JP3991018B2 - 半導体装置 - Google Patents

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Description

この発明は、受光素子と信号処理部を有する半導体装置に関し、例えば、ＴＶ(テレビ受像機),ＶＴＲ(ビデオテープレコーダ),オーディオ用コンポーネント,エアコンディショナ等の電子機器に取り付けられ、送信機からの赤外線信号を受信して各電子機器の動作を制御する制御信号を発生する光通信用半導体装置に関する。
従来、光通信用半導体装置としては、基板上に受光チップおよび制御用ＩＣチップを有し、それらのチップを赤外透過性樹脂で封止したものがある。
この光通信用半導体装置は、送信機から赤外線で送られてくる各種電子機器の制御信号を受信する。この赤外線で送られてくる信号は非常に微小であるので、上記光通信用半導体装置には、高ゲインのアンプが内蔵されており、このアンプで上記赤外線による光信号を増幅し、光信号をデジタル信号に変換して出力している。したがって、上記光通信用半導体装置は、ノイズには非常に敏感である。
そこで、このノイズ対策のため、上記赤外透過性樹脂を金属製のシールドケースでカバーし、上記光通信用半導体装置をユーザー側で基板に実装する際に、上記シールドケースの端部を上記基板のＧＮＤ端子に電気的に接続して、ノイズを除去している。
ただし、この場合、次の(ａ)〜(ｃ)の問題があった。
(ａ) シールドケースで装置を覆う為の工数がかかる。
(ｂ) シールドケース自体にコストがかかる。
(ｃ) シールドケースの形状によっては基板への実装自由度が制約を受ける。
そこで、上記シールドケースに代えて、導電性樹脂を有し、この導電性樹脂でもって、上記赤外透過性樹脂の受光領域以外を覆い、かつ、上記赤外透過性樹脂の端部から突き出させたリードフレームに上記導電性樹脂を電気的に接続することも提案されている(特開平９−８４１６２号公報参照)。
ところが、上記従来例では、リードフレームと導電性樹脂との電気的接触が不十分に成り易くて、シールド効果が不十分に成り易いという問題があった。
特開平９−８４１６２号公報
そこで、この発明の課題は、電磁シールド効果を十分に得られると共に、小型,低コストで基板への実装自由度が高い半導体装置を提供することにある。
上記課題を解決するため、この発明の半導体装置は、リードフレームと、このリードフレームに搭載された受光素子と、上記リードフレームに搭載されると共に上記受光素子に電気的に接続された信号処理部と、上記受光素子と信号処理部を封止すると共に透光性樹脂で作製された第１封止部と、上記第１封止部を覆うと共に導電性樹脂で作製された第２封止部とを備えた半導体装置であって、
上記第２封止部は上記リードフレームが有するグランド接続用リードに接触する導電部を有し、
上記グランド接続用リードまたは上記第１封止部の少なくとも一方は、上記第２封止部の上記導電部が充填された充填孔を有することを特徴としている。
この発明によれば、透光性樹脂で作製された第１封止部を覆う第２封止部が導電性樹脂で作製されたから、この第２封止部は第１封止部で封止された受光素子と信号処理部に対する電磁波シールドの役割を果たす。また、この第２封止部の導電部は上記グランド接続用リードまたは第１封止部の少なくとも一方が有する充填孔に充填されて、第２封止部を上記グランド接続用リードに電気的に接続する。
これにより、上記第２封止部による電磁シールド効果を十分に得られると共に、金属製のシールドケースも不要であるので、小型,低コストで基板への実装自由度を高めることができる。なお、上記グランド接続用リードに充填孔が形成され、この充填孔に上記導電部が充填されている場合には、第２封止部とグランド接続用リードとの電気的接続の導電性を高めることができ、かつ、第２封止部とグランド接続用リードとの機械的接続を強固にできる。
