JPWO2018139598A1 - 弾性波フィルタ、分波器および通信装置 - Google Patents

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Abstract

ＳＡＷフィルタは、圧電基板を含む基板、送信フィルタおよび付加共振子を有している。送信フィルタは、送信端子からの信号をフィルタリングしてアンテナ端子へ出力するラダー型フィルタである。また、送信フィルタは、ラダー型に接続されている１以上の直列共振子および１以上の並列共振子を圧電基板上に有している。送信フィルタにおいて、初段の共振子は直列共振子である。付加共振子は、送信フィルタよりも前段で送信端子に接続されているとともに１以上のＧＮＤ端子のいずれかに接続されているＩＤＴ電極を圧電基板上に含んでいる。付加共振子の共振周波数および反共振周波数は送信フィルタの通過帯域の外側に位置している。

Description

本開示は、弾性波を利用して信号をフィルタリングする弾性波フィルタ、当該弾性波フィルタを含む分波器および通信装置に関する。弾性波は、例えば、弾性表面波（ＳＡＷ：surface acoustic wave）である。
弾性波フィルタとして、複数の弾性波共振子をラダー型に接続したラダー型フィルタが知られている（特許文献１）。弾性波共振子は、例えば、圧電基板と、圧電基板上に位置するＩＤＴ（interdigitated transducer）電極とを含んでいる。
特許文献１は、ラダー型フィルタを送信フィルタとして有している分波器を開示している。送信フィルタは、入力された送信信号をフィルタリングしてアンテナ端子に出力する。特許文献１の分波器は、送信フィルタの後段（アンテナ端子側）にローパスフィルタを有している。ローパスフィルタのキャパシタは、圧電基板上に位置するＩＤＴ電極によって構成されている。
特許文献２は、弾性波フィルタが実装される配線基板を開示している。配線基板に実装される弾性波フィルタは、配線基板から入力された送信信号をフィルタリングして配線基板へ出力する。特許文献２の配線基板は、弾性波フィルタの前段（弾性波フィルタへの入力側）にローパスフィルタを有している。
特開２００８−２４５３１０号公報 特開２００４−２５４２５７号公報
本開示の一態様に係る弾性波フィルタは、圧電基板を含む基板、送信端子、アンテナ端子、１以上の基準電位端子、送信フィルタおよび付加共振子を有している。前記送信端子、前記アンテナ端子および前記１以上の基準電位端子は、前記基板上に位置している。前記送信フィルタは、前記送信端子からの信号をフィルタリングして前記アンテナ端子へ出力するラダー型フィルタである。また、前記送信フィルタは、ラダー型に接続されている１以上の直列共振子および１以上の並列共振子を前記圧電基板上に有している。前記送信フィルタにおいて、初段の共振子は直列共振子である。前記付加共振子は、前記送信フィルタよりも前段で前記送信端子に接続されているとともに前記１以上の基準電位端子のいずれかに接続されているＩＤＴ電極を前記圧電基板上に含んでいる。前記付加共振子の共振周波数および反共振周波数は、前記送信フィルタの通過帯域の外側に位置している。
本開示の一態様に係る分波器は、上記の弾性波フィルタと、受信端子と、前記アンテナ端子からの信号をフィルタリングして前記受信端子へ出力する受信フィルタと、を有している。
本開示の一態様に係る通信装置は、アンテナと、前記アンテナに前記アンテナ端子が接続されている上記の弾性波フィルタと、前記送信端子に接続されているＩＣと、を有している。
ＳＡＷ共振子の構成を示す平面図である。 図１のＳＡＷ共振子を含むＳＡＷフィルタの構成を模式的に示す平面図である。 図２のＳＡＷフィルタの送信フィルタおよび付加共振子の周波数特性を示す図である。 図２のＳＡＷフィルタをパッケージングして構成したＳＡＷフィルタの例を示す断面図である。 図５（ａ）および図５（ｂ）は図２のＳＡＷフィルタをパッケージングして構成したＳＡＷフィルタの例を示す断面図および平面図であり、図５（ｃ）は図５（ａ）のＳＡＷフィルタの変形例の一部を示す断面図である。 図６（ａ）、図６（ｂ）および図６（ｃ）はそれぞれ付加共振子を覆う絶縁体の例を示す図である。 付加共振子の電気的観点からの利用例を示す模式的な回路図である。 図２のＳＡＷフィルタの利用例としての分波器を模式的に示す図である。 図８の分波器の利用例としての通信装置の要部の構成を示すブロック図である。 図８の分波器の変形例を模式的に示す図である。 他の分波器を模式的に示す図である。 図１１の分波器の周波数帯を模式的に示す図である。
以下、本開示の実施形態について、図面を参照して説明する。なお、以下の説明で用いられる図は模式的なものであり、図面上の寸法比率等は現実のものとは必ずしも一致していない。
同一または類似する構成については、「第１櫛歯電極１１Ａ」、「第２櫛歯電極１１Ｂ」のように、同一名称に対して互いに異なるアルファベットを付して呼称することがあり、また、この場合において、単に「櫛歯電極１１」といい、これらを区別しないことがある。
（ＳＡＷ共振子の構成）
図１は、実施形態に係るＳＡＷフィルタ５１（図２）に用いられるＳＡＷ共振子１の構成を示す平面図である。
ＳＡＷ共振子１（ＳＡＷフィルタ５１）は、いずれの方向が上方または下方とされてもよいものであるが、以下の説明では、便宜的に、Ｄ１軸、Ｄ２軸およびＤ３軸からなる直交座標系を定義し、Ｄ３軸の正側（図１の紙面手前側）を上方として、上面等の語を用いることがあるものとする。なお、Ｄ１軸は、後述する圧電基板３の上面（紙面手前側の面。通常は最も広い面（主面）。）に沿って伝搬するＳＡＷの伝搬方向に平行になるように定義され、Ｄ２軸は、圧電基板３の上面に平行かつＤ１軸に直交するように定義され、Ｄ３軸は、圧電基板３の上面に直交するように定義されている。
ＳＡＷ共振子１は、いわゆる１ポートＳＡＷ共振子を構成しており、例えば、模式的に示す第１端子３１Ａおよび第２端子３１Ｂの一方から所定の周波数の電気信号が入力されると共振を生じ、その共振を生じた信号を第１端子３１Ａおよび第２端子３１Ｂの他方から出力する。
このようなＳＡＷ共振子１は、例えば、基板６００（この例では圧電基板３）と、圧電基板３上に設けられた共振子電極部５とを有している。共振子電極部５は、ＩＤＴ電極７と、ＩＤＴ電極７の両側に位置する１対の反射器９とを有している。
圧電基板３は、例えば、圧電性を有する単結晶からなる。単結晶は、例えば、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）単結晶またはタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）単結晶である。カット角は、利用するＳＡＷの種類等に応じて適宜に設定されてよい。例えば、圧電基板３は、回転ＹカットＸ伝搬のものである。すなわち、Ｘ軸は圧電基板３の上面（Ｄ１軸）に平行であり、Ｙ軸は、圧電基板３の上面の法線に対して所定の角度で傾斜している。なお、基板６００は、後述の図５（ａ）に示すように圧電基板３のみで構成してもよいし、後述の図５（ｃ）に示すように、比較的薄く形成された圧電基板３と、その裏面（Ｄ３軸負側の面）に貼り合わされた無機材料または有機材料からなる支持基板４とで構成してもよい。
ＩＤＴ電極７および反射器９は、圧電基板３上に設けられた層状導体によって構成されている。ＩＤＴ電極７および反射器９は、例えば、互いに同一の材料および厚さで構成されている。これらを構成する層状導体は、例えば、金属である。金属は、例えば、ＡｌまたはＡｌを主成分とする合金（Ａｌ合金）である。Ａｌ合金は、例えば、Ａｌ−Ｃｕ合金である。層状導体は、複数の金属層から構成されてもよい。層状導体の厚さは、ＳＡＷ共振子１に要求される電気特性等に応じて適宜に設定される。一例として、層状導体の厚さは５０ｎｍ〜６００ｎｍである。
ＩＤＴ電極７は、第１櫛歯電極１１Ａ（視認性をよくする便宜上ハッチングを付す）および第２櫛歯電極１１Ｂを有している。各櫛歯電極１１は、バスバー１３と、バスバー１３から互いに並列に延びる複数の電極指１５と、複数の電極指１５の間にてバスバー１３から突出する複数のダミー電極１７とを有している。１対の櫛歯電極１１は、複数の電極指１５が互いに噛み合うように（交差するように）配置されている。すなわち、１対の櫛歯電極１１の２本のバスバー１３は互いに対向して配置され、第１櫛歯電極１１Ａの電極指１５と第２櫛歯電極１１Ｂの電極指１５とはその幅方向に基本的に交互に配列されている。また、一方の櫛歯電極１１の複数のダミー電極は、その先端が他方の櫛歯電極１１の電極指１５の先端と対向している。
バスバー１３は、例えば、概ね一定の幅でＳＡＷの伝搬方向（Ｄ１軸方向）に直線状に延びる長尺状に形成されている。そして、一対のバスバー１３は、ＳＡＷの伝搬方向に直交する方向（Ｄ２軸方向）において互いに対向している。なお、バスバー１３は、幅が変化していたり、ＳＡＷの伝搬方向に対して傾斜していたりしてもよい。
各電極指１５は、例えば、概ね一定の幅でＳＡＷの伝搬方向に直交する方向（Ｄ２軸方向）に直線状に延びる長尺状に形成されている。複数の電極指１５は、例えば、ＳＡＷの伝搬方向に配列されており、また、互いに同等の長さである。なお、ＩＤＴ電極７は、複数の電極指１５の長さ（別の観点では交差幅）が伝搬方向の位置に応じて変化する、いわゆるアポダイズが施されていてもよい。
電極指１５の本数は、ＳＡＷ共振子１に要求される電気特性等に応じて適宜に設定されてよい。なお、図１等は模式図であることから、電極指１５の本数は少なく示されている。実際には、図示よりも多く（例えば１００本以上）の電極指１５が配列されてよい。後述する反射器９のストリップ電極２１についても同様である。
複数の電極指１５のピッチｐ（電極指ピッチ）は、例えば、ＩＤＴ電極７全体に亘って概ね一定とされている。なお、ピッチｐは、例えば、互いに隣り合う２本の電極指１５（または後述するストリップ電極２１）の中心間距離である。ピッチｐは、基本的に、圧電基板３上を伝搬するＳＡＷのうち共振させたい周波数と同等の周波数を有するＳＡＷの波長λの半分（ｐ＝λ／２）とされている。
複数のダミー電極１７は、例えば、概ね一定の幅でＳＡＷの伝搬方向に直交する方向（Ｄ２軸方向）に直線状に突出する長尺状に形成されている。その先端と複数の電極指１５の先端とのギャップは、例えば、複数のダミー電極１７間で同等である。複数のダミー電極１７の幅、本数およびピッチは、複数の電極指１５と同等である。なお、ダミー電極１７の幅は電極指１５と異なっていてもよい。ＩＤＴ電極７は、ダミー電極１７を有さないものであってもよい。以下の説明では、ダミー電極１７の説明および図示を省略することがある。
反射器９は、例えば、格子状に形成されている。すなわち、反射器９は、互いに対向する１対のバスバー１９と、１対のバスバー１９間において延びる複数のストリップ電極２１とを有している。
バスバー１９およびストリップ電極２１の形状は、ストリップ電極２１の両端が１対のバスバー１９に接続されていることを除いては、ＩＤＴ電極７のバスバー１３および電極指１５と同様とされてよい。
例えば、バスバー１９は、概ね一定の幅でＳＡＷの伝搬方向（Ｄ１軸方向）に直線状に延びる長尺状に形成されている。各ストリップ電極２１は、概ね一定の幅でＳＡＷの伝搬方向に直交する方向（Ｄ２軸方向）に直線状に延びる長尺状に形成されている。また、複数のストリップ電極２１は、例えば、ＳＡＷの伝搬方向に配列されており、また、互いに同等の長さである。複数のストリップ電極２１の幅およびピッチは、例えば、複数の電極指１５の幅およびピッチと同等である。
複数のストリップ電極２１の本数は、例えば、利用を意図しているモードのＳＡＷの反射率が概ね１００％以上となるように設定されている。その理論的な必要最小限の本数は、例えば、数本〜１０本程度であり、通常は、余裕を見て２０本以上または３０本以上とされている。
１対の反射器９は、例えば、ＳＡＷの伝搬方向においてＩＤＴ電極７の両側に隣接している。従って、複数のストリップ電極２１は、複数の電極指１５の配列に続いて配列されている。反射器９とＩＤＴ電極７との間で互いに隣接するストリップ電極２１と電極指１５とのピッチは、例えば、複数の電極指１５のピッチと同等である。
なお、圧電基板３の上面は、ＩＤＴ電極７および反射器９の上から、ＳｉＯ２等からなる保護膜２３（図６（ａ））によって覆われていてもよい。また、保護膜２３が設けられる場合等において、ＩＤＴ電極７および反射器９の上面または下面には、ＳＡＷの反射係数を向上させるために、絶縁体または金属からなる付加膜が設けられてもよい。
１対の櫛歯電極１１に電圧が印加されると、電極指１５によって圧電基板３に電圧が印加され、圧電基板３の上面付近において上面に沿ってＤ１軸方向に伝搬する所定のモードのＳＡＷが励起される。励起されたＳＡＷは、電極指１５によって機械的に反射される。その結果、電極指１５のピッチを半波長とする定在波が形成される。定在波は、当該定在波と同一周波数の電気信号に変換され、電極指１５によって取り出される。このようにしてＳＡＷ共振子１は共振子として機能する。その共振周波数は、電極指ピッチを半波長として圧電基板３上を伝搬するＳＡＷの周波数と概ね同一の周波数である。
ＩＤＴ電極７において励起されたＳＡＷは、反射器９のストリップ電極２１によって機械的に反射される。また、互いに隣接するストリップ電極２１がバスバー１９によって互いに接続されていることから、ＩＤＴ電極７からのＳＡＷは、電気的にもストリップ電極２１によって反射される。これにより、ＳＡＷの発散が抑制され、ＩＤＴ電極７における定在波が強く立ち、ＳＡＷ共振子１の共振子としての機能が向上する。
なお、ＳＡＷ共振子１（または後述する付加共振子５７）について接続という場合、特に断りがない限りは、第１端子３１Ａおよび第２端子３１Ｂによって模式的に示されているように、１対の櫛歯電極１１に電圧が印加されるような態様での接続をいうものとする。
ＩＤＴ電極７は、特性の向上または微調整のために、その一部（例えば電極指ピッチの総数の５０％未満、より好ましくは５％未満）に、大部分の電極指ピッチとは異なる大きさの電極指ピッチが設定されることがある。例えば、ＩＤＴ電極７は、ＳＡＷの伝搬方向の両側に、他の大部分よりも電極指ピッチが小さい狭ピッチ部が設けられることがある。また、例えば、交互に配列されている１対の櫛歯電極１１の電極指１５を１〜数十本程度（例えば３本）無くす、またはこれと実質的に等価な電極指１５の幅または配列の変更を行う、いわゆる間引きが行われることがある。本開示において単にピッチという場合、このような特異な部分のピッチは除くものとする。また、ピッチがＩＤＴ電極７全体に亘って微小範囲内で変動するような場合においては、その平均値を用いてよい。
（ＳＡＷフィルタの構成）
図２は、ＳＡＷ共振子１を含むＳＡＷフィルタ５１の構成を模式的に示す平面図である。この図では、紙面左上側に示されたＩＤＴ電極７および反射器９の符号から理解されるように、これらの導体を図１よりも更に模式的に示している。
ＳＡＷフィルタ５１は、例えば、無線通信において、送信すべき信号をフィルタリングするフィルタとして構成されている。ＳＡＷフィルタ５１は、既述の圧電基板３を有しているとともに、当該圧電基板３上に、送信端子５３Ｔ、アンテナ端子５３ＡおよびＧＮＤ端子５３Ｇ−１〜５３Ｇ−３、送信フィルタ５５、付加共振子５７および配線５９を有している。
なお、以下では、ＧＮＤ端子５３Ｇ−１〜５３Ｇ−３を区別せずに、単に「ＧＮＤ端子５３Ｇ」ということがある。また、送信端子５３Ｔ、アンテナ端子５３ＡおよびＧＮＤ端子５３Ｇを区別せずに、単に「端子５３」ということがある。
送信端子５３Ｔは、例えば、送信信号を生成する回路に接続される端子である。アンテナ端子５３Ａは、アンテナに接続される端子である。ＧＮＤ端子５３Ｇは、基準電位が付与される（接地される）端子である。送信フィルタ５５は、送信端子５３Ｔに入力された信号をフィルタリングしてアンテナ端子５３Ａに出力する。この際、不要成分（通過帯域外の信号）は、ＧＮＤ端子５３Ｇへ流される。付加共振子５７は、例えば、送信フィルタ５５を熱から保護することに寄与する。
端子５３と配線５９の一部とは、基本的に基板６００上に位置していればよい。この例では、端子５３および配線５９は、圧電基板３の上面に位置する層状導体からなる。これらの具体的な数、形状、大きさおよび位置は適宜に設定されてよい。端子５３および配線５９は、例えば、互いに同一の導体層によって構成されている（互いに同一の材料および厚さである。）。ただし、端子５３の位置においては、端子５３および配線５９に共通の導体層上に、他の材料からなる導体層が形成されていてもよい。もちろん、端子５３および配線５９は、互いに異なる材料から構成されていてもよい。
なお、端子５３は、それ自体の構成（形状または材料等）によって配線５９と区別可能である必要はなく、配線５９の一部のようになっていてよい。例えば、端子５３の位置または範囲は、配線５９を覆い、端子５３を覆わない絶縁層（例えば保護膜２３）によって特定されたり、圧電基板３がパッケージングされたときに端子５３に当接する部材（例えばバンプ）によって特定されてもよい。
（送信フィルタの構成）
送信フィルタ５５は、いわゆるラダー型のＳＡＷフィルタによって構成されている。すなわち、送信フィルタ５５は、直列腕６１および１以上の並列腕６３（図示の例では第１並列腕６３Ａ〜第３並列腕６３Ｃ）を有している。直列腕６１は、送信端子５３Ｔとアンテナ端子５３Ａとを接続しており、通過帯域の信号の伝送に寄与している。並列腕６３は、直列腕６１とＧＮＤ端子５３Ｇとを接続しており、通過帯域外の信号をＧＮＤ端子５３Ｇへ流すことに寄与している。なお、本実施形態の説明では、基本的に、並列腕６３の数が複数である場合を例にとる。
直列腕６１は、送信端子５３Ｔとアンテナ端子５３Ａとの間において直列に接続された複数の直列共振子６５（図示の例では第１直列共振子６５Ａ〜第４直列共振子６５Ｄ）を含んでいる。なお、直列共振子６５の数は、１つとすることも可能である。各並列腕６３は、いずれかの直列共振子６５の入力側（ここでは送信端子５３Ｔ側）または出力側（ここではアンテナ端子５３Ａ側）とＧＮＤ端子５３Ｇとを接続する並列共振子６７（図示の例では第１並列共振子６７Ａ〜第３並列共振子６７Ｃ）を有している。複数の並列腕６３（並列共振子６７）は、直列腕６１に対して電気的に互いに異なる位置（直列共振子６５に対する相対関係が互いに異なる位置）に接続されている。
なお、上記のような、２つの入力または出力用の端子（５３Ｔおよび５３Ａ）を直列腕６１（別の観点では１以上の直列共振子６５）によって接続し、直列腕６１とＧＮＤ端子５３Ｇとを１以上の並列腕６３（別の観点では１以上の並列共振子６７）によって接続する態様の接続はラダー型接続といわれている。
本実施形態では、送信フィルタ５５において初段（最も入力側（送信端子５３Ｔ側））の共振子は直列共振子６５（第１直列共振子６５Ａ）となっている。すなわち、第１直列共振子６５Ａ（別の観点では全ての直列共振子６５）に対して送信端子５３Ｔ側に接続されている並列共振子６７は設けられていない。なお、図示とは異なり、第１直列共振子６５Ａの送信端子５３Ｔ側に接続されている並列共振子６７が設けられている場合、初段の共振子は並列共振子６７であるということになる。最も後段（アンテナ端子５３Ａ側）の共振子は、直列共振子６５であってもよいし（図示の例）、並列共振子６７であってもよい。
なお、ＳＡＷフィルタ５１において、入出力に供される２つの端子（５３Ｔおよび５３Ａ）のうち、いずれが送信端子５３Ｔまたはアンテナ端子５３Ａであるか（別の観点では通過させるべき信号が伝達される方向）は、例えば、ＳＡＷフィルタ５１の仕様書などから特定可能である。また、仕様書において送信端子およびアンテナ端子が指定されていることからも明らかなように、通常、送信フィルタ５５は、送信端子５３Ｔおよびアンテナ端子５３Ａを逆にすると特性が低下する。すなわち、送信端子５３Ｔおよびアンテナ端子５３Ａは、送信フィルタ５５の具体的な構成（設計値など）から区別可能である。
直列共振子６５および並列共振子６７それぞれは、例えば、図１を参照して説明したＳＡＷ共振子１により構成されている。ただし、電極指１５の本数、電極指１５の長さおよび／またはピッチｐ等の具体的な値は、各共振子に要求される特性に応じて設定されている。
直列共振子６５および並列共振子６７それぞれは、１つのＳＡＷ共振子１によって構成されてもよいし、複数のＳＡＷ共振子１によって構成されていてもよい。図示の例では、第３並列共振子６７Ｃは、１つのＳＡＷ共振子１によって構成されており、それ以外の共振子は、複数のＳＡＷ共振子１（６９）によって構成されている。
なお、第３並列共振子６７Ｃ以外の共振子は、１つのＳＡＷ共振子１が複数のＳＡＷ共振子１に分割されて構成されていると捉えられてもよい。以下では、１つの直列共振子６５または１つの並列共振子６７が複数のＳＡＷ共振子１によって構成される場合、このＳＡＷ共振子１を分割共振子６９というものとする。
直列共振子６５または並列共振子６７それぞれにおいて、複数の分割共振子６９は、互いに直列に接続されている。接続は、配線５９によってなされていてもよいし、バスバー１３が共通化されることによってなされていてもよい。直列共振子６５または並列共振子６７それぞれにおいて、複数の分割共振子６９は、例えば、概略、互いに同一の構成とされている。ただし、複数の分割共振子６９は、互いに異なる構成とされていてもよい。
