JP6119845B2 - 高周波部品およびこれを備える高周波モジュール - Google Patents

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Description

本発明は、フィルタ回路部品を備える高周波部品およびこれを備える高周波モジュールに関する。
従来、セラミック多層基板５０１に、スイッチＩＣ５０２と、弾性表面波（ＳＡＷ）フィルタやＳＡＷフィルタにより形成されるデュプレクサなどのフィルタ回路部品５０３とが搭載された図５に示す高周波部品５００が提供されている。また、多層基板５０１には、チップキャパシタやチップインダクタなどの整合用の実装部品５０４が必要に応じて実装されている。また、接地用電極を含む複数の面内電極５０５と、各面内電極５０５を層間接続する複数のビア導体５０６とを含む配線電極が多層基板５０１に設けられており、多層基板５０１に搭載された各部品５０２〜５０４と外部接続用の実装用電極５０７とが配線電極を介して電気的に接続されている。
ところで、フィルタ回路部品５０３が多層基板５０１に搭載されたときに、フィルタ回路部品５０３に接続される多層基板５０１の配線電極の寄生インダクタンスや寄生容量により、フィルタ回路基板５０３の周波数特性が設計時の所望の特性から変動するおそれがある。したがって、図５に示す高周波部品５００に搭載されたフィルタ回路部品５０３は、その周波数特性が多層基板５０１に搭載されたときに変動することが予め想定されて設計されている。すなわち、フィルタ回路部品５０３は、多層基板５０１に搭載されたときに接続される配線電極の寄生インダクタンスや寄生容量によりその周波数特性が所望の特性に変動するように、単体での周波数特性を所望の特性からずらした状態で設計されている。
特開２００７−１２９４５９号公報（段落００１２〜００２２、図１、要約書など）
ところで、上記した高周波部品５００では、フィルタ回路部品５０３が多層基板５０１に搭載されたときに所望の周波数特性が得られるように、多層基板５０１の配線電極も所望の寄生インダクタンスや寄生容量を有するように形成される必要がある。したがって、高周波部品５００の設計に制限が生じるので、高周波部品５００の部品集積度の向上を図るのが難しいという問題があった。
この発明は、上記した課題に鑑みてなされたものであり、寄生インダクタンスや寄生容量による影響が無い状態で所望の周波数特性が得られるようにフィルタ回路部品を搭載することができると共に、部品集積度の向上を図ることができる技術を提供することを目的とする。
上記目的を達成するため、本発明の高周波部品は、枠形状を有する支持枠体と、前記支持枠体の外形形状とほぼ同一の形状を有し、前記支持枠体の一方面に積層された基板と、
前記支持枠体の他方面に形成された接地用電極と、前記接地用電極と平面視で少なくともその一部が重なるように前記基板の一方主面に形成された実装用電極と、前記接地用電極および前記実装用電極が重なる位置に前記支持枠体および前記基板を積層方向に貫通して設けられ、前記接地用電極と前記実装用電極とを接続する層間接続導体と、前記基板の一方主面に実装されたフィルタ回路部品とを備え、前記実装用電極に前記フィルタ回路部品の接地端子が接続されており、前記支持枠体の内周面に囲まれる空間に部品およびシールド部材が配置されており、前記部品はフリップチップ実装される発熱部品であり、
前記部品が前記シールド部材の一方面に接触配置され、前記シールド部材は当該シールド部材の他方面が前記基板の他方主面に接触するように配置されていることを特徴としている。
