KR100824154B1 - 수광 모듈 - Google Patents

수광 모듈 Download PDF

Info

Publication number
KR100824154B1
KR100824154B1 KR1020067013984A KR20067013984A KR100824154B1 KR 100824154 B1 KR100824154 B1 KR 100824154B1 KR 1020067013984 A KR1020067013984 A KR 1020067013984A KR 20067013984 A KR20067013984 A KR 20067013984A KR 100824154 B1 KR100824154 B1 KR 100824154B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light receiving
receiving module
light
lens
standing wall
Prior art date
Application number
KR1020067013984A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20060116018A (ko
Inventor
가즈미 모리모또
노부오 아사다
Original Assignee
로무 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 로무 가부시키가이샤 filed Critical 로무 가부시키가이샤
Publication of KR20060116018A publication Critical patent/KR20060116018A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100824154B1 publication Critical patent/KR100824154B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L31/02325—Optical elements or arrangements associated with the device the optical elements not being integrated nor being directly associated with the device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48257—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H01L2924/1815—Shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3025—Electromagnetic shielding

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)

Abstract

본 발명의 적외선 수광 모듈(M)은 포토다이오드(1)와, IC 칩(2)과, 이들 포토다이오드(1) 및 IC 칩(2)을 밀봉하고, 또한 투광성 및 전기 절연성을 갖는 밀봉 수지(4)와, 이 밀봉 수지(4)의 포토다이오드(1)와 대향하는 면에 형성된 렌즈부(43)와, 이 렌즈부(43)를 노출시키도록 하여 밀봉 수지(4)를 피복하고 있고, 또한 투광성 및 도전성을 갖고 접지에 접속된 피복부(5)를 구비하고, 피복부(5)는 도전성 수지로 이루어지고, 또한 렌즈부(43)의 주위를 둘러싸는 기립벽(51)을 구비하고 있다.
수광 모듈, IC 칩, 포토다이오드, 밀봉 수지, 렌즈부, 기립벽

