JP2001007159A - 回路基板への電子部品の実装方法及びその装置 - Google Patents

回路基板への電子部品の実装方法及びその装置

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    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
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    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/485—Material
    • H01L2224/48505—Material at the bonding interface
    • H01L2224/48599—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au)
    • H01L2224/486—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/48617—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950 °C
    • H01L2224/48624—Aluminium (Al) as principal constituent
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    • H01L2224/731—Location prior to the connecting process
    • H01L2224/73101—Location prior to the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73103—Bump and layer connectors
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ＩＣチップを基板に生産性良くかつ高信頼性
で接合する回路基板へのＩＣチップの実装方法及び装置
を提供する。 【解決手段】 ＩＣチップ１を回路基板４へ実装する際
に、ＩＣチップ上の電極２にバンプ３を形成し、絶縁性
の導電粒子の無い熱硬化性樹脂６を回路基板の電極とバ
ンプとの間に介在させながらバンプと回路基板の電極を
位置合わせし、加熱されたヘッド８によりＩＣチップを
回路基板に加圧力により押圧して、ＩＣチップ及び基板
の反り矯正を行いながら、ＩＣチップと回路基板の間に
介在する樹脂を硬化し、ＩＣチップと回路基板を接合す
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】（技術分野）本発明は、電子回路用プリン
ト基板に電子部品例えばＩＣチップや表面弾性波（ＳＡ
Ｗ）デバイスなどを単体（ＩＣチップの場合にはベアＩ
Ｃ）状態で実装する回路基板への電子部品の実装方法及
びその装置に関するものである。
【０００２】（背景技術）今日、電子回路基板は、あら
ゆる製品に使用されるようになり、日増しにその性能が
向上し、回路基板上で用いられる周波数も高くなってお
り、インピーダンスが低くなるフリップチップ実装は高
周波を使用する電子機器に適した実装方法となってい
る。また、携帯機器の増加から、回路基板にＩＣチップ
をパッケージではなく裸のまま搭載するフリップチップ
実装が求められている。このために、ＩＣチップそのま
ま単体で回路基板に搭載したときのＩＣチップや、電子
機器及びフラットパネルディスブレイへ実装したＩＣチ
ップには、一定数の不良品が混在している。また、上記
フリップチップ以外にもＣＳＰ（Ｃｈｉｐ ＳｉｚｅＰ
ａｃｋａｇｅ）、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒ
ａｙ）等が用いられるようになってきている。
【０００３】従来の電子機器の回路基板へＩＣチップを
接合する方法（従来例１）としては特公平０６−６６３
５５号公報等により開示されたものがある。これを図６
３に示す。図６３に示すように、バンプ７３を形成した
ＩＣチップ７１にＡｇペースト７４を転写して回路基板
７６の電極７５に接続したのちＡｇペースト７４を硬化
し、その後、封止材７８をＩＣチップ７１と回路基板７
６の間に流し込む方法が一般的に知られている。
【０００４】また、液晶ディスプレイにＩＣチップを接
合する方法（従来例２）として、図６４，６５に示され
る特公昭６２−６６５２号公報のように、異方性導電フ
ィルム８０を使用するものであって、絶縁性樹脂８３中
に導電性微片８２を加えて構成する異方性導電接着剤層
８１をセパレータ８５から剥がして基板や液晶ディスプ
レイ８４のガラスに塗布し、ＩＣチップ８６を熱圧着す
ることによって、Ａｕバンプ８７の下以外のＩＣチップ
８６の下面と基板８４の間に上記異方性導電接着剤層８
１が介在している半導体チップの接続構造が、一般に知
られている。
【０００５】第３従来例としては、ＵＶ硬化樹脂を基板
に塗布し、その上にＩＣチップをマウントし加圧しなが
ら、ＵＶ照射することにより両者の間の樹脂を硬化し、
その収縮力により両者間のコンタクトを維持する方法
が、知られている。
【０００６】このように、ＩＣチップを接合するには、
フラットパッケージのようなＩＣチップをリードフレー
ム上にダイボンディングし、ＩＣチップの電極とリード
フレームをワイヤボンドしてつなぎ、樹脂成形してパッ
ケージを形成した後に、クリームハンダを回路基板に印
刷し、その上にフラットパッケージＩＣを搭載しリフロ
ーするという工程を行うことにより、上記接合が行われ
ていた。これらのＳＭＴ（Ｓｕｒｆａｃｅ Ｍｏｕｎｔ
Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）といわれる工法では、工程が
長く、生産に時間を要し、回路基板を小型化するのが困
難であった。例えばＩＣチップは、フラットパックに封
止された状態では、ＩＣチップの約４倍程度の面積を必
要とするため、小型化を妨げる要因となっていた。
【０００７】これに対し、工程の短縮と小型軽量化の為
にＩＣチップを裸の状態でダイレクトに基板に搭載する
フリップチップ工法が最近では用いられるようになって
きた。このフリップチップ工法は、ＩＣチップへのバン
プ形成、バンプレベリング、Ａｇ・Ｐｄペースト転写、
実装、検査、封止樹脂による封止、検査とを行うスタッ
ド・バンプ・ボンディング（ＳＢＢ）や、ＩＣチップへ
のバンプ形成と基板へのＵＶ硬化樹脂塗布とを並行して
行い、その後、実装、樹脂のＵＶ硬化、検査を行うＵＶ
樹脂接合のような多くの工法が開発されている。
【０００８】ところが、どの工法においてもＩＣチップ
のバンプと基板の電極を接合するペーストの硬化や封止
樹脂の塗布硬化に時間がかかり生産性が悪いという欠点
を有していた。また、回路基板にセラミックやガラスを
用いる必要が有り、高価となる欠点を有していた。従来
例１のような導電性ペーストを接合材に用いる工法にお
いては、その転写量を安定化するために、ＩＣチップの
バンプはレベリングして、平坦化してから用いる必要が
あった。
【０００９】また、従来例２のような異方性導電接着剤
による接合構造においては、回路基板の基材としてガラ
スを用いるものが開発されているが、導電性接着剤中の
導電粒子を均一に分散することが困難であり、粒子の分
散異常によりショートの原因になったり、導電性接着剤
が高価であったりした。
【００１０】また、従来例３のようにＵＶ硬化樹脂を用
いて接合する方法においては、バンプの高さバラツキを
±１（μｍ）以下にしなければならず、また、樹脂基板
（ガラスエポキシ基板）等の平面度の悪い基板には接合
することができないといった問題があった。また、ハン
ダを用いる方法においても、接合後に基板とＩＣチップ
の熱膨張収縮差を緩和する為に封止樹脂を流し込み硬化
する必要があった。この樹脂封止には、２〜４時間の時
間を必要とし、生産性がきわめて悪いといった問題があ
った。
【００１１】本発明は、上記従来の問題点に鑑みて、回
路基板とＩＣチップを接合した後に、ＩＣチップと基板
の間に流し込む封止樹脂工程やバンプの高さを一定に揃
えるバンプレベリング工程を必要とせず、ＩＣチップを
基板に生産性良くかつ高信頼性で接合する回路基板への
ＩＣチップの実装方法及び装置を提供することを目的と
する。
【００１２】また、本発明は、上記従来の問題点に鑑み
て、回路基板と電子部品を生産性よく直接接合する回路
基板への電子部品の実装方法及び装置を提供することを
目的とする。
【００１３】（発明の開示）本発明は、上記課題を解決
するため、以下のように構成している。
【００１４】本発明の第１態様によれば、絶縁性で導電
粒子を含まない熱硬化性樹脂を介在させながら、回路基
板の電極と電子部品の電極にワイヤボンディングにより
形成されバンプとを位置合わせし、加熱しながら、上記
電子部品を上記回路基板に１バンプあたり２０ｇｆ以上
の加圧力により押圧し、上記基板の反り矯正を行いなが
ら、上記電子部品と上記回路基板の間に介在する上記熱
硬化性樹脂を上記熱により硬化して、上記電子部品と上
記回路基板を接合して両電極を電気的に接続するように
した電子部品の実装方法を提供する。
【００１５】本発明の第２態様によれば、記位置合わせ
においては、レベリングせずに、上記熱硬化性樹脂を介
在させながら、上記回路基板の電極と上記電子部品の電
極にワイヤボンディングにより形成されたバンプとを位
置合わせし、上記接合においては、加熱しながら、上記
電子部品を上記回路基板に１バンプあたり２０ｇｆ以上
