CN116097424A - 高频模块以及通信装置 - Google Patents

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Abstract

高频模块(1A)具备具有主面(91a以及91b)的模块基板(91)、配置于主面(91a)的第1电路部件、配置于主面(91b)的第2电路部件、配置于主面(91b)的外部连接端子(150)、和竖立设置于主面(91b)且被设定为接地电位的金属屏蔽板(81)，外部连接端子(150)包含对第1高频信号进行输入或输出的第1外部连接端子、和对电源信号、控制信号以及第2高频信号的任意者进行输入或输出的第2外部连接端子，在金属屏蔽板(81)的端部形成有凹部(81z)，在俯视模块基板(91)的情况下，金属屏蔽板(81)配置在第1外部连接端子与第2外部连接端子之间或者第2外部连接端子与第2电路部件之间。

Description

高频模块以及通信装置
技术领域
本发明涉及高频模块以及通信装置。
背景技术
在便携式电话等移动体通信设备中，特别是，伴随多频段化的进展，构成高频前端电路的电路元件的配置结构复杂化。
在专利文献1中公开了一种收发机(收发电路)的电路结构，其具备多个发送机(发送路径)以及多个接收机(接收路径)、和配置在该多个发送机以及多个接收机与天线之间的开关式共用器(switchplexer)(天线开关)。上述多个发送机分别具有发送电路、PA(发送功率放大器)、以及输出电路，上述多个接收机分别具有接收电路、LNA(接收低噪声放大器)、以及输入电路。输出电路包含发送滤波器、阻抗匹配电路、以及双工器等，输入电路包含接收滤波器、阻抗匹配电路、以及双工器等。根据上述结构，通过开关式共用器的切换动作，能够执行同时发送、同时接收、或者同时收发。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：JP特表2014-522216号公报
发明内容
发明要解决的问题
然而，在由搭载于移动体通信设备的高频模块来构成专利文献1公开的收发机(收发电路)的情况下，可设想分别配置于发送路径、接收路径、以及包含天线开关的收发路径的多个电路部件以及多个连接端子之中的至少2个发生电磁场耦合。在该情况下，有时由PA(发送功率放大器)放大后的高输出的发送信号的谐波分量重叠于发送信号，发送信号的品质下降。此外，有时收发间的隔离度由于上述电磁场耦合而下降，上述谐波、或者发送信号与其他高频信号的互调失真等的无用波流入接收路径从而接收灵敏度劣化。此外，有时2个接收信号由于上述电磁场耦合而相互干扰，接收灵敏度劣化。
本发明正是为了解决上述问题而完成的，其目的在于，提供一种抑制了发送信号或接收信号的品质劣化的高频模块以及通信装置。
用于解决问题的技术方案
本发明的一个方式涉及的高频模块具备具有相互对置的第1主面以及第2主面的模块基板、配置于第1主面的第1电路部件、配置于第2主面的第2电路部件、配置于第2主面的多个外部连接端子、和在第2主面上且在第2主面的垂直方向上竖立设置并被设定为接地电位的金属屏蔽板，多个外部连接端子包含对第1高频信号进行输入或输出的第1外部连接端子、和对电源信号、控制信号以及第2高频信号的任意者进行输入或输出的第2外部连接端子，在金属屏蔽板的在垂直方向上对置的端部的至少一者形成有凹部，在俯视模块基板的情况下，金属屏蔽板配置在第1外部连接端子与第2外部连接端子之间或者第2外部连接端子与第2电路部件之间。
发明效果
根据本发明，能够提供一种抑制了发送信号或接收信号的品质劣化的高频模块以及通信装置。
附图说明
图1是实施方式涉及的高频模块以及通信装置的电路结构图。
图2A是实施例涉及的高频模块的俯视图。
图2B是实施例涉及的高频模块的剖视图。
图3A是示出金属屏蔽板的第1例的外观立体图。
图3B是示出金属屏蔽板的第2例的外观立体图。
图3C是示出金属屏蔽板的第3例的外观立体图。
具体实施方式
以下，对本发明的实施方式详细地进行说明。另外，以下说明的实施方式示出总括性或者具体的例子。此外，以下的实施方式、实施例以及变形例中示出的数值、形状、材料、构成要素、构成要素的配置以及连接方式等为一个例子，其主旨并不是限定本发明。此外，关于以下的实施例以及变形例中的构成要素之中未记载于独立权利要求的构成要素，作为任意的构成要素进行说明。此外，附图所示的构成要素的大小或者大小之比未必严谨。在各图中，对于实质上相同的结构标注相同的附图标记，有时省略或者简化重复的说明。
此外，以下，平行以及垂直等表示要素间的关系性的术语、和矩形形状等表示要素的形状的术语、以及数值范围并非仅表示严格的意思，而意味着实质上等同的范围、例如还包含几％程度的差异。
在以下的各图中，x轴以及y轴是在与模块基板的主面平行的平面上相互正交的轴。此外，z轴是与模块基板的主面垂直的轴，其正方向表示上方向，其负方向表示下方向。
此外，在本公开的电路结构中，所谓“连接”，不仅包含通过连接端子以及/或者布线导体而直接连接的情况，还包含经由其他电路部件而电连接的情况。此外，所谓“连接在A与B之间”，意味着在A与B之间与A以及B双方连接。
此外，在本公开的模块结构中，所谓“俯视”，意味着从z轴正侧向xy平面对物体进行正投影来观察。所谓“部件配置于基板的主面”，除了部件以与基板的主面接触的状态配置在主面上之外，还包含部件不与主面接触地配置在主面的上方、以及部件的一部分从主面侧嵌入基板内而配置。所谓“A配置在B与C之间”，意味着将B内的任意的点和C内的任意的点连结的多个线段之中的至少1个通过A。此外，“平行”以及“垂直”等表示要素间的关系性的术语、以及“矩形”等表示要素的形状的术语并非仅表示严格的意思，而意味着实质上等同的范围、例如还包含几％程度的误差。