このように、１つの直列共振子６５または１つの並列共振子６７を分割することによって、例えば、１つのＳＡＷ共振子１（各分割共振子６９）に印加される電圧を下げ、１つの直列共振子６５全体または１つの並列共振子６７全体における耐電力性を向上させることができる。
なお、直列腕６１内で、直列に接続されている複数のＳＡＷ共振子１がある場合において、各ＳＡＷ共振子１が、分割共振子６９であるのか、単体で直列共振子６５を構成するものであるのかは、例えば、並列腕６３との接続位置を基準に特定してよい。例えば、互いに直列に接続されている２つのＳＡＷ共振子１間に並列腕６３が接続されていなければ、その２つのＳＡＷ共振子１は、共に１つの直列共振子６５を構成する分割共振子６９である。
直列共振子６５の分割数は、例えば、複数の直列共振子６５間で互いに異なっている。初段の共振子である第１直列共振子６５Ａは、例えば、最も分割数の多い直列共振子６５の一つとなっている。より具体的には、例えば、直列共振子６５の分割数は、送信端子５３Ｔ側ほど多くなっている。また、例えば、第１直列共振子６５Ａは他のいずれの直列共振子６５よりも分割数が多い。ただし、分割数は、複数の直列共振子６５間で互いに同一であってもよいし、分割数が複数の直列共振子６５間で互いに異なる場合において、第１直列共振子６５Ａの分割数以上の分割数の直列共振子６５が存在してもよい。
なお、特に図示しないが、直列共振子６５または並列共振子６７に並列に接続されるキャパシタ、または並列共振子６７とＧＮＤ端子５３Ｇとの間に直列に接続されるインダクタ（図１０参照）等が設けられてもよい。そして、このようなキャパシタおよび／またはインダクタと、ＳＡＷ共振子１（直列共振子６５または並列共振子６７）との組み合わせ全体が、直列共振子または並列共振子と捉えられてもよい。
図２では、説明の便宜上、複数の直列共振子６５および複数の並列共振子６７は整然と並べられている。ただし、実際には、このように整然と並べられていなくてもよい。また、図２では、配線５９は、バスバー１３（図１参照）に対して、そのＤ１軸方向の一部のみに接続されている。ただし、配線５９は、直列共振子６５または並列共振子６７のバスバー１３に対して、そのＤ１軸方向の概ね全体に亘って接続されていてもよい。別の観点では、配線５９とバスバー１３との境界は明確でなくてもよい。
（付加共振子の構成）
付加共振子５７は、送信フィルタ５５（別の観点では初段の共振子である第１直列共振子６５Ａ）よりも前段（入力側）において送信端子５３Ｔに接続されているとともに、ＧＮＤ端子５３Ｇ−１に接続されている。従って、例えば、送信端子５３ＴからＧＮＤ端子５３Ｇ−１へ放熱経路が形成され、送信フィルタ５５が熱から保護される。なお、付加共振子５７は、その接続関係のみを見れば、ラダー型フィルタ（送信フィルタ５５）の並列共振子６７に見えるが、後述するように、並列共振子６７とは共振周波数および反共振周波数が異なり、ラダー型フィルタを構成していない。
付加共振子５７は、電気的に送信フィルタ５５よりも前段において送信端子５３Ｔに接続されていればよく、圧電基板３の平面視における接続位置（構造的な観点の接続位置）は適宜に設定されてよい。例えば、付加共振子５７から延びているように見える配線５９が設けられている場合、当該配線５９は、送信フィルタ５５と送信端子５３Ｔとを結ぶ配線５９、第１直列共振子６５Ａの前段側のバスバー１３、および送信端子５３Ｔのいずれに接続されてもよい。
付加共振子５７は、例えば、図２において模式的に示されているように、ＩＤＴ電極７によって構成されている。換言すれば、付加共振子５７は、ＳＡＷ共振子１から１対の反射器９を無くした構成である。１対の反射器９が設けられていないことから、付加共振子５７においては、例えば、共振子としての機能は低下しており、その結果、相対的に容量素子としての意義が大きくなっている。ただし、付加共振子５７は、１対の反射器９を有していてもよい。また、付加共振子５７からのＳＡＷの漏れを低減するように、ベタ状の導体を付加共振子５７のＳＡＷの伝搬方向の両側に配置するなどしてもよい。また、付加共振子５７は、ＩＤＴ電極７からダミー電極１７を無くした構成としてもよい。
付加共振子５７（そのＩＤＴ電極７）、送信端子５３ＴおよびＧＮＤ端子５３Ｇ−１の圧電基板３上における相対位置、ならびにこれらを接続する配線の形状は適宜に設定されてよい。
例えば、送信端子５３ＴおよびＧＮＤ端子５３Ｇ−１は、付加共振子５７に対してＳＡＷの伝搬方向に直交する方向（Ｄ２軸方向）の両側に位置し、ＳＡＷの伝搬方向（Ｄ１軸方向）において付加共振子５７の配置範囲に収まっている。また、例えば、送信端子５３ＴおよびＧＮＤ端子５３Ｇ−１は、Ｄ１軸方向の位置が概ね互いに同等である（Ｄ１軸方向において配置範囲が互いに重なっている。）。送信端子５３Ｔおよび／またはＧＮＤ端子５３Ｇ−１と付加共振子５７との最短距離は、例えば、付加共振子５７の電極指１５の長さ未満である。なお、配線５９とバスバー１３との境界が明確でない場合は、上記の最短距離は、バスバー１３の電極指１５側（ＩＤＴ電極７の内側）の縁部を基準としてよい。上記のような構成の少なくともいずれか１つにより、例えば、送信端子５３ＴからＧＮＤ端子５３Ｇ−１への放熱経路が短くなる。
また、例えば、送信端子５３Ｔと付加共振子５７とを接続する配線５９は、その幅（Ｄ１軸方向）が比較的広くされている。例えば、当該幅は、送信端子５３Ｔの直径以上とされ、さらには、付加共振子５７のバスバー１３の長さと同等とされている。ＧＮＤ端子５３Ｇ−１と付加共振子５７とを接続する配線５９の幅（Ｄ１軸方向）も同様とされてよい。すなわち、当該幅は、ＧＮＤ端子５３Ｇ−１の直径以上とされてもよいし、さらには、付加共振子５７のバスバー１３の長さと同等とされていてもよい。
付加共振子５７と接続されるＧＮＤ端子５３Ｇ−１は、例えば、１以上の並列共振子６７のいずれかを介して直列腕６１（別の観点では送信端子５３Ｔおよびアンテナ端子５３Ａ）と接続されているＧＮＤ端子５３Ｇ（図示の例では５３Ｇ−２）ではない。また、ＧＮＤ端子５３Ｇ−１は、そのような並列共振子６７を介して直列腕６１と接続されているＧＮＤ端子５３Ｇ−２と短絡されていない（電気的に分離されている）。すなわち、ＧＮＤ端子５３Ｇ−１は、ＧＮＤ端子５３Ｇ−２とＳＡＷ共振子１等の電子素子を介しては接続されているものの、他のＧＮＤ端子５３Ｇと配線５９のみを介した接続はなされていない。
なお、短絡（意図しないものは除く）は、例えば、配線５９による接続のように、基本的に接続を目的とした導体によって接続されることを言い、別の観点では、電子素子（抵抗体、キャパシタまたはインダクタ等）を介さない接続をいう。配線５９等の接続を目的とした導体も、厳密には、抵抗値、キャパシタンスおよびインダクタンスを有するが、ここでは考慮しない。
圧電基板３は、後述するように、パッケージングされたり、他の回路基板と接続されたりする。ＧＮＤ端子５３Ｇ−１は、例えば、パッケージまたは他の回路基板によってもＧＮＤ端子５３Ｇ−２と短絡されていない。
ただし、ＧＮＤ端子５３Ｇ−１は、ＧＮＤ端子５３Ｇ−２のように並列共振子６７を介して直列腕６１と接続されていてもよいし、配線５９、パッケージおよび／または回路基板を介してＧＮＤ端子５３Ｇ−２と短絡されていてもよい。
端子５３、配線５９、直列共振子６５の電極、並列共振子６７の電極および付加共振子５７の電極は、例えば、互いに同一の導体層によって構成されている（互いに同一の材料および厚さである。）。ただし、これらは互いに異なる材料によって構成されていてもよいし、これらのうちの一部のみ、これらに共通の導体層の上に他の導体層が形成されていてもよい。
特に図示しないが、圧電基板３上には、上記以外の構成が設けられていてもよい。例えば、アンテナ端子５３Ａと送信フィルタ５５との間にローパスフィルタが設けられていてもよい。
（共振子の周波数特性）
図３は、送信フィルタ５５および付加共振子５７の周波数特性を示す図である。
この図において、横軸は、周波数ｆ（Ｈｚ）を示し、縦軸は、インピーダンスの絶対値｜Ｚ｜（Ω）または減衰量Ａ（ｄＢ）を示している。線Ｌ１は直列共振子６５のインピーダンスを示している。線Ｌ２は並列共振子６７のインピーダンスを示している。線Ｌ３は、送信フィルタ５５の減衰量を示している。線Ｌ４または線Ｌ５は、付加共振子５７のインピーダンスを示している。
ＳＡＷ共振子１（直列共振子６５、並列共振子６７）に係るインピーダンスの周波数特性においては、インピーダンスが極小値となる共振点と、インピーダンスが極大値となる反共振点が現れる。共振点および反共振点が現れる周波数を共振周波数（ｆｓｒ、ｆｐｒ）および反共振周波数（ｆｓａ、ｆｐａ）とする。ＳＡＷ共振子１において、反共振周波数は共振周波数よりも高い。
直列共振子６５および並列共振子６７は、直列共振子６５（線Ｌ１）の共振周波数ｆｓｒと並列共振子６７（線Ｌ２）の反共振周波数ｆｓａとが概ね一致するように共振周波数および反共振周波数が設定される。これにより、送信フィルタ５５（線Ｌ３）は、並列共振子６７の共振周波数ｆｐｒから直列共振子６５の反共振周波数ｆｓａまでの周波数範囲（減衰域ＡＢ）よりも若干狭い範囲を通過帯域ＰＢとするフィルタとして機能する。
従って、直列共振子６５の共振周波数ｆｓｒは、送信フィルタ５５の通過帯域ＰＢ内に位置している。また、並列共振子６７の反共振周波数ｆｐａは、送信フィルタ５５の通過帯域ＰＢ内に位置している。
通過帯域ＰＢの具体的な周波数は任意である。例えば、通過帯域ＰＢは、２．７ＧＨｚ以下に位置している。このような周波数帯を利用するシステムとしては、例えば、携帯電話システムおよびデジタルテレビ放送システムを挙げることができる。もちろん、通過帯域ＰＢは、２．７ＧＨｚよりも高くてもよいし、２．７ＧＨｚに跨っていてもよい。
付加共振子５７（線Ｌ４または線Ｌ５）は、ＩＤＴ電極７によって構成されているから、ＳＡＷ共振子１と同様に、共振周波数ｆｃｒおよび反共振周波数ｆｃａを有している。しかし、その共振周波数ｆｃｒおよび反共振周波数ｆｃａは、いずれも通過帯域ＰＢの外側に位置している。別の観点では、付加共振子５７は、接続関係は並列共振子６７と同様であるものの、直列共振子６５および他の並列共振子６７の周波数特性との関係において、ラダー型フィルタ（送信フィルタ５５）を構成し得る周波数特性を有していない。
なお、付加共振子５７のインピーダンスの周波数特性においては、実際には、複数の極小値および複数の極大値が現れる。ここでいう共振周波数ｆｃｒは、理論上、λ＝２ｐのＳＡＷの周波数となる周波数である。また、反共振周波数ｆｃａは、理論上、付加共振子５７の等価回路において、直列共振回路のキャパシタンスをＣ１とし、並列共振回路のキャパシタンスをＣ０としたときに、ｆｃｒ×√（１＋（Ｃ１／Ｃ０））となる周波数である。
