JP2000124478A - 光半導体装置 - Google Patents
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- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
Abstract
(57)【要約】
【課題】 フィルム基板上に固定した半導体チップを樹
脂封止し、その側面から光信号を伝達する事により、薄
形化した光半導体装置を得る。 【解決手段】 フィルム基板２０上に受光素子２と発光
素子３とを固着し、上部を樹脂層で被覆して封止体２４
とする。受光素子２と発光素子３の上部の封止体に溝２
６を形成して反射面２７を形成し、反射面２７で光信号
６を屈曲させる。これにより、封止体２４の側面２４ａ
から光信号６を出入射させる光半導体装置を得る。
脂封止し、その側面から光信号を伝達する事により、薄
形化した光半導体装置を得る。 【解決手段】 フィルム基板２０上に受光素子２と発光
素子３とを固着し、上部を樹脂層で被覆して封止体２４
とする。受光素子２と発光素子３の上部の封止体に溝２
６を形成して反射面２７を形成し、反射面２７で光信号
６を屈曲させる。これにより、封止体２４の側面２４ａ
から光信号６を出入射させる光半導体装置を得る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、受光素子を、また
は発光素子と受光素子とを樹脂封止した光半導体装置に
関するものであり、特に装置の薄形化に関するものであ
る。
は発光素子と受光素子とを樹脂封止した光半導体装置に
関するものであり、特に装置の薄形化に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】最近、サブノートパソコン、携帯情報端
末、電子スチルカメラ等のマルチメディア機器がめざま
しい発展を遂げている。これらの機器は、携帯性を求め
られることから外部とのデータ送受信にも簡便なものが
要求され、赤外線等の光信号を用いることによりコード
レスで外部機器と本体とを接続する装置を備えたものが
多い。その中でも光信号として波長が８７０ｎｍの赤外
線を用いるＩｒＤＡ(Infrared Data Association)規格
が最も普及している。
末、電子スチルカメラ等のマルチメディア機器がめざま
しい発展を遂げている。これらの機器は、携帯性を求め
られることから外部とのデータ送受信にも簡便なものが
要求され、赤外線等の光信号を用いることによりコード
レスで外部機器と本体とを接続する装置を備えたものが
多い。その中でも光信号として波長が８７０ｎｍの赤外
線を用いるＩｒＤＡ(Infrared Data Association)規格
が最も普及している。
【０００３】ＩｒＤＡ通信を利用するためには、接続す
べき両方の機器に、赤外線信号を発する発光素子と、赤
外線信号を受ける受光素子とを備える必要がある。発光
素子と受光素子とは、それぞれ別個のパッケージとして
電子機器に組み込まれる場合もあるし、両者が１つのパ
ッケージに収納されたモジュールとして供給される場合
もある。
べき両方の機器に、赤外線信号を発する発光素子と、赤
外線信号を受ける受光素子とを備える必要がある。発光
素子と受光素子とは、それぞれ別個のパッケージとして
電子機器に組み込まれる場合もあるし、両者が１つのパ
ッケージに収納されたモジュールとして供給される場合
もある。
【０００４】図４に、発光素子と受光素子とを１つのパ
ッケージに収納した赤外線データ通信用の半導体装置の
例を示す（例えば、特開平１０−７０３０４号）。この
装置は、装置本体１内に、半導体チップの形態で提供さ
れた受光素子２と発光素子３とを収納したもので、少な
くとも赤外線に対して透明な樹脂で樹脂モールドしたも
のである。特に受光素子２においては、受光用のホトダ
イオードＰＤと、アンプ回路等の周辺回路とを同一チッ
プ内に集積化する場合もある。
ッケージに収納した赤外線データ通信用の半導体装置の
例を示す（例えば、特開平１０−７０３０４号）。この
装置は、装置本体１内に、半導体チップの形態で提供さ
れた受光素子２と発光素子３とを収納したもので、少な
くとも赤外線に対して透明な樹脂で樹脂モールドしたも
のである。特に受光素子２においては、受光用のホトダ
イオードＰＤと、アンプ回路等の周辺回路とを同一チッ
プ内に集積化する場合もある。
【０００５】半導体チップで提供された受光素子２のホ
トダイオードＰＤは、半導体チップの表面に対して垂直
方向に光を受ける構造になっている。そのため、受光素
