JP3912348B2 - 弾性表面波デバイスの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、弾性表面波デバイスの製造方法に関し、特にパッケージサイズを小型化にした弾性表面波デバイスの製造方法に関する。

近年、弾性表面波(Ｓｕｒｆａｃｅ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｗａｖｅ：以下、ＳＡＷ)デバイスは移動体通信分野で幅広く用いられ、高性能、小型、量産性等の点で優れた特徴を有することから特に携帯電話等に多く用いられている。 また、半導体部品においてＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐａｃｋａｇｅ）と呼ばれる小型パッケージングが一般化するのに伴って、ＳＡＷデバイスにおいてのフィルタの小型化の容易化とバッチ式の製造方法による生産性の向上という観点から、ＣＳＰ技術を用いた製造方法が導入されるようになっている。

前述したＣＳＰ技術を用いた従来の製造方法として、例えば特開２００２−２１７２１８号公報で開示されたようなものがある。まず、図９を参照して、従来の製造方法が適用される電子装置の構成について説明する。従来例における電子装置（ＳＡＷデバイス）１００は、一方の主面１０１ａに導体パターン１０２を備える実装基板１０１と、一方の主面１０３ａに接続電極１０４を備える電子部品（ＳＡＷチップ）１０３と、樹脂フィルム１０５とを備えている。前記実装基板１０１の一方の主面１０１ａと電子部品１０３の一方の主面１０３ａとが所望の間隙１０６を隔てて対向するように載置する共に、前記接続電極１０４と前記導体パターン１０２とが電気的且つ機械的に接合（フリップチップ実装）する。前記電子部品１０３及び前記実装基板１０１を覆うと共に、電子部品１０３の他方の主面１０３ｂ及び端面、即ち一方の主面１０３ａを除く全ての面から前記一方の主面１０１ａの露出する面（電子部品１０３とオーバーラップしない面）にかけて密着するように前記樹脂フィルム１０５を接着する構造を有する。

前記電子装置１００の製造方法の概略について説明する。この製造方法は、前記電子部品１０３の一方の主面１０３ａが前記実装基板１０１の一方の主面１０１ａに対向するように電子部品１０３と実装基板１０１とを載置する工程と、前記接続電極１０４と前記導体パターン１０２とを電気的且つ機械的に接合する工程と、前記電子部品１０３及び前記実装基板１０１とに樹脂フィルム１０５を覆う工程と、前記樹脂フィルム１０５を前記電子部品１０３及び前記実装基板１０１に接着する工程と、を備えている。

特に、図１０を参照して、前記樹脂フィルム１０５を覆う工程〜前記樹脂フィルム１０５を接着する工程について説明する。下面が凹状の治具本体１０８Ａを備える治具１０８用いて、治具本体１０８Ａの下面（凹状の開口面）と該治具本体１０８Ａ下面に載置した樹脂フィルム１０５との間隙に有する気体を吸引孔１０８Ｂを介して吸引することで、前記実装基板１０１に実装された状態での前記電子部品１０３の外形（前記間隙１０６部分も含む。）に略一致する形状になるように前記樹脂フィルム１０５（の下面、即ち電子部品１０３に接触する面）の形状を変化させる共に、治具本体１０８Ａによってその形状を保持される。変形した樹脂フィルム１０５をヒーター１０７によって加熱された実装基板１０１及び電子部品１０３を覆うように載置する。前記治具１０８によって樹脂フィルム１０５を実装基板１０１側に加圧しながら該樹脂フィルム１０５を加熱することで、樹脂フィルム１０５が電子部品１０３の他方の主面１０３ｂ及び端面から実装基板１０１の一方の主面１０１ａの露出する面にかけて密着するように接着する。
特開２００２−２１７２１８号公報

前記樹脂フィルム１０５を前記治具本体１０８Ａの下面に沿って凹状に伸長させることで凹状を形成する部分（凹状に変形する部分）の樹脂フィルム１０５の厚さは薄くなっており、樹脂フィルム１０５の接着工程における樹脂フィルム１０５の加圧作業によって、特に電子部品１０３の他方の主面１０３ｂ（上面）の鋭利な周縁部に接触する（凹状内底面周縁の）樹脂フィルムの厚さがさらに薄くなり、さらに樹脂フィルム１０５の硬化時の収縮力（図９中の矢印）が前記周縁部近傍に集中することで、樹脂フィルム１０５が破損しやすくなるという問題が生じる。仮に破損しなくとも、前記樹脂フィルム１０５の厚さにバラツキが発生することで樹脂フィルム１０５の耐湿性を一定に保持することが困難になるという問題が生じる。