Description

수광 모듈 {LIGHT-RECEIVING MODULE}
본 발명은, 예를 들어 적외선 송신기로부터 송신되어 오는 적외선을 수광하는 용도에 이용되는 적외선 수광 모듈 등의 수광 모듈에 관한 것이다.
도8은 종래의 적외선 수광 모듈의 일 예(예를 들어, 특허문헌 1 참조)를 나타내는 전체 사시도이다. 도시된 적외선 수광 모듈(9)은 전화 제품이나 그 밖의 기기에 조립되고, 리모트 컨트롤용 적외선 송신기(도시 생략)로부터 송신되어 온 적외선을 수광하는 것이다. 적외선 수광 모듈(9)은 렌즈부(90a)가 형성된 밀봉 수지(90)를 구비하고 있다. 이 밀봉 수지(90) 내에는 포토다이오드 및 IC 칩(모두 도시 생략)이 밀봉되어 있다. 적외선 송신기(도시 생략)로부터 송신되어 온 적외선은 렌즈부(90a)에 의해 집광되어 상기 포토다이오드에 의해 수광된다.
특허문헌 1 : 일본 특허 공개 평7-273356호 공보
밀봉 수지(90)의 외부에는 금속박으로 이루어지는 도전층(91)이 형성되어 있다. 밀봉 수지(90)의 외부에는 상기 포토다이오드 및 IC 칩과 전기적으로 접속된 복수개의 단자(92a 내지 92c)가 돌출되어 있다. 도전층(91)은 접지용 단자(92a)에 접속되어 있다. 이에 의해, 도전층(91)은 전자기 실드 기능을 발휘하게 되고, IC 칩이 외부로부터의 전자기 소음의 영향을 받아 오작동되는 것이 억제된다.
렌즈부(90a)의 표면에는 도전층(91)의 일부분이 메쉬형으로 형성되어 있다. 이에 의해, 렌즈부(90a)의 표면에서는 도전층(91)이 메쉬형으로 형성된 메쉬형부(91a)에 의해, 적외선 송신기로부터 송신되어 오는 적외선을 완전히 차폐하지 않고, 외부의 전자기 소음이 렌즈부(90a)를 투과하여 적외선 수광 모듈(9) 내로 진행되는 것을 억제할 수 있도록 되어 있다.
그러나, 상기한 적외선 수광 모듈(9)에 있어서는 렌즈부(90a)의 일부가 도전층(91)의 메쉬형부(91a)에 의해 덮여 있으므로, 이 메쉬형부(91a)에 의해 적외선 송신기로부터 송신되어 오는 적외선이 차단되어, 렌즈부(90a)를 통과하여 포토다이오드에 도달하는 적외선량이 적어진다. 따라서, 종래의 적외선 수광 모듈(9)에서는 적외선의 수광 감도가 떨어지는 것으로 되어 있었다.
또한, 종래의 구성에서는 렌즈부(90a)에 메쉬형부(91a)를 형성하지 않도록 하면, 적외선의 수광 감도의 저하는 해소되지만, 렌즈부(90a)에 있어서의 실드 효과가 저하된다는 문제가 생기게 된다.
본 발명은 이와 같은 사정을 기초로 고안한 것이며, 전자기 실드 성능이 악화되는 등의 문제점을 회피하면서 수광 감도를 양호하게 할 수 있는 수광 모듈을 제공하는 것을 과제로 하고 있다.
본 발명에 의해 제공되는 수광 모듈은 수광 소자와, IC 칩과, 이들 수광 소자 및 IC 칩을 밀봉하고, 또한 투광성 및 전기 절연성을 갖는 밀봉 부재와, 이 밀봉 부재의 상기 수광 소자와 대향하는 면에 형성된 렌즈부와, 이 렌즈부를 노출시키도록 하여 상기 밀봉 부재를 피복하고 있고, 또한 차광성 및 도전성을 갖고 접지에 접속된 피복부를 구비하고 있는 수광 모듈이며, 상기 피복부는 도전성 부재로 이루어지고, 또한 상기 렌즈부의 주위를 둘러싸는 기립벽을 구비하고 있는 것을 특징으로 하고 있다.
이와 같은 구성에 따르면, 상기 피복부의 기립벽은 렌즈부의 주변 영역으로부터 렌즈부를 향해 진행하고자 하는 전자기 소음의 대부분을 차단하게 된다. 따라서, 종래 기술과는 달리, 전자기 소음에 기인하여 IC 칩이 오작동되는 것을 방지하는 수단으로서, 렌즈부의 일부분에 전자기 실드용 메쉬형의 막을 형성할 필요는 없다. 상기 구성에서는 렌즈부 표면의 전체 또는 대략 전체가 넓게 개방되어, 렌즈부를 통과하여 수광 소자에 도달하는 광의 양을 많게 할 수 있다. 이와 같은 것으로부터 본 발명에 있어서는 전자기 실드 성능을 악화시키지 않고, 수광 감도를 높일 수 있다.
또한, 상기 피복부는 도전성 수지로 이루어지므로, 일반적인 수지 성형품과 마찬가지로, 예를 들어 금형을 이용하여 상기 피복부를 간단하게 성형할 수 있다. 종래 기술의 금속박을 이용했던 구성과 비교하면, 상기 피복부의 성형은 용이하고, 제조 비용의 저감화를 도모할 수도 있다. 특히, 본 발명에 따르면, 금속박에서는 형성이 곤란한 기립벽에 대해서도 간단하게 형성 가능하다.
바람직하게는, 상기 렌즈부는 볼록 렌즈이고, 상기 기립벽은 상기 렌즈부의 두께 방향에 있어서 상기 렌즈부 이상의 높이로 형성되어 있다.
이와 같은 구성에 따르면, 상기 렌즈부의 주변 부분으로부터 상기 렌즈부를 향해 진행되는 전자기 소음을 상기 기립벽에 의해 차단하는 것이 보다 확실화되어 전자기 실드 성능을 더 높이는 것에도 적합해진다.
바람직하게는, 상기 기립벽은 광의 반사가 가능한 내주면을 갖고 있고, 또한 이 내주면은 바닥부가 될수록 상기 기립벽의 내경이 작아지도록 경사져 있다.