子２、発光素子３共に、半導体チップに対して垂直に光
信号６を発光／受光する構造になっており、該光信号６
の集光のために各素子の上方に、半球体レンズ４、５を
樹脂で形成している。
トダイオードＰＤは、半導体チップの表面に対して垂直
方向に光を受ける構造になっている。そのため、受光素
子２、発光素子３共に、半導体チップに対して垂直に光
信号６を発光／受光する構造になっており、該光信号６
の集光のために各素子の上方に、半球体レンズ４、５を
樹脂で形成している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】電子機器における軽薄
短小化の要求に対応するためには、プリント基板上に固
着する電子部品自体の高さを制限することが不可欠であ
る。しかしながら、光信号６がプリント基板に対して垂
直方向に導入するように図５の装置本体１を実装する
と、レンズ４、５の存在等により装置本体１の高さが高
く、全体の薄形化が困難である欠点があった。
短小化の要求に対応するためには、プリント基板上に固
着する電子部品自体の高さを制限することが不可欠であ
る。しかしながら、光信号６がプリント基板に対して垂
直方向に導入するように図５の装置本体１を実装する
と、レンズ４、５の存在等により装置本体１の高さが高
く、全体の薄形化が困難である欠点があった。
【０００７】一方、図５に示すようにリードを折り曲げ
てレンズ４、５を横にすることで、プリント基板７に対
して水平方向に光信号６を導入する様にする事も可能で
ある。しかし、受光素子２と発光素子３の半導体チップ
を垂直に立てるようにして実装することから、実装時の
高さを半導体チップの大きさ以下にすることが原理的に
不可能であり、やはり薄形化が困難である欠点があっ
た。
てレンズ４、５を横にすることで、プリント基板７に対
して水平方向に光信号６を導入する様にする事も可能で
ある。しかし、受光素子２と発光素子３の半導体チップ
を垂直に立てるようにして実装することから、実装時の
高さを半導体チップの大きさ以下にすることが原理的に
不可能であり、やはり薄形化が困難である欠点があっ
た。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は前述の課題に鑑
みて成され、フィルム基板と、該フィルム基板の表面に
描画された内部電極と、前記フィルム基板を貫通して前
記内部電極に電気接続され、前記フィルム基板の裏面側
に形成されたバンプ電極と、前記フィルム基板の表面に
固定された、光信号と電気信号とを変換する半導体チッ
プと、前記半導体チップを被覆してパッケージ外形を形
成する樹脂層と、前記半導体チップの上部に設けられた
反射面とを具備し、前記パッケージ外形の側面から入出
する光信号を前記反射面で反射させて前記半導体チップ
表面に到達するように構成したことを特徴とするもので
ある。
みて成され、フィルム基板と、該フィルム基板の表面に
描画された内部電極と、前記フィルム基板を貫通して前
記内部電極に電気接続され、前記フィルム基板の裏面側
に形成されたバンプ電極と、前記フィルム基板の表面に
固定された、光信号と電気信号とを変換する半導体チッ
プと、前記半導体チップを被覆してパッケージ外形を形
成する樹脂層と、前記半導体チップの上部に設けられた
反射面とを具備し、前記パッケージ外形の側面から入出
する光信号を前記反射面で反射させて前記半導体チップ
表面に到達するように構成したことを特徴とするもので
ある。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の第１の実施の形態
を図面を参照しながら、詳細に説明する。本実施の形態
は受光素子２と発光素子３とを１つのパッケージに収納
したもので、図１（Ａ）（Ｂ）は本発明の構造を示す断
面図、図２は平面図である。尚、図１（Ａ）は受光素子
３部分のＡＡ線断面図を、図１（Ｂ）は発光素子３部分
のＢＢ線断面図を各々示している。
を図面を参照しながら、詳細に説明する。本実施の形態
は受光素子２と発光素子３とを１つのパッケージに収納
したもので、図１（Ａ）（Ｂ）は本発明の構造を示す断
面図、図２は平面図である。尚、図１（Ａ）は受光素子
３部分のＡＡ線断面図を、図１（Ｂ）は発光素子３部分
のＢＢ線断面図を各々示している。
【００１０】これらの図中、符号２０はフィルム基板を
示している。フィルム基板２０は膜厚が６０〜１２０μ
ｍ程度のエポキシ系絶縁フィルムからなり、その中央付
近には半導体チップを搭載するための領域が２箇所に設