また、前記実装基板１０１をシート状に連結した実装基板母材上に複数の電子部品１０３を実装し該電子部品１０３に対応するように区画形成した複数の凹部を備える樹脂フィルム１０５を複数の電子部品１０３に接着するというバッチ処理方式の場合、実装基板母材上の外周縁に位置する電子部品に対応する凹状を形成する部分の樹脂フィルムの厚さは該樹脂フィルムの中央部分より薄くなっており、特に（実装基板母材上の外周縁に位置する）電子部品の外側裾部（例えば図９に示す電子部品１０３のＢ部）を形成する樹脂フィルム１０５の厚さが最も薄くなり、樹脂フィルム１０５の硬化時の前記収縮力が前記周縁部近傍に集中することで、樹脂フィルム１０５が破損しやすくなるという問題が生じる。

つまり、解決しようとする問題点は、ＳＡＷチップを実装基板にフリップチップ実装し表面を樹脂で封止したＳＡＷデバイスにおいて、容易に気密空間を形成し、且つ、樹脂を均一の厚さに成形することで該樹脂の耐湿性の劣化を防ぐことが可能なＳＡＷデバイスの製造方法を提供することができない点である。

上記課題を解決するために本発明は、弾性表面波チップと、上面に前記弾性表面波チップをフリップチップ実装した実装基板と、前記弾性表面波チップに形成されたＩＤＴと前記実装基板との間に気密空間を形成しつつ前記弾性表面波チップの外面と前記実装基板の上面とを覆う封止樹脂と、を備えた弾性表面波デバイスの製造方法であって、複数の前記実装基板をシート状に連結する実装基板母材に前記弾性表面波チップをフリップチップ実装する工程と、前記実装基板母材上の外周縁に位置する前記弾性表面波チップの外側に下枠を配設する工程と、前記実装基板母材に実装した複数の弾性表面波チップの上面に樹脂シートを載置する工程と、実装基板の一端から他端に向けて前記樹脂シートを軟化又は溶融させながら加圧することにより前記弾性表面波チップの外面を樹脂にて覆うラミネート工程と、ラミネートした前記樹脂を加圧しながら加熱硬化させるプレス成形工程と、プレス成形した前記樹脂を完全に加熱硬化させる後硬化工程と、を備えることを特徴とする。

また本発明は、前記保護フィルムにポリエチレンテレフタレート材を用いたことを特徴とする。

また本発明は、前記下枠及び該下枠の開口部と略一致する大きさの開口部を備える押えフレームを前記樹脂シートを挟んで対向配置させ前記プレス成形工程を実施することを特徴とする。

また本発明は、前記下枠の厚さをＨ１とし前記押えフレームの厚さをＨ２とした場合、Ｈ_１＋Ｈ_２≦Ｒｈ、Ｒｈ＝Ｈ＋〔｛ＸＹ（Ａ＋Ｔ）Ｎ｝／（ＲｘＲｙ）〕であって、（Ｒｈ：ラミネート後の樹脂シート本体の厚さ、Ｒｘ：下枠内側の一方辺の長さ、Ｒｙ：下枠内側の他方辺の長さ、Ｈ：ラミネート前の樹脂シート本体の厚さ、Ｘ：ＳＡＷチップの一方辺の長さ、Ｙ：ＳＡＷチップの他方辺の長さ、Ａ：実装基板母材上面から圧電基板底面までの間隔高さ、Ｔ：圧電基板の厚さ、Ｎ：実装基板母材に実装したＳＡＷチップの総数）であることを特徴とする。

また本発明は、前記下枠及び該下枠の開口部と略一致する大きさの開口部を備える枠状突起を下面に備える治具を前記樹脂シートを挟んで対向配置させ前記プレス成形工程を実施することを特徴とする。

また本発明は、前記下枠の厚さをＨ１とし前記枠状突起の厚さをＨ２とした場合、Ｈ_１＋Ｈ_２≦Ｒｈ、Ｒｈ＝Ｈ＋〔｛ＸＹ（Ａ＋Ｔ）Ｎ｝／（ＲｘＲｙ）〕であって、（Ｒｈ：ラミネート後の樹脂シート本体の厚さ、Ｒｘ：下枠内側の一方辺の長さ、Ｒｙ：下枠内側の他方辺の長さ、Ｈ：ラミネート前の樹脂シート本体の厚さ、Ｘ：ＳＡＷチップの一方辺の長さ、Ｙ：ＳＡＷチップの他方辺の長さ、Ａ：実装基板母材上面から圧電基板底面までの間隔高さ、Ｔ：圧電基板の厚さ、Ｎ：実装基板母材に実装したＳＡＷチップの総数）であることを特徴とする。

