CN117083809A - 高频模块和通信装置 - Google Patents

高频模块和通信装置 Download PDF

Info

Publication number
CN117083809A
CN117083809A CN202280024878.1A CN202280024878A CN117083809A CN 117083809 A CN117083809 A CN 117083809A CN 202280024878 A CN202280024878 A CN 202280024878A CN 117083809 A CN117083809 A CN 117083809A
Authority
CN
China
Prior art keywords
electronic component
filter
main surface
switch
frequency
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202280024878.1A
Other languages
English (en)
Inventor
相川清志
上岛孝纪
北岛宏通
山田隆司
大门义弘
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Publication of CN117083809A publication Critical patent/CN117083809A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/38—Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/18—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different subgroups of the same main group of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
    • H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/195—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only in integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F3/24—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages
    • H03F3/245—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages with semiconductor devices only
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/72—Gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/005—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges
    • H04B1/0053—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges with common antenna for more than one band
    • H04B1/006—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges with common antenna for more than one band using switches for selecting the desired band
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/111—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a dual or triple band amplifier, e.g. 900 and 1800 MHz, e.g. switched or not switched, simultaneously or not
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/171—A filter circuit coupled to the output of an amplifier
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/294—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a low noise amplifier [LNA]
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/451—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a radio frequency amplifier
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/72—Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal
    • H03F2203/7209—Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal the gated amplifier being switched from a first band to a second band

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Transceivers (AREA)

Abstract

高频模块(1A)具备：模块基板(91)，其具有彼此相向的主面(91a及91b)；模块基板(92)，其具有彼此相向的主面(92a及92b)，主面(92a)与主面(91b)面对地配置；多个外部连接端子(150)，上述多个外部连接端子(150)配置于主面(92b)上；多个基板间连接端子(151)，上述多个基板间连接端子(151)配置于主面(91b及92a)之间，将模块基板(91)与模块基板(92)连接；第一电子部件(集成电路(70))，其包括开关(52)；第二电子部件，其包括经由开关(52)来与功率放大器(11)连接的滤波器(61)；以及第三电子部件，其包括经由开关(52)来与功率放大器(11)连接的滤波器(62)，第一电子部件、第二电子部件以及第三电子部件配置于相同的模块基板。