の加圧力により押圧し、上記バンプのレベリングと上記
基板の反り矯正とを同時に行いながら、上記電子部品と
上記回路基板の間に介在する上記熱硬化性樹脂を上記熱
により硬化して、上記電子部品と上記回路基板を接合し
て両電極を電気的に接続するようにした第１態様に記載
の電子部品の実装方法を提供する。
【００１６】本発明の第３態様によれば、上記熱硬化性
樹脂は、異方性導電膜を有する熱硬化性樹脂のシートで
ある第１又は２態様に記載の電子部品の実装方法を提供
する。
【００１７】本発明の第４態様によれば、上記位置合わ
せの前に、上記回路基板に、上記熱硬化性樹脂として、
上記電子部品の電極を結んだ外形寸法より小さい形状寸
法の固形の熱硬化性樹脂シートを貼り付けたのち上記位
置合わせを行い、上記接合においては、上記熱硬化性樹
脂シートを加熱しながら、上記電子部品を上記回路基板
に加圧押圧して、上記回路基板の反り矯正を同時に行い
ながら、上記電子部品と上記回路基板の間に介在する上
記熱硬化性樹脂シートを上記熱により硬化して、上記電
子部品と上記回路基板を接合するようにした第１態様に
記載の電子部品の実装方法を提供する。
【００１８】本発明の第５態様によれば、上記位置合わ
せの前に、導電性接着剤を上記電子部品の上記電極の上
記バンプに転写し、上記位置合わせの前に、上記回路基
板には、上記熱硬化性樹脂として、上記電子部品の上記
電極を結んだ外形寸法より小さい形状寸法の固形の熱硬
化性樹脂シートを貼り付けたのち、上記バンプと上記回
路基板の電極を位置合わせし、上記接合においては、上
記熱硬化性樹脂シートを加熱しながら、上記電子部品を
上記回路基板に加圧押圧して、上記回路基板の反り矯正
を同時に行いながら、上記電子部品と上記回路基板の間
に介在する上記熱硬化性樹脂シートを上記熱により硬化
して、上記電子部品と上記回路基板を接合するようにし
た第１態様に記載の電子部品の実装方法を提供する。
【００１９】本発明の第６態様によれば、上記回路基板
には、上記熱硬化性樹脂として、片面又は両面にフラッ
クス層を形成した固形の熱硬化性樹脂シートを貼り付け
たのち、上記電子部品の上記電極の上記バンプと上記回
路基板の上記電極を位置合わせし、上記接合において
は、加熱されたヘッドにより上記電子部品を上記回路基
板に加圧押圧して、上記回路基板の反り矯正を同時に行
いながら、上記電子部品と上記回路基板の間に介在する
上記熱硬化性樹脂シートを硬化し、その樹脂シートを上
記バンプが突き破る際に上記フラックス層のフラックス
成分が上記バンプに付着し、該バンプが上記回路基板の
上記電極と接合されて上記電子部品と上記回路基板を接
合するようにした第１態様に記載の電子部品の実装方法
を提供する。
【００２０】本発明の第７態様によれば、上記位置合わ
せ前に、上記電子部品の上記電極の上記バンプ及び上記
回路基板の上記電極の少なくとも一方に対応する位置に
形成された孔内に、表面に金メッキを施した樹脂ボー
ル、又は、ニッケル粒子、又は、銀、銀−パラジウム、
若しくは、金からなる導電粒子、又は、導電ペースト、
又は、金球からなる粒子を、上記バンプと上記回路基板
の上記電極とを導通させる方向に埋め込んだ固形の熱硬
化性樹脂シートを、上記熱硬化性樹脂として、上記回路
基板の上記電極と位置合わせして貼り付けたのち、上記
電子部品の上記バンプと上記回路基板の上記電極を位置
合わせし、上記接合においては、上記熱硬化性樹脂シー
トを加熱しながら、上記電子部品を上記回路基板に押圧
して、上記回路基板の反り矯正を行いながら、上記電子
部品と上記回路基板の間に介在する上記熱硬化性樹脂シ
ートを上記熱により硬化して接合するようにした第１態
様に記載の電子部品の実装方法を提供する。
【００２１】本発明の第８態様によれば、上記位置合わ
せ前に、上記電子部品を上記回路基板へ実装する際に、
上記電子部品の上記電極及び上記回路基板の上記電極の
少なくとも一方に対応する位置に形成された孔に、少な
くとも上記電子部品の電極に被さるパッシベイション膜
の厚みより大きく、上記回路基板の電極の厚みより小さ
い寸法でかつ、表面に金メッキを施した樹脂ボール、又
は、ニッケル粒子、又は、銀、銀−パラジウム、若しく
は、金からなる導電粒子、又は、導電ペースト、又は、
金球からなる粒子を、上記電子部品の上記電極と上記回
路基板の上記回路電極と相挟む方向でかつ相互に導通さ
せる方向に埋め込んだ固形の熱硬化性樹脂シートを、上
記熱硬化性樹脂として、上記回路基板の上記電極と位置
合わせして貼付けたのち、上記電子部品の上記電極と上
記回路基板の上記電極を位置合わせし、上記接合におい
ては、上記熱硬化性樹脂シートを加熱しながら超音波振
動を上記電子部品に印加しながら上記電子部品を上記回
路基板に押圧して、上記電子部品と上記回路基板の間に
介在する上記熱硬化性樹脂シートを上記熱により硬化し
て接合するようにした第１態様に記載の電子部品の実装
方法を提供する。
【００２２】本発明の第９態様によれば、上記異方性導
電膜に含まれる導電粒子が、ニッケル粉に金メッキを施
したものである第３態様に記載の電子部品の実装方法を
提供する。
【００２３】本発明の第１０態様によれば、上記熱硬化
性樹脂は熱硬化性樹脂シートであるようにした第１〜９
態様のいずれかに記載の電子部品の実装方法を提供す
る。
【００２４】本発明の第１１態様によれば、上記熱硬化
性樹脂のシートは、その厚みが接合後の上記電子部品の
アクティブ面と上記回路基板の電極が形成された面との
隙間より厚い厚さとするようにした第１０態様に記載の
電子部品の実装方法を提供する。
【００２５】本発明の第１２態様によれば、上記熱硬化
性樹脂は熱硬化性接着剤であるようにした第１又は２態
様に記載の電子部品の実装方法を提供する。
【００２６】本発明の第１３態様によれば、絶縁性で導
電粒子を含まない熱硬化性樹脂を介在させながら、回路
基板の電極と電子部品の電極にワイヤボンディングによ
り形成されバンプとを位置合わせする位置合わせ装置
と、上記熱硬化性樹脂を加熱する加熱装置と、上記加熱
装置により上記熱硬化性樹脂を加熱しながら、上記電子
部品を上記回路基板に１バンプあたり２０ｇｆ以上の加
圧力により押圧し、上記基板の反り矯正を行いながら、
上記電子部品と上記回路基板の間に介在する上記熱硬化
性樹脂を上記熱により硬化して、上記電子部品と上記回
路基板を接合して両電極を電気的に接続するよう接合装
置とを備えるようにした電子部品の実装装置を提供す
る。
【００２７】本発明の第１４態様によれば、上記位置合
わせ装置は、レベリングせずに、上記熱硬化性樹脂を介
在させながら、上記回路基板の電極と上記電子部品の電
極にワイヤボンディングにより形成されたバンプとを位
置合わせするものであり、上記接合装置は、上記加熱装
置により上記熱硬化性樹脂を加熱しながら、上記電子部
品を上記回路基板に１バンプあたり２０ｇｆ以上の加圧
力により押圧し、上記バンプのレベリングと上記基板の
反り矯正とを同時に行いながら、上記電子部品と上記回
路基板の間に介在する上記熱硬化性樹脂を上記熱により
硬化して、上記電子部品と上記回路基板を接合して両電
極を電気的に接続するようにした第１３態様に記載の電
子部品の実装装置を提供する。
【００２８】本発明の第１５態様によれば、上記熱硬化
性樹脂は、異方性導電膜を有する熱硬化性樹脂のシート
である第１３又は１４態様に記載の電子部品の実装装置
を提供する。
【００２９】本発明の第１６態様によれば、上記位置合
わせ装置は、上記回路基板に、上記熱硬化性樹脂とし
て、上記電子部品の電極を結んだ外形寸法より小さい形
状寸法の固形の熱硬化性樹脂シートを貼り付けたのち、
上記電子部品の上記電極のバンプと上記回路基板の電極
を位置合わせし、上記接合装置は、上記熱硬化性樹脂シ
ートを加熱しながら、上記電子部品を上記回路基板に加
圧押圧して、上記回路基板の反り矯正を同時に行いなが
ら、上記電子部品と上記回路基板の間に介在する上記熱
硬化性樹脂シートを上記熱により硬化して、上記電子部
品と上記回路基板を接合するようにした第１３態様に記
載の電子部品の実装装置を提供する。
【００３０】本発明の第１７態様によれば、上記位置合
わせの前に、導電性接着剤を上記電子部品の上記電極の
上記バンプに転写し、上記位置合わせの前に、上記回路
基板には、上記熱硬化性樹脂として、上記電子部品の上
記電極を結んだ外形寸法より小さい形状寸法の固形の熱
硬化性樹脂シートを貼り付けたのち、上記バンプと上記
回路基板の電極を位置合わせし、上記接合においては、
上記熱硬化性樹脂シートを加熱しながら、上記電子部品
を上記回路基板に加圧押圧して、上記回路基板の反り矯
正を同時に行いながら、上記電子部品と上記回路基板の
間に介在する上記熱硬化性樹脂シートを上記熱により硬
化して、上記電子部品と上記回路基板を接合するように
した第１３態様に記載の電子部品の実装装置を提供す
る。
【００３１】本発明の第１８態様によれば、上記位置合
わせ装置は、上記回路基板には、上記熱硬化性樹脂とし
て、片面又は両面にフラックス層を形成した固形の熱硬
化性樹脂シートを貼り付けたのち、上記電子部品の上記
電極の上記バンプと上記回路基板の上記電極を位置合わ
せし、上記位置合わせ装置は、加熱されたヘッドにより
上記電子部品を上記回路基板に加圧押圧して、上記回路
基板の反り矯正を同時に行いながら、上記電子部品と上
記回路基板の間に介在する上記熱硬化性樹脂シートを硬
化し、その樹脂シートを上記バンプが突き破る際に上記
フラックス層のフラックス成分が上記バンプに付着し、
該バンプが上記回路基板の上記電極と接合されて上記電
子部品と上記回路基板を接合するようにした第１３態様
に記載の電子部品の実装装置を提供する。
【００３２】本発明の第１９態様によれば、上記位置合
わせ装置は、上記電子部品の上記電極の上記バンプ及び
