WO2016006392A1 - 電子部品内蔵モジュール - Google Patents

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WO2016006392A1
WO2016006392A1 PCT/JP2015/067123 JP2015067123W WO2016006392A1 WO 2016006392 A1 WO2016006392 A1 WO 2016006392A1 JP 2015067123 W JP2015067123 W JP 2015067123W WO 2016006392 A1 WO2016006392 A1 WO 2016006392A1
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sealing resin
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良春 末守
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株式会社村田製作所
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Definitions

  • the present invention relates to an electronic component built-in module in which an electronic component is mounted on a substrate and the mounted electronic component is covered with a sealing resin, and more specifically, when mounted on a substrate of an electronic device using solder or the like.
  • the present invention relates to an electronic component built-in module in which solder flash does not easily occur inside even when heated, and electrical short-circuit and conduction failure are unlikely to occur.
  • An electronic component built-in module having a structure in which an electronic component is mounted on a substrate and the mounted electronic component is covered with a sealing resin is used in an electronic device or the like as a high-function module.
  • a space may be provided between the substrate and the mounted electronic component.
  • FIG. 6 shows an electronic component built-in module 300 disclosed in Patent Document 1.
  • the electronic component built-in module 300 includes a substrate (wiring circuit substrate) 201. Although not shown, land electrodes are formed on the main surface of the substrate 201.
  • the electronic component built-in module 300 includes a surface acoustic wave element (surface acoustic wave device; for example, a SAW filter) 202 as an electronic component.
  • the surface acoustic wave element 202 includes a piezoelectric substrate 203, and an IDT electrode (Interdigital Transducer electrode), which is not shown, is mounted on one main surface of the piezoelectric substrate 203 (the lower main surface in FIG. 6). A terminal electrode is formed.
  • the surface acoustic wave element 202 is mounted on the substrate 201 by bumps 204. More specifically, the terminal electrode of the surface acoustic wave element 202 is fixed to the land electrode of the substrate 201 by the bump 204.
  • the surface acoustic wave element 202 mounted on the substrate 201 is covered with a sealing resin 205.
  • the sealing resin 205 is not filled between the substrate 201 and the piezoelectric substrate 203, and a space S 1 is formed between the substrate 201 and the piezoelectric substrate 203.
  • the purpose of forming the space S1 is that the function of the IDT electrode of the surface acoustic wave element 202 is not hindered. That is, when the sealing resin 205 contacts the IDT electrode formed on the main surface of the piezoelectric substrate 203, the surface acoustic wave element 202 itself does not function.
  • the sealing resin 205 is prevented from contacting the IDT electrode by forming the space S1.
  • the composition, additive, structure, etc. of the sealing resin 205 are devised in order to appropriately form the space S1.
  • Patent Document 2 Japanese Patent Laid-Open No. 2006-304145
  • Patent Document 3 Japanese Patent Laying-Open No. 2005-129855
  • a space may be provided between the board and the mounted electronic component for another purpose.
  • Patent Document 4 Japanese Patent Application Laid-Open No. 2005-302835
  • solder flash does not occur inside. Therefore, a space is provided between the board and the mounted electronic component.
  • Solder flash is the solder used to join the land electrode on the board and the terminal electrode of the electronic component in the electronic component built-in module by heating when the electronic component built-in module is soldered to the board of the electronic device. A phenomenon that remelts, expands, and enters a fine gap. The solder that has entered the gap may electrically short-circuit the terminal electrodes of the electronic component. Or, conversely, when the solder flows out, the land electrode on the substrate and the terminal electrode of the electronic component may cause poor conduction.
  • FIG. 7 shows an electronic component built-in module 400 disclosed in Patent Document 4.
  • the electronic component built-in module 400 includes a substrate 301. Land electrodes 302 are formed on the main surface of the substrate 301.
  • the terminal electrode 303 a of the electronic component 303 and the terminal electrode of the electronic component 304 are fixed to the land electrode 302 with solder 305.
  • examples of the electronic component 303 in which the terminal electrodes 303a are formed at both ends of the component main body include a capacitor element, a coil element, and a resistance element.
  • examples of the electronic component 304 having a plurality of terminal electrodes formed on the bottom surface of the component main body include a piezoelectric element (such as a surface acoustic wave element), a semiconductor element, and an integrated circuit element.
  • the electronic components 303 and 304 mounted on the substrate 301 are covered with a resin film 306.
  • a resin film 306 is covered with a sealing resin 307.
  • the sealing resin 307 is solidified or cured after being disposed on the film 306 in a semi-molten state. Since the sealing resin 307 has the film 306, the sealing resin 307 does not flow into the gap between the substrate 301 and the electronic components 303 and 304, and spaces S1 are formed in the gap between the substrate 301 and the electronic components 303 and 304, respectively. Yes.
  • the sealing resin 307 is not filled between the substrate 301 and the mounted electronic components 303 and 304, and a space S1 is formed. Even when the solder 305 is re-melted and expanded in volume by soldering (not shown) or the like, expansion of the volume can be absorbed in the space S1. Therefore, the electronic component built-in module 300 is less likely to cause solder flash. That is, in the electronic component built-in module 400, a space S1 is provided between the substrate 301 and the mounted electronic components 303 and 304 in order to suppress the occurrence of solder flash.
  • Patent Document 4 when the electronic component incorporated in the electronic component built-in module is, for example, a surface acoustic wave element, a space is provided between the substrate and the electronic component, so that the sealing resin is elastic. It is also described that the function of the surface acoustic wave element is not hindered (see paragraph (0009) of Patent Document 4).
  • Patent Document 2 Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-304145
  • the solder used to mount the electronic component inside when heated to mount the electronic component built-in module As the liquid remelts, the liquid component (water, etc.) contained in the sealing resin is vaporized to generate gas, and the molten solder is formed between the substrate and the electronic part due to the pressure difference caused by the gas.
  • the liquid component water, etc.
  • the sealing resin As the liquid remelts, the liquid component (water, etc.) contained in the sealing resin is vaporized to generate gas, and the molten solder is formed between the substrate and the electronic part due to the pressure difference caused by the gas.
  • an electric short circuit may occur due to flowing into the inner space.
  • FIG. 8A shows a conventional electronic component built-in module 500.
