WO2016185866A1 - 弾性表面波装置、高周波モジュール及び弾性表面波装置の製造方法 - Google Patents

弾性表面波装置、高周波モジュール及び弾性表面波装置の製造方法 Download PDF

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WO2016185866A1
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wave device
electrode
surface acoustic
columnar
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健太郎 舩橋
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株式会社村田製作所
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    • H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/08—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
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    • H03H9/25—Constructional features of resonators using surface acoustic waves

Definitions

  • the present invention relates to a surface acoustic wave device that excites a surface acoustic wave by an electrode provided on a piezoelectric substrate, a high-frequency module, and a method for manufacturing the surface acoustic wave device.
  • a surface acoustic wave device has been used as a bandpass filter used in an RF (Radio Frequency) circuit such as a communication device. Since communication devices such as mobile phones are required to be smaller and thinner, efforts are being made to reduce the size and height of components such as surface acoustic wave devices.
  • a WLP Wafer Level Package
  • the WLP structure is a structure in which the piezoelectric substrate itself is used as a part of a package, and the package structure is manufactured in a wafer state.
  • an IDT Inter Digital Transducer
  • the surface acoustic wave device disclosed in Patent Document 1 includes a columnar electrode electrically connected to the IDT electrode and a solder bump connected to the columnar electrode.
  • the surface acoustic wave device is mounted on the land electrode on the mounting substrate by the solder bump. Therefore, there is a possibility that breakage may occur at the connection portion between the solder bump and the land electrode and at the connection portion between the solder bump and the columnar electrode.
  • the present invention provides a surface acoustic wave device capable of realizing a reduction in size and height and improving the mounting strength, a high-frequency module using the same, and a method of manufacturing the surface acoustic wave device.
  • the purpose is to provide.
  • a surface acoustic wave device includes a piezoelectric substrate, an IDT electrode provided on one main surface of the piezoelectric substrate and exciting a surface acoustic wave, and the one A support layer standing on the periphery of the region where the IDT electrode on the main surface is provided, and having a height higher from the one main surface than the IDT electrode, and disposed on the support layer, the IDT electrode A cover layer covering the first substrate and a columnar electrode that is erected at a position in contact with the support layer and electrically connected to the IDT electrode, the piezoelectric substrate, the support layer And an inner space is formed by the cover layer, and the columnar electrode includes a bottom surface facing the one main surface, a top surface, and a side surface connecting the bottom surface and the top surface, each of the top surface and the side surface The exposed part that is exposed to the outside To.
  • the surface acoustic wave device can be downsized.
  • the surface acoustic wave device can be reduced in height.
  • the mounting strength can be improved because the surface acoustic wave device can be connected not only to the upper surface of the columnar electrode but also to the mounting substrate.
  • the area of the exposed portion on the upper surface may be larger than the area of the exposed portion on the side surface.
  • the exposed portion of the side surface may be provided continuously with the exposed portion of the upper surface.
  • the exposed portion and the side surface of the upper surface are affected by the wettability of the bonded member.
  • the joining member is also applied to the exposed portion on the side surface through a portion where the exposed portion is continuous. That is, at the time of mounting, the bonding member is naturally applied to the exposed portion of the side surface by simply applying the bonding member to the exposed portion of the upper surface and heating.
  • connection electrode made of a conductive material different from the material forming the columnar electrode may be provided on the exposed portion of the upper surface and the exposed portion of the side surface.
  • the mounting strength of the surface acoustic wave device is improved by selecting a material that strongly joins both the joining member such as solder used for mounting and the material constituting the columnar electrode as the material constituting the connection electrode. Can do.
  • the connection electrode is provided, it is not necessary to consider the bonding strength between the materials constituting the bonding member and the columnar electrode, so that the degree of freedom in selecting each material can be improved.
  • the upper surface of the columnar electrode may have a smaller distance from the one main surface than the main surface facing the outside of the cover layer.
  • the upper surface of the columnar electrode can be disposed at a position lower than the main surface of the cover layer. That is, a step can be provided between the main surface of the cover layer and the upper surface of the columnar electrode. For this reason, when the surface acoustic wave device is mounted on a mounting substrate or the like, a joining member for connecting the columnar electrode and the mounting substrate can be disposed on the upper surface of the columnar electrode. Thereby, it is possible to suppress an increase in the mounting height of the surface acoustic wave device due to the height (thickness) of the joining member by the level difference. Therefore, a reduction in the height of the high-frequency module mounted with the surface acoustic wave device can be realized.
  • the high-frequency module includes the surface acoustic wave device and a mounting substrate provided with a land electrode on which the surface acoustic wave device is mounted, and the columnar electrode is exposed on the upper surface. It may be connected to the land electrode through a portion and an exposed portion of the side surface.
  • the surface acoustic wave device is reduced in height as described above, a reduction in the height of the high-frequency module on which the surface acoustic wave device is mounted can be realized. Further, since the surface acoustic wave device is downsized, the mounting area of the surface acoustic wave device can be reduced. Furthermore, since it can be connected not only to the upper surface of the columnar electrode of the surface acoustic wave device but also to the mounting substrate, the mounting strength can be improved.
  • cover layer may be in contact with the mounting substrate.
  • the gap between the surface acoustic wave device and the mounting substrate can be minimized, so that the height of the high-frequency module can be further reduced. Further, heat can be radiated from the surface acoustic wave device to the mounting substrate through the contact portion of the cover layer with the mounting substrate. For this reason, even when a large power is input to the IDT electrode of the surface acoustic wave device, the temperature rise of the surface acoustic wave device can be suppressed. Therefore, the characteristic change of the surface acoustic wave device due to the temperature rise can be suppressed.
  • the method for manufacturing a surface acoustic wave device includes a step of providing an IDT electrode for exciting a surface acoustic wave on one main surface of a piezoelectric substrate base material, and the above-mentioned one on the one main surface.
  • a surface acoustic wave device including columnar electrodes each having an exposed portion that is exposed to the outside on the upper surface and side surfaces. That is, it is possible to manufacture a surface acoustic wave device that can be reduced in size and height and can improve mounting strength.
  • a surface acoustic wave device that can be downsized and reduced in height and that can improve mounting strength, a high-frequency module including the surface acoustic wave device, and a method of manufacturing the surface acoustic wave device are provided. Can be provided.
  • FIG. 1 is a perspective view showing an appearance of a surface acoustic wave device according to Embodiment 1.
  • FIG. FIG. 2 is a cross-sectional view of the surface acoustic wave device according to the first embodiment.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of a surface acoustic wave device of a comparative example.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view showing each manufacturing process of the surface acoustic wave device according to the first embodiment.
  • FIG. 5 is a sectional view showing each manufacturing process of the surface acoustic wave device according to the first embodiment.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view showing the configuration of the high-frequency module according to the second embodiment.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view of the surface acoustic wave device according to the third embodiment.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view of the surface acoustic wave device according to the fourth embodiment.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a high-frequency module on which the surface acoustic wave device according to the fourth embodiment is mounted.
  • FIG. 1 is a perspective view showing an appearance of a surface acoustic wave device 1 according to the present embodiment.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of the surface acoustic wave device 1 according to the present embodiment.
  • FIG. 2 is a sectional view of the surface acoustic wave device 1 in a plane passing through the line II-II shown in FIG.
  • the surface acoustic wave device 1 includes a piezoelectric substrate 11, an IDT electrode 20, a terminal electrode 21, a wiring electrode 30, a dielectric layer 40, a support layer 50, and a cover.
  • the layer 60 and the columnar electrode 70 are provided.
  • the piezoelectric substrate 11 is a substrate on which an IDT electrode 20 for exciting a surface acoustic wave is provided on one main surface.
  • the piezoelectric substrate 11 has a rectangular shape with a side length of about 1 mm when viewed from above, but the piezoelectric substrate 11 has a rectangular shape when viewed from above. It is not limited and may be any shape.
  • the piezoelectric substrate 11 is a substrate made of, for example, a piezoelectric single crystal such as lithium tantalate (LiTaO 3 ), lithium niobate (LiNbO 3 ), or quartz, or piezoelectric ceramics.
  • a piezoelectric single crystal such as lithium tantalate (LiTaO 3 ), lithium niobate (LiNbO 3 ), or quartz, or piezoelectric ceramics.
  • the IDT electrode 20 is a comb-shaped electrode that is provided on one main surface of the piezoelectric substrate 11 and excites a surface acoustic wave.
  • the IDT electrode 20 is made of, for example, a metal or alloy such as Ti, Al, Cu, Au, Pt, Ag, Pd, or Ni.
  • the IDT electrode 20 may be comprised from the some laminated body comprised from said metal or an alloy.
  • the terminal electrode 21 is an electrode connected to the IDT electrode 20 and is provided around the IDT electrode 20.
  • the terminal electrode 21 is made of the same material as the IDT electrode 20.
  • the terminal electrode 21 may be comprised from the several laminated body comprised from a metal or an alloy similarly to the IDT electrode 20. FIG.
  • the wiring electrode 30 is an electrode that is electrically connected to the IDT electrode 20 and constitutes a part of a wiring path that connects the IDT electrode 20 and a wiring outside the surface acoustic wave device 1.
  • the wiring electrode 30 is provided on the terminal electrode 21.
  • the wiring electrode 30 is made of the same material as the IDT electrode 20.
  • the wiring electrode 30 may be comprised from the several laminated body comprised from a metal or an alloy similarly to the IDT electrode 20. FIG.
  • the dielectric layer 40 is a protective layer formed so as to cover the IDT electrode 20.
  • the dielectric layer 40 may be used to improve the characteristics of the surface acoustic wave device 1.