けられ、その周辺には金メッキ層によって内部電極２１
が描画されている。前記２箇所の領域には、受光素子２
と発光素子３とが各々絶縁性の接着剤によって固定され
ている。
示している。フィルム基板２０は膜厚が６０〜１２０μ
ｍ程度のエポキシ系絶縁フィルムからなり、その中央付
近には半導体チップを搭載するための領域が２箇所に設
けられ、その周辺には金メッキ層によって内部電極２１
が描画されている。前記２箇所の領域には、受光素子２
と発光素子３とが各々絶縁性の接着剤によって固定され
ている。
【００１１】受光素子２は、半導体チップとして提供さ
れたＰＩＮホトダイオード等であり、これと共にＢＩＰ
型素子、ＭＯＳ型素子等による、周辺の駆動回路等を同
一チップ上に集積化した半導体チップでもよい。図２の
符号ＰＤは受光素子２のホトダイオード部分（受光面）
を示している。半導体チップの表面には電極パッド２２
が形成され、ボンディングワイヤ２３によって電極パッ
ド２２と内部電極２１とが接続されている。
れたＰＩＮホトダイオード等であり、これと共にＢＩＰ
型素子、ＭＯＳ型素子等による、周辺の駆動回路等を同
一チップ上に集積化した半導体チップでもよい。図２の
符号ＰＤは受光素子２のホトダイオード部分（受光面）
を示している。半導体チップの表面には電極パッド２２
が形成され、ボンディングワイヤ２３によって電極パッ
ド２２と内部電極２１とが接続されている。
【００１２】発光素子３は、例えば波長８７０ｎｍの赤
外光を発光するＬＥＤダイオードチップである。ＬＥＤ
はＧａＡｓのような化合物半導体からなり、チップの全
体で発光して全方位に光が発散する素子である。そのた
め、チップ周囲に円錐形の「お椀」のような形状の反射
板を形成し、発光素子３からの光信号６を傾斜した側壁
で上方向に反射させ、光を集めるような構造とするのも
よい。
外光を発光するＬＥＤダイオードチップである。ＬＥＤ
はＧａＡｓのような化合物半導体からなり、チップの全
体で発光して全方位に光が発散する素子である。そのた
め、チップ周囲に円錐形の「お椀」のような形状の反射
板を形成し、発光素子３からの光信号６を傾斜した側壁
で上方向に反射させ、光を集めるような構造とするのも
よい。
【００１３】フィルム基板２０上に固着された発光素子
２と受光素子３は、赤外光あるいは紫外光に対して透明
な樹脂でトランスファーモールドされる。樹脂は封止体
２４を構成し、フィルム基板２１の裏面側は露出する。
２と受光素子３は、赤外光あるいは紫外光に対して透明
な樹脂でトランスファーモールドされる。樹脂は封止体
２４を構成し、フィルム基板２１の裏面側は露出する。
【００１４】フィルム基板２０の裏面側には、多数のバ
ンプ電極２５を有する。フィルム基板２１の所望箇所に
貫通孔（図示せず）が設けられており、この貫通孔を介
して、バンプ電極２５と内部電極２１とが電気的に接続
している。そして、バンプ電極２５を外部接続用の端子
としてこの封止体２４が実装される。
ンプ電極２５を有する。フィルム基板２１の所望箇所に
貫通孔（図示せず）が設けられており、この貫通孔を介
して、バンプ電極２５と内部電極２１とが電気的に接続
している。そして、バンプ電極２５を外部接続用の端子
としてこの封止体２４が実装される。
【００１５】而して、受光素子２のホトダイオード部分
ＰＤの上部には、樹脂を凹ませた溝２６を形成し、溝２
６の側壁によって平坦な反射面２７を構成している。反
射面２７は、水平面に対して３５〜４５度程度の傾斜角
度を有し、封止体２４をトランスファーモールドする際
に、金型に溝２６に対応する雄型部分を形成しておくこ
とによって形成するか、あるいは完成後に封止体２４の
表面を削ることで形成される。そして、反射面２７は、
封止体２４の側面２５ａから導入させた光信号６を、反
射させて受光素子２のホトダイオード部分ＰＤに到達さ
せる役割を果たす。
ＰＤの上部には、樹脂を凹ませた溝２６を形成し、溝２
６の側壁によって平坦な反射面２７を構成している。反
射面２７は、水平面に対して３５〜４５度程度の傾斜角
度を有し、封止体２４をトランスファーモールドする際
に、金型に溝２６に対応する雄型部分を形成しておくこ
とによって形成するか、あるいは完成後に封止体２４の
表面を削ることで形成される。そして、反射面２７は、
封止体２４の側面２５ａから導入させた光信号６を、反
射させて受光素子２のホトダイオード部分ＰＤに到達さ
せる役割を果たす。
【００１６】尚、反射面２７は、その境界における材料
の屈折率の違いにより反射面となる。そのために、封止
体２４の全体が梨地加工されているのに対して、反射面
