JP2002319650A - フリップチップ実装体及び半導体チップの実装方法 - Google Patents
フリップチップ実装体及び半導体チップの実装方法Info
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- JP2002319650A JP2002319650A JP2001124313A JP2001124313A JP2002319650A JP 2002319650 A JP2002319650 A JP 2002319650A JP 2001124313 A JP2001124313 A JP 2001124313A JP 2001124313 A JP2001124313 A JP 2001124313A JP 2002319650 A JP2002319650 A JP 2002319650A
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- semiconductor chip
- resin film
- flip
- chip
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 表面均一性や機械的強度等の信頼性に優れる
フリップチップ実装体を提供すると共に、比較的簡単な
装置と操作で上記実装体を製造する。 【課題】 バンプを有する半導体チップを基板上の端子
電極部へ実装した構成であって、半導体チップ全体を覆
う樹脂フィルムの皮膜を設けたフリップチップ実装体。
この実装体を得るための実装方法は、上部に真空装置に
連結する小孔9を有し、半導体チップを収納するにやや
大きい空洞部10を有する樹脂フィルム吸引型8を使用し
て、樹脂フィルム5を該空洞部の内壁に持ち上げ、これ
を基板上の端子電極部へ実装した半導体チップ1上にか
ぶせ、次いで、真空を常圧又は加圧に切りかえると共
に、加熱して樹脂フィルムを半導体チップ及びその周辺
の基板2上に接着させる。
フリップチップ実装体を提供すると共に、比較的簡単な
装置と操作で上記実装体を製造する。 【課題】 バンプを有する半導体チップを基板上の端子
電極部へ実装した構成であって、半導体チップ全体を覆
う樹脂フィルムの皮膜を設けたフリップチップ実装体。
この実装体を得るための実装方法は、上部に真空装置に
連結する小孔9を有し、半導体チップを収納するにやや
大きい空洞部10を有する樹脂フィルム吸引型8を使用し
て、樹脂フィルム5を該空洞部の内壁に持ち上げ、これ
を基板上の端子電極部へ実装した半導体チップ1上にか
ぶせ、次いで、真空を常圧又は加圧に切りかえると共
に、加熱して樹脂フィルムを半導体チップ及びその周辺
の基板2上に接着させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、回路基板上に実
装された半導体チップの保護又は封止に関するものであ
り、特に、フリップチップ実装方式による半導体チップ
の保護方法に関するものである。
装された半導体チップの保護又は封止に関するものであ
り、特に、フリップチップ実装方式による半導体チップ
の保護方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】フリップチップ実装体の構造は、特公平
６−６６３５５号公報、特開平１２−２２３５３０号公
報、特開平１２−３６５０４号公報、特開平１１−２６
０９４５号公報、特開平５−２１８２２号公報等の特許
公報類や電子技術２０００−１２別冊の２４〜２８ペー
ジ「フリップチップボンダと効果的使用法」等の技術論
文に詳しく記載されている。
６−６６３５５号公報、特開平１２−２２３５３０号公
報、特開平１２−３６５０４号公報、特開平１１−２６
０９４５号公報、特開平５−２１８２２号公報等の特許
公報類や電子技術２０００−１２別冊の２４〜２８ペー
ジ「フリップチップボンダと効果的使用法」等の技術論
文に詳しく記載されている。