此外，以下，所谓“发送路径”，意味着是由传输高频发送信号的布线、与该布线直接连接的电极、以及与该布线或者该电极直接连接的端子等构成的传输线路。此外，所谓“接收路径”，意味着是由传输高频接收信号的布线、与该布线直接连接的电极、以及与该布线或者该电极直接连接的端子等构成的传输线路。此外，所谓“收发路径”，意味着是由传输高频发送信号以及高频接收信号双方的布线、与该布线直接连接的电极、以及与该布线或者该电极直接连接的端子等构成的传输线路。
(实施方式)
[1.高频模块1以及通信装置5的电路结构]
图1是实施方式涉及的高频模块1以及通信装置5的电路结构图。如该图所示，通信装置5具备高频模块1、天线2、RF信号处理电路(RFIC)3、和基带信号处理电路(BBIC)4。
RFIC3是对由天线2收发的高频信号进行处理的RF信号处理电路。具体地，RFIC3通过下变频等对经由高频模块1的接收信号路径而输入的高频接收信号进行信号处理，并将进行该信号处理而生成的接收信号向BBIC4输出。此外，RFIC3通过上变频等对从BBIC4输入的发送信号进行信号处理，并将进行该信号处理而生成的高频发送信号输出到高频模块1的发送信号路径。
BBIC4是利用比在高频模块1传播的高频信号低频的中间频带来进行信号处理的电路。由BBIC4处理后的信号，例如，作为用于图像显示的图像信号被使用，或者，为了经由扬声器的通话而作为声音信号被使用。
此外，RFIC3还具有作为基于所使用的通信频段(频带)对高频模块1所具有的开关51、52、53、54以及55的连接进行控制的控制部的功能。具体地，RFIC3根据控制信号(未图示)对高频模块1所具有的开关51～55的连接进行切换。另外，控制部也可以设置在RFIC3的外部，例如，可以设置于高频模块1或BBIC4。
天线2与高频模块1的天线连接端子100连接，辐射从高频模块1输出的高频信号，此外，接收来自外部的高频信号并向高频模块1输出。
另外，在本实施方式涉及的通信装置5中，天线2以及BBIC4并非是必须的构成要素。
接着，对高频模块1的详细的结构进行说明。
如图1所示，高频模块1具备功率放大器11以及12、低噪声放大器21以及22、发送滤波器61T、62T、63T以及64T、接收滤波器61R、62R、63R以及64R、输出匹配电路30、输入匹配电路40、匹配电路71、72、73以及74、开关51、52、53、54以及55、电源电路76、和控制电路77。
天线连接端子100与天线2连接。
功率放大器11是对属于第1频带组的通信频段A(第1通信频段)以及通信频段B的高频信号进行放大的第1功率放大器。功率放大器11的输入端子与发送输入端子111连接，功率放大器11的输出端子与匹配电路31连接。此外，功率放大器12是对属于比第1频带组靠低频侧的第2频带组的通信频段C(第2通信频段)以及通信频段D的高频信号进行放大的第2功率放大器。功率放大器12的输入端子与发送输入端子112连接，功率放大器12的输出端子与匹配电路32连接。
低噪声放大器21是以低噪声对通信频段A以及通信频段B的高频信号进行放大的第1低噪声放大器。低噪声放大器21的输入端子与匹配电路41连接，低噪声放大器21的输出端子与接收输出端子121连接。此外，低噪声放大器22是以低噪声对通信频段C以及通信频段D的高频信号进行放大的第2低噪声放大器。低噪声放大器22的输入端子与匹配电路42连接，低噪声放大器22的输出端子与接收输出端子122连接。
发送滤波器61T配置于将功率放大器11和开关55连结的发送路径AT，使由功率放大器11放大后的发送信号之中的通信频段A的发送频带的发送信号通过。此外，发送滤波器62T配置于将功率放大器11和开关55连结的发送路径BT，使由功率放大器11放大后的发送信号之中的通信频段B的发送频带的发送信号通过。此外，发送滤波器63T配置于将功率放大器12和开关55连结的发送路径CT，使由功率放大器12放大后的发送信号之中的通信频段C的发送频带的发送信号通过。此外，发送滤波器64T配置于将功率放大器12和开关55连结的发送路径DT，使由功率放大器12放大后的发送信号之中的通信频段D的发送频带的发送信号通过。
接收滤波器61R配置于将低噪声放大器21和开关55连结的接收路径AR，使从天线连接端子100输入的接收信号之中的通信频段A的接收频带的接收信号通过。此外，接收滤波器62R配置于将低噪声放大器21和开关55连结的接收路径BR，使从天线连接端子100输入的接收信号之中的通信频段B的接收频带的接收信号通过。此外，接收滤波器63R配置于将低噪声放大器22和开关55连结的接收路径CR，使从天线连接端子100输入的接收信号之中的通信频段C的接收频带的接收信号通过。此外，接收滤波器64R配置于将低噪声放大器22和开关55连结的接收路径DR，使从天线连接端子100输入的接收信号之中的通信频段D的接收频带的接收信号通过。
另外，上述的发送滤波器61T～64T以及接收滤波器61R～64R例如也可以是声表面波滤波器、使用了BAW(Bulk Acoustic Wave，体声波)的弹性波滤波器、LC谐振滤波器、以及电介质滤波器的任一者，进而，并不限定于这些。