２７表面はそれより表面荒さが小さい鏡面加工としてい
る。反射面２７に関しては、反射率を向上するために、
その表面を遮光性の金属被膜などで覆っても良い。更に
は、集光が可能なパラボラ状の湾曲面としても良い。
の屈折率の違いにより反射面となる。そのために、封止
体２４の全体が梨地加工されているのに対して、反射面
２７表面はそれより表面荒さが小さい鏡面加工としてい
る。反射面２７に関しては、反射率を向上するために、
その表面を遮光性の金属被膜などで覆っても良い。更に
は、集光が可能なパラボラ状の湾曲面としても良い。
【００１７】上記の受光素子２に対して、発光素子３側
にも同様に溝２６と反射面２７とを形成する。受光素子
２側とはその傾斜角度などの設計を別にできるように別
個に設けてあるが、１個の連続した溝でも形成が可能で
ある。発光素子３から発光された信号光６を反射面２７
で反射し、封止体２４の側面２５ａから外部に出射する
機能を有する。
にも同様に溝２６と反射面２７とを形成する。受光素子
２側とはその傾斜角度などの設計を別にできるように別
個に設けてあるが、１個の連続した溝でも形成が可能で
ある。発光素子３から発光された信号光６を反射面２７
で反射し、封止体２４の側面２５ａから外部に出射する
機能を有する。
【００１８】封止体２４の側面２４ａは、金型から引き
抜くために５〜１０度のテーパ角θを有している。この
テーパ角θにより、側面２４ａで光信号６が屈曲して封
止体２４内部を伝搬する。反射面２７は、封止体２４内
部で伝搬する光信号６の角度に合わせて、受光素子２又
は発光素子３のチップ表面に対して垂直に光信号６が出
入射できるように、その角度が設計されている。
抜くために５〜１０度のテーパ角θを有している。この
テーパ角θにより、側面２４ａで光信号６が屈曲して封
止体２４内部を伝搬する。反射面２７は、封止体２４内
部で伝搬する光信号６の角度に合わせて、受光素子２又
は発光素子３のチップ表面に対して垂直に光信号６が出
入射できるように、その角度が設計されている。
【００１９】側面２４ａから光信号６を出入射させると
いう制約上、反射面２７はホトダイオードＰＤの全表面
と発光素子３の全表面を覆うことが必要である。この時
に、ボンディングパッド２２と内部電極２１の配置を考
慮することにより、ボンディングワイヤ２３が溝２６の
最深部３０を横断しないように配置することができる
（図２参照）。即ち、発光素子３にあっては内部電極２
１を側面２４ａ側に配置すること、そして受光素子２に
あってはボンディングパッド２２と内部電極２１を他の
側面２４ｂ側に配置するのである。これにより、ボンデ
ィングワイヤ２３が溝２６の最深部３０よりも高い位置
を通過しても両者の干渉を防止でき、溝２６を深く形成
することができる。溝２６を深くできることは、封止体
２４の高さｔを薄くできるのである。
いう制約上、反射面２７はホトダイオードＰＤの全表面
と発光素子３の全表面を覆うことが必要である。この時
に、ボンディングパッド２２と内部電極２１の配置を考
慮することにより、ボンディングワイヤ２３が溝２６の
最深部３０を横断しないように配置することができる
（図２参照）。即ち、発光素子３にあっては内部電極２
１を側面２４ａ側に配置すること、そして受光素子２に
あってはボンディングパッド２２と内部電極２１を他の
側面２４ｂ側に配置するのである。これにより、ボンデ
ィングワイヤ２３が溝２６の最深部３０よりも高い位置
を通過しても両者の干渉を防止でき、溝２６を深く形成
することができる。溝２６を深くできることは、封止体
２４の高さｔを薄くできるのである。
【００２０】この様に、光信号６の伝達経路を折り曲げ
ることによって、封止体２４の厚みｔが薄い半導体装置
を得ることができる。これによって、係る装置をプリン
ト基板上に表面実装した時にプリント基板全体の高さを
低く抑えることができ、更には前記プリント基板に対し
て水平方向に光信号６を出入射することができるので、
電子機器の薄形化を推進することができるものである。
尚、光半導体装置としては、受光素子２と発光素子３の
両方を封止した構造の他、どちらか一方を封止した装置
であっても良い。
ることによって、封止体２４の厚みｔが薄い半導体装置
を得ることができる。これによって、係る装置をプリン
ト基板上に表面実装した時にプリント基板全体の高さを
低く抑えることができ、更には前記プリント基板に対し
て水平方向に光信号６を出入射することができるので、
電子機器の薄形化を推進することができるものである。
尚、光半導体装置としては、受光素子２と発光素子３の