  • the dielectric layer 40 is provided on the piezoelectric substrate 11 so as to cover the IDT electrode 20, and is made of a dielectric such as silicon oxide or silicon nitride.
  • the support layer 50 is a layer that stands on the periphery of the region where the IDT electrode 20 is provided on one main surface of the piezoelectric substrate 11 and has a height higher than the IDT electrode 20 from the one main surface.
  • the support layer 50 is a member that supports the surface of the cover layer 60 on the piezoelectric substrate 11 side in a state where the cover layer 60 is separated from the IDT electrode 20.
  • the support layer 50 has a substantially rectangular annular shape in a top view, but the shape of the support layer 50 is not limited to this.
  • the shape of the support layer 50 may be a shape that is provided upright around the region where the IDT electrode 20 is provided and can support the cover layer 60.
  • the support layer 50 has an annular shape and surrounds the IDT electrode 20, so that the space between the IDT electrode 20 and the cover layer 60 is liquid-tightly sealed by the support layer 50 and the cover layer 60. be able to. That is, it is possible to prevent liquid such as water from entering the space on the IDT electrode 20.
  • the material constituting the support layer 50 is not particularly limited.
  • the support layer 50 is made of, for example, a material containing at least one of polyimide, epoxy, benzocyclobutene (BCB), polybenzoxazole (PBO), metal, and silicon oxide.
  • the cover layer 60 is a layer that is disposed on the support layer 50 and covers the IDT electrode 20.
  • the cover layer 60 is disposed at a position facing the main surface of the piezoelectric substrate 11 on which the IDT electrode 20 is formed, separated from the IDT electrode 20. Thereby, as shown in FIG. 2, a gap 90 is formed between the IDT electrode 20 (and the dielectric layer 40) and the cover layer 60.
  • the cover layer 60 has a rectangular shape similar to that of the piezoelectric substrate 11 when viewed from above, but the shape of the cover layer 60 when viewed from above is not limited to a rectangle. Any shape can be used. Further, the shapes of the cover layer 60 and the piezoelectric substrate 11 in a top view may be different from each other.
  • the cover layer 60 includes a first layer 61 and a second layer 62.
  • the first layer 61 is a layer for connecting the support layer 50 and the second layer 62.
  • the material which comprises the 1st layer 61 is not specifically limited, For example, it is comprised from the material containing at least 1 of an epoxy, urethane, a phenol, polyester, BCB, and PBO.
  • the second layer 62 is a layer disposed on the first layer 61.
  • the material which comprises the 2nd layer 62 is not specifically limited, Since it is a layer exposed to the exterior of the surface acoustic wave apparatus 1, it is preferable that mechanical strength is high.
  • the second layer 62 is made of, for example, a material containing at least one of polyimide, epoxy, BCB, PBO, silicon, silicon oxide, LiTaO 3 , and LiNbO 3 .
  • the cover layer may be composed of a single layer.
  • the columnar electrode 70 is an electrode that is erected on a position on one main surface of the piezoelectric substrate 11 and in contact with the support layer 50 and is electrically connected to the IDT electrode 20.
  • the columnar electrode 70 constitutes a part of a wiring path that connects the wiring electrode 30 and external wiring.
  • FIG. 2 in the surface acoustic wave device 1, an internal space is formed by the piezoelectric substrate 11, the support layer 50, and the cover layer 60.
  • the columnar electrode 70 includes a bottom surface 73 that faces one main surface of the piezoelectric substrate 11, a top surface 71 that faces the bottom surface 73, and a side surface 72 that connects the bottom surface 73 and the top surface 71.
  • each of the upper surface 71 and the side surface 72 of the columnar electrode 70 has an exposed portion exposed to the outside.
  • “external” means a space opposite to the internal space with respect to the piezoelectric substrate 11, the support layer 50, and the cover layer 60 that form the internal space. That is, “external” means a space outside the surface acoustic wave device 1.
  • the surface acoustic wave device 1 is mounted on a mounting substrate through the exposed portion. As shown in FIG. 2, the end of the wiring electrode 30 and the end of the IDT electrode 20 may be exposed to the outside continuously from the side surface 72. In this case, the surface acoustic wave device 1 may be mounted on the mounting substrate via these end portions.
  • the exposed portions of the upper surface 71 and the side surface 72 are attracted to the joining member by the surface tension of the joining member.
  • the area of the exposed portion of the upper surface 71 is preferably larger than the area of the exposed portion of the side surface 72.
  • the exposed portion of the side surface 72 is preferably provided continuously with the exposed portion of the upper surface 71. Accordingly, when the surface acoustic wave device 1 is mounted, a bonding member such as solder is applied to the exposed portion of the upper surface 71 and heated, so that the wettability of the bonding member causes the exposed portion of the upper surface 71 and the side surface 72 to be heated.
  • the bonding member is also applied to the exposed portion of the side surface 72 through a portion where the exposed portion is continuous. That is, at the time of mounting, the bonding member is naturally applied to the exposed portion of the side surface 72 only by applying the bonding member to the exposed portion of the upper surface 71 and heating.
  • the surface acoustic wave device 1 according to the present embodiment is compared with the surface acoustic wave device of the comparative example.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of a surface acoustic wave device 2 of a comparative example.
  • the surface acoustic wave device 2 of the comparative example is similar to the surface acoustic wave device 1 according to the present embodiment, in which the piezoelectric substrate 11a, the IDT electrode 20, the terminal electrode 21, the wiring electrode 30a, the dielectric The body layer 40, the support layer 50a, the cover layer 60a, and the columnar electrode 70a are provided.
  • the cover layer 60a is comprised from the 1st layer 61a and the 2nd layer 62a similarly to the cover layer 60 which concerns on this Embodiment.
  • the surface acoustic wave device 2 of the comparative example further includes a solder bump 75.
  • the columnar electrode 70a of the comparative example includes a bottom surface 73a facing one main surface of the piezoelectric substrate 11a, a top surface 71a facing the bottom surface 73a, and a side surface 72a connecting the bottom surface 73a and the top surface 71a.
  • Columnar electrode 70a differs from columnar electrode 70 according to the present embodiment in that side surface 72a is not exposed to the outside and solder bump 75 is provided on upper surface 71a.
  • the entire side surface 72a of the columnar electrode 70a is covered with the support layer 50a and the cover layer 60a. Therefore, in the surface acoustic wave device 2 of the comparative example, the support layer 50a and the cover layer 60a are also provided outside the columnar electrode 70a.
  • the side surface 72 of the columnar electrode 70 has an exposed portion exposed to the outside, and the support layer is disposed outside the columnar electrode 70. 50 and the cover layer 60 are not disposed. Therefore, the lateral dimension L1 of the surface acoustic wave device 1 according to the present embodiment shown in FIG.
  • the lateral dimension difference ⁇ L A + ⁇ L B between the surface acoustic wave device 1 and the surface acoustic wave device 2 is approximately the length of the support layer 50a disposed outside the columnar electrode 70a.
  • solder bumps 75 are provided on the upper surface 71a of the columnar electrode 70a.
  • solder bumps are not provided.
  • the height H1 of the surface acoustic wave device 1 according to the present embodiment shown in FIG. 2 is higher than the height H1 + ⁇ H of the surface acoustic wave device 2 of the comparative example shown in FIG. It can be lowered by ⁇ H.
  • the height of the solder bump is, for example, about 60 ⁇ m or more and 100 ⁇ m or less. Therefore, in the surface acoustic wave device 1 according to the present embodiment, the surface acoustic wave device using solder bumps For example, the height can be reduced to about 60 ⁇ m or more and 100 ⁇ m or less.
  • a reduction in size and a reduction in height can be realized.
  • the surface acoustic wave device 1 according to the present embodiment is mounted on a mounting substrate or the like via two surfaces, that is, the exposed portion of the upper surface 71 and the exposed portion of the side surface 72 of the columnar electrode 70.
  • the surface acoustic wave device 2 of the comparative example is mounted on a mounting board or the like only through the upper part of the solder bump shown in FIG. For this reason, according to the surface acoustic wave device 1 according to the present embodiment, the mounting strength can be improved as compared with the case where the surface acoustic wave device 2 of the comparative example is used.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view showing each manufacturing process of the surface acoustic wave device 1 according to the present embodiment.
  • the IDT electrode 20 and the terminal electrode 21 for exciting the surface acoustic wave are formed on one main surface of the piezoelectric substrate base material 10.
  • a resist pattern is formed on one main surface of the piezoelectric substrate base material 10 using a photolithography technique.
  • the resist pattern is removed to form the IDT electrode 20 and the terminal electrode 21.
  • the piezoelectric substrate base material 10 is a base material of the piezoelectric substrate 11 included in the surface acoustic wave device 1.
  • the thickness of the piezoelectric substrate base material 10 is not particularly limited, but in the present embodiment, the piezoelectric substrate base material 10 has a thickness of about 100 ⁇ m or more and 150 ⁇ m or less.
  • the piezoelectric substrate base material 10 is, for example, a 42 ° Y-cut LiTaO 3 substrate.
  • a conductive film for forming the IDT electrode 20 and the terminal electrode 21 a Ti film and an AlCu film are formed from the piezoelectric substrate base material 10 side by a vacuum deposition method.
  • As the AlCu film for example, an Al alloy film containing 1% Cu can be used.
  • the terminal electrode 21 may be formed simultaneously with the IDT electrode 20 or may be formed separately.
  • a wiring electrode 30 electrically connected to the IDT electrode 20 is formed on one main surface of the piezoelectric substrate base material 10.