发送滤波器61T以及接收滤波器61R构成了以通信频段A为通带的双工器61。此外，发送滤波器62T以及接收滤波器62R构成了以通信频段B为通带的双工器62。此外，发送滤波器63T以及接收滤波器63R构成了以通信频段C为通带的双工器63。此外，发送滤波器64T以及接收滤波器64R构成了以通信频段D为通带的双工器64。
输出匹配电路30具有匹配电路31以及32。匹配电路31配置于将功率放大器11和发送滤波器61T以及62T连结的发送路径，取得功率放大器11与发送滤波器61T以及62T的阻抗匹配。匹配电路32配置于将功率放大器12和发送滤波器63T以及64T连结的发送路径，取得功率放大器12与发送滤波器63T以及64T的阻抗匹配。
输入匹配电路40具有匹配电路41以及42。匹配电路41配置于将低噪声放大器21和接收滤波器61R以及62R连结的接收路径，取得低噪声放大器21与接收滤波器61R以及62R的阻抗匹配。匹配电路42配置于将低噪声放大器22和接收滤波器63R以及64R连结的接收路径，取得低噪声放大器22与接收滤波器63R以及64R的阻抗匹配。
开关51配置于将匹配电路31和发送滤波器61T以及62T连结的发送路径，对功率放大器11和发送滤波器61T的连接、以及功率放大器11和发送滤波器62T的连接进行切换。开关52配置于将匹配电路32和发送滤波器63T以及64T连结的发送路径，对功率放大器12和发送滤波器63T的连接、以及功率放大器12和发送滤波器64T的连接进行切换。开关53配置于将匹配电路41和接收滤波器61R以及62R连结的接收路径，对低噪声放大器21和接收滤波器61R的连接、以及低噪声放大器21和接收滤波器62R的连接进行切换。开关54配置于将匹配电路42和接收滤波器63R以及64R连结的接收路径，对低噪声放大器22和接收滤波器63R的连接、以及低噪声放大器22和接收滤波器64R的连接进行切换。
开关55是配置于将天线连接端子100和发送滤波器61T～64T以及接收滤波器61R～64R连结的信号路径的第1开关，对(1)天线连接端子100和发送滤波器61T以及接收滤波器61R的连接、(2)天线连接端子100和发送滤波器62T以及接收滤波器62R的连接、(3)天线连接端子100和发送滤波器63T以及接收滤波器63R的连接、以及(4)天线连接端子100和发送滤波器64T以及接收滤波器64R的连接进行切换。另外，开关55由能够同时进行上述(1)～(4)之中的2个以上的连接的多连接型的开关电路构成。
匹配电路71配置于将开关55和发送滤波器61T以及接收滤波器61R连结的路径，取得天线2以及开关55与发送滤波器61T以及接收滤波器61R的阻抗匹配。匹配电路72配置于将开关55和发送滤波器62T以及接收滤波器62R连结的路径，取得天线2以及开关55与发送滤波器62T以及接收滤波器62R的阻抗匹配。匹配电路73配置于将开关55和发送滤波器63T以及接收滤波器63R连结的路径，取得天线2以及开关55与发送滤波器63T以及接收滤波器63R的阻抗匹配。匹配电路74配置于将开关55和发送滤波器64T以及接收滤波器64R连结的路径，取得天线2以及开关55与发送滤波器64T以及接收滤波器64R的阻抗匹配。
另外，匹配电路71～74并非是本发明涉及的高频模块所必须的构成要素。此外，也可以取代匹配电路71～74，而在将天线连接端子100和开关55连结的收发路径ETR上配置有匹配电路。
电源电路76与电源端子131连接。电源电路76经由电源端子131从电源(未图示)接受电力的供给，并向开关51～55、功率放大器11以及12和低噪声放大器21以及22的至少1个输出电源信号。另外，电源电路76也可以向其他电子部件输出电源信号。
所谓电源信号，是用于向高频模块1所包含的电子部件供给电力的信号。例如，电源信号是用于向功率放大器11以及12供给电源电压以及/或者偏置电流的信号。此外，电源信号例如也可以是用于向开关51～55供给驱动电力的信号。
控制电路77与控制端子132连接。控制电路77经由控制端子132从RFIC3接受控制信号，并向开关51～55、功率放大器11以及12和低噪声放大器21以及22的至少1个输出控制信号。另外，控制电路77也可以向其他电子部件输出控制信号。
所谓控制信号，是用于对高频模块1所包含的电子部件进行控制的信号。具体地，控制信号例如是用于对功率放大器11以及12、低噪声放大器21以及22、和开关51～55的至少1个进行控制的数字信号。
在上述高频模块1的结构中，功率放大器11、匹配电路31、开关51、和发送滤波器61T以及62T构成朝向天线连接端子100输出通信频段A以及通信频段B的发送信号的第1发送电路。此外，功率放大器12、匹配电路32、开关52、和发送滤波器63T以及64T构成朝向天线连接端子100输出通信频段C以及通信频段D的发送信号的第2发送电路。第1发送电路以及第2发送电路构成朝向天线连接端子100输出通信频段A～D的发送信号的发送电路。
此外，低噪声放大器21、匹配电路41、开关53、和接收滤波器61R以及62R构成从天线2经由天线连接端子100输入通信频段A以及通信频段B的接收信号的第1接收电路。此外，低噪声放大器22、匹配电路42、开关54、和接收滤波器63R以及64R构成从天线2经由天线连接端子100输入通信频段C以及通信频段D的接收信号的第2接收电路。第1接收电路以及第2接收电路构成从天线连接端子100输入通信频段A～D的接收信号的接收电路。
另外，第2发送电路以及第2接收电路例如是传输属于低频段组的通信频段的发送信号以及接收信号的电路。低频段组是由对应于4G以及5G的多个通信频段构成的频带组，例如，具有1GHz以下的频率范围。
