JPS612371A - 半導体受光装置 - Google Patents
半導体受光装置Info
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- JPS612371A JPS612371A JP59124145A JP12414584A JPS612371A JP S612371 A JPS612371 A JP S612371A JP 59124145 A JP59124145 A JP 59124145A JP 12414584 A JP12414584 A JP 12414584A JP S612371 A JPS612371 A JP S612371A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、半導体受光装置に関するものである。
第１図は従来から用いられている代表的な半導体受光装
置を示す。図において、１はホトダイオード、２はヒー
トシンク、３はリード線、４はヒー トシンク２がマウ
ントされた円板状のステム、５は封入雰囲気ガス、６は
キャップ、７は入射光１０を取り込むためのガラス窓用
ガラス板、８は封■ヒ用ガラス、９は電極である。そし
て従来のこの種の装置では、封入雰囲気ガス５として、
不活性であり、露点が低く、安価な窒素ガスが用いられ
てきた。
置を示す。図において、１はホトダイオード、２はヒー
トシンク、３はリード線、４はヒー トシンク２がマウ
ントされた円板状のステム、５は封入雰囲気ガス、６は
キャップ、７は入射光１０を取り込むためのガラス窓用
ガラス板、８は封■ヒ用ガラス、９は電極である。そし
て従来のこの種の装置では、封入雰囲気ガス５として、
不活性であり、露点が低く、安価な窒素ガスが用いられ
てきた。
ところで、従来、−上記ホトダイオード１の１例として
メカー型１ｎＧａＡｓホトダイオードが用いられている
が、このＩｎＧａＡｓホトダイオードを用いた半導体受
光装置では、組立時の劣化のため歩習りが低いという問
題点があった。
メカー型１ｎＧａＡｓホトダイオードが用いられている
が、このＩｎＧａＡｓホトダイオードを用いた半導体受
光装置では、組立時の劣化のため歩習りが低いという問
題点があった。
一方最近、新しい表面保護膜としてポリイミド膜が使わ
れ始めている。第２図は上記ポリイミド膜を用いた従来
のメサ型１ｎＧａＡｓホトダイオードを示し、図におい
て、１４はｎ−１ｎＰ層、１３はｎ−ＩｎＧａＡｓ層、
１２はｐ −１ｎＧａＡｓ層、１１は電極であり、また
１５は表面保護膜としてのポリイミド膜である。
れ始めている。第２図は上記ポリイミド膜を用いた従来
のメサ型１ｎＧａＡｓホトダイオードを示し、図におい
て、１４はｎ−１ｎＰ層、１３はｎ−ＩｎＧａＡｓ層、
１２はｐ −１ｎＧａＡｓ層、１１は電極であり、また
１５は表面保護膜としてのポリイミド膜である。
上記ポリイミドを表面に塗布したＩｎＧａＡｓホトダイ
オード１を第１図のパッケージにマウントした半導体受
光装置では、外部から入射した光１０はこのホトダイオ
ードｌによって電流に変換され、該変換された電流は電
極９によって外部に取り出される。
オード１を第１図のパッケージにマウントした半導体受
光装置では、外部から入射した光１０はこのホトダイオ
ードｌによって電流に変換され、該変換された電流は電
極９によって外部に取り出される。
上記ポリイミド膜を用いた半導体受光装置では、組立時
の劣化がなく、歩留りが高く、また特性のそろったもの
が得られ、十分に実用化できることが期待されている。
の劣化がなく、歩留りが高く、また特性のそろったもの
が得られ、十分に実用化できることが期待されている。
しかし、一方ポリイミド膜を用いたものでは、暗電流の
初期値が多少高く、しかも暗電流が通電時間とともに増
加するという問題を残している。
初期値が多少高く、しかも暗電流が通電時間とともに増
加するという問題を残している。
以下この暗電流の問題について説明する。
第３図は半導体受光装Ｆにおける高温通電試験の暗電流
−通電時間特性を示し、図において、曲線Ａは、−Ｆ記
ポリイミド膜を形成して窒素ガスを封入した従来装置の
特性を示し、曲線Ｂはポリイミド膜を形成することなく
窒素ガスを封入した従来の半導体受光装置の特性を示す
。上記ポリイミド膜を形成していないものでは、曲線Ｂ
から明らかなように、通電時間が数百時間の範囲ではｌ
ｌ’１重流は増加していないのに対し、上記ボリイ’＋
）’Ｉ’Ｎを形成したものでは、曲線へから明らかな
ように、上記と同程度の通電時間で暗電流の急速な増加
が見られる。
−通電時間特性を示し、図において、曲線Ａは、−Ｆ記
ポリイミド膜を形成して窒素ガスを封入した従来装置の
特性を示し、曲線Ｂはポリイミド膜を形成することなく
窒素ガスを封入した従来の半導体受光装置の特性を示す
。上記ポリイミド膜を形成していないものでは、曲線Ｂ
から明らかなように、通電時間が数百時間の範囲ではｌ
ｌ’１重流は増加していないのに対し、上記ボリイ’＋
）’Ｉ’Ｎを形成したものでは、曲線へから明らかな
ように、上記と同程度の通電時間で暗電流の急速な増加
が見られる。
本発明者は、上記ポリイｉ ＋・膜を形成した半導体受
光装置において暗電流が増加するのは、雰囲気ガスとし
ての窒素ガスの影響により、高／ＦＡ通電中にポリイミ
ド−膜又はポリイミド膜と結晶との界面に変化が住じた
からであり、その結果暗電流が増大したものであること
を見い出した。そこで本発明は、ポリイミド膜を表面保
護膜としたホトタイオードの雰囲気ガスとして、ｆｌを
含む気体を用いることにより、高温通電時における暗電
流の増加を防止でき、信頼性の高い半導体受光装置を櫂
供することを目的としている。
光装置において暗電流が増加するのは、雰囲気ガスとし
ての窒素ガスの影響により、高／ＦＡ通電中にポリイミ
ド−膜又はポリイミド膜と結晶との界面に変化が住じた
からであり、その結果暗電流が増大したものであること
を見い出した。そこで本発明は、ポリイミド膜を表面保
護膜としたホトタイオードの雰囲気ガスとして、ｆｌを
含む気体を用いることにより、高温通電時における暗電
流の増加を防止でき、信頼性の高い半導体受光装置を櫂
供することを目的としている。
以下、この発明の実施例を図に一ついて説明する。
本発明の一実施例による半導体受光装置は、第１図にお