このように構成された発明では、枠形状を有する支持枠体の一方面に基板が積層されており、支持枠体の他方面に接地用電極が形成され、接地用電極と平面視で少なくともその一部が重なるように基板の一方主面に実装用電極が形成され、接地用電極および実装用電極が重なる位置に支持枠体および基板を積層方向に貫通して層間接続導体が設けられている。また、接地用電極に層間接続導体により最短距離で接続されている実装用電極に、その接地端子が接続された状態でフィルタ回路部品が基板の一方主面に実装されている。そのため、フィルタ回路部品の直下に接地用電極が配置され、実装用電極に接続されたフィルタ回路部品の接地用端子が層間接続導体により最短距離で接地用電極に接続されている。
したがって、フィルタ回路部品の接地用端子に接続される実装用電極、層間接続導体および接地用電極に不要な寄生インダクタンスや寄生容量が生じるのを抑制することができるので、寄生インダクタンスや寄生容量による影響が無い状態で所望の周波数特性が得られるようにフィルタ回路部品を高周波部品に搭載することができる。また、支持枠体の内周面に囲まれる内側の空間に部品を配置することができるので、部品集積度の向上を図ることができる。また、支持枠体の内周面に囲まれる空間に部品が配置されているので、部品集積度の向上が図られた高周波部品を提供することができる。さらに、部品が基板にシールド部材を介して接触配置されているので、基板を介して部品の放熱性の向上を図ることができる。また、シールド部材により、支持枠体の内周面に囲まれる空間のシールド性を向上することができる。
また、前記部品は、パワーアンプ、ＲＦ−ＩＣ、スイッチＩＣのいずれかであるとよい。
このようにすれば、接地状態に影響を受け易いフィルタ回路部品は、良好に接地された状態で基板の一方主面に実装され、接地状態に影響を受けにくいパワーアンプやＲＦ−ＩＣ、スイッチＩＣ等の部品は、支持枠体の内周面に囲まれる空間に配置されることにより、接地状態に起因する高周波部品の特性劣化が抑制された状態で部品集積度を向上することができる。
また、前記支持枠体および前記基板が同一部材で形成されているとよい。
このようにすると、支持枠体および基板が同一部材で形成されているので、リフロー等の加熱サイクルにおいて、熱膨張係数の差に起因する応力等が支持枠体および基板の接続部分に生じるのを抑制することができる。したがって、支持枠体と基板との接続部分が熱応力等により分離するのが防止されるので、高周波部品内での接続信頼性の向上を図ることができる。また、支持枠体および基板を同一部材で一体形成することもできる。この場合には、支持枠体および基板が一体形成されることにより、高周波部品内での接続信頼性をさらに向上することができる。
また、本発明の高周波モジュールは、上記の高周波部品が実装されるモジュール基板を備えることを特徴としている。
このように構成された発明では、モジュール基板に実装された各種の部品を覆うように高周波部品を実装することにより、高周波部品を備える高周波モジュールの部品集積度を向上することができる。また、高周波部品が備える支持枠体と基板とで部品を覆うことにより当該部品から発生するノイズを抑制することができる。また、当該部品を高周波部品が備える支持枠体と基板とで覆うことにより外部から発生したノイズをシールドし、当該部品への影響を抑制することができる。
本発明によれば、フィルタ回路部品の直下に接地用電極が配置され、実装用電極に接続されたフィルタ回路部品の接地用端子が層間接続導体により最短距離で接地用電極に接続されているので、フィルタ回路部品の接地用端子に接続される実装用電極、層間接続導体および接地用電極に不要な寄生インダクタンスや寄生容量が生じるのを抑制することができる。したがって、寄生インダクタンスや寄生容量による影響が無い状態で所望の周波数特性が得られるようにフィルタ回路部品を高周波部品に搭載することができる。また、支持枠体の内周面に囲まれる内側の空間に部品を配置することができるので、部品集積度の向上を図ることができる。
本発明の第１実施形態にかかる高周波モジュールを示す断面図である。 高周波部品を示す図であって、（ａ）は平面図、（ｂ）は裏面図である。 本発明の第２実施形態にかかる高周波モジュールに搭載される高周波部品を示す図である。 本発明の第３実施形態にかかる高周波モジュールに搭載される高周波部品を示す図である。 従来の高周波部品を示す図である。
