JP2018098687A - 弾性波デバイス - Google Patents

Abstract

【課題】弾性波共振器基板がパッケージ基板にフリップチップ実装した場合に、基板に設けられた配線層がパッケージ基板に設けられた配線層に短絡することを抑制する。【解決手段】弾性波デバイス１００は、基板３２と、基板３２上に設けられた弾性波共振器３４と、基板３２上に設けられ、弾性波共振器３４に接続された第１配線層３６と、第１配線層上に設けられ、弾性波共振器上には設けられていない絶縁膜４２と、を備える。基板との間に弾性波共振器及び第１配線層を挟み、弾性波共振器及び第１配線層が露出する空隙を有して基板に接合されたパッケージ基板１０と、パッケージ基板の基板３２に対向する面上に設けられた第２配線層１４と、を備える。絶縁膜４２は、第１配線層のうちの第２配線層に平面視で重なる領域に設けられ、第２配線層に平面視で重ならない領域の少なくとも一部には設けられていない。【選択図】図１

Description

本発明は、弾性波デバイスに関する。

基板上に、弾性波共振器と、弾性波共振器に接続された配線層と、が設けられた弾性波デバイスが知られている（例えば、特許文献１）。

特開２０１３−１５３２８９号公報

弾性波デバイスの小型化のために、配線層の細線化が進められている。この際、細線化による配線抵抗の増加を抑制するために、配線層を厚くすることが検討されている。配線層が厚くなるほど、配線層に高い突起が形成され易くなる。このため、弾性波共振器と配線層とが形成された基板をパッケージ基板にフリップチップ実装した場合に、基板に設けられた配線層がパッケージ基板に設けられた配線層に接触して短絡する恐れがある。

本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、短絡を抑制することを目的とする。

本発明は、基板と、前記基板上に設けられた弾性波共振器と、前記基板上に設けられ、前記弾性波共振器に接続された第１配線層と、前記第１配線層上に設けられ、前記弾性波共振器上には設けられていない絶縁膜と、を備える弾性波デバイスである。

上記構成において、前記基板との間に前記弾性波共振器及び前記第１配線層を挟み、前記弾性波共振器及び前記第１配線層が露出する空隙を有して前記基板に接合されたパッケージ基板と、前記パッケージ基板の前記基板に対向する面上に設けられた第２配線層と、を備え、前記絶縁膜は、前記第１配線層のうちの前記第２配線層に平面視で重なる領域に設けられ、前記第２配線層に平面視で重ならない領域の少なくとも一部には設けられていない構成とすることができる。

上記構成において、複数の前記弾性波共振器が端子間に接続されていて、前記絶縁膜は、前記複数の弾性波共振器の間を接続する前記第１配線層上に設けられ、前記端子と前記複数の弾性波共振器との間を接続する前記第１配線層上には設けられていない構成とすることができる。

上記構成において、前記絶縁膜は、前記第１配線層の上面に接して設けられている構成とすることができる。

本発明は、基板と、前記基板上に設けられた弾性波共振器と、前記基板上に設けられ、前記弾性波共振器に接続された第１配線層と、前記基板との間に前記弾性波共振器及び前記第１配線層を挟み、前記弾性波共振器及び前記第１配線層が露出する空隙を有して前記基板に接合されたパッケージ基板と、前記パッケージ基板の前記基板に対向する面上に設けられた第２配線層と、前記第２配線層上に設けられた絶縁膜と、を備える弾性波デバイスである。

上記構成において、前記絶縁膜は、前記第２配線層のうちの前記第１配線層に平面視で重なる領域に設けられ、前記第１配線層に平面視で重ならない領域の少なくとも一部には設けられていない構成とすることができる。

上記構成において、複数の前記弾性波共振器が端子間に接続されていて、前記絶縁膜は、前記第２配線層のうちの前記複数の弾性波共振器の間を接続する前記第１配線層に平面視で重なる領域に設けられ、前記端子と前記複数の弾性波共振器との間を接続する前記第１配線層に平面視で重なる領域には設けられていない構成とすることができる。