上記回路基板の上記電極の少なくとも一方に対応する位
置に形成された孔内に、表面に金メッキを施した樹脂ボ
ール、又は、ニッケル粒子、又は、銀、銀−パラジウ
ム、若しくは、金からなる導電粒子、又は、導電ペース
ト、又は、金球からなる粒子を、上記バンプと上記回路
基板の上記電極とを導通させる方向に埋め込んだ固形の
熱硬化性樹脂シートを、上記熱硬化性樹脂として、上記
回路基板の上記電極と位置合わせして貼り付けたのち、
上記電子部品の上記バンプと上記回路基板の上記電極を
位置合わせし、上記接合装置は、上記熱硬化性樹脂シー
トを加熱しながら、上記電子部品を上記回路基板に押圧
して、上記回路基板の反り矯正を行いながら、上記電子
部品と上記回路基板の間に介在する上記熱硬化性樹脂シ
ートを上記熱により硬化して接合するようにした第１３
態様に記載の電子部品の実装装置を提供する。
【００３３】本発明の第２０態様によれば、上記位置合
わせ装置は、上記電子部品を上記回路基板へ実装する際
に、上記電子部品の上記電極及び上記回路基板の上記電
極の少なくとも一方に対応する位置に形成された孔に、
少なくとも上記電子部品の電極に被さるパッシベイショ
ン膜の厚みより大きく、上記回路基板の電極の厚みより
小さい寸法でかつ、表面に金メッキを施した樹脂ボー
ル、又は、ニッケル粒子、又は、銀、銀−パラジウム、
若しくは、金からなる導電粒子、又は、導電ペースト、
又は、金球からなる粒子を、上記電子部品の上記電極と
上記回路基板の上記回路電極と相挟む方向でかつ相互に
導通させる方向に埋め込んだ固形の熱硬化性樹脂シート
を、上記熱硬化性樹脂として、上記回路基板の上記電極
と位置合わせして貼付けたのち、上記電子部品の上記電
極と上記回路基板の上記電極を位置合わせし、上記接合
装置は、上記熱硬化性樹脂シートを加熱しながら超音波
振動を上記電子部品に印加しながら上記電子部品を上記
回路基板に押圧して、上記電子部品と上記回路基板の間
に介在する上記熱硬化性樹脂シートを上記熱により硬化
して接合するようにした第１３態様に記載の電子部品の
実装装置を提供する。
【００３４】本発明の第２１態様によれば、上記異方性
導電膜に含まれる導電粒子が、ニッケル粉に金メッキを
施したものである第１５態様に記載の電子部品の実装装
置を提供する。
【００３５】本発明の第２２態様によれば、上記熱硬化
性樹脂は熱硬化性樹脂シートであるようにした第１３〜
２１態様のいずれかに記載の電子部品の実装装置を提供
する。
【００３６】本発明の第２３態様によれば、上記熱硬化
性樹脂のシートは、その厚みが接合後の上記電子部品の
アクティブ面と上記回路基板の電極が形成された面との
隙間より厚い厚さとするようにした第２２態様に記載の
電子部品の実装装置を提供する。
【００３７】本発明の第２４態様によれば、上記熱硬化
性樹脂は熱硬化性接着剤であるようにした第１３又は１
４態様に記載の電子部品の実装装置を提供する。
【００３８】本発明の第２５態様によれば、上記位置合
わせ装置と上記接合装置は１つの装置で構成されるよう
にした第１２から１４態様のいずれかに記載の電子部品
の実装装置を提供する。
【００３９】本発明の第２６態様によれば、上記位置合
わせ後でかつ上記接合前において、上記バンプに導電性
ペーストを付着させた後、この導電性ペーストを硬化さ
せて上記バンプの一部として機能させるようにし、上記
接合において、上記熱硬化性樹脂を上記硬化した導電性
ペーストが突き破って上記回路基板の電極と電気的に接
続するようにした第１から１２態様のいずれかに記載の
電子部品の実装方法を提供する。
【００４０】本発明の第２７態様によれば、上記位置合
わせ後でかつ上記接合前において、上記バンプに導電性
ペーストを付着させた後、この導電性ペーストを硬化さ
せて上記バンプの一部として機能させるようにし、上記
接合において、上記熱硬化性樹脂を上記硬化した導電性
ペーストが突き破って上記回路基板の電極と電気的に接
続するようにした第１３から２５態様のいずれかに記載
の電子部品の実装装置を提供する。
【００４１】本発明の第２８態様によれば、上記熱硬化
性樹脂シートは上記回路基板側に配置されている第１１
から９のいずれか又は１１態様に記載の電子部品の実装
方法を提供する。
【００４２】本発明の第２９態様によれば、上記熱硬化
性樹脂シートは上記電子部品側に配置されている第１か
ら９のいずれか又は１１態様に記載の電子部品の実装方
法を提供する。
【００４３】本発明の第３０態様によれば、上記熱硬化
性樹脂シートは上記回路基板側に配置されている第１３
から２１のいずれか又は２３態様に記載の電子部品の実
装装置を提供する。
【００４４】本発明の第３１態様によれば、上記熱硬化
性樹脂シートは上記電子部品側に配置されている第１３
から２１のいずれか又は２３態様に記載の電子部品の実
装装置を提供する。 上記態様によれば、例えば、電子
部品例えばＩＣチップを回路基板へ実装する際に、ＩＣ
チップのＡｌ又は、ＡｌにＳｉ若しくはＣｕなどを添加
して形成された電極パッドにワイヤボンディング装置を
用いてＡｕワイヤーに放電によりボールを形成し、キャ
ピラリーによりそのボールに超音波を加えながらＩＣチ
ップの電極パッドに接合する。
【００４５】（発明を実施するための最良の形態）本発
明の記述を続ける前に、添付図面において同じ部品につ
いては同じ参照符号を付している。
【００４６】以下、本発明の第１実施形態にかかるＩＣ
チップの実装方法及びその製造装置を図１から図６２を
参照しながら説明する。
【００４７】本発明の第１実施形態にかかる回路基板へ
のＩＣチップ実装方法を図１〜図２０を用いて説明す
る。図１のＩＣチップ１においてＩＣチップ１のＡｌパ
ッド電極２にワイヤボンディング装置により図１１〜１
６のごとき動作によりバンプ（突起電極）３を形成す
る。すなわち、図１１でホルダ９３から突出したワイヤ
９５の下端にボール９６を形成し、図１２でワイヤ９５
を保持するホルダ９３を下降させ、ボール９３をＩＣチ
ップ１の電極２に接合して大略バンプ３の形状を形成
し、図１３でワイヤ９５を下方に送りつつホルダ９３の
上昇を開始し、図１４に示すような大略矩形のループ９
９にホルダ９３を移動させて図１５に示すようにバンプ
３の上部に湾曲部９８を形成し、引きちぎることにより
図１６に示すようなバンプ３を形成する。あるいは、図
１２でワイヤ９５をホルダ９３でクランプして、ホルダ
９３を上昇させて上方に引き上げることにより、金ワイ
ヤ９５を引きちぎり、図１７のようなバンプ３の形状を
形成するようにしてもよい。このように、ＩＣチップ１
の各電極２にバンプ３を形成した状態を図２に示す。
【００４８】次に、図３に示す回路基板４の電極５上
に、図４に示すように、ＩＣチップ１の大きさより若干
大きな寸法にてカットされた熱硬化性樹脂シート６を配
置し、例えば８０〜１２０℃に熱せられた貼付けツール
７により、例えば５〜１０ｋｇｆ／ｃｍ2程度の圧力で
熱硬化性樹脂シート６を基板４の電極５上に貼り付け
る。この後、熱硬化性樹脂シート６のツール７側に取り
外し可能に配置されたセパレータ６ａを剥がすことによ
り、基板４の準備工程が完了する。このセパレータ６ａ
は、ツ−ル７に熱硬化性樹脂シート６が貼り付くのを防
止するためのものである。ここで、熱硬化性樹脂シート
６は、シリカなどの無機系フィラーを入れたもの(例え
ば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミドな
ど)、無機系フィラーを全く入れないもの(例えば、エポ
キシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミドなど)が好まし
いとともに、後工程のリフロー工程での高温に耐えうる
程度の耐熱性（例えば、２４０℃に１０秒間耐えうる程
度の耐熱性）を有することが好ましい。
【００４９】次に、図５及び図６に示すように、熱せら
れた接合ツール８により、上記前工程でバンプ３が電極
２上に形成されたＩＣチップ１を、上記前工程で準備さ
れた基板４のＩＣチップ１の電極２に対応する電極５上
に位置合わせしたのち押圧する。このとき、バンプ３
は、その頭部３ａが、基板４の電極５上で図１８から図
１９に示すように変形されながら押しつけられていく、
このときＩＣチップ１を介してバンプ３側に印加する荷
重は、バンプ３の径により異なるが、折れ曲がって重な
り合うようになっているバンプ３の頭部３ａが、必ず図
２０のように変形する程度の荷重を加えることが必要で
ある。この荷重は最低でも２０（ｇｆ）を必要とする。
荷重の上限は、ＩＣチップ１、バンプ３、回路基板４な
どが損傷しない程度とする。場合によって、その最大荷
重は１００（ｇｆ）を越えることもある。なお、６ｍ及
び６ｓは熱硬化性樹脂シート６が接合ツール８の熱によ
り溶融した溶融中の熱硬化性樹脂及び溶融後に熱硬化さ
れた樹脂である。
【００５０】なお、セラミックヒータ又はパルスヒータ
などの内蔵するヒータ８ａにより熱せられた接合ツール
８により、上記前工程でバンプ３が電極２上に形成され
たＩＣチップ１を、上記前工程で準備された基板４のＩ
Ｃチップ１の電極２に対応する電極５上に図５及び図６
に示すように位置合わせする位置合わせ工程と、位置合
わせしたのち図７に示すように押圧接合する工程とを１
つの位置合わせ兼押圧接合装置、例えば、図６の位置合
わせ兼押圧接合装置で行うようにしてもよい。しかしな
がら、別々の装置、例えば、多数の基板を連続生産する
場合において位置合わせ作業と押圧接合作業とを同時的
に行うことにより生産性を向上させるため、位置合わせ
工程は図２２の位置合わせ装置で行い、押圧接合工程は
図２３の接合装置で行うようにしてもよい。なお、図２
３では、生産性を向上させるため、２つの接合装置を示