また、共振周波数ｆｃｒまたは反共振周波数ｆｃａが通過帯域ＰＢ内に位置するか否かを判定するに際して、通過帯域ＰＢは適宜に特定されてよい。例えば、通過帯域ＰＢは、設計値に基づく計算（理論計算またはシミュレーション計算）によって特定されてもよいし、実際の製品に対する評価試験によって特定されてもよいし、実際の製品の仕様書等に基づいて特定されてもよい。
図３では、付加共振子５７の周波数特性は、直列共振子６５および並列共振子６７の周波数特性を横軸に沿ってシフトした波形で示されている。ただし、付加共振子５７は、送信フィルタ５５を構成するものではないから、付加共振子５７の周波数特性を示す波形は、直列共振子６５および並列共振子６７の周波数特性を示す波形とは全く異なるものであってよい。例えば、付加共振子５７の、共振周波数におけるインピーダンス、反共振周波数におけるインピーダンス、共振周波数と反共振周波数との周波数差（Δｆ）、および／または、これらを規定する各種の条件（電極指ピッチ、デューティー比（電極指ピッチに対する電極指１５の幅の比）、電極指１５の長さおよび／または静電容量等）は、直列共振子６５および並列共振子６７のものと異なっていてよい。
例えば、付加共振子５７の静電容量は、並列共振子６７のいずれの静電容量とも異なる。例えば、前者は、後者よりも大きい。この場合、例えば、付加共振子５７は、並列共振子６７に比較して、電極指１５が長くされたり、電極指１５の本数が多くされたり、および／または電極指ピッチが小さくされたりすることによって、静電容量が相対的に大きくされる。なお、付加共振子５７と並列共振子６７との間で電極指ピッチを比較する場合、既に言及したように、一部の特異部分（狭ピッチ部または間引き部）は無視してよいし、電極指ピッチが全体として変化する場合は平均値で比較してよい。
また、図３では、付加共振子５７の共振周波数ｆｃｒおよび反共振周波数ｆｃａは、通過帯域ＰＢに比較的近い位置に示されている。ただし、共振周波数ｆｃｒおよび反共振周波数ｆｃａは、図示よりも通過帯域ＰＢから離れていてよい。例えば、共振周波数ｆｃｒおよび反共振周波数ｆｃａは、減衰域ＡＢの外側に位置していてもよい。なお、減衰域ＡＢも通過帯域ＰＢと同様に適宜に特定されてよい。また、例えば、共振周波数ｆｃｒおよび反共振周波数ｆｃａは、通過帯域ＰＢに対して、通過帯域ＰＢの幅以上の周波数差で離れていてもよい。
（パッケージされたＳＡＷフィルタ）
ＳＡＷフィルタ５１は、例えば、そのまま（ベアチップのまま）、電子機器に組み込まれるなどして利用されてよい。ただし、ＳＡＷフィルタ５１は、パッケージされてもよい。以下では、パッケージの例を示す。
（パッケージの例１）
図４は、ＳＡＷフィルタ５１をパッケージングして構成したＳＡＷフィルタ２０１を示す断面図である。
ＳＡＷフィルタ２０１において、ＳＡＷフィルタ５１の圧電基板３は、隙間を介して対向基板２０３に対向配置されている。また、端子５３と、対向基板２０３のパッド２０５とがその間に介在するバンプ２０７によって接合されている。これにより、送信フィルタ５５上には、ＳＡＷの伝搬（圧電基板３の振動）を容易化する振動空間Ｓが構成されている。振動空間Ｓは、対向基板２０３上においてＳＡＷフィルタ５１の周囲に配置された樹脂などからなる封止部２０９によって封止されている。
対向基板２０３の、ＳＡＷフィルタ５１が実装される面とは反対側の面には、ＳＡＷフィルタ２０１を回路基板等にバンプによって実装するための外部端子２１１が設けられている。パッド２０５と外部端子２１１とは、対向基板２０３の配線導体（符号省略）によって電気的に接続されている。当該配線導体は、例えば、対向基板２０３（その絶縁基板）の内部または表面において対向基板２０３に沿って形成された層状の導体パターン２１３、および対向基板２０３をその厚み方向に貫通する貫通導体２１５によって構成されている。
ＳＡＷフィルタ２０１においては、ＳＡＷフィルタ５１以外の電子素子が設けられてもよい。例えば、導体パターン２１３は、適宜な平面形状とされることによって、キャパシタまたはインダクタ等の電子素子を構成していてもよい。また、例えば、対向基板２０３には、ＳＡＷフィルタ５１以外の電子素子（例えば電子部品２１７）が実装されていてもよい。電子部品２１７は、例えば、チップ型の部品であり、また、例えば、キャパシタ、インダクタまたはＩＣ（Integrated Circuit）である。
なお、図示の例とは異なり、ＳＡＷフィルタ５１以外の電子部品２１７を対向基板２０３に実装しないようにし、圧電基板３の広さに対して対向基板２０３の広さを極力小さくするようにしてもよい。別の観点では、ＳＡＷフィルタ２０１は、チップサイズパッケージ型の部品とされてもよい。
ＳＡＷフィルタ５１の端子５３と外部端子２１１とは、例えば、対向基板２０３の配線導体によって直接的に接続されている（短絡されている。）。ただし、導体パターン２１３により電子素子が構成されたり、ＳＡＷフィルタ５１以外の電子素子（電子部品２１７）が対向基板２０３に実装されたりしている場合においては、そのような電子素子が端子５３と外部端子２１１との間に介在していてもよい。
なお、ＳＡＷフィルタ５１の付加共振子５７に接続されるＧＮＤ端子５３Ｇは、その他のＧＮＤ端子５３Ｇと対向基板２０３内においても短絡することなく外部端子２１１に導出させてもよい。
（パッケージの例２）
図５（ａ）は、ＳＡＷフィルタ５１をパッケージングして構成したＳＡＷフィルタ３０１を示す断面図である。
ＳＡＷフィルタ３０１においては、ＳＡＷフィルタ５１の圧電基板３上にカバー３０３が設けられている。カバー３０３は、圧電基板３上において少なくとも送信フィルタ５５を囲む枠部３０５と、枠部３０５上に位置して枠部３０５の開口を塞ぐ蓋部３０７とを有している。これにより、送信フィルタ５５上には、ＳＡＷの伝搬（圧電基板３の振動）を容易化する振動空間Ｓが構成されている。なお、平面視において、付加共振子５７は、枠部３０５内に位置していてもよいし、枠部３０５に重なっていてもよい（後述）。
端子５３上には、カバー３０３を貫通する柱状端子３０９が設けられている。柱状端子３０９の上面側部分は、ＳＡＷフィルタ３０１を回路基板等にバンプによって実装するためのランド３１０となっている。なお、柱状端子３０９が設けられずに、端子５３上においてカバー３０３を貫通する貫通孔が設けられてもよい。この場合、例えば、端子５３と回路基板等とがバンプによって接合される。
図５（ｂ）は、ＳＡＷフィルタ３０１の上面図である。この図では、ランド３１０に対応する端子５３の符号もランド３１０に付している。
図５（ａ）および図５（ｂ）に示すように、カバー３０３の上面には、平面視において振動空間Ｓの少なくとも一部に重なる補強層３１１（３１１Ａおよび３１１Ｂ）を有している。補強層３１１は、例えば、金属などのカバー３０３よりも剛性が高い導体から構成されている。補強層３１１は、例えば、蓋部３０７の振動空間Ｓ側への撓みを抑制することに寄与している。
補強層３１１は、ランド３１０と接続されていてもよいし、接続されていなくてもよい。別の観点では、ＳＡＷフィルタ５１の端子５３と電気的に接続されていてもよいし、接続されていなくてもよい。図５（ｂ）の例では、補強層３１１は、ＧＮＤ端子５３Ｇに対応するランド３１０に接続されている。
補強層３１１Ａおよび補強層３１１Ｂは互いに分離されている。補強層３１１Ａは、ＧＮＤ端子５３Ｇ−２および５３Ｇ−３に接続されている。補強層３１１Ｂは、ＧＮＤ端子５３Ｇ−１に接続されている。従って、付加共振子５７と接続されているＧＮＤ端子５３Ｇ−１は、ＳＡＷフィルタ３０１全体においても、並列共振子６７および並列共振子６７と接続されているＧＮＤ端子５３Ｇ−２と電気的に分離されている。なお、補強層３１１Ａと補強層３１１Ｂとが分離されず、ＧＮＤ端子５３Ｇ−１とＧＮＤ端子５３Ｇ−２とが短絡されていてもよい。
別の観点では、ＳＡＷフィルタ３０１は、ＧＮＤ端子５３Ｇ−１と短絡されている比較的広い導体層（補強層３１１Ｂ）を有している。この導体層は、例えば、ＧＮＤ端子５３Ｇ−１の放熱に寄与し得る。補強層３１１Ｂの広さは、例えば、付加共振子５７のＩＤＴ電極７よりも広い。なお、バスバー１３の外側の縁部と配線５９との境界とは明確でないことがあり、また、バスバー１３の大きさは理論上は任意である。従って、補強層３１１Ｂの面積と比較されるＩＤＴ電極７の面積としては、複数の電極指１５の配置領域（１対のバスバー１３間の領域）の面積を用いてよい。
図５（ｃ）は、ＳＡＷフィルタ３０１のパッケージの変形例を説明するための断面図である。
この図に示すように、カバー３０３内（例えば枠部３０５と蓋部３０７との間）には圧電基板３に平行な層状の導体パターン３１３が設けられてもよい。導体パターン３１３は、適宜な平面形状とされることによって、インダクタまたはキャパシタ等の電子素子を構成していてもよい。導体パターン３１３により電子素子が構成されている場合においては、当該電子素子が端子５３とランド３１０との間に介在していてもよい。図示の例では、端子５３上に位置し、枠部３０５を貫通する貫通導体３１５と、蓋部３０７を貫通してランド３１０に接続されている貫通導体３１７との間に導体パターン３１３が介在している。
なお、放熱効率を考慮すると、付加共振子５７に接続されるＧＮＤ端子５３Ｇは、広い面積の導体パターンに電気的に接続されるまでの経路はなるべく短くしてもよい。例えば、貫通導体３０９，３１５のみで層状の広面積の導体パターンに接続してもよい。また、並列共振子６７が接続されるＧＮＤ端子５３Ｇ、カバー３０３内においてインダクタ等を経てランド３１０まで導出されるようにし、付加共振子５７に接続されるＧＮＤ端子５３Ｇは、カバー３０３内において面内を迂回するような線幅の細い導体パターンを経ずにランド３１０まで導出されていてもよい。
（貼り合わせ基板）
既述のように、また、図５（ｃ）に示すように、基板６００は、圧電基板３単体に限定されず、圧電基板３の下面に支持基板４が貼り合わされたものであってもよい。
支持基板４は、圧電基板３を支える強度を備える材料からなる。例えば、支持基板４は、圧電基板３の材料よりも線膨張係数（いずれかに異方性がある場合は、例えば、Ｄ１軸方向における線膨張係数）が小さい材料によって形成されている。このような材料としては、例えば、シリコン等の半導体、サファイア等の単結晶および酸化アルミニウム質焼結体等のセラミックを挙げることができる。なお、支持基板４は、互いに異なる材料からなる複数の層が積層されて構成されていてもよい。また、支持基板４と圧電基板３との間には中間層（接着層）が介在してもよい。中間層は複数の層が積層された積層体であってもよい。