上記構成において、前記絶縁膜は、前記第２配線層の上面に接して設けられている構成とすることができる。

上記構成において、前記弾性波共振器は、弾性表面波共振器又は圧電薄膜共振器である構成とすることができる。

本発明によれば、短絡を抑制することができる。

図１は、実施例１に係る弾性波デバイスの断面図である。 図２（ａ）は、弾性波共振器の平面図、図２（ｂ）は、圧電薄膜共振器の断面図である。 図３（ａ）から図３（ｄ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図である。 図４は、比較例に係る弾性波デバイスの断面図である。 図５（ａ）から図５（ｄ）は、実施例１の変形例１に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図である。 図６（ａ）は、実施例２に係る弾性波デバイスに備わる基板の平面図、図６（ｂ）は、パッケージ基板の平面図である。 図７は、実施例３に係る弾性波デバイスの断面図である。 図８（ａ）は、実施例４に係る弾性波デバイスに備わる基板の平面図、図８（ｂ）は、パッケージ基板の平面図である。

以下、図面を参照して、本発明の実施例について説明する。

図１は、実施例１に係る弾性波デバイス１００の断面図である。図１のように、実施例１の弾性波デバイス１００は、パッケージ基板１０と、デバイスチップ３０と、を含む。デバイスチップ３０は、バンプ６２によってパッケージ基板１０の平坦上面にフリップチップ実装されている。バンプ６２は、例えば金（Ａｕ）バンプ又は銅（Ｃｕ）バンプであり、例えばスタッドバンプ又はめっきバンプである。パッケージ基板１０とデバイスチップ３０との間には、弾性波共振器３４と配線層３６が露出する空隙６４が形成されている。弾性波共振器３４は弾性波を励振する機能部であり、弾性波共振器３４が空隙６４に露出することで弾性波の励振を確保できる。

パッケージ基板１０は、例えば酸化アルミニウムなどのセラミック基板であるが、その他の絶縁基板であってもよい。パッケージ基板１０の一方の主面上にパッド１２と配線層１４が設けられている。配線層１４は空隙６４に露出している。配線層１４には、製造に起因した意図しない突起２０が形成されることがある。バンプ６２はパッド１２に接合している。パッド１２は、パッケージ基板１０の内部に設けられた内部配線１６を介して、パッケージ基板１０の他方の主面上に設けられたフットパッド１８に電気的に接続されている。パッド１２、配線層１４、内部配線１６、及びフットパッド１８は、例えば金を含んで形成されるが、その他の金属で形成されてもよい。

デバイスチップ３０は、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ_３）基板又はニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ_３）基板などの圧電基板を含む基板３２と、基板３２上に設けられた弾性波共振器３４と、を含む。基板３２は、サファイア基板、スピネル基板、酸化アルミニウム基板、又はシリコン基板などの支持基板の主面に圧電基板が接合された接合基板でもよい。パッケージ基板１０と基板３２との間に、弾性波共振器３４と配線層３６とが挟まれていて、弾性波共振器３４と配線層３６が露出する空隙６４が形成されている。

図２（ａ）は、弾性波共振器３４の平面図である。図２（ａ）のように、弾性波共振器３４は、例えば弾性表面波共振器である。弾性波共振器３４は、基板３２上に、ＩＤＴ（Interdigital Transducer）４４とその両側に位置する反射器４６とを備える。ＩＤＴ４４は、１対の櫛形電極４８を備える。櫛形電極４８は、複数の電極指５０と、複数の電極指５０が接続されたバスバー５２と、を備える。１対の櫛形電極４８は、電極指５０がほぼ互い違いに配列するように対向している。ＩＤＴ４４は、基板３２に弾性表面波を励振する。ＩＤＴ４４及び反射器４６は、例えばアルミニウムと銅の合金などの金属で形成されている。ＩＤＴ４４及び反射器４６上に絶縁体からなる保護膜又は温度補償膜を設けてもよい。

