JP2020027974A - 高周波モジュールおよび通信装置 - Google Patents

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Katsuya Nakazawa
克也 中澤
孝紀 上嶋
Takanori Uejima
孝紀 上嶋
基嗣 津田
Mototsugu Tsuda
基嗣 津田
佑二 竹松
Yuji Takematsu
佑二 竹松
大 中川
Masaru Nakagawa
大 中川
原田　哲郎
Tetsuo Harada
哲郎 原田
正英 武部
Masahide Takebe
正英 武部
直也 松本
Naoya Matsumoto
直也 松本
義明 祐森
Yoshiaki Sukemori
義明 祐森
充則 佐俣
Mitsunori Samata
充則 佐俣
佐々木　豊
Yutaka Sasaki
豊 佐々木
裕基 福田
Yuki Fukuda
裕基 福田
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Abstract

【課題】放熱性が向上した高周波モジュールを提供する。【解決手段】高周波モジュール１は、送信電力増幅器１１と、送信電力増幅器１１の主面に接続され、当該主面を平面視した場合に長尺形状であるバンプ電極１３と、送信電力増幅器１１を実装する実装基板９０とを備え、実装基板９０は、上記平面視において長尺形状であるビア導体９１を有し、バンプ電極１３とビア導体９１とは、上記平面視において、長尺方向同士が揃っており、かつ、上記平面視において少なくとも当該長尺方向に長い、バンプ電極１３とビア導体９１との重複領域で接続されている。【選択図】図２Ｂ

Description

本発明は、高周波モジュールおよび通信装置に関する。
携帯電話などの移動体通信機器では、特に、マルチバンド化の進展に伴い、高周波フロントエンド回路を構成する回路素子が高密度に実装される必要がある。回路素子を高密度実装するにあたり、増幅回路、および、当該増幅回路から出力された高周波信号を通過させる受動素子の放熱対策が重要となる。
特許文献１には、電力増幅回路を含む半導体チップと、当該半導体チップが実装された配線基板とを有する電力増幅モジュールが開示されている。半導体チップのソースに接続されたバンプ電極は、複数の球状バンプが長尺状に繋げられた、いわゆる長尺形状となっている。この構成により、電力増幅モジュールは、電力増幅回路からの発熱を、ソース接続のバンプ電極から、配線基板に設けられた複数のソース用ビア（ＶＨ１Ｓ〜ＶＨ３Ｓ）を介して配線基板の裏面端子に放熱することが可能となる。
特開２０１０−２６７９４４号公報
特許文献１に記載された電力増幅モジュールのように、半導体チップの放熱性を上げるべく、半導体チップに接続されたバンプ電極を長尺形状とすることは有効である。
しかしながら、上記長尺形状のバンプ電極と接続される配線基板内のビアが、配線基板を平面視した場合に真円形状を有する通常ビア導体の場合、配線基板での放熱性は向上しない。従って、結果的に、半導体チップからの発熱を、配線基板を経由して効率的に放熱することはできない。
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、放熱性が向上した高周波モジュールおよび通信装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明の一態様に係る高周波モジュールは、高周波部品と、前記高周波部品に接続され、当該高周波部品を平面視した場合に長尺形状である第１バンプ電極と、前記高周波部品が実装された実装基板と、を備え、前記実装基板は、前記実装基板を平面視した場合に長尺形状であるビア導体を有し、前記第１バンプ電極と前記ビア導体とは、前記平面視において長尺方向同士が揃っており、かつ、前記平面視において少なくとも前記長尺方向に長い、前記第１バンプ電極と前記ビア導体との重複領域で接続されている。
本発明によれば、放熱性が向上した高周波モジュールおよび通信装置を提供することが可能となる。
実施の形態に係る高周波モジュールの回路構成の一例を示す図である。 実施の形態に係る高周波モジュールの回路配置を示す平面概略図である。 実施の形態に係る高周波モジュールの断面概略図および電力増幅器の第１の実装配置を示す平面概略図である。 実施の形態に係る電力増幅器の回路構成図である。 実施の形態の変形例１に係る高周波モジュールが有する電力増幅器の第２の実装配置を示す平面概略図である。 実施の形態の変形例２に係る高周波モジュールが有する電力増幅器の第３の実装配置を示す平面および断面概略図である。 実施の形態の変形例３に係る高周波モジュールが有する電力増幅器の回路構成図である。 実施の形態の変形例３に係る高周波モジュールが有する電力増幅器の第４の実装配置を示す平面概略図である。 実施の形態の変形例４に係る高周波モジュールが有する電力増幅器の第５の実装配置を示す平面概略図である。
以下、本発明の実施の形態およびその変形例について、図面を用いて詳細に説明する。なお、以下で説明する実施の形態およびその変形例は、いずれも包括的または具体的な例を示すものである。以下の実施の形態およびその変形例で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置および接続形態などは、一例であり、本発明を限定する主旨ではない。以下の実施の形態およびその変形例における構成要素のうち、独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。また、図面に示される構成要素の大きさまたは大きさの比は、必ずしも厳密ではない。
なお、以下の実施の形態およびその変形例において、「ＡとＢとが接続されている」とは、（１）ＡとＢとが直接、または、（２）導体膜を介して（ＡとＢとがそれぞれ導体膜の表面および裏面に）、接していることを指すものと定義される。また、「ＡとＢとが電気的に接続されている」とは、ＡとＢとが直接接していなくてもよく、導電配線を介してＡとＢとが間接的に接続されていることを含むものと定義される。
また、以下の実施の形態およびその変形例において、基板上に実装されたＡ、ＢおよびＣにおいて、「当該基板（または当該基板の主面）を平面視した場合に、ＡとＢとの間にＣが配置されている」とは、当該基板を平面視した場合に投影されるＡの領域内の任意の点と、当該基板を平面視した場合に投影されるＢの領域内の任意の点とを結ぶ線に、当該基板を平面視した場合に投影されるＣの領域の少なくとも一部が重複していることを指すものと定義される。
（実施の形態）
［１ 高周波モジュールおよび通信装置の回路構成］
図１は、実施の形態に係る高周波モジュール１の回路構成図である。同図に示すように、通信装置５は、高周波モジュール１と、アンテナ素子２と、ＲＦ信号処理回路（ＲＦＩＣ）３と、ベースバンド信号処理回路（ＢＢＩＣ）４と、を備える。
ＲＦＩＣ３は、アンテナ素子２で送受信される高周波信号を処理するＲＦ信号処理回路である。具体的には、ＲＦＩＣ３は、高周波モジュール１の受信信号経路を介して入力された高周波受信信号を、ダウンコンバートなどにより信号処理し、当該信号処理して生成された受信信号をＢＢＩＣ４へ出力する。また、ＲＦＩＣ３は、ＢＢＩＣ４から入力された送信信号をアップコンバートなどにより信号処理し、当該信号処理して生成された高周波送信信号を、高周波モジュール１の送信信号経路に出力する。
ＢＢＩＣ４は、高周波モジュール１を伝搬する高周波信号よりも低周波の中間周波数帯域を用いて信号処理する回路である。ＢＢＩＣ４で処理された信号は、例えば、画像表示のための画像信号として使用され、または、スピーカを介した通話のために音声信号として使用される。
また、ＲＦＩＣ３は、使用される通信バンド（周波数帯域）に基づいて、高周波モジュール１が有するスイッチ５１、５２、５３、５４、５５および５６の接続を制御する制御部としての機能も有する。具体的には、ＲＦＩＣ３は、制御信号（図示せず）によって、高周波モジュール１が有するスイッチ５１〜５６の接続を切り替える。なお、制御部は、ＲＦＩＣ３の外部に設けられていてもよく、例えば、高周波モジュール１またはＢＢＩＣ４に設けられていてもよい。
アンテナ素子２は、高周波モジュール１の共通端子１００に接続され高周波モジュール１から出力された高周波信号を放射し、また、外部からの高周波信号を受信して高周波モジュール１へ出力する。
なお、本実施の形態に係る通信装置５において、アンテナ素子２およびＢＢＩＣ４は、必須の構成要素ではない。
次に、高周波モジュール１の詳細な構成について説明する。
図１に示すように、高周波モジュール１は、共通端子１００と、送信電力増幅器１１および１２と、受信低雑音増幅器２１および２２と、送信フィルタ６１Ｔ、６２Ｔ、６３Ｔおよび６４Ｔと、受信フィルタ６１Ｒ、６２Ｒ、６３Ｒおよび６４Ｒと、送信出力整合回路３０と、受信入力整合回路４０と、整合回路７１、７２、７３および７４と、スイッチ５１、５２、５３、５４、５５および５６と、カプラ８０と、カプラ出力端子１８０と、を備える。
共通端子１００は、アンテナ素子２に接続される。
送信電力増幅器１１は、第１周波数帯域群に属する通信バンドＡおよび通信バンドＢの高周波信号を増幅する電力増幅器である。また、送信電力増幅器１２は、第１周波数帯域群よりも高周波側の第２周波数帯域群に属する通信バンドＣおよび通信バンドＤの高周波信号を増幅する電力増幅器である。
受信低雑音増幅器２１は、通信バンドＡおよび通信バンドＢの高周波信号を低雑音で増幅する低雑音増幅器である。また、受信低雑音増幅器２２は、通信バンドＣおよび通信バンドＤの高周波信号を低雑音で増幅する低雑音増幅器である。
送信電力増幅器１１および１２、ならびに、受信低雑音増幅器２１および２２は、例えば、ＣＭＯＳ（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、または、ＧａＡｓを材料とする電界効果型トランジスタ（ＦＥＴ）、ヘテロバイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）などで構成されている。
送信フィルタ６１Ｔは、送信出力整合回路３０およびスイッチ５１を介して送信電力増幅器１１の出力端に電気的に接続され、送信電力増幅器１１で増幅された高周波送信信号のうち、通信バンドＡの送信帯域の高周波送信信号を通過させる。また、送信フィルタ６２Ｔは、送信出力整合回路３０およびスイッチ５１を介して送信電力増幅器１１の出力端に電気的に接続され、送信電力増幅器１１で増幅された高周波送信信号のうち、通信バンドＢの送信帯域の高周波送信信号を通過させる。また、送信フィルタ６３Ｔは、送信出力整合回路３０およびスイッチ５２を介して送信電力増幅器１２の出力端に電気的に接続され、送信電力増幅器１２で増幅された高周波送信信号のうち、通信バンドＣの送信帯域の高周波送信信号を通過させる。また、送信フィルタ６４Ｔは、送信出力整合回路３０およびスイッチ５２を介して送信電力増幅器１２の出力端に電気的に接続され、送信電力増幅器１２で増幅された高周波送信信号のうち、通信バンドＤの送信帯域の高周波送信信号を通過させる。
受信フィルタ６１Ｒは、受信入力整合回路４０およびスイッチ５３を介して受信低雑音増幅器２１の入力端に電気的に接続され、共通端子１００から入力された高周波受信信号のうち、通信バンドＡの受信帯域の高周波受信信号を通過させる。また、受信フィルタ６２Ｒは、受信入力整合回路４０およびスイッチ５３を介して受信低雑音増幅器２１の入力端に電気的に接続され、共通端子１００から入力された高周波受信信号のうち、通信バンドＢの受信帯域の高周波受信信号を通過させる。また、受信フィルタ６３Ｒは、受信入力整合回路４０およびスイッチ５４を介して受信低雑音増幅器２２の入力端に電気的に接続され、共通端子１００から入力された高周波受信信号のうち、通信バンドＣの受信帯域の高周波受信信号を通過させる。また、受信フィルタ６４Ｒは、受信入力整合回路４０およびスイッチ５４を介して受信低雑音増幅器２２の入力端に電気的に接続され、共通端子１００から入力された高周波受信信号のうち、通信バンドＤの受信帯域の高周波受信信号を通過させる。
なお、上記の送信フィルタ６１Ｔ〜６４Ｔおよび受信フィルタ６１Ｒ〜６４Ｒは、例えば、弾性表面波フィルタ、ＢＡＷ（Ｂｕｌｋ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｗａｖｅ）を用いた弾性波フィルタ、ＬＣ共振フィルタ、および誘電体フィルタのいずれであってもよく、さらには、これらには限定されない。
送信フィルタ６１Ｔおよび受信フィルタ６１Ｒは、通信バンドＡを通過帯域とするデュプレクサ６１を構成している。また、送信フィルタ６２Ｔおよび受信フィルタ６２Ｒは、通信バンドＢを通過帯域とするデュプレクサ６２を構成している。また、送信フィルタ６３Ｔおよび受信フィルタ６３Ｒは、通信バンドＣを通過帯域とするデュプレクサ６３を構成している。また、送信フィルタ６４Ｔおよび受信フィルタ６４Ｒは、通信バンドＤを通過帯域とするデュプレクサ６４を構成している。
送信出力整合回路３０は、整合回路３１および３２を有する。整合回路３１は、送信電力増幅器１１と送信フィルタ６１Ｔおよび６２Ｔとを結ぶ送信経路に配置され、送信電力増幅器１１と送信フィルタ６１Ｔおよび６２Ｔとのインピーダンス整合をとる。整合回路３２は、送信電力増幅器１２と送信フィルタ６３Ｔおよび６４Ｔとを結ぶ送信経路に配置され、送信電力増幅器１２と送信フィルタ６３Ｔおよび６４Ｔとのインピーダンス整合をとる。
受信入力整合回路４０は、整合回路４１および４２を有する。整合回路４１は、受信低雑音増幅器２１と受信フィルタ６１Ｒおよび６２Ｒとを結ぶ受信経路に配置され、受信低雑音増幅器２１と受信フィルタ６１Ｒおよび６２Ｒとのインピーダンス整合をとる。整合回路４２は、受信低雑音増幅器２２と受信フィルタ６３Ｒおよび６４Ｒとを結ぶ受信経路に配置され、受信低雑音増幅器２２と受信フィルタ６３Ｒおよび６４Ｒとのインピーダンス整合をとる。
スイッチ５１は、整合回路３１と送信フィルタ６１Ｔおよび６２Ｔとを結ぶ送信経路に配置され、送信電力増幅器１１と送信フィルタ６１Ｔとの電気的な接続、および、送信電力増幅器１１と送信フィルタ６２Ｔとの電気的な接続、を切り替える。スイッチ５２は、整合回路３２と送信フィルタ６３Ｔおよび６４Ｔとを結ぶ送信経路に配置され、送信電力増幅器１２と送信フィルタ６３Ｔとの電気的な接続、および、送信電力増幅器１２と送信フィルタ６４Ｔとの電気的な接続、を切り替える。スイッチ５３は、整合回路４１と受信フィルタ６１Ｒおよび６２Ｒとを結ぶ受信経路に配置され、受信低雑音増幅器２１と受信フィルタ６１Ｒとの電気的な接続、および、受信低雑音増幅器２１と受信フィルタ６２Ｒとの電気的な接続、を切り替える。スイッチ５４は、整合回路４２と受信フィルタ６３Ｒおよび６４Ｒとを結ぶ受信経路に配置され、受信低雑音増幅器２２と受信フィルタ６３Ｒとの電気的な接続、および、受信低雑音増幅器２２と受信フィルタ６４Ｒとの電気的な接続、を切り替える。
スイッチ５５は、共通端子１００と送信フィルタ６１Ｔ〜６４Ｔおよび受信フィルタ６１Ｒ〜６４Ｒとを結ぶ信号経路に配置され、（１）共通端子１００と送信フィルタ６１Ｔおよび受信フィルタ６１Ｒとの電気的な接続、（２）共通端子１００と送信フィルタ６２Ｔおよび受信フィルタ６２Ｒとの電気的な接続、（３）共通端子１００と送信フィルタ６３Ｔおよび受信フィルタ６３Ｒとの電気的な接続、ならびに、（４）共通端子１００と送信フィルタ６４Ｔおよび受信フィルタ６４Ｒとの電気的な接続、を切り替える。なお、スイッチ５５は、上記（１）〜（４）のうちの２以上の接続を同時に行うことが可能なマルチ接続型のスイッチ回路で構成される。
整合回路７１は、スイッチ５５と送信フィルタ６１Ｔおよび受信フィルタ６１Ｒとを結ぶ経路に配置されている。整合回路７２は、スイッチ５５と送信フィルタ６２Ｔおよび受信フィルタ６２Ｒとを結ぶ経路に配置されている。整合回路７３は、スイッチ５５と送信フィルタ６３Ｔおよび受信フィルタ６３Ｒとを結ぶ経路に配置されている。整合回路７４は、スイッチ５５と送信フィルタ６４Ｔおよび受信フィルタ６４Ｒとを結ぶ経路に配置されている。
カプラ８０およびスイッチ５６は、共通端子１００とスイッチ５５との間を伝送する高周波信号の電力強度をモニタする回路であり、モニタした電力強度を、カプラ出力端子１８０を介してＲＦＩＣ３などに出力する。
上記回路構成によれば、高周波モジュール１は、通信バンドＡおよび通信バンドＢのいずれかの通信バンドの高周波信号と、通信バンドＣおよび通信バンドＤのいずれかの通信バンドの高周波信号とを、同時送信、同時受信、および同時送受信の少なくともいずれかを実行することが可能である。
なお、送信フィルタ６１Ｔ〜６４Ｔ、受信フィルタ６１Ｒ〜６４Ｒ、送信電力増幅器１２、受信低雑音増幅器２１および２２、整合回路３１、３２、４１、４２、７１〜７４、カプラ８０、スイッチ５１〜５６、ならびにカプラ出力端子１８０は、本発明に係る高周波モジュールに必須の構成要素ではない。つまり、本実施の形態に係る高周波モジュール１は、通信バンドＡの高周波信号を送信する回路であればよく、送信電力増幅器１１と、送信電力増幅器１１を実装する実装基板（図２Ａおよび図２Ｂにて図示）との接続構造に特徴を有している。
［２ 高周波モジュール１の回路素子配置構成］
図２Ａは、実施の形態に係る高周波モジュール１の回路配置を示す平面構成概略図である。また、図２Ｂは、実施の形態に係る高周波モジュール１の断面概略図および送信電力増幅器１１の第１の実装配置を示す平面概略図である。より具体的には、図２Ｂの（ａ）は、図２ＡのＩＩＢ−ＩＩＢ線における断面図であり、図２Ｂの（ｂ）は、送信電力増幅器１１が実装された領域Ａｐの主面９０ａにおける平面図である。
図２Ａおよび図２Ｂに示すように、本実施の形態に係る高周波モジュール１は、図１に示された回路構成に加えて、さらに、実装基板９０と、樹脂部材７０と、を有している。
実装基板９０は、互いに背向する主面９０ａおよび主面９０ｂを有し、図１に示された回路素子を実装する基板である。実装基板９０としては、例えば、樹脂からなる多層基板、または、複数の誘電体層のからなる低温同時焼成セラミックス（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏ−ｆｉｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃｓ：ＬＴＣＣ）多層基板等が用いられる。
樹脂部材７０は、実装基板９０の主面９０ａに配置され、主面９０ａに実装された回路素子および実装基板９０の主面９０ａを覆っており、上記回路素子の機械強度および耐湿性などの信頼性を確保する機能を有している。なお、樹脂部材７０は、本発明に係る高周波モジュールに必須の構成要素ではない。
図２Ａおよび２Ｂに示すように、本実施の形態に係る高周波モジュール１では、送信電力増幅器１１および１２、受信低雑音増幅器２１および２２、デュプレクサ６１〜６４、整合回路３１、３２、４１および４２、ならびに、スイッチ５１、５２および５５は、実装基板９０の主面９０ａに表面実装されている。なお、送信電力増幅器１２、受信低雑音増幅器２１および２２、デュプレクサ６１〜６４、整合回路３１、３２、４１および４２、ならびに、スイッチ５１、５２および５５は、実装基板９０の主面９０ｂに実装されていてもよい。また、スイッチ５３、５４および５６、整合回路７１〜７４、ならびに、カプラ８０は、図２Ａおよび図２Ｂには図示されていないが、実装基板９０の主面９０ａおよび９０ｂのいずれに表面実装されていてもよいし、また実装基板９０に内蔵されていてもよい。
整合回路３１は、インダクタ３１Ｌおよびキャパシタ３１Ｃを含む。整合回路３２は、インダクタ３２Ｌおよびキャパシタ３２Ｃを含む。整合回路４１は、インダクタ４１Ｌおよびキャパシタ４１Ｃを含む。整合回路４２は、インダクタ４２Ｌおよびキャパシタ４２Ｃを含む。
図２Ａに示すように、実装基板９０を平面視した場合、送信電力増幅器１１および１２、整合回路３１および３２、ならびに、スイッチ５１および５２の送信回路素子は、実装基板９０の左側領域に配置されている。一方、受信低雑音増幅器２１および２２、ならびに、整合回路４１および４２の受信回路素子は、実装基板９０の右側領域に配置されている。そして、デュプレクサ６１〜６４が、実装基板９０の主面９０ａを平面視した場合、送信回路素子と受信回路素子との間（の中央領域）に配置されている。これにより、高周波モジュール１の送信系回路と受信系回路とが、デュプレクサを挟んで離間配置されるので、送信系回路と受信系回路とのアイソレーションを向上させることが可能となる。
高周波モジュール１は、さらに、図２Ｂに示すように、送信電力増幅器１１の主面に接続され、当該主面を平面視した場合に長尺形状であるバンプ電極１３（第１バンプ電極）を備える。
また、実装基板９０は、実装基板９０を平面視した場合に長尺形状であるビア導体９１を有している。ビア導体９１は、実装基板９０を貫通し、主面９０ａから主面９０ｂに到る導体である。
ここで、バンプ電極１３とビア導体９１とは、図２Ｂの（ｂ）に示すように、上記平面視において長尺方向同士が揃っており、かつ、上記平面視において少なくとも上記長尺方向に長い、バンプ電極１３とビア導体９１との重複領域で接続されている。ここで、上記長尺方向に長い重複領域とは、上記平面視におけるバンプ電極１３の領域のうち上記長尺方向に長い一部領域と、上記平面視におけるビア導体９１の領域のうち上記長尺方向に長い一部領域とが重複している領域である。
つまり、本実施の形態に係る高周波モジュール１は、送信電力増幅器１１と、上記平面視において長尺形状であるバンプ電極１３と、実装基板９０と、を備え、実装基板９０は、上記平面視において長尺形状であるビア導体９１を有し、バンプ電極１３とビア導体９１とは、上記平面視において長尺方向同士が揃っており、かつ、上記平面視において少なくとも上記長尺方向に長い、バンプ電極１３とビア導体９１との重複領域で接続されている。
なお、長尺形状とは、一方向に長い形状であり、長尺方向とは、当該一方向を指す。
これによれば、長尺形状のバンプ電極１３と長尺形状のビア導体９１とが、上記平面視において長尺方向にわたって重複するように接続されるので、従来に比べて、バンプ電極１３とビア導体９１との接触面積が大きくなる。よって、高周波モジュール１の放熱性を高めることが可能となる。
なお、バンプ電極１３は、例えば、銅（Ｃｕ）を主成分とする柱状電極である。これによれば、バンプ電極１３を、電解または無電解メッキ法などにより容易に上記長尺形状に形成でき、また、他の金属材料と比較して熱抵抗を低くすることができる。よって、製造工程の簡素化およびさらなる放熱性の向上を達成できる。
また、本実施の形態に係る高周波モジュール１において、実装基板９０には、実装基板９０の内層に形成されたグランド電極９３ｇ〜９６ｇ、および、実装基板の主面９０ｂに形成された裏面グランド電極９３が形成されている。グランド電極９３ｇは、実装基板９０の主面９０ａから第１層目に形成された内層グランドパターンである。グランド電極９４ｇは、実装基板９０の主面９０ａから第２層目に形成された内層グランドパターンである。グランド電極９５ｇは、実装基板９０の主面９０ａから第３層目に形成された内層グランドパターンである。グランド電極９６ｇは、実装基板９０の主面９０ａから第４層目に形成された内層グランドパターンである。裏面グランド電極９３は、実装基板９０の主面９０ｂに形成された導体パターンであり、ビア導体９１と接続されている。
ここで、グランド電極９４ｇ〜９６ｇは、ビア導体９１と接続されており、その他の回路素子とも適宜接続（図示せず）されている。一方、グランド電極９３ｇは、デュプレクサ６１および受信低雑音増幅器２１などの他の回路素子と接続されているが、ビア導体９１とは接続されていない。つまり、送信電力増幅器１１を放熱させるためのビア導体９１は、実装基板９０の第１層目に形成されたグランド電極９３ｇとは接続されておらず、実装基板９０の第２層目以降に形成されたグランド電極９４ｇ〜９６ｇと接続されている。これにより、送信電力増幅器１１での発熱を、送信電力増幅器１１に近いグランド電極９３ｇを経由して放熱させることが抑制される。よって、高周波モジュール１を構成する送信電力増幅器１１以外の回路素子が、送信電力増幅器１１からの発熱を受けることを抑制できるので、高精度な高周波モジュール１の回路動作を確保できる。
図３は、実施の形態に係る送信電力増幅器１１の回路構成図である。同図に示すように、送信電力増幅器１１は、増幅トランジスタ１１０と、キャパシタ１１５および１１６と、バイアス回路１１７と、コレクタ端子１１３と、エミッタ端子１１２と、入力端子１１４と、出力端子１１１と、を備える。
増幅トランジスタ１１０は、例えば、コレクタ、エミッタおよびベースを有し、エミッタ接地型のバイポーラトランジスタであり、ベースに入力された高周波電流を増幅してコレクタから出力する増幅素子である。なお、増幅トランジスタ１１０は、ドレイン（コレクタに対応）、ソース（エミッタに対応）およびゲート（ベースに対応）を有する電界効果型のトランジスタであってもよい。
キャパシタ１１５は、ＤＣカット用の容量素子であり、バイアス回路１１７からベースに印加される直流バイアス電圧により、入力端子１１４に直流電流が漏洩するのを防止する機能を有する。
キャパシタ１１６は、ＤＣカット用の容量素子であり、直流バイアス電圧が重畳された高周波増幅信号の直流成分を除去する機能を有し、当該直流成分が除去された高周波増幅信号が出力端子１１１から出力される。
バイアス回路１１７は、増幅トランジスタ１１０のベースに接続され、当該ベースにバイアス電圧を印加することで、増幅トランジスタ１１０の動作点を最適化する機能を有する。
エミッタ端子１１２は、バンプ電極１３（第１バンプ電極）に接続され、バンプ電極１３およびビア導体９１を介してグランドと接続されている。
送信電力増幅器１１の上記回路構成によれば、入力端子１１４から入力された高周波信号ＲＦｉｎは、増幅トランジスタ１１０のベースからエミッタに流れるベース電流Ｉｂとなる。増幅トランジスタ１１０によりベース電流Ｉｂが増幅されてコレクタ電流Ｉｃｃとなり、当該コレクタ電流Ｉｃｃに対応した高周波信号ＲＦｏｕｔが出力端子１１１から出力される。このとき、エミッタ端子１１２からグランドには、ベース電流Ｉｂおよびコレクタ電流Ｉｃｃが合算された大電流が流れる。よって、送信電力増幅器１１の放熱性を向上させるには、増幅トランジスタ１１０の放熱部として機能する必要があるエミッタ端子１１２からの放熱性を向上させる必要がある。
これに対して、大電流が流れるエミッタ端子１１２がバンプ電極１３（第１バンプ電極）およびビア導体９１を介してグランドと接続されているので、送信電力増幅器１１の放熱性を効果的に高めることが可能となる。
また、本実施の形態に係る高周波モジュール１は、さらに、図２Ｂに示すように、送信電力増幅器１１の主面に接続されたバンプ電極１４（第２バンプ電極）を備える。バンプ電極１４は、送信電力増幅器１１の出力端子１１１またはコレクタ端子１１３の少なくとも１つと接続されている。また、バンプ電極１４は、実装基板９０に設けられた略円形状のビア導体９２と接続されている。ここで、上記平面視において、バンプ電極１３（第１バンプ電極）の面積は、バンプ電極１４（第２バンプ電極）の面積よりも大きい。
これによれば、大電流が流れるバンプ電極１３の上記平面視における面積が、高周波信号または電源電圧Ｖｃｃが印加されるバンプ電極１４の上記平面視における面積よりも大きいので、送信電力増幅器１１の放熱性を最適化できる。
図４は、実施の形態の変形例１に係る高周波モジュール１Ａが有する送信電力増幅器１１の第２の実装配置を示す平面概略図である。同図は、送信電力増幅器１１が実装された領域Ａｐの主面９０ａにおける電極接続構成の第１変形例である。図４に示された送信電力増幅器１１の第２の実装配置は、図２Ｂの（ｂ）に示された送信電力増幅器１１の第１の実装配置と比較して、バンプ電極１３とビア導体９１との配置関係が異なる。
実装基板９０は、上述したビア導体９１および９２のほか、実装基板９０の本体であり、ビア導体９１の外周と接する非導体部を有している。実装基板９０の非導体部とは、例えば、実装基板９０が樹脂からなる多層基板の場合、当該多層基板の本体を構成する樹脂部材のことである。また、実装基板９０がＬＴＣＣ基板の場合、非導体部とは、当該ＬＴＣＣ基板の本体を構成するセラミック部材のことである。
本変形例に係る送信電力増幅器１１の第２の実装配置では、バンプ電極１３は、上記平面視において、ビア導体９１と重複せず非導体部と重複する領域を含む。つまり、図４に示すように、バンプ電極１３とビア導体９１とは、それぞれの長尺方向は揃っているが、完全に重複していない。
長尺形状のビア導体９１は、まず、実装基板９０にレーザなどで穴開けした後、銀（Ａｇ）または銅（Ｃｕ）などの導体部材（例えば導電性ペースト）を充填するなどして形成される。長尺形状のビア導体９１は、上記平面視において真円形状ではないため、ビア導体９１の形成にあたり導体部材を充填する場合、ビア外周領域に比べてビア内周領域の導体充填量が少なくなることがある。このため、ビア外周領域に比べてビア内周領域のほうが実装基板９０の主面９０ａにおいて凹部が発生し易いことが想定され、実装基板９０の主面９０ａにおいてビア導体９１の平坦性を確保することが困難となる。一方、上記平面視においてビア導体９１を囲む非導体部は、実装基板９０の主面９０ａにおいて平坦性が確保されている。
上記第２の実装配置によれば、バンプ電極１３は、上記平面視において一部領域がビア導体９１と重複し、かつ、その他の領域が非導体部と重複する。これにより、バンプ電極１３とビア導体９１との接続により高周波モジュール１Ａの放熱性を向上させつつ、バンプ電極１３と非導体部との接続により実装基板９０上における送信電力増幅器１１の平坦性を確保することが可能となる。
さらに、バンプ電極１３とビア導体９１とを完全に重ねる必要がないので、実装基板９０におけるビア導体９１の配置位置を、ある程度自由に選択することができ、実装基板９０内での放熱領域を変えることができる。特に、ビア導体９１を、熱による特性変化の大きい部品などから離して配置することも可能となり、高周波モジュール１Ａの電気特性を安定化させることができる。
なお、主面９０ａにおけるビア導体９１の面積を、バンプ電極１３の面積よりも小さくしてもよい。これにより、ビア導体９１を小型化できるため、実装基板９０内部の配線設計の自由度を向上できる。
図５は、実施の形態の変形例２に係る高周波モジュール１Ｂが有する送信電力増幅器１１の第３の実装配置を示す平面および断面概略図である。同図は、送信電力増幅器１１が実装された領域Ａｐの主面９０ａにおける電極接続構成の第２変形例である。図５に示された送信電力増幅器１１の第３の実装配置は、図４に示された送信電力増幅器１１の第２の実装配置と比較して、バンプ電極１３とビア導体９１との間に接続電極９７が配置されている点が異なる。
接続電極９７は、実装基板９０の主面９０ａに配置された導体電極であり、図５の（ａ）に示すように、断面視において、バンプ電極１３とビア導体９１との間に介在し、バンプ電極１３とビア導体９１とを接続する平面導体層である。また、接続電極９７は、図５の（ｂ）に示すように、上記平面視において、バンプ電極１３を包含し、かつ、ビア導体９１を包含している。
なお、第３の実装配置においても、第２の実装配置と同様に、バンプ電極１３は、上記平面視において、ビア導体９１と重複せず非導体部と重複する領域を含む。つまり、図５に示すように、バンプ電極１３とビア導体９１とは、それぞれの長尺方向は揃っているが、完全に重複していない。
上記第３の実装配置によれば、バンプ電極１３は、上記平面視において一部領域がビア導体９１と重複し、かつ、その他の領域が非導体部と重複し、かつ、接続電極９７は、上記平面視においてバンプ電極１３およびビア導体９１を包含する。つまり、接続電極９７を経由したバンプ電極１３とビア導体９１との接続により、バンプ電極１３とビア導体９１との接続信頼性を向上でき、高周波モジュール１Ｂの放熱性をさらに向上させることができる。また、実装基板９０におけるビア導体９１の配置位置の自由度を確保できる。加えて、バンプ電極１３と非導体部との接続により実装基板９０上における送信電力増幅器１１の平坦性を確保することが可能となる。
［３ 複数段の電力増幅器の回路構成および電極配置構成］
図６は、実施の形態の変形例３に係る高周波モジュール１Ｃが有する送信電力増幅器１１Ａの回路構成図である。本変形例に係る送信電力増幅器１１Ａは、互いに縦続接続された２段の増幅トランジスタを含む構成となっている。図６に示すように、送信電力増幅器１１Ａは、第１電力増幅器１１Ｐと、第２電力増幅器１１Ｄと、を有している。
第１電力増幅器１１Ｐは、増幅トランジスタ１１０Ｐと、キャパシタ１１５Ｐおよび１１６Ｐと、バイアス回路１１７Ｐと、コレクタ端子１１３Ｐと、エミッタ端子１１２Ｐと、入力端子１１４Ｐと、出力端子１１１と、を備える。
増幅トランジスタ１１０Ｐは、複数の増幅トランジスタの最後段（パワー段）に配置された第１増幅素子であり、例えば、コレクタ、エミッタおよびベースを有し、エミッタ接地型のバイポーラトランジスタであり、ベースに入力された高周波電流を増幅してコレクタから出力する。なお、増幅トランジスタ１１０Ｐは、ドレイン（コレクタに対応）、ソース（エミッタに対応）およびゲート（ベースに対応）を有する電界効果型のトランジスタであってもよい。
第２電力増幅器１１Ｄは、増幅トランジスタ１１０Ｄと、キャパシタ１１５Ｄおよび１１６Ｄと、バイアス回路１１７Ｄと、コレクタ端子１１３Ｄと、エミッタ端子１１２Ｄと、入力端子１１４と、出力端子１１１Ｄと、を備える。
増幅トランジスタ１１０Ｄは、最後段に配置された増幅トランジスタ１１０Ｐよりも前段（ドライブ段）に配置された第２増幅素子であり、例えば、コレクタ、エミッタおよびベースを有し、エミッタ接地型のバイポーラトランジスタであり、ベースに入力された高周波電流を増幅してコレクタから出力する。なお、増幅トランジスタ１１０Ｄは、ドレイン（コレクタに対応）、ソース（エミッタに対応）およびゲート（ベースに対応）を有する電界効果型のトランジスタであってもよい。
キャパシタ１１５Ｐおよび１１５Ｄは、ＤＣカット用の容量素子であり、キャパシタ１１５と同様の機能を有する。キャパシタ１１６Ｐおよび１１６Ｄは、ＤＣカット用の容量素子であり、キャパシタ１１６と同様の機能を有する。バイアス回路１１７Ｐおよび１１７Ｄは、それぞれ、増幅トランジスタ１１０Ｐおよび１１０Ｄのベースに接続され、バイアス回路１１７と同様の機能を有する。
ここで、エミッタ端子１１２Ｐは、バンプ電極１３に接続され、バンプ電極１３およびビア導体９１を介してグランドと接続されている。
本変形例に係る送信電力増幅器１１Ａの上記回路構成によれば、入力端子１１４から入力された高周波信号ＲＦｉｎは、増幅トランジスタ１１０Ｄのベースからエミッタに流れるベース電流Ｉｂ１となる。増幅トランジスタ１１０Ｄによりベース電流Ｉｂ１が増幅されてコレクタ電流Ｉｃｃ１となり、当該コレクタ電流Ｉｃｃ１に対応した高周波信号が出力端子１１１Ｄ（入力端子１１４Ｐ）から出力される。さらに、増幅トランジスタ１１０Ｄで増幅された高周波信号は、入力端子１１４Ｐを経由して増幅トランジスタ１１０Ｐのベースからエミッタに流れるベース電流Ｉｂ２となる。増幅トランジスタ１１０Ｐによりベース電流Ｉｂ２が増幅されてコレクタ電流Ｉｃｃ２となり、当該コレクタ電流Ｉｃｃ２に対応した高周波信号が出力端子１１１から出力される。このとき、エミッタ端子１１２Ｐからグランドには、ベース電流Ｉｂ２およびコレクタ電流Ｉｃｃ２が合算された大電流が流れる。
図７Ａは、実施の形態の変形例３に係る高周波モジュール１Ｃが有する送信電力増幅器１１Ａの第４の実装配置を示す平面概略図である。同図は、本変形例に係る送信電力増幅器１１Ａが実装された領域Ａｐの主面９０ａにおける第４の実装配置を示す平面図である。本変形例に係る高周波モジュール１Ｃは、送信電力増幅器１１Ａの主面に接続され当該主面を平面視した場合に、長尺形状であるバンプ電極１３Ｐ、長尺形状であるバンプ電極１３Ｄ、円形状であるバンプ電極１４Ｐ、および、円形状であるバンプ電極１４Ｄを備える。
また、実装基板９０は、実装基板９０を平面視した場合に長尺形状であるビア導体９１Ａ、円形状であるビア導体９２Ｐおよび９２Ｄを有している。
ここで、エミッタ端子１１２Ｐは、バンプ電極１３Ｐに接続され、バンプ電極１３Ｐおよびビア導体９１Ａを介してグランドと接続されている。また、エミッタ端子１１２Ｄは、バンプ電極１３Ｄに接続され、バンプ電極１３Ｄおよびビア導体９１Ａを介してグランドと接続されている。
図７Ａに示すように、バンプ電極１３Ｐとビア導体９１Ａとは、上記平面視において長尺方向同士が揃っており、かつ、上記平面視において少なくとも上記長尺方向に長い、バンプ電極１３Ｐとビア導体９１Ａとの重複領域で接続されている。ここで、上記長尺方向に長い重複領域とは、上記平面視におけるバンプ電極１３Ｐの領域のうち上記長尺方向に長い領域と、上記平面視におけるビア導体９１Ａの領域のうち上記長尺方向に長い領域とが重複している領域である。また、バンプ電極１３Ｄとビア導体９１Ａとは、上記平面視において長尺方向同士が揃っており、かつ、上記平面視において少なくとも上記長尺方向に長い、バンプ電極１３Ｄとビア導体９１Ａとの重複領域で接続されている。ここで、上記長尺方向に長い重複領域とは、上記平面視におけるバンプ電極１３Ｄの領域のうち上記長尺方向に長い領域と、上記平面視におけるビア導体９１Ａの領域のうち上記長尺方向に長い領域とが重複している領域である。
また、バンプ電極１４Ｐは、円形状のビア導体９２Ｐと、上記平面視において重複した状態で接続され、バンプ電極１４Ｄは、円形状のビア導体９２Ｄと、上記平面視において重複した状態で接続されている。
つまり、本変形例に係る第４の実装配置において、高周波モジュール１Ｃは、送信電力増幅器１１Ａと、上記平面視において長尺形状であるバンプ電極１３Ｐおよび長尺形状であるバンプ電極１３Ｄと、実装基板９０と、を備え、実装基板９０は、上記平面視において長尺形状であるビア導体９１Ａを有し、バンプ電極１３Ｐとビア導体９１Ａとは、上記平面視において長尺方向同士が揃っており、かつ、上記平面視において少なくとも上記長尺方向に長い、バンプ電極１３Ｐとビア導体９１Ａとの重複領域により接続されている。
これによれば、複数の増幅トランジスタ１１０Ｄおよび１１０Ｐのうちで最も高出力の増幅トランジスタ１１０Ｐが、長尺形状のバンプ電極１３Ｐおよびビア導体９１Ａに接続されている。また、長尺形状のバンプ電極１３Ｐと長尺形状のビア導体９１Ａとが、上記平面視において長尺方向にわたって重複するように接続されるので、従来に比べて、バンプ電極１３Ｐとビア導体９１Ａとの接触面積が大きくなる。よって、送信電力増幅器１１Ａを効果的に放熱できる。なお、本変形例に係る第４の実装配置では、パワー段の増幅トランジスタ１１０Ｐが、長尺形状のバンプ電極１３Ｐおよびビア導体９１Ａを介してグランドに接続されていることに加え、ドライブ段の増幅トランジスタ１１０Ｄが、長尺形状のバンプ電極１３Ｄおよびビア導体９１Ａを介してグランドに接続されているので、高周波モジュール１Ｃの放熱性を最大化することが可能となる。
また、本変形例の第４の実装配置によれば、バンプ電極１３Ｐおよびバンプ電極１３Ｄは、それぞれ、上記平面視において、一部領域がビア導体９１Ａと重複し、かつ、その他の領域が実装基板９０の非導体部と重複する。つまり、バンプ電極１３Ｐとビア導体９１Ａとの接続により高周波モジュール１Ｃの放熱性を向上させつつ、バンプ電極１３Ｐおよびバンプ電極１３Ｄと非導体部との接続により実装基板９０上における送信電力増幅器１１Ａの平坦性を確保することが可能となる。
また、実装基板９０における放熱位置を１つのビア導体９１Ａに集中させることができるので、高周波モジュール１Ｃの放熱範囲を縮小できる。
図７Ｂは、実施の形態の変形例４に係る高周波モジュール１Ｄが有する送信電力増幅器１１Ａの第５の実装配置を示す平面概略図である。同図は、本変形例に係る送信電力増幅器１１Ａが実装された領域Ａｐの主面９０ａにおける第５の実装配置を示す平面図である。本変形例に係る高周波モジュール１Ｄは、送信電力増幅器１１Ａの主面に接続され、当該主面を平面視した場合に、長尺形状であるバンプ電極１３Ｐ、円形状であるバンプ電極１３ｄ１、１３ｄ２および１３ｄ３、円形状であるバンプ電極１４Ｐ、および、円形状であるバンプ電極１４Ｄを備える。
また、実装基板９０は、実装基板９０を平面視した場合に長尺形状であるビア導体９１Ａ、円形状であるビア導体９２Ｐおよび９２Ｄを有している。
本変形例に係る第５の実装配置は、変形例３に係る第４の実装配置と比較して、ドライブ段の増幅トランジスタ１１０Ｄのエミッタ端子１１２Ｄに接続されたバンプ電極の構成のみが異なる。以下、本変形例に係る第５の実装配置について、変形例３に係る第４の実装配置と異なる点を中心に説明する。
バンプ電極１３ｄ１、１３ｄ２および１３ｄ３は、ビア導体９１Ａの長尺方向に沿って、所定の間隔をあけて離散的に配置されている。
ここで、エミッタ端子１１２Ｐは、バンプ電極１３Ｐに接続され、バンプ電極１３Ｐおよびビア導体９１Ａを介してグランドと接続されている。また、エミッタ端子１１２Ｄは、バンプ電極１３ｄ１、１３ｄ２および１３ｄ３に接続され、バンプ電極１３ｄ１〜１３ｄ３およびビア導体９１Ａを介してグランドと接続されている。
図７Ｂに示すように、バンプ電極１３Ｐとビア導体９１Ａとは、上記平面視において長尺方向同士が揃っており、かつ、上記平面視において少なくとも上記長尺方向に長い、バンプ電極１３Ｐとビア導体９１Ａとの重複領域で接続されている。また、バンプ電極１３ｄ１とビア導体９１Ａとは、上記平面視において、少なくとも一部領域が重複することにより接続されている。バンプ電極１３ｄ２とビア導体９１Ａとは、上記平面視において、少なくとも一部領域が重複することにより接続されている。バンプ電極１３ｄ３とビア導体９１Ａとは、上記平面視において、少なくとも一部領域が重複することにより接続されている。
つまり、本変形例に係る第５の実装配置において、高周波モジュール１Ｄは、送信電力増幅器１１Ａと、上記平面視において長尺形状であるバンプ電極１３Ｐおよび長尺形状であるバンプ電極１３ｄ１〜１３ｄ３と、実装基板９０とを備え、実装基板９０は、上記平面視において長尺形状であるビア導体９１Ａを有し、バンプ電極１３Ｐとビア導体９１Ａとは、上記平面視において長尺方向同士が揃っており、かつ、上記平面視において少なくとも前記長尺方向に長い、バンプ電極１３Ｐとビア導体９１Ａとの重複領域により接続されている。
これによれば、複数の増幅トランジスタ１１０Ｄおよび１１０Ｐのうちで最も高出力の増幅トランジスタ１１０Ｐが、長尺形状のバンプ電極１３Ｐおよびビア導体９１Ａに接続されている。また、長尺形状のバンプ電極１３Ｐと長尺形状のビア導体９１Ａとが、上記平面視において、長尺方向にわたって重複するように接続されるので、従来に比べて、バンプ電極１３Ｐとビア導体９１Ａとの接触面積が大きくなる。よって、高周波モジュール１Ｄを効果的に放熱できる。
また、上記第５の実装配置によれば、バンプ電極１３Ｐおよびバンプ電極１３ｄ１〜１３ｄ３は、上記平面視において、一部領域がビア導体９１Ａと重複し、かつ、その他の領域が実装基板９０の非導体部と重複する。つまり、バンプ電極１３Ｐとビア導体９１Ａとの接続により高周波モジュール１Ｄの放熱性を向上させつつ、バンプ電極１３Ｐおよびバンプ電極１３ｄ１〜１３ｄ３と非導体部との接続により実装基板９０上における送信電力増幅器１１Ａの平坦性を確保することが可能となる。
なお、変形例３および変形例４に係る送信電力増幅器１１Ａとして、２段の増幅トランジスタ１１０Ｐおよび１１０Ｄを有する構成を示したが、縦続接続される増幅トランジスタの数は２段でなくてもよく、３段以上であってもよい。この場合、パワー段の増幅トランジスタは、最後段の増幅トランジスタであり、ドライブ段の増幅トランジスタは、最後段よりも前段の増幅トランジスタのうちのいずれかである。
なお、上記実施の形態およびその変形例に係る高周波モジュールでは、長尺形状のバンプ電極１３（または１３Ｐ）は、送信電力増幅器１１（または１１Ａ）に接続されたバンプ電極であるとしたが、長尺形状のバンプ電極１３は、送信電力増幅器１２に接続されたバンプ電極であってもよく、また、受信低雑音増幅器２１または２２に接続されたバンプ電極であってもよい。さらには、バンプ電極１３は、送信電力増幅器および受信低雑音増幅器のような自ら発熱する能動素子に接続されていなくてもよく、送信フィルタ６１Ｔ〜６４Ｔのような増幅器の出力端に接続された受動素子に接続されていてもよい。
（その他の実施の形態など）
以上、本実施の形態に係る高周波モジュールおよび通信装置について、実施の形態およびその変形例を挙げて説明したが、本発明に係る高周波モジュールおよび通信装置は、上記実施の形態およびその変形例に限定されるものではない。上記実施の形態およびその変形例における任意の構成要素を組み合わせて実現される別の実施の形態や、上記実施の形態およびその変形例に対して本発明の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例や、上記高周波モジュールおよび通信装置を内蔵した各種機器も本発明に含まれる。
例えば、上記実施の形態およびその変形例に係る高周波モジュールおよび通信装置において、図面に開示された各回路素子および信号経路を接続する経路の間に、別の回路素子および配線などが挿入されていてもよい。
本発明は、マルチバンド対応のフロントエンド部に配置される高周波モジュールとして、携帯電話などの通信機器に広く利用できる。
１、１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄ 高周波モジュール
２ アンテナ素子
３ ＲＦ信号処理回路（ＲＦＩＣ）
４ ベースバンド信号処理回路（ＢＢＩＣ）
５ 通信装置
１１、１１Ａ、１２ 送信電力増幅器
１１Ｄ 第２電力増幅器
１１Ｐ 第１電力増幅器
１３、１３ｄ１、１３ｄ２、１３ｄ３、１３Ｄ、１３Ｐ、１４、１４Ｄ、１４Ｐ バンプ電極
２１、２２ 受信低雑音増幅器
３０ 送信出力整合回路
３１、３２、４１、４２、７１、７２、７３、７４ 整合回路
３１Ｃ、３２Ｃ、４１Ｃ、４２Ｃ キャパシタ
３１Ｌ、３２Ｌ、４１Ｌ、４２Ｌ インダクタ
４０ 受信入力整合回路
５１、５２、５３、５４、５５、５６ スイッチ
６１、６２、６３、６４ デュプレクサ
６１Ｒ、６２Ｒ、６３Ｒ、６４Ｒ 受信フィルタ
６１Ｔ、６２Ｔ、６３Ｔ、６４Ｔ 送信フィルタ
７０ 樹脂部材
８０ カプラ
９０ 実装基板
９０ａ、９０ｂ 主面
９１、９１Ａ、９２、９２Ｄ、９２Ｐ ビア導体
９３ 裏面グランド電極
９３ｇ、９４ｇ、９５ｇ、９６ｇ グランド電極
９７ 接続電極
１００ 共通端子
１１０、１１０Ｄ、１１０Ｐ 増幅トランジスタ
１１１、１１１Ｄ 出力端子
１１２、１１２Ｄ、１１２Ｐ エミッタ端子
１１３、１１３Ｄ、１１３Ｐ コレクタ端子
１１４、１１４Ｐ 入力端子
１１５、１１５Ｄ、１１５Ｐ、１１６、１１６Ｄ、１１６Ｐ キャパシタ
１１７、１１７Ｄ、１１７Ｐ バイアス回路
１８０ カプラ出力端子

Claims (10)

  1. 高周波部品と、
    前記高周波部品に接続され、当該高周波部品を平面視した場合に長尺形状である第１バンプ電極と、
    前記高周波部品が実装された実装基板と、を備え、
    前記実装基板は、前記実装基板を平面視した場合に長尺形状であるビア導体を有し、
    前記第１バンプ電極と前記ビア導体とは、前記平面視において長尺方向同士が揃っており、かつ、前記平面視において少なくとも前記長尺方向に長い、前記第１バンプ電極と前記ビア導体との重複領域で接続されている、
    高周波モジュール。
  2. 前記高周波部品は、電力増幅器、低雑音増幅器、および電力増幅器の出力端に接続されたフィルタの少なくとも１つである、
    請求項１に記載の高周波モジュール。
  3. 前記高周波部品は、電力増幅器であり、
    ベース端子、コレクタ端子およびエミッタ端子を有し、前記コレクタ端子から前記エミッタ端子へ向けて駆動電流を流すバイポーラトランジスタを有し、
    前記エミッタ端子は、前記第１バンプ電極および前記ビア導体を介してグランドと接続されている、
    請求項１または２に記載の高周波モジュール。
  4. さらに、
    前記高周波部品の主面に接続された第２バンプ電極を備え、
    前記第２バンプ電極は、前記ベース端子および前記コレクタ端子の少なくとも１つと接続され、
    前記平面視において、前記第１バンプ電極の面積は、前記第２バンプ電極の面積よりも大きい、
    請求項３に記載の高周波モジュール。
  5. 前記高周波部品は、電力増幅器であり、
    ゲート端子、ドレイン端子およびソース端子を有し、前記ドレイン端子から前記ソース端子へ向けて駆動電流を流す電界効果型トランジスタを有し、
    前記ソース端子は、前記第１バンプ電極および前記ビア導体を介してグランドと接続されている、
    請求項１または２に記載の高周波モジュール。
  6. さらに、
    前記高周波部品の主面に接続された第２バンプ電極を備え、
    前記第２バンプ電極は、前記ゲート端子および前記ドレイン端子の少なくとも１つと接続され、
    前記平面視において、前記第１バンプ電極の面積は、前記第２バンプ電極の面積よりも大きい、
    請求項５に記載の高周波モジュール。
  7. 前記高周波部品は、互いに縦続接続された複数の増幅素子からなる電力増幅器であり、
    前記複数の増幅素子は、
    前記複数の増幅素子の最後段に配置された第１増幅素子と、
    前記第１増幅素子よりも前段に配置された第２増幅素子と、を有し、
    前記第１バンプ電極は、前記第１増幅素子の端子に接続されている、
    請求項１〜６のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
  8. 前記第１バンプ電極は、銅を主成分とする柱状電極である、
    請求項１〜７のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
  9. 前記実装基板は、さらに、前記実装基板の本体であり、前記ビア導体の外周と接する非導体部を有し、
    前記第１バンプ電極は、前記平面視において、前記ビア導体と重複せず前記非導体部と重複する領域を含む、
    請求項１〜８のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
  10. アンテナ素子で送受信される高周波信号を処理するＲＦ信号処理回路と、
    前記アンテナ素子と前記ＲＦ信号処理回路との間で前記高周波信号を伝達する請求項１〜９のいずれか１項に記載の高周波モジュールと、を備える、
    通信装置。
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