【０００３】半導体チップを回路基板上に接続するに際
し、半導体チップを下向きにして、接続するフリップチ
ップ実装法としては、まず両者を電気的に接続し、その
後接続部周辺を樹脂で封止する方法が一般的である。電
気的に接続する方法としては、はんだを用いたC４工
法、導電性ペーストを用いたSBB工法、金バンプと金属
極に超音波を加えて接合するGGI工法、液晶のガラスパ
ネル実装に多用されるACF工法、異方性導電性シートを
用いたACP工法、異方性導電粒子をなくして金バンプを
直接基板電極と接続させるNCP工法等の多様な方法が知
られている。
し、半導体チップを下向きにして、接続するフリップチ
ップ実装法としては、まず両者を電気的に接続し、その
後接続部周辺を樹脂で封止する方法が一般的である。電
気的に接続する方法としては、はんだを用いたC４工
法、導電性ペーストを用いたSBB工法、金バンプと金属
極に超音波を加えて接合するGGI工法、液晶のガラスパ
ネル実装に多用されるACF工法、異方性導電性シートを
用いたACP工法、異方性導電粒子をなくして金バンプを
直接基板電極と接続させるNCP工法等の多様な方法が知
られている。
【０００４】また、フリップチップ実装法は小型、軽量
化に優れるものであるため、携帯電話等の通信器具等に
適している。一方、フリップチップ実装体の信頼性向上
の要望もある。信頼性向上のためには、機械的強度、耐
熱性、耐吸湿性等を向上させることが必要であるが、半
導体チップ下面全体にエポキシ樹脂等を流し込んで形成
されたフリップチップ実装体は、温度変化に対する半導
体チップと基板との熱膨張係数の差から半導体チップと
基板の間に応力が生じ、これに耐え得るだけの強度が不
十分であり、十分な信頼性を持たせることが困難であっ
た。
化に優れるものであるため、携帯電話等の通信器具等に
適している。一方、フリップチップ実装体の信頼性向上
の要望もある。信頼性向上のためには、機械的強度、耐
熱性、耐吸湿性等を向上させることが必要であるが、半
導体チップ下面全体にエポキシ樹脂等を流し込んで形成
されたフリップチップ実装体は、温度変化に対する半導
体チップと基板との熱膨張係数の差から半導体チップと
基板の間に応力が生じ、これに耐え得るだけの強度が不
十分であり、十分な信頼性を持たせることが困難であっ
た。
【０００５】実装後の半導体チップを、通常のトランス
ファーモールド設備、金型とモールディングコンパウン
ドを用いて、又は液状封止材を用いてチップ裏面全面も
しくは一部を封止することは特開平９−２１３７４１号
等で知られているが、この場合にも製造工程が煩雑であ
ったり、被覆膜厚が不均一であるという問題を有してい
た。
ファーモールド設備、金型とモールディングコンパウン
ドを用いて、又は液状封止材を用いてチップ裏面全面も
しくは一部を封止することは特開平９−２１３７４１号
等で知られているが、この場合にも製造工程が煩雑であ
ったり、被覆膜厚が不均一であるという問題を有してい
た。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、比較的簡単
な装置と方法を使用して、信頼性の優れたフリップチッ
プ実装体及びその製造方法を提供することを目的とす
る。また、比較的均一な厚みの保護膜を有するフリップ
チップ実装体を提供することを目的とする。
な装置と方法を使用して、信頼性の優れたフリップチッ
プ実装体及びその製造方法を提供することを目的とす
る。また、比較的均一な厚みの保護膜を有するフリップ
チップ実装体を提供することを目的とする。
【０００７】本発明は、バンプを有する半導体チップを
基板上の端子電極部へ実装した構成であって、半導体チ
ップ全体を覆う樹脂フィルムの皮膜を設けたフリップチ
ップ実装体である。ここで、樹脂フィルムの皮膜の一部
が、半導体チップの上部及び側部の少なくとも一部に接
して、変形されていると、接着強度が更に向上する。ま
た、本発明は、上部に真空装置に連結する小孔を有し、
半導体チップを収納するにやや大きい空洞部を有する樹