＜第１実施形態＞
本発明の第１実施形態について図１および図２を参照して説明する。図１は本発明の第１実施形態にかかる高周波モジュールを示す断面図、図２は高周波部品を示す図であって、（ａ）は平面図、（ｂ）は裏面図である。
図１に示すように、高周波モジュール１は、モジュール基板２と、モジュール基板２に実装されたパワーアンプやＲＦＩＣ，スイッチＩＣ等の部品３および高周波部品１００とを備え、携帯電話や携帯情報端末などの通信携帯端末が備える実装基板に搭載されて、フロントエンドモジュール、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）モジュールおよび無線ＬＡＮモジュールなどの各種の通信モジュール、アンテナスイッチモジュールなどとして形成される。
モジュール基板２は、面内電極および層間接続用のビア導体などを含む配線電極（図示省略）がその内部に設けられており、配線電極は、モジュール基板２の実装面２ａに形成された接地用ランド電極４および信号用ランド電極５に接続されている。また、モジュール基板２は、ガラスエポキシ樹脂や液晶ポリマー等の樹脂材料や、セラミック材料などの一般的な基板形成用の材料により形成される。また、配線電極は、ＡｇやＣｕ、Ａｕ等を含む導電材料により形成されており、配線電極により各種の電気回路がモジュール基板２内に形成されていてもよい。
部品３は、モジュール基板２の実装面２ａの所定位置に形成された各ランド電極４，５に、はんだや導電性接着剤等の接合材、超音波振動接合、表面活性化技術を用いた接合（以下「はんだ等」と称する）により実装されて、高周波部品１００の下方に設けられたキャビティＣ内に配置される。なお、この実施形態では、高周波モジュール１の使用目的に応じて、パワーアンプ、ＲＦ−ＩＣ、スイッチＩＣのいずれかが部品３として高周波部品１００のキャビティＣ内に配置されるが、適宜、その他の部品がキャビティＣ内に配置されてもよい。
高周波部品１００は、枠形状を有する支持枠体１０１と、支持枠体１０１の矩形の外形形状とほぼ同一の形状を有し、支持枠体１０１の一方主面１０１ａに形成された基板１０２とを備え、モジュール基板２の所定位置に形成された各ランド電極４，５にはんだ等により実装されている。支持枠体１０１は、エポキシ樹脂等の一般的な基板形成用の熱硬化樹脂により形成され、その枠形状の外周と基板１０２の外形とが揃えて配置されて、その一方主面１０１ａが基板１０２の他方主面１０２ｂに接合されている。
また、支持枠体１０１の他方主面１０１ｂには、接地用電極１０３および信号用電極１０４が形成されており、接地用電極１０３および信号用電極１０４それぞれが、モジュール基板２の実装面２ａの所定位置に形成された各ランド電極４，５にはんだ等により接続されている。また、支持枠体１０１内には、枠形状の周方向に沿って、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ等の棒状の金属部材から成る柱状のビア導体１０５ａ，１０５ｂが複数設けられている。また、各ビア導体１０５ａ，１０５ｂは、それぞれ、その一端が支持枠体１０１の一方主面１０１ａに露出し、その他端が支持枠体１０１の他方主面１０１ｂに形成された接地用電極１０３または信号用電極１０４に接続されている。
基板１０２は、この実施形態では、複数のセラミックグリーンシートが積層されて焼成されて成る多層セラミック基板により形成されている。セラミックグリーンシートは、アルミナおよびガラスなどの混合粉末が有機バインダおよび溶剤などと一緒に混合されたスラリーがシート化されたものであり、セラミックグリーンシートの所定位置に、レーザー加工などによりビアホールが形成され、形成されたビアホールにＡｇやＣｕなどを含む導体ペーストが充填されて層間接続用のビア導体１０６ａ，１０６ｂが形成され、導体ペーストによる印刷により種々の面内電極１０７が形成される。その後、各セラミックグリーンシートが積層、圧着されることによりセラミック積層体が形成されて、約１０００℃前後の低い温度で、所謂、低温焼成されることにより基板１０２が形成される。