して、１枚の回路基板４の２個所を同時に押圧接合でき
るようにしている。
【００５１】このとき、回路基板４は、ガラス布積層エ
ポキシ基板（ガラエポ基板）やガラス布積層ポリイミド
樹脂基板などが用いられる。これらの基板４は、熱履歴
や、裁断、加工により反りやうねりを生じており、必ず
しも完全な平面ではない。そこで、図２１及び２２に示
すように、例えば約５μｍ以下に調整されるように平行
度がそれぞれ管理された接合ツール８とステージ９とに
より、接合ツール８側からステージ９側に向けて熱と荷
重をＩＣチップ１を通じて回路基板４に局所的に印加す
ることにより、その印加された部分の回路基板４の反り
が矯正せしめられる。また、ＩＣチップ１は、アクティ
ブ面の中心を凹として反っているが、これを接合時に２
０ｇｆ以上の強い加重で加圧することで、基板４とＩＣ
チップ１の両方の反りやうねりを矯正することができ
る。このＩＣチップ１の反りは、ＩＣチップ１を形成す
るとき、Ｓｉに薄膜を形成する際に生じる内部応力によ
り発生するものである。
【００５２】こうして回路基板４の反りが矯正された状
態で、例えば１４０〜２３０℃の熱がＩＣチップ１と回
路基板４の間の熱硬化性樹脂シート６に例えば数秒〜２
０秒程度印加され、この熱硬化性樹脂シート６が硬化さ
れる。このとき、最初は熱硬化性樹脂シート６を構成す
る熱硬化性樹脂が流れてＩＣチップ１のエッヂまで封止
する。また、樹脂であるため、加熱されたとき、当初は
自然に軟化するためこのようにエッヂまで流れるような
流動性が生じる。熱硬化性樹脂の体積はＩＣチップ１と
回路基板との間の空間の体積より大きくすることによ
り、この空間からはみ出すように流れ出て、封止効果を
奏することができる。この後、加熱されたツール８が上
昇することにより、加熱源がなくなるためＩＣチップ１
と熱硬化性樹脂シート６の温度が急激に低下して、熱硬
化性樹脂シート６は流動性を失い、図７及び図２０に示
すように、ＩＣチップ１は硬化した熱硬化性樹脂６ｓに
より回路基板４上に固定される。また、回路基板４側を
ステージ９により加熱しておくと、接合ツール８の温度
をより低く設定することができる。
【００５３】また、熱硬化性樹脂シート６を貼り付ける
代わりに、図８に示すように、熱硬化性接着剤６ｂを回
路基板４上に、ディスペンスなどによる塗布、又は印
刷、又は転写するようにしてもよい。熱硬化性接着剤６
ｂを使用する場合は、基本的には上記した熱硬化性樹脂
シート６を用いる工程と同一の工程を行う。熱硬化性樹
脂シート６を使用する場合には、固体ゆえに取り扱いや
すいとともに、液体成分が無いため高分子で形成するこ
とができ、ガラス転移点の高いものを形成しやすいとい
った利点がある。これに対して、熱硬化性接着剤６ｂを
使用する場合には、基板４の任意の位置に任意の大きさ
に塗布、印刷、又は転写することができる。
【００５４】また、熱硬化性樹脂に代えて異方性導電膜
（ＡＣＦ）を用いてもよく、さらに、異方性導電膜に含
まれる導電粒子として、ニッケル粉に金メッキを施した
ものを用いることにより、電極５とバンプ３との間での
接続抵抗値を低下せしめることができて尚好適である。
【００５５】このように熱硬化性樹脂シート６に代えて
異方性導電膜１０を用いた場合の実装プロセスを図１１
〜２９を用いて説明する。図２４のＩＣチップ１におい
てＩＣチップ１のＡｌパッド電極２にワイヤボンディン
グ装置により図１１〜１６のごとき動作によりバンプ
（突起電極）３を図２５のように形成する。あるいは、
図１２でワイヤ９５をホルダ９３でクランプして上方に
引き上げることにより、金ワイヤ９５を引きちぎり、図
１７のようなバンプ形状としてもよい。
【００５６】次に、図２６の回路基板４の電極５上に、
図２７に示すように、ＩＣチップ１の大きさより若干大
きな寸法にカットした異方性導電膜シート１０を配置
し、例えば８０〜１２０℃に熱せられた貼付けツール７
により例えば５〜１０ｋｇｆ／ｃｍ2程度の圧力で基板
４に貼付ける。この後、異方性導電膜シート１０のツー
ル側のセパレータを剥がすことにより基板４の準備工程
が完了する。
【００５７】次に、図２８に示されるように、熱せられ
た接合ツール８により、上記工程でバンプ３が形成され
たＩＣチップ１を上記工程で準備された基板４のＩＣチ
ップ１に対応する電極５上に位置合わせして異方性導電
膜シート１０を介して押圧する。このとき、バンプ３は
基板４の電極５上でバンプ３の頭部３ａが図１９から２
０のごとく変形しながら押しつけられていく、このと
き、印加する荷重は、バンプ３の径により異なるが、頭
部３ａの折れ重なった部分が図２０のように必ず変形す
るようにする。また、このとき、図３０に示すように、
異方性導電膜シート１０中の導電粒子１０ａが樹脂ボー
ル球に金属メッキを施されている場合には、導電粒子１
０ａが変形することが必要である。また、異方性導電膜
シート１０中の導電粒子１０ａがニッケルなど金属粒子
の場合には、バンプ３や基板側の電極５にめり込むよう
な荷重を加えることが必要である。この荷重は最低でも
２０（ｇｆ）を必要とする。最大では１００（ｇｆ）を
越えることもある。
【００５８】このとき、回路基板４としては、多層セラ
ミック基板、ガラス布積層エポキシ基板（ガラエポ基
板）、アラミド不織布基板、ガラス布積層ポリイミド樹
脂基板、ＦＰＣ（フレキシブル・プリンテッド・サーキ
ット）又はなどが用いられる。これらの基板４は、熱履
歴や、裁断、加工により反りやうねりを生じており、必
ずしも完全な平面ではない。そこで、熱と荷重とをＩＣ
チップ１を通じて回路基板４に局所的に印加することに
より、その印加された部分の回路基板４の反りが矯正さ
れる。
【００５９】こうして、回路基板４の反りが矯正された
状態で、例えば１４０〜２３０℃の熱がＩＣチップ１と
回路基板４との間の異方性導電膜１０に例えば数秒〜２
０秒程度印加され、この異方性導電膜１０が硬化され
る。このとき、最初は熱硬化性樹脂シート６を構成する
熱硬化性樹脂が流れてＩＣチップ１のエッヂまで封止す
る。また、樹脂であるため、加熱されたとき、当初は自
然に軟化するためこのようにエッヂまで流れるような流
動性が生じる。熱硬化性樹脂の体積はＩＣチップ１と回
路基板との間の空間の体積より大きくすることにより、
この空間からはみ出すように流れ出て、封止効果を奏す
ることができる。この後、加熱されたツール８が上昇す
ることにより、加熱源がなくなるためＩＣチップ１と異
方性導電膜１０の温度は急激に低下して、異方性導電膜
１０は流動性を失い、図２９に示されるように、ＩＣチ
ップ１は、異方性導電膜１０を構成していた樹脂１０ｓ
により、回路基板４上に固定される。また、回路基板４
側を加熱しておくと、接合ツール８の温度をより低くす
ることができる。
【００６０】このようにすれば、熱硬化性樹脂シート６
に代えて異方性導電膜１０を用いることができ、さら
に、異方性導電膜１０に含まれる導電粒子１０ａとして
ニッケル粉に金メッキを施したものを用いることによ
り、接続抵抗値を低下せしめることができて尚好適であ
る。
【００６１】なお、図１から図８までは、熱硬化性樹脂
シート６又は熱硬化性接着剤６ｂを回路基板４側に形成
することについて説明したが、これに限定されるもので
はなく、図９又は図１０に示すように、ＩＣチップ１側
に形成するようにしてもよい。この場合、特に、熱硬化
性樹脂シート６の場合には、熱硬化性樹脂シート６の回
路基板側に取り外し可能に配置されたセパレータ６ａと
ともにゴムなどの弾性体１１７にＩＣチップ１を押し付
けて、バンプ３の形状に沿って熱硬化性樹脂シート６が
ＩＣチップ１に貼り付けられるようにしてもよい。
【００６２】次に、本発明の第２実施形態にかかる実装
方法及び装置を図３１〜３３及び図３４〜３６を用いて
説明する。前記したようにＩＣチップ１上の電極２に突
起電極（バンプ）３を形成しておき、回路基板４には、
図３２，３３及び図３４に示すように、ＩＣチップ１の
電極２の内端縁を結んだ外形寸法ＯＬより小さい形状寸
法のシート状の熱硬化性樹脂又は熱硬化性接着剤６を回
路基板４の電極５を結んだ中心部分に貼り付け又は塗布
しておく。次に、バンプ３と回路基板４の電極５を位置
合わせし、図３１及び図３５に示すように、加熱された
ヘッド８によりＩＣチップ１を回路基板４に加圧押圧し
て、基板４の反り矯正を同時に行いながら、ＩＣチップ
１と回路基板４の間に介在する熱硬化性樹脂又は熱硬化
性接着剤６を硬化する。このとき、熱硬化性樹脂又は熱
硬化性接着剤６は、ヘッド８からＩＣチップ１を介して
加えられた熱により上記したように軟化し、図３６のご
とく貼り付けられた位置より加圧されて外側へ向かって
流れ出る。この流れ出た熱硬化性樹脂又は熱硬化性接着
剤６が封止材料（アンダーフィル）となり、バンプ３と
電極５との接合の信頼性を著しく向上する。また、ある
一定時間がたつと、上記熱硬化性樹脂又は熱硬化性接着
剤６では徐々に硬化が進行し、最終的には硬化した樹脂
６ｓによりＩＣチップ１と回路基板４を接合することに
なる。ＩＣチップ１を押圧している接合ツール８を上昇
することで、ＩＣチップ１と回路基板４の電極５の接合
が完了する。厳密に言えば、熱硬化の場合には、熱硬化
性樹脂の反応は加熱している間に進み、接合ツール８が
上昇するとともに流動性はほとんど無くなる。上記した
ような方法によると、接合前では熱硬化性樹脂又は熱硬
化性接着剤６が電極５を覆っていないので、接合する際
にバンプ３が電極５に直接接触し、電極５の下に熱硬化
性樹脂又は熱硬化性接着剤６が入り込まず、バンプ３と
電極５との間での接続抵抗値を低くすることができる。
また、回路基板側を加熱しておくと、接合ヘッド８の温
度をより低くすることができる。
【００６３】次に、本発明の第３実施形態にかかる実装