なお、実施例１では、弾性波共振器３４が弾性表面波共振器である場合を例に説明するが、弾性波共振器３４は圧電薄膜共振器であってもよい。図２（ｂ）は、圧電薄膜共振器の断面図である。図２（ｂ）のように、基板３２上に圧電膜５６が設けられている。基板３２は、例えばサファイア基板、スピネル基板、又は酸化アルミニウム基板などの絶縁基板、若しくはシリコン基板などの半導体基板である。圧電膜５６を挟んで下部電極５４と上部電極５８が設けられている。下部電極５４と基板３２との間に空隙６０が形成されている。下部電極５４及び上部電極５８は、圧電膜５６内に厚み縦振動モードの弾性波を励振する。下部電極５４及び上部電極５８は、例えばルテニウムなどの金属膜である。圧電膜５６は、例えば窒化アルミニウム膜である。

図１のように、基板３２上に、配線層３６とパッド３８が設けられている。配線層３６及びパッド３８は、弾性波共振器３４に電気的に接続されている。バンプ６２はパッド３８に接合している。配線層３６及びパッド３８は、ＩＤＴ４４と同じ金属且つ同じ膜厚を有する第１金属膜上に、ＩＤＴ４４とは異なる金属（例えばチタンと金の積層）からなる第２金属膜が設けられた構成をしている。

配線層３６及びパッド３８は、例えば電子ビーム蒸着法を用いて形成される。電子ビーム蒸着法では蒸着材料の突沸（スプラッシュ）が生じる場合があり、これにより、突起４０が形成されることがある。配線層３６上に絶縁膜４２が設けられている。絶縁膜４２は、配線層３６上に設けられ、弾性波共振器３４上には設けられていない。例えば、絶縁膜４２は、基板３２のうちの配線層３６上にのみ設けられ、配線層３６以外の領域には設けられていない。また、例えば、絶縁膜４２は、配線層３６のうちのパッケージ基板１０の配線層１４に平面視で重なる領域に設けられ、配線層１４に平面視で重ならない領域の少なくとも一部には設けられていない。絶縁膜４２は、配線層３６の上面に接して設けられている。絶縁膜４２は、例えば酸化シリコン（ＳｉＯ_２）膜や窒化シリコン（ＳｉＮ）膜などの無機膜であり、厚さは１０ｎｍ〜１００ｎｍ程度である。

図３（ａ）から図３（ｄ）は、実施例１に係る弾性波デバイス１００の製造方法を示す断面図である。図３（ａ）のように、基板３２上に例えば電子ビーム蒸着法及びリフトオフ法を用いて弾性波共振器３４を形成する。なお、弾性波共振器３４は、スパッタリング法及びエッチング法を用いて形成してもよい。配線層３６及びパッド３８が形成される領域にも、弾性波共振器３４と同じ金属且つ同じ膜厚の第１金属膜が形成される。次いで、第１金属膜上に例えば電子ビーム蒸着法及びリフトオフ法を用いて第２金属膜を形成して、第１金属膜と第２金属膜の積層膜からなる配線層３６及びパッド３８を形成する。

配線層３６及びパッド３８を例えば電子ビーム蒸着法を用いて形成する場合、蒸発材料の突沸（スプラッシュ）により突起４０が形成されることがある。配線層３６は、細線化による抵抗増加を抑制するために厚く形成される。配線層３６の厚さは、例えば２．５μｍ程度である。突起４０の高さは配線層３６の厚さに依存し、配線層３６が厚くなるほど突起４０は高くなる傾向がある。例えば、配線層３６の厚さが０．４μｍの場合、突起４０の高さは１μｍ程度、配線層３６の厚さが１μｍの場合、突起４０の高さは１．５μｍ程度、配線層３６の厚さが２．５μｍの場合、突起４０の高さは２μｍ程度である。

突起４０は以下の理由により形成されると考えられる。すなわち、電子ビーム蒸着法は、高真空雰囲気中でるつぼに入れた蒸発材料に電子ビームを照射し、蒸着材料を加熱蒸発させることで行われる。このときに、るつぼの表面側に位置する蒸着材料は電子ビームによって溶けても、るつぼの奥側に位置する蒸着材料は溶けずにチップ状で残存していることが考えられる。この場合、チップ状の蒸着材料間に空隙が形成された状態になっている。蒸着が進むに連れて、この空隙が表面に出てくることで突沸が生じ、その結果、突起が形成されると考えられる。