  • the electronic component built-in module 500 includes a substrate 401 on which a land electrode 402 is formed on the main surface. An electronic component 403 having terminal electrodes 403a formed on both ends is mounted on the substrate 401. Specifically, the terminal electrode 403 a of the electronic component 403 is fixed to the land electrode 402 with the solder 405. The electronic component 403 mounted on the substrate 401 is covered with a resin film 406, and the film 406 is further covered with a sealing resin 407. In the electronic component built-in module 500, a space S 1 is formed between the substrate 401 and the electronic component 403.
  • the solder 405 is remelted. Further, when the sealing resin 407 contains a liquid component at a high concentration, the liquid component is vaporized to generate gas.
  • the generated gas expands in the direction indicated by the black arrow, enters the film 406, and extrudes the molten solder 405 (the right-hand side solder 105 in the figure).
  • S2 was formed.
  • the extruded solder flows into the space S1 between the substrate 401 and the electronic component 403, and reaches the opposite land electrode 402 (left land electrode 402 in the figure) and solder 405 (left solder 405 in the figure).
  • the electronic component 403 in which the terminal electrodes 403a are formed at both ends of the component main body has been described as an example, but the electronic mechanism in which a plurality of terminal electrodes are formed on the bottom surface of the component main body has the same mechanism.
  • a solder flash occurs, resulting in an electrical short circuit or conduction failure.
  • the electronic component 403 is covered with the resin film 406 and the film 406 is further covered with the sealing resin 407.
  • the film 406 is omitted, and the electronic component 403 is sealed. Even in the structure directly covered with the stop resin 407, similarly, a solder flash may occur, resulting in an electrical short circuit or poor conduction.
  • the electronic component built-in module of the present invention includes a substrate, a land electrode formed on at least one main surface of the substrate, An electronic component mounted on the main surface of the substrate by fixing the terminal electrode to the land electrode with a brazing material, and a sealing resin formed on the main surface of the substrate so as to cover the electronic component; A space is provided between the electronic component, and when the electronic component built-in module absorbs moisture and is heated to the remelting temperature of the brazing material, the drying rate of the sealing resin is set to 60% or more. .
  • the drying rate of the sealing resin was determined by the following method. First, a sample made of a cube having a side of 7.5 mm is made of the resin used for the sealing resin. Next, the mass W1 (g) of the sample is measured. Next, the sample is placed in an environment of a temperature of 85 ° C. and a humidity of 85% for 48 hours, and then its mass W2 (g) is measured. The difference between W2 and W1 (W2-W1) indicates the mass of the liquid component (water) absorbed by the sample by placing the sample in an environment of a temperature of 85 ° C. and a humidity of 85% for 48 hours.
  • a temperature profile in which the sample is heated to the remelting temperature of the brazing material (solder, etc.) used to fix the terminal electrode to the land electrode in the electronic component built-in module (temperature rising rate is 3 ° C./second, After heating at a preheating temperature of 110 ° C. to 200 ° C. for 110 seconds, the mass W3 (g) is measured. The difference between W2 and W3 (W2 ⁇ W3) indicates the mass of the liquid component (water) released from the sample by heating.
  • the drying rate of the sealing resin is determined by ((W2-W3) / (W2-W1)) ⁇ 100 (%). If a resin with a drying rate of 60% or more is used as the sealing resin, the electronic device built-in module is placed in a severe condition of a temperature of 85 ° C. and a humidity of 85% for a long time (48 hours), and then the electronic device. Even when heated for soldering to the substrate or the like, 60% or more of the liquid component has already been released from the sealing resin when reaching the temperature at which the internal brazing material remelts.
  • the volume of the gas generated by the evaporation of the liquid component contained in the sealing resin is small even when heated when soldering to a substrate of an electronic device.
  • no solder flash occurs due to the liquid component contained in the sealing resin, and no electrical short circuit or poor conduction occurs.
  • the brazing material used to fix the terminal electrode to the land electrode for example, solder can be used.
  • the built-in electronic component include a capacitor element, a coil element, a resistance element, a piezoelectric element, a semiconductor element, and an integrated circuit element.
  • the piezoelectric element includes a surface acoustic wave element.
  • the electronic component built-in module of the present invention can have a structure in which an electronic component and a substrate are covered with a film, and the film is covered with a sealing resin. In this case, a space can be easily formed between the substrate and the electronic component.
  • the sealing resin contains a filler, and the filler content of the sealing resin can be 84% by weight or more. In this case, the sealing resin becomes more porous and the drying rate is improved.
  • the sealing resin contains a filler, and the maximum particle size of the filler can be set to ⁇ 100 ⁇ m or more. Also in this case, the sealing resin becomes more porous and the drying rate is improved.
  • the module with a built-in electronic component of the present invention has a small volume of gas generated by vaporizing the liquid component contained in the sealing resin even when heated using solder or the like on a substrate of an electronic device. Internally, solder flash is unlikely to occur, and electrical shorts and poor conduction are unlikely to occur.
  • FIG. 1 is an exploded plan view of an electronic component built-in module 100 according to the embodiment.
  • FIG. 1 shows the inside of the electronic component built-in module 100 from which the film 6 and the sealing resin 7 are removed.
  • 2A and 2B are cross-sectional views of the main part of the electronic component built-in module 100, respectively.
  • FIG. 2A shows the XX portion of FIG. 1, and
  • FIG. 1 shows the YY portion.
  • FIGS. 3A and 3B are perspective views illustrating steps performed in an example of a method for manufacturing the electronic component built-in module 100.
  • FIG. 4B is a continuation of FIG. 3B
  • FIG. 4A and FIG. 4B are perspective views showing steps performed in an example of a method for manufacturing the electronic component built-in module 100.
  • FIGS. 8A and 8B show that in the conventional electronic component built-in module 500, the liquid component contained in the sealing resin is vaporized by heating when soldering to the substrate of the electronic device or the like. It is explanatory drawing (main part sectional drawing) for demonstrating the state which gas generate
  • FIG. 1 is an exploded plan view showing the inside of the electronic component built-in module 100 from which a sealing resin 7 described later is removed.
  • 2 (A) and 2 (B) are cross-sectional views of main parts, respectively, FIG. 2 (A) corresponds to the XX portion of FIG. 1, and FIG. 2 (A) corresponds to the YY portion of FIG. ing.
  • the electronic component built-in module 100 includes a substrate 1.
  • the substrate 1 is made of, for example, resin or ceramic.
  • the substrate 1 may be formed in a multilayer structure.
  • substrate 1 may incorporate the electronic component inside.
  • the land electrode 2 is formed on the main surface of the substrate 1.
  • the material of the land electrode 2 is arbitrary, but, for example, copper, aluminum or the like is used.
  • wiring electrodes for connecting the land electrodes 2 and the like may be formed on the main surface of the substrate 1.
  • An electronic component 3 in which terminal electrodes 3a are formed on both ends of a component body using a land electrode 2, and an electronic component in which a plurality of flip chip electrodes (not shown) are formed on the bottom surface of the component body. 4 is implemented. Specifically, the terminal electrode 3 a of the electronic component 3 and the flip chip electrode of the electronic component 4 are fixed to the land electrode 2 by a brazing material, for example, solder 5.
  • a sealing resin 7 is formed so as to cover the electronic components 3 and 4 mounted on the substrate 1.
  • the sealing resin 7 is a curable resin, it is cured after being placed on the electronic components 3 and 4 in a semi-molten state.
  • a space S1 is formed in the gap between the substrate 1 and the electronic components 3 and 4.
  • the space S1 adjusts the temperature, the melting state, etc. of the sealing resin 7 and the pressure level and pressure for pressing the sealing resin 7 toward the substrate 1 It can be formed by adjusting the speed or the like.
  • the sealing resin 7 a resin having a drying rate of 60% or more is used.
  • the method for measuring the drying rate is as described in the section “Means for Solving the Problems”.
  • the material of the sealing resin 7 is arbitrary, for example, a curable resin such as an epoxy resin or a polyimide resin can be used.
  • the sealing resin 7 contains a filler, and the filler content of the sealing resin is 84% by weight or more. In this case, the sealing resin 7 becomes more porous and the drying rate is improved.
  • the filler preferably has a maximum particle size of ⁇ 100 ⁇ m or more. Also in this case, the sealing resin 7 becomes more porous and the drying rate is improved.
  • a resin having a drying rate of 60% or more is used for the sealing resin 7, and the sealing resin 7 can be heated even when mounted on a substrate of an electronic device using solder or the like. Since the volume of the gas generated when the liquid component contained in the gas is vaporized is small, no solder flash is generated inside, and no electrical short circuit or poor conduction occurs.
  • the liquid component remains in the sealing resin or the sealing resin absorbs the liquid component. is there.
  • the electronic component built-in module 100 even if a liquid component remains in the sealing resin at the time of manufacture, or even if the sealing resin absorbs the liquid component during storage, the electronic device When soldering to a substrate or the like, no electrical short circuit or poor conduction occurs inside.
  • the electronic component built-in module 100 according to this embodiment having the above-described structure can be manufactured, for example, through the steps shown in FIGS. 3A and 3B to FIGS.
  • a land electrode 2 is formed on a substrate 1.
  • the land electrode 2 can be formed, for example, by attaching a copper foil to the entire main surface of the substrate 1 and etching it into a desired shape.
  • an electronic component 3 having terminal electrodes 3a formed on both ends of the component body on the land electrode 2 is formed. Temporarily fix.
  • the electronic component 4 having a plurality of flip chip electrodes formed on the bottom surface of the component body is temporarily fixed on the land electrode 2 coated with cream solder 5 '.
  • the solder paste 5 ′ is heated to melt and then cooled to solidify, whereby the terminal electrode 3 a of the electronic component 3 is turned to the land electrode 2 by the solder 5. Fix it.
  • the flip chip electrode of the electronic component 4 is fixed to the land electrode 2 with the solder 5.
  • the electronic component built-in module 100 is completed by covering the substrate 1 and the electronic components 3 and 4 mounted on the substrate 1 with a sealing resin 7.
  • the process of covering the electronic components 3 and 4 with the sealing resin 7 is performed, for example, when the sealing resin 7 is a curable resin, the semi-molten sealing resin 7 is disposed on the electronic components 3 and 4. Then, the bottom surface is deformed according to the shape of the electronic components 3 and 4 and the top surface is flattened, and then the sealing resin 7 is cured by a method such as thermosetting or photocuring.
  • thermoplastic resins such as curable resins, such as an epoxy resin and a polyimide resin, and polyphenylene sulfide, can be used.
  • the film 6 may be a single layer or may have a laminated structure including a plurality of layers.
  • the film 6 is attached onto the substrate 1 and the electronic components 3 and 4 mounted on the substrate 1 by a method capable of following a complicated surface shape, for example, vacuum lamination, rubber press, hydrostatic pressure press, and the like. It can be formed by curing by a method such as thermosetting or photocuring.
  • the sealing resin 7 does not flow at the time of manufacture.
  • the space S1 can be easily formed in the gap between the parts 3 and 4.
  • Each sample has a structure in which a part where the electronic component 3 is mounted is extracted from the electronic component built-in module 100 according to the embodiment shown in FIGS. 2 (A) and 2 (B). That is, in each sample, the terminal electrode 3 a of the electronic component 3 is fixed to the land electrode 2 formed on the substrate 1 by the solder 5.
  • the electronic component 3 is covered with a film 6, and the film 6 is further covered with a sealing resin 7. Therefore, each sample contains one electronic component.
  • a space S1 is formed between the substrate 1 and the electronic component 3.
  • the distance between the pair of land electrodes 2 formed on the substrate 1 was 0.2 mm.
  • an SMD component having a length of 0.3 mm, a width of 0.3 mm, and a length of 0.6 mm was used.
  • solder 5 one having a remelting temperature of 220 ° C. was used.
  • film 6 an epoxy resin having a thickness of 20 ⁇ m and a drying rate of 85% was used.
  • the sealing resin 7 an epoxy resin containing a filler made of SiO2 was used, and the drying rate was changed in Examples 1 and 2 and Comparative Examples 1 and 2. The drying rate was adjusted by changing the filler content and the maximum particle size of the filler. The thickness of the sealing resin 7 was the same in Examples 1 and 2 and Comparative Examples 1 and 2, and was 0.75 mm.