此外，第1发送电路以及第1接收电路例如是传输属于中频段组的通信频段的发送信号以及接收信号的电路。中频段组是由对应于4G以及5G的多个通信频段构成的频带组，位于比低频段组靠高频侧，例如，具有1.5～2.2GHz的频率范围。
此外，第1发送电路以及第1接收电路例如也可以是传输属于高频段组的通信频段的发送信号以及接收信号的电路。高频段组是由对应于4G以及5G的多个通信频段构成的频带组，位于比中频段组靠高频侧，例如，具有2.4～2.8GHz的频率范围。
根据上述电路结构，本实施方式涉及的高频模块1能够对通信频段A以及通信频段B的任一个通信频段的高频信号、和通信频段C以及通信频段D的任一个通信频段的高频信号执行同时发送、同时接收、以及同时收发的至少任一者。
另外，在本发明涉及的高频模块中，发送电路以及接收电路也可以不经由开关55与天线连接端子100连接，上述发送电路以及上述接收电路也可以经由不同的端子与天线2连接。此外，作为本发明涉及的高频模块的电路结构，只要具有第1发送电路、第2发送电路、第1接收电路以及第2接收电路之中的至少1个即可。
在此，在具有上述电路结构的高频模块1中，若配置于发送路径、接收路径、以及收发路径的多个电路部件以及多个连接端子之中的至少2个发生电磁场耦合，则有时由功率放大器放大后的高输出的发送信号的谐波分量重叠于发送信号，发送信号的品质下降。此外，有时收发间的隔离度由于上述电磁场耦合而下降，上述谐波、或者发送信号与其他高频信号的互调失真等的无用波流入接收路径从而接收灵敏度劣化。此外，有时2个接收信号由于上述电磁场耦合而相互干扰，接收灵敏度劣化。
对此，在本实施方式涉及的高频模块1中，具有抑制上述电磁场耦合的结构。以下，对本实施方式涉及的高频模块1的抑制上述电磁场耦合的结构进行说明。
[2.实施例涉及的高频模块1A的电路部件配置结构]
图2A是实施例涉及的高频模块1A的俯视结构概略图。此外，图2B是实施例涉及的高频模块1A的剖视结构概略图，具体地，是图2A的IIB-IIB线处的剖视图。另外，在图2A的(a)中，示出了从z轴正方向侧观察模块基板91的相互对置的主面91a以及91b之中的主面91a的情况下的电路元件的配置图。另一方面，在图2A的(b)中，示出了对从z轴正方向侧观察主面91b的情况下的电路元件的配置进行透视的图。
实施例涉及的高频模块1A具体示出了构成实施方式涉及的高频模块1的各电路部件的配置结构。
如图2A以及图2B所示，本实施例涉及的高频模块1A除了图1所示的电路结构之外，还具有模块基板91、金属屏蔽板81、82以及83、金属屏蔽层95、过孔导体96、树脂构件92以及93、和外部连接端子150。
模块基板91是在主面91a上安装第1以及第2发送电路、和第1以及第2接收电路的基板。作为模块基板91，例如，可使用具有多个电介质层的层叠构造的低温共烧陶瓷(LowTemperature Co-fired Ceramics：LTCC)基板、高温共烧陶瓷(High Temperature Co-fired Ceramics：HTCC)基板、部件内置基板、具有重布线层(Redistribution Layer：RDL)的基板、或者印刷基板等。另外，在模块基板91上也可以形成有天线连接端子100、发送输入端子111以及112、和接收输出端子121以及122。
树脂构件92配置于模块基板91的主面91a，覆盖构成第1以及第2发送电路和第1以及第2接收电路的电路部件的至少一部分、以及主面91a，具有确保上述电路部件的机械强度以及耐湿性等可靠性的功能。树脂构件93配置于模块基板91的主面91b，覆盖构成第1以及第2发送电路和第1以及第2接收电路的电路部件的至少一部分、以及主面91b，具有确保上述电路部件的机械强度以及耐湿性等可靠性的功能。
匹配电路31、32、41、42、71以及72各自包含电感器以及/或者电容器。在图2A中，匹配电路31、32、41以及42各自包含电感器以及电容器这两者。另一方面，匹配电路71以及72各自包含电感器，但不包含电容器。另外，匹配电路31、32、41、42、71以及72各自的结构不限定于此。例如，匹配电路31、32、41以及42各自也可以不包含电容器，匹配电路71以及72各自也可以包含电容器。
外部连接端子150配置于模块基板91的主面91b。高频模块1A经由多个外部连接端子150与配置于高频模块1A的z轴负方向侧的外部基板进行电信号的交换。如图2A的(b)所示，在多个外部连接端子150中包含天线连接端子100、发送输入端子111以及112、和接收输出端子121以及122。另外，虽未图示，但也可以是，电源端子131以及控制端子132也包含于多个外部连接端子150。此外，多个外部连接端子150之中的接地端子150g被设定为外部基板的接地电位。此外，接地端子150g也可以与形成在模块基板91的内部的接地导体图案94P连接。另外，外部连接端子150既可以如图2B所示为形成于主面91b的平面电极，此外，也可以为形成在主面91b上的凸块电极。此外，在外部连接端子150为凸块电极的情况下，也可以没有树脂构件93。
另外，虽然在图2A中未图示，但将图1所示的电路部件间连结的构成发送路径、接收路径以及收发路径的布线形成于模块基板91的内部、主面91a以及91b。此外，上述布线既可以是两端与主面91a、91b以及构成高频模块1A的电路元件的任意者接合的接合引线，此外，也可以是形成在构成高频模块1A的电路元件的表面上的端子、电极或布线。