  • a resist pattern is formed on one main surface of the piezoelectric substrate base material 10 using a photolithography technique.
  • the wiring pattern 30 is formed by removing the resist pattern.
  • a conductive film for forming the wiring electrode 30 a Ti film, a Pt film, and a Ti film are formed from the piezoelectric substrate base material 10 side by a vacuum deposition method.
  • a dielectric layer 40 that covers the IDT electrode 20 is formed on the piezoelectric substrate base material 10.
  • a SiO 2 film is formed on the entire piezoelectric substrate base material 10 by sputtering or the like.
  • a resist pattern is formed on the region where the IDT electrode 20 is formed, and the SiO 2 film in the region where the resist is not formed is etched away by CF 4 plasma or the like. Subsequently, the resist pattern is removed.
  • the support layer 50 is made of polyimide.
  • a photosensitive polyimide film is formed on the piezoelectric substrate base material 10, and the pattern of the support layer 50 is formed by a photolithography method.
  • the thickness of the support layer 50 is, for example, about 10 ⁇ m to 15 ⁇ m.
  • the support layer 50 is formed on the wiring electrode 30 as shown in the sectional view (d) of FIG.
  • a cover layer 60 that covers the IDT electrode 20 is provided on the support layer 50.
  • a sheet-like composite material that has been laminated in advance which is composed of two layers of a first layer 61 and a second layer 62, is attached as the cover layer 60, and then bonded.
  • the present embodiment is not limited to a cover layer composed of two layers, and a cover layer composed of one layer may be used.
  • the first layer 61 is made of epoxy, for example.
  • the second layer 62 is made of polyimide, for example, and the first layer 61 is bonded to the second layer 62.
  • a through hole 70h for forming the columnar electrode 70 is formed.
  • a laser is irradiated from the cover layer 60 side to a portion where the cover layer 60, the support layer 50, and the wiring electrode 30 overlap.
  • a through hole 70h is formed by removing a part of the cover layer 60 and the support layer 50, and the wiring electrode 30 is exposed to the cover layer 60 side.
  • a columnar conductive member 70g is formed in the through hole 70h.
  • a portion other than the through-hole 70h portion is covered with a resist pattern.
  • Ni electrolytic plating is performed to grow the columnar conductive member 70g in a portion not covered with the resist pattern (that is, a portion removed by the above-described laser).
  • the resist pattern is removed.
  • the columnar electrode 70 is formed by cutting the columnar conductive member 70 g in a direction intersecting one main surface of the piezoelectric substrate base material 10.
  • the columnar conductive member 70g, the piezoelectric substrate base material 10 and the like are diced and cut substantially perpendicular to one main surface of the piezoelectric substrate base material 10.
  • the piezoelectric substrate base material 10 and members on the main surface thereof are removed over the width of the dicer cutting allowance D1. For this reason, it is necessary to determine the dimensions of the columnar conductive member 70g on the piezoelectric substrate base material 10 in consideration of the cutting allowance D1.
  • the surface acoustic wave device 1 including the columnar electrode 70 and the piezoelectric substrate 11 can be manufactured.
  • the formation method of the column-shaped electrically-conductive member 70g is not limited to this.
  • a method of sharing a columnar conductive member or the like between a plurality of adjacent surface acoustic wave devices 1 may be used. This method will be described with reference to the drawings.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view showing each manufacturing process of the surface acoustic wave device 1 according to the present embodiment.
  • a columnar conductive member 70 ⁇ / b> A and a wiring conductive member 30 ⁇ / b> A that can be shared between a plurality of adjacent surface acoustic wave devices 1 may be formed.
  • the surface acoustic wave device 1 including the columnar electrode 70 and the wiring electrode 30 is manufactured by dicing cutting as shown in the cross-sectional view (b) of FIG. be able to.
  • the number of columnar conductive members 70 ⁇ / b> A can be reduced, so that the manufacturing process can be simplified.
  • the method of simultaneously cutting the piezoelectric substrate base material 10 and the columnar conductive member 70g is shown, but the manufacturing method of the surface acoustic wave device 1 is not limited to this.
  • a method of cutting the piezoelectric substrate base material 10 after cutting the columnar conductive member 70g in a direction intersecting one main surface of the piezoelectric substrate base material 10 may be used.
  • the high-frequency module according to the present embodiment is a high-frequency module in which the surface acoustic wave device 1 according to the first embodiment is mounted on a mounting substrate.
  • the high-frequency module according to the present embodiment will be described with reference to the drawings.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view showing the configuration of the high-frequency module 100 according to the present embodiment.
  • the high-frequency module 100 includes the surface acoustic wave device 1 according to the first embodiment, the mounting substrate 110, and the bonding member 200.
  • the mounting substrate 110 includes land electrodes 120 on one main surface. In addition to the surface acoustic wave device 1, another electronic device (not shown) is mounted on the mounting substrate 110.
  • the material constituting the mounting substrate 110 is not particularly limited.
  • the mounting board 110 is, for example, a printed board in which land electrodes 120 are printed on a ceramic multilayer board, a glass epoxy board, or the like.
  • the land electrode 120 is an electrode on which the surface acoustic wave device 1 is mounted.
  • the columnar electrode 70 of the surface acoustic wave device 1 is connected to the land electrode 120. More specifically, the columnar electrode 70 is connected to the land electrode 120 through the exposed portion of the upper surface 71 and the exposed portion of the side surface 72. As shown in FIG. 6, the columnar electrode 70 and the land electrode 120 are connected by a bonding member 200.
  • the joining member 200 is a conductive member that joins the columnar electrode 70 and the land electrode 120.
  • the material which comprises the joining member 200 is not specifically limited.
  • the joining member 200 may be, for example, solder, a conductive adhesive, or the like.
  • the columnar electrode 70 is connected to the land electrode 120 via the bonding member 200 at the exposed portion of the upper surface 71, and is landed via the fillet-shaped bonding member 200 at the exposed portion of the side surface 72. Connected to electrode 120.
  • the above-described fillet-shaped joining member 200 is obtained, for example, after the joining member 200 made of solder or the like is melted by heating in a state where the surface acoustic wave device 1 is disposed on the mounting substrate 110 in a reflow process. It is naturally formed by cooling and solidifying.
  • the surface acoustic wave device 1 is connected to the land electrode 120 of the mounting substrate 110 by the bonding member 200 through the exposed portion of the upper surface 71 and the exposed portion of the side surface 72 of the columnar electrode 70. Is done. Thereby, mounting strength can be improved compared with the case where it mounts on a mounting board etc. via a solder bump.
  • the high-frequency module 100 can be reduced in height as compared with the case where the surface acoustic wave device 2 of the comparative example is used.
  • the surface acoustic wave device 1 is downsized as described in the first embodiment, so that the mounting area of the surface acoustic wave device 1 in the high-frequency module 100 can be reduced.
  • the exposed portion of the columnar electrode includes a connection electrode made of a conductive material different from the material constituting the columnar electrode. This is different from the surface acoustic wave device 1 according to the first embodiment.
  • the surface acoustic wave device according to the present embodiment will be described with reference to the drawings with a focus on differences from the surface acoustic wave device 1 according to the first embodiment.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view of the surface acoustic wave device 1a according to the present embodiment.
  • the surface acoustic wave device 1a includes a connection electrode 80 in addition to the surface acoustic wave device 1 according to the above embodiment.
  • the connection electrode 80 is an electrode that is provided on the exposed portion of the upper surface 71 and the exposed portion of the side surface 72 of the columnar electrode 70 and is made of a conductive material that is different from the material that forms the columnar electrode 70.
  • a material such as a bonding member such as solder used for mounting the surface acoustic wave device 1a on a mounting substrate or the like and a material having a high bonding strength with the material constituting the columnar electrode 70 is selected. Is done. Accordingly, the bonding strength between the columnar electrode 70 and the bonding member can be improved as compared with the case where the columnar electrode 70 and the bonding member such as solder are directly bonded. Therefore, the mounting strength of the surface acoustic wave device 1a can be improved.
  • connection electrode 80 is appropriately selected according to the material constituting the joining member used when the surface acoustic wave device 1a is mounted on the mounting substrate and the material constituting the columnar electrode 70.
  • the joining member is made of solder and the columnar electrode 70 is made of Ni, Au, Ag, or the like may be selected as the connection electrode 80.
  • the method for forming the connection electrode 80 is not particularly limited.
  • the connection electrode 80 may be formed on the exposed portion of the columnar electrode 70 by a method such as electrolytic plating.
  • the thickness of the connection electrode 80 is not particularly limited, but the thickness of the connection electrode 80 is preferably smaller in order to reduce the height of the surface acoustic wave device 1a.
  • the thickness of the connection electrode 80 is preferably 0.1 ⁇ m or more and 1 ⁇ m or less.
  • connection electrode 80 is not necessarily provided on both the exposed portion of the upper surface 71 and the exposed portion of the side surface 72.
  • the connection electrode 80 may be provided on at least one of the exposed portion of the upper surface 71 and the exposed portion of the side surface 72.
  • the connection electrode 80 may not be provided on the entire exposed portion of the upper surface 71 and the exposed portion of the side surface 72.
  • the connection electrode 80 may be provided on at least a part of the exposed portion of the upper surface 71 and the exposed portion of the side surface 72.
  • the exposed portion of the upper surface 71 and the exposed portion of the side surface 72 of the columnar electrode 70 are made of a conductive material different from the material constituting the columnar electrode 70.
  • a connection electrode 80 is provided.