  • the drying rate of the sealing resin 7 was 85% in Example 1, 60% in Example 2, 58% in Comparative Example 1, and 38% in Comparative Example 2.
  • Table 1 shows the number of solder flashes generated in 222 samples. The occurrence of solder flash was confirmed by disassembling individual samples.
  • solder flash did not occur. On the other hand, solder flash occurred in 14 out of 222 in Comparative Example 1 and 84 out of 222 in Comparative Example 2.

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Abstract

　基板（１）と、電子部品（３）と、封止樹脂（７）とを備え、基板（１）と電子部品（３）の少なくとも１つとの間に空間（Ｓ１）が設けられ、その電子部品内蔵モジュールを、吸湿させた後、はんだ（ろう材）（５）の再溶融温度に加熱した場合に、封止樹脂（７）の乾燥率が６０％以上となるようにした。

Description

電子部品内蔵モジュール
　本願発明は、基板上に電子部品が実装され、実装された電子部品が封止樹脂で覆われた電子部品内蔵モジュールに関し、更に詳しくは、電子機器の基板等にはんだ等を使って実装する際に加熱しても、内部において、はんだフラッシュが発生しにくく、電気的短絡や導通不良が発生しにくい電子部品内蔵モジュールに関する。
　基板上に電子部品が実装され、実装された電子部品が封止樹脂で覆われた構造からなる電子部品内蔵モジュールが、高機能モジュールとして電子機器等に使用されている。
　このような電子部品内蔵モジュールにおいて、例えば、特開２０１１－２１９７２６号公報（特許文献１）に開示されているように、基板と実装された電子部品との間に空間を設ける場合がある。
　図６に、特許文献１に開示された電子部品内蔵モジュール３００を示す。
　電子部品内蔵モジュール３００は、基板（配線回路基板）２０１を備えている。基板２０１の主面には、図示しないが、ランド電極が形成されている。
　電子部品内蔵モジュール３００には、電子部品として弾性表面波素子（弾性表面波装置；例えばＳＡＷフィルター）２０２が内蔵されている。弾性表面波素子２０２は、圧電基板２０３を備え、圧電基板２０３の一方の主面（図６において下側の主面）には、図示しないが、ＩＤＴ電極（Interdigital　Transducer　電極）と、実装用の端子電極が形成されている。
　弾性表面波素子２０２は、バンプ２０４により、基板２０１に実装されている。より具体的には、弾性表面波素子２０２の端子電極が、バンプ２０４により、基板２０１のランド電極に固定されている。
　基板２０１に実装された弾性表面波素子２０２は、封止樹脂２０５により覆われている。しかしながら、封止樹脂２０５は、基板２０１と圧電基板２０３との間には充填されず、基板２０１と圧電基板２０３との間には空間Ｓ1が形成されている。電子部品内蔵モジュール２００において、空間Ｓ1を形成した目的は、弾性表面波素子２０２のＩＤＴ電極の機能を阻害しないためである。すなわち、封止樹脂２０５が圧電基板２０３の主面に形成されたＩＤＴ電極に接触すると、弾性表面波素子２０２自体が機能しなくなってしまう。そこで、電子部品内蔵モジュール３００では、空間Ｓ1を形成することにより、封止樹脂２０５がＩＤＴ電極に接触しないようにしている。なお、電子部品内蔵モジュール３００では、空間Ｓ1を適切に形成するために、封止樹脂２０５の組成、添加物、構造等に工夫を施している。
　同様に、弾性表面波素子の機能を阻害しないために、基板と電子部品（圧電基板）との間に空間を形成した電子部品内蔵モジュールが、特開２００６－３０４１４５号公報（特許文献２）や特開２００５－１２９８５５号公報（特許文献３）にも開示されている。
　一方、電子部品内蔵モジュールにおいては、別の目的から、基板と実装された電子部品との間に空間を設ける場合がある。例えば、特開２００５－３０２８３５号公報（特許文献４）に開示された電子部品内蔵モジュールでは、その電子部品内蔵モジュールを電子機器の基板等に実装する際に、内部において、はんだフラッシュが発生しないようにするために、基板と実装された電子部品との間に空間を設けている。
　はんだフラッシュとは、電子部品内蔵モジュール内で基板上のランド電極と電子部品の端子電極との接合に使用したはんだが、その電子部品内蔵モジュールを電子機器の基板等にはんだ付けする際の加熱により再溶融し、膨張して、微細な隙間に入り込む現象をいう。隙間に入り込んだはんだは、電子部品の端子電極間等を電気的に短絡させてしまう場合がある。あるいは、逆に、はんだが流出することにより、基板上のランド電極と電子部品の端子電極とが導通不良を起こしてしまう場合がある。
　特許文献４に開示された電子部品内蔵モジュールでは、基板と実装された電子部品との間に空間を設けることにより、はんだフラッシュの発生を抑制している。
　図７に、特許文献４に開示された電子部品内蔵モジュール４００を示す。
　電子部品内蔵モジュール４００は、基板３０１を備えている。基板３０１の主面には、ランド電極３０２が形成されている。
　基板３０１には、ランド電極３０２を使って、部品本体の両端に端子電極３０３ａが形成された電子部品３０３や、部品本体の底面に複数の端子電極（図示せず）が形成された電子部品３０４が実装されている。具体的には、電子部品３０３の端子電極３０３ａや、電子部品３０４の端子電極が、はんだ３０５により、ランド電極３０２に固定されている。
　なお、部品本体の両端に端子電極３０３ａが形成された電子部品３０３としては、例えば、コンデンサ素子、コイル素子、抵抗素子等がある。また、部品本体の底面に複数の端子電極が形成された電子部品３０４としては、例えば、圧電素子（弾性表面波素子等）、半導体素子、集積回路素子等がある。
　電子部品内蔵モジュール４００では、基板３０１に実装された電子部品３０３、３０４が、樹脂製のフィルム３０６により覆われている。
　更に、樹脂製のフィルム３０６が、封止樹脂３０７により覆われている。