金属屏蔽层95覆盖树脂构件92的表面，被设定为接地电位。金属屏蔽层95例如是通过溅射法而形成的金属薄膜。金属屏蔽层95也可以在模块基板91的侧面与接地导体图案94P连接。
过孔导体96形成于模块基板91的内部，在与主面91b交叉的方向上延伸。过孔导体96被设定为高频模块1A的接地电位。在本实施例中，过孔导体96在与主面91b正交的方向上延伸。
金属屏蔽板81、82以及83分别是从主面91b朝向树脂构件93的z轴负方向侧(主面91b的垂直方向)的顶面而竖立设置并被设定为接地电位的金属壁体。金属屏蔽板81、82以及83分别在主面91b与过孔导体96连接。另外，金属屏蔽板81、82以及83各自和过孔导体96既可以直接相接，此外，也可以如图2B所示经由形成在主面91b上的接地电极94而连接。
根据上述结构，金属屏蔽板81～83分别与被设定为接地电位的过孔导体96连接，因此电磁场遮蔽功能被强化。另外，关于金属屏蔽板81～83的详细的构造，利用图3A～图3C在后面叙述。
如图2A以及图2B所示，在本实施例涉及的高频模块1A中，功率放大器11以及12、双工器61～64、匹配电路31、32、41、42、71以及72分别为第1电路部件的一个例子，配置于主面91a(第1主面)。此外，低噪声放大器21以及22、和开关51、52以及55分别为第2电路部件的一个例子，配置于主面91b(第2主面)。
另外，开关53以及54、匹配电路73以及74、电源电路76、和控制电路77虽然在图2A以及图2B中未示出，但既可以配置于模块基板91的主面91a以及91b的任意者，也可以配置在模块基板91内。
在本实施例涉及的高频模块1A中，在俯视模块基板91的情况下，金属屏蔽板81配置在发送输入端子111以及112与配置于主面91b的第2电路部件的至少1个之间。在该情况下，发送输入端子111以及112是对第2高频信号进行输入或输出的第2外部连接端子的一个例子。具体地，发送输入端子111以及112是输入发送信号的外部连接端子150。
由此，能够抑制对高输出的发送信号进行传输的发送输入端子111以及112、和第2电路部件发生电磁场耦合。因此，能够抑制主面91b中的发送信号间、或者发送信号与接收信号之间的强信号干扰，因而能够高精度地抑制发送信号或接收信号的品质劣化。
此外，在俯视模块基板91的情况下，金属屏蔽板81配置在发送输入端子111以及112与接收输出端子121以及122之间。在该情况下，发送输入端子111以及112是对第2高频信号进行输入或输出的第2外部连接端子的一个例子。具体地，发送输入端子111以及112是输入发送信号的外部连接端子150。此外，接收输出端子121以及122是对第1高频信号进行输入或输出的第1外部连接端子的一个例子。具体地，接收输出端子121以及122是输出接收信号的外部连接端子150。
由此，能够抑制对高输出的发送信号进行传输的发送输入端子111以及112、和对接收信号进行传输的接收输出端子121以及122发生电磁场耦合。因此，能够抑制主面91b中的发送信号与接收信号之间的强信号干扰，因而能够高精度地抑制接收信号的品质劣化。
此外，在俯视模块基板91的情况下，金属屏蔽板81配置在发送输入端子111以及112与天线连接端子100之间。在该情况下，发送输入端子111以及112是对第2高频信号进行输入或输出的第2外部连接端子的一个例子。此外，天线连接端子100是对第1高频信号进行输入或输出的第1外部连接端子的一个例子。具体地，天线连接端子100是对发送信号以及接收信号进行传输的外部连接端子150。
由此，能够抑制对高输出的发送信号进行传输的发送输入端子111以及112、和对发送信号以及接收信号进行传输的天线连接端子100发生电磁场耦合。因此，能够抑制主面91b中的发送信号间、或者发送信号与接收信号之间的强信号干扰，因而能够高精度地抑制发送信号或接收信号的品质劣化。
另外，虽然在图2A的(b)中未图示，但在电源端子131以及控制端子132的至少1个配置于主面91b的情况下，在俯视模块基板91时，金属屏蔽板81也可以配置于发送输入端子111、112、接收输出端子121、122、以及天线连接端子100的至少1个与电源端子131以及控制端子132的至少1个之间。在该情况下，发送输入端子111、112、接收输出端子121、122、以及天线连接端子100是对第1高频信号进行输入或输出的第1外部连接端子的一个例子。此外，电源端子131是对电源信号进行输入或输出的第2外部连接端子，控制端子132是对控制信号进行输入或输出的第2外部连接端子。
由此，能够抑制发送信号以及接收信号的至少1个与电源信号以及控制信号的至少1个之间的强信号干扰，因此能够高精度地抑制发送信号或接收信号的品质劣化。
此外，在本实施例涉及的高频模块1A中，在俯视模块基板91的情况下，金属屏蔽板82配置在天线连接端子100与接收输出端子122之间。在该情况下，接收输出端子122是对第1高频信号进行输入或输出的第1外部连接端子的一个例子。此外，天线连接端子100是对第2高频信号进行输入或输出的第2外部连接端子的一个例子。
由此，能够抑制传输接收信号的接收输出端子122和传输发送信号以及接收信号的天线连接端子100发生电磁场耦合。因此，能够抑制主面91b中的接收信号间、或者接收信号与发送信号之间的强信号干扰，因而能够高精度地抑制接收信号的品质劣化。
