JP2000277566A - 電子部品ユニットおよび電子部品ユニット製造方法 - Google Patents

電子部品ユニットおよび電子部品ユニット製造方法

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明の課題は、異方性導電接合材料の破損
に基づく、配線基板と電子部品との機械的接合強度の低
下や電気的接続の不良の発生を未然に防止することの可
能な、電子部品ユニットおよび電子部品ユニット製造方
法を提供することにある。 【解決手段】 本発明に関わる電子部品ユニット1は、
ベアICチップ20の外周からはみだして硬化する異方
性導電接着剤30における絶縁性樹脂31の外表面に凹
凸を形成している。また、本発明に関わる電子部品ユニ
ット製造方法は、ベアICチップ20を配線基板10に
異方性導電接着剤30を介して加圧しつつ、異方性導電
接着剤30を加熱する工程において、加熱開始から3秒
後に、加熱開始から5秒後に達する温度の94%程度ま
で昇温し、加熱開始から5秒後以降は、加熱開始から5
秒後に到達した温度を一定に保つことにより、ベアIC
チップ20の外周からはみだして硬化する異方性導電接
着剤30における絶縁性樹脂31の外表面に、多数の瘤
(凹凸)31a,31a…を形成している。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、異方性導電接合材
料を用いて配線基板に電子部品を実装して成る電子部品
ユニットおよび電子部品ユニット製造方法に関するもの
である。
【0002】
【従来の技術】例えば、ベアICチップ等の電子部品
を、配線基板に実装する方法の1つとして、異方性導電
接合材料を用いたフリップチップ実装方法(フリップチ
ップボンディング法)がある。
【0003】図8および図9に示す如く、フリップチッ
プ実装方法に用いられる配線基板Aは、実装面に配線パ
ターンAaが形成されており、各配線パターンAaの先
端には基板側電極Abが設けられ、この基板側電極Ab
を除いた部分はソルダーレジストAcによって覆われて
いる。
【0004】一方、ベアICチップ(電子部品)Bは、能
動面に基板側電極Abと対応する所定個数の電極Baが
設けられており、各電極Baの表面にはバンプBbが各
々形成されている。
【0005】また、異方性導電接着剤(異方性導電接合
材料)Cは、絶縁性樹脂Caに導電粒子Cbを混在さ
せ、絶縁性樹脂Caをフィルム形状に形成したものであ
る。
【0006】上述した配線基板AにベアICチップBを
実装するには、先ず、配線基板Aの実装面にフィルム状
の異方性導電接着剤Cを載置して仮接着し、次いで図示
していないボンディング装置を用いて、ベアICチップ
Bを加圧するとともに異方性導電接着剤Cを加熱する。
【0007】かくして、異方性導電接着剤Cの絶縁性樹
脂Caが硬化することで、配線基板AとベアICチップ
Bとが機械的に接合され、かつ基板側電極Abとバンプ
Bbとの間に異方性導電接着剤Cの導電粒子Cbが介在
することで、配線基板AとベアICチップBとが電気的
に接続される。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述の如く
製造された電子部品ユニットUでは、図9に示すよう
に、ベアICチップBの外周に食み出した異方性導電接
着剤C(絶縁性樹脂Ca)が滑らかなフィレットを形成し
ている。
【0009】しかし、フィレットを形成する異方性導電
接着剤Cの外表面は、滑らかに張り詰めているために、
作用する外力や変形を吸収することが難しい。
【0010】このため、電子部品ユニットUが温度変化
に曝された場合、配線基板AとベアICチップBと異方
性導電接着剤Cとの熱膨張係数の相違により、異方性導
電接着剤Cにクラックが発生してしまい、配線基板Aと
ベアICチップBとの機械的接合強度の低下や電気的接
続不良を招く虞れがあった。
【0011】本発明は上記実状に鑑みて、異方性導電接
合材料の破損に基づく、配線基板と電子部品との機械的
接合強度の低下や電気的接続の不良の発生を未然に防止
することの可能な、電子部品ユニットおよび電子部品ユ
ニット製造方法の提供を目的とするものである。
【0012】
【課題を解決するための手段】本発明に関わる電子部品
ユニットは、異方性導電接合材料を用いて配線基板に電
子部品を実装して成る電子部品ユニットであって、電子
部品の外周からはみだして硬化する異方性導電接合材料
における絶縁性樹脂の外表面に凹凸を形成している。
【0013】また、本発明に関わる電子部品ユニット製
造方法は、異方性導電接合材料を用いて配線基板に電子
部品を実装する電子部品ユニット製造方法であり、電子
部品を配線基板に異方性導電接合材料を介して加圧しつ