図３（ｂ）のように、基板３２上に、配線層３６上に開口を有し、その他の領域を覆うマスク層７０を形成する。例えば、マスク層７０は、配線層３６とパッケージ基板１０の配線層１４とが重なる領域の配線層３６上に開口を有し、その他の領域を覆う。マスク層７０は、開口において逆テーパ形状の側面を有していてもよい。マスク層７０は、パッケージ基板１０に形成される配線層１４のパターンデータを利用することで形成できる。マスク層７０は、例えばレジストマスクである。次いで、スパッタリング法又は蒸着法を用いて、酸化シリコン膜又は窒化シリコン膜を堆積して、絶縁膜４２を形成する。

図３（ｃ）のように、リフトオフ法を用いてマスク層７０を除去する。これにより、配線層３６上に絶縁膜４２が形成される。例えば、配線層３６のうちのパッケージ基板１０の配線層１４に重なる領域上に絶縁膜４２が形成される。

図３（ｄ）のように、基板３２上に形成されたパッド３８を、バンプ６２を用いて、パッケージ基板１０上に形成されたパッド１２に接合する。基板３２に設けられた配線層３６とパッケージ基板１０に設けられた配線層１４との間隔は、例えば１０μｍ程度である。これにより、実施例１の弾性波デバイス１００が形成される。

図４は、比較例に係る弾性波デバイスの断面図である。図４のように、比較例に係る弾性波デバイス５００では、配線層３６の全ての領域上に絶縁膜４２が設けられていない。その他の構成は、実施例１の図１と同じであるため説明を省略する。

比較例の弾性波デバイス５００では、配線層３６の全ての領域上に絶縁膜４２が設けられていない。このため、突起４０によって配線層３６と配線層１４との間隔が狭くなった箇所があると、パッケージ基板１０の反りや配線層１４の突起２０などによって配線層１４の平坦度（コプラナリティ）が低下した場合に、配線層３６と配線層１４とが接触して短絡することがある。

一方、実施例１によれば、配線層３６上に絶縁膜４２が設けられている。このため、突起４０によって配線層３６と配線層１４との間隔が狭くなった箇所があり、パッケージ基板１０の反りや配線層１４の突起２０などによって配線層１４の平坦度（コプラナリティ）が低下した場合でも、配線層３６と配線層１４との接触を抑制することができる。

以上のように、実施例１によれば、図１のように、配線層３６上に絶縁膜４２が設けられている。これにより、配線層３６が配線層１４に接触する短絡を抑制できる。また、絶縁膜４２は、配線層３６上に設けられ、弾性波共振器３４上には設けられていない。弾性波共振器３４上に絶縁膜４２が設けられると周波数変化や放熱性の低下が生じるが、絶縁膜４２が弾性波共振器３４上に設けられないことで、周波数変化や放熱性の低下を抑制できる。

また、実施例１によれば、図１のように、絶縁膜４２は、配線層３６のうちのパッケージ基板１０の配線層１４に平面視で重なる領域に設けられ、配線層１４に平面視で重ならない領域の少なくとも一部には設けられていない。配線層３６と配線層１４との接触を抑制するために、絶縁膜４２が配線層３６の全ての領域上に設けられている場合でもよいが、絶縁膜４２で配線層３６を覆うと配線層３６の放熱性が低下してしまう。したがって、絶縁膜４２は、配線層３６のうちの配線層１４に平面視で重なる領域（配線層３６と配線層１４が接触し易い領域）に設けられ、配線層１４に平面視で重ならない領域（配線層３６と配線層１４が接触し難い領域）の少なくとも一部には設けられていないことが好ましい。また、配線層３６の放熱性を考慮すると、絶縁膜４２は、配線層３６のうちの配線層１４に平面視で重ならない領域の全てに設けられていないことが好ましい。

配線層３６と配線層１４の短絡を抑制する点から、絶縁膜４２はある程度の厚さを有することが好ましい。例えば、絶縁膜４２は、弾性波共振器３４を構成するＩＤＴ４４及び反射器４６上に設けられた保護膜又は温度補償膜よりも厚いことが好ましい。