脂フィルム吸引型を使用して、樹脂フィルムを該空洞部
の内壁に持ち上げ、これを基板上の端子電極部へ実装し
た半導体チップ上にかぶせ、次いで、真空を常圧又は加
圧に切りかえると共に、加熱して樹脂フィルムを半導体
チップ及びその周辺の基板上に接着させるフリップチッ
プ実装方法である。ここで、空洞部と半導体チップの間
隙が、樹脂フィルムよりやや薄い部分を一部に有する構
造とすれば、前記と同様に接着強度を向上させることが
できる。また、本発明は、樹脂フィルムが、熱硬化性接
着剤からなり、使用温度で熱可塑性を示すものを使用す
るフリップチップ実装方法である。
基板上の端子電極部へ実装した構成であって、半導体チ
ップ全体を覆う樹脂フィルムの皮膜を設けたフリップチ
ップ実装体である。ここで、樹脂フィルムの皮膜の一部
が、半導体チップの上部及び側部の少なくとも一部に接
して、変形されていると、接着強度が更に向上する。ま
た、本発明は、上部に真空装置に連結する小孔を有し、
半導体チップを収納するにやや大きい空洞部を有する樹
脂フィルム吸引型を使用して、樹脂フィルムを該空洞部
の内壁に持ち上げ、これを基板上の端子電極部へ実装し
た半導体チップ上にかぶせ、次いで、真空を常圧又は加
圧に切りかえると共に、加熱して樹脂フィルムを半導体
チップ及びその周辺の基板上に接着させるフリップチッ
プ実装方法である。ここで、空洞部と半導体チップの間
隙が、樹脂フィルムよりやや薄い部分を一部に有する構
造とすれば、前記と同様に接着強度を向上させることが
できる。また、本発明は、樹脂フィルムが、熱硬化性接
着剤からなり、使用温度で熱可塑性を示すものを使用す
るフリップチップ実装方法である。
【０００８】。
【発明の実施の形態】以下、本発明を、図面を参照して
説明する。図４は従来のフリップチップ実装体の一例を
示す断面図であり、この例ではフリップチップ１が、配
線基板２と金バンプ３を介して電気的に接続されてお
り、金バンプ３の外側のみならず内側のフリップチップ
１と配線基板２が作る間隙にも封止樹脂４が充填されて
いる。その他、前記したように金バンプ３を使用しない
工法もあるが、本発明ではかかる部分を特徴とするもの
ではないので、この電気的接続構造及び封止構造には制
限はない。
説明する。図４は従来のフリップチップ実装体の一例を
示す断面図であり、この例ではフリップチップ１が、配
線基板２と金バンプ３を介して電気的に接続されてお
り、金バンプ３の外側のみならず内側のフリップチップ
１と配線基板２が作る間隙にも封止樹脂４が充填されて
いる。その他、前記したように金バンプ３を使用しない
工法もあるが、本発明ではかかる部分を特徴とするもの
ではないので、この電気的接続構造及び封止構造には制
限はない。
【０００９】図１及び図２は、本発明のフリップチップ
実装体の一例を示す断面図であり、この例では半導体チ
ップ１が、配線基板２と金バンプ３を介して電気的に接
続されており、金バンプ３の外側のみならず内側の半導
体チップ１と配線基板２が作る間隙に封止樹脂４が充填
されている。そして、半導体チップ全体とその周辺の配
線基板２を覆うように樹脂フィルム膜５が形成されてい
る。なお、この例では図４に示した従来のフリップチッ
プ実装体に本発明を適用した例を示しているが、かかる
例に限定されないことは上記のとおりである。また、封
止樹脂４の厚みに応じて、樹脂フィルム５の厚みを十分
に厚くすることにより、半導体チップ１と配線基板２と
の固定を確実にすることができる。
実装体の一例を示す断面図であり、この例では半導体チ
ップ１が、配線基板２と金バンプ３を介して電気的に接
続されており、金バンプ３の外側のみならず内側の半導
体チップ１と配線基板２が作る間隙に封止樹脂４が充填
されている。そして、半導体チップ全体とその周辺の配
線基板２を覆うように樹脂フィルム膜５が形成されてい
る。なお、この例では図４に示した従来のフリップチッ
プ実装体に本発明を適用した例を示しているが、かかる
例に限定されないことは上記のとおりである。また、封