つ、異方性導電接合材料を加熱する工程において、加熱
開始から3秒後に、加熱開始から5秒後に達する温度の
94%程度まで昇温し、加熱開始から5秒後以降は、加
熱開始から5秒後に到達した温度を一定に保つことによ
り、電子部品の外周からはみだして硬化する異方性導電
接合材料における絶縁性樹脂の外表面に凹凸を形成して
いる。
【0014】
【発明の実施の形態】以下、実施例を示す図面に基づい
て、本発明を詳細に説明する。図1〜図3は、フリップ
チップ実装方法によって製造された、本発明に関わる電
子部品ユニット1を示すものである。
【0015】本発明に関わる電子部品ユニット1は、図
1〜図4に示す如く配線基板10とベアICチップ(電
子部品)20とを具備しており、異方性導電接着剤(異
方性導電接合材料)30を用いて、配線基板10にベア
ICチップ20を実装することにより構成されている。
【0016】また、上記電子部品ユニット1は、図5に
示す如く、配線基板10に異方性導電接着剤30を仮接
着する工程Saと、ベアICチップ20にバンプを形成
する工程Sbと、異方性導電接着剤30を介して配線基
板10にベアICチップ20を本接着する工程Scとを
経て製造される。
【0017】配線基板10は、ガラスエポキシ樹脂等に
より構成され、ベアICチップ20の実装される実装面
(図中の上面)には、導電材料から複数の配線パターン1
1が形成され、各配線パターン11の先端表面には、そ
れぞれ金メッキによって電極12が形成されている。な
お、各配線パターン11,11は、電極12,12の部
分を除いてソルダーレジスト13によって覆われてい
る。
【0018】一方、ベアICチップ20は、上述した配
線基板10と対向する実装面(図中底面)に、Al(ア
ルミニウム)等の導電材料から成る電極21,21…が
形成されており、これら電極21,21…は配線基板1
0の各電極12,12…と対応して配置され、その表面
にはAu(金)あるいはSn−Pb(錫−鉛)合金等から成
るバンプ22,22…が形成されている。
【0019】配線基板10にベアICチップ20を実装
するために用いられる異方性導電接着剤30は、図4に
示すように、エポキシ系の絶縁性樹脂31に粒子径が約
3〜10μmの導電粒子32,32…を混練し、上記絶
縁性樹脂31をフィルム状に形成したものである。
【0020】なお、この異方性導電接着剤30は、ベア
ICチップ20の実装面よりも一回り大きい形状(面積
比で1.05倍程度)を呈している。また、異方性導電
接着剤30としては、上述したフィルム状以外にも、テ
ープ状やペースト状の異方性導電接着剤を採用すること
が可能である。
【0021】ここで、図1〜図3に示す如く、上述した
電子部品ユニット1では、異方性導電接着剤30の絶縁
性樹脂31において、ベアICチップ20の外周からは
みだして硬化した部位31Aの外表面には、多数の凹
凸、詳しくは多数の瘤31a,31a…が一面に形成さ
れている。
【0022】すなわち、上述した構成の電子部品ユニッ
ト1において、ベアICチップ20の外周からはみだし
て硬化した部位31Aの外表面は、フィレットを形成し
て張り詰めたものではなく、多数の瘤31a,31a…
によって皺が寄ったものと成っている。
【0023】このため、電子部品ユニット1が温度変化
に曝された場合でも、配線基板10とベアICチップ2
0と異方性導電接着剤30とにおける熱膨張係数の相違
によって生じる応力は、上記異方性導電接着剤30にお
ける絶縁性樹脂31によって吸収緩和され、破損(クラ
ック)の発生が未然に防止されることとなる。
【0024】かくして、上述した電子部品ユニット1に
よれば、異方性導電接着剤30の破損に起因する配線基
板10とベアICチップ20との機械的接合強度の低下
を未然に防止することができ、また異方性導電接着剤3
0の破損に起因する配線基板10とベアICチップ20
との電気的接続の不良の発生を未然に防止することが可
能となる。
【0025】以下では、上述した電子部品ユニット1の
製造方法を、図5〜図7を参照しつつ、作業工程の順に
従って詳細に説明する。
【0026】先ず、図6(a)に示す如く、配線基板10
の実装面にフィルム状の異方性導電接着剤30を載置
し、ヒートツール(図示せず)により異方性導電接着剤3
0を加熱(80℃、約5秒)かつ加圧して、配線基板10
に異方性導電接着剤30を仮接着する(図5中の工程S
a)。
【0027】次いで、図6(b)に示す如く、仮接着され
た異方性導電接着剤30の所定位置にベアICチップ2
0を載置し、ヒートツールTによってベアICチップ2
0を加圧するとともに、異方性導電接着剤30を加熱し
て、ベアICチップ20を配線基板10に本接着する
(図5中の工程Sc)。
【0028】かくして、配線基板10とベアICチップ
20とが、硬化した異方性導電接着剤30の絶縁性樹脂
31によって機械的に接合されるとともに、配線基板1
0の各電極12とベアICチップ20の各電極21(バ
ンプ22)との間に、異方性導電接着剤30の導電粒子
32,32…が挟み込まれることで、互いに電気的に接
続されることとなる。
【0029】ここで、上述の如くヒートツールTによっ
てベアICチップ20を加圧し、かつ異方性導電接着剤
30を加熱する工程では、図7中に実線で示す加熱プロ
ファイルHによって加熱している。
【0030】すなわち、加熱開始から3秒後に、加熱開
始から5秒後に達する温度の94%程度まで昇温し、加
熱開始から5秒後以降は、加熱開始から5秒後に到達し
た温度を一定に保っている。
【0031】上述の如き加熱プロファイルHにより加熱
することで、異方性導電接着剤30が硬化する際に、絶
縁性樹脂31においてベアICチップ20の外周から食
み出した部位31Aの外表面には、多数の凹凸、すなわ
ち多数の瘤31a,31a…が形成されることとなる。
【0032】なお、図9に示す如き従来の電子部品ユニ
ットAを製造する場合は、図7中に破線で示す加熱プロ
ファイルIによって加熱している。すなわち、加熱開始
から3秒後に、加熱開始から5秒後に達する温度の84
%程度まで昇温し、加熱開始から5秒後以降は、加熱開
始から5秒後に到達した温度を一定に保っており、この
ような加熱プロファイルでは、ベアICチップの外周か
ら食み出した絶縁性樹脂はフィレット形状となる。
【0033】上述の如く、本発明に関わる製造方法によ
って製造された電子部品ユニット1では、先に述べた如
く温度変化に曝された場合でも、配線基板10とベアI
Cチップ20と異方性導電接着剤30とにおける熱膨張
係数の相違によって生じる応力は、上記異方性導電接着
剤30(絶縁性樹脂31)によって吸収緩和され、破損
(クラック)の発生が未然に防止される。
【0034】もって、本発明に関わる電子部品ユニット
製造方法によれば、異方性導電接着剤30の破損に起因
する、配線基板10とベアICチップ20との機械的接
合強度の低下、および配線基板10とベアICチップ2
0との電気的接続の不良の発生を未然に防止し得る、電
子部品ユニット1を製造することが可能となる。
【0035】なお、上述した各実施例においては、配線
基板に実装される電子部品としてベアICチップを例示
しているが、配線基板に対してフリップチップ実装され
る電子部品であれば、ベアICチップ以外の様々な電子
部品を搭載して成る電子部品ユニットにおいても、本発
明を有効に適用し得ることは言うまでもない。
【0036】
【発明の効果】以上、詳述した如く、本発明に関わる電
子部品ユニットは、異方性導電接合材料を用いて配線基
板に電子部品を実装して成る電子部品ユニットであり、
電子部品の外周からはみだして硬化する異方性導電接合
材料における絶縁性樹脂の外表面に凹凸を形成してい
る。上記構成によれば、電子部品ユニットが温度変化に
曝された場合でも、配線基板と電子部品と異方性導電接
合材料とにおける熱膨張係数の相違によって生じる応力
は、異方性導電接合材料(絶縁性樹脂)によって吸収緩和
され、クラック等の破損の発生が未然に防止される。も
って、本発明に関わる電子部品ユニットによれば、異方
性導電接合材料の破損に起因する、配線基板と電子部品
との機械的接合強度の低下、および配線基板と電子部品
との電気的接続の不良の発生を未然に防止できる。
【0037】また、本発明に関わる電子部品ユニット製
造方法は、異方性導電接合材料を用いて配線基板に電子
部品を実装する電子部品ユニット製造方法であり、電子
部品を配線基板に異方性導電接合材料を介して加圧しつ
つ、異方性導電接合材料を加熱する工程において、加熱
開始から3秒後に、加熱開始から5秒後に達する温度の
94%程度まで昇温し、加熱開始から5秒後以降は、加
熱開始から5秒後に到達した温度を一定に保つことによ
り、電子部品の外周からはみだして硬化する異方性導電
接合材料における絶縁性樹脂の外表面に凹凸を形成して
いる。上述の如く製造された電子部品ユニットでは、温
度変化に曝された場合でも、配線基板と電子部品と異方
性導電接合材料とにおける熱膨張係数の相違によって生
じる応力が、異方性導電接合材料(絶縁性樹脂)によって
吸収緩和され、クラック等の破損の発生が未然に防止さ
れる。もって、本発明に関わる電子部品ユニット製造方
法によれば、異方性導電接合材料の破損に起因する、配
線基板と電子部品との機械的接合強度の低下、および配
線基板と電子部品との電気的接続の不良の発生を未然に
防止し得る、電子部品ユニットを提供することが可能と
なる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に関わる電子部品ユニットを示す概念的
な側面図。
【図2】本発明に関わる電子部品ユニットを示す概念的
な要部平面図。
【図3】図2中におけるIII−III線断面図。
【図4】本発明に関わる電子部品ユニットの構成要素を
示す概念的な側面図。
【図5】本発明に関わる電子部品ユニット製造方法の工
程を示すフローチャート。
【図6】(a)および(b)は、本発明に関わる電子部品ユ
ニット製造方法の工程を示す概念的な側面図。
【図7】本発明に関わる電子部品ユニット製造方法にお
ける加熱プロファイル。
【図8】従来の電子部品ユニットの構成要素を示す概念
的な側面図。
【図9】従来の電子部品ユニットを示す概念的な側面
図。
【符号の説明】
1…電子部品ユニット、 10…配線基板、 20…ベアICチップ(電子部品)、 30…異方性導電接着剤(異方性導電接合材料)、 31…絶縁性樹脂、 31a…瘤(凹凸)、 32…導電粒子。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 異方性導電接合材料を用いて配線基板
    に電子部品を実装して成る電子部品ユニットであって、 上記電子部品の外周からはみだして硬化する異方性導電
    接合材料における絶縁性樹脂の外表面に凹凸を形成して
    成ることを特徴とする電子部品ユニット。
  2. 【請求項2】 異方性導電接合材料を用いて配線基板
    に電子部品を実装する電子部品ユニット製造方法であっ
    て、 上記電子部品を上記配線基板に上記異方性導電接合材料
    を介して加圧しつつ、上記異方性導電接合材料を加熱す
    る工程において、加熱開始から3秒後に、加熱開始から
    5秒後に達する温度の94%程度まで昇温し、加熱開始
    から5秒後以降は、加熱開始から5秒後に到達した温度
    を一定に保つことにより、上記電子部品の外周からはみ
    だして硬化する異方性導電接合材料における絶縁性樹脂
    の外表面に凹凸を形成することを特徴とする電子部品ユ
    ニット製造方法。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030033706A (ko) * 2001-10-24 2003-05-01 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 플립칩 패키지
JP2007208568A (ja) * 2006-01-31 2007-08-16 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 表面実装水晶発振器
CN100352028C (zh) * 2003-09-24 2007-11-28 精工爱普生株式会社 半导体装置及其制造方法
WO2010070806A1 (ja) * 2008-12-16 2010-06-24 パナソニック株式会社 半導体装置とフリップチップ実装方法およびフリップチップ実装装置

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030033706A (ko) * 2001-10-24 2003-05-01 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 플립칩 패키지
CN100352028C (zh) * 2003-09-24 2007-11-28 精工爱普生株式会社 半导体装置及其制造方法
US7508080B2 (en) 2003-09-24 2009-03-24 Seiko Epson Corporation Semiconductor device and method of manufacturing the same, circuit board, and electronic instrument
JP2007208568A (ja) * 2006-01-31 2007-08-16 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 表面実装水晶発振器
WO2010070806A1 (ja) * 2008-12-16 2010-06-24 パナソニック株式会社 半導体装置とフリップチップ実装方法およびフリップチップ実装装置
US8895359B2 (en) 2008-12-16 2014-11-25 Panasonic Corporation Semiconductor device, flip-chip mounting method and flip-chip mounting apparatus

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