JP3854979B2 - 電子部品の実装方法及び基板モジュール - Google Patents
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Description
上記電子部品の電極と上記基板の電極とのうちのいずれか一方の電極に形成したバンプを上記電子部品の電極と上記基板の電極とのうちのいずれか他方の電極に接合し、上記電子部品と上記基板との互いに対向する2つの面のうち少なくともいずれか一方の面に配置された密着力向上剤が上記絶縁樹脂と接触して上記密着力向上剤により上記絶縁樹脂と上記電子部品又は上記基板との間の密着力が向上するとともに、
上記電子部品が矩形のICチップであり、上記密着力向上剤が、上記基板に実装されるべき上記矩形のICチップの実装部と、上記ICチップが実装されるべき上記基板のICチップ実装部のうちのいずれか一方の実装部の四隅に配置されて上記絶縁樹脂と接触し、上記密着力向上剤により上記絶縁樹脂と上記電子部品又は上記基板との間の密着力が向上している第基板モジュールを提供する。
上記電子部品の電極と上記基板の電極とのうちのいずれか一方の電極に形成したバンプを上記電子部品の電極と上記基板の電極とのうちのいずれか他方の電極に接合し、上記電子部品と上記基板との互いに対向する2つの面のうち少なくともいずれか一方の面に配置された密着力向上剤が上記絶縁樹脂と接触して上記密着力向上剤により上記絶縁樹脂と上記電子部品又は上記基板との間の密着力が向上するとともに、
上記電子部品がICチップであり、上記密着力向上剤を、上記基板に実装されるべき上記ICチップの実装部と、上記ICチップが実装されるべき上記基板のICチップ実装部とのうちのいずれか一方の実装部の縁部にドット状に配置されて上記絶縁樹脂と接触し、上記密着力向上剤により上記絶縁樹脂と上記電子部品又は上記基板との間の密着力が向上している基板モジュールを提供する。
上記電子部品の電極と上記基板の電極とのうちのいずれか一方の電極に形成したバンプを上記電子部品の電極と上記基板の電極とのうちのいずれか他方の電極に接合し、上記電子部品と上記基板との互いに対向する2つの面のうち少なくともいずれか一方の面に配置された密着力向上剤が上記絶縁樹脂と接触して上記密着力向上剤により上記絶縁樹脂と上記電子部品又は上記基板との間の密着力が向上するとともに、
上記電子部品がICチップであり、上記密着力向上剤を、上記基板に実装されるべき上記ICチップの実装部と、上記ICチップが実装されるべき上記基板のICチップ実装部とのうちのいずれか一方の実装部の縁部に枠状でかつ帯状に配置されて上記絶縁樹脂と接触し、上記密着力向上剤により上記絶縁樹脂と上記電子部品又は上記基板との間の密着力が向上している基板モジュールを提供する。
上記電子部品の電極と上記基板の電極とのうちのいずれか一方の電極に形成したバンプを上記電子部品の電極と上記基板の電極とのうちのいずれか他方の電極に接合し、その後、上記電子部品と上記基板との互いに対向する2つの面のうち少なくともいずれか一方の面に配置された密着力向上剤が上記絶縁樹脂と接触して上記密着力向上剤により上記絶縁樹脂と上記電子部品又は上記基板との間の密着力が向上するとともに、
上記電子部品が矩形のICチップであり、上記密着力向上剤が、上記基板に実装されるべき上記矩形のICチップの実装部と、上記ICチップが実装されるべき上記基板のICチップ実装部のうちのいずれか一方の実装部の四隅に配置されて上記絶縁樹脂と接触し、上記密着力向上剤により上記絶縁樹脂と上記電子部品又は上記基板との間の密着力が向上している電子部品の実装方法を提供する。
上記電子部品の電極と上記基板の電極とのうちのいずれか一方の電極に形成したバンプを上記電子部品の電極と上記基板の電極とのうちのいずれか他方の電極に接合し、その後、上記電子部品と上記基板との互いに対向する2つの面のうち少なくともいずれか一方の面に配置された密着力向上剤が上記絶縁樹脂と接触して上記密着力向上剤により上記絶縁樹脂と上記電子部品又は上記基板との間の密着力が向上するとともに、