  • connection electrode 80 When the connection electrode 80 is provided in this way, the mounting strength when the surface acoustic wave device 1a is mounted on a mounting substrate or the like can be improved by appropriately selecting the conductive material constituting the connection electrode 80. That is, by selecting a material that strongly joins both the joining member such as solder used for mounting and the material constituting the columnar electrode 70 as the material constituting the connection electrode 80, the mounting strength of the surface acoustic wave device 1a is increased. Can be improved. In addition, since the connection electrode 80 is provided, it is not necessary to consider the bonding strength between the materials constituting the bonding member and the columnar electrode, so that the degree of freedom in selecting each material can be improved.
  • connection electrode 80 may be provided. Thereby, since the surface area of the connection electrode 80 can be expanded, the mounting strength between the surface acoustic wave device 1a and the mounting substrate can be improved. In addition, in consideration of each material constituting the wiring electrode 30 and the terminal electrode 21, the material constituting the connection electrode 80 may be selected so that the mounting strength can be further improved.
  • Embodiment 4 a surface acoustic wave device according to Embodiment 4 and a high-frequency module on which the surface acoustic wave device is mounted will be described.
  • the upper surface of the columnar electrode is more than the main surface facing the outside of the cover layer. A structure with a small distance from the main surface is provided.
  • a surface acoustic wave device according to the present embodiment and a high-frequency module on which the surface acoustic wave device is mounted will be described with reference to the drawings.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view of the surface acoustic wave device 1b according to the present embodiment.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view showing the configuration of the high-frequency module 100b on which the surface acoustic wave device 1b according to the present embodiment is mounted.
  • the high-frequency module 100 b according to the present embodiment includes the surface acoustic wave device 1 b, the mounting substrate 110, and the bonding member 200, similarly to the high-frequency module 100 according to the second embodiment.
  • the surface acoustic wave device 1b according to the present embodiment is different from the surface acoustic wave device 1 according to the first embodiment in the configuration of the columnar electrode 70b.
  • the columnar electrode 70b according to the present embodiment includes a bottom surface 73b, a top surface 71b facing the bottom surface 73b, and a side surface 72b connecting the bottom surface 73b and the top surface 71b.
  • the upper surface 71 b has a configuration in which the distance from the main surface of the piezoelectric substrate 11 is smaller than the main surface 63 facing the outside of the cover layer 60.
  • the upper surface 71 b of the columnar electrode 70 b can be disposed at a position lower than the main surface 63 of the cover layer 60. That is, a step can be provided between the main surface 63 of the cover layer 60 and the upper surface 71b of the columnar electrode 70b.
  • the bonding member 200 that connects the columnar electrode 70b and the mounting substrate 110 is connected from the main surface 63 of the upper surface 71b as shown in FIG. It can arrange
  • the height of the surface acoustic wave device 1b alone is equal to the height of the surface acoustic wave device 1 according to the first embodiment.
  • the high-frequency module 100b on which the surface acoustic wave device 1b is mounted can be made shorter than the high-frequency module 100 according to the second embodiment.
  • the main surface 63 facing the outside of the cover layer 60 of the surface acoustic wave device 1b is brought into contact with the mounting substrate 110. Can be made.
  • the high-frequency module 100b can be further reduced in height. Further, with the above configuration, heat can be radiated from the surface acoustic wave device 1 b to the mounting substrate 110 through the main surface 63 of the cover layer 60. For this reason, even when a large power is input to the IDT electrode 20 of the surface acoustic wave device 1b, the temperature rise of the surface acoustic wave device 1b can be suppressed. Therefore, the characteristic change of the surface acoustic wave device 1b due to the temperature rise can be suppressed.
  • the surface acoustic wave device 1b according to the fourth embodiment may be provided with the connection electrode 80 according to the third embodiment.