止樹脂４の厚みに応じて、樹脂フィルム５の厚みを十分
に厚くすることにより、半導体チップ１と配線基板２と
の固定を確実にすることができる。
【００１０】図１に示された樹脂フィルム膜５は、半導
体チップ１の上部及び側部と接触しているが、これは、
半導体チップ１と基板２との接着強度を高め、フリップ
チップの固定を確実にするためであり、また、このこと
により不均一な応力の発生を減少させることができる。
半導体チップ１は必ずしもその上部及び側部の全面が樹
脂フィルム膜５と接触している必要はなく、上部及び側
部の一部が接したものであってもよい。フリップチップ
１の固定を確実とし、チップ周辺での応力を緩和するた
めには、その接触面積が大きいことが望ましい。
体チップ１の上部及び側部と接触しているが、これは、
半導体チップ１と基板２との接着強度を高め、フリップ
チップの固定を確実にするためであり、また、このこと
により不均一な応力の発生を減少させることができる。
半導体チップ１は必ずしもその上部及び側部の全面が樹
脂フィルム膜５と接触している必要はなく、上部及び側
部の一部が接したものであってもよい。フリップチップ
１の固定を確実とし、チップ周辺での応力を緩和するた
めには、その接触面積が大きいことが望ましい。
【００１１】図２に示された樹脂フィルム膜５は、半導
体チップ１の角部分６で変形して、角部分６が樹脂フィ
ルム膜５の中に食い込んだ形状となっているが、このよ
うにすることによっても、半導体チップ１と樹脂フィル
ム膜５との固定が可能となるだけでなく、不均一な応力
の発生を減少させる。また、樹脂フィルム膜５は、半導
体チップ１の角部分６以外では上表面部では相互に離間
して空洞７を形成しているが、これは、工程によっては
必ずしも必要ではなく、むしろない方が強度向上等の信
頼性向上につながる。しかし、加熱硬化時に生ずる膨れ
や異常応力等を吸収するためにあった方が望ましい場合
もある。したがって、実装体に係わる本発明にあって
は、空洞７はなく可及的全面で樹脂フィルム膜５と半導
体チップ１の上表面部は接着していることがよく、実装
体の製法に係わる本発明にあっては、空洞７は一部ある
ことがよい場合もある。
体チップ１の角部分６で変形して、角部分６が樹脂フィ
ルム膜５の中に食い込んだ形状となっているが、このよ
うにすることによっても、半導体チップ１と樹脂フィル
ム膜５との固定が可能となるだけでなく、不均一な応力
の発生を減少させる。また、樹脂フィルム膜５は、半導
体チップ１の角部分６以外では上表面部では相互に離間
して空洞７を形成しているが、これは、工程によっては
必ずしも必要ではなく、むしろない方が強度向上等の信
頼性向上につながる。しかし、加熱硬化時に生ずる膨れ
や異常応力等を吸収するためにあった方が望ましい場合
もある。したがって、実装体に係わる本発明にあって
は、空洞７はなく可及的全面で樹脂フィルム膜５と半導
体チップ１の上表面部は接着していることがよく、実装
体の製法に係わる本発明にあっては、空洞７は一部ある
ことがよい場合もある。
【００１２】樹脂フィルム膜５の材質には、接着性、フ
ィルム形成性、信頼性等の点で、それが被覆時に可塑性
を示す熱硬化型樹脂であることが好ましい。このような
樹脂フィルム膜材料としては、グリシジルエーテル型エ
ポキシ樹脂、エポキシ樹脂硬化剤及びフェノキシ樹脂を
必須成分とする樹脂組成物があり、これには球状シリカ
等のフィラーが５０〜８０ｗｔ％含有されていることが
有利である。フィラーの配合は、樹脂フィルムと被着体
の線膨張率とできるだけ一致させるために有効であり、
応力低減のためには好ましい。かかる樹脂フィルム膜材
料は、容易にフィルム化が可能であり、樹脂フィルム膜
５の形成方法としては、上記樹脂組成物を低沸点の溶剤
に溶かしワニス状とし、これを離型処理を施したＰＰや
ＰＥＴ等の基材フィルム上に塗工し、加熱乾燥して溶剤
を取り除くことでフィルム状とすることができる。そし
て、これを樹脂フィルム膜５として被覆させ、次いで加
