JP3912324B2

JP3912324B2 - 弾性表面波デバイスの製造方法

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Publication number: JP3912324B2
Application number: JP2003136822A
Authority: JP
Inventors: 康秀小野澤; 達也安齋
Original assignee: Miyazaki Epson Corp
Current assignee: Miyazaki Epson Corp
Priority date: 2003-05-15
Filing date: 2003-05-15
Publication date: 2007-05-09
Anticipated expiration: 2023-05-15
Also published as: JP2004343378A

Description

【０００１】
本発明は、弾性表面波デバイスに関し、特にパッケージサイズを小型化にした弾性表面波デバイスの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、弾性表面波(ＳｕｒｆａｃｅＡｃｏｕｓｔｉｃＷａｖｅ：以下、ＳＡＷ)デバイスは移動体通信分野で幅広く用いられ、高性能、小型、量産性等の点で優れた特徴を有することから特に携帯電話等に多く用いられている。また、半導体部品においてＣＳＰ（ＣｈｉｐＳｉｚｅＰａｃｋａｇｅ）と呼ばれる小型パッケージングが一般化するのに伴って、ＳＡＷデバイスにおいてのフィルタの小型化の容易化とバッチ式の製造方法による生産性の向上という観点から、ＣＳＰ技術を用いた生産方法が導入されるようになっている。
【０００３】
前述したＣＳＰ技術を用いた生産方法において、本願発明者が特願２００２−２９３１１０号にてラミネート工程、プレス成形工程、後硬化工程の３つの工程からなるＳＡＷデバイスの樹脂封止工程を提案している。以下、図８から図１２に基づいて前記樹脂封止工程を詳細に説明する。図８は、実装基板母材１４０上にＳＡＷチップ１１５をフリップチップ実装する工程を示す断面図である。実装基板母材１４０は、絶縁基板１０３の底部に外部電極１０４を上部に配線パターン１０５を備え、内部に外部電極１０４と配線パターン１０５とを導通する内部導体１０６を備え、ＳＡＷチップ１１５は圧電基板１１８の主面上にＳＡＷを励振する為のＩＤＴ１１７と該ＩＤＴ１１７に導通した接続パッド１１６を備えている。そして、実装基板母材１４０の配線パターン１０５上にＳＡＷチップ１１５の接続パッド１１６を、導体バンプ１１０を用いて接続することによりフリップチップ実装が行われる。
【０００４】
次に、図９に示すように、図８の実装基板母材１４０上に実装した複数のＳＡＷチップ１１５の圧電基板１１８の上面に跨るように、樹脂シート１３０を載置する。この樹脂シート１３０は、樹脂シート本体１３１の一方の面に離型性を有する保護フィルム１３２を剥離可能に貼付している。
【０００５】
次に、図１０は各ＳＡＷチップ１１５上に載置された樹脂シート１３０を、ラミネート装置１５０によりＳＡＷチップ１１５に対してラミネートする熱ローララミネート工程を示した断面図である。熱ローララミネート工程を実施するためのラミネート装置１５０は、ＳＡＷチップ１１５を搭載した実装基板母材１４０を矢印で示す方向へ所定のラミネート速度で移動させる移動手段と、ＳＡＷチップ１１５上の樹脂シート１３０の上面に圧接して矢印方向へ回転駆動される熱ローラとしての押圧ローラ１５１と、実装基板母材１４０の下面を支持して押圧ローラ１５１との間で加圧力を発生するガイド部材としての支持ローラ１５２とを備えている。押圧ローラ１５１は、ヒータにより所要温度に加熱制御されると共に、駆動源により実装基板母材１４０をラミネート方向へ送るように回転駆動される。そして、支持ローラ１５２は、矢印方向へ連れ回り、或いは回転駆動される。この熱ローララミネート工程では、以下の条件を満たすことが求められる。
（ａ）押圧ローラ１５１の加熱温度を樹脂シート１３０の軟化（又は溶融）温度以上、且つ硬化温度未満に設定すること。