支持基板４の形状は、例えば、概略、薄型の直方体状であり、また、平面視において例えば、圧電基板３に一致する形状および寸法である。支持基板４の厚みは、例えば、一定であり、また、圧電基板３の厚みよりも厚い。支持基板４の厚さの具体的な値は適宜に設定されてよい。一例として、圧電基板３の厚さが１０μｍ以上３０μｍ以下であるのに対して、支持基板４の厚さは１００μｍ以上３００μｍ以下である。また、例えば、支持基板４の厚さは、圧電基板３の厚さの５倍以上２０倍以下である。
圧電基板３および支持基板４は、例えば、不図示の接着層を介して互いに貼り合わされている。接着層の材料は、有機材料であってもよいし、無機材料であってもよい。有機材料としては、例えば、熱硬化性樹脂等の樹脂が挙げられる。無機材料としては、例えば、ＳｉＯ２が挙げられる。また、圧電基板３および支持基板４は、接着面をプラズマなどで活性化処理した後に接着層無しに貼り合わせる、いわゆる直接接合によって貼り合わされていてもよい。
支持基板４を設けることによって、例えば、圧電基板３の熱膨張に起因するＳＡＷ共振子１の周波数特性の変化を補償することができる。
なお、本開示では、図５（ｃ）の例においてのみ支持基板４を図示しているが、他の例において支持基板４が設けられてもよいし、逆に、図５（ｃ）の例において、支持基板４が貼り合わされない圧電基板３が用いられてもよい。
また、支持基板４の形状は、平面視で、圧電基板３よりも大きくしてもよい。すなわち。支持基板４の外周よりも内側に圧電基板３が位置していてもよい。言い換えると、支持基板４の上面は、圧電基板３に覆われない露出部を備えていてもよい。そして、このような露出部において、端子５３および配線５９の一部が位置してもよい。この場合には、端子５３が、圧電基板３よりも熱伝導率のよい支持基板４の側に放熱することができるので、さらに耐電力性を高めることができる。この場合に、図５（ａ）に示すようなカバー３０３は、圧電基板３上ではなく、支持基板４の露出部に接合されていてもよい。
なお、支持基板４と圧電基板３との間に中間層（接合層）が介在する場合には、中間層は露出部において、存在しても存在していなくてもよい。放熱性を考慮すると、露出部は中間層にも覆われていないことが好ましい。
（付加共振子の被覆）
付加共振子５７は、送信フィルタ５５（その共振子）を覆っていない絶縁体等によって覆われていてもよい。この場合、例えば、送信フィルタ５５（の共振子）におけるＳＡＷの伝搬（圧電基板３の振動）を許容する一方で、付加共振子５７におけるＳＡＷの伝搬を抑制することができる。以下では、そのような絶縁体の例を示す。
図６（ａ）は、圧電基板３の上面における構成例の一部を模式的に示す断面図である。
圧電基板３の上面は、ＩＤＴ電極７等を構成する導体層の上から保護膜２３によって覆われている。保護膜２３は、単にＩＤＴ電極７等の腐食を抑制するためのものであってもよいし、温度補償に寄与するものであってもよい。保護膜２３は、例えば、ＳｉＯ２からなる。また、その厚さは、ＩＤＴ電極７等よりも薄くてもよいし（図示の例）、厚くてもよい。保護膜２３は、例えば、送信フィルタ５５および付加共振子５７の双方を覆っている。
付加共振子５７は、送信フィルタ５５（直列共振子６５および並列共振子６７）上には設けられていない絶縁層７１によって覆われている。絶縁層７１は、例えば、樹脂または無機材料からなる。その厚さは適宜に設定されてよい。なお、絶縁層７１は、保護膜２３を介さずに、直接的に付加共振子５７を覆っていてもよい。
図６（ｂ）は、圧電基板３の上面における他の構成例の一部を模式的に示す断面図である。
この例では、図６（ａ）を参照して説明した保護膜２３は、付加共振子５７上における厚さが、送信フィルタ５５（直列共振子６５および並列共振子６７）上における厚さよりも厚くなっている。このような構成は、例えば、圧電基板３の全面に保護膜２３となる材料を成膜する工程と、付加共振子５７上においてのみ保護膜２３となる材料を成膜する工程とを行うことにより実現される。なお、前記の２つの工程は、いずれが先でもよい。
図６（ｃ）は、圧電基板３の上面におけるさらに他の構成例の一部を模式的に示す断面図である。
この例では、図５（ａ）を参照して説明したカバー３０３が設けられることを想定している。そして、カバー３０３の枠部３０５は、平面視において送信フィルタ５５を囲む一方で、付加共振子５７上に位置している。すなわち、枠部３０５は、送信フィルタ５５（その共振子）および付加共振子５７のうち付加共振子５７のみを覆う絶縁体として機能している。なお、図６（ｃ）では保護膜２３が図示されていないが、カバー３０３は、保護膜２３上に設けられていてもよい。
（付加共振子の利用例）
図７は、付加共振子５７の電気的観点からの利用例を示す模式的な回路図である。
この例において、付加共振子５７は、送信フィルタ５５の前段（入力側）に接続されるローパスフィルタ７５を構成することに利用されている。ローパスフィルタ７５は、例えば、いわゆるπ型のものである。すなわち、ローパスフィルタ７５は、π型に接続されているインダクタ７７および２つのキャパシタ（ここではキャパシタ７９および付加共振子５７）を有している。
インダクタ７７は、信号経路に対して直列に配置されている。すなわち、インダクタ７７は、送信信号を生成する回路と接続されている入力ポート８１と、ＳＡＷフィルタ５１の送信端子５３Ｔとを接続している。キャパシタ７９は、インダクタ７７の前（入力側）と基準電位部とを接続している。付加共振子５７は、インダクタ７７の後（出力側）と基準電位部とを接続している。すなわち、付加共振子５７は、π型のローパスフィルタのうちの最も送信フィルタ５５側のキャパシタとして機能している。なお、π型のローパスフィルタは、図示のインダクタ７７およびキャパシタ７９のさらに入力側に、インダクタ７７およびキャパシタ７９の組み合わせを１以上有していてもよい。
インダクタ７７のインダクタンス、ならびにキャパシタ７９および付加共振子５７の容量は、公知の設計方法に従って適宜に設定されてよい。通常、図示のように１つのインダクタと２つのキャパシタを有するローパスフィルタにおいては、２つのキャパシタの容量は同等とされる。ローパスフィルタ７５において、付加共振子５７の容量は、キャパシタ７９の容量と同等でもよいし、異なっていてもよく、例えば、キャパシタ７９の容量よりも小さい。インダクタ７７およびキャパシタ７９の組み合わせが２以上設けられている場合も同様に、付加共振子５７の容量は、いずれかのキャパシタ７９の容量と同等でもよいし、いずれのキャパシタ７９の容量とも異なっていてもよく、例えば、いずれのキャパシタ７９の容量よりも小さい。
インダクタ７７およびキャパシタ７９は、構造的観点において、適宜に構成されてよい。
例えば、インダクタ７７およびキャパシタ７９の少なくとも一方の電子素子は、ＳＡＷフィルタ５１、２０１または３０１が実装される不図示の回路基板に設けられてよい。この場合において、電子素子（７７および／または７９）は、例えば、回路基板の表面もしくは内部の導体によって構成されてもよいし、回路基板に実装された部品によって構成されてもよい。
また、例えば、インダクタ７７およびキャパシタ７９の少なくとも一方の電子素子は、ＳＡＷフィルタ２０１または３０１のパッケージ用部材の表面または内部に設けられてもよい。例えば、電子素子（７７および／または７９）は、ＳＡＷフィルタ２０１における対向基板２０３の表面または内部の導体パターン２１３によって構成されてもよいし、ＳＡＷフィルタ２０１における電子部品２１７によって構成されてもよいし、ＳＡＷフィルタ３０１における導体パターン３１３によって構成されてもよい。
また、図示の例とは異なり、圧電基板３上の導体パターンによってインダクタ７７およびキャパシタ７９の少なくとも一方が構成されてもよい。別の観点では、ＳＡＷフィルタ５１の送信端子５３Ｔと送信フィルタ５５との間に電子素子（７７および／または７９）が接続されていてもよい。この場合において、電子素子（７７および／または７９）を構成する導体層は、ＩＤＴ電極７等を構成する導体層と同一（材料および厚さが同一）であってもよいし、異なっていてもよい。
（分波器（デュプレクサ））
図８は、ＳＡＷフィルタ５１の利用例としての分波器１０１を模式的に示す図である。
分波器１０１は、例えば、送信信号と受信信号とを分波するデュプレクサである。この分波において、送信信号をフィルタリングするフィルタとしてＳＡＷフィルタ５１が用いられている。
分波器１０１は、例えば、ＳＡＷフィルタ５１と、受信フィルタ１０３と、受信端子５３Ｒとを有している。受信フィルタ１０３は、アンテナ端子５３Ａと受信端子５３Ｒとに接続されており、アンテナ端子５３Ａからの信号をフィルタリングして受信端子５３Ｒに出力する。
受信フィルタ１０３の構成は適宜なものとされてよい。図８では、受信フィルタ１０３として、送信フィルタ５５と同様に、ラダー型のＳＡＷフィルタによって構成されているものを例示している。なお、受信フィルタ１０３を構成するＳＡＷフィルタは、他の形式（例えば多重モード型フィルタ）であってもよい。
このように受信フィルタ１０３がＳＡＷフィルタによって構成されている場合において、ＳＡＷフィルタ５１および受信フィルタ１０３は、同一の圧電基板３に設けられていてもよいし、互いに異なる圧電基板３に設けられていてもよい。なお、同一の圧電基板３に設けられている場合、例えば、アンテナ端子５３Ａは、送信フィルタ５５および受信フィルタ１０３に共通のものであり、受信フィルタ１０３は、圧電基板３上においてアンテナ端子５３Ａに接続されている。互いに異なる圧電基板３に設けられている場合、アンテナ端子５３Ａは、例えば、送信フィルタ５５および受信フィルタ１０３のうちの送信フィルタ５５のみにとってのものであり、アンテナと受信フィルタ１０３との最短経路上に位置していない。ただし、ＳＡＷフィルタ５１および受信フィルタ１０３が実装される回路基板等を介してアンテナ端子５３Ａと受信フィルタ１０３とが接続されていることに変わりはない。
特に図示しないが、分波器１０１は、上記以外の構成を有していてもよい。例えば、アンテナ端子５３Ａとアンテナとの間に位置するとともに受信フィルタ１０３とアンテナとの最短経路上に位置していないローパスフィルタが設けられたり、受信フィルタ１０３のアンテナ側に位置するとともに送信フィルタ５５とアンテナとの最短経路上には位置していないローパスフィルタが設けられたりしてもよい。
（通信装置）
図９は、分波器１０１の利用例としての通信装置１５１の要部の構成を示すブロック図である。
通信装置１５１において、送信すべき情報を含む送信情報信号ＴＩＳは、ＲＦ−ＩＣ（Radio Frequency Integrated Circuit）１５３によって変調および周波数の引き上げ（搬送波周波数の高周波信号への変換）がなされて送信信号ＴＳとされる。送信信号ＴＳは、バンドパスフィルタ１５５によって送信用の通過帯以外の不要成分が除去され、増幅器１５７によって増幅されて分波器１０１（送信端子５３Ｔ）に入力される。そして、分波器１０１は、入力された送信信号ＴＳから送信用の通過帯以外の不要成分を除去し、その除去後の送信信号ＴＳをアンテナ端子５３Ａからアンテナ１５９に出力する。アンテナ１５９は、入力された電気信号（送信信号ＴＳ）を無線信号（電波）に変換して送信する。