また、基板１０２の一方主面１０２ａには、各種の部品を実装するための実装用電極１０８ａ，１０８ｂが形成されている。実装用電極１０８ａは、支持枠体１０１の他方主面１０１ｂに形成された接地用電極１０３と平面視で少なくともその一部が重なるように基板１０２の一方主面１０２ａに形成されている。また、接地用電極１０３および実装用電極１０８ａが重なる位置にビア導体１０５ａ，１０６ａが設けられており、実装用電極１０８ａにビア導体１０６ａの一端が接続され、ビア導体１０６ａの他端がビア導体１０５ａの一端に接続されることにより、接地用電極１０３と実装用電極１０８ａとが接続されている。このように、ビア導体１０５ａ，１０６ａにより、支持枠体１０１および基板１０２を積層方向に貫通する本発明の「層間接続導体」が構成されている。
また、支持枠体１０１に設けられたビア導体１０５ｂの一端が、基板１０２のビア導体１０６ｂの他端に接続され、ビア導体１０６ｂの一端が面内電極１０７に接続されることにより、支持枠体１０１の他方面１０１ｂの信号用電極１０４と、基板１０２の一方主面１０２ａの実装用電極１０８ｂとが面内電極１０７を介して接続されている。
また、接地用電極１０３に接続された実装用電極１０８ａにその接地端子１０９ａが接続された状態で、基板１０２の一方主面１０２ａの周縁部の実装用電極１０８ａ，１０８ｂにはんだ等によりフィルタ回路部品１０９が実装されている。なお、フィルタ回路部品１０９は、ＳＡＷフィルタや複数のＳＡＷフィルタが組み合わされて形成されるデュプレクサ、ＬＣフィルタを構成するセラミックデバイスなど、どのようなものであってもよい。また、基板１０２の一方主面１０２ａには、絶縁樹脂による樹脂封止がされていても良い。
また、その他の実装用電極１０８ａ，１０８ｂに、高周波モジュール１（高周波部品１００）の使用目的に応じて、その他のフィルタ回路部品や各種ＩＣを含む部品１１０、抵抗やインダクタ、キャパシタ等の各種のチップ部品１１１が実装されている。なお、基板１０２の中央寄りの領域には、接地状態によって発生する寄生インダクタンス、寄生容量などの寄生成分に影響されにくい部品１１０，１１１が実装されるとよい。そして、上記したように、モジュール基板２の実装面２ａに部品３が実装されて配置された後に高周波部品１００がモジュール基板２の実装面２ａに実装されることにより、支持枠体１０１の内周面に囲まれるキャビティＣ内の空間に、モジュール基板２の実装面２ａに実装された部品３が配置される。
なお、基板１０２は、樹脂やポリマー材料などを用いたプリント基板、アルミナ等のセラミック基板、ガラス基板、複合材料基板、単層基板、多層基板などで形成してもよく、高周波部品１００の使用目的に応じて、適宜最適な材質を選択して基板１０２を形成すればよい。
高周波部品１００の製造方法の一例について説明する。
まず、上記した構成を有する基板１０２が準備されて、基板１０２の他方主面１０２ｂに露出するビア導体１０６ａ，１０６ｂの他端面に、ビア導体１０５ａ，１０５ｂを形成するＣｕ等の棒状の金属導体の一端面がはんだ等により接続されて実装される。次に、基板１０２の他方主面１０２ｂの周縁部のみに樹脂が充填されるように型枠が基板１０２の他方主面１０２ｂに配置される。
続いて、棒状の金属導体が被覆されるようにエポキシ樹脂等の熱硬化性の樹脂が型枠内に充填される。そして、基板１０２の他方主面１０２ｂの周縁部に枠状に形成された樹脂の表面が研削等されることにより樹脂の表面に露出した棒状の金属導体の他端面に接地用電極１０３および信号用電極１０４が形成されて、枠形状を有する支持枠体１０１が基板１０２の他方主面１０２ｂに形成される。
次に、基板１０２の一方主面１０２ａの各実装用電極１０８ａ，１０８ｂに各部品１０９〜１１１が実装されて高周波部品１００が完成する。
なお、支持枠体１０１のビア導体１０５ａ，１０５ｂは、基板１０２の他方主面１０２ｂの周縁部に形成された枠形状を有する樹脂層に、各ビア導体１０６ａ，１０６ｂに接続されるように形成された貫通孔に導体ペーストが充填されることにより形成されてもよい。また、基板１０２の他方主面１０２ｂに露出するビア導体１０６ａ，１０６ｂの他端面に、めっき成長により棒状のビア導体１０５ａ，１０５ｂが形成された後に、基板１０２の他方主面１０２ｂの周縁部のみに樹脂が充填されるように型枠が基板１０２の他方主面１０２ｂに配置されて、棒状の金属導体が被覆されるようにエポキシ樹脂等の熱硬化性の樹脂が型枠内に充填されてもよい。また、基板１０２の一方主面１０２ａおよび各部品１０９〜１１１が被覆されるように樹脂層が設けられていてもよい。
以上のように、この実施形態では、枠形状を有する支持枠体１０１の一方主面１０１ａに基板１０２が積層されている。また、支持枠体１０１の他方主面１０１ｂに接地用電極１０３が形成されている。また、接地用電極１０３と平面視で少なくともその一部が重なるように基板１０２の一方主面１０２ａに実装用電極１０８ａが形成されている。また、接地用電極１０３および実装用電極１０８ａが重なる位置に支持枠体１０１および基板１０２を積層方向に貫通してビア導体１０５ａ，１０６ａから成る層間接続導体が設けられている。
また、接地用電極１０３にビア導体１０５ａ，１０６ａにより最短距離で接続されている実装用電極１０８ａに、その接地端子１０９ａが接続された状態でフィルタ回路部品１０９が基板１０２の一方主面１０２ａに実装されている。すなわち、フィルタ回路部品１０９の接地端子１０９ａと接地用電極１０３とを接続する経路が、不要な配線パターンを使用せずに形成されて、フィルタ回路部品１０９の接地端子１０９ａと接地用電極１０３とが、実装用電極１０８ａとビア導体１０５ａ、１０６ａとを介して直接接続される。そのため、フィルタ回路部品１０９の直下に接地用電極１０３が配置され、実装用電極１０８ａに接続されたフィルタ回路部品１０９の接地用端子１０９ａがビア導体１０５ａ，１０６ａにより最短距離で接地用電極１０３に接続されている。
したがって、フィルタ回路部品１０９の接地用端子１０９ａに接続される実装用電極１０８ａ、ビア導体１０５ａ，１０６ａおよび接地用電極１０３に不要な寄生インダクタンスや寄生容量が生じるのを最小限に抑えることができ、フィルタ回路部品１０９への影響を小さくできるので、寄生インダクタンスや寄生容量による影響が無い状態で所望の周波数特性が得られるようにフィルタ回路部品１０９を高周波部品１００に搭載することができる。その結果、フィルタ回路部品１０９に影響を与える寄生成分が抑制されるので、高周波モジュール１の特性を向上することができる。また、支持枠体１０１の内周面に囲まれるキャビティＣ内の空間に部品３を配置することができるので、高周波モジュール１の部品集積度の向上を図ることができる。すなわち、支持枠体１０１の内周面に囲まれるキャビティＣ内の空間に部品が配置されているので、部品集積度の向上が図られた高周波モジュール１を提供することができる。
また、接地状態により発生する寄生インダクタンスおよび寄生容量による寄生成分に影響を受け易いフィルタ回路部品１０９は、良好に接地された状態で基板１０２の一方主面１０２ａに実装され、接地状態により発生する寄生インダクタンスおよび寄生容量による寄生成分の影響を受けにくいパワーアンプやＲＦ−ＩＣ、スイッチＩＣ等の部品３は、支持枠体１０１の内周面に囲まれる空間に配置されることにより、接地状態に起因する高周波部品１００の特性劣化が抑制された状態で高周波モジュール１の部品集積度を向上することができる。
また、モジュール基板２に実装された部品３を覆うように高周波部品１００が実装されることにより、部品３から発生するノイズが高周波部品１００によりシールドされ、外部に漏れるノイズを抑制することができる。
また、図２（ｂ）に示すように、枠形状を有する支持枠体の他方面１０１ｂの全周に渡って接地用電極１０３および信号用電極１０４が形成されている。したがって、高周波部品１００は、平面視における周縁部分の全周に渡る位置においてモジュール基板２の接地用ランド４および信号用ランド５に接続されるので、高周波部品１００のモジュール基板２に対する実装強度の向上を図ることができる。
なお、支持枠体１０１は、セラミック基板や樹脂基板により基板１０２と別体で形成さてもよい。この場合、支持枠体１０１の一方面１０１ａに基板１０２の他方主面１０２ｂが接合されるように支持枠体１０１および基板１０２が積み重ねられていればよい。
また、支持枠体１０１および基板１０２が同一部材で形成されることにより次のような効果を奏することができる。すなわち、支持枠体１０１および基板１０２が同一部材で形成されているので、リフロー等の加熱サイクルにおいて、熱膨張係数の差に起因する応力等が支持枠体１０１および基板１０２の接続部分に生じるのを抑制することができる。したがって、支持枠体１０１と基板１０２との接続部分が熱応力等により分離するのが防止されるので、高周波部品１００内での接続信頼性の向上を図ることができる。
＜第２実施形態＞
本発明の第２実施形態について図３を参照して説明する。図３は本発明の第２実施形態にかかる高周波モジュールに搭載される高周波部品を示す図である。
この実施形態における高周波部品１００ａが上記した第１実施形態の高周波部品１００と異なるのは、図３に示すように、キャビティＣ内に部品３が配置されると共に、キャビティＣ内にエポキシ樹脂等の一般的なモールド用の樹脂１１２が充填されている点である。また、部品３は、はんだや導体ペースト等の導電性に優れた金属材料により形成されたシールド部材１１３を介して基板１０２に接触配置されている。その他の構成は上記した第１実施形態と同様であるため、同一符号を付すことによりその構成の説明は省略する。
図３に示すように、キャビティＣ内にシールド部材１１３を介して部品３が基板１０２に接触配置された後、部品３の接続端子３ａが樹脂１１２の表面に露出するように樹脂１１２がキャビティＣ内に充填されることにより、高周波部品１００ａが形成される。また、樹脂１１２の表面に露出する接続端子３ａは、接地用電極１０３および信号用電極１０４と共にモジュール基板２の実装面２ａの接地用ランド電極４および信号用ランド電極５にはんだ等により接続される。
この実施形態では、上記した実施形態と同様の効果を奏することができると共に、次のような効果を奏することができる。すなわち、キャビティＣ内に部品３が配置されることにより、部品集積度の向上が図られた高周波部品１００ａを提供することができる。また、部品３が基板１０２にシールド部材１１３を介して接触配置されているので、部品３が発熱部品である場合に、基板１０２を介して部品３の放熱性の向上を図ることができる。また、シールド部材１１３により、キャビティＣ内のシールド性を向上することができる。
なお、シールド部材１１３が、図示省略された放熱ビア等を介して接地されることにより、上記した効果をさらに向上することができる。また、シールド部材１１３は必ずしも必要ではなく、部品３が基板１０２の他方主面１０２ｂに接触配置されることにより、部品３の放熱性の向上を図ることができる。また、部品３が基板１０２の他方主面１０２ｂに実装された状態で、キャビティＣ内に樹脂１１２が充填されていてもよい。
＜第３実施形態＞
本発明の第３実施形態について図４を参照して説明する。図４は本発明の第３実施形態にかかる高周波モジュールに搭載される高周波部品を示す図である。
この実施形態における高周波部品１００ｂが上記した第１実施形態の高周波部品１００と異なるのは、図４に示すように、セラミック材料や樹脂材料など、同一部材により支持枠体１０１および基板１０２が一体的に形成されて積層配置されている点である。その他の構成は上記した第１実施形態と同様であるため、同一符号を付すことによりその構成の説明は省略する。
図４に示すように、この実施形態では、高周波部品１００ｂに、接地用電極１０３と実装用電極１０８ａとを支持枠体１０１および基板１０２を貫通して直接接続するビア導体１１４ａ（本発明の「層間接続導体」に相当）と、信号用電極１０４と面内電極１０７とを接続するビア導体１１４ｂとが設けられている。なお、高周波部品１００ｂは、例えば次のようにして形成される。すなわち、基板１０２を構成する複数のセラミックグリーンシートの積層体に、支持枠体１０１を構成する複数のセラミックグリーンシートであって、キャビティＣを形成する開口を有する複数のセラミックグリーンシートが積層されたものが焼成されることで、支持枠体１０１および基板１０２が一体形成された高周波部品１００ｂが形成される。
この実施形態では、上記した実施形態と同様の効果を奏することができると共に、次のような効果を奏することができる。すなわち、支持枠体１０１および基板１０２が同一部材で一体形成されることにより、リフロー等の加熱サイクルにおいて、熱膨張係数の差に起因する応力等が支持枠体１０１および基板１０２の接続部分に生じるのを確実に抑制することができので、高周波部品１００ｂ内での接続信頼性をさらに向上することができる。
なお、本発明は上記した各実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて、上記したもの以外に種々の変更を行なうことが可能であり、例えば、上記した実施形態では、支持枠体１０１の内周の平面視形状は、外形形状と相似形に形成されているが、楕円状や円形状、多角形状等、適宜変更してもよい。
フィルタ回路部品を備える高周波部品およびこれを備える高周波モジュールに本発明を広く適用することができる。
１ 高周波モジュール
２ モジュール基板
３ 部品
１００，１００ａ，１００ｂ 高周波部品
１０１ 支持枠体
１０１ａ 一方面
１０１ｂ 他方面
１０２ 基板
１０３ 接地用電極
１０５ａ，１０６ａ，１１４ａ ビア導体（層間接続導体）
１０８ａ 実装用電極
１０９ フィルタ回路部品

Claims (4)

  1. 枠形状を有する支持枠体と、
    前記支持枠体の外形形状とほぼ同一の形状を有し、前記支持枠体の一方面に積層された基板と、
    前記支持枠体の他方面に形成された接地用電極と、
    前記接地用電極と平面視で少なくともその一部が重なるように前記基板の一方主面に形成された実装用電極と、
    前記接地用電極および前記実装用電極が重なる位置に前記支持枠体および前記基板を積層方向に貫通して設けられ、前記接地用電極と前記実装用電極とを接続する層間接続導体と、
    前記基板の一方主面に実装されたフィルタ回路部品とを備え、
    前記実装用電極に前記フィルタ回路部品の接地端子が接続されており、
    前記支持枠体の内周面に囲まれる空間に部品およびシールド部材が配置されており、
    前記部品はフリップチップ実装される発熱部品であり、
    前記部品が前記シールド部材の一方面に接触配置され、前記シールド部材は当該シールド部材の他方面が前記基板の他方主面に接触するように配置されている
    ことを特徴とする高周波部品。
  2. 前記部品は、パワーアンプ、ＲＦ−ＩＣ、スイッチＩＣのいずれかであることを特徴とする請求項１に記載の高周波部品。
  3. 前記支持枠体および前記基板が同一部材で形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の高周波部品。
  4. 請求項１ないし３のいずれかに記載の高周波部品が実装されるモジュール基板
    を備えることを特徴とする高周波モジュール。
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