（ｂ）押圧ローラ１５１によって樹脂シート１３０を押圧ローラ１５１にて加熱しながら加圧することにより軟化（又は溶融）させること。
（ｃ）軟化（又は溶融）した樹脂シート１３０を押圧ローラ１５１にて加熱しながら加圧することによって、樹脂シート本体１３１をＳＡＷチップの谷間に充填、浸透させて、気密空間Ｓを保持しながらＳＡＷチップ１１５を樹脂にて被覆すること。
複数のＳＡＷチップ１１５上に跨って載置された樹脂シート１３０を、図１０に示した熱ローララミネート工程により、その樹脂シート１３０が、ＳＡＷチップ１１５外面から実装基板母材１４０上面にかけて充填されることによりラミネートする。なお、熱ローララミネート法においては、ＳＡＷチップ１１５と実装基板母材１４０との間の気密空間Ｓが必要以上に拡張されないよう、樹脂シート１３０の一端側から他端側へ向けて順次加圧してエアーを抜きながらラミネートできる利点がある。
【０００６】
ラミネート工程だけでは樹脂シート１３０の硬化は完了しないので、樹脂にて外面をラミネートしたＳＡＷチップを加圧しながら加熱することにより、気密空間Ｓ内の気体の膨張を抑制しながら樹脂を硬化させるプレス成形工程を行い、更に樹脂を完全に硬化させる為に雰囲気温度を樹脂硬化温度に設定した恒温槽中に実装基板母材を配置し加熱する後硬化工程を行う。以上の工程が完了した状態が図１１である。そして、保護フィルム１３２を剥離し図１１に示されているダイシング切り代に沿って実装基板母材１４０をダイシングブレードにてダイシングすることにより図１２のような個片のＳＡＷデバイス１００が完成する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前述したようなラミネート工程、プレス成形工程、後硬化工程の３つの工程からなるＳＡＷデバイスの樹脂封止工程において、ラミネート工程でのエアーの膨張（ボイド）の発生や気密空間Ｓへの樹脂侵入が問題となっている。この問題は、樹脂シートの厚さを実装基板母材の中央部のＳＡＷチップにて最適となるように設定すると、実装基板母材の最外周部に配置されているＳＡＷチップにおいて、図１３のＳＡＷデバイス１０１に示すようなダイシング切り代に到達してしまう程の著しいボイドが発生してしまい、逆に樹脂シートの厚さを実装基板母材の最外周部に配置されているＳＡＷチップにて最適となるように設定すると、実装基板母材の中央部のＳＡＷチップにて気密空間Ｓへの樹脂侵入が発生してしまう。即ち、実装基板母材の中央部と最外周部とで封止樹脂の侵入状態にばらつきが生じてしまうという問題が発生する。
【０００８】
そこで、上記問題を解決する為に、特開平１１−２１４９５５号公報や特開２００２−２６１１７７号公報（以下、これらを先行技術１と称す）にて開示されているキャビティー型実装基板の適用を検討した。図１４は、先行技術１にて開示されているキャビティー型実装基板を用いたＳＡＷデバイスの断面図を示したものである。圧電基板２０２の主面上にＩＤＴ２０３と該ＩＤＴ２０３に導通した接続パッド２０４を設けたＳＡＷチップ２０１と、ガラスセラミックスやアルミナからなる基体２０５ａ、及び基体２０５ａと同様な部材で構成されＳＡＷチップ２０１の周縁外周部を載置する環状の積層部材２０５ｂ、及び基体２０５ａと同様な部材で積層部材２０５ｂより広い空間を形成する環状の枠体２０５ｃから構成され、基体２０５ａの上面に実装用パッド２０７を設けた実装基板２０５を備えており、ＳＡＷチップ２０１上に設けた接続パッド２０４と実装基板２０５の基体２０５ａに設けた実装用パッド２０７とを金属バンプ２１０を介して導通固着し、圧電基板２０２の上面及び側面を完全に封止樹脂２１１で覆った構造である。
【０００９】
前記先行技術１に記載されているキャビティー型実装基板においては、溶融して液化した樹脂をキャビティ内に充填し硬化して封止樹脂としているが、このキャビティ型実装基板に上述したラミネート方式を採用した場合を検討する。図１４から明らかなように、ＳＡＷチップ２０１外周部に配置されている枠体２０５ｃがＳＡＷチップ２０１の上面よりも高くなっている為、樹脂２１１をラミネートした際にエアーの逃げ場がなくなりボイドが発生しやすいという欠点を有する。従来技術で説明したように、ラミネート工程においてボイド発生を防止する為に余分なエアーを抜きながらラミネートする必要があり、先行技術１に記載のキャビティ型実装基板を用いてラミネート工程を行うと余分なエアーを抜きながらのラミネートが困難となる。