両方を封止した構造の他、どちらか一方を封止した装置
であっても良い。
【００２１】図３は、本発明の第２の実施の形態を説明
するための平面図である。封止体２４の側面２４ａに凸
状の湾曲面からなるレンズ２８を形成した例である。同
一箇所には同一の符号を付して説明を省略する。
するための平面図である。封止体２４の側面２４ａに凸
状の湾曲面からなるレンズ２８を形成した例である。同
一箇所には同一の符号を付して説明を省略する。
【００２２】レンズ２８は、封止体２４の樹脂層と一体
的に形成するのが簡便であり、その表面は受光素子２又
は発光素子３の表面に対して垂直な中心軸に対して半径
ｒをもつ円筒曲面（但し金型からのはく離を考慮したテ
ーパ角θを有する）の一部で構成されるか、あるいは半
径ｒの球面の一部で構成されている。これらのレンズ２
８は、反射面２７での反射を考慮した上で、受光素子２
のホトダイオード部分ＰＤの表面または発光素子３の表
面か、或いは表面よりもやや深い位置に焦点を持つよう
に考慮されている。そして、レンズ２８は、封止体２４
の他の側面２４ａから出入射させる光信号６を集光する
役割を果たす。集光機能を持たせることにより、発光強
度／受光感度を増大することができる。
的に形成するのが簡便であり、その表面は受光素子２又
は発光素子３の表面に対して垂直な中心軸に対して半径
ｒをもつ円筒曲面（但し金型からのはく離を考慮したテ
ーパ角θを有する）の一部で構成されるか、あるいは半
径ｒの球面の一部で構成されている。これらのレンズ２
８は、反射面２７での反射を考慮した上で、受光素子２
のホトダイオード部分ＰＤの表面または発光素子３の表
面か、或いは表面よりもやや深い位置に焦点を持つよう
に考慮されている。そして、レンズ２８は、封止体２４
の他の側面２４ａから出入射させる光信号６を集光する
役割を果たす。集光機能を持たせることにより、発光強
度／受光感度を増大することができる。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
反射面２７を設けることにより光信号６を反射させて受
光素子２に到達させる構成としたので、樹脂の側面２４
ａから光信号６の出入斜を行える光半導体装置を実現で
きる利点を有する。この装置は、封止体２４の全体の高
さｔを薄くできるので、プリント基板に実装したときに
大幅な薄形化を実現できるものである。
反射面２７を設けることにより光信号６を反射させて受
光素子２に到達させる構成としたので、樹脂の側面２４
ａから光信号６の出入斜を行える光半導体装置を実現で
きる利点を有する。この装置は、封止体２４の全体の高
さｔを薄くできるので、プリント基板に実装したときに
大幅な薄形化を実現できるものである。
【００２４】また、フィルム基板２０を用いることによ
り、内部電極２１を任意の位置に配置できるので、ボン
ディングワイヤ２３と溝２６の最深部３０との干渉を防
止した配置が可能である利点を有する。
り、内部電極２１を任意の位置に配置できるので、ボン
ディングワイヤ２３と溝２６の最深部３０との干渉を防
止した配置が可能である利点を有する。
【００２５】さらに、リードレスタイプであるので、装
置の実装面積を低減できる利点を有する。
置の実装面積を低減できる利点を有する。
【図１】第１の実施の形態を説明する断面図である。
【図２】第１の実施の形態を説明する平面図である。
【図３】第２の実施の形態を説明する平面図である。
【図４】従来例を説明する斜視図である。
【図５】従来例を説明する斜視図である。
フロントページの続き (72)発明者 落合 公 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 井野口 浩 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 石川 勉 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 関口 智 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 小堀 浩 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 Ｆターム(参考） 4M109 AA01 BA04 BA05 CA21 DA07 EA01 EC11 EE13 GA01 5F088 AA03 BA15 BA20 BB01 FA11 GA01 JA06 JA10 JA20 KA01 KA02 LA01 5F089 AA01 AB09 AC11 AC13 AC18 AC23 CA20 CA21 DA02 DA06 EA04 EA06 EA08
Claims (3)
- 【請求項１】 フィルム基板と、該フィルム基板の表面
に描画された内部電極と、前記フィルム基板を貫通して
前記内部電極に電気接続され、前記フィルム基板の裏面
側に形成されたバンプ電極と、前記フィルム基板の表面
に固定された、光信号と電気信号とを変換する半導体チ
ップと、前記半導体チップを被覆してパッケージ外形を
形成する樹脂層と、前記半導体チップの上部に設けられ
た反射面とを具備し、 前記パッケージ外形の側面から入出する光信号を前記反
射面で反射させて前記半導体チップ表面に到達するよう
に構成したことを特徴とする光半導体装置。 - 【請求項２】 前記光信号を入出する側面に前記光信号
を集光するレンズを具備する請求項１記載の光半導体装
置。 - 【請求項３】 前記側面が傾斜しており、該側面での光
信号の曲折と、前記反射面での曲折とを組み合わせて、
前記半導体チップ表面では前記光信号が垂直方向に伝搬
するように、前記側面の傾斜角と前記反射面の傾斜角と
が組み合わされていることを特徴とする請求項１記載の
光半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29554998A JP3976420B2 (ja) | 1998-10-16 | 1998-10-16 | 光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29554998A JP3976420B2 (ja) | 1998-10-16 | 1998-10-16 | 光半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000124478A true JP2000124478A (ja) | 2000-04-28 |
| JP3976420B2 JP3976420B2 (ja) | 2007-09-19 |
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ID=17822092
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29554998A Expired - Fee Related JP3976420B2 (ja) | 1998-10-16 | 1998-10-16 | 光半導体装置 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3976420B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012235178A (ja) * | 2012-09-07 | 2012-11-29 | Sharp Corp | 半導体装置およびコネクタ |
| US8608388B2 (en) | 2009-04-27 | 2013-12-17 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and connector |
| WO2017203953A1 (ja) * | 2016-05-27 | 2017-11-30 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
-
1998
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| JP2012235178A (ja) * | 2012-09-07 | 2012-11-29 | Sharp Corp | 半導体装置およびコネクタ |
| WO2017203953A1 (ja) * | 2016-05-27 | 2017-11-30 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
| US10720545B2 (en) | 2016-05-27 | 2020-07-21 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US11069827B2 (en) | 2016-05-27 | 2021-07-20 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3976420B2 (ja) | 2007-09-19 |
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