WO2005071731A1 - 電子部品の製造方法 - Google Patents

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WO2005071731A1
WO2005071731A1 PCT/JP2004/018211 JP2004018211W WO2005071731A1 WO 2005071731 A1 WO2005071731 A1 WO 2005071731A1 JP 2004018211 W JP2004018211 W JP 2004018211W WO 2005071731 A1 WO2005071731 A1 WO 2005071731A1
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resin film
resin
sealing
electronic functional
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Masato Higuchi
Hideki Shinkai
Osamu Ishikawa
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Murata Manufacturing Co., Ltd.
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Definitions

  • the present invention is directed to the manufacture of a laminated CSP electronic component in which an electronic functional element such as a SAW element is bonded to a substrate in a chip size package (CSP) and a resin film is embedded by heat press. It is about the method.
  • chip size packages of various structures have been developed in order to reduce the size and height of the knock of a surface acoustic wave filter (SAW).
  • SAW surface acoustic wave filter
  • Patent Documents 1 and 2 As a method for manufacturing such a resin-sealed package, a heat press method is known.
  • the sealing technology by the heat press method is disclosed in Patent Documents 1 and 2.
  • the SAW element is mounted on the mounting board by flip-chip bonding so that a vibration space is formed between the mounting board and the SAW element mounted on the mounting board. Then, resin sealing is performed by a heat press method.
  • Patent Document 1 Japanese Patent Application Laid-Open No. 2003-17979
  • Patent Document 2 JP 2003-32061 A
  • An object of the present invention is to provide a method for manufacturing an electronic component that can be manufactured with simple equipment and is less likely to generate voids and deteriorate characteristics over time.
  • the method for manufacturing an electronic component of the present invention includes mounting a plurality of electronic functional elements each having a substrate and an electronic functional unit provided on the substrate on a mounting assembly substrate. A mounting step of mounting and mounting, a placement step of placing a resin film on each of the electronic functional elements mounted on the mounting collective board, and an electronic functional element and the resin film mounted on the mounting collective board.
  • each electronic functional element is sealed with the sealing resin portion derived from the resin film in the bag under reduced pressure, so that the sealing resin due to the incorporation of air is used.
  • the generation of voids can be reduced, and the deterioration of strength over time and the deterioration of characteristics due to moisture absorption and the deterioration of durability can be suppressed.
  • the electronic functional element may be a surface acoustic wave element having a vibrating part as the electronic functional part on a piezoelectric substrate.
  • the vibrating portion is provided so as to have a space between the vibrating portion and the mounting collective substrate, and is arranged so as to face the mounting collective substrate.
  • the resin film contains a filler, and in the particle size distribution of the filler, the maximum particle size is larger than the gap between the electronic functional element and the mounting collective board; It is preferable that the occupancy of the filler having a particle size larger than the gap between the electronic functional element and the mounting collective board is 5% by weight or more based on the entire filler.
  • the amount of infiltration of the sealing resin can be adjusted, and for example, a necessary space can be secured in a portion facing the vibration portion, It can be suitable for manufacturing a surface acoustic wave device.
  • the sealing step may further include a thermocompression bonding step of heating the resin film to soften the resin film and pressing the resin film with a roller or a press. According to the above method, the sealing with the resin film can be speeded up by pressing with the roller.
  • the arranging step includes a step of attaching a release sheet to one surface of the resin film, and a step of separating the resin film on a mounting collective board on which electronic functional elements are mounted. And arranging the mold sheet so that the mold sheet side is on the outside.
  • the sealing resin and the bag are heated by heating when the resin film is softened or when the sealing resin is cured by the resin film force. Can be avoided from being bonded, and manufacturing can be facilitated.
  • the surface roughness of the release sheet on the resin film side is 0.01 m-1 O / zm. According to the above method, by setting the surface roughness of the release film on the resin film side to 0.01 m to 10 m, the surface roughness of the top surface of the sealing resin is also 0.01 ⁇ m to 10 m. And the recognition rate of printing on the top surface can be improved.
  • the mounting step may be a flip-chip bonding step of flip-chip bonding and mounting the plurality of electronic functional elements via bumps.
  • the bag has a multilayer structure having a thermoplastic resin layer in the innermost layer and a heat-resistant resin layer having heat resistance and gas nori- ity more than the thermoplastic resin layer in the outermost layer. It may be made. According to the above method, by adopting the multilayer structure in the bag, the heat sealability can be more reliably imparted to the bag.
  • each of the electronic functional elements and the resin film mounted on the mounting collective board are put in a gas-nolia bag and sealed.
  • the pressure reduction packing step and the resin film being infiltrated between the electronic function elements mounted on the mounting pack board packed with the pressure reduction by utilizing a pressure difference between the inside and outside of the bag, thereby obtaining the electronic functions.
  • the above method can reduce the generation of voids due to infiltration under reduced pressure, suppress the deterioration of durability such as deterioration of strength over time and characteristic deterioration due to moisture absorption, and reduce the pressure only in the bag. Therefore, the above-mentioned reduced pressure can be realized by a simple decompression device, and the conventional large-scale device for reducing the whole pressure can be omitted.
  • FIGS. 1A to 1E are process diagrams showing a method for manufacturing an electronic component as one embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of a SAW device as an electronic component used in an embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a schematic configuration diagram showing a vacuum packing step in the embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a schematic configuration diagram showing a curing step in the embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view showing one step of a method for manufacturing an electronic component according to another embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 is a graph showing the relationship between the surface roughness of the top surface of the sealing resin of the SAW device as an electronic component used in an embodiment of the present invention and the recognition rate in laser printing on the top surface. It is a graph which shows a relation result.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view showing another example of the electronic component used in the present invention.
  • FIG. 8 is a schematic configuration diagram showing another example of the infiltration step in the present invention.
  • FIG. 9 is a schematic configuration diagram showing still another example of the infiltration step in the present invention.
  • Figure 10 shows the relationship between the vibrating part of the sealing resin and the mounting board when the occupation ratio of the filler having a larger particle size than the gap between the SAW element and the mounting collective board in the total filler is changed.
  • FIG. 4 is a diagram showing a change in the amount of intrusion into the space of FIG.
  • the structure of a SAW element CSP manufactured by the method for manufacturing an electronic component of the present invention will be described.
  • the SAW element (electronic functional element) 2 is mounted on the mounting substrate 1 by flip chip bonding.
  • the SAW element is mounted so that the space 5 is secured so as not to hinder the vibration of the SAW element.
  • the mounting substrate 1 is made of, for example, alumina, glass epoxy, or the like having electrical insulation properties such as ceramic resin.
  • the mounting board 1 has, on the surface facing the SAW element 2, a land la as an electrode for connection with the SAW element 2, a via hole lb penetrating the mounting board 1 in the thickness direction, and the above-described via hole.
  • An external terminal lc which is electrically connected to the land la via the lb, is provided.
  • the SAW element 2 has at least one comb-shaped electrode portion on a piezoelectric substrate 2a as an electronic function portion, that is, a vibrating portion 2b.
  • the vibrating part 2b in the SAW element 2 is This is the area where the surface acoustic wave propagates.
  • the mounting board 1 and the SAW element 2 are connected to each other by being joined on the land la by the protruding electrode 3 formed on the SAW element 2 or the land la.
  • the bonding by the protruding electrodes 3 includes Au—Au bonding, solder bonding, and plating bump bonding.