いて、封入雰囲気ガス５を乾燥空気としたものである。
いて、封入雰囲気ガス５を乾燥空気としたものである。
次に、第３図について本実施例による暗電流の改善効果
を説明する。第３図の曲線Ｃは、本実施例装置の暗電流
−通電時間特性を示し、本実施例装置では、曲線Ｃから
明らかなように、通電時間の経過とともに暗電流が減少
し、ポリイミドを塗布しない場合と同程度まで下がるこ
とがわかる。
を説明する。第３図の曲線Ｃは、本実施例装置の暗電流
−通電時間特性を示し、本実施例装置では、曲線Ｃから
明らかなように、通電時間の経過とともに暗電流が減少
し、ポリイミドを塗布しない場合と同程度まで下がるこ
とがわかる。
これは乾燥空気中の酸素がポリイミドの膜質に暗電流を
低下するのに効果的な影響を及ぼし、暗電流を減少せし
めたものと考えられる。
低下するのに効果的な影響を及ぼし、暗電流を減少せし
めたものと考えられる。
このように本実施例では、封入雰囲気ガスとして乾燥空
気を用いたので、暗電流の増加を防１１でき、また乾燥
空気は従来の窒素ガスと比べて安価であり、装置のコス
トを低減できる。
気を用いたので、暗電流の増加を防１１でき、また乾燥
空気は従来の窒素ガスと比べて安価であり、装置のコス
トを低減できる。
なお、ト記実旅例では、雰囲気ガスとして乾燥空気を用
いた場合について説明したが、暗電流の改善に酸素が関
与していると考えられることから、乾燥空気の代わりに
酸素を用いることもできる。
いた場合について説明したが、暗電流の改善に酸素が関
与していると考えられることから、乾燥空気の代わりに
酸素を用いることもできる。
また上記実施例では、ホトタイオードからなる２１′導
体受光装置について説明したが、本発明は、ホトダイオ
ード以外のＪ’ｖの半導体装置にも適用できる。
体受光装置について説明したが、本発明は、ホトダイオ
ード以外のＪ’ｖの半導体装置にも適用できる。
以−ヒのようにこの発明によれは、表面保護膜としてポ
リイミド膜を用いた半導体受光装置において、封入雰囲
気ガスに酸素を含む気体を用いたので、暗電流の増加を
防止でき、信頼性の高い半導体受光装置が得られる効果
がある。
リイミド膜を用いた半導体受光装置において、封入雰囲
気ガスに酸素を含む気体を用いたので、暗電流の増加を
防止でき、信頼性の高い半導体受光装置が得られる効果
がある。
第１図は従来及び本発明の一実施例による半導体受光装
置の断面図、第２図はそのホトタイオードの１例である
メサ型１ｎＧａＡｓポトダイオードの断面図、第３図は
上記実施例の暗電流の改善効果を説明するための高温通
電試験での暗電流−通電時間特性図である。 １・・・ホトダイオ−１・、５・・・雰囲気ガス、６・
・・パンケージ、１５・・・ポリイミド膜。
置の断面図、第２図はそのホトタイオードの１例である
メサ型１ｎＧａＡｓポトダイオードの断面図、第３図は
上記実施例の暗電流の改善効果を説明するための高温通
電試験での暗電流−通電時間特性図である。 １・・・ホトダイオ−１・、５・・・雰囲気ガス、６・
・・パンケージ、１５・・・ポリイミド膜。
Claims (1)
- （１）ポリイミド膜を用いて表面が保護されたホトダイ
オードを気密封止されたパッケージ内にマウントしてな
る半導体受光装置において、上記パッケージ内雰囲気ガ
スを酸素を含む気体としたことを特徴とする半導体受光
装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59124145A JPS612371A (ja) | 1984-06-14 | 1984-06-14 | 半導体受光装置 |
| US06/743,747 US4706106A (en) | 1984-06-14 | 1985-06-12 | Semiconductor light receiving device |
| EP85304227A EP0168964B1 (en) | 1984-06-14 | 1985-06-13 | A semiconductor light receiving device |
| DE8585304227T DE3565341D1 (en) | 1984-06-14 | 1985-06-13 | A semiconductor light receiving device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59124145A JPS612371A (ja) | 1984-06-14 | 1984-06-14 | 半導体受光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS612371A true JPS612371A (ja) | 1986-01-08 |
Family
ID=14878043
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59124145A Pending JPS612371A (ja) | 1984-06-14 | 1984-06-14 | 半導体受光装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4706106A (ja) |
| EP (1) | EP0168964B1 (ja) |
| JP (1) | JPS612371A (ja) |
| DE (1) | DE3565341D1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6430965A (en) * | 1987-07-24 | 1989-02-01 | Tsubakimoto Chain Co | Intermittent motion device |
| US6645783B1 (en) | 1997-10-23 | 2003-11-11 | Siemens Aktiengesellschaft | Method of producing an optoelectronic component |
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|---|---|---|---|---|
| US4868639A (en) * | 1986-08-11 | 1989-09-19 | Fujitsu Limited | Semiconductor device having waveguide-coaxial line transformation structure |
| JPH0721512B2 (ja) * | 1987-03-27 | 1995-03-08 | 日本碍子株式会社 | 光センサ用光部品 |
| JPH01214141A (ja) * | 1988-02-23 | 1989-08-28 | Nec Corp | フリップチップ型半導体装置 |
| GB2234060A (en) * | 1989-07-01 | 1991-01-23 | Plessey Co Plc | A radiation detector |
| DE4206437A1 (de) * | 1992-02-29 | 1993-09-16 | Telefunken Microelectron | Halbleiter-baugruppe |
| US5302778A (en) * | 1992-08-28 | 1994-04-12 | Eastman Kodak Company | Semiconductor insulation for optical devices |
| DE19536216C1 (de) * | 1995-09-28 | 1996-07-11 | Siemens Ag | Optoelektronisches Detektor-Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung |
| DE19536434C2 (de) * | 1995-09-29 | 2001-11-15 | Siemens Ag | Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterlaser-Bauelements |
| US5939785A (en) * | 1996-04-12 | 1999-08-17 | Texas Instruments Incorporated | Micromechanical device including time-release passivant |
| US6229088B1 (en) | 1998-01-09 | 2001-05-08 | Legacy Technologies, Inc. | Low profile electronic enclosure |
| DE10255462B4 (de) * | 2002-11-25 | 2005-07-07 | Infineon Technologies Ag | Elektrische Anordnung und Verfahren zum Herstellen einer elektrischen Anordnung |
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| JP3991018B2 (ja) * | 2003-09-01 | 2007-10-17 | シャープ株式会社 | 半導体装置 |
| US6992251B1 (en) * | 2004-08-31 | 2006-01-31 | Sung Jung Minute Industry Co., Ltd. | Rectification chip terminal structure |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| BE546710A (ja) * | 1955-06-08 | 1900-01-01 | ||
| JPS5598877A (en) * | 1979-01-24 | 1980-07-28 | Toshiba Corp | Semiconductor element |
| DE2919404C2 (de) * | 1979-05-14 | 1986-04-03 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Gehäuse für Halbleiterbauelement |
| DE3125622A1 (de) * | 1981-06-30 | 1983-01-13 | Imchemie Kunststoff Gmbh, 5632 Wermelskirchen | Platte als fassadenverkleidung oder dachziegel |
| FR2548455A1 (fr) * | 1983-06-18 | 1985-01-04 | Nukem Gmbh | Collecteur solaire a pile photovoltaique |
-
1984
- 1984-06-14 JP JP59124145A patent/JPS612371A/ja active Pending
-
1985
- 1985-06-12 US US06/743,747 patent/US4706106A/en not_active Expired - Fee Related
- 1985-06-13 DE DE8585304227T patent/DE3565341D1/de not_active Expired
- 1985-06-13 EP EP85304227A patent/EP0168964B1/en not_active Expired
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| US6645783B1 (en) | 1997-10-23 | 2003-11-11 | Siemens Aktiengesellschaft | Method of producing an optoelectronic component |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0168964A1 (en) | 1986-01-22 |
| US4706106A (en) | 1987-11-10 |
| DE3565341D1 (en) | 1988-11-03 |
| EP0168964B1 (en) | 1988-09-28 |
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