また、通信装置１５１において、アンテナ１５９によって受信された無線信号（電波）は、アンテナ１５９によって電気信号（受信信号ＲＳ）に変換されて分波器１０１（例えばアンテナ端子５３Ａ）に入力される。分波器１０１は、入力された受信信号ＲＳから受信用の通過帯以外の不要成分を除去して、受信端子５３Ｒから増幅器１６１に出力する。出力された受信信号ＲＳは、増幅器１６１によって増幅され、バンドパスフィルタ１６３によって受信用の通過帯以外の不要成分が除去される。そして、受信信号ＲＳは、ＲＦ−ＩＣ１５３によって周波数の引き下げおよび復調がなされて受信情報信号ＲＩＳとされる。
なお、送信情報信号ＴＩＳおよび受信情報信号ＲＩＳは、適宜な情報を含む低周波信号（ベースバンド信号）でよく、例えば、アナログの音声信号もしくはデジタル化された音声信号である。無線信号の通過帯は、ＵＭＴＳ（Universal Mobile Telecommunications System）等の各種の規格に従ったものでよい。変調方式は、位相変調、振幅変調、周波数変調もしくはこれらのいずれか２つ以上の組み合わせのいずれであってもよい。回路方式は、図９では、ダイレクトコンバージョン方式を例示したが、それ以外の適宜なものとされてよく、例えば、ダブルスーパーヘテロダイン方式であってもよい。また、図９は、要部のみを模式的に示すものであり、適宜な位置にローパスフィルタやアイソレータ等が追加されてもよいし、また、増幅器等の位置が変更されてもよい。
特に図示しないが、通過帯域が互いに異なる２以上のＳＡＷフィルタ５１が共通のアンテナ用ポート（アンテナ端子５３Ａでもよい）に接続されたり、通過帯域が互いに異なる２以上の分波器１０１が共通のアンテナ用ポートに接続されたりすることにより、マルチプレクサ（ダイプレクサ等）が構成されてもよい。また、ＳＡＷフィルタ５１、２０１または３０１が実装される回路基板に適宜な電子部品が実装されて通信モジュールが構成されてもよい。
以上のとおり、本実施形態では、ＳＡＷフィルタ５１（または２０１もしくは３０１）は、圧電基板３、送信端子５３Ｔ、アンテナ端子５３Ａ、１以上のＧＮＤ端子５３Ｇ、送信フィルタ５５および付加共振子５７を有している。各種の端子５３は、圧電基板３上に位置している。送信フィルタ５５は、送信端子５３Ｔからの信号をフィルタリングしてアンテナ端子５３Ａへ出力するラダー型フィルタである。また、送信フィルタ５５は、ラダー型に接続されている１以上の直列共振子６５および１以上の並列共振子６７を圧電基板３上に有しており、初段の共振子が直列共振子６５である。付加共振子５７は、送信フィルタ５５よりも前段で送信端子５３Ｔに接続されているとともに１以上のＧＮＤ端子５３Ｇのいずれかに接続されているＩＤＴ電極７を圧電基板３上に含み、共振周波数および反共振周波数が送信フィルタ５５の通過帯域の外側に位置している。
従って、例えば、付加共振子５７によって、送信フィルタ５５よりも前段側の熱を逃がす放熱経路が構成される。初段の共振子が直列共振子６５である場合においては、この初段の直列共振子６５に熱的な負荷および電気的な負荷が集中しやすい。そのような構成において、初段の直列共振子６５の前段に放熱経路が接続されることから、例えば、ＳＡＷフィルタ５１全体としても熱的な負荷の最大値を下げることができ、ひいては、ＳＡＷフィルタ５１全体としての耐久性を向上させることができる。また、例えば、熱がフィルタ特性に及ぼす影響も緩和できる。
また、共振子（５７）によって放熱経路を構成することから、例えば、この付加共振子５７をローパスフィルタに利用することなどが可能になる。すなわち、ＳＡＷフィルタ５１のフィルタ特性を向上させるための構成を放熱経路に兼用することができ、ＳＡＷフィルタ５１またはＳＡＷフィルタ５１を含むデバイスの小型化が図られる。
なお、上述では、付加共振子５７の共振周波数および反共振周波数が送信フィルタ５５の通過帯域の外側に位置していることとしたが、送信フィルタ５５の通過帯域において共振しなければよい。例えば、弾性波の伝搬する方向と直交する方向に付加共振子５７の電極指１５を配列させて、電極指１５のピッチは不問としてもよい。
ここで、外部から送信端子５３Ｔへ入力される送信信号は、基本的には送信フィルタ５５の通過帯域の信号として生成されている。一方、付加共振子５７の共振周波数および反共振周波数は、送信フィルタ５５の通過帯域の外側に位置している。従って、付加共振子５７における振動は、送信フィルタ５５に比較して抑制される。その結果、例えば、付加共振子５７は放熱経路として有効に機能し、また、耐電力性も高い。
また、例えば、付加共振子５７は、圧電基板３上に形成されていることから、送信フィルタ５５の形成と同時に形成されることが可能である。従って、付加共振子５７を設けたことに起因する製造工程の増加のおそれを低減できる。
また、本実施形態では、付加共振子５７が接続されているＧＮＤ端子５３Ｇ−１は、並列共振子６７のいずれかを介して直列腕６１（別の観点では送信端子５３Ｔおよびアンテナ端子５３Ａ）と接続されているＧＮＤ端子５３Ｇではなく、かつそのようなＧＮＤ端子５３Ｇのいずれとも短絡されていない（電気的に分離されている）。
従って、例えば、初段の直列共振子６５の前段における熱が付加共振子５７を経由して送信フィルタ５５へ戻るおそれが低減される。
また、本実施形態では、付加共振子５７の静電容量は、並列共振子６７のいずれの静電容量とも異なる。
付加共振子５７は、送信フィルタ５５を構成するものではないことから、このような静電容量の設定が可能であり、付加共振子５７の静電容量が並列共振子６７の静電容量と異なるように付加共振子５７を構成することによって種々の効果が得られる。付加共振子５７の静電容量が並列共振子６７の静電容量よりも大きい場合、電極指１５を長くしたり、電極指１５の本数を多くしたりすることが容易である。すなわち、付加共振子５７の電極面積を大きくしやすい。その結果、例えば、付加共振子５７自体の放熱機能が向上する。また、例えば、付加共振子５７の静電容量が並列共振子６７の静電容量よりも大きい場合、付加共振子５７の電極指ピッチを狭くすることが容易である。電極指ピッチが狭いことによって、例えば、１対の櫛歯電極１１間で熱が伝わり易くなり、付加共振子５７が放熱経路として有効に機能する。また、電極指ピッチが狭いことによって、例えば、付加共振子５７全体としての面積（電極の非配置領域も含む面積）に占める電極面積を大きくすることができる。上記とは逆に、付加共振子５７の静電容量が並列共振子６７の静電容量よりも小さい場合においては、例えば、付加共振子５７を小型化し、ひいてはＳＡＷフィルタ５１を小型化することが容易である。
また、本実施形態では、付加共振子５７は、送信フィルタ５５の前段に接続されているπ型のローパスフィルタ７５の、最も送信フィルタ５５側のキャパシタを構成している。
従って、例えば、上述のように、放熱経路を構成する付加共振子５７の有効利用が図られる。また、付加共振子５７は、ＩＤＴ電極７を含んで構成されていることから、例えば、電極指１５の本数の増減によって簡単に容量の微調整が可能である。すなわち、ＳＡＷフィルタ５１の外部にキャパシタを設ける場合よりも簡便にローパスフィルタ７５の特性を調整することができる。
また、本実施形態では、付加共振子５７の静電容量は、ローパスフィルタ７５が含む付加共振子５７以外の１以上のキャパシタ（ここではキャパシタ７９）のいずれの静電容量とも異なる。なお、ここでいう付加共振子５７の容量が他のキャパシタの容量と異なるとは、例えば、容量の差が、付加共振子５７の電極指１５の１本分の増減によって生じる容量の増減以上である状態である。
上記のように付加共振子５７の容量の調整は容易であることから、このような静電容量の設定も容易である。なお、通常は、π型のローパスフィルタ７５の最も後段に位置するキャパシタ（本実施形態では付加共振子５７）の静電容量は、他のいずれかのキャパシタ７９の静電容量と同等とされる。
また、本実施形態では、付加共振子５７の静電容量は、ローパスフィルタ７５のいずれのキャパシタ７９の静電容量よりも小さい。
従って、例えば、付加共振子５７を小型化しやすく、ひいては、ＳＡＷフィルタ５１の小型化が容易である。
また、本実施形態では、ＳＡＷフィルタ３０１（図５）は、導体層（補強層３１１Ｂ）を有している。補強層３１１Ｂは、付加共振子５７が接続されているＧＮＤ端子５３Ｇ−１と短絡されており、付加共振子５７のＩＤＴ電極７における複数の電極指１５の配置領域よりも面積が広い。
従って、例えば、送信フィルタ５５の前段から付加共振子５７へ逃がした熱を補強層３１１Ｂへ伝えることができる。補強層３１１Ｂは、比較的面積が広いことから、例えば、補強層３１１Ｂに接する他の部材への伝熱、または補強層３１１Ｂからの放熱に有利である。また、付加共振子５７の電位が安定しやすくなり、ノイズを低減することができる。
また、本実施形態では、ＳＡＷフィルタ５１、２０１または３０１は、直列共振子６５、並列共振子６７および付加共振子５７のうち付加共振子５７のみを覆っている、または直列共振子６５、並列共振子６７および付加共振子５７のうち付加共振子５７のみにおいて厚くなっている絶縁体（絶縁層７１（図６（ａ））、保護膜２３（図６（ｂ））または枠部３０５（図６（ｃ）））を有している。
従って、例えば、付加共振子５７における振動は、送信フィルタ５５における振動に比較して抑制される。その結果、例えば、付加共振子５７の振動が送信フィルタ５５のフィルタ特性に影響を及ぼすおそれが低減される。
また、本実施形態では、送信フィルタ５５の通過帯域ＰＢは、例えば、２．７ＧＨｚ以下の周波数範囲内に位置している。
この場合、例えば、通過帯域ＰＢの一部または全部が２．７ＧＨｚを超える場合に比較して、送信フィルタ５５における電極指ピッチは広い。従って、例えば、付加共振子５７の電極指ピッチを小さくして、付加共振子５７の小型化を図りつつ静電容量を確保し、かつ付加共振子５７の共振周波数および反共振周波数を通過帯域ＰＢから離すことが容易である。
また、本実施形態では、ＳＡＷフィルタ２０１または３０１は、送信フィルタ５５を封止するパッケージ用部材（対向基板２０３またはカバー３０３）を有している。ローパスフィルタ７５が含む、インダクタ７７および付加共振子５７以外のキャパシタ（キャパシタ７９）の少なくとも１つは、例えば、パッケージ用部材の内部および表面の少なくとも一方に位置している導体パターン２１３または３１３により構成されている。
この場合、例えば、ＳＡＷフィルタの外部にインダクタ７７およびキャパシタ７９を設ける場合に比較して、ＳＡＷフィルタ自体によって付加共振子５７を有効利用し、ＳＡＷフィルタ自体の特性を向上させることができる。また、圧電基板３上にインダクタ７７および／またはキャパシタ７９を構成する場合に比較して、例えば、圧電基板３に不要な振動が生じるおそれを低減したり、圧電基板３の面積を小さくしたり、インダクタ７７およびキャパシタ７９を構成する導体パターンを厚くしたりすることが容易である。
また、ローパスフィルタ７５が含むインダクタ７７および付加共振子５７以外のキャパシタ（キャパシタ７９）の少なくとも１つは、例えば、パッケージ用部材（対向基板２０３）に実装された電子部品２１７により構成されてもよい。
この場合、例えば、導体パターン２１３または３１３によりインダクタ７７および／またはキャパシタ７９を構成する場合と同様の効果が得られる。例えば、ＳＡＷフィルタ自体によって付加共振子５７を有効利用し、ＳＡＷフィルタ自体の特性を向上させることができる。
また、本実施形態では、直列共振子６５の数は複数である。複数の直列共振子６５のうちの少なくとも１つは、互いに直列に接続された複数の分割共振子６９に分割されている。複数の直列共振子６５において、最も送信端子５３Ｔ側の直列共振子６５（初段の共振子）の分割数は、最もアンテナ端子５３Ａ側の直列共振子の分割数よりも多い。
従って、熱的および電気的な負荷が集中しやすい初段の直列共振子６５の耐電力性を向上させて、ＳＡＷフィルタ５１全体としての耐電力性を向上させることができる。なお、ＳＡＷフィルタ５１において、２種の端子５３のいずれが送信端子５３Ｔおよびアンテナ端子５３Ａであるか判別する際に、直列共振子６５の分割数が多い側を送信端子５３Ｔ側と判別してもよい。
なお、以上の実施形態において、ＳＡＷフィルタ５１、２０１および３０１は、それぞれ弾性波フィルタの一例である。ＧＮＤ端子５３Ｇは基準電位端子の一例である。補強層３１１Ｂは導体層の一例である。絶縁層７１、保護膜２３（図６（ｂ）のもの）および枠部３０５（図６（ｃ）のもの）は、それぞれ絶縁体の一例である。対向基板２０３およびカバー３０３（枠部３０５）は、それぞれパッケージ用部材の一例である。
（分波器の変形例）
図１０は、変形例に係る分波器４０１（デュプレクサ）の構成を示す模式図である。
分波器４０１は、１以上の並列インダクタ８３Ｐおよび１以上の直列インダクタ８３Ｓ（以下、両者を区別せずに、単に「インダクタ８３」ということがある。）が設けられている点のみが図８の分波器１０１と相違する。ただし、インダクタ８３が設けられていることに伴い、直列共振子６５および並列共振子６７の具体的な設計値は適宜に調整されてよい。
並列インダクタ８３Ｐは、送信フィルタ４５５において、並列共振子６７に対して直列に接続されている。より具体的には、例えば、並列インダクタ８３Ｐは、並列共振子６７に対して基準電位部（ＧＮＤ端子５３Ｇ）側に接続されている。なお、並列インダクタ８３Ｐは、図示の例とは異なり、並列共振子６７に対して直列腕側に接続されていてもよい。
また、並列インダクタ８３Ｐは、例えば、送信フィルタ４５５において、全ての並列共振子６７に対して個別に（１対１で）設けられている。ただし、並列インダクタ８３Ｐは、複数の並列共振子６７のうち、一部に対してのみ設けられていてもよい。また、１つの並列インダクタ８３Ｐが２以上の並列共振子６７に対して共通に接続されていてもよい。
直列インダクタ８３Ｓは、受信フィルタ４０３において、直列共振子６５に対して直列に接続されている。より具体的には、例えば、直列インダクタ８３Ｓは、電気的接続に関して互いに隣り合っている２つの直列共振子６５の間に位置している。なお、直列インダクタ８３Ｓは、２つの直列共振子６５の間において、直列腕と並列共振子６７との接続位置に対して、受信端子５３Ｒ側に位置していてもよいし（図示の例）、アンテナ端子５３Ａ側に位置していてもよい。
また、直列インダクタ８３Ｓは、例えば、受信フィルタ４０３において、複数の直列共振子６５の間の全てに設けられている。ただし、直列インダクタ８３Ｓは、複数の直列共振子６５の間のうちの一部にのみ設けられていてもよい。また、直列インダクタ８３Ｓは、複数の直列共振子６５の外側（送信端子５３Ｔと第１直列共振子６５Ａとの間および第４直列共振子６５Ｄとアンテナ端子５３Ａとの間）にも設けられてよい。
互いに直列に接続されたＳＡＷ共振子１（６５または６７）およびインダクタ８３の組み合わせの周波数特性は、概ね、ＳＡＷ共振子１の周波数特性において、反共振周波数はそのままで、共振周波数を低周波側に移動させたものとなる。
例えば、並列共振子６７の周波数特性が図３の線Ｌ２で表されるとする。この場合、並列共振子６７と並列インダクタ８３Ｐとの組み合わせの周波数特性は、反共振周波数ｆｐａはそのままで、共振周波数ｆｐｒを低周波側（紙面左側）に移動させたものとなる。別の観点では、共振周波数ｆｐｒと反共振周波数ｆｐａとの周波数差Δｆが大きくなる。
同様に、例えば、直列共振子６５の周波数特性が図３の線Ｌ１で表されるとする。この場合、直列共振子６５と直列インダクタ８３Ｓとの組み合わせの周波数特性は、反共振周波数ｆｓａはそのままで、共振周波数ｆｓｒを低周波側に移動させたものとなる。別の観点では、共振周波数ｆｓｒと反共振周波数ｆｓａとの周波数差Δｆが大きくなる。
そして、送信フィルタ４５５および受信フィルタ４０３それぞれにおいては、インダクタ８３が接続されている状態で、直列腕の共振周波数ｆｓｒと並列腕の反共振周波数ｆｐａが概ね一致するように、直列共振子６５、並列共振子６７およびインダクタ８３が設計される。これにより、所望の周波数帯を通過帯域ＰＢとするラダー型フィルタが得られる。
送信フィルタ４５５においては、並列共振子６７および並列インダクタ８３Ｐを含む並列腕の周波数差Δｆが大きくなるから、並列インダクタ８３Ｐが設けられていない場合に比較して通過帯域ＰＢが広くなる。すなわち、並列インダクタ８３Ｐを設けることによって、広帯域のフィルタを得ることが容易化される。
一方で、送信フィルタ４５５においては、直列インダクタ８３Ｓが設けられていないことから、直列腕の周波数差Δｆは狭く維持される。その結果、例えば、通過帯域ＰＢの高周波側の急峻性が維持される。換言すれば、高周波側の帯域外における減衰量を大きくすることができる。
また、受信フィルタ４０３においては、直列共振子６５および直列インダクタ８３Ｓを含む直列腕の周波数差Δｆが大きくなるから、直列インダクタ８３Ｓが設けられていない場合に比較して通過帯域ＰＢが広くなる。すなわち、直列インダクタ８３Ｓを設けることによって、広帯域のフィルタを得ることが容易化される。
一方で、受信フィルタ４０３は、並列インダクタ８３Ｐが設けられていないことから、並列腕の周波数差Δｆは狭く維持される。その結果、例えば、通過帯域ＰＢの低周波側の急峻性が維持される。換言すれば、低周波側の帯域外における減衰量を大きくすることができる。
ここで、分波器４０１において、送信フィルタ４５５の通過帯域ＰＢは、受信フィルタ４０３の通過帯域ＰＢよりも周波数が低い。従って、インダクタ８３が設けられても、送信フィルタ４５５は、受信フィルタ４０３の通過帯域ＰＢ側（高周波側）の急峻性が維持され、受信フィルタ４０３は、送信フィルタ４４５側（低周波側）の急峻性が維持されていることになる。その結果、分波器４０１は、通過帯域ＰＢの帯域幅が広く、かつ送信フィルタ４５５および受信フィルタ４０３のアイソレーションが高いものとなる。
インダクタ８３は、構造的観点において、図７を参照して説明したインダクタ７７およびキャパシタ７９と同様に構成されてよい。構造的観点からのインダクタ７７に関する既述の説明は、インダクタ７７をインダクタ８３に置き換えてインダクタ８３の説明とされてよい。例えば、インダクタ８３は、ＳＡＷフィルタ（４５５、４０３）または分波器４０１が実装される回路基板に設けられてもよいし、ＳＡＷフィルタまたは分波器４０１のパッケージ用部材に設けられてもよいし、圧電基板３上の導体パターンによって構成されてもよい。
パッケージ用部材は、既述のように、例えば、対向基板２０３（図４）またはカバー３０３（図５（ａ）〜図５（ｃ））である。そして、インダクタ８３は、例えば、対向基板２０３の表面および／もしくは内部の導体パターン２１３、またはカバー３０３の表面および／もしくは内部の導体パターン３１３によって構成されてよい。
導体パターン２１３または３１３によってインダクタ８３を構成する場合、例えば、インダクタ８３をチップ型の電子部品２１７（図４）によって構成する場合に比較して、分波器４０１を小型化することが容易である。また、インダクタ８３を圧電基板３上の導体パターンによって構成する場合に比較して、例えば、ＩＤＴ電極７とは別個にインダクタ８３を構成する導体パターンの厚さを設定することができる。その結果、例えば、ＩＤＴ電極７の厚さよりもインダクタ８３を構成する導体パターンを厚くして、インダクタ８３を設けたことによる損失を低減することができる。別の観点では、損失を低減するためにインダクタ８３を幅広に形成する必要性が低減され、ひいては、分波器４０１の大型化のおそれが低減される。このように、導体パターン２１３または３１３によってインダクタ８３を構成することによって、分波器４０１の大型化を抑制しつつ、所望のインダクタンスを得ることが容易化される。
分波器４０１の圧電基板３は、支持基板４（図５（ｃ））と貼り合わされるものであってもよいし、貼り合わされないものであってもよい。ただし、一般に、支持基板４と貼り合わされる圧電基板３は、支持基板４と貼り合わされない圧電基板３に比較して、広い通過帯域を確保することが困難な材料によって構成されている。従って、インダクタ８３の効果は、分波器４０１が支持基板４を有するものである場合に有用性が高い。
（分波器（クワッドプレクサ））
図１１は、ＳＡＷフィルタ５１の利用例としての分波器５０１を模式的に示す図である。
分波器５０１は、４つのＳＡＷフィルタ５１（４５５または４０３）を有するクワッドプレクサとして構成されている。より具体的には、分波器５０１は、デュプレクサとして構成されている２つの第１分波器４０１Ａおよび第２分波器４０１Ｂ（以下、単に「分波器４０１」ということがある。）を備えている。各分波器４０１は、例えば、図１０を参照して説明した分波器４０１と同様のものである。
第１分波器４０１Ａは、図１０のアンテナ端子５３Ａ、送信端子５３Ｔおよび受信端子５３Ｒに相当する、アンテナ端子５３Ａ、送信端子５３Ｔ−１および受信端子５３Ｒ−１に接続されている。同様に、第２分波器４０１Ｂは、図１０のアンテナ端子５３Ａ、送信端子５３Ｔおよび受信端子５３Ｒに相当する、アンテナ端子５３Ａ、送信端子５３Ｔ−２および受信端子５３Ｒ−２に接続されている。アンテナ端子５３Ａは、２つの分波器４０１に共用されており、４つのフィルタ（４５５、４０３）は、互いに分岐している状態で互いに接続されている。