なお、一例として、受光素子で受光する信号光が赤外光である場合には、上記透光性樹脂を赤外透過性樹脂とする。
また、一実施形態の半導体装置では、上記グランド接続用リードは、上記第１封止部から上記第２封止部内に突出している突出部を有し、
上記突出部が上記充填孔を有し、この充填孔は、多角柱形状の内周面を有する。
この実施形態では、上記グランド接続用リードの突出部が第２封止部内に突出していることで、この突出部が第２封止部に電気的に接続される。さらに、この突出部の充填孔に第２封止部の導電部が充填されることで、上記電気的接続の導電性をより向上でき、上記突出部と上記第２封止部との結合の機械的強度も向上できる。また、上記充填孔が多角柱形状の内周面を有することで、この充填孔が円柱形の内周面を有する場合に比べて、上記突出部の充填孔の多角柱形状の内周面と上記第２封止部の導電部との接続面積を増大させて、上記電気的接続の導電性および上記結合の機械的強度を一層向上できる。したがって、第２封止部による電磁シールド効果が確実に得られる。
また、一実施形態の半導体装置では、上記第１封止部は上記充填孔を有し、この充填孔は内周面が円柱形状である。
この実施形態では、上記第１封止部に形成した充填孔に第２封止部の導電部を充填することで、第２封止部の導電部をグランド接続用リードに接触させて電気的に接続する。したがって、グランド接続用リードを第１封止部から第２封止部に突出させる必要が無くて小型化を図れる。また、第１封止部の充填孔の内周面が円柱形であることによって、充填孔の外形寸法を抑えつつ導電部の容積を確保して一層の小型化を図れる。
また、一実施形態の半導体装置では、上記実施形態において、上記グランド接続用リードは、上記第２封止部の上記導電部から延長している延長部が充填される貫通孔を有する。
この実施形態では、上記第１封止部が上記充填孔を有する上に、上記グランド接続用リードは上記第２封止部の上記導電部の延長部が充填される貫通孔を有する。このグランド接続用リードの貫通孔の内周面と第２封止部の導電部の延長部との接触でもって、グランド接続用リードと第２封止部との接触面積を増大させて、グランド接続用リードと第２封止部との電気的接続の導電性を一層向上できる。
また、一実施形態の半導体装置では、上記第１封止部が上記充填孔を有し、この充填孔は内周面が多角柱形状である。
この実施形態では、第１封止部が有する充填孔の内周面が多角柱形状であることによって、この充填孔の内周面とこの内周面に充填する第２封止部の導電部との機械的な結合力を向上できる。また、上記導電部とグランド接続用リードとの接触面積の増加を図って、電気的接続の信頼性や導電特性の向上を図れる。
また、一実施形態の半導体装置では、上記グランド接続用リードは、上記第２封止部が接触する接触領域にノッチが形成された。
この実施形態では、上記グランド接続用リードの上記接触領域にノッチが形成されたことによって、上記グランド接続用リードと上記第２封止部との接触面積の増大を図れ、上記グランド接続用リードと上記第２封止部との間の電気的接続および機械的接続の特性向上を図れる。
また、一実施形態の半導体装置では、上記グランド接続用リードは、上記第２封止部が接触する接触領域が梨地にされた。
この実施形態では、上記グランド接続用リードの上記接触領域を梨地にしたことによって、上記グランド接続用リードと上記第２封止部との接触面積の増大を図れ、グランド接続用リードと第２封止部との間の電気的接続および機械的接続の特性向上を図れる。したがって、第２封止部による電磁シールド効果が確実に得られる。
また、一実施形態の半導体装置の製造方法では、上記第１封止部を樹脂モールドで作製する第１モールド工程と、上記第２封止部を樹脂モールドで作製する第２モールド工程とを有し、