Description

高频模块和通信装置
技术领域
本发明涉及一种高频模块和通信装置。
背景技术
在便携式电话等移动通信设备中，特别是伴随着多频段化的进展，高频前端模块正在变得复杂。在专利文献1中公开了一种使用2个模块基板来使高频模块小型化的技术。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：国际公开第2020/022180号
发明内容
发明要解决的问题
然而，在上述现有的技术中，在2个模块基板配置多个电子部件，因此有时用于连接2个模块基板的基板间连接端子的数量增加，从而难以小型化。
因此，本发明提供一种能够削减用于连接2个模块基板的基板间连接端子的数量来实现小型化的高频模块和通信装置。
用于解决问题的方案
本发明的一个方式所涉及的高频模块具备：第一模块基板，其具有彼此相向的第一主面和第二主面；第二模块基板，其具有彼此相向的第三主面和第四主面，第三主面与第二主面面对地配置；多个电子部件，上述多个电子部件配置于第二主面与第三主面之间、第一主面上以及第四主面上；多个外部连接端子，上述多个外部连接端子配置于第四主面上；以及多个基板间连接端子，上述多个基板间连接端子配置于第二主面与第三主面之间，将第一模块基板与第二模块基板连接，其中，多个电子部件包括：第一电子部件，其包括第一开关；第二电子部件，其包括经由第一开关来与功率放大器连接的第一滤波器；以及第三电子部件，其包括经由第一开关来与功率放大器连接的第二滤波器，第一电子部件、第二电子部件以及第三电子部件配置于第一模块基板和第二模块基板中的一者。
发明的效果
根据本发明的一个方式所涉及的高频模块，能够削减用于连接2个模块基板的基板间连接端子的数量来实现小型化。
附图说明
图1是实施方式所涉及的高频电路和通信装置的电路结构图。
图2是实施例所涉及的高频模块的第一主面的俯视图。
图3是实施例所涉及的高频模块的第三主面的俯视图。
图4是实施例所涉及的高频模块的第四主面的俯视图。
图5是实施例所涉及的高频模块的截面图。
具体实施方式
下面，使用附图来详细地说明本发明的实施方式。此外，以下说明的实施方式均用于表示总括性的或者具体的例子。以下的实施方式所示的数值、形状、材料、结构要素、结构要素的配置及连接方式等是一例，其主旨并不在于限定本发明。
此外，各图是为了示出本发明而适当进行了强调、省略、或者比率的调整的示意图，未必严格地进行了图示，有时与实际的形状、位置关系以及比率不同。在各图中，对实质上相同的结构标注相同的附图标记，有时省略或者简化重复的说明。
在以下的各图中，x轴和y轴是在与模块基板的主面平行的平面上彼此正交的轴。具体地说，在俯视时模块基板具有矩形形状的情况下，x轴平行于模块基板的第一边，y轴平行于模块基板的与第一边正交的第二边。另外，z轴是与模块基板的主面垂直的轴，其正方向表示上方向，其负方向表示下方向。
在本发明的电路结构中，“连接”不仅包括通过连接端子和/或布线导体直接连接的情况，也包括经由其它电路元件来电连接的情况。“连接于A与B之间”是指在A与B之间与A及B双方连接，除了包括串联连接于将A与B连结的路径的情况以外，还包括并联连接(分路连接)于该路径与地之间的情况。
在本发明的部件配置中，“俯视”是指将物体从z轴正侧正投影到xy平面来进行观察。“A在俯视时与B重叠”是指正投影到xy平面的A的区域与正投影到xy平面的B的区域重叠。“A配置于B与C之间”是指将B内的任意的点与C内的任意的点连结的多条线段中的至少一条线段穿过A。“A与B接合”是指A与B物理连接。另外，“平行”和“垂直”等表示要素间的关系性的用语、“矩形”等表示要素的形状的用语、以及数值范围不是仅表示严格的含义，而是指也包括实质上等同的范围、例如也包括百分之几左右的误差。
另外，在本发明的部件配置中，“部件配置于基板”包括部件配置于基板的主面上、以及部件配置于基板内。“部件配置于基板的主面上”除了包括部件与基板的主面接触地配置以外，还包括部件不与主面接触地配置于该主面侧(例如，部件层叠在与主面接触地配置的其它部件上)。另外，“部件配置于基板的主面上”也可以包括部件配置于形成于主面的凹部。“部件配置于基板内”是指部件被封装于模块基板内，不包括部件的全部配置于基板的两主面之间但部件的一部分未被基板覆盖、以及部件的仅一部分配置于基板内。“部件配置于2个主面之间”除了包括部件与2个主面这双方接触地配置以外，还包括部件与2个主面中的仅一方接触地配置、以及部件与2个主面的任一者都不接触地配置。
(实施方式)
[1高频电路1和通信装置5的电路结构]
参照图1来说明本实施方式所涉及的高频电路1和通信装置5的电路结构。图1是本实施方式所涉及的高频电路1和通信装置5的电路结构图。
[1.1通信装置5的电路结构]
首先，说明通信装置5的电路结构。如图1所示，本实施方式所涉及的通信装置5具备高频电路1、天线2、RFIC(Radio Frequency Integrated Circuit：射频集成电路)3、以及BBIC(Baseband Integrated Circuit：基带集成电路)4。
高频电路1在天线2与RFIC 3之间传输高频信号。关于高频电路1的内部结构后述。
天线2与高频电路1的天线连接端子100连接，天线2对从高频电路1输出的高频信号进行发送，另外，从外部接收高频信号来输出到高频电路1。
RFIC 3是对高频信号进行处理的信号处理电路的一例。具体地说，RFIC 3对经由高频电路1的接收路径输入的高频接收信号通过下变频等进行信号处理，并将进行该信号处理后生成的接收信号输出到BBIC 4。另外，RFIC 3对从BBIC 4输入的发送信号通过上变频等进行信号处理，并将进行该信号处理后生成的高频发送信号输出到高频电路1的发送路径。另外，RFIC 3具有对高频电路1所具有的开关和放大器等进行控制的控制部。此外，RFIC 3的作为控制部的功能的一部分或者全部也可以安装于RFIC 3的外部，例如，也可以安装于BBIC 4或者高频电路1。
BBIC 4是使用与高频电路1所传输的高频信号相比频率低的中间频带来进行信号处理的基带信号处理电路。作为由BBIC 4进行处理的信号，例如使用用于显示图像的图像信号、和/或用于经由扬声器进行通话的声音信号。
此外，在本实施方式所涉及的通信装置5中，天线2和BBIC 4不是必需的结构要素。
[1.2高频电路1的电路结构]
接着，说明高频电路1的电路结构。如图1所示，高频电路1具备功率放大器(PA)11及12、低噪声放大器(LNA)21及22、匹配电路(MN)401、411～413、422、431～433、441～443、452及461～463、开关(SW)51～55、滤波器61～66、PA控制器(PAC)71、天线连接端子100、高频输入端子111及112、高频输出端子121及122、以及控制端子131。在下面，依次说明高频电路1的结构要素。
天线连接端子100在高频电路1的外部与天线2连接。
高频输入端子111及112分别是用于从高频电路1的外部接受高频发送信号的端子。在本实施方式中，高频输入端子111及112在高频电路1的外部与RFIC 3连接。
高频输出端子121及122分别是用于向高频电路1的外部提供高频接收信号的端子。在本实施方式中，高频输出端子121及122在高频电路1的外部与RFIC 3连接。
控制端子131是用于传输控制信号的端子。也就是说，控制端子131是用于从高频电路1的外部接受控制信号的端子、和/或用于向高频电路1的外部提供控制信号的端子。控制信号是指与高频电路1中包括的电子电路的控制有关的信号。具体地说，控制信号例如是用于控制功率放大器11及12、低噪声放大器21及22、以及开关51～55中的至少一个的数字信号。高频电路1能够从RFIC 3经由控制端子131来接受用于控制功率放大器11及12的数字信号。
功率放大器11连接于高频输入端子111与滤波器61及62之间，能够对频段A及B的发送信号进行放大。具体地说，功率放大器11的输入端与高频输入端子111连接。另一方面，功率放大器11的输出端经由匹配电路413、开关52以及匹配电路412来与滤波器61连接。并且，功率放大器11的输出端经由匹配电路413、开关52以及匹配电路422来与滤波器62连接。
功率放大器12连接于高频输入端子112与滤波器64及65之间，能够对频段C及D的发送信号进行放大。具体地说，功率放大器12的输入端与高频输入端子112连接。另一方面，功率放大器12的输出端经由匹配电路443、开关54以及匹配电路442来与滤波器64连接。并且，功率放大器12的输出端经由匹配电路443、开关54以及匹配电路452来与滤波器65连接。