【００１０】
次に特開平１０−２２７６３号公報（以下、先行技術２と称す）にて開示されている微小エアギャップ構造へのラミネート工程の適用を検討した。図１５は先行技術２に記載されている微小エアギャップ構造のＳＡＷデバイスの縦断面図を示したものである。圧電基板３０２の主面上にＩＤＴ３０３及び該ＩＤＴ３０３に導通された接続パッド３０４を配置したＳＡＷチップ３０１と、表面に実装用パッド３０６及び該実装用パッド３０６の部分にホールを設けた絶縁層３０７を形成した実装基板３０５を備えており、ＳＡＷチップ３０１に設けた接続パッド３０４と、実装基板３０５に設けた実装用パッド３０６とを金属バンプ３１０にてフリップチップ実装した後、封止剤３１１で封止しエアギャップ３２０を設けた構造である。先行技術２の特徴としては、実装基板３０５とＳＡＷチップ３０１との間に絶縁層３０７を設けることによって、ＳＡＷチップ３０１と実装基板３０５との間隙を限りなく零に近づけ、封止剤３１１がエアギャップ３２０へ流れ込まないようにしたことである。
【００１１】
前記先行技術２は、ＳＡＷチップと実装基板との間の気密空間を微小ギャップとすることで封止樹脂が気密空間に浸入しにくくなるという効果が期待できる。しかしながら、先行技術２記載のＳＡＷデバイスの構造は、実装基板３０５上に絶縁層３０７を形成した上で、実装用パッド３０６の部分にホールを形成する工程が必要となるが、デバイスの小型化に伴ない、実装用パッド３０６の面積も微小となるので実装用パッド３０６とホールとの位置合わせには精度の高い厳密な作業が必要となり煩雑であった。更に、絶縁層３０７上に設けたホールが極めて微小であるため、実装基板３０５に金属バンプ３１０を形成する際にも煩雑な作業が要求されるといった製造上の問題がある。
【００１２】
本発明は、以上の問題を解決するためになされたものであり、ＳＡＷチップを実装基板母材にフリップチップ実装し表面を樹脂で封止したＳＡＷデバイスにおいて、容易に気密空間を形成し、且つ、樹脂をラミネートする際にボイド発生や気密空間への樹脂浸入を防いだＳＡＷデバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するための本発明に係る弾性表面波デバイスの製造方法は以下のとおりである。
【００１５】
請求項１に記載の発明は、複数の実装基板を複数個シート状に連結した実装基板母材のダイシング切り代に沿って該ダイシング切り代を覆うように枠体を形成する枠形成工程と、弾性表面波チップを前記実装基板母材に導体バンプを用いてフリップチップ実装する工程と、前記実装基板母材に実装した弾性表面波チップの上面に樹脂シートを載置する工程と、実装基板の一端から他端に向けて前記樹脂シートを軟化又は溶融させながら加圧することにより前記弾性表面波チップの外面を樹脂にて覆うラミネート工程と、ラミネートした前記樹脂を加圧しながら加熱硬化させるプレス成形工程と、前記ダイシング切り代に沿って前記弾性表面波チップを個片に切り分ける切断工程とを備え、前記枠体形成工程において、前記枠体が弾性表面波チップの周縁部と重複し、且つ、フリップチップ実装した弾性表面波チップと実装基板母材との間隙よりも薄い厚みを有するように形成することを特徴とする弾性表面波デバイスの製造方法である。
【００１７】
請求項２に記載の発明は、前記枠体形成工程において、前記枠体（第一の枠体）の上面に第二の枠体を積層し、該第二の枠体は各辺の幅は第一の枠体よりも小さく、且つ、第一の枠体と第二の枠体とを合わせた厚みが前記弾性表面波チップの上面よりも低くなるように形成することを特徴とする請求項１に記載の弾性表面波デバイスの製造方法である。
【００１９】