また本発明は、前記プレス成形工程において、ラミネートした前記樹脂を０．３ＭＰａ以上の圧力で加圧しながら加熱硬化させることを特徴とする。

本発明の弾性表面波デバイスの製造方法は、樹脂の厚さを均一に成形するための治具である押しフレーム（が一体化した上型）及び下枠の大きさを規定すると共に、プレス工程における樹脂の加圧条件を規定することで、樹脂の厚さを均一に成形し樹脂の耐湿性の劣化を防ぐことが可能になるという利点がある。

以下、図１乃至図５に基づいて、本発明の第一の実施形態としてのＳＡＷデバイスの製造方法について説明する。

図１（ａ）は実装基板母材にＳＡＷチップをフリップチップ実装する工程を示す平面図、図１（ｂ）はその縦断面図である。なお、本発明の実施形態としてのＳＡＷデバイスの製造方法は複数の実装基板２をシート状に連結する実装基板母材４０を用いたバッチ処理による製造方法で説明を行なう。
まず、フリップチップ実装工程を行なう。前記実装基板２は、絶縁基板３の底部に表面実装用の外部電極４及び上部にＳＡＷチップ１５を実装するための配線パターン５と該配線パターン５を囲繞する枠体２０を備えると共に、内部に外部電極４と配線パターン５とを電気的導通する内部導体６を備えている。また、ＳＡＷチップ１５は圧電基板１８の主面上にＳＡＷを励振するためのＩＤＴ１７と該ＩＤＴ１７と導通した接続パッド１６を備えている。そして、実装基板２上の配線パターン５とＳＡＷチップ１５上の接続パッド１６とを導体バンプ１０を用いて接続することによりフリップチップ実装を行う。なお、前記枠体２０は以下の条件（１）〜（４）を全て満たすように設置されている。
（１）枠体２０は、ＳＡＷチップ１５と実装基板母材４０との間の空間Ｓの外周に設けられ、実装基板母材４０上面から圧電基板１８底面までの間隙よりも小さい厚みであること。
（２）枠体２０の各辺の幅は、ダイシング切り代Ｄより大きいこと。
（３）枠体２０は、ダイシング切り代Ｄを覆うように実装基板母材４０上に設けられていること。
（４）枠体２０の少なくとも一部が圧電基板１８と実装基板母材４０上との間に挟まれていること。即ち、ＳＡＷチップ１５の周縁部と重複するように枠体２０を設定すること。

図２は下枠配設工程及び樹脂シート載置工程を示す縦断面図である。
次に、図２に示すように、下枠配設工程及び樹脂シート載置工程を行なう。まず、前記実装基板母材４０上の外周縁に位置するＳＡＷチップ１５の外側に、前記実装基板母材４０上に実装した隣接するＳＡＷチップ１５同士で対向する端面間の間隙Ｅと同一の大きさを有する空間Ｆ（＝Ｅ）を形成するための環状の下枠８１を配設する。つぎに、前記実装基板母材４０上に実装した複数のＳＡＷチップ１５の上面及び前記下枠８１の内側周縁を跨るように、即ち下枠８１の開口を閉止するように樹脂シート３０を載置する。この樹脂シート３０は、樹脂シート本体３１の一方の面に離型性を有する保護フィルム３２、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）からなるフィルムを剥離可能に貼付している。

ここで、樹脂シート本体３１の厚みをｔｒとすると、ｔｒを以下の条件で設定する。
Ｌ／｛（Ｘ＋Ｇｘ）（Ｙ＋Ｇｙ）｝≦ｔｒ
但し、Ｌ＝（Ｘ＋Ｇｘ）（Ｙ＋Ｇｙ）（Ｈ＋Ｔ＋Ａ）−ＸＹＴ−ＸＹＡ−｛ＸＶｙＡ＋ＹＶｘＡ＋（４ＶｘＶｙＡ）／３｝
（Ｌ：一つのＳＡＷチップ外面を封止するのに必要な樹脂シートの体積、Ｘ：ＳＡＷチップの一辺の長さ、Ｙ：ＳＡＷチップの他辺の長さ、Ｇｘ：Ｘ方向に隣接し合うＳＡＷチップの間隔、Ｖｘ：Ｙ方向へ延びるダイシング切り代から直近のＳＡＷチップ側面までの距離、Ｇｙ：Ｙ方向に隣接し合うＳＡＷチップ間の間隔、Ｖｙ：Ｘ方向へ延びるダイシング切り代から直近のＳＡＷチップ側面までの距離、Ｈ：一つのＳＡＷチップ外面を樹脂シートにて被覆完了した後のＳＡＷチップ上面に位置する樹脂の厚さ、Ｔ：圧電基板の厚さ、Ａ：実装基板母材上面から圧電基板底面までの間隔）とする。
これは、ＳＡＷチップ間の裾部に樹脂が行き渡るのに必要な樹脂シートの体積を求め、この体積の値をＳＡＷチップ一個当りの実装基板の面積で割った式であり、最低限必要な樹脂シート本体３１の厚みを算出できる。なお、樹脂シート本体の厚さｔｒの上限値については、樹脂が気密空所内に入り込み過ぎて、ＳＡＷ伝搬領域に樹脂が付着しないような値を選択すればよい。