이와 같은 구성에 따르면, 기립벽의 내주면을 이용하여 원하는 광을 렌즈부에 입사시키도록 모으고, 렌즈부에 입사하는 광의 양을 많게 할 수 있다. 따라서, 수광 감도를 더 향상시키는 것이 가능하다.
또한, 바람직하게는, 상기 밀봉 부재 및 도전성 부재는 수지로 구성하면 된다. 이와 같은 구성에 따르면, 밀봉 부재 및 도전성 부재를 용이하게 작성할 수 있다.
도1은 본 발명이 적용된 적외선 수광 모듈의 실시예를 나타내는 사시도이다.
도2는 도1의 II-II선을 따르는 종단면도이다.
도3은 도1의 I-I선을 따르는 횡단면도이다.
도4는 도1에 도시하는 수광 모듈의 제조 공정을 설명하기 위한 주요부 단면도이다.
도5는 피복부의 기립벽의 변형예를 나타내는 주요부 단면도이다.
도6은 피복부의 기립벽의 다른 변형예를 나타내는 주요부 단면도이다.
도7은 본 발명이 적용된 적외선 수광 모듈의 다른 실시예를 나타내는 횡단면도이다.
도8은 종래의 적외선 수광 모듈의 일 예를 나타내는 전체 사시도이다.
이하, 본 발명의 실시예에 대해 도면을 참조하여 구체적으로 설명한다.
도1 내지 도3은 본 발명이 적용된 적외선 수광 모듈의 일 실시예를 나타내고 있다. 본 실시예의 적외선 수광 모듈(M)은 텔레비전 수상기, 비디오 데크, 오디오 기기, 공기 조절 장치 등의 전화 제품에 조립되고, 리모트 컨트롤용 적외선 송신기로부터 송신되어 오는 적외선을 받기 위해 이용되는 것이다. 도1 및 도2에 잘 나타나 있는 바와 같이, 이 적외선 수광 모듈(M)은 수광 소자로서의 포토다이오드(1), IC 칩(2), 제1 내지 제3 리드(3a 내지 3c), 밀봉 수지(4) 및 피복부(5)를 구비하고 있다.
포토다이오드(1)는 적외선 송신기(도시 생략)로부터 발한 적외선을 수광하면, 그것에 따른 광기전력이 생겨 전류를 흐르게 하는 것이다. IC 칩(2)은 포토다이오드(1)에 흐르는 전류를 출력 신호로 변환하여 외부의 소정의 제어 기기로 출력하는 것이고, 전류/전압 변환 회로, 증폭 회로, 리미트 회로, 검파 회로(모두 도시 생략) 등을 구비하고 있다.
제1 내지 제3 리드(3a 내지 3c)는 포토다이오드(1) 및 IC 칩(2)의 지지나 전기적인 접속을 도모하기 위한 것이고, 구리 혹은 니켈 등의 금속제이다. 이들 제1 내지 제3 리드(3a 내지 3c)의 각각은 밀봉 수지(4)에 의해 덮인 내측부와, 밀봉 수지(4)의 기단부면(40)으로부터 외부로 돌출된 외측부로 구분되어 있다. 제1 내지 제3 리드(3a 내지 3c)의 외측부는 접지용 단자(30a), 전원 전압용 단자(30b) 및 출 력 단자(30c)로 되어 있다.
제1 리드(3a)의 내측부는, 도3에 도시한 바와 같이 접지용 단자(30a)에 연속 설치되어 있는 연결부(31)와, 이 연결부(31)에 접속되어 포토다이오드(1) 및 IC 칩(2)을 탑재하기 위한 평면을 갖는 탑재부(32)에 의해 구성되어 있다. 탑재부(32)에는 연결부(31)의 연장선 상에 IC 칩(2)과 포토다이오드(1)가 이 순서로 탑재되어 있다.
포토다이오드(1)의 마이너스극 측의 단자는 와이어(W1)에 의해 탑재부(32)(접지 전극에 상당)에 접속되고, 플러스극 측의 단자는 와이어(W2)에 의해 IC 칩(2)에 접속되어 있다. IC 칩(2)의 접지 단자는 와이어(W3)에 의해 탑재부(32)에 접속되고, 다른 2개의 단자는 각각 와이어(W4, W5)에 의해 각각 제2 리드(3b) 및 제3 리드(3c)의 내측부에 접속되어 있다.
밀봉 수지(4)는 포토다이오드(1) 및 IC 칩(2)을 밀봉하는 것이고, 예를 들어 가시광을 차단하기 위한 안료를 포함하는 에폭시 수지제이다. 밀봉 수지(4)는, 가시광에 대해서는 차광성을 갖는 한편, 적외선에 대해서는 투광성을 갖고 있다. 이 밀봉 수지(4)는 대략 직육면체형으로 형성되어 있고, 이 밀봉 수지(4)의 상면 중, 포토다이오드(1)와 대향하는 부분에는 대략 반구면형의 볼록 렌즈로서의 렌즈부(43)가 형성되어 있다. 이 렌즈부(43)는 외부로부터 진행되어 온 적외선을 포토다이오드(1) 상에 집속시켜 효율적으로 수광시키는 역할을 발휘한다.
피복부(5)는, 예를 들어 에폭시 수지에 카본, 그 밖의 도전성 충진재를 혼입한 도전성 수지제이다. 또한, 이 피복부(5)는 가시광 및 적외선의 각각에 대해 차 광성을 갖고 있다. 이 피복부(5)는 밀봉 수지(4)의 표면 중 기단부면(40)과 렌즈부(43)를 제외한 부분을 덮도록 형성되어 있다. 단, 기단부면(40) 상의 일부분에는 접지 단자(30a)에 접촉하여 도통하는 연접부(50)가 형성되어 있고, 이에 의해 피복부(5)는 접지에 접속되어 있다.