熱硬化させて、本発明の実装体とすることができる。ま
た、樹脂フィルム膜５の厚みは、厚いほど強度的には有
利であるが、通常３０〜４００μm、好ましくは５０〜
２００μｍの範囲である。
ィルム形成性、信頼性等の点で、それが被覆時に可塑性
を示す熱硬化型樹脂であることが好ましい。このような
樹脂フィルム膜材料としては、グリシジルエーテル型エ
ポキシ樹脂、エポキシ樹脂硬化剤及びフェノキシ樹脂を
必須成分とする樹脂組成物があり、これには球状シリカ
等のフィラーが５０〜８０ｗｔ％含有されていることが
有利である。フィラーの配合は、樹脂フィルムと被着体
の線膨張率とできるだけ一致させるために有効であり、
応力低減のためには好ましい。かかる樹脂フィルム膜材
料は、容易にフィルム化が可能であり、樹脂フィルム膜
５の形成方法としては、上記樹脂組成物を低沸点の溶剤
に溶かしワニス状とし、これを離型処理を施したＰＰや
ＰＥＴ等の基材フィルム上に塗工し、加熱乾燥して溶剤
を取り除くことでフィルム状とすることができる。そし
て、これを樹脂フィルム膜５として被覆させ、次いで加
熱硬化させて、本発明の実装体とすることができる。ま
た、樹脂フィルム膜５の厚みは、厚いほど強度的には有
利であるが、通常３０〜４００μm、好ましくは５０〜
２００μｍの範囲である。
【００１３】次に、本発明の実装体の製造方法を、その
製造工程を示す図３を参照して説明する。図３は断面模
式図であり、まず（ａ）に示すように、樹脂フィルム５
の上に吸引型８を配置する。樹脂フィルム５は、前記し
た樹脂組成物から得られるものが好ましく、また、その
厚さも３０〜４００μｍのものが有利である。樹脂フィ
ルム吸引型８の上部には真空装置に連結する小孔９と空
洞部１０を有しているが、小孔９は１以上有していても
よい。次に、（ｂ）に示すように、この小孔９より真空
吸引を開始すると、未硬化な可塑性の樹脂フィルム５は
変形し、吸引型８の空洞部内壁に密着して、吸引型８の
空洞部内壁とほぼ同じ形状の成形樹脂フィルム５とな
る。ここで、吸引型８や樹脂フィルム５については、１
つのチップを被覆するための成形樹脂フィルム５を得る
方法を示しているが、例えば図示する吸引型８を一つの
ユニットとし、これを多数設けた金型を使用すれば、同
時に多数の成形樹脂フィルム５を得ることができる。こ
の場合、樹脂フィルム５も多数設けた金型に対応する比
較的大きな面積の樹脂フィルムを使用することができる
ため、セッティングが容易となる。なお、フィルムの可
塑性が十分でない場合は、硬化温度未満で吸引型８や樹
脂フィルム５を加熱することができる。この場合の加熱
温度は３０〜６０℃の範囲が好ましい。
製造工程を示す図３を参照して説明する。図３は断面模
式図であり、まず（ａ）に示すように、樹脂フィルム５
の上に吸引型８を配置する。樹脂フィルム５は、前記し
た樹脂組成物から得られるものが好ましく、また、その
厚さも３０〜４００μｍのものが有利である。樹脂フィ
ルム吸引型８の上部には真空装置に連結する小孔９と空
洞部１０を有しているが、小孔９は１以上有していても
よい。次に、（ｂ）に示すように、この小孔９より真空
吸引を開始すると、未硬化な可塑性の樹脂フィルム５は
変形し、吸引型８の空洞部内壁に密着して、吸引型８の
空洞部内壁とほぼ同じ形状の成形樹脂フィルム５とな
る。ここで、吸引型８や樹脂フィルム５については、１
つのチップを被覆するための成形樹脂フィルム５を得る
方法を示しているが、例えば図示する吸引型８を一つの
ユニットとし、これを多数設けた金型を使用すれば、同
時に多数の成形樹脂フィルム５を得ることができる。こ
の場合、樹脂フィルム５も多数設けた金型に対応する比
較的大きな面積の樹脂フィルムを使用することができる
ため、セッティングが容易となる。なお、フィルムの可
塑性が十分でない場合は、硬化温度未満で吸引型８や樹
脂フィルム５を加熱することができる。この場合の加熱
温度は３０〜６０℃の範囲が好ましい。
【００１４】次いで、（ｃ）に示すように吸引型８ご