上記第１モールド工程において、上記第１封止部の上記充填孔をイジェクトピンで形成し、
上記第２モールド工程において、上記第１封止部の上記充填孔に上記導電部となる導電性樹脂を注入する。
この実施形態では、上記第１モールド工程において、イジェクトピンによって、第１封止部のためのモールドのイジェクトと上記充填孔の形成とを同時に行えるので、製造工程が簡単になる。
また、一実施形態の電子機器は、上記半導体装置を備えた。
この実施形態では、上記半導体装置を備えたことで、電磁シールド効果を十分に得られてノイズに強くて、小型で低コストの電子機器を実現可能となる。
この発明によれば、第２封止部の導電部はリードフレームのグランド接続用リードまたは第１封止部の少なくとも一方が有する充填孔に充填されて、第２封止部をリードフレームのグランド接続用リードに電気的に接続する。これにより、上記第２封止部による電磁シールド効果を十分に得られると共に、小型,低コストで基板への実装自由度を高めることができる。
以下、この発明を図示の実施の形態によって詳細に説明する。
(第１の実施の形態)
図１(Ａ),(Ｂ)に、この発明の第１実施形態としての光通信用半導体装置を示す。図１(Ａ)は、図１(Ｂ)におけるＡ−Ａ’線断面図である。
この第１実施形態の半導体装置は、信号用の第１リード１ａ,電源用の第２リード１ｂ,グランド接続用の第３リード１ｃからなるリードフレーム１と、グランド接続用の第３リード１ｃが有する搭載部２に搭載された受光素子である受光チップ３および信号処理部である制御用ＩＣチップ５を備える。上記受光チップ３はフォトダイオードもしくはフォトトランジスタ等で構成される。また、上記制御用ＩＣチップ５は高ゲインのアンプを内蔵している。
上記制御用ＩＣチップ５と受光チップ３は導電性ワイヤ６ａで接続され、受光チップ３は導電性ワイヤ６ｂで第３リード１ｃに接続されている。また、上記制御用ＩＣチップ５は、導電性ワイヤ６ｃで第１リード１ａに接続され、導電性ワイヤ６ｄで第２リード１ｂに接続され、導電性ワイヤ６ｅで第３リード１ｃに接続されている。
上記リードフレーム１と上記受光チップ３および制御用ＩＣチップ５は、透光性樹脂としての赤外透過性樹脂で作製された第１封止部７によって一体に固定され、この第１封止部７は上記受光チップ３と制御用ＩＣチップ５を封止している。この第１封止部７は、受光チップ３の受光面３Ａに信号光としての赤外光を導くための凸湾曲面７Ａを有する。そして、この第１封止部７の表面のうちの上記凸湾曲面７Ａ以外の表面７Ｂは、導電性樹脂で作製された第２封止部８で覆われて封止されている。なお、図１では第２封止部８のみにハッチングを施している。
上記リードフレーム１は、第１封止部７内から第２封止部８内に突出した略四角形状の突出部１０,１１を有する。つまり、この突出部１０,１１は第２封止部８内に埋め込まれている。この突出部１０,１１は、第１封止部７の面取り部１２,１３と第２封止部８の角部１４,１５との間に配置されている。この配置により、突出部１０,１１が存在することによる外形寸法の増大を抑制して小型化を図れる。
また、この突出部１０,１１は、四角柱形状の周面１６Ａ,１７Ａを有する貫通孔１６,１７を有する。この貫通孔１６,１７は充填孔をなす。この貫通孔１６,１７内には上記第２封止部８の導電部２１,２２が充填され、この導電部２１,２２は上記貫通孔１６,１７の周面１６Ａ,１７Ａに密接している。なお、この第１実施形態では、上記突出部１０,１１の貫通孔１６,１７の周面１６Ａ,１７Ａだけでなく突出部１０,１１の表面１０Ａ,１１Ａの全体が第２封止部８に密接している。