功率放大器11及12是基于从电源供给的电力来获得与输入信号(发送信号)相比能量大的输出信号的电子部件。功率放大器11及12各自也可以包括放大晶体管，并且也可以包括电感器和/或电容器。功率放大器11及12的内部结构没有特别限定。例如，功率放大器11及12各自也可以是多级放大器，也可以是差动放大型的放大器或者多尔蒂放大器。
此外，功率放大器11也可以支持第一功率等级，该第一功率等级与第二功率等级相比容许高的最大输出功率。在该情况下，功率放大器11能够将发送信号放大到满足第一功率等级所容许的最大输出功率的功率。另外，功率放大器12也可以支持第二功率等级，该第二功率等级与第一功率等级相比容许低的最大输出功率。在该情况下，功率放大器12能够将发送信号放大到满足第二功率等级所容许的最大输出功率的功率。
功率等级是指通过最大输出功率等定义的终端的输出功率的分类，功率等级的值越小则表示支持越高的功率的输出。例如，在3GPP中，功率等级1的最大输出功率为31dBm，功率等级1.5的最大输出功率为29dBm，功率等级2的最大输出功率为26dBm，功率等级3的最大输出功率为23dBm。
终端的最大输出功率通过终端的天线端处的输出功率来定义。终端的最大输出功率的测定例如通过由3GPP等定义的方法来进行。例如，在图1中，通过测定天线2处的辐射功率来测定最大输出功率。此外，也能够取代辐射功率的测定，而是在天线2的附近设置端子，在该端子上连接测量器(例如频谱分析仪等)，由此测定天线2的输出功率。
此外，功率放大器所支持的功率等级能够通过功率放大器的最大输出功率来确定。例如，支持功率等级1的功率放大器的最大输出功率比31dBm大。一般地说，功率放大器的最大输出功率取决于构成功率放大器的半导体器件的尺寸和半导体材料。例如，最大输出功率越高，则半导体器件的尺寸越增大。因而，也有时能够通过比较由相同半导体材料构成的2个用于功率放大器的半导体器件的尺寸，来进行2个功率放大器所支持的功率等级的相对的比较。另外，例如，对于构成最大输出功率高的功率放大器的半导体器件，有时使用高功率用的特别的半导体材料(例如，氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)等)。因而，也有时能够通过比较2个半导体器件中使用的半导体材料，来进行2个功率放大器所支持的功率等级的相对的比较。
低噪声放大器21连接于滤波器62及63与高频输出端子121之间，能够对频段A及B的接收信号进行放大。具体地说，低噪声放大器21的输入端经由匹配电路433、开关53及52、以及匹配电路422来与滤波器62连接。并且，低噪声放大器21的输入端经由匹配电路433、开关53、以及匹配电路432来与滤波器63连接。另一方面，低噪声放大器21的输出端与高频输出端子121连接。
此外，在本实施方式中，滤波器62及63与相同的低噪声放大器21连接，但是不限定于此。例如，滤波器62及63也可以分别与不同的低噪声放大器连接。在该情况下，高频电路1也可以不具备开关53。
低噪声放大器22连接于滤波器65及66与高频输出端子122之间，能够对频段C及D的接收信号进行放大。具体地说，低噪声放大器22的输入端经由匹配电路463、开关55及54、以及匹配电路452来与滤波器65连接。并且，低噪声放大器22的输入端经由匹配电路463、开关55、以及匹配电路462来与滤波器66连接。另一方面，低噪声放大器22的输出端与高频输出端子122连接。
此外，低噪声放大器21及22是基于从电源供给的电力来获得与输入信号(接收信号)相比能量大的输出信号的电子部件。低噪声放大器21及22各自也可以包括放大晶体管，并且也可以包括电感器和/或电容器。低噪声放大器21及22的内部结构没有特别限定。
匹配电路401、411～413、422、431～433、441～443、452及461～463分别连接于2个电路元件之间，能够取得该2个电路元件之间的阻抗匹配。也就是说，匹配电路401、411～413、422、431～433、441～443、452及461～463各自是阻抗匹配电路。匹配电路401、411～413、422、431～433、441～443、452及461～463各自也可以包括电感器，并且也可以包括电容器。
开关51是第二开关的一例，连接于天线连接端子100与滤波器61～66之间。开关51具有端子511～517。端子511与天线连接端子100连接。端子512经由匹配电路411来与滤波器61连接。端子513与滤波器62连接。端子514经由匹配电路431来与滤波器63连接。端子515经由匹配电路441来与滤波器64连接。端子516与滤波器65连接。端子517经由匹配电路461来与滤波器66连接。
在该连接结构中，开关51例如能够基于来自RFIC 3的控制信号，来将端子511与端子512～517中的至少一个连接。也就是说，开关51能够对天线连接端子100与各个滤波器61～66的连接及非连接进行切换。开关51例如由多连接型的开关电路构成，也有时被称为天线开关。
开关52是第一开关的一例，连接于功率放大器11的输出端与滤波器61及62之间，且连接于低噪声放大器21的输入端与滤波器62之间。开关52具有端子521～524。端子521经由匹配电路412来与滤波器61连接。端子522经由匹配电路422来与滤波器62连接。端子523经由匹配电路413来与功率放大器11的输出端连接。端子524经由开关53及匹配电路433来与低噪声放大器21的输入端连接。
在该连接结构中，开关52例如能够基于来自RFIC 3的控制信号，来将端子523与端子521及522中的至少一个连接，并能够将端子522与端子523及524中的任一个连接。也就是说，开关52能够对功率放大器11与各个滤波器61及62的连接及非连接进行切换，并能够在滤波器62与功率放大器11的连接同滤波器62与低噪声放大器21的连接之间进行切换。开关52例如由多连接型的开关电路构成。
开关53是第三开关的一例，连接于低噪声放大器21的输入端与滤波器62及63之间。开关53具有端子531～533。端子531经由匹配电路433来与低噪声放大器21的输入端连接。端子532与开关52的端子524连接，并经由开关52及匹配电路422来与滤波器62连接。端子533经由匹配电路432来与滤波器63连接。
在该连接结构中，开关53例如能够基于来自RFIC 3的控制信号，来将端子531与端子532及533中的至少一方连接。也就是说，开关53能够对低噪声放大器21与各个滤波器62及63的连接及非连接进行切换。开关53例如由多连接型的开关电路构成。
开关54连接于功率放大器12的输出端与滤波器64及65之间，且连接于低噪声放大器22的输入端与滤波器65之间。开关54具有端子541～544。端子541经由匹配电路442来与滤波器64连接。端子542经由匹配电路452来与滤波器65连接。端子543经由匹配电路443来与功率放大器12的输出端连接。端子544经由开关55及匹配电路463来与低噪声放大器22的输入端连接。
在该连接结构中，开关54例如能够基于来自RFIC 3的控制信号，来将端子543与端子541及542中的至少一个连接，并能够将端子542与端子543及544中的任一个连接。也就是说，开关54能够对功率放大器12与各个滤波器64及65的连接及非连接进行切换，并能够在滤波器65与功率放大器12的连接同滤波器65与低噪声放大器22的连接之间进行切换。开关54例如由多连接型的开关电路构成。
开关55连接于低噪声放大器22的输入端与滤波器65及66之间。开关55具有端子551～553。端子551经由匹配电路463来与低噪声放大器22的输入端连接。端子552与开关54的端子544连接，并经由开关54及匹配电路452来与滤波器65连接。端子553经由匹配电路462来与滤波器66连接。
在该连接结构中，开关55例如能够基于来自RFIC 3的控制信号，来将端子551与端子552及553中的至少一方连接。也就是说，开关55能够对低噪声放大器22与各个滤波器65及66之间的连接及非连接进行切换。开关55例如由多连接型的开关电路构成。
滤波器61(A-Tx)是第一滤波器的一例，连接于功率放大器11与天线连接端子100之间。具体地说，滤波器61的一端经由匹配电路411、开关51以及匹配电路401来与天线连接端子100连接。另一方面，滤波器61的另一端经由匹配电路412、开关52以及匹配电路413来与功率放大器11的输出端连接。滤波器61具有包含频分双工(FDD：Frequency DivisionDuplex)用的频段A的上行链路工作频段(uplink operation band)的通带，能够使频段A的发送信号通过。