  • each columnar electrode has two exposed portions that are substantially orthogonal to each other. Just be fine.
  • all the columnar electrodes have an exposed portion, but only some of the columnar electrodes may have an exposed portion.
  • the dielectric layer 40 covering the IDT electrode 20 and the wiring electrode 30 is provided, but the dielectric layer 40 may not be provided.
  • the main surface 63 of the cover layer 60 is brought into contact with the mounting substrate 110 by disposing the upper surface 71b of the columnar electrode 70b at a position lower than the main surface 63 of the cover layer 60.
  • the configuration in which the main surface 63 of the cover layer 60 is in contact with the mounting substrate 110 is not limited to this.
  • the cover layer 60 can be brought into contact with the mounting substrate.
  • a protrusion may be provided on the mounting substrate.
  • the present invention can be widely used in communication devices such as mobile phones as a surface acoustic wave device that is small and low in profile and has high mounting strength.

Abstract

弾性表面波装置は、圧電基板（１１）と、圧電基板（１１）の一方の主面上に設けられたＩＤＴ電極（２０）と、一方の主面上のＩＤＴ電極（２０）が設けられた領域の周囲に立設され、ＩＤＴ電極（２０）より一方の主面からの高さが大きい支持層（５０）と、支持層（５０）上に配置され、ＩＤＴ電極（２０）を覆うカバー層（６０）と、一方の主面上であって、支持層（５０）に接する位置に立設され、ＩＤＴ電極（２０）と電気的に接続される柱状電極（７０）とを備え、圧電基板（１１）、支持層（５０）及びカバー層（６０）によって包囲される内部空間が形成され、柱状電極（７０）は、底面（７３）と、上面（７１）と、側面（７２）とを備え、上面（７１）及び側面（７２）の各々は、外部に露出されている露出部を有する。

Description

弾性表面波装置、高周波モジュール及び弾性表面波装置の製造方法
　本発明は、圧電基板上に設けられた電極によって弾性表面波を励振する弾性表面波装置、及び、高周波モジュール、並びに、弾性表面波装置の製造方法に関する。
　従来、通信機器などのＲＦ（Ｒａｄｉｏ　Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）回路に使用される帯域フィルタとして、弾性表面波装置が用いられている。携帯電話機などの通信機器においては、小型化及び薄型化が求められているため、弾性表面波装置などの構成部品の小型化及び低背化に向けた取り組みがなされている。弾性表面波装置においては、小型化及び低背化のためのパッケージ構造として、ＷＬＰ（Ｗａｆｅｒ　Ｌｅｖｅｌ　Ｐａｃｋａｇｅ）構造が提案されている（例えば、特許文献１）。ＷＬＰ構造とは、圧電基板自体をパッケージの一部として用いる構造であり、ウェハの状態でパッケージ構造が作製される。ＷＬＰ構造を有する弾性表面波装置を実装基板に実装する際には、圧電基板の主面に形成されたＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒ　Ｄｉｇｉｔａｌ　Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）電極を実装基板に対向させた状態で実装する。
特開２０１１－１４７０９７号公報
　特許文献１に開示された弾性表面波装置では、ＷＬＰ構造を採用することによって小型化及び低背化を実現しようとしている。しかしながら、弾性表面波装置においては、さらなる小型化及び低背化が求められている。
　また、特許文献１に開示された弾性表面波装置は、ＩＤＴ電極に電気的に接続された柱状電極と、柱状電極に接続された半田バンプとを備える。当該半田バンプによって、弾性表面波装置は実装基板上のランド電極に実装される。そのため、半田バンプとランド電極との接続部、及び、半田バンプと柱状電極との接続部において、破断が発生するおそれがある。
　そこで、本発明は、小型化及び低背化を実現でき、かつ、実装強度を向上させることができる弾性表面波装置、及び、それを用いた高周波モジュール、並びに、弾性表面波装置の製造方法を提供することを目的とする。
　上記目的を達成するために、本発明の一態様に係る弾性表面波装置は、圧電基板と、前記圧電基板の一方の主面上に設けられ、弾性表面波を励振するＩＤＴ電極と、前記一方の主面上の前記ＩＤＴ電極が設けられた領域の周囲に立設され、前記ＩＤＴ電極より前記一方の主面からの高さが大きい支持層と、前記支持層上に配置され、前記ＩＤＴ電極を覆うカバー層と、前記一方の主面上であって、前記支持層に接する位置に立設され、前記ＩＤＴ電極と電気的に接続される柱状電極とを備え、前記圧電基板、前記支持層及び前記カバー層によって内部空間が形成され、前記柱状電極は、前記一方の主面に対向する底面と、上面と、前記底面と前記上面とを結ぶ側面とを備え、前記上面及び前記側面の各々は、外部に露出されている露出部を有する。
　このような構成によれば、柱状電極の露出部には支持層及びカバー層を設けられないため、弾性表面波装置の小型化が可能となる。また、柱状電極上に半田バンプを設けないため、弾性表面波装置の低背化が可能となる。さらに、弾性表面波装置を実装する場合に、柱状電極の上面だけでなく側面をも介して実装基板などに接続できるため、実装強度を向上させることができる。
　また、前記上面の露出部の面積は、前記側面の露出部の面積より大きくてもよい。
　このような構成によれば、弾性表面波装置が実装基板などに半田などの接合部材を用いて実装される際に、上面の方が側面より大きな力で接合部材に引き寄せられる。このため、側面が上面より大きい力で引き寄せられることに起因する部品立ちが発生することを抑制できる。
　また、前記側面の露出部は、前記上面の露出部と連続して設けられてもよい。
　このような構成によれば、弾性表面波装置を実装する場合に、上面の露出部に半田などの接合部材を塗布して加熱することで、接合部材のぬれ性により、上面の露出部と側面の露出部とが連続する部分を介して、側面の露出部にも接合部材が塗布される。つまり、実装時に、上面の露出部に接合部材を塗布して加熱するだけで、側面の露出部にも自ずと接合部材が塗布される。これにより、柱状電極の上面だけでなく側面をも介して実装基板などに接続できるため、実装強度を向上させることができる。
　また、前記上面の露出部及び前記側面の露出部に、前記柱状電極を構成する材料と異なる導電材料から構成される接続電極が設けられてもよい。
　このような構成によれば、接続電極を構成する導電材料を適切に選択することにより、弾性表面波装置を実装基板などに実装する際における実装強度を向上させることができる。すなわち、接続電極を構成する材料として、実装に用いられる半田などの接合部材及び柱状電極を構成する材料の両方と強く接合する材料を選択することにより、弾性表面波装置の実装強度を向上させることができる。また、接続電極を備えることにより、接合部材及び柱状電極を構成する各材料の間の接合強度を考慮する必要がなくなるため、当該各材料の選択の自由度を向上させることができる。
　また、前記柱状電極の前記上面は、前記カバー層の外部に面する主面より、前記一方の主面からの距離が小さくてもよい。
　このような構成によれば、柱状電極の上面を、カバー層の主面より低い位置に配置することができる。すなわち、カバー層の主面と、柱状電極の上面との間に段差を設けることができる。このため、弾性表面波装置を実装基板などに実装する場合に、柱状電極と実装基板とを接続する接合部材を、柱状電極の上面に配置することができる。これにより、接合部材の高さ（厚さ）によって、弾性表面波装置の実装高さが増大することを、上記段差の分だけ抑制することができる。したがって、弾性表面波装置を実装した高周波モジュールの低背化を実現することができる。
　また、本発明の一態様に係る高周波モジュールは、前記弾性表面波装置と、前記弾性表面波装置が実装されるランド電極が設けられた実装基板とを備え、前記柱状電極は、前記上面の露出部及び前記側面の露出部を介して、前記ランド電極に接続されてもよい。
　このような構成によれば、上述のように弾性表面波装置が低背化されているため、弾性表面波装置が実装された高周波モジュールの低背化を実現できる。また、弾性表面波装置が小型化されているため、弾性表面波装置の実装面積を低減することができる。さらに、弾性表面波装置の柱状電極の上面だけでなく側面をも介して実装基板などに接続できるため、実装強度を向上させることができる。
　また、前記カバー層は、前記実装基板と接触していてもよい。
　このような構成によれば、弾性表面波装置と実装基板との隙間を最小限に抑制することができるため、高周波モジュールをさらに低背化することができる。また、カバー層の実装基板との接触部を介して、弾性表面波装置から実装基板に放熱することができる。このため、弾性表面波装置のＩＤＴ電極に大電力が入力される場合においても、弾性表面波装置の温度上昇を抑制することができる。したがって、温度上昇による弾性表面波装置の特性変化を抑制することができる。
　また、本発明の一態様に係る弾性表面波装置の製造方法は、圧電基板母材の一方の主面上に弾性表面波を励振するＩＤＴ電極を設ける工程と、前記一方の主面上の前記ＩＤＴ電極が設けられた領域の周囲に、前記一方の主面からの高さが、前記ＩＤＴ電極より大きい支持層を立設する工程と、前記支持層上に、前記ＩＤＴ電極を覆うカバー層を設ける工程と、前記一方の主面上に、前記ＩＤＴ電極と電気的に接続され、前記支持層及び前記カバー層を貫通する柱状導電部材を立設する工程と、前記一方の主面に交差する方向に前記柱状導電部材を切断することによって、柱状電極を形成する工程とを含む。
　このような構成によれば、上面及び側面の各々が、外部に露出する露出部を有する柱状電極を備える弾性表面波装置を製造できる。すなわち、小型化及び低背化を実現でき、かつ、実装強度を向上させることができる弾性表面波装置を製造することができる。