請求項３に記載の発明は、前記ラミネート工程は、前記樹脂シートに圧接しながら回転する所定温度に加熱した押圧ローラと前記実装基板母材下面に添設したガイド部材との間で実装基板母材及び弾性表面波チップを加圧する熱ローララミネート工程からなり、前記熱ローララミネート工程は、押圧ローラの加熱温度を樹脂シートの軟化温度又は溶融温度以上、且つ硬化温度未満に設定し、前記押圧ローラによって前記樹脂シート上面を加熱しながら加圧することにより軟化又は溶融させ、軟化又は溶融した樹脂シートを押圧ローラにて加熱しながら加圧することによって気密空間を確保しながら弾性表面波チップを樹脂にて被覆することを特徴とする請求項１又は２に記載の弾性表面波デバイスの製造方法である。
【００２０】
請求項４に記載の発明は、前記ラミネート工程は、前記樹脂シート上面に先端で圧接しながら一方向へ移動する所定温度に加熱したブレードと、前記実装基板母材下面に添設したガイド部材との間で実装基板母材及び弾性表面波チップを加圧するブレードラミネート工程からなり、前記ブレードラミネート工程は、ブレードの加熱温度を樹脂シートの軟化温度又は溶融温度以上、且つ硬化温度未満に設定し、ブレードによって樹脂シートの上面を加熱しながら加圧することにより軟化又は溶融させ、軟化又は溶融した樹脂シートをブレードにて加熱しながら加圧することによって気密空間を確保しながら弾性表面波チップを樹脂にて被覆することを特徴とする請求項１又は２に記載の弾性表面波デバイスの製造方法である。
【００２１】
請求項５に記載の発明は、前記ラミネート工程は、減圧雰囲気にて実施することを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の弾性表面波デバイスの製造方法である。
【００２２】
請求項６に記載の発明は、前記ラミネート工程は、不活性ガス雰囲気中にて実施することを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の弾性表面波デバイスの製造方法である。
【００２３】
請求項７に記載の発明は、前記プレス成形工程は、前記実装基板母材の下面側に接する第一のプレート治具と前記実装基板母材上面の樹脂シートに接する第二のプレート治具との間に前記実装基板母材を挟んだ状態で加圧しながら加熱硬化するものであって、前記第二のプレート治具の下面には、前記樹脂シート周縁部を前記実装基板母材上面に押さえつけるための押さえフレームが形成されていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の弾性表面波デバイスの製造方法である。
【００２４】
請求項８に記載の発明は、前記プレス成形工程は、前記第一のプレート治具の上面には、前記第二のプレート治具の下面と当接して両者の間隙を制限するためのスペーサ部材が形成されていることを特徴とする請求項７に記載の弾性表面波デバイスの製造方法である。
【００２５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を図面に示した実施の形態により詳細に説明する。図１から図５は本発明の第一の実施例に係るＳＡＷデバイスの製造方法について示したものである。まず、図１（ａ）及び（ｂ）は実装基板２をシート状に連結した構造の複数個の実装基板母材４０にＳＡＷチップ１５をフリップチップ実装する工程を示す平面図、及び断面図である。実装基板２は、絶縁基板３の底部に表面実装用の外部電極４を、上部にＳＡＷチップ１５と導通をとる為の配線パターン５を備え、内部に外部電極４と配線パターン５を導通する内部導体６を備えている。また、ＳＡＷチップ１５は圧電基板１８の主面上にＳＡＷを励振するためのＩＤＴ１７と該ＩＤＴ１７と導通した接続パッド１６を備えている。そして、実装基板２上の配線パターン５とＳＡＷチップ１５上の接続パッド１６とを導体バンプ１０を用いて接続することによりフリップチップ実装を行う。本発明の特徴としては、図１に示すように実装基板母材４０の各個片ＳＡＷチップの周囲に枠体２０を設けたことである。ここで前記枠体２０は以下の全ての条件を満たすように設置されている。
（ａ）枠体２０は、ＳＡＷチップ１５と実装基板母材４０との間の空間Ｓの外周に設けられ、実装基板母材４０上面から圧電基板１８底面までの間隙よりも小さい厚みであること。