方法及び装置を図３７〜３９を用いて説明する。この第
３実施形態は、レベリングした後に接合する実装方法及
び装置である。
【００６４】まず、図３７に示すように、ＩＣチップ１
上の電極２に突起電極（バンプ）３を先に説明した方法
によりワイヤボンディング装置を用いて形成し、皿状の
容器に収納された導電性接着剤１１にバンプ３を浸けて
バンプ３に導電性接着剤１１を転写する。一方、回路基
板４には、ＩＣチップ１の電極２を結んだ外形寸法Ｌ 1
より小さい形状寸法Ｌ2の熱硬化性樹脂シート又は熱硬
化性接着剤６を回路基板４の電極５を結んだ中心部分に
貼り付け又は塗布しておく。次に、図３９に示すよう
に、バンプ３と回路基板４の電極５を位置合わせし、加
熱された接合ヘッド８によりＩＣチップ１を回路基板４
に加圧押圧して、基板４の反り矯正を同時に行いなが
ら、ＩＣチップ１と回路基板４の間に介在する熱硬化性
樹脂又は熱硬化性接着剤６を硬化し、硬化した樹脂６ｓ
によりＩＣチップ１と回路基板４を接合する。このと
き、熱硬化性樹脂又は熱硬化性接着剤６は、接合ヘッド
８からＩＣチップ１を介して加えられた熱により上記し
たように軟化し、図３８のごとく貼り付けられた位置よ
り加圧されて外側へ向かって流れ出る。この流れ出た熱
硬化性樹脂又は熱硬化性接着剤６が封止材料（アンダー
フィル）となり、バンプ３と電極５との間での接合の信
頼性を著しく向上させる。また、このとき、バンプ３に
付着した導電性接着剤１１も硬化せしめられ、導電性接
着剤１１のみを硬化する加熱工程が不要となる。次い
で、ＩＣチップ１を押圧しているツール８を上昇する。
以上の工程によって、ＩＣチップ１と回路基板４の電極
５の接合が完了する。また、回路基板側を加熱しておく
と、接合ヘッド８の温度をより低くすることができる。
また、Ｌ2＜ＬＢとしても、尚好適である。また、上記
加熱を短時間で行っておき、その後、更に、本加熱を炉
などで行ってもよい。このときには、樹脂の硬化収縮作
用のあるものを用いることで同等の作用が得られる。
又、アンダーフィルをすべて上記樹脂で行わずに、図４
０に示すように、その一部をこの方法で行い、後に、図
４１に示すように、アンダーフィル４００を注入するよ
うにしてもよい。
【００６５】なお、図３７において、ＩＣチップ１を保
持するツール８にセラミックヒータ又はパルスヒータな
どのヒータ８を内蔵させて図３８の工程を行う前に導電
性接着剤１１を加熱（例えば６０から２００℃に加熱）
して硬化させておけば、導電性接着剤１１がバンプ３の
一部として機能させるようにすれば、熱硬化性樹脂シー
ト又は熱硬化性接着剤６を突き通して貫通させることが
できる。よって、この場合には、ＩＣチップ１の電極２
を結んだ外形寸法Ｌ1以上の大きな形状寸法Ｌ2の熱硬化
性樹脂シート又は熱硬化性接着剤６を使用することがで
きる。言い換えれば、熱硬化性樹脂シート又は熱硬化性
接着剤６の大きさを全く考慮する必要がなくなくる。
【００６６】先の実施形態と同様に、上記熱硬化性樹脂
シート又は熱硬化性接着剤６に代えて異方性導電膜１０
を用いてもよい。また、さらに、異方性導電膜に含まれ
る導電粒子１０ａがニッケル粉に金メッキを施したもの
を用いることにより、バンプ３と電極５との間での接続
抵抗値を低下せしめることができ、尚好適である。
【００６７】本発明の第４実施形態にかかる実装方法及
び装置を図４２〜４７を用いて説明する。図４２に示す
ように、ＩＣチップ１を回路基板４へ実装する際に、Ｉ
Ｃチップ１上の電極（パッド）２に突起電極（バンプ）
３を形成する。一方、図４３に示すように、熱硬化性樹
脂シート６の片面又は両面にフラックス成分を塗布して
乾燥することによりフラックス層１２を形成する。又
は、フラックス成分を乾燥させて形成したフラックス成
分シートを前記熱硬化性樹脂シート６に貼り付けてフラ
ックス層１２を形成する。このようにフラックス層１２
を有する熱硬化性樹脂シート６を、図４４に示すよう
に、回路基板４に貼り付ける。このとき、フラックス層
１２が回路基板４に接触するように熱硬化性樹脂シート
６を貼り付ける。次に、バンプ３と回路基板４の電極５
の位置合わせを行い、加熱されたヘッド８によりＩＣチ
ップ１を回路基板４に加圧押圧する。このとき、図４６
に示すように熱硬化性樹脂シート６のＩＣチップ側にも
フラックス層１２を塗布形成している場合には、バンプ
３が上記熱硬化性樹脂シート６のフラックス層１２に接
触して付着する。また、熱硬化性樹脂シート６の基板側
に形成されたフラックス層１２は、図４５に示すように
基板側の電極５に形成された接合金属層１３に、上記熱
硬化性樹脂シート６が基板４に貼り付けられた段階で付
着する。ヘッド８によりＩＣチップ１を回路基板４に押
圧していくと、ヘッド８からの熱がＩＣチップ１を介し
て熱硬化性樹脂シート６に伝達するとともに、基板４の
反り矯正を同時に行いながら、フラックス層１２のフラ
ックス成分を活性化する。また、ＩＣチップ１と回路基
板４の間に介在する熱硬化性樹脂シート６を硬化し、そ
の樹脂シート６をバンプ３が突き破る際にフラックス層
１２のフラックスがバンプ３に付着するとともに、上記
熱により溶融されかつ回路基板４の電極５上に形成され
た接合金属層１３と接触することにより、図４７に示す
ように、バンプ３と電極５とがフラックス及び接合金属
層１３を介して接合して、ＩＣチップ１と回路基板５を
接合する。
【００６８】バンプ３として例えば比較的低温３００℃
以下で溶融する金属を用いている場合には、回路基板４
に接合金属層１３を具備してもしなくてもよいことはい
うまでもない。また、回路基板側を加熱しておくと、接
合ヘッド８の温度をより低くすることができる。
【００６９】なお、この実施形態においても先の実施形
態と同様に、熱硬化性樹脂シート６に代えて熱硬化性接
着剤や異方性導電膜シート１０を使用することができる
ことは言うまでもない。
【００７０】次に、本発明の第５実施形態にかかる実装
方法及び装置を図４８〜５４を用いて、説明する。この
第５実施形態は、接合と同時でも同時でなくてもレベリ
ングを全く行わない実装方法及び装置である。
【００７１】図５２，５３に示すように、ＩＣチップ１
を回路基板４へ実装する際に、ＩＣチップ１に図示しな
いワイヤボンディング装置を用いてＩＣチップ１上の電
極２に突起電極（バンプ）３を形成しておく。図４８，
４９に示すように熱硬化性樹脂シート６には、バンプ３
及び回路基板４の電極５に対応する位置に、バンプ３と
基板４の電極５とを接触させて導通させる方向（樹脂シ
ート６の厚み方向）に貫通した貫通孔１５を形成する。
そして、図５０，５１に示すように、導電粒子１４、例
えば、表面に金メッキを施した樹脂ボール、又は、ニッ
ケル粒子、又は、銀、銀−パラジウム、若しくは金から
なる導電粒子、又は、導電ペースト、又は、金球からな
る粒子をペースト状にしたものを上記貫通孔１５内に、
印刷により又はスキージにより押し込むなどして埋め込
んで導電性を有する熱硬化性樹脂シート６６を形成す
る。このように形成された樹脂シート６６を図５２，５
３に示すように回路基板４の電極５と位置合わせして貼
付ける。ペースト状の上記導電粒子１４をする場合に
は、熱硬化性樹脂シート６６の熱硬化性接着剤の接合時
の粘度よりも上記ペーストの粘度を高くしておくと、Ｉ
Ｃチップ１の押圧時に上記ペーストが上記熱硬化性樹脂
シート６６の樹脂に押し流されにくくなり、より好適で
ある。
【００７２】次に、図５２，５３に示すように、ＩＣチ
ップ１のバンプ３と回路基板４の電極５を位置合わせ
し、加熱された接合ヘッド８によりＩＣチップ１を回路
基板４に押圧して、バンプ３のレベリングと基板４の反
り矯正を同時に行いながら、ＩＣチップ１と回路基板４
の間に介在する熱硬化性樹脂シート６６中の熱硬化性樹
脂を硬化して、図５４に示すように、硬化された樹脂６
６ｓによりＩＣチップ１と回路基板４とを接合する。ま
た、回路基板側を加熱しておくと、接合ヘッド８の温度
をより低くすることができる。
【００７３】次に、本発明の第６実施形態にかかる実装
方法及び装置を図５５〜６２を用いて、説明する。この
第６実施形態は、接合と同時でも同時でなくてもレベリ
ングを全く行わない実装方法及び装置である。
【００７４】図５５において、熱硬化性樹脂シート６６
に回路基板４の電極５に対応する位置に、回路基板４の
電極５と相挟む方向で、相互に導通させる方向に孔１５
を形成し、図５６に示すように、その孔１５に導電粒子
１６を挿入して形成する。この導電粒子１６としては、
その粒子直径が、少なくともＩＣチップ１の電極２に被
さるパッシベイション膜１ａの厚みｔpc（図６２参照）
より大きく、基板４の電極５の厚みｔe（図５７参照）
より小さい寸法で、かつ、図６０に示すように樹脂ボー
ル１６ａの表面に金メッキ１６ｂを施した導電粒子１
６、又は、図５９に示すようにニッケル粒子１７ａの表
面に金メッキ１７ｂした導電粒子１７、又は、図６１に
示すように銀、銀−パラジウム、若しくは、金そのもの
からなる導電粒子１８、又は、導電ペースト、又は、金
球からなる粒子などが好ましい。次に、図５７に示すよ
うに、ＩＣチップ１の電極２を回路基板４の電極５と位
置合わせして貼付けた後に、ＩＣチップ１の電極２と回
路基板４の電極５を位置合わせし、先の実施形態と同様
に加熱された接合ヘッド８により、該ヘッド８に連結さ
れた超音波振動発振装置から超音波振動をヘッド８を介
してＩＣチップ１に印加しながらＩＣチップ１を回路基
板４に押圧して、上記導電粒子１６の表面の金属を介し
て、ＩＣチップ１のＡｌ電極２と回路基板４の電極５を
接合する。同時に、ＩＣチップ１と回路基板４の間に介
在する熱硬化性樹脂シート６６を硬化して、図５８に示
すように、硬化された樹脂６６ｓによりＩＣチップ１と
回路基板４とを接合する。好適には、回路基板４の電極
５の表面を金メッキしておくことが望ましい。また、回
路基板側を加熱しておくと、接合ヘッド８の温度をより
低くすることができる。ここで、超音波により、ＩＣチ
ップ１のパッド上のＡｌ膜の酸化物を破り、新しいＡｌ
を露出させることができる。また、接合するときの温度
を下げることも可能となるとともに、Ａｕ−Ａｌ合金化
を促進させることもできる。なお、上記実施形態におい
ては、先の実施形態と同様に熱硬化性樹脂シートに代え
て熱硬化性接着剤や異方性導電膜１０を使用することも
できる。
【００７５】次に、本発明の第７実施形態にかかる実装
方法及び装置を図６６〜７０を用いて、説明する。この
第７実施形態は、接合と同時にレベリングを行う実装方
法及び装置である。
【００７６】図６６に示すＩＣチップ１の電極２に形成
されたバンプ３を、図６７に示すようにＩＣチップ１を
ツール８で保持しながら導電性ペースト槽１０１の導電
性ペースト１００内に浸すことにより、図６８に示すよ
うに、バンプ３に導電性ペースト１００を付着させる。
その後、図６８に示すように、内蔵ヒータ８ａにより導
電性ペースト１００を加熱して硬化させることにより、
次工程で熱硬化性樹脂シート６又は熱硬化性接着剤６ｂ
を貫通しやすくする。すなわち、この導電性ペースト１
００は、バンプ３の一部として機能するものである。そ
の後、図６９に示す熱硬化性樹脂シート６を載置した回
路基板４の電極５、又は、図７２に示す熱硬化性接着剤
６ｂを載置した回路基板４の電極５に対して、図７０に
示すように上記バンプ３が接触するようにＩＣチップ１
を回路基板４に押圧する。この結果、図７１に示すよう
に、導電性ペースト１００を介してバンプ３と電極５と
が電気的に接続され、又は場合によってはバンプ３が直
接電極５に電気的に接続される。このようにして、導電
性ペースト１００を介在させることによりレベリングの
不揃いなバンプ３を電極５に接続することができる。
又、このとき、先の実施形態と同様に、加熱された接合
ヘッド８によりＩＣチップ１を回路基板４に押圧して接
合するとき、基板４の反り矯正を同時に行うことができ
る。なお、導電性ペースト１００としては上記したよう
な種々のものを使用することができる。
【００７７】上記種々の実施形態においては、熱硬化性
樹脂シートに代えて熱硬化性接着剤を使用することがで
きる。また、熱硬化性接着剤に代えて、異方性導電膜１
０を用いることもできる。この場合においては、さら
に、異方性導電膜１０に含まれる導電粒子としてニッケ
ル粉に金メッキを施したものを用いるようにすると、バ
ンプ３と電極５との間での接続抵抗値をさらに低下せし
めることができて尚好適である。
【００７８】本発明によれば、電子部品例えばＩＣチッ
プと回路基板を接合するのに従来要した工程の多くを無
くすことができ、非常に生産性がよくなる。また、接合
材料として導電粒子の無い熱硬化性樹脂シート又は熱硬
化性接着剤を用いた場合には、従来例２で示した方法に
比べて安価なＩＣチップの実装方法を提供することがで
きる。
【００７９】さらに、以下のような効果をも奏すること
ができる。
【００８０】（１）バンプ形成 バンプをメッキで形成する方法（従来例３）では、専用
のバンプ形成工程を半導体メーカーで行う必要があり、
限定されたメーカーでしかバンプの形成ができない。と
ころが、本発明の方法によれば、ワイヤボンディング装
置により、汎用のワイヤボンディング用のＩＣチップを
用いることができ、ＩＣチップの入手が容易である。
【００８１】従来例１の方法に比べて、導電性接着剤の
転写といった不安定な転写工程での接着剤の転写量を安
定させるためのバンプレベリングが不要となり、そのよ
うなレベリング工程用のレベリング装置が不要となる。
【００８２】本発明の上記第５実施形態の方法によれ
ば、ＩＣチップへのバンプ形成が不要であり、より簡便
でかつ生産性よく、安価な実装方法を提供することが可
能である。
【００８３】（２）ＩＣチップと回路基板の接合 従来例２の方法によれば、接続抵抗は、バンプと回路基
板の電極の間に存在する導電粒子の数に依存していた
が、本発明では、独立した工程としてのレベリング工程
においてバンプをレベリングせずに回路基板の電極に従
来例１、２よりも強い荷重で押しつけて接合するため、
介在する粒子数に接続抵抗値が依存せず、安定して接続
抵抗値が得られる。
【００８４】バンプのレベリングを接合と同時に行うの
で、独立したレベリング工程が不要であるばかりでな
く、接合時に回路基板の反りやうねりを変形させて矯正
しながら接合するので、又は、バンプに付着させた導電
性ペーストを硬化して接合時に導電性ペーストを変形さ
せることによりバンプのレベリングを一切不要として、
接合時に回路基板の反りやうねりを変形させて矯正しな
がら接合するので、反りやうねりに強い。従来例１では
１０μｍ／ＩＣ（１個のＩＣチップ当たり１０μｍの厚
み反り寸法精度が必要であることを意味する。）、従来
例２では２μｍ／ＩＣ、従来例３でも１μｍ／ＩＣ（バ
ンプ高さバラツキ±１μｍ以下）というような高精度の
基板やバンプの均一化が必要であり、実際上は、ＬＣＤ
に代表されるガラス基板が用いられている。ところが、
本発明の方法によれば、上記実施形態で説明したごと
く、樹脂基板、フレキ基板、多層セラミック基板などを
用いることができ、より低廉で汎用性のあるＩＣチップ
の接合方法を提供することができる。
【００８５】また、従来例１で必要とした導電性接着剤
でＩＣチップと回路基板を接合した後にＩＣチップの下
に封止樹脂（アンダーフィルコート）を行う必要がな
く、工程を短縮することができる。
【００８６】なお、上記熱硬化性樹脂シート６６におい
て形成される孔１５は、ＩＣチップ１の電極２又はバン
プ３の位置、又は、回路基板４の電極５の位置のいずれ
か一方の位置に形成すればよい。例えば、回路基板４の
電極５の数がＩＣチップ１の電極２の数より多い場合に
は、ＩＣチップ１の電極２を接合するのに必要な数、従
って、ＩＣチップ１の電極２に対応する位置及び数の孔
１５を形成すればよい。
【００８７】以上、本発明によれば、従来存在したどの
接合工法よりも生産性よく、低廉なＩＣチップと回路基
板の接合方法及びその装置を提供することができる。
【００８８】明細書、請求の範囲、図面、要約書を含む
１９９６年１２月２７日に出願された日本特許出願第８
−３５０７３８号に開示されたものの総ては、参考とし
てここに総て取り込まれるものである。
【００８９】本発明は、添付図面を参照しながら好まし
い実施形態に関連して充分に記載されているが、この技
術の熟練した人々にとっては種々の変形や修正は明白で
ある。そのような変形や修正は、添付した請求の範囲に
よる本発明の範囲から外れない限りにおいて、その中に
含まれると理解されるべきである。
【図面の簡単な説明】
本発明のこれらと他の目的と特徴は、添付された図面に
ついての好ましい実施形態に関連した次の記述から明ら
かになる。この図面においては、
【図１】 本発明の第１実施形態にかかる回路基板への
電子部品例えばＩＣチップの実装方法を示す説明図であ
る。
【図２】 本発明の第１実施形態にかかる回路基板への
電子部品例えばＩＣチップの実装方法を示す説明図であ
る。
【図３】 本発明の第１実施形態にかかる回路基板への
電子部品例えばＩＣチップの実装方法を示す説明図であ
る。
【図４】 本発明の第１実施形態にかかる回路基板への
電子部品例えばＩＣチップの実装方法を示す説明図であ
る。
【図５】 本発明の第１実施形態にかかる回路基板への
電子部品例えばＩＣチップの実装方法を示す説明図であ
る。
【図６】 本発明の第１実施形態にかかる回路基板への
電子部品例えばＩＣチップの実装方法を示す説明図であ
る。
【図７】 本発明の第１実施形態にかかる回路基板への
電子部品例えばＩＣチップの実装方法を示す説明図であ
る。
【図８】 本発明の第１実施形態にかかる回路基板への
電子部品例えばＩＣチップの実装方法を示す説明図であ
る。
【図９】 本発明の第１実施形態にかかる回路基板への
電子部品例えばＩＣチップの実装方法を示す説明図であ
る。
【図１０】 本発明の第１実施形態にかかる回路基板へ
の電子部品例えばＩＣチップの実装方法を示す説明図で
ある。
【図１１】 本発明の第１実施形態における実装方法に
おいて、ＩＣチップのワイヤボンダーを用いたバンプ形
成工程を示す説明図である。
【図１２】 本発明の第１実施形態における実装方法に
おいて、ＩＣチップのワイヤボンダーを用いたバンプ形
成工程を示す説明図である。
【図１３】 本発明の第１実施形態における実装方法に
おいて、ＩＣチップのワイヤボンダーを用いたバンプ形
成工程を示す説明図である。
【図１４】 本発明の第１実施形態における実装方法に
おいて、ＩＣチップのワイヤボンダーを用いたバンプ形
成工程を示す説明図である。
【図１５】 本発明の第１実施形態における実装方法に
おいて、ＩＣチップのワイヤボンダーを用いたバンプ形
成工程を示す説明図である。
【図１６】 本発明の第１実施形態における実装方法に
おいて、ＩＣチップのワイヤボンダーを用いたバンプ形
成工程を示す説明図である。
【図１７】 本発明の第１実施形態における実装方法に
おいて、ＩＣチップのワイヤボンダーを用いたバンプ形
成工程を示す説明図である。
【図１８】 本発明の第１実施形態にかかる実装方法に
おいて、回路基板とＩＣチップの接合工程を示す説明図
である。
【図１９】 本発明の第１実施形態にかかる実装方法に
おいて、回路基板とＩＣチップの接合工程を示す説明図
である。
【図２０】 本発明の第１実施形態にかかる実装方法に
おいて、回路基板とＩＣチップの接合工程を示す説明図
である。
【図２１】 本発明の第１実施形態である実装方法にお
いて回路基板とＩＣチップの接合工程を示す説明図であ
る。
【図２２】 本発明の第１実施形態である実装方法にお
いて回路基板とＩＣチップの接合工程を示す説明図であ
る。
【図２３】 本発明の第１実施形態である実装方法にお
いて回路基板とＩＣチップの接合工程を示す説明図であ
る。
【図２４】 本発明の第１実施形態の実装方法において
熱硬化性樹脂シートに代えて異方性導電膜を使用する場
合において、回路基板とＩＣチップの接合工程を示す説
明図である。
【図２５】 本発明の第１実施形態の実装方法において
熱硬化性樹脂シートに代えて異方性導電膜を使用する場
合において、回路基板とＩＣチップの接合工程を示す説
明図である。
【図２６】 本発明の第１実施形態の実装方法において
熱硬化性樹脂シートに代えて異方性導電膜を使用する場
合において、回路基板とＩＣチップの接合工程を示す説
明図である。
【図２７】 本発明の第１実施形態の実装方法において
熱硬化性樹脂シートに代えて異方性導電膜を使用する場
合において、回路基板とＩＣチップの接合工程を示す説
明図である。
【図２８】 本発明の第１実施形態の実装方法において
熱硬化性樹脂シートに代えて異方性導電膜を使用する場
合において、回路基板とＩＣチップの接合工程を示す説
明図である。
【図２９】 本発明の第１実施形態の実装方法において
熱硬化性樹脂シートに代えて異方性導電膜を使用する場
合において、回路基板とＩＣチップの接合工程を示す説
明図である。
【図３０】 本発明の第１実施形態において図２４〜図
２９の実施形態での回路基板とＩＣチップの接合工程を
示す説明図である。
【図３１】 本発明の第２実施形態にかかる実装方法に
おいて、回路基板とＩＣチップの接合工程を示す説明図
である。
【図３２】 本発明の第２実施形態にかかる実装方法に
おいて、回路基板とＩＣチップの接合工程を示す説明図
である。
【図３３】 本発明の第２実施形態にかかる実装方法に
おいて、回路基板とＩＣチップの接合工程を示す説明図
である。
【図３４】 本発明の第２実施形態である実装方法にお
いて回路基板とＩＣチップの接合工程を示す説明図であ
る。
【図３５】 本発明の第２実施形態である実装方法にお
いて回路基板とＩＣチップの接合工程を示す説明図であ
る。
【図３６】 本発明の第２実施形態である実装方法にお
いて回路基板とＩＣチップの接合工程を示す説明図であ
る。
【図３７】 本発明の第３実施形態である実装方法にお
いて回路基板とＩＣチップの接合工程を示す説明図であ
る。
【図３８】 本発明の第３実施形態である実装方法にお
いて回路基板とＩＣチップの接合工程を示す説明図であ
る。
【図３９】 本発明の第３実施形態である実装方法にお
いて回路基板とＩＣチップの接合工程を示す説明図であ
る。
【図４０】 本発明の第３実施形態である実装方法にお
いて回路基板とＩＣチップの接合工程を示す説明図であ
る。
【図４１】 本発明の第３実施形態である実装方法にお
いて回路基板とＩＣチップの接合工程を示す説明図であ
る。
【図４２】 本発明の第４実施形態である実装方法にお
いて回路基板とＩＣチップの接合工程を示す説明図であ
る。
【図４３】 本発明の第４実施形態である実装方法にお
いて回路基板とＩＣチップの接合工程を示す説明図であ
る。
【図４４】 本発明の第４実施形態である実装方法にお
いて回路基板とＩＣチップの接合工程を示す説明図であ
る。
【図４５】 本発明の第４実施形態である実装方法にお
いて回路基板とＩＣチップの接合工程を示す説明図であ
る。
【図４６】 本発明の第４実施形態である実装方法にお
いて回路基板とＩＣチップの接合工程を示す説明図であ
る。
【図４７】 本発明の第４実施形態である実装方法にお
いて回路基板とＩＣチップの接合工程を示す説明図であ
る。
【図４８】 本発明の第５実施形態である実装方法にお
いて回路基板とＩＣチップの接合工程を示す説明図であ
る。
【図４９】 本発明の第５実施形態である実装方法にお
いて回路基板とＩＣチップの接合工程を示す説明図であ
る。
【図５０】 本発明の第５実施形態である実装方法にお
いて回路基板とＩＣチップの接合工程を示す説明図であ
る。
【図５１】 本発明の第５実施形態である実装方法にお
いて回路基板とＩＣチップの接合工程を示す説明図であ
る。
【図５２】 本発明の第５実施形態である実装方法にお
いて回路基板とＩＣチップの接合工程を示す説明図であ
る。
【図５３】 本発明の第５実施形態である実装方法にお
いて回路基板とＩＣチップの接合工程を示す説明図であ
る。
【図５４】 本発明の第５実施形態である実装方法にお
いて回路基板とＩＣチップの接合工程を示す説明図であ
る。
【図５５】 本発明の第６実施形態である実装方法にお
いて回路基板とＩＣチップの接合工程を示す説明図であ
る。
【図５６】 本発明の第６実施形態である実装方法にお
いて回路基板とＩＣチップの接合工程を示す説明図であ
る。
【図５７】 本発明の第６実施形態である実装方法にお
いて回路基板とＩＣチップの接合工程を示す説明図であ
る。
【図５８】 本発明の第６実施形態である実装方法にお
いて回路基板とＩＣチップの接合工程を示す説明図であ
る。
【図５９】 本発明の第６実施形態である実装方法にお
いて回路基板とＩＣチップの接合工程を示す説明図であ
る。
【図６０】 本発明の第６実施形態である実装方法にお
いて回路基板とＩＣチップの接合工程を示す説明図であ
る。
【図６１】 本発明の第６実施形態である実装方法にお
いて回路基板とＩＣチップの接合工程を示す説明図であ
る。
【図６２】 本発明の第６実施形態である実装方法にお
いて回路基板とＩＣチップの接合工程を示す説明図であ
る。
【図６３】 従来の回路基板とのＩＣチップの接合方法
を示す断面図である。
【図６４】 従来の回路基板とのＩＣチップの接合方法
を示す説明図である。
【図６５】 従来の回路基板とのＩＣチップの接合方法
を示す説明図である。
【図６６】 本発明の第７実施形態である実装方法にお
いて回路基板とＩＣチップの接合工程を示す説明図であ
る。
【図６７】 本発明の第７実施形態である実装方法にお
いて回路基板とＩＣチップの接合工程を示す説明図であ
る。
【図６８】 本発明の第７実施形態である実装方法にお
いて回路基板とＩＣチップの接合工程を示す説明図であ
る。
【図６９】 本発明の第７実施形態である実装方法にお
いて回路基板とＩＣチップの接合工程を示す説明図であ
る。
【図７０】 本発明の第７実施形態である実装方法にお
いて回路基板とＩＣチップの接合工程を示す説明図であ
る。
【図７１】 本発明の第７実施形態である実装方法にお
いて回路基板とＩＣチップの接合工程を示す説明図であ
る。
【図７２】 本発明の第７実施形態である実装方法にお
いて回路基板とＩＣチップの接合工程を示す説明図であ
る。

Claims (19)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 導電性接着剤（１１）を電子部品（１）
    の電極（２）のワイヤボンディングにより形成されたバ
    ンプ（３）に転写し、 回路基板（４）には、絶縁性で導電粒子を含まない熱硬
    化性樹脂（６）として、上記電子部品の上記電極を結ん
    だ外形寸法より小さい形状寸法の固形の熱硬化性樹脂シ
    ート（６）を貼り付けたのち、上記バンプと上記回路基
    板の電極（５）を位置合わせし、 上記熱硬化性樹脂シート（６）を加熱しながら、上記電
    子部品を上記回路基板に加圧押圧して、上記回路基板の
    反り矯正を同時に行いながら、上記電子部品と上記回路
    基板の間に介在する上記熱硬化性樹脂シートを上記熱に
    より硬化して、上記電子部品と上記回路基板を接合する
    ようにしたことを特徴とする電子部品の実装方法。
  2. 【請求項２】 回路基板（４）には、絶縁性で導電粒子
    を含まない熱硬化性樹脂として、片面又は両面にフラッ
    クス層（１２）を形成した固形の熱硬化性樹脂シート
    （６）を貼り付けたのち、電子部品（１）の電極（２）
    のワイヤボンディングにより形成されたバンプ（３）と
    上記回路基板の電極（５）を位置合わせし、 加熱されたヘッド（８）により上記電子部品を上記回路
    基板に加圧押圧して、上記回路基板の反り矯正を同時に
    行いながら、上記電子部品と上記回路基板の間に介在す
    る上記熱硬化性樹脂シートを硬化し、その樹脂シートを
    上記バンプが突き破る際に上記フラックス層のフラック
    ス成分が上記バンプに付着し、該バンプが上記回路基板
    の上記電極と接合されて上記電子部品と上記回路基板を
    接合するようにしたことを特徴とする電子部品の実装方
    法。
  3. 【請求項３】 電子部品（１）の電極（２）のワイヤボ
    ンディングにより形成されたバンプ（３）及び回路基板
    （４）の電極（５）の少なくとも一方に対応する位置に
    形成された孔（１５）内に、表面に金メッキを施した樹
    脂ボール、又は、ニッケル粒子、又は、銀、銀−パラジ
    ウム、若しくは、金からなる導電粒子、又は、導電ペー
    スト、又は、金球からなる粒子（１４）を、上記バンプ
    と上記回路基板の上記電極とを導通させる方向に埋め込
    んだ固形の熱硬化性樹脂シート（６６）を、上記熱硬化
    性樹脂として、上記回路基板の上記電極と位置合わせし
    て貼り付けたのち、上記電子部品の上記バンプと上記回
    路基板の上記電極を位置合わせし、 上記熱硬化性樹脂シート（６）を加熱しながら、上記電
    子部品を上記回路基板に押圧して、上記回路基板の反り
    矯正を行いながら、上記電子部品と上記回路基板の間に
    介在する上記熱硬化性樹脂シートを上記熱により硬化し
    て接合するようにしたことを特徴とする電子部品の実装
    方法。
  4. 【請求項４】 電子部品（１）を回路基板（４）へ実装
    する際に、上記電子部品の電極（２）のワイヤボンディ
    ングにより形成されたバンプ（３）及び上記回路基板の
    電極（５）の少なくとも一方に対応する位置に形成され
    た孔（１５）に、少なくとも上記電子部品の上記電極
    （２）に被さるパッシベイション膜（１ａ）の厚み（ｔ
    pc）より大きく、上記回路基板の上記電極の厚み（ｔ
    pcb）より小さい寸法でかつ、表面に金メッキを施した
    樹脂ボール、又は、ニッケル粒子、又は、銀、銀−パラ
    ジウム、若しくは、金からなる導電粒子、又は、導電ペ
    ースト、又は、金球からなる粒子（１６）を、上記電子
    部品の上記電極と上記回路基板の上記回路電極と相挟む
    方向でかつ相互に導通させる方向に埋め込んだ固形の熱
    硬化性樹脂シート（６６）を、上記熱硬化性樹脂とし
    て、上記回路基板の上記電極と位置合わせして貼付けた
    のち、上記電子部品の上記電極と上記回路基板の上記電
    極を位置合わせし、 上記熱硬化性樹脂シート（６）を加熱しながら超音波振
    動を上記電子部品に印加しながら上記電子部品を上記回
    路基板に押圧して、上記電子部品と上記回路基板の間に
    介在する上記熱硬化性樹脂シートを上記熱により硬化し
    て接合するようにしたことを特徴とする電子部品の実装
    方法。
  5. 【請求項５】 導電性接着剤（１１）が転写されかつ上
    記電子部品（１）の電極（２）のワイヤボンディングに
    より形成されたバンプ（３）と、熱硬化性樹脂として、
    上記電子部品の上記電極を結んだ外形寸法より小さい形
    状寸法の固形の熱硬化性樹脂シート（６）が貼り付けら
    れた回路基板（４）の電極（５）とを位置合わせする位
    置合わせ装置と、 上記熱硬化性樹脂（６，６ｂ）を加熱する加熱装置（８
    ａ）と、 上記熱硬化性樹脂シート（６）を上記加熱装置により加
    熱しながら、上記電子部品を上記回路基板に加圧押圧し
    て、上記回路基板の反り矯正を同時に行いながら、上記
    電子部品と上記回路基板の間に介在する上記熱硬化性樹
    脂シートを上記熱により硬化して、上記電子部品と上記
    回路基板を接合する接合装置とを備えるようにしたこと
    を特徴とする電子部品の実装装置。
  6. 【請求項６】 熱硬化性樹脂として、片面又は両面にフ
    ラックス層（１２）を形成した固形の熱硬化性樹脂シー
    ト（６）を貼り付けた回路基板（４）の電極（５）と、
    電子部品（１）の電極（２）のワイヤボンディングによ
    り形成されたバンプ（３）とを位置合わせする位置合わ
    せ装置と、 上記熱硬化性樹脂シート（６）を加熱する加熱装置（８
    ａ）と、 上記加熱装置により上記電子部品を上記回路基板に加圧
    押圧して、上記回路基板の反り矯正を同時に行いなが
    ら、上記電子部品と上記回路基板の間に介在する上記熱
    硬化性樹脂シートを硬化し、その樹脂シートを上記バン
    プが突き破る際に上記フラックス層のフラックス成分が
    上記バンプに付着し、該バンプが上記回路基板の上記電
    極と接合されて上記電子部品と上記回路基板を接合する
    接合装置とを備えるようにしたことを特徴とする電子部
    品の実装装置。
  7. 【請求項７】 電子部品（１）の電極（２）のワイヤボ
    ンディングにより形成されたバンプ（３）及び回路基板
    （４）の電極（５）の少なくとも一方に対応する位置に
    形成された孔（１５）内に、表面に金メッキを施した樹
    脂ボール、又は、ニッケル粒子、又は、銀、銀−パラジ
    ウム、若しくは、金からなる導電粒子、又は、導電ペー
    スト、又は、金球からなる粒子（１４）を、上記バンプ
    と上記回路基板の上記電極とを導通させる方向に埋め込
    んだ固形の熱硬化性樹脂シート（６６）を、上記熱硬化
    性樹脂として位置合わせして貼り付けた上記回路基板の
    上記電極と、上記電子部品の上記バンプとを位置合わせ
    する位置合わせ装置と、 上記熱硬化性樹脂シート（６）を加熱する加熱装置（８
    ａ）と、 上記加熱装置により上記熱硬化性樹脂シート（６）を加
    熱しながら、上記電子部品を上記回路基板に押圧して、
    上記回路基板の反り矯正を行いながら、上記電子部品と
    上記回路基板の間に介在する上記熱硬化性樹脂シートを
    上記熱により硬化して接合する接合装置とを備えるよう
    にしたことを特徴とする電子部品の実装装置。
  8. 【請求項８】 電子部品（１）を回路基板（４）へ実装
    する際に、上記電子部品の上記電極（２）ワイヤボンデ
    ィングにより形成されたバンプ（３）及び回路基板の電
    極（５）の少なくとも一方に対応する位置に形成された
    孔（１５）に、少なくとも上記電子部品の電極（２）に
    被さるパッシベイション膜（１ａ）の厚み（ｔpc）より
    大きく、上記回路基板の電極の厚み（ｔpcb）より小さ
    い寸法でかつ、表面に金メッキを施した樹脂ボール、又
    は、ニッケル粒子、又は、銀、銀−パラジウム、若しく
    は、金からなる導電粒子、又は、導電ペースト、又は、
    金球からなる粒子（１６）を、上記電子部品の上記電極
    と上記回路基板の上記回路電極と相挟む方向でかつ相互
    に導通させる方向に埋め込んだ固形の熱硬化性樹脂シー
    ト（６６）を、上記熱硬化性樹脂として位置合わせして
    貼付けた上記回路基板の上記電極と、上記電子部品の上
    記電極とを位置合わせする位置合わせ装置と、 上記熱硬化性樹脂シート（６）を加熱する加熱装置（８
    ａ）と、 上記加熱装置により上記熱硬化性樹脂シート（６）を加
    熱しながら超音波振動を上記電子部品に印加しながら上
    記電子部品を上記回路基板に押圧して、上記電子部品と
    上記回路基板の間に介在する上記熱硬化性樹脂シートを
    上記熱により硬化して接合する接合装置とを備えるよう
    にしたことを特徴とする電子部品の実装装置。
  9. 【請求項９】 絶縁性で導電粒子を含まない熱硬化性樹
    脂（６，６ｂ）を介在させながら、回路基板（４）の電
    極（５）と電子部品（１）の電極（２）にワイヤボンデ
    ィングにより形成されたバンプ（３）とを位置合わせ
    し、 加熱しながら、上記電子部品を上記回路基板に押圧し、
    上記基板の反り矯正を行いながら、上記電子部品と上記
    回路基板の間に介在する上記熱硬化性樹脂を上記熱によ
    り加熱して最初は軟化して上記熱硬化性樹脂が流れて上
    記電子部品のエッヂまで流れ出て封止しつつ上記熱硬化
    性樹脂が硬化して、上記電子部品と上記回路基板を接合
    して両電極を電気的に接続するようにした電子部品の実
    装方法。
  10. 【請求項１０】 上記熱硬化性樹脂の体積は上記電子部
    品と上記回路基板との間の空間の体積より大きくして、
    上記空間からはみ出すように上記熱硬化性樹脂が流れ出
    て上記封止を行うようにした請求項９に記載の電子部品
    の実装方法。
  11. 【請求項１１】 上記電子部品はＩＣチップであるよう
    にした請求項１〜４及び９〜１１のうちのいずれか１つ
    に記載の電子部品の実装方法。
  12. 【請求項１２】 上記電子部品はＩＣチップであるよう
    にした請求項５〜８のいずれか１つに記載の電子部品の
    実装装置。
  13. 【請求項１３】 上記加熱しながら上記電子部品を上記
    回路基板に押圧するとき、上記バンプはその頭部（３
    ａ）が上記基板の上記電極上で変形されながら押しつけ
    られて、最終的に、上記バンプの上記頭部が折れ曲がっ
    て重なり合うように変形するようにした請求項１〜４及
    び９〜１１のいずれか１つに記載の電子部品の実装方
    法。
  14. 【請求項１４】 上記接合装置は、上記加熱しながら上
    記電子部品を上記回路基板に押圧するとき、上記バンプ
    はその頭部（３ａ）が上記基板の上記電極上で変形され
    ながら押しつけられて、最終的に、上記バンプの上記頭
    部が折れ曲がって重なり合うように変形するようにした
    請求項５〜８及び１２のいずれか１つに記載の電子部品
    の実装装置。
  15. 【請求項１５】 上記熱硬化性樹脂は上記回路基板側に
    配置されている請求項１〜４及び９〜１１及び１３のい
    ずれか１つに記載の電子部品の実装方法。
  16. 【請求項１６】 上記熱硬化性樹脂は上記回路基板側に
    配置されている請求項５〜８，１２，及び１４のいずれ
    か１つに記載の電子部品の実装装置。
  17. 【請求項１７】 上記熱硬化性樹脂は上記電子部品側に
    配置されている請求項１〜４，９〜１１，１３，及び１
    ５のいずれか１つに記載の電子部品の実装方法。
  18. 【請求項１８】 上記熱硬化性樹脂は上記電子部品側に
    配置されている請求項５〜８，１２，１４，及び１６の
    いずれか１つに記載の電子部品の実装装置。
  19. 【請求項１９】 請求項１〜４，９〜１１，１３，１
    ５，及び１７のいずれか１つの電子部品の実装方法によ
    り電子部品を接合した回路基板。
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