　本発明によれば、小型化及び低背化を実現でき、かつ、実装強度を向上させることができる弾性表面波装置、及び、それを備えた高周波モジュール、並びに、弾性表面波装置の製造方法を提供することができる。
図１は、実施の形態１に係る弾性表面波装置の外観を示す斜視図である。 図２は、実施の形態１に係る弾性表面波装置の断面図である。 図３は、比較例の弾性表面波装置の断面図である。 図４は、実施の形態１に係る弾性表面波装置の各製造工程を示す断面図である。 図５は、実施の形態１に係る弾性表面波装置の各製造工程を示す断面図である。 図６は、実施の形態２に係る高周波モジュールの構成を示す断面図である。 図７は、実施の形態３に係る弾性表面波装置の断面図である。 図８は、実施の形態４に係る弾性表面波装置の断面図である。 図９は、実施の形態４に係る弾性表面波装置が実装された高周波モジュールの構成を示す断面図である。
　以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。なお、以下で説明する実施の形態は、いずれも包括的または具体的な例を示すものである。以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置、接続形態、製造工程、及び、製造工程の順序などは、一例であり、本発明を限定する主旨ではない。以下の実施の形態における構成要素のうち、独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。また、図面に示される構成要素の大きさまたは大きさの比は、必ずしも厳密ではない。
　（実施の形態１）
　［弾性表面波装置の全体構成］
　まず、実施の形態１に係る弾性表面波装置について、図面を用いて説明する。
　図１は、本実施の形態に係る弾性表面波装置１の外観を示す斜視図である。
　図２は、本実施の形態に係る弾性表面波装置１の断面図である。図２は、図１に示されるＩＩ－ＩＩ線を通る面における弾性表面波装置１の断面図を示す。
　図１及び図２に示されるように、本実施の形態に係る弾性表面波装置１は、圧電基板１１、ＩＤＴ電極２０、端子電極２１、配線電極３０、誘電体層４０、支持層５０、カバー層６０及び柱状電極７０を備える。
　圧電基板１１は、弾性表面波を励振するＩＤＴ電極２０が一方の主面に設けられる基板である。本実施の形態では、圧電基板１１は、図１に示されるように、上面視において、一辺の長さが１ｍｍ程度の矩形の形状を有するが、圧電基板１１の上面視における形状は、矩形に限定されず、任意の形状であってよい。
　圧電基板１１は、例えばタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）、水晶などの圧電単結晶又は圧電セラミックスから構成される基板である。
　ＩＤＴ電極２０は、圧電基板１１の一方の主面上に設けられ、弾性表面波を励振する櫛形電極である。ＩＤＴ電極２０は、例えば、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｎｉなどの金属又は合金から構成される。また、ＩＤＴ電極２０は、上記の金属又は合金から構成される複数の積層体から構成されてもよい。
　端子電極２１は、ＩＤＴ電極２０と接続された電極であり、ＩＤＴ電極２０の周囲に設けられる。端子電極２１は、ＩＤＴ電極２０と同様の材料で構成される。また、端子電極２１は、ＩＤＴ電極２０と同様に、金属又は合金から構成される複数の積層体から構成されてもよい。
　配線電極３０は、ＩＤＴ電極２０に電気的に接続される電極であり、ＩＤＴ電極２０と弾性表面波装置１の外部の配線とを接続する配線経路の一部を構成する。本実施の形態では、配線電極３０は、端子電極２１上に設けられる。配線電極３０は、ＩＤＴ電極２０と同様の材料で構成される。また、配線電極３０は、ＩＤＴ電極２０と同様に、金属又は合金から構成される複数の積層体から構成されてもよい。
　誘電体層４０は、ＩＤＴ電極２０を覆うように形成されている保護層である。また、誘電体層４０は、弾性表面波装置１の特性を改善するために用いられてもよい。誘電体層４０は、ＩＤＴ電極２０を覆うように圧電基板１１上に設けられ、例えば、酸化珪素、窒化珪素などの誘電体から構成される。
　支持層５０は、圧電基板１１の一方の主面上のＩＤＴ電極２０が設けられた領域の周囲に立設され、ＩＤＴ電極２０より当該一方の主面からの高さが大きい層である。支持層５０は、カバー層６０がＩＤＴ電極２０から離間した状態で、カバー層６０の圧電基板１１側の面を支持する部材である。本実施の形態では、支持層５０は、上面視において略矩形環状の形状を有するが、支持層５０の形状はこれに限定されない。支持層５０の形状は、ＩＤＴ電極２０が設けられた領域の周囲に立設けられ、カバー層６０を支持することができる形状であればよい。なお、支持層５０が環状の形状を有し、ＩＤＴ電極２０を包囲することにより、支持層５０及びカバー層６０によって、ＩＤＴ電極２０とカバー層６０との間の空間を液密に封止することができる。すなわち、ＩＤＴ電極２０上の空間に水などの液体が浸入することを抑制できる。
　支持層５０を構成する材料は、特に限定されない。支持層５０は、例えば、ポリイミド、エポキシ、ベンゾシクロブテン（Ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ：ＢＣＢ）、ポリベンゾオキサゾール（Ｐｏｌｙｂｅｎｚｏｘａｚｏｌｅ：ＰＢＯ）、金属及び酸化珪素の少なくとも一つを含む材料から構成される。
　カバー層６０は、支持層５０上に配置され、ＩＤＴ電極２０を覆う層である。本実施の形態では、カバー層６０は、圧電基板１１のＩＤＴ電極２０が形成された主面に対向する位置に、ＩＤＴ電極２０から離間して配置される。これにより、図２に示されるように、ＩＤＴ電極２０（及び誘電体層４０）とカバー層６０との間に空隙９０が形成される。図１に示されるように、本実施の形態では、カバー層６０は、上面視において圧電基板１１と同様の矩形の形状を有するが、カバー層６０の上面視における形状は、矩形に限定されず、任意の形状であってよい。また、カバー層６０及び圧電基板１１の上面視における形状は、互いに異なっていてもよい。
　本実施の形態では、カバー層６０は、第一層６１及び第二層６２から構成される。第一層６１は、支持層５０と第二層６２とを接続するための層である。第一層６１を構成する材料は、特に限定されないが、例えば、エポキシ、ウレタン、フェノール、ポリエステル、ＢＣＢ及びＰＢＯの少なくとも一つを含む材料から構成される。第二層６２は、第一層６１上に配置される層である。第二層６２を構成する材料は、特に限定されないが、弾性表面波装置１の外部に露出される層であるため、機械的な強度が高いことが好ましい。第二層６２は、例えば、ポリイミド、エポキシ、ＢＣＢ、ＰＢＯ、珪素、酸化珪素、ＬｉＴａＯ３、ＬｉＮｂＯ３の少なくとも一つを含む材料から構成される。なお、カバー層は、ひとつの層から構成されてもよい。
　柱状電極７０は、圧電基板１１の一方の主面上であって、支持層５０に接する位置に立設され、ＩＤＴ電極２０と電気的に接続される電極である。柱状電極７０は、配線電極３０と外部の配線とを接続する配線経路の一部を構成する。図２に示されるように、弾性表面波装置１においては、圧電基板１１、支持層５０及びカバー層６０によって内部空間が形成される。柱状電極７０は、圧電基板１１の一方の主面に対向する底面７３と、底面７３と対向する上面７１と、底面７３と上面７１とを結ぶ側面７２とを備える。柱状電極７０の上面７１及び側面７２の各々は、外部に露出されている露出部を有する。ここで、「外部」とは、内部空間を形成する圧電基板１１、支持層５０及びカバー層６０に対して、内部空間とは反対側の空間を意味する。つまり、「外部」とは、弾性表面波装置１の外側の空間を意味する。弾性表面波装置１は、当該露出部を介して実装基板に実装される。なお、図２に示されるように、側面７２に連続して、配線電極３０の端部、及び、ＩＤＴ電極２０の端部が外部に露出される場合がある。この場合、弾性表面波装置１は、これらの端部をも介して実装基板に実装されてもよい。
　また、弾性表面波装置１が半田などの接合部材によって実装される際に、上面７１及び側面７２の露出部は、接合部材の表面張力などにより接合部材に引き寄せられる。このため、弾性表面波装置１において、上面７１の露出部の面積は、側面７２の露出部の面積より大きいことが好ましい。これにより、弾性表面波装置１が実装基板などに接合部材を用いて実装される際に、上面７１の方が側面７２より大きな力で接合部材により引き寄せられる。このため、側面７２が上面７１より大きい力で引き寄せられることに起因する部品立ちが発生することを抑制できる。
　また、弾性表面波装置１において、側面７２の露出部は上面７１の露出部と連続して設けられることが好ましい。これにより、弾性表面波装置１を実装する場合に、上面７１の露出部に半田などの接合部材を塗布して加熱することにより、接合部材のぬれ性により、上面７１の露出部と側面７２の露出部とが連続する部分を介して、側面７２の露出部にも接合部材が塗布される。つまり、実装時に、上面７１の露出部に接合部材を塗布して加熱するだけで、側面７２の露出部にも自ずと接合部材が塗布される。
　［比較例との対比］
　続いて、本実施の形態に係る弾性表面波装置１における効果の理解のために、本実施の形態に係る弾性表面波装置１と、比較例の弾性表面波装置とを対比する。
　図３は、比較例の弾性表面波装置２の断面図である。
　図３に示されるように、比較例の弾性表面波装置２は、本実施の形態に係る弾性表面波装置１と同様に、圧電基板１１ａ、ＩＤＴ電極２０、端子電極２１、配線電極３０ａ、誘電体層４０、支持層５０ａ、カバー層６０ａ及び柱状電極７０ａを備える。カバー層６０ａは、本実施の形態に係るカバー層６０と同様に、第一層６１ａ及び第二層６２ａから構成される。比較例の弾性表面波装置２は、半田バンプ７５をさらに備える。
　比較例の柱状電極７０ａは、圧電基板１１ａの一方の主面に対向する底面７３ａと、底面７３ａと対向する上面７１ａと、底面７３ａと上面７１ａとを結ぶ側面７２ａとを備える。柱状電極７０ａは、側面７２ａが外部に露出されない点と、上面７１ａ上に半田バンプ７５が設けられている点とにおいて、本実施の形態に係る柱状電極７０と相違する。
　図３に示されるように、柱状電極７０ａの側面７２ａの全体が、支持層５０ａ及びカバー層６０ａによって覆われている。そのため、比較例の弾性表面波装置２では、柱状電極７０ａより外側にも支持層５０ａ及びカバー層６０ａが設けられる。一方、本実施の形態に係る弾性表面波装置１では、図２に示されるように、柱状電極７０の側面７２が外部に露出されている露出部を有し、柱状電極７０の外側に支持層５０及びカバー層６０が配置されない。このため、図２に示される本実施の形態に係る弾性表面波装置１の横方向の寸法Ｌ１を、図３に示される比較例の弾性表面波装置２の横方向の寸法Ｌ１＋ΔＬＡ＋ΔＬＢより、小さくすることができる。ここで、弾性表面波装置１と弾性表面波装置２との横方向の寸法の差ΔＬＡ＋ΔＬＢは、柱状電極７０ａの外側に配置される支持層５０ａなどの寸法程度の長さである。