  • the vibrating portion 2 b having the comb-shaped electrode portion is formed on the surface of the SAW element 2 facing the mounting board 1.
  • the vibrating portion 2 b faces a space 5 formed by the height of the protruding electrode 3. Therefore, the existence of the space 5 does not hinder the excitation propagation of the surface acoustic wave in the vibrating portion 2b! /.
  • the distance between the SAW element 2 and the mounting board 1 is set to about 19 m.
  • the above interval should not be particularly limited as long as it is set as required, but is preferably 5 / zm or more. If the value is less than the above, the surface of the SAW element 2 may come into contact with the mounting substrate 1 due to warpage or unevenness of the mounting substrate 1.
  • the protruding electrode 3 is connected to the SAW element 2, which electrically connects the SAW element 2 and the mounting board 1, and the SAW element 2 is mounted on the mounting board 1.
  • a protruding electrode for simply mechanically fixing the electrode may be provided.
  • a protruding electrode formed to maintain a space between the mounting board 1 and the SAW element 2 may be provided.
  • the SAW element 2 is covered and sealed by a sealing resin part 4.
  • the material of the sealing resin portion 4 is not particularly limited as long as it has a sealing property and an adhesive property. Examples thereof include thermosetting or thermoplastic resins such as epoxy, polyimide, polyolefin, silicone, and phenol. Resins can be used. In the present embodiment, an epoxy system is used! The curing temperature of the above epoxy resin is 150 ° C, but the curing temperature of the epoxy resin is approximately between 80 ° C and 200 ° C.
  • the material constituting the sealing resin portion 4 may contain a filler.
  • the filler is not particularly limited, but an appropriate inorganic filler commonly used in resin compositions can be used. Examples of such an inorganic filler include powders of metal oxides such as silica, alumina, magnesium, and calcium oxide. The shape of the filler may be spherical or irregular.
  • the filler has a maximum particle size that is larger than the gap between the SAW element 2 and the mounting substrate 11. It is preferable that the distance between adjacent SAW elements 2 is smaller than 1Z2 or less, more preferably 1Z4 or less, and the particle size is larger than the gap between the SAW element 2 and the mounting collective substrate 11. Occupancy is preferably 5% by weight or more with respect to all the fillers.
  • FIG. 10 and Table 1 show the relationship between the vibrating portion 2b and the mounting board 1 when the occupation ratio of the filler having a larger particle size than the gap is changed in manufacturing the surface acoustic wave device of the present embodiment.
  • the amount of intrusion is represented by the relative amount (%) of the amount of intrusion.
  • the relative amount (%) of the infiltration amount is defined as 100% of the infiltration amount of the sealing resin portion 4 into the space 5 when the occupancy power of the filler having a particle size larger than the gap is ⁇ wt%. It means the ratio of the amount of resin infiltrated into the space 5 with respect to the 100%.
  • the particle size is defined by the size of the sieve when each sieve of each size! / And each sieve of the eyes! / Is passed through the filter! In addition to the sieve, the particle size may be specified by a classifier (scattering by air or difference in sedimentation speed).
  • the manufacturing method includes at least a mounting step, an arranging step, a vacuum (decompression) packing step, a sealing step, and a dividing step, and performs the steps in this order.
  • a vibrating portion 2b, an electrode pad (not shown), and a wiring pattern for electrically connecting the two are formed on a piezoelectric substrate 2a by using a conductive metal, for example, aluminum-palladium.
  • a conductive metal for example, aluminum-palladium.
  • the mounting step is, as shown in FIG. 1 (a), a step of flip-chip bonding a plurality of SAW elements 2 on a mounting collective substrate 11 having external terminals lc (see FIG. 2).
  • this step for example, several hundreds of thousands of SAW elements 2 each having a force depending on the chip size of the SAW elements 2 are mounted on a mounting board 11 of 10 cm ⁇ 10 cm in a grid pattern.
  • the distance between the mounted SAW elements 2 adjacent to each other is set to 300 ⁇ m in a narrow area and about 800 m in a wide area. This interval can be changed as needed.
  • the resin film 12 is arranged on each SAW element 2 mounted on the mounting collective board 11.
  • the thickness of the resin film 12 is set to 250 m in the present embodiment.
  • the mounting assembly substrate 11, each of the mounted SAW elements 2 and the resin film 12 are put into a bag 13 for vacuum packing, and the inside of the bag 13 is reduced in pressure, for example, to 500 Pa. After that, degas and seal with heat seal.
  • the shape of the bag 13 may be a substantially rectangular bag having an opening at one end, and the thickness of the bag 13 is about 80 m.
  • the bag 13 may be any bag that has at least flexibility, gas nobility, and heat sealability and can accommodate the mounted assembly board 11 and the like.
  • gas barrier properties gas barrier properties
  • heat resistance The outer layer is made of a polyester film that excels in heat-sealing and curing temperatures, for example, heat resistance of about 180 ° C to 250 ° C, and the inner layer is a heat-sealing polyethylene film (sealant layer). Having a multilayer structure.
  • the temperature of the heat-sealing heater 15 described later for heat sealing is set at about 150 ° C. to about 200 ° C. in the present embodiment, as long as the temperature does not exceed the melting temperature of the inner layer. It has been. It should be noted that instead of the above heat sealing property, a material that can maintain the sealing, that is, the sealing property, may be used by fastening with a clip or the like.
  • an aluminum layer may be provided as an intermediate layer for improving gas barrier properties.
  • Other examples of the material for the outer layer include polyimide-polyamide having excellent heat resistance.
  • Another example of the material for the inner layer is a propylene-based material having heat sealability.
  • the package 13 containing the mounting collective substrate 11, the respective SAW elements 2, and the resin film 12 is placed on the mounting table 14 in the sealed container 10.
  • the inside of the bag 13 is evacuated so that the inside of the closed container 10 is evacuated (500 Pa or less) by a vacuum pump, and the vicinity of the opening of the bag 13 is heat-sealed from both sides with a heater (heat sealer) 15.
  • the opening is closed by fusing.
  • the above-mentioned vacuum state (under reduced pressure) may be a pressure lower than the pressure applied under pressure or under reduced pressure in the curing step described later, but is preferably 500 Pa or less.
  • a method of airtightly inserting a metal pipe connected to a vacuum pump into the opening of the bag 13 and degassing the inside of the bag 13 can be mentioned.
  • the portions of the openings facing each other are also in close contact with each other, and while the metal pipe is being pulled out in this state, the vicinity of the openings is fused by a heat sealing heater (heat sealer) 15. Let's close the opening.
  • the sealing step includes an infiltration step and a curing step.
  • the resin film 12 is heated together with the bag 13; for example, less than the curing temperature of the resin film 12, and in this embodiment, less than 150 ° C., 100 ° C. C Soften by heating to 140 ° C.
  • the softened resin film 12 is pressed between the SAW elements 2 mounted on the mounting collective substrate 11 vacuum-packed by the bag 13 due to the pressure difference between the inside and the outside of the bag 13. By invading. As a result, each SAW element 2 is covered and sealed by the sealing resin precursor 4a from the resin film 12.
  • the top surface of the resin film 12 is kept substantially parallel to the mounting collective substrate 11 by the tension of the bag 13 and becomes substantially flat when the infiltration is completed.
  • the curing temperature of the sealing resin precursor 4a from each of the SAW elements 2, the mounting collective substrate 11, and the resin film 12 is increased to 150 ° C. in the present embodiment. It is heated to cure the sealing resin precursor 4a. As a result, as shown in FIG. 1 (d), a sealing resin portion 4 covering each SAW element 2 is formed.
  • the mounting assembly substrate 11, each SAW element 2, and the sealing resin precursor 4 a vacuum-packed by the bag 13 are combined with the internal space 16 a of the sealed container 16. Placed inside.
  • a pressure to the bag 13 by the pressure medium 17 pressure-controlled by the pressure control unit 18 in the internal space 16a because uniform pressure can be applied.
  • the pressure medium include air, water, and oil.
  • the pressure control may be performed by any method as long as an appropriate pressure can be applied to the bag 13 under vacuum.
  • the pressure adjustment may be pressurization at a higher pressure or atmospheric pressure at a lower pressure than the atmospheric pressure.
  • the space between the SAW element 2 and the mounting collective substrate 11 is formed by using high-viscosity resin. If it is desired that the sealing resin part 4 also penetrates, the pressure applied to the sealing resin precursor 4a via the bag 13 may be controlled by adjusting the surrounding pressure during curing. Since such pressure control can be performed, the allowable range for the property and shape of the sealing resin portion 4 is widened. The shape and dimensions of the space 5 are easy to manage.
  • the sealing resin portion 4 cured in such a curing step a concave portion of about several meters is formed at a boundary portion between the SAW elements 2 adjacent to each other.
  • the recess does not particularly hinder the cutting in the dividing step described later.
  • the occurrence of the recess In order to avoid this, the thickness of the resin film 12 to be used should be increased.
  • each SAW element 2 resin-sealed by the sealing resin part 4 is taken out of the bag 13 and, as shown in FIG.
  • Each element 2 is divided along the virtual dividing line 9 by an appropriate method such as a dicing method or a cut-break.
  • the mounting aggregate substrate 11 on which each SAW element 2 is mounted and the resin film 12 are overlapped with each other, and these are vacuum-packed with the bag 13. Then, each SAW element 2 is sealed, and then the soft resin film 12 is cured. As a result, the air inside the bag 13 is exhausted, so that a laminate type CSP type SAW device that does not generate voids can be obtained.
  • the only devices used are a simple vacuum packing machine and a small heating furnace. Therefore, while avoiding the generation of voids, SAW devices of several hundreds and thousands can be collectively and inexpensively manufactured using one mounting collective board 11.
  • the resin film 12 When a resin having a small filler particle diameter and a low elasticity is used as the resin film 12, the resin also penetrates into the gap between the SAW element 2 and the mounting collective substrate 11. be able to
  • a gap between the mounting collective board 11 and the SAW element 2 is required. It is preferable to use a resin film 12 having a larger maximum filler particle size and a high elasticity when softening. Thereby, the space portion 5 can be reliably formed between the mounting collective substrate 11 and the SAW element 2. Also, by appropriately setting the thickness of the resin film 12 to be used, the product thickness of the obtained SAW device can be controlled.
  • the productivity can be improved and the sealing can be performed at low cost with a simple vacuum device and a simple construction method, and the entire surface of the bag 13 can be uniformly pressed using the atmospheric pressure. Therefore, according to the above-described manufacturing method, it is less susceptible to the thickness variation of the mounting collective substrate 11 and the SAW element 2 as compared with the mouth opening method and the pressing method.
  • the entire SAW element 2 can be covered with the sealing resin portion 4, and a sufficient sealing width can be obtained. Therefore, as compared with the case where a thin film is used, in the above-described manufacturing method, the sealing property can be improved, and the surface area of the mounting substrate 1 and the surface area of the top surface of the sealing resin portion 4 can be made substantially equal to each other. Therefore, it is easy to secure the mountability of the obtained SAW device.
  • the release sheet 19 may be attached to one entire surface of the resin film 12, that is, the entire outer surface.
  • the release sheet 19 is made of a material having heat resistance equal to or higher than that of the outer layer of the bag 13 and having a low affinity for the inner layer of the bag 13 and the sealing resin 4, that is, low adhesiveness. Anything should do.
  • PET polyethylene terephthalate
  • the like can be mentioned.
  • the release sheet 19 is peeled off. Accordingly, it is possible to prevent adhesion of dirt such as dust on the surface of the sealing resin portion 4 during the curing process and to prevent the occurrence of irregularities, and to prevent the inner layer of the bag 13 from sealing even when heated at the curing temperature. It is possible to prevent the oil portion 4 from adhering to each other. Therefore, the manufacturing process can be simplified.
  • the surface roughness of the release film 19 on the resin film 12 side is transferred to the surface of the sealing resin portion 4 from the resin film 12, and the surface of the sealing resin portion 4 in a good surface state is formed. Since the top surface of the package is obtained, good laser printing without performing pre-processing can be performed on the top surface of the package.
  • the relationship between the surface roughness (m) of the package top surface of the sealing resin part 4 and the recognition rate (%) in laser printing was examined by changing the surface roughness in various ways.
  • the results shown in Fig. 6 were obtained.
  • the surface roughness is a value measured using a non-contact three-dimensional surface roughness meter. From this result, the surface roughness of the release film 19 on the resin film 12 side was 0.01 m to 10 m. It can be seen that the range is preferred.
  • electronic components such as the SAW element 2 and the semiconductor element 22 may be face-down bonded onto the mounting substrate 1 or the package, and the periphery may be sealed with a sealing resin part.
  • the printing may not be clear due to unevenness or dirt on the surface of the sealing resin part 4.
  • a countermeasure a method has been used in which a resin for printing having further coloring properties is applied onto a sealing resin portion and then laser printing is performed. As a result, there is a problem that the number of processes is increased and the cost is increased.
  • each SAW element 2 face-down bonded on the mounting collective substrate 11 is covered with a resin film 12, and a release sheet 19 is further placed on the resin film 12. Then, the resin film 12 may be softened and cured. Thereby, it is possible to prevent irregularities and dirt on the surface (top surface) of the sealing resin portion 4 from the resin film 12 which occurs during curing.
  • the force using the example of the SAW element is not limited to the above.
  • the SAW element 2 for example, as shown in FIG. May be used.
  • the space 5 shown in FIG. 2 does not need to be secured, so that the space 5 may be filled with the sealing resin portion 4 as an underfill material.
  • heating / pressing rollers 26, 26 may be used. That is, the resin film 12 is placed on each SAW element 2 mounted on the mounting substrate 11 via the protruding electrodes 3, and the resin film 12 is placed on the flat plate 24, The bag 13 is transported together with the flat plate 24 between the two heating / pressing rollers 26, 26 to perform an infiltration step.
  • the pressure may be applied by fitting the bag 13 into the press frame 28c of the press machine 28.
  • the bag 13 containing the mounting assembly board 11, the respective SAW elements 2 and the resin film 12 is placed on the lower table 28b of the press machine 28,
  • the resin film 12 is buried by pressing the resin film 12 from above by lowering the upper press 28a with a jig such as a press frame 28c attached to the lower surface of the upper press 28a.
  • a bag 13 as an adhesive film is formed around the mount collective substrate 11. Spacers may be placed to form air gaps and provide air holes (air passages)
  • An air hole may be provided in a part of the mounting collective substrate 11 side or in a part of the heat-softened adhesive resin film 12.
  • the air hole may be opened somewhere in the space formed between the resin film 12 and the mounting collective substrate 11 in order to ensure the adhesion by the atmospheric pressure after the vacuum packing process.
  • the inside of the bag 13 may be further degassed after being replaced with an inert gas such as dry nitrogen.
  • an inert gas such as dry nitrogen.
  • heat fusion is preferred, but any method can be used as long as it can block the surrounding air, such as pressure bonding with an adhesive device.
  • the degree of vacuum at the time of evacuation is adjusted so as to minimize the amount of penetration of the sealing resin portion 4, and an appropriate residual amount is formed. Sealing may be performed with care.
  • the degree of vacuum at this time varies depending on the volume of the space 5 to be formed and the shape of the product, but lOOPa—500Pa is preferred! / ⁇ .

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Abstract

　樹脂封止部分におけるボイドの発生及び経時的な特性劣化が生じ難く、低コスト化され得る電子部品の製造方法を提供する。 　実装集合基板１１上に実装された各ＳＡＷ素子２と樹脂フィルム１２とを、ガスバリア性を備えた袋１３の中に入れ、密封する減圧パック工程を設ける。減圧パックされた実装集合基板１１上に実装された各ＳＡＷ素子２間に樹脂フィルム１２を袋１３の内外の圧力差に基づき浸入させることにより、ＳＡＷ素子２を樹脂フィルム１２由来の封止樹脂部４によって封止する封止工程を設ける。

Description

明 細 書
電子部品の製造方法
技術分野
[0001] 本発明は、チップサイズパッケージ (CSP)の内、 SAW素子等の電子機能素子を 基板に対してボンディングした上に榭脂フィルムをヒートプレスにより埋め込むラミネ ート方式 CSPの電子部品の製造方法に関するものである。
背景技術
[0002] 従来、弾性表面波フィルタ（SAW)のノ ッケージの小型化及び低背化を図るために 、各種構造のチップサイズパッケージ（CSP)の開発が行われている。上記 SAWの C SPでは、フィルタの振動部分の周囲に空間を形成した状態で、榭脂封止する必要が ある。
[0003] このような榭脂封止パッケージの製造方法としては、ヒートプレス法が知られている 。上記ヒートプレス法による封止技術力、特許文献 1及び特許文献 2に開示されてい る。これら特許文献 1及び特許文献 2においては、実装基板と、上記実装基板に取り 付けられる SAW素子との間に振動空間を形成するように、上記実装基板に対し SA W素子をフリップチップボンディングにより実装し、ヒートプレス法による榭脂封止が施 されている。
特許文献 1：特開 2003— 17979号公報
特許文献 2 :特開 2003— 32061号公報
発明の開示
[0004] し力しながら、ヒートプレス法による封止では、空気中で封止を行うと気泡嚙み込み によるボイドが発生し、封止状態が不安定ィ匕しがちであった。例えば、はんだのリフロ 一時の熱安定性の悪化や、経時的な吸湿によって、内部の SAW素子の経時的な特 性劣化を生じ易くなることがあった。また、真空中で封止を行うと、ボイドの発生を防 止できるものの、全体を真空に設定するための大掛力りな設備が必要であった。
[0005] 本発明の目的は、簡素な設備にて製造することができ、ボイドの発生及び経時的な 特性劣化が生じ難い電子部品の製造方法を提供することである。 [0006] 本発明の電子部品の製造方法は、以上の課題を解決するために、基板と、該基板 に設けられた電子機能部とを有する複数の電子機能素子を実装集合基板上にそれ ぞれ実装する実装工程と、前記実装集合基板に実装された各電子機能素子上に榭 脂フィルムを配置する配置工程と、前記実装集合基板上に実装された各電子機能素 子と前記榭脂フィルムとを、ガスノリア性を備えた袋の中に入れ、内部を減圧して密 封する減圧パック工程と、前記減圧パックされた実装集合基板上に実装された各電 子機能素子間に前記榭脂フィルムを浸入させることにより、前記各電子機能素子を 榭脂フィルム由来の封止榭脂部によって封止する封止工程と、前記榭脂封止された 各電子機能素子を備えた前記実装集合基板を電子機能素子毎に分割する分割ェ 程とを有することを特徴とする。
[0007] 上記方法によれば、減圧下の袋内にて、各電子機能素子を榭脂フィルム由来の封 止榭脂部によって封止するので、空気の混入に起因する封止榭脂内のボイドの発生 を低減できて、経時的な強度劣化や吸湿による特性劣化と!/、つた耐久性劣化を抑制 できる。
[0008] また、上記方法では、袋の中だけを減圧すればよ!、ので、簡素な減圧装置により減 圧し得る。従って、全体を減圧するための従来の大が力りな装置を省くことができ、低 コストィ匕が可能となる。
[0009] 上記製造方法では、前記封止工程は、前記榭脂フィルムを各電子機能素子間に 浸入させて、上記榭脂フィルムから形成された封止榭脂部前駆体によりそれぞれ覆 われた各電子機能素子と実装集合基板とを加熱し、上記封止榭脂部前駆体を硬化 させて前記封止榭脂部を得る硬化工程を有し、前記硬化工程は、圧力が制御された 密封空間で加熱する工程を備えて 、てもよ 、。
[0010] 上記方法によれば、硬化工程を、圧力が制御された密封空間で加熱することで行う ことにより、封止榭脂の浸入量を制御できて、上記浸入量を調節できる。
[0011] 上記製造方法においては、前記電子機能素子は、前記電子機能部としての振動 部分を圧電基板上に有する弾性表面波素子であってもよい。上記製造方法では、前 記実装工程は、前記振動部分が、実装集合基板との間に空間部を備えて、上記実 装集合基板と対向するように配置されて 、ることが好ま 、。 [0012] 上記方法は、振動部分の面した部分に必要な空間部を、封止榭脂の浸入量を調 節することで確保できて、弾性表面波装置の製造に好適なものにできる。
[0013] 上記製造方法にお!、ては、前記榭脂フィルムは、フィラーを含有し、上記フィラーの 粒径分布において、最大粒径が電子機能素子と実装集合基板との隙間より大きぐ かつ電子機能素子と実装集合基板の隙間より粒径が大きいフィラーの占有率がフィ ラー全体に対し 5重量％以上であることが好ましい。
[0014] 上記方法によれば、フィラーを上記のように設定することで、封止榭脂の浸入量を 調節できて、例えば、振動部分の面した部分に必要な空間部を確保できて、弾性表 面波装置の製造に好適なものにできる。
[0015] 上記製造方法では、前記封止工程は、さらに、榭脂フィルムを加熱して軟ィ匕させる と共にローラー又はプレスにより上記榭脂フィルムを加圧する熱圧着工程を有してい てもよい。上記方法によれば、ローラーにより加圧することによって、榭脂フィルムによ る封止を迅速化できる。
[0016] 上記製造方法においては、前記配置工程は、前記榭脂フィルムの一方の面に離型 シートを貼る工程と、電子機能素子が実装された実装集合基板上に上記榭脂フィル ムを離型シート側が外側になるように配置する工程とを有して 、てもよ!/、。
[0017] 上記方法によれば、離型シートを配置したので、榭脂フィルムの軟ィ匕時や、上記榭 脂フィルム力 の封止榭脂の硬化時の加熱により、封止榭脂と袋とが接着することを 回避できて、製造を容易化できる。
[0018] 上記製造方法では、前記離型シートの榭脂フィルム側の表面粗さが 0. 01 m— 1 O /z mであることが望ましい。上記方法によれば、離型シートの榭脂フィルム側の表面 粗さが 0. 01 m— 10 mとすることで、封止榭脂の天面の表面粗さも 0. 01 μ m— 10 mとすることができて、その天面に対する印字の認識率を向上できる。
[0019] 上記製造方法では、前記実装工程は、複数の前記電子機能素子を、バンプを介し てフリップチップボンディング実装するフリップチップボンディング工程であってもよい
[0020] 上記製造方法においては、前記袋は、最内層に熱可塑性榭脂層、最外層に上記 熱可塑性榭脂層より耐熱性及びガスノ リア性を備えた耐熱性榭脂層を有する多層構 造であってもよい。上記方法によれば、袋に上記多層構造を採用することによって、 ヒートシール性を上記袋に対してより確実に付与できる。
[0021] 本発明の電子部品の製造方法は、以上のように、実装集合基板上に実装された各 電子機能素子と榭脂フィルムとを、ガスノリア性を備えた袋の中に入れ、密封する減 圧パック工程と、前記減圧パックされた実装集合基板上に実装された各電子機能素 子間に前記榭脂フィルムを袋の内外の圧力差を利用して浸入させることにより、前記 各電子機能素子を榭脂フィルム力 の封止榭脂部によって封止する封止工程とを有 する方法である。
[0022] それゆえ、上記方法は、減圧下での浸入によりボイドの発生を低減できて、経時的 な強度劣化や吸湿による特性劣化といった耐久性劣化を抑制できると共に、袋の中 だけを減圧下とすればよいので、簡素な減圧装置により上記減圧下を実現できて、 全体を減圧下とする従来の大が力りな装置を省くことができ、低コストィ匕が可能となる という効果を奏する。
図面の簡単な説明
[0023] [図 1]図 1は、（a)—（e)は、本発明の一実施形態としての電子部品の製造方法を示 す各工程図である。
[図 2]図 2は、本発明の実施形態で用いられる電子部品としての SAW装置の断面図 である。
[図 3]図 3は、本発明の実施形態における真空パック工程を示す概略構成図である。
[図 4]図 4は、本発明の実施形態における硬化工程を示す概略構成図である。
[図 5]図 5は、本発明の他の実施形態における電子部品の製造方法の一工程を示す 断面図である。
[図 6]図 6は、本発明の一実施形態で用いられる電子部品としての SAW装置の封止 榭脂の天面の表面粗度と、その天面へのレーザー印字での認識率との関係結果を 示すグラフである。
[図 7]図 7は、本発明で用いられる電子部品の他の例を示す断面図である。
[図 8]図 8は、本発明における浸入工程の他の例を示す概略構成図である。
[図 9]図 9は、本発明における浸入工程のさらに他の例を示す概略構成図である。 [図 10]図 10は、 SAW素子と実装集合基板との隙間よりも粒径が大きいフィラーの全 フィラーに占める占有率を変化させた場合の封止榭脂の振動部分と実装基板との間 の空間への浸入量の変化を示す図である。
符号の説明
[0024] 1…実装基板
2· SAW素子 (電子部品）
3…突起状電極
4…封止榭脂部
4a…封止榭脂前躯体
9…仮想分断線
11…実装集合基板
12· ··榭脂フィルム
13…袋
発明を実施するための最良の形態
[0025] 本発明の実施の各形態について図 1ないし図 9に基づいて説明すれば、以下の通 りである。
[0026] まず、本発明の電子部品の製造方法により製造される、 SAW素子 CSPの構造に ついて説明する。図 2に示すように、 SAW素子 CSPでは、実装基板 1上に SAW素 子 (電子機能素子） 2がフリップチップボンディングにより実装されている。この場合、 SAW素子の振動を妨げないために、空間部 5が確保されるように、 SAW素子が実 装されている。
[0027] 上記実装基板 1は、例えば、アルミナ、ガラスエポキシなど、セラミックゃ榭脂等の電 気絶縁性を備えたものから構成されている。実装基板 1には、 SAW素子 2に面した 面上に、 SAW素子 2との接続のための、電極であるランド laと、実装基板 1を厚さ方 向に貫通するビアホール lbと、上記ビアホール lbを介して上記ランド laと電気的に 接続されて ヽる外部端子 lcとが設けられて ヽる。
[0028] 上記 SAW素子 2は、圧電基板 2a上に少なくとも 1つのくし型電極部を電子機能部 すなわち振動部分 2bとして備えている。 SAW素子 2における上記振動部分 2bは、 弾性表面波が伝搬する領域である。上記実装基板 1と SAW素子 2とは、 SAW素子 2 又はランド laに形成されている突起状電極 3によりランド la上にて接合されることによ つて、互いに接続されている。突起状電極 3による接合としては、 Au— Au接合、はん だ接合、めっきバンプ接合などが挙げられる。
[0029] また、くし型電極部を備えた振動部分 2bは、 SAW素子 2の上記実装基板 1と対向 する面に形成されている。振動部分 2bは、突起状電極 3の高さによって形成されて いる空間部 5に面している。従って、空間部 5の存在により、上記振動部分 2bにおけ る弾性表面波の励振伝搬は妨げられな！/、。
[0030] このとき、 SAW素子 2と実装基板 1との間隔は 19 m程度に設定されている。上記 間隔については、必要に応じて設定されていればよぐ特に限定的に解釈されるべき ものではないが、 5 /z m以上が好ましい。 未満では、実装基板 1の反りや凹凸な どにより、 SAW素子 2の表面と実装基板 1とが接触するおそれがある。
[0031] また、上記突起状電極 3は、上記のように、 SAW素子 2と実装基板 1とを電気的に 接続していた力 該突起状電極 3に加えて、 SAW素子 2を実装基板 1に対して単に 機械的に固着するための突起状電極を設けてもよい。さらに、実装基板 1と SAW素 子 2との間隔を保っために形成されて!、る突起状電極が設けられて 、てもよ 、。
[0032] 上記 SAW素子 CSPでは、上記 SAW素子 2は、封止榭脂部 4に覆われて、封止さ れている。上記封止榭脂部 4の素材としては、封止性及び接着性を有する限り特に 限定されないが、例えば、エポキシ系、ポリイミド系、ポリオレフイン系、シリコーン系、 フエノール系などの熱硬化性もしくは熱可塑性榭脂を用いることができる。本実施の 形態ではエポキシ系が用いられて!/、る。上記エポキシ系榭脂の硬化温度は 150°Cで あるが、エポキシ系榭脂であれば、硬化温度は大体 80°C— 200°Cの間である。
[0033] さらに、上記封止榭脂部 4を構成する材料は、フィラーを含有して 、てもよ 、。上記 フイラ一としては、特に限定されないが、榭脂組成物に慣用されている適宜の無機充 填剤を用いることができる。このような無機充填剤としては、シリカ、アルミナ、マグネ シァ、酸化カルシウム等の金属酸化物の粉末が挙げられる。フィラーの形状は、球形 でもよぐ不定形でもよい。
[0034] フイラ一は、その最大粒径が SAW素子 2と実装集合基板 11との隙間より大きぐ互 いに隣り合う各 SAW素子 2の間隔の小さい方の 1Z2以下、より好ましくは 1Z4以下 であることが好ましぐかつ、 SAW素子 2と実装集合基板 11との隙間より粒径が大き ぃフイラ一の占有率が全フイラ一に対し 5重量％以上であることが好ましい。
[0035] フィラーの粒径が上記好ましい特定の範囲にあるときには、上記振動部分 2bと実装 基板 1との間の空間部 5、特に振動部分 2bに面した領域には、上記封止榭脂部 4の 浸入が上記フィラーによって阻止つまり制御されて隙間が確保される。従って、圧電 基板 2a上の振動部分 2bにお 、て弾性表面波を確実に伝搬させることができる。これ を、図 10及び表 1を参照してより具体的な実験結果に基づき説明する。図 10及び表 1は、本実施形態の弾性表面波装置の製造に際し、上記隙間よりも粒径が大きいフィ ラーの占有率を変化させた場合の、振動部分 2bと実装基板 1との間の空間部を、特 に振動部分 2bに面した領域への封止榭脂部 4の浸入量の変化を示す。なお、図 10 では、浸入量は浸入量の相対量（％)で表している。この浸入量の相対量（％)とは、 隙間よりも粒径が大きいフィラーの占有率力^重量％である場合の上記空間部 5への 封止榭脂部 4の浸入量を 100%とし、該 100%に対する空間部 5への榭脂浸入量の 割合をいうものとする。
[0036] [表 1]
Figure imgf000009_0001
図 10及び表 1から明らかなように、隙間より粒径が大きいフィラーの占有率が全フイラ 一に対し 5重量％以上とされている場合には、空間部 5への封止榭脂部 4の浸入量 を抑制し得ることがわかる。 粒径は、各サイズのふる!/、目の各ふる!/、をフイラ一を通過させたときのふる!/、目の サイズにより規定されている。ふるい以外に分級機 (エアーによる飛散や、沈降速度 の違い）によって粒径を規定してもよい。
[0038] 次に、本実施の形態に力かる弾性表面波装置 (電子部品）の製造方法を、図 1 (a) ないし (e)、並びに図 2ないし図 4に基づき説明する。まず、上記製造方法は、実装 工程と、配置工程と、真空 (減圧)パック工程と、封止工程と、分割工程とを少なくとも 有し、この順にて実施する方法である。
[0039] まず、上記製造方法においては、圧電基板 2a上に振動部分 2bや電極パッド（図示 せず)や上記両者を電気的に接続する配線パターンを、導電性金属、例えばアルミ -ゥムを用いたリソグラフィ一法により形成して SAW素子 2を得る工程力 前工程とし て設けられている。
[0040] 上記前工程の次に、実装工程が行われる。実装工程は、図 1 (a)に示すように、外 部端子 lc (図 2参照）を有する実装集合基板 11上に、複数の SAW素子 2をフリップ チップボンディングする工程である。この工程では、例えば、 10cm X 10cmの実装 集合基板 11上に、 SAW素子 2のチップサイズにもよる力 数百力 数千個の各 SA W素子 2が、碁盤の目状に実装されている。実装されて互いに隣り合う各 SAW素子 2の間隔は、本実施の形態では、狭いところで 300 μ m、広いところで 800 mくらい に設定されている。この間隔は、必要に応じて変更可能である。
[0041] 次に、配置工程において、実装集合基板 11に実装された各 SAW素子 2上に榭脂 フィルム 12を配置する。榭脂フィルム 12の厚みは、本実施の形態においては、 250 mに設定されている。
[0042] 次に、真空パック工程において、実装集合基板 11と実装された各 SAW素子 2と榭 脂フィルム 12とを、真空パック用の袋 13に入れ、袋 13の中を減圧下、例えば 500Pa 以下、にて脱気し、ヒートシールにて密封する。上記袋 13の形状としては、一端部に 開口部を形成した略長方形袋状のものが挙げられ、その袋 13の厚みは 80 m程度 である。
[0043] 上記袋 13としては、柔軟性と、ガスノリア性とヒートシール性とを少なくとも備え、実 装集合基板 11等を収納できるものであればよい。例えばガスバリア性や耐熱性、ヒ ートシール時や硬化時の温度に耐える、例えば 180°C— 250°C程度の耐熱性、に優 れたポリエステル系フィルムを外層とし、ヒートシール性を備えたポリエチレン系フィル ムを内層（シーラント層）とした多層構造のものが挙げられる。
[0044] よって、ヒートシールのための、後述の熱融着用ヒーター 15の温度は、上記内層の 溶融温度を超えていればよぐ本実施の形態では、 150°C— 200°C程度に設定され ている。なお、上記ヒートシール性に代えて、クリップ等でとめることでシールすなわち 密封性を保持できるものでもよ 、。
[0045] また、上記多層構造においては、中間層にアルミ層をガスバリア性向上のために設 けてもよい。上記外層用の材料の他の例としては、耐熱性に優れたポリイミドゃポリア ミドが挙げられる。上記内層用材料の他の例としては、ヒートシール性を備えたポリプ ロピレン系が挙げられる。
[0046] 上記密封に際しては、図 3に示すように、実装集合基板 11、各 SAW素子 2、及び 榭脂フィルム 12を入れた袋 13を、密閉容器 10内の載置台 14上に置く。真空ポンプ により上記密閉容器 10内を真空状態（500Pa以下）とするように、袋 13内を脱気し、 上記袋 13の開口部の近傍を両側から熱融着用ヒーター（ヒートシ一ラー） 15により融 着して上記開口部を閉じる。上記真空状態 (減圧下）とは、後述の硬化工程での、加 圧又は減圧下での圧力より小さい圧力であればよいが、 500Pa以下が好ましい。
[0047] この閉じられた袋 13を、密閉容器 10から大気圧中に取り出すと、上記袋 13は、図 1 (b)に示すように、実装集合基板 11、各 SAW素子 2、及び榭脂フィルム 12の外側 に圧力差により密着した状態となる。
[0048] なお、上記密封法以外の方法として、真空ポンプに接続された金属パイプを袋 13 の開口部内に気密的に差し込み、袋 13内を脱気する方法が挙げられる。この場合 には、上記開口部の互いに対面する部分も互いに密着し、その状態で上記金属パイ プを引き抜きながら、上記開口部の近傍を熱融着用ヒーター (ヒートシ一ラー） 15によ り融着させて上記開口部を閉じればょ 、。
[0049] 続いて、前記封止工程を行うが、封止工程は、浸入工程と硬化工程とを備えている 。上記浸入工程では、図 1 (c)に示すように、袋 13ごと榭脂フィルム 12を加熱、例え ば榭脂フィルム 12の硬化温度未満、本実施の形態では 150°C未満である、 100°C 一 140°C、に加熱することにより軟化させる。
[0050] これによつて、袋 13により真空パックされた実装集合基板 11上に実装された各 SA W素子 2間に、軟ィ匕した榭脂フィルム 12が袋 13の内外の圧力差による押圧によって 浸入する。その結果、各 SAW素子 2が、榭脂フィルム 12からの封止榭脂前躯体 4a によって覆われ、封止される。
[0051] このとき、榭脂フィルム 12の天面は、袋 13の張力によって実装集合基板 11に対し てほぼ平行に保たれ、浸入が完了した時には略平面となる。
[0052] 次に、硬化工程において、各 SAW素子 2と実装集合基板 11と力 榭脂フィルム 12 からの封止榭脂前躯体 4aの硬化温度、本実施の形態では 150°C、に、さらに加熱さ れ、封止榭脂前躯体 4aが硬化される。その結果、図 1 (d)に示すように、各 SAW素 子 2をそれぞれ覆う封止榭脂部 4が形成される。
[0053] 上記硬化工程においては、図 4に示すように、袋 13により真空パックされた実装集 合基板 11、各 SAW素子 2及び封止榭脂前躯体 4aを、密閉容器 16の内部空間 16a 内に載置する。ここでは、その内部空間 16aに圧力制御部 18により圧力制御された 圧力媒体 17によって上記袋 13に対して圧力を印加することが均一な圧力印加が可 能なため好ましい。圧力媒体としては、空気、水、油などが挙げられる。上記圧力制 御は、真空下の上記袋 13に対して適切な圧力を印加できれば、どのような方法で行 われてもよい。圧力調整は、大気圧に対して、圧力が高い加圧であっても、圧力が低 い減圧であってもよい。
[0054] 上記硬化工程によれば、 SAW素子 2の下に確実に空間部 5を形成する場合、もし くは高粘度の榭脂を使用して、 SAW素子 2と実装集合基板 11との間にも封止榭脂 部 4を浸入させたい場合、硬化時の周囲の圧力を調整することにより、袋 13を介して 封止榭脂前躯体 4aにかかる圧力を制御すればよ、。このような圧力制御が行われ得 るので、封止榭脂部 4の性状や形状に対する許容範囲が広くなる。空間部 5の形状 や寸法も管理しやすい。
[0055] このような硬化工程にて硬化した封止榭脂部 4では、互いに隣り合う各 SAW素子 2 の間の境界線部分において、数 m程度の凹部を生じる。もっとも、上記凹部は後 述の分割工程での分断に際して、特に支障となるものではない。上記凹部の発生を 回避する場合には、用いる榭脂フィルム 12の厚さを大きくすればょ 、。
[0056] その後、前述の分割工程では、封止榭脂部 4によって榭脂封止された各 SAW素子 2を袋 13から取り出し、図 1 (e)に示すように、実装集合基板 11を SAW素子 2毎に仮 想分断線 9に沿って、例えばダイシング法、カット'ブレイクなど適当な方法により分割 する。
[0057] 以上のように、本発明の製造方法では、各 SAW素子 2を実装した実装集合基板 1 1と榭脂フィルム 12とを互いに重ね、これらに対し、袋 13により真空パックを行うことで 、各 SAW素子 2を封止し、次に、軟ィ匕している榭脂フィルム 12を硬化させる。これに より、袋 13の内部の空気は排出されているため、ボイドの発生しないラミネート方式 C SP型の SAW装置が得られる。
[0058] 上記製造方法においては、用いる装置は、簡素な真空パック機と小型の加熱炉だ けである。よって、ボイドの発生を回避しながら、 1枚の実装集合基板 11を用いて、数 百力 数千の SAW装置を一括して安価に製造できる。
[0059] なお、榭脂フィルム 12として、フィラー粒径が小さぐ榭脂が低弾性なものを使用す ると、 SAW素子 2と実装集合基板 11との間の隙間にも榭脂を浸入させることができる
[0060] また、 SAWフィルタを含む SAW装置のように、実装集合基板 11と SAW素子 2との 間に振動空間を必要とする場合には、実装集合基板 11と SAW素子 2との間の隙間 よりも最大フィラー粒径が大きぐかつ軟ィ匕時に高弾性の榭脂フィルム 12を使用する ことが好ましい。それによつて、実装集合基板 11と SAW素子 2との間に空間部 5を確 実に形成することができる。また、使用する榭脂フィルム 12の厚みを適切に設定する ことにより、得られた SAW装置の製品厚みは制御可能である。
[0061] 以下に、本実施の形態に係る製造方法の効果を説明する。
[0062] 上記製造方法では、簡単な真空装置並びにシンプルな工法で生産性が良く安価 に封止できると共に、大気圧を用いて、袋 13の全面を均一に押圧できる。従って、口 一ラー工法やプレス工法に比べ、上記製造方法によれば、実装集合基板 11や SA W素子 2の厚みばらつきの影響を受けにくい。
[0063] さらに、上記製造方法においては、真空引きのための穴を多数形成する必要が無 いため、小型化が可能であり、また、大気圧によりゆっくりと榭脂フィルム 12からの封 止榭脂前躯体 4aを各 SAW素子 2の間に押し込むため、必要以上に温度や圧力が 製品となる各 SAW素子 2にかからない。このため、各 SAW素子 2の間の焦電破壊や 突起状電極 3の部分の導通不良、各 SAW素子 2の間の欠けなどを防ぐことができる
[0064] その上、上記製造方法では、各 SAW素子 2の全体を封止榭脂部 4で覆うことがで き、封止幅が十分取れる。従って、薄いフィルムを用いる場合に比べて、上記製造方 法では、封止性を向上できると共に、実装基板 1の表面積と、封止榭脂部 4の天面の 表面積とを互いにほぼ等しくできる。よって、得られた SAW装置の実装性を確保しや すい。
[0065] 次に、本発明の製造方法に係る他の実施形態を説明する。前記配置工程におい て、榭脂フィルム 12の一方の全面、すなわち外側の表面全体、に離型シート 19を貼 りつけてもよい。離型シート 19は、その材質としては、袋 13の外層と同程度以上の耐 熱性を備え、袋 13の内層や封止榭脂部 4との親和性が小さい、すなわち接着性が小 さい、ものであればよい。例えば PET (ポリエチレンテレフタレート）等が挙げられる。
[0066] この場合は、図 5に示すように、榭脂フィルム 12を軟ィ匕させ硬化して封止榭脂部 4を 形成した後、離型シート 19が剥離される。従って、硬化処理時の封止榭脂部 4の表 面へのゴミなどの汚れの付着や凹凸の発生を防ぐことができると共に、硬化温度の加 熱されても袋 13の内層と封止榭脂部 4とが互いに接着することを防止できる。よって 、製造工程を簡略化できる。
[0067] また、離型シート 19の榭脂フィルム 12側の表面粗さが榭脂フィルム 12からの封止 榭脂部 4の表面に転写され、良好な表面状態の封止榭脂部 4のパッケージ天面が得 られるので、前処理を行うことなぐ良好なレーザー印字が上記パッケージ天面に対 し可能になる。
[0068] なお、封止榭脂部 4のパッケージ天面の表面粗度 m)と、レーザー印字での認 識率 (％)との関係を、上記表面粗度を種々変えて調べたところ、図 6に示す結果が 得られた。なお、表面粗度は非接触 3次元表面粗さ計を用いて測定した値である。こ の結果から、離型シート 19の榭脂フィルム 12側の表面粗さは 0. 01 m— 10 mの 範囲が好ま 、ことが分かる。
[0069] ところで、 SAW素子 2や半導体素子 22といった電子部品を実装基板 1又はパッケ ージ上にフェイスダウンボンディングし、周囲を封止榭脂部にて封止する場合がある 。上記場合において、硬化後、封止榭脂部 4上に製品のロット Noや記号を印字する 際には、封止榭脂部 4の表面の凹凸や汚れのために印字が鮮明にできないことがあ つた。従来、対策として、封止榭脂部の上にさらに発色性を備えた印字用の榭脂を 塗布してからレーザー印字を行うという方法が用いられていた。その結果、工程が増 えコスト UPを招来するという問題があった。
[0070] このような問題を解決するには、実装集合基板 11上にフェイスダウンボンディングさ れた各 SAW素子 2を榭脂フィルム 12で覆 ヽ、さらに榭脂フィルム 12上に離型シート 19を置いて、上記榭脂フィルム 12を軟化、硬化させればよい。それによつて、硬化時 に起こる榭脂フィルム 12からの封止榭脂部 4の表面 (天面)の凹凸 ·汚れを防ぐことが できる
[0071] これにより、特別な処理を施すことなぐ封止榭脂部 4の上に直接レーザー印字を 行うことができ、捺印性を確保しながら、コストダウンが可能となる。
[0072] なお、上記実施形態では、電子部品として、 SAW素子の例を挙げた力 上記に限 定されるものではなぐ SAW素子 2に代えて、例えば図 7に示すように、半導体素子 2 2を用いてもよい。半導体素子 22を用いた場合、図 2に示す空間部 5を確保する必要 が無 、ので、その空間部 5に封止榭脂部 4をアンダーフィル材として充填してもよ 、。
[0073] また、前記浸入工程では、袋内の減圧に対する大気圧による加圧を用いた例を挙 げたが、図 8に示すように、加熱 ·加圧ローラー 26, 26を用いてもよい。すなわち、実 装集合基板 11上に突起状電極 3を介して実装された各 SAW素子 2上に榭脂フィル ム 12を載置し、袋 13内に収納されたものを平板 24上に載せ、その平板 24と共に袋 13を 2つの加熱'加圧ローラー 26 · 26間に搬送して、浸入工程を行うものである。
[0074] また、図 9に示すように、プレス機 28のプレス枠 28cに袋 13を嵌め込むことによる加 圧であってもよい。上記加圧を用いた浸入工程は、実装集合基板 11、各 SAW素子 2及び榭脂フィルム 12を収めた上記袋 13を、プレス機 28の下側台 28b上に載置し、 上側プレス 28aの下面に取り付けられたプレス枠 28cといった治具により、榭脂フィル ム 12を上側プレス 28aの下降により上方から加熱しながらプレスすることにより、榭脂 フィルム 12を埋め込み、榭脂フィルム 12により封止榭脂部 4を形成する方法である。
[0075] さらに、真空パック工程時に榭脂フィルム 12と実装集合基板 11との間の隙間から 空気を効率よく脱気するために、実装集合基板 11の周囲に、接着性フィルムである 袋 13との隙間を形成し空気穴 (空気路)を設けるために、スぺーサーを置いてもよい
[0076] また、実装集合基板 11側の一部や熱軟ィ匕した、接着性の榭脂フィルム 12の一部 に空気穴を設けてもよい。密着性は真空パック工程後の大気圧により確保するため、 空気穴は榭脂フィルム 12と実装集合基板 11との間に形成される空間のどこかに開 いていればよい。
[0077] その上、前記真空パック工程において、袋 13の内部を乾燥窒素などの不活性ガス で置換した後、さらに脱気してもよい。また、前記袋 13の密封の方法は熱融着が好ま しいが、接着'器具による圧着など周囲の空気を遮断できる方法なら特に問わない。
[0078] また、 SAW素子 2の下に空間部 5を形成する場合、封止榭脂部 4の浸入量をより最 小化するため、真空引き時の真空度を調節して、適度な残気を残して封止してもよい 。このときの真空度については形成する空間部 5の容積や製品の形状により異なるが 、 lOOPa— 500Pa力好まし!/ヽ。
[0079] このように残気を残すことにより、すなわち袋 13内の脱気時の空気量を制御するこ とにより、前記実施の各形態と同様の効果を発揮できると共に、封止時に空間部 5内 に反発力が生まれ、空間部 5が形成されやすくなる。

Claims

請求の範囲
[1] 基板と、該基板に設けられた電子機能部とを有する複数の電子機能素子を実装集 合基板上にそれぞれ実装する実装工程と、
前記実装集合基板に実装された各電子機能素子上に榭脂フィルムを配置する配 置工程と、
前記実装集合基板上に実装された各電子機能素子と前記榭脂フィルムとを、ガス ノリア性を備えた袋の中に入れ、内部を減圧して密封する減圧パック工程と、 前記減圧パックされた実装集合基板上に実装された各電子機能素子間に前記榭 脂フィルムを浸入させることにより、前記各電子機能素子を榭脂フィルム由来の封止 榭脂部によって封止する封止工程と、
前記榭脂封止された各電子機能素子を備えた前記実装集合基板を電子機能素子 毎に分割する分割工程とを有する、ことを特徴とする電子部品の製造方法。
[2] 前記封止工程は、前記榭脂フィルムを各電子機能素子間に浸入させて、上記榭脂 フィルムにより形成された封止榭脂部前駆体によりそれぞれ覆われた各電子機能素 子と実装集合基板とを加熱し、上記封止榭脂部前駆体を硬化させて前記封止榭脂 部を得る硬化工程を有し、
上記硬化工程は、圧力が制御された密封空間で加熱する工程を備えている、請求 項 1に記載の電子部品の製造方法。
[3] 前記電子機能素子は、前記電子機能部としての振動部分を圧電基板上に有する 弾性表面波素子である、請求項 1又は 2に記載の電子部品の製造方法。
[4] 前記実装工程において、前記振動部分と実装集合基板との間に空間部を有するよ うに、前記振動部分が、上記実装集合基板と対向するように配置されている、請求項
3に記載の電子部品の製造方法。
[5] 前記榭脂フィルムがフィラーを含有しており、
上記フィラーの粒径分布にぉ ヽて、最大粒径が電子機能素子と実装集合基板との 隙間より大きぐかつ電子機能素子と実装集合基板の隙間より粒径が大きいフィラー の占有率がフィラー全体に対し 5重量％以上である、請求項 4に記載の電子部品の 製造方法。
[6] 前記封止工程は、さらに、榭脂フィルムを加熱して軟ィ匕させると共にローラー又は プレスにより上記榭脂フィルムを加圧する熱圧着工程を有する、請求項 1一 5のいず れか 1項に記載の電子部品の製造方法。
[7] 前記配置工程は、前記榭脂フィルムの一方の面に離型シートを貼る工程と、電子 機能素子が実装された実装集合基板上に上記榭脂フィルムを離型シート側が外側 になるように配置する工程とを有する、請求項 1一 6のいずれか 1項に記載の電子部 品の製造方法。
[8] 前記離型シートの榭脂フィルム側の表面粗さが 0. 01 m— 10 mである、請求項
7に記載の電子部品の製造方法。
[9] 前記実装工程は、複数の前記電子機能素子を、バンプを介してフリップチップボン デイング実装するフリップチップボンディング工程である、請求項 1一 8の 、ずれか 1 項に記載の電子部品の製造方法。
[10] 前記袋は、最内層に熱可塑性榭脂層、最外層に、最内層の上記熱可塑性榭脂層 よりも耐熱性及びガスノリア性に優れた耐熱性榭脂層を有する多層構造である、請 求項 1一 9のいずれか 1項に記載の電子部品の製造方法。
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