図３（ａ）は熱ローララミネート工程を示す縦断面図、図３（ｂ）は熱ローララミネート工程終了後の（集合体）ＳＡＷデバイスの状態を示す縦断面図である。
次に、ラミネート工程を行なう。ここでは、図３（ａ）に示すような熱ローララミネート方法を用いた例について説明する。熱ローララミネート工程を実施するためのラミネート装置５０は、ＳＡＷチップ１５を搭載した実装基板母材４０を矢印で示す方向へ所定のラミネート速度で移動させる移動手段と、ＳＡＷチップ１５上の樹脂シート３０の上面に圧接して矢印方向へ回転駆動される熱ローラとしての押圧ローラ５１と、実装基板母材４０の下面を支持して押圧ローラ５１との間で加圧力を発生するガイド部材としての支持ローラ５２とを備えている。押圧ローラ５１は、ヒータにより所要温度に加熱制御されると共に、駆動源により実装基板母材４０をラミネート方向へ送るように回転駆動される。そして、支持ローラ５２は、矢印方向へ連れ回り、或いは回転駆動される。この熱ローララミネート工程では、以下の条件（５）〜（８）を満たすことが求められる。
（５）押圧ローラ５１の加熱温度を樹脂シート３０の軟化（又は溶融）温度以上、且つ硬化温度未満に設定すること。
（６）押圧ローラ５１によって樹脂シート３０を押圧ローラ５１にて加熱しながら加圧することにより軟化（又は溶融）させること。
（７）軟化（又は溶融）した樹脂シート３０を押圧ローラ５１にて加熱しながら加圧することによって、樹脂シート本体３１を（実装基板母材上の中央部に位置し）隣接するＳＡＷチップ同士の谷間に充填、浸透させて、気密空間Ｓを保持しながらＳＡＷチップ１５を樹脂にて被覆すること。
（８）軟化（又は溶融）した樹脂シート３０を押圧ローラ５１にて加熱しながら加圧することによって、樹脂シート本体３１を（実装基板母材４０上の外周縁に位置する）ＳＡＷチップと該ＳＡＷチップの外側に前記樹脂シート本体が流出するのを防ぐための前記下枠８１との谷間に充填、浸透させて、気密空間Ｓを保持しながらＳＡＷチップ１５を樹脂にて被覆すること。
ラミネート工程後のＳＡＷデバイスは、図３（ｂ）に示すように、少なくとも前記下枠８１を（望ましくは前記枠体２０をも）設けたことにより、ラミネート工程時に前記樹脂シート３０が前記ＳＡＷチップ１５の外面から前記下枠８１の内側に露出する実装基板母材４０の上面にかけて充填される際に、実装基板母材４０上に実装されたＳＡＷチップの箇所に関わらず、樹脂が実装基板母材４０上面から圧電基板１８底面までの間隙、特に圧電基板１８底面周縁の間隙に入り込む量（であって前記気密空間Ｓには到達しない量である。）を制御することができる。また、枠体２０の厚みは実装基板母材４０上面から圧電基板１８底面までの間隙よりも小さいので、各ＳＡＷチップ１５を個片毎にエアーを抜きながら容易にラミネートすることができるのでボイドの発生を抑圧することができる。