図１のように、絶縁膜４２は、配線層３６の上面に接して設けられていることが好ましい。これは、配線層３６と配線層１４との間隔が狭いためである。

図５（ａ）から図５（ｄ）は、実施例１の変形例１に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図である。図５（ａ）のように、実施例１の図３（ａ）で説明した方法によって、基板３２上に、弾性波共振器３４、配線層３６、及びパッド３８を形成する。配線層３６には突起４０が形成されることがある。

図５（ｂ）のように、基板３２の全面に、感光性樹脂７２を塗布する。感光性樹脂７２は、例えばポジ型感光性樹脂であるが、ネガ型感光性樹脂であってもよい。感光性樹脂７２として、例えばエポキシ樹脂やポリイミドなどを用いることができる。配線層３６上にパターンを有し、その他の領域にパターンを有さないマスク層７４を用いて、感光性樹脂７２に対して露光を行う。例えば、配線層３６とパッケージ基板１０の配線層１４とが重なる領域の配線層３６上にパターンを有し、その他の領域にパターンを有さないマスク層７４を用いて、感光性樹脂７２に対して露光を行う。

図５（ｃ）のように、感光性樹脂７２に対して現像及び熱処理を行うことで、配線層３６上に絶縁膜４２ａを形成する。例えば、配線層３６のうちのパッケージ基板１０の配線層１４に重なる領域上に絶縁膜４２ａを形成する。絶縁膜４２ａの厚さは、例えば１００ｎｍ〜１０００ｎｍ程度である。

図５（ｄ）のように、基板３２上に形成されたパッド３８を、バンプ６２を用いて、パッケージ基板１０上に形成されたパッド１２に接合する。これにより、実施例１の変形例１の弾性波デバイス１１０が形成される。

実施例１では、配線層３６上に形成される絶縁膜４２は無機膜である場合を例に示したが、実施例１の変形例１のように、絶縁膜４２ａは樹脂膜などの有機膜である場合でもよい。

実施例１及び実施例１の変形例１では、配線層３６及びパッド３８は電子ビーム蒸着法を用いて形成される場合を例に示したが、スパッタリング法などのその他の方法によって形成される場合でもよい。スパッタリング法などで形成される場合でも、配線層３６に異物の付着などによって突起４０が形成される場合がある。このため、配線層３６と配線層１４との接触を抑制するために、配線層３６上に絶縁膜４２又は絶縁膜４２ａを形成することが好ましい。

実施例２に係る弾性波デバイスの断面図は、実施例１の図１と同じであるため、図示を省略する。図６（ａ）は、実施例２に係る弾性波デバイスに備わる基板３２の平面図、図６（ｂ）は、パッケージ基板１０の平面図である。図６（ａ）のように、基板３２上に、１又は複数の直列共振器Ｓ１からＳ５及び１又は複数の並列共振器Ｐ１からＰ４を構成する複数の弾性波共振器３４と、配線層３６と、パッド３８と、が設けられている。配線層３６は、弾性波共振器３４の間及び弾性波共振器３４とパッド３８との間を接続する。パッド３８にバンプ６２が接合されている。

直列共振器Ｓ１からＳ５は、入力端子ＩＮであるパッド３８と出力端子ＯＵＴであるパッド３８との間に配線層３６を介して直列に接続されている。並列共振器Ｐ１からＰ４は、入力端子ＩＮであるパッド３８と出力端子ＯＵＴであるパッド３８との間に配線層３６を介して並列に接続されている。具体的には、並列共振器Ｐ１からＰ４の一端は配線層３６を介して直列共振器Ｓ１からＳ５に接続され、他端は配線層３６を介してグランド端子であるパッド３８に接続されている。このように、直列共振器Ｓ１からＳ５及び並列共振器Ｐ１からＰ３によってラダー型フィルタが形成されている。

図６（ｂ）のように、パッケージ基板１０上に、配線層１４と、配線層１４に接続され、入力端子ＩＮ、出力端子ＯＵＴ、及びグランド端子ＧＮＤのいずれかであるパッド１２が設けられている。パッド１２にバンプ６２が接合されている。

図６（ａ）及び図６（ｂ）のように、配線層３６のうちの直列共振器Ｓ１からＳ５と並列共振器Ｐ１からＰ４との間に接続された配線層３６上に絶縁膜４２が設けられている。絶縁膜４２は、入力端子ＩＮであるパッド３８と直列共振器Ｓ１との間、出力端子ＯＵＴであるパッド３８と直列共振器Ｓ５との間、及びグランド端子ＯＵＴであるパッド３８と並列共振器Ｐ１からＰ４の間に接続された配線層３６上には設けられていない。また、絶縁膜４２は、例えば直列共振器Ｓ１からＳ５と並列共振器Ｐ１からＰ３との間に接続された配線層３６のうちのパッケージ基板１０の配線層１４と平面視で重なる領域にのみ設けられている。

入力端子ＩＮ、出力端子ＯＵＴ、及びグランド端子ＧＮＤと弾性波共振器３４との間を接続する配線層３６が、パッケージ基板１０の配線層１４に接触したとしても、同電位の配線層同士が接触する可能性が高く、特性への影響は小さい。一方、弾性波共振器３４の間の配線層３６がパッケージ基板１０の配線層１４に接触すると、異なる電位の配線層同士が接触する可能性が高く、特性への影響が大きい。そこで、実施例２では、弾性波共振器３４の間を接続する配線層３６上に絶縁膜４２を設け、端子と弾性波共振器３４との間を接続する配線層３６上には絶縁膜４２を設けない構成としている。

図７は、実施例３に係る弾性波デバイス３００の断面図である。図７のように、実施例３の弾性波デバイス３００では、基板３２に設けられた配線層３６上に絶縁膜４２は設けられていない。その代わりに、パッケージ基板１０に設けられた配線層１４上に絶縁膜２２が設けられている。絶縁膜２２は、例えば配線層１４のうちの基板３２に設けられた配線層３６に平面視で重なる領域に設けられ、重ならない領域の少なくとも一部には設けられていない。その他の構成は、実施例１の図１と同じであるため説明を省略する。

実施例３によれば、配線層１４上に絶縁膜２２が設けられている。これによっても、配線層３６と配線層１４とが接触する短絡を抑制できる。

また、実施例３によれば、絶縁膜２２は、配線層１４のうちの配線層３６に平面視で重なる領域に設けられ、配線層３６に平面視で重ならない領域の少なくとも一部には設けられていない。配線層３６と配線層１４との接触を抑制するために、絶縁膜２２が配線層１４の全ての領域上に設けられている場合でもよいが、配線層１４の放熱性の低下を抑制するために、絶縁膜２２は、配線層１４のうちの配線層３６に平面視で重ならない領域の少なくとも一部には設けられていないことが好ましい。また、配線層１４の放熱性を考慮すると、絶縁膜２２は配線層１４のうちの配線層３６に平面視で重ならない領域の全てに設けられていない場合が好ましい。

図７のように、絶縁膜２２は、配線層１４の上面に接して設けられていることが好ましい。これは、配線層３６と配線層１４との間隔が狭いためである。

実施例４に係る弾性波デバイスの断面図は、実施例３の図７と同じであるため、図示を省略する。図８（ａ）は、実施例４に係る弾性波デバイスに備わる基板３２の平面図、図８（ｂ）は、パッケージ基板１０の平面図である。図８（ａ）及び図８（ｂ）のように、基板３２に設けられた配線層３６上には絶縁膜４２は設けられていない。パッケージ基板１０に設けられた配線層１４上に絶縁膜２２が設けられている。絶縁膜２２は、配線層１４のうちの直列共振器Ｓ１からＳ５と並列共振器Ｐ１からＰ４との間に接続された配線層３６に平面視で重なる領域に設けられている。絶縁膜２２は、配線層１４のうちの入力端子ＩＮであるパッド３８と直列共振器Ｓ１との間、出力端子ＯＵＴであるパッド３８と直列共振器Ｓ５との間、及びグランド端子ＯＵＴであるパッド３８と並列共振器Ｐ１からＰ４の間に接続された配線層３６に平面視で重なる領域には設けられていない。その他の構成は、実施例２の図６（ａ）及び図６（ｂ）と同じであるため説明を省略する。

実施例４によれば、絶縁膜２２は、配線層１４のうちの弾性波共振器３４の間を接続する配線層３６に平面視で重なる領域に設けられ、端子と弾性波共振器３４の間を接続する配線層３６に平面視で重なる領域には設けられていない。これは、実施例２で説明したように、端子と弾性波共振器３４との間を接続する配線層３６と配線層１４とが接触しても特性への影響は小さいが、弾性波共振器３４の間の配線層３６と配線層１４とが接触すると特性への影響が大きいことによるものである。

以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。

１０ パッケージ基板
１２ パッド
１４ 配線層
１６ 内部配線層
１８ フットパッド
２０ 突起
２２ 絶縁膜
３０ デバイスチップ
３２ 基板
３４ 弾性波共振器
３６ 配線層
３８ パッド
４０ 突起
４２ 絶縁膜
４２ａ 絶縁膜
４４ ＩＤＴ
４６ 反射器
４８ 櫛形電極
５０ 電極指
５２ バスバー
５４ 下部電極
５６ 圧電膜
５８ 上部電極
６０ 空隙
６２ バンプ
６４ 空隙
１００、３００ 弾性波デバイス

Claims (9)

1. 基板と、
   前記基板上に設けられた弾性波共振器と、
   前記基板上に設けられ、前記弾性波共振器に接続された第１配線層と、
   前記第１配線層上に設けられ、前記弾性波共振器上には設けられていない絶縁膜と、を備える弾性波デバイス。
2. 前記基板との間に前記弾性波共振器及び前記第１配線層を挟み、前記弾性波共振器及び前記第１配線層が露出する空隙を有して前記基板に接合されたパッケージ基板と、
   前記パッケージ基板の前記基板に対向する面上に設けられた第２配線層と、を備え、
   前記絶縁膜は、前記第１配線層のうちの前記第２配線層に平面視で重なる領域に設けられ、前記第２配線層に平面視で重ならない領域の少なくとも一部には設けられていない、請求項１記載の弾性波デバイス。
3. 複数の前記弾性波共振器が端子間に接続されていて、
   前記絶縁膜は、前記複数の弾性波共振器の間を接続する前記第１配線層上に設けられ、前記端子と前記複数の弾性波共振器との間を接続する前記第１配線層上には設けられていない、請求項１または２記載の弾性波デバイス。
4. 前記絶縁膜は、前記第１配線層の上面に接して設けられている、請求項１から３のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
5. 基板と、
   前記基板上に設けられた弾性波共振器と、
   前記基板上に設けられ、前記弾性波共振器に接続された第１配線層と、
   前記基板との間に前記弾性波共振器及び前記第１配線層を挟み、前記弾性波共振器及び前記第１配線層が露出する空隙を有して前記基板に接合されたパッケージ基板と、
   前記パッケージ基板の前記基板に対向する面上に設けられた第２配線層と、
   前記第２配線層上に設けられた絶縁膜と、を備える弾性波デバイス。
6. 前記絶縁膜は、前記第２配線層のうちの前記第１配線層に平面視で重なる領域に設けられ、前記第１配線層に平面視で重ならない領域の少なくとも一部には設けられていない、請求項５記載の弾性波デバイス。
7. 複数の前記弾性波共振器が端子間に接続されていて、
   前記絶縁膜は、前記第２配線層のうちの前記複数の弾性波共振器の間を接続する前記第１配線層に平面視で重なる領域に設けられ、前記端子と前記複数の弾性波共振器との間を接続する前記第１配線層に平面視で重なる領域には設けられていない、請求項５または６記載の弾性波デバイス。
8. 前記絶縁膜は、前記第２配線層の上面に接して設けられている、請求項５から７のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
9. 前記弾性波共振器は、弾性表面波共振器又は圧電薄膜共振器である、請求項１から８のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
   

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