피복부(5)는 렌즈부(43)의 주위를 둘러싸는 대략 원통형의 기립벽(51)을 갖고 있다. 이 기립벽(51)의 높이(H1)는 렌즈부(43)의 높이(H2)와 동일하거나, 혹은 그것보다도 높게 되어 있다. 전자기 실드 기능을 적절하게 발휘하면서 전체의 박형화를 도모하는 관점에서 보면 높이(H1, H2)를 동일 높이로 하는 것이 바람직하다.
기립벽(51)의 내주면(51a)은 기립벽(51)의 바닥부로 진행할수록 그 내경이 작아지도록 경사져 있다. 이 경사는 직선적인 것 대신에 하측 방향으로 만곡된 곡선적인 것이라도 상관없다. 내주면(51a)은 적외선의 반사율이 높은 면으로 되어 있다. 이는 피복부(5)를 형성하는 도전성 수지를 백색 또는 이것에 가까운 백색계로 함으로써 용이하게 달성할 수 있다. 또한, 이 구성 대신에, 내주면(51a)에 적외선의 반사층을 적층 형성한 구성으로 해도 좋다.
내주면(51a)의 최하부와 렌즈부(43)의 외주연부 사이에는 간극(S)이 마련되어 있다. 이 간극(S)은 반드시 필요한 것은 아니지만, 이 간극(S)의 존재에 의해 후술하는 바와 같이 피복부(5)를 성형하기 위한 금형의 제조의 용이화가 도모된다.
상기한 구성의 적외선 수광 모듈(M)의 제조 공정에 있어서는, 밀봉 수지(4)와 피복부(5)는 모두 금형을 이용한 수지 성형에 의해 형성된다.
보다 구체적으로는, 도4에 도시한 바와 같이 밀봉 수지(4)가 성형되고, 또한 피복부(5)가 성형되어 있지 않은 중간품(M')을 제조한 후에, 이 중간품(M')을 금형(7)의 상부형(70a)과 하부형(70b)에 의해 형성되는 캐비티(71) 내에 삽입한다. 그 후, 이 캐비티(71) 내에 용융된 도전성 수지를 공급함으로써 피복부(5)를 성형한다. 상부형(70a)에는 기립벽(51)을 형성하기 위한 오목부(72) 및 이 오목부(72)와 중간품(M')의 렌즈부(43) 사이를 구획하는 돌기부(73)가 형성되어 있다.
도2를 참조하여 설명한 바와 같이, 기립벽(51)의 최하부와 렌즈부(43)의 외주연부 사이에 간극(S)을 마련한 구성에 따르면, 돌기부(73)의 선단부의 두께(t)를 간극(S)과 동일 폭으로 하고, 이 돌기부(73)의 두께를 크게 함으로써 이 돌기부(73)의 강도를 적절하게 확보할 수 있다. 또한, 피복부(5)를 수지 성형할 때에 이 돌기부(73)의 선단부를 밀봉 수지(4)의 상면에 대해 면접촉시킴으로써, 이들 접촉 부분의 밀봉성을 높이고, 즉 캐비티(71) 내에 공급된 도전성 수지가 렌즈부(43)측으로 누설되는 것을 방지하고, 그 도전성 수지가 렌즈부(43)에 부착되는 것을 확실하게 방지하는 것에도 적합해진다.
이 적외선 수광 모듈(M)에 있어서는 피복부(5)가 전자기 실드 기능을 발휘하게 되고, 기립벽(51)도 동일한 기능을 발휘한다. 이로 인해, 렌즈부(43)의 주변 부분(정면 이외의 부분)으로부터 렌즈부(43)를 향해 진행되어 오는 전자기 소음이 기립벽(51)에 의해 구획되게 되고, 전자기 소음이 렌즈부(43)로부터 밀봉 수지(4) 내로 진행되는 것이 억제된다. 기립벽(51)은 렌즈부(43)보다도 높이가 높고, 렌즈부(43)의 주위 전체를 둘러싸고 있으므로, 상기한 전자기 실드 기능은 보다 우수한 것이 된다. 따라서, 전자기 소음에 기인하는 오작동 방지가 도모된다.
또한, 피복부(5)는 가시광 및 적외선에 대한 차광성도 구비하고 있으므로, 외란광이 렌즈부(43) 이외의 부위로부터 밀봉 수지(4) 내로 진행되는 것도 방지된다. 따라서, 외란광에 기인하는 IC 칩(2)의 오작동도 적절하게 방지된다.
한편, 렌즈부(43)의 표면은 피복부(5)에 의해 피복되어 있지 않고, 도8에 도시하는 종래의 적외선 수광 모듈(9)에 비해, 렌즈부(43)에 있어서의 적외선의 입사 면적은 넓은 것으로 되어 있다. 이로 인해, 종래의 적외선 수광 모듈(9)과 같이 도전층(91)의 메쉬형부(91a)에 의해 포토다이오드(1)에 도달하는 적외선의 양이 저하되는 일은 없다.
또한, 렌즈부(43)의 정면으로부터 진행되어 온 적외선 중, 기립벽(51)의 내주면(51a)에 도달한 적외선은 이 내주면(51a)에 의해 반사되어 렌즈부(43)로 유도되는 효과도 기대할 수 있다. 즉, 내주면(51a)은 기립벽(51)의 기단부측으로부터 선단부측으로 끝이 넓어지는 형으로 경사져 있고, 이 기립벽(51)의 선단부 부분의 내경은 렌즈부(43)보다도 대경으로 되어 있으므로, 렌즈부(43)에 입사하는 적외선의 양은 직접 입사하는 적외선과 상기한 바와 같은 반사 작용에 의해 입사되는 적외선을 합계한 양이 된다. 이와 같은 것에 의해, 포토다이오드(1)가 수광할 수 있는 적외선의 양은 종래의 적외선 수광 모듈(9)보다도 많아져, 적외선 수광 감도는 양호해진다.
피복부(5)는 도전성 수지제이므로, 이미 서술한 바와 같이 금형을 이용하여 간단하게 성형할 수 있고, 기립벽(51)의 성형도 적절하게 행할 수 있다. 따라서, 적외선 수광 모듈(M) 전체의 제조 비용을 저렴하게 억제할 수도 있다.