滤波器62(B-TRx)是第二滤波器的一例，连接于天线连接端子100与功率放大器11之间，并连接于天线连接端子100与低噪声放大器21之间。具体地说，滤波器62的一端经由开关51及匹配电路401来与天线连接端子100连接。另一方面，滤波器62的另一端经由匹配电路422、开关52以及匹配电路413来与功率放大器11的输出端连接，并经由匹配电路422、开关52及53、以及匹配电路433来与低噪声放大器21的输入端连接。滤波器62具有包含时分双工(TDD：Time Division Duplex)用的频段B的通带，能够使频段B的发送信号和接收信号通过。此外，可以是，频段B中的发送与频段A中的发送能够同时进行，也可以是，频段B中的发送与频段A中的发送无法同时进行。
滤波器63(A-Rx)是第三滤波器的一例，连接于低噪声放大器21与天线连接端子100之间。具体地说，滤波器63的一端经由匹配电路431、开关51以及匹配电路401来与天线连接端子100连接。另一方面，滤波器63的另一端经由匹配电路432、开关53以及匹配电路433来与低噪声放大器21的输入端连接。滤波器63具有包含FDD用的频段A的下行链路工作频段(downlink operation band)的通带，能够使频段A的接收信号通过。
滤波器64(C-Tx)连接于功率放大器12与天线连接端子100之间。具体地说，滤波器64的一端经由匹配电路441、开关51以及匹配电路401来与天线连接端子100连接。另一方面，滤波器64的另一端经由匹配电路442、开关54以及匹配电路443来与功率放大器12的输出端连接。滤波器64具有包含FDD用的频段C的上行链路工作频段的通带，能够使频段C的发送信号通过。
滤波器65(D-TRx)连接于天线连接端子100与功率放大器12之间，并连接于天线连接端子100与低噪声放大器22之间。具体地说，滤波器65的一端经由开关51及匹配电路401来与天线连接端子100连接。另一方面，滤波器65的另一端经由匹配电路452、开关54以及匹配电路443来与功率放大器12的输出端连接，并经由匹配电路452、开关54及55、以及匹配电路463来与低噪声放大器22的输入端连接。滤波器65具有包含TDD用的频段D的通带，能够使频段D的发送信号和接收信号通过。
滤波器66(C-Rx)连接于低噪声放大器22与天线连接端子100之间。具体地说，滤波器66的一端经由匹配电路461、开关51以及匹配电路401来与天线连接端子100连接。另一方面，滤波器66的另一端经由匹配电路462、开关55以及匹配电路463来与低噪声放大器22的输入端连接。滤波器66具有包含FDD用的频段C的下行链路工作频段的通带，能够使频段C的接收信号通过。
PA控制器71能够对功率放大器11及12进行控制。例如，PA控制器71从RFIC 3经由控制端子131接受数字控制信号，并向功率放大器11及12输出控制信号。
频段A～D是用于使用无线电接入技术(RAT：Radio Access Technology)来构建的通信系统的频段。频段A～D是由标准化组织等(例如3GPP(3rd Generation PartnershipProject：第三代合作伙伴计划)和IEEE(Institute of Electrical and ElectronicsEngineers：电气与电子工程师协会)等)预先定义的。作为通信系统的例子，能够列举出5GNR(5th Generation New Radio：5G新空口)系统、LTE(Long Term Evolution：长期演进)系统以及WLAN(Wireless Local Area Network：无线局域网)系统等。
频段A及B与频段C及D彼此既可以包含于不同的频段组，也可以包含于相同的频段组。在此，频段组是指包含多个频段的频率范围。作为频段组，例如能够使用超高频段组(3300MHz～5000MHz)、高频段组(2300MHz～2690MHz)、中频段组(1427MHz～2200MHz)、以及低频段组(698MHz～960MHz)等，但是不限定于这些。例如，作为频段组，也可以使用包含5千兆赫以上的非授权频段的频段组或者毫米波频带的频段组。
例如，也可以是，频段A及B包含于高频段组，频段C及D包含于中频段组。另外，例如，也可以是，频段A及B包含于中频段组或高频段组，频段C及D包含于低频段组。
此外，图1示出的高频电路1是例示，不限定于此。例如，高频电路1支持的频段不限定于频段A～D。例如，高频电路1也可以支持5个以上的频段。在该情况下，高频电路1也可以具备用于频段E、F、G……的滤波器。另外，例如，高频电路1也可以仅支持频段A及B，而不支持频段C及D。在该情况下，高频电路1也可以不具备功率放大器12、低噪声放大器22、匹配电路441～443、452及461～463、高频输入端子112、以及高频输出端子122。
此外，高频电路1也可以不具备匹配电路401、411～413、422、431～433、441～443、452及461～463中的几个匹配电路。另外，例如，高频电路1也可以与多个天线连接，也可以具备多个天线连接端子。另外，高频电路1也可以具备更多的高频输入端子。在该情况下，也可以在功率放大器与多个高频输入端子之间插入能够在功率放大器与多个高频输入端子的连接之间进行切换的开关。另外，高频电路1也可以具备更多的高频输出端子。在该情况下，也可以在低噪声放大器与多个高频输出端子之间插入能够在低噪声放大器与多个高频输出端子的连接之间进行切换的开关。
[2高频电路1的实施例]
作为上述实施方式所涉及的高频电路1的实施例，参照图2～图5来说明安装有高频电路1的高频模块1A。
[2.1高频模块1A的部件配置]
图2是本实施例所涉及的高频模块1A的主面91a的俯视图。图3是本实施例所涉及的高频模块1A的主面92a的俯视图，是从z轴正侧对模块基板92的主面92a侧进行透视而得到的图。图4是本实施例所涉及的高频模块1A的主面92b的俯视图，是从z轴正侧对模块基板92的主面92b侧进行透视而得到的图。图5是本实施例所涉及的高频模块1A的截面图。图5中的高频模块1A的截面是图2～图4的v-v线处的截面。
此外，在图2～图5中，关于将配置于模块基板91及92的多个电子部件分别连接的布线的图示，除了一部分图示以外，省略了图示。另外，在图2～图4中，省略了覆盖多个电子部件的树脂构件93～95、以及覆盖树脂构件93～95的表面的屏蔽电极层96的图示。
高频模块1A除了具备包括图1所示的多个电路元件的多个电子部件以外，还具备模块基板91及92、树脂构件93～95、屏蔽电极层96、多个外部连接端子150、以及多个基板间连接端子151。
模块基板91是第一模块基板的一例，具有彼此相向的主面91a及91b。主面91a及91b分别是第一主面和第二主面的一例。在模块基板91内形成有地电极图案911。地电极图案911与地端子连接，被设定为地电位。
模块基板92是第二模块基板的一例，具有彼此相向的主面92a及92b。主面92a及92b分别是第三主面和第四主面的一例。
在模块基板92内形成有地电极图案921、以及通路导体922及923。地电极图案921与地端子连接，被设定为地电位。
模块基板91及92被配置为：模块基板91的主面91b与模块基板92的主面92a面对。另外，模块基板91及92以在主面91b与92a之间分离能够配置电子部件的距离的方式配置。多个电子部件配置于2个模块基板91及92，具体地说，分开配置于主面91b与92a之间、主面91a上、以及主面92b上这3个分层。
此外，在图2～图5中，模块基板91及92在俯视时具有同一尺寸的矩形形状，但是也可以具有不同尺寸和/或不同形状。另外，模块基板91及92的形状不限定于矩形。
作为模块基板91及92，例如，能够使用具有多个电介质层的层叠构造的低温共烧陶瓷(LTCC：Low Temperature Co-fired Ceramics)基板或高温共烧陶瓷(HTCC：HighTemperature Co-fired Ceramics)基板、部件内置基板、具有重新布线层(RDL：Redistribution Layer)的基板、或者印刷电路板等，但是不限定于这些。
在主面91a上(上层)配置有匹配电路401、411～413、422、431～433、441～443、452及461～463、以及滤波器63及66。