　また、柱状電極７０ａの上面７１ａには半田バンプ７５が設けられている。一方、本実施の形態に係る弾性表面波装置１では、半田バンプが設けられていない。このため、図２に示される本実施の形態に係る弾性表面波装置１の高さＨ１を、図３に示される比較例の弾性表面波装置２の高さＨ１＋ΔＨより、半田バンプ７５の高さΔＨだけ低くすることができる。なお、弾性表面波装置においては、半田バンプの高さは、例えば、６０μｍ以上１００μｍ以下程度であるため、本実施の形態に係る弾性表面波装置１では、半田バンプを用いる弾性表面波装置より、例えば、６０μｍ以上１００μｍ以下程度の低背化が可能である。
　以上のように、本実施の形態に係る弾性表面波装置１によれば、小型化及び低背化を実現できる。
　また、本実施の形態に係る弾性表面波装置１は、柱状電極７０の上面７１の露出部及び側面７２の露出部の二面を介して実装基板などに実装される。一方、比較例の弾性表面波装置２は、図３に示される半田バンプの上部だけを介して実装基板などに実装される。このため、本実施の形態に係る弾性表面波装置１によれば、比較例の弾性表面波装置２を用いる場合より、実装強度を向上させることができる。
　［製造方法］
　続いて、本実施の形態に係る弾性表面波装置１の製造方法について図面を用いて説明する。
　図４は、本実施の形態に係る弾性表面波装置１の各製造工程を示す断面図である。
　まず、図４の断面図（ａ）に示されるように、圧電基板母材１０の一方の主面上に、弾性表面波を励振するＩＤＴ電極２０、及び、端子電極２１を形成する。本実施の形態では、圧電基板母材１０の一方の主面上に、フォトリソグラフィ技術を用いて、レジストパターンを形成する。当該レジストパターンが形成された圧電基板母材１０上に真空蒸着法により導電性膜を成膜した後、レジストパターンを除去することにより、ＩＤＴ電極２０及び端子電極２１を形成する。圧電基板母材１０は、弾性表面波装置１が備える圧電基板１１の母材である。圧電基板母材１０の厚さは、特に限定されないが、本実施の形態では、圧電基板母材１０は、１００μｍ以上１５０μｍ以下程度の厚さを有する。圧電基板母材１０は、例えば、４２°ＹカットＬｉＴａＯ３基板である。ＩＤＴ電極２０及び端子電極２１を形成する導電性膜として、圧電基板母材１０側から、Ｔｉ膜及びＡｌＣｕ膜を真空蒸着法により形成する。ＡｌＣｕ膜として、例えば、１％のＣｕを含むＡｌ合金膜を用いることができる。なお、端子電極２１は、ＩＤＴ電極２０と同時に形成されてもよいし、別々に形成されてもよい。
　次に、図４の断面図（ｂ）に示されるように、圧電基板母材１０の一方の主面上に、ＩＤＴ電極２０に電気的に接続された配線電極３０を形成する。本実施の形態では、圧電基板母材１０の一方の主面上に、フォトリソグラフィ技術を用いて、レジストパターンを形成する。当該レジストパターンが形成された圧電基板母材１０上に真空蒸着法により導電性膜を成膜した後、レジストパターンを除去することにより、配線電極３０を形成する。配線電極３０を形成する導電性膜として、圧電基板母材１０側から、Ｔｉ膜、Ｐｔ膜、及び、Ｔｉ膜を真空蒸着法により形成する。
　次に、図４の断面図（ｃ）に示されるように、圧電基板母材１０上にＩＤＴ電極２０を覆う誘電体層４０を成膜する。本実施の形態では、例えば、誘電体層４０として、ＳｉＯ２膜を圧電基板母材１０全体にスパッタリングなどによって成膜する。続いて、ＩＤＴ電極２０が形成された領域上にレジストパターンを形成し、レジストが形成されていない領域のＳｉＯ２膜を、ＣＦ４プラズマなどによりエッチング除去する。続いて、レジストパターンを除去する。
　次に、図４の断面図（ｄ）に示されるように、圧電基板母材１０の一方の主面上のＩＤＴ電極２０が設けられた領域の周囲に、当該一方の主面からの高さが、ＩＤＴ電極２０より大きい支持層５０を立設する。本実施の形態では、支持層５０は、ポリイミドで構成される。支持層５０は、例えば、圧電基板母材１０上に感光性ポリイミドを成膜し、フォトリソグラフィ法によって支持層５０のパターンを形成する。支持層５０の厚さは、例えば、１０μｍ以上１５μｍ以下程度である。なお、支持層５０は、図４の断面図（ｄ）に示されるように、配線電極３０上に形成される。
　次に、図４の断面図（ｅ）に示されるように、支持層５０上に、ＩＤＴ電極２０を覆うカバー層６０を設ける。本実施の形態では、カバー層６０として第一層６１及び第二層６２の二層から構成される予め積層されたシート状の複合材を貼り付けて、圧着する。しかしながら、本実施の形態は、二層から構成されるカバー層に限定されず、一層から構成されるカバー層を用いてもよい。第一層６１は、例えば、エポキシから構成される。また、第二層６２は、例えば、ポリイミドから構成され、上記第一層６１が接合されている。
　次に、図４の断面図（ｆ）に示されるように、柱状電極７０を形成するためのスルーホール７０ｈを形成する。本実施の形態では、カバー層６０、支持層５０及び配線電極３０が重なっている部分に、カバー層６０側からレーザーを照射する。これにより、カバー層６０及び支持層５０の一部を除去することでスルーホール７０ｈを形成し、配線電極３０をカバー層６０側に露出させる。
　次に、図４の断面図（ｇ）に示されるように、スルーホール７０ｈに柱状導電部材７０ｇを形成する。本実施の形態では、まず、スルーホール７０ｈ部分以外をレジストパターンで覆う。続いて、Ｎｉ電解めっきを行い、レジストパターンで覆われていない部分（すなわち、上述のレーザーで除去した部分）に柱状導電部材７０ｇを成長させる。続いて、レジストパターンを除去する。
　次に、図４の断面図（ｈ）に示されるように、圧電基板母材１０の一方の主面に交差する方向に柱状導電部材７０ｇを切断することによって、柱状電極７０を形成する。本実施の形態では、圧電基板母材１０の一方の主面に略垂直に柱状導電部材７０ｇ、圧電基板母材１０などをダイシングカットする。ダイシングカットの際に、ダイサーの切り代Ｄ１の幅にわたって圧電基板母材１０及びその主面上の部材が除去される。このため、圧電基板母材１０上の柱状導電部材７０ｇなどの寸法を、当該切り代Ｄ１を考慮して決定する必要がある。
　以上のように、柱状電極７０、圧電基板１１などを備える本実施の形態に係る弾性表面波装置１を製造することができる。
　なお、以上に示した製造方法では、弾性表面波装置１毎に柱状導電部材７０ｇを形成する例を示したが、柱状導電部材７０ｇの形成方法はこれに限定されない。例えば、隣接する複数の弾性表面波装置１の間で、柱状導電部材などを共用する方法を用いてもよい。当該方法について、図面を用いて説明する。
　図５は、本実施の形態に係る弾性表面波装置１の各製造工程を示す断面図である。
　図５の断面図（ａ）に示されるように、隣接する複数の弾性表面波装置１の間で、共用できる柱状導電部材７０Ａ及び配線導電部材３０Ａを形成してもよい。
　このような柱状導電部材７０Ａを形成する場合においても、図５の断面図（ｂ）に示されるようにダイシングカットすることで、柱状電極７０及び配線電極３０を備える弾性表面波装置１を製造することができる。
　図５に示される製造方法によれば、柱状導電部材７０Ａの個数を低減することができるため、製造工程を簡素化することができる。
　なお、以上の製造方法では、圧電基板母材１０及び柱状導電部材７０ｇを同時に切断する方法を示したが、弾性表面波装置１の製造方法はこれに限定されない。例えば、圧電基板母材１０の一方の主面に交差する方向に柱状導電部材７０ｇを切断した後、圧電基板母材１０を切断する方法を用いてもよい。
　（実施の形態２）
　続いて、実施の形態２に係る高周波モジュールについて説明する。本実施の形態に係る高周波モジュールは、上記実施の形態１に係る弾性表面波装置１が実装基板に実装された高周波モジュールである。以下、本実施の形態に係る高周波モジュールについて、図面を用いて説明する。
　図６は、本実施の形態に係る高周波モジュール１００の構成を示す断面図である。
　図６に示されるように、高周波モジュール１００は、上記実施の形態１に係る弾性表面波装置１、実装基板１１０及び接合部材２００を備える。
　実装基板１１０は、ランド電極１２０を一方の主面上に備える。実装基板１１０には、弾性表面波装置１に加えて他の電子機器（不図示）が実装される。実装基板１１０を構成する材料は、特に限定されない。実装基板１１０は、例えば、セラミック多層基板、ガラスエポキシ基板などに、ランド電極１２０などがプリントされたプリント基板である。
　ランド電極１２０は、弾性表面波装置１が実装される電極である。弾性表面波装置１の柱状電極７０がランド電極１２０に接続される。より詳しくは、柱状電極７０は、その上面７１の露出部及び側面７２の露出部を介してランド電極１２０に接続される。図６に示されるように、柱状電極７０とランド電極１２０とは、接合部材２００によって接続される。
　接合部材２００は、柱状電極７０とランド電極１２０とを接合する導電部材である。接合部材２００を構成する材料は、特に限定されない。接合部材２００は、例えば、半田、導電性接着剤などであってもよい。
　図６に示されるように、柱状電極７０は、上面７１の露出部において接合部材２００を介してランド電極１２０に接続され、かつ、側面７２の露出部においてフィレット状の接合部材２００を介してランド電極１２０に接続される。なお、上述したフィレット状の接合部材２００は、例えば、リフロー工程において、弾性表面波装置１を実装基板１１０上に配置した状態で、半田などから構成される接合部材２００を加熱によって溶融させた後、冷却して固化させることによって自ずと形成される。
　以上のように、高周波モジュール１００において、弾性表面波装置１は、柱状電極７０の上面７１の露出部及び側面７２の露出部を介して、接合部材２００により、実装基板１１０のランド電極１２０に接続される。これにより、半田バンプを介して実装基板などに実装する場合より、実装強度を向上させることができる。
　また、弾性表面波装置１は半田バンプを備えないため、上記比較例の弾性表面波装置２を用いる場合より、高周波モジュール１００の低背化を実現することができる。
　また、高周波モジュール１００において、弾性表面波装置１は、上記実施の形態１で述べたとおり小型化されているため、高周波モジュール１００における弾性表面波装置１の実装面積を縮小することができる。
　（実施の形態３）
　続いて、実施の形態３に係る弾性表面波装置について説明する。本実施の形態に係る弾性表面波装置は、実装強度をさらに向上するために、柱状電極の露出部に、柱状電極を構成する材料と異なる導電材料から構成される接続電極を備える点において、上記実施の形態１に係る弾性表面波装置１と相違する。以下、本実施の形態に係る弾性表面波装置について、上記実施の形態に１に係る弾性表面波装置１との相違点を中心に、図面を用いて説明する。
　図７は、本実施の形態に係る弾性表面波装置１ａの断面図である。
　図７に示されるように、本実施の形態に係る弾性表面波装置１ａは、上記実施の形態に係る弾性表面波装置１に加えて、接続電極８０を備える。
　接続電極８０は、柱状電極７０の上面７１の露出部及び側面７２の露出部に設けられ、柱状電極７０を構成する材料と異なる導電材料から構成される電極である。接続電極８０を構成する導電材料として、弾性表面波装置１ａを実装基板などに実装する際に用いられる半田などの接合部材、及び、柱状電極７０を構成する材料との接合強度が高い材料が選択される。これにより、柱状電極７０と半田などの接合部材とが直接接合される場合より、柱状電極７０と接合部材との間の接合強度を向上させることができる。したがって、弾性表面波装置１ａの実装強度を向上させることができる。