図４はプレス成形工程を示す縦断面図である。
ラミネート工程後、図４に示すようなプレス成形工程を行う。このプレス成形工程は、プレス成形装置６０によって実施される。前記プレス成形装置６０は、前記実装基板母材４０の底面を支持する金属型６１と、金属型６１上に支持された実装基板母材４０の外径方向に位置するスペーサ６２と、少なくとも前記下枠８１の開口部と略一致する（同等若しくは若干大きい）大きさの開口部を備える環状の押えフレーム６３と、該押えフレーム６３の上面を加圧する金属板（加圧部材）６４と、プレス機７０と、を備えている。まず図４（ａ）のように、ラミネート工程を終えた樹脂ラミネート済み実装基板母材（ラミネート済みユニットＵと称す）を前記金属型６１の上面に載置し、ラミネート済みユニットＵに過剰な圧力がかからぬように、ラミネート済みユニットＵの外径方向に離間して前記スペーサ６２を設ける。該スペーサ６２は金属型６１の上面に固定する。そして、前記押えフレーム６３の開口部中央及び前記下枠８１の開口部略中央が互いに略一致する共に実装基板母材４０上にラミネートされた樹脂シート３０の上面外周縁を挟んで下枠８１の上方に押えフレーム６３を配置し該押えフレーム６３の上面に前記金属板６４を載置する。
ラミネート済みユニットＵを図４（ａ）のようにセットした後、プレス機７０を用いて図４（ｂ）に示すようにプレス成形を行う。このプレス機７０は、上型（加圧部材）７１と下型７２とからなり、上型７１と下型７２とはそれぞれ樹脂の硬化温度に設定されている。下型７２上に金属型６１を載置すると共に、前記金属板６４の上面に上型７１を当接し所望のプレス圧力で前記スペーサ６２によりプレス動作が規制されるまで加圧する。前記金属板６４は前記押えフレーム６３の開口部を閉止することで、該開口部から加圧によって隆起する前記樹脂シート３０を抑圧すると共に、（プレス成形工程後の）前記樹脂シート高さを一定に揃える役割も備える。

図５はプレス成形工程における下枠及び押えフレームの寸法条件を示すための図であって、（ａ）は平面図、（ｂ）は縦断面図である。
プレス成形工程後のＳＡＷデバイスにおける前記圧電基板１８底面周縁の間隙に入り込む樹脂量（はラミネート工程時に浸入した樹脂をさらに内部方向へ押し込むが前記気密空間Ｓには到達しない。）の制御は、ラミネート工程同様、前記下枠８１を設置したことに依存する。そこで、製造工数や材料費の削減を考慮して前記枠体２０を削除し、前記下枠８１（及び前記押えフレーム６３）による樹脂浸入量を制御する方法、特に下枠８１及び押えフレーム６３の外形寸法、プレス圧力について説明する。
前記下枠８１及び前記押えフレーム６３の外形寸法条件は、前記下枠８１の厚さをＨ_１とし前記押えフレーム６３の厚さをＨ_２とすると、（Ａ＋Ｔ）≦Ｈ_１＋Ｈ_２≦Ｒｈ（以下「数式１」と示す。）で表される。ここでＲｈ＝Ｈ＋〔｛ＸＹ（Ａ＋Ｔ）Ｎ｝／（ＲｘＲｙ）〕（以下「数式２」と示す。）である。ただし、Ｒｈ：ラミネート後の樹脂シート本体の厚さ、Ｒｘ：下枠内側の一方辺の長さ、Ｒｙ：下枠内側の他方辺の長さ、Ｈ：ラミネート前の樹脂シート本体の厚さ、Ｘ：ＳＡＷチップの一方辺の長さ、Ｙ：ＳＡＷチップの他方辺の長さ、Ａ：実装基板母材上面から圧電基板底面までの間隔高さ、Ｔ：圧電基板の厚さ、Ｎ：実装基板母材に実装したＳＡＷチップの総数である。前記Ｒｈの算出式は、ラミネート前の樹脂シート本体の体積：ＲｘＲｙＨがラミネート後の樹脂シート本体の体積：ＲｈＲｘＲｙからＮ個のＳＡＷチップ及び該ＳＡＷチップ下面と実装基板母材上面との間の間隙体積：ＸＹ（Ａ＋Ｔ）Ｎを減じた体積に略一致する（前記樹脂シートは非圧縮性材料とする。）ことから、ＨＲｘＲｙ＝ＲｈＲｘＲｙ−｛ＸＹ（Ａ＋Ｔ）Ｎ｝を、ＨＲｘＲｙ＋｛ＸＹ（Ａ＋Ｔ）Ｎ｝＝ＲｈＲｘＲｙとし、両辺をＲｘＲｙで除することでＨ＋〔｛ＸＹ（Ａ＋Ｔ）Ｎ｝／（ＲｘＲｙ）〕＝Ｒｈとなる。
そして、下枠８１の厚さＨ_１と前記押えフレーム６３の厚さＨ_２との和（Ｈ_１＋Ｈ_２）を最大でも（プレス工程後の）所望する樹脂シートの厚みと同一にすることで、望ましくはそれよりは小さく（薄く）なるように設定し前記プレス機７０の（前記上型７１の）可動ストロークを調整した上で所望のプレス圧力で加圧し所望の厚みに成形された樹脂シートを備えるプレス済みユニットＵ１（プレス工程終了後の前記ラミネート済みユニットＵ）を得ることが可能になる。

前記下枠８１及び前記押えフレーム６３の作用効果の検証実験を行なった。まず実験条件として、実験用試料として用いた実装基板母材及びＳＡＷチップの大きさから実装できるＳＡＷチップ数（Ｎ）などを前記数式１及び２に代入した結果、即ち本検証実験に用いた下枠及び前記押えフレームの大きさを下記の表１に示す。

上記の表１に示す前記下枠及び前記押えフレームの寸法として記載した値は、換言すれば（プレス成形工程終了後の）前記樹脂シート３０の上下面周縁に形成する凹みの大きさに相当するものであって、治具の形状、特に前記押えフレーム６３及び前記金属板６４の形態を規定するものではない。そこでプレス成形（検証実験）の実施にあたって、前記押えフレーム６３及び前記金属板６４の形態が樹脂浸入量等に影響を与えるか否かをも確認するため、前述するように（前工程のラミネート工程終了後の）前記樹脂シート３０上に前記押えフレーム６３及び前記金属板６４を載置し該金属板６４の上面を（前記プレス機７０が備える）前記上型７１でプレスする方法と、例えば前記押えフレーム６３と前記金属板６４とが一体した治具で該治具の下面に（押えフレーム６３と同等の形状である）突起を備えるものを用いて前記樹脂シート３０上面周縁に前記（一体化）治具が有する突起が対向するように載置し該治具の上面（突起を有する面の反対面）を前記上型７１でプレスする方法と、の２パターンを考慮した。そして本来の目的である前記下枠と前記押えフレームとの効果の有無を確認するために前記下枠及び前記押えフレームを使用せずプレスする方法を合せた計３パターンのプレス成形実験を行ない、その結果を下記の表２に示す。

上記の表２から、プレス成形作業による樹脂浸入量及び樹脂浸入量のバラツキが安定している「前記押えフレーム６３及び前記金属板６４の分離方式」（表２の項番１）が望ましい方式であることが確認できた。

さらに、本発明の目的であるパッケージの小型化、特に低背化を実現するために、プレス成形工程におけるプレス圧力の条件出し実験も行なった。その結果を下記の表３に示す。

上記の表３から、プレス圧力：０．３ＭＰａでも十分に仕様を満足することが確認できた。また、プレス圧力を１０倍にすることで樹脂高さバラツキ及び樹脂浸入量バラツキを約５０％低減すること可能であることが確認できた。

つまり、本発明に係わる（前記枠体２０を用いない）プレス成形工程は以下の条件（Ａ）〜（Ｄ）を満足することが求められる。
（Ａ）前記押えフレーム６３及び前記金属板６４は互いに独立した部材であること。
（Ｂ）前記押えフレーム６３の開口部中央及び前記金属板６４の開口部中央が互いに略一致するように設置していること。
（Ｃ）前記下枠８１の厚さＨ_１と前記押えフレーム６３の厚さＨ_２との和は、少なくともＨ_１＋Ｈ_２≦Ｒｈ（前記数式１）の関係を有すること。
（Ｄ）プレス圧力は０．３ＭＰａ以上であること。

以上説明したように、本発明においては、前記下枠８１及び前記押えフレーム６３を設置しさらに望ましくは前記気密空間Ｓの外周に沿って枠体を設けたので、実装基板母材上に実装されたＳＡＷチップの箇所に関わらず、ラミネート工程及びプレス成形工程時において樹脂が気密空間Ｓに入りこむのを防ぐと共に、ＳＡＷチップ（圧電基板）の底面周縁の間隙に入り込む、換言すれば気密空間Ｓに周設する封止材として機能する樹脂量を一定に制御することが可能になり樹脂の耐湿性（気密空間Ｓの防湿）を向上させるという効果を奏する。

図６（ａ）は後硬化工程を示す縦断面図であって、図６（ｂ）は個片化したＳＡＷデバイスの縦断面図である。
プレス成形工程後、前記押えフレームと取り外し前記保護フィルム３２を剥離し、後硬化工程に入る。後硬化工程では、雰囲気温度を樹脂硬化温度に設定した恒温槽（後硬化装置）内に前記プレス済みユニットＵ１を図６（ａ）のような状態で配置し加熱する。加熱時間は選択した樹脂シートの材質等の条件の違いによって適宜硬化条件を選択する必要がある。そして、樹脂が完全に硬化した後、図６（ａ）に示されているダイシング切り代に沿って幅Ｄのダイシングブレードにてダイシングし、図６（ｂ）のような個片のＳＡＷデバイス１が複数個完成する。

なお、本実施例では、ラミネート工程は熱ローララミネート法を例に説明してきたが、本発明はこれのみに限るものではなく、順次エアーを抜きながらラミネートできる方法であれば熱ローラ以外の手段でもよく、図７に示すように所要温度に加熱されたブレード５５を用いて、ブレード５５のエッジ部を樹脂シート３０に圧接させながら矢印方向へ移動させることによって加熱と同時に加圧を行う方式も有効である。この場合には、ガイド部材としてステージ５３を使用する。なお、ラミネート工程を真空オーブンなどの減圧雰囲気中で行えば、更に効率よくエアーを抜くことができ、樹脂の密着性を高め、且つ適切な気密空間Ｓを形成することができる。また、ラミネート工程を窒素等の不活性ガス雰囲気中にて行えば、ＳＡＷデバイスの経年変化を防止し、特性を経時的に向上することができる。

次に、本発明の第２の実施形態としてのＳＡＷデバイスの製造方法について説明する。図８は第二の実施形態に係るＳＡＷデバイスのＳＡＷチップ１５を実装基板母材４０にフリップチップ実装し、樹脂をラミネート、プレス成形、後硬化した後の断面図である。本実施例の特徴は、第一の実施例で説明したＳＡＷチップ１５と実装基板母材４０との間の気密空間Ｓの外周に設けた枠体２０上に、積層するように第二の枠体２１を形成したことである。ここで、前記第二の枠体２１は以下の条件（Ｅ）〜（Ｈ）を全て満たすように設置する。
（Ｅ）第一の枠体２０と第二の枠体２１の高さの和をＳＡＷチップ１５の上面の高さよりも低く設定すること。
（Ｆ）第二の枠体２１の各辺の幅はダイシング切り代Ｄの幅よりも大きくすること。
（Ｇ） 第二の枠体２１はダイシング切り代Ｄを覆うように実装基板母材４０上面に設けること。
（Ｈ）第二の枠体２１の各辺の幅は第一の枠体２０の各辺の幅よりも小さくすること。
このように、第一の枠体上に第二の枠体を設けることにより、第一の実施形態と比較して、ラミネート工程時にボイドが発生してもダイシング切り代に到達しにくくなり、また、樹脂も気密空間Ｓに浸入しにくくなるので、より確実に気密空間を保持した高品質なＳＡＷデバイスを提供できる。

本発明に係るフリップチップ実装工程を示すもので（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。 本発明の第一の実施形態に係る下枠配設工程及び樹脂シート載置工程を示す縦断面図である。 本発明の第一の実施形態に係るラミネート工程を示す図であって、（ａ）は熱ローララミネート工程を示す縦断面図、（ｂ）は本工程終了後のＳＡＷデバイスの状態を示す縦断面図である。 本発明の第一の実施形態に係るプレス成形工程を示す縦断面図である。 本発明の第一の実施形態に係るプレス成形工程における下枠及び押えフレームの寸法条件を示すための図であって、（ａ）は平面図、（ｂ）は縦断面図である。 （ａ）は本発明の第一の実施形態に係る後硬化工程を示す縦断面図であって、（ｂ）は個片化したＳＡＷデバイスの縦断面図である。 本発明の第一の実施形態に係るラミネート工程としてのブレードラミネート工程を示す縦断面図である。 本発明の第二の実施形態に係る後硬化工程を示す図である。 従来の製造方法によって作製された電子装置（ＳＡＷデバイス）の構造を示す図である。 従来の樹脂フィルムを覆う工程〜接着する工程について説明する図である。

符号の説明

１・・ＳＡＷデバイス ２・・実装基板 ３・・絶縁基板 ４・・外部電極
５・・配線パターン ５・・内部導体 ７・・導体バンプ ８・・ＳＡＷチップ
９・・接続パッド １７・・ＩＤＴ １８・・圧電基板
２０・・枠体（第一の枠体） ２１・・第二の枠体 ３０・・樹脂シート
３１・・樹脂シート本体 ３２・・保護フィルム ４０・・実装基板母材
５１・・押圧ローラ ５２・・支持ローラ ５３・・ブレード
６０・・プレス成形装置 ６１・・金属型 ６２・・スペーサ
６３・・押えフレーム ６４・・金属板（加圧部材） ７０・・プレス機
７１・・上型 ７２・・下型 ８１・・下枠 １００・・電子装置
１０１・・実装基板 １０１ａ・・一方の主面 １０２・・導体パターン
１０３・・電子部品 １０３ａ・・一方の主面 １０３ｂ・・他方の主面
１０４・・接続電極 １０５・・樹脂フィルム １０６・・間隙
１０７・・ヒーター １０８・・治具 １０８Ａ・・治具本体
１０８Ｂ・・吸引孔

Claims (5)

1. 弾性表面波チップと、上面に前記弾性表面波チップをフリップチップ実装した実装基板と、前記弾性表面波チップに形成されたＩＤＴと前記実装基板との間に気密空間を形成しつつ前記弾性表面波チップの外面と前記実装基板の上面とを覆う封止樹脂と、を備えた弾性表面波デバイスの製造方法であって、
   複数の前記実装基板をシート状に連結する実装基板母材に前記弾性表面波チップをフリップチップ実装する工程と、前記実装基板母材上の外周縁に位置する前記弾性表面波チップの外側に下枠を配設する工程と、前記実装基板母材に実装した複数の弾性表面波チップの上面に樹脂シートを載置する工程と、実装基板の一端から他端に向けて前記樹脂シートを軟化又は溶融させながら加圧することにより前記弾性表面波チップの外面を樹脂にて覆うラミネート工程と、ラミネートした前記樹脂を加圧しながら加熱硬化させるプレス成形工程と、プレス成形した前記樹脂を完全に加熱硬化させる後硬化工程と、を備え、
   前記プレス成形工程において、前記下枠及び該下枠の開口部と略一致する大きさの開口
   部を備える押えフレームを前記樹脂シートを挟んで対向配置させ前記プレス成形工程を実
   施することを特徴とする弾性表面波デバイスの製造方法。
2. 前記下枠の厚さをＨ１とし前記押えフレームの厚さをＨ２とした場合、
   Ｈ_１＋Ｈ_２≦Ｒｈ、Ｒｈ＝Ｈ＋〔｛ＸＹ（Ａ＋Ｔ）Ｎ｝／（ＲｘＲｙ）〕
   （Ｒｈ：ラミネート後の樹脂シート本体の厚さ、Ｒｘ：下枠内側の一方辺の長さ、Ｒｙ：下枠内側の他方辺の長さ、Ｈ：ラミネート前の樹脂シート本体の厚さ、Ｘ：ＳＡＷチップの一方辺の長さ、Ｙ：ＳＡＷチップの他方辺の長さ、Ａ：実装基板母材上面から圧電基板底面までの間隔高さ、Ｔ：圧電基板の厚さ、Ｎ：実装基板母材に実装したＳＡＷチップの総数）であることを特徴とする請求項１に記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
3. 弾性表面波チップと、上面に前記弾性表面波チップをフリップチップ実装した実装基板と、前記弾性表面波チップに形成されたＩＤＴと前記実装基板との間に気密空間を形成しつつ前記弾性表面波チップの外面と前記実装基板の上面とを覆う封止樹脂と、を備えた弾性表面波デバイスの製造方法であって、
   複数の前記実装基板をシート状に連結する実装基板母材に前記弾性表面波チップをフリップチップ実装する工程と、前記実装基板母材上の外周縁に位置する前記弾性表面波チップの外側に下枠を配設する工程と、前記実装基板母材に実装した複数の弾性表面波チップの上面に樹脂シートを載置する工程と、実装基板の一端から他端に向けて前記樹脂シートを軟化又は溶融させながら加圧することにより前記弾性表面波チップの外面を樹脂にて覆うラミネート工程と、ラミネートした前記樹脂を加圧しながら加熱硬化させるプレス成形工程と、プレス成形した前記樹脂を完全に加熱硬化させる後硬化工程と、を備え、
   前記プレス成形工程において、前記下枠及び該下枠の開口部と略一致する大きさの開口部を備える枠状突起を下面に備える治具を前記樹脂シートを挟んで対向配置させ前記プレス成形工程を実施することを特徴とする弾性表面波デバイスの製造方法。
4. 前記下枠の厚さをＨ１とし前記枠状突起の厚さをＨ２とした場合、
   Ｈ_１＋Ｈ_２≦Ｒｈ、Ｒｈ＝Ｈ＋〔｛ＸＹ（Ａ＋Ｔ）Ｎ｝／（ＲｘＲｙ）〕
   （Ｒｈ：ラミネート後の樹脂シート本体の厚さ、Ｒｘ：下枠内側の一方辺の長さ、Ｒｙ：下枠内側の他方辺の長さ、Ｈ：ラミネート前の樹脂シート本体の厚さ、Ｘ：ＳＡＷチップの一方辺の長さ、Ｙ：ＳＡＷチップの他方辺の長さ、Ａ：実装基板母材上面から圧電基板底面までの間隔高さ、Ｔ：圧電基板の厚さ、Ｎ：実装基板母材に実装したＳＡＷチップの総数）であることを特徴とする請求項３に記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
5. 前記プレス成形工程において、ラミネートした前記樹脂を０．３ＭＰａ以上の圧力で加圧しながら加熱硬化させることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の弾性表面波デバイスの製造方法。

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