匹配电路401、411～413、422、431～433、441～443、452及461～463各自由片式电感器构成。片式电感器是构成电感器的表面安装器件(SMD：Surface Mount Device)。片式电感器配置于主面91a上，而不配置于主面91b与92a之间、以及主面92b上。也就是说，片式电感器仅配置于3个分层中的上层。
此外，也可以是，各匹配电路不仅包括片式电感器，还包括片式电容器，片式电容器的配置没有特别限定。另外，匹配电路中的一些匹配电路也可以不是表面安装型的。例如，匹配电路中包括的电感器和/或电容器也可以形成于模块基板91和/或92内。
包括滤波器63的电子部件是第六电子部件的一例。包括滤波器63及66中的各个滤波器的电子部件例如也可以使用声表面波(SAW：Surface Acoustic Wave)滤波器、体声波(BAW：Bulk Acoustic Wave)滤波器、LC谐振滤波器、以及电介质滤波器中的任一种来构成，并且不限定于这些。
此外，在图5中，包括滤波器的电子部件的高度比片式电感器的高度低，但是不限定于此。例如，包括滤波器的电子部件也可以比片式电感器高或者与片式电感器的高度相同。在该情况下，也可以使包括滤波器的电子部件与屏蔽电极层96接触。由此，能够提高包括滤波器的电子部件的散热性，从而改善滤波器的温度特性。
树脂构件93覆盖主面91a以及主面91a上的电子部件。树脂构件93具有确保主面91a上的电子部件的机械强度和耐湿性等可靠性的功能。此外，树脂构件93也可以不包括在高频模块1A中。
在主面91b与92a之间(中层)配置有滤波器61、62、64及65、以及多个基板间连接端子151。在主面91b与92a之间注入有树脂构件94，来覆盖配置于主面91b与92a之间的电子部件。
包括滤波器61的电子部件是第二电子部件的一例，包括滤波器62的电子部件是第三电子部件的一例。包括滤波器61、62、64及65中的各个滤波器的电子部件例如也可以使用SAW滤波器、BAW滤波器、LC谐振滤波器、以及电介质滤波器中的任一种来构成，并且不限定于这些。
配置于主面91b与92a之间的、分别包括滤波器61、62、64及65的多个电子部件经由设置于与模块基板92面对的一侧的电极来与模块基板92的主面92a电连接。
多个基板间连接端子151将模块基板91与模块基板92连接。也就是说，多个基板间连接端子151将配置于模块基板91的电子部件与配置于模块基板92的电子部件电连接。作为基板间连接端子151，例如能够使用铜柱电极，但是形状和材质不限定于此。
树脂构件94覆盖主面91b及92a、以及主面91b与92a之间的电子部件。树脂构件94具有确保主面91b与92a之间的电子部件的机械强度和耐湿性等可靠性的功能。此外，树脂构件94也可以不包括在高频模块1A中。
在主面92b上(下层)配置有功率放大器11及12、集成电路20、50及70、以及多个外部连接端子150。
包括功率放大器11的电子部件是第四电子部件的一例。功率放大器11及12例如使用CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor：互补金属氧化物半导体)来构成，具体地说，也可以通过SOI(Silicon on Insulator：绝缘体上硅)工艺来制造。由此，能够廉价地制造功率放大器11及12。此外，功率放大器11及12也可以由砷化镓(GaAs)、硅锗(SiGe)以及氮化镓(GaN)中的至少一种构成。由此，能够实现高质量的功率放大器11及12。此外，功率放大器11及12的半导体材料不限定于上述的材料。
集成电路20是第五电子部件的一例，包括低噪声放大器21及22、以及开关53及55。
集成电路50是第七电子部件的一例，包括开关51。此外，开关51也可以包括在集成电路20或70中。
集成电路70是第一电子部件的一例，包括开关52及54、以及PA控制器71。PA控制器71能够接受数字控制信号，来控制功率放大器11及12。
集成电路70(第一电子部件)的至少一部分在俯视时与包括滤波器61的电子部件(第二电子部件)的至少一部分重叠。集成电路70经由模块基板92内的通路导体922来与包括滤波器61的电子部件连接。
并且，集成电路70(第一电子部件)的至少一部分在俯视时与包括滤波器62的电子部件(第三电子部件)的至少一部分重叠。集成电路70经由模块基板92内的通路导体923来与包括滤波器62的电子部件连接。
集成电路20、50及70各自例如使用CMOS来构成，具体地说，也可以通过SOI工艺来制造。另外，集成电路20、50及70各自也可以由GaAs、SiGe以及GaN中的至少一种构成。此外，集成电路20、50及70的半导体材料不限定于上述的材料。
配置于主面92b上的多个电子部件各自包括的电子电路集形成于与模块基板92面对的主面侧。因而，多个电子部件各自能够从与形成有电子电路集的主面相反的一侧来切削。
这样，在主面92b上配置有能够进行切削的功率放大器11及12、以及集成电路20、50及70，而不配置滤波器61～66、以及匹配电路(片式电感器)401、411～413、422、431～433、441～443、452及461～463。由此，高频模块1A的下表面能够进行切削，能够使树脂构件95和集成电路20、50及70的厚度减少。
多个外部连接端子150除了包括图1示出的天线连接端子100、高频输入端子111及112、高频输出端子121及122、以及控制端子131以外，还包括地端子。多个外部连接端子150分别与配置于高频模块1A的z轴负方向的主板1000上的输入输出端子和/或地端子等接合。作为多个外部连接端子150，例如能够使用铜柱电极，但是形状和材质不限定于此。
树脂构件95覆盖主面92b以及主面92b上的电子部件。树脂构件95具有确保主面92b上的电子部件的机械强度和耐湿性等可靠性的功能。此外，树脂构件95也可以不包括在高频模块1A中。
屏蔽电极层96例如是通过溅射法形成的金属薄膜，形成为覆盖树脂构件93的上表面、以及树脂构件93～95和模块基板91及92的侧面。屏蔽电极层96与地连接，来抑制外部噪声侵入到构成高频模块1A的电子部件。此外，屏蔽电极层96也可以不包括在高频模块1A中。
[2.2高频模块1A的效果]
如以上那样，本实施例所涉及的高频模块1A具备：模块基板91，其具有彼此相向的主面91a及91b；模块基板92，其具有彼此相向的主面92a及92b，主面92a与主面91b面对地配置；多个电子部件，上述多个电子部件配置于主面91b与92a之间、主面91a上以及主面92b上；多个外部连接端子150，上述多个外部连接端子150配置于主面92b上；以及多个基板间连接端子151，上述多个基板间连接端子151配置于主面91b与92a之间，将模块基板91与模块基板92连接，其中，多个电子部件包括：第一电子部件(集成电路70)，其包括开关52；第二电子部件，其包括经由开关52来与功率放大器11连接的滤波器61；以及第三电子部件，其包括经由开关52来与功率放大器11连接的滤波器62，第一电子部件、第二电子部件以及第三电子部件配置于模块基板91及92中的一者(在本实施例中为模块基板92)。
据此，多个电子部件配置于主面91b与92a之间(中层)、主面91a上(上层)以及主面92b上(下层)这3个分层，因此能够实现俯视时的高频模块1A的小面积化、也就是高频模块1A的小型化。另外，包括开关52的第一电子部件(集成电路70)同分别包括与开关52连接的滤波器61及62的第二电子部件及第三电子部件配置于同一个模块基板92。因而，不需要用于将开关52与滤波器61及62连接的基板间连接端子，从而能够削减所需的基板间连接端子151的数量。并且，能够缩短开关52与滤波器61及62之间的布线长度，从而能够降低布线损耗和布线偏差所导致的失配损耗，来改善高频模块1A的电气特性。
另外，例如，在本实施例所涉及的高频模块1A中，也可以是，第一电子部件(集成电路70)配置于主面92b上。
据此，即使包括开关52的集成电路70配置于高频模块1A的下层也能够容许下层的切削，因此能够实现高频模块1A的高度降低。
另外，例如，在本实施例所涉及的高频模块1A中，也可以是，第二电子部件和第三电子部件配置于主面92a上。
据此，分别包括滤波器61及62的2个电子部件配置于模块基板91与92之间，因此能够抑制外部噪声侵入到滤波器61及62。
另外，例如，在本实施例所涉及的高频模块1A中，也可以是，第一电子部件的至少一部分在俯视时与第二电子部件的至少一部分重叠。
据此，能够缩短第一电子部件与第二电子部件间的距离，从而能够有助于开关52与滤波器61之间的布线长度的缩短。
另外，例如，在本实施例所涉及的高频模块1A中，也可以是，第一电子部件经由模块基板92内形成的通路导体922来与第二电子部件连接。