　封止樹脂３０７は、半溶融状態でフィルム３０６上に配置された後、固化ないし硬化されている。封止樹脂３０７は、フィルム３０６が存在するため、基板３０１と電子部品３０３、３０４との隙間には流れ込まず、基板３０１と電子部品３０３、３０４との隙間には、それぞれ空間Ｓ1が形成されている。
　電子部品内蔵モジュール４００では、基板３０１と実装された電子部品３０３、３０４との間に封止樹脂３０７が充填されず、空間Ｓ1が形成されているため、電子部品内蔵モジュール４００を電子機器の基板（図示せず）等にはんだ付けする際の加熱により、はんだ３０５が再溶融し、体積が膨張しても、その体積の膨張を空間Ｓ1で吸収することができる。したがって、電子部品内蔵モジュール３００は、はんだフラッシュが発生しにくくなっている。すなわち、電子部品内蔵モジュール４００は、はんだフラッシュの発生を抑制するために、基板３０１と実装された電子部品３０３、３０４との間に空間Ｓ1を設けている。
　なお、特許文献４には、電子部品内蔵モジュールに内蔵された電子部品が、例えば弾性表面波素子である場合には、基板と電子部品との間に空間を設けることにより、封止樹脂によって弾性表面波素子の機能が阻害されることがなくなる旨についても記載されている（特許文献４の（０００９）段落参照）。
特開２０１１－２１９７２６号公報 特開２００６－３０４１４５号公報 特開２００５－１２９８５５号公報 特開２００５－３０２８３５号公報
　特許文献１～４に開示されているように、電子部品内蔵モジュールにおいて、内蔵された電子部品（例えば弾性表面波素子）の機能を阻害しないようにするために、あるいは、その電子部品内蔵モジュールを電子機器の基板等に実装する際に、内部ではんだフラッシュが発生しないようにするために、基板と実装された電子部との間に空間を形成する場合がある。
　しかしながら、基板と実装された電子部との間に空間を形成した電子部品内蔵モジュールにおいても、封止樹脂が高い濃度で液体成分（水等）を含んでいる場合には、その電子部品内蔵モジュールを電子機器の基板等にはんだ付けする際の加熱に起因して、電子部品内蔵モジュールの内部において、はんだフラッシュが発生し、電気的短絡や、逆に導通不良が発生することが課題として知られている。
　例えば、特許文献２（特開２００６－３０４１４５号公報）の（０００８）、（０００９）段落には、電子部品内蔵モジュールを実装するために加熱すると、内部で電子部品を実装するのに使用したはんだが再溶融するとともに、封止樹脂に含まれていた液体成分（水等）が気化してガスが発生し、そのガスによる圧力差により、溶融したはんだが基板と電子部との間に形成された空間の内側に流れ込み、電気的短絡が発生する場合があるとの趣旨が記載されている。
　以下に、図面を使って、電気的短絡が発生するメカニズムを、更に詳しく説明する。
　図８（Ａ）は、従来の電子部品内蔵モジュール５００を示す。
　電子部品内蔵モジュール５００は、主面にランド電極４０２が形成された基板４０１を備えている。基板４０１には、両端に端子電極４０３ａが形成された電子部品４０３が実装されている。具体的には、電子部品４０３の端子電極４０３ａが、はんだ４０５によりランド電極４０２に固定されている。そして、基板４０１に実装された電子部品４０３が樹脂製のフィルム４０６により覆われ、更にフィルム４０６が封止樹脂４０７により覆われている。電子部品内蔵モジュール５００では、基板４０１と電子部品４０３の間に空間Ｓ1が形成されている。
　この電子部品内蔵モジュール５００を、電子機器の基板（図示せず）等にはんだ付けするために加熱すると、はんだ４０５が再溶融する。また、封止樹脂４０７が高い濃度で液体成分を含んでいる場合には、その液体成分が気化してガスが発生する。
　そして、発生したガスが、図８（Ｂ）に示すように、黒色矢印に示す方向に膨張して、フィルム４０６の内部に入り込み、溶融したはんだ４０５（図における右側のはんだ１０５）を押し出して空間Ｓ2を形成する場合があった。押し出されたはんだは、基板４０１と電子部品４０３との間の空間Ｓ1に流れ込み、反対側のランド電極４０２（図における左側のランド電極４０２）やはんだ４０５（図における左側のはんだ４０５）に到達してしまう場合があった。すなわち、電子部品４０３の両端子電極４０３ａ間が電気的に短絡してしまう場合があった。
　また、空間Ｓ2が形成されたことにより、溶融したはんだ４０５が押し出され、電子部品４０３の端子電極４０３ａとランド電極４０２との間が導通不良になってしまう場合があった。
　なお、ここでは、部品本体の両端に端子電極４０３ａが形成された電子部品４０３を例にして説明したが、部品本体の底面に複数の端子電極が形成された電子部品においても、同様のメカニズムにより、はんだフラッシュが発生し、電気的短絡や、導通不良が発生してしまう場合があった。また、ここでは、電子部品４０３が樹脂製のフィルム４０６により覆われ、更にフィルム４０６が封止樹脂４０７により覆われた構造を例にして説明したが、フィルム４０６が省略され、電子部品４０３が封止樹脂４０７に直接に覆われた構造であっても、同様に、はんだフラッシュが発生し、電気的短絡や、導通不良が発生してしまう場合があった。
　本願発明は、上述した従来の課題を解決するためになされたものであり、その手段として本願発明の電子部品内蔵モジュールは、基板と、基板の少なくとも一方の主面に形成されたランド電極と、端子電極がランド電極にろう材により固定されることにより基板の主面に実装された電子部品と、基板の主面上に電子部品を覆って形成された封止樹脂と、を備え、基板と電子部品との間に空間が設けられ、その電子部品内蔵モジュールを、吸湿させた後、ろう材の再溶融温度に加熱した場合に、封止樹脂の乾燥率が６０％以上となるようにした。
　なお、封止樹脂の乾燥率は、次の方法で求めた。
　まず、封止樹脂に使用した樹脂により、一辺が７．５ｍｍの立方体からなる試料を作成する。次に、試料の質量Ｗ１（ｇ）を測定する。次に試料を、温度８５℃かつ湿度８５％の環境下に４８時間置いた後、その質量Ｗ２（ｇ）を測定する。なお、Ｗ２とＷ１の差（Ｗ２‐Ｗ１）は、試料を温度８５℃かつ湿度８５％の環境下に４８時間置いたことにより、試料が吸収した液体成分（水）の質量を示す。次に試料を、その電子部品内蔵モジュールにおいて、端子電極をランド電極に固定するのに使用したろう材（はんだ等）の再溶融温度にまで加熱する温度プロファイル（昇温速度は３℃／秒、予熱温度は１１０℃から２００℃で１１０秒間維持）にて加熱した後、その質量Ｗ３（ｇ）を測定する。なお、Ｗ２とＷ３の差（Ｗ２－Ｗ３）は、加熱したことにより、試料が放出した液体成分（水）の質量を示す。
　封止樹脂の乾燥率は、（（Ｗ２－Ｗ３）／（Ｗ２－Ｗ１））×１００（％）で求める。
　封止樹脂に乾燥率が６０％以上の樹脂を使用すると、仮に、その電子部品内蔵モジュールを、温度８５℃かつ湿度８５％という過酷な条件下に長時間（４８時間）置いた後に、電子機器の基板等にはんだ付けするために加熱したとしても、内部のろう材が再溶融する温度に到達する時点で、封止樹脂から既に６０％以上の液体成分が放出されてしまっている。したがって、本願発明の電子部品内蔵モジュールにおいては、電子機器の基板等にはんだ付けする際に加熱しても、封止樹脂に含まれる液体成分が気化して発生するガスの体積が小さいため、電子部品内蔵モジュールの内部において、封止樹脂に含まれる液体成分が原因となって、はんだフラッシュが発生することがなく、電気的短絡や、導通不良が発生することがない。
　本願発明において、端子電極をランド電極に固定するのに使用するろう材としては、例えば、はんだを使用することができる。内蔵される電子部品としては、例えば、コンデンサ素子、コイル素子、抵抗素子、圧電素子、半導体素子、集積回路素子等がある。なお、圧電素子には、弾性表面波素子が含まれる。
　本願発明の電子部品内蔵モジュールは、電子部品および基板がフィルムで覆われ、そのフィルムが封止樹脂に覆われた構造とすることができる。この場合には、容易に、基板と電子部品との間に空間を形成することができる。
　また、本願発明の電子部品内蔵モジュールは、封止樹脂がフィラーを含有し、その封止樹脂のフィラー含有率が８４重量％以上とすることができる。この場合には、封止樹脂がより多孔質状になり、乾燥率が向上する。
　また、本願発明の電子部品内蔵モジュールは、封止樹脂がフィラーを含有し、そのフィラーの最大粒径がφ１００μｍ以上とすることができる。この場合にも、封止樹脂がより多孔質状になり、乾燥率が向上する。
　本願発明の電子部品内蔵モジュールは、電子機器の基板等にはんだ等を使って実装する際に加熱しても、封止樹脂に含まれる液体成分が気化して発生するガスの体積が小さいため、内部において、はんだフラッシュが発生しにくく、電気的短絡や導通不良が発生しにくい。
図１は、実施形態に係る電子部品内蔵モジュール１００の分解平面図である。ただし、図１は、フィルム６、封止樹脂７を取り去った電子部品内蔵モジュール１００の内部を示している。 図２は、（Ａ）、（Ｂ）は、それぞれ、電子部品内蔵モジュール１００の要部断面図であり、図２（Ａ）は図１のＸ‐Ｘ部分を、図２（Ｂ）は図１のＹ‐Ｙ部分を示している。 図３（Ａ）、（Ｂ）は、それぞれ、電子部品内蔵モジュール１００の製造方法の一例において施される工程を示した斜視図である。 図３（Ｂ）の続きであり、図４（Ａ）、（Ｂ）は、それぞれ、電子部品内蔵モジュール１００の製造方法の一例において施される工程を示した斜視図である。 図５は、（Ａ）、（Ｂ）は、それぞれ、変形例に係る電子部品内蔵モジュール２００の要部断面図である。 図６は、特許文献１に開示された従来の電子部品内蔵モジュール３００を示す断面図である。 図７は、特許文献４に開示された従来の電子部品内蔵モジュール４００を示す断面図である。 図８（Ａ）、（Ｂ）は、それぞれ、従来の電子部品内蔵モジュール５００において、電子機器の基板等にはんだ付けする際の加熱により、封止樹脂に含まれる液体成分液体成分が気化してガスが発生し、電子部品の両端子電極間が電気的に短絡する状態を説明するための説明図（要部断面図）である。
　以下、図面とともに、本願発明を実施するための形態について説明する。
　図１、図２（Ａ）、（Ｂ）は、それぞれ、本実施形態に係る電子部品内蔵モジュール１００を示している。ただし、図１は分解平面図であり、後述する封止樹脂７を取り去った電子部品内蔵モジュール１００の内部を示している。図２（Ａ）、（Ｂ）は、それぞれ要部断面図であり、図２（Ａ）は図１のＸ‐Ｘ部分に、図２（Ａ）は図１のＹ‐Ｙ部分に対応している。
　電子部品内蔵モジュール１００は、基板１を備える。基板１は、例えば、樹脂やセラミック等からなる。基板１は、多層構造に形成されていても良い。また基板１は、内部に電子部品が内蔵されていても良い。
　基板１の主面には、ランド電極２が形成されている。ランド電極２の材質は任意であるが、例えば、銅、アルミニウム等が用いられる。なお、図示していないが、基板１の主面には、ランド電極２間等を接続する配線電極が形成される場合がある。
　基板１には、ランド電極２を使って、部品本体の両端に端子電極３ａが形成された電子部品３や、部品本体の底面に複数のフリップチップ電極（図示せず）が形成された電子部品４が実装されている。具体的には、電子部品３の端子電極３ａや、電子部品４のフリップチップ電極が、ろう材、例えばはんだ５により、ランド電極２に固定されている。
　基板１に実装された電子部品３、４を覆うように、封止樹脂７が形成されている。
　封止樹脂７が硬化性樹脂である場合には、半溶融状態で電子部品３、４上に配置された後、硬化されている。なお、基板１と電子部品３、４との隙間には、空間Ｓ1が形成されている。空間Ｓ1は、半溶融状態の封止樹脂７を配置する際に、封止樹脂７の温度、溶融状態等を調整したり、封止樹脂７を基板１方向に押圧する圧力の大きさ、押圧速度等を調整したりすることにより形成することができる。
　封止樹脂７には、乾燥率が６０％以上の樹脂が使用されている。乾燥率の測定方法は、「課題を解決するための手段」の欄に記載した通りである。封止樹脂７の材質は任意であるが、例えば、エポキシ樹脂やポリイミド樹脂等の硬化性樹脂を使用することができる。
　なお、封止樹脂７はフィラーを含有し、その封止樹脂のフィラー含有率が８４重量％以上であることが好ましい。この場合には、封止樹脂７がより多孔質状になり、乾燥率が向上するからである。
　また、フィラーは、その最大粒径がφ１００μｍ以上であることが好ましい。この場合にも、封止樹脂７がより多孔質状になり、乾燥率が向上するからである。
　電子部品内蔵モジュール１００は、封止樹脂７に乾燥率が６０％以上の樹脂が使用されており、電子機器の基板等にはんだ等を使って実装する際に加熱しても、封止樹脂７に含まれる液体成分が気化して発生するガスの体積が小さいため、内部において、はんだフラッシュが発生することがなく、電気的短絡や導通不良が発生することがない。
　なお、電子部品内蔵モジュールが、使用される前に、封止樹脂に液体成分が残留してしまったり、封止樹脂が液体成分を吸収してしまったりする機会としては、製造時や保管時がある。本実施形態に係る電子部品内蔵モジュール１００は、万一、製造時に封止樹脂に液体成分が残留してしまっても、あるいは保管時に封止樹脂が液体成分を吸収してしまっても、電子機器の基板等にはんだ付けする際に、内部において電気的短絡や導通不良が発生することがない。
　上述した構造からなる、本実施形態に係る電子部品内蔵モジュール１００は、例えば、図３（Ａ），（Ｂ）から図４（Ａ），（Ｂ）に示す工程を経て製造することができる。
　まず、図３（Ａ）に示すように、基板１に、ランド電極２を形成する。ランド電極２は、例えば、基板１の主面全面に銅箔を貼り、所望の形状にエッチングすることにより形成することができる。
　次に、図３（Ｂ）に示すように、ランド電極２上にクリームはんだ５’を塗布したうえで、ランド電極２上に、部品本体の両端に端子電極３ａが形成された電子部品３を仮固定する。図示しないが、同様に、部品本体の底面に複数のフリップチップ電極が形成された電子部品４を、クリームはんだ５’が塗布されたランド電極２上に仮固定する。
　次に、図４（Ａ）に示すように、加熱してクリームはんだ５’を溶融させ、続いて冷却して固化させることにより、電子部品３の端子電極３ａを、はんだ５によりランド電極２に固定する。図示しないが、同様に、電子部品４のフリップチップ電極を、はんだ５によりランド電極２に固定する。
　次に、図４（Ｂ）に示すように、基板１、および基板１に実装された電子部品３、４上を封止樹脂７で覆って、本実施形態に係る電子部品内蔵モジュール１００を完成させる。なお、電子部品３、４上を封止樹脂７で覆う工程は、例えば封止樹脂７が硬化性樹脂である場合には、半溶融状の封止樹脂７を電子部品３、４上に配置し、下面を電子部品３、４の形状に合わせて変形させるとともに、上面を平坦にしたうえで、熱硬化や光硬化等の方法により、封止樹脂７を硬化させることによりおこなう。
　以上、本実施形態に係る電子部品内蔵モジュール１００の構造、およびその製造方法の一例について説明した。しかしながら、本願発明の内容がこれらに限定されることはなく、本願発明の趣旨に沿って種々の変更を加えることができる。
　例えば、図５（Ａ）、（Ｂ）に示す変形例に係る電子部品内蔵モジュール２００のように、基板１および基板１に実装された電子部品３、４と、封止樹脂７との間に、フィルム６を介在させても良い。フィルム６の材質は問わないが、例えば、エポキシ樹脂やポリイミド樹脂等の硬化性樹脂やポリフェニレンサルファイドなどの熱可塑性樹脂を使用することができる。フィルム６は、単層のものであっても良いし、複数の層を備えた積層構造のものであっても良い。
　フィルム６は、例えば、真空ラミネート、ラバープレス、静水圧プレス等、複雑な表面形状に追従可能な方法により、基板１および基板１に実装された電子部品３、４上に貼りつけ、続いて、熱硬化や光硬化等の方法により硬化させることにより形成することができる。
　基板１および基板１に実装された電子部品３、４と、封止樹脂７との間に、フィルム６を介在させた場合には、製造時に封止樹脂７が流れ込まないため、基板１と電子部品３、４との隙間に、空間Ｓ1を容易に形成することができる。
実験例
　本願発明の有効性を確認するために、以下の実験をおこなった。
　まず、実施例１、２に係る試料と、比較例１、２に係る試料とを、それぞれ２２２個ずつ作製した。
　各試料は、図２（Ａ）、（Ｂ）に示した実施形態に係る電子部品内蔵モジュール１００から、電子部品３が実装されている部分を抜き出した構造からなる。すなわち、各試料は、基板１上に形成されたランド電極２に、はんだ５により電子部品３の端子電極３ａが固定されている。そして、電子部品３がフィルム６により覆われ、更にフィルム６が封止樹脂７により覆われている。したがって、各試料には、それぞれ１個の電子部品が内蔵されている。なお、基板１と電子部品３との間には、空間Ｓ1が形成されている。
　基板１上に形成された１対のランド電極２の間隔は、０．２ｍｍとした。
　電子部品３として、縦０．３ｍｍ、横０．３ｍｍ、長さ０．６ｍｍのＳＭＤ部品を使用した。
　はんだ５には、再溶融温度が２２０℃のものを使用した。
　フィルム６には、膜厚２０μｍ、乾燥率８５％のエポキシ樹脂を使用した。
　封止樹脂７には、ＳｉＯ2からなるフィラーを含有するエポキシ樹脂を使用し、実施例１、２、比較例１、２において、乾燥率を変化させた。なお、乾燥率は、フィラーの含有量、フィラーの最大粒径を変化させることにより調整した。封止樹脂７の厚みは、実施例１、２、比較例１、２において同一とし、それぞれ０．７５ｍｍとした。
　封止樹脂７の乾燥率は、実施例１が８５％、実施例２が６０％、比較例１が５８％、比較例２が３８％とした。
　表１に、各試料２２２個において、はんだフラッシュが発生した個数を示す。なお、はんだフラッシュの発生は、個々の試料を分解して確認した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　実施例１、２では、はんだフラッシュは発生しなかった。それに対し、比較例１では２２２個中１４個において、比較例２では２２２個中８４個において、はんだフラッシュが発生した。
　以上より、電子部品内蔵モジュールを電子機器の基板等にはんだ等を使って実装する際に加熱しても、内部において、はんだフラッシュを発生させず、電気的短絡や導通不良を発生させないためには、本願発明が有効であることが分かった。
　以上、本発明の実施の形態および変形例について説明したが、今回開示された実施の形態および変形例はすべての点で例示であって制限的なものではない。本発明の範囲は請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。
　１：基板、２：ランド電極、３、４：電子部品、３ａ：端子電極、５：はんだ、５’：クリームはんだ、６：フィルム、７：封止樹脂。

Claims (6)

  1. 　基板と、
    　前記基板の少なくとも一方の主面に形成されたランド電極と、
    　端子電極を備え、当該端子電極が前記ランド電極にろう材により固定されることにより、前記基板の主面に実装された電子部品と、
    　前記基板の主面上に前記電子部品を覆って形成された封止樹脂と、を備え、
    　前記基板と前記電子部品との間に空間が設けられた電子部品内蔵モジュールであって、
    　当該電子部品内蔵モジュールを、吸湿させた後、前記ろう材の再溶融温度に加熱した場合に、前記封止樹脂の乾燥率が６０％以上である電子部品内蔵モジュール。
  2. 　前記ろう材がはんだである、請求項１に記載された電子部品内蔵モジュール。
  3. 　前記電子部品が、コンデンサ素子、コイル素子、抵抗素子、圧電素子、半導体素子、集積回路素子の少なくとも１つである、請求項１または２に記載された電子部品内蔵モジュール。
  4. 　前記電子部品および前記基板がフィルムで覆われ、当該フィルムが前記封止樹脂に覆われている、請求項１ないし３のいずれか１項に記載された電子部品内蔵モジュール。
  5. 　前記封止樹脂がフィラーを含有し、当該封止樹脂のフィラー含有率が８４重量％以上である、請求項１ないし４のいずれか１項に記載された電子部品内蔵モジュール。
  6. 　前記封止樹脂がフィラーを含有し、当該フィラーの最大粒径がφ１００μｍ以上である、請求項１ないし５のいずれか１項に記載された電子部品内蔵モジュール。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018041930A (ja) * 2016-09-09 2018-03-15 株式会社村田製作所 複合電子部品および抵抗素子
JP2018041929A (ja) * 2016-09-09 2018-03-15 株式会社村田製作所 複合電子部品および抵抗素子
CN111901994A (zh) * 2020-07-13 2020-11-06 温州市博登电器有限公司 一种公共场所用防水的智能开关

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07226414A (ja) * 1994-02-10 1995-08-22 Toshiba Corp 半導体素子の樹脂封止方法および樹脂封止型半導体装置
JPH0834608A (ja) * 1994-07-25 1996-02-06 Denki Kagaku Kogyo Kk 球状シリカ粉末及びエポキシ樹脂組成物
JP2000063636A (ja) * 1998-08-19 2000-02-29 Tatsumori:Kk 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
WO2005071731A1 (ja) * 2004-01-22 2005-08-04 Murata Manufacturing Co., Ltd. 電子部品の製造方法
JP2005302835A (ja) * 2004-04-07 2005-10-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置及びその製造方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002203997A (ja) * 2000-12-28 2002-07-19 Denso Corp 圧電アクチュエータ
US6707671B2 (en) * 2001-05-31 2004-03-16 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Power module and method of manufacturing the same
JP2005129855A (ja) 2003-10-27 2005-05-19 Kyocera Corp 高周波モジュール
KR100745595B1 (ko) * 2004-11-29 2007-08-02 삼성전자주식회사 이미지 센서의 마이크로 렌즈 및 그 형성 방법
JP2006304145A (ja) 2005-04-25 2006-11-02 Kyocera Corp 高周波モジュール
JP2008091638A (ja) * 2006-10-02 2008-04-17 Nec Electronics Corp 電子装置およびその製造方法
JP4219953B2 (ja) * 2006-12-11 2009-02-04 シャープ株式会社 Ｉｃチップ実装パッケージ、およびその製造方法
JP2008166438A (ja) * 2006-12-27 2008-07-17 Spansion Llc 半導体装置およびその製造方法
JP5426511B2 (ja) 2009-11-30 2014-02-26 パナソニック株式会社 封止用エポキシ樹脂組成物シート及びこれを用いて封止した中空型デバイス
JP5585426B2 (ja) * 2010-12-07 2014-09-10 Ｔｄｋ株式会社 配線板、電子部品内蔵基板、配線板の製造方法及び電子部品内蔵基板の製造方法
US9085173B2 (en) * 2012-01-13 2015-07-21 Seiko Epson Corporation Ink jet recording method and recording apparatus
JP5907195B2 (ja) * 2014-02-27 2016-04-26 株式会社村田製作所 電子部品及び電子部品の製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07226414A (ja) * 1994-02-10 1995-08-22 Toshiba Corp 半導体素子の樹脂封止方法および樹脂封止型半導体装置
JPH0834608A (ja) * 1994-07-25 1996-02-06 Denki Kagaku Kogyo Kk 球状シリカ粉末及びエポキシ樹脂組成物
JP2000063636A (ja) * 1998-08-19 2000-02-29 Tatsumori:Kk 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
WO2005071731A1 (ja) * 2004-01-22 2005-08-04 Murata Manufacturing Co., Ltd. 電子部品の製造方法
JP2005302835A (ja) * 2004-04-07 2005-10-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置及びその製造方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018041930A (ja) * 2016-09-09 2018-03-15 株式会社村田製作所 複合電子部品および抵抗素子
JP2018041929A (ja) * 2016-09-09 2018-03-15 株式会社村田製作所 複合電子部品および抵抗素子
CN111901994A (zh) * 2020-07-13 2020-11-06 温州市博登电器有限公司 一种公共场所用防水的智能开关
CN111901994B (zh) * 2020-07-13 2021-07-06 温州市博登电气有限公司 一种公共场所用防水的智能开关

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