JP3923248B2 - 回路基板への電子部品の実装方法及び回路基板 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子回路用プリント基板に電子部品例えばICチップや表面弾性波(SAW)デバイスなどを単体(ICチップの場合にはベアIC)状態で実装する回路基板への電子部品の実装方法及び上記実装方法により電子部品を接合した回路基板に関するものである。
【0002】
【従来の技術、発明が解決しようとする課題】
今日、電子回路基板は、あらゆる製品に使用されるようになり、日増しにその性能が向上し、回路基板上で用いられる周波数も高くなっており、インピーダンスが低くなるフリップチップ実装は高周波を使用する電子機器に適した実装方法となっている。また、携帯機器の増加から、回路基板にICチップをパッケージではなく裸のまま搭載するフリップチップ実装が求められている。このために、ICチップそのまま単体で回路基板に搭載したときのICチップや、電子機器及びフラットパネルディスブレイへ実装したICチップには、一定数の不良品が混在している。また、上記フリップチップ以外にもCSP(Chip Size Package)、BGA(Ball Grid Array)等が用いられるようになってきている。
【0003】
従来の電子機器の回路基板へICチップを接合する方法(従来例1)としては特公平06−66355号公報等により開示されたものがある。これを図63に示す。図63に示すように、バンプ73を形成したICチップ71にAgペースト74を転写して回路基板76の電極75に接続したのちAgペースト74を硬化し、その後、封止材78をICチップ71と回路基板76の間に流し込む方法が一般的に知られている。
【0004】
また、液晶ディスプレイにICチップを接合する方法(従来例2)として、図64,65に示される特公昭62−6652号公報のように、異方性導電フィルム80を使用するものであって、絶縁性樹脂83中に導電性微片82を加えて構成する異方性導電接着剤層81をセパレータ85から剥がして基板や液晶ディスプレイ84のガラスに塗布し、ICチップ86を熱圧着することによって、Auバンプ87の下以外のICチップ86の下面と基板84の間に上記異方性導電接着剤層81が介在している半導体チップの接続構造が、一般に知られている。
【0005】
第3従来例としては、UV硬化樹脂を基板に塗布し、その上にICチップをマウントし加圧しながら、UV照射することにより両者の間の樹脂を硬化し、その収縮力により両者間のコンタクトを維持する方法が、知られている。
【0006】
このように、ICチップを接合するには、フラットパッケージのようなICチップをリードフレーム上にダイボンディングし、ICチップの電極とリードフレームをワイヤボンドしてつなぎ、樹脂成形してパッケージを形成した後に、クリームハンダを回路基板に印刷し、その上にフラットパッケージICを搭載しリフローするという工程を行うことにより、上記接合が行われていた。これらのSMT(Surface Mount Technology)といわれる工法では、工程が長く、生産に時間を要し、回路基板を小型化するのが困難であった。例えばICチップは、フラットパックに封止された状態では、ICチップの約4倍程度の面積を必要とするため、小型化を妨げる要因となっていた。
【0007】
これに対し、工程の短縮と小型軽量化の為にICチップを裸の状態でダイレクトに基板に搭載するフリップチップ工法が最近では用いられるようになってきた。このフリップチップ工法は、ICチップへのバンプ形成、バンプレベリング、Ag・Pdペースト転写、実装、検査、封止樹脂による封止、検査とを行うスタッド・バンプ・ボンディング(SBB)や、ICチップへのバンプ形成と基板へのUV硬化樹脂塗布とを並行して行い、その後、実装、樹脂のUV硬化、検査を行うUV樹脂接合のような多くの工法が開発されている。
【0008】
ところが、どの工法においてもICチップのバンプと基板の電極を接合するペーストの硬化や封止樹脂の塗布硬化に時間がかかり生産性が悪いという欠点を有していた。また、回路基板にセラミックやガラスを用いる必要が有り、高価となる欠点を有していた。従来例1のような導電性ペーストを接合材に用いる工法においては、その転写量を安定化するために、ICチップのバンプはレベリングして、平坦化してから用いる必要があった。
【0009】
また、従来例2のような異方性導電接着剤による接合構造においては、回路基板の基材としてガラスを用いるものが開発されているが、導電性接着剤中の導電粒子を均一に分散することが困難であり、粒子の分散異常によりショートの原因になったり、導電性接着剤が高価であったりした。
【0010】
また、従来例3のようにUV硬化樹脂を用いて接合する方法においては、バンプの高さバラツキを±1(μm)以下にしなければならず、また、樹脂基板(ガラスエポキシ基板)等の平面度の悪い基板には接合することができないといった問題があった。また、ハンダを用いる方法においても、接合後に基板とICチップの熱膨張収縮差を緩和する為に封止樹脂を流し込み硬化する必要があった。この樹脂封止には、2〜4時間の時間を必要とし、生産性がきわめて悪いといった問題があった。
【0011】
本発明は、上記従来の問題点に鑑みて、回路基板とICチップを接合した後に、ICチップと基板の間に流し込む封止樹脂工程やバンプの高さを一定に揃えるバンプレベリング工程を必要とせず、ICチップを基板に生産性良くかつ高信頼性で接合する回路基板へのICチップの実装方法を提供することを目的とする。
【0012】
また、本発明は、上記従来の問題点に鑑みて、回路基板と電子部品を生産性よく直接接合する回路基板への電子部品の実装方法及び上記実装方法により電子部品を接合した回路基板を提供することを目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記課題を解決するため、以下のように構成している。
【0014】
【0015】
【0016】
【0017】
【0018】
本発明の第1態様によれば、電子部品を回路基板へ実装する際に、上記電子部品の電極及び上記回路基板の電極の少なくとも一方に対応する位置に形成された孔に導電粒子を、上記電子部品の上記電極と上記回路基板の上記回路電極と相挟む方向でかつ相互に導通させる方向に埋め込んだ固形の絶縁性熱硬化性樹脂シートを上記回路基板の上記電極と位置合わせして貼付けたのち、上記電子部品と上記回路基板との間に上記熱硬化性樹脂シートを介在させながら上記電子部品の上記電極にワイヤボンディングにより形成されたバンプと上記回路基板の上記電極とを位置合わせし、
上記熱硬化性樹脂シートを加熱しながら上記電子部品を上記回路基板に押圧して上記電子部品の上記バンプを上記基板の上記電極に接触させて上記バンプのレベリングと上記基板の反り矯正を同時に行いながら、上記電子部品と上記回路基板の間に介在する上記熱硬化性樹脂シートを上記熱により硬化して接合するようにした電子部品の実装方法を提供する。
本発明の第2態様によれば、上記導電粒子は、表面に金メッキを施した樹脂ボール、又は、ニッケル粒子、又は、銀、銀−パラジウム、若しくは、金からなる導電粒子、又は、金球からなる第1態様に記載の電子部品の実装方法を提供する。
本発明の第3態様によれば、第1又は第2態様に記載の電子部品の実装方法により電子部品を接合した回路基板を提供する。
【0019】
上記態様によれば、例えば、電子部品例えばICチップを回路基板へ実装する際に、ICチップのAl又は、AlにSi若しくはCuなどを添加して形成された電極パッドにワイヤボンディング装置を用いてAuワイヤーに放電によりボールを形成し、キャピラリーによりそのボールに超音波を加えながらICチップの電極パッドに接合する。
【0020】
【発明の実施の形態】
本発明の記述を続ける前に、添付図面において同じ部品については同じ参照符号を付している。
【0021】
以下、本発明の第1参考形態にかかるICチップの実装方法及びその製造装置を図1から図62を参照しながら説明する。
【0022】