도5는 적외선 수광 모듈의 다른 실시예를 나타낸 도면이다. 보다 구체적으로는 피복부의 기립벽의 변형예를 나타내는 주요부 단면도이다.
도2에 도시한 피복부(5)의 기립벽(51)의 구성에서는 기립벽(51)의 내주면(51a)의 최하부와 렌즈부(43)의 외주연부 사이에 간극(S)을 마련하고, 렌즈부(43)의 구면 부분 전체를 노출하도록 되어 있었지만, 기립벽(51)의 내주면(51a)으로부터 반사되어 렌즈부(43)의 기부(구면의 하부)로부터 적외선이 입사되는 양은 많지 않으므로, 간극(S)을 없애고, 렌즈부(43)의 기부 주위면을 피복부(5)에 의해 덮도록 해도 적외선의 수광량에 미치는 영향은 적다.
도5에 도시하는 피복부(5)의 기립벽(51)의 구성은 상기한 판단을 기초로 하는 것으로, 렌즈부(43)의 기부 주위면에 대해 피복부(5)의 일부분을 적당한 폭(s1)으로 접촉시켜 렌즈부(43)의 기부를 피복부(5)에 의해 덮도록 한 것이다. 이 구성이라도 종래의 적외선 수광 모듈(9)에 비해 렌즈부(43)의 표면을 큰 면적 비율로 노출시킬 수 있고, 수광 감도를 높일 수 있다.
도6은 피복부의 기립부의 다른 변형예를 나타내는 도면이다. 도2 및 도5에 도시하는 피복부의 구성은 밀봉 수지(4)의 상면에 돌출 설치된 렌즈부(43)에 대응하여 기립벽(51)을 돌출 설치시키는 구성이었지만, 도6에 나타내는 예는 밀봉 수지(4)의 상면의 피복부(5)의 두께(t1)를 렌즈부(43)의 높이와 동일하거나 혹은 약간 높게 하여 렌즈부(43)에 대응하는 부분에 상기 렌즈부(43)를 노출시키는 오목부(59)를 마련하고, 이 오목부(59)를 기립벽(51a)으로서 기능시키도록 한 것이다.
오목부(59)의 내주면에는 경사면이 형성되어 있고, 도2 및 도5에 나타내는 예와 마찬가지로 이 경사면에 의해 적외선이 반사되어 렌즈부(43)에 입사되도록 되어 있다. 또한, 도6에 나타내는 예에 있어서도 렌즈부(43)의 기부와 피복부(5) 사이에 간극을 마련하도록 해도 좋다.
도6에 나타내는 예에서는 적외선 수광 모듈 전체의 형상이 각기둥형이 되고, 기립벽(51)이 손상되기 어렵다는 효과가 있다. 단, 피복부(5)의 전체의 체적을 작게 하고, 전체의 소형화 등을 도모하는 관점으로부터 보면, 도2 및 도5에 도시한 바와 같이 기립벽을 통형의 돌기형으로 형성하는 것이 바람직하다.
도7은 적외선 수광 모듈의 또 다른 실시예를 나타내는 도면이다. 보다 구체적으로는, 제1 리드(3a)의 내측부에 연속 설치된 탑재부(32)의 접지 구조의 변형예를 나타내는 주요부 단면도이다.
도7에 도시하는 적외선 수광 모듈(M)은, 도3에 있어서 제1 리드(3a)의 내측부의 탑재부(32)의 좌우 단부면에 각각 피복부(5)까지 연장되는 제1 연접부(32a)와 제2 연접부(32c)를 돌출시켜 설치하는 동시에, 탑재부(32)의 선단부측의 단부면에 피복부(5)까지 연장되는 제3 연접부(32b)를 돌출시켜 설치한 것이다. 제1 연접부(32a) 내지 제3 연접부(32b)의 선단부는 각각 피복부(5)에 접속되고, 이에 의해 탑재부(32)의 선단부측과 좌우의 단부면도 접지되어 있다.
이 구성에 따르면, 접지 단자(30a)가 피복부(5)의 연접부(50)에 접촉하여 도통한 후에 제1 내지 제3 연접부(32a 내지 32c)가 피복부(5)에 접촉하여 도통하고 있으므로, 포토다이오드(1) 및 IC 칩(2)의 회로에 생기는 소음을 가급적으로 최단 거리에서 접지에 흐르게 할 수 있고, 한층 실드성을 높일 수 있다. 또한, 도7에 도시하는 적외선 수광 모듈에서는 제1 내지 제3 연접부(32a 내지 32c)의 선단부가 외부로 노출되어 있지만, 이에 한정되지 않고, 제1 내지 제3 연접부(32a 내지 32c)의 선단부는 피복부(5)의 내주면에 접촉하여 도통하고 있어도 좋다.
본 발명은 상술한 실시예로 한정되는 것은 아니고, 본 발명에 관한 수광 모듈의 각 부의 구체적인 구성은 다양하게 설계 변경 가능하다. 예를 들어, 기립벽(51)은 대략 원통형의 돌기형이 아니라도 좋고, 이것과는 다른 통형(예를 들어, 각진 통형)의 돌기형으로 형성해도 좋다.
포토다이오드(1)와 IC 칩(2)은 이들을 정리하여 일체화한 원칩(one chip) 구조로 해도 좋다. 또한, 수광 소자로서는 포토다이오드로 한정되지 않고, 예를 들어 포토트랜지스터 등을 이용할 수도 있다.
본 발명은 적외선 이외의 파장 영역의 광을 감지하기 위한 수광 모듈에도 적용할 수 있다. 또한, 본 발명에서 말하는 수광 모듈이라 함은, 적어도 수광 기능을 구비한 것을 의미하고 있고, 수광 기능에 부가하여, 예를 들어 발광 기능이 부가된 것도 포함하는 개념이다. 따라서, 적외선 또는 다른 파장 영역의 광을 발하는 기능도 구비한 수광 및 발광 모듈, 혹은 광통신 모듈도 본 발명의 기술 대상에 포함된다.