此外，在本实施例涉及的高频模块1A中，在俯视模块基板91的情况下，金属屏蔽板83配置在接收输出端子122以及天线连接端子100与配置于主面91b的第2电路部件之间。在该情况下，接收输出端子122以及天线连接端子100是对第2高频信号进行输入或输出的第2外部连接端子的一个例子。
由此，能够抑制接收输出端子122以及天线连接端子100和第2电路部件发生电磁场耦合。因此，能够抑制主面91b中的接收信号间、或者发送信号与接收信号之间的强信号干扰，因而能够高精度地抑制发送信号或接收信号的品质劣化。
此外，在本实施例涉及的高频模块1A中，过孔导体96的外径96d为金属屏蔽板81的厚度81t以上。若假设过孔导体96的外径96d比金属屏蔽板81的厚度81t小，则无法将金属屏蔽板81的电位强烈地设定为高频模块1A的接地。相对于此，根据本结构，能够强化金属屏蔽板81的接地。因此，能够抑制外部连接端子间、外部连接端子与第2电路部件之间的强信号干扰，因而能够高精度地抑制发送信号或接收信号的品质劣化。
此外，在本实施例涉及的高频模块1A中，金属屏蔽板81的厚度81t比金属屏蔽层95的厚度95t大。由此，与遮蔽外来噪声的能力相比较，能够提高对于由高频模块1A的电路部件产生的噪声而抑制流入高频模块1A的其他电路部件的能力。
另外，过孔导体96的外径96d也可以为金属屏蔽板82的厚度以上，此外，还可以为金属屏蔽板83的厚度以上。
此外，金属屏蔽板82的厚度也可以大于金属屏蔽层95的厚度95t，金属屏蔽板83的厚度也可以大于金属屏蔽层95的厚度95t。
此外，金属屏蔽板81～83的距主面91b的高度优选为外部连接端子150的距主面91b的高度以上。
由此，能够高度地抑制被金属屏蔽板81～83的任意者夹着的外部连接端子间、外部连接端子与第2电路部件之间的强信号干扰。
另外，本实施例涉及的高频模块1A作为配置于主面91a的第1电路部件只要具备功率放大器11以及12、双工器61～64、匹配电路31、32、41、42、71～74、低噪声放大器21以及22、开关51～55、电源电路76、以及控制电路77的至少1个即可，此外，作为配置于主面91b的第2电路部件只要具备功率放大器11以及12、双工器61～64、匹配电路31、32、41、42、71～74、低噪声放大器21以及22、开关51～55、电源电路76、以及控制电路77的至少1个即可。
此外，低噪声放大器21、22、开关53～55的至少2个也可以包含于1个半导体IC。由此，能够使主面91b省面积化，并且，能够低高度化。
[3.金属屏蔽板的构造]
接着，对本实施例涉及的高频模块1A所具有的金属屏蔽板81～83的构造进行说明。
图3A是金属屏蔽板81A的外观立体图。该图所示的金属屏蔽板81A是实施例涉及的金属屏蔽板81的一个例子。金属屏蔽板81A从主面91b(未图示)朝向树脂构件93(未图示)的顶面(在z轴负方向上)竖立设置。在金属屏蔽板81A的在模块基板91的垂直方向(z轴方向)上对置的端部之中的、与主面91b相接的端部形成有凹部81z。另外，在金属屏蔽板81A中，也可以是，在金属屏蔽板81A的在模块基板91的垂直方向(z轴方向)上对置的端部之中的、不与主面91b相接的端部也形成有凹部。
此外，金属屏蔽板81A具有从主面91b朝向树脂构件93的顶面(在z轴负方向上)竖立设置的主体部81x、和与主面91b平行地延伸设置且与主面91b上的接地电极(未图示)接合的接合部81y。
根据金属屏蔽板81A的构造，由于在主体部81x与主面91b之间形成有凹部81z，因此在主面91b上形成树脂构件93的工序中，能够确保金属屏蔽板81A的附近处的液状树脂的良好的流动性。因此，在金属屏蔽板81A的附近能够抑制未形成树脂构件93的空隙等的产生。此外，由于金属屏蔽板81A和主面91b通过接合部81y而接合，因此金属屏蔽板81A的配置精度、以及金属屏蔽板81A和主面91b的接合强度提高。
图3B是金属屏蔽板81B的外观立体图。该图所示的金属屏蔽板81B是实施例涉及的金属屏蔽板81的一个例子。金属屏蔽板81B从主面91b(未图示)朝向树脂构件93(未图示)的顶面(在z轴负方向上)竖立设置。在金属屏蔽板81B的在模块基板91的垂直方向(z轴方向)上对置的端部之中的、不与主面91b相接的端部形成有凹部81z。另外，在金属屏蔽板81B中，也可以是，在金属屏蔽板81B的在模块基板91的垂直方向(z轴方向)上对置的端部之中的、与主面91b相接的端部也形成有凹部。
此外，金属屏蔽板81B具有从主面91b朝向树脂构件93的顶面(在z轴负方向上)竖立设置的主体部81x、和与主面91b平行地延伸设置且与主面91b上的接地电极(未图示)接合的接合部81y。
根据金属屏蔽板81B的构造，由于在主体部81x与上述顶面之间形成有凹部81z，因此在主面91b上形成树脂构件93的工序中，能够确保金属屏蔽板81B的附近处的液状树脂的良好的流动性。因此，在金属屏蔽板81B的附近能够抑制未形成树脂构件93的空隙等的产生。此外，由于金属屏蔽板81B和主面91b通过接合部81y而接合，因此金属屏蔽板81B的配置精度、以及金属屏蔽板81B和主面91b的接合强度提高。
图3C是金属屏蔽板81C的外观立体图。该图所示的金属屏蔽板81C是实施例涉及的金属屏蔽板81的一个例子。金属屏蔽板81C从主面91b(未图示)朝向树脂构件93(未图示)的顶面(在z轴负方向上)竖立设置。在金属屏蔽板81C的在模块基板91的垂直方向(z轴方向)上对置的端部形成有凹部81z。
此外，金属屏蔽板81C具有从主面91b朝向树脂构件93的顶面(在z轴负方向上)竖立设置的主体部81x、和与主面91b平行地延伸设置且与主面91b上的接地电极(未图示)接合的接合部81y。在金属屏蔽板81C中，多个主体部81x隔着凹部81z而离散地配置，此外，多个接合部81y隔着凹部81z而离散地配置。
根据金属屏蔽板81C的构造，由于在主面91b与上述顶面之间形成有凹部81z，因此在主面91b上形成树脂构件93的工序中，能够确保金属屏蔽板81C的附近处的液状树脂的良好的流动性。因此，在金属屏蔽板81C的附近能够抑制未形成树脂构件93的空隙等的产生。此外，由于金属屏蔽板81C和主面91b通过接合部81y而接合，因此金属屏蔽板81C的配置精度、以及金属屏蔽板81C和主面91b的接合强度提高。
另外，金属屏蔽板81的构造例不限于上述的金属屏蔽板81A～81C。此外，接合部81y被延伸设置的方向不限于如图3A～图3C所示的x轴正方向，也可以为x轴负方向，进而，金属屏蔽板81也可以具有在x轴正方向上延伸设置的接合部81y以及在x轴负方向上延伸设置的接合部81y这两者。
此外，关于金属屏蔽板82以及83各自也可以具有如金属屏蔽板81A～81C那样的构造。
[4.效果等]
以上，本实施例涉及的高频模块1A具备具有相互对置的主面91a以及91b的模块基板91、配置于主面91a的第1电路部件、配置于主面91b的第2电路部件、配置于主面91b的多个外部连接端子150、和在主面91b上且在主面91b的垂直方向上竖立设置并被设定为接地电位的金属屏蔽板81～83的任意者，多个外部连接端子150包含对第1高频信号进行输入或输出的第1外部连接端子、和对电源信号、控制信号以及第2高频信号的任意者进行输入或输出的第2外部连接端子，在金属屏蔽板81～83的任意者的在上述垂直方向上对置的端部的至少一者形成有凹部81z，在俯视模块基板91的情况下，金属屏蔽板81～83的任意者配置在第1外部连接端子与第2外部连接端子之间或者第2外部连接端子与第2电路部件之间。
由此，能够抑制第1高频信号和第2高频信号发生电磁场耦合、或者电源信号、控制信号以及第2高频信号的任意者和第2电路部件发生电磁场耦合。因此，能够抑制主面91b中的发送信号间、接收信号间、发送信号与接收信号之间、以及高频信号与电源信号或控制信号之间的强信号干扰，因而能够高精度地抑制发送信号或接收信号的品质劣化。此外，由于在金属屏蔽板81～83的任意者形成有凹部81z，因此在主面91b上形成树脂构件93的工序中，能够确保金属屏蔽板81～83的任意者的附近处的液状树脂的良好的流动性。因此，在金属屏蔽板81～83的任意者的附近能够抑制未形成树脂构件93的空隙等的产生。
此外，也可以是，高频模块1A还具备形成于模块基板91的内部且在与主面91b交叉的方向上延伸并被设定为接地电位的过孔导体96，金属屏蔽板81在主面91b与过孔导体96连接，过孔导体96的外径为金属屏蔽板81的厚度以上。
由此，能够强化金属屏蔽板81的接地。因此，能够抑制外部连接端子间、外部连接端子与第2电路部件之间的强信号干扰，因而能够高精度地抑制发送信号或接收信号的品质劣化。
此外，也可以是，在高频模块1A中，金属屏蔽板81具有：主体部81x，在主面91b的垂直方向上竖立设置；和接合部81y，与主面91b平行地延伸设置，在主面91b与过孔导体96连接。
由此，金属屏蔽板81和主面91b通过接合部81y而接合，因此金属屏蔽板81的配置精度、以及金属屏蔽板81和主面91b的接合强度提高。
此外，也可以是，高频模块1A还具备覆盖主面91a以及第1电路部件的至少一部分的树脂构件92、和覆盖树脂构件92的表面并被设定为接地电位的金属屏蔽层95，金属屏蔽板81比金属屏蔽层95厚。
由此，与遮蔽外来噪声的能力相比较，能够提高对于由高频模块1A的电路部件产生的噪声而抑制流入高频模块1A的其他电路部件的能力。
此外，也可以是，在高频模块1A中，金属屏蔽板81的距主面91b的高度为外部连接端子150的距主面91b的高度以上。
由此，能够高度地抑制被金属屏蔽板81夹着的外部连接端子150间、外部连接端子150与第2电路部件之间的强信号干扰。
此外，也可以是，在高频模块1A中，第1电路部件为功率放大器11，第2电路部件为低噪声放大器21’第2外部连接端子为与功率放大器11的输入端子连接的发送输入端子111，在俯视模块基板91的情况下，金属屏蔽板81配置在发送输入端子111与第2电路部件之间。
由此，能够抑制发送信号和接收信号发生电磁场耦合。因此，能够抑制主面91b中的发送信号与接收信号之间的强信号干扰，因而能够高精度地抑制接收信号的品质劣化。
此外，也可以是，在高频模块1A中，第1电路部件为功率放大器11，第2电路部件为低噪声放大器21，高频模块1A还具备天线连接端子100、和对天线连接端子100和功率放大器11的连接以及非连接进行切换并且对天线连接端子100和低噪声放大器21的连接以及非连接进行切换的开关55，第1外部连接端子为天线连接端子100，第2外部连接端子为与功率放大器11的输入端子连接的发送输入端子111或与低噪声放大器21的输出端子连接的接收输出端子121，在俯视模块基板91的情况下，金属屏蔽板83配置在天线连接端子100与发送输入端子111之间，或者，金属屏蔽板82配置在天线连接端子100与接收输出端子121之间。
由此，能够抑制发送信号和接收信号发生电磁场耦合。因此，能够抑制主面91b中的发送信号与接收信号之间的强信号干扰，因而能够高精度地抑制接收信号的品质劣化。
此外，通信装置5具备：RFIC3，对由天线2收发的高频信号进行处理；和高频模块1，在天线2与RFIC3之间传输高频信号。
由此，能够提供抑制了发送信号或接收信号的品质劣化的通信装置5。
(其他的实施方式等)
以上，列举实施方式、实施例以及变形例对本发明涉及的高频模块以及通信装置进行了说明，但本发明涉及的高频模块以及通信装置并不限定于上述实施方式、实施例以及变形例。将上述实施方式、实施例以及变形例中的任意的构成要素组合而实现的其它的实施方式、在不脱离本发明的主旨的范围内对上述实施方式、实施例以及变形例实施本领域技术人员想到的各种变形而得到的变形例、内置了上述高频模块以及通信装置的各种设备也包含于本发明。
例如，在上述实施方式、实施例以及变形例涉及的高频模块以及通信装置中，也可以在附图公开的连接各电路元件以及信号路径的路径之间插入其它的电路元件以及布线等。
产业上的可利用性
本发明能够作为配置于应对多频段的前端部的高频模块而广泛利用于便携式电话等通信设备。
附图标记说明
1、1A 高频模块；
2 天线；
3 RF信号处理电路(RFIC)；
4 基带信号处理电路(BBIC)；
5 通信装置；
11、12 功率放大器；
21、22 低噪声放大器；
30 输出匹配电路；
31、32、41、42、71、72、73、74 匹配电路；
31C、32C、41C、42C 电容器；
31L、32L、41L、42L 电感器；
40 输入匹配电路；
51、52、53、54、55 开关；
61、62、63、64 双工器；
61R、62R、63R、64R 接收滤波器；
61T、62T、63T、64T 发送滤波器；
76 电源电路；
77 控制电路；
81、81A、81B、81C、82、83 金属屏蔽板；
81t、95t 厚度；
81x 主体部；
81y 接合部；
81z 凹部；
91 模块基板；
91a、91b 主面；
92、93 树脂构件；
94 接地电极；
94P 接地导体图案；
95 金属屏蔽层；
96 过孔导体；
96d 外径；
100 天线连接端子；
111、112 发送输入端子；
121、122 接收输出端子；
131 电源端子；
132 控制端子；
150 外部连接端子；
150g 接地端子；
AR、BR、CR、DR 接收路径；
AT、BT、CT、DT 发送路径；
ETR 收发路径。

Claims (8)

1.一种高频模块，具备：
模块基板，具有相互对置的第1主面以及第2主面；
第1电路部件，配置于所述第1主面；
第2电路部件，配置于所述第2主面；
多个外部连接端子，配置于所述第2主面；和
金属屏蔽板，在所述第2主面上且在所述第2主面的垂直方向上竖立设置，被设定为接地电位，
所述多个外部连接端子包含：第1外部连接端子，对第1高频信号进行输入或输出；和第2外部连接端子，对电源信号、控制信号以及第2高频信号的任意者进行输入或输出，
在所述金属屏蔽板的在所述垂直方向上对置的端部的至少一者形成有凹部，
在俯视所述模块基板的情况下，所述金属屏蔽板配置在所述第1外部连接端子与所述第2外部连接端子之间或者所述第2外部连接端子与所述第2电路部件之间。
2.根据权利要求1所述的高频模块，其中，
还具备：过孔导体，形成于所述模块基板的内部，在与所述第2主面交叉的方向上延伸，被设定为接地电位，
所述金属屏蔽板在所述第2主面与所述过孔导体连接，
所述过孔导体的外径为金属屏蔽板的厚度以上。
3.根据权利要求2所述的高频模块，其中，
所述金属屏蔽板具有：
主体部，在所述第2主面的垂直方向上竖立设置；和
接合部，与所述第2主面平行地延伸设置，在所述第2主面与所述过孔导体连接。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的高频模块，其中，
还具备：
树脂构件，覆盖所述第1主面以及所述第1电路部件的至少一部分；和
金属屏蔽层，覆盖所述树脂构件的表面，被设定为接地电位，
所述金属屏蔽板比金属屏蔽层厚。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的高频模块，其中，
所述金属屏蔽板的距所述第2主面的高度为所述第2外部连接端子的距所述第2主面的高度以上。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的高频模块，其中，
所述第1电路部件为功率放大器，
所述第2电路部件为低噪声放大器，
所述第2外部连接端子为与所述功率放大器的输入端子连接的发送输入端子，
在俯视所述模块基板的情况下，所述金属屏蔽板配置在所述第2外部连接端子与所述第2电路部件之间。
7.根据权利要求1～5中任一项所述的高频模块，其中，
所述第1电路部件为功率放大器，
所述第2电路部件为低噪声放大器，
所述高频模块还具备：
天线连接端子；和
开关，对所述天线连接端子和所述功率放大器的连接以及非连接进行切换，并且，对所述天线连接端子和所述低噪声放大器的连接以及非连接进行切换，
所述第1外部连接端子为天线连接端子，
所述第2外部连接端子为与所述功率放大器的输入端子连接的发送输入端子或者与所述低噪声放大器的输出端子连接的接收输出端子，
在俯视所述模块基板的情况下，所述金属屏蔽板配置在所述第1外部连接端子与所述第2外部连接端子之间。
8.一种通信装置，具备：
RF信号处理电路，对由天线收发的高频信号进行处理；和
权利要求1～7中任一项所述的高频模块，在所述天线与所述RF信号处理电路之间传播所述高频信号。
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