上記構成の光通信用半導体装置では、上記第１封止部７の凸湾曲面７Ａに、赤外光からなる信号光が入射すると、この信号光は上記受光チップ３の受光面３Ａに導かれる。すると、受光チップ３は上記信号光を電気信号に変換し、この電気信号を導電性ワイヤ６ａを経由して制御用ＩＣチップ５に出力する。すると、この制御用ＩＣチップ５は上記電気信号に対して所定の信号処理を行った出力信号を導電性ワイヤ６ｃを経由して第１リード１ａに出力する。また、この制御用ＩＣチップ５は導電性ワイヤ６ｄで第２リード１ｂに接続されている。この第２リード１ｂは、基板(図示せず)の電源に接続されて、この電源から第２リード１ｂ,導電性ワイヤ６ｄを経由して制御用ＩＣチップ５に電力が供給される。また、この制御用ＩＣチップ５は導電性ワイヤ６ｅで第３リード１ｃに接続されている。この第３リード１ｃは上記基板のＧＮＤ(グランド)端子に接続される。
この第１実施形態では、赤外透過性樹脂で作製された第１封止部７を覆う第２封止部８が導電性樹脂で作製され、この第２封止部８はリードフレーム１の第３リード１ｃの突出部１０,１１の表面１０Ａ,１１Ｂの全体に密接して電気的に接続されている。したがって、この光通信用半導体装置を上記基板に実装し上記第３リード１ｃを上記ＧＮＤ端子に接続すれば、上記第２封止部８は第１封止部７で封止された受光素子３および制御用ＩＣ５に対する電磁波シールドの役割を果たす。また、この第２封止部８の導電部２１,２２はリードフレーム１の突出部１０,１１が有する貫通孔１６,１７に充填され、この貫通孔１６,１７の周面１６Ａ,１７Ａに密接しているので、突出部１０,１１と第２封止部８との接触面積の増大を図れ、突出部１０,１１と第２封止部８との電気的接続の導電性を向上して、電磁シールド効果の向上を図れる。また、突出部１０,１１と第２封止部８との機械的接続が強固になる。
さらに、上記周面１６Ａ,１７Ａが四角柱形状であるので円柱形状である場合に比べて上記接触面積の増大を図れ、突出部１０,１１と第２封止部８との電気的接続の導電性を向上でき、突出部１０,１１と第２封止部８との機械的接続もより強固になる。
なお、上記第１実施形態において、リードフレーム１の第３リード１ｃが第２封止部８に接触する接触領域である突出部１０,１１の表面にノッチを形成してもよい。また、突出部１０,１１の表面を梨地にしてもよい。これらの場合、突出部１０,１１と第２封止部８との接触面積の増大を図れ、第２封止部８と第３リード１ｃとの電気的接続の導電性をさらに向上できる。また、上記第１実施形態において、第１封止部７に、第３リード１ｃに達する充填孔を設けて、この充填孔に第２封止部８から延びる導電部を充填して、この導電部で第２封止部８を第３リード１ｃに電気的に接続させてもよい。この場合にも、第２封止部８と第３リード１ｃとの電気的接続の導電性を一層向上できる。また、上記第１実施形態では、受光チップ３が受光する信号光を赤外光としたが、赤外光以外の信号光であってもよい。この場合、上記第１封止部７は上記信号光を透過するような樹脂で作製すればよい。
(第２の実施の形態)
次に、図２,図３を参照して、この発明の光通信用半導体装置の第２実施形態を説明する。図２(Ａ)はこの第２実施形態の外観を示す正面図であり、図２(Ｂ)はこの第２実施形態の側面図である。また、図３(Ａ)は図３(Ｂ)のＡ−Ａ’線断面図である。
この第２実施形態の半導体装置は、信号用の第１リード３１ａ,グランド接続用の第２リード３１ｂ,電源用の第３リード３１ｃからなるリードフレーム３１と、グランド接続用の第２リード３１ｂが有する搭載部３２に搭載された受光素子である受光チップ３３および信号処理部である制御用ＩＣチップ３５を備える。この制御用ＩＣチップ３５と受光チップ３３は導電性ワイヤ３６ａで接続され、受光チップ３３は導電性ワイヤ３６ｂで第２リード３１ｂに接続されている。また、上記制御用ＩＣチップ３５は、導電性ワイヤ３６ｃで第１リード３１ａに接続され、導電性ワイヤ３６ｄで第２リード１ｂに接続され、導電性ワイヤ３６ｅで第３リード３１ｃに接続されている。
上記リードフレーム３１と受光チップ３３および制御用ＩＣチップ３５は、赤外透過性樹脂で作製された第１封止部３７によって一体に固定され、この第１封止部３７は上記受光チップ３３と制御用ＩＣチップ３５を封止している。この第１封止部３７は、受光チップ３３の受光面３３Ａに信号光としての赤外光を導くための凸湾曲面３７Ａを有する。そして、この第１封止部３７の表面のうちの上記凸湾曲面３７Ａ以外の表面３７Ｂは、導電性樹脂で作製された第２封止部３８で覆われて封止されている。
この第２実施形態では、第１封止部３７は、表面３７Ｂから第２リード３１ｂの四角形状部４２に達する充填孔４０を有する。この充填孔４０は、内周面４０Ａが円柱形状である。そして、上記第２封止部３８は上記充填孔４０に充填された導電部４１を有する。この導電部４１は、上記第２リード３１ｂの四角形状部４２に接触して電気的に接続されている。なお、図３では第２封止部３８のみにハッチングを施している。
この第２実施形態の基本動作は前述の第１実施形態と同様であるので、説明を省略する。この第２実施形態によれば、赤外透過性樹脂で作製された第１封止部３７を覆う第２封止部３８が導電性樹脂で作製され、この第２封止部３８は導電部４１でグランド接続用の第２リード３１ｂに電気的に接続される。したがって、この第２実施形態を所定の基板(図示せず)に実装することで、この第２封止部３８は第１封止部３７で封止された受光チップ３３および制御用ＩＣチップ３５に対する電磁波シールドの役割を果たす。また、この第２封止部３８の導電部４１は第１封止部３７が有する充填孔４０に充填されて、第２封止部３８をリードフレーム３１のグランド接続用の第２リード３１ｂに電気的に接続する。これにより、上記第２封止部３８による電磁シールド効果を十分に得られると共に、小型,低コストで基板への実装自由度を高めることができる。
また、この第２実施形態によれば、リードフレーム３１の第２リード３１ｂを第１封止部３７から第２封止部３８に突出させる必要が無くて小型化を図れる。また、第１封止部３７の充填孔４０の内周面４０Ａが円柱形であることによって、充填孔４０の外形寸法を抑えつつ導電部４１の容積を確保して一層の小型化を図れる。
なお、上記第２実施形態において、リードフレーム３１の第２リード３１ｂの四角形状部４２のうちの上記導電部４１に接触する部分４２Ａにノッチを形成してもよい。また、上記部分４２Ａを梨地にしてもよい。これらの場合、導電部４１と第２リード３１ｂとの接触面積を増大させて、導電部４１と第２リード３１ｂとの電気的接続の導電性を向上できる。
また、上記第２実施形態の半導体装置の製造方法において、上記第１封止部３７を樹脂モールドで作製する第１モールド工程と、上記第２封止部３８を樹脂モールドで作製する第２モールド工程とを有し、上記第１モールド工程において、上記第１封止部３７の上記充填孔４０をイジェクトピンで形成し、上記第２モールド工程において、上記第１封止部３７の上記充填孔４０に上記導電部４１となる導電性樹脂を注入するようにしてもよい。この場合には、上記第１モールド工程において、イジェクトピンによって、第１封止部３７のためのモールドのイジェクトと上記充填孔４０の形成とを同時に行えるので、製造工程が簡単になる。また、上記第２実施形態では、受光チップ３３が受光する信号光を赤外光としたが、赤外光以外の信号光であってもよい。この場合、上記第１封止部３７は上記信号光を透過するような樹脂で作製すればよい。
(第３の実施の形態)
次に、図４,図５を参照して、この発明の光通信用半導体装置の第３実施形態を説明する。図４(Ａ)はこの第３実施形態の外観を示す正面図であり、図４(Ｂ)はこの第３実施形態の側面図である。また、図５(Ａ)は図５(Ｂ)のＡ−Ａ’線断面図である。この第３実施形態は、次の(ｉ)の点だけが前述の第２実施形態と異なる。
(ｉ) 第１封止部３７が、円柱形状の内周面４０Ａを有する充填孔４０に替えて、四角柱形状の内周面４４Ａを有する充填孔４４を備え、この充填孔４４に第２封止部３８の四角柱形状の導電部４５が充填されている点。
この第３実施形態では、第１封止部３７が有する充填孔４４の内周面４４Ａが四角柱形状であることによって、この充填孔４４の内周面４４Ａとこの内周面４４Ａに充填する第２封止部３８の導電部４５との機械的な結合力を向上できる。また、上記導電部４５とリードフレーム３１の第２リード３１ｂとの接触面積の増加を図って、電気的接続の信頼性や導電特性の向上を図れる。
(第４の実施の形態)
次に、図６を参照して、この発明の光通信用半導体装置の第４実施形態を説明する。図６(Ａ)は図６(Ｂ)のＡ−Ａ’線断面図である。この第４実施形態は、次の(ｉ),(ii)の点だけが前述の第２実施形態と異なる。
(ｉ) 第２リード３１ｂの四角形状部４２は、第２封止部３８の導電部４１から延長している延長部４７が充填された貫通孔４６を有する。この貫通孔４６は上記第１封止部３７の充填孔４０よりも小径である。
(ii) 第１封止部３７は、上記四角形状部４２に関して充填孔４０の反対側にもう１つの充填孔４８を有している。この充填孔４８は、リードフレーム３１に関して凸湾曲面３７Ａの反対側の裏側表面３７Ｃから上記四角形状部４２に達している。そして、この充填孔４８には、第１封止部３７の裏側表面３７Ｃを覆う第２封止部３８の裏側部３８Ａから延在する導電部５０が充填されている。したがって、上記延長部４７は上記導電部５０の延長部でもある。
この第４実施形態によれば、上記第１封止部３７が上記充填孔４０を有する上に、上記グランド接続用リードである第２リード３１ｂは上記第２封止部３８の上記導電部４１の延長部４７が充填される貫通孔４６を有する。この第２リード３１ｂの貫通孔４６の内周面と第２封止部３８の導電部４１の延長部４７との接触でもって、グランド接続用の第２リード３１ｂと第２封止部３８との接触面積を増大させて、第２リード３１ｂと第２封止部３８との電気的接続の導電性を一層向上できる。また、第２封止部３８の延長部４７と第２リード３１ｂの貫通孔４６とが嵌合状態となるので、第２リード３１ｂと第２封止部３８との機械的な結合も強固にでき、信頼性の高い電気的接続を実現できる。なお、この第４実施形態では、上記貫通孔４６の内周面を円柱形状にしたが四角柱形状等の多角形状にしてもよい。
また、この第４実施形態では、第２封止部３８の裏面部３８Ａから延在する導電部５０が第１封止部３７の裏側表面３７Ｃから四角形状部４２に達する充填孔４８に充填されている。これにより、上記導電部５０と上記四角形状部４２との接触による電気的な接続でもって、第２封止部３８と第２リード３１ｂとの電気的接続の導電性をさらに高めて、電磁シールド効果を一層向上できる。
尚、上記第３,第４実施形態において、グランド接続用の第３リード３１ｂが第１封止部３７内から第２封止部３８内に突出する突出部を有した場合には、第２封止部３８と第３リード３１ｂとの電気的接続の導電性をさらに向上できる。また、この突出部が、前述の第１実施形態の突出部１０,１１と同様の貫通孔を備えても良い。この場合、この貫通孔に第２封止部３８の導電部が充填されることで、上記電気的接続の導電性をさらに向上できる。また、上記第１〜第４実施形態のうちのいずれかの光通信用半導体装置を備えた電子機器によれば、赤外信号を受光するに際してＳ/Ｎ比を向上でき、ノイズの影響を受けにくくなる。上記電子機器としては、テレビ受像機、ビデオテープレコーダ、オーディオ用コンポーネント、エアコンディショナ等の赤外光を信号光として用いて遠隔制御される機器が挙げられる。
図１(Ａ)はこの発明の光通信用半導体装置の第１実施形態の断面を模式的に示す図であり、図１(Ｂ)は上記第１実施形態のもう１つの断面を模式的に示す図である。 図２(Ａ)はこの発明の第２実施形態の正面図であり、図２(Ｂ)は上記第２実施形態の側面図である。 図３(Ａ)は上記第２実施形態の断面を模式的に示す図であり、図３(Ｂ)は上記第２実施形態のもう１つの断面を模式的に示す図である。 図４(Ａ)はこの発明の第３実施形態の正面図であり、図４(Ｂ)は上記第３実施形態の側面図である。 図５(Ａ)は上記第３実施形態の断面を模式的に示す図であり、図５(Ｂ)は上記第３実施形態のもう１つの断面を模式的に示す図である。 図６(Ａ)はこの発明の第４実施形態の断面を模式的に示す図であり、図６(Ｂ)は上記第４実施形態のもう１つの断面を模式的に示す図である。
符号の説明
１,３１ リードフレーム
１ａ,３１ａ 第１リード
１ｂ,３１ｂ 第２リード
１ｃ,３１ｃ 第３リード
２,３２ 搭載部
３,３３ 受光チップ
５,３５ 制御用ＩＣチップ
７,３７ 第１封止部
８,３８ 第２封止部
１０,１１ 突出部
１６,１７,４６ 貫通孔
２１,２２ 導電部
４０,４４ 充填孔
４１,４５,５０ 導電部
４２ 四角形状部
４４,４８ 充填孔
４７ 延長部

Claims (9)

  1. リードフレームと、このリードフレームに搭載された受光素子と、上記リードフレームに搭載されると共に上記受光素子に電気的に接続された信号処理部と、上記受光素子と信号処理部を封止すると共に透光性樹脂で作製された第１封止部と、上記第１封止部を覆うと共に導電性樹脂で作製された第２封止部とを備えた半導体装置であって、
    上記第２封止部は上記リードフレームが有するグランド接続用リードに接触する導電部を有し、
    上記グランド接続用リードまたは上記第１封止部の少なくとも一方は、上記第２封止部の上記導電部が充填された充填孔を有することを特徴とする半導体装置。
  2. 請求項１に記載の半導体装置において、
    上記グランド接続用リードは、上記第１封止部から上記第２封止部内に突出している突出部を有し、
    上記突出部が上記充填孔を有し、この充填孔は、多角柱形状の内周面を有することを特徴とする半導体装置。
  3. 請求項１に記載の半導体装置において、
    上記第１封止部は上記充填孔を有し、この充填孔は内周面が円柱形状であることを特徴とする半導体装置。
  4. 請求項３に記載の半導体装置において、
    上記グランド接続用リードは、上記第２封止部の上記導電部から延長している延長部が充填された貫通孔を有することを特徴とする半導体装置。
  5. 請求項１に記載の半導体装置において、
    上記第１封止部が上記充填孔を有し、この充填孔は内周面が多角柱形状であることを特徴とする半導体装置。
  6. 請求項１に記載の半導体装置において、
    上記グランド接続用リードは、上記第２封止部が接触する接触領域にノッチが形成されたことを特徴とする半導体装置。
  7. 請求項１に記載の半導体装置において、
    上記グランド接続用リードは、上記第２封止部が接触する接触領域が梨地にされたことを特徴とする半導体装置。
  8. 請求項１に記載の半導体装置を製造する製造方法であって、
    上記第１封止部を樹脂モールドで作製する第１モールド工程と、上記第２封止部を樹脂モールドで作製する第２モールド工程とを有し、
    上記第１モールド工程において、上記第１封止部の上記充填孔をイジェクトピンで形成し、
    上記第２モールド工程において、上記第１封止部の上記充填孔に上記導電部となる導電性樹脂を注入することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  9. 請求項１に記載の半導体装置を備えた電子機器。
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