Claims (4)

  1. 수광 소자와, IC 칩과, 이들 수광 소자 및 IC 칩에 전기적으로 접속된 접지 단자와, 상기 수광 소자 및 IC 칩을 밀봉하고, 또한 투광성 및 전기 절연성을 갖는 밀봉 부재와, 이 밀봉 부재의 상기 수광 소자와 대향하는 면에 형성된 렌즈부와, 이 렌즈부를 노출시키도록 하여 상기 밀봉 부재를 피복하고 있고, 또한 차광성 및 도전성을 갖고 접지에 접속된 피복부,를 구비하고 있는 수광 모듈이며,
    상기 피복부는, 도전성 수지로 이루어지고, 또한 상기 렌즈부의 주위를 둘러싸는 기립벽을 구비하고 있음과 함께, 상기 접지 단자가 접촉된 상태에서 관통하는 연접부를 가지고 있는 것을 특징으로 하는 수광 모듈.
  2. 제1항에 있어서, 상기 렌즈부는 볼록 렌즈이고,
    상기 기립벽은 상기 렌즈부의 두께 방향에 있어서 상기 렌즈부 이상의 높이로 형성되어 있는 수광 모듈.
  3. 제2항에 있어서, 상기 기립벽은 광의 반사가 가능한 내주면을 갖고 있고, 또한 이 내주면은 바닥부가 될수록 상기 기립벽의 내경이 작아지도록 경사져 있는 수광 모듈.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 밀봉 부재는 수지로 이루어지는 것을 특징으로 하는 수광 모듈.
KR1020067013984A 2004-01-26 2005-01-24 수광 모듈 KR100824154B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004016704 2004-01-26
JPJP-P-2004-00016704 2004-01-26

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20060116018A KR20060116018A (ko) 2006-11-13
KR100824154B1 true KR100824154B1 (ko) 2008-04-21

Family

ID=34805497

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020067013984A KR100824154B1 (ko) 2004-01-26 2005-01-24 수광 모듈

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20070138493A1 (ko)
JP (1) JP4542042B2 (ko)
KR (1) KR100824154B1 (ko)
CN (1) CN100459173C (ko)
TW (1) TWI246778B (ko)
WO (1) WO2005071759A1 (ko)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8148735B2 (en) * 2005-03-07 2012-04-03 Rohm Co., Ltd. Optical communication module
FR2898218B1 (fr) * 2006-03-02 2009-12-11 Higher Way Electronic Co Ltd Structure de boitier pour une puce solaire
KR100810327B1 (ko) * 2006-09-05 2008-03-04 삼성전자주식회사 광 모듈 및 그를 이용한 광 통신 시스템
US8031164B2 (en) 2007-01-05 2011-10-04 Apple Inc. Backlight and ambient light sensor system
US8698727B2 (en) 2007-01-05 2014-04-15 Apple Inc. Backlight and ambient light sensor system
US8693877B2 (en) * 2007-03-09 2014-04-08 Apple Inc. Integrated infrared receiver and emitter for multiple functionalities
TWI414983B (zh) * 2009-10-02 2013-11-11 Inventec Appliances Corp 可攜式裝置及其操作方法
FR2997556A1 (fr) * 2012-10-29 2014-05-02 Waitrony Optoelectronics Ltd Appareil formant led a entree et sortie
JP6479536B2 (ja) * 2015-03-31 2019-03-06 パナソニック デバイスＳｕｎｘ株式会社 光電センサ
KR102421807B1 (ko) * 2017-04-10 2022-07-15 엘지이노텍 주식회사 라이다
JP6616369B2 (ja) * 2017-09-20 2019-12-04 京セラ株式会社 受発光素子モジュール
US11710708B2 (en) * 2021-08-19 2023-07-25 Raytheon Company On-chip EMF isolation of an integrated circuit coupled with photoconductive semiconductor switch under an on-chip faraday cage

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000046221A (ko) * 1998-12-31 2000-07-25 김영환 고체촬상소자 및 그의 제조방법

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6310573U (ko) * 1986-07-09 1988-01-23
JPS63269579A (ja) * 1987-04-28 1988-11-07 Toshiba Corp 半導体装置
JPH0697510A (ja) * 1992-09-11 1994-04-08 Toshiba Corp 小型光半導体装置
JP2602796Y2 (ja) * 1993-07-27 2000-01-24 新日本無線株式会社 赤外線リモコン用受光モジュール
JPH07273356A (ja) * 1994-03-29 1995-10-20 New Japan Radio Co Ltd 赤外リモコン受光ユニット
JP3115773B2 (ja) * 1994-10-04 2000-12-11 シャープ株式会社 プラグ・ジャック式光電共用伝送装置
JPH0984162A (ja) * 1995-09-14 1997-03-28 Sharp Corp リモコン受光ユニット
JP3266806B2 (ja) * 1996-08-30 2002-03-18 シャープ株式会社 赤外線リモコン受光ユニット及びその製造方法
JP2000252680A (ja) * 1999-03-04 2000-09-14 Sharp Corp 受光ユニット
US6590152B1 (en) * 1999-08-26 2003-07-08 Rohm Co., Ltd. Electromagnetic shield cap and infrared data communication module
JP2001305394A (ja) * 2000-04-20 2001-10-31 Yasuhiro Koike 光ファイバ用の受光装置および発光装置
DE10102119C1 (de) * 2001-01-18 2002-04-04 Vishay Semiconductor Gmbh Optoelektronisches Bauelement mit Leiterstreifenaufbau und Verfahren zu seiner Herstellung
JP2003298074A (ja) * 2002-04-03 2003-10-17 Seiko Instruments Inc 受光モジュールの製造方法
JP4285966B2 (ja) * 2002-09-27 2009-06-24 三洋電機株式会社 カメラモジュール
JP2005051031A (ja) * 2003-07-28 2005-02-24 Rohm Co Ltd 半導体モジュール

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000046221A (ko) * 1998-12-31 2000-07-25 김영환 고체촬상소자 및 그의 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
WO2005071759A1 (ja) 2005-08-04
US20070138493A1 (en) 2007-06-21
TW200527695A (en) 2005-08-16
CN1914740A (zh) 2007-02-14
KR20060116018A (ko) 2006-11-13
TWI246778B (en) 2006-01-01
JPWO2005071759A1 (ja) 2007-09-06
CN100459173C (zh) 2009-02-04
JP4542042B2 (ja) 2010-09-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100824154B1 (ko) 수광 모듈
KR101457069B1 (ko) 광학 근조도 센서
US20060202296A1 (en) Encapsulated light receiving and processing semiconductor module with enhanced shielding and grounding properties
US7842957B2 (en) Optical transceiver with reduced height
US20190081196A1 (en) Optical sensor module and a wearable device including the same
US10903387B2 (en) Optical sensing assembly and method for manufacturing the same, and optical sensing system
US20060153568A1 (en) Remote-control light receiving unit and electronic apparatus using the same
US7009267B2 (en) Semiconductor device
KR101476994B1 (ko) 광학 근조도 센서 및 그 제조방법
US10004140B2 (en) Three-dimensional circuit substrate and sensor module using three-dimensional circuit substrate
US20180358503A1 (en) Optical apparatus
JP4172558B2 (ja) 赤外線通信デバイス
JP2007035758A (ja) 受光ジュール
KR100527969B1 (ko) 광수신장치
KR20050027016A (ko) 반도체 장치 및 그 제조 방법
JP2005051031A (ja) 半導体モジュール
WO2018147222A1 (ja) 半導体装置
US10794760B2 (en) Optical sensor device
JP2007194381A (ja) 受光モジュール
CN219591396U (zh) 一种光电耦合装置
CN214097821U (zh) 具有倾斜光学微镜头的红外接近传感器
CN218386185U (zh) 一种dToF传感器封装结构
CN117915561A (zh) 光信号接收模组及其制作方法、线路板组件
JP2005079440A (ja) 受光モジュール
JP2000124478A (ja) 光半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee