WO2004032321A1 - 表面実装型ｓａｗデバイスの製造方法 - Google Patents

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Yasuhide Onozawa
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Toyo Communication Equipment Co., Ltd.
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Definitions

  • the present invention addresses various problems that occur in the process of manufacturing a surface acoustic wave device having a structure in which a surface acoustic wave chip is mounted face down on a mounting board using bumps and then the surface acoustic wave chip is resin-sealed.
  • the present invention relates to a method for manufacturing a surface-mount type surface acoustic wave device that can be solved. Background technique fe
  • the surface acoustic wave device has a configuration in which patterns such as comb-like electrode fingers (IDT electrodes), reflectors, and connection pads are arranged on a piezoelectric substrate such as quartz or lithium tantalate. For example, a surface acoustic wave is excited by applying a high-frequency electric field to an IDT electrode, and a filter characteristic is obtained by converting the surface acoustic wave into a high-frequency electric field by a piezoelectric action.
  • CSP Chip Size Package
  • FIG. 10 is a cross-sectional view showing a manufacturing procedure of the SAW device disclosed in the patent application 200 1-1 769 995.
  • the S AW chip 110 is mounted on one side in a flip chip manner, and then the S AW chip 100 is provided across the S AW chips 100, and then the S AW chip is heated to the softening temperature.
  • the molten deformed film 120 is spread in the valley between the chips.
  • the mounting substrate 100 has external electrodes 102 for surface mounting on the lower surface of each insulating substrate 101 constituting each individual region, and external electrodes 100 on the upper surface of each insulating substrate.
  • a land 103 electrically connected to 2 is provided, and a through hole 104 for bleeding is provided at the boundary between the insulating substrates 101.
  • the SAW chip 110 includes a connection pad 112 and an IDT electrode 113 on the lower surface of the piezoelectric substrate 111, and connects the connection pad 112 to the land 1 via the conductor bump 115. By connecting to 03, the three chips 110 are mounted on each insulating substrate 101.
  • the deformable film 120 is brought into close contact with the outer surface of all the SAW chips 110 and the upper surface of the mounting board by the above-described procedure, and then cut and divided along the boundary line of each insulating substrate to thereby obtain the SAW device. Individual pieces can be obtained.
  • a through hole 104 is arranged in a mounting board portion corresponding to a valley of each SAW chip 110, and when the deformed film 120 is softened, a negative pressure from the through hole 104 is generated.
  • the deformable film 120 can be brought into close contact with the outer surface of the SAW chip and the upper surface of the mounting board.
  • an airtight space S for Saw propagation can be formed between the IDT electrode 113 and the upper surface of the insulating substrate immediately below the IDT electrode 113.
  • the air is suctioned not in the vicinity of the hermetic space S but in a position corresponding to the valley between the SAW chips.
  • the deformable film 120 has sufficiently entered the gap between the SAW chip skirt portion and the insulating substrate shown in the above, it cannot be in close contact with the upper surface of the insulating substrate.
  • the amount of the deformed film 120 entering the gap A is insufficient, when the dicing is performed along the boundary line between the insulating substrates 101 and divided into individual pieces, the insulating film rises from the upper surface of the insulating substrate.
  • the deformable film 120 is cut off to form a hole communicating with the airtight space S. In this case, the dust and moisture resistance of the SAW device is significantly reduced.
  • the deformed film located in the valley between the SAW chips should be pressed into the gap A using a special mold, but the mold for that purpose has a special shape
  • costs will increase.
  • the cost increase becomes remarkable.
  • a through hole 104 for deaeration shown in FIG. 10 is provided at the center of each insulating substrate 101, so that the resin softened by heating is formed.
  • the gap A can be sufficiently spread to the inside from the gap A.
  • a sheet-like flaky resin is attached to the upper surface of a SAW chip that is flipped in a face-down state on an insulating substrate.
  • Heat to the softening (melting) temperature with, and keep the high viscosity from the side of the SAW chip to the upper surface of the insulating substrate and adhere.
  • the temperature is further raised to the curing temperature by subsequent heating to fix the resin shape.
  • the viscosity of the softened resin is high so that the resin does not flow into the gap between the SAW chip and the upper surface of the insulating substrate when the resin is heated to the softening temperature.
  • the present invention has been made in view of the above, and a SAW chip is face-down mounted on a wiring board of a mounting board via a conductive bump, and a sheet resin attached to an upper surface of the SAW chip is heated and softened.
  • a SAW chip is face-down mounted on a wiring board of a mounting board via a conductive bump, and a sheet resin attached to an upper surface of the SAW chip is heated and softened.
  • an airtight space is formed between the IDT electrode on the lower surface of the SAW chip and the upper surface of the mounting substrate.
  • a negative pressure is sucked through a through hole formed in the mounting board to secure the resin filling amount in the gap, and the adhesion between the resin and the mounting board is ensured.
  • An object of the present invention is to provide a method of manufacturing a surface mount SAW device which eliminates the need to strictly manage the profile of heating temperature and suction. Disclosure of the invention
  • the invention according to claim 1 includes an insulating substrate, an external electrode for surface mounting disposed on the bottom of the insulating substrate, and a wiring disposed on the insulating substrate and electrically connected to the external electrode.
  • a SAW chip comprising: a mounting substrate having a pattern; a piezoelectric substrate; an IDT electrode formed on one surface of the piezoelectric substrate; and a connection pad connected to the wiring pattern via a conductive bump.
  • a method of manufacturing a surface-mounted SAW device comprising: the wiring pattern and the connection pad; And a flip-chip mounting step of flip-chip mounting the SAW chip on the mounting board by connecting the SAW chips via the conductor bumps, and mounting a resin sheet having a larger area than the upper surface of the SAW chip on the upper surface of the SAW chip.
  • the SAW chip having the outer surface laminated is heated while being pressurized, whereby the resin is cured while suppressing the expansion of the gas in the hermetic space.
  • a post-curing step of heating at a temperature for which the resin is completely cured, and wherein the thickness t of the resin sheet before the laminating step is L [(X + Gx) (Y + Gy)] ⁇ tr where: L (X + Gx) (Y + Gy) (H + T + A) -XYT -XYA- [X VyA + YVx A + (4 Vx V y A) / 3]
  • the thickness of the resin sheet used is set to an appropriate value, so that the valley between SAW chips can be formed. Filled softening
  • the resin can be reliably spread to the bottom of the SAW chip to form an airtight space, and the sealing resin can be prevented from being deformed due to expansion of the airtight space due to heating.
  • the SAW device is divided into individual pieces by dicing, there is no possibility that a hole for communicating the airtight space with the outside air is formed in the resin portion.
  • the laminating step includes: a pressing port heated to a predetermined temperature that rotates while being pressed against the upper surface of the resin sheet; and a guide member attached to the lower surface of the mounting board.
  • the heat roller lamination process presses the mounting board and the SAW chip between the heat roller lamination process.
  • the heating temperature of the pressing roller is set to the softening temperature of the resin sheet or (B) softening or melting by heating and pressurizing the upper surface of the resin sheet by the pressing roller; (c) softening or melting the resin sheet By applying pressure while heating with a pressing roller, the SAW chip is covered with resin while securing the above-mentioned airtight space.
  • the laminating step comprises: a blade heated to a predetermined temperature that moves in one direction while being pressed against the upper surface of the resin sheet at a tip, and a guide attached to the lower surface of the mounting board. And a blade laminating step of pressing the mounting substrate and the SAW chip between the blade member and the blade member.
  • the following conditions are used: (a) The heating temperature of the blade is set to the softening temperature or melting temperature of the resin sheet. (B) softening or melting by applying pressure while heating the upper surface of the resin sheet by the blade; and (c) softening. Covering the SAW chip with resin while securing the hermetic space by heating and pressurizing the liquefied or molten resin sheet with a blade.
  • the resin sheet By pressing the upper surface of the resin sheet using a heated blade instead of the pressing roller, the resin sheet is softened or melted, and the Saw chip is covered with the resin.
  • the resin sheet in addition to the heat roller, the resin sheet may be crushed while being pressed by a heated blade, and the same effect as in the case of the heat roller can be obtained.
  • the laminating step and the press forming step are sequentially performed with the lower surface attached to the upper surface of the SAW chip, and then the protective film is peeled off. Since the resin sheet body has enough tackiness to temporarily adhere when it is attached to the SAW chip, a protective film with good release properties is applied to the upper surface of the resin sheet where the pressing member etc. abut. By sticking the resin sheet, it is possible to prevent the resin sheet from adhering to the pressing roller, the blade and the pressing member during the laminating step and the pressing step.
  • the invention of claim 5 is characterized in that, in any of claims 1 to 4, the protective film is made of polyethylene terephthalate (PET).
  • PET polyethylene terephthalate
  • the invention according to claim 6 is characterized in that, in claims 1 to 5, the laminating step is performed in a reduced-pressure atmosphere.
  • the invention according to claim 7 is the method according to claims 1 to 5, wherein the laminating step is performed. Is carried out in an inert gas atmosphere.
  • the inside of the hermetic space after the resin sealing is completed is filled with the inert gas, and the characteristics of the Saw device with respect to aging can be improved.
  • the invention according to claim 8 is the method according to any one of claims 1 to 7, wherein the mounting substrate is a mounting substrate base material obtained by connecting a plurality of mounting substrate pieces in a sheet shape. It is characterized in that a large-area resin sheet is attached to the upper surface of a plurality of SAW chips mounted on a material, and then laminated.
  • the manufacturing method described in each of the above claims can improve mass productivity by performing a batch process using a mounting substrate base material.
  • the invention according to claim 9 is the method according to claim 8, wherein a large-area resin sheet is laminated on the plurality of SAW chips mounted on the mounting substrate base material, and then the pressing is performed using pressure plates from both upper and lower surfaces.
  • a spacer for limiting the pressing force by the pressing plate is used so that excessive pressure is not applied to the resin-laminated SAW chip pieces.
  • the resin sheet can be appropriately placed in the SAW chip valley by using a spacer to prevent excessive pressing without relying on fine adjustment of the pressing force by the pressing roller or blade that constitutes the laminating device. Can be filled and unfolded.
  • a frame is arranged on a resin sheet mounted on a SAW chip group mounted on the mounting substrate base material, It is characterized in that the entire mounting substrate base material is press-formed together with the frame, and the resin located at the lower part of the frame is crushed and press-formed.
  • the invention of claim 11 is characterized in that, in claim 10, the frame is integrated with a pressure member for press-molding the frame.
  • the frame may be separate from the pressure member (metal plate, press machine), but it is easier to handle and improve workability if it is integrated.
  • the invention of claim 12 is the invention according to claim 8 or 9, wherein in the press forming step, the frame is formed on the mounting substrate base material so as to surround the SAW chip group at a position separated from the outer diameter side thereof. A body is arranged, a resin sheet attached to the upper surface of the SAW chip group is press-molded, and expansion of the resin sheet to the side is suppressed by an inner peripheral surface of the frame body. Or the method of manufacturing a surface-mounted SAW device according to 9.
  • the frame is a means for preventing the resin sheet from escaping to the side when the resin sheet is pressed, it may be arranged on the upper surface of the mounting substrate base material.
  • FIG. 1A and 1B are an external perspective view and a longitudinal sectional view of a surface mount type surface acoustic wave device to be manufactured by a manufacturing method according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is an enlarged sectional view showing an example of the resin sheet.
  • FIGS. 3 (a) and 3 (b) are a plan view and a front vertical sectional view showing a step of flip-chip mounting a SAW chip on each individual region on a mounting substrate base material.
  • FIG. 4 is a diagram showing a state in which the lower surface of the resin sheet from which the base film has been peeled is placed so as to straddle the upper surface of a plurality of SAW chips mounted on the mounting substrate base material.
  • FIGS. 5 (a) and 5 (b) are cross-sectional views illustrating a hot mouth lamination process in which a resin sheet temporarily bonded on each SAW chip is laminated on the SAW chip by a laminating apparatus. is there.
  • FIG. 6 is a diagram illustrating a laminating step using a blade.
  • FIGS. 7A and 7B are views for explaining a press forming step performed after the laminating step.
  • FIGS. 8A and 8B are explanatory views of the post-curing step.
  • FIGS. 9A and 9B are explanatory diagrams of the SAW chip as a finished product.
  • FIG. 9A shows a defective product
  • FIG. 9B shows a non-defective product.
  • FIG. 10 is an explanatory diagram of a conventional example. BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
  • FIGS. 1 (a) and 1 (b) are an external perspective view of a surface mount type surface acoustic wave device (hereinafter, referred to as a SAW device) manufactured by a manufacturing method according to an embodiment of the present invention, and a longitudinal section thereof.
  • a SAW device surface mount type surface acoustic wave device manufactured by a manufacturing method according to an embodiment of the present invention
  • the SAW device 1 is provided on an insulating substrate 3 made of glass, resin, ceramic, glass epoxy, alumina, or the like, an external electrode 4 for surface mounting provided on the bottom of the insulating substrate 3, and an upper surface of the insulating substrate 3.
  • a mounting board 2 composed of a wiring pattern 5 electrically connected to the external electrode 4 via the internal conductor 6, and a connection pad 16 electrically and mechanically connected to the wiring pattern 5 via the conductor bump 10 and the connection
  • a SAW chip 15 having IDT electrodes 17 electrically connected to the pads 16 on the lower surface of the piezoelectric substrate 18;
  • a sealing resin 31 A that forms an airtight space S between the IDT electrode 17 and the upper surface of the mounting board by covering the outer surface (upper surface and side surface) of the W chip 15 except for the lower surface.
  • the piezoelectric substrate 18 is made of, for example, quartz, lithium nitrate, or the like.
  • the conductor bump 10 is made of Au in this example, but may be made of a conductive adhesive
  • the IDT electrode 17 of the SAW chip 15 excites a surface acoustic wave by applying a high-frequency electric field from the lead terminal on the power supply side, and converts the surface acoustic wave into a high-frequency electric field by piezoelectric action.
  • a filter characteristic can be obtained.
  • the sealing resin 31A is heated and heated to the softening temperature once, deformed under pressure, and brought into close contact with the outer surface of the SAW chip and the upper surface of the mounting board. It is formed by fixing, and reinforces the airtightness of the SAW chip and the fixing force of the SAW chip to the mounting board. Further, the sealing resin 31 A is used to seal the space between the IDT electrode 17 and the upper surface of the insulating substrate 3 as an airtight internal space (airtight space S) in order to ensure SAW propagation. It also functions as a means.
  • FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view showing an example of the resin sheet 30.
  • the resin sheet 30 is formed by peeling a protective film 32 having releasability from one surface of the resin sheet body 31.
  • the base film 33 is removably attached to the other surface.
  • the resin sheet body 31 is a sheet of liquid epoxy resin, and loses its fluidity by being frozen without crystallization while maintaining the liquid structure. In a laminating step described later, the resin sheet 30 has thermoplasticity to soften it.
  • the thickness tr of the resin sheet body 31 is limited to a value greater than or equal to a value described later.
  • the A releasable protection film 32 is attached on the upper surface to facilitate release in the printing process and the press forming process.
  • PET polyethylene terephthalate
  • the base film 33 As the base film 33, a polyester having a thickness of 50 m was used.
  • the outline of the production method of the present invention is as follows. That is, by connecting the wiring pattern 5 on the mounting board 2 and the connection pad 16 on the lower surface of the SAW chip via the conductor bump 10, the flip-chip mounting of the SAW chip 15 on the mounting board 2 is performed.
  • a resin sheet 30 having a larger area than the SAW chip is placed on the upper surface of the SAW chip 15 and the resin sheet 30 is softened from one end of the mounting board to the other end (or The laminating process of covering the outer surface of the S AW chip with resin 31 A while securing the airtight space S by pressing the resin sheet while melting the resin sheet, and the S AW chip 15 with the outer surface laminated with resin 31 A
  • the SAW device 1 that has undergone the press molding process to cure the resin 31 A while suppressing the expansion of the gas in the hermetic space S, and the resin 31 A Complete curing temperature And a thermosetting step you heated Te consists.
  • FIGS. 3A and 3B are a plan view and a front vertical cross-sectional view showing a step of flip-chip mounting the SAW chip 15 on each individual region 2 on the mounting substrate base material 40.
  • the mounting substrate 2 belonging to each individual region has the external electrode 4 at the bottom of the insulating substrate 3 and the wiring pattern 5 at the top, and conducts the external electrode 4 and the wiring pattern 5 inside.
  • the inner conductor 6 is provided. By connecting the connection pad 16 of the SAW chip to the wiring pattern 5 using the conductor bump 10, the flip chip mounting is performed.
  • FIG. 4 shows a resin sheet 30 from which the base film 33 has been peeled off so as to straddle the upper surfaces of a plurality of SAW chips 15 (piezoelectric substrates 18) mounted on the mounting substrate 40 of FIG.
  • the resin sheet body 31 has Therefore, if the lower surface from which the base film 33 has been peeled off is placed on the upper surface of the SAW chip, the resin sheet 30 is temporarily bonded to the upper surface of the SAW chip 15 and there is no possibility that the resin sheet will shift during handling or the like.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating a heat roller laminating step of laminating the resin sheet 30 temporarily bonded on each SAW chip 15 to the SAW chip by the laminating device 50.
  • the laminating device 50 for performing the heat roller laminating process is a movement (not shown) for moving the mounting substrate base material 40 on which the SAW chip 15 is mounted at a predetermined laminating speed in a direction indicated by an arrow.
  • a pressing roller 51 as a heat roller which is pressed against the upper surface of the resin sheet 30 on the SAW chip 15 and is driven to rotate in the direction of the arrow, and a lower surface of the mounting substrate 40.
  • a support roller 52 as a guide member for generating a pressing force with the pressing roller 51.
  • the pressing roller 51 is heated and controlled to a required temperature by a heater (not shown), and is rotationally driven by a drive source (not shown) so as to feed the mounting substrate base material in the laminating direction.
  • the support roller 52 is rotated or driven in the direction of the arrow.
  • a flat stage-shaped guide member is provided instead of the support roller 52 to guide the lower surface of the mounting substrate base material. You may do so.
  • the heating temperature of the pressing roller 51 is set to be equal to or higher than the softening (or melting) temperature of the resin sheet 30 and lower than the curing temperature.
  • the resin sheet 30 temporarily bonded over a plurality of SAW chips 15 is subjected to a laminating process using the pressing roller 51 shown in FIG. Laminating is performed by filling from above to the upper surface of the mounting substrate base material.
  • the surface temperature of the pressing roller 51 controlled by a heater is maintained at a temperature equal to or higher than the softening temperature of the resin sheet body 31 and lower than the curing temperature.
  • the resin sheet main body 31 in the present embodiment has a temperature at which the resin sheet softens to a releasable elastic modulus of 60 ° C. or higher and a curing temperature of 150 ° C. By keeping the surface temperature of 51 to 80 to 10 ° C, lamination in the optimal softened state becomes possible.
  • the lower support roller 52 (or stage) is not particularly heated, but may be heated if necessary.
  • the gap between the rollers 51 and 52 is set to be approximately the same as the sum of the thickness of the mounting board base material 40 and the height of the SAW device 15, but the thickness of the releasable protection film 32 It is necessary to appropriately adjust according to the elastic modulus of the resin sheet main body 31 and the like.
  • the pressing roller 51 is driven to rotate in the direction of the arrow by manual operation or by a motor drive, etc., and as shown in FIG. 5 (a), a mounting board in which a resin sheet 30 is temporarily bonded on each SAW chip 15
  • the softened resin sheet main body 31 enters the valley of the SAW chip 15 as shown in FIG. And surrounds the SAW chip 15 while securing an airtight space S between the SAW chip 15 and the surface of the mounting substrate base material.
  • the heat roller lamination was performed at a lamination speed of 0.1 to 0.3 m / min.
  • the heat roller laminating method is employed because the airtight space S between the SAW chip 15 and the mounting board base material 40 is not extended more than necessary from one end of the resin sheet. This is because there is a purpose of laminating while bleeding air by sequentially pressing toward the other end side. Therefore, any method other than the pressing roller can be used as a means for heating and pressing the resin sheet as long as the method can perform lamination while removing air sequentially. Specifically, as shown in FIG. 6, for example, using a blade 55 heated to a required temperature, the edge of the blade 55 is moved in the direction of the arrow while being pressed against the protective film 32 of the resin sheet 30. It is also effective to apply pressure simultaneously with heating. In this case, the stage 53 is used as a guide member.
  • the laminating step is performed in a reduced-pressure atmosphere such as a vacuum oven, air can be more efficiently removed, the adhesion of the resin can be increased, and an appropriate airtight space S can be formed.
  • FIGS. 7A and 7B are views for explaining a press forming step performed after the laminating step.
  • the press forming step is performed by a press forming apparatus 60.
  • the press forming apparatus 60 includes a metal mold 61 that supports the bottom surface of the mounting board base material 40, and a spacer that is positioned in the outer diameter direction of the mounting board base material 40 that is supported on the metal mold 61. 6 2, a frame 63 attached along the outer edge of the upper surface of the resin sheet 30 laminated on the mounting substrate 40, and a metal plate (pressing) for pressing the upper surface of the frame 63. Member) 64 and a press 70.
  • the resin-laminated mounting board base material after the lamination process (Fig. 5 (b) ⁇ , hereinafter referred to as laminated unit U) is placed on the top surface of the metal mold 61 as shown in Fig. 7 (a).
  • the laminated unit U is spaced apart in the outer diameter direction of the laminated unit U so as to prevent excessive pressure from being applied to the laminated unit U, and a tefrance sensor 62 is provided.
  • the tefance sensor 62 is fixed to the upper surface of the metal mold 61.
  • an annular tef frame 63 that is larger than the area where the SAW chip 15 is mounted is placed, and a metal plate is placed thereon. 6 Place 4.
  • press molding as shown in FIG. 7 (b) is performed using a press machine 70.
  • the press 70 comprises an upper mold (pressing member) 71 and a lower mold 72.
  • the upper mold 71 and the lower mold 72 are each set to a resin curing temperature of 150 ° C. Have been.
  • the metal mold 61 is placed on the lower mold 72 and the upper mold 71 is brought into contact with the upper surface of the metal plate 64 to perform pressing.
  • the resin is cured while the expansion of the air in the hermetic space s is forcibly suppressed by the press, so that unnecessary expansion of the hermetic space due to the expansion of the air does not occur.
  • the Teflon frame 63 is used as a frame for pressing the outer peripheral edge of the upper surface of the resin sheet.
  • a frame made of a material other than Teflon may be used. Good.
  • the frame 63 may be integrated with a metal plate (pressing member) 64 or may be directly pressed by a press upper die (pressing member) 71 without using the metal plate 64.
  • a structure in which the frame 63 is integrated with the lower surface of the press machine upper die 71 may be used.
  • the frame 63 is a means for suppressing the expansion of the resin sheet 30 in the side direction, it is necessary to dispose the frame 63 on the upper surface of the resin sheet 30 if the purpose is achieved.
  • the annular frame 63 may be integrated in advance on the mounting board base material 40 corresponding to the outer diameter side of the SAW chip group.
  • the mounting board base material is made of ceramic (alumina). In such a case, if a frame made of the same material is integrally manufactured in advance when manufacturing the mounting substrate base material, problems such as misalignment can be prevented.
  • a post-curing step is started.
  • Laminated unit U is placed in a thermostat (post-curing unit) with the ambient temperature set to 150 ° C as shown in Fig. 8 (a), and heated for 3 hours.
  • This is a temperature and time sufficient for the resin sheet body 31 of the resin sheet 30 employed this time to be completely cured, and it is necessary to appropriately select curing conditions depending on conditions such as the material of the resin sheet to be used. is there.
  • the release protective film 32 may be peeled off before or after the post-curing step, and may be performed after the press forming step. In this embodiment, the PET as the release protective film 32 was peeled off after the post-curing step. '
  • dicing is performed while applying cutting water, chemicals, or the like, so that there is a possibility that the resin as the sealing material may absorb water. If there is a risk that the moisture absorption by the resin will degrade the moisture resistance and aging characteristics of the SAW device, or if there is a risk that the sealing resin may be destroyed due to the steam explosion phenomenon (popcorn phenomenon), a baking step is provided after dicing. It is only necessary that water be released from the resin.
  • the resin sealing method of the present invention comprising the three steps of the laminating step, the press forming step, and the post-curing step has been described above.
  • the resin sheet 30 (particularly, the resin sheet body)
  • the thickness of 3 1) is an extremely important requirement. In other words, when the thickness of the resin sheet body 31 is insufficient, as shown in FIG. 9 (a), the resin filled in the valley between the SAW chips flows from the bottom of the 38 Since the hermetic space S is greatly expanded to the outside, the hermetic space S reaches the dicing allowance. If divided into W devices, holes will be formed on the side of the resin, which will significantly reduce the dust and moisture proof performance of the SAW device.
  • the minimum required resin sheet body The thickness of 31 can be calculated. That is, assuming that the thickness of the resin sheet main body 31 is tr, tr must satisfy the following conditions.
  • the thickness tr of the resin sheet body As the upper limit value of the thickness tr of the resin sheet body, a value may be selected so that the resin does not enter the airtight space so that the resin does not adhere to the SAW propagation region.
  • the resin sheet main body 31 adopted by the present inventor is softened because of thermoplasticity, but does not melt, so there was no concern about infiltration of the resin into the airtight space. Conversely, a problem may occur in which the resin does not enter the necessary portions. Therefore, it is necessary to appropriately select the thickness tr of the resin sheet body using the above equation. However, even if the resin is melted by heating, it can be applied to the present invention if the viscosity of the resin after melting is higher than a predetermined value.
  • the resin sealing method according to the present invention also involves a pressurization in both the laminating step and the press forming step, so that the mounting method which is a disadvantage of the method disclosed in WO97Z0256 Poor adhesion between the substrate and the high-viscosity resin can be eliminated.
  • the outer surface of the SAW chip mounted face down on the mounting board is covered with the heat-softened sheet resin, and the resin is filled in the gap between the bottom of the SAW chip and the upper surface of the mounting board.
  • the mounting board is used to secure the resin filling amount in the gap. This eliminates the need for negative pressure suction through the through-hole formed in the substrate and the need to strictly manage the heating temperature and suction profile in order to secure the adhesion between the resin and the mounting board.
  • the thickness of the resin sheet used is set to an appropriate value, so that the softened resin is (2) It is possible to reliably form an air-tight space by extending to the chip hem, and to prevent deformation of the sealing resin due to thermal expansion of the air-tight space. In particular, when dividing into individual SAW devices by dicing, there is no possibility that a hole for communicating the airtight space with the outside air is formed in the resin portion. According to the invention of claim 2, it is possible to reliably fill the softening resin between the valleys between the SAW chips to form an airtight space having an ideal shape and volume. According to the invention of claim 3, in the laminating step, the resin sheet may be crushed while being pressed by a heated blade, instead of using the hot roller, and the same effect as in the case of the hot roller can be obtained. it can.
  • the resin sheet main body has such adhesiveness as to temporarily adhere when it is attached on the SAW chip, the resin sheet body for contacting the pressing member or the like is provided.
  • a protective film with good releasability on the upper surface it is possible to prevent the resin sheet from adhering to the pressing roller, blade, and pressing member during the laminating step and the pressing step.
  • the protective film is polyethylene terephthalate
  • the laminating step is performed in an inert gas atmosphere, the airtight space after the completion of the resin sealing is filled with the inert gas, thereby preventing the SAW device from changing over time. Electrical characteristics can be maintained over time.
  • mass production can be improved by performing the batch processing using the mounting substrate base material.
  • the excessive pressurization using the spacer is performed without depending on the fine adjustment of the pressing force by the pressing roller blade constituting the laminating apparatus.
  • the resin sheet can be properly filled and developed in the SAW chip valley.
  • a large-area resin sheet is provided on a group of SAW chips densely arranged on a mounting substrate base material, and the outer periphery of the upper surface of the resin sheet is interposed via a frame.
  • the resin located at the lower part of the frame is crushed, and the penetration of the resin into the skirt of the SAW chip located on the outer periphery of the SAW chip group can be promoted.
  • the azure body is integrated with a pressing member for press-forming the frame.
  • the frame may be separate from the pressure member (metal plate, press die), but if it is integrated, the handling will be more convenient and workability will be improved.
  • a frame is integrated on the mounting substrate base material. Since the frame is a means for preventing the resin sheet from escaping to the side when the resin sheet is pressed, it may be arranged on the upper surface of the mounting substrate base material.

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Description

明 細 書 表面実装型 S A Wデバイスの製造方法 技術分野
本発明は、 弾性表面波チヅプを実装基板上にバンプを用いてフェイ スダウン搭載してから弾性表面波チップを樹脂封止した構造の弾性表 面波デバイスを製造する工程において発生する種々の不具合を解決す ることができる表面実装型弾性表面波デバイスの製造方法に関するも のである。 背景技 fe
弾性表面波デバイス （SAWデバイス） は、 水晶、 タンタル酸リチ ゥム等の圧電基板上に櫛歯状の電極指 （ I D T電極）、 反射器、 接続パ ッ ド等のパターンを配置した構成を備え、 例えば I D T電極に高周波 電界を印加することによって弾性表面波を励起し、 弾性表面波を圧電 作用によって高周波電界に変換することによってフィル夕特性を得る ものである。
ところで、 半導体部品において CSP (Chip Size Package) と 呼ばれる小型パッケ一ジング技術が一般化するのに伴って、 S AWデ バイスにおいても、 デバイスの小型化の容易化と、 バッチ式の製造方 法による生産性の向上という観点から、 C S P技術を用いた生産方法 が導入されるようになつている。
S A Wデバイスについての C S P関連技術は、 特開 200 1— 17 6995、特開 2002— 184884、WO 97/02596に夫々 開示されている。 まず、 図 1 0は特閧 2 0 0 1 - 1 7 6 9 9 5に開示された S A Wデ バイスの製造手順を示す断面図であり、 大面積のシート状実装基板母 材 1 0 0の各個片領域上に、 S AWチヅプ 1 1 0をフリヅプチヅプ実 装してから、 各 S AWチヅプ 1 0 0に跨って変形フィルム 1 2 0を添 設してから軟化温度まで加熱することにより、 S AWチップ間の谷間 内に溶融した変形フイルム 1 2 0を展開させている。 即ち、 実装基板 母材 1 0 0は、 各個片領域を構成する各絶縁基板 1 0 1の下面に表面 実装用の外部電極 1 0 2を備えると共に、 各絶縁基板の上面には外部 電極 1 0 2 と導通したラン ド 1 0 3を備え、 更に各絶縁基板 1 0 1の 境界部には拔気用の貫通孔 1 0 4を備えている。 S A Wチップ 1 1 0 は、 圧電基板 1 1 1の下面に接続パヅ ド 1 1 2、 I D T電極 1 1 3を 備え、 接続パヅ ド 1 1 2を導体バンプ 1 1 5を介してラン ド 1 0 3と 接続することにより、 3 チップ 1 1 0は各絶縁基板 1 0 1上に実 装される。 更に、 上記の如き手順によって全ての S A Wチップ 1 1 0 の外面と実装基板上面にかけて変形フィルム 1 2 0を密着させてから、 各絶縁基板の境界線に沿って切断分割することにより、 S A Wデバイ ス個片を得ることができる。
この従来技術においては、 各 S A Wチヅプ 1 1 0の谷間に相当する 実装基板部分に貫通孔 1 0 4を配置しており、 変形フイルム 1 2 0を 軟化させる際に貫通孔 1 0 4からの負圧吸引を同時に実施することに よって、 変形フィルム 1 2 0を S A Wチップの外面や実装基板上面に 密着させることができる。 この結果、 I D T電極 1 1 3とその直下の 絶縁基板上面との間に S A W伝搬のための気密空間 Sを形成すること ができる。
しかしながら、この従来例にあっては、気密空間 Sの近傍ではなく、 S A Wチヅプ間の谷間に相当する位置にて吸気しているため、 図中 A で示した SAWチップ裾部と絶縁基板との隙間に変形フィルム 1 2 0 が十分に入り込んだ状態で絶縁基板上面と密着することができない。 前記隙間 Aへの変形フイルム 1 2 0の入り込み量が不足する場合には、 絶縁基板 1 0 1間の境界線に沿ってダイシングして個片単位に分割し た場合に絶縁基板上面から浮き上がった変形フィルム 1 2 0部分が切 断されて気密空間 Sと連通する穴が形成される虞がある。 この場合に は、 SAWデバイスの防塵性、 防湿性を著しく低下させる結果をもた らす。
このような不具合に対処するためには、 S A Wチップ間の谷間に位 置する変形フィルム部分を特殊な型を用いて加圧して隙間 A内に押し 込めばよいのだが、 そのための型は特殊形状となるため、 コス トアツ プをもたらすこととなる。 特に、 実装基板 1 0 0を個片毎に切断する 際の切断ピッチが変更するたびに、 または S AWチップのサイズが変 わるたびに、 異なった形状の専用型を作成し直す必要があるため、 コ ス トアヅプが著しいものとなる。
次に、 特閧 2 0 0 2— 1 848 84には、 図 1 0に示した抜気用の 貫通孔 1 04を各絶縁基板 1 0 1の中央部に設けることにより、 加熱 により軟化した樹脂を前記隙間 Aから内部へ十分に行き渡らせるよう にした技術が開示されているが、 貫通孔 1 04からの吸引後に速やか に貫通孔 1 04を栓部材により塞ぐ必要があり、 その分だけ工程数が 増大する。 栓部材として、 低粘度の樹脂を用いるとすれば、 気密空間 S内に樹脂が浸入して I D T電極 1 1 3に付着し、 S A W伝搬を妨げ る虞が高まる。 また、 栓部材として高粘度の樹脂を用いると、 貫通孔 内壁との密着性の悪さに起因して、 栓部材と貫通孔内壁との界面から 水分が浸入し、 同様の不具合をもたらす虞が高まる。
更に、 同公報には、 特開 2 0 0 1— 1 7 6 9 9 5の場合と同様に、 S A Wチップ間の谷間に相当する実装基板部分に抜気用の貫通孔を設 けて樹脂フィルムの加熱時に吸引を実施すると共に、 樹脂フィルムを 変形させる温度を樹脂フィルムが硬化する温度よりも低くなるように 設定した技術が開示されている。 この従来例は、 特開 2 0 0 1— 1 7 6 9 9 5と同様に S A Wチップ裾部と絶縁基板上面との間の隙間に樹 脂が十分に入り込めないという欠点を有する他に、 樹脂フイルムを軟 化温度から硬化温度へ上昇させる際に気密空間 S内の空気が熱膨張し、 気密空間内の内圧上昇によって前記隙間に入り込んだ樹脂が押し出さ れてボイ ドが発生し易くなる。 著しいボイ ドが発生すると、 ダイシン グにより個片化した後に、 樹脂部分に穴が発生し、 S A Wデバイスの 防塵 ·防湿性能を著しく低下させる原因となる。 このような不具合を 解決するためには、 気密空間内の空気が膨張したとしても樹脂が押し 出されることがないように内部空間を減圧させる必要があるが、 その ためには温度と吸引のプロファイルを厳密に管理する必要があり、 製 造工程、 製造装置が複雑化する。
次に、 W O 9 7 Z 0 2 5 9 6に開示された製造方法では、 まず、 絶 縁基板上にフェイスダウン状態でフリ ヅプチヅプした S A Wチヅプの 上面にシート状の薄片状樹脂を添設した状態で軟化 （溶融） 温度まで 加熱し、 高い粘性を保った状態で S A Wチップ側面から絶縁基板上面 にかけて密着させる。 引き続く加熱により更に硬化温度まで昇温させ て樹脂形状を固定する。 この公報記載の製造方法では、 樹脂を軟化温 度まで加熱した際に、 S A Wチップと絶縁基板上面との隙間に樹脂が 流れ込まぬように、軟化後の樹脂の粘度が高くなっている。このため、 軟化した樹脂と絶縁基板とのぬれ性が悪くなつて両者の密着性が弱く なり、 樹脂が絶縁基板から剥離しやすくなる。 僅かでも剥離が発生す ると、 両者の界面から水分が気密空間内に浸入し易くなる。 この問題 に対する対策として、 軟化時の樹脂粘度を低くすると、 気密空間内に 樹脂が浸入して I D T電極に付着し易くなり、 S A Wの伝搬を妨げて、 S A Wデバイスの電気的特性を著しく劣化させる原因となる。
本発明は上記に鑑みてなされたものであり、 実装基板の配線パ夕一 ン上に導体バンプを介して S A Wチップをフェイスダウン実装し、 S A Wチップ上面に添設したシ一ト樹脂を加熱軟化させて S A Wチップ 外面を被覆すると共に、 S A Wチップ裾部と実装基板上面との隙間に 樹脂を充填させることにより、 S A Wチップ下面の I D T電極と実装 基板上面との間に気密空間を形成するようにした表面実装型 S A Wデ バイスにおいて、 前記隙間内への樹脂充填量を確保するために実装基 板に形成した貫通孔から負圧吸引したり、 樹脂と実装基板との密着性 を確保するために加熱温度と吸引とのプロファイル管理を厳密化する 必要をなく した表面実装型 S A Wデバイスの製造方法を提供すること を目的としている。 発明の開示
上記課題を解決するため、 請求項 1の発明は、 絶縁基板、 該絶縁基 板の底部に配置し 表面実装用の外部電極、 及び該絶縁基板の上部に 配置され且つ前記外部電極と導通した配線パターン、 を備えた実装基 板と、 圧電基板、 該圧電基板の一面に形成した I D T電極、 及び前記 配線パターンと導体バンプを介して接続される接続パッ ド、 を備えた S A Wチヅプと、 前記 S A Wチップをフェイスダウン状態で実装基板 上にフリップチップ実装した状態で S A Wチップ外面から実装基板上 面にかけて被覆形成されることにより前記 I D T電極と前記実装基板 との間に気密空間を形成する封止樹脂と、 を備えた表面実装型 S A W デバイスの製造方法において、 前記配線パターンと前記接続パッ ドと を前記導体バンプを介して接続することにより前記実装基板上に S A Wチップをフリ ップチップ実装するフリ ップチップ実装工程と、 前記 S AWチップ上面に S AWチップ上面よりも面積が大きい樹脂シート を載置して該実装基板の一端から他端へ向けて樹脂シートを軟化又は 溶融させながら樹脂シートを加圧することにより前記気密空間を確保 しながら SAWチップ外面を樹脂にて覆うラミネート工程と、 前記樹 脂にて外面をラミネートした S A Wチップを加圧しながら加熱するこ とにより、 前記気密空間内の気体の膨張を抑制しながら該樹脂を硬化 させるプレス成形工程と、 プレス成形工程を経た S AWデバイスを、 樹脂が完全に硬化する温度'時間にて加熱する後硬化工程と、を備え、 前記ラミネ一ト工程前の樹脂シ一トの厚み t が、 L [(X + Gx) ( Y + Gy)] ≤ t r 但し、 ： L= (X + Gx) (Y + Gy) (H + T + A) -XYT -XYA- [X VyA + YVx A+ ( 4 Vx V y A) / 3]
( L ：一つの S AWチップ外面を封止するのに必要な樹脂シートの体 積、 X： S AWチップの一辺の長さ、 Y： S AWチヅプの他辺の長さ、 Gx ： X方向に隣接し合う SAWチップ間の間隔、 Vx ： Y方向へ延 びるダイシング切り代から直近の S A Wチップの側面までの距離、 G y ： Y方向に隣接し合う SAWチップ間の間隔、 Vy ： X方向へ延び るダイシング切り代から直近の SAWチップの側面までの距離、 H : 一つの S AWチップ外面を樹脂シートにて被覆完了した後の S AWチ ップ上面に位置する樹脂の厚さ、 T :圧電基板の厚さ、 A ：実装基板 母材上面から圧電基板底面までの間隔） であることを特徴とする。
これによれば、 ラミネート工程、 プレス成形工程、 後硬化工程から 成る樹脂封止工程を実施する際に、 使用する樹脂シートの肉厚を適切 な値に設定したことにより、 S A Wチップ間の谷間に充填された軟化 樹脂を S A Wチップ裾部にまで確実に行き渡らせて気密空間を確実に 形成すると共に、 加熱による気密空間の拡大による封止樹脂の変形を 防止することができる。 特に、 ダイシングによって S A Wデバイス個 片に分割する際に、 気密空間を外気と連通させる穴が樹脂部に形成さ れる虞が無くなる。
請求項 2の発明は、 請求項 1 において、 前記ラミネート工程は、 前 記樹脂シート上面に圧接しながら回転する所定温度に加熱した押圧口 —ラと、 前記実装基板下面に添設したガイ ド部材との間で実装基板及 び S A Wチップを加圧する熱ローララミネ一ト工程から成り、 熱ロー ララミネ一ト工程では、 以下の条件、 （ a )押圧ローラの加熱温度を樹 脂シー卜の軟化温度又は溶融温度以上、 且つ硬化温度未満に設定する こと、 （b )前記押圧ローラによって前記樹脂シート上面を加熱しなが ら加圧することにより軟化又は溶融させること、 （ c )軟化又は溶融し た樹脂シートを押圧ローラにて加熱しながら加圧することによって前 記気密空間を確保しながら S A Wチップを樹脂にて被覆すること、 を 満たすことを特徴とする。
これによれば、 S A Wチップ間の谷間に確実に軟化樹脂を充填して、 理想的な形状、 容積の気密空間を形成することができる。
請求項 3の発明は、 請求項 1において、 前記ラミネート工程は、 前 記樹脂シート上面に先端で圧接しながら一方向へ移動する所定温度に 加熱したブレードと、 前記実装基板下面に添設したガイ ド部材との間 で実装基板及び S A Wチップを加圧するブレ一ドラミネート工程から 成り、 ブレードラミネ一ト工程では、 以下の条件、 （ a ) 前記ブレード の加熱温度を樹脂シートの軟化温度又は溶融温度以上、 且つ硬化温度 未満に設定すること、 （b )前記ブレードによって前記樹脂シート上面 を加熱しながら加圧することにより軟化又は溶融させること、 （ c )軟 化又は溶融した樹脂シ一トをブレードにて加熱しながら加圧すること によって前記気密空間を確保しながら S A Wチップを樹脂にて被覆す ること、 を満たすことを特徴とする。
前記押圧ローラに代えて、 加熱したプレードを用いて樹脂シート上 面を加圧することにより、 樹脂シートを軟化又は溶融させて S A Wチ ップを樹脂にて被覆することを特徴とする。
ラミネート工程は、 熱ローラによる他にも、 加熱したブレードによ り樹脂シートを加圧しながら押し潰してもよく、 熱ローラの場合と同 様の効果を得ることができる。
請求項 4の発明は、 請求項 1、 2又は 3において、 前記樹脂シート は、 粘着性を有した樹脂シート本体の上面に離型性を有する保護フィ ルムを貼付した構成を備え、 樹脂シート本体下面を前記 S A Wチップ 上面に添設した状態で前記ラミネート工程と前記プレス成形工程を順 次実施してから、 前記保護フィルムを剥離することを特徴とする。 樹脂シート本体は、 S A Wチップ上に添設された際に仮接着する程 度の粘着性を有しているため、 加圧部材等を当接させる樹脂シート上 面に離型性のよい保護フィルムを貼付しておくことにより、 ラミネー ト工程、 プレス工程時に押圧ローラ、 プレード、 加圧部材に対して樹 脂シートが付着する不具合を防止できる。
請求項 5の発明は、請求項 1乃至 4において、前記保護フィルムは、 ポリエチレンテレフ夕レート （P E T ) から成ることを特徴とする。 請求項 6の発明は、 請求項 1乃至 5において、 前記ラミネート工程 を、 減圧雰囲気中にて実施することを特徴とする。
これによれば、 ラミ'ネート工程中におけるエアー抜きが確実に進行 する。
請求項 7の発明は、 請求項 1乃至 5において、 前記ラミネート工程 を、 不活性ガス雰囲気中にて実施することを特徴とする。
これによれば、 樹脂封止完了後の気密空間内が不活性ガスで満たさ れ、 S A Wデバイスの経時変化に対する特性を向上できる。
請求項 8の発明は、 請求項 1乃至 7において、 前記実装基板は、 複 数の実装基板個片をシート状に連結した実装基板母材であり、 前記ラ ミネ一ト工程では、 実装基板母材上に搭載した複数の S A Wチップの 上面にまたがるように大面積の樹脂シートを添設してからラミネート することを特徴とする。
上記各請求項記載の製造方法は、 実装基板母材を用いてバッチ処理 にて行うことにより、 量産性を高めることができる。
請求項 9の発明は、 請求項 8において、 前記実装基板母材上に搭載 した複数の S A Wチップ上に大面積の樹脂シートをラミネートした後 で上下両面側から加圧板を用いて実施される前記プレス成形工程にお いては、 樹脂ラミネ一ト済み S A Wチヅプ個片に過剰な圧力がかから ぬように、 前記加圧板による加圧力を制限するスぺ一サを用いること を特徴とする。
ラミネート装置を構成する押圧ローラやプレードによる加圧力の微 調整に依存せずに、 スぺ一サを用いて過剰なプレスが行われないよう にすることにより、 樹脂シートを適切に S A Wチップ谷間に充填、 展 開させることができる。
請求項 1 0の発明は、 請求項 8又は 9において、 前記プレス成形ェ 程においては、 前記実装基板母材上に搭載した S A Wチップ群上に載 置した樹脂シート上に枠体を配置し、 該枠体と共に実装基板母材全体 をプレス成形し、 枠体の下部に位置する樹脂を潰した状態でプレス成 形することを特徴とする。
実装基板母材上に密集して配列された S A Wチヅプ群の上に大面積 の樹脂シートを添設し、 樹脂シ一トの上面外周を枠体を介してプレス 成形することにより、 枠体の下部に位置する樹脂が潰されて、 S A W チップ群の外周に位置する S A Wチップの裾部に対する樹脂の入り込 みを促進することができる。
請求項 1 1の発明は、 請求項 1 0において、 前記枠体を、 該枠体を プレス成形する加圧部材に一体化したことを特徴とする。
枠体は、 加圧部材 （金属板、 プレス機上型） と別体でもよいが、 一 体とした方が、 取り扱いが便利であり、 作業性が向上する。
請求項 1 2の発明は、 請求項 8又は 9において、 前記プレス成形ェ 程においては、 S A Wチップ群をその外径側に離間した位置にて包囲 するように前記実装基板母材上に前記枠体を配置し、 S A Wチップ群 の上面に添設した樹脂シ一トをプレス成形し、 枠体の内周面によって 樹脂シートの側方への膨張を抑制することを特徴とする請求項 8、 又 は 9に記載の表面実装型 S A Wデバイスの製造方法。
枠体は、 樹脂シートを加圧したときに、 樹脂シートが側方に逃げる ことを防止する手段であるため、 実装基板母材の上面に配置してもよ い。 図面の簡単な説明
図 1 ( a ) 及び （b ) は、 本発明の一実施形態に係る製造方法によ り製造せんとする表面実装型弾性表面波デバイスの外観斜視図、 及び その縦断面図である。
図 2は、 樹脂シートの一例を示す拡大断面図である。
図 3 ( a ) 及び （b ) は、 実装基板母材上の各個片領域上に S A W チップをフリップチップ実装する工程を示す平面図、 及び正面縦断面 である。 図 4は、 実装基板母材上に実装した複数の S AWチップの上面に跨 るように、 ベ一スフィルムを剥離した樹脂シートの下面を載置した状 態を示す図である。
図 5 (a) 及び （b) は、 各 SAWチップ上に仮接着された樹脂シ ートを、 ラミネート装置により S AWチップに対してラミネートする 熱口一ララミネ一ト工程を説明する断面図である。
図 6は、 ブレードを用いたラミネート工程を説明する図である。 図 7 (a) 及び （b) は、 ラミネート工程後に行うプレス成形工程 を説明するための図である。
図 8 (a) 及び （b) は、 後硬化工程の説明図である。
図 9は、完成品としての S AWチヅプの説明図であり、 （a)は欠陥 品、 （b) は良品を示す図である。
図 10は、 従来例の説明図である。 発明を実施するための最良の形態
以下、 本発明を図面に示した実施の形態により詳細に説明する。 図 1 (a) 及び （b) は本発明の一実施形態に係る製造方法により 製造せんとする表面実装型弾性表面波デバイス （以下、 SAWデバイ ス、 という） の外観斜視図、 及びその縦断面図である。
この SAWデバイス 1は、 ガラス、 樹脂、 セラミック、 ガラスェポ キシ、 アルミナ等から成る絶縁基板 3、 絶縁基板 3の底部に設けた表 面実装用の外部電極 4、 及び、 絶縁基板 3の上面に設けられ且つ内部 導体 6を介して外部電極 4と導通した配線パターン 5、 から成る実装 基板 2と、 配線パターン 5と導体バンプ 10を介して電気的機械的に 接続される接続パッ ド 1 6、 及び接続パッ ド 1 6と導通した I D T電 極 17を夫々圧電基板 18の下面に備えた SAWチップ 15と、 SA Wチップ 1 5の下面を除いた外面 （上面、 及び側面） を被覆すること により I D T電極 1 7 と実装基板上面との間に気密空間 Sを形成する 封止樹脂 3 1 Aと、 を備えている。 圧電基板 1 8は、 例えば水晶、 夕 ン夕ル酸リチウム等から構成する。 導体バンプ 1 0は、 この例では A uを用いるが、 導電性接着剤、 半田等から構成してもよい。
S A Wチップ 1 5を構成する I D T電極 1 7は、 給電側のリード端 子から高周波電界を印加されることによって弾性表面波を励起し、 弹 性表面波を圧電作用によって高周波電界に変換することによってフィ ル夕特性を得ることができる。
封止樹脂 3 1 Aは、 樹脂シートを一旦軟化温度まで加熱昇温させて から加圧変形させて S A Wチップ外面と実装基板上面に密着させた後 で、硬化温度まで加熱昇温させて形状を固定することにより形成され、 S A Wチップの気密性、 及び実装基板に対する S A Wチップの固定力 を補強する。 更に、 封止樹脂 3 1 Aは、 S A W伝搬を確保するために I D T電極 1 7と絶縁基板 3の上面との間の空間を気密化された内部 空間 （気密空間 S ) とするための封止手段としても機能する。
図 2はこの樹脂シ一ト 3 0の一例を示す拡大断面図であり、 この樹 脂シート 3 0は、 樹脂シート本体 3 1の一方の面に離型性を有する保 護フィルム 3 2を剥離可能に貼付し、 他方の面にはベースフィルム 3 3が剥離可能に貼付されている。 樹脂シート本体 3 1は、 液状のェポ キシ樹脂をシート化したものであり、 液体の構造を保ったまま結晶化 することなく凍結されることにより流動性を喪失したものである。 後 述するラミネート工程において、 樹脂シート 3 0を軟化させるために 熱可塑性を有している。 樹脂シート本体 3 1の厚み t rを後述する所 定以上の値に限定する点が本発明の一つの特徴をなしている。
樹脂シ一ト本体 3 1は、 タック性を有しているため、 後述のラミネ —ト工程や、 プレス成形工程での離型が容易化するように、 離型性保 護フィルム 32が上面に貼付されている。 本実施形態では、 保護フィ ルム 32として、厚さ 80〃m程度のポリエチレンテレフ夕レート（P E T) を使用している。
ベースフィルム 33としては、 厚さ 50〃mのポリエステルを使用 した。
次に、 図 3乃至図 9に基づいて本発明の SAWチップの製造手順を 説明する。
本発明の製造方法の概要は次の通りである。 即ち、 実装基板 2上の 配線パターン 5 と、 S AWチップ下面の接続パッ ド 1 6 とを導体バン プ 10を介して接続することにより、 実装基板 2上に SAWチップ 1 5をフリツプチップ実装するフ リ ップチップ実装工程と、 S A Wチヅ プ 1 5の上面に S AWチヅプょ りも面積が大きい樹脂シ一ト 30を載 置して実装基板の一端から他端へ向けて樹脂シート 30を軟化 （又は 溶融） させながら樹脂シートを加圧することにより気密空間 Sを確保 しながら S AWチップ外面を樹脂 3 1 Aにて覆うラミネート工程と、 樹脂 3 1 Aにて外面をラミネートした S AWチヅプ 1 5を加圧しなが ら加熱することにより、 気密空間 S内の気体の膨張を抑制しながら樹 脂 3 1 Aを硬化させるプレス成形工程と、 プレス成形工程を経た S A Wデバイス 1を、 樹脂 3 1 Aが完全に硬化する温度 · 時間にて加熱す る熱硬化工程と、 から成る。
そして、 この製造方法の特徴的な構成は、 記ラミネート工程前の樹 脂シ一ト 30の厚み t rが、 L/[ (X + Gx) (Y + Gy) ] ≤ t r 但し、 L= (X + Gx) (Y + Gy) (H + T+A) — XYT— X Y A- [XVyA + YVxA+ (4 VxVyA) /3]
( L ： 一つの S AWチップ外面を封止するのに必要な樹脂シートの体 積、 X： SAWチップの一辺の長さ、 Y： S AWチップの他辺の長さ、 Gx ： X方向に隣接し合う SAWチップ間の間隔、 Vx ： Y方向へ延 びるダイシング切り代から直近の S A Wチップの側面までの距離、 G y ： Y方向に隣接し合う SAWチップ間の間隔、 Vy ： X方向へ延び るダイシング切り代から直近の S A Wチヅプの側面までの距離、 H ： 一つの S AWチップ外面を樹脂シ一トにて被覆完了した後の S A Wチ ップ上面に位置する樹脂の厚さ、 T :圧電基板の厚さ、 A ：実装基板 母材上面から圧電基板底面までの間隔） となるように構成した点にあ
^ ο
以下の説明では、 複数の実装基板をシート状に連結一体化した実装 基板母材を用いたバッチ処理による S A Wデバイスの生産方法につい て説明するが、 本発明の製造方法は個々の実装基板個片上に S AWチ ップを搭載してから更に樹脂被覆を行う方法にも適用することができ
Ό ο
図 3 (a) 及び （b) は、 実装基板母材 40上の各個片領域 2上に S AWチップ 1 5をフリツプチップ実装する工程を示す平面図、 及び 正面縦断面である。 各個片領域に属する実装基板 2は、 図 1にて説明 した如く、 絶释基板 3の底部に外部電極 4を、 上部に配線パターン 5 を備え、 内部に外部電極 4と配線パターン 5を導通する内部導体 6を 備えている。 この配線パターン 5上に S AWチップの接続パヅ ド 1 6 を、 導体バンプ 1 0を用いて接続することにより、 フ リ ヅプチップ実 装が行われる。
次に、 図 4は図 3の実装基板母材 40上に実装した複数の SAWチ ヅプ 1 5 (圧電基板 1 8 ) の上面に跨るように、 ベースフィルム 3 3 を剥離した樹脂シート 3 0 (樹脂シート本体 3 1 ) の下面を載置した 状態を示している。 前述の如く樹脂シート本体 3 1は夕ック性を有し ているため、 ベ一スフイルム 3 3を剥離した下面を S A Wチップ上面 に載置すれば、 S A Wチップ 1 5上面に樹脂シート 3 0が仮接着され、 ハンドリング等において樹脂シートがずれを起こす虞が無くなる。 次に、 図 5は各 S A Wチップ 1 5上に仮接着された樹脂シート 3 0 を、 ラミネート装置 5 0により S A Wチップに対してラミネートする 熱ローララミネート工程を説明する断面図である。
熱ローララミネ一卜工程を実施するためのラミネ一ト装置 5 0は、 S A Wチップ 1 5を搭載した実装基板母材 4 0を矢印で示す方向へ所 定のラミネ一ト速度で移動させる図示しない移動手段と、 S A Wチッ プ 1 5上の樹脂シート 3 0の上面に圧接して矢印方向へ回転駆動され る熱ローラとしての押圧ローラ 5 1 と、 実装基板母材 4 0の下面を支 持して押圧ローラ 5 1 との間で加圧力を発生するガイ ド部材としての 支持ローラ 5 2と、 を備えている。 押圧ローラ 5 1は、 図示しないヒ 一夕により所要温度に加熱制御されると共に、 図示しない駆動源によ り実装基板母材をラミネート方向へ送るように回転駆動される。 支持 ローラ 5 2は、 矢印方向へ連れ回り、 或いは回転駆動される。 なお、 押圧ローラ 5 1 との間で加圧力を発生するためのガイ ド部材としては、 支持ローラ 5 2に代えて平坦なステージ状のガイ ド部材を設けて実装 基板母材下面をガイ ドするようにしてもよい。
この熱口一ララミネ一ト工程では、 以下の条件を満たすことが求め られる。
( a )押圧ローラ 5 1の加熱温度を樹脂シ一ト 3 0の軟化（又は溶融） 温度以上、 且つ硬化温度未満に設定すること、
( b ) 押圧ローラ 5 1によって樹脂シート 3 0上面を加熱しながら加 圧することにより軟化 （又は溶融） させること、
( c ) 軟化 （又は溶融） した樹脂シート 3 0を押圧ローラ 5 1にて加 熱しながら加圧することによって、 樹脂シ一ト本体 3 1を SAWチヅ プ間の谷間に充填、 浸透させて、 気密空間 Sを確保しながら SAWチ ヅプ 15を樹脂にて被覆すること。
複数の SAWチヅプ 1 5上に跨って仮接着された樹脂シ一ト 30は、 図 5 ( a) の押圧ローラ 5 1を用いたラミネート工程により、 その樹 脂シート本体 3 1が、 SAWチップ外面から実装基板母材上面にかけ て充填されることによりラミネートが行われる。
図示しないヒ一夕によりコン トロールされる押圧ローラ 5 1の表面 温度は、 樹脂シート本体 3 1の軟化温度以上、 且つ硬化温度未満に保 持されている。 本実施形態における樹脂シ一ト本体 3 1は、 ラミネ一 ト可能な弾性率にまで軟化する温度が 60°C以上であり、 且つ硬化温 度が 150 °Cであるため、 例えば押圧口一ラ 5 1の表面温度を 80〜 10 o°cに保つことにより、 最適な軟化状態でのラミネートが可能と なる。 本実施形態では、 下側の支持ローラ 52 (又はステージ） は特 に加熱しなかったが、 必要に応じて加熱してもよい。 両ローラ 5 1、 52間のギヤヅプは、 概ね実装基板母材 40の肉厚と SAWデバイス 15の高さ寸法とを合せた寸法と同等に設定するが、 離型性保護フィ ルム 32の厚さや樹脂シート本体 31の弾性率等に応じて適宜調整す る必要がある。
押圧ローラ 5 1は、 手動又はモ一夕駆動等により矢印方向へ回転駆 動され、 図 5 (a) に示した如く、 各 SAWチップ 1 5上に樹脂シ一 ト 30を仮接着した実装基板母材 40をローラ 5 1、 52間に挟み込 むように差し込むことにより、 図 5 (b) に示すように、 軟化した樹 脂シ一ト本体 3 1が SAWチップ 15の谷間に入り込んで実装基板表 面に到達し、 SAWチップ 1 5と実装基板母材表面との間に気密空間 Sを確保しつつ、 SAWチップ 1 5を包囲する。 なお、 この実施形態では、 ラミネート速度を 0 . 1〜 0 . 3 m/分 として熱ローララミネートを行った。
なお、 本実施形態において熱ローララミネート法を採用しているの は、 S A Wチップ 1 5 と実装基板母材 4 0との間の気密空間 Sが必要 以上に拡張されないよう、 樹脂シートの一端側から他端側へ向けて順 次加圧してエア一を抜きながらラミネートする目的があるからである。 従って、 順次エアーを抜きながらラミネートできる方法であれば、 樹 脂シ一トを加熱し且つ加圧する手段としては、 押圧ローラ以外の手段 を採用可能である。 具体的には、 例えば図 6に示した如く、 所要温度 に加熱されたプレード 5 5を用いて、 ブレード 5 5のエッジ部を樹脂 シート 3 0の保護フィルム 3 2に圧接させながら矢印方向へ移動させ ることによって、 加熱と同時に加圧を行う方式も有効である。 この場 合には、 ガイ ド部材としてステージ 5 3を使用する。
なお、 ラミネ一ト工程を真空オーブン等の減圧雰囲気中で行えば、 更に効率よくエアーを抜き、 樹脂の密着性を高め、 且つ適切な気密空 間 Sを形成することができる。
なお、 ラミネート工程を窒素等の不活性ガス雰囲気中にて行えば、
S A Wデバイスの経年変化を防止し、 特性を経時的に向上することが できる。
なお、 ラミネート工程だけでは樹脂シート本体 3 1の硬化は完了し ておらず、 別途完全に硬化させる工程が必要である。 但し、 ラミネー ト後の樹脂は柔らかく、 単に硬化温度で加熱するだけであると、 気密 空間 S内のエア一が膨張して樹脂を押し出し、 気密空間が必要以上に 拡大してしまう。 この不具合を抑圧しながら樹脂を完全硬化すること が求められている。 このような目的で行われる工程が、 プレス成形ェ 程である。 即ち、 図 7 ( a ) 及び （b ) は、 ラミネート工程後に行うプレス成 形工程を説明するための図である。このプレス成形を実施することで、 加熱によるエアーの膨張によって、 気密空間 Sが必要以上に大きくな ることを防止できる。
このプレス成形工程は、 プレス成形装置 6 0によって実施される。 このプレス成形装置 6 0は、 実装基板母材 4 0の底面を支持する金属 型 6 1 と、 金属型 6 1上に支持された実装基板母材 4 0の外径方向に 位置するスぺーサ 6 2 と、 実装基板母材 4 0上にラミネートされた樹 脂シート 3 0の上面外縁に沿って添設される枠体 6 3 と、 枠体 6 3の 上面を加圧する金属板 （加圧部材） 6 4 と、 プレス機 7 0と、 を備え ている。
まず、ラミネート工程を終えた樹脂ラミネート済み実装基板母材（図 5 ( b )ヽ 以下、 ラミネート済みュニ ヅ ト U、 と言う） を、 図 7 ( a ) のように金属型 6 1の上面に載置し、 ラミネート済みュニ ヅ ト Uに過 剰な圧力がかからぬように、 ラミネート済みユニッ ト Uの外径方向に 離間してテフ口ンスぺ一サ 6 2を設ける。 このテフ口ンスぺ一サ 6 2 は、 金属型 6 1の上面に固定する。 そして、 ラミネート済みュニヅ ト Uの樹脂シ一ト 3 0上に、 S A Wチップ 1 5が実装されている領域よ りも大きく開口した環状のテフ口ン枠体 6 3を載せ、 その上に金属板 6 4を載置する。
ラミネート済みュニッ ト Uを図 7 ( a ) の如くセッ トした後、 プレ ス機 7 0を用いて図 7 ( b ) に示した如きプレス成形を行う。 このプ レス機 7 0は、 上型 （加圧部材） 7 1 と下型 7 2 とから成り、 上型 7 1 と下型 7 2は夫々樹脂の硬化温度である 1 5 0 °Cに設定されている。 下型 7 2上に金属型 6 1を載置すると共に、 金属板 6 4の上面に上型 7 1を当接させてプレスを行う。 プレスによって気密空間 s内のエアーの膨張を強制的に抑えながら、 樹脂を硬化させるので、 エアーの膨張による気密空間の不要な拡大は 発生しない。 また、 テフロン枠体 6 3の下部に位置する樹脂を潰した 状態でプレス成形することにより、 実装基板母材 4 0上に搭載された S A Wチップ群の外周縁に位置する S A Wチップの裾部 （図 7 ( b ) 中の B部）に特に発生しやすいエアーの膨張（ボイ ド）が抑圧される。 なお、 この実施形態では樹脂シートの上面外周縁を加圧する枠体と してテフロン枠体 6 3を用いたが、 これは一例に過ぎず、 テフロン以 外の材料から成る枠体であってもよい。 また、 枠体 6 3を金属板 （加 圧部材） 6 4に一体化させた構造であってもよいし、 金属板 6 4を使 用せず直接プレス上型 （加圧部材） 7 1により加圧する場合は、 プレ ス機上型 7 1の下面に枠体 6 3を一体化させた構造であってもよい。
また、 枠体 6 3は、 樹脂シート 3 0の側面方向への膨張を抑える手 段であるため、 その目的が達成されるのであれば、 必ずしも樹脂シー ト 3 0の上面に配置しておく必要はなく、 S A Wチップ群の外径側に 相当する実装基板母材 4 0上に予め環状の枠体 6 3を一体化させてお いてもよい。 この場合、 平板状の実装基板母材 4 0上に別部材として の枠体を固定するとすれば、 枠体の位置ずれの問題が生じ得るが、 例 えば実装基板母材をセラミック （アルミナ） にて構成する場合に、 実 装基板母材の製造時に同材質から成る枠体を予め一体製造しておけば、 梓ずれ等の不具合を防ぐことができる。
本実施形態では、 図 7 ( b ) の状態を 1 0分間維持してから平板プ レス成形を終えた。 今回採用した樹脂シート 3 0は、 図 7 ( b ) の平 板プレス成形を十分行えばエアーの膨張によって、 樹脂が外側に押し 出されることが無くなる。
プレス成形工程を終えた後に、後硬化工程に入る。後硬化工程では、 雰囲気温度を 1 5 0 °Cに設定した恒温槽 （後硬化装置） 中にラミネー ト済みユニッ ト Uを図 8 ( a ) のような状態で配置し、 3時間加熱す る。 これは今回採用した樹脂シート 3 0の樹脂シート本体 3 1が完全 に硬化するのに十分な温度 ·時間であり、 使用する樹脂シートの材質 等の条件の違いによって適宜硬化条件を選択する必要がある。 なお、 離型性保護フィルム 3 2を剥がすのは、 後硬化工程に入る前でも後で もかまわず、 プレス成形工程以降であればよい。 この実施形態では、 後硬化工程を終えてから離型性保護フィルム 3 2である P E Tを剥が した。 '
そして、 図 8 ( a ) に示されているダイシング切り代に沿って、 幅 Dのダイシングブレードにてダイシングし、 図 8 ( b ) のような個片 の S A Wデバイスを得た。
通常、 ダイシングは、 切削水や薬品等をかけながら行うので、 封止 材である樹脂が吸水する虞がある。 樹脂による吸水が S A Wデバイス の耐湿性や経時変化特性を劣化させる虞がある場合、 或いは水蒸気爆 発現象 （ポップコーン現象） による封止樹脂が破壊する虞がある場合 などは、 ダイシング後にベーキング工程を設けて水分を樹脂から出せ ばよい。
以上、 ラミネート工程、 プレス成形工程、 後硬化工程の 3つの工程 から成る本発明の樹脂封止方法について説明したが、 本発明の樹脂封 止方法においては、 樹脂シート 3 0 (特に、 樹脂シート本体 3 1 ) の 厚みが極めて童要な要件をなしている。 即ち、 樹脂シート本体 3 1の 厚みが不足す ¾と、 図 9 ( a ) に示されているように、 S A Wチヅプ 間の谷間に充填された樹脂が、 3八¥チヅプ 1 5の裾部から大きく外 側へ拡大した状態の気密空間 Sを形成するので、 ダイシング切り代に 気密空間 Sが到達してしまい、 この状態でダイシングして個片の S A Wデバイスに分割すると、 樹脂側面に穴が空いてしまい、 S AWデバ イスの防塵 ·防湿性能を著しく低下させてしまう。 これを防ぐには、 最悪でも、 S AWチヅプ間に充填された樹脂が図 9 ( b ) のように S A Wチップの裾部により接近した状態となるように樹脂シート本体の 厚みを算出し、 その厚み以上の樹脂シート本体を用いる必要がある。
そのためには、 図 9 ( b ) の状態にするために必要な樹脂の体積を 求め、 この体積の値を S A Wチップ一個当りの実装基板の面積で割れ ば、最低限必要な樹脂シ一ト本体 3 1の厚みを算出することができる。 即ち、 樹脂シ一ト本体 3 1の厚みを t rとすると、 t rは以下の条 件を満たす必要がある。
L/ [(X + Gx) (Y + Gy)] ≤ t r
但し、 L = (X + Gx) (Y + G ) (H + T +A) — XY T— X Y A- [XVy A + YVx A+ (4 Vx VyA) /3 ]
(但し、 L ：.一つの S AWチップ外面を封止するのに必要な樹脂シ一 トの体積、 X ： S AWチップの一辺の長さ、 Y ： S AWチップの他辺 の長さ、 Gx ： X方向に隣接し合う S AWチップ間の間隔、 Vx : Y 方向へ延びるダイシング切り代から直近の S A Wチップの側面までの 距離、 Gy ： Y方向に隣接し合う SAWチップ間の間隔、 Vy ： X方 向へ延びるダイシング切り代から直近の S A Wチップの側面までの距 離、 H ： —つの SAWチヅプ外面を樹脂シートにて被覆完了した後の SAWチップ上面に位置する樹脂の厚さ、 T :圧電基板の厚さ、 A : 実装基板母材上面から圧電基板底面までの間隔）
本発明者が実施した例では、 X = 1. 6 2 mm、 Y = 1. 2 2 mm、 Gx = 0. 5 8 mm、 Gy二 0. 5 8 mm、 Vx= 0. 1 9 mm, V y= 0. 1 9 mm、 H = 0. 1 mm、 T = 0. 3 5 mm、 A= 0. 0 3 mmであり、 t r^i O . 2 8 6 mm以上に設定する必要があつたの で、 t r = 0 . 3 3 m mの樹脂シートを採用した。
樹脂シート本体の厚さ t rの上限値については、 樹脂が気密空所内 に入り込み過ぎて、 S A W伝搬領域に樹脂が付着しないような値を選 択すればよい。 本発明者が採用した樹脂シート本体 3 1は、 熱可塑性 であるため軟化はするが、 溶融はしないため、 気密空間への樹脂の浸 入の心配はなかった。 逆に、 樹脂が必要部に入り込まなくなるという 不具合が発生し得るので、 上記の式を用いて樹脂シート本体の厚み t rを適宜選択する必要がある。 但し、 加熱によって溶融する樹脂であ つても、 溶融後の樹脂の粘度が所定以上高ければ本発明に適用可能で ある。
また、 本発明による樹脂封止方法は、 ラミネート工程とプレス成形 工程の両工程で加圧も実施しているため、 W O 9 7 Z 0 2 5 9 6に開 示された方法の欠点である実装基板と高粘度樹脂との密着性の悪さを 解消することができる。
なお、 本文中の 「テフロン」 は登録商標である。
以上のように本発明によれば、 実装基板上にフヱイスダウンで搭載 した S A Wチップの外面を、 加熱軟化させたシート樹脂により被覆す ると共に、 S A Wチップ裾部と実装基板上面との隙間に樹脂を充填さ せることにより、 S A Wチップ下面の I D T電極と実装基板上面との 間に気密空間を形成するようにした表面実装型 S A Wデパイスにおい て、 隙間内への樹脂充填量を確保するために実装基板に形成した貫通 孔から負圧吸引したり、 樹脂と実装基板との密着性を確保するために 加熱温度と吸引とのプロファイル管理を厳密化する必要をなくするこ とができる。
請求項 1の発明によれば、 樹脂封止工程を実施する際に、 使用する 樹脂シートの肉厚を適切な値に設定したことにより、 軟化樹脂を S A wチップ裾部にまで確実に行き渡らせて気密空間を確実に形成すると 共に、 気密空間の熱膨張による封止樹脂の変形を防止することができ る。 特に、 ダイシングによって S A Wデバイス個片に分割する際に、 気密空間を外気と連通させる穴が樹脂部に形成される虞が無くなる。 請求項 2の発明によれば、 S A Wチップ間の谷間に確実に軟化樹脂 を充填して、理想的な形状、容積の気密空間を形成することができる。 請求項 3の発明によれば、 ラミネート工程は、 熱ローラによる他に も、 加熱したプレードにより樹脂シ一トを加圧しながら押し潰しても よく、 熱ローラの場合と同様の効果を得ることができる。
請求項 4の発明によれば、 樹脂シート本体は、 S A Wチップ上に添 設された際に仮接着する程度の粘着性を有しているため、 加圧部材等 を当接させる樹脂シ一ト上面に離型性のよい保護フィルムを貼付して おくことにより、 ラミネート工程、 プレス工程時に押圧ローラ、 ブレ ―ド、 加圧部材に対して樹脂シートが付着する不具合を防止できる。 請求項 5の発明は、 保護フィルムは、 ポリエチレンテレフ夕レート
( P E T ) から成るので、 離型性を確保することができる。
請求項 6の発明は、 ラミネート工程を、 減圧雰囲気中にて実施する ので、 ラミネート工程中におけるエアー抜きが確実に進行する。
請求項 7の発明は、 ラミネート工程を、 不活性ガス雰囲気中にて実 施するので、 樹脂封止完了後の気密空間内が不活性ガスで満たされ、 S A Wデバイスの経時変化を防止し、 その電気的特性を経年的に維持 することができる。
請求項 8の発明では、 実装基板母材を用いてバッチ処理にて行うこ とにより、 量産性を高めることができる。
請求項 9の発明では、 ラミネート装置を構成する押圧ローラゃブレ ―ドによる加圧力の微調整に依存せずに、 スぺーサを用いて過剰なプ レスが行われないようにすることにより、 樹脂シ一トを適切に S A W チヅプ谷間に充填、 展開させることができる。
請求項 1 0の発明では、 実装基板母材上に密集して配列された S A Wチップ群の上に大面積の樹脂シ一トを添設し、 樹脂シートの上面外 周を枠体を介してプレス成形することにより、 枠体の下部に位置する 樹脂が潰されて、 S A Wチヅプ群の外周に位置する S A Wチップの裾 部に対する樹脂の入り込みを促進することができる。
請求項 1 1の発明は、 梓体を、 該枠体をプレス成形する加圧部材に 一体化した。 枠体は、 加圧部材 （金属板、 プレス機上型） と別体でも よいが、一体とした方が、取り扱いが便利であり、作業性が向上する。 請求項 1 2の発明は、 枠体を、 前記実装基板母材上に一体化した。 枠体は、 樹脂シートを加圧したときに、 樹脂シートが側方に逃げるこ とを防止する手段であるため、実装基板母材の上面に配置してもよい。

Claims

請 求 の 範 囲
1. 絶縁基板、 該絶縁基板の底部に配置した表面実装用の外部電極、 及び該絶縁基板の上部に配置され且つ前記外部電極と導通した配線パ 夕一ン、 を備えた実装基板と、 圧電基板、 該圧電基板の一面に形成し た I D T電極、 及び前記配線パターンと導体バンプを介して接続され る接続パッ ド、 を備えた SAWチップと、 前記 SAWチップをフェイ スダウン状態で実装基板上にフリ ップチップ実装した状態で SAWチ ップ外面から実装基板上面にかけて被覆形成されることにより前記 I D T電極と前記実装基板との間に気密空間を形成する封止樹脂と、 を 備えた表面実装型 S A Wデバイスの製造方法において、
前記配線パターンと前記接続パッ ドとを前記導体バンプを介して接 続することにより前記実装基板上に SAWチップをフリップチップ実 装するフ リ ップチップ実装工程と、
前記 S AWチップ上面に S AWチヅプ上面よりも面積が大きい樹脂 シートを載置して該実装基板の一端から他端へ向けて樹脂シートを軟 化又は溶融させながら樹脂シートを加圧することにより前記気密空間 を確保しながら S AWチップ外面を樹脂にて覆うラミネ一ト工程と、 前記樹脂にて外面をラミネ一トした SAWチップを加圧しながら加 熱することにより、 前記気密空間内の気体の膨張を抑制しながら該樹 脂を硬化させるプレス成形工程と、
プレス成形工程を経た S AWデバイスを、 樹脂が完全に硬化する温 度 · 時間にて加熱する後硬化工程と、 を備え、
前記ラミネ一ト工程前の樹脂シ一卜の厚み t rが、
L/ [(X + Gx) (Y + Gy)] ≤ t r
但し、 L二 (X + Gx) (Y + G ) (H + T+A) — X Y T— X YA - [XV A + YVx A+ ( Vx VyA) /3 ] (L ：一つの SAWチップ外面を封止するのに必要な樹脂シ一トの体 積、 X： S A Wチップの一辺の長さ、 Y： S A Wチップの他辺の長さ、 Gx ： X方向に隣接し合う SAWチップ間の間隔、 Vx ： Y方向へ延 びるダイシング切り代から直近の S AWチップの側面までの距離、 G y ： Y方向に隣接し合う SAWチップ間の間隔、 Vy ： X方向へ延び るダイシング切り代から直近の SAWチップの側面までの距離、 H ： 一つの SAWチヅプ外面を樹脂シ一トにて被覆完了した後の S A Wチ ップ上面に位置する樹脂の厚さ、 T :圧電基板の厚さ、 A： 実装基板 母材上面から圧電基板底面までの間隔） であることを特徴とする表面 実装型 S A Wデバイスの製造方法。
2. 前記ラミネート工程は、
前記樹脂シート上面に圧接しながら回転する所定温度に加熱した押 圧ローラと、 前記実装基板下面に添設したガイ ド部材との間で実装基 板及び S A Wチヅプを加圧する熱口一ララミネ一ト工程から成り、 熱口一ララミネート工程では、 以下の条件、
(a) 押圧ローラの加熱温度を樹脂シートの軟化温度又は溶融温度 以上、 且つ硬化温度未満に設定すること、
( b) 前記押圧ローラによって前記樹脂シート上面を加熱しながら 加圧することにより軟化又は溶融させること、
( C ) 軟化又は溶融した樹脂シートを押圧ローラにて加熱しながら 加圧することによって前記気密空間を確保しながら S A Wチップを樹 脂にて被覆すること、
を満たすことを特徴とする請求項 1に記載の表面実装型 SAWデバ イスの製造方法。
3. 前記ラミネ一ト工程は、 前記樹脂シート上面に先端で圧接しながら一方向へ移動する所定温 度に加熱したプレードと、 前記実装基板下面に添設したガイ ド部材と の間で実装基板及び S A Wチップを加圧するブレードラミネート工程 から成り、
ブレードラミネート工程では、 以下の条件、
( a ) 前記ブレードの加熱温度を樹脂シ一卜の軟化温度又は溶融温 度以上、 且つ硬化温度未満に設定すること、
( b ) 前記ブレードによって前記樹脂シート上面を加熱しながら加 圧することにより軟化又は溶融させること、
( c ) 軟化又は溶融した樹脂シートをブレードにて加熱しながら加 圧することによって前記気密空間を確保しながら S A Wチップを樹脂 にて被覆すること、
を満たすことを特徴とする請求項 1に記載の表面実装型 S A Wデバ イスの製造方法。
4 . 前記樹脂シートは、 粘着性を有した樹脂シート本体の上面に離型 性を有する保護フィルムを貼付した構成を備え、 樹脂シート本体下面 を前記 S A Wチップ上面に添設した状態で前記ラミネ一ト工程と前記 プレス成形工程を順次実施してから、 前記保護フィルムを剥離するこ とを特徴とする請求項 1、 2又は 3の何れか一項に記載の表面実装型 S A Wデバイスの製造方法。
5 . 前記保護フィルムは、 ポリエチレンテレフ夕レート （P E T ) か ら成ることを特徴とする請求項 1乃至 4の何れか一項に記載の表面実 装型 S A Wデバイスの製造方法。
6 . 前記ラミネート工程を、 減圧雰囲気中にて実施することを特徴と する請求項 1乃至 5の何れか一項に記載の表面実装型 S A Wデバイス の製造方法。
7 . 前記ラミネート工程を、 不活性ガス雰囲気中にて実施することを 特徴とする請求項 1乃至 5の何れか一項に記載の表面実装型 S A Wデ バイスの製造方法。
8 . 前記実装基板は、 複数の実装基板個片をシート状に連結した実装 基板母材であり、 前記ラミネート工程では、 実装基板母材上に搭載し た複数の S A Wチップの上面にまたがるように大面積の樹脂シートを 添設してからラミネ一トすることを特徴とする請求項 1乃至 7の何れ か一項に記載の表面実装型 S A Wデバイスの製造方法。
9 . 前記実装基板母材上に搭載した複数の S A Wチップ上に大面積の 樹脂シ一トをラミネートした後で上下両面側から加圧板を用いて実施 される前記プレス成形工程においては、 樹脂ラミネート済み S A Wチ 、ソプ個片に過剰な圧力がかからぬように、 前記加圧板による加圧力を 制限するスぺーサを用いることを特徴とする請求項 8に記載の表面実 装型 S A Wデバイスの製造方法。
1 0 . 前記プレス成形工程においては、 前記実装基板母材上に搭載し た S A Wチップ群上に載置した樹脂シ一ト上に枠体を配置し、 該枠体 と共に実装基板母材全体をプレス成形し、 枠体の下部に位置する樹脂 を潰した状態でプレス成形することを特徴とする請求項 8、 又は 9に 記載の表面実装型 S A Wデパイスの製造方法。
1 1 . 前記枠体を、 該枠体をプレス成形する加圧部材に一体化したこ とを特徴とする請求項 1 ◦に記載の表面実装型 S A Wデバイスの製造 方法。
1 2 . 前記プレス成形工程においては、 S A Wチップ群をその外径側 に離間した位置にて包囲するように前記実装基板母材上に前記枠体を 配置し、 S A Wチップ群の上面に添設した樹脂シートをプレス成形し、 枠体の内周面によって樹脂シートの側方への膨張を抑制することを特 徴とする請求項 8、 又は 9に記載の表面実装型 SAWデバイスの製造 方法。
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