２つの分波器４０１は、同一の圧電基板３に設けられていてもよいし、互いに異なる圧電基板３に設けられていてもよい。
図１２は、分波器５０１の周波数特性を示す図である。
横軸は、周波数ｆ（Ｈｚ）を示している。縦軸は、減衰量Ａ（ｄＢ）を示している。線Ｌ１１は、第１分波器４０１Ａの送信フィルタ４５５の周波数特性を示している。線Ｌ１２は、第１分波器４０１Ａの受信フィルタ４０３の周波数特性を示している。線Ｌ１３は、第２分波器４０１Ｂの送信フィルタ４５５の周波数特性を示している。線Ｌ１４は、第２分波器４０１Ｂの受信フィルタ４０３の周波数特性を示している。
第１分波器４０１Ａにおいて、送信フィルタ４５５の通過帯域（第１送信帯域Ｔ１）は、例えば、受信フィルタ４０３の通過帯域（第１受信帯域Ｒ１）よりも周波数が低い。また、第２分波器４０２Ｂにおいて、送信フィルタ４５５の通過帯域（第２送信帯域Ｔ２）は、例えば、受信フィルタ４０３の通過帯域（第２受信帯域Ｒ２）よりも周波数が低い。第１送信帯域Ｔ１および第１受信帯域Ｒ１を含む第１周波数帯Ｂ１は、例えば、第２送信帯域Ｔ２および第２受信帯域Ｒ２を含む第２周波数帯Ｂ２よりも周波数が低い。
各分波器４０１においては、既に述べたように、通過帯域を広く確保しつつ、送信フィルタ４５５と受信フィルタ４０３とのアイソレーションを向上させることができる。このアイソレーションの向上の効果は、両者の通過帯域間の帯域（遷移帯域）の幅ｆｄ（遷移帯域幅）が狭い場合に有用性が高い。遷移帯域幅ｆｄは、低周波側の通過帯域（例えば第１送信帯域Ｔ１）の上限値から高周波側の通過帯域（例えば第１受信帯域Ｒ１）の下限値までの周波数の幅である。遷移帯域幅ｆｄが狭い場合としては、例えば、低周波側の通過帯域の中心周波数（通過帯域の上限値と下限値とのちょうど中間の周波数）をｆｍとしたとき、ｆｄ／ｆｍ×１００（％）が１．２％以下の場合を挙げることができる。ｆｄ／ｆｍ×１００が１．２％以下となる規格としては、例えば、ＵＭＴＳのＢａｎｄ２、３、８および２５を挙げることができる。
第１分波器４０１Ａの受信フィルタ４０３がラダー型フィルタによって構成されていることから、この受信フィルタ４０３が多重モード型フィルタによって構成されている場合に比較して、第１受信帯域Ｒ１の高周波側の急峻性が向上する。すなわち、第１受信帯域Ｒ１の高周波側の帯域外における減衰量を大きくすることができる。その結果、第１受信帯域Ｒ１と第２送信帯域Ｔ２とのアイソレーションが向上する。その一方で、第１分波器４０１Ａの受信フィルタ４０３に直列インダクタ８３Ｓを設けていることから、この受信フィルタ４０３の通過帯域を拡張して、多重モード型フィルタと同等の通過帯域幅を確保することが容易になる。
本開示の技術は、以上の実施形態に限定されず、種々の態様で実施されてよい。
弾性波は、ＳＡＷに限定されない。例えば、弾性波は、圧電基板内を伝搬するバルク波であってもよいし、圧電基板と圧電基板を覆う絶縁層との境界部を伝搬する弾性境界波（ただし、広義にはＳＡＷの一種である。）であってもよい。
付加共振子における複数の電極指の配列方向は必ずしもＳＡＷの伝搬方向と一致しなくてもよい。
付加共振子における複数の電極指の配置領域よりも面積が広い導体層は、補強層３１１Ｂに限定されない。例えば、導体層は、圧電基板３の上面に設けられてもよいし、圧電基板３の下面に設けられてもよいし、対向基板２０３の上面、内部および下面に設けられてもよい。
インダクタまたはキャパシタを構成する、パッケージ用部材に設けられる導体パターンは、対向基板２０３またはカバー３０３の内部に設けられるものに限定されない。例えば、導体パターンは、対向基板またはカバーの表面に設けられてもよい。また、インダクタまたはキャパシタを構成する、パッケージ用部材に実装される電子部品は、対向基板２０３に実装されるものに限定されない。例えば、電子部品は、カバー３０３の上面に実装されてもよい。また、電子部品は、回路基板またはカバーに形成された凹部内に配置されるなど、パッケージ用部材の内部に位置していてもよい。
分波器（マルチプレクサ）は、２つのフィルタを有するデュプレクサ、または４つのフィルタを有するクワッドプレクサに限定されない。例えば、分波器は、３つのフィルタを有するトリプレクサであってもよいし、５以上のフィルタを有するものであってもよい。
本開示からは、以下の概念を抽出可能である。
（第１概念）
互いに分岐している態様で互いに接続されている第１〜第３フィルタを有しており、
前記第１フィルタは、１以上の直列共振子および１以上の並列共振子を含んでいるラダー型フィルタであり、
前記第２フィルタは、１以上の直列共振子および１以上の並列共振子を含んでいるラダー型フィルタであり、かつ前記第１フィルタよりも通過帯域の周波数が高く、
前記第３フィルタは、前記第２フィルタよりも通過帯域の周波数が高く、
前記第１フィルタは、前記並列共振子に直列に接続されているインダクタを有しており、
前記第２フィルタは、前記直列共振子に直列に接続されているインダクタを有している
分波器。
上記の第１概念の技術に関して、第１分波器４０１Ａの送信フィルタ４５５は第１フィルタの一例である。第１分波器４０１Ａの受信フィルタ４０３は第２フィルタの一例である。第２分波器４０１Ｂの送信フィルタ４５５は第３フィルタの一例である。並列インダクタ８３Ｐは、並列共振子に直列に接続されているインダクタの一例である。直列インダクタ８３Ｓは、直列共振子に直列に接続されているインダクタの一例である。
上記の第１概念の技術においては、付加共振子は、設けられていてもよいし、設けられていなくてもよい。第１〜第３フィルタは、送信フィルタを含んでいてもよいし、含んでいなくてもよい。第１〜第３フィルタに送信フィルタが含まれる場合において、送信端子に接続される初段の共振子は、直列共振子であってもよいし、並列共振子であってもよい。第３フィルタは、ラダー型フィルタ以外のフィルタであってもよい。
３…圧電基板、７…ＩＤＴ電極、５１…ＳＡＷフィルタ（弾性波フィルタ）、５３Ｔ…送信端子、５３Ａ…アンテナ端子、５３Ｇ（５３Ｇ−１〜５３Ｇ−１）…ＧＮＤ端子、５５…送信フィルタ、５７…付加共振子、６５（６５Ａ〜６５Ｄ）…直列共振子、６７（６７Ａ〜６７Ｃ）…並列共振子。

Claims (14)

  1. 圧電基板を含む基板と、
    前記基板上に位置している、送信端子、アンテナ端子および１以上の基準電位端子と、
    前記送信端子からの信号をフィルタリングして前記アンテナ端子へ出力するラダー型フィルタであって、ラダー型に接続されている１以上の直列共振子および１以上の並列共振子を前記圧電基板上に有しており、前記送信端子に接続される初段の共振子が直列共振子である送信フィルタと、
    前記送信フィルタよりも前段で前記送信端子に接続されているとともに前記１以上の基準電位端子のいずれかに接続されているＩＤＴ電極を前記圧電基板上に含み、共振周波数および反共振周波数が前記送信フィルタの通過帯域の外側に位置している付加共振子と、
    を有している弾性波フィルタ。
  2. 前記付加共振子が接続されている前記基準電位端子は、前記１以上の並列共振子のいずれかを介して前記送信端子および前記アンテナ端子と接続されている基準電位端子ではなく、かつ当該基準電位端子のいずれとも短絡されていない
    請求項１に記載の弾性波フィルタ。
  3. 前記付加共振子の静電容量は、前記１以上の並列共振子のいずれの静電容量とも異なる
    請求項１または２に記載の弾性波フィルタ。
  4. 前記付加共振子は、前記送信フィルタの前段に接続されているπ型のローパスフィルタの、最も前記送信フィルタ側のキャパシタを構成している
    請求項１〜３のいずれか１項に記載の弾性波フィルタ。
  5. 前記付加共振子の静電容量は、前記ローパスフィルタが含む前記付加共振子以外の１以上のキャパシタのいずれの静電容量とも異なる
    請求項４に記載の弾性波フィルタ。
  6. 前記付加共振子の静電容量は、前記１以上のキャパシタのいずれの静電容量よりも小さい
    請求項５に記載の弾性波フィルタ。
  7. 前記付加共振子が接続されている前記基準電位端子と短絡されており、前記付加共振子の前記ＩＤＴ電極における複数の電極指の配置領域よりも面積が広い導体層を有している
    請求項１〜６のいずれか１項に記載の弾性波フィルタ。
  8. 前記１以上の直列共振子、前記１以上の並列共振子および前記付加共振子のうち前記付加共振子のみを覆っている、または前記１以上の直列共振子、前記１以上の並列共振子および前記付加共振子のうち前記付加共振子のみにおいて厚くなっている絶縁体を有している
    請求項１〜７のいずれか１項に記載の弾性波フィルタ。
  9. 前記送信フィルタの通過帯域が２．７ＧＨｚ以下の周波数範囲内に位置している
    請求項１〜８のいずれか１項に記載の弾性波フィルタ。
  10. 前記送信フィルタを封止するパッケージ用部材をさらに有しており、
    前記ローパスフィルタが含む、インダクタおよび前記付加共振子以外のキャパシタの少なくとも１つは、前記パッケージ用部材の内部および表面の少なくとも一方に位置している導体パターンにより構成されている
    請求項４〜６のいずれか１項に記載の弾性波フィルタ。
  11. 前記送信フィルタを封止するパッケージ用部材をさらに有しており、
    前記ローパスフィルタが含む、インダクタおよび前記付加共振子以外のキャパシタの少なくとも１つは、前記パッケージ用部材に実装された電子部品により構成されている
    請求項４〜６のいずれか１項に記載の弾性波フィルタ。
  12. 前記１以上の直列共振子の数は複数であり、
    前記複数の直列共振子のうちの少なくとも１つは、互いに直列に接続された複数の分割共振子に分割されており、
    前記複数の直列共振子において、最も前記送信端子側の直列共振子の分割数は、最も前記アンテナ端子側の直列共振子の分割数よりも多い
    請求項１〜１１のいずれか１項に記載の弾性波フィルタ。
  13. 請求項１〜１２のいずれか１項に記載の弾性波フィルタと、
    受信端子と、
    前記アンテナ端子からの信号をフィルタリングして前記受信端子へ出力する受信フィルタと、
    を有している分波器。
  14. アンテナと、
    前記アンテナに前記アンテナ端子が接続されている請求項１〜１２のいずれか１項に記載の弾性波フィルタと、
    前記送信端子に接続されているＩＣと、
    を有している通信装置。
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