　接続電極８０を構成する導電材料は、弾性表面波装置１ａを実装基板などに実装する際に用いられる接合部材を構成する材料と、柱状電極７０を構成する材料とに応じて適宜選択される。例えば、接合部材が半田で構成され、柱状電極７０がＮｉで構成される場合には、接続電極８０として、Ａｕ、Ａｇなどが選択されればよい。接続電極８０を形成する方法は特に限定されない。例えば、接続電極８０は、電解めっきなどの方法によって柱状電極７０の露出部に形成されてもよい。また、接続電極８０の厚さは、特に限定されないが、接続電極８０の厚さは、弾性表面波装置１ａの低背化のためには、小さい方が好ましい。例えば、接続電極８０の厚さは、０．１μｍ以上１μｍ以下であることが好ましい。
　なお、接続電極８０は、必ずしも上面７１の露出部及び側面７２の露出部の両方に設けられなくてもよい。例えば、接続電極８０は、上面７１の露出部及び側面７２の露出部の少なくとも一方に設けられてもよい。また、接続電極８０は、上面７１の露出部及び側面７２の露出部の全体に設けられなくてもよい。例えば、接続電極８０は、上面７１の露出部及び側面７２の露出部の少なくとも一部に設けられてもよい。
　以上のように、本実施の形態に係る弾性表面波装置１ａにおいて、柱状電極７０の上面７１の露出部及び側面７２の露出部に、柱状電極７０を構成する材料と異なる導電材料から構成される接続電極８０が設けられる。
　このように接続電極８０を備える場合、接続電極８０を構成する導電材料を適切に選択することにより、弾性表面波装置１ａを実装基板などに実装する際における実装強度を向上させることができる。すなわち、接続電極８０を構成する材料として、実装に用いられる半田などの接合部材及び柱状電極７０を構成する材料の両方と強く接合する材料を選択することにより、弾性表面波装置１ａの実装強度を向上させることができる。また、接続電極８０を備えることにより、接合部材及び柱状電極を構成する各材料の間の接合強度を考慮する必要がなくなるため、当該各材料の選択の自由度を向上させることができる。
　なお、図７に示されるように、配線電極３０及び端子電極２１が、柱状電極７０の側面７２と連続して外部に露出されている場合には、配線電極３０及び端子電極２１の露出部にも接続電極８０を設けてもよい。これにより、接続電極８０の表面積が拡大できるため、弾性表面波装置１ａと実装基板などとの実装強度を向上させることができる。また、配線電極３０及び端子電極２１を構成する各材料を考慮して、実装強度をより一層向上させることができるように、接続電極８０を構成する材料を選択してもよい。
　（実施の形態４）
　続いて、実施の形態４に係る弾性表面波装置及びそれが実装された高周波モジュールについて説明する。本実施の形態に係る弾性表面波装置においては、さらなる低背化、及び、放熱特性の向上を実現するために、柱状電極の上面は、カバー層の外部に面する主面より、圧電基板の主面からの距離が小さい構成を備える。以下、本実施の形態に係る弾性表面波装置及びそれが実装された高周波モジュールについて、図面を用いて説明する。
　図８は、本実施の形態に係る弾性表面波装置１ｂの断面図である。
　図９は、本実施の形態に係る弾性表面波装置１ｂが実装された高周波モジュール１００ｂの構成を示す断面図である。図９に示されるように、本実施の形態に係る高周波モジュール１００ｂは、上記実施の形態２に係る高周波モジュール１００と同様に、弾性表面波装置１ｂ、実装基板１１０及び接合部材２００を備える。
　図８に示されるように、本実施の形態に係る弾性表面波装置１ｂは、柱状電極７０ｂの構成において、上記実施の形態１に係る弾性表面波装置１と相違する。本実施の形態に係る柱状電極７０ｂは、上記実施の形態１に係る柱状電極７０と同様に、底面７３ｂ、底面７３ｂと対向する上面７１ｂ、及び、底面７３ｂと上面７１ｂとを結ぶ側面７２ｂとを備える。ただし、上面７１ｂは、カバー層６０の外部に面する主面６３より、圧電基板１１の主面からの距離が小さい構成を備える。このような構成によれば、柱状電極７０ｂの上面７１ｂを、カバー層６０の主面６３より低い位置に配置することができる。すなわち、カバー層６０の主面６３と、柱状電極７０ｂの上面７１ｂとの間に段差を設けることができる。
　これにより、弾性表面波装置１ｂを実装基板１１０に実装する場合に、図９に示されるように、柱状電極７０ｂと実装基板１１０とを接続する接合部材２００を、上面７１ｂの、主面６３からの段差の部分に配置することができる。このため、接合部材２００の高さ（厚さ）によって、弾性表面波装置１ｂの実装高さが増大することを、上記段差の分だけ抑制することができる。したがって、高周波モジュール１００ｂでは、上記実施の形態２に係る高周波モジュール１００より低背化が可能となる。
　以上のように、本実施の形態に係る弾性表面波装置１ｂでは、弾性表面波装置１ｂ単体の高さは、上記実施の形態１に係る弾性表面波装置１の高さと同等である。しかしながら、弾性表面波装置１ｂが実装された高周波モジュール１００ｂでは、上記実施の形態２に係る高周波モジュール１００より低背化が可能となる。
　また、本実施の形態に係る弾性表面波装置１ｂを用いることにより、図９に示されるように、弾性表面波装置１ｂのカバー層６０の外部に面する主面６３を、実装基板１１０に接触させることができる。
　これにより、弾性表面波装置１ｂと実装基板１１０との隙間を最小限に抑制することができるため、高周波モジュール１００ｂをさらに低背化することができる。また、上記構成により、カバー層６０の主面６３を介して、弾性表面波装置１ｂから実装基板１１０に放熱することができる。このため、弾性表面波装置１ｂのＩＤＴ電極２０に大電力が入力される場合においても、弾性表面波装置１ｂの温度上昇を抑制することができる。したがって、温度上昇による弾性表面波装置１ｂの特性変化を抑制することができる。
　（その他の変形例など）
　以上、本発明の各実施の形態に係る弾性表面波装置について説明したが、本発明は、個々の実施の形態には限定されない。例えば、上記各実施の形態に次のような変形を施した態様も、本発明に含まれ得る。
　例えば、上記各実施の形態及びそれらの変形例における特徴箇所を任意に組み合わせて実現される形態も本発明に含まれる。例えば、上記実施の形態４に係る弾性表面波装置１ｂに、上記実施の形態３に係る接続電極８０を設けてもよい。
　また、上記各実施の形態に係る弾性表面波装置では、図１に示されるように、各柱状電極の側面において、二面の略直交する露出部を有するが、当該側面における露出部は、一面だけでもよい。
　また、上記各実施の形態では、すべての柱状電極が露出部を有するが、一部の柱状電極だけが、露出部を有してもよい。
　また、上記各実施の形態に係る弾性表面波装置では、ＩＤＴ電極２０及び配線電極３０を覆う誘電体層４０を備えるが、誘電体層４０を備えなくてもよい。
　また、上記実施の形態４においては、柱状電極７０ｂの上面７１ｂをカバー層６０の主面６３より低い位置に配置することによって、実装基板１１０にカバー層６０の主面６３を接触させた。しかしながら、実装基板１１０にカバー層６０の主面６３を接触させる構成はこれに限定されない。上記実施の形態１に係る弾性表面波装置１を用いて、カバー層６０を実装基板に接触させることも可能である。例えば、弾性表面波装置１のカバー層６０を実装基板に接触させるために、実装基板に突出部を設けてもよい。
　本発明は、小型かつ低背で、実装強度が高い弾性表面波装置として、携帯電話機などの通信機器に広く利用できる。
　　１、１ａ、１ｂ、２　　弾性表面波装置
　　１０　　圧電基板母材
　　１１、１１ａ　　圧電基板
　　２０　　ＩＤＴ電極
　　２１　　端子電極
　　３０、３０ａ　　配線電極
　　３０Ａ　　配線導電部材
　　４０　　誘電体層
　　５０、５０ａ　　支持層
　　６０、６０ａ　　カバー層
　　６１、６１ａ　　第一層
　　６２、６２ａ　　第二層
　　６３　　主面
　　７０、７０ａ、７０ｂ　　柱状電極
　　７０ｈ　　スルーホール
　　７０ｇ、７０Ａ　　柱状導電部材
　　７１、７１ａ、７１ｂ　　上面
　　７２、７２ａ、７２ｂ　　側面
　　７３、７３ａ、７３ｂ　　底面
　　７５　　半田バンプ
　　８０　　接続電極
　　９０　　空隙
　　１００、１００ｂ　　高周波モジュール
　　１１０　　実装基板
　　１２０　　ランド電極
　　２００　　接合部材

Claims (8)

  1. 　圧電基板と、
    　前記圧電基板の一方の主面上に設けられ、弾性表面波を励振するＩＤＴ電極と、
    　前記一方の主面上の前記ＩＤＴ電極が設けられた領域の周囲に立設され、前記ＩＤＴ電極より前記一方の主面からの高さが大きい支持層と、
    　前記支持層上に配置され、前記ＩＤＴ電極を覆うカバー層と、
    　前記一方の主面上であって、前記支持層に接する位置に立設され、前記ＩＤＴ電極と電気的に接続される柱状電極とを備え、
    　前記圧電基板、前記支持層及び前記カバー層によって内部空間が形成され、
    　前記柱状電極は、前記一方の主面に対向する底面と、上面と、前記底面と前記上面とを結ぶ側面と、を備え、前記上面及び前記側面の各々は、外部に露出されている露出部を有する
    　弾性表面波装置。
  2. 　前記上面の露出部の面積は、前記側面の露出部の面積より大きい
    　請求項１に記載の弾性表面波装置。
  3. 　前記側面の露出部は、前記上面の露出部と連続して設けられている
    　請求項１又は２に記載の弾性表面波装置。
  4. 　前記上面の露出部及び前記側面の露出部の少なくとも一方に、前記柱状電極を構成する材料と異なる導電材料から構成される接続電極が設けられる
    　請求項１～３のいずれか１項に記載の弾性表面波装置。
  5. 　前記柱状電極の前記上面は、前記カバー層の外部に面する主面より、前記一方の主面からの距離が小さい
    　請求項１～４のいずれか１項に記載の弾性表面波装置。
  6. 　請求項１～５のいずれか１項に記載の弾性表面波装置と、
    　前記弾性表面波装置が実装されるランド電極が設けられた実装基板とを備え、
    　前記柱状電極は、前記上面の露出部及び前記側面の露出部を介して、前記ランド電極に接続される
    　高周波モジュール。
  7. 　前記カバー層は、前記実装基板と接触している
    　請求項６に記載の高周波モジュール。
  8. 　弾性表面波装置の製造方法であって、
    　圧電基板母材の一方の主面上に弾性表面波を励振するＩＤＴ電極を設ける工程と、
    　前記一方の主面上の前記ＩＤＴ電極が設けられた領域の周囲に、前記一方の主面からの高さが、前記ＩＤＴ電極より大きい支持層を立設する工程と、
    　前記支持層上に、前記ＩＤＴ電極を覆うカバー層を設ける工程と、
    　前記一方の主面上に、前記ＩＤＴ電極と電気的に接続され、前記支持層及び前記カバー層を貫通する柱状導電部材を立設する工程と、
    　前記一方の主面に交差する方向に前記柱状導電部材を切断することによって、柱状電極を形成する工程とを含む
    　弾性表面波装置の製造方法。
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