据此，能够利用通路导体922来将在俯视时至少有一部分重叠的第一电子部件与第二电子部件之间连接，从而能够有助于开关52与滤波器61之间的布线长度的进一步缩短。
另外，例如，在本实施例所涉及的高频模块1A中，也可以是，第一电子部件的至少一部分在俯视时与第三电子部件的至少一部分重叠。
据此，能够缩短第一电子部件与第三电子部件间的距离，从而能够有助于开关52与滤波器62之间的布线长度的缩短。
另外，例如，在本实施例所涉及的高频模块1A中，也可以是，第一电子部件经由模块基板92内形成的通路导体923来与第三电子部件连接。
据此，能够利用通路导体923来将在俯视时至少有一部分重叠的第一电子部件与第三电子部件之间连接，从而能够有助于开关52与滤波器62之间的布线长度的进一步缩短。
另外，例如，在本实施例所涉及的高频模块1A中，也可以是，多个电子部件包括第四电子部件，该第四电子部件包括功率放大器11，第四电子部件与第一电子部件配置于同一个模块基板92。
据此，包括与开关52连接的功率放大器11的第四电子部件与包括开关52的第一电子部件(集成电路70)配置于同一个模块基板92。因而，不需要用于将开关52与功率放大器11连接的基板间连接端子，从而能够削减所需的基板间连接端子151的数量。并且，能够缩短开关52与功率放大器11之间的布线长度，从而能够降低布线损耗和布线偏差所导致的失配损耗，来改善高频模块1A的电气特性。
另外，例如，在本实施例所涉及的高频模块1A中，也可以是，第四电子部件配置于主面92b上。
据此，即使包括功率放大器11的第四电子部件配置于高频模块1A的下层也能够容许下层的切削，因此能够实现高频模块1A的高度降低。
另外，例如，在本实施例所涉及的高频模块1A中，也可以是，滤波器62经由开关52来与低噪声放大器21连接。
据此，能够将开关52不仅用于在功率放大器11与2个滤波器61及62的连接之间进行切换，还用于在TDD用的频段B的滤波器62与功率放大器11的连接同该滤波器62与低噪声放大器21的连接之间进行切换。
另外，例如，在本实施例所涉及的高频模块1A中，也可以是，低噪声放大器21经由开关53来与滤波器63连接，并且经由开关53及52来与滤波器62连接。
据此，能够将低噪声放大器21与滤波器62及63连接，从而能够在2个频段中共用低噪声放大器。因而，能够削减所需的低噪声放大器的数量，有助于高频模块1A的小型化。
另外，例如，在本实施例所涉及的高频模块1A中，也可以是，多个电子部件包括第五电子部件(集成电路20)，该第五电子部件包括开关53，第五电子部件与第一电子部件配置于同一个模块基板。
据此，包括与开关52连接的开关53的第五电子部件与包括开关52的第一电子部件(集成电路70)配置于同一个模块基板92。因而，不需要用于将开关52与开关53连接的基板间连接端子，从而能够削减所需的基板间连接端子151的数量。并且，能够缩短开关52与开关53之间的布线长度，从而能够降低布线损耗和布线偏差所导致的失配损耗，来改善高频模块1A的电气特性。
另外，例如，在本实施例所涉及的高频模块1A中，也可以是，第五电子部件(集成电路20)包括低噪声放大器21。
据此，开关53与低噪声放大器21包括在1个集成电路20中，因此能够削减部件个数，有助于高频模块1A的小型化。
另外，例如，在本实施例所涉及的高频模块1A中，也可以是，第五电子部件(集成电路20)配置于主面92b上。
据此，即使包括低噪声放大器21的集成电路20配置于高频模块1A的下层也能够容许下层的切削，因此能够实现高频模块1A的高度降低。
另外，例如，在本实施例所涉及的高频模块1A中，也可以是，多个电子部件包括第六电子部件，该第六电子部件包括滤波器63，第六电子部件配置于主面91a上。
据此，能够将包括滤波器63的第六电子部件配置于主面91a上，从而能够平衡良好地将多个电子部件配置于3个分层。
另外，例如，在本实施例所涉及的高频模块1A中，也可以是，多个电子部件包括第七电子部件(集成电路70)，该第七电子部件包括连接于滤波器61～63与天线连接端子100之间的开关51，第七电子部件配置于主面92b上。
据此，能够将开关51配置于作为地端子发挥功能的外部连接端子150的附近。因而，能够将由开关51产生的失真从附近的地端子放出到高频模块1A的外部，从而能够实现信号质量的提高。
另外，例如，在本实施例所涉及的高频模块1A中，滤波器61也可以具有包含FDD用的频段A的上行链路工作频段的通带，滤波器62也可以具有包含TDD用的频段B的通带，滤波器63也可以具有包含FDD用的频段A的下行链路工作频段的通带。
据此，能够通过高频模块1A来支持FDD用频段和TDD用频段这两方。
另外，例如，在本实施例所涉及的高频模块1A中，也可以是，第一电子部件(集成电路70)包括对功率放大器11进行控制的PA控制器71。
据此，开关52和PA控制器71包括在1个集成电路70中，因此能够削减部件个数，有助于高频模块1A的小型化。
另外，本实施例所涉及的通信装置5具备：RFIC 3，其对高频信号进行处理；以及高频模块1A，其在RFIC 3与天线2之间传输高频信号。
据此，能够通过通信装置5来实现上述高频模块1A的效果。
(变形例)
以上，基于实施方式及实施例来说明了本发明所涉及的高频模块和通信装置，但是本发明所涉及的高频模块和通信装置并不限定于上述实施方式及实施例。将上述实施例中的任意的结构要素进行组合来实现的其它实施例、对上述实施方式及上述实施例实施在不脱离本发明的主旨的范围内由本领域技术人员想到的各种变形来得到的变形例、内置有上述高频模块的各种设备也包括在本发明中。
例如，在上述实施方式所涉及的高频电路和通信装置的电路结构中，也可以在附图所公开的将各电路元件与信号路径连接的路径之间插入其它电路元件和布线等。例如，也可以在开关51与滤波器62之间、和/或、开关51与滤波器65之间插入匹配电路。
此外，在上述实施方式中，作为第一滤波器，使用了具有包含FDD用的频段A的上行链路工作频段的通带的滤波器61，但是第一滤波器不限定于此。例如，作为第一滤波器，也可以使用具有包含TDD用频段的通带的滤波器。
另外，在上述实施方式中，作为第二滤波器，使用了具有包含TDD用的频段B的通带的滤波器62，但是第二滤波器不限定于此。例如，作为第二滤波器，也可以使用具有包含FDD用频段的上行链路工作频段的通带的滤波器。
此外，上述实施例中的多个电子部件的配置是例示，不限定于上述实施例。例如，在上述实施例中，包括开关52的第一电子部件(集成电路70)、包括滤波器61的第二电子部件、以及包括滤波器62的第三电子部件也可以不配置于模块基板92，而是配置于模块基板91。
另外，在上述实施例中，第一电子部件与第二电子部件及第三电子部件配置于彼此相向的主面上，但是不限定于此。例如，第一电子部件与第二电子部件和/或第三电子部件也可以配置于相同模块基板的相同主面上。另外，第二电子部件和第三电子部件也可以配置于相同模块基板的彼此相向的主面上。
此外，在上述各实施例中，作为外部连接端子150，使用了铜柱电极，但是不限定于此。例如，作为外部连接端子150，也可以使用凸块电极。在该情况下，高频模块也可以不具备树脂构件95。
此外，在上述实施例中，开关51包括在集成电路50中，但是不限定于此。例如，开关51也可以包括在集成电路20中。据此，除了低噪声放大器21和开关53以外，开关51也包括在集成电路20中，因此能够削减部件个数，有助于高频模块1A的小型化。
产业上的可利用性
本发明作为配置于前端部的高频模块，能够广泛利用于便携式电话等通信设备。
附图标记说明
1：高频电路；1A：高频模块；2：天线；3：RFIC；4：BBIC；5：通信装置；11、12：功率放大器；20、50、70：集成电路；21、22：低噪声放大器；51、52、53、54、55：开关；61、62、63、64、65、66：滤波器；71：PA控制器；91、92：模块基板；91a、91b、92a、92b：主面；93、94、95：树脂构件；96：屏蔽电极层；100：天线连接端子；111、112：高频输入端子；121、122：高频输出端子；131：控制端子；150：外部连接端子；151：基板间连接端子；401、411、412、413、422、431、432、433、441、442、443、452、461、462、463：匹配电路；511、512、513、514、515、516、517、521、522、523、524、531、532、533、541、542、543、544、551、552、553：端子；911、921：地电极图案；922、923：通路导体；1000：主板。