と、半導体チップ１にかぶせる。工程（ｂ）で吸引型８
と樹脂フィルム５が十分な強度で接着しているときは、
その段階で真空吸引を中止してもよく、そうでない場合
は、真空吸引を続けながら半導体チップ１にかぶせ、そ
こで真空吸引を中止する。なお、接着強度が大きすぎる
場合や、空洞部７をなくしたり、小さくしたりしたい場
合は、真空吸引を中止する代わりに加圧ガスにより加圧
することもできる。半導体チップ１は予め基板２に導通
可能な程度に薄い接着剤層を介して接着させておくこと
が望ましい。工程（ｃ）では、加熱が行われ、樹脂フィ
ルム５が軟化し、半導体チップ１及び基板２に接する部
分では接着が行われる。特に、基板２に接する部分は封
止を完全にするため、吸引型８が押し付けられ、加圧、
加熱接着が行われる。この条件は、樹脂フィルムの種類
により異なるが、上記エポキシ系樹脂の場合は、通常、
３０〜１５０℃程度で、０．０１〜３ＭＰａの圧力によ
り接着させることがよい。更に、工程（ｃ）では、熱硬
化まで行ってもよく、そうである場合は、次の熱硬化工
程（ｄ）を省略することが可能となる。ただし、工程
（ｃ）で硬化まで行う場合には、上記加熱は、後記する
硬化工程（ｄ）記載の硬化温度の範囲でさらに加熱され
る。
と、半導体チップ１にかぶせる。工程（ｂ）で吸引型８
と樹脂フィルム５が十分な強度で接着しているときは、
その段階で真空吸引を中止してもよく、そうでない場合
は、真空吸引を続けながら半導体チップ１にかぶせ、そ
こで真空吸引を中止する。なお、接着強度が大きすぎる
場合や、空洞部７をなくしたり、小さくしたりしたい場
合は、真空吸引を中止する代わりに加圧ガスにより加圧
することもできる。半導体チップ１は予め基板２に導通
可能な程度に薄い接着剤層を介して接着させておくこと
が望ましい。工程（ｃ）では、加熱が行われ、樹脂フィ
ルム５が軟化し、半導体チップ１及び基板２に接する部
分では接着が行われる。特に、基板２に接する部分は封
止を完全にするため、吸引型８が押し付けられ、加圧、
加熱接着が行われる。この条件は、樹脂フィルムの種類
により異なるが、上記エポキシ系樹脂の場合は、通常、
３０〜１５０℃程度で、０．０１〜３ＭＰａの圧力によ
り接着させることがよい。更に、工程（ｃ）では、熱硬
化まで行ってもよく、そうである場合は、次の熱硬化工
程（ｄ）を省略することが可能となる。ただし、工程
（ｃ）で硬化まで行う場合には、上記加熱は、後記する
硬化工程（ｄ）記載の硬化温度の範囲でさらに加熱され
る。
【００１５】工程（ｃ）では、図示するように吸引型８
の内壁と半導体チップ１とが作る間隙が、樹脂フィルム
５の厚みより狭くなっているため、ここで樹脂フィルム
５が半導体チップ１の表面と略全面で接着することにな
り、強度や信頼性の向上に寄与する。
の内壁と半導体チップ１とが作る間隙が、樹脂フィルム
５の厚みより狭くなっているため、ここで樹脂フィルム
５が半導体チップ１の表面と略全面で接着することにな
り、強度や信頼性の向上に寄与する。
【００１６】工程（ｃ）で熱硬化まで行わない場合は、
次に（ｄ）に示すように、熱硬化処理が行われる。この
硬化処理は樹脂フィルム５がエポキシ樹脂系である場合
は、１２０〜２００℃程度である。また、エポキシ樹脂
系である場合は、硬化促進剤等の添加剤が加えられるこ
とが好ましい。樹脂フィルム５の材質としては、その
他、可撓性を有するシリコーン系、ポリイミド系、アク
リル系又はフェノール系などの材料に熱硬化性を付与し
たものを用いることもできる。その後、必要によりダイ
シングがされて図１又は図２に示すようなフリップチッ
プ実装体とされる。
次に（ｄ）に示すように、熱硬化処理が行われる。この
硬化処理は樹脂フィルム５がエポキシ樹脂系である場合
は、１２０〜２００℃程度である。また、エポキシ樹脂
系である場合は、硬化促進剤等の添加剤が加えられるこ
とが好ましい。樹脂フィルム５の材質としては、その
他、可撓性を有するシリコーン系、ポリイミド系、アク
リル系又はフェノール系などの材料に熱硬化性を付与し
たものを用いることもできる。その後、必要によりダイ
シングがされて図１又は図２に示すようなフリップチッ
プ実装体とされる。
【００１７】
【実施例】以下、本発明の実施例を示す。グリシジルエ
ーテル型エポキシ樹脂、エポキシ樹脂硬化剤及びフェノ
キシ樹脂を必須成分とする樹脂組成物に球状シリカが６
０wt％含有されているエポキシ系樹脂組成物から製造さ
れた樹脂フィルム５（１２×１２mm、厚さ１４０μｍ）
を準備した。この上に吸引装置に連結する小孔を1つ有
する図３（ａ）と同様な形状の吸引型（空洞部：１０．
８×１０．８ｍｍ、深さ０．３９ｍｍ）を載せた。次い
で、吸引装置により樹脂フィルム膜が吸引型内壁と密着
するように減圧吸引し、これを予め基板上に実装された
半導体チップ１（１０×１０ｍｍ、厚さ０．３ｍｍ）上
にかぶせ、０．１MPaで圧着した。なお、この際に金型
の温度は５０℃とし、基板は６０℃に加熱した。そし
て、吸引を解除することにより図３（ｃ）に示すように
半導体チップ１がフィルム膜で保護され、フィルム端部
が基板と接した状態を形成した。このように形成された
フィルム付フリップチップ実装体を硬化炉に入れ、１５
０℃、１２０分の熱処理を施し、フィルム膜を硬化させ
た。得られた実装体は強固に各部品が固定されており、
ＰＣＴ試験後の実装体には変化が見られず良好な耐久性
を有していることが認められた。
ーテル型エポキシ樹脂、エポキシ樹脂硬化剤及びフェノ
キシ樹脂を必須成分とする樹脂組成物に球状シリカが６
０wt％含有されているエポキシ系樹脂組成物から製造さ
れた樹脂フィルム５（１２×１２mm、厚さ１４０μｍ）
を準備した。この上に吸引装置に連結する小孔を1つ有
する図３（ａ）と同様な形状の吸引型（空洞部：１０．
８×１０．８ｍｍ、深さ０．３９ｍｍ）を載せた。次い
で、吸引装置により樹脂フィルム膜が吸引型内壁と密着
するように減圧吸引し、これを予め基板上に実装された
半導体チップ１（１０×１０ｍｍ、厚さ０．３ｍｍ）上
にかぶせ、０．１MPaで圧着した。なお、この際に金型
の温度は５０℃とし、基板は６０℃に加熱した。そし
て、吸引を解除することにより図３（ｃ）に示すように
半導体チップ１がフィルム膜で保護され、フィルム端部
が基板と接した状態を形成した。このように形成された
フィルム付フリップチップ実装体を硬化炉に入れ、１５
０℃、１２０分の熱処理を施し、フィルム膜を硬化させ
た。得られた実装体は強固に各部品が固定されており、
ＰＣＴ試験後の実装体には変化が見られず良好な耐久性
を有していることが認められた。
【００１８】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明のフリッ
プチップ実装体は、機械的強度等の信頼性に優れる。ま
た、本発明のフリップチップ実装体の製造方法によれ
ば、比較的簡単な装置を使用し、比較的簡単な操作で、
信頼性の高い、表面均一性又は平滑性の優れたフリップ
チップ実装体を得ることができる。
プチップ実装体は、機械的強度等の信頼性に優れる。ま
た、本発明のフリップチップ実装体の製造方法によれ
ば、比較的簡単な装置を使用し、比較的簡単な操作で、
信頼性の高い、表面均一性又は平滑性の優れたフリップ
チップ実装体を得ることができる。
【図１】 本発明のフリップチップ実装体の断面図
【図２】 本発明のフリップチップ実装体の断面図
【図３】 本発明のフリップチップ実装体の製造方法を
示す工程図
示す工程図
【図４】 従来のフリップチップ実装体の断面図
１ 半導体チップ ２ 基板 ３ 金バンプ ５ 樹脂フィルム ８ 吸引型 ９ 小孔
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4M109 AA02 BA03 CA22 EA02 EB02 EB13 5F044 LL11 RR17 RR18 RR19 5F061 AA02 BA03 CA22 DA00
Claims (5)
- 【請求項１】 バンプを有する半導体チップを基板上の
端子電極部へ実装した構成であって、半導体チップ全体
を覆う樹脂フィルムの皮膜を設けたことを特徴とするフ
リップチップ実装体。 - 【請求項２】 樹脂フィルムの皮膜の一部が、半導体チ
ップの上部及び側部の少なくとも一部に接して、変形さ
れている請求項１記載のフリップチップ実装体。 - 【請求項３】 上部に真空装置に連結する小孔を有し、
半導体チップを収納するにやや大きい空洞部を有する樹
脂フィルム吸引型を使用して、樹脂フィルムを該空洞部
の内壁に持ち上げ、これを基板上の端子電極部へ実装し
た半導体チップ上にかぶせ、次いで、真空を常圧又は加
圧に切りかえると共に、加熱して樹脂フィルムを半導体
チップ及びその周辺の基板上に接着させることを特徴と
するフリップチップ実装方法。 - 【請求項４】 空洞部の内壁と半導体チップが作る間隙
が、樹脂フィルムよりやや薄い部分を一部に有する請求
項３記載のフリップチップ実装方法。 - 【請求項５】 樹脂フィルムが、フィルム状の熱硬化性
接着剤からなり、使用温度で熱可塑性を示すものである
請求項３記載のフリップチップ実装方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001124313A JP2002319650A (ja) | 2001-04-23 | 2001-04-23 | フリップチップ実装体及び半導体チップの実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001124313A JP2002319650A (ja) | 2001-04-23 | 2001-04-23 | フリップチップ実装体及び半導体チップの実装方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002319650A true JP2002319650A (ja) | 2002-10-31 |
Family
ID=18973720
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001124313A Withdrawn JP2002319650A (ja) | 2001-04-23 | 2001-04-23 | フリップチップ実装体及び半導体チップの実装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002319650A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006032478A (ja) * | 2004-07-13 | 2006-02-02 | Nippon Steel Chem Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JP2007227609A (ja) * | 2006-02-23 | 2007-09-06 | Seiko Epson Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| US7752747B2 (en) | 2004-01-22 | 2010-07-13 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Manufacturing method of electronic component |
| US9385014B2 (en) | 2007-02-02 | 2016-07-05 | Cypress Semiconductor Corporation | Flip-chip package covered with tape |
-
2001
- 2001-04-23 JP JP2001124313A patent/JP2002319650A/ja not_active Withdrawn
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