本発明の第1参考形態にかかる回路基板へのICチップ実装方法を図1〜図20を用いて説明する。図1のICチップ1においてICチップ1のAlパッド電極2にワイヤボンディング装置により図11〜16のごとき動作によりバンプ(突起電極)3を形成する。すなわち、図11でホルダ93から突出したワイヤ95の下端にボール96を形成し、図12でワイヤ95を保持するホルダ93を下降させ、ボール93をICチップ1の電極2に接合して大略バンプ3の形状を形成し、図13でワイヤ95を下方に送りつつホルダ93の上昇を開始し、図14に示すような大略矩形のループ99にホルダ93を移動させて図15に示すようにバンプ3の上部に湾曲部98を形成し、引きちぎることにより図16に示すようなバンプ3を形成する。あるいは、図12でワイヤ95をホルダ93でクランプして、ホルダ93を上昇させて上方に引き上げることにより、金ワイヤ95を引きちぎり、図17のようなバンプ3の形状を形成するようにしてもよい。このように、ICチップ1の各電極2にバンプ3を形成した状態を図2に示す。
【0023】
次に、図3に示す回路基板4の電極5上に、図4に示すように、ICチップ1の大きさより若干大きな寸法にてカットされた熱硬化性樹脂シート6を配置し、例えば80〜120℃に熱せられた貼付けツール7により、例えば5〜10kgf/cm2程度の圧力で熱硬化性樹脂シート6を基板4の電極5上に貼り付ける。この後、熱硬化性樹脂シート6のツール7側に取り外し可能に配置されたセパレータ6aを剥がすことにより、基板4の準備工程が完了する。このセパレータ6aは、ツ−ル7に熱硬化性樹脂シート6が貼り付くのを防止するためのものである。ここで、熱硬化性樹脂シート6は、シリカなどの無機系フィラーを入れたもの(例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミドなど)、無機系フィラーを全く入れないもの(例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミドなど)が好ましいとともに、後工程のリフロー工程での高温に耐えうる程度の耐熱性(例えば、240℃に10秒間耐えうる程度の耐熱性)を有することが好ましい。
【0024】
次に、図5及び図6に示すように、熱せられた接合ツール8により、上記前工程でバンプ3が電極2上に形成されたICチップ1を、上記前工程で準備された基板4のICチップ1の電極2に対応する電極5上に位置合わせしたのち押圧する。このとき、バンプ3は、その頭部3aが、基板4の電極5上で図18から図19に示すように変形されながら押しつけられていく、このときICチップ1を介してバンプ3側に印加する荷重は、バンプ3の径により異なるが、折れ曲がって重なり合うようになっているバンプ3の頭部3aが、必ず図20のように変形する程度の荷重を加えることが必要である。この荷重は最低でも20(gf)を必要とする。荷重の上限は、ICチップ1、バンプ3、回路基板4などが損傷しない程度とする。場合によって、その最大荷重は100(gf)を越えることもある。なお、6m及び6sは熱硬化性樹脂シート6が接合ツール8の熱により溶融した溶融中の熱硬化性樹脂及び溶融後に熱硬化された樹脂である。
【0025】
なお、セラミックヒータ又はパルスヒータなどの内蔵するヒータ8aにより熱せられた接合ツール8により、上記前工程でバンプ3が電極2上に形成されたICチップ1を、上記前工程で準備された基板4のICチップ1の電極2に対応する電極5上に図5及び図6に示すように位置合わせする位置合わせ工程と、位置合わせしたのち図7に示すように押圧接合する工程とを1つの位置合わせ兼押圧接合装置、例えば、図6の位置合わせ兼押圧接合装置で行うようにしてもよい。しかしながら、別々の装置、例えば、多数の基板を連続生産する場合において位置合わせ作業と押圧接合作業とを同時的に行うことにより生産性を向上させるため、位置合わせ工程は図22の位置合わせ装置で行い、押圧接合工程は図23の接合装置で行うようにしてもよい。なお、図23では、生産性を向上させるため、2つの接合装置を示して、1枚の回路基板4の2個所を同時に押圧接合できるようにしている。
【0026】
このとき、回路基板4は、ガラス布積層エポキシ基板(ガラエポ基板)やガラス布積層ポリイミド樹脂基板などが用いられる。これらの基板4は、熱履歴や、裁断、加工により反りやうねりを生じており、必ずしも完全な平面ではない。そこで、図21及び22に示すように、例えば約5μm以下に調整されるように平行度がそれぞれ管理された接合ツール8とステージ9とにより、接合ツール8側からステージ9側に向けて熱と荷重をICチップ1を通じて回路基板4に局所的に印加することにより、その印加された部分の回路基板4の反りが矯正せしめられる。また、ICチップ1は、アクティブ面の中心を凹として反っているが、これを接合時に20gf以上の強い加重で加圧することで、基板4とICチップ1の両方の反りやうねりを矯正することができる。このICチップ1の反りは、ICチップ1を形成するとき、Siに薄膜を形成する際に生じる内部応力により発生するものである。
【0027】
こうして回路基板4の反りが矯正された状態で、例えば140〜230℃の熱がICチップ1と回路基板4の間の熱硬化性樹脂シート6に例えば数秒〜20秒程度印加され、この熱硬化性樹脂シート6が硬化される。このとき、最初は熱硬化性樹脂シート6を構成する熱硬化性樹脂が流れてICチップ1のエッヂまで封止する。また、樹脂であるため、加熱されたとき、当初は自然に軟化するためこのようにエッヂまで流れるような流動性が生じる。熱硬化性樹脂の体積はICチップ1と回路基板との間の空間の体積より大きくすることにより、この空間からはみ出すように流れ出て、封止効果を奏することができる。この後、加熱されたツール8が上昇することにより、加熱源がなくなるためICチップ1と熱硬化性樹脂シート6の温度が急激に低下して、熱硬化性樹脂シート6は流動性を失い、図7及び図20に示すように、ICチップ1は硬化した熱硬化性樹脂6sにより回路基板4上に固定される。また、回路基板4側をステージ9により加熱しておくと、接合ツール8の温度をより低く設定することができる。
【0028】
また、熱硬化性樹脂シート6を貼り付ける代わりに、図8に示すように、熱硬化性接着剤6bを回路基板4上に、ディスペンスなどによる塗布、又は印刷、又は転写するようにしてもよい。熱硬化性接着剤6bを使用する場合は、基本的には上記した熱硬化性樹脂シート6を用いる工程と同一の工程を行う。熱硬化性樹脂シート6を使用する場合には、固体ゆえに取り扱いやすいとともに、液体成分が無いため高分子で形成することができ、ガラス転移点の高いものを形成しやすいといった利点がある。これに対して、熱硬化性接着剤6bを使用する場合には、基板4の任意の位置に任意の大きさに塗布、印刷、又は転写することができる。
【0029】
また、熱硬化性樹脂に代えて異方性導電膜(ACF)を用いてもよく、さらに、異方性導電膜に含まれる導電粒子として、ニッケル粉に金メッキを施したものを用いることにより、電極5とバンプ3との間での接続抵抗値を低下せしめることができて尚好適である。
【0030】
このように熱硬化性樹脂シート6に代えて異方性導電膜10を用いた場合の実装プロセスを図11〜29を用いて説明する。図24のICチップ1においてICチップ1のAlパッド電極2にワイヤボンディング装置により図11〜16のごとき動作によりバンプ(突起電極)3を図25のように形成する。あるいは、図12でワイヤ95をホルダ93でクランプして上方に引き上げることにより、金ワイヤ95を引きちぎり、図17のようなバンプ形状としてもよい。
【0031】
次に、図26の回路基板4の電極5上に、図27に示すように、ICチップ1の大きさより若干大きな寸法にカットした異方性導電膜シート10を配置し、例えば80〜120℃に熱せられた貼付けツール7により例えば5〜10kgf/cm2程度の圧力で基板4に貼付ける。この後、異方性導電膜シート10のツール側のセパレータを剥がすことにより基板4の準備工程が完了する。
【0032】
次に、図28に示されるように、熱せられた接合ツール8により、上記工程でバンプ3が形成されたICチップ1を上記工程で準備された基板4のICチップ1に対応する電極5上に位置合わせして異方性導電膜シート10を介して押圧する。このとき、バンプ3は基板4の電極5上でバンプ3の頭部3aが図19から20のごとく変形しながら押しつけられていく、このとき、印加する荷重は、バンプ3の径により異なるが、頭部3aの折れ重なった部分が図20のように必ず変形するようにする。また、このとき、図30に示すように、異方性導電膜シート10中の導電粒子10aが樹脂ボール球に金属メッキを施されている場合には、導電粒子10aが変形することが必要である。また、異方性導電膜シート10中の導電粒子10aがニッケルなど金属粒子の場合には、バンプ3や基板側の電極5にめり込むような荷重を加えることが必要である。この荷重は最低でも20(gf)を必要とする。最大では100(gf)を越えることもある。