Claims (20)

1.一种高频模块，具备：
第一模块基板，其具有彼此相向的第一主面和第二主面；
第二模块基板，其具有彼此相向的第三主面和第四主面，所述第三主面与所述第二主面面对地配置；
多个电子部件，所述多个电子部件配置于所述第二主面与所述第三主面之间、所述第一主面上以及所述第四主面上；
多个外部连接端子，所述多个外部连接端子配置于所述第四主面上；以及
多个基板间连接端子，所述多个基板间连接端子配置于所述第二主面与所述第三主面之间，将所述第一模块基板与所述第二模块基板连接，
其中，所述多个电子部件包括：
第一电子部件，其包括第一开关；
第二电子部件，其包括经由所述第一开关来与功率放大器连接的第一滤波器；以及
第三电子部件，其包括经由所述第一开关来与所述功率放大器连接的第二滤波器，
所述第一电子部件、所述第二电子部件以及所述第三电子部件配置于所述第一模块基板和所述第二模块基板中的一者。
2.根据权利要求1所述的高频模块，其中，
所述第一电子部件配置于所述第四主面上。
3.根据权利要求2所述的高频模块，其中，
所述第二电子部件和所述第三电子部件配置于所述第三主面上。
4.根据权利要求3所述的高频模块，其中，
所述第一电子部件的至少一部分在俯视时与所述第二电子部件的至少一部分重叠。
5.根据权利要求4所述的高频模块，其中，
所述第一电子部件经由所述第二模块基板内形成的通路导体来与所述第二电子部件连接。
6.根据权利要求3～5中的任一项所述的高频模块，其中，
所述第一电子部件的至少一部分在俯视时与所述第三电子部件的至少一部分重叠。
7.根据权利要求6所述的高频模块，其中，
所述第一电子部件经由所述第二模块基板内形成的通路导体来与所述第三电子部件连接。
8.根据权利要求1～7中的任一项所述的高频模块，其中，
所述多个电子部件包括第四电子部件，所述第四电子部件包括所述功率放大器，
所述第四电子部件与所述第一电子部件配置于同一个模块基板。
9.根据权利要求8所述的高频模块，其中，
所述第四电子部件配置于所述第四主面上。
10.根据权利要求1～9中的任一项所述的高频模块，其中，
所述第二滤波器经由所述第一开关来与低噪声放大器连接。
11.根据权利要求10所述的高频模块，其中，
所述低噪声放大器经由第三开关来与第三滤波器连接，并且经由所述第三开关及所述第一开关来与所述第二滤波器连接。
12.根据权利要求11所述的高频模块，其中，
所述多个电子部件包括第五电子部件，所述第五电子部件包括所述第三开关，
所述第五电子部件与所述第一电子部件配置于同一个模块基板。
13.根据权利要求12所述的高频模块，其中，
所述第五电子部件包括所述低噪声放大器。
14.根据权利要求13所述的高频模块，其中，
所述第五电子部件配置于所述第四主面上。
15.根据权利要求12～14中的任一项所述的高频模块，其中，
所述多个电子部件包括第六电子部件，所述第六电子部件包括所述第三滤波器，
所述第六电子部件配置于所述第一主面上。
16.根据权利要求15所述的高频模块，其中，
所述多个电子部件包括第七电子部件，所述第七电子部件包括连接于所述第一滤波器、所述第二滤波器及所述第三滤波器与天线连接端子之间的第二开关，
所述第七电子部件配置于所述第四主面上。
17.根据权利要求12～16中的任一项所述的高频模块，其中，
所述第五电子部件包括连接于所述第一滤波器、所述第二滤波器及所述第三滤波器与天线连接端子之间的第二开关。
18.根据权利要求11～17中的任一项所述的高频模块，其中，
所述第一滤波器具有包含频分双工用频段的上行链路工作频段的通带，
所述第二滤波器具有包含时分双工用频段的通带，
所述第三滤波器具有包含所述频分双工用频段的下行链路工作频段的通带。
19.根据权利要求1～18中的任一项所述的高频模块，其中，
所述第一电子部件包括对所述功率放大器进行控制的PA控制器即功率放大器控制器。
20.一种通信装置，具备：
信号处理电路，其对高频信号进行处理；以及
根据权利要求1～19中的任一项所述的高频模块，其在所述信号处理电路与天线之间传输所述高频信号。
CN202280024878.1A 2021-03-31 2022-03-11 高频模块和通信装置 Pending CN117083809A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021-060327 2021-03-31
JP2021060327 2021-03-31
PCT/JP2022/010824 WO2022209742A1 (ja) 2021-03-31 2022-03-11 高周波モジュール及び通信装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN117083809A true CN117083809A (zh) 2023-11-17