（ｂ）枠体２０の各辺の幅は、ダイシング切り代Ｄより大きいこと。
（ｃ）枠体２０は、ダイシング切り代Ｄを覆うように実装基板母材４０上に設けられていること。
（ｄ）枠体２０の少なくとも一部が圧電基板１８と実装基板母材４０上との間に挟まれていること。即ち、ＳＡＷチップ１５の周縁部と重複するように枠体２０を設定すること。
【００２６】
次に、図２に示すように、図１の実装基板母材４０上に実装した複数のＳＡＷチップ１５の上面を跨るように樹脂シート３０を載置する。この樹脂シート３０は、樹脂シート本体３１の一方の面に離型性を有する保護フィルム３２を剥離可能に貼付している。
【００２７】
ここで、樹脂シート本体３１の厚みをｔｒとすると、ｔｒを以下の条件で設定する。
Ｌ／｛（Ｘ＋Ｇｘ）（Ｙ＋Ｇｙ）｝≦ｔｒ
但し、Ｌ＝（Ｘ＋Ｇｘ）（Ｙ＋Ｇｙ）（Ｈ＋Ｔ＋Ａ）−ＸＹＴ−ＸＹＡ−｛ＸＶｙＡ＋ＹＶｘＡ＋（４ＶｘＶｙＡ）／３｝
（Ｌ：一つのＳＡＷチップ外面を封止するのに必要な樹脂シートの体積、Ｘ：ＳＡＷチップの一辺の長さ、Ｙ：ＳＡＷチップの他辺の長さ、Ｇｘ：Ｘ方向に隣接し合うＳＡＷチップの間隔、Ｖｘ：Ｙ方向へ延びるダイシング切り代から直近のＳＡＷチップ側面までの距離、Ｇｙ：Ｙ方向に隣接し合うＳＡＷチップ間の間隔、Ｖｙ：Ｘ方向へ延びるダイシング切り代から直近のＳＡＷチップ側面までの距離、Ｈ：一つのＳＡＷチップ外面を樹脂シートにて被覆完了した後のＳＡＷチップ上面に位置する樹脂の厚さ、Ｔ：圧電基板の厚さ、Ａ：実装基板母材上面から圧電基板底面までの間隔）
これは、ＳＡＷチップ間の裾部に樹脂が行き渡るのに必要な樹脂シートの体積を求め、この体積の値をＳＡＷチップ一個当りの実装基板の面積で割った式であり、最低限必要な樹脂シート本体３１の厚みを算出できる。なお、樹脂シート本体の厚さｔｒの上限値については、樹脂が気密空所内に入り込み過ぎて、ＳＡＷ伝搬領域に樹脂が付着しないような値を選択すればよい。
以上のように、樹脂シート本体３１の厚みを設定することで、後にＳＡＷデバイスに樹脂をラミネートした際に、樹脂の厚みが不足し気密空間Ｓに穴が空いてＳＡＷデバイスの防塵・防湿性を低下させてしまう虞がなくなる。
【００２８】
樹脂シート３０をＳＡＷチップ１５上に載置後、図３に示すようにラミネート工程を行う。なお、本実施例においては従来技術と同様に熱ローララミネート方法を用いた例について説明する。熱ローララミネート工程を実施するためのラミネート装置５０は、ＳＡＷチップ１５を搭載した実装基板母材４０を矢印で示す方向へ所定のラミネート速度で移動させる移動手段と、ＳＡＷチップ１５上の樹脂シート３０の上面に圧接して矢印方向へ回転駆動される熱ローラとしての押圧ローラ５１と、実装基板母材４０の下面を支持して押圧ローラ５１との間で加圧力を発生するガイド部材としての支持ローラ５２とを備えている。押圧ローラ５１は、ヒータにより所要温度に加熱制御されると共に、駆動源により実装基板母材４０をラミネート方向へ送るように回転駆動される。そして、支持ローラ５２は、矢印方向へ連れ回り、或いは回転駆動される。この熱ローララミネート工程では、以下の条件を満たすことが求められる。
（ａ）押圧ローラ５１の加熱温度を樹脂シート３０の軟化（又は溶融）温度以上、且つ硬化温度未満に設定すること。
（ｂ）押圧ローラ５１によって樹脂シート３０を押圧ローラ５１にて加熱しながら加圧することにより軟化（又は溶融）させること。
（ｃ）軟化（又は溶融）した樹脂シート３０を押圧ローラ５１にて加熱しながら加圧することによって、樹脂シート本体３１をＳＡＷチップの谷間に充填、浸透させて、気密空間Ｓを保持しながらＳＡＷチップ１５を樹脂にて被覆すること。
複数のＳＡＷチップ１５上に跨って載置された樹脂シート３０を、ＳＡＷチップ１５外面から実装基板４０上面にかけて充填されることによりラミネートが行われる。なお、熱ローララミネート法では、ＳＡＷチップ１５と実装基板母材４０との間の気密空間Ｓが必要以上に拡張されないよう、樹脂シートの一端側から他端側へ向けて順次加圧してエアーを抜きながらラミネートすることができる。
【００２９】