【0033】
このとき、回路基板4としては、多層セラミック基板、ガラス布積層エポキシ基板(ガラエポ基板)、アラミド不織布基板、ガラス布積層ポリイミド樹脂基板、FPC(フレキシブル・プリンテッド・サーキット)などが用いられる。これらの基板4は、熱履歴や、裁断、加工により反りやうねりを生じており、必ずしも完全な平面ではない。そこで、熱と荷重とをICチップ1を通じて回路基板4に局所的に印加することにより、その印加された部分の回路基板4の反りが矯正される。
【0034】
こうして、回路基板4の反りが矯正された状態で、例えば140〜230℃の熱がICチップ1と回路基板4との間の異方性導電膜10に例えば数秒〜20秒程度印加され、この異方性導電膜10が硬化される。このとき、最初は熱硬化性樹脂シート6を構成する熱硬化性樹脂が流れてICチップ1のエッヂまで封止する。また、樹脂であるため、加熱されたとき、当初は自然に軟化するためこのようにエッヂまで流れるような流動性が生じる。熱硬化性樹脂の体積はICチップ1と回路基板との間の空間の体積より大きくすることにより、この空間からはみ出すように流れ出て、封止効果を奏することができる。この後、加熱されたツール8が上昇することにより、加熱源がなくなるためICチップ1と異方性導電膜10の温度は急激に低下して、異方性導電膜10は流動性を失い、図29に示されるように、ICチップ1は、異方性導電膜10を構成していた樹脂10sにより、回路基板4上に固定される。また、回路基板4側を加熱しておくと、接合ツール8の温度をより低くすることができる。
【0035】
このようにすれば、熱硬化性樹脂シート6に代えて異方性導電膜10を用いることができ、さらに、異方性導電膜10に含まれる導電粒子10aとしてニッケル粉に金メッキを施したものを用いることにより、接続抵抗値を低下せしめることができて尚好適である。
【0036】
なお、図1から図8までは、熱硬化性樹脂シート6又は熱硬化性接着剤6bを回路基板4側に形成することについて説明したが、これに限定されるものではなく、図9又は図10に示すように、ICチップ1側に形成するようにしてもよい。この場合、特に、熱硬化性樹脂シート6の場合には、熱硬化性樹脂シート6の回路基板側に取り外し可能に配置されたセパレータ6aとともにゴムなどの弾性体117にICチップ1を押し付けて、バンプ3の形状に沿って熱硬化性樹脂シート6がICチップ1に貼り付けられるようにしてもよい。
【0037】
次に、本発明の第2参考形態にかかる実装方法及び装置を図31〜33及び図34〜36を用いて説明する。前記したようにICチップ1上の電極2に突起電極(バンプ)3を形成しておき、回路基板4には、図32,33及び図34に示すように、ICチップ1の電極2の内端縁を結んだ外形寸法OLより小さい形状寸法のシート状の熱硬化性樹脂又は熱硬化性接着剤6を回路基板4の電極5を結んだ中心部分に貼り付け又は塗布しておく。次に、バンプ3と回路基板4の電極5を位置合わせし、図31及び図35に示すように、加熱されたヘッド8によりICチップ1を回路基板4に加圧押圧して、基板4の反り矯正を同時に行いながら、ICチップ1と回路基板4の間に介在する熱硬化性樹脂又は熱硬化性接着剤6を硬化する。このとき、熱硬化性樹脂又は熱硬化性接着剤6は、ヘッド8からICチップ1を介して加えられた熱により上記したように軟化し、図36のごとく貼り付けられた位置より加圧されて外側へ向かって流れ出る。この流れ出た熱硬化性樹脂又は熱硬化性接着剤6が封止材料(アンダーフィル)となり、バンプ3と電極5との接合の信頼性を著しく向上する。また、ある一定時間がたつと、上記熱硬化性樹脂又は熱硬化性接着剤6では徐々に硬化が進行し、最終的には硬化した樹脂6sによりICチップ1と回路基板4を接合することになる。ICチップ1を押圧している接合ツール8を上昇することで、ICチップ1と回路基板4の電極5の接合が完了する。厳密に言えば、熱硬化の場合には、熱硬化性樹脂の反応は加熱している間に進み、接合ツール8が上昇するとともに流動性はほとんど無くなる。上記したような方法によると、接合前では熱硬化性樹脂又は熱硬化性接着剤6が電極5を覆っていないので、接合する際にバンプ3が電極5に直接接触し、電極5の下に熱硬化性樹脂又は熱硬化性接着剤6が入り込まず、バンプ3と電極5との間での接続抵抗値を低くすることができる。また、回路基板側を加熱しておくと、接合ヘッド8の温度をより低くすることができる。
【0038】
次に、本発明の第3参考形態にかかる実装方法及び装置を図37〜39を用いて説明する。この第3参考形態は、レベリングした後に接合する実装方法及び装置である。
【0039】
まず、図37に示すように、ICチップ1上の電極2に突起電極(バンプ)3を先に説明した方法によりワイヤボンディング装置を用いて形成し、皿状の容器に収納された導電性接着剤11にバンプ3を浸けてバンプ3に導電性接着剤11を転写する。一方、回路基板4には、ICチップ1の電極2を結んだ外形寸法L1より小さい形状寸法L2の熱硬化性樹脂シート又は熱硬化性接着剤6を回路基板4の電極5を結んだ中心部分に貼り付け又は塗布しておく。次に、図39に示すように、バンプ3と回路基板4の電極5を位置合わせし、加熱された接合ヘッド8によりICチップ1を回路基板4に加圧押圧して、基板4の反り矯正を同時に行いながら、ICチップ1と回路基板4の間に介在する熱硬化性樹脂又は熱硬化性接着剤6を硬化し、硬化した樹脂6sによりICチップ1と回路基板4を接合する。このとき、熱硬化性樹脂又は熱硬化性接着剤6は、接合ヘッド8からICチップ1を介して加えられた熱により上記したように軟化し、図38のごとく貼り付けられた位置より加圧されて外側へ向かって流れ出る。この流れ出た熱硬化性樹脂又は熱硬化性接着剤6が封止材料(アンダーフィル)となり、バンプ3と電極5との間での接合の信頼性を著しく向上させる。また、このとき、バンプ3に付着した導電性接着剤11も硬化せしめられ、導電性接着剤11のみを硬化する加熱工程が不要となる。次いで、ICチップ1を押圧しているツール8を上昇する。以上の工程によって、ICチップ1と回路基板4の電極5の接合が完了する。また、回路基板側を加熱しておくと、接合ヘッド8の温度をより低くすることができる。また、L2<LBとしても、尚好適である。また、上記加熱を短時間で行っておき、その後、更に、本加熱を炉などで行ってもよい。このときには、樹脂の硬化収縮作用のあるものを用いることで同等の作用が得られる。又、アンダーフィルをすべて上記樹脂で行わずに、図40に示すように、その一部をこの方法で行い、後に、図41に示すように、アンダーフィル400を注入するようにしてもよい。
【0040】
なお、図37において、ICチップ1を保持するツール8にセラミックヒータ又はパルスヒータなどのヒータ8を内蔵させて図38の工程を行う前に導電性接着剤11を加熱(例えば60から200℃に加熱)して硬化させておけば、導電性接着剤11がバンプ3の一部として機能させるようにすれば、熱硬化性樹脂シート又は熱硬化性接着剤6を突き通して貫通させることができる。よって、この場合には、ICチップ1の電極2を結んだ外形寸法L1以上の大きな形状寸法L2の熱硬化性樹脂シート又は熱硬化性接着剤6を使用することができる。言い換えれば、熱硬化性樹脂シート又は熱硬化性接着剤6の大きさを全く考慮する必要がなくなくる。
【0041】
先の参考形態と同様に、上記熱硬化性樹脂シート又は熱硬化性接着剤6に代えて異方性導電膜10を用いてもよい。また、さらに、異方性導電膜に含まれる導電粒子10aがニッケル粉に金メッキを施したものを用いることにより、バンプ3と電極5との間での接続抵抗値を低下せしめることができ、尚好適である。
【0042】
本発明の第4参考形態にかかる実装方法及び装置を図42〜47を用いて説明する。図42に示すように、ICチップ1を回路基板4へ実装する際に、ICチップ1上の電極(パッド)2に突起電極(バンプ)3を形成する。一方、図43に示すように、熱硬化性樹脂シート6の片面又は両面にフラックス成分を塗布して乾燥することによりフラックス層12を形成する。又は、フラックス成分を乾燥させて形成したフラックス成分シートを前記熱硬化性樹脂シート6に貼り付けてフラックス層12を形成する。このようにフラックス層12を有する熱硬化性樹脂シート6を、図44に示すように、回路基板4に貼り付ける。このとき、フラックス層12が回路基板4に接触するように熱硬化性樹脂シート6を貼り付ける。次に、バンプ3と回路基板4の電極5の位置合わせを行い、加熱されたヘッド8によりICチップ1を回路基板4に加圧押圧する。このとき、図46に示すように熱硬化性樹脂シート6のICチップ側にもフラックス層12を塗布形成している場合には、バンプ3が上記熱硬化性樹脂シート6のフラックス層12に接触して付着する。また、熱硬化性樹脂シート6の基板側に形成されたフラックス層12は、図45に示すように基板側の電極5に形成された接合金属層13に、上記熱硬化性樹脂シート6が基板4に貼り付けられた段階で付着する。ヘッド8によりICチップ1を回路基板4に押圧していくと、ヘッド8からの熱がICチップ1を介して熱硬化性樹脂シート6に伝達するとともに、基板4の反り矯正を同時に行いながら、フラックス層12のフラックス成分を活性化する。また、ICチップ1と回路基板4の間に介在する熱硬化性樹脂シート6を硬化し、その樹脂シート6をバンプ3が突き破る際にフラックス層12のフラックスがバンプ3に付着するとともに、上記熱により溶融されかつ回路基板4の電極5上に形成された接合金属層13と接触することにより、図47に示すように、バンプ3と電極5とがフラックス及び接合金属層13を介して接合して、ICチップ1と回路基板5を接合する。
【0043】
バンプ3として例えば比較的低温300℃以下で溶融する金属を用いている場合には、回路基板4に接合金属層13を具備してもしなくてもよいことはいうまでもない。また、回路基板側を加熱しておくと、接合ヘッド8の温度をより低くすることができる。
【0044】
なお、この参考形態においても先の参考形態と同様に、熱硬化性樹脂シート6に代えて熱硬化性接着剤や異方性導電膜シート10を使用することができることは言うまでもない。
【0045】
次に、本発明の第1実施形態にかかる実装方法及び装置を図48〜54を用いて、説明する。この第1実施形態は、接合と同時にレベリングを行う実装方法及び装置である。
【0046】
図52,53に示すように、ICチップ1を回路基板4へ実装する際に、ICチップ1に図示しないワイヤボンディング装置を用いてICチップ1上の電極2に突起電極(バンプ)3を形成しておく。図48,49に示すように熱硬化性樹脂シート6には、バンプ3及び回路基板4の電極5に対応する位置に、バンプ3と基板4の電極5とを接触させて導通させる方向(樹脂シート6の厚み方向)に貫通した貫通孔15を形成する。そして、図50,51に示すように、導電粒子14、例えば、表面に金メッキを施した樹脂ボール、又は、ニッケル粒子、又は、銀、銀−パラジウム、若しくは金からなる導電粒子、又は、導電ペースト、又は、金球からなる粒子をペースト状にしたものを上記貫通孔15内に、印刷により又はスキージにより押し込むなどして埋め込んで導電性を有する熱硬化性樹脂シート66を形成する。このように形成された樹脂シート66を図52,53に示すように回路基板4の電極5と位置合わせして貼付ける。ペースト状の上記導電粒子14を有する場合には、熱硬化性樹脂シート66の熱硬化性接着剤の接合時の粘度よりも上記ペーストの粘度を高くしておくと、ICチップ1の押圧時に上記ペーストが上記熱硬化性樹脂シート66の樹脂に押し流されにくくなり、より好適である。
【0047】
次に、図52,53に示すように、ICチップ1のバンプ3と回路基板4の電極5を位置合わせし、加熱された接合ヘッド8によりICチップ1を回路基板4に押圧して、バンプ3のレベリングと基板4の反り矯正を同時に行いながら、ICチップ1と回路基板4の間に介在する熱硬化性樹脂シート66中の熱硬化性樹脂を硬化して、図54に示すように、硬化された樹脂66sによりICチップ1と回路基板4とを接合する。また、回路基板側を加熱しておくと、接合ヘッド8の温度をより低くすることができる。
【0048】
次に、本発明の第5参考形態にかかる実装方法及び装置を図55〜62を用いて、説明する。この第5参考形態は、接合と同時でも同時でなくてもレベリングを全く行わない実装方法及び装置である。
【0049】
図55において、熱硬化性樹脂シート66に回路基板4の電極5に対応する位置に、回路基板4の電極5と相挟む方向で、相互に導通させる方向に孔15を形成し、図56に示すように、その孔15に導電粒子16を挿入して形成する。この導電粒子16としては、その粒子直径が、少なくともICチップ1の電極2に被さるパッシベイション膜1aの厚みtpc(図62参照)より大きく、基板4の電極5の厚みte(図57参照)より小さい寸法で、かつ、図60に示すように樹脂ボール16aの表面に金メッキ16bを施した導電粒子16、又は、図59に示すようにニッケル粒子17aの表面に金メッキ17bした導電粒子17、又は、図61に示すように銀、銀−パラジウム、若しくは、金そのものからなる導電粒子18、又は、導電ペースト、又は、金球からなる粒子などが好ましい。次に、図57に示すように、ICチップ1の電極2を回路基板4の電極5と位置合わせして貼付けた後に、ICチップ1の電極2と回路基板4の電極5を位置合わせし、先の参考形態と同様に加熱された接合ヘッド8により、該ヘッド8に連結された超音波振動発振装置から超音波振動をヘッド8を介してICチップ1に印加しながらICチップ1を回路基板4に押圧して、上記導電粒子16の表面の金属を介して、ICチップ1のAl電極2と回路基板4の電極5を接合する。同時に、ICチップ1と回路基板4の間に介在する熱硬化性樹脂シート66を硬化して、図58に示すように、硬化された樹脂66sによりICチップ1と回路基板4とを接合する。好適には、回路基板4の電極5の表面を金メッキしておくことが望ましい。また、回路基板側を加熱しておくと、接合ヘッド8の温度をより低くすることができる。ここで、超音波により、ICチップ1のパッド上のAl膜の酸化物を破り、新しいAlを露出させることができる。また、接合するときの温度を下げることも可能となるとともに、Au−Al合金化を促進させることもできる。なお、上記第5参考形態においては、先の参考形態と同様に熱硬化性樹脂シートに代えて熱硬化性接着剤や異方性導電膜10を使用することもできる。
【0050】
次に、本発明の第6参考形態にかかる実装方法及び装置を図66〜70を用いて、説明する。この第6参考形態は、接合と同時にレベリングを行う実装方法及び装置である。
【0051】
図66に示すICチップ1の電極2に形成されたバンプ3を、図67に示すようにICチップ1をツール8で保持しながら導電性ペースト槽101の導電性ペースト100内に浸すことにより、図68に示すように、バンプ3に導電性ペースト100を付着させる。その後、図68に示すように、内蔵ヒータ8aにより導電性ペースト100を加熱して硬化させることにより、次工程で熱硬化性樹脂シート6又は熱硬化性接着剤6bを貫通しやすくする。すなわち、この導電性ペースト100は、バンプ3の一部として機能するものである。その後、図69に示す熱硬化性樹脂シート6を載置した回路基板4の電極5、又は、図72に示す熱硬化性接着剤6bを載置した回路基板4の電極5に対して、図70に示すように上記バンプ3が接触するようにICチップ1を回路基板4に押圧する。この結果、図71に示すように、導電性ペースト100を介してバンプ3と電極5とが電気的に接続され、又は場合によってはバンプ3が直接電極5に電気的に接続される。このようにして、導電性ペースト100を介在させることによりレベリングの不揃いなバンプ3を電極5に接続することができる。又、このとき、先の実施形態又は参考形態と同様に、加熱された接合ヘッド8によりICチップ1を回路基板4に押圧して接合するとき、基板4の反り矯正を同時に行うことができる。なお、導電性ペースト100としては上記したような種々のものを使用することができる。
【0052】
上記種々の実施形態又は参考形態においては、熱硬化性樹脂シートに代えて熱硬化性接着剤を使用することができる。また、熱硬化性接着剤に代えて、異方性導電膜10を用いることもできる。この場合においては、さらに、異方性導電膜10に含まれる導電粒子としてニッケル粉に金メッキを施したものを用いるようにすると、バンプ3と電極5との間での接続抵抗値をさらに低下せしめることができて尚好適である。
【0053】
以下に本発明の種々の参考態様について記載する。
【0054】
第1の参考態様によれば、絶縁性で導電粒子を含まない熱硬化性樹脂を介在させながら、回路基板の電極と電子部品の電極にワイヤボンディングにより形成されたバンプとを位置合わせし、
加熱しながら、上記電子部品を上記回路基板に1バンプあたり20gf以上の加圧力により押圧し、上記基板の反り矯正を行いながら、上記電子部品と上記回路基板の間に介在する上記熱硬化性樹脂を上記熱により硬化して、上記電子部品と上記回路基板を接合して両電極を電気的に接続するようにした電子部品の実装方法を提供する。
【0055】
第2の参考態様によれば、上記位置合わせにおいては、レベリングせずに、上記熱硬化性樹脂を介在させながら、上記回路基板の電極と上記電子部品の電極にワイヤボンディングにより形成されたバンプとを位置合わせし、
上記接合においては、加熱しながら、上記電子部品を上記回路基板に1バンプあたり20gf以上の加圧力により押圧し、上記バンプのレベリングと上記基板の反り矯正とを同時に行いながら、上記電子部品と上記回路基板の間に介在する上記熱硬化性樹脂を上記熱により硬化して、上記電子部品と上記回路基板を接合して両電極を電気的に接続するようにした第1の態様に記載の電子部品の実装方法を提供する。
【0056】
第3の参考態様によれば、上記熱硬化性樹脂は、導電粒子を含む第1又は2の態様に記載の電子部品の実装方法を提供する。
【0057】
第4の参考態様によれば、上記位置合わせの前に、上記回路基板に、上記熱硬化性樹脂として、上記電子部品の電極を結んだ外形寸法(OL)より小さい形状寸法の固形の熱硬化性樹脂シートを貼り付けたのち上記位置合わせを行い、
上記接合においては、上記熱硬化性樹脂シートを加熱しながら、上記電子部品を上記回路基板に加圧押圧して、上記回路基板の反り矯正を同時に行いながら、上記電子部品と上記回路基板の間に介在する上記熱硬化性樹脂シートを上記熱により硬化して、上記電子部品と上記回路基板を接合するようにした第1の態様に記載の電子部品の実装方法を提供する。
【0058】
第5の参考態様によれば、上記位置合わせの前に、導電性接着剤を上記電子部品の上記電極の上記バンプに転写し、
上記位置合わせの前に、上記回路基板には、上記熱硬化性樹脂として、上記電子部品の上記電極を結んだ外形寸法より小さい形状寸法の固形の熱硬化性樹脂シートを貼り付けたのち、上記バンプと上記回路基板の電極を位置合わせし、
上記接合においては、上記熱硬化性樹脂シートを加熱しながら、上記電子部品を上記回路基板に加圧押圧して、上記回路基板の反り矯正を同時に行いながら、上記電子部品と上記回路基板の間に介在する上記熱硬化性樹脂シートを上記熱により硬化して、上記電子部品と上記回路基板を接合するようにした第1の態様に記載の電子部品の実装方法を提供する。
【0059】
第6の参考態様によれば、上記回路基板には、上記熱硬化性樹脂として、片面又は両面にフラックス層を形成した固形の熱硬化性樹脂シートを貼り付けたのち、上記電子部品の上記電極の上記バンプと上記回路基板の上記電極を位置合わせし、
上記接合においては、加熱されたヘッドにより上記電子部品を上記回路基板に加圧押圧して、上記回路基板の反り矯正を同時に行いながら、上記電子部品と上記回路基板の間に介在する上記熱硬化性樹脂シートを硬化し、その樹脂シートを上記バンプが突き破る際に上記フラックス層のフラックス成分が上記バンプに付着し、該バンプが上記回路基板の上記電極と接合されて上記電子部品と上記回路基板を接合するようにした第1の態様に記載の電子部品の実装方法を提供する。
【0060】
第7の参考態様によれば、上記位置合わせ前に、上記電子部品の上記電極の上記バンプ及び上記回路基板の上記電極の少なくとも一方に対応する位置に形成された孔内に、表面に金メッキを施した樹脂ボール、又は、ニッケル粒子、又は、銀、銀−パラジウム、若しくは、金からなる導電粒子、又は、導電ペースト、又は、金球からなる粒子を、上記バンプと上記回路基板の上記電極とを導通させる方向に埋め込んだ固形の熱硬化性樹脂シートを、上記熱硬化性樹脂として、上記回路基板の上記電極と位置合わせして貼り付けたのち、上記電子部品の上記バンプと上記回路基板の上記電極を位置合わせし、
上記接合においては、上記熱硬化性樹脂シートを加熱しながら、上記電子部品を上記回路基板に押圧して、上記回路基板の反り矯正を行いながら、上記電子部品と上記回路基板の間に介在する上記熱硬化性樹脂シートを上記熱により硬化して接合するようにした第1の態様に記載の電子部品の実装方法を提供する。
【0061】
第8の参考態様によれば、上記位置合わせ前に、上記電子部品を上記回路基板へ実装する際に、上記電子部品の上記電極及び上記回路基板の上記電極の少なくとも一方に対応する位置に形成された孔に、少なくとも上記電子部品の電極に被さるパッシベイション膜の厚み(tpc)より大きく、上記回路基板の電極の厚み(te)より小さい寸法でかつ、表面に金メッキを施した樹脂ボール、又は、ニッケル粒子、又は、銀、銀−パラジウム、若しくは、金からなる導電粒子、又は、導電ペースト、又は、金球からなる粒子を、上記電子部品の上記電極と上記回路基板の上記回路電極と相挟む方向でかつ相互に導通させる方向に埋め込んだ固形の熱硬化性樹脂シートを、上記熱硬化性樹脂として、上記回路基板の上記電極と位置合わせして貼付けたのち、上記電子部品の上記電極と上記回路基板の上記電極を位置合わせし、
上記接合においては、上記熱硬化性樹脂シートを加熱しながら超音波振動を上記電子部品に印加しながら上記電子部品を上記回路基板に押圧して、上記電子部品と上記回路基板の間に介在する上記熱硬化性樹脂シートを上記熱により硬化して接合するようにした第1の態様に記載の電子部品の実装方法を提供する。
【0062】
第9の参考態様によれば、上記導電粒子が、ニッケル粉に金メッキを施したものである第3の態様に記載の電子部品の実装方法を提供する。
【0063】
第10の参考態様によれば、上記熱硬化性樹脂は熱硬化性樹脂シートであるようにした第1〜9のいずれかの態様に記載の電子部品の実装方法を提供する。
【0064】
第11の参考態様によれば、上記熱硬化性樹脂シートは、その厚みが接合後の上記電子部品のアクティブ面と上記回路基板の電極が形成された面との隙間より厚い厚さとするようにした第10の態様に記載の電子部品の実装方法を提供する。
【0065】
第12の参考態様によれば、記熱硬化性樹脂は熱硬化性接着剤であるようにした第1又は2の態様に記載の電子部品の実装方法を提供する。
【0066】
第13の参考態様によれば、絶縁性で導電粒子を含まない熱硬化性樹脂を介在させながら、回路基板の電極と電子部品の電極にワイヤボンディングにより形成されたバンプとを位置合わせする位置合わせ装置と、
上記熱硬化性樹脂を加熱する加熱装置と、
上記加熱装置により上記熱硬化性樹脂を加熱しながら、上記電子部品を上記回路基板に1バンプあたり20gf以上の加圧力により押圧し、上記基板の反り矯正を行いながら、上記電子部品と上記回路基板の間に介在する上記熱硬化性樹脂を上記熱により硬化して、上記電子部品と上記回路基板を接合して両電極を電気的に接続するよう接合装置とを備えるようにした電子部品の実装装置を提供する。
【0067】
第14の参考態様によれば、上記位置合わせ装置は、レベリングせずに、上記熱硬化性樹脂を介在させながら、上記回路基板の電極と上記電子部品の電極にワイヤボンディングにより形成されたバンプとを位置合わせするものであり、
上記接合装置は、上記加熱装置により上記熱硬化性樹脂を加熱しながら、上記電子部品を上記回路基板に1バンプあたり20gf以上の加圧力により押圧し、上記バンプのレベリングと上記基板の反り矯正とを同時に行いながら、上記電子部品と上記回路基板の間に介在する上記熱硬化性樹脂を上記熱により硬化して、上記電子部品と上記回路基板を接合して両電極を電気的に接続するようにした第13の態様に記載の電子部品の実装装置を提供する。
【0068】
第15の参考態様によれば、導電粒子を含む第13又は14の態様に記載の電子部品の実装装置を提供する。
【0069】
第16の参考態様によれば、上記位置合わせ装置は、上記回路基板に、上記熱硬化性樹脂として、上記電子部品の電極を結んだ外形寸法(OL)より小さい形状寸法の固形の熱硬化性樹脂シートを貼り付けたのち、上記電子部品の上記電極のバンプと上記回路基板の電極を位置合わせし、
上記接合装置は、上記熱硬化性樹脂シートを加熱しながら、上記電子部品を上記回路基板に加圧押圧して、上記回路基板の反り矯正を同時に行いながら、上記電子部品と上記回路基板の間に介在する上記熱硬化性樹脂シートを上記熱により硬化して、上記電子部品と上記回路基板を接合するようにした第13の態様に記載の電子部品の実装装置を提供する。
【0070】
第17の参考態様によれば、上記位置合わせの前に、導電性接着剤を上記電子部品の上記電極の上記バンプに転写し、
上記位置合わせの前に、上記回路基板には、上記熱硬化性樹脂として、上記電子部品の上記電極を結んだ外形寸法より小さい形状寸法の固形の熱硬化性樹脂シートを貼り付けたのち、上記バンプと上記回路基板の電極を位置合わせし、
上記接合においては、上記熱硬化性樹脂シートを加熱しながら、上記電子部品を上記回路基板に加圧押圧して、上記回路基板の反り矯正を同時に行いながら、上記電子部品と上記回路基板の間に介在する上記熱硬化性樹脂シートを上記熱により硬化して、上記電子部品と上記回路基板を接合するようにした第13の態様に記載の電子部品の実装装置を提供する。
【0071】
第18の参考態様によれば、上記位置合わせ装置は、上記回路基板には、上記熱硬化性樹脂として、片面又は両面にフラックス層を形成した固形の熱硬化性樹脂シートを貼り付けたのち、上記電子部品の上記電極の上記バンプと上記回路基板の上記電極を位置合わせし、
上記位置合わせ装置は、加熱されたヘッドにより上記電子部品を上記回路基板に加圧押圧して、上記回路基板の反り矯正を同時に行いながら、上記電子部品と上記回路基板の間に介在する上記熱硬化性樹脂シートを硬化し、その樹脂シートを上記バンプが突き破る際に上記フラックス層のフラックス成分が上記バンプに付着し、該バンプが上記回路基板の上記電極と接合されて上記電子部品と上記回路基板を接合するようにした第13の態様に記載の電子部品の実装装置を提供する。
【0072】
第19の参考態様によれば、上記位置合わせ装置は、上記電子部品の上記電極の上記バンプ及び上記回路基板の上記電極の少なくとも一方に対応する位置に形成された孔内に、表面に金メッキを施した樹脂ボール、又は、ニッケル粒子、又は、銀、銀−パラジウム、若しくは、金からなる導電粒子、又は、導電ペースト、又は、金球からなる粒子を、上記バンプと上記回路基板の上記電極とを導通させる方向に埋め込んだ固形の熱硬化性樹脂シートを、上記熱硬化性樹脂として、上記回路基板の上記電極と位置合わせして貼り付けたのち、上記電子部品の上記バンプと上記回路基板の上記電極を位置合わせし、
上記接合装置は、上記熱硬化性樹脂シートを加熱しながら、上記電子部品を上記回路基板に押圧して、上記回路基板の反り矯正を行いながら、上記電子部品と上記回路基板の間に介在する上記熱硬化性樹脂シートを上記熱により硬化して接合するようにした第13の態様に記載の電子部品の実装装置を提供する。
【0073】
第20の参考態様によれば、上記位置合わせ装置は、上記電子部品を上記回路基板へ実装する際に、上記電子部品の上記電極及び上記回路基板の上記電極の少なくとも一方に対応する位置に形成された孔に、少なくとも上記電子部品の電極に被さるパッシベイション膜の厚み(tpc)より大きく、上記回路基板の電極の厚み(te)より小さい寸法でかつ、表面に金メッキを施した樹脂ボール、又は、ニッケル粒子、又は、銀、銀−パラジウム、若しくは、金からなる導電粒子、又は、導電ペースト、又は、金球からなる粒子を、上記電子部品の上記電極と上記回路基板の上記回路電極と相挟む方向でかつ相互に導通させる方向に埋め込んだ固形の熱硬化性樹脂シートを、上記熱硬化性樹脂として、上記回路基板の上記電極と位置合わせして貼付けたのち、上記電子部品の上記電極と上記回路基板の上記電極を位置合わせし、
上記接合装置は、上記熱硬化性樹脂シートを加熱しながら超音波振動を上記電子部品に印加しながら上記電子部品を上記回路基板に押圧して、上記電子部品と上記回路基板の間に介在する上記熱硬化性樹脂シートを上記熱により硬化して接合するようにした第13の態様に記載の電子部品の実装装置を提供する。
【0074】
第21の参考態様によれば、上記導電粒子が、ニッケル粉に金メッキを施したものである第15の態様に記載の電子部品の実装装置を提供する。
【0075】
第22の参考態様によれば、上記熱硬化性樹脂は熱硬化性樹脂シートであるようにした第13〜21のいずれかの態様に記載の電子部品の実装装置を提供する。
【0076】
第23の参考態様によれば、上記熱硬化性樹脂シートは、その厚みが接合後の上記電子部品のアクティブ面と上記回路基板の電極が形成された面との隙間より厚い厚さとするようにした第22の態様に記載の電子部品の実装装置を提供する。
【0077】
第24の参考態様によれば、上記熱硬化性樹脂は熱硬化性接着剤であるようにした第13又は14の態様に記載の電子部品の実装装置を提供する。
【0078】
第25の参考態様によれば、上記位置合わせ装置と上記接合装置は1つの装置で構成されるようにした第13から14のいずれかの態様に記載の電子部品の実装装置を提供する。
【0079】
第26の参考態様によれば、上記位置合わせ後でかつ上記接合前において、上記バンプに導電性ペーストを付着させた後、この導電性ペーストを硬化させて上記バンプの一部として機能させるようにし、上記接合において、上記熱硬化性樹脂を上記硬化した導電性ペーストが突き破って上記回路基板の電極と電気的に接続するようにした第1から12のいずれかの態様に記載の電子部品の実装方法を提供する。
【0080】
第27の参考態様によれば、上記位置合わせ後でかつ上記接合前において、上記バンプに導電性ペーストを付着させた後、この導電性ペーストを硬化させて上記バンプの一部として機能させるようにし、上記接合において、上記熱硬化性樹脂を上記硬化した導電性ペーストが突き破って上記回路基板の電極と電気的に接続するようにした第13から25のいずれかの態様に記載の電子部品の実装装置を提供する。
【0081】
第28の参考態様によれば、上記熱硬化性樹脂は熱硬化性樹脂シートであり、その熱硬化性樹脂シートは上記回路基板側に配置されている第1から9のいずれか又は11の態様に記載の電子部品の実装方法を提供する。
【0082】
第29の参考態様によれば、上記熱硬化性樹脂は熱硬化性樹脂シートであり、その熱硬化性樹脂シートは上記電子部品側に配置されている第1から9のいずれか又は11の態様に記載の電子部品の実装方法を提供する。
【0083】
第30の参考態様によれば、上記熱硬化性樹脂は熱硬化性樹脂シートであり、その熱硬化性樹脂シートは上記回路基板側に配置されている第13から21のいずれか又は23の態様に記載の電子部品の実装装置を提供する。
【0084】
第31の参考態様によれば、上記熱硬化性樹脂は熱硬化性樹脂シートであり、その熱硬化性樹脂シートは上記電子部品側に配置されている第13から21のいずれか又は23の態様に記載の電子部品の実装装置を提供する。
【0085】
【発明の効果】
本発明によれば、電子部品例えばICチップと回路基板を接合するのに従来要した工程の多くを無くすことができ、非常に生産性がよくなる。また、接合材料として導電粒子の無い熱硬化性樹脂シート又は熱硬化性接着剤を用いた場合には、従来例2で示した方法に比べて安価なICチップの実装方法を提供することができる。
【0086】
さらに、以下のような効果をも奏することができる。
【0087】
(1)バンプ形成
バンプをメッキで形成する方法(従来例3)では、専用のバンプ形成工程を半導体メーカーで行う必要があり、限定されたメーカーでしかバンプの形成ができない。ところが、本発明の方法によれば、ワイヤボンディング装置により、汎用のワイヤボンディング用のICチップを用いることができ、ICチップの入手が容易である。
【0088】
従来例1の方法に比べて、導電性接着剤の転写といった不安定な転写工程での接着剤の転写量を安定させるためのバンプレベリングが不要となり、そのようなレベリング工程用のレベリング装置が不要となる。
【0089】
本発明の上記第1実施形態の方法によれば、ICチップへのバンプ形成が不要であり、より簡便でかつ生産性よく、安価な実装方法を提供することが可能である。
【0090】
(2)ICチップと回路基板の接合
従来例2の方法によれば、接続抵抗は、バンプと回路基板の電極の間に存在する導電粒子の数に依存していたが、本発明では、独立した工程としてのレベリング工程においてバンプをレベリングせずに回路基板の電極に従来例1、2よりも強い荷重で押しつけて接合するため、介在する粒子数に接続抵抗値が依存せず、安定して接続抵抗値が得られる。
【0091】
バンプのレベリングを接合と同時に行うので、独立したレベリング工程が不要であるばかりでなく、接合時に回路基板の反りやうねりを変形させて矯正しながら接合するので、又は、バンプに付着させた導電性ペーストを硬化して接合時に導電性ペーストを変形させることによりバンプのレベリングを一切不要として、接合時に回路基板の反りやうねりを変形させて矯正しながら接合するので、反りやうねりに強い。従来例1では10μm/IC(1個のICチップ当たり10μmの厚み反り寸法精度が必要であることを意味する。)、従来例2では2μm/IC、従来例3でも1μm/IC(バンプ高さバラツキ±1μm以下)というような高精度の基板やバンプの均一化が必要であり、実際上は、LCDに代表されるガラス基板が用いられている。ところが、本発明の方法によれば、上記説明したごとく、樹脂基板、フレキ基板、多層セラミック基板などを用いることができ、より低廉で汎用性のあるICチップの接合方法を提供することができる。
【0092】
また、従来例1で必要とした導電性接着剤でICチップと回路基板を接合した後にICチップの下に封止樹脂(アンダーフィルコート)を行う必要がなく、工程を短縮することができる。
【0093】
なお、上記熱硬化性樹脂シートにおいて形成される孔は、ICチップの電極又はバンプの位置、又は、回路基板の電極の位置のいずれか一方の位置に形成すればよい。例えば、回路基板の電極の数がICチップの電極の数より多い場合には、ICチップの電極を接合するのに必要な数、従って、ICチップの電極に対応する位置及び数の孔を形成すればよい。
【0094】
以上、本発明によれば、従来存在したどの接合工法よりも生産性よく、低廉なICチップと回路基板の接合方法及びその装置を提供することができる。
【0095】
明細書、請求の範囲、図面、要約書を含む1996年12月27日に出願された日本特許出願第8−350738号に開示されたものの総ては、参考としてここに総て取り込まれるものである。
【0096】
本発明は、添付図面を参照しながら好ましい実施形態に関連して充分に記載されているが、この技術の熟練した人々にとっては種々の変形や修正は明白である。そのような変形や修正は、添付した請求の範囲による本発明の範囲から外れない限りにおいて、その中に含まれると理解されるべきである。
【図面の簡単な説明】
本発明のこれらと他の目的と特徴は、添付された図面についての好ましい実施形態に関連した次の記述から明らかになる。この図面においては、
【図1】 本発明の第1参考形態にかかる回路基板への電子部品例えばICチップの実装方法を示す説明図である。
【図2】 本発明の第1参考形態にかかる回路基板への電子部品例えばICチップの実装方法を示す説明図である。
【図3】 本発明の第1参考形態にかかる回路基板への電子部品例えばICチップの実装方法を示す説明図である。
【図4】 本発明の第1参考形態にかかる回路基板への電子部品例えばICチップの実装方法を示す説明図である。
【図5】 本発明の第1参考形態にかかる回路基板への電子部品例えばICチップの実装方法を示す説明図である。
【図6】 本発明の第1参考形態にかかる回路基板への電子部品例えばICチップの実装方法を示す説明図である。
【図7】 本発明の第1参考形態にかかる回路基板への電子部品例えばICチップの実装方法を示す説明図である。
【図8】 本発明の第1参考形態にかかる回路基板への電子部品例えばICチップの実装方法を示す説明図である。
【図9】 本発明の第1参考形態にかかる回路基板への電子部品例えばICチップの実装方法を示す説明図である。
【図10】 本発明の第1参考形態にかかる回路基板への電子部品例えばICチップの実装方法を示す説明図である。
【図11】 本発明の第1参考形態における実装方法において、ICチップのワイヤボンダーを用いたバンプ形成工程を示す説明図である。
【図12】 本発明の第1参考形態における実装方法において、ICチップのワイヤボンダーを用いたバンプ形成工程を示す説明図である。
【図13】 本発明の第1参考形態における実装方法において、ICチップのワイヤボンダーを用いたバンプ形成工程を示す説明図である。
【図14】 本発明の第1参考形態における実装方法において、ICチップのワイヤボンダーを用いたバンプ形成工程を示す説明図である。
【図15】 本発明の第1参考形態における実装方法において、ICチップのワイヤボンダーを用いたバンプ形成工程を示す説明図である。
【図16】 本発明の第1参考形態における実装方法において、ICチップのワイヤボンダーを用いたバンプ形成工程を示す説明図である。
【図17】 本発明の第1参考形態における実装方法において、ICチップのワイヤボンダーを用いたバンプ形成工程を示す説明図である。
【図18】 本発明の第1参考形態にかかる実装方法において、回路基板とICチップの接合工程を示す説明図である。
【図19】 本発明の第1参考形態にかかる実装方法において、回路基板とICチップの接合工程を示す説明図である。
【図20】 本発明の第1参考形態にかかる実装方法において、回路基板とICチップの接合工程を示す説明図である。
【図21】 本発明の第1参考形態である実装方法において回路基板とICチップの接合工程を示す説明図である。
【図22】 本発明の第1参考形態である実装方法において回路基板とICチップの接合工程を示す説明図である。
【図23】 本発明の第1参考形態である実装方法において回路基板とICチップの接合工程を示す説明図である。
【図24】 本発明の第1参考形態の実装方法において熱硬化性樹脂シートに代えて異方性導電膜を使用する場合において、回路基板とICチップの接合工程を示す説明図である。
【図25】 本発明の第1参考形態の実装方法において熱硬化性樹脂シートに代えて異方性導電膜を使用する場合において、回路基板とICチップの接合工程を示す説明図である。
【図26】 本発明の第1参考形態の実装方法において熱硬化性樹脂シートに代えて異方性導電膜を使用する場合において、回路基板とICチップの接合工程を示す説明図である。
【図27】 本発明の第1参考形態の実装方法において熱硬化性樹脂シートに代えて異方性導電膜を使用する場合において、回路基板とICチップの接合工程を示す説明図である。
【図28】 本発明の第1参考形態の実装方法において熱硬化性樹脂シートに代えて異方性導電膜を使用する場合において、回路基板とICチップの接合工程を示す説明図である。
【図29】 本発明の第1参考形態の実装方法において熱硬化性樹脂シートに代えて異方性導電膜を使用する場合において、回路基板とICチップの接合工程を示す説明図である。
【図30】 本発明の第1参考形態において図24〜図29の参考形態での回路基板とICチップの接合工程を示す説明図である。
【図31】 本発明の第2参考形態にかかる実装方法において、回路基板とICチップの接合工程を示す説明図である。
【図32】 本発明の第2参考形態にかかる実装方法において、回路基板とICチップの接合工程を示す説明図である。
【図33】 本発明の第2参考形態にかかる実装方法において、回路基板とICチップの接合工程を示す説明図である。
【図34】 本発明の第2参考形態である実装方法において回路基板とICチップの接合工程を示す説明図である。
【図35】 本発明の第2参考形態である実装方法において回路基板とICチップの接合工程を示す説明図である。
【図36】 本発明の第2参考形態である実装方法において回路基板とICチップの接合工程を示す説明図である。
【図37】 本発明の第3参考形態である実装方法において回路基板とICチップの接合工程を示す説明図である。
【図38】 本発明の第3参考形態である実装方法において回路基板とICチップの接合工程を示す説明図である。
【図39】 本発明の第3参考形態である実装方法において回路基板とICチップの接合工程を示す説明図である。
【図40】 本発明の第3参考形態である実装方法において回路基板とICチップの接合工程を示す説明図である。
【図41】 本発明の第3参考形態である実装方法において回路基板とICチップの接合工程を示す説明図である。
【図42】 本発明の第4参考形態である実装方法において回路基板とICチップの接合工程を示す説明図である。
【図43】 本発明の第4参考形態である実装方法において回路基板とICチップの接合工程を示す説明図である。
【図44】 本発明の第4参考形態である実装方法において回路基板とICチップの接合工程を示す説明図である。
【図45】 本発明の第4参考形態である実装方法において回路基板とICチップの接合工程を示す説明図である。
【図46】 本発明の第4参考形態である実装方法において回路基板とICチップの接合工程を示す説明図である。
【図47】 本発明の第4参考形態である実装方法において回路基板とICチップの接合工程を示す説明図である。
【図48】 本発明の第1実施形態である実装方法において回路基板とICチップの接合工程を示す説明図である。
【図49】 本発明の第1実施形態である実装方法において回路基板とICチップの接合工程を示す説明図である。
【図50】 本発明の第1実施形態である実装方法において回路基板とICチップの接合工程を示す説明図である。
【図51】 本発明の第1実施形態である実装方法において回路基板とICチップの接合工程を示す説明図である。
【図52】 本発明の第1実施形態である実装方法において回路基板とICチップの接合工程を示す説明図である。
【図53】 本発明の第1実施形態である実装方法において回路基板とICチップの接合工程を示す説明図である。
【図54】 本発明の第1実施形態である実装方法において回路基板とICチップの接合工程を示す説明図である。
【図55】 本発明の第5参考形態である実装方法において回路基板とICチップの接合工程を示す説明図である。
【図56】 本発明の第5参考形態である実装方法において回路基板とICチップの接合工程を示す説明図である。
【図57】 本発明の第5参考形態である実装方法において回路基板とICチップの接合工程を示す説明図である。
【図58】 本発明の第5参考形態である実装方法において回路基板とICチップの接合工程を示す説明図である。
【図59】 本発明の第5参考形態である実装方法において回路基板とICチップの接合工程を示す説明図である。
【図60】 本発明の第5参考形態である実装方法において回路基板とICチップの接合工程を示す説明図である。
【図61】 本発明の第5参考形態である実装方法において回路基板とICチップの接合工程を示す説明図である。
【図62】 本発明の第5参考形態である実装方法において回路基板とICチップの接合工程を示す説明図である。
【図63】 従来の回路基板とのICチップの接合方法を示す断面図である。
【図64】 従来の回路基板とのICチップの接合方法を示す説明図である。
【図65】 従来の回路基板とのICチップの接合方法を示す説明図である。
【図66】 本発明の第6参考形態である実装方法において回路基板とICチップの接合工程を示す説明図である。
【図67】 本発明の第6参考形態である実装方法において回路基板とICチップの接合工程を示す説明図である。
【図68】 本発明の第6参考形態である実装方法において回路基板とICチップの接合工程を示す説明図である。
【図69】 本発明の第6参考形態である実装方法において回路基板とICチップの接合工程を示す説明図である。
【図70】 本発明の第6参考形態である実装方法において回路基板とICチップの接合工程を示す説明図である。
【図71】 本発明の第6参考形態である実装方法において回路基板とICチップの接合工程を示す説明図である。
【図72】 本発明の第6参考形態である実装方法において回路基板とICチップの接合工程を示す説明図である。
Claims (3)
- 電子部品(1)を回路基板(4)へ実装する際に、上記電子部品の電極(2)及び上記回路基板の電極(5)の少なくとも一方に対応する位置に形成された孔(15)に導電粒子(16)を、上記電子部品の上記電極と上記回路基板の上記回路電極と相挟む方向でかつ相互に導通させる方向に埋め込んだ固形の絶縁性熱硬化性樹脂シート(66)を上記回路基板の上記電極と位置合わせして貼付けたのち、上記電子部品と上記回路基板との間に上記熱硬化性樹脂シートを介在させながら上記電子部品の上記電極にワイヤボンディングにより形成されたバンプ(3)と上記回路基板の上記電極とを位置合わせし、
上記熱硬化性樹脂シート(66)を加熱しながら上記電子部品を上記回路基板に押圧して上記電子部品の上記バンプを上記基板の上記電極に接触させて上記バンプのレベリングと上記基板の反り矯正を同時に行いながら、上記電子部品と上記回路基板の間に介在する上記熱硬化性樹脂シートを上記熱により硬化して接合するようにした電子部品の実装方法。 - 上記導電粒子(16)は、表面に金メッキを施した樹脂ボール、又は、ニッケル粒子、又は、銀、銀−パラジウム、若しくは、金からなる導電粒子、又は、金球からなる請求項1に記載の電子部品の実装方法。
- 請求項1又は2に記載の電子部品の実装方法により電子部品を接合した回路基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000330981A JP3923248B2 (ja) | 1996-12-27 | 2000-10-30 | 回路基板への電子部品の実装方法及び回路基板 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8-350738 | 1996-12-27 | ||
JP35073896 | 1996-12-27 | ||
JP2000330981A JP3923248B2 (ja) | 1996-12-27 | 2000-10-30 | 回路基板への電子部品の実装方法及び回路基板 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP52985998A Division JP3150347B2 (ja) | 1996-12-27 | 1997-12-26 | 回路基板への電子部品の実装方法及びその装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001185580A JP2001185580A (ja) | 2001-07-06 |
JP2001185580A5 JP2001185580A5 (ja) | 2005-07-28 |
JP3923248B2 true JP3923248B2 (ja) | 2007-05-30 |
Family
ID=26579263
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000330981A Expired - Fee Related JP3923248B2 (ja) | 1996-12-27 | 2000-10-30 | 回路基板への電子部品の実装方法及び回路基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3923248B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100604334B1 (ko) * | 2003-11-25 | 2006-08-08 | (주)케이나인 | 플립칩 패키징 공정에서 접합력이 향상된 플립칩 접합 방법 |
KR100905642B1 (ko) | 2007-12-13 | 2009-06-30 | 삼성전기주식회사 | 칩 내장형 인쇄회로기판 및 그 제조방법 |
JP5104687B2 (ja) * | 2008-09-19 | 2012-12-19 | 日本電気株式会社 | 接合シート及び電子回路装置並びに製造方法 |
CN112486892B (zh) * | 2020-12-15 | 2024-07-26 | 泰和电路科技(惠州)有限公司 | 邦定ic管控计算器的计算方法 |
-
2000
- 2000-10-30 JP JP2000330981A patent/JP3923248B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2001185580A (ja) | 2001-07-06 |
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Legal Events
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A521 | Written amendment |
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A621 | Written request for application examination |
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|
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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