Family

ID=83456104

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202280024878.1A Pending CN117083809A (zh) 2021-03-31 2022-03-11 高频模块和通信装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20240030957A1 (zh)
CN (1) CN117083809A (zh)
WO (1) WO2022209742A1 (zh)

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111133683B (zh) * 2017-09-29 2022-04-12 株式会社村田制作所 半导体元件、高频电路以及通信装置
DE212019000227U1 (de) * 2018-03-23 2020-11-02 Murata Manufacturing Co., Ltd. Hochfrequenzmodul und Kommunikationsgerät
WO2020022180A1 (ja) * 2018-07-23 2020-01-30 株式会社村田製作所 高周波モジュール
JP2020027974A (ja) * 2018-08-09 2020-02-20 株式会社村田製作所 高周波モジュールおよび通信装置
WO2020071020A1 (ja) * 2018-10-05 2020-04-09 株式会社村田製作所 高周波モジュールおよび通信装置
JP2020126921A (ja) * 2019-02-04 2020-08-20 株式会社村田製作所 高周波モジュールおよび通信装置
US11121736B2 (en) * 2019-04-26 2021-09-14 Qorvo Us, Inc. Radio frequency circuit supporting carrier aggregation
CN114026790B (zh) * 2019-06-25 2023-02-24 株式会社村田制作所 高频模块以及通信装置
WO2021002159A1 (ja) * 2019-07-02 2021-01-07 株式会社村田製作所 高周波モジュール及び通信装置

Also Published As

Publication number Publication date
WO2022209742A1 (ja) 2022-10-06
US20240030957A1 (en) 2024-01-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11456761B2 (en) Radio-frequency module and communication device
US11431363B2 (en) Radio frequency module and communication device
US11729903B2 (en) Radio frequency module and communication device
CN117083809A (zh) 高频模块和通信装置
WO2022209736A1 (ja) 高周波モジュール及び通信装置
WO2022209740A1 (ja) 高周波モジュール
WO2022209734A1 (ja) 高周波モジュール及び通信装置
WO2022209751A1 (ja) 高周波モジュール及び通信装置
US20240023263A1 (en) High-frequency module
WO2022209754A1 (ja) 高周波モジュール
US20240014832A1 (en) High-frequency module
WO2022209728A1 (ja) 高周波モジュール及び通信装置
WO2023022047A1 (ja) 高周波モジュール
WO2022209738A1 (ja) 高周波モジュール及び通信装置
US20240014840A1 (en) Radio frequency module and communication device
WO2023021982A1 (ja) 高周波モジュール
WO2022209741A1 (ja) 高周波モジュール及び通信装置
US20240030956A1 (en) Radio-frequency module and communication device
US20240022276A1 (en) Radio-frequency module and communication device
WO2023021792A1 (ja) 高周波モジュール及び通信装置
WO2022209750A1 (ja) 高周波モジュール及び通信装置
WO2022209729A1 (ja) 高周波モジュール及び通信装置
WO2022209756A1 (ja) 高周波モジュール及び通信装置
WO2021205702A1 (ja) 高周波回路、高周波モジュール及び通信装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination