中，在俯视模块基板90时，集成电路80B、电容器73以及集成电路20沿着y轴按集成电路80B、电容器73以及集成电路20的顺序排列配置。
电容器74与集成电路80B邻接配置。具体地说，(g)集成电路80B配置成比在主面90b上配置的其它任何电子部件(在此为电容器73和集成电路20)都更靠近电容器74，并且，(h)电容器74配置成比在主面90b上配置的其它任何电子部件都更靠近集成电路80B。换言之，集成电路80B与电容器74间的距离为(g)电容器74与其它电子部件中的各个电子部件之间的距离以下，且为(h)集成电路80B与其它电子部件中的各个电子部件之间的距离以下。此时，集成电路80B与电容器74间的距离也可以为模块基板90的厚度以下。
此外，本实施例中的多个电子部件的配置是例示，不限定于本实施例。例如，在本实施例中，关于集成电路20与电容器73的配置，满足了上述(e)和(f)双方，但是不限定于此。例如，也可以仅满足上述(e)和(f)中的一方。同样地，关于集成电路80B与电容器74的配置，满足了上述(g)和(h)双方，但是不限定于此。例如，也可以仅满足上述(g)和(h)中的一方。
[2.2.2高频模块1B的效果]
如以上那样，本实施例所涉及的高频模块1B具备：模块基板90，其具有彼此相向的主面90a及90b；配置于主面90a上和主面90b上的多个电子部件；以及电源用外部连接端子(例如电源端子133或134)，其配置于主面90b上，其中，多个电子部件包括：第一电子部件(例如集成电路80B或20)，其配置于主面90b上，包括与电源用外部连接端子连接的有源电路(例如控制电路81或低噪声放大器21～23)；以及第二电子部件，其配置于主面90b上，包括连接于将电源用外部连接端子及有源电路连接的路径与地之间的电容器74或73。在此，第一电子部件(例如集成电路80B)配置成比在主面90b上配置的其它任何电子部件都更靠近第二电子部件(例如电容器74)，和/或，第二电子部件(例如电容器73)配置成比在主面90b上配置的其它任何电子部件都更靠近第一电子部件(例如集成电路20)。
据此，第一电子部件与第二电子部件在相同的主面90b上接近地配置，其中，该第一电子部件包括有源电路，该第二电子部件包括连接于将电源用外部连接端子及有源电路连接的路径与地之间的电容器74或73。因而，能够使得将旁路电容器与有源电路连接的布线742或732短，从而减小布线742或732的阻抗、特别是电感。其结果是，能够抑制因布线742或732的阻抗的增加导致的旁路电容器的特性劣化，从而实现噪声降低效果的提高。
另外，例如，在本实施例所涉及的高频模块1B中，也可以是，第一电子部件中包括的有源电路是对功率放大器11及12进行控制的控制电路81。
据此，能够实现控制电路81中的噪声降低效果的提高。
另外，例如，在本实施例所涉及的高频模块1B中，也可以是，第一电子部件中包括的有源电路是低噪声放大器21～23。
据此，能够实现低噪声放大器21～23中的噪声降低效果的提高。
另外，例如，在本实施例所涉及的高频模块1B中，也可以是，多个电子部件还包括作为第三电子部件的集成电路80B，该集成电路80B配置于主面90b上，包括对功率放大器11及12进行控制的控制电路81，在俯视模块基板90时，包括电容器73的第二电子部件配置于作为第一电子部件的集成电路20与作为第三电子部件的集成电路80B之间。
据此，在低噪声放大器21～23与控制电路81之间配置电容器73，因此能够提高低噪声放大器21～23与控制电路81之间的隔离度。能够抑制由于控制电路81与对发送信号进行处理的功率放大器11及12连接因此发送信号的一部分经由控制电路向低噪声放大器21～23泄漏，能够抑制因经由控制电路81的泄漏信号导致的接收灵敏度的下降。
另外，本实施例所涉及的高频模块1B具备：模块基板90，其具有彼此相向的主面90a及90b；配置于主面90a上和主面90b上的多个电子部件；以及电源用外部连接端子(例如电源端子133)，其配置于主面90b上，其中，多个电子部件包括：第一电子部件(例如集成电路20)，其配置于主面90b上，包括与电源用外部连接端子连接的有源电路(例如低噪声放大器21～23)；第二电子部件，其配置于主面90b上，包括连接于将电源用外部连接端子及有源电路连接的路径与地之间的电容器73；以及第三电子部件(例如集成电路80B)，其配置于主面90b上，在俯视模块基板90时，第二电子部件配置于第一电子部件与第三电子部件之间。
据此，在配置于相同的主面90b上的第一电子部件与第三电子部件之间配置包括旁路电容器的第二电子部件，因此能够提高第一电子部件与第三电子部件间的隔离度。并且，容易将第二电子部件与第一电子部件接近地配置，从而能够使得将旁路电容器与有源电路连接的布线短。因而，能够减小布线的阻抗，能够实现旁路电容器的噪声降低效果的提高。
另外，例如，在本实施例所涉及的高频模块1B中，也可以是，第一电子部件中包括的有源电路是低噪声放大器21～23，第三电子部件包括对功率放大器11及12进行控制的控制电路81。
据此，能够提高低噪声放大器21～23与控制电路81之间的隔离度，能够抑制因经由控制电路81的泄漏信号导致的接收灵敏度的下降。
另外，例如，在本实施例所涉及的高频模块1B中，也可以是，第二电子部件是半导体部件。
据此，能够使得配置于主面90b上的第二电子部件的高度低，能够实现高频模块1B的高度降低。特别是，如果由硅电容器构成第二电子部件，则能够对第二电子部件进行切削，能够实现高频模块1B的进一步的高度降低。此外，在主面90b上配置有包括低噪声放大器21～23的集成电路20，该集成电路由与硅电容器相同或类似的半导体材料构成，因此通过对硅电容器和集成电路20同时进行切削，能够进一步使高频模块1A的高度降低。
[2.3实施例3]
接着，作为上述实施方式所涉及的高频电路1的实施例3，说明安装有高频电路1的高频模块1C。在本实施例中，与上述实施例1及2的主要不同是第一电子部件、第二电子部件以及第三电子部件的组合以及它们的配置。在下面，以与上述实施例1及2的不同点为中心，参照图6和图7来说明本实施例所涉及的高频模块1C。
[2.3.1高频模块1C的部件配置]
图6是本实施例所涉及的高频模块1C的俯视图。图7是本实施例所涉及的高频模块1C的俯视图，是从z轴正侧透视模块基板90的主面90b侧而得到的图。与图2和图3同样地，在图6和图7中，省略了树脂构件91及92和屏蔽电极层93的图示。
如图6所示，在主面90a上，配置有包括低噪声放大器21～23的集成电路20、以及电容器73，来代替功率放大器11及12以及电容器71及72。
如图7所示，在主面90b上，配置有功率放大器11及12、包括开关52及53和控制电路81的集成电路80、开关51、电容器71、72及74、树脂构件92(省略)、以及多个柱电极150。
在本实施例中，功率放大器11及12以及集成电路80各自是第一电子部件的一例。电容器71、72及74各自是第二电子部件的一例。开关51是第三电子部件的一例。
分别包括电容器71及72的2个电子部件(下面，仅称为电容器71及72)各自是半导体部件。在本实施例中，电容器71及72是所谓的硅电容器，通过半导体工艺形成于硅基板(硅晶圆)。此外，电容器71及72不限定于硅电容器，也可以不是半导体部件。另外，电容器71及72也可以包括在使用了硅基板的IPD中。电容器71经由布线711来与作为电源端子131发挥功能的柱电极150连接，且经由布线712来与功率放大器11连接。电容器72经由布线721来与作为电源端子132发挥功能的柱电极150连接，且经由布线722来与功率放大器12连接。
电容器71与功率放大器11邻接配置。具体地说，功率放大器11配置成比在主面90b上配置的其它任何电子部件(在此为功率放大器12、电容器72及74、开关51以及集成电路80)都更靠近电容器71，并且，电容器71配置成比其它任何电子部件都更靠近功率放大器11。换言之，功率放大器11与电容器71间的距离为电容器71与其它电子部件中的各个电子部件之间的距离以下，且为功率放大器11与其它电子部件中的各个电子部件之间的距离以下。
电容器72与功率放大器12邻接配置。具体地说，功率放大器12配置成比在主面90b上配置的其它任何电子部件(在此为功率放大器11、电容器71及74、开关51以及集成电路80)都更靠近电容器72，并且，电容器72配置成比其它任何电子部件都更靠近功率放大器12。换言之，功率放大器12与电容器72间的距离为电容器72与其它电子部件中的各个电子部件之间的距离以下，且为功率放大器12与其它电子部件中的各个电子部件之间的距离以下。
电容器74与集成电路80邻接配置。具体地说，集成电路80配置成比在主面90b上配置的其它任何电子部件(在此为功率放大器11及12、电容器71及72、以及开关51)都更靠近电容器74。换言之，集成电路80与电容器74间的距离为电容器74与其它电子部件中的各个电子部件之间的距离以下，且为功率放大器12与其它电子部件中的各个电子部件之间的距离以下。
并且，在俯视模块基板90时，电容器74配置于集成电路80与开关51之间。在图7中，开关51、电容器74以及集成电路80沿着x轴按开关51、电容器74以及集成电路80的顺序排列配置。
[2.3.2高频模块1C的效果]
如以上那样，本实施例所涉及的高频模块1C具备：模块基板90，其具有彼此相向的主面90a及90b；配置于主面90a上和主面90b上的多个电子部件；以及电源用外部连接端子(例如电源端子131、132或134)，其配置于主面90b上，其中，多个电子部件包括：第一电子部件，其配置于主面90b上，包括与电源用外部连接端子连接的有源电路(例如功率放大器11、12、或者控制电路81)；以及第二电子部件，其配置于主面90b上，包括连接于将电源用外部连接端子及有源电路连接的路径与地之间的电容器71、72或74。在此，第一电子部件配置成比在主面90b上配置的其它任何电子部件都更靠近第二电子部件，和/或，第二电子部件配置成比在主面90b上配置的其它任何电子部件都更靠近第一电子部件。
据此，第一电子部件与第二电子部件在相同的主面90b上接近地配置，其中，该第一电子部件包括有源电路，该第二电子部件包括连接于将电源用外部连接端子及有源电路连接的路径与地之间的电容器71、72或74。因而，能够使得将旁路电容器与有源电路连接的布线712、722或732短，从而减小布线712、722或742的阻抗。其结果是，能够抑制因布线712、722或742的阻抗导致的旁路电容器的特性劣化，从而实现噪声降低效果的提高。
另外，例如，在本实施例所涉及的高频模块1C中，也可以是，第一电子部件中包括的有源电路是对功率放大器11及12进行控制的控制电路81。
据此，能够实现控制电路81中的噪声降低效果的提高。
另外，例如，在本实施例所涉及的高频模块1C中，也可以是，多个电子部件还包括第三电子部件，该第三电子部件配置于主面90b上，该第三电子部件包括连接于天线连接端子100与功率放大器11及12以及低噪声放大器21～23之间的开关51，在俯视模块基板90时，包括电容器74的第二电子部件配置于作为第一电子部件的集成电路80与包括开关51的第三电子部件之间。
据此，能够抑制由于控制电路81与对发送信号进行处理的功率放大器11及12连接因此发送信号的一部分经由控制电路向低噪声放大器21～23泄漏，能够提高控制电路81与开关51之间的隔离度。因而，能够抑制因经由控制电路81的泄漏信号导致的接收灵敏度的下降。
另外，例如，在本实施例所涉及的高频模块1C中，也可以是，第一电子部件中包括的有源电路是功率放大器11或12。
据此，能够实现功率放大器11或12中的噪声降低效果的提高。
另外，本实施例所涉及的高频模块1C具备：模块基板90，其具有彼此相向的主面90a及90b；配置于主面90a上和主面90b上的多个电子部件；以及电源用外部连接端子(例如电源端子134)，其配置于主面90b上，其中，多个电子部件包括：第一电子部件(例如集成电路80)，其配置于主面90b上，包括与电源用外部连接端子连接的有源电路(例如控制电路81)；第二电子部件，其配置于主面90b上，包括连接于将电源用外部连接端子及有源电路连接的路径与地之间的电容器74；以及第三电子部件(例如开关51)，其配置于主面90b上，在俯视模块基板90时，第二电子部件配置于第一电子部件与第三电子部件之间。
据此，在配置于相同的主面90b上的第一电子部件与第三电子部件之间配置包括旁路电容器的第二电子部件，因此能够提高第一电子部件与第三电子部件间的隔离度。并且，容易将第二电子部件与第一电子部件接近地配置，从而能够使得将旁路电容器与有源电路连接的布线短。因而，能够减小布线的阻抗、特别是电感，能够实现旁路电容器的噪声降低效果的提高。
另外，例如，在本实施例所涉及的高频模块1C中，也可以是，第一电子部件中包括的有源电路是对功率放大器11及12进行控制的控制电路81，第二电子部件包括连接于天线连接端子100与功率放大器11及12以及低噪声放大器21～23之间的开关51。
据此，能够提高控制电路81与开关51之间的隔离度，能够抑制因经由控制电路81的泄漏信号导致的接收灵敏度的下降。
另外，例如，在本实施例所涉及的高频模块1C中，也可以是，第二电子部件是半导体部件。
据此，能够使得配置于主面90b上的第二电子部件的高度低，能够实现高频模块1C的高度降低。特别是，如果由硅电容器构成第二电子部件，则能够对第二电子部件进行切削，能够实现高频模块1C的进一步的高度降低。
(变形例)
以上，基于实施方式和实施例来说明了本发明所涉及的高频模块和通信装置，但是本发明所涉及的高频模块和通信装置不限定于上述实施方式和实施例。将上述实施例中的任意的结构要素进行组合来实现的其它实施例、对上述实施方式和上述实施例实施本领域技术人员在不脱离本发明的主旨的范围内想到的各种变形来得到的变形例、内置有上述高频模块的各种设备也包括在本发明中。
例如，在上述实施方式所涉及的高频电路和通信装置的电路结构中，也可以在将附图所公开的各电路元件及信号路径连接的路径之间插入其它电路元件和布线等。例如，也可以在开关52与发送滤波器61T之间、和/或、开关53与发送滤波器62T和/或63T之间插入匹配电路。
此外，在上述实施方式中，频段A～C是FDD用频段，但是也可以是时分双工(TDD：Time Division Duplex)用频段。在该情况下，发送滤波器和接收滤波器也可以是1个滤波器。
此外，在上述实施方式中，高频电路1具备3个低噪声放大器21～23，但是低噪声放大器的数量不限定于3。例如，在低噪声放大器的数量为1的情况下，高频电路1也可以具备连接于该低噪声放大器与接收滤波器61R～63R之间的开关。此时，开关也可以包括在集成电路20中。
产业上的可利用性
本发明作为配置于前端部的高频模块，能够广泛利用于便携式电话等通信设备。
附图标记说明
1：高频电路；1A、1B、1C：高频模块；2：天线；3：RFIC；4：BBIC；5：电源电路；6：通信装置；11、12：功率放大器；20、80、80B：集成电路；21、22、23：低噪声放大器；40、41、42、43、44、45：匹配电路；46、47、48：电感器；51、52、53：开关；61、62、63：双工器；61R、62R、63R：接收滤波器；61T、62T、63T：发送滤波器；71、72、73、74：电容器；81：控制电路；90：模块基板；90a、90b：主面；91、92：树脂构件；93：屏蔽电极层；100：天线连接端子；111、112：高频输入端子；121、122、123：高频输出端子；131、132、133、134：电源端子；141：控制端子；150：柱电极；511、512、513、514、521、522、531、532、533：端子；711、712、721、722、731、732、741、742：布线；GP：地电极层。

Claims (19)

1.一种高频模块，具备：
模块基板，其具有彼此相向的第一主面和第二主面；
配置于所述第一主面上和所述第二主面上的多个电子部件；以及
电源用外部连接端子，其配置于所述第二主面上，
其中，所述多个电子部件包括：
第一电子部件，其配置于所述第二主面上，包括与所述电源用外部连接端子连接的有源电路；以及
第二电子部件，其配置于所述第二主面上，包括连接于将所述电源用外部连接端子及所述有源电路连接的路径与地之间的电容器，
所述第一电子部件配置成比在所述第二主面上配置的其它任何电子部件都更靠近所述第二电子部件。
2.根据权利要求1所述的高频模块，其中，
所述第二电子部件配置成比在所述第二主面上配置的其它任何电子部件都更靠近所述第一电子部件。
3.根据权利要求1或2所述的高频模块，其中，
所述有源电路是对功率放大器进行控制的控制电路。
4.根据权利要求3所述的高频模块，其中，
所述多个电子部件还包括第三电子部件，所述第三电子部件配置于所述第二主面上，所述第三电子部件包括连接于天线连接端子与所述功率放大器及低噪声放大器之间的开关，
在俯视所述模块基板时所述第二电子部件配置于所述第一电子部件与所述第三电子部件之间。
5.根据权利要求1或2所述的高频模块，其中，
所述有源电路是低噪声放大器。
6.根据权利要求5所述的高频模块，其中，
所述多个电子部件还包括第三电子部件，所述第三电子部件配置于所述第二主面上，所述第三电子部件包括对功率放大器进行控制的控制电路，
在俯视所述模块基板时所述第二电子部件配置于所述第一电子部件与所述第三电子部件之间。
7.根据权利要求1或2所述的高频模块，其中，
所述有源电路是功率放大器。
8.根据权利要求1～7中的任一项所述的高频模块，其中，
所述第二电子部件是半导体部件。
9.一种高频模块，具备：
模块基板，其具有彼此相向的第一主面和第二主面；
配置于所述第一主面上和所述第二主面上的多个电子部件；以及
电源用外部连接端子，其配置于所述第二主面上，
其中，所述多个电子部件包括：
第一电子部件，其配置于所述第二主面上，包括与所述电源用外部连接端子连接的有源电路；以及
第二电子部件，其配置于所述第二主面上，包括连接于将所述电源用外部连接端子及所述有源电路连接的路径与地之间的电容器，
所述第二电子部件配置成比在所述第二主面上配置的其它任何电子部件都更靠近所述第一电子部件。
10.根据权利要求9所述的高频模块，其中，
所述有源电路是对功率放大器进行控制的控制电路。
11.根据权利要求10所述的高频模块，其中，
所述多个电子部件还包括第三电子部件，所述第三电子部件配置于所述第二主面上，所述第三电子部件包括连接于天线连接端子与所述功率放大器及低噪声放大器之间的开关，
在俯视所述模块基板时所述第二电子部件配置于所述第一电子部件与所述第三电子部件之间。
12.根据权利要求9所述的高频模块，其中，
所述有源电路是低噪声放大器。
13.根据权利要求12所述的高频模块，其中，
所述多个电子部件还包括第三电子部件，所述第三电子部件配置于所述第二主面上，所述第三电子部件包括对功率放大器进行控制的控制电路，
在俯视所述模块基板时所述第二电子部件配置于所述第一电子部件与所述第三电子部件之间。
14.根据权利要求9所述的高频模块，其中，
所述有源电路是功率放大器。
15.根据权利要求9～14中的任一项所述的高频模块，其中，
所述第二电子部件是半导体部件。
16.一种高频模块，具备：
模块基板，其具有彼此相向的第一主面和第二主面；
配置于所述第一主面上和所述第二主面上的多个电子部件；以及
电源用外部连接端子，其配置于所述第二主面上，
其中，所述多个电子部件包括：
第一电子部件，其配置于所述第二主面上，包括与所述电源用外部连接端子连接的有源电路；
第二电子部件，其配置于所述第二主面上，包括连接于将所述电源用外部连接端子及所述有源电路连接的路径与地之间的电容器；以及
第三电子部件，其配置于所述第二主面上，
在俯视所述模块基板时所述第二电子部件配置于所述第一电子部件与所述第三电子部件之间。
17.根据权利要求16所述的高频模块，其中，
所述有源电路是对功率放大器进行控制的控制电路，
所述第三电子部件包括连接于天线连接端子与所述功率放大器及低噪声放大器之间的开关。
18.根据权利要求16所述的高频模块，其中，
所述有源电路是低噪声放大器，
所述第三电子部件包括对功率放大器进行控制的控制电路。
19.根据权利要求16～18中的任一项所述的高频模块，其中，
所述第二电子部件是半导体部件。
CN202280056812.0A 2021-08-20 2022-08-02 高频模块 Pending CN117882299A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021134653 2021-08-20
JP2021-134653 2021-08-20
PCT/JP2022/029629 WO2023021982A1 (ja) 2021-08-20 2022-08-02 高周波モジュール

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN117882299A true CN117882299A (zh) 2024-04-12

Family

ID=85240512

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202280056812.0A Pending CN117882299A (zh) 2021-08-20 2022-08-02 高频模块

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN117882299A (zh)
WO (1) WO2023021982A1 (zh)

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2051394B1 (en) * 2006-08-09 2017-05-10 Hitachi Metals, Ltd. High frequency component and high frequency circuit for use therein
JP5280595B1 (ja) * 2013-03-28 2013-09-04 パナソニック株式会社 無線通信装置
CN112751580B (zh) * 2020-12-25 2022-09-13 中国电子科技集团公司第十四研究所 一种基于时钟屏蔽和电源滤波的p波段ltcc组件

Also Published As

Publication number Publication date
WO2023021982A1 (ja) 2023-02-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN213879809U (zh) 高频模块和通信装置
CN213213459U (zh) 高频模块和通信装置
KR102417489B1 (ko) 고주파 모듈 및 통신 장치
CN213879810U (zh) 高频模块和通信装置
US11528044B2 (en) Radio frequency module and communication device
JP2021093607A (ja) 高周波モジュール及び通信装置
KR102476616B1 (ko) 고주파 모듈 및 통신장치
KR102504973B1 (ko) 고주파 모듈 및 통신 장치
CN215186733U (zh) 高频模块和通信装置
WO2023021982A1 (ja) 高周波モジュール
WO2023022047A1 (ja) 高周波モジュール
WO2023021792A1 (ja) 高周波モジュール及び通信装置
WO2021205702A1 (ja) 高周波回路、高周波モジュール及び通信装置
KR102457443B1 (ko) 고주파 모듈 및 통신 장치
WO2022209728A1 (ja) 高周波モジュール及び通信装置
WO2022209749A1 (ja) 高周波モジュール及び通信装置
CN117256104A (zh) 高频模块
CN117121374A (zh) 高频模块
CN117063394A (zh) 高频模块和通信装置
CN117121199A (zh) 高频模块
CN117083809A (zh) 高频模块和通信装置
CN117203764A (zh) 高频模块
CN117099314A (zh) 高频模块和通信装置
CN117063395A (zh) 高频模块和通信装置
CN116711210A (zh) 高频模块和通信装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination