CN1538739A - 光电探测传感器 - Google Patents

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Abstract

一种光电探测传感器可实现导电树脂和接地端子之间的可靠电连接，并且能够获得更大电磁屏蔽效果，以便能够在容易产生电磁噪音环境下使用该光电探测传感器。同时，该光电探测传感器不需要单独的金属网，从而使该光电探测传感器的造价低廉、制造简单、生产率高。在通过头部连接到接地端子的电连接部分形成通孔。电连接部分从透光树脂的表面伸出，并被封装在导电树脂中。该导电树脂被填充到通孔中，并与通孔的内表面象锚一样啮合，从而不会剥落。因此，可保证导电树脂的接地可靠，并可获得稳定的电磁屏蔽效果。

Description

光电探测传感器
技术领域
本发明涉及一种光电探测传感器，该传感器可应用于各种类型的电子设备，例如电视或者录像机，用来接收远程控制信号光。
背景技术
传统的用于远程控制的光电探测传感器，例如日本未审专利申请第H09-84162中所述，这种光电探测传感器具有一个光电探测芯片、一个控制用IC芯片、一个芯片电阻和一个芯片电容，所有这些元件均安装在一个引线架上，并被封装在具有一个透镜部分的绝缘透光树脂中。此外，为了屏蔽电磁噪音，透光树脂的上表面覆盖用导电树脂覆盖，引线架接地端子的带状伸出部分也覆盖以这种导电树脂，以此使将导电树脂和接地端子彼此电连接。
在这种传统的光电探测传感器中，在光电探测芯片前方的透光树脂的透镜部分覆盖以一个单独的部件，金属网，而不是导电树脂，以便红外远程信号光线可以被光电探测芯片接收到。这种金属网通过导电树脂的注塑模制被一体地固定到透镜部分。更详细的讲，将单独的部件金属网放在透光树脂的透镜部分，并将这些构件放入一个金属模具中，导电树脂在金属模具中注塑模制，从而将金属网一体地固定到透镜部分。
但是，在这种传统的光电探测传感器中，接地端子和导电树脂之间的电连接是通过用导电树脂覆盖从透光树脂上伸出的接地端子的带状伸出部分来实现的。所产生的问题是，导电树脂有可能由于温度的剧烈变化等因素产生的热应力而从接地端子剥落。这种剥落一旦发生将造成导电树脂和接地端子之间的电连接接触不良，从而导致电磁屏蔽效果下降。这样，传统光电探测传感器存在的问题是，不能在电磁噪音大的环境中使用。
而且，在上述的传统光电探测传感器中，将单独的部件金属网放置在透光树脂的透镜部分，并将这些构件放在金属模具中，导电树脂注塑模制，从而将金属网一体地固定到透镜部分。因此，需要使用一个单独的部件，金属网，将金属网安装到透镜部分会增加成本，耗时费力，降低了生产率。
发明内容
因此，本发明的一个目的是提供一种光电探测传感器，该传感器可以安全可靠地实现导电树脂和接地端子之间的电连接，并且可能够获得更大的电磁屏蔽效果，这样，即使在有电磁噪音的环境中也可以使用该光电探测传感器。
此外，本发明的另一个目的是提供一种光电探测传感器，它不需要单独的部件，金属网，从而使这种光电探测传感器的价格便宜，制造简单，生产率高。
为了实现上述目的，按照本发明，提供一种光电探测传感器，包括：
引线架，其具有接地端子、连接到该接地端子上的头部和信号输入/输出端子；
光电探测芯片，安装在引线架的头部表面上；
绝缘的透光树脂，用于封装光电探测芯片和一部分引线架，引线架的信号输入/输出端子的末端部分从透光树脂中伸出；
导电树脂，用于封装透光树脂的表面，但信号输入/输出端子的末端部分附近的透光树脂的至少端子侧的暴露部分除外，其中：
引线架包括：
电连接部分，其直接或间接连接到引线架的接地端子，并具有一个通孔，
该电连接部分从透光树脂中伸出并被封装在导电树脂中。
按照这种结构，由于直接或者间接连接到引线架的接地端子并且具有一个通孔的电连接部分被封装在导电树脂中，所以导电树脂进入该通孔中，从而使得导电树脂不容易从电连接部分上剥落。因此，在任何时候都能实现导电树脂的可靠接地，这样电磁屏蔽在任何时候都很可靠。即使在存在电磁噪音的环境中，也可以稳定地使用该光电探测传感器。
需要注意的是，该通孔的形状可以是诸如圆形、椭圆形和矩形等任一种形状。
在一个实施例中，该通孔的直径不小于引线架的板厚度。
在这个实施例中，因为该通孔的直径不小于引线架的板厚度，即不小于电连接部分的板厚度，所以在模制导电树脂时，导电树脂可以轻松的地进入通孔中，从而充分地进行填充。这样，导电树脂和电连接部分不容易彼此剥落，并且彼此可靠地电连接起来。已经发现，如果通孔的直径小于引线架的板厚度，导电树脂则不容易填充到通孔中，从而容易从电连接部分上剥落，在某些情况下不能安全地获得导电树脂和电连接部分之间的电连接。此外，还发现，对于通孔的直径，引线架(电连接部分)的板厚度具有关键的作用。
需要注意的是，本文的通孔的直径，对于圆形孔，是指孔的直径，对于椭圆形孔和矩形或其他多边形孔，则是指孔的内切圆的直径。
优选的是，对于直径更大的通孔，电连接部分的末端部分的宽度被做得更大，以使其面积大于其根部，更大的通孔被开在该更大面积的末端部分处。
按照本发明的一个方面，提供一种光电探测传感器，包括：
引线架，其具有接地端子、被连接到该接地端子上的头部和信号输入/输出端子；
安装在引线架头部表面的光电探测芯片；
绝缘透光树脂，用于封装光电探测芯片和一部分引线架，引线架的信号输入/输出端子的末端部分从透光树脂中伸出；
导电树脂，用于封装透光树脂表面，但信号输入/输出端子的末端部分附近的透光树脂的至少端子侧的暴露部分除外，其中，
透光树脂的端子侧的暴露部分在信号输入/输出端子延伸方向上的长度至少为0.2毫米。
在此结构中，因为透光树脂的端子侧的暴露部分在信号输入/输出端子延伸方向上的长度至少为0.2毫米，所以通过用金属模具夹紧端子侧的暴露部分，可以防止在浇注过程中导电树脂泄漏到信号输入/输出端子附近区域。因此，可有效地防止导电树脂和信号输入/输出端子之间发生短路。如果端子侧的暴露部分在信号输入/输出端子延伸方向上的长度小于0.2毫米，则不能有效地防止导电树脂和信号输入/输出端子之间发生短路，因为透光树脂封装相对于金属模具的放置存在一定的误差。
按照本发明的一个方面，还提供了一种光电探测传感器，包括：
引线架，其具有接地端子、被连接到该接地端子上的头部和信号输入/输出端子；
安装在引线架头部表面的光电探测芯片；
绝缘透光树脂，用于封装光电探测芯片和一部分引线架，引线架的信号输入/输出端子的末端部分从透光树脂中伸出；
导电树脂，用于封装透光树脂的表面，但信号输入/输出端子的末端部分附近的透光树脂的至少端子侧的暴露部分除外，其中，
引线架包括：
直接或者间接连接到接地端子的电连接部分，
该电连接部分从透光树脂中伸出，并被封装在导电树脂中，
该导电树脂的电阻率不大于100Ω·cm。
在这种结构中，因为导电树脂的电阻率不大于100Ω·cm，即使对于因焊接安装造成的热应力，导电树脂和电连接部分以及导电树脂和接地端子彼此也能稳定地电连接。因此，这种具有稳定的电磁屏蔽的光电探测传感器，即使在存在电磁噪音的环境中也能使用。如果导电树脂的电阻率大于100Ω·cm，导电树脂和接地端子之间的电连接的可靠性就会因热应力而急剧下降。
按照本发明的一个方面，还提供了一种光电探测传感器，包括：
引线架，其具有接地端子、被连接到该接地端子上的头部和信号输入/输出端子；
安装在引线架头部表面的光电探测芯片；
绝缘透光树脂，用于封装光电探测芯片和一部分引线架，引线架的信号输入/输出端子的末端部分从透光树脂中伸出；
导电树脂，用于封装透光树脂的表面，但信号输入/输出端子的末端部分附近的透光树脂的至少端子侧的暴露部分除外，其中，
透光树脂具有一个对着光电探测芯片的透镜部分，
在覆盖所述头部后表面的所述透光树脂的部分上，有一个没有被所述导电树脂覆盖而是暴露的后表面侧的暴露部分，被所述透光树脂覆盖的所述头部后表面一侧与所述头部安装有所述光电探测芯片的表面一侧相反，该后表面侧的暴露部分对着所述头部的后表面，并且该后表面侧的暴露部分在所述头部后表面上的投影落在所述头部后表面的轮廓内。
在这种结构中，在覆盖所述头部后表面的所述透光树脂的部分上，有一个没有被所述导电树脂覆盖而是暴露的后表面侧的暴露部分，被所述透光树脂覆盖的所述头部后表面一侧与所述头部安装有所述光电探测芯片的表面一侧相反，该后表面侧的暴露部分对着所述头部的后表面，并且该后表面侧的暴露部分在所述头部后表面上的投影落在所述头部后表面的轮廓内。因此，通过将头部自身靠近并电连接到接地端子，使安装在头部表面的光电探测芯片等可以屏蔽掉来自后表面侧的电磁噪音。因此，即使在存在电磁噪音的环境中也可以使用该光电探测传感器。
此外，可以通过在模制导电树脂的过程中用固定销压透光树脂的后表面侧的暴露部分，使透镜的必要区域与金属模具的内表面紧密接触。因此透光树脂封装可以高度精确地放置在金属模具中，以便导电树脂的厚度能够达到高精度要求的均匀性，而且还可防止导电树脂泄漏到透镜部分的表面。除此之外，尽管固定销接触的后表面侧的暴露部分没有用导电树脂覆盖，也没有关系，因为可以用头部来进行电磁屏蔽，如上所述。
按照本发明，提供一种制造光电探测传感器的方法，包括以下步骤：
将光电探测芯片安装到与引线架的接地端子相连的引线架的头部表面上，该头部表面与引线架的接地端子连接，并将光电探测芯片和一部分引线架封装在具有一个对着光电探测芯片的透镜部分的绝缘透光树脂中，该绝缘透光树脂中具有一个对着光电探测芯片的透镜部分，由此形成透光树脂封装；以及
将该透光树脂封装放置在与导电树脂一起使用的金属模具中，用一个固定销朝一个方向压透光树脂封装中透光树脂的对着头部后表面并对应于头部后表面轮廓内部的表面，这样至少使一部分透镜部分与金属模具的内表面紧密接触，然后将导电树脂注入金属模具中，从而将除了所述至少一部分透镜之外的透光树脂都被封装在导电树脂中。
在这种结构中，当透光树脂封装被放置在金属模具中以便用导电树脂将其封装在导电树脂中时，对着头部后表面并对应于头部后表面轮廓内部的透光树脂封装的透光树脂表面被一个固定销向一个方向压，以便使至少一部分透镜部分与金属模具内表面紧密接触。因此，透光树脂封装可以高度精确地放置在金属模具中，以便使导电树脂的厚度能达到高精度要求的均匀性，而且，可以防止导电树脂泄漏到透镜部分的表面。此外，被固定销压着的透光树脂的区域，对着头部的后表面并且对应于头部后表面的轮廓内部，没有用导电树脂覆盖。而且，因为该区域对着头部后表面并且对应于头部后表面的轮廓内部，所以头部自身就可以实现对光电探测芯片等部件的电磁屏蔽。因此，按照本发明的光电探测传感器的制造方法，能够简单、低廉地制造这种可以实现有效电磁噪音屏蔽的光电探测传感器。
此外，按照本发明的一个方面，提供一种光电探测传感器，包括：
引线架，其具有接地端子、被连接到该接地端子上的头部和信号输入/输出端子；
安装在引线架头部表面的光电探测芯片；
绝缘透光树脂，用于封装光电探测芯片和一部分引线架，引线架的信号输入/输出端子的末端部分从透光树脂中伸出；
导电树脂，用于封装透光树脂的表面，但信号输入/输出端子的末端部分附近的透光树脂的至少端子侧的暴露部分除外，其中，
透光树脂具有一个对着光电探测芯片的透镜部分，
该光电探测传感器还包括一个网状导电树脂，覆盖透镜部分的一部分表面。
在这种结构中，因为透镜部分的一部分表面覆盖以网状导电树脂，所以可防止来自透镜部分的电磁噪音的侵入。同时，可以探测到红外远程控制信号光线。因此，即使在电磁噪音大的环境中也能够防止接收距离特性的显著恶化。
此外，因为该光电探测传感器不使用任何单独的部件，如金属网等，所以不需要单独部件的组装步骤。而且，因为网状导电树脂可以通过注塑模制一体模制，所以，该光电探测传感器的制造简单，成本低廉，生产率高。
附图说明
本发明通过下面的详细说明将变得更加清楚，附图仅用于说明目的，并不用于限制本发明：
图1A是按照本发明的第一个实施例的光电探测传感器的平面图，图1B是该光电探测传感器的侧面图；
图2A是该光电探测传感器的水平剖视图，图2B是该光电探测传感器的垂直剖视图；
图3A是图2A中X指示部分的放大图，图3B是沿图3A中B-B′线的剖视图；
图4A是比较实例的主要部分的剖视图，图4B是沿图4A中B-B′线的剖视图；
图5是用各种电阻率的导电树脂制造的如图1至3所示结构的光电探测传感器上使用的焊料耐热性可靠性试验的结果曲线；
图6A和6B显示了可靠性试验的方法；
图7A和7B是用于解释光电探测传感器制造方法的水平剖视图和垂直剖视图；
图8是比较实例的光电探测传感器的制造方法的剖视图；
图9是光电探测传感器的抗电磁噪音特性曲线；
图10A和10B是按照本发明第二实施例的光电探测传感器的平面图和侧面图。
具体实施方式
下面将结合附图所示的实施例详细说明本发明。
(实施例1)
图1A是按照本发明的第一个实施例的光电探测传感器的平面图，图1B是该光电探测传感器的侧面图。图2A是该光电探测传感器的水平剖视图，图2B是该光电探测传感器的垂直剖视图。
如图1A和1B所示，该光电探测传感器的结构是：引线架4的一部分被封装在具有透镜部分3的绝缘透光树脂2中，该透光树脂2的一部分被封装在导电树脂1中。
如图2A和2B所示，引线架4包括信号输入/输出端子4a、4b、接地端子4c、连接到接地端子4c的头部4d和从头部4d向与接地端子4c延伸的方向相反的方向延伸的电连接部分4e、4e。在头部4d表面安装有光电探测芯片5、控制用IC(集成电路)芯片6。用金线或类似导线将光电探测芯片5和控制用IC芯片6连接到电连接部分4e和接地端子4c以便使其接地，而且，用金线或类似导线将控制用芯片6连接到信号输入/输出端子4a、4b。此外，用金线或类似导线将光电探测芯片5和控制用芯片6彼此连接起来。
同时，将引线架4的一部分、光电探测器芯片5和控制用IC芯片6封装在具有透镜部分3的透光树脂2中。透镜部分3正对着光电探测芯片5的前面以便将光线汇聚到光电探测器芯片5上。
引线架4的每个电连接部分4e、4e的末端侧从透光树脂2表面伸出。电连接部分4e分别具有一个头部4d侧根部和一个末端侧部分，其中末端侧部分宽度大于头部4d侧根部的宽度。在这个较大宽度的末端侧部分有一个通孔8，例如一个圆形孔。通孔8的尺寸，即直径，被设置得大于引线架4的板厚度。需要注意的是通孔8也可以是圆形以外的任何其他形状，例如椭圆形或者多边形或者其他形状的孔。在椭圆形或者多边形或者其他形状的情况下，其直径被定义为它的内切圆直径。
此外，为了进行电磁屏蔽，透光树脂2的表面覆盖以导电树脂1。但是，为了使红外远程控制信号光线可以被光电探测芯片5接收到，在导电树脂1中对应于透镜部分3有一个环形开口，以防止光电探测芯片5前面的透镜部分3被封装在导电树脂1中。
为了将导电树脂1接地，通过头部4d连接到接地端子4c的电连接部分4e、4e被封装到导电树脂1中。这样，通过将从透光树脂2表面伸出的电连接部分4e封装在导电树脂1中，如图3A和3A所示，导电树脂1被引入并被填充到电连接部分4e的末端侧较大宽度部分处的通孔8中，这样，已经进入到通孔8中的导电树脂1与电连接部分4e的通孔8的内表面啮合，类似一个锚，从而使导电树脂1不容易从电连接部分4e剥落。因此，可使导电树脂1稳定可靠地接地，这样在任何时候都能获得可靠的电磁屏蔽效果。因此，即使在存在电磁噪音的环境中也可以使用该光电探测传感器。
如果通孔8的尺寸(直径)太小，在模制导电树脂1时，导电树脂1不能被充分的注入到通孔8中，存在未填充状态，从而导致填充不充分，则不能充分地电连接。因此，通过设置通孔8的尺寸不小于引线架4的板厚度，换句话说，通过使通孔8的开口部分的直径大于通孔8的深度(引线架4的板厚度)，可以将导电树脂1充分填充到通孔8中，以便显著提高接地可靠性。因此，第一个实施例的光电探测传感器可以充分获得电磁屏蔽，即使在存在电磁噪音的环境中也可以稳定使用。另外，在第一个实施例中，因为在电连接部分4e、4e的末端侧较大宽度部分分别具有通孔8、8，通孔8、8的直径可以做得足够大。
图4A是一个比较实例的主要部分的剖视图，图4B是沿图4A中B-B′线的剖视图。从图4A和4B可以看出，当从绝缘透光树脂2表面伸出的引线架40的矩形板状电连接部分40e被封装在导电树脂1中时，由工作环境温度的剧烈变化产生的热应变，将使导电树脂1从矩形板状电连接部分40e上剥落，两种之间将产生一个空隙12。结果，导电树脂1和矩形板状电连接部分40e之间的电连接将变得不稳定，使其不能实现充分的电磁屏蔽。因此，该比较实例的光电探测传感器不能在有电磁噪音的环境中使用。
图5是用各种电阻率的导电树脂制造的如图1A、1B至3A、3B所示结构的光电探测传感器上进行的焊料耐热性可靠性试验的结果曲线，试验中测试了导电树脂1是否稳定接地，即导电树脂1和接地端子4C是否稳定地彼此电连接。
当进行可靠性试验时，进行了浸泡试验，将一部分光电探测传感器插入浸焊浴中。在图5中，垂直轴代表接地端子4C和与透镜部分3一侧相对的另一侧上的导电树脂1之间的电阻率值Ω，而水平轴代表，以“260℃×1秒封装浸泡”为例，将封装(导电树脂1)在260℃熔融焊料中浸泡1秒以后进行测量，如图6A所示，再以“260℃×10秒引线浸泡”为例，即，将引线(信号输入/输出端子4a、4b和接地端子4c)在260℃熔融焊料中浸泡10秒后进行测量，如图6B所示。图6A的试验是用熔融焊料从表面直接加热封装(导电树脂1)，图6B的试验是用熔融焊料加热引线(信号输入/输出端子4a、4b和接地端子4c)，其目的在于通过从封装内部加热，以便使热沿着引线传导来加热封装中的导线、光电探测芯片5、控制用IC芯片6等。同时，在附图5中，●表示导电树脂1的电阻率Ω·cm是10的0次幂的情况，×表示导电树脂1的电阻率Ω·cm是10的2次幂的情况，■表示导电树脂1的电阻率是10的4次幂的情况。
从图5中可看出，当导电树脂1的电阻率Ω·cm是10的0次幂时，用●表示，在所有测量中电阻率值都稳定在较低水平，当导电树脂1的电阻率Ω·cm是10的4次幂时，用■表示，在进行用于加热的浸泡试验时，电阻率值急剧增加。同样，当导电树脂1的电阻率Ω·cm是10的2次幂时，用×表示，在进行浸泡试验时电阻率值显示出明显下降趋势。另外，当导电树脂1的电阻率Ω·cm是10的3次幂时，这里未示出，显示出与用■表示的电阻率Ω·cm为10的4次幂时的趋势基本类似。
从这些结果可以看出，导电树脂1的电阻率Ω·cm要设置为不大于10的2次幂，也就是说，不大于100Ω·cm，以便实现导电树脂1的稳定接地。在第一个实施例中，因为导电树脂1的电阻率被设置为不大于100Ω·cm，所以导电树脂1可以稳定接地。
下面参照图7A和7B详细说明制造第一个实施例的光电探测传感器的方法以及该光电探测传感器的后侧结构等。
首先，如图7A和7B所示，光电探测芯片5和控制用IC芯片6被安装在引线架4的头部4d的表面，然后，用金属模具(未示出)将光电探测芯片5、控制用IC芯片6和一部分引线架4封装在具有透镜部分3的绝缘透光树脂2中，该透镜部分3对着光电探测芯片5的前面。
然后，将透光树脂封装200放在金属模具10a，10b的型腔中，以便与导电树脂一起使用，透光树脂封装200的透光树脂2端子侧的暴露部分22和一部分引线架4被金属模具10a、10b夹紧。该端子侧的暴露部分22位于引线架4的基本平行的信号输入/输出端子4a、4b和接地端子4c的末端部分附近，它具有平滑的平面表面，与金属模10a、10b的夹紧面接触。因此，即使在后续步骤中将导电树脂1填充到金属模具10a、10b的型腔中时，导电树脂1也不会覆盖端子侧的暴露部分22，这样该端子侧的暴露部分22就会出现在图2A所示的完成的光电探测传感器中。透光树脂2端子侧的暴露部分22被设计为沿着信号输入/输出端子4a、4b延伸方向的长度至少为0.2毫米，如图7B所示。因此，通过用金属模具10a、10b夹紧长度等于或者大于0.2毫米端子侧的暴露部分22，可以保证在模制过程中导电树脂1不会泄漏到信号输入/输出端子4a、4b附近区域。这样，可以可靠地防止导电树脂1和信号输入/输出端子4a，4b之间发生短路。如果端子侧的暴露部分22在信号输入/输出端子4a、4b延伸方向上的长度小于0.2毫米，则不能可靠地避免导电树脂1和信号输入/输出端子4a、4b之间发生短路，因为透光树脂封装200相对于金属模具10a、10b的设置误差最大大约为0.05毫米。
另一方面，金属模具10a上有一个可以自由地来回移动的固定销9，如图7B所示。通过固定销9可将透光树脂封装200压在金属模具10b的内表面上，使透镜部分3与金属模具10b的内表面紧密接触，以便将透光树脂封装200高度精确地放置在金属模具10a、10b中。这样，可以防止后形成的导电树脂1泄漏到透镜部分3的表面，而且，可以控制导电树脂1的厚度，使其基本均匀和精确。
如果没有固定销9，由于在模制导电树脂1时来自导电树脂1或类似物的压力，透光树脂封装200的位置将会移动，如图8的比较实例所示。在这种情况下，导电树脂1的厚度将变得不均匀，而且透镜部分3的表面将被导电树脂1覆盖。
另外，如图7A、7B所示，固定销9的顶端压住透光树脂封装200的透光树脂2，对着引线架4的头部4d的后侧并且对应于头部4d后侧的轮廓内部。即，固定销9的顶端面在头部4d后侧上的投影面落在头部4d的内部(在头部4d的轮廓内)，如图7A所示。
在这种状态下，当导电树脂1被填充到金属模具10a、10b中时，如图7A、7B所示，因为透镜部分3与金属模具10b的内表面紧密接触，所以导电树脂1不会泄漏到透镜部分3表面，因此不会盖住透镜部分3。同样，由于固定销9的顶端与透光树脂封装200的透光树脂2紧密接触，所以固定销9的顶端与透光树脂2紧密接触的区域不会被导电树脂1覆盖，从而形成透光树脂2的后表面侧的暴露部分23。该后表面侧的暴露部分23与引线架4的后表面相对，因为固定销9的顶端面对应于头部4d的内部。即，该后表面侧的暴露部分23在头部4d后表面上的投影落在头部4d后表面的轮廓内。
如上所述，透光树脂2有一个没有覆盖导电树脂1的后表面侧的暴露部分23，透光树脂2的这个后表面侧的暴露部分23与头部4d的后表面轮廓内部相对，并且在其表面安装有光电探测芯片5或类似芯片的头部4d被电连接到接地端子4c。因此，对于来自后表面侧的暴露部分23的电磁噪音，头部4d自身具有电磁屏蔽效果。
因此，按照第一个实施例的光电探测传感器的制造方法，可以通过简单方法和低成本制造出该光电探测传感器，该光电探测传感器可以实现对电磁噪音的可靠的电磁屏蔽，可以在存在电磁噪音的环境中稳定的使用，其中导电树脂1的厚度基本均匀和精确，透镜部分3的表面不会被导电树脂1覆盖。
图9是第一个实施例、比较实例和使用金属屏蔽外壳的传统光电探测传感器的抗电磁辐射噪音特性曲线。在图9中，垂直轴代表远程控制信号的接收覆盖距离(米)，而水平轴代表从电视的阴极射线管到光电探测传感器之间的距离(毫米)。同样，在图9中，●表示第一个实施例的导电树脂1的电阻率为10的0次幂的情况，即一阶的Ω·cm值，■表示第一个实施例的导电树脂1的电阻率为10的2次幂(100Ω·cm)的情况，□表示比较实例的导电树脂的电阻率Ω·cm为10的4次幂(10,000Ω·cm)的情况，×表示使用金属屏蔽外壳的传统光电探测传感器的情况。
从图9可以看出，在导电树脂1的电阻率为10的0次幂和10的2次幂的情况下，该光电探测传感器具有与使用金属屏蔽外壳的传统光电探测传感器相当的抗电磁噪音特性，但是，在电阻率为10的4次幂的情况下，该光电探测传感器的接收覆盖距离较短，这样与传统金属屏蔽外壳类型相比抗电磁噪音特性稍差。另外，在导电树脂1的电阻率为10的3次幂的情况下(未示出)，显示出与用□表示的电阻率为10的4次幂的情况类似的趋势。
从这些结果可以看出，导电树脂1的电阻率Ω·cm要不大于10的2次幂，即，不大于100Ω·cm，以便获得与使用金属屏蔽外壳的光电探测传感器相当的抗电磁噪音特性。在第一个实施例中，因为导电树脂1的电阻率被设置为不大于100Ω·cm，所以该光电探测传感器具有与使用金属屏蔽外壳的传统光电探测传感器相当的抗电磁屏蔽特性。
尽管在第一个实施例中，电连接部分4e位于头部4d上与接地端子4c相反的一侧，但是电连接部分可以在任何位置，只要直接或间接电连接到接地端子即可。例如，当信号输入/输出端子和接地端子不平行并且彼此距离较大时(未示出)，具有通孔的电连接部分可以直接连到接地端子的根部，并被封装在导电树脂中。
此外，尽管在第一个实施例中的通孔是圆孔，但是通孔可以是任何形状，例如椭圆形或者多边形或者其他形状的孔。此外，此处的通孔包括所谓的单侧孔，例如切口、皱纹(包括波形和三角波形)，位于电连接部分的外围部分上，以便在引线架的板厚度方向上穿过引线架延伸。在这种单侧孔的情况下，孔的尺寸假设为其侧壁面的内切圆的直径。
(实施例2)
图10A是按照本发明第二个实施例的光电探测传感器的平面图，图10B是该光电探测传感器的侧面图。
在图10A、10B中，与图1和2所示的第一个实施例中的光电探测传感器中相同的部件用相同的附图标记表示，省略对其的说明。
如图10A、10B所示，透镜部分3的一部分表面被网状导电树脂11覆盖。该导电树脂11与前述的导电树脂1结合，这些导电树脂1、11可以通过注塑方法模制在一起。
需要注意的是，导电树脂11的网状结构并不局限于图10A、10B所示的形式，可以是，例如，多个同心圆和多个放射线的组合。
在这种结构中，因为透镜部分3的一部分表面被网状导电树脂覆盖，所以可防止来自透镜部分3的电磁噪音的侵入，同时可以探测到红外远程控制信号光线。因此，可防止接收距离特性在电磁噪音大的环境中显著降低。
另外，因为第二个实施例的光电探测传感器不使用任何单独的部件，例如金属网，所以不需要进行单独部件的组装步骤。而且，因为网状导电树脂11可以通过注塑方法模制在一起，所以该光电探测传感器的制造简单，造价低廉，生产率高。
从上述描述可知，按照本发明的光电探测传感器，因为直接或者间接连接到引线架的接地端子并且具有通孔的电连接部分被封装在导电树脂中，导电树脂进入通孔中，导电树脂不容易从电连接部分剥落，所以，在任何时候都能使导电树脂可靠地接地，从而在任何时候都能可靠地实现电磁屏蔽。因此，该光电探测传感器即使在存在电磁噪音的环境下也可以稳定地使用。
在本发明的光电探测传感器中，透光树脂端子侧的暴露部分在信号输入/输出端子延伸方向上的长度至少为0.2毫米，能够可靠地防止导电树脂和信号输入/输出端子之间发生短路。
在本发明的光电探测传感器中，因为导电树脂的电阻不大于100Ω·cm，所以，导电树脂和电连接部分，以及导电树脂和接地端子能够稳定地彼此电连接，甚至能够克服焊接安装和类似因素导致的热应力。因此这种具有稳定电磁屏蔽的光电探测传感器可以在存在电磁噪音的环境下使用。
在本发明的光电探测传感器中，没有覆盖导电树脂而是暴露的后表面侧的暴露部分位于覆盖头部后表面的透光树脂的一部分上。覆盖透光树脂的头部后表面一侧与头部安装光电探测芯片的一侧相反，后表面侧的暴露部分对着头部后表面，后表面侧的暴露部分在头部后表面上的投影面落在头部后表面的轮廓内。因此，通过将头部自身靠近并电连接到接地端子，可使安装在头部表面的光电探测芯片或类似芯片屏蔽掉来自后表面侧的电磁噪音。因此，即使在存在电磁噪音的环境中也可以使用该光电探测传感器。
另外，在模制导电树脂的过程中，通过一个固定销压住透光树脂的后面暴露部分，使透镜的必要区域与金属模具的内表面紧密接触。因此，透光树脂封装可以高度精确地放置在金属模具中，以便使导电树脂获得高精度要求的均匀性，并且可防止导电树脂泄漏到透镜部分表面。
在本发明的光电探测传感器的制造方法中，当透光树脂封装被放置在与导电树脂一起使用的金属模具时，透光树脂封装中透光树脂的对着头部后表面并对应于头部后表面轮廓线内部的表面，被一个固定销沿一个方向压住，使至少一部分透镜部分与金属模具的内表面紧密接触。这样，透光树脂封装可以高度精确地放置在金属模具中，以便导电树脂的厚度可以按照高精度要求制造得基本均匀，而且可防止导电树脂泄漏到透镜部分的表面。此外，被固定销压住的透光树脂封装的区域，对着头部后表面并且对应于头部后表面的轮廓内部，没有覆盖导电树脂。而且，因为该区域对着头部后表面，并且对应于头部后表面的轮廓内部，所以，头部自身就可以实现对光电探测芯片和类似芯片的电磁屏蔽。因此，按照本发明的光电探测传感器的制造方法，透光树脂封装可以高精确度地放在金属模具中，以便导电树脂的厚度可以按照高精度要求制造得基本均匀，并且防止导电树脂泄漏到透镜部分表面。另外，这种可实现有效电磁噪音屏蔽并可在电磁噪音环境下使用的光电探测传感器的制造简单，价格低廉。
在本发明的光电探测传感器中，因为透镜部分的一部分表面被覆盖以网状导电树脂，所以可防止来自透镜部分的电磁噪音的侵入，同时可以探测到红外远程控制信号光线。因此，即使在产生大电磁噪音的环境下也可防止接收距离特性的显著恶化。
另外，因为这种光电探测传感器不使用任何的单独部件，比如金属网，所以，不需要单独部件的组装步骤。此外，因为网状导电树脂可以通过注塑成型而模制在一起，所以该光电探测传感器的制造简单、价格低廉、生产率高。
上述对本发明的描述，很显然可以有多种变化。这种变化不能认为超出本发明的精神和范围。对于本领域普通技术人员来说，显而易见，所有这种修改均被包含在权利要求的范围内。

Claims (11)

1.一种光电探测传感器，包括：
引线架，其具有接地端子、连接到该接地端子上的头部和信号输入/输出端子；
安装在所述引线架头部表面的光电探测芯片；
绝缘的透光树脂，用于封装所述光电探测芯片和所述引线架的一部分，所述引线架的所述信号输入/输出端子的末端部分从所述透光树脂伸出；
导电树脂，用于封装所述透光树脂的表面，但所述信号输入/输出端子末端部分附近的所述透光树脂的至少端子侧的暴露部分除外，其中，
所述引线架包括：
电连接部分，直接或者间接连接到所述接地端子，并具有通孔，
该电连接部分从所述透光树脂中伸出并被封装在所述导电树脂中。
2.按照权利要求1的光电探测传感器，其特征在于：所述通孔的直径不小于所述引线架的板厚度。
3.按照权利要求1的光电探测传感器，其特征在于：所述透光树脂端子侧的暴露部分在所述信号输入/输出端子延伸方向上的长度至少为0.2毫米。
4.按照权利要求1的光电探测传感器，其特征在于：所述导电树脂的电阻率不大于100Ω·cm。
5.按照权利要求1的光电探测传感器，其特征在于：
所述透光树脂具有对着所述光电探测芯片的透镜部分，
在覆盖所述头部后表面的所述透光树脂的部分上，有一个没有被所述导电树脂覆盖而是暴露的后表面侧的暴露部分，被所述透光树脂覆盖的所述头部后表面一侧与所述头部安装有所述光电探测芯片的表面一侧相反，该后表面侧的暴露部分对着所述头部的后表面，并且该后表面侧的暴露部分在所述头部后表面上的投影落在所述头部后表面的轮廓内。
6.按照权利要求1的光电探测传感器，其特征在于：
所述透光树脂具有一个对着所述光电探测芯片的透镜部分，
所述光电探测传感器还包括网状导电树脂，该网状导电树脂覆盖所述透镜部分的一部分表面。
7.一种光电探测传感器，包括：
引线架，其具有接地端子、连接到该接地端子上的头部和信号输入/输出端子；
安装在所述引线架头部表面的光电探测芯片；
绝缘的透光树脂，用于封装所述光电探测芯片和所述引线架的一部分，所述引线架的所述信号输入/输出端子的末端部分从所述透光树脂伸出；
导电树脂，用于封装所述透光树脂的表面，但所述信号输入/输出端子的末端部分附近的所述透光树脂的至少端子侧的暴露部分除外，其中，
所述透光树脂的端子侧的暴露部分在所述信号输入/输出端子延伸方向上的长度至少为0.2毫米。
8.一种光电探测传感器，包括：
引线架，其具有接地端子、连接到该接地端子上的头部和信号输入/输出端子；
安装在所述引线架头部表面的光电探测芯片；
绝缘的透光树脂，用于封装所述光电探测芯片和所述引线架的一部分，所述引线架的所述信号输入/输出端子的末端部分从所述透光树脂伸出；
导电树脂，用于封装所述透光树脂的表面，但所述信号输入/输出端子的末端部分附近的所述透光树脂的至少端子侧的暴露部分除外，其中，
所述引线架包括：
直接或者间接连接到所述接地端子上的电连接部分，
该电连接部分从所述透光树脂伸出，并被封装在所述导电树脂中，
该导电树脂的电阻率不大于100Ω·cm。
9.一种光电探测传感器，包括：
引线架，其具有接地端子、连接到该接地端子上的头部和信号输入/输出端子；
安装在所述引线架头部表面的光电探测芯片；
绝缘的透光树脂，用于封装所述光电探测芯片和所述引线架的一部分，所述引线架的所述信号输入/输出端子的末端部分从所述透光树脂伸出；
导电树脂，用于封装所述透光树脂的表面，但所述信号输入/输出端子的末端部分附近的所述透光树脂的至少端子侧的暴露部分除外，其中，
所述透光树脂具有一个对着所述光电探测芯片的透镜部分，
在覆盖所述头部后表面的所述透光树脂的部分上，有一个没有被所述导电树脂覆盖而是暴露的后表面侧的暴露部分，被所述透光树脂覆盖的所述头部后表面一侧与所述头部安装有所述光电探测芯片的表面一侧相反，该后表面侧的暴露部分对着所述头部的后表面，并且该后表面侧的暴露部分在所述头部后表面上的投影落在所述头部后表面的轮廓内。
10.一种制造光电探测传感器的方法，包括以下步骤：
将光电探测芯片安装到与引线架的接地端子相连的引线架头部表面上，并将光电探测芯片和一部分引线架封装在具有一个对着光电探测芯片的透镜部分的绝缘的透光树脂中，由此形成透光树脂封装；
将透光树脂封装放在与导电树脂一起使用的金属模具中，通过固定销朝一个方向压透光树脂封装中透光树脂的对着头部后表面并对应于头部后表面轮廓内部的表面，这样至少使一部分透镜部分紧密接触金属模具的内表面，然后将导电树脂注入金属模具中，从而将除了所述至少一部分透镜部分之外的透光树脂封装封装在导电树脂中。
11.一种光电探测传感器，包括：
引线架，其具有接地端子、连接到该接地端子上的头部和信号输入/输出端子；
安装在所述引线架头部表面的光电探测芯片；
绝缘的透光树脂，用于封装所述光电探测芯片和所述引线架的一部分，所述引线架的所述信号输入/输出端子的末端部分从所述透光树脂伸出；
导电树脂，用于封装所述透光树脂的表面，但所述信号输入/输出端子的末端部分附近的所述透光树脂的至少端子侧的暴露部分除外，其中，
所述透光树脂具有一个对着所述光电探测芯片的透镜部分，
所述光电探测传感器还包括网状导电树脂，该网状导电树脂覆盖所述透镜部分的一部分表面。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101401206B (zh) * 2006-03-29 2011-04-13 京瓷株式会社 电路组件和无线通信设备、以及电路组件的制造方法
CN102740666A (zh) * 2011-04-01 2012-10-17 株式会社电装 具有用于电噪声的防范措施的电子部件装置
CN104969417A (zh) * 2013-02-08 2015-10-07 株式会社京浜 电路装置及其制造方法
CN108493261A (zh) * 2018-03-13 2018-09-04 谱诉光电科技（苏州）有限公司 光电传感器封装及封装方法

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI257181B (en) * 2003-07-28 2006-06-21 Rohm Co Ltd Semiconductor module
JP3991018B2 (ja) * 2003-09-01 2007-10-17 シャープ株式会社 半導体装置
JP2005347632A (ja) * 2004-06-04 2005-12-15 Sharp Corp 半導体装置および電子機器
JP2006261302A (ja) * 2005-03-16 2006-09-28 Rohm Co Ltd 光通信モジュール
JP3971784B1 (ja) * 2006-08-29 2007-09-05 シャープ株式会社 光学式エンコーダおよびそれを用いた電子機器
KR101364997B1 (ko) * 2007-01-11 2014-02-19 삼성디스플레이 주식회사 백라이트 어셈블리 및 이를 구비한 표시 장치
JP2009043908A (ja) * 2007-08-08 2009-02-26 Sharp Corp 光半導体装置及びそれを用いた電子機器
US8021043B2 (en) * 2009-03-30 2011-09-20 Carestream Health, Inc. Magnetic shielding for portable detector
DE102009029283A1 (de) * 2009-09-08 2011-03-24 Robert Bosch Gmbh Modul und Verfahren zur Herstellung eines Moduls
US9228902B2 (en) * 2010-07-08 2016-01-05 Cvg Management Corporation Infrared temperature measurement and stabilization thereof
US10782187B2 (en) * 2010-07-08 2020-09-22 Cvg Management Corporation Infrared temperature measurement and stabilization thereof
JP6281697B2 (ja) * 2014-03-15 2018-02-21 オムロン株式会社 フォトセンサ
TWI657237B (zh) * 2018-02-21 2019-04-21 茂達電子股份有限公司 光學偵測裝置及光學封裝結構

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3560813A (en) * 1969-03-13 1971-02-02 Fairchild Camera Instr Co Hybridized monolithic array package
US4309717A (en) * 1979-07-16 1982-01-05 Rca Corporation Coaxially mounted high frequency light detector housing
US4439006A (en) * 1981-05-18 1984-03-27 Motorola, Inc. Low cost electro-optical connector
JPS612371A (ja) * 1984-06-14 1986-01-08 Mitsubishi Electric Corp 半導体受光装置
JPH02260658A (ja) * 1989-03-31 1990-10-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像部品
JP2628395B2 (ja) * 1990-03-23 1997-07-09 北陸電気工業株式会社 焦電型赤外線検出器
US5089861A (en) * 1990-05-09 1992-02-18 Rohm Co., Ltd. Semiconductor laser device with mounting block
JP2661521B2 (ja) * 1993-09-25 1997-10-08 日本電気株式会社 半導体受光装置
US5567972A (en) * 1993-11-05 1996-10-22 Oki Electric Industry Co., Ltd. Optical element mounted on a base having a capacitor imbedded therein
JPH0984162A (ja) 1995-09-14 1997-03-28 Sharp Corp リモコン受光ユニット
TW418422B (en) * 1998-05-20 2001-01-11 Rohm Co Ltd Reflection-type sensor
JP4494587B2 (ja) * 2000-05-11 2010-06-30 古河電気工業株式会社 光半導体素子用パッケージおよび前記パッケージを用いた光半導体素子モジュール
US6627814B1 (en) * 2002-03-22 2003-09-30 David H. Stark Hermetically sealed micro-device package with window

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101401206B (zh) * 2006-03-29 2011-04-13 京瓷株式会社 电路组件和无线通信设备、以及电路组件的制造方法
CN102740666A (zh) * 2011-04-01 2012-10-17 株式会社电装 具有用于电噪声的防范措施的电子部件装置
CN104969417A (zh) * 2013-02-08 2015-10-07 株式会社京浜 电路装置及其制造方法
CN104969417B (zh) * 2013-02-08 2018-01-02 株式会社京浜 自动二轮车的发动机控制单元及其制造方法
CN108493261A (zh) * 2018-03-13 2018-09-04 谱诉光电科技（苏州）有限公司 光电传感器封装及封装方法

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