ラミネート工程後のＳＡＷデバイスの断面図を図３（ｂ）に示す。本発明においては気密空間Ｓの外周に沿って枠体２０を設けたので、ラミネート工程時に樹脂シート３０がＳＡＷチップ１５の外面から実装基板母材４０の上面にかけて充填される際に、樹脂が気密空間Ｓに入り込むのを防止でき、また、枠体２０の厚みは実装基板母材４０上面から圧電基板１８底面までの間隙よりも小さいので、各ＳＡＷチップ１５を個片毎にエアーを抜きながら容易にラミネートすることができるのでボイドの発生を抑圧することができる。
【００３０】
ラミネート工程後、図４に示すようにプレス成形工程を行う。このプレス成形工程は、プレス成形装置６０によって実施される。前記プレス成形装置６０は、実装基板母材４０の底面を支持する金属型６１と、金属型６１上に支持された実装基板母材４０の外径方向に位置するスペーサ６２と、実装基板母材４０上にラミネートされた樹脂シート３０の上面外縁に沿って添設される押えフレーム６３と、該押えフレーム６３の上面を加圧する金属板（加圧部材）６４と、プレス機７０とを備えている。まず、ラミネート工程を終えた樹脂ラミネート済み実装基板母材（ラミネート済みユニットＵと称す）を、図４（ａ）のように金属型６１の上面に載置し、ラミネート済みユニットＵに過剰な圧力がかからぬように、ラミネート済みユニットＵの外径方向に離間してスペーサ６２を設ける。このスペーサ６２は、金属型６１の上面に固定する。そして、ラミネート済みユニットＵの樹脂シート３０上に、ＳＡＷチップ１５が実装されている領域よりも大きく開口した環状の押えフレーム６３を載せ、その上に金属板６４を載置する。ラミネート済みユニットＵを図４（ａ）のようにセットした後、プレス機７０を用いて図４（ｂ）に示すようにプレス成形を行う。このプレス機７０は、上型（加圧部材）７１と下型７２とからなり、上型７１と下型７２はそれぞれ樹脂の硬化温度に設定されている。下型７２上に金属型６１を載置すると共に、金属板６４の上面に上型７１を当接させてプレスを行う。プレスによって気密空間Ｓ内のエアーの膨張を強制的に抑えながら、樹脂を硬化させるのでエアーの膨張による気密空間Ｓの不要な拡大は発生しない。また、押えフレーム６３の下部に位置する樹脂を潰した状態でプレス成形することにより、実装基板母材４０上に搭載されたＳＡＷチップ群の外周縁に位置するＳＡＷチップの裾部（図４（ｂ）中のＢ部）に特に発生しやすいボイドが抑圧される。
【００３１】
プレス成形工程後、後硬化工程に入る。後硬化工程では、雰囲気温度を樹脂硬化温度に設定した恒温槽（後硬化装置）中にラミネート済みユニットＵを図５（ａ）のような状態で配置し加熱する。加熱時間は選択した樹脂シートの材質等の条件の違いによって適宜硬化条件を選択する必要がある。そして、樹脂が完全に硬化した後、図５（ａ）に示されているダイシング切り代に沿って幅Ｄのダイシングブレードにてダイシングし、図５（ｂ）のような個片のＳＡＷデバイス１が完成する。
【００３２】
以上説明したように、本発明においては、気密空間Ｓの外周に沿って枠体を設けたので、実装基板母材上に実装されたＳＡＷチップの箇所に関わらず、ラミネート工程時において樹脂が気密空間に入りこむのを防ぎ、また、ラミネートする際にエアーが抜きやすいように枠体の厚みを実装基板母材の上面とＳＡＷチップの下面との間隙より小さくしたので、ボイド発生を防止できるという効果を奏する。
【００３３】
なお、本実施例では、ラミネート工程は熱ローララミネート法を例に説明してきたが、本発明はこれのみに限るものではなく、順次エアーを抜きながらラミネートできる方法であれば熱ローラ以外の手段でもよく、図６に示すように所要温度に加熱されたブレード５５を用いて、ブレード５５のエッジ部を樹脂シート３０に圧接させながら矢印方向へ移動させることによって加熱と同時に加圧を行う方式も有効である。この場合には、ガイド部材としてステージ５３を使用する。なお、ラミネート工程を真空オーブンなどの減圧雰囲気中で行えば、更に効率よくエアーを抜くことができ、樹脂の密着性を高め、且つ適切な気密空間Ｓを形成することができる。また、ラミネート工程を窒素等の不活性ガス雰囲気中にて行えば、ＳＡＷデバイスの経年変化を防止し、特性を経時的に向上することができる。