上記電子部品がICチップであり、上記密着力向上剤を、上記基板に実装されるべき上記ICチップの実装部と、上記ICチップが実装されるべき上記基板のICチップ実装部とのうちのいずれか一方の実装部の縁部にドット状に配置されて上記絶縁樹脂と接触し、上記密着力向上剤により上記絶縁樹脂と上記電子部品又は上記基板との間の密着力が向上している電子部品の実装方法を提供する。
上記電子部品の電極と上記基板の電極とのうちのいずれか一方の電極に形成したバンプを上記電子部品の電極と上記基板の電極とのうちのいずれか他方の電極に接合し、その後、上記電子部品と上記基板との互いに対向する2つの面のうち少なくともいずれか一方の面に配置された密着力向上剤が上記絶縁樹脂と接触して上記密着力向上剤により上記絶縁樹脂と上記電子部品又は上記基板との間の密着力が向上するとともに、
上記電子部品がICチップであり、上記密着力向上剤を、上記基板に実装されるべき上記ICチップの実装部と、上記ICチップが実装されるべき上記基板のICチップ実装部とのうちのいずれか一方の実装部の縁部に枠状でかつ帯状に配置されて上記絶縁樹脂と接触し、上記密着力向上剤により上記絶縁樹脂と上記電子部品又は上記基板との間の密着力が向上している電子部品の実装方法を提供する。
、γ−(メタクリロキシプロピル)トリメトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシランである。また、シラン系とは異なる、チタネート系シランカップリング剤の具体例としては、表1に掲げるものを使用することができる。
Claims (6)
- 電子部品と基板とを接合したのち上記電子部品と上記基板との間を絶縁樹脂で封止して構成される基板モジュールにおいて、
上記電子部品の電極と上記基板の電極とのうちのいずれか一方の電極に形成したバンプを上記電子部品の電極と上記基板の電極とのうちのいずれか他方の電極に接合し、上記電子部品と上記基板との互いに対向する2つの面のうち少なくともいずれか一方の面に配置された密着力向上剤が上記絶縁樹脂と接触して上記密着力向上剤により上記絶縁樹脂と上記電子部品又は上記基板との間の密着力が向上するとともに、
上記電子部品が矩形のICチップであり、上記密着力向上剤が、上記基板に実装されるべき上記矩形のICチップの実装部と、上記ICチップが実装されるべき上記基板のICチップ実装部のうちのいずれか一方の実装部の四隅に配置されて上記絶縁樹脂と接触し、上記密着力向上剤により上記絶縁樹脂と上記電子部品又は上記基板との間の密着力が向上している基板モジュール。 - 電子部品と基板とを接合したのち上記電子部品と上記基板との間を絶縁樹脂で封止して構成される基板モジュールにおいて、
上記電子部品の電極と上記基板の電極とのうちのいずれか一方の電極に形成したバンプを上記電子部品の電極と上記基板の電極とのうちのいずれか他方の電極に接合し、上記電子部品と上記基板との互いに対向する2つの面のうち少なくともいずれか一方の面に配置された密着力向上剤が上記絶縁樹脂と接触して上記密着力向上剤により上記絶縁樹脂と上記電子部品又は上記基板との間の密着力が向上するとともに、
上記電子部品がICチップであり、上記密着力向上剤を、上記基板に実装されるべき上記ICチップの実装部と、上記ICチップが実装されるべき上記基板のICチップ実装部とのうちのいずれか一方の実装部の縁部にドット状に配置されて上記絶縁樹脂と接触し、上記密着力向上剤により上記絶縁樹脂と上記電子部品又は上記基板との間の密着力が向上している基板モジュール。 - 電子部品と基板とを接合したのち上記電子部品と上記基板との間を絶縁樹脂で封止して構成される基板モジュールにおいて、
上記電子部品の電極と上記基板の電極とのうちのいずれか一方の電極に形成したバンプを上記電子部品の電極と上記基板の電極とのうちのいずれか他方の電極に接合し、上記電子部品と上記基板との互いに対向する2つの面のうち少なくともいずれか一方の面に配置された密着力向上剤が上記絶縁樹脂と接触して上記密着力向上剤により上記絶縁樹脂と上記電子部品又は上記基板との間の密着力が向上するとともに、
上記電子部品がICチップであり、上記密着力向上剤を、上記基板に実装されるべき上記ICチップの実装部と、上記ICチップが実装されるべき上記基板のICチップ実装部とのうちのいずれか一方の実装部の縁部に枠状でかつ帯状に配置されて上記絶縁樹脂と接触し、上記密着力向上剤により上記絶縁樹脂と上記電子部品又は上記基板との間の密着力が向上している基板モジュール。 - 電子部品と基板とを接合したのち上記電子部品と上記基板との間を絶縁樹脂で封止して構成する電子部品の実装方法において、
上記電子部品の電極と上記基板の電極とのうちのいずれか一方の電極に形成したバンプを上記電子部品の電極と上記基板の電極とのうちのいずれか他方の電極に接合し、その後、上記電子部品と上記基板との互いに対向する2つの面のうち少なくともいずれか一方の面に配置された密着力向上剤が上記絶縁樹脂と接触して上記密着力向上剤により上記絶縁樹脂と上記電子部品又は上記基板との間の密着力が向上するとともに、
上記電子部品が矩形のICチップであり、上記密着力向上剤が、上記基板に実装されるべき上記矩形のICチップの実装部と、上記ICチップが実装されるべき上記基板のICチップ実装部のうちのいずれか一方の実装部の四隅に配置されて上記絶縁樹脂と接触し、上記密着力向上剤により上記絶縁樹脂と上記電子部品又は上記基板との間の密着力が向上している電子部品の実装方法。 - 電子部品と基板とを接合したのち上記電子部品と上記基板との間を絶縁樹脂で封止して構成する電子部品の実装方法において、
上記電子部品の電極と上記基板の電極とのうちのいずれか一方の電極に形成したバンプを上記電子部品の電極と上記基板の電極とのうちのいずれか他方の電極に接合し、その後、上記電子部品と上記基板との互いに対向する2つの面のうち少なくともいずれか一方の面に配置された密着力向上剤が上記絶縁樹脂と接触して上記密着力向上剤により上記絶縁樹脂と上記電子部品又は上記基板との間の密着力が向上するとともに、
上記電子部品がICチップであり、上記密着力向上剤を、上記基板に実装されるべき上記ICチップの実装部と、上記ICチップが実装されるべき上記基板のICチップ実装部とのうちのいずれか一方の実装部の縁部にドット状に配置されて上記絶縁樹脂と接触し、上記密着力向上剤により上記絶縁樹脂と上記電子部品又は上記基板との間の密着力が向上している電子部品の実装方法。 - 電子部品と基板とを接合したのち上記電子部品と上記基板との間を絶縁樹脂で封止して構成する電子部品の実装方法において、
上記電子部品の電極と上記基板の電極とのうちのいずれか一方の電極に形成したバンプを上記電子部品の電極と上記基板の電極とのうちのいずれか他方の電極に接合し、その後、上記電子部品と上記基板との互いに対向する2つの面のうち少なくともいずれか一方の面に配置された密着力向上剤が上記絶縁樹脂と接触して上記密着力向上剤により上記絶縁樹脂と上記電子部品又は上記基板との間の密着力が向上するとともに、
上記電子部品がICチップであり、上記密着力向上剤を、上記基板に実装されるべき上記ICチップの実装部と、上記ICチップが実装されるべき上記基板のICチップ実装部とのうちのいずれか一方の実装部の縁部に枠状でかつ帯状に配置されて上記絶縁樹脂と接触し、上記密着力向上剤により上記絶縁樹脂と上記電子部品又は上記基板との間の密着力が向上している電子部品の実装方法。
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