【００３４】
次に、本発明に係る第二の実施例について説明する。図７は第二の実施例に係るＳＡＷデバイスのＳＡＷチップ１５を実装基板母材４０にフリップチップ実装し、樹脂をラミネート、プレス成形、後硬化した後の断面図である。本実施例の特徴は、第一の実施例で説明したＳＡＷチップ１５と実装基板母材４０との間の気密空間Ｓの外周に設けた枠体２０上に、積層するように第二の枠体２１を形成したことである。ここで、前記第二の枠体２１は以下の全ての条件を満たすように設置する。
（ａ）第一の枠体２０と第二の枠体２１の高さの和をＳＡＷチップ１５の上面の高さよりも低く設定すること。
（ｂ）第二の枠体２１の各辺の幅はダイシング切り代Ｄの幅よりも大きくすること。
（ｃ）第二の枠体２１はダイシング切り代Ｄを覆うように実装基板母材４０上面に設けること。
（ｄ）第二の枠体２１の各辺の幅は第一の枠体２０の各辺の幅よりも小さくすること。
このように、第一の枠体上に第二の枠体を設けることにより、第一の実施例と比較して、ラミネート工程時にボイドが発生してもダイシング切り代に到達しにくくなり、また、樹脂も気密空間Ｓに浸入しにくくなるので、より確実に気密空間を保持した高品質なＳＡＷデバイスを提供できる。
【００３５】
【発明の効果】
以上、説明したように本発明によれば、実装基板母材上にＳＡＷチップをフリップチップ実装して、樹脂をラミネートしたＳＡＷデバイス及びその製造方法において、気密空間の外周に沿って枠体を設けたので、実装基板母材上に実装されたＳＡＷチップの箇所に関わらず、ラミネート工程時におけるボイド発生を防止でき、また、気密空間内に樹脂が入り込むのを防止できるので、確実に気密空間を形成することができ、高品質なＳＡＷデバイスを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第一の実施例に係るＳＡＷデバイスの実装基板母材上にＳＡＷチップをフリップチップ実装する工程を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。
【図２】本発明の第一の実施例に係るＳＡＷデバイスのＳＡＷチップ上に樹脂シートを載置した状態を示す図である。
【図３】本発明の第一の実施例に係るＳＡＷデバイスの樹脂シートをＳＡＷチップ上にラミネートする工程を示す図であり、（ａ）はラミネート工程時の状態、（ｂ）はラミネート後の状態を示す。
【図４】本発明の第一の実施例に係るＳＡＷデバイスのプレス成形する工程を示す図であり、（ａ）はプレス装置にＳＡＷデバイスを設置した状態、（ｂ）はプレスした時の状態を示す。
【図５】本発明の第一の実施例に係るＳＡＷデバイスの（ａ）は後硬化工程の状態、（ｂ）はダイシング後の状態を示す。
【図６】本発明に係るブレードを用いたラミネート工程を示す。
【図７】本発明の第二の実施例に係るＳＡＷデバイスの樹脂封止後の断面図を示す。
【図８】従来のＳＡＷデバイスの実装基板母材上にＳＡＷチップをフリップチップ実装する工程を示す断面図である。
【図９】従来のＳＡＷデバイスのＳＡＷチップ上に樹脂シートを載置した状態を示す図である。
【図１０】従来のＳＡＷデバイスの樹脂シートをＳＡＷチップ上にラミネートする工程を示す図である。
【図１１】従来のＳＡＷデバイスの後硬化工程後の状態を示す。
【図１２】従来のＳＡＷデバイスの完成品の状態を示す。
【図１３】従来のＳＡＷデバイスの欠陥品の状態を示す。
【図１４】第一の先行技術であるＳＡＷデバイスの断面図を示す。
【図１５】第二の先行技術であるＳＡＷデバイスの断面図を示す。
【符号の説明】
１：ＳＡＷデバイス、２：実装基板、３：絶縁基板、４：外部電極、５：配線パターン、６：内部導体、１０：導体バンプ、１５：ＳＡＷチップ、１６：接続パッド、１７：ＩＤＴ、１８：圧電基板、２０：枠体（第一の枠体）、２１、第二の枠体、３０：樹脂シート、３１：樹脂シート本体、３２：保護フィルム、４０：実装基板母材、５１：押圧ローラ、５２：支持ローラ、５５：ブレード、６０：プレス成形装置、６１：金属型、６２：スペーサ、６３：押えフレーム、６４：金属板（加圧部材）、７０：プレス機、７１：上型、７２：下型、

Claims

複数の実装基板を複数個シート状に連結した実装基板母材のダイシング切り代に沿って該ダイシング切り代を覆うように枠体を形成する枠形成工程と、
弾性表面波チップを前記実装基板母材に導体バンプを用いてフリップチップ実装する工程と、
前記実装基板母材に実装した弾性表面波チップの上面に樹脂シートを載置する工程と、
実装基板の一端から他端に向けて前記樹脂シートを軟化又は溶融させながら加圧することにより前記弾性表面波チップの外面を樹脂にて覆うラミネート工程と、
ラミネートした前記樹脂を加圧しながら加熱硬化させるプレス成形工程と、
前記ダイシング切り代に沿って前記弾性表面波チップを個片に切り分ける切断工程とを備え、
前記枠体形成工程において、前記枠体が弾性表面波チップの周縁部と重複し、且つ、フリップチップ実装した弾性表面波チップと実装基板母材との間隙よりも薄い厚みを有するように形成することを特徴とする弾性表面波デバイスの製造方法。
前記枠体形成工程において、前記枠体（第一の枠体）の上面に第二の枠体を積層し、該第二の枠体は各辺の幅は第一の枠体よりも小さく、且つ、第一の枠体と第二の枠体とを合わせた厚みが前記弾性表面波チップの上面よりも低くなるように形成することを特徴とする請求項１に記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
前記ラミネート工程は、前記樹脂シートに圧接しながら回転する所定温度に加熱した押圧ローラと前記実装基板母材下面に添設したガイド部材との間で実装基板母材及び弾性表面波チップを加圧する熱ローララミネート工程からなり、前記熱ローララミネート工程は、押圧ローラの加熱温度を樹脂シートの軟化温度又は溶融温度以上、且つ硬化温度未満に設定し、前記押圧ローラによって前記樹脂シート上面を加熱しながら加圧することにより軟化又は溶融させ、軟化又は溶融した樹脂シートを押圧ローラにて加熱しながら加圧することによって気密空間を確保しながら弾性表面波チップを樹脂にて被覆することを特徴とする請求項１又は２に記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
前記ラミネート工程は、前記樹脂シート上面に先端で圧接しながら一方向へ移動する所定温度に加熱したブレードと、前記実装基板母材下面に添設したガイド部材との間で実装基板母材及び弾性表面波チップを加圧するブレードラミネート工程からなり、前記ブレードラミネート工程は、ブレードの加熱温度を樹脂シートの軟化温度又は溶融温度以上、且つ硬化温度未満に設定し、ブレードによって樹脂シートの上面を加熱しながら加圧することにより軟化又は溶融させ、軟化又は溶融した樹脂シートをブレードにて加熱しながら加圧することによって気密空間を確保しながら弾性表面波チップを樹脂にて被覆することを特徴とする請求項１又は２に記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
前記ラミネート工程は、減圧雰囲気にて実施することを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
前記ラミネート工程は、不活性ガス雰囲気中にて実施することを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
前記プレス成形工程は、前記実装基板母材の下面側に接する第一のプレート治具と前記実装基板母材上面の樹脂シートに接する第二のプレート治具との間に前記実装基板母材を挟んだ状態で加圧しながら加熱硬化するものであって、
前記第二のプレート治具の下面には、前記樹脂シート周縁部を前記実装基板母材上面に押さえつけるための押さえフレームが形成されていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
前記プレス成形工程は、前記第一のプレート治具の上面には、前記第二のプレート治具の下面と当接して両者の間隙を制限するためのスペーサ部材が形成されていることを特徴とする請求項７に記載の弾性表面波デバイスの製造方法。